JP2011066435A - 半導体デバイスの絶縁 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】当該絶縁構造は、底部が最上部よりも広くなっており、半導体デバイスの大きさを調整できる。第1のエッチングプロセスが、第1のトレンチ部分226を形成するために用いられ、第2のエッチングプロセスまたは酸化工程が、第1のトレンチ部分226の下に第2のトレンチ部分228を形成するために用いられる。第2のトレンチ部分は、第1のトレンチ部分よりも広い。一形態では、下地膜222が、第1のトレンチ部分の間、第1のトレンチ部分の側壁上に形成されてもよい(この第1のトレンチ部分は、第2のエッチングプロセスの間、第1のトレンチ部分の側壁を保護する)。あるいは、他の形態では、下地膜222が、第1のトレンチ部分の側壁上に堆積されていてもよい。
【選択図】図3
Description
本発明は、概して、半導体デバイスの製造に関するものであり、特に、半導体デバイスの絶縁の形成に関するものである。
半導体デバイスは、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ、および、他の電子機器といった様々な用途に用いられている。通常、半導体デバイスは、半導体基板上に、順に絶縁(または誘電)層、導体層、半導体層の材料を堆積し、これら様々な層をリソグラフィを用いてパターニングして、上記半導体基板上に回路部品および回路素子を形成することによって形成される。
半導体デバイスのSTI領域を形成する新たな方法を提供する本発明の好ましい実施の形態によって、通常は、上記問題および他の問題が解決または回避されるとともに、技術的利点が得られる。底部が広く上部が狭い逆形状を有するSTI領域が形成される。
本発明および本発明の利点をより完全に理解するために、添付図面と共に以下の説明を参照する。添付図面は次の通りである。
好ましい実施形態の実施および使用について以下に詳述する。しかし本発明は、様々な具体的状況において応用可能な多くの概念を提供していることについて理解されたい。本明細書に記載の具体的な実施の形態は、単に本発明の具体的な実施および使用方法を示したものであって、本発明の範囲を限定するものではない。
Claims (19)
- 基材を設ける工程と、
上記基材に第1のエッチングプロセスを施して、上記基材中に第1のトレンチ部分を形成する工程であって、上記第1のトレンチ部分は第1幅を有している工程と、
上記第1のトレンチ部分の上に、厚さが50nm未満である保護下地膜を形成する工程と、
上記第1のトレンチ部分の少なくとも底面から、上記保護下地膜を除去する工程と、
上記基材に第2のエッチングプロセスを施して、上記基材の中の上記第1のトレンチ部分の下に第2のトレンチ部分を形成する工程であって、上記第2のトレンチ部分は第2幅を有しており、上記第2幅は上記第1幅よりも広い工程と、
上記第1のトレンチ部分および上記第2のトレンチ部分を、絶縁材によって充填する工程と、を含む半導体デバイスの絶縁構造の形成方法。 - 上記保護下地膜を形成する工程は、ポリマー、酸化物、窒化物、または炭素含有材料を形成する工程を含んでいる請求項1に記載の方法。
- 上記保護下地膜を形成する工程は、SiO2、SixNy若しくはSiC、または、これらを組み合わせたもの、または、これらの複数の層を形成する工程を含んでいる請求項2に記載の方法。
- 上記保護下地膜を形成する工程は、厚さが略25nm未満である下地膜を形成する工程を含んでいる請求項1に記載の方法。
- 上記保護下地膜を形成する工程は、上記第1のトレンチ部分の側壁に保護下地膜を形成する工程と、さらに、上記第1のトレンチ部分および上記第2のトレンチ部分を絶縁材によって充填する前に、上記第1のトレンチ部分の側壁から上記保護下地膜を除去する工程と、を含む請求項1に記載の方法。
- 基材を設ける工程と、
上記基材に第1プロセスを施して、上記基材中に第1のトレンチ部分を形成する工程であって、上記第1のトレンチ部分は第1幅を有し、上記第1プロセスは第1のエッチングプロセス含む工程と、
上記第1のトレンチ部分の上に、窒化物、炭素含有材料、またはポリマーを含んでいる保護下地膜を形成する工程と、
上記第1のトレンチ部分の少なくとも底面から、保護下地膜を除去する工程と、
上記基材に第2プロセスを施して、上記基材の中の上記第1のトレンチ部分の下に第2のトレンチ部分を形成する工程であって、上記第2のトレンチ部分は第2幅を有し、上記第2幅は上記第1幅よりも広い工程と、
少なくとも上記第1のトレンチ部分を絶縁材によって充填する工程と、を含む半導体デバイスの絶縁構造の形成方法。 - 上記保護下地膜を形成する工程は、厚さが略50nmよりも薄い下地膜を形成する工程を含んでいる請求項6に記載の方法。
- 上記保護下地膜を形成する工程は、SixNy若しくはSiC、これらを組み合わせたもの、これらの複数の層、これらを組み合わせたものに更にSiO2を含むもの、または、これらの複数の層に更にSiO2を含む層を形成する工程を含んでいる請求項6に記載の方法。
- 上記基材に第2プロセスを施す工程は、上記基材に第2のエッチングプロセスを施す工程を含み、
上記少なくとも第1のトレンチ部分を絶縁材によって充填する工程は、さらに、上記第2のトレンチ部分を絶縁材によって充填する工程を含んでいる請求項6に記載の方法。 - 上記基材に第2プロセスを施す工程は、第1のトレンチ部分の底面を酸化する工程を含み、
上記第2のトレンチ部分は、上記第1のトレンチ部分の下に位置する上記基材の酸化された部分を含んでいる請求項6に記載の方法。 - 上記第1のトレンチ部分の底面を酸化する工程は、選択酸化(LOCOS)プロセスを含んでいる請求項10に記載の方法。
- 上記第1のトレンチ部分の底面を酸化する前に、さらに、上記基材に第2のエッチングプロセスを施す工程を含んでいる請求項10に記載の方法。
- 上記保護下地膜を形成する前に、さらに、上記第1のトレンチ部分の上に酸化物の下地膜を形成する工程を含んでいる請求項10に記載の方法。
- 上面を有する基材と、
上記基材の中に形成された絶縁領域と、を含む半導体デバイスであって、
上記絶縁領域は、上記基材の上面に隣接した第1部分を含み、
上記第1部分は、第1幅を有するとともに、側壁を含み、
上記絶縁領域は、上記第1部分の下に配置された第2部分を含み、
上記第2部分は第2幅を有するとともに、上記第2幅は第1幅よりも広く、
上記絶縁領域は、上記第1のトレンチ部分および上記第2のトレンチ部分の中に配置された絶縁材を含み、
上記絶縁材と上記基材の間では、下地膜が、上記第1のトレンチ部分の側壁に沿って位置していない半導体デバイス。 - さらに、上記第1部分の側壁上に配置された第1の下地膜を含み、上記第1の下地膜の厚さは50nm未満である請求項14に記載の半導体デバイス。
- 上記第1の下地膜は、ポリマー、SiO2、SixNy若しくはSiC、これらを組み合わせたもの、または、これらの複数の層を含んでいる請求項15に記載の半導体デバイス。
- さらに、上記第1のトレンチ部分内の上記第1の下地膜の上、並びに上記第2のトレンチ部分の側壁および底面の上、に配置された第2の下地膜を含んでいる請求項15に記載の半導体デバイス。
- 上記第1の下地膜は、ポリマー、SixNy若しくはSiC、これらを組み合わせたもの、または、これらの複数の層を含み、
さらに、上記第1の下地膜と上記絶縁領域の第1部分の側壁との間に配置された第2の下地膜を含み、上記第2の下地膜は酸化物を含んでいる請求項15に記載の半導体デバイス。 - さらに、上記絶縁領域の第1側面に隣接して配置された第1のトランジスタと、上記絶縁領域の第2側面に隣接して配置された第2のトランジスタとを含み、
半導体デバイスは、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)デバイスを含んでいる、請求項14に記載の半導体デバイス。
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