JP2011068970A - Apparatus and method for producing functional film - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and method for producing a functional film where, when a film is deposited on a long-length substrate while winding the substrate around a drum and carrying the same to a longitudinal direction, even in the case a high bias potential is applied to a drum, a film of high quality can be continuously deposited with high efficiency, and damage of the production apparatus can be prevented. <P>SOLUTION: The functional film production apparatus comprises: a ground plate as a conductive plate to be grounded which is provided so as to be confronted with the edge face of a drum; and an insulating member arranged between the edge face of the drum and the ground plate. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、機能性フィルムの製造等に好適な機能膜の製造装置および製造方法に関する。   The present invention relates to a functional film manufacturing apparatus and manufacturing method suitable for manufacturing a functional film.

現在、液晶ディスプレイおよび有機ＥＬディスプレイなどの表示装置、光学素子、半導体装置、または薄膜太陽電池など、各種の装置に、ガスバリアフィルム、保護フィルム、光学フィルタ、反射防止フィルム等の光学フィルムなど、各種の機能性フィルム（機能性シート）が利用されている。
また、これらの機能性フィルムの製造に、スパッタリングやプラズマＣＶＤ等の真空成膜法による成膜（薄膜形成）が利用されている。 Currently, various devices such as liquid crystal displays and organic EL displays, various devices such as optical elements, semiconductor devices, thin film solar cells, gas barrier films, protective films, optical filters, antireflection films and other optical films. Functional films (functional sheets) are used.
In addition, film formation (thin film formation) by a vacuum film formation method such as sputtering or plasma CVD is used for manufacturing these functional films.

真空成膜法によって、効率良く、高い生産性を確保して成膜を行なうためには、長尺な基板に連続的に成膜を行なうのが好ましい。
このような成膜を実施する成膜装置としては、長尺な基板（ウェブ状の基板）をロール状に巻回してなる供給ロールと、成膜済の基板をロール状に巻回する巻取りロールとを用いる、いわゆるロール・ツー・ロール(Roll to Roll)の成膜装置が知られている。このロール・ツー・ロールの成膜装置は、基板に成膜を行なう成膜室を通過する所定の経路で、供給ロールから巻取りロールまで長尺な基板を挿通し、供給ロールからの基板の送り出しと、巻取りロールによる成膜済基板の巻取りとを同期して行いつつ、成膜室において、搬送される基板に連続的に成膜を行なう。
また、このようなロール・ツー・ロールの成膜装置では、真空チャンバ内に円筒状のドラムを設け、この周面に対面する位置に電極や反応ガス供給手段等の成膜手段を設けると共に、ドラムの周面に基板を巻き掛けて搬送しつつ、成膜手段によって連続的に成膜を行なう装置も知られている。 In order to perform film formation efficiently and with high productivity by the vacuum film formation method, it is preferable to perform film formation continuously on a long substrate.
As a film forming apparatus for carrying out such film formation, a supply roll obtained by winding a long substrate (web-like substrate) in a roll shape, and a winding for winding a film-formed substrate in a roll shape. A so-called roll-to-roll film forming apparatus using a roll is known. This roll-to-roll film forming apparatus inserts a long substrate from a supply roll to a take-up roll through a predetermined path passing through a film formation chamber for forming a film on the substrate, and removes the substrate from the supply roll. While the feeding and the winding of the film-formed substrate by the winding roll are performed in synchronism, the film is continuously formed on the conveyed substrate in the film forming chamber.
Further, in such a roll-to-roll film forming apparatus, a cylindrical drum is provided in the vacuum chamber, and film forming means such as an electrode and a reactive gas supply means are provided at a position facing the peripheral surface, An apparatus is also known in which a film is continuously formed by a film forming unit while a substrate is wound around a drum and conveyed.

例えば、特許文献１には、一つのチャンバ内に、第１および第２巻き取りローラと、複数のドラム（成膜ローラ）とを有し、基板（被成膜テープ）が、第１巻き取りローラに巻き取られる方向と、第２巻き取りローラに巻き取られる方向とに走行するようにされ、ドラム各々に対応して配置された、ＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ部が、それぞれ個別に制御されるようにしたＣＶＤ装置が記載されている。
また、特許文献２には、連続した基板（フレキシブル基体）を、真空槽内に配置した回転ドラムに沿って走行させながら、ＲＦ発信器によるＲＦプラズマとマイクロ波プラズマとを併用したプラズマ中にさらすことによって、連続的に薄膜を形成する連続プラズマＣＶＤ法が記載されている。 For example, Patent Document 1 includes first and second take-up rollers and a plurality of drums (film formation rollers) in one chamber, and a substrate (film formation tape) is provided on the first take-up roll. A CVD unit that forms a CVD film and that is arranged corresponding to each of the drums is individually controlled to travel in a direction wound around the roller and a direction wound around the second take-up roller. A CVD apparatus adapted for this is described.
In Patent Document 2, a continuous substrate (flexible substrate) is exposed to plasma using both RF plasma and microwave plasma by an RF transmitter while traveling along a rotating drum disposed in a vacuum chamber. Thus, a continuous plasma CVD method for continuously forming a thin film is described.

この特許文献１および特許文献２には、ＣＣＰ−ＣＶＤ（容量結合型プラズマＣＶＤ）において、基板を搬送するドラムを、プラズマ励起電力を供給されるメイン電極の対向電極として作用させると共に、ドラムにＲＦ電源を接続して、バイアス電位を印加することにより、成膜効率を向上し、また、成膜する膜の膜質を向上させることが記載されている。また、ドラムをメイン電極としてプラズマ励起電力を供給してもよいことも記載されている。   In Patent Document 1 and Patent Document 2, in CCP-CVD (capacitive coupling type plasma CVD), a drum for transporting a substrate acts as a counter electrode of a main electrode to which plasma excitation power is supplied, and RF is applied to the drum. It is described that, by connecting a power source and applying a bias potential, the film formation efficiency is improved and the film quality of the film to be formed is improved. It is also described that plasma excitation power may be supplied using a drum as a main electrode.

特願２００７−５０５９７１号公報Japanese Patent Application No. 2007-505971 特開２０００−２３９８４９号公報JP 2000-239849 A

プラズマＣＶＤ等によって成膜を行なう場合に、ウェブ状の基板に高品質な膜を効率よく連続成膜するためには、ドラムを大型化したり、ドラムに高いバイアス電位を印加するのが好ましい。特に、より高品質な膜を連続的に安定して形成するためには、ドラムおよび対向電極の両方に高電位を印加し、ドラムと対向電極との間のバイアス電圧をより高くする必要がある。
しかしながら、引用文献１および引用文献２のようにドラムに高電位を印加すると、ドラムの端面と製造装置の壁面（チャンバ壁面）等との間で異常放電が発生してしまうため、成膜のためのプラズマ形成が不安定になり、これに起因して成膜された膜の品質が低下したり、また、異常放電のダメージによって製造装置が損傷したりする場合がある。 When film formation is performed by plasma CVD or the like, it is preferable to enlarge the drum or apply a high bias potential to the drum in order to efficiently and continuously form a high-quality film on a web-like substrate. In particular, in order to continuously and stably form a higher quality film, it is necessary to apply a high potential to both the drum and the counter electrode and to increase the bias voltage between the drum and the counter electrode. .
However, when a high potential is applied to the drum as in Cited Document 1 and Cited Document 2, abnormal discharge occurs between the end surface of the drum and the wall surface (chamber wall surface) of the manufacturing apparatus. The plasma formation becomes unstable, and the quality of the deposited film may be deteriorated due to this, or the manufacturing apparatus may be damaged due to the abnormal discharge damage.

本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解消し、長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ドラムに電力を供給して成膜を行なう場合であっても、ドラムからの異常放電を抑制することにより、高品質な膜を効率よく連続成膜することができ、かつ、製造装置の損傷を防止することができる機能膜の製造装置および製造方法を提供することにある。   The object of the present invention is to solve the problems of the prior art, and even if a long substrate is transported in the longitudinal direction and power is supplied to the drum to form a film, abnormal discharge from the drum is caused. It is an object of the present invention to provide a functional film manufacturing apparatus and a manufacturing method that can efficiently and continuously form a high-quality film and prevent damage to the manufacturing apparatus.

上記課題を解決するために、本発明は、長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、前記基板に成膜を行なう機能膜の製造装置であって、前記基板を周面の所定領域に巻き掛けて搬送する円筒状のドラムと、前記ドラムに電位を印加する電源と、前記ドラムの周面に対面して設けられる成膜手段と、前記ドラムの端面に対面して設けられる、接地される導電性の板であるアース板と、前記ドラムの端面と前記アース板との間に配置される絶縁部材とを有することを特徴とする機能膜の製造装置を提供するものである。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides a functional film manufacturing apparatus for forming a film on a substrate while transporting a long substrate in the longitudinal direction, and winding the substrate around a predetermined area on a peripheral surface. A cylindrical drum that is hung and conveyed, a power source that applies a potential to the drum, a film forming unit that is provided to face the peripheral surface of the drum, and a ground that is provided to face an end surface of the drum The present invention provides an apparatus for producing a functional film, comprising: a ground plate which is a conductive plate; and an insulating member disposed between the end face of the drum and the ground plate.

ここで、前記アース板と前記ドラムの端面との隙間が５ｍｍ以下であることが好ましい。
また、前記絶縁部材が前記アース板に貼着されることが好ましい。
また、前記絶縁部材がフッ素樹脂で形成されることが好ましい。
また、前記成膜手段がプラズマＣＶＤによって前記基板に成膜を行なうことが好ましい。
また、前記ドラムの温度調節手段を有することが好ましい。 Here, it is preferable that a gap between the ground plate and the end surface of the drum is 5 mm or less.
Further, it is preferable that the insulating member is attached to the ground plate.
Moreover, it is preferable that the said insulation member is formed with a fluororesin.
The film forming means preferably forms a film on the substrate by plasma CVD.
Further, it is preferable to have temperature control means for the drum.

また、本発明は、長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ドラムの周面の所定領域に巻き掛けて、前記ドラムの周面に対面して設けられる成膜手段によって前記基板に成膜を行なう機能膜の製造方法であって、前記ドラムに電位を印加するとともに、前記ドラムの端面に対面して設けられる、接地される導電性の板であるアース板と、前記ドラムの端面と前記アース板との間に配置される絶縁部材とを有して成膜を行なうことを特徴とする機能膜の製造方法を提供するものである。   Further, the present invention provides a film forming means for forming a film on the substrate by means of a film forming means provided so as to face the peripheral surface of the drum while winding the long substrate in the longitudinal direction and winding it around a predetermined region of the peripheral surface of the drum. And a ground plate, which is a conductive plate to be grounded, applied to the drum and facing the end surface of the drum, and an end surface of the drum, The present invention provides a method for producing a functional film, characterized in that a film is formed with an insulating member disposed between the ground plate and the ground plate.

ここで、前記アース板と前記ドラムの端面との隙間が５ｍｍ以下であることが好ましい。
また、前記絶縁部材が前記アース板に貼着されることが好ましい。
また、前記絶縁部材がフッ素樹脂で形成されることが好ましい。
また、前記成膜手段がプラズマＣＶＤによって前記基板に成膜を行なうことが好ましい。
また、前記ドラムの温度を調節して成膜を行なうことが好ましい。 Here, it is preferable that a gap between the ground plate and the end surface of the drum is 5 mm or less.
Further, it is preferable that the insulating member is attached to the ground plate.
Moreover, it is preferable that the said insulation member is formed with a fluororesin.
The film forming means preferably forms a film on the substrate by plasma CVD.
Further, it is preferable to perform film formation by adjusting the temperature of the drum.

本発明によれば、長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、基板に成膜を行なう際に、ドラムに高いバイアス電位を印加する場合でも、ドラムの端面と製造装置の壁面等との間で異常放電が発生することを抑制することができるので、成膜のためのプラズマ形成が不安定になり成膜された膜の品質が低下したり、製造装置が損傷したりすることを防止し、高品質な膜を効率よく連続成膜することができる。   According to the present invention, even when a high bias potential is applied to the drum when a long substrate is wound around the drum and conveyed in the longitudinal direction, and a high bias potential is applied to the drum, the end surface of the drum and the manufacturing apparatus Since it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge with the wall surface, etc., the plasma formation for film formation becomes unstable, and the quality of the formed film is deteriorated, or the manufacturing apparatus is damaged. Therefore, it is possible to efficiently and continuously form a high quality film.

本発明の機能膜の製造装置の一例を概念的に示す図である。It is a figure which shows notionally an example of the manufacturing apparatus of the functional film of this invention. 図１に示す機能膜の製造装置の一部を概念的に示す図である。It is a figure which shows notionally a part of manufacturing apparatus of the functional film shown in FIG.

以下、本発明の機能膜の製造装置および製造方法について、添付の図面に示される好適例を基に、詳細に説明する。   The functional film production apparatus and production method of the present invention will be described below in detail based on preferred examples shown in the accompanying drawings.

図１に、本発明の機能膜の製造装置の一例を概念的に示す。なお、図１においては、製造装置の構成を示すため、図中手前側の放電防止部材６２の図示を一部省略している。
図示例の機能膜の製造装置１０は、長尺な基板Ｚ（フィルム原反）を長手方向に搬送しつつ、この基板Ｚの表面にプラズマＣＶＤによって各種の機能膜を成膜（製造／形成）して、機能性フィルムを製造するものである。
また、この製造装置１０は、長尺な基板Ｚをロール状に巻回してなる基板ロール２０から基板Ｚを送り出し、長手方向に搬送しつつ機能膜を成膜して、機能膜を成膜した基板Ｚ（すなわち、機能性フィルム）をロール状に巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール(Roll to Roll)による成膜を行なう装置である。 FIG. 1 conceptually shows an example of the functional film manufacturing apparatus of the present invention. In FIG. 1, in order to show the configuration of the manufacturing apparatus, the discharge prevention member 62 on the front side in the drawing is partially omitted.
The functional film manufacturing apparatus 10 in the illustrated example forms various functional films on the surface of the substrate Z by plasma CVD (manufacturing / forming) while transporting a long substrate Z (film original) in the longitudinal direction. Thus, a functional film is produced.
Further, the manufacturing apparatus 10 sends out the substrate Z from the substrate roll 20 formed by winding the long substrate Z into a roll shape, forms the functional film while transporting it in the longitudinal direction, and forms the functional film. This is an apparatus for forming a film by so-called roll to roll, in which the substrate Z (that is, a functional film) is wound into a roll.

なお、本発明において、基板Ｚには、特に限定はなく、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどの樹脂フィルム、金属フィルム等、プラズマＣＶＤによる成膜が可能な長尺なフィルム状物（シート状物）が、全て利用可能である。
また、樹脂フィルム等を基材として、平坦化層、保護層、密着層、反射層、反射防止層等の各種の機能を発現するための層（膜）を成膜してなるフィルム状物を、基板として用いてもよい。 In the present invention, the substrate Z is not particularly limited, and is a long film-like material (sheet-like material) that can be formed by plasma CVD, such as a resin film such as a PET (polyethylene terephthalate) film, a metal film, or the like. But all are available.
In addition, a film-like product obtained by forming a layer (film) for expressing various functions such as a flattening layer, a protective layer, an adhesion layer, a reflective layer, and an antireflection layer, using a resin film as a base material It may be used as a substrate.

前述のように、図１に示す製造装置１０は、長尺な基板Ｚを巻回してなる基板ロール２０から基板Ｚを送り出し、基板Ｚを長手方向に搬送しつつ機能膜を成膜して、再度、ロール状に巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロールによる成膜を行なう装置である。この製造装置１０は、供給室１２と、成膜室１４と、巻取り室１６とを有する。
なお、製造装置１０は、図示した部材以外にも、各種のセンサ、搬送ローラ対や基板Ｚの幅方向の位置を規制するガイド部材など、基板Ｚを所定の経路で搬送するための各種の部材（搬送手段）等、ロール・ツー・ロールによってプラズマＣＶＤによる成膜を行なう装置が有する各種の部材を有してもよい。加えて、プラズマＣＶＤによる成膜室が複数あってもよいし、プラズマＣＶＤ以外の蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタ等の何らかの成膜を行う成膜室やプラズマ処理等の表面処理室が１つ以上連結されていてもよい。 As described above, the manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 1 sends out the substrate Z from the substrate roll 20 formed by winding the long substrate Z, forms the functional film while conveying the substrate Z in the longitudinal direction, It is an apparatus that forms a film by so-called roll-to-roll, which is again wound into a roll. The manufacturing apparatus 10 includes a supply chamber 12, a film formation chamber 14, and a winding chamber 16.
In addition to the illustrated members, the manufacturing apparatus 10 includes various sensors, a pair of transport rollers, and a guide member that regulates the position in the width direction of the substrate Z, and various members for transporting the substrate Z along a predetermined path. You may have various members which the apparatus which forms into a film by plasma CVD by a roll-to-roll, such as (conveyance means). In addition, there may be a plurality of film forming chambers by plasma CVD, or one or more film forming chambers for performing some film forming such as vapor deposition other than plasma CVD, flash vapor deposition, and sputtering, or surface processing chambers for plasma processing are connected. May be.

供給室１２は、回転軸２４と、ガイドローラ２６と、真空排気手段２８とを有する。
長尺な基板Ｚを巻回した基板ロール２０は、供給室１２の回転軸２４に装填される。
回転軸２４に基板ロール２０が装填されると、基板Ｚは、供給室１２から、成膜室１４を通り、巻取り室１６の巻取り軸３０に至る所定の搬送経路を通される（送通される）。
製造装置１０においては、基板ロール２０からの基板Ｚの送り出しと、巻取り室１６の巻取り軸３０における基板Ｚの巻き取りとを同期して行なって、長尺な基板Ｚを所定の搬送経路で長手方向に搬送しつつ、成膜室１４において、基板Ｚに、プラズマＣＶＤによる機能膜の成膜を連続的に行なう。 The supply chamber 12 includes a rotating shaft 24, a guide roller 26, and a vacuum exhaust unit 28.
The substrate roll 20 around which the long substrate Z is wound is loaded on the rotation shaft 24 of the supply chamber 12.
When the substrate roll 20 is loaded on the rotating shaft 24, the substrate Z is passed through a predetermined transport path from the supply chamber 12 through the film forming chamber 14 to the winding shaft 30 of the winding chamber 16 (feeding). Passed through).
In the manufacturing apparatus 10, the feeding of the substrate Z from the substrate roll 20 and the winding of the substrate Z on the winding shaft 30 of the winding chamber 16 are performed in synchronization with each other to transfer a long substrate Z to a predetermined transport path. The functional film is continuously formed on the substrate Z by plasma CVD in the film forming chamber 14 while being conveyed in the longitudinal direction.

供給室１２は、図示しない駆動源によって回転軸２４を図中時計方向に回転して、基板ロール２０から基板Ｚを送り出し、ガイドローラ２６によって所定の経路を案内して、基板Ｚを、隔壁３２に設けられたスリット３２ａから、成膜室１４に送る。   The supply chamber 12 rotates the rotating shaft 24 clockwise by a driving source (not shown) to send out the substrate Z from the substrate roll 20, and guides a predetermined path by the guide roller 26. It is sent to the film forming chamber 14 from the slit 32a provided in the film.

図示例の製造装置１０においては、好ましい態様として、供給室１２に真空排気手段２８を、巻取り室１６に真空排気手段６０を、それぞれ設けている。これらの室に真空排気手段を設け、成膜中は、後述する成膜室１４と同じ真空度（圧力）とすることにより、隣接する室の圧力が、成膜室１４の真空度（機能膜の成膜）に影響を与えることを防止している。
真空排気手段２８には、特に限定はなく、ターボポンプ、メカニカルブースターポンプ、ドライポンプ、ロータリーポンプなどの真空ポンプ、さらには、クライオコイル等の補助手段、到達真空度や排気量の調整手段等を利用する、真空成膜装置に用いられている公知の（真空）排気手段が、各種、利用可能である。この点に関しては、後述する他の真空排気手段５０および６０も同様である。 In the manufacturing apparatus 10 of the illustrated example, as a preferred embodiment, the evacuation unit 28 is provided in the supply chamber 12, and the evacuation unit 60 is provided in the winding chamber 16. These chambers are provided with evacuation means, and during film formation, the vacuum degree (pressure) of the film forming chamber 14 is set to the same degree of vacuum (pressure) as that of the film forming chamber 14 described later. The film is prevented from being affected.
The vacuum evacuation means 28 is not particularly limited, and includes a vacuum pump such as a turbo pump, a mechanical booster pump, a dry pump, and a rotary pump, an auxiliary means such as a cryocoil, a means for adjusting the ultimate vacuum degree and the exhaust amount, and the like. Various known (vacuum) evacuation means used in the vacuum film forming apparatus can be used. In this regard, the same applies to the other vacuum exhaust means 50 and 60 described later.

なお、本発明においては、全ての室に真空排気手段を設けるのに限定はされず、処理として真空排気が不要な供給室１２および巻取り室１６には、真空排気手段は設けなくてもよい。但し、これらの室の圧力が成膜室１４の真空度に与える影響を小さくするために、スリット３２ａ等の基板Ｚが通過する部分を可能な限り小さくし、あるいは、室と室との間にサブチャンバを設け、このサブチャンバ内を減圧してもよい。
また、全室に真空排気手段を有する図示例の製造装置１０においても、スリット３２ａ等の基板Ｚが通過する部分を可能な限り小さくするのが好ましい。 In the present invention, it is not limited to providing the evacuation means in all the chambers, and the evacuation means may not be provided in the supply chamber 12 and the winding chamber 16 which do not require evacuation as a process. . However, in order to reduce the influence of the pressure in these chambers on the degree of vacuum in the film forming chamber 14, the portion through which the substrate Z passes, such as the slit 32a, is made as small as possible, or between the chambers. A sub chamber may be provided, and the inside of the sub chamber may be depressurized.
Also in the illustrated manufacturing apparatus 10 having the vacuum exhaust means in all the chambers, it is preferable to make the portion through which the substrate Z passes, such as the slit 32a, as small as possible.

前述のように、基板Ｚは、ガイドローラ２６によって案内され、成膜室１４に搬送される。
成膜室１４は、基板Ｚの表面に、ＣＣＰ（Capacitively Coupled Plasma 容量結合プラズマ）−ＣＶＤによって、機能膜を成膜（形成）するものである。
なお、本発明において、プラズマＣＶＤは、図示例のようなＣＣＰ−ＣＶＤに限定はされず、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma 誘導結合プラズマ）−ＣＶＤ、マイクロ波ＣＶＤ、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）−ＣＶＤ、大気圧バリア放電ＣＶＤ等、各種のプラズマＣＶＤが、全て利用可能である。
また、本発明の成膜装置において、ＣＶＤ成膜室が成膜する膜にも、特に限定はなく、ＣＶＤによって成膜可能なものが、全て、利用可能であるが、特に、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン等のガスバリア膜が好ましく例示される。ドラムからの異常放電を抑制することができる本発明は、僅かな異常放電によるフィルムや膜のダメージが性能に大きく影響するガスバリア膜の成膜において、特に効果が大きい。 As described above, the substrate Z is guided by the guide roller 26 and transferred to the film forming chamber 14.
The film forming chamber 14 forms (forms) a functional film on the surface of the substrate Z by CCP (Capacitively Coupled Plasma).
In the present invention, the plasma CVD is not limited to CCP-CVD as shown in the illustrated example, but is ICP (Inductively Coupled Plasma) -CVD, microwave CVD, ECR (Electron Cyclotron Resonance) -CVD, large All kinds of plasma CVD such as atmospheric pressure barrier discharge CVD can be used.
In the film forming apparatus of the present invention, the film formed in the CVD film forming chamber is not particularly limited, and any film that can be formed by CVD can be used. A gas barrier film such as aluminum or silicon nitride is preferably exemplified. The present invention capable of suppressing abnormal discharge from the drum is particularly effective in the formation of a gas barrier film in which damage to the film or film due to slight abnormal discharge greatly affects performance.

図示例において、成膜室１４は、ドラム３６と、シャワー電極３８と、ガイドローラ４０および４２と、バイアス電源４４と、ガス供給手段４６と、高周波電源４８と、真空排気手段５０と、放電防止部材６２とを有する。   In the illustrated example, the film forming chamber 14 includes a drum 36, a shower electrode 38, guide rollers 40 and 42, a bias power supply 44, a gas supply means 46, a high frequency power supply 48, a vacuum exhaust means 50, and discharge prevention. Member 62.

成膜室１４のドラム３６は、中心線を中心に図中反時計方向に回転する円筒状の部材で、ガイドローラ４０によって所定の経路に案内された基板Ｚを、周面の所定領域に掛け回して、基板Ｚを後述するシャワー電極３８に対面する所定位置に保持しつつ、長手方向に搬送する。   The drum 36 of the film forming chamber 14 is a cylindrical member that rotates counterclockwise in the drawing around the center line, and a substrate Z guided by a guide roller 40 along a predetermined path is hung on a predetermined area on the peripheral surface. The substrate Z is transported in the longitudinal direction while being held at a predetermined position facing a shower electrode 38 described later.

このドラム３６は、ＣＣＰ−ＣＶＤにおける対向電極としても作用（ドラム３６とシャワー電極３８とで電極対を形成）するものであり、バイアス電源４４が接続されている。
ドラム３６にバイアス電位を印加することにより、ガス供給手段４６により供給され、シャワー電極３８に供給されるプラズマ励起電力によりプラズマ状態に励起された原料ガスの分子や原子を、ドラム３６（基板Ｚ）の方向に引き寄せることができるので、基板Ｚ上に形成される膜の密度が高くなり、膜質を向上させることができ、また、成膜効率（すなわち生産性）を向上させることができる。 The drum 36 also acts as a counter electrode in CCP-CVD (the drum 36 and the shower electrode 38 form an electrode pair), and a bias power supply 44 is connected to the drum 36.
By applying a bias potential to the drum 36, molecules and atoms of the source gas supplied to the plasma state by the plasma excitation power supplied by the gas supply means 46 and supplied to the shower electrode 38 are transferred to the drum 36 (substrate Z). Therefore, the density of the film formed on the substrate Z can be increased, the film quality can be improved, and the film formation efficiency (that is, productivity) can be improved.

なお、必要に応じて、ドラム３６には、バイアス電源４４のみならず、アース（接地手段）も接続して、バイアス電源４４とドラム３６との接続と、アースとドラム３６との接続とを切り替え可能にしてもよい。またドラム３６をフローティング電位（絶縁電位）と切り替え可能にしても良い。   If necessary, not only the bias power supply 44 but also the earth (grounding means) is connected to the drum 36 to switch the connection between the bias power supply 44 and the drum 36 and the connection between the earth and the drum 36. It may be possible. Further, the drum 36 may be switched to a floating potential (insulating potential).

ここで、本発明の製造方法においては、基板Ｚの温度を調整して成膜するために、ドラム３６は、温度調節手段を兼ねるのが好ましく、すなわち、温度調節手段を内蔵するのが好ましい。
例えば、耐熱性の低いＰＥＮ等のプラスチックフィルム基板や、耐熱性の低い有機材料を基材として用いる基板に成膜を行なう場合は、基板の温度を低く保つことが好ましく、これにより、耐熱性の低い基板にも、好適に高い品質を有する機能膜を成膜することができる。
また、逆に、基板の耐熱性が十分ある範囲で、基板の温度を高くすることにより、より効率よく高品質の膜を成膜することができる。
従って、ドラム３６が温度調節手段を内蔵することにより、基板の材質や、成膜の条件等に応じて、基板Ｚの温度を好適な範囲とし、より好適に成膜を行なうことができる。
なお、ドラム３６の温度調節手段には、特に限定はなく、温冷媒等を循環する温度調節手段、ピエゾ素子等を用いる冷却手段等、各種の温度調節手段が、全て利用可能である。 Here, in the manufacturing method of the present invention, in order to form a film by adjusting the temperature of the substrate Z, the drum 36 preferably also serves as a temperature adjusting means, that is, it preferably includes a temperature adjusting means.
For example, when a film is formed on a plastic film substrate such as PEN having low heat resistance or a substrate using an organic material having low heat resistance as a base material, it is preferable to keep the temperature of the substrate low. A functional film having a high quality can be suitably formed even on a low substrate.
Conversely, by raising the temperature of the substrate within a range where the substrate has sufficient heat resistance, a high-quality film can be formed more efficiently.
Therefore, since the drum 36 incorporates the temperature adjusting means, the temperature of the substrate Z can be set within a suitable range according to the material of the substrate, the film forming conditions, and the like, so that the film can be formed more suitably.
The temperature adjusting means for the drum 36 is not particularly limited, and any of various temperature adjusting means such as a temperature adjusting means for circulating a hot refrigerant or the like, a cooling means using a piezo element or the like can be used.

バイアス電源４４は、ドラム３６に、バイアス電力を供給する高周波電源である。
なお、バイアス電源４４は、各種のプラズマＣＶＤ装置で利用されている、バイアスを印加するための高周波電源やパルス電源等の公知の電源が、全て利用可能であり、ドラムに供給するバイアス電力は、高周波電力に限定はされず、直流電力でもよく、交流もしくは直流のパルス電力でもよい。 The bias power supply 44 is a high-frequency power supply that supplies bias power to the drum 36.
The bias power source 44 can use all known power sources such as a high-frequency power source and a pulse power source for applying a bias, which are used in various plasma CVD apparatuses. It is not limited to high frequency power, DC power may be used, and AC or DC pulse power may be used.

なお、本発明において、ドラム３６にバイアス電位を印加するための投入電力には、特に限定はない。ここで、電位が高い程、膜質の向上効果および生産性の向上効果が得られる反面、バイアス電位が高い程、後述するドラム３６の異常放電が発生し易くなる。しかしながら、後述するように、本発明によれば、高電位のバイアス電位を印加しても、ドラム３６の端面からの異常放電を抑制できる。
以上の点を考慮すると、本発明において、膜質向上効果および生産性の向上効果を十分に得られ、かつ、異常放電抑制という本発明の効果が十分に発現できる等の点で、バイアス電位を印加するための投入電力は、５０Ｗ以上とするのが好ましい。 In the present invention, the input power for applying a bias potential to the drum 36 is not particularly limited. Here, the higher the potential, the better the film quality and the productivity. On the other hand, the higher the bias potential, the easier the abnormal discharge of the drum 36 described later. However, as will be described later, according to the present invention, abnormal discharge from the end face of the drum 36 can be suppressed even when a high bias potential is applied.
Considering the above points, in the present invention, the bias potential is applied in that the film quality improvement effect and the productivity improvement effect can be sufficiently obtained, and the effect of the present invention of abnormal discharge suppression can be sufficiently exhibited. The input power for this is preferably 50 W or more.

シャワー電極３８は、ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜に利用される、公知のシャワー電極である。
図示例において、シャワー電極３８は、一例として、中空の直方体であり、１つの最大面をドラム３６の周面に対面して、この最大面の中心からの垂線がドラム３６の法線と一致するように配置される。また、シャワー電極３８のドラム３６との対向面には、多数の貫通穴が全面的に形成される。 The shower electrode 38 is a known shower electrode used for film formation by CCP-CVD.
In the illustrated example, the shower electrode 38 is, for example, a hollow rectangular parallelepiped. One maximum surface faces the peripheral surface of the drum 36, and a perpendicular from the center of the maximum surface coincides with the normal line of the drum 36. Are arranged as follows. In addition, a large number of through holes are formed on the entire surface of the shower electrode 38 facing the drum 36.

なお、図示例の製造装置１０において、成膜室１４には、図示例においては、シャワー電極（ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜手段）が、１個、配置されているが、本発明は、これに限定はされず、基板Ｚの搬送方向に、複数のシャワー電極を配列してもよい。この点に関しては、ＣＣＰ−ＣＶＤ以外のプラズマＣＶＤを利用する際も同様であり、例えば、ＩＣＰ−ＣＶＤによって機能膜を成膜（製造）する際には、誘導電界（誘導磁場）を形成するため（誘導）コイルを、基板Ｚの搬送方向に、複数、配置してもよい。
また、本発明は、シャワー電極を用いて機能膜を成膜するのにも限定はされず、通常の板状の電極と、ガス供給ノズルとを用いるものであってもよい。 In the manufacturing apparatus 10 shown in the figure, the film forming chamber 14 is provided with one shower electrode (film forming means by CCP-CVD) in the example shown in the figure. There is no limitation, and a plurality of shower electrodes may be arranged in the transport direction of the substrate Z. This is the same when using plasma CVD other than CCP-CVD. For example, when a functional film is formed (manufactured) by ICP-CVD, an induction electric field (induction magnetic field) is formed. A plurality of (induction) coils may be arranged in the conveyance direction of the substrate Z.
Further, the present invention is not limited to forming a functional film using a shower electrode, and a normal plate-like electrode and a gas supply nozzle may be used.

ガス供給手段４６は、プラズマＣＶＤ装置等の真空成膜装置に用いられる公知のガス供給手段であり、シャワー電極３８の内部に、原料ガスを供給する。
前述のように、シャワー電極３８のドラム３６との対向面には、多数の貫通穴が供給されている。従って、シャワー電極３８に供給された原料ガスは、この貫通穴から、シャワー電極３８とドラム３６との間に導入される。 The gas supply means 46 is a known gas supply means used in a vacuum film forming apparatus such as a plasma CVD apparatus, and supplies a source gas into the shower electrode 38.
As described above, a large number of through holes are supplied to the surface of the shower electrode 38 facing the drum 36. Therefore, the source gas supplied to the shower electrode 38 is introduced between the shower electrode 38 and the drum 36 from this through hole.

原料ガスは、成膜する機能膜に応じて、公知のガスを利用すればよい。
例えば、機能膜として窒化シリコン膜を形成する場合であれば、原料ガスとして、シランガスおよび／またはジシランと、アンモニアガスおよび／またはヒドラジンおよび／または窒素ガスとを用いればよい。
また、原料ガスとしては、これらに加え、窒素ガス、水素ガス、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンなどの不活性ガスを併用してもよい。 A known gas may be used as the source gas depending on the functional film to be formed.
For example, when a silicon nitride film is formed as the functional film, silane gas and / or disilane and ammonia gas and / or hydrazine and / or nitrogen gas may be used as the source gas.
In addition to these, an inert gas such as nitrogen gas, hydrogen gas, helium, neon, argon, krypton, xenon, or radon may be used in combination as the source gas.

なお、本発明の製造方法は、機能膜の原料として、ガス（気体状の原料）を使用するのに限定はされず、液体状の原料を用い、液体の原料を気化して機能膜を成膜してもよい。あるいは、ガス状の原料と、液体状の原料との両者を併用して、機能膜を成膜してもよい。   The production method of the present invention is not limited to the use of gas (gaseous raw material) as a raw material for the functional film, but a liquid raw material is used to vaporize the liquid raw material to form a functional film. A film may be formed. Alternatively, the functional film may be formed by using both a gaseous raw material and a liquid raw material in combination.

高周波電源４８は、シャワー電極３８に、プラズマ励起電力を供給する電源である。高周波電源４８は、各種のプラズマＣＶＤ装置で利用されている、公知の高周波電源が、全て利用可能である。   The high frequency power supply 48 is a power supply that supplies plasma excitation power to the shower electrode 38. As the high-frequency power source 48, all known high-frequency power sources used in various plasma CVD apparatuses can be used.

真空排気手段５０は、プラズマＣＶＤによる機能膜の成膜のために、成膜室１４内を排気して、所定の成膜圧力に保つものであり、前述のように、真空成膜装置に利用されている、公知の真空排気手段である。   The vacuum evacuation means 50 evacuates the inside of the film forming chamber 14 to maintain a predetermined film forming pressure for forming a functional film by plasma CVD, and is used in a vacuum film forming apparatus as described above. This is a known evacuation means.

図２は、図１に示した機能膜の製造装置１０のドラム３６および放電防止部材６２を概念的に示す図で、ドラム３６を図１中矢印ａの方向に見た図である。
図１および図２に示すように、放電防止部材６２は、ドラム３６の両端面（円筒の上下面）に対面して配置され、ドラム３６の端面からの異常放電を抑制するためのものであり、アース板６４と絶縁部材６６とから構成される。 FIG. 2 is a view conceptually showing the drum 36 and the discharge preventing member 62 of the functional film manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 1, and is a view of the drum 36 as seen in the direction of arrow a in FIG.
As shown in FIGS. 1 and 2, the discharge preventing member 62 is disposed so as to face both end surfaces (upper and lower surfaces of the cylinder) of the drum 36, and suppresses abnormal discharge from the end surface of the drum 36. The ground plate 64 and the insulating member 66 are included.

アース板６４は、ドラム３６の端面に対面して配置される導電性の板材で、公知の手段によって接地（アース）されている。また、アース板６４のドラム３６と対面する面には、後述する絶縁部材６６が貼着されている。
アース板６４の形成材料には、特に限定はなく、アルミニウム、ステンレス綱（ＳＵＳ）、鉄、あるいは、メッキ処理品等の公知の導電体材料が、各種、利用可能である。
また、アース板６４は、図１と同方向（ドラム３６の端面方向）から見た際に、ドラム３６の端面が完全に隠れるように、サイズおよび配置位置を設定するのが好ましい。これにより、ドラム３６の端面の全域に対応して、異常放電を抑制できる。なお、図示例においては、アース板６４は円盤状であるが、本発明は、これに限定はされず、各種の形状が利用可能であり、例えば、正方形の板状等、多角形の板状であってもよい。 The ground plate 64 is a conductive plate member disposed so as to face the end surface of the drum 36, and is grounded (grounded) by a known means. An insulating member 66 described later is attached to the surface of the ground plate 64 that faces the drum 36.
The material for forming the ground plate 64 is not particularly limited, and various known conductor materials such as aluminum, stainless steel (SUS), iron, or a plated product can be used.
Further, it is preferable to set the size and position of the ground plate 64 so that the end surface of the drum 36 is completely hidden when viewed from the same direction as in FIG. 1 (the end surface direction of the drum 36). Accordingly, abnormal discharge can be suppressed corresponding to the entire end face of the drum 36. In the illustrated example, the ground plate 64 has a disk shape, but the present invention is not limited to this, and various shapes can be used. For example, a square plate shape or a polygonal plate shape can be used. It may be.

アース板６４とドラム３６の端面との間隙ｃは５ｍｍ以下が好ましい。この間隙ｃを５ｍｍ以下とすることにより、ドラム３６の端面からの異常放電を好適に防止することができる。特に、間隙ｃを３ｍｍ以下とすることにより、より好適にドラム３６の端面からの異常放電を抑制することができ、より好ましい。
なお、図示は省略しているが、アース板６４は、ドラム３６の回転軸に対応して貫通穴を有している。すなわち、図示例においては、ドラム３６の回転駆動源および回転の軸受け（図示省略）は、ドラム３６から見てアース板６４の外側に配置される。 The gap c between the ground plate 64 and the end surface of the drum 36 is preferably 5 mm or less. By setting the gap c to 5 mm or less, abnormal discharge from the end surface of the drum 36 can be suitably prevented. In particular, by setting the gap c to 3 mm or less, abnormal discharge from the end surface of the drum 36 can be more suitably suppressed, which is more preferable.
Although not shown, the ground plate 64 has a through hole corresponding to the rotation shaft of the drum 36. That is, in the illustrated example, the rotation drive source and the rotation bearing (not shown) of the drum 36 are disposed outside the ground plate 64 when viewed from the drum 36.

絶縁部材６６は、アース板６４の、ドラム３６と対面する面に貼り付けられる板状の部材であり、ドラム３６の端面からの異常放電を抑制するための絶縁体である。
絶縁部材６６は、異常放電を抑制することができる絶縁体であれば良く、例えば、テフロン（登録商標）等のフッ素樹脂が好適に利用可能である。 The insulating member 66 is a plate-like member that is affixed to the surface of the ground plate 64 that faces the drum 36, and is an insulator for suppressing abnormal discharge from the end surface of the drum 36.
The insulating member 66 may be an insulator that can suppress abnormal discharge, and for example, a fluororesin such as Teflon (registered trademark) can be suitably used.

また、アース板６４と同様に、絶縁部材６６は、図１と同方向から見た際に、ドラム３６の端面が完全に隠れるようにサイズおよび配置位置を設定するのが好ましい。これにより、ドラム３６の端面の全域に対応して、異常放電を抑制できる。なお、図示例においては、絶縁部材６６は、円盤状であるが、アース板６４と同様、本発明は、これに限定はされず、正方形（多角形）の板状等、各種の形状が利用可能である。   Similarly to the ground plate 64, the insulating member 66 is preferably set in size and position so that the end face of the drum 36 is completely hidden when viewed from the same direction as in FIG. Accordingly, abnormal discharge can be suppressed corresponding to the entire end face of the drum 36. In the illustrated example, the insulating member 66 has a disk shape. However, like the ground plate 64, the present invention is not limited to this, and various shapes such as a square (polygonal) plate shape are used. Is possible.

なお、絶縁部材６６の厚さには特に限定はなく、形成材料の絶縁性に応じて、十分な絶縁性を発現し、かつ、ドラム３６と接触しない厚さを適宜、設定すればよい。
また、図示は省略しているが、アース板６４と同様に、ドラム３６の回転軸に対応した貫通孔を有している。 The thickness of the insulating member 66 is not particularly limited, and a thickness that exhibits sufficient insulation and does not contact the drum 36 may be set as appropriate according to the insulation of the forming material.
Although not shown in the drawing, similarly to the ground plate 64, it has a through hole corresponding to the rotating shaft of the drum 36.

アース板６４と絶縁部材６６との固定方法には特に限定はなく、例えば、ボルトを用いて固定してもよいし、接着剤を用いて固定してもよい。
また、図示例では、アース板６４と絶縁部材６６とを接触させた状態で固定したが、本発明はこれに限定はされず、アース板と絶縁部材とが離間していてもよい。 There is no particular limitation on the method for fixing the ground plate 64 and the insulating member 66. For example, the ground plate 64 and the insulating member 66 may be fixed using a bolt or an adhesive.
In the illustrated example, the ground plate 64 and the insulating member 66 are fixed in contact with each other. However, the present invention is not limited to this, and the ground plate and the insulating member may be separated from each other.

前述のとおり、特許文献１および特許文献２のようにプラズマＣＶＤにおいて、基板を搬送するドラムを、プラズマ励起電力を供給されるメイン電極の対向電極として作用させると共に、ドラムにバイアス電位を印加することで、成膜効率や膜質を向上させることができる。
しかしながら、バイアス電位の印加など、ドラムに高出力の電力を供給すると、ドラムの端面と製造装置の壁面（チャンバ壁面）等との間で異常放電が発生してしまい、成膜のためのプラズマ形成が不安定になり成膜された膜の品質が低下したり、製造装置が損傷したりしてしまう。特に、成膜効率や膜質をより向上させるためには、ドラムに高いバイアス電位を印加する必要があり、ドラムの端面からの異常放電がより顕著になる。 As described above, in plasma CVD as in Patent Document 1 and Patent Document 2, the drum that transports the substrate acts as a counter electrode of the main electrode that is supplied with plasma excitation power, and a bias potential is applied to the drum. Thus, film formation efficiency and film quality can be improved.
However, if high output power is supplied to the drum, such as application of a bias potential, abnormal discharge occurs between the end surface of the drum and the wall surface (chamber wall surface) of the manufacturing apparatus, and plasma formation for film formation occurs. Becomes unstable and the quality of the deposited film is degraded, or the manufacturing apparatus is damaged. In particular, in order to further improve the film formation efficiency and film quality, it is necessary to apply a high bias potential to the drum, and abnormal discharge from the end face of the drum becomes more remarkable.

これに対して、本発明は、このように、ロール・ツー・ロールで、基板をドラムに巻き掛けて搬送し、かつ、ドラムにバイアス電位を印加して、プラズマＣＶＤによる成膜を行なう製造装置において、導電性のアース板６４と絶縁性の絶縁部材６６とからなる放電防止部材６２を、ドラム３６の両端面に対面して配置する。これにより、ドラム３６に高いバイアス電位を印加しても、ドラム３６の端面と製造装置１０の壁面等との間で異常放電が発生することを抑制することができ、ドラム３６の端面からの異常放電により成膜のためのプラズマ形成が不安定になることがないので、安定して高品質な膜を基板Ｚ上に効率よく連続成膜することができる。また、ドラム３６の端面からの異常放電を抑制することができるので、ドラム３６により高いバイアス電位を印加することができ、より高品質な膜を形成することができ、成膜効率を向上させることができる。また、ドラム３６の端面と製造装置１０の壁面等との間の異常放電を抑制するので、異常放電により製造装置１０が損傷することを防止できる。   On the other hand, the present invention is a manufacturing apparatus for carrying out film formation by plasma CVD by roll-to-roll, winding a substrate around a drum, and applying a bias potential to the drum. 2, the discharge preventing member 62 composed of the conductive ground plate 64 and the insulating insulating member 66 is disposed so as to face both end surfaces of the drum 36. As a result, even when a high bias potential is applied to the drum 36, it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge between the end surface of the drum 36 and the wall surface of the manufacturing apparatus 10. Since plasma formation for film formation does not become unstable due to discharge, a stable and high-quality film can be formed on the substrate Z efficiently and continuously. Further, since abnormal discharge from the end face of the drum 36 can be suppressed, a higher bias potential can be applied to the drum 36, a higher quality film can be formed, and film formation efficiency can be improved. Can do. Moreover, since the abnormal discharge between the end surface of the drum 36 and the wall surface of the manufacturing apparatus 10 is suppressed, the manufacturing apparatus 10 can be prevented from being damaged by the abnormal discharge.

ところで、アース板６４に貼り付けている絶縁部材６６を、ドラムの端面に貼り付ける構成、すなわち、ドラムの端面に板状の絶縁部材を貼り付け、ドラムの端面（すなわち絶縁部材）と対面する位置に板状の導電体であるアース板を配置する構成としても、ドラムの端面からの異常放電を抑制することができる。
しかしながら、ロール・ツー・ロールによって連続して成膜を行なうと、プラズマを生成（放電）し続けるため、ドラムの温度が上昇する。また、図示例のようにドラムが温度調節手段を内蔵する場合には、基板を加熱するために、ドラムを加熱する場合も多い。従って、ドラムの端面に絶縁部材を貼り付けた場合には、ステンレス鋼等で形成されるドラムと、テフロン等で形成される絶縁部材とで熱膨張率が異なるため、熱により絶縁部材が変形したり、絶縁部材を固定しているボルトが外れたりして、絶縁部材の一部がドラムから浮いてしまい、やはり、ドラムの端面からの異常放電が発生し、成膜のためのプラズマ形成が不安定になり形成した膜の品質が低下し、また、製造装置が損傷してしまう。特に、成膜効率を向上させるために、ドラムを大型化した場合には、ドラムと絶縁部材との熱による膨張量（変形量）の差が大きくなり、ドラムと絶縁部材との固定が外れ易くなるので、異常放電が発生しやすくなる。 By the way, the structure which affixes the insulating member 66 currently affixed on the earth board 64 to the end surface of a drum, ie, the position which affixes a plate-shaped insulating member on the end surface of a drum, and faces the end surface (namely, insulating member) of a drum. Even when a ground plate, which is a plate-like conductor, is disposed on the drum, abnormal discharge from the end surface of the drum can be suppressed.
However, when film formation is continuously performed by roll-to-roll, plasma is continuously generated (discharged), and thus the temperature of the drum rises. Further, when the drum incorporates the temperature adjusting means as in the illustrated example, the drum is often heated to heat the substrate. Therefore, when an insulating member is affixed to the end surface of the drum, the thermal expansion coefficient differs between the drum formed of stainless steel or the like and the insulating member formed of Teflon or the like. Or the bolts that secure the insulating member come off, and a part of the insulating member floats off the drum, which also causes abnormal discharge from the end surface of the drum, which prevents plasma formation for film formation. As a result, the quality of the formed film is lowered, and the manufacturing apparatus is damaged. In particular, when the drum is enlarged in order to improve the film formation efficiency, the difference in expansion (deformation) due to heat between the drum and the insulating member becomes large, and the drum and the insulating member are easily detached from each other. Therefore, abnormal discharge is likely to occur.

これに対して、本発明のように、導電性のアース板６４と絶縁性の絶縁部材６６とからなる放電防止部材６２を、ドラム３６の端面に対面して配置することにより、成膜の際のプラズマ形成等によってドラム３６の温度が上昇した場合でも、ドラム３６の端面からの異常放電を抑制することができ、安定して高品質な膜を効率よく連続成膜することができ、また、製造装置１０の損傷も防止できる。また、成膜効率を向上させるためにドラムを大型化した場合でも、絶縁部材が熱変形しないので、異常放電の発生を好適に抑制することができる。   On the other hand, as in the present invention, the discharge preventing member 62 composed of the conductive ground plate 64 and the insulating member 66 is disposed so as to face the end surface of the drum 36, thereby forming the film. Even when the temperature of the drum 36 increases due to plasma formation or the like, abnormal discharge from the end surface of the drum 36 can be suppressed, and a stable and high-quality film can be formed continuously and efficiently. Damage to the manufacturing apparatus 10 can also be prevented. Further, even when the drum is enlarged in order to improve the film formation efficiency, the insulating member is not thermally deformed, so that the occurrence of abnormal discharge can be suitably suppressed.

以下、成膜室１４における機能膜の成膜の作用を説明する。
前述のように、回転軸２４に基板ロール２０が装填されると、基板Ｚは、供給室１２からガイドローラ２６によって案内されて成膜室１４に至り、成膜室１４において、ガイドローラ４０に案内されて、ドラム３６の周面の所定領域に掛け回され、ガイドローラ４２によって案内されて、巻取り室１６の巻取り軸３０に至る所定の搬送経路を通される。 Hereinafter, the function of forming the functional film in the film forming chamber 14 will be described.
As described above, when the substrate roll 20 is loaded on the rotating shaft 24, the substrate Z is guided from the supply chamber 12 by the guide roller 26 to the film forming chamber 14, and in the film forming chamber 14, Guided, wound around a predetermined area on the peripheral surface of the drum 36, guided by the guide roller 42, and passed through a predetermined transport path reaching the winding shaft 30 of the winding chamber 16.

供給室１２から供給され、ガイドローラ４０によって所定の経路に案内された基板Ｚはドラム３６に支持／案内されつつ、所定の搬送経路を搬送される。なお、成膜室１４内は、真空排気手段５０によって所定の真空度に減圧され、また、供給室１２は真空排気手段２８によって、巻取り室１６は真空排気手段６０によって、それぞれ所定の真空度に減圧されている。
さらに、シャワー電極３８には、ガス供給手段４６から原料ガスが供給される。これにより、シャワー電極３８から、シャワー電極３８と基板Ｚ（ドラム３６）との間に、原料ガスが供給される。 The substrate Z supplied from the supply chamber 12 and guided along the predetermined path by the guide roller 40 is transported through the predetermined transport path while being supported / guided by the drum 36. Note that the inside of the film forming chamber 14 is depressurized to a predetermined degree of vacuum by the vacuum evacuation unit 50, the supply chamber 12 is evacuated by the vacuum evacuation unit 28, and the winding chamber 16 is evacuated by the vacuum evacuation unit 60. Has been depressurized.
Further, the raw material gas is supplied from the gas supply means 46 to the shower electrode 38. Thus, the source gas is supplied from the shower electrode 38 between the shower electrode 38 and the substrate Z (drum 36).

原料ガスの供給量および成膜室１４の真空度が安定したら、ドラム３６には、バイアス電源４４から、バイアス電力が供給され、シャワー電極３８には、高周波電源４８から、プラズマ励起電力が供給される。すなわち、ドラム３６とシャワー電極３８とがＣＣＰ−ＣＶＤにおける電極対を構成する。   When the supply amount of the source gas and the degree of vacuum in the film forming chamber 14 are stabilized, the drum 36 is supplied with bias power from the bias power supply 44, and the shower electrode 38 is supplied with plasma excitation power from the high frequency power supply 48. The That is, the drum 36 and the shower electrode 38 constitute an electrode pair in CCP-CVD.

シャワー電極３８へのプラズマ励起電力の供給によって、シャワー電極３８とドラム３６との間でプラズマが励起され、原料ガスからラジカルが生成されて、ドラム３６によって支持されつつ搬送される基板Ｚの表面に、ＣＣＰ−ＣＶＤによって機能膜が成膜される。
また、ドラム３６へのバイアス電力の供給によって、基板Ｚ上に成膜される膜は緻密なものとなり、膜質が向上する。 By supplying plasma excitation power to the shower electrode 38, plasma is excited between the shower electrode 38 and the drum 36, radicals are generated from the source gas, and are transported while being supported by the drum 36. A functional film is formed by CCP-CVD.
Further, by supplying bias power to the drum 36, the film formed on the substrate Z becomes dense, and the film quality is improved.

ここで、導電性のアース板６４の、ドラム３６の端面と対面する面に、絶縁性の絶縁部材６６を貼り付けて形成された放電防止部材６２を、ドラム３６の両端面に対面して配置しているので、ドラム３６にバイアス電力を供給する場合でも、ドラム３６の端面と製造装置１０の壁面等との間で異常放電が発生することを抑制することができる。   Here, the discharge prevention member 62 formed by attaching an insulating insulating member 66 to the surface of the conductive ground plate 64 facing the end surface of the drum 36 is disposed facing both end surfaces of the drum 36. Therefore, even when bias power is supplied to the drum 36, the occurrence of abnormal discharge between the end surface of the drum 36 and the wall surface of the manufacturing apparatus 10 can be suppressed.

このように、本発明は、ドラムの端面からの異常放電を抑制することができるので、成膜のためのプラズマを安定して形成することができ、安定して高品質な膜を基板Ｚ上に効率よく連続成膜することができる。また、ドラムの端面からの異常放電を抑制することができるので、ドラムにより高いバイアス電位を印加することができ、より高品質な膜を形成することができ、また、製造装置の損傷も防止できる。   As described above, the present invention can suppress abnormal discharge from the end surface of the drum, so that plasma for film formation can be stably formed, and a high-quality film can be stably formed on the substrate Z. It is possible to perform continuous film formation efficiently. Further, since abnormal discharge from the end surface of the drum can be suppressed, a higher bias potential can be applied to the drum, a higher quality film can be formed, and damage to the manufacturing apparatus can be prevented. .

なお、本発明において、成膜室１４内での成膜の際の成膜レートには、特に限定はない。ここで、成膜レートを上げて成膜効率を向上するためには、ドラム３６に高いバイアス電位を印加することが好ましい。前述のとおり、ドラム３６に高いバイアス電位を印加するとドラム３６の異常放電が発生しやすくなる。しかしながら、前述のとおり、本発明によれば、ドラム３６の端面からの異常放電を抑制できる。
以上の点を考慮すると、本発明において、成膜効率（生産性）の向上効果を十分に得られ、かつ、異常放電の抑制という本発明の効果が十分に発現できる等の点で、成膜レートは、１００ｎｍ／ｍｉｎ以上とするのが好ましい。 In the present invention, the film formation rate at the time of film formation in the film formation chamber 14 is not particularly limited. Here, in order to increase the deposition rate and improve the deposition efficiency, it is preferable to apply a high bias potential to the drum 36. As described above, when a high bias potential is applied to the drum 36, abnormal discharge of the drum 36 is likely to occur. However, as described above, according to the present invention, abnormal discharge from the end surface of the drum 36 can be suppressed.
In consideration of the above points, film formation is possible in the present invention in that the effect of improving the film formation efficiency (productivity) can be sufficiently obtained and the effect of the present invention of suppressing abnormal discharge can be sufficiently exhibited. The rate is preferably 100 nm / min or more.

機能膜を成膜された基板Ｚ（すなわち、機能性フィルム）は、ドラム３６からガイドローラ４２に搬送され、ガイドローラ４２によって案内されて、成膜室１４と巻取り室１６とを隔離する隔壁５６に形成されたスリット５６ａから、巻取り室１６に搬送される。   The substrate Z on which the functional film is formed (that is, the functional film) is conveyed from the drum 36 to the guide roller 42 and guided by the guide roller 42 to separate the film forming chamber 14 and the winding chamber 16 from each other. From the slit 56 a formed in 56, it is conveyed to the winding chamber 16.

図示例において、巻取り室１６は、ガイドローラ５８と、巻取り軸３０と、真空排気手段６０とを有する。
巻取り室１６に搬送された基板Ｚ（機能性フィルム）は、ガイドローラ５８に案内されて巻取り軸３０に搬送され、巻取り軸３０によってロール状に巻回され機能性フィルムロールとして、次の工程に供される。
また、先の供給室１２と同様、巻取り室１６にも真空排気手段６０が配置され、成膜中は、巻取り室１６も、成膜室１４における成膜圧力に応じた真空度に減圧される。 In the illustrated example, the winding chamber 16 includes a guide roller 58, a winding shaft 30, and a vacuum exhaust means 60.
The substrate Z (functional film) transported to the winding chamber 16 is guided by the guide roller 58 and transported to the winding shaft 30, and is wound into a roll shape by the winding shaft 30 as a functional film roll. It is used for the process.
Similarly to the previous supply chamber 12, the evacuation means 60 is also disposed in the winding chamber 16, and during the film formation, the winding chamber 16 is also decompressed to a degree of vacuum corresponding to the film formation pressure in the film formation chamber 14. Is done.

以上の例では、シャワー電極とドラムとで電極対を形成し、シャワー電極にプラズマ励起電力を、ドラムにバイアス電力を、それぞれ供給するものであったが、本発明は、これに限定はされず、ドラムにプラズマ励起電力を印加し、シャワー電極にはアースを接続し、シャワー電極からガスを放出することで、プラズマＣＶＤによる成膜を行なうものであってもよい。   In the above example, the shower electrode and the drum form an electrode pair, and the plasma excitation power is supplied to the shower electrode and the bias power is supplied to the drum. However, the present invention is not limited to this. The film may be formed by plasma CVD by applying plasma excitation power to the drum, connecting the ground to the shower electrode, and discharging gas from the shower electrode.

また、本発明において、成膜方法はプラズマＣＶＤに限定はされず、スパッタリング等、各種の成膜方法が利用可能である。
すなわち、本発明は、長尺な基板をドラムに掛け回して搬送して、ドラムに電力を供給しつつ、ドラムの周面に支持された基板に成膜を行なうものであれば、各種の成膜方法や成膜装置が、全て、利用可能である。
なお、特に、プラズマＣＶＤは、成膜の際の圧力が高い（低真空度）ので異常放電が起きやすく、従って、異常放電を抑制できる本発明をより好適に利用できる。 In the present invention, the film formation method is not limited to plasma CVD, and various film formation methods such as sputtering can be used.
That is, the present invention can be applied to various types of materials as long as a long substrate is wound around a drum and transported to form a film on the substrate supported on the peripheral surface of the drum while supplying electric power to the drum. All film methods and film forming apparatuses can be used.
In particular, since plasma CVD has a high pressure during film formation (low vacuum), abnormal discharge is likely to occur, and therefore the present invention that can suppress abnormal discharge can be used more suitably.

また、図示例の製造装置１０では、放電防止部材６２をドラム３６の両端面に対面して配置する構成としたが、本発明は、これに限定はされず、ドラムの一方の端面のみに対面して、放電防止部材を配置する構成としてもよい。   Further, in the manufacturing apparatus 10 shown in the drawing, the discharge preventing member 62 is disposed so as to face both end faces of the drum 36. However, the present invention is not limited to this and faces only one end face of the drum. And it is good also as a structure which arrange | positions a discharge prevention member.

以上、本発明の機能膜の製造装置および製造方法について詳細に説明したが、本発明は、上記実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行なってもよいのは、もちろんである。   As mentioned above, although the manufacturing apparatus and manufacturing method of the functional film of this invention were demonstrated in detail, this invention is not limited to the said Example, In the range which does not deviate from the summary of this invention, various improvement and change are performed. Of course, you may.

図１および図２に示すＣＶＤ装置を用いて、基板に、ガスバリア膜を形成した。   A gas barrier film was formed on the substrate using the CVD apparatus shown in FIGS.

基板は、厚さ１００μｍ、幅７００ｍｍのＰＥＮフィルム（帝人社製 テオネックス）を用いた。なお、膜を形成する長さは３００ｍとした。
また、原料ガスとして、シランガス（ＳｉＨ４）（流量１００ｓｃｃｍ）、アンモニアガス（ＮＨ３）（流量１００ｓｃｃｍ）、窒素ガス（Ｎ２）（流量５００ｓｃｃｍ）を用いた。
また、ドラムとして、材質ＳＵＳで、直径１５００ｍｍのドラムを用いた。
さらに、ドラムに接続されるバイアス電源として、周波数４００ｋＨｚの電源を用い、シャワー電極に接続される高周波電源として、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いた。 A PEN film (Teonex manufactured by Teijin Limited) having a thickness of 100 μm and a width of 700 mm was used as the substrate. The length for forming the film was 300 m.
Further, silane gas (SiH 4 ) (flow rate 100 sccm), ammonia gas (NH 3 ) (flow rate 100 sccm), and nitrogen gas (N 2 ) (flow rate 500 sccm) were used as source gases.
Further, a drum made of material SUS and having a diameter of 1500 mm was used as the drum.
Further, a power source having a frequency of 400 kHz was used as a bias power source connected to the drum, and a high frequency power source having a frequency of 13.56 MHz was used as a high frequency power source connected to the shower electrode.

また、成膜室（真空チャンバ）の圧力は５０Ｐａとした。
また、ドラムに供給するバイアス電力は、５００Ｗとし、シャワー電極に供給されるプラズマ励起電力は、１ｋＷとした。
さらに、成膜中は、ドラムが内蔵する温度調節手段によって、基板温度が７０℃となるように調節した。
また、成膜する機能膜の膜厚は１００ｎｍとした。 The pressure in the film formation chamber (vacuum chamber) was 50 Pa.
The bias power supplied to the drum was 500 W, and the plasma excitation power supplied to the shower electrode was 1 kW.
Further, during film formation, the substrate temperature was adjusted to 70 ° C. by temperature adjusting means built in the drum.
The film thickness of the functional film to be formed was 100 nm.

このような機能性フィルムの作製を、アース板とドラム端面との距離、および、アース板に貼り付ける絶縁部材の絶縁抵抗とを、適宜、変更して行なった。
実施例１は、アース板として、アルミを用いた。
また、絶縁部材として、絶縁抵抗１×１０１８Ωｃｍ、絶縁破壊電圧２０ｋＶ／ｍｍのテフロン（登録商標）を用いた。
また、アース板とドラムの端面との距離は、３．０ｍｍとした。 Such a functional film was produced by appropriately changing the distance between the ground plate and the drum end surface and the insulation resistance of the insulating member attached to the ground plate.
In Example 1, aluminum was used as the ground plate.
As the insulating member, Teflon (registered trademark) having an insulation resistance of 1 × 10 18 Ωcm and a dielectric breakdown voltage of 20 kV / mm was used.
The distance between the ground plate and the end face of the drum was 3.0 mm.

実施例２は、絶縁部材として、絶縁抵抗１×１０１６Ωｃｍ、絶縁破壊電圧１８ｋＶ／ｍｍのフッ素系樹脂を用いた以外は、実施例１と同様とした。
また、実施例３は、アース板とドラムの端面との距離を、５．０ｍｍとした以外は、実施例１と同様とした。
また、比較例１として、絶縁部材をドラムの端面に貼り付けた製造装置により機能性フィルムの作製を行なった。なお、比較例１のその他の条件は、実施例１と同様とした。 Example 2 was the same as Example 1 except that a fluororesin having an insulation resistance of 1 × 10 16 Ωcm and a dielectric breakdown voltage of 18 kV / mm was used as the insulating member.
Example 3 was the same as Example 1 except that the distance between the ground plate and the end surface of the drum was 5.0 mm.
Moreover, as Comparative Example 1, a functional film was produced by a production apparatus in which an insulating member was attached to the end surface of the drum. The other conditions in Comparative Example 1 were the same as in Example 1.

各機能性フィルム作製中の、ドラム端面からの異常放電の有無、装置のダメージ（変形）、および、作製した各機能性フィルムの基板および膜のダメージ（欠陥の有無等）をそれぞれ目視により検査した。   During the production of each functional film, the presence or absence of abnormal discharge from the drum end face, the damage (deformation) of the apparatus, and the damage of the substrate and the film of each produced functional film (the presence or absence of defects, etc.) were inspected visually .

［異常放電］
機能性フィルム作製中のドラム端面からの異常放電の有無を目視により検査した。
異常放電の発生頻度について、
３００ｍ長の成膜で異常放電の発生無しを◎；
３００ｍ長の成膜で異常放電の発生が５回未満を○；
３００ｍ長の成膜で異常放電の発生が５回以上を×； とした。 [Abnormal discharge]
The presence or absence of abnormal discharge from the drum end face during the production of the functional film was visually inspected.
Regarding the frequency of abnormal discharge,
Abnormal discharge does not occur with 300m long film formation ◎;
Occurrence of abnormal discharge less than 5 times in a 300m long film formation;
The occurrence of abnormal discharge 5 times or more in a 300 m long film formation was marked as x;

［変形］
機能性フィルム作製中の異常放電による装置へのダメージや、熱膨張による絶縁部材の変形を、機能性フィルムの作製後に目視により検査した。
装置へのダメージが見られない場合を○；
装置へのダメージがある場合を×； とした。 [Deformation]
Damage to the device due to abnormal discharge during the production of the functional film and deformation of the insulating member due to thermal expansion were visually inspected after the production of the functional film.
○ when there is no damage to the device;
The case where there was damage to the device was indicated as x;

［膜質変動］
作製した機能性フィルムの基板および膜のダメージ（膜質変動）を検査した。具体的には、３００ｍ長の成膜を行なった機能性フィルムから１０ｍおきに計３０箇所からサンプル（各３００ｍｍ角）を切り出し、目視によりフィルムおよび膜のダメージを検査し、フィルムの熱負けや、膜割れ・膜剥離、異物付着等の有無を検査した。
膜質変動が見られないものを○；
膜質変動が１箇所でも見られるものを×； とした。
結果を下記表１に示す。 [Film quality fluctuation]
The substrate and membrane damage (film quality variation) of the produced functional film were inspected. Specifically, samples (300 mm squares) were cut out from a total of 30 locations every 10 m from a functional film on which a 300 m long film was formed, visually inspected for damage to the film and the film, heat loss of the film, The presence or absence of film cracking, film peeling, foreign matter adhesion, etc. was inspected.
○: No change in membrane quality
The case where the film quality variation was observed even at one place was marked as x;
The results are shown in Table 1 below.

Figure 2011068970
Figure 2011068970

上記表１より明らかなように、導電性のアース板の、ドラムの端面と対面する面に、絶縁性の絶縁部材を貼り付けて形成された放電防止部材を、ドラムの両端面に対面して配置するという本発明の製造装置の実施例である実施例１〜３は、いずれも、ドラムの端面からの異常放電が少なく、従って、異常放電による装置へのダメージ等もなく、また、作製した機能性フィルムも基板および膜にダメージがなく、膜質が均一なものが得られた。
特に、ドラムの端面と放電防止部材との距離を３．０ｍｍとした実施例１は、ドラムの端面からの異常放電がほとんど無く、より好適であることがわかる。 As is clear from Table 1 above, the discharge prevention member formed by attaching an insulating insulating member to the surface of the conductive earth plate facing the end surface of the drum is opposed to both end surfaces of the drum. Examples 1 to 3, which are examples of the production apparatus of the present invention to be arranged, were all produced with little abnormal discharge from the end face of the drum, and therefore no damage to the apparatus due to abnormal discharge, etc. A functional film with no damage to the substrate and film and a uniform film quality was obtained.
In particular, it can be seen that Example 1 in which the distance between the end surface of the drum and the discharge preventing member is 3.0 mm is more suitable because there is almost no abnormal discharge from the end surface of the drum.

これに対して、絶縁部材をドラムの端面に貼り付けた比較例１は、成膜開始からしばらくは、ドラム端面からの異常放電を抑制できたものの、成膜長さが１００ｍを超えたあたりから、異常放電が発生し始めた。３００ｍの成膜後、装置内を確認したところ、絶縁部材が熱により変形していた。また、作製した機能性フィルムも長さ１００ｍ以降のサンプルにおいて、基板および膜にダメージがあるものが見られた。
以上の結果より、本発明の効果は、明らかである。 In contrast, in Comparative Example 1 in which the insulating member was attached to the end surface of the drum, although abnormal discharge from the drum end surface could be suppressed for a while after the start of film formation, the film formation length exceeded 100 m. An abnormal discharge began to occur. After confirming the inside of the apparatus after film formation of 300 m, the insulating member was deformed by heat. Moreover, the produced functional film was also found to be damaged in the substrate and the film in the samples having a length of 100 m or more.
From the above results, the effect of the present invention is clear.

１０ 製造装置
１２ 供給室
１４ 成膜室
１６ 巻取り室
２０ 基板ロール
２４ 回転軸
２６、４０、４２、５８ ガイドローラ
２８、５０、６０ 真空排気手段
３０ 巻取り軸
３２、５６ 隔壁
３２ａ、５６ａ スリット
３６ ドラム
３８ シャワー電極
４４ バイアス電源
４６ ガス供給手段
４８ 高周波電源
６２ 放電防止部材
６４ アース板
６６ 絶縁部材
Ｚ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Manufacturing apparatus 12 Supply chamber 14 Film formation chamber 16 Winding chamber 20 Substrate roll 24 Rotating shaft 26, 40, 42, 58 Guide roller 28, 50, 60 Vacuum exhaust means 30 Winding shaft 32, 56 Partition 32a, 56a Slit 36 Drum 38 Shower electrode 44 Bias power supply 46 Gas supply means 48 High frequency power supply 62 Discharge prevention member 64 Ground plate 66 Insulation member Z substrate

Claims (12)

長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、前記基板に成膜を行なう機能膜の製造装置であって、
前記基板を周面の所定領域に巻き掛けて搬送する円筒状のドラムと、
前記ドラムに電位を印加する電源と、
前記ドラムの周面に対面して設けられる成膜手段と、
前記ドラムの端面に対面して設けられる、接地される導電性の板であるアース板と、
前記ドラムの端面と前記アース板との間に配置される絶縁部材とを有することを特徴とする機能膜の製造装置。 A functional film manufacturing apparatus for forming a film on the substrate while conveying a long substrate in the longitudinal direction,
A cylindrical drum that wraps and conveys the substrate around a predetermined area of the peripheral surface;
A power source for applying a potential to the drum;
A film forming means provided to face the peripheral surface of the drum;
A ground plate, which is a conductive plate to be grounded, provided to face the end surface of the drum;
An apparatus for producing a functional film, comprising: an insulating member disposed between an end face of the drum and the ground plate. 前記アース板と前記ドラムの端面との隙間が５ｍｍ以下である請求項１に記載の機能膜の製造装置。   The functional film manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a gap between the ground plate and the end surface of the drum is 5 mm or less. 前記絶縁部材が前記アース板に貼着される請求項１または２に記載の機能膜の製造装置。   The functional film manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the insulating member is attached to the ground plate. 前記絶縁部材がフッ素樹脂で形成される請求項１〜３のいずれかに記載の機能膜の製造装置。   The functional film manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the insulating member is made of a fluororesin. 前記成膜手段がプラズマＣＶＤによって前記基板に成膜を行なう請求項１〜４のいずれかに記載の機能膜の製造装置。   The functional film manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the film forming unit forms a film on the substrate by plasma CVD. 前記ドラムの温度調節手段を有する請求項１〜５のいずれかに記載の機能膜の製造装置。   The apparatus for producing a functional film according to claim 1, further comprising a temperature adjusting unit for the drum. 長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ドラムの周面の所定領域に巻き掛けて、前記ドラムの周面に対面して設けられる成膜手段によって前記基板に成膜を行なう機能膜の製造方法であって、
前記ドラムに電位を印加するとともに、
前記ドラムの端面に対面して設けられる、接地される導電性の板であるアース板と、
前記ドラムの端面と前記アース板との間に配置される絶縁部材とを有して成膜を行なうことを特徴とする機能膜の製造方法。 Manufacture of a functional film in which a long substrate is conveyed in the longitudinal direction, wound around a predetermined area of the peripheral surface of the drum, and deposited on the substrate by a film forming means provided facing the peripheral surface of the drum A method,
While applying a potential to the drum,
A ground plate, which is a conductive plate to be grounded, provided to face the end surface of the drum;
A method for producing a functional film, comprising forming an insulating member disposed between an end face of the drum and the ground plate. 前記アース板と前記ドラムの端面との隙間が５ｍｍ以下である請求項７に記載の機能膜の製造方法。   The method for producing a functional film according to claim 7, wherein a gap between the ground plate and the end surface of the drum is 5 mm or less. 前記絶縁部材が前記アース板に貼着される請求項７または８に記載の機能膜の製造方法。   The method for producing a functional film according to claim 7 or 8, wherein the insulating member is attached to the ground plate. 前記絶縁部材がフッ素樹脂で形成される請求項７〜９のいずれかに記載の機能膜の製造方法。   The method for producing a functional film according to claim 7, wherein the insulating member is made of a fluororesin. 前記成膜手段がプラズマＣＶＤによって前記基板に成膜を行なう請求項７〜１０のいずれかに記載の機能膜の製造方法。   The method for producing a functional film according to claim 7, wherein the film forming unit forms a film on the substrate by plasma CVD. 前記ドラムの温度を調節して成膜を行なう請求項７〜１１のいずれかに記載の機能膜の製造方法。   The method for producing a functional film according to claim 7, wherein film formation is performed by adjusting a temperature of the drum.
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