JP2011066818A - 基板、sawデバイスおよびデバイス - Google Patents
基板、sawデバイスおよびデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011066818A JP2011066818A JP2009217514A JP2009217514A JP2011066818A JP 2011066818 A JP2011066818 A JP 2011066818A JP 2009217514 A JP2009217514 A JP 2009217514A JP 2009217514 A JP2009217514 A JP 2009217514A JP 2011066818 A JP2011066818 A JP 2011066818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- spinel
- main surface
- saw
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 44
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 21
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る基板1は、SAWデバイス用のスピネルからなる基板である。基板1においては、基板1の一方の主表面1aの平均粗さRaの値が0.01nm以上3.0nm以下であることが好ましい。またSAWデバイス用または他のデバイス用の、スピネル製の基板1のヤング率は150GPa以上350GPa以下であることが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明の発明者は鋭意研究の結果、たとえば上述したSAWフィルタなどのSAWデバイスを載置する基板として、サファイアの代わりに、光学素子の分野で主に用いられるスピネルを用いることができる可能性があることを見出した。スピネルの強度などの物性値は、サファイアの強度などの物性値に近い。スピネルを用いて形成するSAWデバイス用の基板も、サファイアからなるSAWデバイス用の基板と同様に実用に耐えうるという可能性を見出した。たとえば、スピネル製のSAWデバイス用基板は、サファイア製のSAWデバイス用基板と同等ではないが実用上問題ないレベルの強度(ヤング率)を示す。またスピネルは、SAWデバイスを構成する圧電体基板が発生する熱を放熱するため実用上問題ないレベルの熱伝導率を有する。
しかし従来、SAWデバイス用の基板としてはサファイアなどの単結晶体を用いることが技術常識であり、当業者の間ではそもそも多結晶体のスピネルを基板材料の候補とすること自体、考えられていなかった。発明者は当業者の常識にとらわれることなく研究を進めた結果、スピネルをSAWデバイス用基板として用いうるという知見を得た。サファイアの代わりにスピネルを用いてSAWデバイス用基板を形成すれば、当該基板の生産コストを低減することができる。
図1に示すように、本実施の形態の基板1は、たとえば主表面1aが直径4インチであり、スピネルからなるウェハである。基板1を構成するスピネルとしてはたとえばMgO・nAl2O3(1≦n≦3)が挙げられる。
Claims (6)
- SAWデバイス用のスピネルからなる基板。
- 前記基板の一方の主表面の平均粗さRaの値が0.01nm以上3.0nm以下である、請求項1に記載の基板。
- 請求項1に記載の基板を用いたSAWデバイス。
- デバイス用のスピネルからなる基板。
- ヤング率が150GPa以上350GPa以下である、請求項1または4に記載の基板。
- 請求項4に記載の基板を用いたデバイス。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009217514A JP5549167B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | Sawデバイス |
PCT/JP2010/066054 WO2011034136A1 (ja) | 2009-09-18 | 2010-09-16 | 基板、基板の製造方法、sawデバイスおよびデバイス |
CN2010800416411A CN102498667A (zh) | 2009-09-18 | 2010-09-16 | 基板、基板的制造方法、saw器件以及器件 |
US13/496,968 US20120231218A1 (en) | 2009-09-18 | 2010-09-16 | Substrate, manufacturing method of substrate, saw device and device |
TW099131739A TW201136155A (en) | 2009-09-18 | 2010-09-17 | Substrate, saw device and device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009217514A JP5549167B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | Sawデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011066818A true JP2011066818A (ja) | 2011-03-31 |
JP5549167B2 JP5549167B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=43952545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009217514A Active JP5549167B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | Sawデバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5549167B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016100729A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスの製造方法 |
JP2016100744A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波デバイス |
US9595657B2 (en) | 2012-06-13 | 2017-03-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate |
CN107406335A (zh) * | 2016-03-22 | 2017-11-28 | 住友电气工业株式会社 | 陶瓷基板、层叠体和saw器件 |
JP2018093496A (ja) * | 2012-12-26 | 2018-06-14 | 日本碍子株式会社 | 複合基板及び弾性波デバイス |
WO2020148907A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-23 | 住友電気工業株式会社 | スピネル多結晶基板、接合体及び表面弾性波デバイス |
US10749497B2 (en) | 2018-06-11 | 2020-08-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with spinel layer and temperature compensation layer |
US10979017B2 (en) | 2017-03-27 | 2021-04-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Layered body and saw device |
JPWO2020148909A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2021-12-23 | 住友電気工業株式会社 | 接合体及び表面弾性波デバイス |
US11349454B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-05-31 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Acoustic wave devices with common glass substrate |
US11621690B2 (en) | 2019-02-26 | 2023-04-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Method of manufacturing acoustic wave device with multi-layer substrate including ceramic |
US11699985B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-07-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Layered body, and saw device |
US11750171B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-09-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Layered body, and saw device |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6186466A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-01 | 住友大阪セメント株式会社 | スピネル系セラミツクス |
JPH07122960A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
JPH07126061A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-05-16 | Kounoshima Kagaku Kogyo Kk | マグネシア系焼結体及びその製造方法 |
JPH11116397A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-27 | Kazuhiko Yamanouchi | (020)配向ペロブスカイト型ニオブ酸カリウム薄膜及び該薄膜を有する弾性表面波素子 |
JPH11340769A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス接合圧電基板の製造方法 |
JPH11354445A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000278084A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Yamaha Corp | 弾性表面波素子 |
JP2001068964A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Pioneer Electronic Corp | 表面弾性波素子及びその製造方法 |
JP2001111378A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波素子及び弾性表面波デバイス |
JP2001332947A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 圧電体薄膜素子の製造方法及び圧電体薄膜素子 |
JP2004186868A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子、それを有する送信フィルタ及び受信フィルタ、並びにそれらを有するデュプレクサ |
JP2004336600A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
JP2005272203A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Neomax Co Ltd | 膜形成用基板および半導体膜の形成方法 |
JP2006156770A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 直接接合ウェーハの製造方法及び直接接合ウェーハ |
JP2007201772A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Seiko Epson Corp | 弾性波素子の製造方法、電子機器の製造方法、マスクおよびマスクの製造方法 |
JP2008301066A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Yamajiyu Ceramics:Kk | タンタル酸リチウム(lt)又はニオブ酸リチウム(ln)単結晶複合基板 |
JP2009088497A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子機器 |
-
2009
- 2009-09-18 JP JP2009217514A patent/JP5549167B2/ja active Active
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6186466A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-01 | 住友大阪セメント株式会社 | スピネル系セラミツクス |
JPH07126061A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-05-16 | Kounoshima Kagaku Kogyo Kk | マグネシア系焼結体及びその製造方法 |
JPH07122960A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
JPH11354445A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JPH11116397A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-27 | Kazuhiko Yamanouchi | (020)配向ペロブスカイト型ニオブ酸カリウム薄膜及び該薄膜を有する弾性表面波素子 |
JPH11340769A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス接合圧電基板の製造方法 |
JP2000278084A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Yamaha Corp | 弾性表面波素子 |
JP2001068964A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Pioneer Electronic Corp | 表面弾性波素子及びその製造方法 |
JP2001111378A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波素子及び弾性表面波デバイス |
JP2001332947A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 圧電体薄膜素子の製造方法及び圧電体薄膜素子 |
JP2004186868A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子、それを有する送信フィルタ及び受信フィルタ、並びにそれらを有するデュプレクサ |
JP2004336600A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
JP2005272203A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Neomax Co Ltd | 膜形成用基板および半導体膜の形成方法 |
JP2006156770A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 直接接合ウェーハの製造方法及び直接接合ウェーハ |
JP2007201772A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Seiko Epson Corp | 弾性波素子の製造方法、電子機器の製造方法、マスクおよびマスクの製造方法 |
JP2008301066A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Yamajiyu Ceramics:Kk | タンタル酸リチウム(lt)又はニオブ酸リチウム(ln)単結晶複合基板 |
JP2009088497A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子機器 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9595657B2 (en) | 2012-06-13 | 2017-03-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate |
JP2018093496A (ja) * | 2012-12-26 | 2018-06-14 | 日本碍子株式会社 | 複合基板及び弾性波デバイス |
JP2016100729A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスの製造方法 |
JP2016100744A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波デバイス |
CN107406335A (zh) * | 2016-03-22 | 2017-11-28 | 住友电气工业株式会社 | 陶瓷基板、层叠体和saw器件 |
US10340886B2 (en) | 2016-03-22 | 2019-07-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic substrate, layered body, and saw device |
US10979017B2 (en) | 2017-03-27 | 2021-04-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Layered body and saw device |
US11750171B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-09-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Layered body, and saw device |
US11699985B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-07-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Layered body, and saw device |
US10749497B2 (en) | 2018-06-11 | 2020-08-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with spinel layer and temperature compensation layer |
US11824515B2 (en) | 2018-06-11 | 2023-11-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with spinel layer and temperature compensation layer |
US11245378B2 (en) | 2018-06-11 | 2022-02-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with spinel layer and temperature compensation layer |
US11349454B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-05-31 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Acoustic wave devices with common glass substrate |
US11387808B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-07-12 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator with ceramic substrate |
US11424732B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-08-23 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Acoustic wave devices with common ceramic substrate |
JPWO2020148909A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2021-12-23 | 住友電気工業株式会社 | 接合体及び表面弾性波デバイス |
JP7243743B2 (ja) | 2019-01-18 | 2023-03-22 | 住友電気工業株式会社 | スピネル多結晶基板、接合体及び表面弾性波デバイス |
JPWO2020148907A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2021-11-25 | 住友電気工業株式会社 | スピネル多結晶基板、接合体及び表面弾性波デバイス |
WO2020148907A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-23 | 住友電気工業株式会社 | スピネル多結晶基板、接合体及び表面弾性波デバイス |
US11621690B2 (en) | 2019-02-26 | 2023-04-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Method of manufacturing acoustic wave device with multi-layer substrate including ceramic |
US11876501B2 (en) | 2019-02-26 | 2024-01-16 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with multi-layer substrate including ceramic |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5549167B2 (ja) | 2014-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5549167B2 (ja) | Sawデバイス | |
WO2012033125A1 (ja) | 基板、基板の製造方法およびsawデバイス | |
WO2011034136A1 (ja) | 基板、基板の製造方法、sawデバイスおよびデバイス | |
KR102222089B1 (ko) | 복합 기판, 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스의 제법 | |
JP7095785B2 (ja) | セラミック基板、積層体およびsawデバイス | |
CN105636920B (zh) | 莫来石烧结体、其制法以及复合基板 | |
CN105764871A (zh) | 堇青石烧结体、其制法、复合基板以及电子器件 | |
JP7509185B2 (ja) | 積層体およびsawデバイス | |
TW201513417A (zh) | 壓電裝置的製造方法、壓電裝置及壓電獨立基板 | |
CN109690943B (zh) | 复合基板及其制法以及电子器件 | |
CN107226692B (zh) | 堇青石质烧结体、其制法及复合基板 | |
JP2023052257A (ja) | 接合体及び表面弾性波デバイス | |
WO2020148909A1 (ja) | 接合体及び表面弾性波デバイス | |
JP7018267B2 (ja) | サイアロン焼結体、その製法、複合基板及び電子デバイス | |
TWI728073B (zh) | 菫青石質燒結體、其製造方法以及複合基板 | |
JP2018041888A (ja) | セラミック基板の研削方法および圧電素子の製造方法 | |
JP7339158B2 (ja) | セラミック基板、積層体およびsawデバイス | |
JP6024239B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2021008367A (ja) | セラミック基板、積層体およびsawデバイス | |
JP2003234631A (ja) | ダイヤモンド複合体、表面弾性波素子及びダイヤモンド複合体製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130724 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140310 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140505 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5549167 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |