JP2011067788A - Gas treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば半導体製造装置からの排ガスのような有害ガスを無害に処理して排出するガス処理装置に関する。 The present invention relates to a gas processing apparatus that processes and discharges harmful gases such as exhaust gas from a semiconductor manufacturing apparatus harmlessly.
半導体製造工程において薄膜を形成する手段として化学的気相成長法があり、半導体製造工程において薄膜を除去する手段としてドライエッチングがある。これら工法では、反応炉の中に所定のガスを導入し、そのガスを外部エネルギーにより活性な状態にすることでこれら薄膜加工を行っている。加工に使用された活性なガスは反応生成物として反応炉から排気管へ排出され、また未反応ガスはそのままの状態で反応炉から排気管へ排出される。これら工法に使用するガスには、環境及び人体に有毒なガスが多く、排気管から排出される反応生成物や未反応ガスは有害物である。これらの有害物を大気にそのまま流出させないように、半導体製造装置の後段にガス処理装置、例えば除害装置が設置されている。 As a means for forming a thin film in a semiconductor manufacturing process, there is a chemical vapor deposition method, and as a means for removing a thin film in a semiconductor manufacturing process, there is dry etching. In these construction methods, these thin films are processed by introducing a predetermined gas into a reaction furnace and making the gas active by external energy. The active gas used for processing is discharged as a reaction product from the reaction furnace to the exhaust pipe, and the unreacted gas is discharged from the reaction furnace to the exhaust pipe as it is. Many of the gases used in these construction methods are toxic to the environment and the human body, and reaction products and unreacted gases discharged from the exhaust pipe are harmful. In order to prevent these harmful substances from flowing out into the atmosphere as they are, a gas processing apparatus, for example, a detoxifying apparatus, is installed at the subsequent stage of the semiconductor manufacturing apparatus.
除害装置には、様々な方式のものが存在するが、乾式のものは、初期投資も少なく、メンテナンスが容易で、更に接地面積も少ないので、一般に広く普及している。乾式の除害装置は、筒状の容器内に吸着剤または反応剤である除害剤を充填し、容器の上部から反応生成物或いは未反応ガスが導入され、除害筒内部で反応生成物や未反応ガスが除害剤と反応を起こし、有害成分を規定濃度以下にして、大気に放出する。除害剤は、粒子状のものが多い。粒子状の除害剤を除害筒内に設置する場合、除害剤の充填密度や充填高さにばらつきが生じることがあり、これらに起因して、反応生成物や未反応ガスが除害剤を通過する際に、除害剤中の抵抗の少ない領域を優先的に通過することで、除害剤内に局所的なガス通路が形成され、そのガス通路付近の除害機能が急激に劣化し、未反応な除害剤の領域が残っているにも拘わらず、早期に除害剤が除害の終点を迎えることになる。 There are various types of abatement devices, but the dry type is generally widely used because it requires little initial investment, is easy to maintain, and has a small grounding area. A dry-type detoxification device is filled with a detoxifying agent that is an adsorbent or a reactive agent in a cylindrical container, and a reaction product or unreacted gas is introduced from the top of the container, and the reaction product in the detoxification cylinder Or unreacted gas reacts with the pesticide and releases harmful components to the atmosphere below the specified concentration. There are many particulate removal agents. When installing particulate disinfectant in a disinfecting cylinder, there may be variations in the packing density and filling height of the disinfectant, resulting in the removal of reaction products and unreacted gas. When passing through the agent, a local gas passage is formed in the disinfectant by preferentially passing through a region with low resistance in the disinfectant, and the abatement function in the vicinity of the gas passage rapidly Although the region of the non-reacting pesticide remains, the pesticide reaches the end point of removal at an early stage.
この早期の除害の終点に対応するために、例えば特許文献1に開示されているような技術が提案されている。特許文献1の技術では、本体内にガスが流れる流路を形成し、流路の下流側に除害剤を支持する支持板を設けている。支持板は、流路の中央側において上流側に凸となる形状に選択され、この支持板上に上流側の面が、流路の中心軸に対して垂直になるように除害剤を積層している。この技術によれば、除害剤の充填厚みを故意に周辺部だけ厚くして、本体の壁の存在によってこの周辺部では粒子の充填率が一律にならない壁効果によって生じる偏流を低減させようとしている。 In order to deal with this early end point of abatement, for example, a technique as disclosed in Patent Document 1 has been proposed. In the technique of Patent Document 1, a flow path through which a gas flows is formed in the main body, and a support plate that supports a detoxifying agent is provided on the downstream side of the flow path. The support plate is selected to have a shape that protrudes upstream on the center side of the flow path, and a pesticide is laminated on the support plate so that the upstream surface is perpendicular to the central axis of the flow path. is doing. According to this technique, the thickness of the pesticide filling is intentionally increased only in the peripheral portion, and the drift caused by the wall effect in which the particle filling rate is not uniform in the peripheral portion due to the presence of the wall of the main body is reduced. Yes.
上記の技術では、壁効果による偏流を低減させることはできるが、本体内全体に対する充填率のばらつきや、一律に充填していてもガス処理装置を運搬している間に受ける振動によって発生する充填率のばらつきには対応することができない。 The above technique can reduce the drift due to the wall effect, but the filling caused by fluctuations in the filling rate of the whole main body and the vibrations received while transporting the gas treatment device even if it is uniformly filled. It is not possible to cope with variation in rate.
本発明は、充填率のばらつきがあっても、除害剤の早期終点に対応することができるガス処理装置を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the gas processing apparatus which can respond to the early end point of an abatement agent, even if there exists dispersion | variation in a filling rate.
本発明の一態様のガス処理装置は、内部が中空の本体を有し、この本体の一端部にガス導入口が設けられ、他端部にガス導出口が設けられている。この本体内に粒子状の除害剤が収容され、前記ガス導入口を介して前記本体内に導入された除害前ガスを通過させて除害後ガスとして前記ガス導出口から導出する。除害剤は、筒状の本体の長さ方向に直交する面をほぼ埋めた状態で、筒状の本体の長さ方向に所定の長さにわたって収容されることが望ましい。前記本体内の前記ガス導入口側の前記除害剤面の特定の領域に前記除害前ガスを偏流させる偏流手段が設けられている。 The gas treatment device of one embodiment of the present invention includes a main body having a hollow inside, and a gas introduction port is provided at one end portion of the main body, and a gas outlet port is provided at the other end portion. A particulate detoxifying agent is accommodated in the main body, and the pre-detoxification gas introduced into the main body is passed through the gas introduction port, and is led out from the gas outlet port as a detoxification gas. It is desirable that the detoxifying agent is accommodated over a predetermined length in the length direction of the cylindrical main body in a state where the surface orthogonal to the length direction of the cylindrical main body is substantially filled. Diffusion means for drifting the pre-detoxification gas is provided in a specific region of the detoxifying agent side of the main body on the gas inlet side.
このように構成されたガス処理装置では、除害剤の特定の領域に除害前ガスを偏流させることができるので、その特定の領域を、ガス通路が形成されにくい除害剤の部分とすることによって、除害剤がほぼ均一に終点を向かえるようにすることができる。 In the gas treatment apparatus configured as described above, the pre-detoxification gas can be drifted to a specific region of the detoxifying agent, and thus the specific region is a portion of the detoxifying agent in which the gas passage is difficult to be formed. In this way, the detoxifying agent can be directed almost uniformly toward the end point.
前記偏流手段は、前記除害剤の前記ガス導入口側の面の全面を覆うように設けた板状体と、その板状体の特定の領域に、前記除害前ガスを前記除害剤側に通過させるように形成された窓とを、具備するものとすることができる。窓は、1つだけ設けることもできるし、複数設けることもできる。 The drifting means includes a plate-like body provided so as to cover the entire surface of the gas removal port side of the detoxifying agent, and the pre-detoxifying gas is supplied to the detoxifying agent in a specific region of the plate-like body. And a window formed to pass to the side. Only one window or a plurality of windows can be provided.
このように偏流手段を構成すると、比較的簡単に偏流手段を作成することができる。 If the drifting means is configured in this way, the drifting means can be created relatively easily.
更に、前記板状体は、前記本体の前記一端部と前記他端部のそれぞれ中心を繋ぐ中心軸の回りに回転自在に配置することができる。回転自在には、上記中心軸に沿って回転軸を設けることによってもできるし、板状体の周縁部を回転自在に軸受け等によって支持することによってもできる。 Furthermore, the plate-like body can be rotatably arranged around a central axis that connects the centers of the one end and the other end of the main body. The rotation can be achieved by providing a rotation axis along the central axis, or by supporting the peripheral edge of the plate-like body by a bearing or the like in a rotatable manner.
このように構成することによって、偏流手段の窓の位置を任意に変更することができるので、除害前ガスを除害剤の所望の位置に偏流させることができる。なお、この場合、窓は、上記中心軸から外方に向かって放射状に設けることが望ましい。 By comprising in this way, since the position of the window of a drifting means can be changed arbitrarily, the gas before a detoxification can be drifted to the desired position of a detoxifying agent. In this case, the windows are preferably provided radially from the central axis toward the outside.
更に、前記板状体を前記中心軸の回りに回転させる駆動手段を設けることができる。駆動手段は、前記本体の外部に設けた磁力発生手段によって前記板状体を回転させるものとすることもできるし、前記本体の内部に設けた気体圧作動するアクチュエータによって前記板状体を回転させるものとすることもできる。 Furthermore, drive means for rotating the plate-like body around the central axis can be provided. The driving means may be configured to rotate the plate-like body by a magnetic force generating means provided outside the main body, or to rotate the plate-like body by an actuator operated by gas pressure provided inside the main body. It can also be.
このように構成すると、板状体を回転させることができるので、除害前ガスを除害剤の全域に均一に通過させることができる。更に、上記のような磁力や気体圧による駆動手段を使用すると、電気モータを本体内またはその近辺に配置する必要が無く、電気モータによって発生する火花によるガスの爆発等が生じることがなく、安全性を高めることができる。 If comprised in this way, since a plate-shaped object can be rotated, the gas before a removal can be made to pass uniformly to the whole region of a removal agent. Furthermore, when the driving means using the magnetic force or the gas pressure as described above is used, there is no need to arrange the electric motor in or near the main body, and there is no explosion of gas due to the spark generated by the electric motor. Can increase the sex.
前記本体内に、前記ガス導入口から前記ガス導出口側へ、複数の前記除害剤が積層されるものとすることができる。この場合、前記除害剤のうち選択されたものの前記ガス導入口側に前記偏流手段が設けられている。全ての除害剤に対して偏流手段を設けることもできるし、1つだけの除害剤に偏流手段を設けることもできるし、複数の除害剤のうち複数であるが全数ではなく除害剤に偏流手段を設けることもできる。 A plurality of the detoxifying agents may be stacked in the main body from the gas inlet to the gas outlet. In this case, the drifting means is provided on the gas inlet side of the selected detoxifying agent. Diffusion means can be provided for all of the pesticides, or drift means can be provided for only one of the pesticides. A drifting means can be provided in the agent.
このように構成すると、例えば除害前ガスに応じて複数種類の除害剤を設置した場合でも、各除害剤の充填のばらつきにより早期終点が生じやすいものに対して偏流手段を設けることにより、そのような除害剤に対して早期終点が生じることを防止できる。 By configuring in this way, for example, even when a plurality of types of detoxifying agents are installed according to the gas before detoxification, by providing a drifting means for those in which early end points are likely to occur due to variations in the filling of each detoxifying agent. , It is possible to prevent the occurrence of an early end point for such a detoxifying agent.
前記除害前ガスは、半導体製造装置の排ガスとすることができる。この場合、半導体製造工程において発生する有害な反応生成物や未反応ガスを安全なガスに変換して、大気中に排出することができる。 The pre-detoxification gas can be exhaust gas from a semiconductor manufacturing apparatus. In this case, harmful reaction products and unreacted gas generated in the semiconductor manufacturing process can be converted into safe gas and discharged into the atmosphere.
以上のように、本発明によれば、偏流手段を設けたことにより、充填率のばらつきがあっても、除害剤を長期にわたって使用することができる。 As described above, according to the present invention, by providing the drifting means, it is possible to use the detoxifying agent over a long period of time even if the filling rate varies.
本発明の第1の実施形態のガス処理装置は、例えば半導体製造装置から排出される除害前ガス、例えば有害な反応生成物や未反応ガスを、除害後ガスに無害化して排出するもので、いわゆる乾式の除害装置である。 The gas processing apparatus according to the first embodiment of the present invention discharges, for example, pre-detoxification gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus, for example, detoxification of harmful reaction products and unreacted gas into post-detoxification gas. Thus, it is a so-called dry-type abatement device.
このガス処理装置は、図1に示すように本体2を有している。本体2は、内部が空洞の円筒状の胴部2aの上下を上端部2b及び下端部2cによって閉じた構造である。本体2の一端部、例えば上端部2bの中央に、除害前ガスを導入するガス導入口4が形成されている。本体2の他端部、例えば下端部2cの中央に、除害後ガスを導出するガス導出口6を有している。
This gas processing apparatus has a
本体2内は、その上下方向に複数段、例えば2段に、上下方向に間隔をおいて配置された仕切板8、10によって仕切られている。仕切板8、10は、その周縁部が胴部2aの内周面に接しており、その内部をガスが通過するように、また、後述する除害剤12、14が通過しないように構成されたパンチメタルまたはメッシュ構造の金属板である。
The inside of the
上側の仕切板8から上側に除害剤12が充填され、仕切板8によって支持されている。除害剤12は、仕切板8の全面に位置し、所定の高さまで収容されている。同様に、下側の仕切板10と上側の仕切板8との間の空間全域に除害剤14が充填され、下側の仕切板10によって支持されている。除害剤12、14は、それぞれ異なる種類のものであって、粒子状、例えばビーズ状にそれぞれが構成されている。ビーズ状であるので、除害剤12、14の充填密度や充填高さに、ばらつきが生じることがある。
A
除害剤12の上面と上端部2bとの間には空間16があり、この空間16において、胴部2aの内周面には、除害剤12の上面に接するように円板18が形成されている。この円板18は、その中央に開口20を有し、この開口20の周縁部全域から上方に向かって支持筒22が形成されている。この支持筒22の上端には、ベアリング24を介して偏流手段26の板状体28が、胴部2aの上下方向の中心軸を回転中心として回転自在に支持されている。板状体28は、その外周縁が支持筒22よりも外方に突出している。また、板状体28の下面は、支持筒22の上端よりも下方に位置し、ベアリング24は、板状体28の下面から内側に埋め込まれた状態で形成されている。
There is a
板状体28には、上下方向に貫通した窓30が形成されている。この窓30は、例えば矩形で、複数、例えば図2に示すように、3つが、胴部2aの中心から放射状に等角度に形成されている。板状体28の周縁部が支持筒22よりも外方に位置し、板状体28の下面は支持筒22よりも下方に位置し、ベアリング24が板状体28の下面に埋め込まれた状態で形成されているので、空間16にガス導入口4を介して導入された除害前ガスは、窓30を介してのみ除害剤12へ到達する。即ち、除害前ガスは、偏流する。
The plate-
板状体28の外周面には、磁界発生体、例えば永久磁石31が設けられている。この永久磁石31は、複数、例えば2個が、所定角度間隔、例えば180度間隔に設けられている。これら永久磁石31と対応する胴部2aの外部に、磁界発生体、例えば永久磁石32が設けられている。この永久磁石32は、永久磁石31との間で吸引力を発生するように構成されており、図示していないが、胴部2aの上下方向の中心軸の回りに回転するように構成されている。この永久磁石31が円板28に対する駆動手段として機能する。この駆動には、本体2内に電気駆動される部品を必要としない。従って、爆発等の問題が生じることがない。
A magnetic field generator, for example, a
なお、下側の仕切板10と本体2の下端部2bとの間にも、空間34が形成されている。
A
このように構成されたガス処理装置では、ガス導入口4から除害前ガスが本体2内に導入されると、除害前ガスは、空間16に供給され、窓30を介してのみ除害剤12に供給される。このとき、永久磁石32を回転させることによって、板状体28を回転させることによって、窓30が除害剤12の上面上を回転していくことになり、除害剤12の全面に満遍なく除害前ガスが供給される。従って、除害剤12の充填率にばらつきがあっても、除害剤12全体を除害前ガスが通過し、特定の領域のみを除害前ガスが通過することなく、除害剤12の特定の位置にガスが流れる流路は形成されず、早期終点が生じることを防止できる。なお、除害剤12を通過した除外前ガスは、仕切板8を介して除害剤14に供給され、ここで更に除害されて、仕切板10から空間34に到達し、除外後ガスとして、ガス導出口6から排出される。
In the gas processing apparatus configured as described above, when the pre-detoxification gas is introduced into the
第2の実施形態のガス処理装置を図3に示す。この実施形態のガス処理装置は、駆動手段の構成が異なる以外、第1の実施形態と同様に構成されている。第1の実施形態の構成要素と同一部分には同一符号を付して、その説明を省略する。 The gas processing apparatus of 2nd Embodiment is shown in FIG. The gas processing apparatus of this embodiment is configured in the same manner as in the first embodiment except that the configuration of the driving means is different. The same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
この実施形態のガス処理装置では、板状体28の外周面に、所定角度ごとに受圧手段、例えば羽根36を有している。これら羽根36は、その受圧面36aが円板28の半径方向に沿うように形成されている。本体2内には、駆動手段としての気体圧発生手段、例えばベローズ38が設けられている。このベローズ38は、板状体28が、胴部2aの上下方向の中心軸の回りに回転する際に、各羽根36が描く軌跡の一カ所において、そのカ所に到達する各羽根36の受圧面36aにエアー駆動によるベローズ38のピストン38aの運動の力を受けるように配置されている。従って、ベローズ38にエアーを供給することによって、ピストン38aが前進し、板状体28が回転する。ベローズ38を使用することによって、本体2内に駆動手段を設けているにも拘わらず、電気部品を使用する必要がない。よって、爆発等の問題が発生することがない。
In the gas processing apparatus of this embodiment, pressure receiving means, for example, blades 36 are provided on the outer peripheral surface of the plate-
第3の実施形態を図4に示す。この実施形態のガス処理装置は、3種類の除害剤12、14、40(図4ではハッチング省略)が本体2の上下方向に沿って仕切板8、10、42(図4ではハッチング省略)によって支持積層され、各除外剤12、14、40に対して偏流手段を設けたものである。偏流手段の構成は、第1の実施形態のものと同一である。
A third embodiment is shown in FIG. In the gas treatment apparatus of this embodiment, three types of
上記の各実施形態では、窓30は矩形のものを3個設けたが、これに限ったものではなく、任意の数とすることもできるし、その角度間隔も任意に変更することができる。例えば図5に示すように矩形の窓30を90度間隔に4個設けることもできる。また、矩形の窓30に限ったものではなく、図6、図7に示すように涙滴型の窓30aを設けることもできる。図6、図7では、180度の間隔に2個の窓30aを示したが、その数は任意に変更できるし、その角度間隔も任意に変更できる。涙滴型の場合、その膨大部を図6に示すように板状体28の外周側に配置することもできるし、図7に示すように中心側に配置することもできる。
In each of the above embodiments, three
なお、上記の各実施形態では、偏流手段の板状体26を常時回転させる場合を示したが、これに限ったものではなく、例えば除害前ガスを偏流させる必要のある除害剤の位置が、例えば経験上判明しているような場合には、その位置の上方に窓30が位置するように板状体28を回転させておいて、その状態で板状体28を固定して使用することもできる。このような場合、例えば第1の実施形態の磁石32を手動で移動させるようにすることもできる。
In each of the above embodiments, the case where the plate-
第1の実施形態では、本体2内に永久磁石31を設置したが、これに代えて、本体2の永久磁石32によって磁化される被磁化部材を設けることもできる。また、永久磁石32に代えて電磁石を使用することもできる。
In the first embodiment, the
第2の実施形態では、エアーを使用してベローズを駆動させたが、気体圧を有する気体であれば種々のものを使用することができ、例えば不活性ガスのアルゴンガスや窒素ガスを使用することもできる。 In the second embodiment, air is used to drive the bellows, but various gases can be used as long as the gas has a gas pressure, for example, an inert gas such as argon gas or nitrogen gas is used. You can also.
第3の実施形態では、複数の除害剤の全てに対して偏流手段を設けたが、各除害剤のうち早期終点が生じやすい除害剤に偏流手段を設けることもできる。例えば上段と下段の除害剤のみに偏流手段を設けることもできるし、上段と中段、中段と下段の除害剤に対してのみ偏流手段を設けることできるし、上段のみ、中段のみ、下段のみの除害剤に対してのみ偏流手段を設けることもできる。 In the third embodiment, the drifting means is provided for all of the plurality of the abatement agents, but the drifting means can be provided for the abatement agents in which early end points easily occur among the abatement agents. For example, it is possible to provide a drifting means only for the upper and lower detoxifying agents, or it is possible to provide a drifting means only for the upper and middle stage, middle and lower detriting agents, and only the upper stage, only the middle stage, only the lower stage. It is also possible to provide a drifting means only for the detoxifying agent.
2 本体部
4 ガス導入口
6 ガス導出口
2b 上端部(一端部)
2c 下端部(他端部)
8 10 仕切板
12 14 除害剤
28 板状体(偏流手段)
30 窓(偏流手段)
2 Main unit 4
2c Lower end (other end)
8 10
30 Window (Drifting means)
Claims (8)
この本体内に収容され、前記ガス導入口を介して前記本体内に導入された除害前ガスを通過させて除害後ガスとして前記ガス導出口から導出する粒子状の除害剤と、
前記本体内の前記ガス導入口側の前記除害剤面の特定の領域に前記除害前ガスを偏流させる偏流手段とを、
具備するガス処理装置。 A body having a hollow inside having a gas inlet at one end and a gas outlet at the other end;
Particulate detoxifying agent that is housed in the main body and passes through the gas introduction port and the pre-detoxification gas introduced into the main body and is led out from the gas outlet port as detoxification gas,
Drifting means for drifting the pre-detoxification gas to a specific region of the detoxifying agent side on the gas inlet side in the main body;
Gas processing apparatus provided.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05111612A (en) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Gas adsorbing separation equipment |
JP2008520427A (en) * | 2004-11-19 | 2008-06-19 | ユーオーピー エルエルシー | Fluid distributor |
JP2009011992A (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Ube Ind Ltd | Apparatus and method for treatment of etching waste gas |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05111612A (en) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Gas adsorbing separation equipment |
JP2008520427A (en) * | 2004-11-19 | 2008-06-19 | ユーオーピー エルエルシー | Fluid distributor |
JP2009011992A (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Ube Ind Ltd | Apparatus and method for treatment of etching waste gas |
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