JP2011075645A - Optical wave guide and method of manufacturing of optical waveguide - Google Patents

Optical wave guide and method of manufacturing of optical waveguide Download PDF

Info

Publication number
JP2011075645A
JP2011075645A JP2009224549A JP2009224549A JP2011075645A JP 2011075645 A JP2011075645 A JP 2011075645A JP 2009224549 A JP2009224549 A JP 2009224549A JP 2009224549 A JP2009224549 A JP 2009224549A JP 2011075645 A JP2011075645 A JP 2011075645A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
optical waveguide
optical
coupling block
optical coupling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009224549A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Okayama
秀彰 岡山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP2009224549A priority Critical patent/JP2011075645A/en
Publication of JP2011075645A publication Critical patent/JP2011075645A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that a spot size transformer is necessary because diameter of transmission of light is different when a Si thin wire waveguide is connected to the external part of an optical waveguide such as an optical fiber using an optical signal, but optical coupling efficiency is insufficient and a variation in manufacturing exists thus the manufacturing of the spot size transformer is not easy. <P>SOLUTION: An optical coupling block region having a structure made of a material which is the same as that of a clad layer and projected from the clad layer is disposed between the end face of the optical waveguide and the end face of the tapered structure region of the Si thin wire optical waveguide. Further, the tapered structure region is manufactured, the formed tapered structure section is referred to and a mask for forming the optical coupling block region is positioned. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、光導波路、及び光導波路の製造方法に関し、特にシリコン細線を用いた光導波路を光ファイバ等のより大きな光部品に接続する際に用いるスポットサイズ変換構造を有した光導波路と、その製造方法に関する。   The present invention relates to an optical waveguide and a method for manufacturing the optical waveguide, and in particular, an optical waveguide having a spot size conversion structure used when connecting an optical waveguide using a thin silicon wire to a larger optical component such as an optical fiber, and the like It relates to a manufacturing method.

近年、小型化と量産性を目指してシリコン（Ｓｉ：Silicon、珪素、以下Ｓｉと略すこともある。）を、光導波路材料として用いる技術が注目を集め始めている。光導波路の中でＳｉからなるコア（芯）の外周をすべて、より屈折率の低いクラッド、例えばシリカ（ＳｉＯ２）で覆った構造のものをＳｉ細線光導波路と呼ぶ。
Ｓｉ細線光導波路は、この材料からなる前記の構造では、コアとクラッドとの屈折率の差が極めて大きいために、光を強くコア中に閉じ込めることが可能であり、極めて微細なサブミクロンの断面構造を実現できる特徴がある。さらに、その大きな屈折率差で光を急激に曲げる、曲線構造を有する光導波路が実現可能であり、その曲げ半径は１ミクロン程度まで小型化できる。
これらのことから、このＳｉ細線光導波路は、他の構造では不可能な、Ｓｉ電子デバイスと同程度の大きさの光回路デバイスが実現可能であり、光と電子をデバイス（チップ）上で融合する有力な技術として注目されている。しかし、Ｓｉ細線光導波路は、光ファイバ（概略の値として、コア８μｍφ、外径１２５μｍφ）などデバイス外部との接続を行うためには、微小な断面（光導波路コアの概略値は０．３μｍ□）を通る光のスポットサイズを拡大しなければならない。 In recent years, a technique using silicon (Si: silicon, hereinafter abbreviated as Si) as an optical waveguide material has begun to attract attention for miniaturization and mass productivity. An optical waveguide having a structure in which the entire outer periphery of a core made of Si is covered with a clad having a lower refractive index, such as silica (SiO 2 ), is referred to as a Si thin-wire optical waveguide.
In the above-mentioned structure made of this material, the Si wire optical waveguide has a very large difference in refractive index between the core and the clad, so that light can be strongly confined in the core. There is a feature that can realize the structure. Further, it is possible to realize an optical waveguide having a curved structure in which light is bent sharply with the large refractive index difference, and the bending radius can be reduced to about 1 micron.
From these facts, this Si wire optical waveguide can realize optical circuit devices of the same size as Si electronic devices, which is impossible with other structures, and fuses light and electrons on the device (chip). It is attracting attention as a leading technology. However, in order to connect to the outside of the device such as an optical fiber (as a rough value, the core is 8 μmφ and the outer diameter is 125 μmφ), the Si thin wire optical waveguide has a very small cross section (the approximate value of the optical waveguide core is 0.3 μm □). ) The spot size of the light passing through must be enlarged.

このため、様々なこの光を拡大するスポットサイズ変換器が考案され、これらが特許文献１〜７に開示されている。また、光のスポットサイズを拡大する方法として、光導波路コアをテーパ状（先端に向かって細くなる形状）に小さくする方法が従来から知られている。ここで光導波路コアの幅をテーパ状にすることについては、特許文献１、２、３、７に開示されており、光導波路コアの厚みをテーパ状にすることについては特許文献４、５、６に開示されている。このほかに、テーパ状に３次元構造で導波路断面積を拡大するものや、あるいはグレーティング（格子状パターンの形成）を使用したものが提案されている。
これらの中で、先細りのテーパは、作製が容易で、波長帯域が広い特徴を有している。また、特許文献６に開示された、光導波路コアを二重にしたものは拡大したスポットも導波されるため、波面が確定されていてロスの少ない光入出力を行うことができる。 For this reason, various spot size converters for enlarging this light have been devised, and these are disclosed in Patent Documents 1-7. As a method for increasing the spot size of light, a method of reducing the optical waveguide core into a tapered shape (a shape that narrows toward the tip) is conventionally known. Here, the taper width of the optical waveguide core is disclosed in Patent Documents 1, 2, 3, and 7, and the taper thickness of the optical waveguide core is disclosed in Patent Documents 4, 5, 6. In addition to this, a taper-shaped three-dimensional structure in which the waveguide cross-sectional area is enlarged, or one using a grating (formation of a lattice pattern) has been proposed.
Among these, the tapered taper is easy to manufacture and has a wide wavelength band. In addition, since the doubled optical waveguide core disclosed in Patent Document 6 also guides an enlarged spot, the wavefront is fixed and light input / output with little loss can be performed.

また、図４は、従来のＳｉ細線を用いた光導波路４０から光ファイバ５へ光信号を伝搬する際のスポットサイズ変換器（テーパ構造領域４）の構造図である。図４ではまず基板（Ｓｉ層１とＳｉＯ２層２３（ＳｉＯ２層２（図２））と光導波路コア３Ｇに対応するＳｉ層３（図２）を含む）としてＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用いる。このＳＯＩ基板にＳｉをコアとする光導波路コア３Ｇを形成する。
光導波路４０は、光入出射端面２ｓ近傍にテーパ状のスポットサイズ変換器（テーパ構造領域４）が設けられている。ここでは、Ｓｉ光導波路のコア３Ｇの幅を先端に向かって狭くし、厚みは一定の構造である。光ファイバ５及び光ファイバのコア５ｃの端面は、光導波路コア３Ｇを通る光を入力するために光導波路４０の光入出射端面２ｓに接している。
光ファイバ５は、ここでは、簡単のため、単に光ファイバ５を光導波路４０に突き合わせたバットジョイント型（Butt Joint型）の接合を示しているが、一般的には光学的な結合効率が良くなるように光ファイバ５の先端を加工して、先球光ファイバ（レンズ構造を持つ）とする方法が多く採用されている。光導波路コア３Ｇを伝搬する光のスポットサイズは、サブミクロンであり、光ファイバ５の伝搬光のスポットサイズが数ミクロンであるので、そのままではサイズのミスマッチングにより、光導波路４０、もしくは光導波路コア３Ｇから光ファイバ５へ光が効率よく送り込まれない。しかしながら、テーパ構造領域４を設けると、この部分で光が広がっていくため、効率よく光ファイバ５へ送り込むことができる。ただし、テーパ構造領域４の先端（細い側）から光導波路４０の光入出射端面２ｓの間で光は急速に広がっていくために、この距離を一定にしないと光学的な結合効率のばらつきが生じる構造である。 FIG. 4 is a structural diagram of a spot size converter (taper structure region 4) when an optical signal is propagated from the optical waveguide 40 using a conventional Si thin wire to the optical fiber 5. In FIG. 4, first, an SOI (Silicon on Insulator) substrate as a substrate (including Si layer 1 and SiO 2 layer 23 (SiO 2 layer 2 (FIG. 2)) and Si layer 3 (FIG. 2) corresponding to optical waveguide core 3G). Is used. An optical waveguide core 3G having Si as a core is formed on this SOI substrate.
The optical waveguide 40 is provided with a tapered spot size converter (taper structure region 4) in the vicinity of the light incident / exit end face 2s. Here, the width of the core 3G of the Si optical waveguide is narrowed toward the tip, and the thickness is constant. The optical fiber 5 and the end face of the optical fiber core 5c are in contact with the light incident / exit end face 2s of the optical waveguide 40 in order to input light passing through the optical waveguide core 3G.
Here, for the sake of simplicity, the optical fiber 5 is simply a butt joint type (Butt Joint type) joint in which the optical fiber 5 is abutted against the optical waveguide 40, but in general, the optical coupling efficiency is good. In many cases, the tip of the optical fiber 5 is processed so as to obtain a tip-end optical fiber (having a lens structure). The spot size of the light propagating through the optical waveguide core 3G is submicron, and the spot size of the propagation light of the optical fiber 5 is several microns. Therefore, the optical waveguide 40 or the optical waveguide core is left as it is due to size mismatching. Light is not efficiently sent from 3G to the optical fiber 5. However, if the tapered structure region 4 is provided, the light spreads in this portion, so that it can be efficiently fed into the optical fiber 5. However, since light spreads rapidly between the front end (thin side) of the tapered structure region 4 and the light incident / exit end face 2s of the optical waveguide 40, the optical coupling efficiency varies unless this distance is constant. The resulting structure.

特開２００２−１６２５２８号公報JP 2002-162528 A 特開２０００−２３５１２８号公報JP 2000-235128 A 米国特許６６８４０１１号明細書US Pat. No. 6,684,011 特開平９−１５４３５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-15435 特開２００５−３２６８７６号公報JP 2005-326876 A 特開平７−６３９３５号公報JP-A-7-63935 特開２００３−２０７６８４号公報JP 2003-207684 A

しかしながら、単にテーパ状にした図４や特許文献１〜５に開示されている技術は、製造工程上のばらつきでテーパ構造領域と光導波路の光入出射端面との間での距離が変化することがあり、その結果、光学的な結合効率が変動するという問題があった。
また、二重コアやステップ状に形成する特許文献６、７に開示されている技術は作製が容易でなく、製造コストが上昇するという問題があった。 However, the technology disclosed in FIG. 4 and Patent Documents 1 to 5 that are simply tapered changes the distance between the tapered structure region and the light incident / exit end face of the optical waveguide due to variations in the manufacturing process. As a result, there is a problem that the optical coupling efficiency fluctuates.
Further, the techniques disclosed in Patent Documents 6 and 7 formed in a double core or stepped shape have a problem that the production is not easy and the manufacturing cost increases.

そこで、本発明は前記した問題を解決するためになされたものであり、テーパ構造領域と光導波路の入出射端面との間の距離による光学的な結合効率の変化が少ない光導波路、及びその製造方法を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problem, and an optical waveguide having a small change in optical coupling efficiency due to the distance between the tapered structure region and the input / output end face of the optical waveguide, and its manufacture It aims to provide a method.

前記の目的を達成するために、各発明を以下のような構成にした。
すなわち、コア層とその周囲を覆うクラッド領域を有する光導波路において、前記コア層の一端にコア幅が伝搬方向とともに狭く形成されたテーパ構造領域と、前記光導波路の光入出射端面と前記テーパ構造領域の先端との間に前記クラッド領域よりも法線方向に突出した構造の光結合ブロック領域と、を備えた。 In order to achieve the above object, each invention is configured as follows.
That is, in an optical waveguide having a core layer and a cladding region covering the periphery of the core layer, a tapered structure region in which a core width is narrowly formed along the propagation direction at one end of the core layer, a light incident / exit end face of the optical waveguide, and the tapered structure And an optical coupling block region having a structure projecting in a normal direction from the cladding region between the tip of the region.

かかる構成により、光導波路から光ファイバへの光のスポットサイズの変換が効率よく行われ、光学的な結合損失が低減する。   With such a configuration, the conversion of the spot size of light from the optical waveguide to the optical fiber is efficiently performed, and the optical coupling loss is reduced.

また、コア層とその周囲を覆うクラッド領域と、前記コア層の一端にコア幅が伝搬方向とともに狭く形成されたテーパ構造領域と、光導波路の光入出射端面と前記テーパ構造領域の先端との間に前記クラッド領域よりも法線方向に突出した構造の光結合ブロック領域と、を備える光導波路の製造方法において、前記テーパ構造領域を作製し、その後、形成された前記テーパ構造領域を参照して、前記光結合ブロック領域を形成するマスクの位置合わせを行う。   A core layer and a cladding region covering the periphery of the core layer; a tapered structure region in which a core width is narrowly formed in one end of the core layer along a propagation direction; a light incident / exit end surface of an optical waveguide; An optical coupling block region having a structure projecting in a direction normal to the cladding region, and producing the tapered structure region, and then refer to the formed tapered structure region Then, the mask for forming the optical coupling block region is aligned.

かかる方法により、製造プロセスによる幅細りでテーパ構造領域の先端位置が変化してもマスク合わせの段階で光結合ブロック領域を形成する位置を調整できて、テーパ構造領域と光結合ブロック領域の位置関係を最適に保つ。   With this method, even if the tip position of the tapered structure region changes due to the narrowing of the manufacturing process, the position where the optical coupling block region is formed can be adjusted at the stage of mask alignment, and the positional relationship between the tapered structure region and the optical coupling block region Keep it optimal.

本発明によれば、テーパ構造領域と光導波路の入出射端面との間の距離による光学的な結合効率の変化を少なくすることができる。
このため、スポットサイズ変換器を容易に低コストで作製でき、かつ、安定した特性の光導波路が得られる。 According to the present invention, it is possible to reduce the change in optical coupling efficiency due to the distance between the tapered structure region and the incident / exit end face of the optical waveguide.
For this reason, a spot size converter can be easily manufactured at low cost, and an optical waveguide having stable characteristics can be obtained.

本発明の実施の形態に係る光導波路の構造を示す構造図である。1 is a structural diagram showing a structure of an optical waveguide according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る光導波路の作製の仕方を示す図である。It is a figure which shows how to produce the optical waveguide which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る光導波路の光結合ブロック領域を含むスポットサイズ変換器と光ファイバとの間の光学的な結合効率の特性図である。It is a characteristic view of the optical coupling efficiency between the spot size converter including the optical coupling block area | region of the optical waveguide which concerns on embodiment of this invention, and an optical fiber. 従来の光導波路の構造を示す構造図である。It is a structural diagram which shows the structure of the conventional optical waveguide.

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態の光導波路の構造図である。図１では基板（Ｓｉ層１＋ＳｉＯ２層２３＋Ｓｉ層３Ｇ）としてＳｉＯ２からなる絶縁層の両側をＳｉで挟んだ構造のＳＯＩ基板を用いている。また、光導波路１０は、このＳＯＩ基板を加工して、Ｓｉ層からなる光導波路コア３ＧとＳｉＯ２層からなるクラッド領域２３とによって形成される。また、光導波路コア３Ｇの先端にはＳｉ層からなるテーパ構造領域４が同時に形成されている。なお、図１で光導波路コア３Ｇとテーパ構造領域４とを示した箇所は、Ｓｉ層からなる領域であり、その周囲にはＳｉＯ２層からなるクラッド領域がある。このクラッド領域の一部である下部のクラッド領域２３はＳｉＯ２層からなり、図１でも示されているが、上部と横の部分のＳｉＯ２層からなるクラッド領域は図１では全体の構成を見やすくするために図示していない。ただし、後記する図２では図示している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
FIG. 1 is a structural diagram of an optical waveguide according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an SOI substrate having a structure in which both sides of an insulating layer made of SiO 2 are sandwiched between Si is used as a substrate (Si layer 1 + SiO 2 layer 23 + Si layer 3G). The optical waveguide 10 is formed by processing the SOI substrate, and includes an optical waveguide core 3G made of an Si layer and a cladding region 23 made of an SiO 2 layer. Further, a tapered structure region 4 made of a Si layer is formed at the tip of the optical waveguide core 3G at the same time. In FIG. 1, the portion indicated by the optical waveguide core 3G and the tapered structure region 4 is a region made of an Si layer, and there is a cladding region made of an SiO 2 layer around it. The lower clad region 23, which is a part of this clad region, is composed of an SiO 2 layer and is also shown in FIG. 1, but the clad region composed of the upper and lateral SiO 2 layers is shown in FIG. Not shown for ease of viewing. However, it is shown in FIG.

このＳｉからなる光導波路コア３ＧとＳｉＯ２からなるクラッド領域２３による光導波路１０においてはコアとクラッドとの光の屈折率の差が大きい（Ｓｉの屈折率は約３．５であり、またＳｉＯ２の屈折率は概ね１．４６である）ので、光は外部に洩れることなく、光導波路コア３Ｇの内部を伝搬する。
光導波路コア３Ｇの端部にはテーパ構造領域４が形成されている。テーパ構造領域４ではＳｉ層からなるコアの幅を先端に向かって狭くしている。コア幅をある程度以上狭くしていくと光のスポットサイズが広くなる領域があり、その広がったスポットサイズを光ファイバのスポットサイズに合わせると両者の光学的な結合損失を低減できることが知られている。したがって、光導波路１０には、テーパ構造領域４が設けられ、その中で光を進ませることによって先端で光のスポットサイズを変換しやすくなっている。 The refractive index of the refractive index difference is large (Si light between the core and the cladding in the optical waveguide 10 by the optical waveguide core 3G and cladding region 23 made of SiO 2 formed of the Si is about 3.5, also SiO 2 has a refractive index of approximately 1.46), the light propagates inside the optical waveguide core 3G without leaking to the outside.
A tapered structure region 4 is formed at the end of the optical waveguide core 3G. In the taper structure region 4, the width of the core made of the Si layer is narrowed toward the tip. It is known that there is a region where the spot size of light becomes wider when the core width is narrowed to a certain extent, and the optical coupling loss of both can be reduced by matching the spread spot size with the spot size of the optical fiber. . Therefore, the optical waveguide 10 is provided with the tapered structure region 4, and the light spot size is easily converted at the tip by advancing light therein.

ここまでの光導波路コア３Ｇとテーパ構造領域４の構造は、従来例であげた図４と同様の構造である。従来例の図４ではテーパ構造領域４の先端で光ファイバ５に結合させていた。
本実施形態ではさらに図１において、光導波路１０は、クラッド領域２３と同一の材料（ＳｉＯ２）による光結合ブロック領域２１が、テーパ構造領域４と光導波路の光入出射端面２ｓとの間で、クラッド領域２３の表面側に突出した構造として設けられている。この光結合ブロック領域２１については、この後に詳細に述べる。 The structure of the optical waveguide core 3G and the tapered structure region 4 so far is the same as that shown in FIG. In FIG. 4 of the conventional example, the tip of the taper structure region 4 is coupled to the optical fiber 5.
In this embodiment, further in FIG. 1, the optical waveguide 10 has an optical coupling block region 21 made of the same material (SiO 2 ) as the cladding region 23, between the tapered structure region 4 and the light incident / exit end face 2s of the optical waveguide. The structure is provided so as to protrude to the surface side of the cladding region 23. The optical coupling block region 21 will be described in detail later.

なお、ＳｉＯ２の屈折率は結晶構造と結晶化するときの温度や圧力により異なり、前記屈折率１．４６は石英（ＳｉＯ２）の代表的な値の例である。
また、前記コアとクラッドの屈折率の関係において、Ｓｉの屈折率は約３．５であり、またＳｉＯ２の屈折率は概ね１．４６とした例をあげた。このとき、クラッド（ＳｉＯ２）の屈折率に対してコア（Ｓｉ）の屈折率は約２．４倍となっている。このように屈折率に大きな差があるときは光の閉じ込め効果が大きく、光は外部に洩れることなく、光導波路１０の光導波路コア３Ｇのなかを伝搬する。しかし、このように大きな屈折率の差がなくとも、光導波路の光の閉じ込め効果は充分であることがある。概ねクラッドの屈折率に対してコアの屈折率が１．４倍以上（４０％以上大きい）であれば寸法１ミクロン前後以下の光導波路として実用性がある。 Note that the refractive index of SiO 2 varies depending on the crystal structure and the temperature and pressure during crystallization, and the refractive index of 1.46 is an example of a typical value of quartz (SiO 2 ).
Further, in the relationship between the refractive index of the core and the clad, the refractive index of Si is about 3.5 and the refractive index of SiO 2 is about 1.46. At this time, the refractive index of the core (Si) is about 2.4 times the refractive index of the cladding (SiO 2 ). Thus, when there is a large difference in refractive index, the light confinement effect is large, and light propagates in the optical waveguide core 3G of the optical waveguide 10 without leaking outside. However, even without such a large difference in refractive index, the light confinement effect of the optical waveguide may be sufficient. In general, if the refractive index of the core is 1.4 times or more (40% or more larger) than the refractive index of the cladding, it is practical as an optical waveguide having a dimension of about 1 micron or less.

（光結合ブロック領域）
本実施形態の特徴である光結合ブロック領域２１について説明する。
図１に示すように、光結合ブロック領域２１は、クラッド領域２３の上面から突出した直方体構造をしている。光導波路の光入出射端面２ｓは平面である。また、ＳｉＯ２層からなるテーパ構造領域４側の光結合ブロック領域２１の端面２１ｓａは、クラッド領域２３の上部の表面に垂直、かつ光導波路コア３Ｇの方向に垂直な平面となっている。光導波路コア３Ｇの延長方向に平行な結合ブロック領域２１の側面の端面２１ｓｂは、クラッド２３領域の上部の表面に垂直な平面となっている。光結合ブロック領域２１の上部の端面２１ｓｃはクラッド領域２３の表面に平行な平面である。また、これら光結合ブロック領域２１の各側面は、曲面であってもよく、あるいは垂直でなくてもよい。ただし、光結合ブロック領域２１は、図１に示したように直方体構造であれば、製造工程が比較的に容易である。 (Optical coupling block area)
The optical coupling block region 21 that is a feature of the present embodiment will be described.
As shown in FIG. 1, the optical coupling block region 21 has a rectangular parallelepiped structure protruding from the upper surface of the cladding region 23. The light incident / exit end face 2s of the optical waveguide is a flat surface. Further, the end face 21sa of the optical coupling block region 21 on the tapered structure region 4 side made of the SiO 2 layer is a plane perpendicular to the upper surface of the cladding region 23 and perpendicular to the direction of the optical waveguide core 3G. An end surface 21sb on the side surface of the coupling block region 21 parallel to the extending direction of the optical waveguide core 3G is a plane perpendicular to the upper surface of the cladding 23 region. An upper end surface 21 sc of the optical coupling block region 21 is a plane parallel to the surface of the cladding region 23. Further, each side surface of the optical coupling block region 21 may be a curved surface or may not be vertical. However, if the optical coupling block region 21 has a rectangular parallelepiped structure as shown in FIG. 1, the manufacturing process is relatively easy.

なお、光結合ブロック領域２１の上部、および側面の外部は光導波路１０の外部となり、通常は空気が充満している。したがって、光結合ブロック領域２１は、屈折率約１．４６のＳｉＯ２層であり、周囲は屈折率約１．０の空気の層である。テーパ構造領域４の長さがある程度長ければ、テーパ構造領域４から出てくる光の広がり角は小さく、光ブロック領域２１と周囲の空気層との屈折率差による光の全反射によって、光は光結合ブロック領域２１から周囲の空気層に洩れることはない。 The upper part of the optical coupling block region 21 and the outside of the side face are the outside of the optical waveguide 10 and are usually filled with air. Therefore, the optical coupling block region 21 is a SiO 2 layer having a refractive index of about 1.46, and the periphery is an air layer having a refractive index of about 1.0. If the length of the taper structure region 4 is long to some extent, the spread angle of light coming out of the taper structure region 4 is small, and light is totally reflected by the total reflection of light due to the refractive index difference between the light block region 21 and the surrounding air layer. There is no leakage from the optical coupling block region 21 to the surrounding air layer.

次に、光結合ブロック領域２１の役目について定性的に説明する。光導波路コア３Ｇからテーパ構造領域４に入射した光は、テーパの幅が狭まるにつれ、光のスポットサイズが変化し、光結合ブロック領域２１のスポットサイズに適合した位置で光結合ブロック領域２１の端面２１ｓａに接合されている。したがって、光はテーパ構造領域４から光結合ブロック領域２１に効率よく伝搬する。光結合ブロック領域２１に移った光は、光結合ブロック領域２１内に広がり、光のスポットサイズも大きくなる。そして、光結合ブロック領域２１の光は、スポットサイズがあまり差のなくなった光ファイバ５へ効率よく伝搬する。つまり、光結合ブロック領域２１はテーパ構造領域４と光ファイバ５との間での光の伝搬を円滑に行う機能を果たす。   Next, the role of the optical coupling block region 21 will be qualitatively described. The light incident on the tapered structure region 4 from the optical waveguide core 3G changes in light spot size as the taper width decreases, and the end face of the optical coupling block region 21 is located at a position that matches the spot size of the optical coupling block region 21. It is joined to 21sa. Therefore, light propagates efficiently from the tapered structure region 4 to the optical coupling block region 21. The light transferred to the optical coupling block region 21 spreads in the optical coupling block region 21 and the light spot size also increases. And the light of the optical coupling block area | region 21 propagates efficiently to the optical fiber 5 with which the spot size did not have much difference. In other words, the optical coupling block region 21 functions to smoothly propagate light between the tapered structure region 4 and the optical fiber 5.

以下、光結合ブロック領域２１を設ける作用について説明する。光結合ブロック領域２１が設けられていない場合には、光導波路コア３Ｇからテーパ構造領域４に入った光は、テーパ構造領域４の先端（細い側）に向かうと、光のスポットサイズが変化する。適切なテーパ幅においては、スポットサイズが広がる領域があり、テーパ構造領域４のなかにおける光のスポットサイズが光ファイバ５のスポットサイズに近づいたところで光ファイバ５に接合し、光学的にも結合させ、光を伝搬させる。
しかしながら、光ファイバ５は、光導波路１０から見れば別の素子であり、外付けの部品である。したがって、光ファイバ５と光導波路１０の接合の際における両者の間の距離はばらつく。この距離がばらつくと、テーパ構造領域４の先端から出た光のスポットサイズもこの距離によって変化し、光ファイバのスポットサイズと合わなくなり、光学的な結合効率もばらつくことになる。 Hereinafter, the operation of providing the optical coupling block region 21 will be described. In the case where the optical coupling block region 21 is not provided, the light spot size changes when light entering the tapered structure region 4 from the optical waveguide core 3G moves toward the tip (narrow side) of the tapered structure region 4. . In an appropriate taper width, there is a region where the spot size widens, and when the spot size of light in the taper structure region 4 approaches the spot size of the optical fiber 5, it is joined to the optical fiber 5 and optically coupled. Propagate light.
However, the optical fiber 5 is another element as viewed from the optical waveguide 10 and is an external component. Therefore, the distance between the optical fiber 5 and the optical waveguide 10 varies when they are joined. If this distance varies, the spot size of the light emitted from the tip of the tapered structure region 4 also changes depending on this distance, so that it does not match the spot size of the optical fiber, and the optical coupling efficiency also varies.

それに対して、本実施形態の光結合ブロック領域２１は、光導波路１０の中に光導波路コア３Ｇおよびテーパ構造領域４と同じ部品要素として含まれていて、同じ製作工程で作製される。したがって、テーパ構造領域４の先端と光結合ブロック領域２１の端面２１ｓａとの距離は安定して製作できる。後記するテーパ構造領域４を作製するＳｉのエッチング工程のばらつきによって、テーパ構造領域４の先端の位置は多少ばらつくものの、外付け部品である光ファイバ５を位置合わせするときのばらつきに比較すれば、ウエハ（ＳＯＩ基板）で一括して作製できるために非常に安定している。つまり、テーパ構造領域４の先端と光結合ブロック領域２１の端面２１ｓａの距離が安定しているため、光学的な結合効率は安定して高い値に保てる。そして、光結合ブロック領域２１に移った光は、光結合ブロック領域２１の光のスポットサイズと光ファイバ５の光のスポットサイズとはあまり変わらないために光結合ブロック領域２１と光ファイバ５の間の光の伝搬は円滑に行われる。したがって、製造上のばらつきがあっても、また、外付け部品（光ファイバ５）の取り付けの際においても、光学的な結合効率は安定して高い値に保てる。つまり、光結合ブロック領域２１を設け、光の伝搬が光結合ブロック領域２１を介することによって、高い光学的な結合効率を安定して得ることができるのである。   On the other hand, the optical coupling block region 21 of this embodiment is included in the optical waveguide 10 as the same component elements as the optical waveguide core 3G and the tapered structure region 4, and is manufactured in the same manufacturing process. Therefore, the distance between the tip of the taper structure region 4 and the end surface 21sa of the optical coupling block region 21 can be manufactured stably. Although the position of the tip of the taper structure region 4 varies somewhat due to variations in the etching process of Si for producing the taper structure region 4 to be described later, when compared with the variation in aligning the optical fiber 5 that is an external component, It is very stable because it can be manufactured at once with a wafer (SOI substrate). That is, since the distance between the tip of the taper structure region 4 and the end surface 21sa of the optical coupling block region 21 is stable, the optical coupling efficiency can be stably maintained at a high value. The light that has moved to the optical coupling block region 21 does not change much between the light spot size of the optical coupling block region 21 and the light spot size of the optical fiber 5. The light is smoothly propagated. Therefore, the optical coupling efficiency can be stably maintained at a high value even when there are manufacturing variations and when the external component (optical fiber 5) is attached. That is, by providing the optical coupling block region 21 and propagating light through the optical coupling block region 21, high optical coupling efficiency can be stably obtained.

以上により、光結合ブロック領域２１を設けることによって、光導波路１０から光ファイバ５への光の伝搬が円滑に行われる定性的な理由を説明した。また、光結合ブロック領域２１がどのような形状で、どの程度の効果があるかについては、光学的な結合効率の特性という定量的な観点で後記する。   As described above, the qualitative reason for the smooth propagation of light from the optical waveguide 10 to the optical fiber 5 by providing the optical coupling block region 21 has been described. Further, what shape the optical coupling block region 21 has and how much effect it has will be described later from a quantitative viewpoint of optical coupling efficiency characteristics.

（光結合ブロック領域を含む光導波路の作製方法の概略）
次に光結合ブロック領域２１を含む光導波路１０の作製の仕方を図１と図２とを参照して説明する。
図２において、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は製造工程を順に表したものである。また、前記（ａ）〜（ｄ）の各図において、上段の図は光導波路１０を上面から見た平面図であり、下段の図は光導波路１０の光入出射端面２ｓ近辺の断面を示した断面図である。なお、構造を理解しやすくするために、光導波路１０を構成する材質のＳｉとＳｉＯ２を半透明と仮定して、断面から少し離れた部分の構造も仮想的に図示している。 (Outline of manufacturing method of optical waveguide including optical coupling block region)
Next, a method of manufacturing the optical waveguide 10 including the optical coupling block region 21 will be described with reference to FIGS.
In FIG. 2, (a), (b), (c), and (d) represent manufacturing steps in order. In each of the drawings (a) to (d), the upper figure is a plan view of the optical waveguide 10 as viewed from above, and the lower figure shows a cross section of the optical waveguide 10 near the light incident / exit end face 2s. FIG. In order to make the structure easy to understand, the structure of the part slightly away from the cross section is also illustrated virtually assuming that the materials constituting the optical waveguide 10 are Si and SiO 2 are translucent.

光導波路１０は以下のような工程で作製される。
（１）製造者は、まずＳＯＩ基板を用意する。なお、ＳＯＩ基板は専用メーカから既に製品として用意されたものが購入できる。ＳＯＩ基板は図２（ａ）に示したように下の層から順にＳｉ層１とＳｉＯ２層２とＳｉ層３との構成をとっている。
（２）図２（ｂ）における光導波路コア３Ｇとテーパ構造領域４の構造を形成するために、これらの構造を上面から見た形状のマスクを用いてレジストがパターニング（形成）される。そして、このレジストの上からドライエッチングにより、Ｓｉ層３を前記マスクの形状にしたがって、不要部分が除去され、Ｓｉからなる導波路構造のコア部３Ｇとテーパ構造領域４とが図２（ｂ）のように形成される。
（３）次に図２（ｃ）において、前記した図２（ｂ）の構造の上から、下部のクラッド領域２と同じ材料（ＳｉＯ２）で上部のクラッド領域となるＳｉＯ２層２２（図２（ｃ））はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、ＳｉＯ２を堆積することによって形成される。
（４）図２（ｄ）における突出した部分である光結合ブロック領域２１の構造を形成するために、この構造を上面から見た形状のマスクを用いてレジストがパターニング（形成）される。そして、このレジストの上からドライエッチングにより、ＳｉＯ２層２２は前記マスクの形状にしたがって、不要部分が除去され、突出部２１が形成される。この突出部２１が光結合ブロック領域２１となる。なお、ＳｉＯ２層２２から不要部分が除去された残りはＳｉＯ２層２３となる。 The optical waveguide 10 is manufactured by the following process.
(1) The manufacturer first prepares an SOI substrate. An SOI substrate already prepared as a product can be purchased from a dedicated manufacturer. As shown in FIG. 2A, the SOI substrate has a structure of an Si layer 1, an SiO 2 layer 2, and an Si layer 3 in order from the lower layer.
(2) In order to form the structure of the optical waveguide core 3G and the tapered structure region 4 in FIG. 2B, the resist is patterned (formed) using a mask having a shape as viewed from above. Then, unnecessary portions of the Si layer 3 are removed according to the shape of the mask by dry etching from above the resist, and the core portion 3G of the waveguide structure made of Si and the tapered structure region 4 are formed as shown in FIG. It is formed as follows.
(3) Next, in FIG. 2 (c), an SiO 2 layer 22 (FIG. 2 ) that becomes the upper cladding region with the same material (SiO 2 ) as the lower cladding region 2 from above the structure of FIG. 2 (b). 2 (c)) is formed by depositing SiO 2 using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
(4) In order to form the structure of the optical coupling block region 21, which is a protruding portion in FIG. 2D, the resist is patterned (formed) using a mask having a shape as viewed from above. Then, by dry etching from above the resist, unnecessary portions of the SiO 2 layer 22 are removed according to the shape of the mask, and the protruding portions 21 are formed. This protrusion 21 becomes the optical coupling block region 21. Note that the remainder obtained by removing unnecessary portions from the SiO 2 layer 22 becomes the SiO 2 layer 23.

以上によって、Ｓｉ細線導波路構造のテーパ構造領域４と光導波路１０の光入出射端面２ｓとの間に、光結合ブロック領域２１が形成される。また、光結合ブロック領域２１以外の部分は、下部のクラッドと上部のクラッドが一体となりクラッド領域２３を構成する。これにより、光導波路コア３Ｇを下部のクラッドと上部のクラッドで覆ったＳｉ細線による光導波路１０を作製することができる。
なお、光結合ブロック領域２１の位置はあらかじめ設定してもよいが、光結合ブロック領域２１の端面２１ｓａ（図１）を、既に形成されたテーパ構造領域４の先端（細い側）に合わせるようにマスクを位置合わせして作製することも考えられる。プロセスによる幅細りでテーパ構造領域４の先端位置が変化する場合があるためである。 As described above, the optical coupling block region 21 is formed between the tapered structure region 4 of the Si wire waveguide structure and the light incident / exit end face 2 s of the optical waveguide 10. Further, in portions other than the optical coupling block region 21, the lower cladding and the upper cladding are integrated to form a cladding region 23. Thereby, the optical waveguide 10 by the Si thin wire which covered the optical waveguide core 3G with the lower clad and the upper clad can be produced.
The position of the optical coupling block region 21 may be set in advance, but the end face 21sa (FIG. 1) of the optical coupling block region 21 is aligned with the tip (thin side) of the already formed tapered structure region 4. It can be considered that the mask is aligned. This is because the tip position of the tapered structure region 4 may change due to the narrowing due to the process.

なお、この光導波路１０を作製する工程について説明を加えると、図２（ｂ）を参照して説明したＳｉ層からなる光導波路コア３Ｇは、縦横いずれかの寸法は、０．５ミクロン（μｍ）以下として単一モードにする。縦横が０．３ミクロンであれば、縦横方向で単一モードとなることが知られている。光学的な損失（ロス）を考えたときには、０．５ミクロン程度にして、コアへの基本モードの光閉じ込めを強化した方がよい。高次モードはロスが大きいので問題とならず、シングルモードとして動作する。また、Ｓｉ光導波路１０の光が基板のＳｉ層１へ逃げるのを防止するためＳｉ光導波路コア３ＧとＳｉ層１との距離、つまりＳｉＯ２からなる絶縁層（ＳｉＯ２層２）は１ミクロン以上にするのが良い。 In addition, when the process for producing the optical waveguide 10 is further described, the optical waveguide core 3G made of the Si layer described with reference to FIG. 2B has a vertical or horizontal dimension of 0.5 microns (μm). ) Set to single mode as below. It is known that when the vertical and horizontal directions are 0.3 microns, a single mode is obtained in the vertical and horizontal directions. When optical loss is considered, it is better to increase the optical confinement of the fundamental mode to the core to about 0.5 microns. The higher-order mode is not a problem because of a large loss, and operates as a single mode. The distance between the Si core layer 3G and the Si layer 1 for the light of the Si waveguide 10 is prevented from escaping into the Si layer 1 of the substrate, that is an insulating layer made of SiO 2 (SiO 2 layer 2) is 1 micron It is good to do it above.

（光学的な結合効率の特性計算例）
次に、光結合ブロック領域２１を用いる効果を定量的な観点で説明する。
図３に光結合ブロック領域２１を有した光導波路１０の構成おける光学的な結合効率の特性を計算した例を示す。図３で縦軸は後記する条件での光の結合効率を示し、横軸は光導波路１０の光入出射端面２ｓとテーパ構造領域４の先端との間の距離として、特性をグラフ化している。 (Optical coupling efficiency characteristics calculation example)
Next, the effect of using the optical coupling block region 21 will be described from a quantitative viewpoint.
FIG. 3 shows an example in which the characteristics of the optical coupling efficiency in the configuration of the optical waveguide 10 having the optical coupling block region 21 are calculated. In FIG. 3, the vertical axis represents the light coupling efficiency under the conditions described later, and the horizontal axis represents the distance between the light incident / exit end face 2 s of the optical waveguide 10 and the tip of the tapered structure region 4, and the characteristics are graphed. .

伝搬する光の波長は、１．５５ミクロンである。また、光導波路コア３Ｇの上部の残留クラッドの厚みは１ミクロンとし、光結合ブロック領域２１は幅を６ミクロンとした。また、高さをＴとして１ミクロンと２ミクロンとに場合分けをした。また、テーパ構造領域４の長さは２００ミクロンとしている。なお、クラッド領域２、２３と光結合ブロック領域２１は、屈折率１．４６の石英（ＳｉＯ２）を仮定している。光導波路コア３Ｇは０．３ミクロン角のＳｉであり、屈折率は３．５である。 The wavelength of the propagating light is 1.55 microns. The thickness of the residual clad on the upper portion of the optical waveguide core 3G is 1 micron, and the width of the optical coupling block region 21 is 6 microns. Also, the height was set to T, and the case was divided into 1 micron and 2 microns. The length of the tapered structure region 4 is 200 microns. The cladding regions 2 and 23 and the optical coupling block region 21 are assumed to be quartz (SiO 2 ) having a refractive index of 1.46. The optical waveguide core 3G is 0.3 micron-square Si and has a refractive index of 3.5.

以上の条件のもとに、直径８ミクロンのスポットサイズの光ファイバ５の光をブロック２１に光導波路１０の光入出射端面２ｓで照射して、光導波路コア３Ｇ内にどれだけの割合の光が励起されるかを３次元ＢＰＭ法（Beam Propagation Method）を用いて計算している。   Under the above conditions, the light of the optical fiber 5 having a spot size of 8 microns in diameter is irradiated onto the block 21 at the light incident / exit end face 2s of the optical waveguide 10, and the proportion of the light in the optical waveguide core 3G. Is excited using a three-dimensional BPM method (Beam Propagation Method).

図３の特性図において、光結合ブロック領域２１の高さによって、距離（光導波路１０の光入出射端面２ｓとテーパ構造領域４の先端との間の距離）による影響が異なることが解る。光結合ブロック領域２１が無い場合（Ｔ＝０ミクロン）には前記距離が離れるにしたがって、ほぼ直線的に効率が下がっていく。また、光結合ブロック領域２１がある場合（Ｔ＝１もしくは２ミクロン）には、前記距離が２００ミクロン離れても依然として最大（テーパ部の先端と光導波路端面間距離が０）に対して７０％の効率を維持している。   In the characteristic diagram of FIG. 3, it can be seen that the influence of the distance (the distance between the light incident / exit end surface 2 s of the optical waveguide 10 and the tip of the tapered structure region 4) varies depending on the height of the optical coupling block region 21. When there is no optical coupling block region 21 (T = 0 micron), the efficiency decreases almost linearly as the distance increases. Further, when the optical coupling block region 21 is present (T = 1 or 2 microns), even if the distance is 200 microns, it is still 70% relative to the maximum (the distance between the tip of the tapered portion and the end face of the optical waveguide is 0). Maintain efficiency.

以上、光結合ブロック領域２１を設けることにより、テーパ構造領域４の先端部より２００ミクロン離れて光ファイバ５の結合を行っても、高い光学的な結合効率を保てる（最良値（テーパ構造領域４の先端部における値）の７０％を確保）ので、本実施形態により、微小な断面積を有するＳｉ細線の光導波路１０と光ファイバ５などより大きな光部品を接続する際の、スポットサイズ変換器を容易に作製することが可能となる。   As described above, by providing the optical coupling block region 21, high optical coupling efficiency can be maintained even when the optical fiber 5 is coupled at a distance of 200 microns from the tip of the tapered structure region 4 (the best value (tapered structure region 4 70% of the value at the front end of the optical fiber 5), and according to this embodiment, a spot size converter for connecting a large optical component such as the optical waveguide 5 and the optical fiber 5 of the Si thin wire having a minute cross-sectional area. Can be easily manufactured.

小型化と量産性に優れたシリコンの光導波路、及びシリコン電子デバイスとの融合を図る分野は今後ますます有望な市場があると予測される。そのなかで、本発明はシリコンの光導波路から光ファイバへ光信号を効率よく伝送するスポットサイズ変換手段を安定した性能で容易な作製方法を提供でき、広く使用される可能性がある。   It is predicted that there will be more and more promising markets in the future for the integration of silicon optical waveguides with excellent miniaturization and mass productivity, and silicon electronic devices. Among them, the present invention can provide a spot size conversion means for efficiently transmitting an optical signal from a silicon optical waveguide to an optical fiber with a stable performance and can be widely used.

１、３ Ｓｉ層
２、２２、２３ ＳｉＯ２層（クラッド、クラッド領域）
２ｓ 光導波路の光入出射端面
３Ｇ 光導波路コア、コア
４ テーパ構造領域
５ 光ファイバ
５ｃ 光ファイバのコア
１０、４０ 光導波路
２１ 光結合ブロック領域
２１ｓａ、２１ｓｂ、２１ｓｃ 光結合ブロック領域を構成するＳｉＯ２層の端面 1, 3 Si layer 2, 22, 23 SiO 2 layer (cladding, cladding region)
2s Light input / output end face of optical waveguide 3G Optical waveguide core, core 4 Tapered structure region 5 Optical fiber 5c Optical fiber core 10, 40 Optical waveguide 21 Optical coupling block region 21sa, 21sb, 21sc SiO 2 constituting optical coupling block region End face of layer

Claims (5)

コア層とその周囲を覆うクラッド領域を有する光導波路において、
前記コア層の一端にコア幅が伝搬方向とともに狭く形成されたテーパ構造領域と、
前記光導波路の光入出射端面と前記テーパ構造領域の先端との間に前記クラッド領域よりも法線方向に突出した構造の光結合ブロック領域と、
を備えたことを特徴とする光導波路。 In an optical waveguide having a core layer and a cladding region covering its periphery,
A tapered structure region in which the core width is narrowly formed along the propagation direction at one end of the core layer;
An optical coupling block region having a structure protruding in a normal direction from the cladding region between a light incident / exit end surface of the optical waveguide and a tip of the tapered structure region;
An optical waveguide comprising: 前記コア層の屈折率は、前記クラッド領域の屈折率よりも４０％以上大きいことを特徴とする請求項１記載の光導波路。   The optical waveguide according to claim 1, wherein the refractive index of the core layer is 40% or more larger than the refractive index of the cladding region. 前記光結合ブロック領域と前記クラッド領域が同一の材料で構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光導波路。   The optical waveguide according to claim 1, wherein the optical coupling block region and the cladding region are made of the same material. 前記光結合ブロック領域は、直方体の形状で構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の光導波路。   The optical waveguide according to any one of claims 1 to 3, wherein the optical coupling block region is formed in a rectangular parallelepiped shape. コア層とその周囲を覆うクラッド領域と、前記コア層の一端にコア幅が伝搬方向とともに狭く形成されたテーパ構造領域と、光導波路の光入出射端面と前記テーパ構造領域の先端との間に前記クラッド領域よりも法線方向に突出した構造の光結合ブロック領域と、を備える光導波路の製造方法において、
前記テーパ構造領域を作製し、その後、形成された前記テーパ構造領域を参照して、前記光結合ブロック領域を形成するマスクの位置合わせを行うことを特徴とする光導波路の製造方法。 Between the core layer and the cladding region that covers the periphery of the core layer, a tapered structure region in which the core width is narrowly formed in one end of the core layer along the propagation direction, and between the light incident / exit end face of the optical waveguide and the tip of the tapered structure region In an optical waveguide manufacturing method comprising: an optical coupling block region having a structure protruding in a normal direction from the cladding region;
A method of manufacturing an optical waveguide, comprising: forming the tapered structure region, and then aligning a mask for forming the optical coupling block region with reference to the formed tapered structure region.
JP2009224549A 2009-09-29 2009-09-29 Optical wave guide and method of manufacturing of optical waveguide Pending JP2011075645A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009224549A JP2011075645A (en) 2009-09-29 2009-09-29 Optical wave guide and method of manufacturing of optical waveguide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009224549A JP2011075645A (en) 2009-09-29 2009-09-29 Optical wave guide and method of manufacturing of optical waveguide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011075645A true JP2011075645A (en) 2011-04-14

Family

ID=44019731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009224549A Pending JP2011075645A (en) 2009-09-29 2009-09-29 Optical wave guide and method of manufacturing of optical waveguide

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011075645A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013064852A (en) * 2011-09-16 2013-04-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Spot size converter
US8886075B2 (en) 2011-08-30 2014-11-11 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Spacing configuration for a process cartridge and an image forming apparatus
JP2016511448A (en) * 2013-03-14 2016-04-14 シスコ テクノロジー，インコーポレイテッド Mode rotation of optical waveguides.
CN112433296A (en) * 2020-11-25 2021-03-02 北京邮电大学 Waveguide coupling structure and photon integrated system

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8886075B2 (en) 2011-08-30 2014-11-11 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Spacing configuration for a process cartridge and an image forming apparatus
US9256199B2 (en) 2011-08-30 2016-02-09 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Image forming apparatus having spacing configuration for process cartridge
US9429907B2 (en) 2011-08-30 2016-08-30 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Image forming apparatus having spacing configuration for process cartridge
JP2013064852A (en) * 2011-09-16 2013-04-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Spot size converter
JP2016511448A (en) * 2013-03-14 2016-04-14 シスコ テクノロジー，インコーポレイテッド Mode rotation of optical waveguides.
CN112433296A (en) * 2020-11-25 2021-03-02 北京邮电大学 Waveguide coupling structure and photon integrated system
CN112433296B (en) * 2020-11-25 2022-01-14 北京邮电大学 Waveguide coupling structure and photon integrated system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8873906B2 (en) Optical conversion element and optical conversion element manufacturing method
US8170383B2 (en) Optical converter
EP1933184B1 (en) Optical semiconductor device
US7929815B2 (en) Optical coupling device
JP4793660B2 (en) Coupling structure of waveguide
JPWO2009087825A1 (en) Photonic crystal
JP2002122750A (en) Structure for connecting optical waveguide
JP2004133446A (en) Optical module and its manufacturing method
JP2006323135A (en) Multi-mode interference type optical waveguide
JPWO2018083966A1 (en) Optical circuit and optical device
JP2018045071A (en) Grating coupler
JP2015215477A (en) Spot size converter
JP5304209B2 (en) Spot size converter
WO2015133093A1 (en) Optical waveguide, and optical component and variable-wavelength laser using same
JP2011075645A (en) Optical wave guide and method of manufacturing of optical waveguide
JP3084416B2 (en) Method for manufacturing optical coupling device
WO2009098829A1 (en) Optical waveguide and method for manufacturing same
JP2011022345A (en) Optical element with spot size conversion optical waveguide part
WO2023234111A1 (en) Optical element and method for producing optical element
JP4086260B2 (en) Light emitting element module
JP6012801B2 (en) Spot size converter
JP7151939B1 (en) grating coupler
JP2010266820A (en) Planar waveguide element
JP2010127999A (en) Planar waveguide element
JP5644630B2 (en) Optical waveguide device