JP2011071425A

JP2011071425A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: JP2011071425A
Application number: JP2009222921A
Authority: JP
Inventors: Isao Teranishi; 勲寺西; Tsukasa Yashima; 司八島; Yutaka Koshiumi; 裕越湖; Mitsuru Funakura; 船倉　　満
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2009-09-28
Filing date: 2009-09-28
Publication date: 2011-04-07

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To start a load process promptly even in the case where the start of the load process is requested during the execution of an unload process, thereby improving the quality of substrate processing. <P>SOLUTION: This substrate processing apparatus comprises a plurality of spare rooms configured in variable atmosphere manner communicated with a vacuum transfer chamber which is communicated with a processing chamber that processes a substrate, an atmospheric transfer chamber communicated with the plurality of spare rooms, a container mounting section which is connected with the atmospheic transfer chamber and carries a substrate storage section that accommodates a plurality of substrates, an atmospheric transfer section that transports substrates between the substrate storage section and the inside of the spare room, and a control section that controls at least transport operations by the atmospheric transfer section. The control section controls the atmospheric transfer section to interrupt the execution of the unload process and preferentially start the load process on receiving a request to start the load process to transport a substrate from the substrate storage section to the inside of the spare room during the execution of unload process to transport a substrate from the inside of the spare room to the substrate storage section. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.

ＤＲＡＭやＩＣ等の半導体装置の製造方法の一工程を実施する従来の基板処理装置は、基板を処理する処理室と、前記処理室に連通する真空搬送室と、前記真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、複数の前記予備室に連通する大気搬送室と、前記大気搬送室に接続され複数枚の前記基板を収納する基板収納部と、を備えていた。 A conventional substrate processing apparatus that performs one step of a method of manufacturing a semiconductor device such as a DRAM or an IC includes a processing chamber for processing a substrate, a vacuum transfer chamber that communicates with the processing chamber, and an atmosphere that communicates with the vacuum transfer chamber A spare chamber configured to be variable, an atmosphere transfer chamber communicating with the plurality of the reserve chambers, and a substrate storage portion connected to the atmosphere transfer chamber for storing the plurality of substrates.

上述の基板処理装置では、前記基板収納部から前記予備室内への前記基板の搬入動作を繰り返すロード処理と、前記予備室内から前記基板収納部への前記基板の搬出動作を繰り返すアンロード処理と、が排他的に実行されるように構成されていた。すなわち、アンロード処理の実行中にロード処理の開始要求がなされた場合には、アンロード処理の実行が完了して大気搬送部が空くのを待ってからロード処理を開始するように構成されていた。その結果、前記基板の搬入から基板処理までの時間にバラツキが生じて、前記処理室内を基板処理に適した状態にするウォームアップ時間が変動してしまい、基板の品質が低下してしまう。 In the substrate processing apparatus described above, a load process that repeats the loading operation of the substrate from the substrate storage unit into the spare chamber, and an unloading process that repeats an unloading operation of the substrate from the reserve chamber to the substrate storage unit, Was configured to run exclusively. In other words, when a load processing start request is made during execution of the unload process, the load process is started after the execution of the unload process is completed and the atmospheric conveyance unit becomes free. It was. As a result, the time from the substrate loading to the substrate processing varies, and the warm-up time for bringing the processing chamber into a state suitable for the substrate processing fluctuates, thereby degrading the quality of the substrate.

本発明は、基板の搬入から基板処理までの時間を同じにすることにより、ウォームアップ時間を一定に保つことが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of keeping the warm-up time constant by making the time from substrate loading to substrate processing the same.

本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、複数の前記予備室に連通する大気搬送室と、前記大気搬送室に接続され複数枚の前記基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、前記基板収納部と前記予備室内との間で前記基板を搬送する大気搬送部と、少なくとも前記大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記予備室内から前記基板収納部への前記基板を搬出するアンロード処理の実行中に、前記基板収納部から前記予備室内への前記基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、前記アンロード処理の実行を中断させ、前記ロード処理の実行を優先的に開始させるように前記大気搬送部を制御する基板処理装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a preliminary chamber configured to be variable in atmosphere communicating with a vacuum transfer chamber communicating with a processing chamber for processing a substrate, an atmospheric transfer chamber communicating with a plurality of the preliminary chambers, and the atmospheric transfer A storage container mounting unit that mounts a substrate storage unit that is connected to a chamber and stores a plurality of the substrates, an atmospheric transfer unit that transfers the substrate between the substrate storage unit and the spare chamber, and at least the A control unit that controls a transfer operation by the atmospheric transfer unit, and the control unit is configured to perform the unloading process for unloading the substrate from the spare chamber to the substrate storage unit. Substrate processing for controlling the atmospheric transfer unit so as to interrupt execution of the unloading process and preferentially start execution of the loading process upon receiving a request for starting the loading process for carrying the substrate into the spare room Equipment It is subjected.

本発明に係る基板処理装置によれば、アンロード処理の実行中であっても、ロード処理の開始要求があればロード処理を速やかに開始させ、ウォームアップ時間を一定に保ち処理室内を安定させることで基板処理の品質を向上させることが可能となる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, even when the unloading process is being executed, if there is a request to start the loading process, the loading process is started immediately, and the warm-up time is kept constant and the processing chamber is stabilized. As a result, the quality of the substrate processing can be improved.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御部のブロック図である。It is a block diagram of the control part of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の統括制御コントローラのブロック図である。It is a block diagram of the integrated control controller of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るロード処理を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the load process which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るアンロード処理を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the unload process which concerns on one Embodiment of this invention. 従来のロード処理を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the conventional load process. 従来のアンロード処理を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the conventional unload process. 基板収納部への載置、ロード処理、真空処理、アンロード処理、基板収納部からの搬出に至る１ロット分の基板処理工程全体を例示するタイミング図である。It is a timing diagram which illustrates the whole board | substrate process process for 1 lot from mounting to a board | substrate storage part, a load process, a vacuum process, an unload process, and carrying out from a board | substrate storage part. 従来の基板処理工程において、先発ロットのアンロード処理の終了を待ってから後発ロットが開始される様子を示すタイミング図である。In the conventional substrate processing process, it is a timing diagram which shows a mode that a subsequent lot is started after waiting for completion | finish of the unload process of a first lot. 比較例１に係る基板処理工程を示すタイミング図である。10 is a timing chart illustrating a substrate processing process according to Comparative Example 1. FIG. 本発明の実施例１に係る基板処理工程を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the substrate processing process which concerns on Example 1 of this invention. 比較例２に係る基板処理工程を示すタイミング図である。12 is a timing chart showing a substrate processing process according to Comparative Example 2. FIG. 本発明の実施例２に係る基板処理工程を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the substrate processing process which concerns on Example 2 of this invention. 比較例３に係る基板処理工程を示すタイミング図である。10 is a timing chart showing a substrate processing process according to Comparative Example 3. FIG. 本発明の実施例３に係る基板処理工程を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the substrate processing process which concerns on Example 3 of this invention. 比較例４に係る基板処理工程を示すタイミング図である。10 is a timing chart showing a substrate processing process according to Comparative Example 4. FIG. 本発明の実施例４に係る基板処理工程を示すタイミング図である。It is a timing diagram which shows the substrate processing process which concerns on Example 4 of this invention.

（１）基板処理装置の構成
本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図１〜図３を参照しながら説明する。 (1) Configuration of Substrate Processing Apparatus A configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１に示すように、本実施形態に係る基板処理装置は、基板としてのウエハＷを処理する処理室ＰＣ１，ＰＣ２と、処理室ＰＣ１，ＰＣ２に連通する真空搬送室ＶＭと、真空搬送室ＶＭに連通し雰囲気可変に構成された予備室ＬＣ１，ＬＣ２と、予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内と処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内との間でウエハＷを搬送する真空搬送部ＶＲと、予備室ＬＣ１，ＬＣ２に連通する大気搬送室ＬＭと、大気搬送室ＬＭに接続され複数枚のウエハＷを収納する基板収納部Ｐ１，Ｐ２と、基板収納部Ｐ１，Ｐ２と予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内との間でウエハＷを搬送する大気搬送部ＡＲと、少なくとも大気搬送部ＡＲによる搬送動作を制御する後述の制御部と、を主に有して構成されている。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to this embodiment includes processing chambers PC1 and PC2 for processing a wafer W as a substrate, a vacuum transfer chamber VM communicating with the processing chambers PC1 and PC2, and a vacuum transfer chamber VM. The preliminary chambers LC1 and LC2 configured to be variable in atmosphere, the vacuum chamber VR1 for transporting the wafer W between the preliminary chambers LC1 and LC2, the processing chamber PC1 and the PC2, and the preliminary chambers LC1 and LC1. An atmosphere transfer chamber LM communicating with LC2, a substrate storage portion P1, P2 connected to the atmosphere transfer chamber LM and storing a plurality of wafers W, and between the substrate storage portions P1, P2 and the spare chambers LC1 and LC2 The atmospheric transfer unit AR that transfers the wafer W and a control unit that controls at least the transfer operation by the atmospheric transfer unit AR are mainly included.

処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内は、処理対象のウエハＷがそれぞれ収納可能なように構成されている。処理室ＰＣ１，ＰＣ２には、処理室内部を加熱する加熱手段（図示せず）、処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内を排気する排気手段（図示せず）、処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内に所定の処理ガスを供給するガス供給手段（図示せず）等がそれぞれ設けられている。ウエハＷを収納した処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内をそれぞれ所定の処理温度に加熱すると共に、処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内の圧力をそれぞれ所定の処理圧力に排気しつつ、処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内に所定の処理ガスをそれぞれ供給すること等により、例えば、ウエハＷ上への酸化膜、窒化膜、金属を含む膜等の薄膜形成処理、ウエハＷ表面の酸化或いは窒化処理、エッチング処理等の所定の処理を行うことが可能となっている。 The processing chambers PC1 and PC2 are configured such that wafers W to be processed can be stored therein. The processing chambers PC1 and PC2 include heating means (not shown) for heating the inside of the processing chamber, exhaust means (not shown) for exhausting the inside of the processing chamber PC1 and PC2, predetermined inside the processing chambers PC1 and PC2. A gas supply means (not shown) for supplying a processing gas is provided. The insides of the processing chambers PC1 and PC2 in which the wafers W are stored are heated to predetermined processing temperatures, and the pressures in the processing chambers PC1 and PC2 are exhausted to predetermined processing pressures. such as by supplying each predetermined processing gas into, for example, oxide film on the wafer W, a nitride film, a thin film forming process of the film or the like containing a metal, oxide or nitrided surface of the wafer W, a predetermined etching process and the like It is possible to perform the process.

処理室ＰＣ１，ＰＣ２には、真空搬送室ＶＭがそれぞれ連通可能なように接続されている。処理室ＰＣ１と真空搬送室ＶＭとの間には、ゲートバルブＧ５が設けられている。また、処理室ＰＣ２と真空搬送室ＶＭとの間には、ゲートバルブＧ６が設けられている。真空搬送室ＶＭ内は、真空排気可能なように構成されている。真空搬送室ＶＭ内の圧力は、処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内の圧力（処理圧力）と同じにすることが可能なように構成されている。 A vacuum transfer chamber VM is connected to the processing chambers PC1 and PC2 so that they can communicate with each other. A gate valve G5 is provided between the processing chamber PC1 and the vacuum transfer chamber VM. A gate valve G6 is provided between the processing chamber PC2 and the vacuum transfer chamber VM. The inside of the vacuum transfer chamber VM is configured to be evacuated. The pressure in the vacuum transfer chamber VM is configured to be the same as the pressure (processing pressure) in the processing chamber PC1 and PC2.

真空搬送室ＶＭには、予備室ＬＣ１，ＬＣ２が連通可能なようにそれぞれ接続されている。予備室ＬＣ１と真空搬送室ＶＭとの間には、ゲートバルブＧ３が設けられている。予備室ＬＣ２と真空搬送室ＶＭとの間には、ゲートバルブＧ４が設けられている。予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内は、それぞれ雰囲気可変に構成されている。予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内に不活性ガスをそれぞれ供給して大気圧としたり、予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内をそれぞれ
真空排気して真空搬送室ＶＭの圧力と同じにしたりすることが可能なように構成されている。予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内には、処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内にて処理する複数枚（例えば２５枚）のウエハＷ、或いは処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内にて処理した複数枚（例えば２５枚）のウエハＷが、それぞれ一時的に収納可能なように構成されている。以下、処理室ＰＣ１内、ＰＣ２内における種々の処理、及び、予備室ＬＣ１，ＬＣ２と処理室ＰＣ１、ＰＣ２間の真空搬送、を総じて真空処理とも呼ぶ。 The preliminary chambers LC1 and LC2 are connected to the vacuum transfer chamber VM so that they can communicate with each other. A gate valve G3 is provided between the preliminary chamber LC1 and the vacuum transfer chamber VM. A gate valve G4 is provided between the preliminary chamber LC2 and the vacuum transfer chamber VM. The preliminary chambers LC1 and LC2 are configured to have a variable atmosphere. It is possible to supply an inert gas into the preliminary chambers LC1 and LC2 to obtain atmospheric pressure, or to evacuate the preliminary chambers LC1 and LC2 to the same pressure as the vacuum transfer chamber VM. It is configured. In the spare chambers LC1 and LC2, a plurality of (for example, 25) wafers W processed in the processing chambers PC1 and PC2 or a plurality of (for example, 25) processed wafers in the processing chambers PC1 and PC2 ) Wafers W can be temporarily stored. Hereinafter, various processes in the processing chamber PC1 and PC2 and vacuum transfer between the preliminary chambers LC1 and LC2 and the processing chambers PC1 and PC2 are also collectively referred to as vacuum processing.

真空搬送室ＶＭ内には、予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内と処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内との間でウエハＷを搬送（真空搬送）する真空搬送部ＶＲが設けられている。真空搬送部ＶＲは、例えばツイーザ等を備えたロボット等として構成されている。真空搬送部ＶＲは、複数枚のウエハＷを同時に搬送することが可能なように構成されている。 In the vacuum transfer chamber VM, a vacuum transfer unit VR for transferring (vacuum transfer) the wafer W between the preliminary chambers LC1 and LC2 and the processing chambers PC1 and PC2 is provided. The vacuum transfer unit VR is configured as a robot having a tweezer or the like, for example. The vacuum transfer unit VR is configured to transfer a plurality of wafers W at the same time.

予備室ＬＣ１，ＬＣ２には、大気搬送室ＬＭが連通可能なようにそれぞれ接続されている。予備室ＬＣ１と大気搬送室ＬＭとの間には、ゲートバルブＧ１が設けられている。予備室ＬＣ２と大気搬送室ＬＭとの間には、ゲートバルブＧ２が設けられている。大気搬送室ＬＭ内は、不活性ガスによりパージすることが可能なように構成されている。大気搬送室ＬＭ内の圧力は、大気圧に保たれている。 The spare chambers LC1 and LC2 are connected to the atmospheric transfer chamber LM so as to communicate with each other. A gate valve G1 is provided between the preliminary chamber LC1 and the atmospheric transfer chamber LM. A gate valve G2 is provided between the preliminary chamber LC2 and the atmospheric transfer chamber LM. The atmosphere transfer chamber LM is configured to be purged with an inert gas. The pressure in the atmospheric transfer chamber LM is kept at atmospheric pressure.

大気搬送室ＬＭには、複数枚（例えば２５枚）のウエハＷを収納するウエハ収納容器（ポッドとも呼ぶ）としての基板収納部Ｐ１，Ｐ２がそれぞれ接続されている。又、大気搬送室ＬＭには、収納容器載置部としてのロードポートＬＰが接続され、ロードポートＬＰ上には、基板収納部としての複数のポッドが載置されている。 The atmospheric transfer chamber LM, substrate storage unit P1, P2 as wafer storage container for storing wafers W of a plurality (e.g., 25 sheets) (also referred to as a pod) is connected. Further, the atmospheric transfer chamber LM, load port LP as container mounting part is connected, on the load port LP, a plurality of pods as a substrate housing portion is placed.

大気搬送室ＬＭ内には、基板収納部Ｐ１，Ｐ２と予備室ＬＣ１，ＬＣ２との間でウエハＷを搬送（大気搬送）する大気搬送部ＡＲが設けられている。大気搬送部ＡＲは、例えばツイーザ等を備えたロボット等として構成されている。大気搬送部ＡＲは、複数枚（例えば５枚）のウエハＷを同時に搬送することが可能なように構成されている。基板収納部Ｐ１上に例えば２５枚のウエハＷが収納されており、大気搬送部ＡＲが例えば５枚のウエハＷを同時に搬送可能である場合には、基板収納部Ｐ１内から予備室ＬＣ１内への大気搬送部ＡＲによる搬入動作を５回繰り返すことで、基板収納部Ｐ１内の全てのウエハＷを予備室ＬＣ１内に搬入することが可能である。 The atmospheric transfer chamber LM, atmospheric transfer unit AR is provided for transporting the wafer W between the substrate storage unit P1, P2 and the preliminary chamber LC1, LC2 (atmospheric transfer). Atmospheric conveyance part AR is constituted as a robot provided with a tweezer etc., for example. The atmospheric transfer unit AR is configured to be able to transfer a plurality of (for example, five) wafers W simultaneously. For example, when 25 wafers W are stored on the substrate storage unit P1, and the atmospheric transfer unit AR can transfer, for example, 5 wafers W at the same time, from the substrate storage unit P1 to the spare chamber LC1. It is possible to carry in all the wafers W in the substrate storage part P1 into the spare chamber LC1 by repeating the carry-in operation by the atmospheric transfer part AR.

（２）制御部の構成
本実施形態に係る基板処理装置は、基板処理装置の各部の動作を制御する制御部ＣＮＴ（コントローラ）を備えている。制御部ＣＮＴの構成について、図２、図３を参照しながら説明する。 (2) Configuration of Control Unit The substrate processing apparatus according to this embodiment includes a control unit CNT (controller) that controls the operation of each unit of the substrate processing apparatus. The configuration of the control unit CNT will be described with reference to FIGS.

図２に示すように、制御部ＣＮＴは、統括制御コントローラ９０、プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２、操作部１００を備えている。操作部１００、統括制御コントローラ９０、プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２は、ＬＡＮ回線８０により接続されている。 As shown in FIG. 2, the control unit CNT includes an overall control controller 90, process module controllers PMC1 and PMC2, and an operation unit 100. The operation unit 100, the overall control controller 90, and the process module controllers PMC1 and PMC2 are connected by a LAN line 80.

統括制御コントローラ９０は、システム全体の運用制御、真空搬送部ＶＲや大気搬送部ＡＲによるウエハＷの搬送動作、ゲートバルブＧ１，Ｇ２やゲートバルブＧ３，Ｇ４の開閉動作、予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内の圧力調整動作等を制御するように構成されている。 The overall controller 90 controls the operation of the entire system, the transfer operation of the wafer W by the vacuum transfer unit VR and the atmospheric transfer unit AR, the opening / closing operation of the gate valves G1, G2, and the gate valves G3, G4, the spare chambers LC1, LC2 It is configured to control the pressure adjustment operation and the like.

予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内へのウエハＷの搬送を検知する手段として、真空搬送部ＶＲや大気搬送部ＡＲの基板載置部にウエハＷが載置されたことを検知するセンサ（図示せず）と、真空搬送部ＶＲや大気搬送部ＡＲの基板載置部が予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内に存在することを検知するセンサ（図示せず）とが、真空搬送部ＶＲ及び予備室ＬＣ１内，ＬＣ
２内にそれぞれ設けられている。なお、予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内に設けられたステージ上にウエハＷが載置されたことを検知するセンサを設けるようにしてもよい。 As a means for detecting the transfer of the wafer W into the preliminary chambers LC1 and LC2, a sensor (not shown) for detecting that the wafer W is mounted on the substrate mounting portion of the vacuum transfer portion VR or the atmospheric transfer portion AR. ) And a sensor (not shown) for detecting that the substrate placement parts of the vacuum transfer part VR and the atmospheric transfer part AR are present in the spare chambers LC1 and LC2 in the vacuum transfer part VR and the spare chamber LC1. , LC
2 are provided respectively. A sensor for detecting that the wafer W is placed on the stage provided in the preliminary chambers LC1 and LC2 may be provided.

また、処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内へのウエハＷの搬送を検知する手段として、真空搬送部ＶＲの基板載置部にウエハＷが載置されたことを検知するセンサ（図示せず）が、真空搬送部ＶＲに設けられている。 In addition, as a means for detecting the transfer of the wafer W into the processing chamber PC1 and PC2, a sensor (not shown) for detecting that the wafer W is mounted on the substrate mounting portion of the vacuum transfer portion VR is provided. It is provided in the vacuum transfer part VR.

また、基板収納部Ｐ１上，Ｐ２上へのウエハＷの搬送を検知する手段として、大気搬送部ＡＲの基板載置部にウエハＷが載置されたことを検知するセンサ（図示せず）と、大気搬送部ＡＲの基板載置部が予備室ＬＣ１内，ＬＣ２内に存在することを検知するセンサ（図示せず）とが、大気搬送部ＡＲ及び基板収納部Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ設けられている。 Further, on the substrate housing portion P1, as a means for detecting the transfer of the wafer W onto the P2, a sensor for detecting that the wafer W is placed on the substrate platform of the atmospheric transport unit AR (not shown) Sensors (not shown) for detecting that the substrate placement unit of the atmospheric transfer unit AR exists in the spare chambers LC1 and LC2 are provided in the atmospheric transfer unit AR and the substrate storage units P1 and P2, respectively. Yes.

プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２は、処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内の各部の動作を制御するように構成されている。例えば、プロセスモジュールコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２は、処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内に所定の処理ガスを供給するガス供給手段（図示せず）に設けられたバルブの開閉動作や、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）の弁開度を制御したり、処理室ＰＣ１内部，ＰＣ２内部を加熱する加熱手段（図示せず）への通電量を制御したり、処理室ＰＣ１内，ＰＣ２内を排気する排気手段（図示せず）に設けられたＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブの弁開度や、真空ポンプの起動・停止動作等を制御したりするように構成されている。 The process module controllers PMC1 and PMC2 are configured to control the operation of each part in the processing chamber PC1 and PC2. For example, the process module controllers PMC1 and PMC2 are used to open and close valves provided in a gas supply means (not shown) for supplying a predetermined processing gas into the processing chamber PC1 and PC2, and valves of a mass flow controller (MFC). Exhaust means (not shown) for controlling the opening degree, controlling the energization amount to the heating means (not shown) for heating the inside of the processing chamber PC1 and PC2, and exhausting the inside of the processing chamber PC1 and PC2 The valve opening degree of the APC (Auto Pressure Controller) valve provided in the control unit, the start / stop operation of the vacuum pump, and the like are controlled.

操作部１００は、制御コマンドの入力を図示しないキー入力装置等から受け付けたり、基板処理の進行状態、ロギングデータ、アラーム等を図示しないモニタ装置に表示させたり、アラーム解析、パラメータ編集などの設定画面をモニタ装置に表示させたりするように構成されている。 The operation unit 100 accepts input of control commands from a key input device (not shown), displays the progress of substrate processing, logging data, alarms, etc. on a monitor device (not shown), setting screen for alarm analysis, parameter editing, etc. Is displayed on the monitor device.

（統括制御コントローラ）
図３に示すように、統括制御コントローラ９０は、ＣＰＵ９４と、ＲＡＭ９５と、ＨＤＤ９６と、通信ＩＦ９７と、を備えたコンピュータとして構成されている。ＣＰＵ９４と、ＲＡＭ９５と、ＨＤＤ９６と、通信ＩＦ９７とは、統括制御コントローラ９０内のバスに接続されている。通信ＩＦ９７は、ＬＡＮ回線８０に接続されている。 (General control controller)
As shown in FIG. 3, the overall controller 90 is configured as a computer including a CPU 94, a RAM 95, an HDD 96, and a communication IF 97. The CPU 94, RAM 95, HDD 96, and communication IF 97 are connected to a bus in the overall control controller 90. The communication IF 97 is connected to the LAN line 80.

ＨＤＤ９６には、ロード処理制御プログラム（図示しない）及びアンロード制御処理プログラム（図示しない）がそれぞれ格納されるように構成されている。ロード処理制御プログラムがＨＤＤ９６からＲＡＭ９５に読み出され、ＣＰＵ９４で実行される。統括制御コントローラ９０は、ロード処理の開始要求を受け付けると、大気搬送部ＡＲによるロード処理の実行を制御する。また、アンロード制御処理プログラムがＨＤＤ９６からＲＡＭ９５に読み出され、ＣＰＵ９４で実行される。統括制御コントローラ９０は、アンロード処理の開始要求を受け付けると、大気搬送部９４によるアンロード処理の実行を制御する。 The HDD 96 is configured to store a load processing control program (not shown) and an unload control processing program (not shown), respectively. The load processing control program is read from the HDD 96 to the RAM 95 and executed by the CPU 94. When receiving the load process start request, the overall controller 90 controls the execution of the load process by the atmospheric transfer unit AR. The unload control processing program is read from the HDD 96 to the RAM 95 and executed by the CPU 94. Upon receiving the unload process start request, the overall controller 90 controls the execution of the unload process by the atmospheric transfer unit 94.

また、ロード処理制御プログラム及びアンロード制御処理プログラムがＨＤＤ９６からＲＡＭ９５に読み出され、ＣＰＵ９４に実行されることにより、読み書き可能に構成される共有メモリ９３が、ＲＡＭ９５内に確保されるように構成されている。共有メモリ９３には、ロード処理又はアンロード処理のいずれかが実行中であればＯＮを示し、ロード処理又はアンロード処理がいずれも実行中でなければＯＦＦを示す排他制御フラグと、ロード処理の開始要求を受け付けたらＯＮを示し、ロード処理の実行が開始されたらＯＦＦを示すロード要求フラグと、が格納されるように構成されている。 Further, the load processing control program and the unload control processing program are read from the HDD 96 to the RAM 95 and executed by the CPU 94, whereby the shared memory 93 configured to be readable and writable is secured in the RAM 95. ing. Shared memory 93, indicates the ON if it is in either the loading process or unloading process is running, the exclusive control flag indicating OFF if not running any load processing or unloading process, the load process A load request flag indicating ON is received when a start request is received, and a load request flag indicating OFF when execution of a load process is started is stored.

（ロード処理制御）
統括制御コントローラ９０は、ロード処理の開始要求を受け付けたら、共有メモリ９３を参照するように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグがＯＦＦであれば、排他制御フラグをＯＮに変更し、大気搬送部ＡＲによるロード処理の実行を開始させるように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、大気搬送部ＡＲによるロード処理の実行が完了したら、排他制御フラグをＯＦＦに変更するように構成されている。 (Load processing control)
The overall controller 90 is configured to refer to the shared memory 93 when a load processing start request is received. If the exclusive control flag is OFF, the overall control controller 90 is configured to change the exclusive control flag to ON and start execution of the load process by the atmospheric conveyance unit AR. The overall controller 90 is configured to change the exclusive control flag to OFF when the execution of the load process by the atmospheric transfer unit AR is completed.

また、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグがＯＮであれば、ロード要求フラグをＯＮに変更し、排他制御フラグがＯＦＦに変更されるまで大気搬送部ＡＲによるロード処理の実行を開始させずに待機させるように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグがＯＦＦに変更されたら、排他制御フラグをＯＮに変更して大気搬送部ＡＲによるロード処理の実行を開始させるように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、大気搬送部ＡＲによるロード処理の実行が完了したら、排他制御フラグをＯＦＦに変更するように構成されている。 Further, if the exclusive control flag is ON, the overall control controller 90 changes the load request flag to ON, and does not start executing the load process by the atmospheric conveyance unit AR until the exclusive control flag is changed to OFF. It is configured to wait. Then, when the exclusive control flag is changed to OFF, the overall control controller 90 is configured to change the exclusive control flag to ON and start execution of the load process by the atmospheric conveyance unit AR. The overall controller 90 is configured to change the exclusive control flag to OFF when the execution of the load process by the atmospheric transfer unit AR is completed.

（アンロード処理制御）
統括制御コントローラ９０は、アンロード処理の開始要求を受け付けたら、共有メモ
リ９３を参照するように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグがＯＦＦであれば、排他制御フラグをＯＮに変更して大気搬送部ＡＲによるアンロード処理の実行を開始させるように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、アンロード処理の実行を開始した後は、大気搬送部ＡＲによるウエハＷの搬出動作を繰り返す度に共有メモリ９３を参照するように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、ロード要求フラグがＯＮであれば、ウエハＷの搬出動作の繰り返しを中断し、排他制御フラグをＯＦＦに変更してロード処理の実行を許可するように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグがＯＮに変更された後、排他制御フラグが再びＯＦＦに変更されるまで、大気搬送部ＡＲによるウエハＷの搬出動作の繰り返しを中断したまま待機させるように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグがＯＦＦに変更されたら、排他制御フラグをＯＮに変更して大気搬送部ＡＲによるウエハＷの搬出動作の繰り返しを再開するように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、大気搬送部ＡＲによるアンロード処理の実行が完了したら、排他制御フラグをＯＦＦに変更するように構成されている。 (Unload processing control)
The overall control controller 90 is configured to refer to the shared memory 93 upon receiving an unload processing start request. If the exclusive control flag is OFF, the overall control controller 90 is configured to change the exclusive control flag to ON and start execution of the unload process by the atmospheric conveyance unit AR. The integrated controller 90 is configured to refer to the shared memory 93 every time the wafer W is unloaded by the atmospheric transfer unit AR after the execution of the unload process is started. If the load request flag is ON, the overall control controller 90 is configured to interrupt the repetition of the wafer W unloading operation, change the exclusive control flag to OFF, and permit the execution of the load process. . Then, after the exclusive control flag is changed to ON, the overall controller 90 waits while interrupting the repetition of the wafer W unloading operation by the atmospheric transfer unit AR until the exclusive control flag is changed to OFF again. It is configured. Then, when the exclusive control flag is changed to OFF, the overall controller 90 is configured to change the exclusive control flag to ON and restart the repetition of the wafer W unloading operation by the atmospheric transfer unit AR. The overall control controller 90 is configured to change the exclusive control flag to OFF when execution of the unload processing by the atmospheric transfer unit AR is completed.

また、統括制御コントローラ９０は、アンロード処理の開始要求を受け付けたら、共有メモリ９３を参照するように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグがＯＮであれば、排他制御フラグがＯＦＦに変更されるまで大気搬送部ＡＲによるアンロード処理の実行を開始させずに待機させるように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグがＯＦＦに変更されたら、排他制御フラグをＯＮに変更して大気搬送部ＡＲによるアンロード処理の実行を開始させるように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、大気搬送部ＡＲによるアンロード処理の実行が完了したら、排他制御フラグをＯＦＦに変更するように構成されている。 Further, the overall control controller 90 is configured to refer to the shared memory 93 upon receiving an unload processing start request. If the exclusive control flag is ON, the overall control controller 90 is configured to wait without starting the execution of the unloading process by the atmospheric transfer unit AR until the exclusive control flag is changed to OFF. . Then, when the exclusive control flag is changed to OFF, the overall control controller 90 is configured to change the exclusive control flag to ON and start execution of unload processing by the atmospheric conveyance unit AR. The overall control controller 90 is configured to change the exclusive control flag to OFF when execution of the unload processing by the atmospheric transfer unit AR is completed.

（３）基板処理工程
次に、図８を用いて基板処理工程の全体の工程を説明する。図８は、ロードポートＬＰへのポッドＰ１の載置、ロードポートＬＰから予備室ＬＣ１内へのウエハＷのロード処理、予備室ＬＣ１から処理室ＰＣ１への真空搬送及び処理室ＰＣ１内でのウエハＷの処理、そして、処理室ＰＣ１から予備室ＬＣ２への真空搬送、予備室ＬＣ２内からロードポートＬＰへのアンロード処理、ロードポートＬＰからのポッドＰ１の搬出に至る１ロット分の基板処理工程全体を例示するタイミング図である。尚、図８における真空処理には、処理室ＰＣ１内でのウヘハＷの処理だけでなく、予備室ＬＣ１から処理室ＰＣ１への真空搬送と処理室ＰＣ１から予備室ＬＣ２への真空搬送を含む。 (3) Substrate Processing Step Next, the entire substrate processing step will be described with reference to FIG. FIG. 8 shows the placement of the pod P1 on the load port LP, the loading process of the wafer W from the load port LP into the spare chamber LC1, the vacuum transfer from the spare chamber LC1 to the processing chamber PC1, and the wafer in the processing chamber PC1. One lot of substrate processing steps from W processing, vacuum transfer from the processing chamber PC1 to the preliminary chamber LC2, unload processing from the preliminary chamber LC2 to the load port LP, and unloading of the pod P1 from the load port LP It is a timing diagram which illustrates the whole. The vacuum processing in FIG. 8 includes not only the processing of the wafer W in the processing chamber PC1, but also the vacuum transfer from the preliminary chamber LC1 to the processing chamber PC1 and the vacuum transfer from the processing chamber PC1 to the preliminary chamber LC2.

まず、ロードポートＬＰ上に複数枚のウエハＷ、例えば２５枚を格納したポッド（図示しない）を載置する。 First, a pod (not shown) storing a plurality of wafers W, for example, 25, is placed on the load port LP.

そして、統括制御コントローラ９０は、操作部１００からの「ロード処理の開始要求」の入力に応じて、ロード処理を開始する。先ず、統括制御コントローラ９０は、予備室ＬＣ１内に不活性ガスを供給するパージ処理を開始する。パージ処理を完了したら、統括制御コントローラ９０は、大気搬送部ＡＲを動作させて、基板収納部（ポッド）Ｐ１から予備室ＬＣ１内へのウエハＷの搬入を開始する。基板収納部Ｐ１内に例えば２５枚のウエハＷが収納されており、大気搬送部ＡＲが例えば５枚のウエハＷを同時に搬送可能である場合には、基板収納部Ｐ１内から予備室ＬＣ１内への大気搬送部ＡＲによる搬入動作を５回繰り返す。 Then, in response to the input of “load processing start request” from the operation unit 100, the overall control controller 90 starts the load processing. First, the overall controller 90 starts a purge process for supplying an inert gas into the spare chamber LC1. After completing the purging process, the overall controller 90 operates the atmospheric transfer unit AR, starts loading of the wafer W substrate storage section from (pod) P1 to the standby chamber LC1. For example, when 25 wafers W are stored in the substrate storage unit P1, and the atmospheric transfer unit AR can transfer, for example, 5 wafers W at the same time, from the substrate storage unit P1 to the spare chamber LC1. The carry-in operation by the atmospheric transfer part AR is repeated 5 times.

ロード処理が終了したら、統括制御コントローラ９０は、予備室ＬＣ１内の減圧を開始する。予備室ＬＣ１内が所定の圧力まで減圧したら、統括制御コントローラ９０は、真空搬送部ＶＲを動作させ、予備室ＬＣ１内のウエハＷを処理室ＰＣ１内に搬送し、処理室ＰＣ１内で処理を開始する。処理が終了したら、統括制御コントローラ９０は、真空搬送部ＶＲを動作させ、処理後のウエハＷを処理室ＰＣ１内から予備室ＬＣ２内に搬送する。 When the loading process is completed, the overall controller 90 starts decompressing the spare chamber LC1. When the pressure in the preliminary chamber LC1 is reduced to a predetermined pressure, the overall controller 90 operates the vacuum transfer unit VR, transfers the wafer W in the preliminary chamber LC1 into the processing chamber PC1, and starts processing in the processing chamber PC1. To do. When the processing is completed, the overall control controller 90 operates the vacuum transfer unit VR to transfer the processed wafer W from the processing chamber PC1 into the preliminary chamber LC2.

処理後のウエハＷが全て予備室ＬＣ２内に搬入されたら、統括制御コントローラ９０は、例えば、操作部１００からの「アンロード処理の開始要求」の入力に応じて、アンロード処理を開始する。先ず、統括制御コントローラ９０は、予備室ＬＣ２内に不活性ガスを供給するパージ処理を開始する。 When all the processed wafers W are loaded into the preliminary chamber LC2, the overall controller 90 starts the unload process in response to an input of “unload process start request” from the operation unit 100, for example. First, the overall controller 90 starts a purge process for supplying an inert gas into the spare chamber LC2.

パージ処理が完了して予備室ＬＣ２内が大気圧に復帰したら、大気搬送部ＡＲを動作させて、予備室ＬＣ２内から基板収納部Ｐ２へのウエハＷの搬出を開始する。予備室ＬＣ２内に例えば２５枚のウエハＷが収納されており、大気搬送部ＡＲが例えば５枚のウエハＷを同時に搬送可能である場合には、予備室ＬＣ２内から基板収納部Ｐ２内への大気搬送部ＡＲによる搬出動作を５回繰り返す。 When the purge process is completed and the inside of the preliminary chamber LC2 returns to the atmospheric pressure, the atmospheric transfer unit AR is operated, and the unloading of the wafer W from the preliminary chamber LC2 to the substrate storage unit P2 is started. For example, when 25 wafers W are stored in the preliminary chamber LC2, and the atmospheric transfer unit AR can transfer, for example, five wafers W at the same time, from the preliminary chamber LC2 to the substrate storage unit P2. The unloading operation by the atmospheric transfer unit AR is repeated five times.

アンロード処理が終了したら、処理済のウエハＷを格納したポッドを基板収納部Ｐ２から搬出する。これにより、１ロット分のウエハＷの基板処理工程全体を終了する。 When the unload processing is completed, the pod storing the processed wafer W is unloaded from the substrate storage portion P2. Thus, the entire substrate processing process for one lot of wafers W is completed.

（ロード処理）
次に、上述のロード処理について図４を参照しながら説明する。ロード処理は、例えばロードポートＬＰ上に複数枚のウエハＷを格納したポッドＰ１，Ｐ２が載置され、例えば、操作部１００から「ロード処理の開始要求」が入力されると開始される。 (Load processing)
Next, the above-described loading process will be described with reference to FIG. The load process is started when, for example, the pods P1 and P2 storing a plurality of wafers W are placed on the load port LP and, for example, a “load process start request” is input from the operation unit 100.

まず、統括制御コントローラ９０は、共有メモリ９３を参照して排他制御フラグがＯＮかＯＦＦかを判断する（ステップＳ１１０）。 First, the overall controller 90 refers to the shared memory 93 and determines whether the exclusive control flag is ON or OFF (step S110).

排他制御フラグがＯＮであれば（ステップＳ１１０で「Ｙｅｓ」の場合）、統括制御コントローラ９０は、ロード要求フラグをＯＮに変更し（ステップＳ１１１）、排他制御フラグがＯＦＦに変更されるまで、大気搬送部ＡＲによるロード処理の実行を開始させずに待機させる。 If the exclusive control flag is ON (“Yes” in step S110), the overall control controller 90 changes the load request flag to ON (step S111), and the atmosphere is changed until the exclusive control flag is changed to OFF. The transfer unit AR is put on standby without starting execution of the load process.

排他制御フラグがＯＦＦであるか、又はＯＦＦに変更されたら（ステップＳ１１０で「Ｎｏ」の場合）、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグをＯＮに変更する（ステップＳ１２０）と共に、ロード要求フラグをＯＦＦに変更する（ステップＳ１２１）。 When the exclusive control flag is OFF or changed to OFF (in the case of “No” in step S110), the overall control controller 90 changes the exclusive control flag to ON (step S120) and sets the load request flag. Change to OFF (step S121).

そして、統括制御コントローラ９０は、予備室ＬＣ１内に不活性ガスを供給するパージ処理を開始し、予備室ＬＣ１を大気圧状態とする（ステップＳ１３０）。 Then, the overall control controller 90 starts a purge process for supplying an inert gas into the spare chamber LC1 to bring the spare chamber LC1 into an atmospheric pressure state (step S130).

そして、統括制御コントローラ９０は、ウエハＷの枚数に応じて何回搬入するか繰り返し回数の算出を行う（ステップＳ１４０）。例えば、ロードポートＬＰ上の基板収納部（ポッド）Ｐ１に２５枚のウエハＷが収納されており、大気搬送部ＡＲが５枚のウエハＷを同時に搬送可能である場合には、統括制御コントローラ９０は、繰り返し回数が５回であるものと算出する。 Then, the overall controller 90 calculates how many times the wafer W is loaded according to the number of wafers W (step S140). For example, when 25 wafers W are stored in the substrate storage unit (pod) P1 on the load port LP, and the atmospheric transfer unit AR can transfer 5 wafers W at the same time, the overall controller 90 Calculates that the number of repetitions is five.

そして、統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ２を開け、基板収納部Ｐ１から予備室ＬＣ１内への大気搬送部ＡＲによるウエハＷの搬入動作を、ステップＳ１４０で算出した繰り返し回数分実行する（ステップＳ１５０〜１７０）。 Then, the overall controller 90 opens the gate valve G2, and executes the wafer W loading operation by the atmospheric transfer unit AR from the substrate storage unit P1 into the preliminary chamber LC1 for the number of repetitions calculated in step S140 (step S150). ~ 170).

大気搬送部ＡＲによる搬入動作の繰り返しが終了したら、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグをＯＦＦに変更し（ステップＳ１８０）、ロード処理を終了する。 When the repetition of the carry-in operation by the atmospheric transfer unit AR is completed, the overall control controller 90 changes the exclusive control flag to OFF (step S180), and the load process is ended.

（アンロード処理）
次に、上述のアンロード処理について図５を参照しながら説明する。アンロード処理は、例えば処理後のウエハＷが全て予備室ＬＣ２内に搬入され、操作部１００から「アンロード処理の開始要求」が入力されると開始される。 (Unload processing)
Next, the above-described unload processing will be described with reference to FIG. The unload process is started when, for example, all the processed wafers W are loaded into the spare chamber LC2 and an “unload process start request” is input from the operation unit 100.

まず、統括制御コントローラ９０は、共有メモリ９３を参照して排他制御フラグがＯＮかＯＦＦかを判断する（ステップＳ２１０）。 First, the overall controller 90 refers to the shared memory 93 and determines whether the exclusive control flag is ON or OFF (step S210).

排他制御フラグがＯＮであれば（ステップＳ２１０で「Ｙｅｓ」の場合）、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグがＯＦＦに変更されるまで、大気搬送部ＡＲによるアンロード処理の実行を開始させずに待機させる。 If the exclusive control flag is ON (in the case of “Yes” in step S210), the overall control controller 90 does not start the execution of the unload processing by the atmospheric conveyance unit AR until the exclusive control flag is changed to OFF. To wait.

排他制御フラグがＯＦＦであるか、又はＯＦＦに変更されたら（ステップＳ２１０で「Ｎｏ」の場合）、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグをＯＮに変更する（ステップＳ２２０）。 When the exclusive control flag either OFF, the or changed to OFF (case of "No" in step S210), the overall controller 90 changes the exclusive control flag to ON (step S220).

そして、統括制御コントローラ９０は、予備室ＬＣ２内に不活性ガスを供給するパージ処理を開始し、予備室ＬＣ２を大気圧状態とする（ステップＳ２３０）。 Then, the overall controller 90 starts a purge process for supplying an inert gas into the spare chamber LC2, and sets the spare chamber LC2 to an atmospheric pressure state (step S230).

そして、統括制御コントローラ９０は、ウエハＷの枚数に応じて何回搬出するか繰り返し回数の算出を行う（ステップＳ２４０）。例えば、予備室ＬＣ２内に２５枚のウエハＷが収納されており、大気搬送部ＡＲが５枚のウエハＷを同時に搬送可能である場合には、統括制御コントローラ９０は、繰り返し回数が５回であるものと算出する。 Then, the overall controller 90 calculates how many times the wafer W is unloaded according to the number of wafers W (step S240). For example, when 25 wafers W are stored in the spare chamber LC2 and the atmospheric transfer unit AR can transfer 5 wafers W at the same time, the overall controller 90 repeats 5 times. Calculate that there is.

そして、統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ２を開け、予備室ＬＣ２内から基板収納部Ｐ２上への大気搬送部ＡＲによる処理済みウエハＷの搬出動作を、ステップＳ２４０で算出した繰り返し回数分実行する（ステップＳ２５０〜２７０）。 Then, the overall controller 90 opens the gate valve G2, and executes the unloading operation of the processed wafer W by the atmospheric transfer unit AR from the preliminary chamber LC2 onto the substrate storage unit P2 for the number of repetitions calculated in step S240. (Steps S250 to 270).

なお、予備室ＬＣ２内から基板収納部Ｐ２上への大気搬送部ＡＲによる処理済みウエハＷの搬出動作を繰り返す度、統括制御コントローラ９０は、共有メモリ９３を参照し、ロード要求フラグがＯＮかＯＦＦかを判断する（ステップＳ２５１）。 Note that each time the process of unloading the processed wafer W by the atmospheric transfer unit AR from the spare chamber LC2 onto the substrate storage unit P2 is repeated, the overall controller 90 refers to the shared memory 93 and sets the load request flag ON or OFF. Is determined (step S251).

ステップＳ２５１においてロード要求フラグがＯＦＦであれば（Ｓ２５１で「Ｎｏ」場合）、大気搬送部ＡＲによるウエハＷの搬出動作の繰り返しを継続する。大気搬送部ＡＲ
による搬出動作の繰り返しが終了したら、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグをＯＦＦに変更し（ステップＳ２８０）、アンロード処理を終了する。 If the load request flag is OFF in step S251 ("No" in S251), the wafer transfer operation by the atmospheric transfer unit AR is repeated. Atmospheric transfer part AR
When the repetition of the unloading operation is completed, the overall control controller 90 changes the exclusive control flag to OFF (step S280) and ends the unload process.

ロード要求フラグがＯＮであれば（Ｓ２５１で「Ｙｅｓ」の場合）、統括制御コントローラ９０は、ウエハＷの搬出動作の繰り返しを中断して、排他制御フラグをＯＦＦに変更し（ステップＳ２５２）、ロード処理の実行を許可する。なお、上述したように、ロード処理が開始されると、統括制御コントローラ９０によって排他制御フラグがＯＮに変更され、ロード要求フラグがＯＦＦに変更される（ステップＳ１２０，１２１）。そして、ロード処理が終了すると、統括制御コントローラ９０によって排他制御フラグがＯＦＦに変更される（ステップＳ１８０）。 If the load request flag is ON (“Yes” in S251), the overall controller 90 interrupts the repetition of the wafer W unloading operation, changes the exclusive control flag to OFF (step S252), and loads the load. Allow execution of the process. As described above, when the load operation is started, the exclusive control flag by overall controller 90 is changed to ON, the load request flag is changed to OFF (step S120,121). When the loading process is completed, the exclusive control flag is changed to OFF by the overall control controller 90 (step S180).

統括制御コントローラ９０は、ウエハＷの搬出動作の繰り返しを中断した後、共有メモリ９３を周期的に参照して、ロード要求フラグ及び排他制御フラグが共にＯＦＦになるまで待機する（ステップＳ２５３，Ｓ２５４）。 The overall controller 90 interrupts the repetition of the wafer W unloading operation, and then periodically refers to the shared memory 93 and waits until both the load request flag and the exclusive control flag are turned off (steps S253 and S254). .

そして、統括制御コントローラ９０は、ロード要求フラグ及び排他制御フラグが共にＯＦＦになったら、排他制御フラグをＯＮに変更し（ステップＳ２５５）、中断していたウエハＷの搬出動作の繰り返しを再開させる。そして、大気搬送部ＡＲによる搬出動作の繰り返しが終了したら、統括制御コントローラ９０は、排他制御フラグをＯＦＦに変更し（ステップＳ２８０）、アンロード処理を終了する。 Then, when both the load request flag and the exclusive control flag are turned off, the overall control controller 90 changes the exclusive control flag to ON (step S255), and restarts the interrupted operation of unloading the wafer W. Then, upon completion of repetition of unloading operation by the atmospheric transfer unit AR, overall controller 90 changes the exclusive control flag to OFF (step S280), and thereupon ends the unloading process.

このように本実施形態では、排他制御フラグ及びロード要求フラグを用いる制御により、アンロード処理中に、ロード処理を優先的に実行することができるように構成されている。 As described above, the present embodiment is configured such that the load process can be preferentially executed during the unload process by the control using the exclusive control flag and the load request flag.

（４）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、排他制御フラグ及びロード要求フラグを用いる上述の制御により、アンロード処理中に、ロード処理を優先的に実行することができるように構成されている。これにより、例えば、ロット１を先に開始させ、ロット１のアンロード処理が完了する前にロット２のロード処理を開始させるような場合、ロット１におけるアンロード処理の完了を待つことなく、ロット２のロード処理を開始させることが可能となる。その結果、ロード処理が開始されてから基板処理の開始までの時間を同じにすることができるので、処理室内のウォームアップ（準備処理）の時間が同一となり、基板の品質の低下が抑えられる。更に、ロット２の真空処理を待ち時間なく速やかに開始させることが可能となり、基板処理の全体の生産性を向上させることができる。 (4) Effects according to the present embodiment According to the present embodiment, the above-described control using the exclusive control flag and the load request flag is configured so that the load process can be preferentially executed during the unload process. Has been. Thereby, for example, when lot 1 is started first and the load processing of lot 2 is started before the unload processing of lot 1 is completed, the lot 1 is not waited for completion of the unload processing in lot 1. 2 loading process can be started. As a result, since the time from the start of the load process to the start of the substrate process can be made the same, the warm-up (preparation process) time in the processing chamber becomes the same, and the deterioration of the substrate quality can be suppressed. Furthermore, the vacuum processing of the lot 2 can be started quickly without waiting time, and the overall productivity of the substrate processing can be improved.

なお、従来の基板処理工程、及び従来のロード処理及びアンロード処理を、図６、図７、図９にそれぞれ示す。図６、図７に示すように、従来のロード処理及びアンロード処理は排他制御フラグのみを用いており、ロード処理とアンロード処理とは排他的に行われるように構成されていた。すなわち、図９に例示するように、先発ロットのアンロード処理が完了するまでは、後発ロットのロード処理を開始することができないように構成されていた。その結果、ロット間で基板処理までにかかる時間が異なるため、基板の品質の低下してしまう場合があった。又、条件によっては、後発ロットの真空処理の開始が遅れてしまい、基板処理の生産性が低下してしまう場合があった。 The conventional substrate processing process and the conventional loading and unloading processes are shown in FIGS. 6, 7, and 9, respectively. 6, as shown in FIG. 7, the conventional loading process and unloading process is used only exclusive control flag has been configured to be performed exclusively the loading process and unloading process. That is, as illustrated in FIG. 9, until the unloading of the starting batch is completed, was configured to be unable to start the loading process of the subsequent lot. As a result, since the time required for substrate processing differs between lots, the quality of the substrate may be degraded. Further, depending on the conditions, the start of the vacuum processing of the subsequent lot may be delayed, and the productivity of the substrate processing may be reduced.

以下に、本発明の実施例１を比較例１と共に説明する。図１１は実施例１に係る基板処理工程を示すタイミング図であり、図１０は比較例１に係る基板処理工程を示すタイミング図である。いずれも、先行ロットであるロット１のアンロード処理におけるパージ処理（ステップＳ２２０）の完了前に、後発ロットであるロット２の「ロード処理の開始要求
」が入力された場合を示している。 Hereinafter, Example 1 of the present invention will be described together with Comparative Example 1. FIG. 11 is a timing chart showing a substrate processing process according to Example 1, and FIG. 10 is a timing chart showing a substrate processing process according to Comparative Example 1. In both cases, the “load processing start request” for the subsequent lot 2 is input before the completion of the purge process (step S220) in the unload process for the preceding lot 1.

なお、本実施例及び本比較例では、ポッドＰ１，Ｐ２上、予備室ＬＣ１，ＬＣ２内にはそれぞれ２５枚のウエハＷが収納されると共に、大気搬送部ＡＲは５枚のウエハＷを同時に搬送可能に構成されており、ロード処理における繰り返し回数、及びアンロード処理における繰り返し回数は共に５回であるものとする。また、係る条件は後述の実施例及び比較例でも同じである。 In this embodiment and this comparative example, 25 wafers W are stored in the pods P1 and P2 and in the spare chambers LC1 and LC2, respectively, and the atmospheric transfer unit AR transfers 5 wafers W at the same time. It is configured so that the number of repetitions in the loading process and the number of repetitions in the unloading process are both five. Such conditions are the same in the examples and comparative examples described later.

図１１に示す実施例１では、ロット１のアンロード処理が中断され、ロット２のロード処理が優先的に実施されている。これに対し、図１０に示す比較例１では、ロット１のアンロード処理が優先的に実施され、ロット２のロード処理は、ロット１のアンロード処理の終了を待ってから開始されている。 In Example 1 shown in FIG. 11, the unload process for lot 1 is interrupted, and the load process for lot 2 is preferentially performed. On the other hand, in Comparative Example 1 shown in FIG. 10, the lot 1 unload processing is preferentially performed, and the lot 2 load processing is started after the end of the lot 1 unload processing.

すなわち、図１１に示す実施例１では、ロット１のアンロード処理のパージ中に基板収納部Ｐ２上にロット２を載置した後、真空処理の開始を指示してロード処理の開始要求を受け付けている。そして、ロード処理の開始要求を受け付けたら、ロット１のアンロード処理を中断し、ロット１のパージ処理後にロット２のロード処理を割り込ませている。これにより、ロット２は、大気搬送部ＡＲによる５回の搬出（５搬出時間）を待つことなく、その分真空処理を早く開始できている。又、各ロットでロード処理から真空処理までの間が同じになっている。 That is, in the first embodiment shown in FIG. 11, after the lot 2 is placed on the substrate storage portion P2 during the purge of the unload process for the lot 1, the start of the vacuum process is instructed and the load process start request is accepted. ing. When the load processing start request is received, the lot 1 unload processing is interrupted, and the lot 2 loading processing is interrupted after the lot 1 purge processing. As a result, the lot 2 can start the vacuum processing earlier by that amount without waiting for five times of unloading (5 unloading time) by the atmospheric transfer unit AR. Also, the load process to the vacuum process is the same for each lot.

図１０に示す比較例１では、同様にロード処理の開始要求を受け付けても、ロット１のアンロード処理の終了を待ち、アンロード処理完了後、ロット２のロード処理を開始している。このため、比較例１では、ロット１の大気搬送部ＡＲによる５回の搬出（５搬出時間）分、ロット２の真空処理の開始が遅れているため、ロード処理から真空処理に至るまでの時間がロット間で異なっている。 In Comparative Example 1 shown in FIG. 10, even when a load process start request is received, the end of the unload process for lot 1 is awaited, and after the unload process is completed, the load process for lot 2 is started. For this reason, in the comparative example 1, since the start of the vacuum processing of the lot 2 is delayed by five times (5 unloading time) by the atmospheric transfer unit AR of the lot 1, the time from the load processing to the vacuum processing is delayed. There are differences between lots.

なお、ここで、アンロード処理後に同一の予備室ＬＣ（例えば、ＬＣ１）から搬入搬出する基板処理動作において、真空処理が可能な時点をＰポイントと定義する。実施例１と比較例１とでは、Ｐポイントの位置が同じである。しかし、実施例１では、真空処理の開始を大気搬送部ＡＲの５回の搬出分早くしているので、その分真空処理を早く終了してロット３のロード処理終了待ち（真空処理の予備時間）となる。このため、実施例１では、ロット２の真空処理の処理時間に余裕ができるので、その分基板処理の処理時間を長くすることが可能であり、また、その分真空処理の処理時間を長くしてもＰポイントに影響しない。 Here, in the substrate processing operation for loading / unloading from the same spare chamber LC (for example, LC1) after the unloading process, a point at which vacuum processing is possible is defined as a P point. In Example 1 and Comparative Example 1, the position of the P point is the same. However, in the first embodiment, the vacuum processing is started five times earlier than the atmospheric transfer unit AR. Therefore, the vacuum processing is finished earlier, and the load processing of the lot 3 is waited for completion (preliminary time for vacuum processing). ) For this reason, in Example 1, since the processing time of the vacuum processing of the lot 2 can be afforded, the processing time of the substrate processing can be increased correspondingly, and the processing time of the vacuum processing is increased correspondingly. However, it does not affect the P point.

次に、本発明の実施例２を比較例２と共に説明する。図１３は実施例２に係る基板処理工程を示すタイミング図であり、図１２は比較例２に係る基板処理工程を示すタイミング図である。いずれも、先行ロットであるＰ１−ＬＣ１ロットのアンロード処理における３回目の繰り返し処理の実行中に、後発ロットであるＰ２−ＬＣ２ロットの「ロード処理の開始要求」が入力された場合を示している。 Next, Example 2 of the present invention will be described together with Comparative Example 2. FIG. 13 is a timing chart showing a substrate processing process according to Example 2, and FIG. 12 is a timing chart showing a substrate processing process according to Comparative Example 2. In both cases, the “loading start request” for the P2-LC2 lot, which is the subsequent lot, is input during the execution of the third repetitive processing in the unloading process for the P1-LC1 lot, which is the preceding lot. Yes.

図１３に示す実施例２では、ロット１のアンロード処理が中断され、ロット２のロード処理が優先的に実施されている。これに対し、図１２に示す比較例２では、ロット１のアンロード処理が優先的に実施され、ロット２のロード処理は、ロット１のアンロード処理の終了を待ってから開始されている。 In Example 2 shown in FIG. 13, the unload process for lot 1 is interrupted, and the load process for lot 2 is preferentially performed. On the other hand, in the comparative example 2 shown in FIG. 12, the lot 1 unload processing is preferentially performed, and the lot 2 load processing is started after the end of the lot 1 unload processing.

すなわち、図１３に示す実施例２では、ロット１のアンロード処理の搬出中に基板収納部Ｐ２上にロット２を載置した後、真空処理の開始を指示してロード処理の開始要求を受
け付けている。そして、ロード処理の開始要求を受け付けたら、ロット１のアンロード処理を中断し、ロット１の大気搬送部ＡＲによる４回の搬出後に、ロット２のロード処理を割り込ませている。これにより、ロット２は、大気搬送部ＡＲによる残り１回の搬出（１搬出時間）を待つことなく、その分真空処理を早く開始できている。又、ロード処理を割り込ませることで、ロード処理から真空処理までの間が、同一となっている。 That is, in the second embodiment shown in FIG. 13, after the lot 2 is placed on the substrate storage portion P2 during the unload processing of the lot 1, the start of the vacuum processing is instructed and the load processing start request is accepted. ing. When the load processing start request is accepted, the lot 1 unload processing is interrupted, and the lot 2 loading processing is interrupted after the lot 1 is carried out four times by the atmospheric transfer unit AR. Thereby, the lot 2 can start the vacuum process earlier by that amount without waiting for the remaining one carry-out (one carry-out time) by the atmospheric transfer part AR. Also, by interrupting the load process, the process from the load process to the vacuum process is the same.

これに対し、図１４に示す比較例２では、同様にロード処理の開始要求を受け付けても、ロット１のアンロード処理の終了を待ち、アンロード処理完了後、ロット２のロード処理を開始している。このため、比較例２では、ロット１の大気搬送部ＡＲによる残り１回の搬出分、ロット２の真空処理の開始が遅れている。また、実施例２と比較例２とではＰポイントの位置が同じであるが、実施例２では真空処理の開始が大気搬送部ＡＲの残り１回の搬出（１搬出時間）分早くなるので、その分真空処理を早く終了し、ロット３のロード処理終了待ち（真空処理の予備時間）となる。 On the other hand, in Comparative Example 2 shown in FIG. 14, even if a load process start request is received, the end of the unload process of lot 1 is waited for and the load process of lot 2 is started after the unload process is completed. ing. For this reason, in the comparative example 2, the start of the vacuum processing of the lot 2 is delayed for the remaining one carry-out by the atmospheric transfer unit AR of the lot 1. Further, in Example 2 and Comparative Example 2, the position of the P point is the same, but in Example 2, the start of the vacuum processing is accelerated by the remaining one carry-out (one carry-out time) of the atmospheric transfer unit AR. Accordingly, the vacuum process is finished earlier, and the load process of lot 3 is waited for (the vacuum process preliminary time).

次に、本発明の実施例３を比較例３と共に説明する。図１５は実施例３に係る基板処理工程を示すタイミング図であり、図１４は比較例３に係る基板処理工程を示すタイミング図である。いずれも、先行ロットであるＰ１−ＬＣ１ロットのアンロード処理における３回目の繰り返し処理の実行中に、後発ロットであるＰ２−ＬＣ２ロットの「ロード処理の開始要求」が入力された場合を示している。また、いずれも、真空処理の処理時間を、大気搬送部ＡＲによる２回の搬出（２搬出時間）分長くしている。すなわち、「真空処理の処理時間＝ＬＰ搬出＋ＬＰ搬入＋ロード処理時間＋２搬出時間」としている。 Next, Example 3 of the present invention will be described together with Comparative Example 3. FIG. 15 is a timing chart showing a substrate processing process according to Example 3, and FIG. 14 is a timing chart showing a substrate processing process according to Comparative Example 3. In both cases, the “loading start request” for the P2-LC2 lot, which is the subsequent lot, is input during the execution of the third repetitive processing in the unloading process for the P1-LC1 lot, which is the preceding lot. Yes. In both cases, the processing time of the vacuum processing is increased by two times of unloading (two unloading times) by the atmospheric transfer unit AR. That is, “processing time of vacuum processing = LP unloading + LP loading + loading processing time + 2 unloading time”.

図１５に示す実施例３では、ロット１のアンロード処理が中断され、ロット２のロード処理が優先的に実施されている。これに対し、図１４に示す比較例３では、ロット１のアンロード処理が優先的に実施され、ロット２のロード処理は、ロット１のアンロード処理の終了を待ってから開始されている。従って、本実施例によれば、ロット２の真空処理を迅速に開始できており、基板処理の生産性を向上出来ていることが分かる。 In Example 3 shown in FIG. 15, the unload process for lot 1 is interrupted, and the load process for lot 2 is preferentially performed. On the other hand, in Comparative Example 3 shown in FIG. 14, the unload process for lot 1 is preferentially performed, and the load process for lot 2 is started after the end of the unload process for lot 1. Therefore, according to the present embodiment, it can be understood that the vacuum processing of the lot 2 can be started quickly, and the productivity of the substrate processing can be improved.

すなわち、図１５に示す実施例３では、実施例２と同様にロット２がアンロード処理の搬出中に載置されてロット１の大気搬送部ＡＲによる４回の搬出後に、ロット２のロード処理を割り込ませている。このため、実施例３では、真空処理の開始が大気搬送部ＡＲの残り１回の搬出（１搬出時間）分早くなる。これにより、実施例３では、真空処理の処理時間を大気搬送部ＡＲによる２回の搬出（２搬出時間）分長くしてもＰポイントが１搬出時間分延びるのみであり、ロット３は真空処理が１搬出時間分だけ、ロット２の真空処理待ちである。つまり、比較例３と実施例３と比較して、実施例３では、Ｐポイントが早くなっている。 That is, in the third embodiment shown in FIG. 15, as in the second embodiment, the lot 2 is loaded during the unload processing, and the lot 2 is loaded four times by the atmospheric transfer unit AR of the lot 1. Is interrupted. For this reason, in Example 3, the start of the vacuum processing is accelerated by the remaining one carry-out (one carry-out time) of the atmospheric transfer unit AR. Thereby, in Example 3, even if the processing time of the vacuum processing is increased by two times of unloading (two unloading times) by the atmospheric transfer unit AR, the P point is only extended by one unloading time. Is waiting for the vacuum processing of lot 2 for one unloading time. That is, compared to Comparative Example 3 and Example 3, Example 3 has a faster P point.

これに対し、図１４に示す比較例３では、同様にロード処理の開始要求を受け付けても、ロット１のアンロード処理の終了を待ち、アンロード処理完了後、ロット２のロード処理を開始している。このため、比較例３では、ロット１の大気搬送部ＡＲによる残り１回の搬出（１搬出時間）分、ロット２の真空処理の開始が遅れている。また、比較例３では、真空処理の処理時間の延長時間分（２搬出時間）がＰポイントに影響してロット３の真空処理が３搬出時間遅れている。又、本実施においても、ロット間でロード処理から真空処理までの時間が統一されていることが分かる。 On the other hand, in Comparative Example 3 shown in FIG. 14, even if a load process start request is received, the end of the unload process for lot 1 is awaited and the load process for lot 2 is started after the unload process is completed. ing. For this reason, in the comparative example 3, the start of the vacuum processing of the lot 2 is delayed by the remaining one carry-out (one carry-out time) by the atmospheric transfer unit AR of the lot 1. Further, in Comparative Example 3, the vacuum processing of the lot 3 is delayed by 3 unloading time due to the extended time (2 unloading time) of the vacuum processing time affecting the P point. Also in this embodiment, it can be seen that the time from load processing to vacuum processing is unified between lots.

次に、本発明の実施例４を比較例４と共に説明する。図１７は実施例４に係る基板処理工程を示すタイミング図であり、図１６は比較例４に係る基板処理工程を示すタイミング図である。いずれも、先行ロットであるＰ１−ＬＣ１ロットのアンロード処理における１
回目の処理の実行中に、後発ロットであるＰ２−ＬＣ２ロットの「ロード処理の開始要求」が入力された場合を示している。また、いずれも、真空処理の処理時間を、大気搬送部ＡＲによる２回の搬出（２搬出時間）分長くしている。すなわち、「真空処理の処理時間＝ＬＰ搬出＋ＬＰ搬入＋ロード処理時間＋２搬出時間」としている。 Next, Example 4 of the present invention will be described together with Comparative Example 4. FIG. 17 is a timing chart showing a substrate processing process according to Example 4, and FIG. 16 is a timing chart showing a substrate processing process according to Comparative Example 4. Both are 1 in the unload processing of the P1-LC1 lot which is the preceding lot.
This shows a case where the “load processing start request” of the P2-LC2 lot which is the subsequent lot is input during the execution of the second processing. In both cases, the processing time of the vacuum processing is increased by two times of unloading (two unloading times) by the atmospheric transfer unit AR. That is, “processing time of vacuum processing = LP unloading + LP loading + loading processing time + 2 unloading time”.

図１７に示す実施例４では、ロット１のアンロード処理が中断され、ロット２のロード処理が優先的に実施されている。これに対し、図１６に示す比較例４では、ロット１のアンロード処理が優先的に実施され、ロット２のロード処理は、ロット１のアンロード処理の終了を待ってから開始されている。従って、本実施例によれば、Ｐポイントが早くなっているので、ロット２の真空処理を迅速に開始できており、基板処理の生産性を向上出来ていることが分かる。 In Example 4 shown in FIG. 17, the unload process for lot 1 is interrupted, and the load process for lot 2 is preferentially performed. In contrast, in Comparative Example 4 shown in FIG. 16, the lot 1 unload process is preferentially performed, and the lot 2 load process is started after the end of the lot 1 unload process. Therefore, according to this embodiment, since the P point is earlier, the vacuum processing of the lot 2 is to start quickly, it can be seen that can improve the productivity of the substrate processing.

すなわち、図１７に示す実施例４では、ロット２のウエハＷをアンロード処理の搬出中に載置して、ロット１の大気搬送部ＡＲによる２回の搬出後に、ロット２のロード処理を割り込ませている。このため、実施例４では、真空処理の開始を大気搬送部ＡＲの残り３回の搬出（３搬出時間）分早くしている。これにより、実施例４では、真空処理の処理時間を大気搬送部ＡＲによる２回の搬出（２搬出時間）分長くしても、早くなった真空処理の処理時間分（３搬出時間）に相殺されることにより、Ｐポイントに影響せずロット３の真空処理を実施することができる。 That is, in the fourth embodiment shown in FIG. 17, the wafer W of lot 2 is placed during the unloading process, and the loading process of lot 2 is interrupted after the unloading process of the lot 1 by the atmospheric transfer unit AR. It is For this reason, in Example 4, the start of the vacuum processing is advanced by the remaining three times of unloading (three unloading times) of the atmospheric transfer unit AR. Thereby, in Example 4, even if the processing time of the vacuum processing is increased by two times of unloading (two unloading times) by the atmospheric transfer unit AR, it is offset by the processing time of the vacuum processing (three unloading times) that has been accelerated. As a result, the vacuum processing of the lot 3 can be performed without affecting the P point.

これに対し、図１６に示す比較例４では、同様にロード処理の開始要求を受け付けても、ロット１のアンロード処理の終了を待ち、アンロード処理完了後、ロット２のロード処理を開始している。このため、比較例４では、ロット１の大気搬送部ＡＲによる残り３回の搬出（３搬出時間）分、ロット２の真空処理の開始が遅れている。また、比較例４では、真空処理の処理時間の延長時間分（２搬出時間）がＰポイントに影響してロット３の真空処理が５搬出時間遅れている。又、本実施例においても、ロット間でロード処理から真空処理までの時間が統一されていることが分かる。 On the other hand, in Comparative Example 4 shown in FIG. 16, even if a load process start request is received, the end of the unload process for lot 1 is waited for, and after the unload process is completed, the load process for lot 2 is started. ing. For this reason, in the comparative example 4, the start of the vacuum processing of the lot 2 is delayed by the remaining three carry-outs (three carry-out times) by the atmospheric transfer part AR of the lot 1. Further, in Comparative Example 4, the vacuum processing time of the lot 3 is delayed by 5 unloading times due to the extended time (2 unloading times) of the vacuum processing time affecting the P point. Also in this embodiment, it can be seen that the time from the load process to the vacuum process is unified between lots.

＜本発明の他の実施形態＞
本発明は、例えば、ウエハＷ上への酸化膜、窒化膜、金属を含む膜等の薄膜形成処理、ウエハＷ表面の酸化或いは窒化処理、エッチング処理等の処理を含む基板処理を有する。 <Other Embodiments of the Present Invention>
The present invention includes, for example, a substrate process including a thin film forming process such as an oxide film, a nitride film, and a metal-containing film on the wafer W, and a process such as an oxidation or nitridation process or etching process on the surface of the wafer W.

また、本発明は、処理室の構成に限定されず、例えばＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の他に、ＰＶＤ（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、拡散、アニール等の基板処理を実施する基板処理装置にも好適に適用できる。 Further, the present invention is not limited to the configuration of the processing chamber. For example, in addition to the CVD (Chemical Vapor Deposition) method and the ALD (Atomic Layer Deposition) method, the substrate processing such as the PVD (Physical Vapor Deposition) method, diffusion, annealing, etc. The present invention can also be suitably applied to a substrate processing apparatus that performs the above.

さらに、また、本発明は、薄膜形成等を実施する基板処理装置に限らず、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。 Furthermore, the present invention is not limited to a substrate processing apparatus that performs thin film formation or the like, and can be suitably applied to other substrate processing apparatuses such as an exposure apparatus, a lithography apparatus, and a coating apparatus.

また、本発明は、半導体製造装置等のウエハＷを処理する基板処理装置に限らず、プリント配線基板、液晶パネル、磁気ディスクやコンパクトディスク等の基板を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。 Further, the present invention is not limited to a substrate processing apparatus for processing a wafer W such as a semiconductor manufacturing device, a printed wiring board, a liquid crystal panel, can be suitably applied to a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a magnetic disk or a compact disk .

以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。 Although the embodiments of the present invention has been specifically described, the present invention is not limited to the embodiments described above, various modifications are possible without departing from the scope of the invention.

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。 <Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、
複数の前記予備室に連通する大気搬送室と、
前記大気搬送室に接続され複数枚の前記基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、
前記基板収納部と前記予備室内との間で前記基板を搬送する大気搬送部と、
少なくとも前記大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記予備室内から前記基板収納部への前記基板を搬出するアンロード処理の実行中に、前記基板収納部から前記予備室内への前記基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、前記アンロード処理の実行を中断させ、前記ロード処理の実行を優先的に開始させるように前記大気搬送部を制御する
基板処理装置が提供される。 According to one aspect of the invention,
A spare chamber configured to be variable in atmosphere communicating with a vacuum transfer chamber communicating with a processing chamber for processing a substrate;
An atmospheric transfer chamber communicating with the plurality of spare chambers;
A storage container mounting section for mounting a substrate storage section connected to the atmospheric transfer chamber for storing a plurality of substrates;
An atmospheric transfer unit for transferring the substrate between the substrate storage unit and the preliminary chamber;
A control unit that controls at least the transfer operation by the atmospheric transfer unit,
The controller is
When an unloading process for unloading the substrate from the spare chamber to the substrate storage unit is performed, a request for starting a loading process for loading the substrate into the spare chamber from the substrate storage unit is received. There is provided a substrate processing apparatus for controlling the atmospheric transfer unit so as to interrupt the execution of the process and to preferentially start the execution of the load process.

また、好ましくは、
前記制御部は、
前記ロード処理の実行が完了したら、中断していた前記アンロード処理の実行を再開させるように前記大気搬送部を制御する。 Also preferably,
The controller is
When the execution of the loading process is completed, the atmospheric transfer unit is controlled so that the execution of the unloading process that has been interrupted is resumed.

また、好ましくは、
前記制御部は、
読み書き可能に構成された共有メモリを備え、
前記共有メモリには、
前記ロード処理又は前記アンロード処理のいずれかが実行中であればＯＮを示し、前記ロード処理又は前記アンロード処理がいずれも実行中でなければＯＦＦを示す排他制御フラグと、
前記ロード処理の開始要求を受け付けたらＯＮを示し、前記ロード処理の実行が開始されたらＯＦＦを示すロード要求フラグと、が格納されるよう構成されている。 Also preferably,
The controller is
With shared memory configured to be readable and writable,
In the shared memory,
An exclusive control flag indicating ON if either the load process or the unload process is being executed, and indicating OFF if neither the load process or the unload process is being executed;
A load request flag indicating ON when a load process start request is received and OFF when execution of the load process is started is stored.

本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、
複数の前記予備室に連通する大気搬送室と、
前記大気搬送室に接続され複数枚の前記基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、
前記基板収納部と前記予備室内との間で前記基板を搬送する大気搬送部と、
少なくとも前記大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、
を備えた基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記基板収納部から前記予備室内への前記大気搬送部による前記基板の搬入動作を繰り返すロード工程と、
前記予備室内から前記基板収納部への前記大気搬送部による前記基板の搬出動作を繰り返すアンロード工程と、を有し、
前記アンロード工程の実行中に前記制御部が前記ロード工程の開始要求を受け付けたら、前記アンロード工程の実行が中断され、前記ロード工程の実行が優先的に開始される半導体装置の製造方法が提供される。 According to another aspect of the invention,
A spare chamber configured to be variable in atmosphere communicating with a vacuum transfer chamber communicating with a processing chamber for processing a substrate;
An atmospheric transfer chamber communicating with the plurality of spare chambers;
A storage container mounting section for mounting a substrate storage section connected to the atmospheric transfer chamber for storing a plurality of substrates;
An atmospheric transfer unit for transferring the substrate between the substrate storage unit and the preliminary chamber;
A control unit that controls at least the transfer operation by the atmospheric transfer unit;
A method for manufacturing a semiconductor device implemented by a substrate processing apparatus comprising:
A loading step of repeating the loading operation of the substrate by the atmospheric transfer unit from the substrate storage unit into the preliminary chamber;
An unloading step of repeating the substrate unloading operation by the atmospheric transfer unit from the preliminary chamber to the substrate storage unit,
When the control unit receives a request to start the loading process during the unloading process, a method of manufacturing a semiconductor device in which the execution of the unloading process is interrupted and the execution of the loading process is preferentially started. Provided.

９０統括制御コントローラ
９３共有メモリ
９４ＣＰＵ
９５ＲＡＭ
Ｗウエハ（基板）
ＰＣ１，ＰＣ２処理室
ＶＭ真空搬送室
ＬＣ１，ＬＣ２予備室
ＬＭ大気搬送室
Ｐ１，Ｐ２基板収納部
ＡＲ大気搬送部
ＣＮＴ制御部 90 Central control controller 93 Shared memory 94 CPU
95 RAM
W Wafer (Substrate)
PC1, PC2 Processing chamber VM Vacuum transfer chamber LC1, LC2 Preliminary chamber LM Atmospheric transfer chamber P1, P2 Substrate storage unit AR Atmospheric transfer unit CNT control unit

Claims

基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、
複数の前記予備室に連通する大気搬送室と、
前記大気搬送室に接続され複数枚の前記基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、
前記基板収納部と前記予備室内との間で前記基板を搬送する大気搬送部と、
少なくとも前記大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記予備室内から前記基板収納部への前記基板を搬出するアンロード処理の実行中に、
前記基板収納部から前記予備室内への前記基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、前記アンロード処理の実行を中断させ、
前記ロード処理の実行を優先的に開始させるように前記大気搬送部を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 A spare chamber configured to be variable in atmosphere communicating with a vacuum transfer chamber communicating with a processing chamber for processing a substrate;
An atmospheric transfer chamber communicating with the plurality of spare chambers;
A storage container mounting section for mounting a substrate storage section connected to the atmospheric transfer chamber for storing a plurality of substrates;
An atmospheric transfer unit for transferring the substrate between the substrate storage unit and the preliminary chamber;
A control unit that controls at least the transfer operation by the atmospheric transfer unit,
The controller is
During execution of the unloading process for unloading the substrate from the spare chamber to the substrate storage unit,
When receiving a request for starting the loading process for loading the substrate into the spare room from the substrate storage unit, the execution of the unloading process is interrupted,
The substrate processing apparatus controls the atmospheric transfer unit so as to preferentially start execution of the load processing.