JP2011086867A - Light emitting element and projector - Google Patents

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JP2011086867A JP2009240445A JP2009240445A JP2011086867A JP 2011086867 A JP2011086867 A JP 2011086867A JP 2009240445 A JP2009240445 A JP 2009240445A JP 2009240445 A JP2009240445 A JP 2009240445A JP 2011086867 A JP2011086867 A JP 2011086867A
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light emitting
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Tetsuro Nishida
哲朗 西田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting element that can emit polarized light. <P>SOLUTION: In the light emitting element 100, at least some region of an active layer 106 constitutes a gain region 160 as a current pathway of the active layer 106; first and second faces 105 and 107 of the active layer 106's exposed face have a mutually opposite positional relationship in the laminated structure 120; the gain region 160 is provided from a first end face 170 on the first face 105 side up to a second end face 172 on the second face 107 side; and when viewed plane-wise from the laminating direction of the active layer 106, a line Q connecting a center 170a of the first end face 170 and a center 172a of the second end face 172 inclines with respect to the vertical line P of the first end face 105, at least the first end face 170 of the gain region 160 is an emitting face, and a polarized light selection member 130 separates, at the first end face 170, light produced at the gain region 160 into a P polarization component and an S polarization component. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子、およびプロジェクターに関する。   The present invention relates to a light emitting element and a projector.

液晶プロジェクターは、液晶ライトバルブが偏光依存素子であるため、液晶ライトバルブに入射する光は、偏光していることが望ましい。例えば、特許文献１に記載された技術では、高圧水銀ランプ（ＵＨＰ）を液晶プロジェクターの光源として用いているが、ＵＨＰは無偏光光源であるため、偏光変換素子をＵＨＰと液晶ライトバルブとの間に配置し、光を偏光させている。しかしながら、偏光変換素子に光を通すことによる光学的ロス、また部品点数の増加を考慮すると、光源自体が偏光を出射することが望ましい。   In the liquid crystal projector, since the liquid crystal light valve is a polarization dependent element, it is desirable that the light incident on the liquid crystal light valve is polarized. For example, in the technique described in Patent Document 1, a high-pressure mercury lamp (UHP) is used as a light source of a liquid crystal projector. Since UHP is a non-polarized light source, a polarization conversion element is provided between the UHP and a liquid crystal light valve. Arranged to polarize the light. However, considering the optical loss caused by passing light through the polarization conversion element and the increase in the number of parts, it is desirable that the light source itself emits polarized light.

特開平５−３４６３９号公報JP-A-5-34639

本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、偏光を出射することができる発光素子を提供することにある。   One of the objects according to some embodiments of the present invention is to provide a light-emitting element that can emit polarized light.

本発明に係る発光素子は、
第１クラッド層、第２クラッド層、および前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれた活性層を有する積層構造体と、
前記活性層の出射面に形成された偏光選択部材と、
を含み、
前記活性層のうちの少なくとも一部の領域は、前記活性層の電流経路となる利得領域を構成し、
前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面および第２面は、互いに対向する位置関係であり、
前記利得領域は、前記第１面側の第１端面から前記第２面側の第２端面まで設けられ、
前記活性層の積層方向から平面視して、前記第１端面の中心と前記第２端面の中心とを結ぶ線は、前記第１面の垂線に対して、傾いており、
少なくとも前記利得領域の前記第１端面は、前記出射面であり、
前記偏光選択部材は、前記第１端面において、前記利得領域に生じる光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する。 The light emitting device according to the present invention is
A laminated structure having a first cladding layer, a second cladding layer, and an active layer sandwiched between the first cladding layer and the second cladding layer;
A polarization selection member formed on the exit surface of the active layer;
Including
At least a part of the active layer constitutes a gain region serving as a current path of the active layer,
In the laminated structure, the first surface and the second surface of the exposed surfaces of the active layer are in a positional relationship facing each other.
The gain region is provided from the first end surface on the first surface side to the second end surface on the second surface side,
The line connecting the center of the first end surface and the center of the second end surface in plan view from the stacking direction of the active layer is inclined with respect to the normal of the first surface;
At least the first end face of the gain region is the exit face;
The polarization selection member separates light generated in the gain region into a P-polarized component and an S-polarized component at the first end face.

このような発光素子によれば、出射面となる前記第１端面には、前記偏光選択部材が形成されている。前記偏光選択部材は、前記利得領域内を進行し前記第１端面に至った光を、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分とに分離することができる。そして、例えば、Ｐ偏光成分は出射光として外部に出射され、Ｓ偏光成分は前記活性層内に吸収されることができる。すなわち、このような発光素子は、偏光を出射することができる。   According to such a light emitting element, the polarization selection member is formed on the first end surface serving as an emission surface. The polarization selection member can separate light that travels in the gain region and reaches the first end face into a P-polarized component and an S-polarized component. For example, the P-polarized component can be emitted to the outside as outgoing light, and the S-polarized component can be absorbed in the active layer. That is, such a light emitting element can emit polarized light.

本発明に係る発光素子において、
前記偏光選択部材は、誘電体多層膜から構成されていることができる。 In the light emitting device according to the present invention,
The polarization selection member may be composed of a dielectric multilayer film.

このような発光素子によれば、簡易に、前記第１端面に前記偏光選択部材を形成することができ、Ｐ偏光成分の光を出射することができる。   According to such a light emitting element, the polarization selection member can be easily formed on the first end face, and light of a P-polarized component can be emitted.

本発明に係る発光素子において、
前記偏光選択部材は、ワイヤーグリッド偏光子であることができる。 In the light emitting device according to the present invention,
The polarization selection member may be a wire grid polarizer.

このような発光素子によれば、ワイヤーグリッド偏光子の形状により、Ｐ偏光成分、およびＳ偏光成分のうちいずれか一方の光を、出射することができる。   According to such a light emitting element, one of the P-polarized component and the S-polarized component can be emitted depending on the shape of the wire grid polarizer.

本発明に係る発光素子において、
前記偏光選択部材と前記第１端面との間には、保護膜が形成されていることができる。 In the light emitting device according to the present invention,
A protective film may be formed between the polarization selection member and the first end surface.

このような発光素子によれば、前記偏光選択部材を形成する際の、前記第１端面（前記第１面）に与えるプロセスダメージを緩和することができる。   According to such a light emitting element, process damage given to the first end face (the first face) when forming the polarization selection member can be reduced.

本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光素子を有する発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。 The projector according to the present invention is
A light emitting device having the light emitting element according to the present invention;
A light modulation device that modulates light emitted from the light emitting device according to image information;
A projection device for projecting an image formed by the light modulation device;
including.

このようなプロジェクターによれば、発光素子自体が偏光を出射するので、光源と液晶ライトバルブとの間に、別途、偏光変換素子を挿入する必要がない。そのため、例えば、偏光変換素子に光を通すことによる光学的ロスを防止することができ、また部品点数の増加を防止することができる。   According to such a projector, since the light emitting element itself emits polarized light, it is not necessary to separately insert a polarization conversion element between the light source and the liquid crystal light valve. Therefore, for example, an optical loss due to passing light through the polarization conversion element can be prevented, and an increase in the number of parts can be prevented.

第１の実施形態に係る発光素子を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the light emitting element which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る発光素子を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the light emitting element which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る発光素子を模式的に示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the light emitting element according to the first embodiment. 第１の実施形態に係る発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the light emitting element which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the light emitting element which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the light emitting element which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態の変形例に係る発光素子を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the light emitting element which concerns on the modification of 1st Embodiment. 第２の実施形態に係る発光素子を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the light emitting element which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施形態に係る発光素子を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the light emitting element which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施形態に係る発光素子の偏光選択部材を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the polarization | polarized-light selection member of the light emitting element which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施形態に係る発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the light emitting element which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施形態の第１変形例に係る発光素子を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the light emitting element which concerns on the 1st modification of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の第２変形例に係る発光素子を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the light emitting element which concerns on the 2nd modification of 2nd Embodiment. 第３の実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the light-emitting device which concerns on 3rd Embodiment. 第３の実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the light-emitting device which concerns on 3rd Embodiment. 第４の実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。FIG. 10 is a diagram schematically showing a projector according to a fourth embodiment.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。   Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

１． 第１の実施形態
１．１． 第１の実施形態に係る発光素子
まず、第１の実施形態に係る発光素子１００について、図面を参照しながら説明する。図１は、発光素子１００を模式的に示す斜視図である。図２は、発光素子１００を模式的に示す平面図である。図３は、発光素子１００を模式的に示す図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。なお、図１および図２では、便宜上、第１電極１１２および第２電極１１４の図示を省略している。また、ここでは、発光素子１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）の半導体発光素子である場合について説明する。 1. 1. First embodiment 1.1. First, a light emitting device 100 according to a first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view schematically showing the light emitting device 100. FIG. 2 is a plan view schematically showing the light emitting element 100. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. In FIGS. 1 and 2, the first electrode 112 and the second electrode 114 are not shown for convenience. Here, a case where the light emitting element 100 is an InGaAlP-based (red) semiconductor light emitting element will be described.

発光素子１００は、図１〜図３に示すように、積層構造体１２０と、偏光選択部材１３０と、を含む。積層構造体１２０は、基板１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１１０と、を含むことができる。発光素子１００は、さらに、第１電極１１２と、第２電極１１４と、絶縁部１１６と、を含むことができる。   As illustrated in FIGS. 1 to 3, the light emitting element 100 includes a laminated structure 120 and a polarization selection member 130. The laminated structure 120 can include a substrate 102, a first cladding layer 104, an active layer 106, a second cladding layer 108, and a contact layer 110. The light emitting device 100 may further include a first electrode 112, a second electrode 114, and an insulating part 116.

基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。   As the substrate 102, for example, a first conductivity type (for example, n-type) GaAs substrate or the like can be used.

第１クラッド層１０４は、基板１０２上に形成されている。第１クラッド層１０４としては、例えば、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。なお、図示はしないが、基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が形成されていてもよい。バッファー層としては、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることができる。バッファー層は、その上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。   The first cladding layer 104 is formed on the substrate 102. As the first cladding layer 104, for example, an n-type AlGaInP layer can be used. Although not shown, a buffer layer may be formed between the substrate 102 and the first cladding layer 104. As the buffer layer, for example, an n-type GaAs layer, an InGaP layer, or the like can be used. The buffer layer can improve the crystallinity of the layer formed thereabove.

活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。活性層１０６は、第１クラッド層１０４と第２クラッド層１０８とに挟まれている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。   The active layer 106 is formed on the first cladding layer 104. The active layer 106 is sandwiched between the first cladding layer 104 and the second cladding layer 108. The active layer 106 has, for example, a multiple quantum well (MQW) structure in which three quantum well structures each composed of an InGaP well layer and an InGaAlP barrier layer are stacked.

活性層１０６の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。活性層１０６は、図２に示すように、第１面１０５および第２面１０７を有する。第１面１０５および第２面１０７は、活性層１０６の面のうち第１クラッド層１０４または第２クラッド層１０８に接していない面であり、積層構造体１２０において露出している面である。第１面１０５および第２面１０７は、活性層１０６の側面ともいえる。第１面１０５および第２面１０７は、互いに対向しており、図示の例では平行である。   The shape of the active layer 106 is, for example, a rectangular parallelepiped (including a cube). The active layer 106 has a first surface 105 and a second surface 107 as shown in FIG. The first surface 105 and the second surface 107 are surfaces that are not in contact with the first cladding layer 104 or the second cladding layer 108 among the surfaces of the active layer 106, and are exposed in the multilayer structure 120. It can be said that the first surface 105 and the second surface 107 are side surfaces of the active layer 106. The first surface 105 and the second surface 107 face each other and are parallel in the illustrated example.

活性層１０６の一部の領域は、利得領域１６０を構成している。利得領域１６０には、光を生じさせることができ、この光は、利得領域１６０内で利得を受けることができる。利得領域１６０は、活性層１０６の電流経路ともいえる。利得領域１６０の平面形状は、例えば図２に示すような平行四辺形などである。利得領域１６０は、図２に示すように活性層１０６の積層方向から平面視して（活性層１０６の厚み方向からみて）、第１面１０５側の第１端面１７０から、第２面１０７側の第２端面１７２まで、第１面１０５の垂線Ｐに対して傾いて設けられている。すなわち、第１端面１７０の中心１７０ａと第２端面１７２の中心１７２ａとを結ぶ直線Ｑは、垂線Ｐに対して傾いている。これにより、発光素子１００では、利得領域１６０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。つまり、発光素子１００は、スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ：Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）であることができる。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。   A part of the active layer 106 constitutes a gain region 160. The gain region 160 can generate light, and this light can receive gain within the gain region 160. It can be said that the gain region 160 is a current path of the active layer 106. The planar shape of the gain region 160 is, for example, a parallelogram as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the gain region 160 is viewed from the stacking direction of the active layer 106 (as viewed from the thickness direction of the active layer 106), from the first end surface 170 on the first surface 105 side to the second surface 107 side. The second end surface 172 is inclined with respect to the normal line P of the first surface 105. That is, the straight line Q connecting the center 170 a of the first end surface 170 and the center 172 a of the second end surface 172 is inclined with respect to the perpendicular P. Thereby, in the light emitting element 100, laser oscillation of light generated in the gain region 160 can be suppressed or prevented. In other words, the light emitting element 100 can be a super luminescent diode (SLD). Unlike a semiconductor laser, an SLD can prevent laser oscillation by suppressing the formation of a resonator due to end face reflection. Therefore, speckle noise can be reduced.

第２クラッド層１０８は、図１および図３に示すように、活性層１０６上に形成されている。第２クラッド層１０８としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。   As shown in FIGS. 1 and 3, the second cladding layer 108 is formed on the active layer 106. As the second cladding layer 108, for example, a second conductivity type (for example, p-type) AlGaInP layer or the like can be used.

例えば、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、活性層１０６よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０６は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。   For example, the p-type second cladding layer 108, the active layer 106 not doped with impurities, and the n-type first cladding layer 104 constitute a pin diode. Each of the first cladding layer 104 and the second cladding layer 108 is a layer having a larger forbidden band width and a smaller refractive index than the active layer 106. The active layer 106 has a function of amplifying light. The first cladding layer 104 and the second cladding layer 108 have a function of confining injected carriers (electrons and holes) and light with the active layer 106 interposed therebetween.

発光素子１００は、第１電極１１２と第２電極１１４との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０６の利得領域１６０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１６０内で光の強度が増幅される。例えば、図２に示すように、利得領域１６０に生じる光の一部１０は、利得領域１６０内で増幅された後、出射面となる第１端面１７０に到達し、偏光選択部材１３０を介して、出射光２０として出射される。同様に、利得領域１６０に生じる光の一部は、第２端面１７２から偏光選択部材１３０を介して、出射光２２として出射されてもよい。   In the light emitting element 100, when a forward bias voltage of a pin diode is applied between the first electrode 112 and the second electrode 114, recombination of electrons and holes occurs in the gain region 160 of the active layer 106. This recombination causes light emission. With this generated light as a starting point, stimulated emission occurs in a chain, and the light intensity is amplified in the gain region 160. For example, as shown in FIG. 2, a part of the light 10 generated in the gain region 160 is amplified in the gain region 160, and then reaches the first end surface 170 serving as an output surface, via the polarization selection member 130. The emitted light 20 is emitted. Similarly, part of the light generated in the gain region 160 may be emitted as the emitted light 22 from the second end surface 172 via the polarization selection member 130.

偏光選択部材１３０は、図１および図２に示すように、第１端面１７０を覆って形成されている。図示の例では、偏光選択部材１３０は、第１面１０５を覆って形成されている。偏光選択部材１３０は、誘電体多層膜から構成されていることができる。偏光選択部材１３０は、第１端面１７０に到達した光１０を、Ｐ偏光成分２０とＳ偏光成分３０とに分離することができる。例えば、偏光選択部材１３０は、光１０のＰ偏光成分の反射率が最も小さく、かつＳ偏光成分の反射率が最も大きくなるように設計されることができる。偏光選択部材１３０によって分離されたＰ偏光成分２０は、出射光２０として外部（空気中）に出射されることができる。偏光選択部材１３０によって分離されたＳ偏光成分３０は、活性層１０６内に吸収されることができる。これにより、発光素子１００は、偏光（Ｐ偏光成分の光）を出射することができる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the polarization selection member 130 is formed so as to cover the first end face 170. In the illustrated example, the polarization selection member 130 is formed so as to cover the first surface 105. The polarization selection member 130 can be composed of a dielectric multilayer film. The polarization selection member 130 can separate the light 10 that has reached the first end face 170 into a P-polarized component 20 and an S-polarized component 30. For example, the polarization selection member 130 can be designed such that the reflectance of the P-polarized component of the light 10 is the smallest and the reflectance of the S-polarized component is the largest. The P-polarized light component 20 separated by the polarization selection member 130 can be emitted to the outside (in the air) as the emitted light 20. The S polarization component 30 separated by the polarization selection member 130 can be absorbed into the active layer 106. As a result, the light emitting element 100 can emit polarized light (light of P-polarized component).

例えば、偏光選択部材１３０には、ＴｉＯ２層とＳｉＯ２層とを２０ペア積層した誘電体多層膜を用いることができる。第１端面１７０に到達する光１０の波長λを６５０ｎｍとし、ＳｉＯ２層およびＴｉＯ２層の膜厚を（λ／４ｎ）とすることができる（ｎは、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２の屈折率）。利得領域１６０の垂線Ｐに対する傾き角θ（直線Ｑの垂線Ｐに対する傾き角θ）を、７．５度〜１０度とすることができる。このような設定により、例えば、Ｐ偏光成分の反射率を２０％以下とし、Ｓ偏光成分の反射率は９０％以上とすることができる。 For example, the polarization selection member 130 can be a dielectric multilayer film in which 20 pairs of TiO 2 layers and SiO 2 layers are stacked. The wavelength λ of the light 10 reaching the first end face 170 can be 650 nm, and the film thickness of the SiO 2 layer and the TiO 2 layer can be (λ / 4n) (n is the refractive index of SiO 2 and TiO 2 ). . The inclination angle θ of the gain region 160 with respect to the perpendicular P (the inclination angle θ of the straight line Q with respect to the perpendicular P) can be set to 7.5 degrees to 10 degrees. With such a setting, for example, the reflectance of the P-polarized component can be 20% or less, and the reflectance of the S-polarized component can be 90% or more.

なお、偏光選択部材１３０は、図１および図２に示すように、さらに第２端面１７２（第２面１０７）を覆って形成されていてもよい。この場合、偏光選択部材１３０は、さらに第２端面１７２に到達した光を、Ｐ偏光成分２２とＳ偏光成分３２とに分離することができる。また、偏光選択部材１３０としては、例えば、Ｔａ２Ｏ５層とＳｉＯ２層との積層体、Ｓｉ層とＳｉＯ２層との積層体、ＳｉＮ層とＳｉＯ２層との積層体などを用いてもよい。また、偏光選択部材１３０の設計として、例えば、特開平７−２８１０２４号公報を参照してもよい。 As shown in FIGS. 1 and 2, the polarization selection member 130 may further be formed so as to cover the second end surface 172 (second surface 107). In this case, the polarization selection member 130 can further separate the light reaching the second end face 172 into the P-polarized component 22 and the S-polarized component 32. Further, as the polarization selection member 130, for example, a stacked body of Ta 2 O 5 layer and SiO 2 layer, a stacked body of Si layer and SiO 2 layer, a stacked body of SiN layer and SiO 2 layer, or the like is used. Also good. Further, as a design of the polarization selection member 130, for example, JP-A-7-281024 may be referred to.

コンタクト層１１０は、図３に示すように、第２クラッド層１０８上に形成されている。コンタクト層１１０としては、第２電極１１４とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層１１０としては、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層などを用いることができる。   The contact layer 110 is formed on the second cladding layer 108 as shown in FIG. As the contact layer 110, a layer in ohmic contact with the second electrode 114 can be used. As the contact layer 110, for example, a p-type GaAs layer can be used.

コンタクト層１１０と、第２クラッド層１０８の一部とは、柱状部１１１を構成することができる。柱状部１１１の平面形状は、利得領域１６０と同じである。例えば、柱状部１１１の平面形状によって、電極１１２，１１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１６０の平面形状が決定される。なお、図示はしないが、柱状部１１１の側面を傾斜させることもできる。   The contact layer 110 and a part of the second cladding layer 108 can form a columnar portion 111. The planar shape of the columnar portion 111 is the same as that of the gain region 160. For example, the current path between the electrodes 112 and 114 is determined by the planar shape of the columnar portion 111, and as a result, the planar shape of the gain region 160 is determined. Although not shown, the side surface of the columnar portion 111 can be inclined.

絶縁部１１６は、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１１の側方に設けられていることができる。絶縁部１１６は、柱状部１１１の側面に接していることができる。絶縁部１１６の上面は、例えば、コンタクト層１１０の上面と連続している。絶縁部１１６としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁部１１６としてこれらの材料を用いた場合、電極１１２，１１４間の電流は、絶縁部１１６を避けて、該絶縁部１１６に挟まれた柱状部１１１を流れることができる。絶縁部１１６は、活性層１０６の屈折率よりも小さい屈折率を有することができる。この場合、絶縁部１１６を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁部１１６を形成しない部分、すなわち、柱状部１１６が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さくなる。これにより、平面方向（活性層１０６の厚み方向と直交する方向）において、利得領域１６０内に効率良く光を閉じ込めることができる。なお、図示はしないが、絶縁部１１６を設けないこともできる。絶縁部１１６が空気であると解釈してもよい。 The insulating part 116 can be provided on the second cladding layer 108 and on the side of the columnar part 111. The insulating part 116 can be in contact with the side surface of the columnar part 111. For example, the upper surface of the insulating part 116 is continuous with the upper surface of the contact layer 110. As the insulating part 116, for example, a SiN layer, a SiO 2 layer, a polyimide layer, or the like can be used. When these materials are used as the insulating portion 116, the current between the electrodes 112 and 114 can flow through the columnar portion 111 sandwiched between the insulating portions 116, avoiding the insulating portion 116. The insulating part 116 may have a refractive index smaller than that of the active layer 106. In this case, the effective refractive index of the vertical cross section of the portion where the insulating portion 116 is formed is smaller than the effective refractive index of the vertical cross section of the portion where the insulating portion 116 is not formed, that is, the portion where the columnar portion 116 is formed. Thereby, light can be efficiently confined in the gain region 160 in the planar direction (a direction orthogonal to the thickness direction of the active layer 106). Note that although not illustrated, the insulating portion 116 may not be provided. The insulating portion 116 may be interpreted as air.

第１電極１１２は、基板１０２の下の全面に形成されている。第１電極１１２は、該第１電極１１２とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と接していることができる。第１電極１１２は、基板１０２を介して、第１クラッド層１０４と電気的に接続されている。第１電極１１２は、発光素子１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１１２としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。なお、第１クラッド層１０４と基板１０２との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、ドライエッチングなどにより該第２コンタクト層を露出させ、第１電極１１２を第２コンタクト層上に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。この形態は、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。   The first electrode 112 is formed on the entire lower surface of the substrate 102. The first electrode 112 can be in contact with a layer that is in ohmic contact with the first electrode 112 (the substrate 102 in the illustrated example). The first electrode 112 is electrically connected to the first cladding layer 104 via the substrate 102. The first electrode 112 is one electrode for driving the light emitting element 100. As the first electrode 112, for example, a layer in which a Cr layer, an AuGe layer, a Ni layer, and an Au layer are stacked in this order from the substrate 102 side can be used. Note that a second contact layer (not shown) is provided between the first cladding layer 104 and the substrate 102, the second contact layer is exposed by dry etching or the like, and the first electrode 112 is placed on the second contact layer. It can also be provided. Thereby, a single-sided electrode structure can be obtained. This form is particularly effective when the substrate 102 is insulative.

第２電極１１４は、コンタクト層１１０上に形成されている。第２電極１１４は、さらに絶縁部１１６上に設けられていてもよい。第２電極１１４は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電気的に接続されている。第２電極１１４は、発光素子１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１１４としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。第２電極１１４とコンタクト層１１０との接触面は、図２に示すように、利得領域１６０と同様の平面形状を有している。   The second electrode 114 is formed on the contact layer 110. The second electrode 114 may be further provided on the insulating part 116. The second electrode 114 is electrically connected to the second cladding layer 108 via the contact layer 110. The second electrode 114 is the other electrode for driving the light emitting element 100. As the second electrode 114, for example, a layer in which a Cr layer, an AuZn layer, and an Au layer are stacked in this order from the contact layer 110 side can be used. The contact surface between the second electrode 114 and the contact layer 110 has a planar shape similar to that of the gain region 160, as shown in FIG.

第１の実施形態に係る発光素子１００の一例として、ＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、発光素子１００は、発光利得領域が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。   Although the case of the InGaAlP system has been described as an example of the light emitting element 100 according to the first embodiment, the light emitting element 100 can use any material system capable of forming a light emission gain region. As the semiconductor material, for example, an AlGaN-based, InGaN-based, GaAs-based, AlGaAs-based, InGaAs-based, InGaAsP-based, ZnCdSe-based semiconductor material can be used.

第１の実施形態に係る発光素子１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。   The light emitting element 100 according to the first embodiment can be applied to a light source such as a projector, a display, a lighting device, and a measuring device.

第１の実施形態に係る発光素子１００は、例えば、以下の特徴を有する。   The light emitting device 100 according to the first embodiment has the following features, for example.

発光素子１００によれば、出射面となる第１端面１７０には、偏光選択部材１３０が形成されている。偏光選択部材１３０は、利得領域１６０内を進行し第１端面１７０に至った光を、Ｐ偏光成分２０とＳ偏光成分３０とに分離することができる。そして、Ｐ偏光成分２０は出射光２０として外部に出射され、Ｓ偏光成分３０は活性層１０６内に吸収されることができる。すなわち、発光素子１００は、偏光（Ｐ偏光成分の光）を出射することができる。   According to the light emitting element 100, the polarization selection member 130 is formed on the first end face 170 serving as the emission surface. The polarization selection member 130 can separate the light traveling in the gain region 160 and reaching the first end face 170 into the P-polarized component 20 and the S-polarized component 30. Then, the P-polarized component 20 is emitted to the outside as the emitted light 20, and the S-polarized component 30 can be absorbed in the active layer 106. That is, the light emitting element 100 can emit polarized light (light of P-polarized component).

発光素子１００によれば、偏光選択部材１３０として、誘電体多層膜を用いることができる。そのため、簡易に、第１端面１７０に偏光選択部材１３０を形成することができる。   According to the light emitting device 100, a dielectric multilayer film can be used as the polarization selection member 130. Therefore, the polarization selection member 130 can be easily formed on the first end face 170.

１．２． 第１の実施形態に係る発光素子の製造方法
次に、第１の実施形態に係る発光素子１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４〜図６は、発光素子１００の製造工程を模式的に示す断面図である。 1.2. Method for Manufacturing Light-Emitting Element According to First Embodiment Next, a method for manufacturing the light-emitting element 100 according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. 4 to 6 are cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the light emitting device 100. FIG.

図４に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、およびコンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。   As shown in FIG. 4, the first cladding layer 104, the active layer 106, the second cladding layer 108, and the contact layer 110 are epitaxially grown in this order on the substrate 102. As a method for epitaxial growth, for example, MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, MBE (Molecular Beam Epitaxy) method or the like can be used.

図５に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をパターニングする。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術などを用いて行われる。本工程により、柱状部１１１を形成することができる。   As shown in FIG. 5, the contact layer 110 and the second cladding layer 108 are patterned. The patterning is performed using, for example, a photolithography technique and an etching technique. By this step, the columnar portion 111 can be formed.

図６に示すように、柱状部１１１の側面を覆うように絶縁部１１６を形成する。具体的には、まず、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法などにより、第２クラッド層１０８の上方（コンタクト層１１０上を含む）に絶縁層（図示せず）を成膜する。次に、例えば、エッチング技術などを用いて、コンタクト層１１０の上面を露出させる。以上の工程により、絶縁部１１６を形成することができる。   As shown in FIG. 6, the insulating part 116 is formed so as to cover the side surface of the columnar part 111. Specifically, first, an insulating layer (not shown) is formed above the second cladding layer 108 (including on the contact layer 110) by, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a coating method, or the like. Next, the upper surface of the contact layer 110 is exposed using, for example, an etching technique. Through the above steps, the insulating portion 116 can be formed.

図１および図２に示すように、第１端面１７０および第２端面１７２を覆うように偏光選択部材１３０を形成する。偏光選択部材１３０は、ＣＶＤ法、スパッタ法、イオンアシスト蒸着（Ion Assisted Deposition）法などにより形成される。なお、偏光選択部材１３０を形成する工程は、電極１１２，１１４を形成する工程の後に、行なわれてもよい。   As shown in FIGS. 1 and 2, the polarization selection member 130 is formed so as to cover the first end surface 170 and the second end surface 172. The polarization selection member 130 is formed by a CVD method, a sputtering method, an ion assisted deposition (Ion Assisted Deposition) method, or the like. Note that the step of forming the polarization selection member 130 may be performed after the step of forming the electrodes 112 and 114.

図３に示すように、コンタクト層１１０（柱状部１１１）および絶縁部１１６上に第２電極１１４を形成する。次に、基板１０２の下面下に第１電極１１２を形成する。第１電極１１２および第２電極１１４は、例えば、真空蒸着法により形成される。なお、第１電極１１２および第２電極１１４の形成順序は、特に限定されない。   As shown in FIG. 3, the second electrode 114 is formed on the contact layer 110 (columnar portion 111) and the insulating portion 116. Next, the first electrode 112 is formed under the lower surface of the substrate 102. The first electrode 112 and the second electrode 114 are formed by, for example, a vacuum evaporation method. Note that the order of forming the first electrode 112 and the second electrode 114 is not particularly limited.

以上の工程により、発光素子１００を製造することができる。   Through the above steps, the light-emitting element 100 can be manufactured.

発光素子１００の製造方法によれば、偏光を出射することができる発光素子を製造することができる。   According to the method for manufacturing the light emitting element 100, a light emitting element capable of emitting polarized light can be manufactured.

１．３． 第１の実施形態の変形例に係る発光素子
次に、第１の実施形態の変形例に係る発光素子２００について、図面を参照しながら説明する。図７は、発光素子２００を模式的に示す断面図であり、図３に対応している。以下、第１の実施形態の変形例に係る発光素子２００において、第１の実施形態に係る発光素子１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。 1.3. Next, a light emitting element 200 according to a modification of the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the light emitting element 200, and corresponds to FIG. Hereinafter, in the light emitting device 200 according to the modification of the first embodiment, members having the same functions as those of the constituent members of the light emitting device 100 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is given. Is omitted.

発光素子１００の例では、図３に示すように、絶縁部１１６と、絶縁部１１６とが形成されていない領域、すなわち柱状部１１１を形成している領域に屈折率差を設けて、光を閉じ込める屈折率導波型について説明した。これに対し、発光素子２００は、柱状部１１１を形成することによって屈折率差を設けず、利得領域１６０がそのまま導波領域となる、利得導波型であることができる。   In the example of the light emitting element 100, as shown in FIG. 3, a refractive index difference is provided in a region where the insulating portion 116 and the insulating portion 116 are not formed, that is, a region where the columnar portion 111 is formed, and light is transmitted. The confined refractive index waveguide type has been described. On the other hand, the light emitting element 200 can be of a gain waveguide type in which the refractive index difference is not provided by forming the columnar portion 111 and the gain region 160 becomes the waveguide region as it is.

発光素子２００では、図７に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８は、柱状部を構成せず、その側方に絶縁部は形成されない。絶縁部１１６は、利得領域１６０の上方以外のコンタクト層１１０上に形成されている。すなわち、絶縁部１１６は利得領域１６０の上方に開口を有し、該開口ではコンタクト層１１０の上面が露出している。第２電極１１４は、その露出しているコンタクト層１１０上および絶縁部１１６上に形成されている。第２電極１１４とコンタクト層１１０との接触面は、利得領域１６０と同じ平面形状を有している。図示の例では、第２電極１１４とコンタクト層１１０との接触面の平面形状によって、電極１１２，１１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１６０の平面形状が決定されることができる。なお図示はしないが、第２電極１１４は、絶縁部１１６上には形成されず、利得領域１６０の上方のコンタクト層１１０上にのみ形成されていてもよい。   In the light emitting device 200, as shown in FIG. 7, the contact layer 110 and the second cladding layer 108 do not constitute a columnar portion, and no insulating portion is formed on the side thereof. The insulating part 116 is formed on the contact layer 110 other than above the gain region 160. That is, the insulating part 116 has an opening above the gain region 160, and the upper surface of the contact layer 110 is exposed in the opening. The second electrode 114 is formed on the exposed contact layer 110 and the insulating portion 116. The contact surface between the second electrode 114 and the contact layer 110 has the same planar shape as that of the gain region 160. In the illustrated example, the current path between the electrodes 112 and 114 is determined by the planar shape of the contact surface between the second electrode 114 and the contact layer 110, and as a result, the planar shape of the gain region 160 can be determined. . Although not shown, the second electrode 114 may not be formed on the insulating portion 116 but may be formed only on the contact layer 110 above the gain region 160.

発光素子２００によれば、発光素子１００と同様に、偏光を出射することができる。   According to the light emitting element 200, similarly to the light emitting element 100, polarized light can be emitted.

２． 第２の実施形態
２．１． 第２の実施形態に係る発光素子
次に、第２の実施形態に係る発光素子３００について、図面を参照しながら説明する。図８は、発光素子３００を模式的に示す斜視図である。図９は、発光素子３００を模式的に示す平面図である。図１０は、発光素子３００の偏光選択部材１３０を模式的に示す図９のＸ−Ｘ線断面図である。以下、第２の実施形態に係る発光素子３００において、第１の実施形態に係る発光素子１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。なお、図８および図９では、便宜上、第１電極１１２および第２電極１１４の図示を省略している。 2. Second Embodiment 2.1. Light Emitting Element According to Second Embodiment Next, a light emitting element 300 according to a second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a perspective view schematically showing the light emitting element 300. FIG. 9 is a plan view schematically showing the light emitting element 300. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 9 schematically showing the polarization selection member 130 of the light emitting element 300. Hereinafter, in the light emitting device 300 according to the second embodiment, members having the same functions as those of the constituent members of the light emitting device 100 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. . In FIGS. 8 and 9, the first electrode 112 and the second electrode 114 are not shown for convenience.

発光素子１００の例では、偏光選択部材１３０は、誘電体多層膜から構成されていた。これに対し、発光素子３００では、偏光選択部材１３０として、ワイヤーグリッド偏光子を用いることができる。発光素子３００の偏光選択部材１３０は、図８〜図１０に示すように、透光性基板１３２と、金属部材１３４と、を有することができる。   In the example of the light emitting element 100, the polarization selection member 130 is composed of a dielectric multilayer film. On the other hand, in the light emitting element 300, a wire grid polarizer can be used as the polarization selection member 130. The polarization selection member 130 of the light emitting element 300 can include a translucent substrate 132 and a metal member 134 as illustrated in FIGS. 8 to 10.

透光性基板１３２は、例えば、第１端面１７０（第１面１０５）を覆って形成されている。透光性基板１３２は、利得領域１６０で生じる光に対して、透過性である。透光性基板１３２としては、例えば、石英ガラス、耐熱ガラスなどを用いることができる。   For example, the translucent substrate 132 is formed to cover the first end surface 170 (the first surface 105). The translucent substrate 132 is transmissive to the light generated in the gain region 160. As the light-transmitting substrate 132, for example, quartz glass, heat-resistant glass, or the like can be used.

金属部材１３４は、透過性基板１３２の第１端面１７０側とは反対側に形成されている。金属部材１３４は、図８に示すように、例えば、活性層１０６の厚み方向（Ｚ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に延びる形状を有する。金属部材１３４は、ストライプ状に、Ｚ方向に沿って複数配列されており、その数は特に限定されない。金属部材１３４のピッチ（周期）は、利得領域１６０に生じる光の波長より短い。これにより、金属部材１３４の長手方向（Ｙ方向）に対して垂直な方向（Ｚ方向）に振動する偏光成分（Ｐ偏光成分）については透過させる一方、金属部材１３４の長手方向に対して平行な方向（Ｙ方向）に振動する偏光成分（Ｓ偏光成分）については反射されることができる。金属部材１３４としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、およびこれらの合金などが挙げられる。   The metal member 134 is formed on the side opposite to the first end face 170 side of the transmissive substrate 132. As shown in FIG. 8, the metal member 134 has, for example, a shape that extends in a direction (Y direction) orthogonal to the thickness direction (Z direction) of the active layer 106. A plurality of metal members 134 are arranged in a stripe shape along the Z direction, and the number thereof is not particularly limited. The pitch (period) of the metal member 134 is shorter than the wavelength of light generated in the gain region 160. Accordingly, the polarization component (P polarization component) that vibrates in the direction (Z direction) perpendicular to the longitudinal direction (Y direction) of the metal member 134 is transmitted, while being parallel to the longitudinal direction of the metal member 134. The polarization component (S polarization component) that vibrates in the direction (Y direction) can be reflected. Examples of the metal member 134 include gold, silver, copper, palladium, platinum, aluminum, and alloys thereof.

発光素子２００によれば、偏光（Ｐ偏光成分の光）を出射することができる。   According to the light emitting element 200, polarized light (light of P-polarized component) can be emitted.

２．２． 第２の実施形態に係る発光素子の製造方法
次に、第２の実施形態に係る発光素子３００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１１は、発光素子３００の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、発光素子３００の製造方法において、偏光選択部材１３０以外の製造方法の説明は、発光素子１００の製造方法の説明を適用することができる。そのため、以下では偏光選択部材１３０の製造方法について説明する。 2.2. Method for Manufacturing Light-Emitting Element According to Second Embodiment Next, a method for manufacturing the light-emitting element 300 according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the manufacturing process of the light emitting device 300. Note that in the method for manufacturing the light emitting element 300, the description of the manufacturing method of the light emitting element 100 can be applied to the description of the manufacturing method other than the polarization selection member 130. Therefore, a method for manufacturing the polarization selection member 130 will be described below.

図１１に示すように、透光性基板１３２を準備する。次に、透光性基板１３２上に、金属部材１３４ａを形成する。金属部材１３４ａは、例えば、蒸着法によって形成される。次に、金属部材１３４ａ上に、レジストＲを形成する。次に、レジストＲを露光する。露光は、例えば、レーザー干渉露光によって行われることができる。次に、レジストＲをマスクとして金属部材１３４ａをエッチングし、図１０に示すように、金属部材１３４を形成する。なお、図１１は、図１０を９０度回転した図に相当している。   As shown in FIG. 11, a translucent substrate 132 is prepared. Next, a metal member 134 a is formed on the light transmissive substrate 132. The metal member 134a is formed by, for example, a vapor deposition method. Next, a resist R is formed on the metal member 134a. Next, the resist R is exposed. The exposure can be performed by, for example, laser interference exposure. Next, the metal member 134a is etched using the resist R as a mask to form the metal member 134 as shown in FIG. FIG. 11 corresponds to a diagram obtained by rotating FIG. 10 by 90 degrees.

以上の工程により、偏光選択部材１３０を形成することができる。次に、偏光選択部材１３０を、活性層１０６の第１面１０５に接着剤等を用いて接着させ、発光素子３００を製造することができる。接着剤は、例えばエポキシ樹脂などの発光波長に対して透明なものが望ましい。   Through the above steps, the polarization selection member 130 can be formed. Next, the polarization selection member 130 is adhered to the first surface 105 of the active layer 106 using an adhesive or the like, and the light emitting element 300 can be manufactured. The adhesive is preferably transparent with respect to the emission wavelength, such as an epoxy resin.

なお、活性層１０６の第１面１０５に透光性基板１３２を公知の方法で形成した後、蒸着により金属部材１３４ａを形成し、金属部材１３４ａを干渉露光によりパターニングすることによって、金属部材１３４（偏光選択部材１３０）を形成してもよい。   In addition, after forming the translucent board | substrate 132 by the well-known method in the 1st surface 105 of the active layer 106, the metal member 134a is formed by vapor deposition, The metal member 134a is patterned by interference exposure, The metal member 134 ( A polarization selection member 130) may be formed.

２．３． 第２の実施形態の変形例に係る発光素子
次に、第２の実施形態の変形例に係る発光素子４００，５００について、図面を参照しながら説明する。以下、第２の実施形態の変形例に係る発光素子４００，５００において、第２の実施形態に係る発光素子３００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。 2.3. Next, light-emitting elements 400 and 500 according to a modification of the second embodiment will be described with reference to the drawings. Hereinafter, in the light emitting elements 400 and 500 according to the modified example of the second embodiment, members having the same functions as the constituent members of the light emitting element 300 according to the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and the details thereof are described. The detailed explanation is omitted.

（１）第１変形例に係る発光素子
まず、第２の実施形態の第１変形例に係る発光素子４００について、図面を参照しながら説明する。図１２は、発光素子４００を模式的に示す斜視図である。なお、図１２では、便宜上、第１電極１１２および第２電極１１４の図示を省略している。 (1) Light Emitting Element According to First Modification First, a light emitting element 400 according to a first modification of the second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a perspective view schematically showing the light emitting element 400. In FIG. 12, the first electrode 112 and the second electrode 114 are not shown for convenience.

発光素子３００の例では、図８に示すように、金属部材１３４は、活性層１０６の厚み方向（Ｚ方向）と直交する方向（Ｙ方向）に延びる形状を有していた。さらに、金属部材１３４は、ストライプ状に、Ｚ方向に沿って複数配列されていた。これに対して、発光素子４００では、図１２に示すように、金属部材１３４は、Ｚ方向に延びる形状を有する。さらに、金属部材１３４は、ストライプ状に、Ｙ方向に沿って複数配列されている。   In the example of the light emitting element 300, as shown in FIG. 8, the metal member 134 has a shape extending in the direction (Y direction) orthogonal to the thickness direction (Z direction) of the active layer 106. Further, a plurality of metal members 134 are arranged in a stripe shape along the Z direction. On the other hand, in the light emitting element 400, as shown in FIG. 12, the metal member 134 has a shape extending in the Z direction. Furthermore, a plurality of metal members 134 are arranged in a stripe shape along the Y direction.

発光素子４００によれば、金属部材１３４の長手方向（Ｚ方向）に対して垂直な方向（Ｙ方向）に振動する偏光成分（Ｓ偏光成分）については透過させる一方、金属部材１３４の長手方向に対して平行な方向（Ｚ方向）に振動する偏光成分（Ｐ偏光成分）については反射されることができる。すなわち、発光素子４００では、偏光（Ｓ偏光成分の光）を出射することができる。   According to the light emitting element 400, while passing the polarization component (S polarization component) that vibrates in the direction (Y direction) perpendicular to the longitudinal direction (Z direction) of the metal member 134, the light is transmitted in the longitudinal direction of the metal member 134. On the other hand, a polarized component (P-polarized component) that vibrates in a direction parallel to the Z direction can be reflected. That is, the light emitting element 400 can emit polarized light (S-polarized light).

（２）第２変形例に係る発光素子
次に、第２の実施形態の第２変形例に係る発光素子５００について、図面を参照しながら説明する。図１３は、発光素子５００を模式的に示す斜視図である。なお、図１３では、便宜上、第１電極１１２および第２電極１１４の図示を省略している。 (2) Light Emitting Element According to Second Modification Next, a light emitting element 500 according to a second modification of the second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a perspective view schematically showing the light emitting element 500. In FIG. 13, the first electrode 112 and the second electrode 114 are not shown for convenience.

発光素子３００の例では、図８に示すように、偏光選択部材１３０は第１面１０５に接して形成されていた。これに対し、発光素子５００では、図１３に示すように、偏光選択部材１３０と第１面１０５（第１端面１７０）との間には、保護膜５４０が形成されている。保護膜５４０は、例えば、誘電体多層膜から構成されていることができ、Ｐ偏光成分の光に対して、透過性を有することができる。より具体的には、保護膜５４０は、例えば、ＴｉＯ２層とＳｉＯ２層との積層体、Ｔａ２Ｏ５層とＳｉＯ２層との積層体、Ｓｉ層とＳｉＯ２層との積層体、ＳｉＮ層とＳｉＯ２層との積層体などを用いることができる。保護膜５４０は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、イオンアシスト蒸着法などにより形成されることができる。 In the example of the light emitting element 300, as illustrated in FIG. 8, the polarization selection member 130 is formed in contact with the first surface 105. On the other hand, in the light emitting element 500, as shown in FIG. 13, a protective film 540 is formed between the polarization selection member 130 and the first surface 105 (first end surface 170). The protective film 540 can be composed of, for example, a dielectric multilayer film, and can be transparent to light of a P-polarized component. More specifically, the protective film 540 includes, for example, a stacked body of a TiO 2 layer and a SiO 2 layer, a stacked body of a Ta 2 O 5 layer and a SiO 2 layer, a stacked body of a Si layer and a SiO 2 layer, A laminate of a SiN layer and a SiO 2 layer can be used. The protective film 540 can be formed by, for example, a CVD method, a sputtering method, an ion-assisted vapor deposition method, or the like.

発光素子５００によれば、発光素子３００の例に比べて、偏光選択部材１３０を形成する際の、第１端面１７０（第１面１０５）に与えるプロセスダメージを緩和することができる。   According to the light emitting element 500, compared to the example of the light emitting element 300, process damage given to the first end face 170 (first surface 105) when forming the polarization selection member 130 can be reduced.

３． 第３の実施形態
次に、第３の実施形態に係る発光装置６００について、図面を参照しながら説明する。図１４は、発光装置６００を模式的に示す平面図である。図１５は、発光装置６００を模式的に示す図１４のＸＶ−ＸＶ線断面図である。なお、図１４では、便宜上、第２電極１１４の図示を省略している。また、図１５では、便宜上、発光素子１００を簡略化して図示している。 3. Third Embodiment Next, a light emitting device 600 according to a third embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 14 is a plan view schematically showing the light emitting device 600. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG. In FIG. 14, the second electrode 114 is not shown for convenience. In FIG. 15, the light emitting element 100 is illustrated in a simplified manner for convenience.

発光装置６００は、図１４および図１５に示すように、本発明に係る発光素子（例えば、発光素子１００）と、ベース６１０と、サブマウント６２０と、第１光軸変換素子６３０と、第２光軸変換素子６４０と、を有することができる。   As shown in FIGS. 14 and 15, the light emitting device 600 includes a light emitting element (for example, the light emitting element 100), a base 610, a submount 620, a first optical axis conversion element 630, a second light emitting element according to the present invention. An optical axis conversion element 640.

ベース６１０は、例えば、サブマウント６２０を介して、間接的に発光素子１００を支持することができる。ベース６１０としては、例えば、板状（直方体形状）の部材を用いることができる。ベース６１０の材質としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌなどを列挙することができる。発光素子１００は、図示はしないが、例えば、ワイヤーボンディングにより、サブマウント６２０上の電極と電気的に接続されていてもよい。   For example, the base 610 can indirectly support the light emitting element 100 via the submount 620. As the base 610, for example, a plate-shaped (cuboid shape) member can be used. Examples of the material of the base 610 include Cu and Al. Although not shown, the light emitting element 100 may be electrically connected to the electrode on the submount 620 by wire bonding, for example.

サブマウント６２０は、例えば、直接的に発光素子１００を支持することができる。サブマウント６２０は、ベース６１０上に形成されている。サブマウント６２０上には、発光素子１００が形成されている。サブマウント６２０としては、例えば、板状の部材を用いることができる。なお、例えば、サブマウント６２０を設けずに、ベース６１０が直接的に発光素子１００を支持することもできる。サブマウント６２０としては、例えば、ＢｅＯ，ＡｌＮ等を用いることができる。   For example, the submount 620 can directly support the light emitting element 100. The submount 620 is formed on the base 610. On the submount 620, the light emitting element 100 is formed. As the submount 620, for example, a plate-like member can be used. For example, the base 610 can directly support the light emitting element 100 without providing the submount 620. As the submount 620, for example, BeO, AlN or the like can be used.

ベース６１０およびサブマウント６２０の熱伝導率は、例えば、発光素子１００の熱伝導率よりも高い。これにより、ベース６１０およびサブマウント６２０は、ヒートシンクとして機能することができる。   The thermal conductivity of the base 610 and the submount 620 is higher than the thermal conductivity of the light emitting element 100, for example. Accordingly, the base 610 and the submount 620 can function as a heat sink.

第１光軸変換素子６３０および第２光軸変換素子６４０は、例えば、ベース６１０上に形成される。第１光軸変換素子６３０は、第１ミラー６３２を有している。第２光軸変換素子６４０は、第２ミラー６４２を有している。ミラー６３２，６４２は、図１５に示すように、活性層１０６の上面に対して、例えば４５度傾斜している。第１ミラー６３２は、図１４に示すように平面的にみて、第１端面１７０から出射される光２０の進行方向と直交するように配置されている。また、第２ミラー６４２は、第２端面１７２から出射される光２２の進行方向と直交するように配置されている。光軸変換素子６３０，６４０の材質としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどを列挙することができる。例えば、光軸変換素子６３０，６４０のミラー６３２，６４２の部分のみを、上記列挙した材料としてもよい。   The first optical axis conversion element 630 and the second optical axis conversion element 640 are formed on the base 610, for example. The first optical axis conversion element 630 includes a first mirror 632. The second optical axis conversion element 640 has a second mirror 642. As shown in FIG. 15, the mirrors 632 and 642 are inclined, for example, 45 degrees with respect to the upper surface of the active layer 106. The first mirror 632 is disposed so as to be orthogonal to the traveling direction of the light 20 emitted from the first end face 170 in a plan view as shown in FIG. The second mirror 642 is disposed so as to be orthogonal to the traveling direction of the light 22 emitted from the second end surface 172. Examples of the material of the optical axis conversion elements 630 and 640 include Al, Ag, Au, and the like. For example, only the portions of the mirrors 632 and 642 of the optical axis conversion elements 630 and 640 may be the materials listed above.

第１ミラー６３２は、第１端面１７０から出射される光２０を反射させることができる。具体的には、図１５に示すように、例えば水平方向（活性層１０６の厚み方向と直交する方向）に進んできた光２０を、例えば垂直方向（活性層１０６の厚み方向）に反射させることができる。同様に、第２ミラー６４２は、第２端面１７２から出射される光２２を反射させることができる。具体的には、図１５に示すように、例えば水平方向（活性層１０６の厚み方向と直交する方向）に進んできた光２２を、例えば垂直方向（活性層１０６の厚み方向）に反射させることができる。これにより、例えば、光２０，２２を同一の方向に反射させることができる。   The first mirror 632 can reflect the light 20 emitted from the first end face 170. Specifically, as shown in FIG. 15, for example, the light 20 that has traveled in the horizontal direction (the direction perpendicular to the thickness direction of the active layer 106) is reflected, for example, in the vertical direction (the thickness direction of the active layer 106). Can do. Similarly, the second mirror 642 can reflect the light 22 emitted from the second end surface 172. Specifically, as shown in FIG. 15, for example, the light 22 that has traveled in the horizontal direction (direction orthogonal to the thickness direction of the active layer 106) is reflected, for example, in the vertical direction (thickness direction of the active layer 106). Can do. Thereby, for example, the light 20 and 22 can be reflected in the same direction.

発光装置６００によれば、本発明に係る発光素子（例えば発光素子１００）を有することができるので、偏光を出射することができ、かつ、出射光２０，２２を同一の方向に進行させることができる。   According to the light-emitting device 600, since the light-emitting element (for example, the light-emitting element 100) according to the present invention can be provided, polarized light can be emitted, and the emitted lights 20 and 22 can travel in the same direction. it can.

４． 第４の実施形態
次に、第４の実施形態に係るプロジェクター７００について、図面を参照しながら説明する。図１６は、プロジェクター７００を模式的に示す図である。なお、図１６では、便宜上、プロジェクター７００を構成する筐体は省略している。 4). Fourth Embodiment Next, a projector 700 according to a fourth embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 16 is a diagram schematically showing the projector 700. In FIG. 16, for convenience, the casing that configures the projector 700 is omitted.

プロジェクター７００において、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源（発光装置）６００Ｒ，緑色光源（発光装置）６００Ｇ、青色光源（発光装置）６００Ｂは、本発明に係る発光装置（例えば発光装置６００）である。   In the projector 700, a red light source (light emitting device) 600R that emits red light, green light, and blue light, a green light source (light emitting device) 600G, and a blue light source (light emitting device) 600B are light emitting devices (for example, light emitting devices) according to the present invention. 600).

プロジェクター７００は、光源６００Ｒ，６００Ｇ，６００Ｂから出射された光をそれぞれ画像情報に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）７０４Ｒ，７０４Ｇ，７０４Ｂと、液晶ライトバルブ７０４Ｒ，７０４Ｇ，７０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）７１０に投射する投射レンズ（投射装置）７０８と、を備えている。また、プロジェクター７００は、液晶ライトバルブ７０４Ｒ，７０４Ｇ，７０４Ｂから出射された光を合成して投写レンズ７０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）７０６を備えていることができる。   The projector 700 includes transmissive liquid crystal light valves (light modulation devices) 704R, 704G, and 704B that modulate light emitted from the light sources 600R, 600G, and 600B in accordance with image information, and liquid crystal light valves 704R, 704G, and 704B. A projection lens (projection device) 708 that magnifies and projects the image formed on the screen (display surface) 710. In addition, the projector 700 can include a cross dichroic prism (color light combining means) 706 that combines the light emitted from the liquid crystal light valves 704R, 704G, and 704B and guides the light to the projection lens 708.

さらに、プロジェクター７００は、光源６００Ｒ，６００Ｇ，６００Ｂから出射された光の照度分布を均一化させるため、各光源６００Ｒ，６００Ｇ，６００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系７０２Ｒ，７０２Ｇ，７０２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ７０４Ｒ，７０４Ｇ，７０４Ｂを照明している。均一化光学系７０２Ｒ，７０２Ｇ、７０２Ｂは、例えば、ホログラム７０２ａおよびフィールドレンズ７０２ｂによって構成される。   Further, in order to make the illuminance distribution of the light emitted from the light sources 600R, 600G, and 600B uniform, the projector 700 installs the homogenizing optical systems 702R, 702G, and 702B on the downstream side of the light paths from the light sources 600R, 600G, and 600B. The liquid crystal light valves 704R, 704G, and 704B are illuminated with light that has been provided with a uniform illuminance distribution. The uniformizing optical systems 702R, 702G, and 702B are configured by, for example, a hologram 702a and a field lens 702b.

各液晶ライトバルブ７０４Ｒ，７０４Ｇ，７０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム７０６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ７０６によりスクリーン７１０上に投写され、拡大された画像が表示される。   The three color lights modulated by the liquid crystal light valves 704R, 704G, and 704B are incident on the cross dichroic prism 706. This prism is formed by bonding four right-angle prisms, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are arranged in a cross shape on the inner surface thereof. These dielectric multilayer films combine the three color lights to form light representing a color image. The synthesized light is projected onto the screen 710 by the projection lens 706 that is a projection optical system, and an enlarged image is displayed.

プロジェクター７００によれば、発光素子（例えば発光素子１００）自体が偏光した光を出射するので、光源と液晶ライトバルブとの間に、別途、偏光変換素子を挿入する必要がない。そのため、プロジェクター７００では、例えば、偏光変換素子に光を通すことによる光学的ロスを防止することができ、また部品点数の増加を防止することができる。   According to the projector 700, since the light emitting element (for example, the light emitting element 100) itself emits polarized light, it is not necessary to separately insert a polarization conversion element between the light source and the liquid crystal light valve. Therefore, in the projector 700, for example, an optical loss due to passing light through the polarization conversion element can be prevented, and an increase in the number of components can be prevented.

なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。   In addition, embodiment mentioned above and a modification are examples, Comprising: It is not necessarily limited to these. For example, it is possible to appropriately combine each embodiment and each modification.

上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。   Although the embodiments of the present invention have been described in detail as described above, those skilled in the art will readily understand that many modifications are possible without substantially departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention.

１０ 光、２０ 光、２２ 光、３０ 光、３２ 光、１００ 発光素子、
１０２ 基板、１０４ 第１クラッド層、１０５ 第１面、１０６ 活性層、
１０７ 第２面、１０８ 第２クラッド層、１１０ コンタクト層、１１１ 柱状部、
１１２ 第１電極、１１４ 第２電極、１１６ 絶縁部、１２０ 積層構造体、
１３０ 偏光選択部材、１３２ 透光性基板、１３４ 金属部材、１６０ 利得領域、
１７０ 第１端面、１７２ 第２端面、２００ 発光素子、３００ 発光素子、
４００ 発光素子、５００ 発光素子、５４０ 保護膜、６００ 発光装置、
６１０ ベース、６２０ サブマウント、６３０ 第１光軸変換素子、
６３２ 第１ミラー、６４０ 第２光軸変換素子、６４２ 第２ミラー、
７００ プロジェクター、７０２ 均一化光学系、７０２ａ ホログラム、
７０２ｂ フィールドレンズ、７０４ 液晶ライトバルブ、
７０６ クロスダイクロイックプリズム、７０８ 投写レンズ、７１０ スクリーン 10 light, 20 light, 22 light, 30 light, 32 light, 100 light emitting element,
102 substrate, 104 first cladding layer, 105 first surface, 106 active layer,
107 second surface, 108 second cladding layer, 110 contact layer, 111 columnar portion,
112 1st electrode, 114 2nd electrode, 116 insulation part, 120 laminated structure,
130 polarization selection member, 132 translucent substrate, 134 metal member, 160 gain region,
170 1st end surface, 172 2nd end surface, 200 light emitting element, 300 light emitting element,
400 light emitting element, 500 light emitting element, 540 protective film, 600 light emitting device,
610 base, 620 submount, 630 first optical axis conversion element,
632 1st mirror, 640 2nd optical axis conversion element, 642 2nd mirror,
700 projector, 702 homogenizing optical system, 702a hologram,
702b field lens, 704 liquid crystal light valve,
706 Cross dichroic prism, 708 projection lens, 710 screen

Claims (5)

第１クラッド層、第２クラッド層、および前記第１クラッド層と前記第２クラッド層とに挟まれた活性層を有する積層構造体と、
前記活性層の出射面に形成された偏光選択部材と、
を含み、
前記活性層のうちの少なくとも一部の領域は、前記活性層の電流経路となる利得領域を構成し、
前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面および第２面は、互いに対向する位置関係であり、
前記利得領域は、前記第１面側の第１端面から前記第２面側の第２端面まで設けられ、
前記活性層の積層方向から平面視して、前記第１端面の中心と前記第２端面の中心とを結ぶ線は、前記第１面の垂線に対して、傾いており、
少なくとも前記利得領域の前記第１端面は、前記出射面であり、
前記偏光選択部材は、前記第１端面において、前記利得領域に生じる光をＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離する、発光素子。 A laminated structure having a first cladding layer, a second cladding layer, and an active layer sandwiched between the first cladding layer and the second cladding layer;
A polarization selection member formed on the exit surface of the active layer;
Including
At least a part of the active layer constitutes a gain region serving as a current path of the active layer,
In the laminated structure, the first surface and the second surface of the exposed surfaces of the active layer are in a positional relationship facing each other.
The gain region is provided from the first end surface on the first surface side to the second end surface on the second surface side,
The line connecting the center of the first end surface and the center of the second end surface in plan view from the stacking direction of the active layer is inclined with respect to the normal of the first surface;
At least the first end face of the gain region is the exit face;
The polarization selection member is a light-emitting element that separates light generated in the gain region into a P-polarized component and an S-polarized component at the first end face. 請求項１において、
前記偏光選択部材は、誘電体多層膜から構成されている、発光素子。 In claim 1,
The polarization selection member is a light emitting element made of a dielectric multilayer film. 請求項１において、
前記偏光選択部材は、ワイヤーグリッド偏光子である、発光素子。 In claim 1,
The polarization selection member is a light-emitting element, which is a wire grid polarizer. 請求項３において、
前記偏光選択部材と前記第１端面との間には、保護膜が形成されている、発光素子。 In claim 3,
A light emitting device, wherein a protective film is formed between the polarization selection member and the first end face. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光素子を有する発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、プロジェクター。 A light emitting device comprising the light emitting element according to any one of claims 1 to 4,
A light modulation device that modulates light emitted from the light emitting device according to image information;
A projection device for projecting an image formed by the light modulation device;
Including projector.
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03106093A (en) * 1989-09-20 1991-05-02 Fujitsu Ltd Semiconductor light emitting device and manufacture thereof
JPH0457380A (en) * 1990-06-27 1992-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor laser
JPH07231144A (en) * 1993-03-25 1995-08-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Light function element, and optical integrated element including the same, and manufacture thereof
JPH07281024A (en) * 1994-04-08 1995-10-27 Nikon Corp Polarized beam splitter
JPH09237914A (en) * 1996-02-28 1997-09-09 Hamamatsu Photonics Kk Photodetecting device
JP2000101146A (en) * 1998-09-22 2000-04-07 Sumitomo Electric Ind Ltd Light emitting element module
JP2000244009A (en) * 1999-02-24 2000-09-08 Stanley Electric Co Ltd Super-luminescent diode
JP2005284051A (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi Ltd Semiconductor light emitting element, light source unit using the same, optical unit and video display device
JP2008041555A (en) * 2006-08-09 2008-02-21 Seiko Epson Corp Solid-state light source and projector
WO2009053881A1 (en) * 2007-10-25 2009-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Polarized light emitting device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03106093A (en) * 1989-09-20 1991-05-02 Fujitsu Ltd Semiconductor light emitting device and manufacture thereof
JPH0457380A (en) * 1990-06-27 1992-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor laser
JPH07231144A (en) * 1993-03-25 1995-08-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Light function element, and optical integrated element including the same, and manufacture thereof
JPH07281024A (en) * 1994-04-08 1995-10-27 Nikon Corp Polarized beam splitter
JPH09237914A (en) * 1996-02-28 1997-09-09 Hamamatsu Photonics Kk Photodetecting device
JP2000101146A (en) * 1998-09-22 2000-04-07 Sumitomo Electric Ind Ltd Light emitting element module
JP2000244009A (en) * 1999-02-24 2000-09-08 Stanley Electric Co Ltd Super-luminescent diode
JP2005284051A (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi Ltd Semiconductor light emitting element, light source unit using the same, optical unit and video display device
JP2008041555A (en) * 2006-08-09 2008-02-21 Seiko Epson Corp Solid-state light source and projector
WO2009053881A1 (en) * 2007-10-25 2009-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Polarized light emitting device

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