JP2011068981A

JP2011068981A - Film deposition system and film deposition method

Info

Publication number: JP2011068981A
Application number: JP2010110352A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Takahashi; 善和高橋; Yuka Yoshinuma; 由香吉沼
Original assignee: TI KK
Current assignee: TI KK
Priority date: 2009-08-28
Filing date: 2010-05-12
Publication date: 2011-04-07
Anticipated expiration: 2030-05-12
Also published as: JP5431242B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition system and a film deposition method where the uniformity of the film thickness in the film to be deposited is excellent. <P>SOLUTION: The film deposition system is provided with: a vessel 131; a heater 137 heating the inside of the vessel 131; a film deposition material feeding part 133 provided at the inside of the vessel 131, and whose inside is disposed with a liquid or solid film deposition material 135, and feeding the film deposition material made into a gaseous state into the vessel 131; an opening part 136 provided at the vessel 131; a rotary drum 110 locating the body 11 to be film-deposited to the side inner than the outermost part of the opening part 136; a vacuum vessel 102 communicated with the opening part 136; and a vacuum pump 103 exhausting the vacuum vessel 102. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、成膜装置および成膜方法に関し、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子に使用する膜を成膜する成膜装置および成膜方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method, and more particularly, to a film forming apparatus and a film forming method for forming a film used for an organic electroluminescence element.

有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光材料の特徴により、低分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子と高分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子に大きく分けられ、低分子系の有機エレクトロルミネッセンス素子は、真空蒸着法によって製造されている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。 Organic electroluminescent devices are roughly divided into low-molecular organic electroluminescent devices and high-molecular organic electroluminescent devices, depending on the characteristics of the light-emitting material. Low-molecular organic electroluminescent devices are manufactured by vacuum evaporation. (For example, refer to Patent Document 1 and Non-Patent Document 1).

この特許文献１においては、ノズル内で有機発光材料を気化させて、気化した有機発光材料を基板に向けてノズルから吐出させることにより基板上に有機発光材料からなる膜を成膜している。そして、ノズルと基板との距離を１５ｍｍ以下とすることにより、膜中に取り込まれる水分を少なくして有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を図っている。
また、非特許文献１においては、有機発光材料を蒸発させるノズル内部に流路補正板を設置することで幅方向の膜厚分布を改善できることが示されている。 In Patent Document 1, an organic light emitting material is vaporized in a nozzle, and the vaporized organic light emitting material is ejected from the nozzle toward the substrate to form a film made of the organic light emitting material on the substrate. And by making the distance of a nozzle and a board | substrate into 15 mm or less, the water | moisture content taken in in a film | membrane is decreased and the lifetime of an organic electroluminescent element is extended.
Further, Non-Patent Document 1 shows that the film thickness distribution in the width direction can be improved by installing a flow path correction plate inside the nozzle for evaporating the organic light emitting material.

しかしながら、非特許文献１の方法によっても膜厚の均一性の改善は十分ではなく、成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法が望まれている。 However, the improvement of film thickness uniformity is not sufficient even by the method of Non-Patent Document 1, and a film forming apparatus and a film forming method excellent in film thickness uniformity of a film to be formed are desired.

特開２００８−２８７９９６号公報JP 2008-287996 A

信学技法ＩＥＩＣＥ Technical Report ＯＭＥ２００９−１０（２００９−０５）IEICE Technical Report OME 2009-10 (2009-05)

従って、本発明の主な目的は，成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法を提供することにある。 Accordingly, a main object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method excellent in film thickness uniformity of a film to be formed.

本願発明者達は、上述した従来の方法について考察した結果、以下の知見を得た。すなわち、従来の方法は、いわゆる真空蒸着法であり、ノズル内で有機発光材料を気化させて気化粒子を作成し、気化粒子をノズルから基板に向けて輸送し、基板上に気化粒子を付着堆積させて有機発光材料からなる膜を作成する方法であるので、ノズルから基板に向かう気化粒子の流れの分布を均一にしない限り、膜厚分布は均一にはならない。その一方で、上述したような従来の方法では、ノズルと基板との距離を短くしており、そのような状況では、ノズルから基板に向かう気化粒子の流れの分布を均一にすることは非常に困難である。 The present inventors have obtained the following knowledge as a result of considering the above-described conventional method. In other words, the conventional method is a so-called vacuum evaporation method, in which an organic light emitting material is vaporized in a nozzle to create vaporized particles, the vaporized particles are transported from the nozzle toward the substrate, and vaporized particles are deposited on the substrate. Therefore, the film thickness distribution is not uniform unless the distribution of the flow of vaporized particles from the nozzle toward the substrate is made uniform. On the other hand, in the conventional method as described above, the distance between the nozzle and the substrate is shortened, and in such a situation, it is very difficult to make the distribution of the flow of vaporized particles from the nozzle to the substrate uniform. Have difficulty.

このように、従来のような真空蒸着の手法を用いる限り、ノズルと基板との距離を短くした場合には、気化粒子の流れ分布を基板上で均一にすることは非常に困難である。従って、膜厚分布をさらに均一なものとするためには、真空蒸着とは全く異なった手法を用いる必要がある。 As described above, as long as the conventional vacuum deposition technique is used, it is very difficult to make the flow distribution of vaporized particles uniform on the substrate when the distance between the nozzle and the substrate is shortened. Therefore, in order to make the film thickness distribution more uniform, it is necessary to use a completely different method from that of vacuum deposition.

本願発明者達は、このような考えの下、鋭意研究した結果、真空蒸着法のように基板を気化粒子の流れの中に置くのではなく、気化粒子が一定の蒸気圧で存在する真空の状態であって、気化粒子の流れがない真空の状態に基板を置けばいいということを見出した。このような状態では、気化粒子は、３次元的に等方的に運動をしているので、気化粒子が基板に付着・堆積することによって基板上に成膜される膜の膜厚は均一なものとなる。 As a result of intensive research under the above idea, the inventors of the present application have found that a vacuum in which vaporized particles exist at a constant vapor pressure is used instead of placing the substrate in the flow of vaporized particles as in the vacuum deposition method. It was found that the substrate should be placed in a vacuum state where there is no flow of vaporized particles. In such a state, since the vaporized particles are three-dimensionally isotropically moved, the film thickness formed on the substrate is uniform because the vaporized particles adhere to and deposit on the substrate. It will be a thing.

本発明は上記の知見に基づくものであり、
本発明の好ましい一態様によれば、
容器と，
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器に設けられた開口部と、
被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置が提供される。 The present invention is based on the above findings,
According to a preferred aspect of the present invention,
A container,
Heating means for heating the inside of the container;
A film-forming material supply unit that is provided in the container and in which a liquid or solid film-forming material is placed to supply the film-forming material in a gaseous state into the container;
An opening provided in the container;
Position means for positioning the film-forming body on the inner side of the outermost part of the opening;
A vacuum vessel communicating with the opening;
Exhaust means for exhausting the vacuum vessel;
Is provided.

この装置では、成膜材料供給部が容器内に設けられ、当該容器は加熱手段によって加熱されるので、加熱された温度において、液体状または固体状の成膜材料と平衡な状態にある気体状の成膜材料がこの容器内の空間に存在する。 In this apparatus, since the film forming material supply unit is provided in the container and the container is heated by the heating means, the gaseous state is in equilibrium with the liquid or solid film forming material at the heated temperature. The film forming material is present in the space in the container.

また、上記容器とは別に真空容器が設けられ、この真空容器を排気する排気手段が設けられ、上記容器に設けられた開口部はこの真空容器に連通しているので、容器内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料供給部から液体状または固体状の成膜材料と平衡な状態にある気体状の成膜材料が供給されるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。 In addition, a vacuum container is provided separately from the container, an exhaust means for exhausting the vacuum container is provided, and an opening provided in the container communicates with the vacuum container. Can be. Since the gaseous film forming material in equilibrium with the liquid or solid film forming material is supplied from the film forming material supply unit, the gaseous film forming material is kept at a constant vapor pressure in the container. An existing vacuum can be achieved.

そして、位置手段によって被成膜体を開口部の最外部よりも内側に位置させるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内で、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させることができる。そして、この状態で被成膜体に成膜材料を付着させて被成膜体上に膜を成膜する。このように、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させているので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。 And since the film-forming body is positioned inside the outermost part of the opening by the positioning means, the gaseous film-forming material is in a vacuum in which the gaseous film-forming material exists at a constant vapor pressure. The deposition target can be positioned at a location where there is no flow. In this state, a film formation material is attached to the film formation target to form a film on the film formation target. As described above, since the deposition target is located at a location where there is no flow of the gaseous deposition material, the deposition target is located at a location where the gaseous deposition material is moving three-dimensionally isotropically. The film forming body is positioned, and the film thickness of the formed film becomes very uniform.

好ましくは、前記位置手段によって、前記被成膜体を一方向に、前記容器の外側から前記開口部へ移動させ、前記開口部から前記容器の外側へ移動させる。このようにすれば、被成膜体に連続的に成膜することができる。 Preferably, the film forming body is moved in one direction from the outside of the container to the opening by the positioning means, and is moved from the opening to the outside of the container. In this way, the film can be continuously formed on the film formation target.

また、好ましくは、前記開口部の最外部は、前記容器の最外部である。 Preferably, the outermost part of the opening is the outermost part of the container.

また、好ましくは、前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出する突出部の最外部である。このように、突出部を設けた場合には、突出部の最外部に対して、被成膜体を位置させることができる。 Preferably, the outermost part of the opening is the outermost part of the protruding part protruding from the outer surface of the container. Thus, when the protrusion is provided, the film formation target can be positioned with respect to the outermost part of the protrusion.

また、好ましくは、前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出し、前記一方向に沿って延在する突出部の最外部である。このようにすれば、突出部を設けた場合にも、被成膜体に連続的に成膜することができる。 Preferably, the outermost part of the opening is the outermost part of the protruding part that protrudes from the outer surface of the container and extends along the one direction. In this way, even when the protrusion is provided, the film can be continuously formed on the film formation target.

また、好ましくは、前記位置手段は、その表面に前記被成膜体が巻き掛けられる回転ドラムである。このようにすれば、回転ドラムを回転することによって、被成膜体を移動させることができ、被成膜体に連続して成膜することができる。 Preferably, the position means is a rotating drum around which the film-forming body is wound. In this manner, the film formation target can be moved by rotating the rotary drum, and film formation can be continuously performed on the film formation target.

また、好ましくは、前記位置手段は、前記開口部へ前記被成膜体を直線的に移動させる移動手段である。このようにすれば、被成膜体を直線的に移動させることによって、被成膜体に連続して成膜することができる。 Preferably, the position unit is a moving unit that linearly moves the film formation target to the opening. In this way, it is possible to continuously form a film on the film formation body by moving the film formation body linearly.

本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部と、
被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて前記容器内へ位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置が提供される。 According to another preferred aspect of the invention,
A container,
Heating means for heating the inside of the container;
A film-forming material supply unit that is provided in the container and in which a liquid or solid film-forming material is placed to supply the film-forming material in a gaseous state into the container;
Two openings respectively provided on opposite sides of the container;
Position means for positioning the film formation body through the two openings and into the container;
A vacuum vessel communicating with the opening;
Exhaust means for exhausting the vacuum vessel;
Is provided.

そして、容器の互いに対向する側面に開口部をそれぞれ設け、位置手段によって被成膜体を２つの開口部を貫通させて容器内へ位置させるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内で、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させることができる。そして、この状態で被成膜体に成膜材料を付着させて被成膜体上に膜を成膜する。このように、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させているので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。また、容器の互いに対向する側面に開口部をそれぞれ設け、位置手段によって被成膜体を２つの開口部を貫通させて容器内へ位置させるので、容器内にある被成膜体の周囲に成膜することができる。さらに、位置手段によって被成膜体を一方の開口部から他方の開口部に向かって移動させれば、被成膜体に連続して成膜することができる。 Then, openings are respectively provided on the side surfaces facing each other of the container, and the film forming material is positioned in the container through the two openings by the positioning means, so that the gaseous film forming material is constant in the container. The deposition target can be positioned at a location where there is no flow of the gaseous deposition material in the vacuum existing at the vapor pressure. In this state, a film formation material is attached to the film formation target to form a film on the film formation target. As described above, since the deposition target is located at a location where there is no flow of the gaseous deposition material, the deposition target is located at a location where the gaseous deposition material is moving three-dimensionally isotropically. The film forming body is positioned, and the film thickness of the formed film becomes very uniform. In addition, since openings are provided on the side surfaces of the container facing each other, and the film forming body is positioned in the container through the two openings by the positioning means, it is formed around the film forming body in the container. Can be membrane. Further, if the deposition target is moved from one opening toward the other by the positioning means, the deposition can be continuously performed on the deposition target.

また、好ましくは、前記気体状となった成膜材料が前記容器内に前記成膜材料の飽和蒸気圧で存在する状態で成膜を行う。 Preferably, the film formation is performed in a state where the gaseous film formation material is present in the container at a saturated vapor pressure of the film formation material.

本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置が提供される。 According to another preferred aspect of the invention,
A container,
A film forming material supply means for supplying a gaseous film forming material having a constant vapor pressure to the container;
An opening provided in the container;
Evacuation means,
An exhaust path provided between the vacuum exhaust means and the opening;
A film forming apparatus comprising: positioning means for positioning a film forming body through the opening in the container;
When the film formation body is positioned in the container by the positioning means, a film formation apparatus that does not flow gas is provided at a position where the film formation surface of the film formation body is located. The

この装置では、容器に開口部が設けられ、この開口部と真空排気手段との間には排気経路が設けられているので、容器内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料供給手段から、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が容器に供給されるので、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。 In this apparatus, since an opening is provided in the container and an exhaust path is provided between the opening and the vacuum exhaust means, the inside of the container can be evacuated to a predetermined level. Then, since the gaseous film forming material having a constant vapor pressure is supplied from the film forming material supply means to the container, the inside of the container is brought into a vacuum state in which the gaseous film forming material exists at a constant vapor pressure. be able to.

そして、位置手段によって容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがないので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体の被成膜面を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。 When the deposition target is positioned in the container by the positioning means, there is no gas flow at the position where the deposition target surface of the deposition target is located. However, the film-forming surface of the film-forming body is positioned at a position where the film is isotropically three-dimensionally moved, and the film thickness of the formed film becomes very uniform.

さらに、当該位置手段は、容器内に開口部を介して被成膜体を位置させるので、成膜中に開口部を通じて被成膜体を移動させることができ、このようにすれば、被成膜体に連続的に成膜することができる。 Further, since the position means positions the film formation body through the opening in the container, the film formation body can be moved through the opening during film formation. The film can be continuously formed on the film body.

本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置が提供される。 According to another preferred aspect of the invention,
A container,
A film forming material supply means for supplying a gaseous film forming material having a constant vapor pressure to the container;
An opening provided in the container;
Evacuation means,
An exhaust path provided between the vacuum exhaust means and the opening;
A film forming apparatus comprising: positioning means for positioning a film forming body through the opening in the container;
When the film-forming body is positioned in the container by the positioning means, the gaseous film-forming material is three-dimensionally or the like at a position where the film-forming surface of the film-forming body is located. A film forming apparatus that is moving in a lateral direction is provided.

そして、位置手段によって容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所では、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしているので、
成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。 When the deposition target is positioned in the container by the positioning means, the gaseous deposition material is three-dimensionally isotropic at the position where the deposition target surface of the deposition target is located. Because I am exercising
The film thickness of the formed film becomes very uniform.

また、開口部を、容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部とし、位置手段によって被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて位置させてもよく、容器内にある被成膜体の周囲に成膜することができる。さらに、位置手段によって被成膜体を一方の開口部から他方の開口部に向かって移動させれば、被成膜体に連続して成膜することができる。 Further, the openings may be two openings provided respectively on the side surfaces of the container facing each other, and the film formation body may be positioned by penetrating the two openings by the positioning means, and is in the container. A film can be formed around the deposition target. Further, if the deposition target is moved from one opening toward the other by the positioning means, the deposition can be continuously performed on the deposition target.

好ましくは、前記位置手段によって前記被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる。 Preferably, the film forming body is positioned inside the outermost portion of the opening by the positioning means.

好ましくは、前記成膜装置は、前記成膜材料供給手段が前記容器内に配置され、前記容器内を所定の温度に加熱する加熱手段をさらに備える。 Preferably, the film forming apparatus further includes a heating unit in which the film forming material supply unit is disposed in the container and the inside of the container is heated to a predetermined temperature.

このようにすれば、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を容器に供給する成膜材料供給手段が容器内に配置され、当該容器は加熱手段によって所定の温度に加熱されるので、加熱された所定の温度において、熱的に平衡状態にある気体状の成膜材料の蒸気圧で、気体状の成膜材料がこの容器内の空間に存在する。 In this way, the film forming material supply means for supplying the gaseous film forming material having a constant vapor pressure to the container is arranged in the container, and the container is heated to a predetermined temperature by the heating means. At the predetermined temperature, the gaseous film-forming material exists in the space in the container at the vapor pressure of the gaseous film-forming material that is in thermal equilibrium.

好ましくは、前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記所定の温度における飽和蒸気圧である。 Preferably, the constant vapor pressure is a saturated vapor pressure at the predetermined temperature of the film forming material.

好ましくは、前記成膜材料供給手段が前記容器の外部に配置され、前記容器内を第１の所定の温度に加熱する第１の加熱手段および前記成膜材料供給手段を第２の所定の温度に加熱する第２の加熱手段をさらに備える。 Preferably, the film forming material supply means is disposed outside the container, and the first heating means for heating the inside of the container to a first predetermined temperature and the film forming material supply means are set at a second predetermined temperature. Further, a second heating means for heating is provided.

このようにすれば、一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を容器に供給する成膜材料供給手段が容器の外部に配置され、成膜材料供給手段は第２の加熱手段によって第２の所定の温度に加熱されるので、加熱された第２の所定の温度において、熱的に平衡状態にある気体状の成膜材料の蒸気圧で、気体状の成膜材料がこの成膜材料供給手段の空間に存在し、その蒸気圧の気体状の成膜材料が容器に供給される。そして、容器内は第１の加熱手段によって第１の所定の温度に加熱されるので、成膜温度と、成膜材料の蒸気圧を決定する温度とを異なるものとすることができるようになる。 According to this configuration, the film forming material supply means for supplying the gaseous film forming material having a constant vapor pressure to the container is disposed outside the container, and the film forming material supply means is provided by the second heating means. Since it is heated to a predetermined temperature, the gaseous film-forming material is supplied to this film-forming material by the vapor pressure of the gaseous film-forming material that is in thermal equilibrium at the heated second predetermined temperature. A gaseous film-forming material having a vapor pressure existing in the space of the means is supplied to the container. Since the inside of the container is heated to the first predetermined temperature by the first heating means, the film forming temperature and the temperature for determining the vapor pressure of the film forming material can be made different. .

好ましくは、前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧である。 Preferably, the constant vapor pressure is a saturated vapor pressure at the second predetermined temperature of the film forming material.

また、好ましくは、前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、前記第１の気体と共に、前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧で前記容器に供給される。 Preferably, the film forming material supply means includes a film forming material container in which the liquid or solid film forming material is placed, and a first gas that does not react with the film forming material. First gas supply means for supplying to the container, and the gaseous film-forming material having a constant vapor pressure is supplied to the container at a saturated vapor pressure at the second predetermined temperature together with the first gas. Supplied.

また、好ましくは、前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段と、前記成膜材料と反応しない第２の気体を成膜材料容器の下流に供給する第２の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、（前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧）×（前記第１の気体の流量）／（前記第１の気体の流量＋前記第２の気体の流量）の蒸気圧で前記容器に供給される。 Preferably, the film forming material supply means includes a film forming material container in which the liquid or solid film forming material is placed, and a first gas that does not react with the film forming material. A gas having a constant vapor pressure, comprising: a first gas supply means for supplying to the container; and a second gas supply means for supplying a second gas that does not react with the film forming material downstream of the film forming material container. The film-forming material is (saturated vapor pressure at the second predetermined temperature) × (flow rate of the first gas) / (flow rate of the first gas + flow rate of the second gas). The container is supplied with pressure.

このようにすれば、容器に供給される気体状の成膜材料の蒸気圧を、成膜材料供給手段の第２の加熱手段による加熱温度だけでなく、第１の気体の流量と第２の気体の流量によっても制御することができるようになる。 In this way, the vapor pressure of the gaseous film-forming material supplied to the container is set not only to the heating temperature by the second heating means of the film-forming material supply means, but also to the flow rate of the first gas and the second It can also be controlled by the gas flow rate.

本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置が提供される。 According to another preferred aspect of the invention,
A container,
A film forming material supply means for supplying a gaseous film forming material having a constant vapor pressure to the container;
A film forming apparatus comprising: positioning means for positioning the film forming body in the container;
When the film formation body is positioned in the container, a film formation apparatus without a gas flow is provided where the film formation surface of the film formation body is located.

このように、容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがないので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させることになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。 In this way, when the film formation body is positioned in the container, there is no flow of gas at the position where the film formation surface of the film formation body is located. The deposition target is positioned at a three-dimensionally isotropic movement, and the film thickness of the deposited film becomes very uniform.

本発明の好ましい他の態様によれば、
容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置が提供される。 According to another preferred aspect of the invention,
A container,
A film forming material supply means for supplying a gaseous film forming material having a constant vapor pressure to the container;
A film forming apparatus comprising: positioning means for positioning the film forming body in the container;
When the film-forming body is positioned in the container, the gaseous film-forming material moves three-dimensionally isotropically at the position where the film-forming surface of the film-forming body is located. A film forming apparatus is provided.

このように、容器内に被成膜体を位置させた際に、被成膜体の被成膜面が位置している箇所では気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしているので、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。 As described above, when the film formation body is positioned in the container, the gaseous film formation material moves three-dimensionally and isotropically at the position where the film formation surface of the film formation body is located. Therefore, the film thickness of the formed film becomes very uniform.

好ましくは、前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である。 Preferably, the film forming material is a material constituting an organic electroluminescence element.

本発明の好ましい他の態様によれば、
気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法が提供される。 According to another preferred aspect of the invention,
A film-forming body is positioned in a vacuum where a gaseous film-forming material exists at a constant vapor pressure, and there is no flow of the gaseous film-forming material, and the film-forming material is formed on the film-forming body. A film formation method for forming a film by attaching a material is provided.

このように、気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させ、被成膜体に成膜材料を付着させて成膜するので、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させて成膜することになり、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。 In this manner, the film-forming material is placed in a position where there is no flow of the gas-forming film material, and the film-forming material is attached to the film-forming material, so that the film is formed in three dimensions. In other words, the film-forming body is positioned at a position that is isotropically moving, and the film thickness of the formed film is very uniform.

本発明の好ましい他の態様によれば、
気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法が提供される。 According to another preferred aspect of the invention,
The deposition target is positioned in a vacuum where the gaseous film-forming material exists at a constant vapor pressure, and the gaseous film-forming material moves three-dimensionally isotropically. There is provided a film forming method for forming a film by attaching the film forming material to the film forming body.

このように、気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させて成膜するので、成膜された膜の膜厚は非常に均一なものとなる。 In this way, the film-forming material is deposited at a position where the gaseous film-forming material is three-dimensionally isotropically moved, so that the film thickness of the formed film is very high. It will be uniform.

好ましくは、前記気体状の成膜材料が容器内に前記一定の蒸気圧で存在し、前記容器内には前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が供給されると共に、前記容器は排気されている。このようにすれば、容器内を気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空の状態とすることができる。 Preferably, the gaseous film forming material is present in the container at the constant vapor pressure, the gaseous film forming material having the constant vapor pressure is supplied into the container, and the container is evacuated. Has been. If it does in this way, the inside of a container can be made into the vacuum state in which gaseous film-forming material exists with fixed vapor pressure.

好ましくは、前記一定の蒸気圧は前記成膜材料の飽和蒸気圧である。 Preferably, the constant vapor pressure is a saturated vapor pressure of the film forming material.

また、好ましくは、前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である Preferably, the film forming material is a material constituting an organic electroluminescence element.

本発明によれば、成膜される膜の膜厚均一性に優れた成膜装置および成膜方法が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the film-forming apparatus and the film-forming method excellent in the film thickness uniformity of the film | membrane formed into a film are provided.

図１は、本発明の第１乃至４の実施の形態で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子を説明するための概略縦断面図である。FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view for explaining an organic electroluminescence element manufactured in the first to fourth embodiments of the present invention. 図２は、本発明の第１乃至４の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置を説明するための概略縦断面図である。FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view for explaining the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the first to fourth embodiments of the present invention. 図３は、本発明の第１の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 3 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図４は、図３のＸ１−Ｘ１線断面図である。4 is a cross-sectional view taken along line X1-X1 of FIG. 図５は、図３のＸ１−Ｘ１線断面図である。5 is a cross-sectional view taken along line X1-X1 of FIG. 図６は、図３のＸ２−Ｘ２線断面図である。6 is a cross-sectional view taken along line X2-X2 of FIG. 図７は、図４のＡ部の部分拡大縦断面図である。FIG. 7 is a partially enlarged longitudinal sectional view of a portion A in FIG. 図８は、本発明の第１乃至４の実施の形態で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明するためのフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the organic electroluminescence element manufactured in the first to fourth embodiments of the present invention. 図９は、本発明の第２の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 9 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図１０は、図９のＸ３−Ｘ３線断面図である。10 is a cross-sectional view taken along line X3-X3 of FIG. 図１１は、図１０のＢ部の部分拡大縦断面図である。FIG. 11 is a partially enlarged longitudinal sectional view of a portion B in FIG. 図１２は、本発明の第３の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 12 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the third embodiment of the present invention. 図１３は、図１２のＸ４−Ｘ４線断面図である。13 is a cross-sectional view taken along line X4-X4 of FIG. 図１４は、図１３のＣ部の部分拡大縦断面図である。FIG. 14 is a partially enlarged longitudinal sectional view of a portion C in FIG. 図１５は、本発明の第４の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 15 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. 図１６は、図１５のＸ５−Ｘ５線断面図である。16 is a cross-sectional view taken along line X5-X5 of FIG. 図１７は、図１５のＸ６−Ｘ６線断面図である。17 is a cross-sectional view taken along line X6-X6 of FIG. 図１８は、図１６のＤ部の部分拡大縦断面図である。FIG. 18 is a partially enlarged longitudinal sectional view of a portion D in FIG. 図１９は、本発明の第５の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 19 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. 図２０は、図１９のＸ７−Ｘ７線側面図である。20 is a side view taken along line X7-X7 in FIG. 図２１は、本発明の第６の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 21 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. 図２２は、図２１のＸ８−Ｘ８線側面図である。22 is a side view taken along the line X8-X8 of FIG. 図２３は、本発明の第７の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 23 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the seventh embodiment of the present invention. 図２４は、図２３のＸ９−Ｘ９線側面図である。24 is a side view taken along line X9-X9 in FIG. 図２５は、本発明の第８の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 25 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the eighth embodiment of the present invention. 図２６は、本発明の第９の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 26 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus of the ninth embodiment of the present invention. 図２７は、本発明の第１０の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 27 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the tenth embodiment of the present invention. 図２８は、本発明の第１１の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置に使用されるＣｕＰＣ膜成膜室を説明するための概略縦断面図である。FIG. 28 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a CuPC film forming chamber used in the organic electroluminescence element manufacturing apparatus according to the eleventh embodiment of the present invention.

以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１の実施の形態）
図１を参照すれば、本発明の第１乃至１１の実施の形態で製造される有機エレクトロルミネッセンス素子１０は、基板１１上に、陽極１２、正孔注入層１３、正孔輸送層１４、発光および電子輸送層１５、電子注入層１６、陰極１７がこの順に形成されている。 (First embodiment)
Referring to FIG. 1, the organic electroluminescent device 10 manufactured according to the first to eleventh embodiments of the present invention includes an anode 12, a hole injection layer 13, a hole transport layer 14, a light emission on a substrate 11. The electron transport layer 15, the electron injection layer 16, and the cathode 17 are formed in this order.

基板１１は、例えば、長さが数十ｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂フィルムからなる長尺のフレキシブル基板である。陽極１２は、膜厚が例えば１５０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる透明電極である。正孔注入層１３は、膜厚が例えば１０ｎｍのＣｕＰＣ（銅フタロシアニン）からなっている。正孔輸送層１４は、膜厚が例えば５０ｎｍのａ−ＮＰＤ（ビス［Ｎ-（１-ナフチル）-Ｎ-フェニル］ベンジジン）からなっている。発光および電子輸送層１５は、膜厚が例えば６５ｎｍのＡｌｑ３（８-ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体）からなっている。電子注入層１６は、膜厚が例えば０．５ｎｍのＬｉＦ(フッ化リチウム）からなっている。陰極１７は、層厚が例えば８０ｎｍのＡＩ（アルミニウム）からなっている。 The substrate 11 is a long flexible substrate made of a PET (polyethylene terephthalate) resin film having a length of several tens of meters, for example. The anode 12 is a transparent electrode made of ITO (indium tin oxide) having a film thickness of, for example, 150 nm. The hole injection layer 13 is made of CuPC (copper phthalocyanine) having a film thickness of, for example, 10 nm. The hole transport layer 14 is made of a-NPD (bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl] benzidine) having a film thickness of, for example, 50 nm. The light emitting and electron transporting layer 15 is made of Alq3 (8-hydroxyquinoline aluminum complex) having a film thickness of, for example, 65 nm. The electron injection layer 16 is made of LiF (lithium fluoride) having a film thickness of, for example, 0.5 nm. The cathode 17 is made of AI (aluminum) having a layer thickness of, for example, 80 nm.

次に、図２を参照すれば、本発明の第１乃至１２の実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置１００は、成膜室１０１と、基板繰り出し室１８０と、基板巻き取り室１９０と、制御部３００とを備えている。 Next, referring to FIG. 2, the organic electroluminescence element manufacturing apparatus 100 according to the first to twelfth embodiments of the present invention includes a film forming chamber 101, a substrate feeding chamber 180, a substrate winding chamber 190, And a control unit 300.

基板繰り出し室１８０は、チャンバ１８１と、真空ポンプ１８６とを備え、チャンバ１８１内には、ロール状の基板１１を繰り出す繰り出しローラ１８２と、基板１１をガイドするガイドローラ１８３と、基板１１を上下方向から扶持するローラ１８４、１８５とが設けられている。チャンバ１８１内は真空ポンプ１８６によって排気される。 The substrate feeding chamber 180 includes a chamber 181 and a vacuum pump 186. Within the chamber 181, a feeding roller 182 that feeds the roll-shaped substrate 11, a guide roller 183 that guides the substrate 11, and the substrate 11 in the vertical direction. Rollers 184 and 185 are provided. The chamber 181 is evacuated by a vacuum pump 186.

基板巻き取り室１９０は、チャンバ１９１と、真空ポンプ１９４とを備え、チャンバ１９１内には、基板１１をガイドするガイドローラ１９３と、基板をロール状に巻き取る巻き取りローラ１９２とが設けられている。チャンバ１９１内は真空ポンプ１９４によって排気される。 The substrate winding chamber 190 includes a chamber 191 and a vacuum pump 194. In the chamber 191, a guide roller 193 for guiding the substrate 11 and a winding roller 192 for winding the substrate in a roll shape are provided. Yes. The chamber 191 is evacuated by a vacuum pump 194.

成膜室１０１は、チャンバ１０２と、真空ポンプ１０３と、回転ドラム１１０と、ＣｕＰＣ膜を成膜するＣｕＰＣ膜成膜室１３０と、αーＮＰＤ膜を成膜するαーＮＰＤ膜成膜室１４０と、Ａｌｑ３膜を成膜するＡｌｑ３膜成膜室１５０と、ＬｉＦ膜を成膜するＬｉＦ膜成膜室１６０と、Ａｌ膜を成膜するＡｌ膜成膜室１７０とを備えている。ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０は、回転ドラム１１０の回転方向にこの順で回転ドラム１１０の外周面に沿って配置されている。チャンバ１０２内は真空ポンプ１０３によって排気される。 The film forming chamber 101 includes a chamber 102, a vacuum pump 103, a rotating drum 110, a CuPC film forming chamber 130 for forming a CuPC film, and an α-NPD film forming chamber 140 for forming an α-NPD film. An Alq3 film deposition chamber 150 for depositing an Alq3 film, a LiF film deposition chamber 160 for depositing a LiF film, and an Al film deposition chamber 170 for depositing an Al film. The CuPC film forming chamber 130, the α-NPD film forming chamber 140, the Alq3 film forming chamber 150, the LiF film forming chamber 160, and the Al film forming chamber 170 are arranged in this order in the rotating direction of the rotating drum 110. 110 is disposed along the outer peripheral surface. The inside of the chamber 102 is exhausted by a vacuum pump 103.

チャンバ１０２の壁１０４には、基板繰り出し室１８０および基板巻き取り室１９０とそれぞれ連通する連通孔１０５および連通孔１０６がそれぞれ設けられている。基板繰り出し室１８０内の繰り出しローラ１８２から繰り出された基板１１は、ガイドローラ１８３によってガイドされ、ローラ１３２、１３３によって上下方向から扶持され、連通孔１０５を通って成膜室１０１に入り、成膜室１０１内に設けられた回転ドラム１１０の外周面上を搬送され、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０をこの順に経由し、その後、連通孔１０６を通って基板巻き取り室１９０に入り、ガイドローラ１９３によってガイドされ、巻き取りローラ１９２によってロール状に巻き取られる。 The wall 104 of the chamber 102 is provided with a communication hole 105 and a communication hole 106 that communicate with the substrate feed chamber 180 and the substrate take-up chamber 190, respectively. The substrate 11 fed out from the feeding roller 182 in the substrate feeding chamber 180 is guided by the guide roller 183, held in the vertical direction by the rollers 132 and 133, enters the film forming chamber 101 through the communication hole 105, and forms the film. It is conveyed on the outer peripheral surface of the rotating drum 110 provided in the chamber 101, and is a CuPC film forming chamber 130, an α-NPD film forming chamber 140, an Alq3 film forming chamber 150, a LiF film forming chamber 160, and an Al film. The film passes through the film forming chamber 170 in this order, then enters the substrate winding chamber 190 through the communication hole 106, is guided by the guide roller 193, and is wound in a roll shape by the winding roller 192.

制御部３００は、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０と信号線３０１で接続され、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＣｕＰＣ膜成膜室１３０の温度等を制御する。制御部３００は、αーＮＰＤ膜成膜室１４０と信号線３０２で接続され、αーＮＰＤ膜成膜室１４０から温度等の信号を受け取り、それに応じてαーＮＰＤ膜成膜室１４０の温度等を制御する。制御部３００は、Ａｌｑ３膜成膜室１５０と信号線３０３で接続され、Ａｌｑ３膜成膜室１５０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＡｌｑ３膜成膜室１５０の温度等を制御する。制御部３００は、ＬｉＦ膜成膜室１６０と信号線３０４で接続され、ＬｉＦ膜成膜室１６０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＬｉＦ膜成膜室１６０の温度等を制御する。制御部３００は、Ａｌ膜成膜室１７０と信号線３０５で接続され、Ａｌ膜成膜室１７０から温度等の信号を受け取り、それに応じてＡｌ膜成膜室１７０の温度等を制御する。 The control unit 300 is connected to the CuPC film deposition chamber 130 through a signal line 301, receives a signal such as a temperature from the CuPC film deposition chamber 130, and controls the temperature of the CuPC film deposition chamber 130 accordingly. The control unit 300 is connected to the α-NPD film forming chamber 140 through a signal line 302, receives a signal such as a temperature from the α-NPD film forming chamber 140, and accordingly, the temperature of the α-NPD film forming chamber 140 is Control etc. The controller 300 is connected to the Alq3 film deposition chamber 150 through a signal line 303, receives a signal such as temperature from the Alq3 film deposition chamber 150, and controls the temperature of the Alq3 film deposition chamber 150 accordingly. The controller 300 is connected to the LiF film deposition chamber 160 via a signal line 304, receives a signal such as temperature from the LiF film deposition chamber 160, and controls the temperature of the LiF film deposition chamber 160 accordingly. The control unit 300 is connected to the Al film deposition chamber 170 via a signal line 305, receives a signal such as temperature from the Al film deposition chamber 170, and controls the temperature of the Al film deposition chamber 170 accordingly.

また、制御部３００は、真空ポンプ１０３および成膜室１０１の真空度を測定する真空計（図示せず）と信号線３０６で接続され、当該真空計から真空度の信号を受け取り、それに応じて真空ポンプ１０３を制御して、成膜室１０１内を所定の真空度に制御する。制御部３００は、真空ポンプ１８６および基板繰り出し室１８０の真空度を測定する真空計（図示せず）と信号線３０７で接続され、当該真空計から真空度の信号を受け取り、それに応じて真空ポンプ１８６を制御して、基板繰り出し室１８０内を所定の真空度に制御する。制御部３００は、真空ポンプ１９４および基板巻き取り室１９０の真空度を測定する真空計（図示せず）と信号線３０８で接続され、当該真空計から真空度の信号を受け取り、それに応じて真空ポンプ１９４を制御して、基板巻き取り室１９０内を所定の真空度に制御する。 The control unit 300 is connected to a vacuum gauge (not shown) that measures the vacuum degree of the vacuum pump 103 and the film forming chamber 101 via a signal line 306, receives a vacuum degree signal from the vacuum gauge, and accordingly The vacuum pump 103 is controlled to control the inside of the film formation chamber 101 to a predetermined degree of vacuum. The control unit 300 is connected to a vacuum gauge (not shown) for measuring the vacuum degree of the vacuum pump 186 and the substrate feeding chamber 180 via a signal line 307, receives a vacuum degree signal from the vacuum gauge, and accordingly the vacuum pump By controlling 186, the inside of the substrate feeding chamber 180 is controlled to a predetermined degree of vacuum. The control unit 300 is connected to a vacuum gauge (not shown) for measuring the vacuum degree of the vacuum pump 194 and the substrate winding chamber 190 via a signal line 308, receives a vacuum degree signal from the vacuum gauge, and vacuums accordingly. The pump 194 is controlled to control the inside of the substrate winding chamber 190 to a predetermined degree of vacuum.

さらに、制御部３００は、回転ドラム１１０，繰り出しローラ１８２および巻き取りローラ１９２と信号線３１１、３１２および３０９でそれぞれ接続され、回転ドラム１１０，繰り出しローラ１８２および巻き取りローラ１９２の回転等をそれぞれ制御する。 Further, the control unit 300 is connected to the rotating drum 110, the feeding roller 182 and the take-up roller 192 through signal lines 311, 312, and 309, respectively, and controls the rotation of the rotating drum 110, the feeding roller 182 and the take-up roller 192, respectively. To do.

次に、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０を説明するにあたり、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０を例にとって説明する。αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０はＣｕＰＣ膜成膜室１３０と同じ構成なので、その説明は省略する。 Next, in describing the CuPC film forming chamber 130, the α-NPD film forming chamber 140, the Alq3 film forming chamber 150, the LiF film forming chamber 160, and the Al film forming chamber 170, the CuPC film forming chamber 130 is described. Will be described as an example. Since the α-NPD film deposition chamber 140, the Alq3 film deposition chamber 150, the LiF film deposition chamber 160, and the Al film deposition chamber 170 have the same configuration as the CuPC film deposition chamber 130, description thereof is omitted.

図３〜６を参照すれば、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０は、容器１３１と、容器１３１内を加熱するヒータ１３７と、容器１３１内に設けられ、成膜材料１３５がその内部に置かれる成膜材料容器１３３と、成膜材料容器１３３の上側開口を閉じる蓋１３４であって、上下移動可能な蓋１３４とを備えている。容器１３１の側面（本実施の形態では底面）１３１ａには開口部１３６が設けられている。 3 to 6, the CuPC film deposition chamber 130 is provided in a container 131, a heater 137 for heating the container 131, and the container 131, and a film deposition material 135 is placed therein. A material container 133 and a lid 134 that closes the upper opening of the film forming material container 133 and includes a vertically movable lid 134 are provided. An opening 136 is provided on a side surface (bottom surface in the present embodiment) 131 a of the container 131.

回転ドラム１１０が、この開口部１３６に配置され、それによって、回転ドラム１１０の外周面上に位置している基板１１の被成膜面１１ａが、開口部１３６の最外部、すなわち、本実施の形態では、側面（底面）１３１ａの最外部である表面１３１ｂ（図７参照）、よりも内側に位置している。 The rotating drum 110 is disposed in the opening 136, whereby the deposition surface 11 a of the substrate 11 located on the outer peripheral surface of the rotating drum 110 is the outermost portion of the opening 136, that is, in the present embodiment. In the form, it is located inside the surface 131b (see FIG. 7) which is the outermost part of the side surface (bottom surface) 131a.

基板１１は、回転ドラム１１０が左回りに回転するにつれて、一方向１３１ｘ（図３では紙面の右から左方向、図４では、紙面の裏側から表側）に移動する。 As the rotary drum 110 rotates counterclockwise, the substrate 11 moves in one direction 131x (in FIG. 3, from the right to the left of the page, and in FIG. 4, from the back side to the front).

制御部３００は、ヒータ１３７および容器１３１内の温度を測定する温度計（図示せず）と信号線３１０で接続され、当該温度計から温度の信号を受け取り、それに応じてヒータ１３７を制御して、容器１３１内を所定の温度に制御する。 The controller 300 is connected to a heater 137 and a thermometer (not shown) for measuring the temperature in the container 131 through a signal line 310, receives a temperature signal from the thermometer, and controls the heater 137 accordingly. The inside of the container 131 is controlled to a predetermined temperature.

このように、成膜材料容器１３３が容器１３１内に設けられ、当該容器１３１内はヒータ１３７によって加熱されるので、加熱された温度において、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態、すなわち、飽和の状態にある気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）がこの容器１３１内の空間１３２に存在する。容器１３１内の空間１３２には、加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が存在している。 In this manner, the film forming material container 133 is provided in the container 131, and the inside of the container 131 is heated by the heater 137. Therefore, at the heated temperature, the film forming material container 133 (CuPC) is in an equilibrium state, that is, A gaseous film forming material (CuPC) in a saturated state exists in the space 132 in the container 131. In the space 132 in the container 131, a gaseous film forming material (CuPC) is present at a saturated vapor pressure at a heated temperature.

また、上記容器１３１とは別に成膜室１０２のチャンバ１０２が設けられ、このチャンバ１０２を排気する真空ポンプ１０３が設けられ、上記容器１３１に設けられた開口部１３６はこのチャンバ１０２に連通しているので、容器１３１内を所定の真空にすることができる。そして、成膜材料容器１３３から成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態にある気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が供給されるので、容器１３１内を気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が一定の蒸気圧、本実施の形態では飽和蒸気圧、で存在する真空の状態とすることができる。 In addition to the container 131, a chamber 102 of the film forming chamber 102 is provided, and a vacuum pump 103 that exhausts the chamber 102 is provided. An opening 136 provided in the container 131 communicates with the chamber 102. Therefore, the inside of the container 131 can be set to a predetermined vacuum. Then, since the gaseous film forming material (CuPC) in equilibrium with the film forming material 135 (CuPC) is supplied from the film forming material container 133, the gaseous film forming material (CuPC) is contained in the container 131. A vacuum state existing at a constant vapor pressure, that is, a saturated vapor pressure in this embodiment, can be obtained.

そして、回転ドラム１１０によって基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６の最外部１３１ｂよりも内側に位置させるので、容器１３１内を気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が一定の蒸気圧、本実施の形態では飽和蒸気圧、で存在する真空内で、気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）の流れがない箇所に基板１１の被成膜面１１ａを位置させることができる。そして、この状態で基板１１の被成膜面１１ａに成膜材料（ＣｕＰＣ）を付着させて基板１１の被成膜面１１ａ上にＣｕＰＣ膜を成膜する。このように、気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）の流れがない箇所に基板１１の被成膜面１１ａを位置させているので、気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が３次元的に等方的に運動をしている箇所に基板１１の被成膜面１１ａを位置させることになり、成膜されたＣｕＰＣ膜の膜厚は非常に均一なものとなる。 Since the deposition surface 11a of the substrate 11 is positioned inside the outermost portion 131b of the opening 136 by the rotating drum 110, the gaseous deposition material (CuPC) in the container 131 has a constant vapor pressure, In the embodiment, the film-forming surface 11a of the substrate 11 can be positioned in a place where there is no flow of the gaseous film-forming material (CuPC) in the vacuum existing at the saturated vapor pressure. In this state, a film forming material (CuPC) is attached to the film formation surface 11 a of the substrate 11 to form a CuPC film on the film formation surface 11 a of the substrate 11. As described above, since the film-forming surface 11a of the substrate 11 is located at a location where there is no flow of the gaseous film-forming material (CuPC), the gaseous film-forming material (CuPC) is three-dimensionally isotropic. Therefore, the film-forming surface 11a of the substrate 11 is positioned at a place that is moving, and the film thickness of the formed CuPC film becomes very uniform.

次に、上記した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置１００を用いて、上記し
た有機エレクトロルミネッセンス素子１０を製造するための製造方法を図８を参照して説明する。 Next, a manufacturing method for manufacturing the above-described organic electroluminescence element 10 using the above-described organic electroluminescence element manufacturing apparatus 100 will be described with reference to FIG.

まず、基板１１として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂フィルムからなる長尺のフレキシブル基板を準備し、基板１１の表面にＩＴＯ（酸化インジウムスズ）１２を形成する。そして、ＩＴＯ２０が形成された基板１１をロール状にし、繰り出しローラ１８２、回転ドラム１１０、巻き取りローラ１９２にセットする。 First, a long flexible substrate made of a PET (polyethylene terephthalate) resin film is prepared as the substrate 11, and ITO (indium tin oxide) 12 is formed on the surface of the substrate 11. Then, the substrate 11 on which the ITO 20 is formed is rolled and set on the feeding roller 182, the rotating drum 110, and the take-up roller 192.

次に、回転ドラム１１０の外周面上を搬送されてくる基板１１に対し、ＣｕＰＣ膜成膜室１３０、αーＮＰＤ膜成膜室１４０、Ａｌｑ３膜成膜室１５０、ＬｉＦ膜成膜室１６０およびＡｌ膜成膜室１７０によって、順次ＣｕＰＣ膜１３、αーＮＰＤ膜１４、Ａｌｑ３膜１５、ＬｉＦ膜１６およびＡｌ膜１７を形成する。 Next, the CuPC film forming chamber 130, the α-NPD film forming chamber 140, the Alq3 film forming chamber 150, the LiF film forming chamber 160, and the substrate 11 conveyed on the outer peripheral surface of the rotating drum 110 In the Al film deposition chamber 170, the CuPC film 13, the α-NPD film 14, the Alq3 film 15, the LiF film 16, and the Al film 17 are formed in sequence.

（第２の実施の形態）
図９乃至図１１を参照して第２の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、基板１１を回転ドラム１１０の外周面上を搬送したが、本実施の形態では、基板１１を張り渡して直線状に移動させる点が第１の実施の形態と異なるが他の点は同じである。 (Second Embodiment)
A second embodiment will be described with reference to FIGS. In the first embodiment, the substrate 11 is transported on the outer peripheral surface of the rotary drum 110. However, in the present embodiment, the substrate 11 is stretched and moved linearly, which is different from the first embodiment. But the other points are the same.

（第３の実施の形態）
図１２乃至図１４を参照して第３の実施の形態を説明する。第２の実施の形態では、基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６の最外部１３１ｂよりも内側に位置させていたが、本実施の形態では、容器１３１の外面より突出する突出部２０１を基板１１の移動方向に沿って設けており、基板１１の被成膜面１１ａを突出部２０１の最外部２０１ｂよりも内側に位置させている点が第２の実施の形態と異なるが他の点は同じである。 (Third embodiment)
A third embodiment will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, the film formation surface 11a of the substrate 11 is positioned on the inner side of the outermost portion 131b of the opening 136. However, in the present embodiment, the protruding portion 201 that protrudes from the outer surface of the container 131 is used. Is different from the second embodiment in that the film formation surface 11a of the substrate 11 is positioned on the inner side of the outermost portion 201b of the protruding portion 201. The point is the same.

（第４の実施の形態）
図１５乃至図１８を参照して第４の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６の最外部１３１ｂよりも内側に位置させていたが、本実施の形態では、容器１３１の外面より突出する突出部２０１を設けており、基板１１の被成膜面１１ａを突出部２０１の最外部２０１ｂよりも内側に位置させている点が第１の実施の形態と異なるが他の点は同じである。 (Fourth embodiment)
A fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 15 to 18. In the first embodiment, the film formation surface 11 a of the substrate 11 is positioned on the inner side of the outermost portion 131 b of the opening 136, but in this embodiment, the protruding portion 201 that protrudes from the outer surface of the container 131. Is different from the first embodiment in that the film formation surface 11a of the substrate 11 is positioned on the inner side of the outermost part 201b of the protrusion 201, but the other points are the same.

（第５の実施の形態）
図１９、図２０を参照して第５の実施の形態を説明する。第１乃至第４の実施の形態では、容器１３１の底面１３１ａに開口部１３６を設け、基板１１の被成膜面１１ａを開口部１３６内に位置させていたが、本実施の形態では、容器１３１の底面１３１ａには開口部は設けず、容器１３１の互いに対向する側面１３１ｂに開口部２１２をそれぞれ設け、位置手段（図示せず）によって被成膜体である平板状の基板１１を２つの開口部２１２を貫通させて容器１３１内へ位置させ、２つの開口部２１２をチャンバ２１２内に位置させている点が第１乃至第４の実施の形態と異なるが他の点は同様である。本実施の形態では、容器１３１内にある基板１１の周囲に成膜することができる。さらに、位置手段（図示せず）によって被成膜体を一方の開口部２１２から他方の開口部２１２に向かって移動させれば、基板１１に連続して成膜することができる。 (Fifth embodiment)
A fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 19 and 20. In the first to fourth embodiments, the opening 136 is provided in the bottom surface 131a of the container 131 and the film formation surface 11a of the substrate 11 is positioned in the opening 136. However, in the present embodiment, the container An opening is not provided on the bottom surface 131a of the 131, but an opening 212 is provided on each side surface 131b of the container 131, and two plate-like substrates 11 that are film formation bodies are attached by a positioning means (not shown). The second embodiment is the same as the first to fourth embodiments except that the opening 212 is inserted into the container 131 and the two openings 212 are positioned in the chamber 212. In this embodiment mode, a film can be formed around the substrate 11 in the container 131. Furthermore, if the deposition target is moved from one opening 212 toward the other opening 212 by a positioning means (not shown), the film can be continuously formed on the substrate 11.

（第６の実施の形態）
図２１、図２２を参照して第６の実施の形態を説明する。第５の実施の形態では、基板１１は平板状であったが、本実施の形態では、基板１１は棒状である点が第５の実施の形態と異なるが他の点は同じである。 (Sixth embodiment)
A sixth embodiment will be described with reference to FIGS. In the fifth embodiment, the substrate 11 has a flat plate shape. However, in this embodiment, the substrate 11 is different from the fifth embodiment in that it is rod-shaped, but the other points are the same.

（第７の実施の形態）
図２３、図２４を参照して第７の実施の形態を説明する。第５の実施の形態では、基板１１は平板状であったが、本実施の形態では、基板１１は筒状である点が第５の実施の形態と異なるが他の点は同じである。 (Seventh embodiment)
The seventh embodiment will be described with reference to FIGS. In the fifth embodiment, the substrate 11 has a flat plate shape. However, in this embodiment, the substrate 11 is different from the fifth embodiment in that it is cylindrical, but the other points are the same.

（第８の実施の形態）
図２５を参照して第８の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、成膜材料容器１３３の上側開口を閉じる蓋１３４であって、上下移動可能な蓋１３４を備えており、成膜しない時には、蓋１３４によって成膜材料容器１３３の上側開口を閉じることによって成膜材料が不必要に消費されるのを防止していたが、本実施の形態では、蓋１３４は設けず、成膜材料容器１３３の基板１１が配置される側の空間１３２ａと成膜材料容器１３３側の空間２４４とを隔てる隔壁２４０を成膜材料容器１３３に設け、隔壁２４０と容器１３０の上面１３１ｃとの間に隙間２４１を設けている点が第１の実施の形態と異なるが他の点は同様である。このような構造にすれば、隙間２４１を介して、成膜に必要十分な量の成膜材料を基板１１の被成膜面１１ａに供給できる。なお、本実施の形態でも、ヒータ１３７によって加熱された温度において、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態、すなわち、飽和の状態にある気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）がこの容器１３１内の空間２４４および１３２ａに存在する、すなわち、容器１３１内の空間２４４および１３２ａには、加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）が存在している点も第１の実施の形態と同じである。 (Eighth embodiment)
The eighth embodiment will be described with reference to FIG. In the first embodiment, the lid 134 closes the upper opening of the film forming material container 133 and includes a cover 134 that can be moved up and down. Although the film formation material is prevented from being consumed unnecessarily by closing the opening, in this embodiment, the lid 134 is not provided, and the space on the side where the substrate 11 of the film formation material container 133 is disposed. The first embodiment is that a partition wall 240 that separates the space 132a from the film forming material container 133 side is provided in the film forming material container 133, and a gap 241 is provided between the partition wall 240 and the upper surface 131c of the container 130. Although it is different from the form, the other points are the same. With such a structure, a sufficient amount of film forming material necessary for film formation can be supplied to the film formation surface 11 a of the substrate 11 through the gap 241. Note that in this embodiment also, the gaseous film-forming material (CuPC) that is in equilibrium with the film-forming material 135 (CuPC) at the temperature heated by the heater 137, that is, a saturated state, is contained in the container 131. It is also the first point that a gaseous film forming material (CuPC) is present in the space 244 and 132a in the container 131, that is, in the space 244 and 132a in the container 131 at a saturated vapor pressure at a heated temperature. This is the same as the embodiment.

（第９の実施の形態）
図２６を参照して第９の実施の形態を説明する。第８の実施の形態の成膜室１３０に対して、容器１３１の側壁１３１ｄに、気体供給管２４３をさらに設けた点が第８の実施の形態と異なるが、他の点は同じである。気体供給管２４３からは、成膜材料１３５と反応しない気体、例えば、Ａｒ等を供給する。このようにすれば、ヒータ１３７によって加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料（ＣｕＰＣ）を気体供給管２４３に供給される気体によって、空間２４４から空間１３２ａに運ぶことができる。 (Ninth embodiment)
A ninth embodiment will be described with reference to FIG. Although the point which further provided the gas supply pipe | tube 243 in the side wall 131d of the container 131 with respect to the film-forming chamber 130 of 8th Embodiment differs from 8th Embodiment, the other point is the same. A gas that does not react with the film forming material 135, such as Ar, is supplied from the gas supply pipe 243. In this way, the gaseous film-forming material (CuPC) can be carried from the space 244 to the space 132a by the gas supplied to the gas supply pipe 243 at the saturated vapor pressure at the temperature heated by the heater 137.

（第１０の実施の形態）
図２７を参照して第１０の実施の形態を説明する。第１の実施の形態では、成膜材料容器１３３と基板１１が配置される側の空間とが一つの容器１３１内に設けられていたが、本実施の形態では、基板１１が配置される成膜容器２５１と成膜材料１３５が配置される成膜材料容器２６１とを別々のものとしている。ＣｕＰＣ膜成膜室１３０は、成膜容器２５１を有する成膜室２５０と、成膜容器２５１内を加熱するヒータ１３７と、成膜材料容器２６１を有する成膜材料供給室２６０と、成膜材料容器２６１内を加熱するヒータ１３８と、を備えている。 (Tenth embodiment)
The tenth embodiment will be described with reference to FIG. In the first embodiment, the film forming material container 133 and the space on the side where the substrate 11 is disposed are provided in one container 131. However, in this embodiment, the substrate 11 is disposed. The film container 251 and the film forming material container 261 in which the film forming material 135 is disposed are separated. The CuPC film deposition chamber 130 includes a deposition chamber 250 having a deposition container 251, a heater 137 for heating the deposition container 251, a deposition material supply chamber 260 having a deposition material container 261, and a deposition material. And a heater 138 for heating the inside of the container 261.

成膜容器２５０の底面１３１ａには開口部１３６が設けられている。回転ドラム１１０が、この開口部１３６に配置され、それによって、回転ドラム１１０の外周面上に位置している基板１１の被成膜面１１ａが、開口部１３６の最外部、すなわち、本実施の形態では、底面１３１ａの最外部である表面１３１ｂ（図７参照）よりも内側に位置している。基板１１は、回転ドラム１１０が左回りに回転するにつれて、一方向１３１ｘ（紙面の裏側から表側）に移動する。 An opening 136 is provided on the bottom surface 131 a of the film formation container 250. The rotating drum 110 is disposed in the opening 136, whereby the deposition surface 11 a of the substrate 11 located on the outer peripheral surface of the rotating drum 110 is the outermost portion of the opening 136, that is, in the present embodiment. In the form, it is located on the inner side of the outermost surface 131b (see FIG. 7) of the bottom surface 131a. As the rotating drum 110 rotates counterclockwise, the substrate 11 moves in one direction 131x (from the back side to the front side).

成膜材料容器２６１内には、成膜材料１３５が置かれている。成膜材料容器２６１と成膜容器２５１との間には、管２６６が成膜材料容器２６１の側面２６２と成膜容器２５０の側面２５２とを貫通して設けられ、管２６６によって、成膜材料容器２６１内の空間２６４と成膜容器２５１内の空間２５４とを連通している。成膜材料容器２６１の側面２６３を貫通して気体供給管２６５が設けられている。気体供給管２６５からは、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と反応しない気体、例えば、Ａｒが供給される。 A film forming material 135 is placed in the film forming material container 261. A tube 266 is provided between the film forming material container 261 and the film forming container 251 so as to pass through the side surface 262 of the film forming material container 261 and the side surface 252 of the film forming container 250. A space 264 in the container 261 communicates with a space 254 in the film forming container 251. A gas supply pipe 265 is provided through the side surface 263 of the film forming material container 261. A gas that does not react with the film forming material 135 (CuPC), for example, Ar is supplied from the gas supply pipe 265.

制御部３００は、ヒータ１３７および成膜容器２５１内の温度を測定する温度計（図示せず）と信号線３１０で接続され、当該温度計から温度の信号を受け取り、それに応じてヒータ１３７を制御して、成膜容器２５１内を所定の温度に制御する。制御部３００は、また、ヒータ１３８および成膜材料容器２６１内の温度を測定する温度計（図示せず）と信号線３１１で接続され、当該温度計から温度の信号を受け取り、それに応じてヒータ１３８を制御して、成膜材料容器２６１内を所定の温度に制御する。 The control unit 300 is connected to a heater 137 and a thermometer (not shown) for measuring the temperature in the film formation container 251 through a signal line 310, receives a temperature signal from the thermometer, and controls the heater 137 accordingly. Then, the inside of the film forming container 251 is controlled to a predetermined temperature. The control unit 300 is also connected to a thermometer (not shown) for measuring the temperature in the heater 138 and the film forming material container 261 through a signal line 311, receives a temperature signal from the thermometer, and accordingly the heater 138 is controlled to control the inside of the film forming material container 261 to a predetermined temperature.

このように、成膜材料容器２６１内はヒータ１３８によって所定の温度に加熱されるので、加熱された温度において、成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）と平衡な状態、すなわち、飽和の状態にある気体状の成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）がこの成膜材料容器２６１内の空間２６４に存在する。すなわち、成膜材料容器２６１内の空間２６４には、加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）が存在している。そして、気体供給管２６５から供給された気体と共に、ヒータ１３８によって加熱された温度における飽和蒸気圧で気体状の成膜材料１３５（ＣｕＰＣ）が管２６６を介して、成膜容器２５１内の空間２５４内に供給され、基板１１の被成膜面１１ａに成膜される。 As described above, since the film forming material container 261 is heated to a predetermined temperature by the heater 138, it is in a state of equilibrium with the film forming material 135 (CuPC) at the heated temperature, that is, in a saturated state. The film forming material 135 (CuPC) is present in the space 264 in the film forming material container 261. That is, in the space 264 in the film forming material container 261, the gaseous film forming material 135 (CuPC) is present at the saturated vapor pressure at the heated temperature. Then, together with the gas supplied from the gas supply pipe 265, the gaseous film forming material 135 (CuPC) at the saturated vapor pressure at the temperature heated by the heater 138 is passed through the pipe 266 to the space 254 in the film forming container 251. The film is formed on the film formation surface 11 a of the substrate 11.

成膜容器２５１内はヒータ１３７によって所定の温度に加熱されるので、成膜材料容器２６１内の温度と、成膜容器２５１内の温度とを異なるものとすることができる。すなわち、成膜温度を、成膜材料の蒸気圧を決定する温度とを異なるものとすることができる。なお、本実施の形態では、成膜材料の凝縮や凝固を防止するために、成膜容器２５１内の温度を成膜材料容器２６１内の温度以上とすることが好ましい。 Since the inside of the film forming container 251 is heated to a predetermined temperature by the heater 137, the temperature in the film forming material container 261 and the temperature in the film forming container 251 can be different. That is, the film formation temperature can be different from the temperature that determines the vapor pressure of the film formation material. Note that in this embodiment mode, the temperature in the film formation container 251 is preferably equal to or higher than the temperature in the film formation material container 261 in order to prevent condensation and solidification of the film formation material.

（第１１の実施の形態）
図２８を参照して第１０の実施の形態を説明する。第１０の実施の形態の管２６６に対して、気体供給管２６７をさらに接続して設けた点が第１０の実施の形態と異なるが、他の点は同じである。気体供給管２６７からは、成膜材料１３５と反応しない気体、例えば、Ａｒ等を供給する。 (Eleventh embodiment)
The tenth embodiment will be described with reference to FIG. Although the point which provided further connecting the gas supply pipe | tube 267 with respect to the pipe | tube 266 of 10th Embodiment differs from 10th Embodiment, the other point is the same. A gas that does not react with the film forming material 135, such as Ar, is supplied from the gas supply pipe 267.

このようにすれば、成膜材料１３５は、（成膜材料容器２６１内の温度における飽和蒸気圧）×（気体供給管２６５から供給される気体の流量）／（気体供給管２６５から供給される気体の流量＋気体供給管２６７から供給される気体の流量）の蒸気圧で成膜容器２５１内の空間２５４内に供給され、基板１１の被成膜面１１ａに成膜される。 In this way, the film forming material 135 is supplied from (the saturated vapor pressure at the temperature in the film forming material container 261) × (the flow rate of the gas supplied from the gas supply pipe 265) / (the gas supply pipe 265). The vapor pressure of the gas flow rate + the gas flow rate supplied from the gas supply pipe 267 is supplied into the space 254 in the film formation container 251, and is formed on the film formation surface 11 a of the substrate 11.

本実施の形態では、成膜容器２５１内に供給される気体状の成膜材料１３５の蒸気圧を、ヒータ１３８によって加熱された成膜材料容器２６１内の温度だけでなく、気体供給管２６５から供給される気体の流量と気体供給管２６７から供給される気体の流量とによっても制御することができるようになる。本実施の形態では、成膜材料容器２６１内の温度と、成膜容器２５１内の温度とを異なるものとすることができるが、気体供給管２６７から供給される気体によって、成膜容器２５１内に供給される気体状の成膜材料１３５の蒸気圧を成膜材料容器２６１内の温度における飽和蒸気圧よりも下げることができるので、成膜材料の凝縮や凝固を防止するために、成膜容器２５１内の温度を成膜材料容器２６１内の温度以上とする必要はなくなり、成膜容器２５１内の温度を成膜材料容器２６１内の温度以上とすることも可能となる。 In this embodiment mode, the vapor pressure of the gaseous film forming material 135 supplied into the film forming container 251 is changed not only from the temperature inside the film forming material container 261 heated by the heater 138 but also from the gas supply pipe 265. Control is also possible by the flow rate of the gas supplied and the flow rate of the gas supplied from the gas supply pipe 267. In this embodiment mode, the temperature in the film formation material container 261 and the temperature in the film formation container 251 can be different. However, the gas supplied from the gas supply pipe 267 causes the inside of the film formation container 251 to be different. Since the vapor pressure of the gaseous film-forming material 135 supplied to the film can be lower than the saturated vapor pressure at the temperature in the film-forming material container 261, film formation is prevented in order to prevent condensation and solidification of the film-forming material. The temperature in the container 251 does not need to be higher than the temperature in the film forming material container 261, and the temperature in the film forming container 251 can be higher than the temperature in the film forming material container 261.

なお、以上の各実施の形態では、成膜材料容器１３３や成膜材料容器２６１に置かれる成膜材料は、その材料や成膜材料容器１３３や成膜材料容器２６１の温度に応じて、液体状または固体状である。 In each of the above embodiments, the film forming material placed in the film forming material container 133 or the film forming material container 261 is a liquid according to the temperature of the material or the film forming material container 133 or the film forming material container 261. Or solid.

１０有機エレクトロルミネッセンス素子
１１基板
１２ＩＴＯ（陽極）
１３ＣｕＰＣ（正孔注入層）
１４ αーＮＰＤ（正孔輸送層）
１５Ａｌｑ３（発光および電子輸送層）
１６ＬｉＦ（電子注入層）
１７Ａｌ（陰極）
１００有機エレクトロルミネッセンス素子製造装置
１０１成膜室
１０２チャンバ
１０３真空ポンプ
１０４壁
１０５、１０６連通孔
１１０回転ドラム
１３０ＣｕＰＣ膜成膜室
１３１容器
１３１ａ底面
１３１ｂ、１３１ｄ側面
１３１ｃ上面
１３２、１３２ａ空間
１３３成膜材料容器
１３４蓋
１３５成膜材料
１３６開口部
１３７、１３８ヒータ
１４０ αーＮＰＤ膜成膜室
１５０Ａｌｑ３膜成膜室
１６０ＬｉＦ膜成膜室
１７０Ａｌ膜成膜室
１８０基板繰り出し室
１８１チャンバ
１８２繰り出しローラ
１８３ガイドローラ
１８４、１８５ローラ
１８６真空ポンプ
１９０基板巻き取り室
１９１チャンバ
１９２巻き取りローラ
１９３ガイドローラ
１９４真空ポンプ
２１２開口部
２４０隔壁
２４１隙間
２４３、２６５、２６７気体供給管
２４４空間
２５０成膜室
２５１成膜容器
２５２、２６２、２６３側面
２５４、２６４空間
２６０成膜材料供給室
２６１成膜材料容器
２６６管
３００制御部
３０１〜３１１信号線 10 Organic Electroluminescence Element 11 Substrate 12 ITO (Anode)
13 CuPC (hole injection layer)
14 α-NPD (Hole Transport Layer)
15 Alq3 (light emission and electron transport layer)
16 LiF (electron injection layer)
17 Al (cathode)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Organic electroluminescent element manufacturing apparatus 101 Film formation chamber 102 Chamber 103 Vacuum pump 104 Wall 105, 106 Communication hole 110 Rotary drum 130 CuPC film film formation chamber 131 Container 131a Bottom surface 131b, 131d Side surface 131c Upper surface 132, 132a Space 133 Film formation material Container 134 Lid 135 Film forming material 136 Opening 137, 138 Heater 140 α-NPD film forming chamber 150 Alq3 film forming chamber 160 LiF film forming chamber 170 Al film forming chamber 180 Substrate feeding chamber 181 Chamber 182 Feeding roller 183 Guide roller 184, 185 Roller 186 Vacuum pump 190 Substrate winding chamber 191 Chamber 192 Winding roller 193 Guide roller 194 Vacuum pump 212 Opening 240 Partition 241 Clearance 243, 265, 267 Gas supply Tube 244 Space 250 deposition chamber 251 the deposition container 252,262,263 sides 254, 264 space 260 deposition material supply chamber 261 deposition material container 266 pipe 300 control unit 301 to 311 signal lines

Claims

容器と，
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器に設けられた開口部と、
被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置。 A container,
Heating means for heating the inside of the container;
A film-forming material supply unit that is provided in the container and in which a liquid or solid film-forming material is placed to supply the film-forming material in a gaseous state into the container;
An opening provided in the container;
Position means for positioning the film-forming body on the inner side of the outermost part of the opening;
A vacuum vessel communicating with the opening;
Exhaust means for exhausting the vacuum vessel;
A film forming apparatus comprising:

前記位置手段によって、前記被成膜体を一方向に、前記容器の外側から前記開口部へ移動させ、前記開口部から前記容器の外側へ移動させる請求項１記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the film forming body is moved in one direction from the outside of the container to the opening by the positioning means, and is moved from the opening to the outside of the container.

前記開口部の最外部は、前記容器の最外部である請求項１または２記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein an outermost part of the opening is an outermost part of the container.

前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出する突出部の最外部である請求項１または２記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein an outermost part of the opening is an outermost part of a protruding part protruding from an outer surface of the container.

前記開口部の最外部は、前記容器の外面より突出し、前記一方向に沿って延在する突出部の最外部である請求項２記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 2, wherein the outermost portion of the opening is an outermost portion of a protruding portion that protrudes from the outer surface of the container and extends along the one direction.

前記位置手段は、その表面に前記被成膜体が巻き掛けられる回転ドラムである請求項１乃至５のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the position unit is a rotating drum around which the film formation target body is wound.

前記位置手段は、前記開口部へ前記被成膜体を直線的に移動させる移動手段である請求項１乃至５のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein the position unit is a moving unit that linearly moves the film formation target to the opening.

容器と、
前記容器内を加熱する加熱手段と、
前記容器内に設けられ、液体状または固体状の成膜材料がその内部に置かれ、気体状となった前記成膜材料を前記容器内に供給する成膜材料供給部と、
前記容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部と、
被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて前記容器内へ位置させる位置手段と、
前記開口部と連通する真空容器と、
前記真空容器を排気する排気手段と、
を備える成膜装置。 A container,
Heating means for heating the inside of the container;
A film-forming material supply unit that is provided in the container and in which a liquid or solid film-forming material is placed to supply the film-forming material in a gaseous state into the container;
Two openings respectively provided on opposite sides of the container;
Position means for positioning the film formation body through the two openings and into the container;
A vacuum vessel communicating with the opening;
Exhaust means for exhausting the vacuum vessel;
A film forming apparatus comprising:

前記気体状となった成膜材料が前記容器内に前記成膜材料の飽和蒸気圧で存在する状態で成膜を行う請求項１乃至８のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1, wherein film formation is performed in a state where the gaseous film forming material is present in the container at a saturated vapor pressure of the film forming material.

容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置。 A container,
A film forming material supply means for supplying a gaseous film forming material having a constant vapor pressure to the container;
An opening provided in the container;
Evacuation means,
An exhaust path provided between the vacuum exhaust means and the opening;
A film forming apparatus comprising: positioning means for positioning a film forming body through the opening in the container;
A film forming apparatus in which no gas flows at a position where a film forming surface of the film forming body is positioned when the film forming body is positioned in the container by the positioning means.

容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器に設けられた開口部と、
真空排気手段と、
前記真空排気手段と前記開口部との間に設けられた排気経路と、
前記容器内に前記開口部を介して被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記位置手段によって前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置。 A container,
A film forming material supply means for supplying a gaseous film forming material having a constant vapor pressure to the container;
An opening provided in the container;
Evacuation means,
An exhaust path provided between the vacuum exhaust means and the opening;
A film forming apparatus comprising: positioning means for positioning a film forming body through the opening in the container;
When the film-forming body is positioned in the container by the positioning means, the gaseous film-forming material is three-dimensionally or the like at a position where the film-forming surface of the film-forming body is located. A film-forming device that is moving in a bilateral direction.

前記位置手段によって前記被成膜体を前記開口部の最外部よりも内側に位置させる請求項１０または１１記載の成膜装置。 12. The film forming apparatus according to claim 10, wherein the film forming body is positioned inside the outermost part of the opening by the positioning means.

前記開口部は、前記容器の互いに対向する側面にそれぞれ設けられた２つの開口部であり、前記位置手段によって前記被成膜体を前記２つの開口部を貫通させて位置させる請求項１０または１１記載の成膜装置。 12. The opening is two openings provided respectively on side surfaces of the container facing each other, and the film forming body is positioned through the two openings by the positioning means. The film-forming apparatus of description.

前記成膜材料供給手段が前記容器内に配置され、前記容器内を所定の温度に加熱する加熱手段をさらに備える請求項１０乃至１３のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 10, further comprising a heating unit that is disposed in the container and that heats the inside of the container to a predetermined temperature.

前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記所定の温度における飽和蒸気圧である請求項１４記載の成膜装置。 15. The film forming apparatus according to claim 14, wherein the constant vapor pressure is a saturated vapor pressure of the film forming material at the predetermined temperature.

前記成膜材料供給手段が前記容器の外部に配置され、前記容器内を第１の所定の温度に加熱する第１の加熱手段および前記成膜材料供給手段を第２の所定の温度に加熱する第２の加熱手段をさらに備える請求項１０乃至１３のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming material supply means is disposed outside the container, and the first heating means for heating the inside of the container to a first predetermined temperature and the film forming material supply means are heated to a second predetermined temperature. The film forming apparatus according to claim 10, further comprising a second heating unit.

前記一定の蒸気圧は、前記成膜材料の前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧である請求項１６記載の成膜装置。 The film deposition apparatus according to claim 16, wherein the constant vapor pressure is a saturated vapor pressure of the film deposition material at the second predetermined temperature.

前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、前記第１の気体と共に、前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧で前記容器に供給される請求項１６記載の成膜装置。 The film forming material supply means includes a film forming material container in which the liquid or solid film forming material is placed, and a first gas that does not react with the film forming material. The gas film forming material having a constant vapor pressure is supplied to the container at a saturated vapor pressure at the second predetermined temperature together with the first gas. 16. The film forming apparatus according to 16.

前記成膜材料供給手段は、液体状または固体状の前記成膜材料がその内部に置かれる成膜材料容器と、前記成膜材料と反応しない第１の気体を成膜材料容器に供給する第１の気体供給手段と、前記成膜材料と反応しない第２の気体を成膜材料容器の下流に供給する第２の気体供給手段とを備え、前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料は、（前記第２の所定の温度における飽和蒸気圧）×（前記第１の気体の流量）／（前記第１の気体の流量＋前記第２の気体の流量）の蒸気圧で前記容器に供給される請求項１６記載の成膜装置。 The film forming material supply means includes a film forming material container in which the liquid or solid film forming material is placed, and a first gas that does not react with the film forming material. 1 gas supply means, and a second gas supply means for supplying a second gas that does not react with the film forming material downstream of the film forming material container, the gaseous film forming material having the constant vapor pressure. Is (saturated vapor pressure at the second predetermined temperature) × (flow rate of the first gas) / (flow rate of the first gas + flow rate of the second gas) in the container. The film forming apparatus according to claim 16, which is supplied.

容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所には、気体の流れがない成膜装置。 A container,
A film forming material supply means for supplying a gaseous film forming material having a constant vapor pressure to the container;
A film forming apparatus comprising: positioning means for positioning the film forming body in the container;
A film forming apparatus in which no gas flows at a position where a film forming surface of the film forming body is positioned when the film forming body is positioned in the container.

容器と、
一定の蒸気圧の気体状の成膜材料を前記容器に供給する成膜材料供給手段と、
前記容器内に被成膜体を位置させる位置手段と、を備えた成膜装置であって、
前記容器内に前記被成膜体を位置させた際に、前記被成膜体の被成膜面が位置している箇所では前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている成膜装置。 A container,
A film forming material supply means for supplying a gaseous film forming material having a constant vapor pressure to the container;
A film forming apparatus comprising: positioning means for positioning the film forming body in the container;
When the film-forming body is positioned in the container, the gaseous film-forming material moves three-dimensionally isotropically at the position where the film-forming surface of the film-forming body is located. A film forming apparatus.

前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である請求項１乃至２１のいずれかに記載の成膜装置。 The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 21, wherein the film forming material is a material constituting an organic electroluminescence element.

気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料の流れがない箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法。 A film-forming body is positioned in a vacuum where a gaseous film-forming material exists at a constant vapor pressure, and there is no flow of the gaseous film-forming material, and the film-forming material is formed on the film-forming body. A film forming method in which a material is attached to form a film.

気体状の成膜材料が一定の蒸気圧で存在する真空内であって、前記気体状の成膜材料が３次元的に等方的に運動をしている箇所に被成膜体を位置させ、前記被成膜体に前記成膜材料を付着させて成膜する成膜方法。 The deposition target is positioned in a vacuum where the gaseous film-forming material exists at a constant vapor pressure, and the gaseous film-forming material moves three-dimensionally isotropically. A film forming method for forming a film by attaching the film forming material to the film forming body.

前記気体状の成膜材料が容器内に前記一定の蒸気圧で存在し、前記容器内には前記一定の蒸気圧の気体状の成膜材料が供給されると共に、前記容器は排気されている請求項２３または２４記載の成膜方法。 The gaseous film-forming material is present in the container at the constant vapor pressure, the gas film-forming material having the constant vapor pressure is supplied into the container, and the container is evacuated. The film forming method according to claim 23 or 24.

前記一定の蒸気圧は前記成膜材料の飽和蒸気圧である請求項２３乃至２５のいずれかに記載の成膜方法。 26. The film forming method according to claim 23, wherein the constant vapor pressure is a saturated vapor pressure of the film forming material.

前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する材料である請求項２３乃至２６のいずれかに記載の成膜方法。 27. The film forming method according to claim 23, wherein the film forming material is a material constituting an organic electroluminescent element.