JP2011061034A - Substrate processing device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing device capable of removing an unnecessary film from a substrate while suppressing or preventing damage of the substrate. <P>SOLUTION: This substrate processing device 1 includes: a spin chuck 7 for holding a wafer W; a chemical supply unit 22 for supplying a processing liquid containing a photoactivation component activated by being irradiated with light to the wafer W held to the spin chuck 7; and an irradiation unit 4 for irradiating the processing liquid containing the photoactivation component to be supplied to the wafer W held to the spin chuck 7 with light. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate etc. are included.

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハなどの基板から不要になったレジストを除去するレジスト除去処理が行われる（たとえば特許文献１、２参照）。特許文献１に係るレジスト除去処理では、基板の表面にプラズマが照射されて、基板上のレジストがアッシングされる（アッシング処理）。そして、基板の表面にポリマー除去液が供給されてアッシングされたレジストが除去される。これにより、基板の表面から不要となったレジストが除去される。また、特許文献２に係るレジスト除去処理では、硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）が高温状態で基板の表面に供給される。基板上のレジストは、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板の表面から除去される。   In the manufacturing process of a semiconductor device, a resist removal process is performed to remove unnecessary resist from a substrate such as a semiconductor wafer (see, for example, Patent Documents 1 and 2). In the resist removal process according to Patent Document 1, plasma is irradiated on the surface of the substrate, and the resist on the substrate is ashed (ashing process). Then, a polymer removing solution is supplied to the surface of the substrate to remove the ashed resist. As a result, unnecessary resist is removed from the surface of the substrate. Further, in the resist removal process according to Patent Document 2, SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture), which is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, is supplied to the surface of the substrate at a high temperature. Is done. The resist on the substrate is removed from the surface of the substrate by the strong oxidizing power by the high temperature SPM.

特開２００５−１９１５１１号公報JP 2005-191511 A 特開２００８−２３５３４１号公報JP 2008-235341 A

ところが、レジストのアッシングのためのプラズマの照射は、基板の表面のレジストで覆われていない部分（たとえば酸化膜や金属膜）にダメージを与えてしまう。そのため、ＦＥＯＬ（Front End of the Line：半導体製造プロセスにおける第１層目のメタル配線までの工程）では、アッシング処理による基板のダメージを回避するために、高温のＳＰＭを基板に供給してレジストを除去する場合がある。しかしながら、高温のＳＰＭを用いた場合でも、基板におけるレジストの下地となる部分が金属や有機物によって構成されている場合には、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板にダメージ（たとえば、金属や有機物の腐食）が生じるおそれがある。さらに、高温のＳＰＭを用いる場合には、耐熱性を有する部品を用いる必要があり、基板処理装置の部品の選定が困難になる。   However, the plasma irradiation for ashing the resist damages the portion of the substrate surface not covered with the resist (for example, an oxide film or a metal film). For this reason, in FEOL (Front End of the Line), in order to avoid damage to the substrate due to the ashing process, a high temperature SPM is supplied to the substrate to prevent resist. May be removed. However, even when a high-temperature SPM is used, if the resist underlying portion of the substrate is made of metal or organic matter, the substrate is damaged by strong oxidizing power due to the high-temperature SPM (for example, metal or organic matter). Corrosion) may occur. Furthermore, when using high-temperature SPM, it is necessary to use heat-resistant components, which makes it difficult to select components for the substrate processing apparatus.

一方、ＢＥＯＬ（Back End of the Line：前工程の後に多層配線を形成する工程）では、ＢＥＯＬにおいて形成されるパターンの大きさが相対的に大きいから、アッシング処理によるダメージが半導体装置の特性に与える影響は大きくなかった。より具体的には、たとえば、アッシング処理によるダメージによって、絶縁されるべき部分が絶縁不良になるなどの問題が生じることはなかった。しかしながら、今後、パターンが微細化していくと、アッシング処理によるダメージが半導体装置の特性に与える影響が大きくなってしまう。そのため、高温のＳＰＭを用いてレジストを除去するなどの他の方法を用いて、アッシング処理によるダメージを回避する必要がある。しかしながら、高温のＳＰＭを用いる場合には、ＦＥＯＬにおける場合と同様に、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板にダメージが生じるおそれがあり、かつ、耐熱性を有する部品で基板処理装置を構成する必要がある。   On the other hand, in BEOL (Back End of the Line), a pattern formed in BEOL is relatively large in size, and thus damage due to ashing processing is given to the characteristics of the semiconductor device. The impact was not great. More specifically, for example, there is no problem that a portion to be insulated becomes defective due to damage caused by ashing. However, as the pattern becomes finer in the future, the influence of the damage due to the ashing process on the characteristics of the semiconductor device increases. Therefore, it is necessary to avoid damage due to the ashing process by using another method such as removing the resist using high-temperature SPM. However, in the case of using high-temperature SPM, as in FEOL, there is a possibility that the substrate may be damaged by strong oxidizing power due to high-temperature SPM, and it is necessary to configure the substrate processing apparatus with heat-resistant components. There is.

そこで、この発明の目的は、基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of removing an unnecessary film from a substrate while suppressing or preventing damage to the substrate.

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（７、６１）と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液を前記基板保持手段に保持された基板に供給する処理液供給手段（２２、２２２、３２２、４２２）と、前記基板保持手段に保持された基板に供給される前記光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射手段（４、２０４、３０４）とを含む、基板処理装置（１、２０１、３０１、４０１）である。なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すものとする。   In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 includes a substrate holding means (7, 61) for holding the substrate (W) and a treatment liquid including a photoactivation component that is activated by irradiation with light. A processing liquid supply means (22, 222, 322, 422) for supplying a substrate held by the substrate holding means and a processing liquid containing the photoactivation component supplied to the substrate held by the substrate holding means. A substrate processing apparatus (1, 201, 301, 401) including irradiation means (4, 204, 304) for irradiating light. In this section, alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components in the embodiments described later.

この発明によれば、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液を処理液供給手段によって基板保持手段に保持された基板に供給することができる。また、照射手段によって、基板に供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射することができる。したがって、処理液に含まれる光活性化成分を照射手段からの光によって活性化させて、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を基板に供給することができる。これにより、除去することが比較的困難な不要な膜（たとえば、レジストや反射防止膜）が基板に形成されている場合でも、この活性化した光活性化成分を含む処理液によって当該不要な膜を基板から除去することができる。   According to this invention, it is possible to supply the processing liquid containing the photoactivating component activated by irradiating light to the substrate held on the substrate holding means by the processing liquid supply means. In addition, the irradiation unit can irradiate the processing liquid containing the photoactivation component supplied to the substrate with light. Therefore, the photoactivation component contained in the treatment liquid can be activated by the light from the irradiation means, and the treatment liquid containing the activated photoactivation component can be supplied to the substrate. Thereby, even when an unnecessary film (for example, a resist or an antireflection film) that is relatively difficult to remove is formed on the substrate, the unnecessary film is treated by the treatment liquid containing the activated photoactivation component. Can be removed from the substrate.

また、アッシング処理を行わずに基板から不要な膜を除去できるので、アッシング処理によるダメージが基板に生じることを防止することができる。さらに、高温のＳＰＭを用いて基板からレジストを除去する場合と異なり、処理液を高温にしなくてもよいので、耐熱性を有する部品を用いる必要がない。そのため、基板処理装置の部品の選定が容易である。   In addition, since an unnecessary film can be removed from the substrate without performing the ashing process, it is possible to prevent the substrate from being damaged by the ashing process. Furthermore, unlike the case where the resist is removed from the substrate using a high-temperature SPM, it is not necessary to use a high-temperature treatment solution, so that it is not necessary to use heat-resistant components. Therefore, it is easy to select components for the substrate processing apparatus.

請求項２記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部（２６）と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管（２７）とを含むものであり、前記照射手段は、前記処理液供給配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１記載の基板処理装置である。   According to a second aspect of the present invention, the processing liquid supply means holds the processing liquid stored in the processing liquid storage section (26) for storing the processing liquid containing the photoactivation component and the substrate holding the processing liquid stored in the processing liquid storage section. A treatment liquid supply pipe (27) for guiding the substrate to a substrate held by the means, and the irradiation means irradiates light to the treatment liquid flowing through the treatment liquid supply pipe. 1. The substrate processing apparatus according to 1.

この発明によれば、処理液貯留部に貯留された前記光活性化成分を含む処理液が処理液供給配管を介して基板保持手段に保持された基板に導かれる。したがって、照射手段からの光が処理液供給配管を流通する処理液に照射されることにより、基板に供給される処理液に確実に光を照射することができる。これにより、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。   According to this invention, the processing liquid containing the photoactivation component stored in the processing liquid storage part is guided to the substrate held by the substrate holding means via the processing liquid supply pipe. Accordingly, the processing liquid supplied to the substrate can be reliably irradiated with light by irradiating the processing liquid flowing through the processing liquid supply pipe with the light from the irradiation unit. Thereby, the process liquid containing the photoactivation component of the activated state can be reliably supplied to a board | substrate.

請求項３記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管とを含むものであり、前記照射手段は、前記処理液貯留部に貯留された処理液に光を照射するものである、請求項１または２記載の基板処理装置である。   According to a third aspect of the present invention, the processing liquid supply unit holds the processing liquid storage unit that stores the processing liquid containing the photoactivation component, and holds the processing liquid stored in the processing liquid storage unit in the substrate holding unit. The process liquid supply piping for guide | inducing to the manufactured board | substrate, The said irradiation means irradiates light to the process liquid stored in the said process liquid storage part, The claim 1 or 2 A substrate processing apparatus.

この発明によれば、処理液貯留部に貯留された処理液に光が照射されるので、配管内を流れる処理液に光を照射する場合に比べて、処理液への光の照射時間を増加させることができる。したがって、光活性化成分が照射時間の増加に伴ってより活性化する場合には、より活性度の高い光活性化成分を含む処理液を基板に供給することができる。これにより、不要になった膜を基板から確実に除去することができる。   According to this invention, since the process liquid stored in the process liquid storage part is irradiated with light, the time for irradiating the process liquid with light is increased as compared with the case where the process liquid flowing in the pipe is irradiated with light. Can be made. Therefore, when the photoactivation component is activated as the irradiation time increases, a treatment liquid containing a photoactivation component with higher activity can be supplied to the substrate. Thereby, the film | membrane which became unnecessary can be reliably removed from a board | substrate.

請求項４記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管と、前記処理液貯留部および前記処理液供給配管に連結され、前記処理液貯留部に貯留された処理液を循環させるための循環配管（２８）とを含むものであり、前記照射手段は、前記循環配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。   According to a fourth aspect of the present invention, the processing liquid supply unit holds the processing liquid storage unit that stores the processing liquid containing the photoactivation component, and holds the processing liquid stored in the processing liquid storage unit in the substrate holding unit. A treatment liquid supply pipe for leading to the processed substrate, a circulation pipe (28) connected to the treatment liquid reservoir and the treatment liquid supply pipe, and for circulating the treatment liquid stored in the treatment liquid reservoir. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the irradiation unit irradiates light to the processing liquid flowing through the circulation pipe.

この発明によれば、循環配管を流通する処理液に光が照射されるので、処理液貯留部に貯留された処理液を循環させることにより、処理液に繰り返し光が照射されて、処理液への光の照射時間を増加させることができる。また、処理液貯留部に貯留された処理液に光が照射される場合に比べて、処理液に均一に光を照射することができる。これにより、処理液に含まれる光活性化成分を確実に活性化させることができる。   According to this invention, since the processing liquid flowing through the circulation pipe is irradiated with light, the processing liquid stored in the processing liquid storage unit is circulated, so that the processing liquid is repeatedly irradiated with light to the processing liquid. The light irradiation time can be increased. Moreover, compared with the case where light is irradiated to the process liquid stored in the process liquid storage part, the process liquid can be irradiated with light uniformly. Thereby, the photoactivation component contained in a processing liquid can be activated reliably.

請求項５記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を吐出する処理液ノズル（４１、５９）を含むものであり、前記照射手段は、前記処理液ノズル内を流通する処理液、または前記処理液ノズルから吐出された処理液に光を照射するものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。前記照射手段は、前記処理液ノズルから吐出され、前記基板保持手段に保持された基板に達する前の処理液に光を照射するものであってもよいし、前記処理液ノズルから吐出され、前記基板保持手段に保持された基板に保持された処理液に光を照射するものであってもよい。   According to a fifth aspect of the present invention, the processing liquid supply means includes a processing liquid nozzle (41, 59) that discharges the processing liquid containing the photoactivation component, and the irradiation means includes the processing liquid nozzle. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-4 which irradiates light to the processing liquid which distribute | circulates the inside, or the processing liquid discharged from the said processing liquid nozzle. The irradiation unit may be one that irradiates light to the processing liquid before reaching the substrate held by the substrate holding unit and discharged from the processing liquid nozzle, or discharged from the processing liquid nozzle, The processing liquid held on the substrate held by the substrate holding means may be irradiated with light.

この発明によれば、照射手段からの光が、処理液ノズル内を流通する処理液、または処理液ノズルから吐出された処理液に照射されるので、たとえば、光の照射後活性状態が短時間しか維持されない光活性化成分を含む処理液を基板に供給する場合であっても、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。また、処理液ノズル内を流通する処理液、または基板保持手段に保持された基板に達する前の処理液に光を照射することにより、基板に光を直接照射することなく、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。これにより、光の照射を避けたい基板を処理する場合でも、基板に対する光の照射を防止しつつ、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。   According to the present invention, since the light from the irradiation means is irradiated to the processing liquid flowing through the processing liquid nozzle or the processing liquid discharged from the processing liquid nozzle, for example, the active state is short after the light irradiation. Even when a treatment liquid containing a photoactivation component that is maintained only is supplied to the substrate, the treatment liquid containing the activated photoactivation component can be reliably supplied to the substrate. In addition, by irradiating the processing liquid flowing through the processing liquid nozzle or the processing liquid before reaching the substrate held by the substrate holding means, the substrate is activated without directly irradiating the substrate with light. The processing liquid containing the photoactivation component can be reliably supplied to the substrate. Thus, even when processing a substrate that is desired to avoid light irradiation, it is possible to reliably supply the processing liquid containing the activated photoactivation component to the substrate while preventing light irradiation on the substrate.

請求項６記載の発明は、前記基板保持手段は、一枚の基板を保持するものであり、前記基板保持手段に保持された基板の一方の主面に対向する対向部材（９）と、前記一方の主面と前記対向部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段（１５、１６、１７、１８）とをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、不活性ガス供給手段によって、基板の一方の主面と対向部材との間に不活性ガスを供給することにより、基板の一方の主面と対向部材との間の雰囲気を窒素ガス雰囲気に置換することができる。これにより、基板の一方の主面近傍の酸素濃度を低下させた状態で、前記光活性化成分を含む処理液を基板の一方の主面に供給することができる。したがって、たとえば、処理液の作用によって酸化され易い膜や配線（たとえば、銅膜や銅配線）が基板の一方の主面に形成されている場合でも、この膜と酸素との反応を抑制または防止して、当該膜の酸化を抑制または防止することができる。 According to a sixth aspect of the present invention, the substrate holding means holds a single substrate, the opposing member (9) facing one main surface of the substrate held by the substrate holding means, The inert gas supply means (15, 16, 17, 18) which supplies an inert gas between one main surface and the said opposing member is further included as described in any one of Claims 1-5. A substrate processing apparatus.
According to this invention, the inert gas is supplied between the one main surface of the substrate and the opposing member by the inert gas supply means, so that the atmosphere between the one main surface of the substrate and the opposing member is changed. A nitrogen gas atmosphere can be substituted. Thereby, the treatment liquid containing the photoactivation component can be supplied to one main surface of the substrate in a state where the oxygen concentration in the vicinity of one main surface of the substrate is reduced. Therefore, for example, even when a film or wiring (for example, a copper film or copper wiring) that is easily oxidized by the action of the treatment liquid is formed on one main surface of the substrate, the reaction between this film and oxygen is suppressed or prevented. Thus, oxidation of the film can be suppressed or prevented.

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 照射ユニットの構造を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the structure of an irradiation unit. 基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating the electrical structure of a substrate processing apparatus. 第１実施形態に係る基板処理装置によるウエハの処理の一例を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating an example of the process of the wafer by the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第２実施形態に係る照射ユニットの他の配置例について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the other example of arrangement | positioning of the irradiation unit which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係る照射ユニットのさらに他の配置例について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the further example of arrangement | positioning of the irradiation unit which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係る照射ユニットのさらに他の配置例について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the further example of arrangement | positioning of the irradiation unit which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係る照射ユニットのさらに他の配置例について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the further example of arrangement | positioning of the irradiation unit which concerns on 2nd Embodiment. 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 二流体ノズルおよび照射ユニットの断面図である。It is sectional drawing of a two-fluid nozzle and an irradiation unit. 図１０におけるＸＩ−ＸＩ線に沿う照射ユニットの要部の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the principal part of the irradiation unit which follows the XI-XI line in FIG. 第２実施形態に係る照射ユニットの他の配置例について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the other example of arrangement | positioning of the irradiation unit which concerns on 2nd Embodiment. 本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 4th Embodiment of this invention.

以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。この基板処理装置１は、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）からレジストや反射防止膜などの不要になった膜その他の不要物を除去する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、ウエハＷを処理するための処理ユニット２と、ウエハＷに処理液を供給する処理液供給ユニット３と、ウエハＷに供給される処理液に光を照射する照射ユニット４（照射手段）とを備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus 1 is a single wafer type that removes unnecessary films such as a resist and an antireflection film from a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”), which is an example of a substrate. Device. The substrate processing apparatus 1 includes a processing unit 2 for processing a wafer W, a processing liquid supply unit 3 for supplying a processing liquid to the wafer W, and an irradiation unit 4 (for irradiating the processing liquid supplied to the wafer W with light). Irradiation means).

処理ユニット２は、隔壁５で区画された処理室６内に、ウエハＷを水平に保持して回転させるスピンチャック７（基板保持手段）と、スピンチャック７に保持されたウエハＷから排出される処理液を受け止めて捕獲するためのカップ８と、スピンチャック７の上方に配置された遮断板９（対向部材）とを備えている。
スピンチャック７は、一枚のウエハＷを水平に保持してウエハＷの中央部を通る鉛直軸線まわりに回転させるものである。スピンチャック７は、図１に示すように、ウエハＷの周端面を挟持して当該ウエハＷを保持する挟持式のチャックであってもよいし、ウエハＷの下面（裏面）を吸着して当該ウエハＷを保持するバキューム式のチャックであってもよい。 The processing unit 2 is discharged from a spin chuck 7 (substrate holding means) for horizontally holding and rotating the wafer W in a processing chamber 6 partitioned by a partition wall 5 and the wafer W held on the spin chuck 7. A cup 8 for receiving and capturing the processing liquid and a blocking plate 9 (opposing member) disposed above the spin chuck 7 are provided.
The spin chuck 7 holds a single wafer W horizontally and rotates it around a vertical axis passing through the central portion of the wafer W. As shown in FIG. 1, the spin chuck 7 may be a clamping chuck that holds the wafer W by holding the peripheral end surface of the wafer W, or sucks the lower surface (back surface) of the wafer W to It may be a vacuum chuck that holds the wafer W.

カップ８は、スピンチャック７を取り囲んでいる。カップ８は、スピンチャック７に保持されたウエハＷから排出される処理液を捕獲するための２つの処理液捕獲部（リンス液捕獲部１０および薬液捕獲部１１）を有している。カップ８は、内部の経路を切り替えることにより、ウエハＷから排出されるリンス液および薬液を、それぞれ、リンス液捕獲部１０および薬液捕獲部１１に導くことができる。   The cup 8 surrounds the spin chuck 7. The cup 8 has two processing liquid capture units (the rinsing liquid capture unit 10 and the chemical liquid capture unit 11) for capturing the processing liquid discharged from the wafer W held on the spin chuck 7. The cup 8 can guide the rinse liquid and the chemical liquid discharged from the wafer W to the rinse liquid capture unit 10 and the chemical liquid capture unit 11, respectively, by switching the internal path.

遮断板９は、ウエハＷとほぼ同じ直径（あるいはウエハＷよりも少し大きい直径）を有する円板状の部材である。遮断板９の下面は水平な平坦面である。遮断板９の下面は、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に対向する基板対向面に相当する。遮断板９は、支軸１２の下端に連結されており、遮断板９の中心軸線は、スピンチャック７の回転軸線を通る鉛直な軸線上に位置している。   The blocking plate 9 is a disk-shaped member having substantially the same diameter as the wafer W (or a slightly larger diameter than the wafer W). The lower surface of the blocking plate 9 is a horizontal flat surface. The lower surface of the blocking plate 9 corresponds to a substrate facing surface that faces the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 7. The blocking plate 9 is connected to the lower end of the support shaft 12, and the central axis of the blocking plate 9 is located on a vertical axis passing through the rotation axis of the spin chuck 7.

また、遮断板９の中央部には、遮断板９を鉛直方向に貫通する貫通孔が形成されている。貫通孔の下端は、遮断板９の下面中央部に位置する開口となっている。支軸１２は中空軸であり、その内部空間は貫通孔に連通されている。支軸１２の内周には、処理液供給管１３が非接触状態で挿通している。処理液供給管１３の下端は遮断板９の貫通孔内に達しており、処理液供給管１３の下端には、処理液を吐出する処理液吐出口１４が形成されている。後述するように、処理液供給管１３は、処理液供給ユニット３の一部である。   Further, a through-hole that penetrates the shielding plate 9 in the vertical direction is formed in the central portion of the shielding plate 9. The lower end of the through hole is an opening located at the center of the lower surface of the blocking plate 9. The support shaft 12 is a hollow shaft, and its internal space communicates with the through hole. A processing liquid supply pipe 13 is inserted through the inner periphery of the support shaft 12 in a non-contact state. The lower end of the processing liquid supply pipe 13 reaches the through hole of the blocking plate 9, and a processing liquid discharge port 14 for discharging the processing liquid is formed at the lower end of the processing liquid supply pipe 13. As will be described later, the processing liquid supply pipe 13 is a part of the processing liquid supply unit 3.

また、処理液供給管１３の周囲には、気体が流通する筒状の気体流通路１５が形成されている。また、支軸１２の上端部には、気体バルブ１６が介装された気体供給管１７が接続されている。気体流通路１５には、この気体供給管１７を介して不活性ガスの一例である窒素ガスが供給される。気体流通路１５に供給される気体は、窒素ガスに限らず、ヘリウムガスや、アルゴンガスなどのその他の不活性ガスであってもよい。   A cylindrical gas flow passage 15 through which a gas flows is formed around the processing liquid supply pipe 13. Further, a gas supply pipe 17 in which a gas valve 16 is interposed is connected to the upper end portion of the support shaft 12. Nitrogen gas, which is an example of an inert gas, is supplied to the gas flow passage 15 through the gas supply pipe 17. The gas supplied to the gas flow passage 15 is not limited to nitrogen gas, but may be other inert gas such as helium gas or argon gas.

気体流通路１５に供給された窒素ガスは、気体流通路１５内を下方に向かって流れ、遮断板９の内周面（貫通孔を区画する面）と処理液供給管１３の下端との間から下方に向けて吐出される。遮断板９の内周面と処理液供給管１３の下端との間の空間は、気体を吐出する気体吐出口１８として機能する。この実施形態では、気体流通路１５、気体バルブ１６、気体供給管１７、および気体吐出口１８によって、不活性ガス供給手段が構成されている。   The nitrogen gas supplied to the gas flow passage 15 flows downward in the gas flow passage 15, and is between the inner peripheral surface of the blocking plate 9 (the surface defining the through hole) and the lower end of the processing liquid supply pipe 13. It is discharged downward from. A space between the inner peripheral surface of the blocking plate 9 and the lower end of the processing liquid supply pipe 13 functions as a gas discharge port 18 for discharging gas. In this embodiment, the gas flow passage 15, the gas valve 16, the gas supply pipe 17, and the gas discharge port 18 constitute an inert gas supply means.

また、遮断板９および支軸１２は、遮断板９の中心軸線まわりに回転可能とされている。また、遮断板９および支軸１２は、鉛直方向に昇降可能とされている。支軸１２には、遮断板昇降機構１９および遮断板回転機構２０が結合されている。遮断板昇降機構１９の駆動力を支軸１２に入力させることにより、遮断板９の下面がスピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に近接する近接位置（図１において二点鎖線で示す位置）と、スピンチャック７の上方に大きく退避した退避位置との間で支軸１２および遮断板９を一体的に昇降させることができる。また、遮断板回転機構２０の駆動力を支軸１２に入力させることにより、スピンチャック７と共通の鉛直な回転軸線まわりに支軸１２および遮断板９を一体的に回転させることができる。   Further, the shielding plate 9 and the support shaft 12 are rotatable around the central axis of the shielding plate 9. Further, the blocking plate 9 and the support shaft 12 can be moved up and down in the vertical direction. A shield plate elevating mechanism 19 and a shield plate rotating mechanism 20 are coupled to the support shaft 12. By inputting the driving force of the shield plate lifting mechanism 19 to the support shaft 12, a proximity position (position indicated by a two-dot chain line in FIG. 1) where the bottom surface of the shield plate 9 is close to the top surface of the wafer W held by the spin chuck 7 ) And the retracted position which is largely retracted above the spin chuck 7, the support shaft 12 and the blocking plate 9 can be integrally moved up and down. Further, by inputting the driving force of the shield plate rotating mechanism 20 to the support shaft 12, the support shaft 12 and the shield plate 9 can be rotated integrally around a vertical rotation axis common to the spin chuck 7.

処理液供給ユニット３は、スピンチャック７に保持されたウエハＷにリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット２１と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに薬液を供給するための薬液供給ユニット２２（処理液供給手段）とを備えている。
リンス液供給ユニット２１は、リンス液を吐出するリンス液ノズル２３と、リンス液ノズル２３にリンス液を供給するリンス液供給管２４とを備えている。リンス液ノズル２３は、たとえば、連続流の状態でリンス液を吐出する、いわゆるストレートノズルである。リンス液ノズル２３は、吐出したリンス液がスピンチャック７に保持されたウエハＷの上面中央部に着液するように配置されている。また、リンス液供給管２４には、リンス液ノズル２３へのリンス液の供給および供給停止を切り替えるためのリンス液バルブ２５が介装されている。リンス液としては、純水（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水や、希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水などを例示することができる。 The treatment liquid supply unit 3 includes a rinse liquid supply unit 21 for supplying a rinse liquid to the wafer W held on the spin chuck 7 and a chemical liquid supply unit for supplying a chemical liquid to the wafer W held on the spin chuck 7. 22 (treatment liquid supply means).
The rinse liquid supply unit 21 includes a rinse liquid nozzle 23 that discharges a rinse liquid, and a rinse liquid supply pipe 24 that supplies a rinse liquid to the rinse liquid nozzle 23. The rinse liquid nozzle 23 is, for example, a so-called straight nozzle that discharges the rinse liquid in a continuous flow state. The rinsing liquid nozzle 23 is arranged so that the discharged rinsing liquid is deposited on the center of the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 7. The rinse liquid supply pipe 24 is provided with a rinse liquid valve 25 for switching between supply and stop of the rinse liquid to the rinse liquid nozzle 23. Examples of the rinsing liquid include pure water (deionized water), carbonated water, electrolytic ionic water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm).

薬液供給ユニット２２は、前述の処理液供給管１３と、薬液を貯留する薬液タンク２６（処理液貯留部）と、薬液タンク２６に貯留された薬液を処理液供給管１３に導く薬液供給配管２７（処理液供給配管）と、薬液タンク２６に貯留された薬液を循環させる循環配管２８と、カップ８により捕獲された薬液を薬液タンク２６に回収する回収配管２９とを備えている。   The chemical liquid supply unit 22 includes the above-described processing liquid supply pipe 13, a chemical liquid tank 26 (processing liquid storage unit) that stores the chemical liquid, and a chemical liquid supply pipe 27 that guides the chemical liquid stored in the chemical liquid tank 26 to the processing liquid supply pipe 13. (Treatment liquid supply pipe), a circulation pipe 28 for circulating the chemical liquid stored in the chemical liquid tank 26, and a recovery pipe 29 for collecting the chemical liquid captured by the cup 8 in the chemical liquid tank 26.

薬液供給配管２７の一端は、薬液タンク２６に連結されており、薬液供給配管２７の他端は、処理液供給管１３に連結されている。また、薬液供給配管２７には、ポンプ３０、フィルタ３１、および供給バルブ３２が介装されている。薬液タンク２６内の薬液は、ポンプ３０の吸引力によって薬液供給配管２７に取り込まれる。ポンプ３０は、たとえば常時駆動されており、薬液タンク２６内の薬液は、常時、薬液供給配管２７に取り込まれている。また、フィルタ３１は、薬液供給配管２７内を流通する薬液から異物を除去することができる。照射ユニット４は、たとえば、薬液供給配管２７における供給バルブ３２よりも下流側の位置に介装されている。   One end of the chemical liquid supply pipe 27 is connected to the chemical liquid tank 26, and the other end of the chemical liquid supply pipe 27 is connected to the processing liquid supply pipe 13. In addition, a pump 30, a filter 31, and a supply valve 32 are interposed in the chemical solution supply pipe 27. The chemical solution in the chemical solution tank 26 is taken into the chemical solution supply pipe 27 by the suction force of the pump 30. The pump 30 is always driven, for example, and the chemical solution in the chemical solution tank 26 is always taken into the chemical solution supply pipe 27. Further, the filter 31 can remove foreign substances from the chemical liquid flowing in the chemical liquid supply pipe 27. The irradiation unit 4 is interposed, for example, at a position downstream of the supply valve 32 in the chemical solution supply pipe 27.

循環配管２８の一端は、薬液タンク２６に連結されており、循環配管２８の他端は、薬液供給配管２７における供給バルブ３２が介装された位置よりも上流側に連結されている。循環配管２８には、循環バルブ３３が介装されている。供給バルブ３２が開かれ、循環バルブ３３が閉じられることにより、ポンプ３０の吸引力によって薬液供給配管２７に取り込まれた薬液が、処理液供給管１３に供給される。また、供給バルブ３２が閉じられ、循環バルブ３３が開かれることにより、ポンプ３０の吸引力によって薬液供給配管２７に取り込まれた薬液が、循環配管２８を通って薬液タンク２６に帰還する。これにより、薬液タンク２６内の薬液が、薬液供給配管２７の一部および循環配管２８によって構成された循環経路Ｃ１を循環する。この実施形態では、処理液供給管１３に薬液を供給しないときは、供給バルブ３２が閉じられ、循環バルブ３３が開かれて、薬液タンク２６内の薬液が循環経路Ｃ１を常時循環する。   One end of the circulation pipe 28 is connected to the chemical liquid tank 26, and the other end of the circulation pipe 28 is connected to the upstream side of the position where the supply valve 32 is interposed in the chemical liquid supply pipe 27. A circulation valve 33 is interposed in the circulation pipe 28. When the supply valve 32 is opened and the circulation valve 33 is closed, the chemical liquid taken into the chemical liquid supply pipe 27 by the suction force of the pump 30 is supplied to the processing liquid supply pipe 13. Further, the supply valve 32 is closed and the circulation valve 33 is opened, so that the chemical liquid taken into the chemical liquid supply pipe 27 by the suction force of the pump 30 returns to the chemical liquid tank 26 through the circulation pipe 28. Thereby, the chemical solution in the chemical solution tank 26 circulates in the circulation path C <b> 1 constituted by a part of the chemical solution supply pipe 27 and the circulation pipe 28. In this embodiment, when the chemical liquid is not supplied to the processing liquid supply pipe 13, the supply valve 32 is closed, the circulation valve 33 is opened, and the chemical liquid in the chemical liquid tank 26 is constantly circulated through the circulation path C1.

また、回収配管２９の一端は、薬液タンク２６に連結されており、回収配管２９の他端は、カップ８に設けられた薬液捕獲部１１に連結されている。薬液捕獲部１１に捕獲された薬液は、回収配管２９を通じて薬液タンク２６に導かれる。これにより、薬液捕獲部１１に捕獲された薬液が薬液タンク２６に回収される。
薬液タンク２６には、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む薬液が貯留されている。光活性化成分を含む薬液とは、光が照射されることにより、ウエハＷから除去される膜（たとえばレジストや反射防止膜）の分子間の結合を切断する作用を有するようになる添加剤を含んだ薬液である。この添加剤の作用により、ウエハＷ上の不要な膜が分子レベルで分解され、薬液に溶解されることにより、ウエハＷ上から容易に剥離される。 One end of the recovery pipe 29 is connected to the chemical liquid tank 26, and the other end of the recovery pipe 29 is connected to the chemical liquid capture unit 11 provided in the cup 8. The chemical liquid captured by the chemical liquid capture unit 11 is guided to the chemical liquid tank 26 through the recovery pipe 29. Thereby, the chemical liquid captured by the chemical liquid capture unit 11 is collected in the chemical liquid tank 26.
The chemical solution tank 26 stores a chemical solution containing a photoactivation component that is activated by light irradiation. A chemical solution containing a photoactivatable component is an additive that acts to break bonds between molecules of a film (for example, a resist or an antireflection film) that is removed from the wafer W when irradiated with light. Contains chemicals. By the action of this additive, an unnecessary film on the wafer W is decomposed at the molecular level and dissolved in a chemical solution, so that it is easily peeled off from the wafer W.

図２は、照射ユニット４の構造を説明するための模式図である。
照射ユニット４は、本体３４および光源３５を備えている。本体３４は、処理液に光を照射するための照射室３６と、この照射室３６内に挿入された筒状部材３７とを含む。照射室３６には、入口３８および出口３９が連通されており、入口３８および出口３９には、それぞれ、薬液供給配管２７が接続されている。薬液供給配管２７から供給される薬液は、入口３８を通って照射室３６に入り、出口３９を通って照射室３６から出ていく。このとき、薬液供給配管２７から供給された薬液は、照射室３６に入った後にすぐに出口３９に向かうのではなく、照射室３６内で一定時間貯留された後に出口３９に向かう。より具体的には、照射室３６内の流路面積は、薬液供給配管２７の流路面積よりも大きい。そのため、入口３８から照射室３６内に入った薬液は、一旦、照射室３６内に貯留されてゆっくりと出口３９に達する。これにより、照射室３６に供給された薬液に光を照射する時間が確保されている。 FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the structure of the irradiation unit 4.
The irradiation unit 4 includes a main body 34 and a light source 35. The main body 34 includes an irradiation chamber 36 for irradiating the processing liquid with light, and a cylindrical member 37 inserted into the irradiation chamber 36. An inlet 38 and an outlet 39 are in communication with the irradiation chamber 36, and a chemical solution supply pipe 27 is connected to the inlet 38 and the outlet 39, respectively. The chemical solution supplied from the chemical solution supply pipe 27 enters the irradiation chamber 36 through the inlet 38 and exits from the irradiation chamber 36 through the outlet 39. At this time, the chemical supplied from the chemical supply pipe 27 does not go to the outlet 39 immediately after entering the irradiation chamber 36, but goes to the outlet 39 after being stored in the irradiation chamber 36 for a certain time. More specifically, the channel area in the irradiation chamber 36 is larger than the channel area of the chemical solution supply pipe 27. Therefore, the chemical solution that has entered the irradiation chamber 36 from the inlet 38 is temporarily stored in the irradiation chamber 36 and slowly reaches the outlet 39. Thereby, the time which irradiates light to the chemical | medical solution supplied to the irradiation chamber 36 is ensured.

また、筒状部材３７は、たとえば石英ガラス製であり、薬液に対する耐性を有し、さらに、光を透過させることができる。また、光源３５としては、たとえばキセノンランプが用いられている。光源３５から発せられる光の波長は、たとえば紫外線領域〜５００ｎｍの範囲内にある。光源３５は、たとえば棒状に形成され、筒状部材３７内に挿入されている。したがって、光活性化成分を含む薬液が照射室３６に貯留された状態で光源３５が光を発すると、光源３５からの光が筒状部材３７を透過して、照射室３６内の薬液に光が照射される。これにより、薬液に含まれる光活性化成分が活性化する。また、前述のように、入口３８から照射室３６内に入った薬液は、一旦、照射室３６内に貯留されてゆっくりと出口３９に達するので、その間に、光源３５からの光によって薬液を充分に照射することができ、薬液中の光活性化成分を充分に活性化させることができる。   The cylindrical member 37 is made of, for example, quartz glass, has resistance to a chemical solution, and can transmit light. As the light source 35, for example, a xenon lamp is used. The wavelength of the light emitted from the light source 35 is, for example, in the ultraviolet region to 500 nm. The light source 35 is formed in a rod shape, for example, and is inserted into the cylindrical member 37. Therefore, when the light source 35 emits light in a state where the chemical solution containing the photoactivating component is stored in the irradiation chamber 36, the light from the light source 35 passes through the cylindrical member 37 and is transmitted to the chemical solution in the irradiation chamber 36. Is irradiated. Thereby, the photoactivation component contained in a chemical | medical solution is activated. Further, as described above, the chemical liquid that has entered the irradiation chamber 36 from the inlet 38 is temporarily stored in the irradiation chamber 36 and slowly reaches the outlet 39. During this time, the chemical liquid is sufficiently absorbed by the light from the light source 35. Can be activated, and the photoactivation component in the chemical solution can be sufficiently activated.

図３は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御部４０を備えている。制御部４０は、遮断板昇降機構１９、遮断板回転機構２０、およびポンプ３０などの動作を制御する。また、基板処理装置１に備えられたバルブの開閉は、制御部４０によって制御される。 FIG. 3 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the substrate processing apparatus 1.
The substrate processing apparatus 1 includes a control unit 40 having a configuration including a microcomputer. The control unit 40 controls operations of the shield plate lifting mechanism 19, the shield plate rotating mechanism 20, the pump 30, and the like. Further, opening and closing of the valve provided in the substrate processing apparatus 1 is controlled by the control unit 40.

図４は、基板処理装置１によるウエハＷの処理の一例を説明するための工程図である。
以下では、図１および図４を参照して、不要になったレジストおよび反射防止膜のマスクをウエハＷから除去するときのウエハＷの処理の一例について説明する。処理対象のウエハＷは、金属配線の一例である銅配線、および絶縁材料の一例である有機系のＬｏｗ−ｋ材料（比誘電率が酸化シリコンよりも小さな材料）により形成された絶縁膜を含む下地の上に、反射防止膜およびレジストのマスクが形成されたものである。銅配線および絶縁膜の一部は、反射防止膜およびレジストによって覆われておらず露出されている。 FIG. 4 is a process diagram for explaining an example of the processing of the wafer W by the substrate processing apparatus 1.
Hereinafter, an example of processing of the wafer W when removing the resist and the antireflection film mask that have become unnecessary from the wafer W will be described with reference to FIGS. 1 and 4. The wafer W to be processed includes a copper wiring that is an example of a metal wiring and an insulating film that is formed of an organic low-k material (a material having a relative dielectric constant smaller than that of silicon oxide) that is an example of an insulating material. An antireflection film and a resist mask are formed on the base. The copper wiring and a part of the insulating film are not covered with the antireflection film and the resist and are exposed.

未処理のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって処理室６に搬入され、デバイス形成面である表面を上に向けてスピンチャック７に渡される（ステップＳ１）。ウエハＷが処理室６に搬入されるとき、処理室６内の構成は、搬送ロボットやウエハＷとの衝突を避けるためにスピンチャック７の上方から退避されている。
次に、光活性化成分を含む薬液によってレジストを除去するレジスト除去処理が行われる（ステップＳ２）。具体的には、制御部４０によりスピンチャック７が制御されて、ウエハＷが所定の回転速度で回転させられる。また、制御部４０により遮断板昇降機構１９が制御されて、遮断板９の下面がスピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に近接する近接位置に遮断板９が移動させられる。そして、制御部４０により気体バルブ１６、供給バルブ３２、循環バルブ３３が制御されて、気体吐出口１８および処理液吐出口１４からそれぞれ窒素ガスおよび薬液がウエハＷの上面中央部に向けて吐出される。このとき、遮断板９は、制御部４０により遮断板回転機構２０が制御されて、スピンチャック７によるウエハＷの回転にほぼ同期して（あるいは若干異なる回転速度で）回転していてもよい。また、遮断板９は、非回転状態とされていてもよい。 The unprocessed wafer W is loaded into the processing chamber 6 by a transfer robot (not shown), and is transferred to the spin chuck 7 with the surface, which is a device formation surface, facing upward (step S1). When the wafer W is loaded into the processing chamber 6, the configuration inside the processing chamber 6 is retracted from above the spin chuck 7 in order to avoid collision with the transfer robot and the wafer W.
Next, a resist removal process for removing the resist with a chemical solution containing a photoactivation component is performed (step S2). Specifically, the control unit 40 controls the spin chuck 7 to rotate the wafer W at a predetermined rotation speed. Further, the control plate 40 controls the shield plate lifting mechanism 19 so that the shield plate 9 is moved to a proximity position in which the lower surface of the shield plate 9 is close to the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 7. The control unit 40 controls the gas valve 16, the supply valve 32, and the circulation valve 33, and nitrogen gas and chemical solution are discharged from the gas discharge port 18 and the processing liquid discharge port 14 toward the center of the upper surface of the wafer W, respectively. The At this time, the blocking plate 9 may be rotated substantially in synchronization with the rotation of the wafer W by the spin chuck 7 (or at a slightly different rotation speed) as the blocking plate rotating mechanism 20 is controlled by the control unit 40. Further, the blocking plate 9 may be in a non-rotating state.

気体吐出口１８から吐出された窒素ガスは、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面と遮断板９の下面との間の空間を外方（ウエハＷの回転軸線から離れる方向）に向かって広がっていく。したがって、ウエハＷの上面と遮断板９の下面との間の空間に存在する空気は、窒素ガスによって外方に押されて、当該空間から排出される。これにより、ウエハＷの上面と遮断板９の下面との間の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換され、ウエハＷの上面近傍の酸素濃度が低下する（酸素濃度がたとえば２％以下に低下する。）。   The nitrogen gas discharged from the gas discharge port 18 is directed outward (in a direction away from the rotation axis of the wafer W) through the space between the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 7 and the lower surface of the blocking plate 9. It spreads. Therefore, the air existing in the space between the upper surface of the wafer W and the lower surface of the blocking plate 9 is pushed outward by the nitrogen gas and discharged from the space. Thereby, the atmosphere between the upper surface of the wafer W and the lower surface of the blocking plate 9 is replaced with a nitrogen gas atmosphere, and the oxygen concentration in the vicinity of the upper surface of the wafer W is reduced (the oxygen concentration is reduced to 2% or less, for example). .

また、処理液吐出口１４から吐出された薬液は、ウエハＷの上面中央部に着液し、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷ上を外方に広がっていく。これにより、ウエハＷの上面全域に薬液が供給される。また、ウエハＷの上面に供給され、ウエハＷの上面周縁部に達した薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷの周囲に振り切られる。そして、振り切られた薬液は、カップ８によって捕獲され、回収配管２９を介して薬液タンク２６に回収される。   Further, the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge port 14 is deposited on the center of the upper surface of the wafer W, and spreads outward on the wafer W under the centrifugal force due to the rotation of the wafer W. Thereby, the chemical solution is supplied to the entire upper surface of the wafer W. Further, the chemical solution that has been supplied to the upper surface of the wafer W and has reached the peripheral edge of the upper surface of the wafer W is shaken off around the wafer W by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. Then, the shaken chemical solution is captured by the cup 8 and is collected in the chemical solution tank 26 via the recovery pipe 29.

処理液吐出口１４から吐出され、ウエハＷの上面に供給された薬液は、薬液タンク２６から処理液吐出口１４に至る過程で、照射ユニット４による光の照射を受けている。したがって、ウエハＷに供給された薬液に含まれる光活性化成分は、照射ユニット４による光の照射を受けて活性化している。そのため、ウエハＷの上面には、活性化した状態の光活性化成分を含む薬液が供給される。これにより、反射防止膜およびレジストにおける分子間の強固な結合が断ち切られ、反射防止膜およびレジストが薬液に溶解する。これにより、不要になった反射防止膜およびレジストをウエハＷから剥離させて除去することができる。（レジスト除去処理）。レジスト除去処理が所定時間にわたって行われると、気体吐出口１８からの窒素ガスの吐出、および処理液吐出口１４からの薬液の吐出が停止される。そして、制御部４０により遮断板昇降機構１９が制御されて、遮断板９がスピンチャック７の上方に退避させられる。また、遮断板９が回転している場合には、制御部４０により遮断板回転機構２０が制御されて、遮断板９の回転が停止される。   The chemical liquid discharged from the processing liquid discharge port 14 and supplied to the upper surface of the wafer W is irradiated with light from the irradiation unit 4 in the process from the chemical liquid tank 26 to the processing liquid discharge port 14. Therefore, the photoactivation component contained in the chemical solution supplied to the wafer W is activated by being irradiated with light from the irradiation unit 4. Therefore, a chemical solution containing the activated photoactivation component is supplied to the upper surface of the wafer W. Thereby, the strong bond between molecules in the antireflection film and the resist is broken, and the antireflection film and the resist are dissolved in the chemical solution. As a result, the antireflection film and the resist that are no longer needed can be removed from the wafer W and removed. (Resist removal process). When the resist removal process is performed for a predetermined time, the discharge of nitrogen gas from the gas discharge port 18 and the discharge of the chemical solution from the processing liquid discharge port 14 are stopped. Then, the control plate 40 controls the shield plate lifting mechanism 19 so that the shield plate 9 is retracted above the spin chuck 7. Further, when the shielding plate 9 is rotating, the shielding plate rotating mechanism 20 is controlled by the control unit 40 and the rotation of the shielding plate 9 is stopped.

次に、リンス液の一例である純水によってウエハＷを洗い流すリンス処理が行われる（ステップＳ３）。具体的には、制御部４０によりリンス液バルブ２５が開かれて、回転状態のウエハＷの上面中央部に向けてリンス液ノズル２３から純水が吐出される。リンス液ノズル２３から吐出された純水は、ウエハＷの上面中央部に着液し、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷ上を外方に広がっていく。これにより、ウエハＷの上面全域にリンス液が供給され、ウエハＷ上の薬液が純水によって洗い流される。このようにして、ウエハＷ上から薬液が除去され、ウエハＷの上面に対するリンス処理が行われる。また、ウエハＷの上面に供給され、ウエハＷの上面周縁部に達した純水は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷの周囲に振り切られる。そして、振り切られた純水は、カップ８によって捕獲され、リンス液捕獲部１０に導かれる。リンス処理が所定時間にわたって行われると、制御部４０によりリンス液バルブ２５が閉じられて、リンス液ノズル２３からの純水の吐出が停止される。   Next, a rinsing process for rinsing the wafer W with pure water which is an example of a rinsing liquid is performed (step S3). Specifically, the rinsing liquid valve 25 is opened by the control unit 40, and pure water is discharged from the rinsing liquid nozzle 23 toward the center of the upper surface of the rotating wafer W. The pure water discharged from the rinsing liquid nozzle 23 is deposited on the center of the upper surface of the wafer W, and spreads outward on the wafer W under the centrifugal force due to the rotation of the wafer W. Thereby, the rinse liquid is supplied to the entire upper surface of the wafer W, and the chemical liquid on the wafer W is washed away with pure water. In this manner, the chemical solution is removed from the wafer W, and a rinsing process is performed on the upper surface of the wafer W. The pure water supplied to the upper surface of the wafer W and reaching the peripheral edge of the upper surface of the wafer W is spun off around the wafer W by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. Then, the spun off pure water is captured by the cup 8 and guided to the rinse liquid capturing unit 10. When the rinsing process is performed for a predetermined time, the rinsing liquid valve 25 is closed by the control unit 40 and the discharge of pure water from the rinsing liquid nozzle 23 is stopped.

次に、ウエハＷを乾燥させる乾燥処理（スピンドライ）が行われる（ステップＳ４）。具体的には、制御部４０によりスピンチャック７が制御されて、ウエハＷが高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で回転させられる。これにより、ウエハＷに付着している純水に大きな遠心力が作用して、純水がウエハＷの周囲に振り切られる。このようにして、ウエハＷから純水が除去され、ウエハＷに対する乾燥処理が行われる。乾燥処理が所定時間にわたって行われた後は、スピンチャック７によるウエハＷの回転が停止される。その後、処理済みのウエハＷが搬送ロボットによって処理室６から搬出される（ステップＳ５）。   Next, a drying process (spin drying) for drying the wafer W is performed (step S4). Specifically, the control unit 40 controls the spin chuck 7 to rotate the wafer W at a high rotation speed (for example, several thousand rpm). Thereby, a large centrifugal force acts on the pure water adhering to the wafer W, and the pure water is shaken off around the wafer W. In this manner, pure water is removed from the wafer W, and the wafer W is dried. After the drying process is performed for a predetermined time, the rotation of the wafer W by the spin chuck 7 is stopped. Thereafter, the processed wafer W is unloaded from the processing chamber 6 by the transfer robot (step S5).

以上のように本実施形態では、ウエハＷに供給される薬液に光を照射することにより、活性化した状態の光活性化成分を含む薬液をウエハＷの上面に供給することができる。これにより、不要になった反射防止膜およびレジストをウエハＷから確実に除去することができる。また、光活性化成分の作用を用いてウエハＷから反射防止膜およびレジストを除去するので、レジスト除去液として高温のＳＰＭを用いた場合に比べて、反射防止膜およびレジストの下地となる部分にダメージが生じることを抑制または防止することができる。さらに、光活性化成分に光を照射して光活性化成分を活性化させるので、光活性化成分を含む薬液を高温にしなくてもよい。したがって、基板処理装置１において薬液に接する部分に耐熱性を持たせる必要がなく、基板処理装置１の部品の選定を容易にすることができる。   As described above, in this embodiment, the chemical solution containing the activated photoactivation component can be supplied to the upper surface of the wafer W by irradiating the chemical solution supplied to the wafer W with light. As a result, the antireflection film and the resist that are no longer needed can be reliably removed from the wafer W. In addition, since the antireflection film and the resist are removed from the wafer W by using the action of the photoactivation component, compared with the case where the high temperature SPM is used as the resist removing liquid, the antireflection film and the resist are formed on the base portion. It is possible to suppress or prevent the occurrence of damage. Furthermore, since the photoactivation component is activated by irradiating light to the photoactivation component, the chemical solution containing the photoactivation component does not need to be heated to a high temperature. Therefore, it is not necessary to give heat resistance to the part in contact with the chemical solution in the substrate processing apparatus 1, and the selection of components of the substrate processing apparatus 1 can be facilitated.

さらにまた、前述のウエハＷの処理例では、ウエハＷの上面近傍の酸素濃度を低下させた状態でレジスト除去処理が行われる。したがって、配線材料として銅のように酸化され易い材料が用いられている場合でも、レジスト除去処理中に銅配線と雰囲気中の酸素とが反応して、銅配線が酸化されることを抑制または防止することができる。しかも、前述の実施形態では、薬液供給配管２７の途中部において薬液に光が照射されるので、光源３５からの光は、ウエハＷに照射されない。すなわち、この第１実施形態に係る基板処理装置１では、ウエハＷに直接光を照射することなく、薬液に含まれる光活性化成分を活性化させることができる。したがって、銅のように光の照射によって腐食され易い材料で配線が形成されており、光の照射を避けたいウエハＷを処理する場合でも、光源３５の光によって銅配線が腐食されることを防止することができる。したがって、ウエハＷに形成されるデバイスの特性が低下することを抑制または防止することができる。   Furthermore, in the above-described processing example of the wafer W, the resist removal processing is performed in a state where the oxygen concentration in the vicinity of the upper surface of the wafer W is reduced. Therefore, even when a material that is easily oxidized, such as copper, is used as the wiring material, it is possible to suppress or prevent the copper wiring from being oxidized due to a reaction between the copper wiring and oxygen in the atmosphere during the resist removal process. can do. In addition, in the above-described embodiment, since the chemical liquid is irradiated with light in the middle of the chemical liquid supply pipe 27, the light from the light source 35 is not irradiated onto the wafer W. That is, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, the photoactivation component contained in the chemical solution can be activated without directly irradiating the wafer W with light. Therefore, the wiring is formed of a material that is easily corroded by light irradiation such as copper, and even when the wafer W that is desired to avoid light irradiation is processed, the copper wiring is prevented from being corroded by the light of the light source 35. can do. Accordingly, it is possible to suppress or prevent the deterioration of the characteristics of the device formed on the wafer W.

なお、前述の第１実施形態に係る基板処理装置１の説明では、照射ユニット４が薬液供給配管２７における供給バルブ３２よりも下流側の位置に介装されているが、照射ユニット４の位置は、前述の位置に限定されない。具体的には、照射ユニット４は、図５に示すように、薬液供給配管２７における循環配管２８が連結された位置よりも上流側に介装されていてもよいし、図６に示すように、循環配管２８に介装されていてもよい。すなわち、照射ユニット４は、循環経路Ｃ１の途中部に配置されていてもよい。また、図７に示すように、照射ユニット４は回収配管２９に介装されていてもよいし、図８に示すように、照射ユニット４の光源３５を薬液タンク２６内に配置して、薬液タンク２６内に貯留された薬液に光を照射してもよい。さらに、照射ユニット４を複数設けて、前述の位置の２箇所以上に照射ユニット４を配置してもよい。   In the description of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment described above, the irradiation unit 4 is interposed at a position downstream of the supply valve 32 in the chemical solution supply pipe 27. However, the position of the irradiation unit 4 is The position is not limited to the above. Specifically, as shown in FIG. 5, the irradiation unit 4 may be interposed upstream of the position where the circulation pipe 28 in the chemical solution supply pipe 27 is connected, or as shown in FIG. 6. The circulation pipe 28 may be interposed. That is, the irradiation unit 4 may be arranged in the middle part of the circulation path C1. Moreover, as shown in FIG. 7, the irradiation unit 4 may be interposed in the collection | recovery piping 29, and as shown in FIG. 8, the light source 35 of the irradiation unit 4 is arrange | positioned in the chemical | medical solution tank 26, and chemical | medical solution The chemical liquid stored in the tank 26 may be irradiated with light. Further, a plurality of irradiation units 4 may be provided, and the irradiation units 4 may be arranged at two or more positions in the above-described positions.

図８に示すように、薬液タンク２６内に貯留された薬液に光を照射することにより、配管内を流れる薬液に光を照射する場合に比べて、薬液に対する光の照射時間を増加させることができる。したがって、光活性化成分が照射時間の増加に伴ってより活性化する場合には、より活性度の高い光活性化成分を含む薬液をウエハＷに供給することができる。
また、図５および図６に示すように、循環経路Ｃ１の途中部に照射ユニット４を配置することにより、循環経路Ｃ１を循環する薬液に光を照射することができる。したがって、ウエハＷに供給される薬液に対して繰り返し光を照射することができるので、薬液に対する光の照射時間を増加させることができる。さらに、配管を流れる薬液に光を照射するので、薬液タンク２６に貯留された薬液に光を照射する場合に比べて、薬液に均一に光を照射することができる。これにより、薬液中に含まれる光活性化成分を確実に活性化させることができる。 As shown in FIG. 8, by irradiating the chemical liquid stored in the chemical liquid tank 26 with light, it is possible to increase the light irradiation time for the chemical liquid as compared with the case of irradiating the chemical liquid flowing in the pipe. it can. Therefore, when the photoactivation component is activated as the irradiation time increases, a chemical solution containing a photoactivation component with higher activity can be supplied to the wafer W.
Further, as shown in FIGS. 5 and 6, by arranging the irradiation unit 4 in the middle of the circulation path C1, it is possible to irradiate the chemical liquid circulating in the circulation path C1 with light. Accordingly, since the chemical liquid supplied to the wafer W can be repeatedly irradiated with light, the time for irradiating the chemical liquid with light can be increased. Furthermore, since the chemical liquid flowing through the pipe is irradiated with light, it is possible to irradiate the chemical liquid uniformly compared with the case where the chemical liquid stored in the chemical liquid tank 26 is irradiated with light. Thereby, the photoactivation component contained in a chemical | medical solution can be activated reliably.

図９は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２０１の概略構成を示す模式図である。また、図１０は、二流体ノズル４１および照射ユニット２０４の断面図であり、図１１は、図１０におけるＸＩ−ＸＩ線に沿う照射ユニット２０４の要部の部分断面図である。この図９〜図１１において、前述の図１〜８に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。   FIG. 9 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 201 according to the second embodiment of the present invention. 10 is a cross-sectional view of the two-fluid nozzle 41 and the irradiation unit 204, and FIG. 11 is a partial cross-sectional view of the main part of the irradiation unit 204 along the line XI-XI in FIG. 9 to 11, the same components as those shown in FIGS. 1 to 8 are given the same reference numerals as those in FIG. 1 and the description thereof is omitted.

この第２実施形態と前述の第１実施形態との主要な相違点は、ウエハＷに処理液を供給するための構成と、照射ユニットの配置である。すなわち、第１実施形態では、遮断板９の下面中央部から処理液が吐出されるように構成されているのに対し、この第２実施形態では、処理液の液滴を生成することができる二流体ノズル４１（処理液ノズル）によってウエハＷに処理液が供給されるように構成されている。また、第１実施形態では、照射ユニット４が配管２７〜２９の途中部または薬液タンク２６内に配置されているのに対し、この第２実施形態では、照射ユニット２０４（照射手段）が二流体ノズル４１の吐出口の近傍に配置されている。以下では、図９を参照して、薬液供給ユニット２２２（処理液供給手段）について説明する。   The main differences between the second embodiment and the first embodiment described above are the configuration for supplying the processing liquid to the wafer W and the arrangement of the irradiation units. That is, in the first embodiment, the processing liquid is discharged from the central portion of the lower surface of the blocking plate 9, whereas in the second embodiment, processing liquid droplets can be generated. A processing liquid is supplied to the wafer W by a two-fluid nozzle 41 (processing liquid nozzle). In the first embodiment, the irradiation unit 4 is disposed in the middle of the pipes 27 to 29 or in the chemical liquid tank 26, whereas in the second embodiment, the irradiation unit 204 (irradiation means) has two fluids. The nozzle 41 is disposed in the vicinity of the discharge port. Hereinafter, the chemical liquid supply unit 222 (processing liquid supply means) will be described with reference to FIG.

薬液供給ユニット２２２は、二流体ノズル４１を備えている。二流体ノズル４１は、たとえば、ケーシング外で処理液と気体とを混合させて処理液の液滴を生成する外部混合型の二流体ノズル４１である。二流体ノズル４１は、吐出口が下方に向けられた状態で、スピンチャック７の上方に配置されている。二流体ノズル４１は、水平に延びるノズルアーム４２に連結されている。ノズルアーム４２には、鉛直方向に延びる支持軸４３が結合されている。支持軸４３は、その中心軸線まわりに揺動可能とされている。   The chemical solution supply unit 222 includes a two-fluid nozzle 41. The two-fluid nozzle 41 is, for example, an external mixing type two-fluid nozzle 41 that generates a droplet of the processing liquid by mixing the processing liquid and the gas outside the casing. The two-fluid nozzle 41 is disposed above the spin chuck 7 with the discharge port directed downward. The two-fluid nozzle 41 is connected to a nozzle arm 42 that extends horizontally. A support shaft 43 extending in the vertical direction is coupled to the nozzle arm 42. The support shaft 43 can swing around its central axis.

支持軸４３には、ノズル揺動機構４４が結合されている。ノズル揺動機構４４の駆動力が支持軸４３に入力されることにより、二流体ノズル４１およびノズルアーム４２が、支持軸４３の中心軸線まわりに一体的に水平移動する。これにより、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上方に二流体ノズル４１を配置したり、スピンチャック７の上方から二流体ノズル４１を退避させたりすることができる。また、ウエハＷの上方で、二流体ノズル４１を水平移動させることができる。   A nozzle swing mechanism 44 is coupled to the support shaft 43. When the driving force of the nozzle swinging mechanism 44 is input to the support shaft 43, the two-fluid nozzle 41 and the nozzle arm 42 are horizontally moved integrally around the central axis of the support shaft 43. Thereby, the two-fluid nozzle 41 can be arranged above the wafer W held by the spin chuck 7, or the two-fluid nozzle 41 can be retracted from above the spin chuck 7. Further, the two-fluid nozzle 41 can be moved horizontally above the wafer W.

また、二流体ノズル４１には、処理液供給管４５および気体供給管４６が接続されている。二流体ノズル４１には、処理液供給管４５を介して光活性化成分を含む薬液が供給される。また、二流体ノズル４１には、気体供給管４６を介して気体の一例である窒素ガスが供給される。処理液供給管４５には、二流体ノズル４１への薬液の供給および供給停止を切り換えるための処理液バルブ４７が介装されている。また、気体供給管４６には、二流体ノズル４１への気体の供給および供給停止を切り換えるための気体バルブ４８が介装されている。   Further, a processing liquid supply pipe 45 and a gas supply pipe 46 are connected to the two-fluid nozzle 41. The two-fluid nozzle 41 is supplied with a chemical liquid containing a photoactivation component via a processing liquid supply pipe 45. The two-fluid nozzle 41 is supplied with nitrogen gas, which is an example of gas, via a gas supply pipe 46. The processing liquid supply pipe 45 is provided with a processing liquid valve 47 for switching supply and stop of supply of the chemical liquid to the two-fluid nozzle 41. The gas supply pipe 46 is provided with a gas valve 48 for switching between supply and stop of supply of gas to the two-fluid nozzle 41.

次に図１０を参照して、二流体ノズル４１の構造について説明する。
二流体ノズル４１は、円柱状であり、ケーシングを構成する外筒４９と、外筒４９の内部に嵌め込まれた内筒５０とを有している。内筒５０および外筒４９は、それぞれ共通の中心軸線Ｌ１上に同軸配置されており、互いに連結されている。内筒５０の内部空間は、処理液供給管４５（図９参照）からの薬液が流通する直線状の処理液流路５１となっており、内筒５０と外筒４９との間には、気体供給管４６からの窒素ガスが流通する円筒状の気体流路５２が形成されている。 Next, the structure of the two-fluid nozzle 41 will be described with reference to FIG.
The two-fluid nozzle 41 has a cylindrical shape, and includes an outer cylinder 49 that constitutes a casing, and an inner cylinder 50 that is fitted inside the outer cylinder 49. The inner cylinder 50 and the outer cylinder 49 are coaxially arranged on a common central axis L1 and are connected to each other. The inner space of the inner cylinder 50 is a straight processing liquid flow path 51 through which a chemical liquid from the processing liquid supply pipe 45 (see FIG. 9) flows, and between the inner cylinder 50 and the outer cylinder 49, A cylindrical gas flow path 52 through which nitrogen gas from the gas supply pipe 46 flows is formed.

処理液流路５１は、内筒５０の上端で処理液導入口５３として開口しており、内筒５０の下端で中心軸線Ｌ１上に中心を有する円状の処理液吐出口５４として開口している。処理液流路５１には、処理液導入口５３を介して処理液供給管４５からの薬液が導入される。また、処理液流路５１に導入された薬液は、処理液吐出口５４から下方に向けて吐出される。   The processing liquid channel 51 opens as a processing liquid introduction port 53 at the upper end of the inner cylinder 50 and opens as a circular processing liquid discharge port 54 having a center on the central axis L1 at the lower end of the inner cylinder 50. Yes. The chemical liquid from the processing liquid supply pipe 45 is introduced into the processing liquid channel 51 through the processing liquid inlet 53. Further, the chemical liquid introduced into the processing liquid channel 51 is discharged downward from the processing liquid discharge port 54.

一方、気体流路５２は、内筒５０および外筒４９の上端部で閉塞されており、内筒５０および外筒４９の下端で処理液吐出口５４を取り囲む円環状の気体吐出口５５として開口している。気体流路５２の下端部は、気体流路５２の長さ方向における中間部よりも流路面積が小さくされている。気体流路５２の下端部は下方に向かって小径となっている。気体流路５２は、円筒状の間隙であり、気体吐出口５５の中心は、中心軸線Ｌ１上に位置している。   On the other hand, the gas flow path 52 is closed at the upper ends of the inner cylinder 50 and the outer cylinder 49, and is opened as an annular gas outlet 55 that surrounds the processing liquid outlet 54 at the lower ends of the inner cylinder 50 and the outer cylinder 49. is doing. The lower end portion of the gas channel 52 has a channel area smaller than that of an intermediate portion in the length direction of the gas channel 52. The lower end portion of the gas channel 52 has a smaller diameter toward the lower side. The gas flow path 52 is a cylindrical gap, and the center of the gas discharge port 55 is located on the central axis L1.

外筒４９には、気体供給管４６が接続されている。気体供給管４６の内部空間は、気体流路５２に連通されている。気体供給管４６を流通する窒素ガスは、気体流路５２に供給され、気体吐出口５５から下方に向けて吐出される。処理液吐出口５４から薬液を吐出させつつ、気体吐出口５５から窒素ガスを吐出させることにより、二流体ノズル４１の近傍で薬液に窒素ガスを衝突させて薬液の液滴を生成することができる。   A gas supply pipe 46 is connected to the outer cylinder 49. The internal space of the gas supply pipe 46 is communicated with the gas flow path 52. Nitrogen gas flowing through the gas supply pipe 46 is supplied to the gas flow path 52 and discharged downward from the gas discharge port 55. By discharging nitrogen gas from the gas discharge port 55 while discharging the chemical solution from the treatment liquid discharge port 54, it is possible to generate a liquid droplet of the chemical solution by colliding the nitrogen gas with the chemical solution in the vicinity of the two-fluid nozzle 41. .

次に、図１０および図１１を参照して、照射ユニット２０４について説明する。
照射ユニット２０４は、光源３５と、筒状体５６と、光伝達部材の一例である光ファイバ５７とを備えている。光源３５および筒状体５６は、光ファイバ５７によって連結されている。また、図１０に示すように、筒状体５６は、二流体ノズル４１の吐出口５４、５５の近傍に配置されている。二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴は、筒状体５６の内周を通って、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に供給される。筒状体５６の内周面は円筒状に形成されており、光を全反射することができる。筒状体５６の内周面は光を反射することができる反射面である。また、筒状体５６は、たとえば連結部材５８によって二流体ノズル４１に連結されている。筒状体５６は、二流体ノズル４１とともに一体的に水平移動する。 Next, the irradiation unit 204 will be described with reference to FIGS. 10 and 11.
The irradiation unit 204 includes a light source 35, a cylindrical body 56, and an optical fiber 57 that is an example of a light transmission member. The light source 35 and the cylindrical body 56 are connected by an optical fiber 57. As shown in FIG. 10, the cylindrical body 56 is disposed in the vicinity of the discharge ports 54 and 55 of the two-fluid nozzle 41. The chemical liquid droplets generated by the two-fluid nozzle 41 are supplied to the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 7 through the inner periphery of the cylindrical body 56. The inner peripheral surface of the cylindrical body 56 is formed in a cylindrical shape, and can totally reflect light. The inner peripheral surface of the cylindrical body 56 is a reflecting surface that can reflect light. The cylindrical body 56 is connected to the two-fluid nozzle 41 by a connecting member 58, for example. The cylindrical body 56 horizontally moves together with the two-fluid nozzle 41.

光源３５の発する光は、光ファイバ５７によって筒状体５６の内側の空間に伝達される。筒状体５６の内側の空間に伝達された光は、図１１に示すように、筒状体５６の内周面に当たって全反射を繰り返しながら、筒状体５６の内側の空間に拡散する。したがって、二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴が、筒状体５６の内側の空間を通過することにより、当該薬液の液滴に光が均一に照射され、液滴に含まれる光活性化成分が活性化する。   Light emitted from the light source 35 is transmitted to the space inside the cylindrical body 56 by the optical fiber 57. As shown in FIG. 11, the light transmitted to the space inside the cylindrical body 56 strikes the inner peripheral surface of the cylindrical body 56 and diffuses into the space inside the cylindrical body 56 while repeating total reflection. Therefore, the liquid droplet of the chemical liquid generated by the two-fluid nozzle 41 passes through the space inside the cylindrical body 56, so that the liquid droplet of the chemical liquid is uniformly irradiated with light, and the photoactivity contained in the liquid droplet is included. The chemical component is activated.

次に、図９および図１０を参照して、この第２実施形態に係る基板処理装置２０１によるレジスト除去処理について説明する。なお、その他の処理工程は第１実施形態と同様である。
この第２実施形態に係る基板処理装置２０１によるレジスト除去処理では、回転状態のウエハＷの上面（ウエハＷの表面）に向けて、処理液吐出口５４および気体吐出口５５からそれぞれ光活性化成分を含む薬液および窒素ガスが吐出される。処理液吐出口５４から吐出された薬液は、気体吐出口５５から吐出された窒素ガスに衝突して液滴になる。そして、薬液の液滴が回転状態のウエハＷの上面に衝突する。また、処理液吐出口５４および気体吐出口５５からそれぞれ薬液および窒素ガスが吐出されている間、二流体ノズル４１がウエハＷの上方で水平移動させられる。これにより、ウエハＷの上面に対する薬液の衝突位置が、ウエハＷの上面における回転中心とウエハＷの上面周縁部との間で移動して、ウエハＷの上面が薬液の液滴によってスキャンされる。これにより、ウエハＷの上面全域に薬液が供給される。 Next, with reference to FIG. 9 and FIG. 10, the resist removal processing by the substrate processing apparatus 201 according to the second embodiment will be described. Other processing steps are the same as those in the first embodiment.
In the resist removal process by the substrate processing apparatus 201 according to the second embodiment, the photoactivation components are respectively supplied from the processing liquid discharge port 54 and the gas discharge port 55 toward the upper surface of the rotating wafer W (the surface of the wafer W). A chemical solution containing nitrogen and nitrogen gas are discharged. The chemical liquid discharged from the treatment liquid discharge port 54 collides with the nitrogen gas discharged from the gas discharge port 55 and becomes droplets. Then, the chemical liquid droplet collides with the upper surface of the rotating wafer W. Further, the two-fluid nozzle 41 is moved horizontally above the wafer W while the chemical liquid and the nitrogen gas are discharged from the processing liquid discharge port 54 and the gas discharge port 55, respectively. Thereby, the collision position of the chemical liquid with respect to the upper surface of the wafer W moves between the rotation center on the upper surface of the wafer W and the peripheral edge portion of the upper surface of the wafer W, and the upper surface of the wafer W is scanned with the liquid droplets of the chemical liquid. Thereby, the chemical solution is supplied to the entire upper surface of the wafer W.

このように、この第２実施形態に係る基板処理装置２０１によるレジスト除去処理では、薬液の液滴をウエハＷの上面に衝突させながら、当該ウエハＷの上面全域に薬液が供給される。したがって、ウエハＷ上に形成された反射防止膜およびレジストには、薬液の液滴の衝突による物理的な力が作用する。また、二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴は、照射ユニット２０４による光の照射を受けて活性化している。したがって、ウエハＷ上に保持された反射防止膜およびレジストは、液滴の衝突による物理的な力、および薬液による化学的な力によってウエハＷから除去される。これにより、不要になった反射防止膜およびレジストをウエハＷから短時間で容易に除去することができる。   As described above, in the resist removal process performed by the substrate processing apparatus 201 according to the second embodiment, the chemical solution is supplied to the entire upper surface of the wafer W while causing the droplets of the chemical solution to collide with the upper surface of the wafer W. Therefore, a physical force due to the collision of the chemical liquid droplets acts on the antireflection film and the resist formed on the wafer W. Further, the chemical liquid droplets generated by the two-fluid nozzle 41 are activated by the irradiation of light by the irradiation unit 204. Therefore, the antireflection film and the resist held on the wafer W are removed from the wafer W by a physical force due to the collision of the droplets and a chemical force due to the chemical solution. Thereby, the antireflection film and the resist that are no longer needed can be easily removed from the wafer W in a short time.

さらに、二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴は、照射ユニット２０４による光の照射を受けた後すぐにウエハＷの上面に供給されるので、たとえば、光活性化成分の活性化した状態が光の照射後短時間しか維持されない場合でも、活性化した状態の光活性化成分を含む薬液を確実にウエハＷの上面に供給することができる。これにより、反射防止膜およびレジストをウエハＷから確実に除去することができる。さらにまた、薬液に対する光の照射は、薬液がウエハＷに達する前に行われるので、光源３５からの光がウエハＷに照射されることを防止することができる。したがって、光の照射を避けたいウエハＷを処理する場合でも、ウエハＷに対する光の照射を防止しつつ、反射防止膜およびレジストをウエハＷから確実に除去することができる。なお、前述の第２実施形態に係る基板処理装置２０１の説明では、処理液ノズルとして二流体ノズル４１が用いられているが、処理液ノズルの構成はこれに限定されない。具体的には、二流体ノズル４１に代えて、連続流の状態で処理液を吐出する、いわゆるストレートノズルを処理液ノズルとして用いてもよい。この場合、ストレートノズルは、スピンチャック７の斜め上方に固定的に配置されて、ウエハＷの上面に対して斜め上方から処理液を供給する構成であってもよく、また、スピンチャック７によるウエハＷの回転軸線上に固定的に配置されて、ウエハＷの上面に対して鉛直上方から処理液を供給する構成であってもよい。また、ストレートノズルは、スピンチャック７の上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、アームの揺動によりウエハＷの上面における処理液の着液位置が面内で移動するように構成されていてもよい。さらに、二流体ノズル４１およびストレートノズルのいずれのノズルを処理液ノズルとして用いる場合でも、超音波付与装置を設けて、ノズル内を流通する薬液、またはノズルから吐出された薬液に超音波が付与されてもよい。   Furthermore, since the chemical liquid droplets generated by the two-fluid nozzle 41 are supplied to the upper surface of the wafer W immediately after being irradiated with light by the irradiation unit 204, for example, the activated state of the photoactivation component However, even if it is maintained only for a short time after light irradiation, the chemical solution containing the activated photoactivation component can be reliably supplied to the upper surface of the wafer W. Thereby, the antireflection film and the resist can be reliably removed from the wafer W. Furthermore, since the chemical liquid is irradiated before the chemical liquid reaches the wafer W, the light from the light source 35 can be prevented from being irradiated onto the wafer W. Therefore, even when processing the wafer W to avoid light irradiation, it is possible to reliably remove the antireflection film and the resist from the wafer W while preventing the light irradiation to the wafer W. In the description of the substrate processing apparatus 201 according to the second embodiment described above, the two-fluid nozzle 41 is used as the processing liquid nozzle, but the configuration of the processing liquid nozzle is not limited to this. Specifically, instead of the two-fluid nozzle 41, a so-called straight nozzle that discharges the processing liquid in a continuous flow state may be used as the processing liquid nozzle. In this case, the straight nozzle may be fixedly disposed obliquely above the spin chuck 7 so as to supply the processing liquid obliquely from above to the upper surface of the wafer W. A configuration in which the processing liquid is fixedly disposed on the rotation axis of W and the processing liquid is supplied to the upper surface of the wafer W from above is also possible. The straight nozzle is attached to an arm that can swing in a horizontal plane above the spin chuck 7, and the position where the processing liquid is deposited on the upper surface of the wafer W moves in the plane by the swing of the arm. May be. Furthermore, even when any of the two-fluid nozzle 41 and the straight nozzle is used as the treatment liquid nozzle, an ultrasonic wave application device is provided to apply ultrasonic waves to the chemical liquid flowing through the nozzle or the chemical liquid discharged from the nozzle. May be.

また、前述の第２実施形態に係る基板処理装置２０１の説明では、照射ユニット２０４が二流体ノズル４１の吐出口の近傍に配置されているが、照射ユニット２０４の位置はこれに限定されない。具体的には、たとえば、二流体ノズル４１の外筒４９および内筒５０を石英ガラスなどの光を透過させることができる材料で形成して、図１２に示すように、二流体ノズル４１の周囲に筒状体５６を配置してもよい。この場合、外筒４９および内筒５０が光を透過させることができるので、筒状体５６の内側の空間で光を拡散させることにより、光源３５からの光が外筒４９および内筒５０を透過して、二流体ノズル４１内を流通する薬液に照射される。これにより、薬液に含まれる光活性化成分を活性化させることができる。また、二流体ノズルに代えてストレートノズルを用いて、ストレートノズル本体を石英ガラスなどの光を透過させることができる材料で形成することにより、二流体ノズル同様、ノズル内を流通する薬液に光が照射されるように構成されてもよい。   In the description of the substrate processing apparatus 201 according to the second embodiment, the irradiation unit 204 is disposed in the vicinity of the discharge port of the two-fluid nozzle 41. However, the position of the irradiation unit 204 is not limited to this. Specifically, for example, the outer cylinder 49 and the inner cylinder 50 of the two-fluid nozzle 41 are formed of a material that can transmit light, such as quartz glass, and as shown in FIG. The cylindrical body 56 may be disposed on the surface. In this case, since the outer cylinder 49 and the inner cylinder 50 can transmit light, the light from the light source 35 can diffuse the outer cylinder 49 and the inner cylinder 50 by diffusing the light in the space inside the cylindrical body 56. The chemical solution that permeates and circulates in the two-fluid nozzle 41 is irradiated. Thereby, the photoactivation component contained in a chemical | medical solution can be activated. In addition, by using a straight nozzle instead of the two-fluid nozzle and forming the straight nozzle body with a material that can transmit light, such as quartz glass, light is transmitted to the chemical liquid flowing through the nozzle as in the case of the two-fluid nozzle. It may be configured to be irradiated.

図１３は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置３０１の概略構成を示す模式図である。この図１３において、前述の図１〜図１２に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
この第３実施形態と前述の第２実施形態との主要な相違点は、前述の第２実施形態では、二流体ノズル４１から吐出された直後の処理液、または二流体ノズル４１内を流通する処理液に光が照射されるのに対し、この第３実施形態では、ウエハＷ上に保持された処理液に光が照射されることにある。すなわち、スピンチャック７の上方に複数の光源３５が配置されており、これらの光源３５によって照射ユニット３０４（照射手段）が構成されている。薬液供給ユニット３２２（処理液供給手段）は、光活性化成分を含む薬液をウエハＷの上面に供給するための薬液ノズル５９（処理液ノズル）を備えており、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面には、薬液ノズル５９から吐出された薬液が供給される。そして、ウエハＷの上面に供給された薬液に含まれる光活性化成分は、ウエハＷ上で照射ユニット３０４からの光の照射を受けて活性化する。したがって、ウエハＷの上面には活性化した直後の光活性化成分を含む薬液が供給される。 FIG. 13 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 301 according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 13, the same components as those shown in FIGS. 1 to 12 described above are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 and the description thereof is omitted.
The main difference between the third embodiment and the second embodiment described above is that, in the second embodiment described above, the processing liquid immediately after being discharged from the two-fluid nozzle 41 or the inside of the two-fluid nozzle 41 is circulated. While the processing liquid is irradiated with light, in the third embodiment, the processing liquid held on the wafer W is irradiated with light. That is, a plurality of light sources 35 are arranged above the spin chuck 7, and an irradiation unit 304 (irradiation means) is configured by these light sources 35. The chemical solution supply unit 322 (processing solution supply means) includes a chemical solution nozzle 59 (processing solution nozzle) for supplying a chemical solution containing a photoactivation component to the upper surface of the wafer W, and the wafer held by the spin chuck 7. The chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 59 is supplied to the upper surface of W. Then, the photoactivation component contained in the chemical solution supplied to the upper surface of the wafer W is activated by being irradiated with light from the irradiation unit 304 on the wafer W. Therefore, the chemical solution containing the photoactivation component immediately after activation is supplied to the upper surface of the wafer W.

図１４は、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置４０１の概略構成を示す模式図である。この図１４において、前述の図１〜図１３に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
この第４実施形態と前述の第１〜３実施形態との主要な相違点は、前述の第１〜３実施形態に係る基板処理装置１、２０１、３０１は、ウエハＷを一枚ずつ処理する枚葉式の装置であるのに対し、この第４実施形態に係る基板処理装置４０１は、複数枚のウエハＷを一括して処理することができるバッチ式の装置であることにある。 FIG. 14 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 401 according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 14, the same components as those shown in FIGS. 1 to 13 are given the same reference numerals as those in FIG. 1 and the description thereof is omitted.
The main difference between the fourth embodiment and the first to third embodiments is that the substrate processing apparatuses 1, 201, and 301 according to the first to third embodiments process wafers W one by one. In contrast to the single wafer type apparatus, the substrate processing apparatus 401 according to the fourth embodiment is a batch type apparatus capable of collectively processing a plurality of wafers W.

基板処理装置４０１は、複数枚のウエハＷを一括して処理するための処理槽６０と、処理槽６０内で複数枚のウエハＷを一括して保持するウエハ保持部材６１（基板保持手段）と、光活性化成分を含む薬液を処理槽６０に供給する薬液供給ユニット４２２（処理液供給手段）と、照射ユニット４とを備えている。
処理槽６０は、内部に薬液を貯留することができ、内部に貯留された薬液に複数枚のウエハＷを一括して浸漬させることができる。また、ウエハ保持部材６１は、処理槽６０の内部に配置されており、複数枚のウエハＷを垂直姿勢で一括して保持することができる。ウエハ保持部材６１は、たとえば複数の棒状部材からなるものであり、各ウエハＷの周端面の複数箇所を下方から支持して保持することができる。 The substrate processing apparatus 401 includes a processing tank 60 for collectively processing a plurality of wafers W, and a wafer holding member 61 (substrate holding means) that holds the plurality of wafers W in the processing tank 60 at once. , A chemical solution supply unit 422 (treatment solution supply means) for supplying a chemical solution containing a photoactivation component to the treatment tank 60 and an irradiation unit 4 are provided.
The processing bath 60 can store a chemical solution inside, and can immerse a plurality of wafers W in a batch in the chemical solution stored inside. Further, the wafer holding member 61 is disposed inside the processing tank 60 and can hold a plurality of wafers W in a vertical posture in a lump. The wafer holding member 61 is made of, for example, a plurality of rod-like members, and can support and hold a plurality of locations on the peripheral end surface of each wafer W from below.

薬液供給ユニット４２２は、薬液タンク２６と、薬液供給配管２７と、循環配管２８と、回収配管２９とを備えている。薬液供給配管２７の一端は、薬液タンク２６に連結されており、薬液供給配管２７の他端は、処理槽６０に連結されている。また、回収配管２９の一端は、薬液タンク２６に連結されており、回収配管２９の他端は、処理槽６０に連結されている。回収配管２９には、処理槽６０から薬液タンク２６への薬液の回収および回収停止を切り替えるための回収バルブ６２が介装されている。   The chemical solution supply unit 422 includes a chemical solution tank 26, a chemical solution supply pipe 27, a circulation pipe 28, and a recovery pipe 29. One end of the chemical liquid supply pipe 27 is connected to the chemical liquid tank 26, and the other end of the chemical liquid supply pipe 27 is connected to the processing tank 60. Further, one end of the recovery pipe 29 is connected to the chemical tank 26, and the other end of the recovery pipe 29 is connected to the processing tank 60. The recovery pipe 29 is provided with a recovery valve 62 for switching between recovery and stop of recovery of the chemical liquid from the treatment tank 60 to the chemical liquid tank 26.

照射ユニット４は、たとえば、薬液供給配管２７における供給バルブ３２よりも下流側の位置に介装されている。照射ユニット４の位置は、前述の位置に限らず、図１４において二点鎖線で示すように、循環経路Ｃ１の途中部に設けられていてもよいし、回収配管２９に介装されていてもよい。また、同じく二点鎖線で示すように、光源３５を処理槽６０内に配置して、処理槽６０内に貯留された薬液に光を照射してもよい。   The irradiation unit 4 is interposed, for example, at a position downstream of the supply valve 32 in the chemical solution supply pipe 27. The position of the irradiation unit 4 is not limited to the position described above, and may be provided in the middle of the circulation path C1 as shown by a two-dot chain line in FIG. Good. Similarly, as indicated by a two-dot chain line, the light source 35 may be disposed in the processing tank 60 and the chemical solution stored in the processing tank 60 may be irradiated with light.

この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の第１〜第４実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の第２実施形態では、二流体ノズル４１から吐出された薬液、または二流体ノズル４１内を流通する薬液に光が照射される場合について説明したが、これに限らない。たとえば、二流体ノズル４１内を流通する薬液、および二流体ノズル４１から吐出された薬液の両方に光を照射してもよい。また、二流体ノズル４１内を流通する薬液、および二流体ノズル４１から吐出された薬液の少なくとも一方への光の照射に加えて、二流体ノズル４１に供給される薬液に光を照射してもよい。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the contents of the first to fourth embodiments described above, and various modifications can be made within the scope of the claims. is there. For example, in the above-described second embodiment, the case where the chemical liquid discharged from the two-fluid nozzle 41 or the chemical liquid flowing through the two-fluid nozzle 41 is irradiated with light has been described, but the present invention is not limited to this. For example, light may be applied to both the chemical liquid flowing through the two-fluid nozzle 41 and the chemical liquid discharged from the two-fluid nozzle 41. In addition to irradiating light to at least one of the chemical liquid flowing through the two-fluid nozzle 41 and the chemical liquid discharged from the two-fluid nozzle 41, the chemical liquid supplied to the two-fluid nozzle 41 may be irradiated with light. Good.

同様に、前述の第３実施形態では、ウエハＷ上に保持された薬液に光が照射される場合について説明したが、薬液ノズル５９（図１３参照）に供給される薬液、および薬液ノズル５９内を流通する薬液に光を照射してもよい。
また、前述の第１〜第４実施形態において、ウエハＷに供給される光活性化成分を含む薬液、またはウエハＷ上に保持された光活性化成分を含む薬液を加熱して当該薬液を昇温させてもよい。より具体的には、たとえば、第１実施形態に係る基板処理装置１において、循環経路Ｃ１にヒータを設けて、循環経路Ｃ１を流れる薬液を加熱してもよい。この場合、光活性化成分が温度上昇に伴ってより活性化する場合には、薬液を加熱することによって、より活性度の高い光活性化成分を含む薬液をウエハＷに供給することができる。 Similarly, in the above-described third embodiment, the case where the chemical liquid held on the wafer W is irradiated with light has been described, but the chemical liquid supplied to the chemical liquid nozzle 59 (see FIG. 13) and the chemical liquid nozzle 59 You may irradiate light to the chemical | medical solution which distribute | circulates.
In the first to fourth embodiments described above, the chemical solution containing the photoactivation component supplied to the wafer W or the chemical solution containing the photoactivation component held on the wafer W is heated to raise the chemical solution. It may be warmed. More specifically, for example, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, a heater may be provided in the circulation path C1 to heat the chemical solution flowing through the circulation path C1. In this case, when the photoactivatable component is activated as the temperature rises, the chemical solution containing the photoactive component having higher activity can be supplied to the wafer W by heating the chemical solution.

また、前述の第１〜第４実施形態では、処理対象となる基板としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In the first to fourth embodiments described above, the wafer W is taken up as a substrate to be processed. However, the substrate is not limited to the wafer W, but a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a substrate for an FED, or an optical disc substrate. Other types of substrates such as magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomask substrates may be processed. In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

１ 基板処理装置
４ 照射ユニット（照射手段）
７ スピンチャック（基板保持手段）
９ 遮断板（対向部材）
１４ 処理液吐出口
１５ 気体流通路（不活性ガス供給手段）
１６ 気体バルブ（不活性ガス供給手段）
１７ 気体供給管（不活性ガス供給手段）
１８ 気体吐出口（不活性ガス供給手段）
２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
２６ 薬液タンク（処理液貯留部）
２７ 薬液供給配管（処理液供給配管）
２８ 循環配管
２９ 回収配管
３５ 光源
４１ 二流体ノズル（処理液ノズル）
６１ ウエハ保持部材（基板保持手段）
２０１ 基板処理装置
２０４ 照射ユニット（照射手段）
２２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
３０１ 基板処理装置
３０４ 照射ユニット（照射手段）
３２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
４０１ 基板処理装置
４２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
Ｗ ウエハ（基板） 1 substrate processing apparatus 4 irradiation unit (irradiation means)
7 Spin chuck (substrate holding means)
9 Barrier plate (opposing member)
14 Process liquid discharge port 15 Gas flow passage (inert gas supply means)
16 Gas valve (inert gas supply means)
17 Gas supply pipe (inert gas supply means)
18 Gas outlet (inert gas supply means)
22 Chemical liquid supply unit (Processing liquid supply means)
26 Chemical tank (treatment liquid reservoir)
27 Chemical liquid supply piping (treatment liquid supply piping)
28 Circulating piping 29 Recovery piping 35 Light source 41 Two-fluid nozzle (treatment liquid nozzle)
61 Wafer holding member (substrate holding means)
201 Substrate processing apparatus 204 Irradiation unit (irradiation means)
222 Chemical solution supply unit (treatment solution supply means)
301 Substrate processing apparatus 304 Irradiation unit (irradiation means)
322 Chemical liquid supply unit (processing liquid supply means)
401 Substrate Processing Device 422 Chemical Solution Supply Unit (Processing Solution Supply Unit)
W Wafer (Substrate)

Claims (6)

基板を保持する基板保持手段と、
光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液を前記基板保持手段に保持された基板に供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に供給される前記光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射手段とを含む、基板処理装置。 Substrate holding means for holding the substrate;
Treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid containing a photoactivation component that is activated by irradiating light to the substrate held by the substrate holding means;
A substrate processing apparatus, comprising: an irradiating unit that irradiates light to the processing liquid containing the photoactivation component supplied to the substrate held by the substrate holding unit. 前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管とを含むものであり、
前記照射手段は、前記処理液供給配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１記載の基板処理装置。 The processing liquid supply means includes a processing liquid storage section that stores the processing liquid containing the photoactivation component, and a process for guiding the processing liquid stored in the processing liquid storage section to the substrate held in the substrate holding means. Liquid supply piping,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the irradiating unit irradiates light to the processing liquid flowing through the processing liquid supply pipe. 前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管とを含むものであり、
前記照射手段は、前記処理液貯留部に貯留された処理液に光を照射するものである、請求項１または２記載の基板処理装置。 The processing liquid supply means includes a processing liquid storage section that stores the processing liquid containing the photoactivation component, and a process for guiding the processing liquid stored in the processing liquid storage section to the substrate held in the substrate holding means. Liquid supply piping,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the irradiating unit irradiates light to the processing liquid stored in the processing liquid storage unit. 前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管と、前記処理液貯留部および前記処理液供給配管に連結され、前記処理液貯留部に貯留された処理液を循環させるための循環配管とを含むものであり、
前記照射手段は、前記循環配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The processing liquid supply means includes a processing liquid storage section that stores the processing liquid containing the photoactivation component, and a process for guiding the processing liquid stored in the processing liquid storage section to the substrate held in the substrate holding means. A liquid supply pipe, and a circulation pipe that is connected to the treatment liquid storage section and the treatment liquid supply pipe and circulates the treatment liquid stored in the treatment liquid storage section,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the irradiation unit irradiates light to a processing liquid flowing through the circulation pipe. 前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を吐出する処理液ノズルを含むものであり、
前記照射手段は、前記処理液ノズル内を流通する処理液、または前記処理液ノズルから吐出された処理液に光を照射するものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The processing liquid supply means includes a processing liquid nozzle for discharging a processing liquid containing the photoactivation component,
The substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the irradiating means irradiates light to a processing liquid flowing through the processing liquid nozzle or a processing liquid discharged from the processing liquid nozzle. Processing equipment. 前記基板保持手段は、一枚の基板を保持するものであり、
前記基板保持手段に保持された基板の一方の主面に対向する対向部材と、
前記一方の主面と前記対向部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate holding means is for holding a single substrate,
A facing member facing one main surface of the substrate held by the substrate holding means;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an inert gas supply unit that supplies an inert gas between the one main surface and the opposing member.
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