JP2011061156A - Substrate processing apparatus, gas introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Substrate processing apparatus, gas introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2011061156A
JP2011061156A JP2009212297A JP2009212297A JP2011061156A JP 2011061156 A JP2011061156 A JP 2011061156A JP 2009212297 A JP2009212297 A JP 2009212297A JP 2009212297 A JP2009212297 A JP 2009212297A JP 2011061156 A JP2011061156 A JP 2011061156A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
wafer
pod
substrate
port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009212297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhiro Hirano
光浩 平野
Takanori Hayashi
孝徳 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2009212297A priority Critical patent/JP2011061156A/en
Publication of JP2011061156A publication Critical patent/JP2011061156A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus for improving throughput in processes of a substrate by reducing the time required for cleaning of a substrate holder or the substrate held by the substrate holder, to provide a gas introducing apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus includes a substrate holder 10 for holding a substrate and a gas introducing apparatus for introducing the gas into the substrate holder. The gas introducing apparatus includes a filter for radially releasing the gas while purifying the gas and a reducing part provided at the external circumference of the filter for reducing flow of the gas released radially from the filter. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板処理装置、ガス導入装置、及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus, a gas introduction apparatus, and a semiconductor device manufacturing method.

バッチ式の基板処理装置に対して複数枚の基板を搬送する基板収納容器として、例えばＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ。以下、「ポッド」と称する場合がある。）として構成されたキャリアが用いられる。キャリアは、基板が搬送される基板収納口と基板収納口に着脱自在に装着されたドアとを備え、略立方体の箱形状に構成されている。また、基板処理装置には、キャリアのドアを着脱することで基板収納口を開閉するキャリア開閉装置（以下、「ポッドオープナ」と称する場合がある。）が設けられている。キャリア内の酸素濃度上昇による基板表面への自然酸化膜の形成を抑制し、キャリア内空間の汚染による基板へのパーティクルの付着等を抑制するため、基板収納口を開放する時には、給気管によって基板収納口からキャリア内に窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給し、キャリア内を清浄化するようにしていた（特許文献１参照）。 As a substrate storage container for transferring a plurality of substrates to a batch type substrate processing apparatus, for example, a carrier configured as a FOUP (Front Opening Unified Pod, hereinafter sometimes referred to as “pod”) is used. The carrier includes a substrate storage port through which the substrate is transported and a door that is detachably attached to the substrate storage port, and is configured in a substantially cubic box shape. Further, the substrate processing apparatus is provided with a carrier opening / closing device (hereinafter sometimes referred to as a “pod opener”) that opens and closes the substrate storage opening by attaching and detaching the carrier door. In order to suppress the formation of a natural oxide film on the substrate surface due to an increase in oxygen concentration in the carrier, and to suppress the adhesion of particles to the substrate due to contamination of the carrier internal space, the substrate is opened by an air supply pipe when the substrate storage opening is opened. An inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas is supplied from the storage port into the carrier to clean the inside of the carrier (see Patent Document 1).

特開２００３−７８０１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-7801

しかしながら、このような従来技術を用いた場合、キャリアのドアの開放時における不活性ガスの給気管とキャリアの基板収納口との距離が大きすぎたり、基板収納口とキャリアのドアとの隙間が小さすぎたりするため、キャリア内に不活性ガスが流れ込みにくく、キャリア内の清浄化に要する時間が増大し、基板処理のスループット（単位時間当たりの処理能力）が低下してしまう場合があった。   However, when such a conventional technique is used, the distance between the inert gas supply pipe and the carrier substrate storage opening when the carrier door is opened is too large, or there is a gap between the substrate storage opening and the carrier door. Since it is too small, the inert gas hardly flows into the carrier, the time required for cleaning in the carrier increases, and the substrate processing throughput (processing capacity per unit time) may decrease.

本発明の目的は、キャリア、すなわち基板保持体もしくは基板保持体に保持された基板の清浄化に要する時間を短縮し、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置、ガス導入装置、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to reduce a time required for cleaning a carrier, that is, a substrate holder or a substrate held by the substrate holder, and to improve a substrate processing throughput, a gas introducing device, and An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device.

本発明の一態様によれば、基板を保持する基板保持体と、前記基板保持体にガスを導入するガス導入装置と、を備え、前記ガス導入装置は、ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと、前記フィルタの外周に設けられ前記フィルタから放射状に放出されたガスの流れを絞る絞り部と、を備える基板処理装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, a substrate holding body that holds a substrate and a gas introduction device that introduces a gas into the substrate holding body are provided, and the gas introduction device discharges the gas radially while cleaning it. There is provided a substrate processing apparatus comprising: a filter; and a throttle part provided on an outer periphery of the filter to restrict a flow of gas emitted radially from the filter.

本発明の他の態様によれば、基板を保持する基板保持体にガスを導入するガス導入装置であって、ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと、前記フィルタの外周に設けられ前記フィルタから放射状に放出されたガスの流れを絞る絞り部と、を備えるガス導入装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a gas introduction device for introducing a gas into a substrate holding body for holding a substrate, wherein the filter discharges the gas radially while cleaning it, and the filter provided on the outer periphery of the filter. There is provided a gas introducing device including a throttle portion that restricts a flow of gas radially emitted from the gas.

本発明のさらに他の態様によれば、ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと前記フィルタの外周に設けられ前記フィルタから放射状に放出された前記ガスの流れを絞る絞り部とを備えるガス導入装置から、基板を保持した基板保持体に対し清浄化された前記ガスを導入するガス導入工程と、処理室において前記基板を処理する処理工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。   According to still another aspect of the present invention, a gas introduction comprising: a filter that discharges gas while cleaning it radially; and a throttle that is provided on an outer periphery of the filter and throttles the flow of the gas discharged radially from the filter. There is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a gas introducing step of introducing the purified gas into a substrate holder holding a substrate from the apparatus; and a processing step of processing the substrate in a processing chamber.

本発明に係る基板処理装置、ガス導入装置、及び半導体装置の製造方法によれば、キャリア内のパージに要する時間を短縮し、基板処理のスループットを向上させることができる。   According to the substrate processing apparatus, the gas introduction apparatus, and the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, the time required for purging in the carrier can be shortened and the throughput of the substrate processing can be improved.

本発明の一実施の形態に係るバッチ式ＣＶＤ装置の構成の概要を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline | summary of a structure of the batch type CVD apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 図１に示すポッドオープナの正面側の構成とウエハ授受ポートの構成とを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the front side of the pod opener shown in FIG. 1, and the structure of a wafer transfer port. 図２のウエハ授受ポート上にポッドを載置した状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which mounted the pod on the wafer transfer port of FIG. 図２のポッドオープナの背面側の構成を一部省略して示す斜視図である。It is a perspective view which abbreviate | omits and shows the structure of the back side of the pod opener of FIG. 図４に示すクロージャの近傍（Ｖ部）を拡大して示す斜視図である。It is a perspective view which expands and shows the vicinity (V part) of the closure shown in FIG. 図４のポッドオープナをチャンバで被覆した状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which coat | covered the pod opener of FIG. 4 with the chamber. 図１に示すポッドオープナの近傍における不活性ガスの給排気口の位置を、ポッドオープナの正面側から一部省略して示す正面図である。It is a front view which abbreviate | omits and partially shows the position of the inlet / outlet port of the inert gas in the vicinity of the pod opener shown in FIG. 図７の右側面図である。FIG. 8 is a right side view of FIG. 7. 本発明の一実施の形態に係るウエハ授受ポート及びポッドオープナの近傍の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the vicinity of the wafer transfer port and pod opener which concerns on one embodiment of this invention. 図９に示すポッドオープナの動作説明図であり、（ａ）は、ポッドオープナがポッドのドアを取り外す前の状態を示し、（ｂ）は、ポッドオープナがドアを取り外した状態を示し、（ｃ）は、ポッドオープナに固定された穴付きノズルが窒素ガスを噴出する位置に移動した状態を示し、（ｄ）は、ポッドオープナの背面側に設けられた背面壁がチャンバに密着してウエハ出し入れ口を塞いでいる状態を示す。It is operation | movement explanatory drawing of the pod opener shown in FIG. 9, (a) shows the state before a pod opener removes the door of a pod, (b) shows the state which the pod opener removed the door, (c ) Shows a state where the nozzle with a hole fixed to the pod opener has moved to a position where nitrogen gas is ejected, and (d) shows that the back wall provided on the back side of the pod opener is in close contact with the chamber and puts in and out the wafer. Indicates the state of closing the mouth. 図１０の動作の続きを示す動作説明図であり、（ａ）は、図１０（ｄ）に続いて、穴付きノズルから窒素ガスを噴出してポッド内をパージしている状態を示し、（ｂ）は、ドアをチャンバ内の所定の位置に退避させた状態を示し、（ｃ）は、マッピング装置がチャンバ内のウエハの収納位置をマッピングしている状態を示す。It is operation | movement explanatory drawing which shows the continuation of the operation | movement of FIG. 10, (a) shows the state which spouts the inside of a pod by injecting nitrogen gas from a nozzle with a hole following FIG.10 (d), ( (b) shows a state in which the door is retracted to a predetermined position in the chamber, and (c) shows a state in which the mapping device maps the storage position of the wafer in the chamber. （ａ）は、本発明の一実施の形態に係るガス導入装置の構成を示す正面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ鎖線に従う断面図である。(A) is a front view which shows the structure of the gas introduction apparatus which concerns on one embodiment of this invention, (b) is sectional drawing which follows the AA chain line of (a). 図１２（ｂ）に示すガス導入装置からスリット幅の異なる絞り部に交換した構成を示す断面図であり、（ａ）は、スリット幅の広い絞り部を使用した構成を示し、（ｂ）は、スリット幅の狭い絞り部を使用した構成を示す。It is sectional drawing which shows the structure replaced | exchanged for the aperture | diaphragm | squeeze part from which the slit width differs from the gas introduction apparatus shown in FIG.12 (b), (a) shows the structure which used the aperture | diaphragm | squeeze part with a wide slit width, (b) 1 shows a configuration using a narrowed slit portion. 本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係るプロセスチューブの近傍の構成を示す模式図であり、（ａ）はその正面図であり、（ｂ）は、（ａ）を左側から見たときのガス導入装置のみを示す左側面図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the vicinity of the process tube which concerns on other embodiment of this invention, (a) is the front view, (b) is a gas introducing device when (a) is seen from the left side It is a left view which shows only. 本発明の一実施の形態に係るフィルタの構成を示す模式図であり、（ａ）はその正面図であり、（ｂ）はその平面図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the filter which concerns on one embodiment of this invention, (a) is the front view, (b) is the top view. 本発明の実施例１及び比較例１で使用したバッチ式ＣＶＤ装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the batch type CVD apparatus used in Example 1 and Comparative Example 1 of this invention. 図１７に示す測定位置におけるパージ開始後の酸素濃度の経時変化を示す図である。It is a figure which shows the time-dependent change of the oxygen concentration after the purge start in the measurement position shown in FIG.

＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 <One Embodiment of the Present Invention>
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

（１）基板処理装置の構成
本実施形態に係る基板処理装置は、図１に例示するように、バッチ式ＣＶＤ装置（バッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置）１として構成されている。バッチ式ＣＶＤ装置１は、気密室構造に構築された筐体２を備えている。筐体２内の一端部（以下、後端部とする。）の上部には、ヒータユニット３が垂直方向に据え付けられている。ヒータユニット３の内部には、プロセスチューブ４が同心に配置されている。プロセスチューブ４には、プロセスチューブ４内に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管５と、プロセスチューブ４内を真空排気するための排気管６と、が接続されている。筐体２の後方下部の側部には、ボートエレベータ７が設置されている。ボートエレベータ７は、プロセスチューブ４の真下に配置された第１の基板保持体としてのボート８を垂直方向に昇降させるように構成されている。ボート８は、多数枚のウエハ９を、その中心を揃えて水平に配置した状態で支持し、プロセスチューブ４内に形成されている処理室４ａ内外に搬送されるように構成されている。 (1) Configuration of Substrate Processing Apparatus A substrate processing apparatus according to this embodiment is configured as a batch type CVD apparatus (batch type vertical diffusion / CVD apparatus) 1 as illustrated in FIG. The batch type CVD apparatus 1 includes a housing 2 constructed in an airtight chamber structure. A heater unit 3 is installed in the vertical direction above the one end (hereinafter referred to as the rear end) in the housing 2. A process tube 4 is disposed concentrically inside the heater unit 3. Connected to the process tube 4 are a gas introduction pipe 5 for introducing a raw material gas, a purge gas and the like into the process tube 4 and an exhaust pipe 6 for evacuating the inside of the process tube 4. A boat elevator 7 is installed on the side of the rear lower portion of the housing 2. The boat elevator 7 is configured to raise and lower a boat 8 serving as a first substrate holder disposed directly below the process tube 4 in the vertical direction. The boat 8 is configured to support a large number of wafers 9 in a state where the wafers 9 are horizontally aligned with their centers aligned, and to be transferred into and out of the processing chamber 4 a formed in the process tube 4.

筐体２の正面壁にはポッド出し入れ口（図示せず）が開設されている。ポッド出し入れ口はフロントシャッタによって開閉されるようになっている。ポッド出し入れ口には、ポッド（キャリア）１０の位置合わせを実行するポッドステージ１１が設置されている。第２の基板保持体としてのポッド１０は、ポッド出し入れ口を通してポッドステージ１１上に搬送されるようになっている。なお、ポッド１０は、ポッド１０内外にウエハ９を出し入れする開口であるウエハ収納口（基板収納口）１０ｂと、該ウエハ収納口１０ｂに着脱自在に装着されたドア１０ａと、を備えており、略立方体の箱形状に構成されている。なお、ポッド１０内には、処理対象或いは処理後のウエハ９を複数枚収納可能に構成されたウエハ収納室１０ｃが形成されている。   A pod access port (not shown) is provided in the front wall of the housing 2. The pod inlet / outlet is opened and closed by a front shutter. A pod stage 11 for performing alignment of the pod (carrier) 10 is installed at the pod loading / unloading port. The pod 10 as the second substrate holder is transported onto the pod stage 11 through the pod loading / unloading port. The pod 10 includes a wafer storage port (substrate storage port) 10b that is an opening through which the wafer 9 is taken in and out of the pod 10, and a door 10a that is detachably attached to the wafer storage port 10b. It is configured in a substantially cubic box shape. In the pod 10, a wafer storage chamber 10c configured to store a plurality of wafers 9 to be processed or processed is formed.

筐体２内の前後方向の中央部の上部には、回転式のポッド棚１２が設置されている。回転式のポッド棚１２は、例えば合計十六個のポッド１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式のポッド棚１２は、略卍形状に形成された例えば四段の棚板が上下方向に配置されて水平面内で回転自在に支承されており、モータ等の間欠回転駆動装置（図示せず）によってピッチ送り的に一方向に回転するようになっている。筐体２内のポッド棚１２の下側には、基板としてのウエハ９をポッド１０に対して授受するウエハ授受ポート（基板授受ポート）１３が一対、垂直方向に上下二段に配置されて設置されている。一対のウエハ授受ポート１３には、後記するポッドオープナ（キャリア開閉装置）２０がそれぞれ設置されている。   A rotary pod shelf 12 is installed in the upper part of the center part in the front-rear direction in the housing 2. The rotary pod shelf 12 is configured to store, for example, a total of 16 pods 10. That is, the rotary pod shelf 12 has, for example, a four-stage shelf plate formed in a substantially bowl shape and is supported in a vertical direction so as to be rotatable in a horizontal plane. (Not shown) so as to rotate in one direction in a pitch feed manner. A pair of wafer transfer ports (substrate transfer ports) 13 for transferring a wafer 9 as a substrate to and from the pod 10 are arranged below the pod shelf 12 in the housing 2 in two vertical stages. Has been. A pod opener (carrier opening / closing device) 20 to be described later is installed in each of the pair of wafer transfer ports 13.

筐体２内のポッドステージ１１とポッド棚１２及びウエハ授受ポート１３との間には、ポッド搬送装置１４が設置されている。ポッド搬送装置１４は、ポッドステージ１１とポッド棚１２及びウエハ授受ポート１３との間、及びポッド棚１２とウエハ授受ポート１３との間で、ポッド１０を搬送するように構成されている。また、ウエハ授受ポート１３とボート８との間には、ウエハ移載装置１５が設置されている。ウエハ移載装置１５は、ウエハ授受ポート１３とボート８との間でウエハ９を搬送するように構成されている。さらに、ボートエレベータ７の脇にはボートチェンジャ１６が設置されている。ボートチェンジャ１６は、複数台のボート８をボートエレベータ７に対して入れ替えるように構成されている。   A pod transfer device 14 is installed between the pod stage 11 in the housing 2, the pod shelf 12, and the wafer transfer port 13. The pod transfer device 14 is configured to transfer the pod 10 between the pod stage 11, the pod shelf 12 and the wafer transfer port 13, and between the pod shelf 12 and the wafer transfer port 13. A wafer transfer device 15 is installed between the wafer transfer port 13 and the boat 8. The wafer transfer device 15 is configured to transfer the wafer 9 between the wafer transfer port 13 and the boat 8. Further, a boat changer 16 is installed beside the boat elevator 7. The boat changer 16 is configured to replace a plurality of boats 8 with respect to the boat elevator 7.

上下のウエハ授受ポート１３にそれぞれ設置されたポッドオープナ２０は、同一の構成である。そのため、ポッドオープナ２０の構成については、上段のウエハ授受ポート１３に設置されたものを例に挙げて説明する。   The pod openers 20 installed in the upper and lower wafer transfer ports 13 have the same configuration. Therefore, the configuration of the pod opener 20 will be described by taking the case where it is installed in the upper wafer transfer port 13 as an example.

図１に示すように、キャリア開閉装置としてのポッドオープナ２０は、筐体２内においてウエハ授受ポート１３とウエハ移載装置１５とを仕切るように垂直に立脚された側壁を
なすベース２１を備えている。また、図２及び図３に示すように、ベース２１には、ポッド１０のドア１０ａに対して若干大きめに相似する四角形に形成されたウエハ出し入れ口２２が開設されている。ちなみに、ベース２１は上下のポッドオープナ２０で共用されているため、ベース２１には、上下で一対のウエハ出し入れ口２２が垂直方向で縦に並ぶように開設されている。 As shown in FIG. 1, the pod opener 20 as a carrier opening / closing device includes a base 21 that forms a side wall vertically standing so as to partition the wafer transfer port 13 and the wafer transfer device 15 in the housing 2. Yes. As shown in FIGS. 2 and 3, the base 21 has a wafer loading / unloading port 22 formed in a rectangular shape that is slightly larger than the door 10 a of the pod 10. Incidentally, since the base 21 is shared by the upper and lower pod openers 20, a pair of wafer loading / unloading ports 22 are opened in the base 21 so as to be vertically arranged in the vertical direction.

また、ベース２１の下部には、ポッドオープナ２０、エアシリンダ装置２６及びロータリーアクチュエータ５０の動作を制御するともに、ガス供給体としてのフィルタ６３ａからクロージャ収容室６１内及びウエハ収納室１０ｃ内への窒素ガス６２の供給、及びガス導入装置６７からウエハ収納室１０ｃ内への窒素ガス６２の導入を制御する制御部としてのコントローラ８０が設置されている。   In addition, under the base 21, the operations of the pod opener 20, the air cylinder device 26, and the rotary actuator 50 are controlled, and nitrogen from the filter 63a as a gas supply body into the closure housing chamber 61 and the wafer housing chamber 10c. A controller 80 is installed as a control unit for controlling the supply of the gas 62 and the introduction of the nitrogen gas 62 from the gas introduction device 67 into the wafer storage chamber 10c.

図２に示すように、ベース２１のウエハ授受ポート１３側の主面（以下、正面とする。）におけるウエハ出し入れ口２２の下側には、アングル形状の支持台２３が水平に固定されている。支持台２３の平面視の形状は、一部が切り欠かれた略正方形の枠形状に形成されている。支持台２３の上面には、一対のガイドレール２４がベース２１の正面と平行方向（以下、左右方向とする。）にそれぞれ配置されている。左右に配置された各ガイドレール２４は、ベース２１の正面と直角方向（以下、前後方向とする。）に延在するようにそれぞれ敷設されている。左右に配置された各ガイドレール２４には、載置台２７が複数個のガイドブロック２５を介して前後方向に摺動自在に支承されている。載置台２７は、支持台２３の上面に据え付けられたエアシリンダ装置２６によって前後方向に往復移動できるようになっている。   As shown in FIG. 2, an angle-shaped support base 23 is fixed horizontally below the wafer loading / unloading port 22 on the main surface (hereinafter referred to as a front surface) of the base 21 on the wafer transfer port 13 side. . The shape of the support base 23 in plan view is formed in a substantially square frame shape with a part cut away. A pair of guide rails 24 are arranged on the upper surface of the support base 23 in a direction parallel to the front surface of the base 21 (hereinafter referred to as the left-right direction). The guide rails 24 arranged on the left and right are respectively laid so as to extend in a direction perpendicular to the front surface of the base 21 (hereinafter referred to as the front-rear direction). On each guide rail 24 arranged on the left and right, a mounting table 27 is supported through a plurality of guide blocks 25 so as to be slidable in the front-rear direction. The mounting table 27 can be reciprocated in the front-rear direction by an air cylinder device 26 installed on the upper surface of the support table 23.

図２に示すように、載置台２７は、一部が切り欠かれた略正方形の枠形状に形成されている。載置台２７の上面には、位置決めピン２８が三本、正三角形の頂点に配置されて垂直に突設されている。三本の位置決めピン２８は、ポッド１０が図３に示すように載置台２７の上に載置された状態において、ポッド１０の下面に没設された三箇所の位置決め凹部（図示せず）に嵌入するようになっている。   As shown in FIG. 2, the mounting table 27 is formed in a substantially square frame shape with a part cut away. On the upper surface of the mounting table 27, three positioning pins 28 are arranged at the apexes of an equilateral triangle and project vertically. The three positioning pins 28 are provided in three positioning recesses (not shown) that are submerged on the lower surface of the pod 10 when the pod 10 is mounted on the mounting table 27 as shown in FIG. It is designed to be inserted.

図４に示すように、ベース２１のウエハ移載装置１５側の主面（以下、背面とする。）におけるウエハ出し入れ口２２の下側には、ガイドレール３０が左右方向に水平に敷設されている。ガイドレール３０には、アングル形状に形成された左右方向移動台３１が左右方向に往復移動し得るように摺動自在に支承されている。左右方向移動台３１の垂直部材には、エアシリンダ装置３２が左右方向に水平に据え付けられている。エアシリンダ装置３２のピストンロッド３２ａの先端は、ベース２１に固定されている。すなわち、左右方向移動台３１は、エアシリンダ装置３２の往復作動によって左右方向に往復駆動されるようになっている。   As shown in FIG. 4, a guide rail 30 is laid horizontally in the left-right direction below the wafer loading / unloading port 22 on the main surface (hereinafter referred to as the back surface) of the base 21 on the wafer transfer device 15 side. Yes. The guide rail 30 is slidably supported so that a laterally movable table 31 formed in an angle shape can reciprocate in the lateral direction. An air cylinder device 32 is installed horizontally on the vertical member of the left-right moving table 31 in the left-right direction. The tip of the piston rod 32 a of the air cylinder device 32 is fixed to the base 21. That is, the left-right moving table 31 is driven to reciprocate in the left-right direction by the reciprocating operation of the air cylinder device 32.

図５に示すように、左右方向移動台３１の水平部材の上面には、一対のガイドレール３３が左右にそれぞれ配置されている。左右に配置された各ガイドレール３３は、前後方向に延在するように敷設されている。両ガイドレール３３には、前後方向移動台３４が前後方向に往復移動し得るように摺動自在に支承されている。前後方向移動台３４の片側端部には、ガイド孔３５が左右方向に延在するように開設されている。左右方向移動台３１の一側面にはブラケット３６が固定されている。ブラケット３６には、ロータリーアクチュエータ３７が垂直方向上向きに据え付けられている。ロータリーアクチュエータ３７のアーム３７ａの先端に垂直に立脚されたガイドピン３８は、前後方向移動台３４のガイド孔３５に摺動自在に嵌入されている。すなわち、前後方向移動台３４は、ロータリーアクチュエータ３７の往復回動によって前後方向に往復駆動されるように構成されている。   As shown in FIG. 5, a pair of guide rails 33 are arranged on the left and right on the upper surface of the horizontal member of the left-right direction moving table 31. Each guide rail 33 arranged on the left and right is laid so as to extend in the front-rear direction. Both guide rails 33 are slidably supported so that a longitudinal moving table 34 can reciprocate in the longitudinal direction. A guide hole 35 is provided at one end of the front-rear direction moving table 34 so as to extend in the left-right direction. A bracket 36 is fixed to one side surface of the left-right direction moving table 31. A rotary actuator 37 is installed on the bracket 36 vertically upward. A guide pin 38 standing vertically on the tip of the arm 37 a of the rotary actuator 37 is slidably fitted into the guide hole 35 of the front-rear direction moving table 34. That is, the front-rear moving table 34 is configured to be reciprocated in the front-rear direction by the reciprocating rotation of the rotary actuator 37.

前後方向移動台３４の上面には、ブラケット３９が垂直に立脚されている。ブラケット
３９の正面には、ウエハ出し入れ口２２に対して若干大きめに相似する長方形の平板形状に形成されたクロージャ４０が垂直に固定されている。つまり、クロージャ４０は、前後方向移動台３４によって前後方向に往復移動できるようになっているとともに、左右方向移動台３１によって左右方向にも往復移動できるようになっている。そして、クロージャ４０が前進移動し、クロージャ４０のベース２１側を向いた主面（以下、「正面」とする。）がベース２１の背面に当接することにより、ウエハ出し入れ口２２を閉塞し得るようになっている。 A bracket 39 is vertically erected on the upper surface of the front-rear moving table 34. On the front surface of the bracket 39, a closure 40 formed in a rectangular flat plate shape slightly similar to the wafer loading / unloading port 22 is fixed vertically. That is, the closure 40 can be reciprocated in the front-rear direction by the front-rear direction moving table 34, and can also be reciprocated in the left-right direction by the left-right direction moving table 31. Then, the closure 40 moves forward, and a main surface (hereinafter referred to as “front surface”) facing the base 21 side of the closure 40 comes into contact with the back surface of the base 21 so that the wafer loading / unloading port 22 can be closed. It has become.

なお、図５に示すように、ベース２１の正面におけるウエハ出し入れ口２２の縁辺部には、封止部材としてのパッキン５４が敷設されている。パッキン５４は、ポッド１０をベース２１に押し付けた時に、ポッド１０のウエハ収納口１０ｂの縁辺部とベース２１のウエハ出し入れ口２２の縁辺部とをシールするように構成されている。また、クロージャ４０の正面における外周縁近傍には、封止部材としてのパッキン５５が敷設されている。パッキン５５は、クロージャ４０をベース２１に押し付けた時に、クロージャ４０の正面の外周縁近傍とベース２１の背面のウエハ出し入れ口２２の縁辺部とをシールするように構成されている。さらに、クロージャ４０の正面においてパッキン５５の内側には、封止部材としてのパッキン５６が敷設されている。パッキン５６は、ドア１０ａに付着した異物がウエハ移載装置１５の設置室側へ侵入するのを防止するよう構成されている。なお、便宜上、図４及び図５においては後記するチャンバ６０およびバックシール機構部６８の図示が省略されている。   As shown in FIG. 5, packing 54 as a sealing member is laid on the edge portion of the wafer loading / unloading port 22 in front of the base 21. The packing 54 is configured to seal the edge of the wafer storage port 10 b of the pod 10 and the edge of the wafer loading / unloading port 22 of the base 21 when the pod 10 is pressed against the base 21. Further, a packing 55 as a sealing member is laid in the vicinity of the outer peripheral edge of the front surface of the closure 40. The packing 55 is configured to seal the vicinity of the outer peripheral edge of the front surface of the closure 40 and the edge portion of the wafer loading / unloading port 22 on the back surface of the base 21 when the closure 40 is pressed against the base 21. Further, a packing 56 as a sealing member is laid inside the packing 55 in front of the closure 40. The packing 56 is configured to prevent foreign matter adhering to the door 10a from entering the installation chamber side of the wafer transfer device 15. For convenience, illustration of a chamber 60 and a back seal mechanism 68 which will be described later is omitted in FIGS. 4 and 5.

図４に示すように、クロージャ４０の上下方向の中心線上には、一対の解錠軸４１が左右に配置されて前後方向に挿通されて回転自在に支承されている。両解錠軸４１におけるクロージャ４０のベース２１と反対側の主面（以下、「背面」とする。）側の端部には、一対のプーリー４２が固定されている。両プーリー４２間には、連結片４４を有するベルト４３が巻き掛けられている。クロージャ４０の背面における一方のプーリー４２の上側には、エアシリンダ装置４５が水平に据え付けられている。エアシリンダ装置４５のピストンロッドの先端は、ベルト４３の連結片４４に連結されている。すなわち、両解錠軸４１は、エアシリンダ装置４５の伸縮作動によって往復回動するようになっている。図２に示すように、両解錠軸４１のクロージャ４０の正面側の端部には、ドア１０ａの錠前（図示せず）に係合する係合部４１ａが直交して突設されている。   As shown in FIG. 4, a pair of unlocking shafts 41 are arranged on the left and right on the center line in the vertical direction of the closure 40 and are rotatably supported by being inserted in the front-rear direction. A pair of pulleys 42 is fixed to the end of the unlocking shaft 41 on the main surface (hereinafter referred to as “rear surface”) side opposite to the base 21 of the closure 40. A belt 43 having a connecting piece 44 is wound between the pulleys 42. An air cylinder device 45 is installed horizontally above one pulley 42 on the back surface of the closure 40. The tip of the piston rod of the air cylinder device 45 is connected to the connecting piece 44 of the belt 43. That is, both unlocking shafts 41 are reciprocally rotated by the expansion and contraction operation of the air cylinder device 45. As shown in FIG. 2, an engaging portion 41 a that engages with a lock (not shown) of the door 10 a is projected at right angles to the front end portion of the closure 40 of both unlocking shafts 41. .

図２、図４、図６、及び図９に示すように、ベース２１の正面におけるウエハ出し入れ口２２の片脇には、ロータリーアクチュエータ５０がその回転軸が垂直方向になるように据え付けられている。ロータリーアクチュエータ５０の回転軸には、略Ｃ字形状に形成されたアーム５１の一端が、水平面内で一体回動するように固定されている。アーム５１は、ベース２１に開設された挿通孔５２に挿通されている。ベース２１の背面側にあるアーム５１の先端部には、マッピング装置５３が固定されている。   As shown in FIGS. 2, 4, 6, and 9, a rotary actuator 50 is installed on one side of the wafer loading / unloading port 22 on the front surface of the base 21 so that the rotation axis thereof is vertical. . One end of an arm 51 formed in a substantially C shape is fixed to the rotary shaft of the rotary actuator 50 so as to rotate integrally in a horizontal plane. The arm 51 is inserted through an insertion hole 52 formed in the base 21. A mapping device 53 is fixed to the tip of the arm 51 on the back side of the base 21.

図６及び図９に示すように、ベース２１の背面には、チャンバ６０が上段及び下段のポッドオープナ２０のクロージャ４０をそれぞれ収容するように敷設されている。チャンバ６０は、仕切板７０によって上段のチャンバ６０ａと下段のチャンバ６０ｂとに２分されている。チャンバ６０内に形成されたクロージャ収容室６１の左右方向の長さは、クロージャ４０が左右方向に移動してウエハ出し入れ口２２を完全に開口させるのを許容し得るようにそれぞれ設定されている。図９に示すように、チャンバ６０の側壁の一部には、不活性ガスである窒素ガス６２の流路となるガス供給部としての給気管６３が接続されている。なお、図９では、窒素ガス６２の流れ方向を矢印で示す。   As shown in FIGS. 6 and 9, a chamber 60 is laid on the back surface of the base 21 so as to accommodate the closures 40 of the upper and lower pod openers 20, respectively. The chamber 60 is divided into two, an upper chamber 60a and a lower chamber 60b, by the partition plate 70. The length in the left-right direction of the closure accommodating chamber 61 formed in the chamber 60 is set so as to allow the closure 40 to move in the left-right direction to completely open the wafer loading / unloading port 22. As shown in FIG. 9, an air supply pipe 63 serving as a gas supply unit serving as a flow path for nitrogen gas 62 that is an inert gas is connected to a part of the side wall of the chamber 60. In FIG. 9, the flow direction of the nitrogen gas 62 is indicated by an arrow.

図１６に示すように、給気管６３の先端にはガス供給部としての例えば微細な細孔を複数備えたセラミックの多孔体により構成されるフィルタ６３ａが接続されている。このフ
ィルタ６３ａを介して、チャンバ６０内及びウエハ収納室１０ｃ内に窒素ガス６２が低速、かつ、無指向（放射状）に供給される。このとき、フィルタ６３ａはエアフィルタとして機能するため、給気管６３内を流れる窒素ガス６２にパーティクルが混在していても、そのパーティクルはフィルタ６３ａに捕捉される。したがって、窒素ガス６２は、フィルタ６３ａによって清浄化された後に、クロージャ収容室６１内に放出されることになる。なお、フィルタ６３ａの材質は、セラミックに限定されるものではなく、ステンレス、ニッケル、石英、またはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等であってもよい。ちなみに、フィルタ６３ａから放出される窒素ガス６２の流速は、その流量や給気管６３内の圧力によって変化するが、通常はフィルタ６３ａの外表面から２０ｍｍ程度の離れた位置で０．０５〜０．３ｍ／ｓ程度である。 As shown in FIG. 16, a filter 63 a made of a ceramic porous body having a plurality of fine pores, for example, as a gas supply unit is connected to the tip of the air supply pipe 63. Through this filter 63a, the nitrogen gas 62 is supplied into the chamber 60 and the wafer storage chamber 10c at low speed and non-directionally (radially). At this time, since the filter 63a functions as an air filter, even if particles are mixed in the nitrogen gas 62 flowing through the air supply pipe 63, the particles are captured by the filter 63a. Therefore, the nitrogen gas 62 is discharged into the closure accommodating chamber 61 after being cleaned by the filter 63a. The material of the filter 63a is not limited to ceramic, and may be stainless steel, nickel, quartz, polytetrafluoroethylene (PTFE), or the like. Incidentally, the flow rate of the nitrogen gas 62 released from the filter 63a varies depending on the flow rate and the pressure in the air supply pipe 63, but normally 0.05 to 0. 0 at a position about 20 mm away from the outer surface of the filter 63a. It is about 3 m / s.

また、図７、図８、及び図９に示すように、チャンバ６０の側壁には、窒素ガス６２の流路となる給気管６６が更に貫設されている。給気管６６は、フレキシブルチューブで構成されている。給気管６６の先端部には、クロージャ収容室６１内及びウエハ収納室１０ｃ内に窒素ガス６２を導入するガス導入装置６７が取り付けられている。ガス導入装置６７は、図９〜図１１に示すようにクロージャ４０に固定されており、クロージャ４０の前後方向及び左右方向の移動に伴ってクロージャ収容室６１内を移動する。   Further, as shown in FIGS. 7, 8, and 9, a supply pipe 66 serving as a flow path for the nitrogen gas 62 is further provided in the side wall of the chamber 60. The air supply pipe 66 is composed of a flexible tube. A gas introducing device 67 for introducing nitrogen gas 62 into the closure housing chamber 61 and the wafer housing chamber 10 c is attached to the tip of the air supply pipe 66. The gas introduction device 67 is fixed to the closure 40 as shown in FIGS. 9 to 11, and moves in the closure accommodating chamber 61 as the closure 40 moves in the front-rear direction and the left-right direction.

図１２に示すように、ガス導入装置６７は、フィルタ６３ａと同様に微細な細孔を複数備えたセラミックの多孔体等により構成されるフィルタ部６７ａと、このフィルタ部６７ａの外周を覆うように配置された絞り部６７ｂと、を備える。絞り部６７ｂとフィルタ部６７ａとの半径方向における間には、フィルタ部６７ａから放出された窒素ガス６２が流れるための隙間が設けられている。絞り部６７ｂは中空管であって、その先端は閉じている。また、絞り部６７ｂの外周面には、絞り部６７ｂの軸心と平行な一定幅のスリット６７ｃが設けられている。好ましくは、フィルタ部６７ａと絞り部６７ｂとは、それぞれ別個に製造されて、使用時に組み合わされると良い。これにより、例えばフィルタ部６７ａが目詰まりを起こしたときには、フィルタ部６７ａのみを交換することができる。また、ガス導入装置６７から噴出す窒素ガス６２の流量や流速を調節するために、スリット６７ｃの幅が異なる絞り部６７ｂを適宜選択して使用することもできる。さらに、ガス導入装置６７から噴出す窒素ガス６２が対象物に均一に当たるように、フィルタ部６７ａの長さを考慮したうえで、スリット６７ｃの長さを適宜調節することが好ましい。   As shown in FIG. 12, the gas introduction device 67 covers a filter part 67a composed of a ceramic porous body having a plurality of fine pores, like the filter 63a, and an outer periphery of the filter part 67a. And an aperture part 67b arranged. A gap is provided between the throttle portion 67b and the filter portion 67a in the radial direction for the flow of nitrogen gas 62 released from the filter portion 67a. The throttle portion 67b is a hollow tube, and its tip is closed. In addition, a slit 67c having a constant width parallel to the axis of the diaphragm 67b is provided on the outer peripheral surface of the diaphragm 67b. Preferably, the filter part 67a and the throttle part 67b are manufactured separately and combined when used. Thereby, for example, when the filter part 67a is clogged, only the filter part 67a can be replaced. Further, in order to adjust the flow rate and flow velocity of the nitrogen gas 62 ejected from the gas introduction device 67, it is possible to appropriately select and use the narrowed portion 67b having a different width of the slit 67c. Furthermore, it is preferable to appropriately adjust the length of the slit 67c in consideration of the length of the filter portion 67a so that the nitrogen gas 62 ejected from the gas introduction device 67 uniformly hits the object.

給気管６６内を流れてガス導入装置６７に供給された窒素ガス６２は、フィルタ部６７ａによって清浄化された後に、フィルタ部６７ａの微細な細孔から放射状に放出される。フィルタ部６７ａから放出された窒素ガス６２は、絞り部６７ｂ内の圧力を高めて、スリット６７ｃから噴出する。そのため、ガス導入装置６７から噴出した窒素ガス６２には指向性がある。したがって、ウエハ収納室１０ｃと正対するようにスリット６７ｃの向きを調節することにより、窒素ガス６２をウエハ収納室１０ｃ内の奥深くまで短時間で大量に流入させることができる。なお、本実施形態では、ガス導入装置６７がクロージャ４０と共にクロージャ収容室６１内を移動して、背面壁６９がウエハ出し入れ口６５を塞いでいるときにガス導入装置６７から窒素ガス６２が噴出されるため、スリット６７ｃの向きは、背面壁６９がウエハ出し入れ口６５を塞いでいるときにウエハ収納室１０ｃと正対するように調整されることが好ましい。   The nitrogen gas 62 that flows through the air supply pipe 66 and is supplied to the gas introduction device 67 is cleaned by the filter portion 67a, and then discharged radially from the fine pores of the filter portion 67a. The nitrogen gas 62 released from the filter part 67a increases the pressure in the throttle part 67b and is ejected from the slit 67c. Therefore, the nitrogen gas 62 ejected from the gas introduction device 67 has directivity. Therefore, by adjusting the direction of the slit 67c so as to face the wafer storage chamber 10c, a large amount of the nitrogen gas 62 can flow into the wafer storage chamber 10c deeply in a short time. In this embodiment, the nitrogen gas 62 is jetted from the gas introducing device 67 when the gas introducing device 67 moves in the closure accommodating chamber 61 together with the closure 40 and the back wall 69 closes the wafer loading / unloading port 65. Therefore, the direction of the slit 67c is preferably adjusted so as to face the wafer storage chamber 10c when the back wall 69 closes the wafer loading / unloading port 65.

このように、給気管６６内を流れる窒素ガス６２に混在するパーティクルはフィルタ部６７ａによって捕捉されるため、ガス導入装置６７の内部でパーティクルが発生することはない。その結果、ガス導入装置６７を用いれば、ウエハ収納室１０ｃを窒素ガス６２でパージしても、クロージャ収容室６１及びウエハ収納室１０ｃがパーティクルで汚染されることを防止できる。   As described above, particles mixed in the nitrogen gas 62 flowing in the air supply pipe 66 are captured by the filter unit 67 a, so that no particles are generated inside the gas introduction device 67. As a result, if the gas introducing device 67 is used, even if the wafer storage chamber 10c is purged with the nitrogen gas 62, the closure storage chamber 61 and the wafer storage chamber 10c can be prevented from being contaminated with particles.

図１３に示すように、スリット６７ｃの幅を調整することによって、ガス導入装置６７から噴出す窒素ガス６２の流量や流速を適宜調節することができる。図１３（ａ）では、スリット６７ｃの幅を広げてガス導入装置６７から噴出す窒素ガス６２の流速や指向性を低下させている。一方、図１３（ｂ）では、スリット６７ｃの幅を狭くしてガス導入装置６７から噴出す窒素ガス６２の流速や指向性を高めている。   As shown in FIG. 13, by adjusting the width of the slit 67c, the flow rate and flow rate of the nitrogen gas 62 ejected from the gas introduction device 67 can be adjusted as appropriate. In FIG. 13A, the flow rate and directivity of the nitrogen gas 62 ejected from the gas introduction device 67 are reduced by increasing the width of the slit 67c. On the other hand, in FIG. 13B, the width of the slit 67c is narrowed to increase the flow velocity and directivity of the nitrogen gas 62 ejected from the gas introduction device 67.

図９に示すように、ベース２１の一部には、クロージャ収容室６１内及びウエハ収納室１０ｃ内の雰囲気をパージするために噴出させた窒素ガス６２を排気する排気管６４が、クロージャ収容室６１に連通するように接続されている。上段及び下段のウエハ出し入れ口２２に正対するチャンバ６０の位置には、ウエハ出し入れ口６５がそれぞれ開設されている。各ウエハ出し入れ口６５は、ポッド１０のドア１０ａを挿入し得る大きさの四角形の開口として構成されている。   As shown in FIG. 9, an exhaust pipe 64 that exhausts nitrogen gas 62 ejected to purge the atmosphere in the closure storage chamber 61 and the wafer storage chamber 10 c is provided in a part of the base 21. 61 is connected to communicate. Wafer loading / unloading ports 65 are respectively opened at the positions of the chambers 60 facing the upper and lower wafer loading / unloading ports 22. Each wafer loading / unloading port 65 is configured as a rectangular opening having a size into which the door 10a of the pod 10 can be inserted.

図９に示すように、クロージャ４０の背面には、背面壁６９をチャンバ６０のウエハ出し入れ口６５に向かってせり出すことのできるバックシール機構部６８が設けられている。バックシール機構部６８は、図５に示す前後方向移動台３４及びブラケット３９と同様の部材（図示せず）と、このバックシール機構部６８のブラケット（図示せず）とブラケット３９とにそれぞれ固定されたエアシリンダ装置（図示せず）と、を備えている。バックシール機構部６８の前後方向移動台（図示せず）は、前後方向移動台３４とは独立して前後方向に往復移動しうるように、ガイドレール３３に支承されている。バックシール機構部６８における前後方向移動台とブラケットとは、連結されて一体化している。また、バックシール機構部６８のブラケットは、バックシール機構部６８のエアシリンダ装置を介して、ブラケット３９に連結されている。また、バックシール機構部６８のブラケットには、クロージャ４０と同じ大きさであって、ウエハ出し入れ口６５より大きい矩形板である背面壁６９が固定されている。したがって、バックシール機構部６８のエアシリンダ装置のピストンロッドが伸長することによって、背面壁６９は、チャンバ６０のウエハ出し入れ口６５に向かってウエハ出し入れ口６５を塞ぐようにせり出し、チャンバ６０におけるウエハ出し入れ口６５の縁辺部と密着することができる構成となっている。   As shown in FIG. 9, a back seal mechanism 68 capable of protruding the back wall 69 toward the wafer loading / unloading port 65 of the chamber 60 is provided on the back surface of the closure 40. The back seal mechanism 68 is fixed to the same member (not shown) as the longitudinal moving table 34 and the bracket 39 shown in FIG. 5 and the bracket (not shown) of the back seal mechanism 68 and the bracket 39, respectively. An air cylinder device (not shown). A back-and-forth moving table (not shown) of the back seal mechanism 68 is supported on the guide rail 33 so that it can reciprocate in the front-and-rear direction independently of the front-and-rear moving table 34. The back-and-forth moving table and the bracket in the back seal mechanism 68 are connected and integrated. Further, the bracket of the back seal mechanism 68 is connected to the bracket 39 via the air cylinder device of the back seal mechanism 68. A back wall 69, which is the same size as the closure 40 and is larger than the wafer loading / unloading port 65, is fixed to the bracket of the back seal mechanism 68. Therefore, when the piston rod of the air cylinder device of the back seal mechanism 68 extends, the back wall 69 protrudes toward the wafer loading / unloading port 65 of the chamber 60 so as to close the wafer loading / unloading port 65, and the wafer loading / unloading in the chamber 60 is performed. The configuration is such that it can be in close contact with the edge of the mouth 65.

図９に示すように、背面壁６９はウエハ出し入れ口６５の開口寸法よりも大きく構成されている。背面壁６９の背面側の外周縁近傍には、背面壁６９とチャンバ６０との密閉性を高めるためのパッキン５７が敷設されている。パッキン５７は、フィルタ６３ａ及びガス導入装置６７から窒素ガス６２を噴出させてクロージャ収容室６１内及びウエハ収納室１０ｃ内の雰囲気を窒素ガス６２でパージする際に、クロージャ収容室６１内及びウエハ収納室１０ｃ内に存在する大気中の酸素や水分さらにはパーティクル等が、筐体２におけるウエハ移載装置１５の設置室側に流入することを防止する。また、背面壁６９は、クロージャ４０よりも給気管６６の方に寄せられてクロージャ４０に固定されている。つまり、背面壁６９はバックシール機構部６８の移動方向である前後方向と直行する方向にずらされて取り付けられている。背面壁６９とバックシール機構部６８とでクロージャ４０の背面部が構成される。すなわち、クロージャ４０の背面部は、クロージャ４０とウエハ出し入れ口６５との間隔を調整自在に、かつ該間隔の直行方向にずらされてクロージャ４０に設けられている。このように、背面壁６９が給気管６６寄りに配置されることによって、背面壁６９とチャンバ６０とが密着している時に、クロージャ４０とポッド１０のウエハ収納口１０ｂとの間の隙間が広くなり、ガス導入装置６７から噴出する窒素ガス６２がウエハ収納室１０ｃ内に流れ込み易くなり、ウエハ収納室１０ｃ内の雰囲気を効率的にパージできるようになる。尚、さらに好ましくは、図９に示すように、ガス導入装置６７の設置箇所は、クロージャ４０の給気管６６側の側面であって、背面壁６９の背面にするとよりいっそう、ガス導入装置６７から噴出する窒素ガス６２がウエハ収納室１０ｃ内に流れやすくなる。   As shown in FIG. 9, the back wall 69 is configured to be larger than the opening size of the wafer loading / unloading port 65. In the vicinity of the outer peripheral edge of the back wall 69 on the back side, a packing 57 for improving the sealing between the back wall 69 and the chamber 60 is laid. The packing 57 ejects the nitrogen gas 62 from the filter 63a and the gas introduction device 67 to purge the atmosphere in the closure storage chamber 61 and the wafer storage chamber 10c with the nitrogen gas 62, and in the closure storage chamber 61 and the wafer storage. Oxygen, moisture, and particles in the atmosphere existing in the chamber 10 c are prevented from flowing into the installation chamber side of the wafer transfer device 15 in the housing 2. Further, the back wall 69 is fixed to the closure 40 by being brought closer to the air supply pipe 66 than the closure 40. That is, the back wall 69 is attached so as to be shifted in a direction perpendicular to the front-rear direction, which is the moving direction of the back seal mechanism 68. The back wall 69 and the back seal mechanism 68 constitute the back of the closure 40. That is, the back surface portion of the closure 40 is provided in the closure 40 so that the interval between the closure 40 and the wafer loading / unloading port 65 is adjustable and is shifted in the direction perpendicular to the interval. As described above, since the back wall 69 is disposed closer to the air supply pipe 66, when the back wall 69 and the chamber 60 are in close contact with each other, the gap between the closure 40 and the wafer storage port 10b of the pod 10 is wide. Thus, the nitrogen gas 62 ejected from the gas introduction device 67 can easily flow into the wafer storage chamber 10c, and the atmosphere in the wafer storage chamber 10c can be efficiently purged. More preferably, as shown in FIG. 9, the installation location of the gas introduction device 67 is the side surface of the closure 40 on the side of the air supply pipe 66, and more preferably on the back surface of the back wall 69. The ejected nitrogen gas 62 is likely to flow into the wafer storage chamber 10c.

なお、本実施形態では、主に支持台２３、一対のガイドレール２４、載置台２７、複数個のガイドブロック２５、エアシリンダ装置２６、及び位置決めピン２８により、ウエハ授受ポート（基板授受ポート）１３が構成されている。このウエハ授受ポート１３は、ポッド１０を載置するように構成されている。   In the present embodiment, a wafer transfer port (substrate transfer port) 13 is mainly configured by the support base 23, the pair of guide rails 24, the mounting base 27, the plurality of guide blocks 25, the air cylinder device 26, and the positioning pins 28. Is configured. The wafer transfer port 13 is configured to place the pod 10 thereon.

また、本実施形態では、主にクロージャ４０、解錠軸４１、プーリー４２、ベルト４３、連結片４４、エアシリンダ装置４５により、可動部が構成されている。この可動部は、ウエハ授受ポート１３に載置されたポッド１０のドア１０ａを保持するように構成されている。   In this embodiment, the movable part is mainly constituted by the closure 40, the unlocking shaft 41, the pulley 42, the belt 43, the connecting piece 44, and the air cylinder device 45. This movable part is configured to hold the door 10 a of the pod 10 placed on the wafer transfer port 13.

また、本実施形態では、主にベース２１、ガイドレール３０、３３、エアシリンダ装置３２、前後方向移動台３４、ブラケット３６、ロータリーアクチュエータ３７、ガイドピン３８、ブラケット３９、及び前記可動部により、ポッドオープナ（キャリア開閉装置）２０が構成されている。このポッドオープナ２０は、可動部に保持されたポッド１０のドア１０ａを可動部と共に移動させてポッド１０のウエハ収納口１０ｂを開閉するように構成されている。   In the present embodiment, the base 21, guide rails 30, 33, air cylinder device 32, front / rear moving table 34, bracket 36, rotary actuator 37, guide pin 38, bracket 39, and the movable part are used as a pod. An opener (carrier opening / closing device) 20 is configured. The pod opener 20 is configured to open and close the wafer storage port 10b of the pod 10 by moving the door 10a of the pod 10 held by the movable portion together with the movable portion.

また、本実施形態に係るチャンバ６０は、可動部及びポッド１０のウエハ収納口１０ｂを少なくとも囲うように構成されている。   Further, the chamber 60 according to the present embodiment is configured to surround at least the movable part and the wafer storage port 10 b of the pod 10.

また、ガス導入装置６７は、可動部のクロージャ４０に固定されてポッド１０のウエハ収納口１０ｂからウエハ収納室１０ｃ内に窒素ガス６２を導入するように構成されている。これに対して、フィルタ６３ａは、ガス導入装置６７から放出される窒素ガス６２よりも指向性の低い窒素ガス６２をクロージャ収容室６１内に供給するように構成されている。   The gas introduction device 67 is fixed to the closure 40 of the movable part and is configured to introduce nitrogen gas 62 into the wafer storage chamber 10 c from the wafer storage port 10 b of the pod 10. In contrast, the filter 63 a is configured to supply the nitrogen gas 62 having a lower directivity than the nitrogen gas 62 released from the gas introduction device 67 into the closure housing chamber 61.

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施形態に係るバッチ式ＣＶＤ装置１の動作を、主に図１、３、１０、及び１１を参照しながら説明する。また、後記する動作は、半導体装置の製造方法の一工程として行われる。なお、説明を理解し易くするため、以下の説明においては、上下で一対のウエハ授受ポート１３のうち、上段のウエハ授受ポート１３を上段ポートＡとし、下段のウエハ授受ポート１３を下段ポートＢとする。 (2) Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the batch type CVD apparatus 1 according to this embodiment will be described with reference mainly to FIGS. Further, the operation described later is performed as one step of the method for manufacturing the semiconductor device. In order to facilitate the understanding of the description, in the following description, of the pair of wafer transfer ports 13 in the upper and lower directions, the upper wafer transfer port 13 is the upper port A, and the lower wafer transfer port 13 is the lower port B. To do.

（ポッド載置工程）
図１に示すように、筐体２のポッド出し入れ口から搬入され、ポッドステージ１１に載置されたポッド（キャリア）１０は、ポッド搬送装置１４によって指定されたポッド棚１２に適宜に搬送されて一時的に保管される。ポッド棚１２に保管されたポッド１０は、ポッド搬送装置１４によって適宜にピックアップされ、上段ポートＡに搬送されて、図３に示すように上段ポートＡの載置台２７上に移載される。この際、ポッド１０の下面に没設された位置決め凹部が、載置台２７の三本の位置決めピン２８とそれぞれ嵌合されることにより、ポッド１０と載置台２７との位置合わせが実行される。 (Pod placement process)
As shown in FIG. 1, a pod (carrier) 10 carried in from a pod loading / unloading port of the housing 2 and placed on a pod stage 11 is appropriately transported to a pod shelf 12 designated by a pod transport device 14. Stored temporarily. The pod 10 stored in the pod shelf 12 is appropriately picked up by the pod transfer device 14, transferred to the upper port A, and transferred onto the mounting table 27 of the upper port A as shown in FIG. At this time, the positioning recesses embedded in the lower surface of the pod 10 are respectively fitted with the three positioning pins 28 of the mounting table 27, whereby the positioning of the pod 10 and the mounting table 27 is executed.

（ドア保持工程）
ポッド１０がウエハ授受ポート１３の載置台２７に載置されて位置合わせが行われると、載置されたポッド１０のドア１０ａを保持する可動部及びポッド１０のウエハ収納口１０ｂを少なくとも囲うチャンバ６０内で、可動部がドア１０ａを保持するドア保持工程が行われる。 (Door holding process)
When the pod 10 is mounted on the mounting table 27 of the wafer transfer port 13 and is aligned, the chamber 60 that at least surrounds the movable portion that holds the door 10a of the mounted pod 10 and the wafer storage port 10b of the pod 10. The door holding process in which the movable part holds the door 10a is performed.

具体的には、載置台２７がエアシリンダ装置２６によってベース２１の方向に押され、図１０（ａ）に示すように、ウエハ収納口１０ｂの開口縁辺部であるポッド１０の開口側
端面が、ベース２１の正面におけるウエハ出し入れ口２２の開口縁辺部に押し付けられる。このとき、パッキン５４及びパッキン５６により、前記ポッド１０の開口側端面とベース２１の正面とがシールされる。また、ポッド１０がベース２１の方向に押されると、クロージャ４０の解錠軸４１がドア１０ａの鍵穴に挿入される。この状態で、解錠軸４１がエアシリンダ装置４５によって回動されると、解錠軸４１はドア１０ａ側の錠前に係合した係合部４１ａによってドア１０ａの錠前の施錠を解除する。 Specifically, the mounting table 27 is pushed in the direction of the base 21 by the air cylinder device 26, and as shown in FIG. 10A, the opening side end surface of the pod 10 which is the opening edge of the wafer storage port 10b is It is pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 22 in front of the base 21. At this time, the opening side end surface of the pod 10 and the front surface of the base 21 are sealed by the packing 54 and the packing 56. When the pod 10 is pushed in the direction of the base 21, the unlocking shaft 41 of the closure 40 is inserted into the key hole of the door 10a. In this state, when the unlocking shaft 41 is rotated by the air cylinder device 45, the unlocking shaft 41 releases the locking of the door 10a by the engaging portion 41a engaged with the locking on the door 10a side.

（ウエハ収納口１０ｂの開工程）
次いで、可動部に保持されたポッド１０のドア１０ａを可動部と共にポッドオープナ２０が移動させて、ポッド１０のウエハ収納口１０ｂを開く開工程が行われる。 (Process for opening wafer storage port 10b)
Next, an opening process is performed in which the pod opener 20 moves the door 10a of the pod 10 held by the movable part together with the movable part to open the wafer storage port 10b of the pod 10.

具体的には、前後方向移動台３４が、ロータリーアクチュエータ３７の作動によってベース２１から離れる方向に移動する。そして、図１０（ｂ）に示すように、クロージャ４０は、ポッド１０のドア１０ａを保持した状態でチャンバ６０のクロージャ収容室６１内に後退することにより、ドア１０ａをポッド１０のウエハ収納口１０ｂから抜き出す。これにより、ポッド１０のウエハ収納口１０ｂは開放された状態になる。   Specifically, the front-rear direction moving table 34 moves in a direction away from the base 21 by the operation of the rotary actuator 37. Then, as shown in FIG. 10B, the closure 40 is retracted into the closure accommodating chamber 61 of the chamber 60 while holding the door 10 a of the pod 10, whereby the door 10 a is moved to the wafer accommodating port 10 b of the pod 10. Extract from. As a result, the wafer storage port 10b of the pod 10 is opened.

（退避工程）
ポッド１０のウエハ収納口１０ｂが開放されたら、図１０（ｃ）に示すように、ガス導入装置６７から噴出した窒素ガス６２がウエハ収納室１０ｃに直接流入できる位置になるように、好ましくは背面壁６９の中心とウエハ出し入れ口６５の中心とが前後方向で揃う位置になるように、左右方向移動台３１がウエハ収納口１０ｂに対して左右方向に退避動作を行う。 (Evacuation process)
When the wafer storage port 10b of the pod 10 is opened, as shown in FIG. 10C, the rear surface is preferably arranged so that the nitrogen gas 62 ejected from the gas introduction device 67 can flow directly into the wafer storage chamber 10c. The left / right moving base 31 performs a retreat operation in the left / right direction with respect to the wafer storage port 10b so that the center of the wall 69 and the center of the wafer loading / unloading port 65 are aligned in the front / rear direction.

次いで、図１０（ｄ）に示すように、バックシール機構部６８を動作させることにより、背面壁６９をチャンバ６０のウエハ出し入れ口６５に向かってせり出させる。その結果、背面壁６９とチャンバ６０とがパッキン５７を介して密着し、クロージャ収容室６１が筐体２におけるウエハ移載装置１５の設置室側から隔離された状態になる。   Next, as shown in FIG. 10D, the back seal mechanism 68 is operated to cause the back wall 69 to protrude toward the wafer loading / unloading port 65 of the chamber 60. As a result, the back wall 69 and the chamber 60 are in close contact with each other through the packing 57, and the closure housing chamber 61 is isolated from the installation chamber side of the wafer transfer device 15 in the housing 2.

（ガス導入工程）
次いで、可動部に固定されたガス導入装置６７が、上記の開工程で開けたウエハ収納口１０ｂからポッド１０内にガスを導入するガス導入工程が行われる。 (Gas introduction process)
Next, a gas introduction process is performed in which the gas introduction device 67 fixed to the movable part introduces gas into the pod 10 from the wafer storage opening 10b opened in the above opening process.

具体的には、背面壁６９によってクロージャ収容室６１を密閉した後に、窒素ガス６２がフィルタ６３ａ及びガス導入装置６７からクロージャ収容室６１及びウエハ収納室１０ｃに噴出される。噴出された窒素ガス６２は、フィルタ６３ａ及びガス導入装置６７から排気管６４に向かって流れることによって、クロージャ収容室６１及びウエハ収納室１０ｃの雰囲気をパージする。このとき、背面壁６９がチャンバ６０に向かってせり出しているため、クロージャ４０と背面壁６９との間の隙間が大きくなることから、噴出された窒素ガス６２は、この隙間を流れることになる。窒素ガス６２がクロージャ４０と背面壁６９の隙間を流れることにより、バックシール機構部６８が作動することによって発生したパーティクルが、クロージャ収容室６１から排気管６４を通して効率的に除去されることになる。   Specifically, after the closure housing chamber 61 is sealed by the back wall 69, the nitrogen gas 62 is jetted from the filter 63a and the gas introduction device 67 to the closure housing chamber 61 and the wafer housing chamber 10c. The ejected nitrogen gas 62 flows from the filter 63a and the gas introduction device 67 toward the exhaust pipe 64, thereby purging the atmosphere in the closure storage chamber 61 and the wafer storage chamber 10c. At this time, since the back wall 69 protrudes toward the chamber 60, the gap between the closure 40 and the back wall 69 becomes large, and thus the jetted nitrogen gas 62 flows through this gap. When the nitrogen gas 62 flows through the gap between the closure 40 and the back wall 69, particles generated by the operation of the back seal mechanism 68 are efficiently removed from the closure housing chamber 61 through the exhaust pipe 64. .

また、図１０（ｄ）の状態でフィルタ６３ａ及びガス導入装置６７から窒素ガス６２を噴出すると、図１１（ａ）に示すように、噴出した窒素ガス６２がクロージャ収容室６１及びウエハ収納室１０ｃに流入した後に排気管６４から流出する。この窒素ガス６２の流れにより、クロージャ収容室６１及びウエハ収納室１０ｃに存在する大気中の酸素や水分さらにはパーティクル等がパージされる。   Further, when the nitrogen gas 62 is ejected from the filter 63a and the gas introduction device 67 in the state of FIG. 10D, as shown in FIG. 11A, the ejected nitrogen gas 62 becomes the closure accommodating chamber 61 and the wafer accommodating chamber 10c. And then flows out from the exhaust pipe 64. The flow of the nitrogen gas 62 purges oxygen, moisture, particles, etc. in the atmosphere present in the closure chamber 61 and the wafer chamber 10c.

（基板処理工程）
チャンバ６０のクロージャ収容室６１及びウエハ収納室１０ｃが窒素ガス６２によってパージされた後に、ウエハ９がポッド１０内から処理室４ａ内に搬送されて、処理室４ａ内にてウエハ９を処理する工程が行われる。 (Substrate processing process)
After the closure storage chamber 61 and the wafer storage chamber 10c of the chamber 60 are purged by the nitrogen gas 62, the wafer 9 is transferred from the pod 10 into the processing chamber 4a, and the wafer 9 is processed in the processing chamber 4a. Is done.

具体的には、左右方向移動台３１がエアシリンダ装置３２の作動によってウエハ出し入れ口２２から離れる方向に移動する。これにより、図１１（ｂ）に示すように、ドア１０ａを保持したクロージャ４０が、ベース２１のウエハ出し入れ口２２から離間したクロージャ収容室６１の退避位置に移動する。このクロージャ４０の退避移動により、チャンバ６０のウエハ出し入れ口６５、ベース２１のウエハ出し入れ口２２及びポッド１０のウエハ収納口１０ｂがそれぞれ開放された状態になる。この際、上記の各工程によって、クロージャ収容室６１及びウエハ収納室１０ｃの雰囲気が窒素ガス６２によってパージされているため、大気中の酸素や水分等が筐体２におけるウエハ移載装置１５の設置室側に放出されることはない。したがって、ウエハ移載装置１５の設置室の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生は防止される。   Specifically, the left-right moving table 31 moves in a direction away from the wafer loading / unloading port 22 by the operation of the air cylinder device 32. As a result, as shown in FIG. 11B, the closure 40 holding the door 10 a moves to the retracted position of the closure housing chamber 61 separated from the wafer loading / unloading port 22 of the base 21. With the retracting movement of the closure 40, the wafer loading / unloading port 65 of the chamber 60, the wafer loading / unloading port 22 of the base 21, and the wafer storage port 10b of the pod 10 are opened. At this time, since the atmosphere in the closure housing chamber 61 and the wafer housing chamber 10c is purged by the nitrogen gas 62 by the above steps, oxygen, moisture, etc. in the atmosphere are installed in the housing 2 in the housing 2. It is not released to the room side. Therefore, the occurrence of adverse effects such as contamination of the installation chamber of the wafer transfer device 15 and an increase in oxygen concentration is prevented.

クロージャ４０が退避位置に移動すると、図１１（ｃ）に示すように、マッピング装置５３がロータリーアクチュエータ５０の作動によって移動して、マッピング装置５３がウエハ収納室１０ｃへウエハ出し入れ口６５、ウエハ出し入れ口２２、及びウエハ収納口１０ｂを潜り抜けて挿入される。ウエハ収納室１０ｃに挿入されたマッピング装置５３は、ウエハ収納室１０ｃに収納された複数枚のウエハ９を検出することによってマッピングする。ここで、マッピングとは、ウエハ収納室１０ｃ内のウエハ９の所在位置（ウエハ９がどの保持溝にあるのか）を確認することである。マッピング作業が終了すると、マッピング装置５３は、ロータリーアクチュエータ５０の作動によって元の待機位置に戻される。   When the closure 40 is moved to the retracted position, as shown in FIG. 11C, the mapping device 53 is moved by the operation of the rotary actuator 50, and the mapping device 53 moves into the wafer storage chamber 10c. 22 and the wafer storage port 10b are inserted through. The mapping device 53 inserted into the wafer storage chamber 10c performs mapping by detecting a plurality of wafers 9 stored in the wafer storage chamber 10c. Here, the mapping is to confirm the location of the wafer 9 in the wafer storage chamber 10c (which holding groove the wafer 9 is in). When the mapping operation is completed, the mapping device 53 is returned to the original standby position by the operation of the rotary actuator 50.

マッピング装置５３が待機位置に戻されると、上段ポートＡにおいて開けられたポッド１０の複数枚のウエハ９は、ウエハ移載装置１５によってボート８に順次装填（チャージング）される。この際、ウエハ移載装置１５の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生は防止されているため、移載中のウエハ９の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着等の弊害の発生は防止される。   When the mapping device 53 is returned to the standby position, the plurality of wafers 9 of the pod 10 opened at the upper port A are sequentially loaded (charged) into the boat 8 by the wafer transfer device 15. At this time, since adverse effects such as contamination of the transfer space of the wafer transfer device 15 and an increase in oxygen concentration are prevented, adverse effects such as deposition of a natural oxide film and adhesion of particles on the wafer 9 being transferred are prevented. Is prevented from occurring.

この上段ポートＡにおけるウエハ移載装置１５によるウエハ９のボート８への装填作業中に、下段ポートＢにはポッド棚１２から別のポッド１０がポッド搬送装置１４によって搬送されて移載され、前記の載置台２７上での位置決めに続いてそれ以降の作業が同時進行される。このように下段ポートＢにおいてマッピング作業迄が同時進行されていると、上段ポートＡにおけるウエハ９のボート８への装填作業の終了と同時に、下段ポートＢに待機させたポッド１０についてのウエハ移載装置１５によるウエハ９のボート８への装填作業を開始することができる。すなわち、ウエハ移載装置１５はポッド１０の入替え作業についての待ち時間を浪費することなくウエハ移載作業を連続して実施することができるため、本実施形態に係るバッチ式ＣＶＤ装置１によれば、そのスループットを高めることができる。   During the loading operation of the wafer 9 to the boat 8 by the wafer transfer device 15 in the upper port A, another pod 10 is transferred from the pod shelf 12 to the lower port B by the pod transfer device 14 and transferred. Subsequent to the positioning on the mounting table 27, the subsequent operations are simultaneously performed. Thus, if the mapping operation is simultaneously performed in the lower port B, the wafer transfer of the pod 10 waiting in the lower port B is completed simultaneously with the completion of the loading operation of the wafer 9 to the boat 8 in the upper port A. The loading operation of the wafer 9 into the boat 8 by the apparatus 15 can be started. That is, since the wafer transfer device 15 can continuously perform the wafer transfer operation without wasting a waiting time for the replacement operation of the pod 10, the batch-type CVD apparatus 1 according to this embodiment can perform the wafer transfer operation. , Its throughput can be increased.

上段ポートＡにおいてウエハ移載装置１５によるウエハ９のボート８への装填作業が終了すると、空のポッドを閉じる作業が前記のポッドを開ける作業と略逆の順序で実行される。すなわち、クロージャ４０に保持されて退避していたドア１０ａが、ウエハ出し入れ口２２の位置に左右方向移動台３１によって戻され、前後方向移動台３４によってウエハ出し入れ口２２に挿入されてポッド１０のウエハ収納口１０ｂに嵌入される。ドア１０ａがウエハ収納口１０ｂに嵌入されると、解錠軸４１がエアシリンダ装置４５によって回動され、ドア１０ａの錠前を施錠する。ドア１０ａの施錠が終了すると、載置台２７がエアシリンダ装置２６によってベース２１から離れる方向に移動し、ポッド１０の開口側端面
がベース２１の正面から離れる。 When the operation of loading the wafer 9 into the boat 8 by the wafer transfer device 15 is completed at the upper port A, the operation of closing the empty pod is executed in a substantially reverse order to the operation of opening the pod. That is, the door 10a that has been retracted by being held by the closure 40 is returned to the position of the wafer loading / unloading port 22 by the left / right moving table 31, and inserted into the wafer loading / unloading port 22 by the front / rear moving table 34, and the wafer of the pod 10 It is inserted into the storage port 10b. When the door 10a is inserted into the wafer storage port 10b, the unlocking shaft 41 is rotated by the air cylinder device 45 to lock the lock of the door 10a. When the locking of the door 10 a is completed, the mounting table 27 is moved in a direction away from the base 21 by the air cylinder device 26, and the opening side end surface of the pod 10 is separated from the front surface of the base 21.

ドア１０ａによりウエハ収納口１０ｂが閉塞された上段ポートＡの空のポッド１０は、ポッド棚１２にポッド搬送装置１４によって搬送されて一時的に保持される。空のポッド１０が上段ポートＡから搬出されると、次のポッド１０が上段ポートＡに搬入される。以降、上段ポートＡ及び下段ポートＢにおいて、前記の作業が必要回数繰り返される。   The empty pod 10 in the upper port A with the wafer storage opening 10b closed by the door 10a is transferred to the pod shelf 12 by the pod transfer device 14 and temporarily held. When the empty pod 10 is carried out from the upper port A, the next pod 10 is carried into the upper port A. Thereafter, the above operation is repeated at the upper port A and the lower port B as many times as necessary.

以上のようにして、ウエハ移載装置１５による上段ポートＡ及び下段ポートＢからボート８へのウエハ９の装填作業が交互に繰り返されることによって、複数枚のウエハ９がポッド１０からボート８に装填されていく。この際、バッチ処理するウエハ９の枚数（例えば、百枚〜百五十枚）は一台のポッド１０に収納されたウエハ９の枚数（例えば、二十五枚）よりも何倍も多いため、複数台のポッド１０が上段ポートＡと下段ポートＢとにポッド搬送装置１４によって交互に繰り返し供給されることになる。   As described above, by loading the wafers 9 from the upper port A and the lower port B to the boat 8 by the wafer transfer device 15 alternately, a plurality of wafers 9 are loaded from the pod 10 to the boat 8. It will be done. At this time, the number of wafers 9 to be batch processed (for example, one hundred to one hundred fifty) is many times larger than the number of wafers 9 (for example, twenty-five) stored in one pod 10. A plurality of pods 10 are alternately and repeatedly supplied to the upper port A and the lower port B by the pod transfer device 14.

予め指定された枚数のウエハ９がポッド１０からボート８に移載されると、ウエハ授受ポート１３にとっては実質的に待機中となる成膜処理がプロセスチューブ４において実行される。すなわち、ボート８は、ボートエレベータ７によって持ち上げられて、プロセスチューブ４内に形成された処理室４ａ内に搬入される。ボート８が上限に達すると、ボート８を保持したシールキャップの上面の周辺部がプロセスチューブ４をシール状態に閉塞するため、処理室４ａは気密に閉じられた状態になる。処理室４ａが気密に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管６によって真空排気され、ヒータユニット３によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管５によって所定の流量だけ供給される。これにより、所定の膜がウエハ９に形成される。そして、予め設定された処理時間が経過すると、ボート８がボートエレベータ７によって降ろされることにより、処理済みウエハ９を保持したボート８が元の装填及び排出ステーション（以下、装填ステーションという。）に搬出される。   When a predetermined number of wafers 9 are transferred from the pod 10 to the boat 8, a film forming process that is substantially waiting for the wafer transfer port 13 is executed in the process tube 4. That is, the boat 8 is lifted by the boat elevator 7 and is carried into the processing chamber 4 a formed in the process tube 4. When the boat 8 reaches the upper limit, the periphery of the upper surface of the seal cap that holds the boat 8 closes the process tube 4 in a sealed state, so that the processing chamber 4a is hermetically closed. In a state where the processing chamber 4a is airtightly closed, the exhaust pipe 6 is evacuated to a predetermined degree of vacuum, heated to a predetermined temperature by the heater unit 3, and a predetermined source gas is supplied by the gas introduction pipe 5 by a predetermined flow rate. Supplied. As a result, a predetermined film is formed on the wafer 9. When a preset processing time elapses, the boat 8 is lowered by the boat elevator 7 so that the boat 8 holding the processed wafers 9 is carried out to the original loading and discharging station (hereinafter referred to as a loading station). Is done.

（基板搬出工程）
以上の成膜処理の実行中に上段ポートＡ及び下段ポートＢにおいては、他方のボート８に保持された処理済みウエハ９の排出（ディスチャージング）作業が同時進行されている。この際にも、フィルタ６３ａ及びガス導入装置６７から窒素ガス６２が噴出されることにより、クロージャ収容室６１及びポッド１０のウエハ収納室１０ｃが窒素ガス６２によってパージされるため、ウエハ収納室１０ｃが窒素ガス６２で満たされることになる。すなわち、装填ステーションに搬出されたボート８の処理済みウエハ９は、ウエハ移載装置１５によってピックアップされ、上段ポートＡに予め搬入されてドア１０ａを外されて開放された空のポッド１０に収納される。上段ポートＡでの空のポッド１０への所定の枚数のウエハ９の収納が終了すると、クロージャ４０に保持されて退避していたドア１０ａがウエハ出し入れ口２２の位置に左右方向移動台３１によって戻され、前後方向移動台３４によってウエハ出し入れ口２２に挿入されポッド１０のウエハ収納口１０ｂに嵌入される。ドア１０ａがウエハ収納口１０ｂに嵌入されると、解錠軸４１がエアシリンダ装置４５によって回動され、ドア１０ａの錠前を施錠する。これにより、ウエハ収納室１０ｃには窒素ガス６２が密封された状態になる。ドア１０ａの施錠が終了すると、載置台２７がエアシリンダ装置２６によってベース２１から離れる方向に移動され、ポッド１０の開口側端面がベース２１の正面から離される。次いで、処理済みのウエハ９が収納されたポッド１０は、ポッド棚１２にポッド搬送装置１４によって搬送される。 (Substrate unloading process)
During the above film forming process, in the upper port A and the lower port B, discharging (discharging) work of the processed wafers 9 held in the other boat 8 is simultaneously performed. At this time, the nitrogen gas 62 is ejected from the filter 63a and the gas introduction device 67, whereby the closure storage chamber 61 and the wafer storage chamber 10c of the pod 10 are purged by the nitrogen gas 62. It will be filled with nitrogen gas 62. That is, the processed wafer 9 of the boat 8 that has been unloaded to the loading station is picked up by the wafer transfer device 15, loaded into the upper port A in advance, and stored in the empty pod 10 that has been opened with the door 10 a removed. The When the storage of a predetermined number of wafers 9 in the empty pod 10 at the upper port A is completed, the door 10a held and retracted by the closure 40 is returned to the position of the wafer loading / unloading port 22 by the left / right moving table 31. Then, it is inserted into the wafer loading / unloading port 22 by the front / rear moving table 34 and inserted into the wafer storage port 10b of the pod 10. When the door 10a is inserted into the wafer storage port 10b, the unlocking shaft 41 is rotated by the air cylinder device 45 to lock the lock of the door 10a. As a result, the nitrogen gas 62 is sealed in the wafer storage chamber 10c. When locking of the door 10 a is completed, the mounting table 27 is moved in a direction away from the base 21 by the air cylinder device 26, and the opening side end surface of the pod 10 is separated from the front surface of the base 21. Next, the pod 10 in which the processed wafer 9 is stored is transferred to the pod shelf 12 by the pod transfer device 14.

処理済みのウエハ９を収納してポッド棚１２に戻されたポッド１０は、ポッド棚１２からポッドステージ１１へポッド搬送装置１４によって搬送される。ポッドステージ１１に移載されたポッド１０は、ポッド出し入れ口から筐体２の外部に搬出されて、洗浄工程や成膜検査工程等の次工程へ搬送される。そして、新たに未処理のウエハ９を収納したポッ
ド１０が、筐体２内のポッドステージ１１にポッド出し入れ口から搬入される。 The pod 10 containing the processed wafer 9 and returned to the pod shelf 12 is transferred from the pod shelf 12 to the pod stage 11 by the pod transfer device 14. The pod 10 transferred to the pod stage 11 is unloaded from the pod loading / unloading port to the outside of the housing 2 and transferred to the next process such as a cleaning process or a film forming inspection process. Then, the pod 10 in which the unprocessed wafer 9 is newly stored is carried into the pod stage 11 in the housing 2 from the pod loading / unloading port.

なお、ポッド１０のポッドステージ１１への搬入搬出（ポッドローディング及びポッドアンローディング）作業及びポッドステージ１１とポッド棚１２との間の入替え作業は、プロセスチューブ４におけるボート８の搬入搬出（ボートローディング及びボートアンローディング）作業や成膜処理の間に同時進行されるため、バッチ式ＣＶＤ装置１の全体としての作業時間は短縮される。   The loading / unloading (pod loading and pod unloading) work of the pod 10 to the pod stage 11 and the replacement work between the pod stage 11 and the pod shelf 12 are carried in / out of the boat 8 in the process tube 4 (boat loading and unloading). Since boat unloading) and the film forming process are performed simultaneously, the overall work time of the batch type CVD apparatus 1 is shortened.

以降、上記の説明に係るウエハ装填排出方法及び成膜方法が繰り返されることにより、バッチ式ＣＶＤ装置１によって、例えばＣＶＤ法による成膜等の所定の基板処理が実施される。   Thereafter, by repeating the wafer loading / discharging method and the film forming method according to the above description, the batch type CVD apparatus 1 performs predetermined substrate processing such as film formation by the CVD method, for example.

ここで、本実施形態に係るバッチ式ＣＶＤ装置１を用いて１個のポッド１０に収納されたウエハ９を成膜処理する方法（半導体装置の製造方法）を簡略化して、図１４のフローチャートにまとめる。   Here, a method of forming a film on the wafer 9 housed in one pod 10 using the batch-type CVD apparatus 1 according to the present embodiment (a method for manufacturing a semiconductor device) is simplified, and the flowchart of FIG. To summarize.

図１４中のＳ０（載置工程）では、ポッド搬送装置１４がウエハ９の収納されたポッド１０をウエハ授受ポート１３に載置する。Ｓ１（ドア保持工程）では、クロージャ４０がドア１０ａを保持する。Ｓ２（開工程）では、ドア１０ａを保持したクロージャ４０が背面方向への後退と左右方向への移動を行う。Ｓ３（ガス導入工程）では、ガス導入装置６７からウエハ収納室１０ｃに窒素ガス６２が導入される。Ｓ４では、ドア１０ａを保持したクロージャ４０がクロージャ収容室６１内の退避位置に移動する。また、ドア１０ａを保持したクロージャ４０が左右方向と前進方向への移動を行い、ポッド１０の正面位置に移動する。さらに、ウエハ９が空になった空ポッド１０を回転棚１２へ移動させる。Ｓ５では、ウエハ収納室１０ｃからボート８にウエハ９がウエハ移載装置１５によって移載される。Ｓ６（処理工程）では、ボート８に装填されたウエハ９がプロセスチューブ４内で薄膜形成処理を施される。回転棚１２から空ポッド１０を基板授受ポートに載置し、Ｓ１〜Ｓ４を行った後、Ｓ７では、薄膜形成されたウエハ９がボート８からウエハ収納室１０ｃにウエハ移載装置１５によって再び移載される。Ｓ８では、クロージャ収容室６１内の退避位置にあるドア１０ａを保持したクロージャ４０が左右方向に移動する。Ｓ９では、ガス導入装置６７からウエハ収納室１０ｃに窒素ガス６２が導入される。Ｓ１０では、ドア１０ａを保持したクロージャ４０が左右方向の移動と正面方向への前進を行う。Ｓ１１では、クロージャ４０が保持していたドア１０ａをウエハ収納口１０ｂに嵌入して開放する。   In S <b> 0 (placement step) in FIG. 14, the pod transfer device 14 places the pod 10 containing the wafer 9 on the wafer transfer port 13. In S1 (door holding step), the closure 40 holds the door 10a. In S2 (opening process), the closure 40 holding the door 10a moves backward and moves in the left-right direction. In S3 (gas introduction step), nitrogen gas 62 is introduced from the gas introduction device 67 into the wafer storage chamber 10c. In S <b> 4, the closure 40 holding the door 10 a moves to the retracted position in the closure accommodating chamber 61. The closure 40 holding the door 10a moves in the left-right direction and the forward direction, and moves to the front position of the pod 10. Further, the empty pod 10 in which the wafer 9 is empty is moved to the rotating shelf 12. In S <b> 5, the wafer 9 is transferred from the wafer storage chamber 10 c to the boat 8 by the wafer transfer device 15. In S <b> 6 (processing step), the wafer 9 loaded in the boat 8 is subjected to a thin film forming process in the process tube 4. After the empty pod 10 is placed on the substrate transfer port from the rotating shelf 12 and S1 to S4 are performed, the thin film formed wafer 9 is transferred again from the boat 8 to the wafer storage chamber 10c by the wafer transfer device 15 in S7. It will be posted. In S8, the closure 40 holding the door 10a in the retracted position in the closure accommodating chamber 61 moves in the left-right direction. In S9, nitrogen gas 62 is introduced from the gas introduction device 67 into the wafer storage chamber 10c. In S10, the closure 40 holding the door 10a moves in the left-right direction and moves forward in the front direction. In S11, the door 10a held by the closure 40 is fitted into the wafer storage port 10b and opened.

（３）本実施形態による効果
本実施形態によれば、次の（ａ）〜（ｈ）のうち少なくとも１つの効果が得られる。 (3) Effects according to this embodiment According to this embodiment, at least one of the following effects (a) to (h) can be obtained.

（ａ）本実施形態では、クロージャ４０の側面に取り付けられたガス導入装置６７から指向性の窒素ガス６２が噴出すため、ポッド１０のウエハ収納室１０ｃ内に窒素ガス６２の大きな流れが形成される。また、クロージャ４０がドア１０ａを保持した状態で背面方向に後退してさらに左右方向に退避した後に、ガス導入装置６７から窒素ガス６２がウエハ収納室１０ｃ内に向けて噴出すため、ベース２１とドア１０ａとの間の隙間が大きくなった状態で窒素ガス６２が噴出される。その結果、本実施形態によれば、ウエハ収納室１０ｃ内の奥深くまで窒素ガス６２が流入しやすくなり、ポッド１０内の窒素ガス６２によるパージに要する時間が従来よりも短縮される。つまり、本実施形態によれば、基板処理装置のスループットが向上する。 (A) In this embodiment, since the directional nitrogen gas 62 is ejected from the gas introduction device 67 attached to the side surface of the closure 40, a large flow of the nitrogen gas 62 is formed in the wafer storage chamber 10 c of the pod 10. The Further, since the nitrogen gas 62 is ejected from the gas introduction device 67 into the wafer storage chamber 10c after the closure 40 is retracted in the back direction with the door 10a held and further retracted in the left-right direction, the base 21 and Nitrogen gas 62 is ejected in a state where the gap between the door 10a is large. As a result, according to this embodiment, the nitrogen gas 62 tends to flow deeply into the wafer storage chamber 10c, and the time required for purging with the nitrogen gas 62 in the pod 10 is shortened compared to the conventional case. That is, according to this embodiment, the throughput of the substrate processing apparatus is improved.

（ｂ）従来、ウエハ出し入れ口６５を閉塞するには、チャンバ６０に密着するまでクロージャ４０を背面方向に移動させなければならず、大がかりな動作機構が必要であった。こ
れに対し、本実施形態では、バックシール機構部６８を設けることにより、大きな設備スペースを必要としない簡便な動作機構で、従来と同様の効果を得られる。したがって、本実施形態によれば、基板処理装置の製造コストを低減させ、基板処理コストを低減させることができる。また、本実施形態によれば、バックシール機構部６８を動作させることによってクロージャ収容室６１を密封できることから、ウエハ移載装置１５の設置室側の汚染や酸素濃度上昇等の弊害の発生を防止して、基板処理の歩留りを改善することができる。 (B) Conventionally, in order to close the wafer loading / unloading port 65, the closure 40 has to be moved in the back direction until it comes into close contact with the chamber 60, which requires a large operating mechanism. On the other hand, in the present embodiment, by providing the back seal mechanism 68, the same effect as the conventional one can be obtained with a simple operation mechanism that does not require a large facility space. Therefore, according to this embodiment, the manufacturing cost of the substrate processing apparatus can be reduced, and the substrate processing cost can be reduced. In addition, according to the present embodiment, since the closure housing chamber 61 can be sealed by operating the back seal mechanism 68, the occurrence of adverse effects such as contamination on the installation chamber side of the wafer transfer device 15 and an increase in oxygen concentration is prevented. Thus, the yield of substrate processing can be improved.

（ｃ）また、本実施形態では、ポッドオープナ２０と共にクロージャ収容室６１内を移動しながらも別個に動作する背面壁６９がポッドオープナ２０の背面側に設置されるため、ドア１０ａを開け始めてから窒素ガス６２を噴出すまでに要する時間を短縮できる。その結果、本実施形態によれば、基板処理のスループットを向上させることができる。 (C) Further, in this embodiment, since the back wall 69 that operates separately with the pod opener 20 while moving in the closure accommodating chamber 61 is installed on the back side of the pod opener 20, after the door 10a starts to be opened. The time required to eject the nitrogen gas 62 can be shortened. As a result, according to the present embodiment, the throughput of the substrate processing can be improved.

（ｄ）また、本実施形態では、バックシール機構部６８が作動して背面壁６９がチャンバ６０に密着している時に、ポッドオープナ２０と背面壁６９との間に隙間が形成され、この隙間がフィルタ６３ａ及びガス導入装置６７から排気管６４へ向かう窒素ガス６２の流路として機能する。そのため、本実施形態では、クロージャ収容室６１及びウエハ収納室１０ｃにおける雰囲気の滞留が抑制される。その結果、本実施形態によれば、窒素ガス６２によるパージに要する時間を短縮できると共に、バックシール機構部６８の動作によって発生したパーティクルをクロージャ収容室６１内から排気管６４を介して効率的に排出することができる。さらに、本実施形態によれば、バックシール機構部６８の近傍で発生したパーティクルが排気管６４から速やかに排出されるため、そのパーティクルがガス導入装置６７から放出された窒素ガス６２の流れに乗ってウエハ収納室１０ｃ内に流入することを防止でき、その結果、パーティクルがウエハ９に付着することを抑制することができる。 (D) In the present embodiment, when the back seal mechanism 68 is activated and the back wall 69 is in close contact with the chamber 60, a gap is formed between the pod opener 20 and the back wall 69. Functions as a flow path of the nitrogen gas 62 from the filter 63 a and the gas introduction device 67 toward the exhaust pipe 64. Therefore, in the present embodiment, atmosphere retention in the closure storage chamber 61 and the wafer storage chamber 10c is suppressed. As a result, according to this embodiment, the time required for purging with the nitrogen gas 62 can be shortened, and particles generated by the operation of the back seal mechanism 68 can be efficiently passed from the closure housing chamber 61 through the exhaust pipe 64. Can be discharged. Furthermore, according to the present embodiment, particles generated in the vicinity of the back seal mechanism 68 are quickly discharged from the exhaust pipe 64, so that the particles ride on the flow of the nitrogen gas 62 released from the gas introduction device 67. As a result, it is possible to prevent the particles from adhering to the wafer 9.

（ｅ）また、本実施形態では、ガス導入装置６７のフィルタ部６７ａがエアフィルタとして機能するため、給気管６６を流れる窒素ガス６２中に混在するパーティクル等の汚染源を除去するためのフィルタ装置を別途設ける必要がない。そのため、本実施形態によれば、バッチ式ＣＶＤ装置１の構成を簡略化できる。 (E) In the present embodiment, since the filter portion 67a of the gas introduction device 67 functions as an air filter, a filter device for removing contamination sources such as particles mixed in the nitrogen gas 62 flowing through the supply pipe 66 is provided. There is no need to provide it separately. Therefore, according to the present embodiment, the configuration of the batch type CVD apparatus 1 can be simplified.

（ｆ）また、本実施形態によれば、ガス導入装置６７のフィルタ部６７ａが微細な細孔を複数備えたセラミックの多孔体等であって一体成形されたものであるため、その細孔が目詰まりを起こしたとき等には、新しいものと容易に交換することができる。 (F) Further, according to the present embodiment, the filter portion 67a of the gas introduction device 67 is a ceramic porous body or the like having a plurality of fine pores and is integrally formed. When clogging occurs, it can be easily replaced with a new one.

（ｇ）また、本実施形態では、ガス導入装置６７のフィルタ部６７ａが微細な細孔を複数備えたセラミックの多孔体等であるため、フィルタ部６７ａの全表面から偏りなく均一に窒素ガス６２が放出される。さらに、本実施形態では、スリット６７ｃが絞り部６７ｂの軸心と平行な均一幅の空隙であるため、噴出口としてのスリット６７ｃから窒素ガス６２が整流となって噴出す。したがって、本実施形態によれば、ガス導入装置６７から噴出した窒素ガス６２が整流であるため、その窒素ガス６２がウエハ収納室１０ｃの奥深くまで流入しやすく、ウエハ収納室１０ｃの雰囲気が短時間でパージされるようになる。その結果、本実施形態によれば、バッチ式ＣＶＤ装置１のスループットが改善されると共に、窒素ガス６２の消費量が削減される。 (G) Further, in this embodiment, since the filter portion 67a of the gas introduction device 67 is a ceramic porous body having a plurality of fine pores, the nitrogen gas 62 is uniformly distributed from the entire surface of the filter portion 67a. Is released. Furthermore, in this embodiment, since the slit 67c is a gap having a uniform width parallel to the axis of the throttle portion 67b, the nitrogen gas 62 is rectified and ejected from the slit 67c serving as the ejection port. Therefore, according to the present embodiment, since the nitrogen gas 62 ejected from the gas introduction device 67 is rectified, the nitrogen gas 62 easily flows deep into the wafer storage chamber 10c, and the atmosphere of the wafer storage chamber 10c is short. Will be purged. As a result, according to the present embodiment, the throughput of the batch CVD apparatus 1 is improved and the consumption of the nitrogen gas 62 is reduced.

（ｈ）また、本実施形態によれば、ガス導入装置６７がフィルタ部６７ａと絞り部６７ｂとからなる単純な構成であるため、ガス導入装置６７の製造コストを抑えることができる。 (H) According to the present embodiment, since the gas introduction device 67 has a simple configuration including the filter portion 67a and the throttle portion 67b, the manufacturing cost of the gas introduction device 67 can be suppressed.

＜本発明の他の実施形態＞
本発明は上記の一実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 <Other Embodiments of the Present Invention>
Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

上記の一実施の形態では、ウエハ移載装置１５によって複数のウエハ９がウエハ収納室１０ｃからボート８に装填された後、ボート８がボートエレベータ７によってプロセスチューブ４内に持ち上げられることを説明した。ここで、例えば図１５に示すように、筐体２内の後方下部、プロセスチューブ４の直下でボートエレベータ７の近傍に、ガス導入装置８１を鉛直方向に２個、水平方向に１個新たに配置して、ボート８上に載置された複数のウエハ９に窒素ガス６２を導入しても良い。また、好ましくは、ボート８がボートエレベータ７によってプロセスチューブ４内に持ち上げられる前及びその最中に、３つのガス導入装置８１からボート８に向けて窒素ガス６２を噴出すようにしてもよい。   In the above-described embodiment, it has been described that the boat 8 is lifted into the process tube 4 by the boat elevator 7 after the wafer transfer device 15 has loaded the plurality of wafers 9 into the boat 8 from the wafer storage chamber 10c. . Here, for example, as shown in FIG. 15, two gas introducing devices 81 in the vertical direction and one in the horizontal direction are newly provided in the lower rear part of the housing 2, just below the process tube 4 and in the vicinity of the boat elevator 7. The nitrogen gas 62 may be introduced into the plurality of wafers 9 which are arranged and placed on the boat 8. Preferably, the nitrogen gas 62 may be jetted from the three gas introduction devices 81 toward the boat 8 before and during the boat 8 being lifted into the process tube 4 by the boat elevator 7.

ガス導入装置８１は、ガス導入装置６７と同様に、フィルタ部８１ａと、一定幅の空隙である噴出口としてのスリット８１ｃを外周面上に備える絞り部８１ｂと、で構成される。スリット８１ｃは、ボートエレベータ７に載せられたボート８と正対するように、その向きが調節されている。図１５（ａ）に示すように、鉛直方向に配置されたガス導入装置８１は、噴出した窒素ガス６２がボート８に装填された全てのウエハ９に均一に当たるように、ボート８におけるウエハ９の装填範囲よりも長くなるように構成されている。同様に、水平方向に配置されたガス導入装置８１は、図１５（ｂ）に示すように、ボート８がボートエレベータ７によって持ち上げられている最中に、窒素ガス６２がボート８に装填された全てのウエハ９に均一に当たるように、ウエハ９の直径よりも長くなるように構成されている。このように、プロセスチューブ４内での処理前に、図１５に示すガス導入装置８１を用いてウエハ９に清浄化された窒素ガス６２を噴出すことにより、ウエハ収納室１０ｃからボート８に移載する際にウエハ９に付着したパーティクルを取り除くことができる。したがって、ガス導入装置８１を用いれば、プロセスチューブ４内でウエハ９上に形成される薄膜等にピンホール等の欠陥が生じることを防止できる。なお、ボートエレベータ７がプロセスチューブ４からボート８を降ろす際に、ガス導入装置８１から窒素ガス６２を処理済のウエハ９に噴出し、ウエハ９の冷却時間を短縮するようにしてもよい。   Similar to the gas introduction device 67, the gas introduction device 81 includes a filter portion 81a and a throttle portion 81b provided with a slit 81c serving as a spout, which is a gap having a constant width, on the outer peripheral surface. The direction of the slit 81 c is adjusted so as to face the boat 8 mounted on the boat elevator 7. As shown in FIG. 15 (a), the gas introduction device 81 arranged in the vertical direction is configured so that the blown nitrogen gas 62 is uniformly applied to all the wafers 9 loaded in the boat 8. It is configured to be longer than the loading range. Similarly, in the gas introduction device 81 arranged in the horizontal direction, as shown in FIG. 15B, the nitrogen gas 62 is loaded into the boat 8 while the boat 8 is being lifted by the boat elevator 7. It is configured to be longer than the diameter of the wafer 9 so as to uniformly hit all the wafers 9. In this way, before the processing in the process tube 4, the cleaned nitrogen gas 62 is jetted onto the wafer 9 using the gas introduction device 81 shown in FIG. 15, thereby transferring the wafer from the wafer storage chamber 10 c to the boat 8. Particles adhering to the wafer 9 during mounting can be removed. Therefore, if the gas introducing device 81 is used, defects such as pinholes can be prevented from occurring in the thin film formed on the wafer 9 in the process tube 4. When the boat elevator 7 lowers the boat 8 from the process tube 4, the nitrogen gas 62 may be jetted from the gas introduction device 81 to the processed wafer 9 to shorten the cooling time of the wafer 9.

また、例えば、ガス導入装置６７をクロージャ４０に固定する代わりに、フィルタ６３ａの近傍のチャンバ６０に固定してもよい。この場合、図１０の（ｃ）に示すように、クロージャ４０が背面方向に後退した後にさらに左右方向に退避しなくても、背面方向に後退した時点で、ガス導入装置６７から窒素ガス６２を噴出すことができるので、窒素ガス６２によるパージを開始するまでに要する時間を短縮できるというメリットがある。しかし、ガス導入装置６７をクロージャ４０に固定した方が、パージ自体に要する時間を短縮できるという点で優れる。また、ガス導入装置６７、８１の噴出口は、スリット形状として方が絞り部の軸心方向において、むらなく、均一なガス流を形成することができるため好適であるが、これにかぎらず、例えばスリットに代えて、複数の穴を絞り部の軸心方向に複数、２つ以上形成するようにしても良い。   Further, for example, instead of fixing the gas introduction device 67 to the closure 40, it may be fixed to the chamber 60 in the vicinity of the filter 63a. In this case, as shown in FIG. 10 (c), the nitrogen gas 62 is removed from the gas introduction device 67 when the closure 40 is retracted in the back direction without further retracting in the left and right direction after the closure 40 is retracted in the back direction. Since ejection can be performed, there is an advantage that the time required to start purging with the nitrogen gas 62 can be shortened. However, fixing the gas introduction device 67 to the closure 40 is superior in that the time required for purging itself can be shortened. Further, the jet ports of the gas introduction devices 67 and 81 are preferably slit-shaped, since they can form a uniform gas flow without unevenness in the axial direction of the throttle portion, but are not limited thereto. For example, instead of the slits, a plurality of holes may be formed in the axial direction of the throttle portion, or two or more.

また、ウエハ授受ポート１３は、上下二段でなくてもよく、一段だけもよいし、上中下三段のように三段以上でもよい。   Further, the wafer transfer port 13 does not have to be two upper and lower stages, but only one stage, or three or more stages such as upper, middle, and lower three stages.

また、マッピング装置５３をウエハ収納室１０ｃ内に挿入する装置として、ロータリーアクチュエータ５０の代わりに、ＸＹ軸ロボット等を採用してもよい。なお、マッピング装置は省略してもよい。   Further, as an apparatus for inserting the mapping device 53 into the wafer storage chamber 10c, an XY axis robot or the like may be employed instead of the rotary actuator 50. The mapping device may be omitted.

また、上記の一実施の形態では、バッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置を使用する場合について説明したが、本発明は係る形態に限らず、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜装置等の他の成膜装置、拡散装置、酸化・窒化装置、エッチング装
置などのバッチ式基板処理装置に対しても好適に適用可能である。また、基板は、ウエハ９に限定されるものではなく、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスク、及び磁気ディスク等であってもよい。 In the above embodiment, the case where a batch type vertical diffusion / CVD apparatus is used has been described. However, the present invention is not limited to such a form, and other film formation such as an ALD (Atomic Layer Deposition) film formation apparatus. The present invention can also be suitably applied to batch-type substrate processing apparatuses such as apparatuses, diffusion apparatuses, oxidation / nitridation apparatuses, and etching apparatuses. Further, the substrate is not limited to the wafer 9, and may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.

（実施例１）
本発明に係る実施例１では、図１７に示すバッチ式ＣＶＤ装置を用いて、ガス導入装置６７から窒素ガス６２を噴出して、ウエハ収納室１０ｃの雰囲気を窒素ガス６２でパージした。ここで、図１７に示すバッチ式ＣＶＤ装置は、フィルタ６３ａをガス導入装置６７に替えた例であり、ガス導入装置６７をクロージャ４０には固定せずに、チャンバ６０に固定した点で異なるが、その他は、図９〜図１１に示すバッチ式ＣＶＤ装置と同じ構成要素を備えるものである。そこで、図９〜図１１の各構成要素に対応する図１７の各構成要素には、図９〜図１１で用いた符号と同一の符号を付す。そして、図１７に示すように、ポッド１０からドア１０ａが取り外されて、さらにウエハ収納室１０ｃにウエハ９が装填されたままの状態で、ガス導入装置６７から窒素ガス６２をウエハ収納室１０ｃに向けて１００Ｌ／ｍｉｎの流量で噴出して、ウエハ収納室１０ｃの最も奥深い位置（測定位置９０）における酸素濃度の経時変化を測定した。この酸素濃度の測定結果を図１８に示す。なお、実施例１では、スリット６７ｃの近傍における窒素ガス６２の流速は１．５ｍ／ｓ程度であった。また、この酸素濃度の測定後に、ウエハ９にパーティクルが付着しているか確認したところ、ウエハ９にパーティクルは付着していなかった。 Example 1
In Example 1 according to the present invention, using the batch type CVD apparatus shown in FIG. 17, the nitrogen gas 62 was ejected from the gas introduction device 67 and the atmosphere of the wafer storage chamber 10 c was purged with the nitrogen gas 62. Here, the batch type CVD apparatus shown in FIG. 17 is an example in which the filter 63 a is replaced with a gas introduction device 67, but differs in that the gas introduction device 67 is not fixed to the closure 40 but is fixed to the chamber 60. The others have the same components as the batch-type CVD apparatus shown in FIGS. Accordingly, the components in FIG. 17 corresponding to the components in FIGS. 9 to 11 are denoted by the same reference numerals as those used in FIGS. 9 to 11. Then, as shown in FIG. 17, with the door 10a removed from the pod 10 and the wafer 9 still loaded in the wafer storage chamber 10c, nitrogen gas 62 is introduced from the gas introduction device 67 into the wafer storage chamber 10c. The flow rate was 100 L / min and the change over time in the oxygen concentration at the deepest position (measurement position 90) of the wafer storage chamber 10c was measured. The measurement result of this oxygen concentration is shown in FIG. In Example 1, the flow rate of the nitrogen gas 62 in the vicinity of the slit 67c was about 1.5 m / s. Further, after the measurement of the oxygen concentration, it was confirmed whether particles were attached to the wafer 9, and no particles were attached to the wafer 9.

（比較例１）
比較例１では、ガス導入装置６７から絞り部６７ｂを取り外した以外は実施例１と同じ条件にして、図１７に示すバッチ式ＣＶＤ装置を用いて測定位置９０における酸素濃度の経時変化を測定した。したがって、比較例１では、ガス導入装置６７としてフィルタ６３ａをそのまま使用することになるため、フィルタ部６７ａからチャンバ６０内に窒素ガス６２が放射状に低流速で放出されることになる。この酸素濃度の測定結果を、実施例１の測定結果と一緒に図１８に示す。なお、フィルタ部６７ａの外表面から２０ｍｍ程度離れた位置における窒素ガス６２の流速は、０．０５〜０．３ｍ／ｓ程度である。 (Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, the change over time in the oxygen concentration at the measurement position 90 was measured using the batch-type CVD apparatus shown in FIG. 17 under the same conditions as in Example 1 except that the throttle portion 67b was removed from the gas introduction device 67. . Therefore, in the first comparative example, the filter 63a is used as it is as the gas introducing device 67, so that the nitrogen gas 62 is discharged radially from the filter portion 67a into the chamber 60 at a low flow rate. The measurement result of the oxygen concentration is shown in FIG. 18 together with the measurement result of Example 1. The flow rate of the nitrogen gas 62 at a position about 20 mm away from the outer surface of the filter portion 67a is about 0.05 to 0.3 m / s.

（酸素濃度の測定結果）
図１８に示すように、実施例１及び比較例１では窒素ガス６２の流量が同じであるにも関わらず、測定位置９０における酸素濃度が５，０００ｐｐｍに低下するまでに要する時間は、比較例１が３．５分であったのに対して、実施例１では１．５分であった。これらの測定結果から、ガス導入装置６７から噴出す窒素ガス６２がウエハ収納室１０ｃに向かう指向性を有することにより、ウエハ収納室１０ｃの奥深くまで窒素ガス６２が流れ込みやすくなり、ウエハ収納室１０ｃのパージに要する時間が短縮されることがわかる。 (Measurement result of oxygen concentration)
As shown in FIG. 18, although the flow rate of the nitrogen gas 62 is the same in Example 1 and Comparative Example 1, the time required for the oxygen concentration at the measurement position 90 to drop to 5,000 ppm is comparative example. 1 was 3.5 minutes, whereas in Example 1, it was 1.5 minutes. From these measurement results, the nitrogen gas 62 ejected from the gas introduction device 67 has directivity toward the wafer storage chamber 10c, so that the nitrogen gas 62 easily flows deep into the wafer storage chamber 10c. It can be seen that the time required for purging is shortened.

ちなみに、ウエハ９がウエハ収納室１０ｃに装填されている状態でウエハ収納室１０ｃの雰囲気を窒素ガス６２でパージしようとしても、ウエハ９が窒素ガス６２の流れを止めてしまうため、窒素ガス６２はウエハ収納室１０ｃに流れ込むことができずにウエハ収納口１０ｂの近傍を流れてしまう。そのため、ウエハ９がウエハ収納室１０ｃに装填された状態では、ウエハ収納室１０ｃの雰囲気中の酸素がゆっくりとクロージャ収容室６１内に拡散することになる。例えば、図１７に示すバッチ式ＣＶＤ装置を用いてフィルタ６３ａのみから窒素ガス６２を１００Ｌ／ｍｉｎの流量で放出した場合には、排気管６４の近傍に設置された酸素濃度検知ポートにおいて６００ｐｐｍの酸素濃度に達するまでに３〜４分を要した。また、この場合には、ウエハ収納室１０ｃ内での酸素濃度のばらつきが大きく、前記酸素濃度検知ポートで６００ｐｐｍと測定されても、測定位置９０では５，０００ｐｐｍ以上であることも珍しくなかった。   Incidentally, even if an attempt is made to purge the atmosphere of the wafer storage chamber 10c with the nitrogen gas 62 while the wafer 9 is loaded in the wafer storage chamber 10c, the wafer 9 stops the flow of the nitrogen gas 62. It cannot flow into the wafer storage chamber 10c but flows near the wafer storage port 10b. Therefore, when the wafer 9 is loaded in the wafer storage chamber 10 c, oxygen in the atmosphere of the wafer storage chamber 10 c diffuses slowly into the closure storage chamber 61. For example, when the nitrogen gas 62 is discharged from only the filter 63a at a flow rate of 100 L / min using the batch type CVD apparatus shown in FIG. 17, 600 ppm of oxygen is detected at the oxygen concentration detection port installed in the vicinity of the exhaust pipe 64. It took 3-4 minutes to reach the concentration. In this case, the variation in oxygen concentration in the wafer storage chamber 10c is large, and even if it is measured at 600 ppm at the oxygen concentration detection port, it is not uncommon for the measurement position 90 to be 5,000 ppm or more.

このような問題を解決するために、図９〜図１１に示すバッチ式とＣＶＤ装置の構成要素と同様の構成要素を備え、異なる点として、ガス導入装置６７の代わりに、中空管の外周面上に多数の貫通穴を形成した穴付きノズルを用いて、窒素ガス６２の流速を高めることも一案である。しかしながら、穴付きノズルにはフィルタ機能がないため、窒素ガス６２を供給する供給ライン上に新たなガスフィルタの設置が必要となり、その設置のためのスペースやコストの問題が新たに発生してしまう。さらに、穴付きノズルを使用する場合は、ノズルの近傍の流速は大きいが、穴以外の部分は流速が落ちてしまい均一な窒素ガス６２の流れを実現することが難しいという問題がある。また、穴付きノズルを使用する場合は、窒素ガス６２の噴出しを止めた時に、ノズル付近のパーティクルがノズル内に侵入して堆積し、再度窒素ガス６２を噴出した時に、パーティクルが周囲に飛散するおそれがある。   In order to solve such a problem, the batch type shown in FIGS. 9 to 11 and the components similar to the components of the CVD apparatus are provided. It is also a proposal to increase the flow rate of the nitrogen gas 62 using a nozzle with a hole in which a large number of through holes are formed on the surface. However, since the nozzle with a hole does not have a filter function, it is necessary to install a new gas filter on the supply line for supplying the nitrogen gas 62, resulting in a new space and cost problem for the installation. . Furthermore, when a nozzle with a hole is used, the flow velocity in the vicinity of the nozzle is large, but there is a problem that it is difficult to realize a uniform flow of the nitrogen gas 62 because the flow velocity is reduced in portions other than the hole. When a nozzle with a hole is used, when the nitrogen gas 62 is stopped from being ejected, particles near the nozzle enter the nozzle and accumulate, and when the nitrogen gas 62 is ejected again, the particles are scattered around. There is a risk.

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。 <Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

本発明の一態様によれば、複数の基板を収納するキャリアと、前記キャリア内にガスを導入するガス導入装置と、を備え、前記ガス導入装置は、ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと、前記フィルタの外周に設けられ前記フィルタから放射状に放出されたガスの流れを絞る絞り部と、を備える基板処理装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, a filter that includes a carrier that houses a plurality of substrates and a gas introduction device that introduces a gas into the carrier, the gas introduction device discharging the gas radially while cleaning the gas. And a throttle part provided on the outer periphery of the filter for restricting the flow of gas emitted radially from the filter.

本発明の他の態様によれば、複数の基板を収納するキャリア内にガスを導入するガス導入装置であって、ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと、前記フィルタの外周に設けられ前記フィルタから放射状に放出されたガスの流れを絞る絞り部と、を備えるガス導入装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a gas introduction device that introduces gas into a carrier that houses a plurality of substrates, the filter that discharges the gas radially while cleaning the gas, and the filter that is provided on the outer periphery of the filter. A gas introducing device is provided that includes a throttle portion that restricts the flow of gas radially emitted from the filter.

本発明のさらに他の態様によれば、複数の基板を収納するキャリアを基板授受ポートに載置する載置工程と、前記キャリアに設けられた基板収納口に着脱自在に取り付けられたドアを開閉装置の可動部に保持して開ける開工程と、前記開閉装置の可動部と前記開閉装置の可動部に保持された前記ドアとを、前記キャリアの基板収納口と前記基板授受ポートに設けられた基板出し入れ口とを少なくとも囲うチャンバ内に退避させる退避工程と、ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと前記フィルタの外周に設けられ前記フィルタから放射状に放出された前記ガスの流れを絞る絞り部とを備えるガス導入装置から、前記キャリア内に清浄化された前記ガスを導入するガス導入工程と、前記ガスが導入された前記キャリア内から前記基板を処理室へ搬送して、前記処理室において前記基板を処理する処理工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。   According to still another aspect of the present invention, a mounting step of mounting a carrier storing a plurality of substrates on a substrate transfer port, and opening and closing a door detachably attached to a substrate storage port provided in the carrier An opening step of holding and opening the movable portion of the apparatus, and the movable portion of the opening and closing device and the door held by the movable portion of the opening and closing device are provided in the substrate storage port of the carrier and the substrate transfer port. A retreating step for retracting into a chamber surrounding at least the substrate inlet / outlet; a filter for discharging the gas radially while purifying the gas; and a throttle unit provided on the outer periphery of the filter to restrict the flow of the gas discharged radially from the filter A gas introduction step for introducing the gas that has been cleaned into the carrier from a gas introduction device, and the substrate from within the carrier into which the gas has been introduced. It is transported to the sense chamber, a method of manufacturing a semiconductor device having a processing step of processing the substrate in the processing chamber is provided.

本発明のさらに他の態様によれば、複数の基板を収納する時に搬入口となる基板収納口及び前記基板収納口に装着されたドアを備えるキャリアと、
前記キャリアを載置する基板授受ポートと、
前記基板授受ポートに載置された前記キャリアから前記ドアを取り外して前記キャリアを開けるキャリア開閉装置と、
前記ドアを取り外したときに前記ドアを保持する前記キャリア開閉装置の可動部と前記キャリアの前記基板収納口とを少なくとも囲うチャンバと、
前記チャンバ内に設けられガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと前記フィルタの外周に設けられ前記フィルタから放出されたガスの流れを絞る絞り部とを備えるガス導入装置と、を備える基板処理装置が提供される。 According to still another aspect of the present invention, a carrier including a substrate storage port serving as a carry-in port when storing a plurality of substrates and a door attached to the substrate storage port;
A board transfer port on which the carrier is placed;
A carrier opening and closing device that opens the carrier by removing the door from the carrier placed on the substrate transfer port;
A chamber surrounding at least the movable part of the carrier opening and closing device that holds the door when the door is removed and the substrate storage port of the carrier;
A substrate processing apparatus comprising: a filter that is provided in the chamber and discharges radially while cleaning gas; and a gas introduction device that is provided on an outer periphery of the filter and includes a throttle unit that restricts a flow of gas discharged from the filter. Is provided.

好ましくは、前記ガス導入装置と前記キャリア開閉装置とを制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、少なくとも前記基板授受ポートに載置された前記キャリアの前記基板収
納口の開口面に対して平行方向に前記キャリア開閉装置の可動部を移動させる間に、前記フィルタを介して前記絞り部から前記キャリア内へ清浄化された前記ガスを導入するように制御する。 Preferably, further comprising a control unit for controlling the gas introduction device and the carrier opening and closing device,
The control unit moves the movable part of the carrier opening / closing device through the filter while moving the movable part of the carrier opening / closing device in a direction parallel to at least the opening surface of the substrate storage port of the carrier placed on the substrate transfer port. Control is performed so that the purified gas is introduced into the carrier from the throttle.

本発明のさらに他の態様によれば、キャリア開閉装置の可動部と基板授受ポートに載置されたキャリアの基板収納口とを少なくとも囲うチャンバ内で、前記基板授受ポートに載置された、基板が収納された前記キャリアの前記基板収納口からドアを前記キャリア開閉装置の可動部により取り外して前記基板収納口から退避させるとともに、ガス導入装置のフィルタでガスを清浄化しつつ放射状に放出し、前記フィルタの外周に設けられた前記ガス導入装置における絞り部により前記フィルタから放射状に放出された前記ガスの流れを絞り、前記キャリア内に前記ガスを導入する工程と、前記キャリア内から前記基板を処理室へ搬送し、該処理室にて前記基板を処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。   According to still another aspect of the present invention, the substrate placed on the substrate delivery port in a chamber that at least surrounds the movable part of the carrier opening and closing device and the substrate storage port of the carrier placed on the substrate delivery port. The door is removed from the substrate storage port of the carrier in which the carrier is stored by the movable part of the carrier opening and closing device and retracted from the substrate storage port, and the gas is discharged radially while being cleaned by a filter of the gas introduction device, A step of restricting the flow of the gas emitted radially from the filter by a constriction part in the gas introduction device provided on the outer periphery of the filter, introducing the gas into the carrier, and processing the substrate from within the carrier And a process for processing the substrate in the processing chamber.

本発明のさらに他の態様によれば、キャリア開閉装置の可動部と基板授受ポートに載置されたキャリアの基板収納口とを少なくとも囲うチャンバ内で、前記基板授受ポートに載置された、基板が収納された前記キャリアの前記基板収納口からドアを前記キャリア開閉装置の可動部により取り外して前記基板収納口から退避させるとともに、ガス導入装置のフィルタでガスを清浄化しつつ放射状に放出し、前記フィルタの外周に設けられた前記ガス導入装置における絞り部により前記フィルタから放射状に放出された前記ガスの流れを絞り、前記キャリア内に前記ガスを導入する基板の搬送方法が提供される。   According to still another aspect of the present invention, the substrate placed on the substrate delivery port in a chamber that at least surrounds the movable part of the carrier opening and closing device and the substrate storage port of the carrier placed on the substrate delivery port. The door is removed from the substrate storage port of the carrier in which the carrier is stored by the movable part of the carrier opening and closing device and retracted from the substrate storage port, and the gas is discharged radially while being cleaned by a filter of the gas introduction device, A substrate transport method is provided in which the flow of the gas discharged radially from the filter is throttled by a throttle portion in the gas introduction device provided on the outer periphery of the filter, and the gas is introduced into the carrier.

本発明のさらに他の態様によれば、基板を出し入れする基板収納口と前記基板収納口に着脱自在に装着されたドアとを備えたキャリアを取り扱う基板処理装置であって、
前記キャリアを載置する基板授受ポートと、
前記基板授受ポートに載置された前記キャリアの前記ドアを保持する可動部と、
前記可動部に保持された前記ドアを前記可動部と共に移動させて前記基板収納口を開閉するキャリア開閉装置と、
前記可動部及び前記基板収納口を少なくとも囲うチャンバと、
前記可動部に固定され、前記基板収納口から前記キャリア内にガスを導入するガス導入装置と、を備える基板処理装置が提供される。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for handling a carrier including a substrate storage port for taking in and out a substrate and a door detachably attached to the substrate storage port,
A board transfer port on which the carrier is placed;
A movable part for holding the door of the carrier placed on the substrate transfer port;
A carrier opening and closing device that moves the door held by the movable part together with the movable part to open and close the substrate storage opening;
A chamber surrounding at least the movable part and the substrate storage port;
There is provided a substrate processing apparatus comprising: a gas introduction device that is fixed to the movable portion and introduces gas into the carrier from the substrate storage port.

好ましくは、前記ガス導入装置から前記キャリア内に導入されるガスよりも低指向性のガスを前記チャンバ内に供給するガス供給部をさらに備える。   Preferably, the apparatus further includes a gas supply unit configured to supply a gas having a lower directivity than the gas introduced into the carrier from the gas introduction device into the chamber.

また好ましくは、前記キャリア開閉装置が前記ドアと共に前記可動部を移動させる間に、前記ガス導入装置から前記キャリア内へガスを導入する制御部をさらに備える。   Preferably, the apparatus further includes a control unit that introduces gas into the carrier from the gas introduction device while the carrier opening and closing device moves the movable part together with the door.

また好ましくは、前記ガス導入装置から前記キャリア内に導入されるガスよりも低指向性のガスを前記チャンバ内に供給するガス供給部と、
前記ガス供給部から前記低指向性のガスが前記チャンバ内に供給されている間に、かつ、前記ドアと共に前記可動部を移動させる間に、前記ガス導入装置から前記キャリア内へガスを導入する制御部と、をさらに備える。 Preferably, a gas supply unit that supplies a gas having a lower directivity than the gas introduced into the carrier from the gas introduction device into the chamber;
The gas is introduced from the gas introduction device into the carrier while the low-directional gas is supplied from the gas supply unit into the chamber and while the movable unit is moved together with the door. And a control unit.

また好ましくは、前記ガス導入装置から前記キャリア内に導入されるガスよりも低指向性のガスを前記チャンバ内に供給するガス供給部と、
前記ドアと共に前記可動部を移動させる間は、前記ガス供給部から前記チャンバ内に前記低指向性のガスを供給し、前記ガス導入装置が前記キャリア内へガスを導入する間は、前記ガス供給部から前記チャンバ内に前記低指向性のガスを供給しないようにする制御部と、をさらに備える。 Preferably, a gas supply unit that supplies a gas having a lower directivity than the gas introduced into the carrier from the gas introduction device into the chamber;
While moving the movable part together with the door, the gas supply unit supplies the low-directional gas into the chamber, and the gas introduction device introduces the gas into the carrier while supplying the gas. And a control unit that prevents the low-directional gas from being supplied from the unit into the chamber.

また好ましくは、前記チャンバは、前記キャリアの前記基板収納口と正対する位置に第２の基板収納口を備え、
前記可動部には、前記第２の基板収納口を塞ぐ背面部が前記可動部との間隔を調節自在に、かつ、前記間隔の調節方向と直行する方向にずらされて取り付けられている。 Further preferably, the chamber includes a second substrate storage port at a position facing the substrate storage port of the carrier,
The movable portion is attached with a back surface portion that closes the second substrate housing opening so that the interval between the movable portion and the movable portion can be adjusted and shifted in a direction perpendicular to the adjustment direction of the interval.

また好ましくは、前記可動部と前記背面部と間の隙間が、前記ガス導入装置から導入されたガスの流路となる。   Preferably, a gap between the movable portion and the back portion serves as a flow path for the gas introduced from the gas introduction device.

本発明のさらに他の態様によれば、複数の基板の搬入・搬出口となる基板収納口と前記基板収納口に着脱自在に装着されたドアとを備えたキャリアを取り扱う基板の搬送方法であって、
基板授受ポートに載置された前記キャリアの前記ドアを保持する可動部及び前記基板収納口を少なくとも囲うチャンバ内で、前記可動部が前記ドアを保持するドア保持工程と、
前記可動部に保持された前記ドアを前記可動部と共に移動させて前記基板収納口を開く開工程と、
前記可動部に設けられたガス導入装置が前記開工程で開けた前記基板収納口から前記キャリア内にガスを導入するガス導入工程と、前記基板を前記キャリアから搬送する工程と、を有する基板の搬送方法が提供される。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a substrate transport method for handling a carrier including a substrate storage port serving as a loading / unloading port for a plurality of substrates and a door detachably attached to the substrate storage port. And
A door holding step in which the movable portion holds the door in a chamber surrounding at least the movable portion holding the door of the carrier placed on the substrate transfer port and the substrate storage port;
An opening step of moving the door held by the movable part together with the movable part to open the substrate storage opening;
A substrate having a gas introduction step of introducing a gas into the carrier from the substrate storage opening opened in the opening step by a gas introduction device provided in the movable portion, and a step of conveying the substrate from the carrier A transport method is provided.

本発明のさらに他の態様によれば、複数の基板の搬入・搬出口となる基板収納口と前記基板収納口に着脱自在に装着されたドアとを備えたキャリアを取り扱う半導体装置の製造方法であって、
基板授受ポートに載置された前記キャリアの前記ドアを保持する可動部及び前記基板収納口を少なくとも囲うチャンバ内で、前記可動部が前記ドアを保持するドア保持工程と、
前記可動部に保持された前記ドアを前記可動部と共に移動させて前記基板収納口を開く開工程と、
前記可動部に設けられたガス導入装置が前記開工程で開けた前記基板収納口から前記キャリア内にガスを導入するガス導入工程と、
前記基板を前記キャリアから搬送する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device that handles a carrier including a substrate storage port serving as a loading / unloading port for a plurality of substrates and a door detachably mounted on the substrate storage port. There,
A door holding step in which the movable portion holds the door in a chamber surrounding at least the movable portion holding the door of the carrier placed on the substrate transfer port and the substrate storage port;
An opening step of moving the door held by the movable part together with the movable part to open the substrate storage opening;
A gas introduction step in which a gas introduction device provided in the movable part introduces gas into the carrier from the substrate storage port opened in the opening step;
And a step of transporting the substrate from the carrier.

１ バッチ式ＣＶＤ装置（基板処理装置）
９ ウエハ（基板）
１０ ポッド（キャリア）
１０ａ ドア
１０ｂ ウエハ収納口（基板収納口）
１３ ウエハ授受ポート（基板授受ポート）
２０ ポッドオープナ（キャリア開閉装置）
６０ チャンバ
６２ 窒素ガス（ガス）
６７ ガス導入装置
６７ａ フィルタ部
６７ｂ 絞り部
６７ｃ スリット 1 Batch type CVD equipment (substrate processing equipment)
9 Wafer (substrate)
10 Pods (carriers)
10a Door 10b Wafer storage port (substrate storage port)
13 Wafer transfer port (substrate transfer port)
20 Pod opener (carrier opening and closing device)
60 Chamber 62 Nitrogen gas (gas)
67 Gas introduction device 67a Filter part 67b Restriction part 67c Slit

Claims (3)

基板を保持する基板保持体と、前記基板保持体にガスを導入するガス導入装置と、を備え、
前記ガス導入装置は、ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと、前記フィルタの外周に設けられ前記フィルタから放射状に放出されたガスの流れを絞る絞り部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holder that holds the substrate, and a gas introduction device that introduces gas into the substrate holder,
The gas introduction device includes a filter that discharges gas while cleaning it radially, and a throttle that is provided on the outer periphery of the filter and throttles the flow of gas discharged radially from the filter. Processing equipment. 基板を保持する基板保持体にガスを導入するガス導入装置であって、
ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと、前記フィルタの外周に設けられ前記フィルタから放射状に放出されたガスの流れを絞る絞り部と、を備えることを特徴とするガス導入装置。 A gas introduction device for introducing a gas into a substrate holding body for holding a substrate,
A gas introduction apparatus comprising: a filter that discharges gas radially while purifying gas; and a throttle that is provided on an outer periphery of the filter and restricts a flow of gas discharged radially from the filter. ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと前記フィルタの外周に設けられ前記フィルタから放射状に放出された前記ガスの流れを絞る絞り部とを備えるガス導入装置から、基板を保持した基板保持体に対し清浄化された前記ガスを導入するガス導入工程と、
処理室において前記基板を処理する処理工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 From a gas introducing device comprising a filter that discharges gas radially while purifying gas, and a throttle that is provided on the outer periphery of the filter and restricts the flow of the gas discharged radially from the filter, to a substrate holder that holds the substrate A gas introduction step for introducing the cleaned gas,
And a processing step of processing the substrate in a processing chamber.
JP2009212297A 2009-09-14 2009-09-14 Substrate processing apparatus, gas introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device Pending JP2011061156A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009212297A JP2011061156A (en) 2009-09-14 2009-09-14 Substrate processing apparatus, gas introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009212297A JP2011061156A (en) 2009-09-14 2009-09-14 Substrate processing apparatus, gas introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011061156A true JP2011061156A (en) 2011-03-24

Family

ID=43948401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009212297A Pending JP2011061156A (en) 2009-09-14 2009-09-14 Substrate processing apparatus, gas introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011061156A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015165604A (en) * 2015-06-26 2015-09-17 Tdk株式会社 purge nozzle
KR101575406B1 (en) * 2012-10-23 2015-12-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Substrate processing apparatus, purging apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP2016192492A (en) * 2015-03-31 2016-11-10 Tdk株式会社 Gas purge unit

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101575406B1 (en) * 2012-10-23 2015-12-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Substrate processing apparatus, purging apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
US9695509B2 (en) 2012-10-23 2017-07-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, purging apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP2016192492A (en) * 2015-03-31 2016-11-10 Tdk株式会社 Gas purge unit
US10276415B2 (en) 2015-03-31 2019-04-30 Tdk Corporation Gas purge unit
JP2015165604A (en) * 2015-06-26 2015-09-17 Tdk株式会社 purge nozzle

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI688034B (en) Loading port and atmosphere replacement method of loading port
TWI278057B (en) Enclosed container lid opening/closing system and enclosed container lid opening/closing method
JP4516966B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus, substrate loading / unloading method, and semiconductor device manufacturing method
JP5518132B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate transport method, substrate storage container opening / closing apparatus, and substrate storage container opening / closing method
KR102476174B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method
JP5153296B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20140157722A1 (en) Lid opening/closing system for closed container, and substrate processing method using the same
JP2006086308A (en) Semiconductor manufacturing device
JP4255222B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method
KR20130011969A (en) Heat treatment apparatus
JP2005079250A (en) Substrate processing apparatus
EP3796368B1 (en) Transport device having local purge function
JP2011061156A (en) Substrate processing apparatus, gas introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP2005268244A (en) Substrate treatment apparatus
JP2002136935A (en) Device and method for cleaning treatment
JP2011061155A (en) Substrate processing apparatus, method of transferring substrate, and method of manufacturing semiconductor device
JP4728383B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2005347667A (en) Semiconductor fabrication device
JP2002016041A (en) Liquid processing apparatus
KR101674107B1 (en) Cover opening and closing device for substrate container
JP2004011005A (en) Treatment apparatus treatment method
JP5313639B2 (en) Substrate transport method, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method
JP2002246436A (en) Substrate processor
JP2016162799A (en) Substrate processing device, substrate processing system, and substrate processing method
JP2005142478A (en) Equipment for processing substrate