JP2011086650A - Carrier, method of carrying object to be carried, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、搬送装置、被搬送物の搬送方法、及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a transfer device, a transfer method of an object to be transferred, and a method of manufacturing a semiconductor device.
電子機器の小型化・高機能化に伴い、当該電子機器に搭載される半導体装置に対しても、より高集積化と共に、小形化、薄形化が要求されている。 Along with the downsizing and high functionality of electronic equipment, semiconductor devices mounted on the electronic equipment are also required to be miniaturized and thinned with higher integration.
かかる半導体素子の薄形化は、当該半導体素子の形成工程に於いて、半導体基板の電子回路非形成面（半導体基板背面）を研削することにより行われている。 Such thinning of the semiconductor element is performed by grinding an electronic circuit non-formation surface (back surface of the semiconductor substrate) of the semiconductor substrate in the process of forming the semiconductor element.
当該背面研削処理は、バックグラインド処理とも称される。 The back grinding process is also referred to as a back grinding process.
背面研削処理により薄型化された半導体素子は、当該半導体素子を含む半導体装置の薄型化を可能とすると共に、複数の半導体素子を積層した半導体装置の形成を容易とする。 The semiconductor element thinned by the back grinding process enables a semiconductor device including the semiconductor element to be thinned and facilitates formation of a semiconductor device in which a plurality of semiconductor elements are stacked.
しかしながら、背面研削処理を経た半導体基板は、その厚さが薄くされると共に、反りが発生する為、当該半導体基板のハンドリングが難しくなり、その後の工程に於ける処理装置に対して半導体基板を搬送する際、搬送ミスが発生する恐れがある。 However, a semiconductor substrate that has undergone back-grinding is thinned and warped, making it difficult to handle the semiconductor substrate and transporting the semiconductor substrate to a processing apparatus in subsequent processes. In doing so, there is a risk that a transport error will occur.
一方、半導体素子の量産化の為に、半導体基板は、その径がより大きくされる、即ちより大判化されつつある。 On the other hand, for the mass production of semiconductor elements, the diameter of the semiconductor substrate has been increased, that is, the size has been increased.
当該半導体基板の搬送方法として、例えば特許文献１に示される如く、一平面内に於いて平行に配置され、且つ相互の間隔を変更することが可能な２本の支持棒上に半導体基板を載置して搬送する方法が提案されている。
As a method for transporting the semiconductor substrate, for example, as disclosed in
しかしながら、前記特許文献１に示される半導体基板の支持方法にあっては、半導体基板はその自重によって支持棒上に載っているだけである為、搬送の際、振動などにより当該半導体基板の姿勢が不安定となり、落下などの搬送ミスを生ずる危険性が高い。
However, in the method for supporting a semiconductor substrate disclosed in
当該特許文献１にあっては、半導体基板を支持棒に対し真空吸着することも提案されているが、半導体基板はその寸法、厚さ、ならびに内部構造によって様々な程度の反りを有しており、真空吸着法を適用したとしても、２本の支持棒だけでは半導体基板に於ける反りに対応することが困難である。
In
また、搬送中に於いて真空吸着が解除される状態を生じた場合には、半導体基板を安定して保持・搬送することができない。 Further, when a state where the vacuum suction is released during the transfer, the semiconductor substrate cannot be stably held and transferred.
この為、より大判化されると共に、より薄形化される半導体基板を、落下などを生ずることの無いよう確実に保持しつつ、搬送することができる支持手段が必要とされている。 For this reason, there is a need for a supporting means that can transport a semiconductor substrate that is made larger and thinner while securely holding the semiconductor substrate so as not to drop.
以下の開示の一観点によれば、一つの平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の対を、前記平面の鉛直方向に複数具備し、前記複数の支持棒の対のそれぞれに於いて、対となる支持棒を離間あるいは近接せしめる開閉機構を備えてなる搬送装置が提供される。 According to one aspect of the following disclosure, a plurality of pairs of support bars that are spaced apart from or close to each other in one plane are provided in the vertical direction of the plane, and in each of the plurality of pairs of support bars, There is provided a transport device including an opening / closing mechanism for separating or bringing a pair of support rods apart.
また、その開示の別の観点によれば、第１の平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の第１の対と、前記第１の平面と平行し、且つ第１の平面の鉛直方向に位置する第２の平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の第２の対とを用い、前記支持棒の第１の対ならびに支持棒の第２の対の離間或いは近接により、被搬送物を挟持し、かかる状態をもって被搬送物を搬送する被搬送物の搬送方法が提供される。 According to another aspect of the disclosure, the first pair of support bars that are spaced apart from each other or close to each other in the first plane, and parallel to the first plane and in the vertical direction of the first plane. Using a second pair of support bars spaced apart or close to each other in a second plane located at the position of the first pair of support bars as well as the second pair of support bars. There is provided a method for transporting a transported object that sandwiches the transported object and transports the transported object in such a state.
更に、その開示の他の観点によれば、半導体基板の裏面を研削する工程、前記半導体基板を、第１の平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の第１の対と、前記第１の平面と平行し、且つ第１の平面の鉛直方向に位置する第２の平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の第２の対との間に配置する工程、前記支持棒の第１の対ならびに支持棒の第２の対の離間或いは近接により、前記半導体基板を挟持する工程を具備する半導体装置の製造方法が提供される。 Further, according to another aspect of the disclosure, the step of grinding the back surface of the semiconductor substrate, the first pair of support bars spaced apart from or close to each other in a first plane, and the first A second pair of support bars spaced apart from or close to each other in a second plane that is parallel to the plane of the first plane and positioned in the vertical direction of the first plane; There is provided a method of manufacturing a semiconductor device comprising a step of sandwiching the semiconductor substrate by separating or approaching the pair of the first pair and the second pair of support bars.
以下に開示される如く、本発明によれば、半導体基板に対し、その表裏両面を複数本の支持棒によって挟持することにより当該半導体基板を支持する。 As disclosed below, according to the present invention, the semiconductor substrate is supported by sandwiching the front and back surfaces of the semiconductor substrate with a plurality of support rods.
かかる状態をもって、当該半導体基板を搬送する。 In this state, the semiconductor substrate is transported.
これにより、搬送時に於ける半導体基板の姿勢が安定し、落下などの搬送ミスを生ずる危険性が大幅に低下する。 This stabilizes the posture of the semiconductor substrate during transport, and greatly reduces the risk of transport errors such as dropping.
また、真空吸着を伴わないことから、真空吸着が解除される状態を生じることもなく、半導体基板は安定して搬送される。 Further, since there is no vacuum suction, the semiconductor substrate is stably transported without causing a state where the vacuum suction is released.
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
本実施形態に係る背面研削処理装置（バックグラインド装置）を、図１に示す。 A back grinding apparatus (back grinding apparatus) according to this embodiment is shown in FIG.
当該背面研削処理装置７０は、背面研削処理前の半導体基板１を収納する第１の半導体基板収納部７４と、背面研削処理後の半導体基板１の収納する第２の半導体基板収納部７５とを有する。
The back
背面研削処理の対象となる半導体基板１は、その半導体素子形成面（電子回路形成面）に保護テープ（図示せず）が貼付された状態にある。
The
当該保護テープ付きの半導体基板１は、真空吸着法を用いた第１の搬送ロボット７６により、第１の半導体基板収納部７４から位置決め部７７に搬送される。
The
位置決め部７７は、半導体基板１を水平面内に於いて回転させながら、オリエンテーションフラットが所定の方向に位置するようにして、当該半導体基板１の位置決めを行う。
The
位置決めの後、半導体基板１は、第１の搬送ロボット７６により、ターンテーブル７１の上に設けられたチャックテーブル７２の上に載置される。
After the positioning, the
チャックテーブル７２は、半導体基板１の裏面を上方にして真空吸着する。
The chuck table 72 is vacuum-sucked with the back surface of the
当該チャックテーブル７２は、ターンテーブル７１の回転中心を基準として、互いに１２０°離間して３個配設されている。
Three chuck tables 72 are arranged spaced apart from each other by 120 ° with the rotation center of the
３個のチャックテーブル７２のうち、その一つの上方には粗削り用砥石８２が、また他の一つの上方には仕上げ用砥石８３が配設されている。
Of the three chuck tables 72, a
チャックテーブル７２に保持された半導体基板１は、ターンテーブル７１の回動により移送され、当該半導体基板１の裏面に対し、粗削り用砥石８２による研削処理と、仕上げ用砥石８３による研削処理が順次行われる。
The
研削処理が終了すると、第１の搬送ロボット７６は、半導体基板１を吸着してチャックテーブル７２より取り上げ、軸７６ａを回転することにより、当該半導体基板１の裏面を下方に向ける。
When the grinding process is completed, the
そして、当該半導体基板１は、その裏面を下にした状態で、第１の搬送ロボット７６により洗浄部７９に搬送される。
Then, the
洗浄部７９では、チャックテーブル７３上に保持された半導体基板１の裏面に対して洗浄液が吐出され、当該半導体基板１の裏面に付着している研削屑等の異物が除去される。
In the
しかる後、半導体基板１は、本発明にかかる搬送用治具５０を備えた第２の搬送ロボット８１により、第２の半導体基板収納部７５へ搬送される。
Thereafter, the
尚、前記洗浄部７９の横には、搬送用治具５０により半導体基板１を把持するときに該半導体基板１の位置合わせを行う変位センサー９０が設けられる。
A
また、当該背面研削処理装置７０は、制御部９１を有しており、搬送ロボット７６、８１の動き、ならびにターンテーブル７１の回転角度などが、当該制御部９１により制御される。
Further, the
前記背面研削処理装置７０に於いて、半導体基板の搬送用に適用される搬送用治具５０を、図２に示す。
FIG. 2 shows a
搬送用治具５０は、互いに間隔を於いて平行に並設された第１乃至第６の支持棒５１〜５６と、各支持棒５１〜５６の一方の端部を収容・支持する支持棒保持部６０とを有する。
The
当該支持棒保持部６０の側面には、各支持棒５１〜５６が延出する長尺状の第１〜第６の開口６０Ａ〜６０Ｆが配設されており、各開口６０Ａ〜６０Ｆの両端間の幅を限度として各支持棒５１〜５６が水平方向に移動可能とされている。
Elongated first to
各支持棒５１〜５６としては、アルミニウム（Ａｌ）或いはステンレスよりなる２ｍｍ〜５ｍｍΦの中空パイプが適用される。 As each of the support bars 51 to 56, a hollow pipe of 2 mm to 5 mmΦ made of aluminum (Al) or stainless steel is applied.
尚、半導体基板１に傷をつけないために、当該中空パイプの外表面をウレタンゴム或いはシリコーンゴム等の柔質材料により被覆してもよい。
In order not to damage the
図３に示される様に、当該支持棒５１〜支持棒５６には、それぞれ半導体基板１との接触の有無を感知する接触センサー５７が設けられる。接触センサーとしては、例えば、半導体基板１との接触による静電容量の変動を検出する静電容量式センサーを使用し得る。
As shown in FIG. 3, each of the
当該接触センサー５７は、信号線５８を介して前記制御部９１に接続されており、半導体基板１との接触の有無を示す接触信号Ｓｃが制御部９１に出力される。
The
支持棒５１〜支持棒５６を、その先端側から見た搬送用治具５０の形態を、図４に示す。
The form of the
即ち、支持棒５１は、支持棒保持部６０の側面に於ける長尺状の開口６０Ａから延出されており、支持棒５２は、支持棒保持部６０の側面に於ける長尺状の開口６０Ｂから延出されている。
That is, the
当該開口６０Ａと開口６０Ｂは、平面Ｆ１に沿って延び、且つ互いに離間している。
The
また、支持棒５３は、支持棒保持部６０の側面に於ける長尺状の開口６０Ｃから延出されており、支持棒５４は、長尺状の開口６０Ｄから延出されている。
The
当該開口６０Ｃと開口６０Ｄは、平面Ｆ２に沿って延び、且つ互いに離間している。
The
更に、支持棒５５は、支持棒保持部６０の側面に於ける長尺状の開口６０Ｅから延出されており、支持棒５６は、長尺状の開口６０Ｆから延出されている。
Further, the
当該開口６０Ｅと開口６０Ｆは、平面Ｆ３に沿って延び、且つ互いに離間している。
The
そして、当該平面Ｆ１乃至平面Ｆ３は互いに平行し、且つ当該平面に鉛直な方向に互いに離間して配設されている。 The planes F1 to F3 are parallel to each other and are spaced apart from each other in a direction perpendicular to the plane.
かかる構成に於いて、前記支持棒５１及び支持棒５２は第１の平面Ｆ１に於いて対を成し、また支持棒５３及び支持棒５４は第２の平面Ｆ２に於いて対を成し、更に支持棒５５及び支持棒５６は第３の平面Ｆ３に於いて対を成しており、対を成す支持棒はその共通する平面に於いて、且つ開口６０の長さの範囲内に於いて、互いに離間或いは互いに近接する方向に移動可能とされている。
In such a configuration, the
即ち、支持棒５１及び支持棒５２は、第１の平面Ｆ１に於いて、その間隔Ｗ１が例えば１００ｍｍ〜２７０ｍｍの範囲に可変可能とされる。
That is, the
また、支持棒５３及び支持棒５４は、第２の平面Ｆ２に於いて、その間隔Ｗ２が例えば２００ｍｍ〜２５０ｍｍの範囲に可変可能とされる。
In addition, the
更に、支持棒５５及び支持棒５６は、第３の平面Ｆ３に於いて、その間隔Ｗ３が例えば１００ｍｍ〜２７０ｍｍの範囲をもって可変可能とされる。
Further, the
尚、当該支持棒の、前記平面に対する鉛直方向の動きは、開口６０の形状により制限されている。
The vertical movement of the support rod with respect to the plane is limited by the shape of the
当該搬送用治具５０の平面形状ならびに側面形状を図５に示す。
FIG. 5 shows the planar shape and side surface shape of the conveying
支持棒保持部６０から延出される支持棒の長さＬは、被搬送半導体基板の径により適宜選択されるが、直径３００ｍｍΦの半導体基板１を支持しようとする場合には、Ｌ＝３２０ｍｍ〜３５０ｍｍ程度とされる。
The length L of the support bar extended from the support
尚、前記開口６０の位置に対応して、支持棒５１（及び支持棒５２）の中心と支持棒５３（及び支持棒５４）の中心との鉛直方向の距離は５〜１５ｍｍとされ、また支持棒５３（及び支持棒５４）の中心と支持棒５５（及び支持棒５６）の中心との鉛直方向の距離も５〜１５ｍｍとされる。
In correspondence with the position of the
また、当該支持棒の断面形状は、円形に限定されず、図６に示すところの三角形としてもよい。 Moreover, the cross-sectional shape of the support rod is not limited to a circle, and may be a triangle as shown in FIG.
この場合も、支持棒保持部６０に形成された長尺状の各開口６０Ａ〜６０Ｆにより、各支持棒の動きが規制される。
Also in this case, the movement of each support bar is regulated by the
前記対を成す支持棒の相互の間隔を変更する開閉機構１００の構成を、図７に示す。
FIG. 7 shows a configuration of the opening /
尚、図７（ｂ）は、図７（ａ）に於ける矢印Ａの方向から見た側面を示している。 FIG. 7B shows a side view seen from the direction of the arrow A in FIG.
当該開閉機構１００は、モーター１０６の回転軸１０６ａに固定されて回動可能な平面形状が楕円形状のカム１０５と、当該カム１０５に嵌合するように配設された二つのカムフォロア１０４とを具備し、当該二つのカムフォロア１０４は、対をなす支持棒の端部近傍に固定されている。
The opening /
対をなす支持棒（支持棒５１及び支持棒５２）は、それぞれ、支持棒保持部６０に固定されたレール１０１上に、当該レール１０１の長さ方向に摺動可能に配設された二つのスライドベアリング１０２に固定されている。
The pair of support bars (the
そして、対をなす支持棒５１と支持棒５２との間には、当該支持棒を互いに引き付ける方向に付勢するバネ１０３が配設され、当該バネ１０３の付勢力により、当該支持棒のそれぞれに配設されたカムフォロア１０４がカム１０５に押圧されている。
A
また、モーター１０６の回転軸１０６ａには、スリット１０８ａを備えた回転板１０８が付設されている。当該スリット１０８ａは、回転板１０８の原点に相当するものであり、その位置は原点検出センサー１０７により把握される。
A
原点検出センサー１０７は、回転板１０８の一方の主面から他方の主面にレーザー光を射出し、スリット１０８ａによりレーザー光が透過するか否かにより、スリット１０８ａの位置を検出する。
The
その検出結果は、前記制御部９１（図１参照）に通知され、当該制御部９１は原点の位置を把握する。
The detection result is notified to the control unit 91 (see FIG. 1), and the
当該開閉機構１００にあっては、制御部９１の制御下に於いて、平面形状が楕円形状のカム１０７を回転させることにより、支持棒５１と支持棒５２との間の間隔の拡大・縮小を行う。
In the opening /
即ち、図７に示される状態にあっては、楕円形状のカム１０５の短軸の延長線１０５ａ上にカムフォロア１０４が位置しており、支持棒５１と支持棒５４２の間隔が最小となっている。
That is, in the state shown in FIG. 7, the
楕円形状のカム１０５の回転（９０°の回動）により、支持棒５１と支持棒５２との間隔が拡大され、最大となった状態を図８に示す。
FIG. 8 shows a state in which the interval between the
尚、図８（ｂ）は、図８（ａ）の矢印Ａの方向から見た側面を示している。 FIG. 8B shows a side view seen from the direction of arrow A in FIG.
即ち、図８に示される状態にあっては、楕円形状のカム１０５の長軸の延長線１０５ｂ上にカムフォロア１０４が位置しており、支持棒５１と支持棒５２との間隔が最大となっている。
That is, in the state shown in FIG. 8, the
尚、此処では第１の支持棒５１と第２の支持棒５２に於ける開閉動作を説明したが、第３の支持棒５３と第４の支持棒５４との対、ならびに第５の支持棒５５と第６の支持棒５６との対に於いても、楕円形状のカムの回動を用いた当該開閉機構１００により、開閉動作を行うことができる。
Here, the opening / closing operation of the
この様な楕円形状のカムの回動を用いた開閉機構１００は、構成がシンプルであり、安価に作製することができる。
The opening /
そして、この様な楕円形状のカムの回動を用いた開閉機構１００にあっては、楕円形状のカムの径を大きくすることにより、支持棒５１と支持棒５２の開閉のストロークを大きくすることができる。
In such an opening /
かかる開閉機構は、前記開閉機構１００の構成に限定されず、例えば、図９に示される開閉機構２００の構成をとることができる。
Such an opening / closing mechanism is not limited to the configuration of the opening /
尚、図９（ｂ）は、図９（ａ）の矢印Ｂの方向から見た側面を示す。 In addition, FIG.9 (b) shows the side surface seen from the direction of arrow B of Fig.9 (a).
当該開閉機構２００は、四本のリンクバー２０３のそれぞれの端部を、連結シャフト２０４により連結した菱形リンク２１２を有する。
The opening /
当該菱形リンク２１２の四つの頂点のうち、対向する二つの頂点に対応する連結シャフト２０４にそれぞれリンクガイド２２０が連結され、当該リンクガイド２２０に支持棒５１、支持棒５４が固定される。
Of the four vertices of the
支持棒５１ならびに支持棒５２は、スライドベアリング２０２に固定されており、当該スライドベアリング２０２は、棒保持部６０に固定されたレール２０１上を摺動可能とされている。
The
そして、前記菱形リンク２１２に於いて、前記支持棒５１、支持棒５２が接続される頂点ではない頂点の一つには、シャフト２１０の外周面に形成されたネジに回動可能に装着されたナット２０９が連結されている。
In the
当該シャフト２１０は、モーター２０６によりは回動する。モーター２０６を正方向或いは逆方向に回転することにより、前記ナット２０９はシャフト２１０上を当該シャフトの軸方向に正方向或いは逆方向に移動する。
The
これにより、当該ナット２０９に連結された菱形リンク２１２は伸縮する。
Thereby, the
尚、当該ネジ２１０の両端部には、ナット２０９の移動可能範囲を規定するストッパ２１３が配設されている。
Note that
更に、ナット２０９には遮光片２０８が配設されており、原点検出センサー２０７から射出されたレーザー光が当該遮光片２０８によって遮光されるか否かにより、ナット２０９の原点位置が検出される。
Further, the
検出結果は、前記制御部９１（図１参照）に通知され、当該制御部９１は原点の位置を把握する。
The detection result is notified to the control unit 91 (see FIG. 1), and the
当該開閉機構２００にあっては、制御部９１の制御下に於いて、菱形リンク２１２を開閉・伸縮させることにより、支持棒５１と支持棒５２との間の間隔の拡大・縮小を行う。
In the opening /
即ち、図９に示される状態にあっては、前記シャフト２１０の回転に伴いナット２０９がモーター２０６側に移動しており、これにより当該シャフト２１０の軸方向に沿って菱形リンク２１２は最も伸長して、支持棒５１と支持棒５２との間隔が最小となっている。
That is, in the state shown in FIG. 9, the
前記シャフト２１０の回転に伴いナット２０９がモーター２０６から遠ざかる方向に移動して、支持棒５１と支持棒５２との間隔が、前記図９に示す場合よりも広まったとき状態を、図１０に示す。
FIG. 10 shows a state where the
尚、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の矢印Ｂの方向から見た側面を示している。 FIG. 10B shows a side view seen from the direction of arrow B in FIG.
即ち、図１０に示される状態にあっては、菱形リンク２１２は前記シャフト２１０の軸方向に垂直な方項に伸びており、支持棒５１と支持棒５２との間隔が最大となっている。
That is, in the state shown in FIG. 10, the
この様な菱形リンク２１２を利用した開閉機構２００にあっては、四本のリンクバー２０３の長さを長くすることにより、支持棒５１と支持棒５２の開閉のストロークを大きくすることができる。
In the opening /
また、此処では第１の支持棒５１と第２の支持棒５２に於ける開閉動作について説明したが、この様な開閉機構２００は、第３の支持棒５３と第４の支持棒５４との対、ならびに第５の支持棒５５と第６の支持棒５６との対に対しても、勿論適用することができる。
In addition, here, the opening / closing operation in the
前記本発明にかかる搬送用治具５０を用いての半導体基板の搬送は、以下の様に実施される。
The semiconductor substrate is transported using the
半導体基板１を把持する前の、搬送用治具５０の状態を、図１１に示す。
FIG. 11 shows a state of the
把持の対象となる半導体基板１は、前記洗浄部７９（図１参照）上に於いて、チャックテーブル７３の真空吸着が解除され、保護テープ被覆面を上にして、略Ｕ字状に湾曲した（上方に反った）状態にある。
The
かかる半導体基板１に対し、その側方から、すなわち支持棒５１〜支持棒５６の延在方向に沿って搬送用治具５０を移動させて、支持棒５１〜支持棒５６の間に、半導体基板１を受容する。
With respect to the
支持棒５１〜支持棒５６の間に半導体基板１が受容された状態を、当該支持棒の軸の端部側から見た状態を、図１２に示す。
FIG. 12 shows a state in which the
当該半導体基板１の電子回路形成面には保護テープ２が貼付されており、その保護テープ２の収縮力によって、半導体基板１は略Ｕ字状に湾曲した（上方に反った）状態にある。
A
かかる半導体基板１の受容に際しては、その受容を容易とするため、支持棒５１と支持棒５２との間の間隔Ｗ１、ならびに支持棒５３と支持棒５４との間の間隔Ｗ２は最大とされ、一方、支持棒５５と支持棒５６との間の間隔Ｗ３は最小とされる。
When receiving the
これにより、当該半導体基板１を受容する空間が最大とされている。
Thereby, the space for receiving the
支持棒５１〜支持棒５６の間に、半導体基板１が受容されると、支持棒５１〜支持棒５６はそれぞれ平面上を移動させられ、支持棒５１と支持棒５２との間の間隔Ｗ１、ならびに支持棒５３と支持棒５４との間の間隔Ｗ２が狭められる。
When the
一方、支持棒５５と支持棒５６との間の間隔Ｗ３は、拡大される。
On the other hand, the interval W3 between the
かかる移動により、支持棒５１〜支持棒５６が、被受容半導体基板１に接した状態を、図１３に示す。
FIG. 13 shows a state in which the
各支持棒５１〜支持棒５６は、接触センサー５７により、半導体基板１に接した状態を検出し、その移動を停止する。
Each of the support bars 51 to 56 detects the state of contact with the
即ち、半導体基板１は、支持棒５１〜支持棒５６をもって、挟持される。
That is, the
支持棒５１〜支持棒５６の間に半導体基板１が受容・挟持された状態を、当該支持棒の軸の端部側から見た状態を、図１４に示す。
FIG. 14 shows a state where the
即ち、半導体基板１は、その湾曲（反り）が存在する状態をもって、支持棒５１〜支持棒５６の間に挟持され、搬送される。
That is, the
尚、この様に湾曲した状態にある半導体基板１を、支持棒５１〜支持棒５６の間に挿入する際には、当該半導体基板１の湾曲（反り）の中心線と支持棒５１〜５６の延在する方向とを一致させる必要がある。
When the
半導体基板１の湾曲の中心線と支持棒５１〜５６の延在する方向とを一致させてそれらを揃えないと、支持棒５１〜支持棒５６の何れかの先端が半導体基板１に接触して、当該半導体基板１の移動或いは回転などを生じ、当該半導体基板１を受容することが困難となり、また当該半導体基板１の破損を生ずる恐れがある。
If the center line of curvature of the
この様な湾曲を伴う半導体基板１と搬送用治具５０に於ける支持棒との位置合わせは、図１５に示す湾曲（反り）量検出機構を用いて行う。
Such alignment of the
即ち、前記洗浄部７９のチャックテーブル７３の上方、即ち当該チャックテーブル７３上に載置されている半導体基板１の上方に、変位センサー部９０を位置せしめる。
That is, the
当該変位センサー部９０は、円形状の基板１１０の円周部に沿って等間隔に配された８個のレーザー変位センサー１１１〜１１８を具備している。
The
当該レーザー変位センサー１１１〜１１８のそれぞれから、半導体基板１に対しレーザー光を照射して、当該半導体基板１の各部位（被レーザー光照射部）の位置（高さ）を検出する。
Each of the
検出された半導体基板１の各部位（被レーザー光照射部）の位置（高さ）から、当該半導体基板１の湾曲の中心線１ａ、即ち最低部を検出し、当該中心線１ａが搬送用治具５０に於ける支持棒の延在する方向Ｄ１と一致するように、チャックテーブル７３を回転せしめる。
From the detected position (height) of each part (laser light irradiation part) of the
図１５は、かかるチャックテーブル７３の回転により、当該半導体基板１の湾曲の中心線と搬送用治具５０に於ける支持棒の延在する方向とを一致させた状態を示している。
FIG. 15 shows a state in which the center line of curvature of the
しかる後、搬送用治具５０を半導体基板１方向へ移動させ、搬送用治具５０に於ける支持棒の間に半導体基板１を受容する。
Thereafter, the
かかる半導体基板１の、搬送用治具５０に於ける支持棒の間への位置合わせ、受容工程を図１６に示す。
FIG. 16 shows a process of aligning and receiving the
先ず、洗浄部７９のチャックテーブル７３の上方、即ち当該チャックテーブル７３上に載置されている半導体基板１の上方に、変位センサー部９０を位置せしめる。（ステップ Ｓ１）
次いで、変位センサー１１１〜１１８のそれぞれからレーザー光を鉛直下方に、即ち半導体基板１の表面の複数の部位に照射して、当該半導体基板１の各部位に於いてレーザー光が照射された複数の部位と、距離測定の基準面となるベース１１０との距離を測定する。（ステップ Ｓ２）
かかる測定は、例えば三角測量の原理により行われる。
First, the
Next, a laser beam is irradiated vertically downward from each of the
Such measurement is performed, for example, by the principle of triangulation.
この計測後、各変位センサー１１１〜１１８は、計測結果を制御部９１に出力する。
After this measurement, each of the
ここで、第１〜第８の変位センサー１１１〜１１８により計測された距離を、それぞれ距離（１）〜距離（８）とすると、半導体基板１の湾曲の中心線１ａと各支持棒５１〜５６の延在方向Ｄ１とが平行な場合には、幾何学的に次の不等式（Ｅ１）が成り立つ。
Here, assuming that the distances measured by the first to
距離（１）≒距離（５）
＞距離（２）≒距離（４）≒距離（６）≒距離（８）
＞距離（３）≒距離（７）
・・・（Ｅ１）
尚、不等式（Ｅ１）に於ける記号「≒」によって許容される誤差の範囲については、予め適宜設定する。
Distance (1) ≒ Distance (5)
> Distance (2) ≒ Distance (4) ≒ Distance (6) ≒ Distance (8)
> Distance (3) ≒ Distance (7)
... (E1)
Note that the range of error allowed by the symbol “≈” in the inequality (E1) is appropriately set in advance.
次いで、制御部９１が、当該不等式（Ｅ１）が成り立つか否かを判断する。（ステップ Ｓ３）
成り立たない（ＮＯ）と判断した場合には、チャックテーブル７３を回転させる。（ステップ Ｓ４）
そして、チャックテーブル７３を回転させながら、上記不等式（Ｅ１）が成り立つか否かを制御部９１が判断し、成り立たない（ＮＯ）と判断した場合には当該チャックテーブル７３の回転を続ける。（ステップ Ｓ５）
ステップＳ５に於いて不等式（Ｅ１）が成り立つ（ＹＥＳ）と判断された場合には、チャックテーブル７３の回転を停止する。（ステップ Ｓ６）
この様なステップにより、半導体基板１の湾曲の中心線１ａと、支持棒５１〜５６の延在方向Ｄ１とを一致せしめる。
Next, the
If it is determined that it does not hold (NO), the chuck table 73 is rotated. (Step S4)
Then, while the chuck table 73 is rotated, the
If it is determined in step S5 that the inequality (E1) holds (YES), the rotation of the chuck table 73 is stopped. (Step S6)
By such steps, the
これにより、支持棒５１〜５６の間に半導体基板１を挿入・受容する際に、当該支持棒５１〜５６の先端が半導体基板１に接触するなどのことが防止される。
Thereby, when the
尚、半導体基板１が過度に湾曲している場合、或いは湾曲が僅かであって殆ど平坦に近い場合には、前記中心線１ａと延在方向Ｄ１とを一致させたとしても、支持棒５１〜５６によって半導体基板１を受容できない場合がある。
If the
以下のステップでは、半導体基板１の湾曲の程度を把握し、搬送用治具５０により半導体基板１を受容し得るか否かを判断する。
In the following steps, the degree of curvature of the
即ち、前記ステップＳ３又はステップＳ５を終了した時点に於ける距離（３）、距離（５）を用いて、次の不等式Ｅ２が成り立つか否かを制御部９１が判断する。（ステップ Ｓ７）
ｈ１＋ｈ２ ＜ 距離（５）−距離（３）＜δｍａｘ・・・（Ｅ２）
尚、この不等式Ｅ２の最左辺のｈ１は、第１の支持棒５１と第２の支持棒５２のそれぞれの中心の鉛直方向の間隔であり、またｈ２は、第１の支持棒５１と第３の支持棒５３のそれぞれの中心の鉛直方向の間隔である。（図５（ｂ）参照）
当該不等式Ｅ２に於いて、下限をｈ１＋ｈ２としたのは、半導体基板１の反り量に相当する距離（５）−距離（３）がｈ１＋ｈ２以下であると、全ての支持棒５１〜５６が半導体基板１の表面に接触した状態であり、搬送用治具５０により半導体基板１を受容できないことによる。
That is, using the distance (3) and the distance (5) at the time when step S3 or step S5 is completed, the
h1 + h2 <distance (5) −distance (3) <δmax (E2)
Note that h1 on the leftmost side of the inequality E2 is a vertical interval between the centers of the
In the inequality E2, the lower limit is set to h1 + h2. If the distance (5) -distance (3) corresponding to the warp amount of the
一方、上限のδｍａｘは、半導体基板１に形成される回路の品種によって適宜設定されるものであり、異常な反りによって回路が不良になる限界の反り量に相当する。
On the other hand, the upper limit δmax is appropriately set according to the type of circuit formed on the
尚、距離（３）、距離（５）に代えて、これらのそれぞれに略等しい距離（７）、距離（１）を用いて、次の不等式Ｅ３が成り立つか否かを判断するようにしてもよい。 It should be noted that instead of the distance (3) and the distance (5), the distance (7) and the distance (1) that are substantially equal to each other are used to determine whether or not the following inequality E3 holds. Good.
ｈ１＋ｈ２ ＜ 距離（１）−距離（７）＜δｍａｘ・・・（Ｅ３）
そして、ステップＳ７に於いて不等式Ｅ２又は不等式Ｅ３が成り立つ（ＹＥＳ）と判断された場合には、制御部９１の制御下で各距離（１）〜（８）の値と中心線１ａの延在方向とをメモリ９１ａに格納する。（ステップ Ｓ８）
一方、ステップＳ７に於いて不等式Ｅ２又は不等式Ｅ３が成り立たない（ＮＯ）と判断された場合には、半導体基板１の反り量が過小又は過大であることから、搬送の中止を決定する。（ステップ Ｓ９）
この様な位置合わせ工程を伴って搬送用治具５０に於ける支持棒に受容・保持された半導体基板１は、キャリアに搬送される。
h1 + h2 <distance (1) −distance (7) <δmax (E3)
If it is determined in step S7 that the inequality E2 or the inequality E3 holds (YES), the values of the distances (1) to (8) and the extension of the
On the other hand, if it is determined in step S7 that the inequality E2 or the inequality E3 does not hold (NO), the amount of warping of the
The
当該半導体基板１の搬送は、図１７及び図１８に示されるところの、制御部９１が行う各ステップに従ってなされる。
The
即ち、例えば開閉機構１００（図７、図８参照）により、支持棒５１〜支持棒５６をそれらの原点に移動させる。（ステップ Ｓ１１）
かかる原点とは、図１２に示した如く、支持棒５１と支持棒５２との間の間隔Ｗ１、ならびに支持棒５３と支持棒５４との間の間隔Ｗ２が最大となる位置であり、一方、支持棒５５と支持棒５６との間の間隔Ｗ３が最小となる位置である。
That is, for example, the opening / closing mechanism 100 (see FIGS. 7 and 8) moves the
As shown in FIG. 12, the origin is a position where the distance W1 between the
これにより、当該半導体基板１を受容する空間が最大とされている。
Thereby, the space for receiving the
尚、開閉機構１００に代えて、図９、図１０に示した開閉機構２００を使用してもよい。
Instead of the opening /
次いで、半導体基板１に向けて搬送用治具５０を移動させ、支持棒５１〜支持棒５６の間に湾曲した状態の半導体基板１を挿入・受容する。（ステップ Ｓ１２）
この結果、当該搬送用治具５０に於ける支持棒の間に半導体基板１が受容された状態は、前記図１２に示すものとなる。
Next, the
As a result, the state in which the
次いで、前記開閉機構１００を駆動し、第１の支持棒５１と第２の支持棒５２との間の間隔Ｗ１を狭める。（ステップ Ｓ１３）
そして、当該第１の支持棒５１と第２の支持棒５２に設けられた接触センサー５７が、半導体基板１との接触を感知したか否かを制御部９１が判断する。（ステップ Ｓ１４）
その判断は、接触信号Ｓｃ（図３参照）に基づいて制御部９１が行う。これについては、後述のステップＳ１７、Ｓ２０でも同様である。
Next, the opening /
Then, the
The determination is performed by the
接触を感知していない（ＮＯ）と判断された場合には、ステップＳ１３に戻り、開閉機構１００により第１の支持棒５１と第２の支持棒５２の間隔Ｗ１を更に狭める。
If it is determined that no contact is detected (NO), the process returns to step S13, and the opening /
接触を感知した（ＹＥＳ）と判断された場合には、制御部９１の制御下に於いて、開閉機構１００が当該第１の支持棒５１と第２の支持棒５２との開閉動作を停止する。（ステップ Ｓ１５）
また、前記開閉機構１００を駆動し、前記第３の支持棒５３と第４の支持棒５４との間の間隔Ｗ２を狭める。（ステップ Ｓ１６）
そして、当該第３の支持棒５３と第４の支持棒５４に設けられた接触センサー５７が、半導体基板１との接触を感知したか否かを制御部９１が判断する。（ステップ Ｓ１７）
接触を感知していない（ＮＯ）と判断された場合には、ステップＳ１６に戻り、開閉機構１００により当該第３の支持棒５３と第４の支持棒５４との間隔Ｗ３を更に狭める。
If it is determined that contact has been detected (YES), the opening /
Further, the opening /
Then, the
If it is determined that no contact is detected (NO), the process returns to step S16, and the gap W3 between the
接触を感知した（ＹＥＳ）と判断された場合には、制御部９１の制御下に於いて、開閉機構１００が当該第３の支持棒５３と第４の支持棒５４との開閉動作を停止する。（ステップ Ｓ１８）
一方、第５の支持棒５５と第６の支持棒５６の対については、開閉機構１００を駆動させてこれらの支持棒５５、支持棒５６の間隔Ｗ１を拡張する。（ステップ Ｓ１９）
そして、当該第５の支持棒５５と第６の支持棒５６に設けられた接触センサー５７が、半導体基板１との接触を感知したか否かを制御部９１が判断する。（ステップ Ｓ２０）
接触を感知していない（ＮＯ）と判断された場合には、ステップＳ１９に戻り、開閉機構１００により第５の支持棒５５と第６の支持棒５６の間隔Ｗ３を更に広める。
If it is determined that contact has been detected (YES), the opening /
On the other hand, for the pair of the
Then, the
If it is determined that no contact is detected (NO), the process returns to step S19, and the opening /
接触を感知した（ＹＥＳ）と判断された場合には、制御部９１の制御下に於いて、開閉機構１００が当該第５の支持棒５５と第６の支持棒５６との開閉動作を停止する。（ステップ Ｓ２１）
この様な方法により、湾曲した半導体基板１は、その上面ならびに下面から搬送用治具５０に於ける支持棒５１〜５６により挟持される。（ステップ Ｓ２２）
搬送用治具５０に於ける支持棒５１〜５６により挟持された半導体基板１は、当該搬送用治具５０により搬送され（ステップＳ２３）、図１９に示されるところの、湾曲した半導体基板１の受容を許容するキャリア１８に収容される。（ステップＳ２４）
即ち、半導体基板１は、支持棒５１〜５６の延在する方向と平行するスリットを具備したキャリア１８に、当該支持棒５１〜５６により挟持された状態をもって挿入され、その端部がスリット１８Ａに受容されて、当該キャリア１８に収容される。
If it is determined that contact has been detected (YES), the opening /
By such a method, the
The
That is, the
当該キャリア１８への収容後、当該支持棒５１〜５６は、当該半導体基板１から離間する方向に移動し、半導体基板１の挟持を開放する。
After being accommodated in the
しかる後、搬送用治具５０は後退し、キャリア１８から離れる。
Thereafter, the conveying
この様に、本発明の実施形態によれば、複数の支持棒によって半導体基板をその両面から挟持することにより、当該半導体基板に於ける湾曲（反り）を維持しながら、当該半導体基板を搬送することができる。 As described above, according to the embodiment of the present invention, the semiconductor substrate is transported while maintaining the curvature (warp) in the semiconductor substrate by sandwiching the semiconductor substrate from both sides by the plurality of support rods. be able to.
複数の支持棒により半導体基板を挟持することにより、搬送の途中に於いて保持が開放されることがなく、被搬送半導体基板の落下など、搬送ミスが発生する危険性を著しく低減することができる。 By holding the semiconductor substrate with a plurality of support rods, the holding is not released during the transfer, and the risk of a transfer error such as a drop of the transferred semiconductor substrate can be significantly reduced. .
更に、複数の支持棒による挟持を半導体基板の複数箇所に於いて行うことにより、搬送時に半導体基板の姿勢が安定すると共に、湾曲の程度が異なる半導体基板に対応することができる。 Further, by holding the plurality of support rods at a plurality of locations on the semiconductor substrate, the posture of the semiconductor substrate can be stabilized at the time of transportation, and it is possible to cope with semiconductor substrates having different degrees of curvature.
また、支持棒の断面形状を三角形とする（図８参照）ことにより、被搬送半導体基板の表面と当該支持棒の表面とが広い接触面積をもって接触し、半導体基板の姿勢をより安定化させることができる。 Further, by making the cross-sectional shape of the support rod a triangle (see FIG. 8), the surface of the semiconductor substrate to be transported and the surface of the support rod are in contact with each other with a wide contact area, and the posture of the semiconductor substrate is further stabilized. Can do.
また、複数の支持棒をそれらの延在方向に従って、半導体基板の側方より移動させ、当該半導体基板の表裏面に位置せしめるので、キャリア内に於いて半導体基板が大きく湾曲していても、当該支持棒により半導体基板を容易に挟持することができる。 In addition, since the plurality of support rods are moved from the side of the semiconductor substrate according to their extending directions and are positioned on the front and back surfaces of the semiconductor substrate, even if the semiconductor substrate is greatly curved in the carrier, The semiconductor substrate can be easily held by the support rod.
従って、背面研削処理後、半導体基板の裏面に捺印処理を施す際、或いは金（Ａｕ）等の金属層を被覆する際等に、キャリア内に一時的に半導体基板を収容する場合に、キャリア内への半導体基板の出し入れを容易に行うことができる。 Therefore, when the semiconductor substrate is temporarily accommodated in the carrier when the back surface of the semiconductor substrate is subjected to a stamping process or when a metal layer such as gold (Au) is coated after the back grinding, The semiconductor substrate can be easily taken in and out.
即ち、かかる搬送の際、半導体基板の湾曲（反り）を維持したまま搬送することにより、複数の処理装置間に於いて搬送を複数回なされても、湾曲の矯正・開放に伴うストレスが半導体基板に蓄積せず、当該半導体基板に形成された半導体素子が不良となることを防止することができる。 In other words, by carrying the semiconductor substrate while maintaining the curvature (warp) of the semiconductor substrate, even if the semiconductor substrate is conveyed multiple times between the plurality of processing apparatuses, the stress associated with the correction / release of the curvature is applied to the semiconductor substrate. It is possible to prevent the semiconductor element formed on the semiconductor substrate from becoming defective.
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。 The following additional notes are disclosed for each embodiment described above.
（付記１）
一つの平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の対を、前記平面の鉛直方向に複数具備し、
前記複数の支持棒の対のそれぞれに於いて、対となる支持棒を離間あるいは近接せしめる開閉機構を備えてなる
ことを特徴とする搬送装置。
(Appendix 1)
A plurality of pairs of support bars spaced apart or close to each other in one plane in the vertical direction of the plane;
Each of the plurality of pairs of support rods includes an opening / closing mechanism that separates or brings the pair of support rods apart from each other.
（付記２）
前記支持棒に、被搬送物との接触の有無を感知する接触センサーが設けられ、
前記開閉機構は、前記接触センサーが前記被搬送物との接触を感知したときに、前記支持棒の開閉動作を停止することを特徴とする付記１に記載の搬送装置。
(Appendix 2)
The support rod is provided with a contact sensor for detecting the presence or absence of contact with the object to be conveyed,
The transport apparatus according to
（付記３） 前記開閉機構は、回動可能なカムと、前記カムに嵌合した二つのカムフォロアとを有し、
前記対の支持棒が、それぞれ前記二つのカムフォロアに固定されたことを特徴とする付記１又は付記２に記載の搬送装置
（付記４） 前記開閉機構は伸縮可能な菱形リンクを有し、
前記対の支持棒が、前記菱形リンクの対向する二つの頂点にそれぞれ結合したことを特徴とする付記１又は付記２に記載の搬送装置。
(Supplementary Note 3) The opening / closing mechanism includes a rotatable cam and two cam followers fitted to the cam.
The conveying device according to
The conveying apparatus according to
（付記５） 第１の平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の第１の対と、前記第１の平面と平行し、且つ第１の平面の鉛直方向に位置する第２の平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の第２の対とを用い、
前記支持棒の第１の対ならびに支持棒の第２の対の離間或いは近接により、被搬送物を挟持し、
かかる状態をもって被搬送物を搬送することを特徴とする被搬送物の搬送方法。
(Supplementary Note 5) A first pair of support bars that are spaced apart from each other or close to each other in the first plane, and a second plane that is parallel to the first plane and that is positioned in the vertical direction of the first plane. Using a second pair of support bars spaced apart or close to each other,
The object to be conveyed is sandwiched by the separation or proximity of the first pair of support bars and the second pair of support bars,
A transporting method for transporting an object to be transported in such a state.
（付記６） 前記支持棒の第１の対ならびに第２の対の間に前記被搬送物を挟持する前に、前記被搬送物の反りの中心線と、複数の前記支持棒の延在方向とを揃えることを特徴とする付記５に記載の被搬送物の搬送方法。 (Additional remark 6) Before pinching the said to-be-conveyed object between the 1st pair of said support rod, and a 2nd pair, the centerline of the curvature of the to-be-conveyed object, and the extending direction of the said several support rod The method for transporting an object to be transported according to appendix 5, wherein:
（付記７） 前記被搬送物を回転させながら前記被搬送物の複数の測定点と基準面との距離を測定し、前記距離の測定結果に基づいて、前記中心線と前記延在方向とを揃えることを特徴とする付記６に記載の被搬送物の搬送方法。 (Appendix 7) Measuring the distance between a plurality of measurement points of the transferred object and a reference surface while rotating the transferred object, and determining the center line and the extending direction based on the measurement result of the distance. The method of transporting objects to be transported according to appendix 6, wherein the transported objects are aligned.
（付記８） 前記第１の対の各支持棒と前記第２の対の各支持棒はそれぞれ平行であり、
前記被搬送物を挟持する工程は、前記第１の対と前記第２の対の離間又は近接を行う前に、前記第１の対と前記第２の対の各々を、前記各支持棒の延在方向に沿って移動させる工程を有することを特徴とする付記５に記載の被搬送物の搬送方法。
(Supplementary Note 8) Each of the first pair of support bars and each of the second pair of support bars are parallel to each other,
The step of sandwiching the object to be conveyed includes the step of separating each of the first pair and the second pair of the support rods before separating or approaching the first pair and the second pair. The method for transporting an object to be transported according to appendix 5, further comprising a step of moving along the extending direction.
（付記９） 半導体基板の裏面を研削する工程、
前記半導体基板を、第１の平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の第１の対と、前記第１の平面と平行し、且つ第１の平面の鉛直方向に位置する第２の平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の第２の対との間に配置する工程、
前記支持棒の第１の対ならびに支持棒の第２の対の離間或いは近接により、前記半導体基板を挟持する工程
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(Additional remark 9) The process of grinding the back surface of a semiconductor substrate,
A first plane of support rods that are spaced apart from or close to each other in the first plane, and a second plane that is parallel to the first plane and that is positioned in the vertical direction of the first plane. And placing between a second pair of support bars spaced apart or close to each other.
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of sandwiching the semiconductor substrate by the separation or proximity of the first pair of support bars and the second pair of support bars.
（付記１０） 前記半導体基板の裏面を研削する前に、該半導体基板の回路形成面に保護テープを貼付する工程を更に有し、
前記半導体基板の裏面を研削する工程と、前記半導体基板を挟持する工程とを、前記半導体基板に前記保護テープが貼付された状態で行うことを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
(Additional remark 10) Before grinding the back surface of the said semiconductor substrate, it further has the process of sticking a protective tape on the circuit formation surface of this semiconductor substrate,
The method of manufacturing a semiconductor device according to appendix 9, wherein the step of grinding the back surface of the semiconductor substrate and the step of sandwiching the semiconductor substrate are performed in a state where the protective tape is adhered to the semiconductor substrate. .
１…半導体基板、２…表面保護テープ、１８…キャリア、５０…搬送用治具、５１〜５６…第１〜第６の支持棒、５７…接触センサー、５８…信号線、６０…本体、７０…背面研削処理装置、７１…ターンテーブル、７２、７３…チャックテーブル、７４…第１の半導体基板収納部、７５…第２の半導体基板収納部、７６…第１の搬送ロボット、７６ａ…軸、７７…位置決め部、７９…洗浄部、８１…搬送ロボット、８２…粗削り用砥石、８３…仕上げ用砥石、９０…変位センサー部、９１…制御部、１００、２００…開閉機構、１０１、２０１…レール、１０２、２０２…スライドベアリング、１０３…バネ、１０４、２０４…カムフォロア、１０５…カム、１０６、２０６…モーター、１０６ａ…回転軸、１０７、２０７…原点検出センサー、１０８…回転板、１０８ａ…スリット、１１０…ベース、１１１〜１１８…第１〜第８のレーザー変位センサー、２０３…リンクバー、２０４…連結シャフト、２０８…遮光片、２１２…菱形リンク、２２０…リンクガイド。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記複数の支持棒の対のそれぞれに於いて、対となる支持棒を離間あるいは近接せしめる開閉機構を備えてなる
ことを特徴とする搬送装置。 A plurality of pairs of support bars spaced apart or close to each other in one plane in the vertical direction of the plane;
Each of the plurality of pairs of support bars includes an opening / closing mechanism for separating or bringing the pair of support bars apart from each other.
前記開閉機構は、前記接触センサーが前記被搬送物との接触を感知したときに、前記支持棒の開閉動作を停止することを特徴とする請求項１に記載の搬送装置。 The support rod is provided with a contact sensor for detecting the presence or absence of contact with the object to be conveyed,
The transport apparatus according to claim 1, wherein the opening / closing mechanism stops the opening / closing operation of the support bar when the contact sensor detects contact with the object to be transported.
前記支持棒の第１の対ならびに支持棒の第２の対の離間或いは近接により、被搬送物を挟持し、
かかる状態をもって被搬送物を搬送することを特徴とする被搬送物の搬送方法。 A first pair of support bars spaced apart or close to each other in a first plane, and spaced apart from each other in a second plane parallel to the first plane and positioned in a vertical direction of the first plane; Or using a second pair of adjacent support bars,
The object to be conveyed is sandwiched by the separation or proximity of the first pair of support bars and the second pair of support bars,
A transporting method for transporting an object to be transported in such a state.
前記半導体基板を、第１の平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の第１の対と、前記第１の平面と平行し、且つ第１の平面の鉛直方向に位置する第２の平面に於いて互いに離間或いは近接する支持棒の第２の対との間に配置する工程、
前記支持棒の第１の対ならびに支持棒の第２の対の離間或いは近接により、前記半導体基板を挟持する工程
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Grinding the backside of the semiconductor substrate,
A first plane of support rods that are spaced apart from or close to each other in the first plane, and a second plane that is parallel to the first plane and that is positioned in the vertical direction of the first plane. And placing between a second pair of support bars spaced apart or close to each other.
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of sandwiching the semiconductor substrate by the separation or proximity of the first pair of support bars and the second pair of support bars.
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2009236010A Withdrawn JP2011086650A (en) | 2009-10-13 | 2009-10-13 | Carrier, method of carrying object to be carried, and method of manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2011086650A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013013944A (en) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Lintec Corp | Plate-like member supporting apparatus and supporting method, and plate-like member conveying apparatus |
| JP2014032992A (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Substrate holding ring gripping mechanism |
| CN114057233A (en) * | 2021-11-17 | 2022-02-18 | 鄂尔多斯市紫荆创新研究院 | Lithium cobaltate anode target material for preparing thin-film lithium battery and preparation method thereof |
-
2009
- 2009-10-13 JP JP2009236010A patent/JP2011086650A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013013944A (en) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Lintec Corp | Plate-like member supporting apparatus and supporting method, and plate-like member conveying apparatus |
| JP2014032992A (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Substrate holding ring gripping mechanism |
| CN114057233A (en) * | 2021-11-17 | 2022-02-18 | 鄂尔多斯市紫荆创新研究院 | Lithium cobaltate anode target material for preparing thin-film lithium battery and preparation method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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