JP2011060977A - Manufacturing apparatus of semiconductor device and manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing apparatus of a semiconductor device and a manufacturing method which can reduce a replacement frequency of a consumable member. <P>SOLUTION: The manufacturing apparatus of the semiconductor device includes a first storage part for storing an amount of consumption of the consumable member every processing condition of a substrate, a second storage part for storing a working limit and a present amount of consumption of the consumable member every process chamber, a computation part for computing the processable number of substrates every process chamber with reference to the first and second storage part, and an allotment part for instructing a process for the substrates based on the computed processable number every process chamber. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

この発明は、半導体デバイスの製造装置および製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method.

従来の半導体デバイスの製造装置は、製造装置の状態（チャンバ、チャージ位置、モジュール等）に基づいて、該製造装置で処理した場合における半導体デバイスの歩留まりを予測する。そして予測した歩留まりが所定の閾値よりも高い場合に、基板（以下、ウェハと称する）を処理するものがある（特許文献１参照）。   A conventional semiconductor device manufacturing apparatus predicts the yield of semiconductor devices when processed by the manufacturing apparatus based on the state of the manufacturing apparatus (chamber, charge position, module, etc.). In some cases, a substrate (hereinafter referred to as a wafer) is processed when the predicted yield is higher than a predetermined threshold (see Patent Document 1).

特開２００４−０８７６８０号公報JP 2004-087680 A

しかしながら従来の製造装置では、消耗部材の交換については考慮しておらず、消耗部材を使用限度（規格値）まで使用できない。このため、消耗部材の交換回数が多くなり、半導体デバイスの製造コストが増大する。
この発明は、かかる従来の問題を解消するためになされたもので、消耗部材の交換頻度を低減できる半導体デバイスの製造装置および製造方法を提供することを目的とする。 However, the conventional manufacturing apparatus does not consider the replacement of the consumable member, and the consumable member cannot be used up to the use limit (standard value). For this reason, the number of replacement of the consumable member increases, and the manufacturing cost of the semiconductor device increases.
An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus and a manufacturing method capable of reducing the replacement frequency of consumable members.

本発明の一態様に係る半導体デバイスの製造装置は、基板の処理条件毎に消耗部材の消費量が記憶されている第１の記憶部と、消耗部材の使用限度と現在の消費量がプロセスチャンバ毎に記憶されている第２の記憶部と、第１，第２の記憶部を参照して、プロセスチャンバ毎に基板の処理可能枚数を算出する算出部と、算出したプロセスチャンバ毎の処理可能枚数に基づいて、基板の処理を指示する割当部と、を具備する。   A semiconductor device manufacturing apparatus according to an aspect of the present invention includes a first storage unit in which a consumption amount of a consumable member is stored for each substrate processing condition, a use limit of the consumable member, and a current consumption amount in a process chamber. A second storage unit stored for each process, a calculation unit for calculating the number of substrates that can be processed for each process chamber with reference to the first and second storage units, and a process for each calculated process chamber And an assigning unit for instructing processing of the substrate based on the number of sheets.

本発明の一態様に係る半導体デバイスの製造方法は、基板の処理条件毎に消耗部材の消費量が記憶されている第１の記憶部と、消耗部材の使用限度と現在の消費量がプロセスチャンバ毎に記憶されている第２の記憶部とを参照して、プロセスチャンバ毎に基板の処理可能枚数を算出するステップと、算出したプロセスチャンバ毎の処理可能枚数に基づいて、基板の処理を指示するステップと、を具備する。   According to one aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing method including a first storage unit that stores a consumption amount of a consumable member for each substrate processing condition, a use limit of the consumable member, and a current consumption amount of a process chamber. A step of calculating the number of substrates that can be processed for each process chamber with reference to the second storage unit that is stored every time, and instructing the processing of the substrate based on the calculated number of substrates that can be processed for each process chamber And the step of performing.

本発明によれば、消耗部材の交換頻度を低減できる半導体デバイスの製造装置および製造方法を提供できる。   According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor device manufacturing apparatus and a manufacturing method capable of reducing the replacement frequency of consumable members.

第１の実施形態に係るシステムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the system which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る製造装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the manufacturing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る制御装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the control apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る制御装置の機能構成を示す図である。It is a figure which shows the function structure of the control apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１のデータベースのデータを示す図である。It is a figure which shows the data of a 1st database. 第２のデータベースのデータを示す図である。It is a figure which shows the data of a 2nd database. 第１の実施形態に係る製造装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the manufacturing apparatus which concerns on 1st Embodiment.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体デバイスの製造システムの構成を示す図である。第１の実施形態に係る半導体デバイスの製造システムは、複数の製造装置１ａ、１ｂ、１ｃ…（以下、製造装置１と称する）、ＭＥＳ（Manufacturing Execution System）２、管理装置３を具備する。なお、製造装置１には、半導体デバイスの検査装置（例えば、欠陥検出装置、膜厚測定装置など）が含まれる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor device manufacturing system according to the first embodiment. The semiconductor device manufacturing system according to the first embodiment includes a plurality of manufacturing apparatuses 1a, 1b, 1c (hereinafter referred to as manufacturing apparatus 1), a MES (Manufacturing Execution System) 2, and a management apparatus 3. The manufacturing apparatus 1 includes a semiconductor device inspection apparatus (for example, a defect detection apparatus, a film thickness measurement apparatus, etc.).

製造装置1、ＭＥＳ２および管理装置３は、有線または無線のＬＡＮ（Local Area Network）等のネットワークにより接続され互いに情報（データ）を送受信する。通信の方式としては、例えば、ＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials institute）で規定されるＳＥＣＳ（SEMI Equipment Communications Standard）やＧＥＭ３００（Generic Equipment Model for 300mm wafer）等がある。   The manufacturing apparatus 1, the MES 2, and the management apparatus 3 are connected by a network such as a wired or wireless LAN (Local Area Network) and transmit / receive information (data) to / from each other. Examples of communication methods include SECS (SEMI Equipment Communications Standard) defined by SEMI (Semiconductor Equipment and Materials Institute) and GEM 300 (Generic Equipment Model for 300 mm wafer).

製造装置1は、ウェハを加工して半導体デバイスを製造する。製造装置1としては、例えば、洗浄装置、コーター、露光装置（ステッパー）、デベロッパー、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置、ダイシング装置、ボンディング装置等がある。なお、この第１の実施形態では、製造装置１として、同一の処理機能を有するウェハ処理用チャンバを複数備えるクラスタ装置（マルチチャンバ装置）を想定している   The manufacturing apparatus 1 processes a wafer to manufacture a semiconductor device. Examples of the manufacturing apparatus 1 include a cleaning apparatus, a coater, an exposure apparatus (stepper), a developer, a PVD (Physical Vapor Deposition) apparatus, a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, a CMP (Chemical Mechanical Polishing) apparatus, a dicing apparatus, and a bonding apparatus. Etc. In the first embodiment, the manufacturing apparatus 1 is assumed to be a cluster apparatus (multi-chamber apparatus) including a plurality of wafer processing chambers having the same processing function.

洗浄装置は、ウェハに付着した金属や有機物を洗浄する。コーターは、ウェハにフォトレジストを塗布する。露光装置は、露光によりマスクパターンを塗布したレジストへ転写する。デベロッパーは、露光後のレジストを現像する。ＰＶＤ装置およびＣＶＤ装置は、ウェハへ薄膜を形成する。ＣＭＰ装置は、デバイス作成の過程でウェハに形成された凹凸を平坦化する。ダイシング装置は、ウェハ上に形成された半導体デバイスをチップ毎に切り分ける。ボンディング装置は、チップに形成されている電極をリードフレームの電極リードへ接続する。   The cleaning device cleans metal and organic matter adhering to the wafer. The coater applies a photoresist to the wafer. The exposure apparatus transfers the mask pattern to the resist coated by exposure. The developer develops the resist after exposure. The PVD apparatus and the CVD apparatus form a thin film on the wafer. The CMP apparatus flattens the unevenness formed on the wafer in the process of device creation. The dicing apparatus cuts a semiconductor device formed on a wafer for each chip. The bonding apparatus connects the electrode formed on the chip to the electrode lead of the lead frame.

なお、上記製造装置1は、半導体デバイスの製造に使用される装置の一例である。第１の実施形態に係る製造システムで使用される製造装置1は、上に例示した以外にも様々のものが含まれ、製造する半導体デバイスの製品（機種）により使用される製造装置1の種類は異なる。   The manufacturing apparatus 1 is an example of an apparatus used for manufacturing a semiconductor device. The manufacturing apparatus 1 used in the manufacturing system according to the first embodiment includes various devices other than those exemplified above, and the type of the manufacturing apparatus 1 used depending on the product (model) of the semiconductor device to be manufactured. Is different.

ＭＥＳ２は、管理装置３を介して、ロットＩＤ、ロットのウェハ枚数、処理条件（レシピ）、ロットの着工指示などを製造装置１へ送信する。   The MES 2 transmits the lot ID, the number of wafers in the lot, processing conditions (recipe), a lot start instruction, and the like to the manufacturing apparatus 1 via the management apparatus 3.

図２は、第１の実施形態に係る製造装置の構成を示す図である。図２には、製造装置１の具体例としてＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）装置を示した。製造装置１は、大きく分けて、処理装置１０と制御装置２０から構成される。   FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of the manufacturing apparatus according to the first embodiment. FIG. 2 shows a PVD (Physical Vapor Deposition) apparatus as a specific example of the manufacturing apparatus 1. The manufacturing apparatus 1 is roughly composed of a processing device 10 and a control device 20.

処理装置１０は、ＦＩ（Factory Interface）１０１、ＬＬ（Load Lock）１０２ａ，１０２ｂ（以下、単にＬＬ１０２と称する）、搬送チャンバ１０３、処理チャンバ（プロセスチャンバ）１０４ａから１０４ｃ（以下、単に処理チャンバ１０４と称する）を具備する。   The processing apparatus 10 includes FI (Factory Interface) 101, LL (Load Lock) 102a and 102b (hereinafter simply referred to as LL102), a transfer chamber 103, and processing chambers (process chambers) 104a to 104c (hereinafter simply referred to as processing chamber 104). Provided).

ＦＩ１０１は、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard of Mechanical Interface）などの容器に格納された複数枚のウェハ（ロット）をＬＬ１０２へ搬送する。   The FI 101 transports a plurality of wafers (lots) stored in a container such as FOUP (Front Opening Unified Pod) or SMIF (Standard of Mechanical Interface) to the LL 102.

ＬＬ１０２は、搬送チャンバ１０３を大気に開放しないことを目的に設けられた真空室（完全な真空ではない）である。ＬＬ１０２は、それぞれ搬送チャンバ１０３とゲートバルブ（Gate Valve）で仕切られている。ＦＩ１０１から搬送チャンバ１０３へウェハを搬送する場合、ＬＬ１０２内は、大気から真空へと圧力が変化する。搬送チャンバ１０３からＦＩ１０１へウェハを搬送する場合、ＬＬ１０２内は、真空から大気へと圧力が変化する。この第１の実施形態に係る製造装置は、ウェハ搬送のスループットを向上させるため、２つのロードロック（ＬＬ１０２ａ，１０２ｂ）を具備する。   The LL 102 is a vacuum chamber (not a complete vacuum) provided for the purpose of preventing the transfer chamber 103 from being opened to the atmosphere. Each of the LLs 102 is partitioned by a transfer chamber 103 and a gate valve. When the wafer is transferred from the FI 101 to the transfer chamber 103, the pressure in the LL 102 changes from the atmosphere to the vacuum. When the wafer is transferred from the transfer chamber 103 to the FI 101, the pressure in the LL 102 changes from vacuum to the atmosphere. The manufacturing apparatus according to the first embodiment includes two load locks (LLs 102a and 102b) in order to improve the wafer transfer throughput.

搬送チャンバ１０３は、内部が真空に保持される。搬送チャンバ１０３は、内部にウェハ搬送ロボット（図示せず）を備える。ウェハ搬送ロボットは、ＬＬ１０２および処理チャンバ１０４の間でウェハを搬送する。   The inside of the transfer chamber 103 is held in a vacuum. The transfer chamber 103 includes a wafer transfer robot (not shown) inside. The wafer transfer robot transfers the wafer between the LL 102 and the processing chamber 104.

処理チャンバ１０４は、ウェハ上に金属薄膜（例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕなど）を形成する。処理されたウェハは、搬送チャンバ１０３の搬送ロボットにより、ＬＬ１０２へ搬送される。   The processing chamber 104 forms a metal thin film (eg, Ti, Al, Cu, etc.) on the wafer. The processed wafer is transferred to the LL 102 by the transfer robot in the transfer chamber 103.

搬送チャンバ１０３に、プリヒートチャンバやプリクリーンチャンバ、クールダウンチャンバ等を具備しても良い。プリヒートチャンバは、処理チャンバ１０４で金属薄膜を形成する前のウェハを予熱する。プリクリーンチャンバは、ウェハの表面上に形成される自然酸化膜を除去する。クールダウンチャンバは、処理チャンバ１０４で処理されたウェハを冷却する。   The transfer chamber 103 may include a preheat chamber, a preclean chamber, a cool down chamber, and the like. The preheating chamber preheats the wafer before forming the metal thin film in the processing chamber 104. The pre-clean chamber removes a natural oxide film formed on the surface of the wafer. The cool down chamber cools the wafer processed in the processing chamber 104.

図３は、制御装置２０の構成を示す図である。制御装置２０は、管理装置３を介してＭＥＳ２から送信されるデータ（ロットＩＤ、ロットのウェハ枚数、処理条件（レシピ）、ロットの着工指示など）に基づき、処理装置１０を制御してロットを処理する。制御装置２０は、ロット処理の不可、製造装置１でのロットの処理状況等を、管理装置３を介してＭＥＳ２へ送信する。制御装置２０は、本体部２１、モニタ２２、入力部２３を具備する。本体部２１は、ＰＣ（Personal Computer）やＣＰＣＩ（Compact PCI:登録商標）などで構成される。   FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of the control device 20. The control device 20 controls the processing device 10 based on data (lot ID, number of wafers in lot, processing condition (recipe), lot start instruction, etc.) transmitted from the MES 2 via the management device 3 to select a lot. To process. The control device 20 transmits the lot processing impossibility and the lot processing status in the manufacturing device 1 to the MES 2 via the management device 3. The control device 20 includes a main body unit 21, a monitor 22, and an input unit 23. The main unit 21 is configured by a PC (Personal Computer), a CPCI (Compact PCI: registered trademark), or the like.

本体部２１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２０１、ＲＯＭ（Read Only Memory）２０２、ＲＡＭ（Random Access Memory）２０３、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）２０４、ユーザＩ／Ｆ２０５、Ｉ／Ｆ２０６を具備する。ＣＰＵ２０１は、制御装置１全体を制御する。ＲＯＭ２０２は、ＣＰＵ２０１の動作コードを格納する。ＲＡＭ２０３は、ＣＰＵ２０１の動作時に使用される作業領域である。ＨＤＤ２０４は、ＣＰＵ２０１の動作プログラム、レシピ（ガス圧、温度、圧力等のウェハ処理の条件）等を記憶する。ユーザＩ／Ｆ２０５は、入力部２３からの入力情報を受け付けるインターフェースである。Ｉ／Ｆ２０６は、ＭＥＳ２や管理装置３との間でデータを送受信するインターフェースである。モニタ２２は、製造装置１におけるロットの処理状態を表示する。入力部２３は、キーボードやマウス等の入力用デバイスである。入力部２３は、ユーザがマニュアルで製造装置１を操作する場合（例えば、消耗部材の交換や定期メンテナンス等）に使用される。   The main unit 21 includes a CPU (Central Processing Unit) 201, a ROM (Read Only Memory) 202, a RAM (Random Access Memory) 203, a HDD (Hard Disk Drive) 204, a user I / F 205, and an I / F 206. The CPU 201 controls the entire control device 1. The ROM 202 stores the operation code of the CPU 201. A RAM 203 is a work area used when the CPU 201 operates. The HDD 204 stores an operation program of the CPU 201, a recipe (wafer processing conditions such as gas pressure, temperature, and pressure) and the like. The user I / F 205 is an interface that accepts input information from the input unit 23. The I / F 206 is an interface that transmits and receives data to and from the MES 2 and the management apparatus 3. The monitor 22 displays the lot processing state in the manufacturing apparatus 1. The input unit 23 is an input device such as a keyboard or a mouse. The input unit 23 is used when the user manually operates the manufacturing apparatus 1 (for example, replacement of a consumable member or periodic maintenance).

図４は、第１の実施形態に係る制御装置２０の機能構成を示す図である。
制御装置２０は、第１のＤＢ（Database）３０１（第１の記憶部）、第２のＤＢ３０２（第２の記憶部）、算出部３０３、比較部３０４、ディスパッチ部３０５（割当部）、制御部３０６、更新部３０７、受信部３０８、送信部３０９を具備する。なお、ＣＰＵ２０１が、ＲＯＭ２０２の動作コードやＨＤＤ２０４に記憶されているプログラムをＲＡＭ２０３にロードして実行することにより、図４に示した機能が実現される。 FIG. 4 is a diagram illustrating a functional configuration of the control device 20 according to the first embodiment.
The control device 20 includes a first DB (Database) 301 (first storage unit), a second DB 302 (second storage unit), a calculation unit 303, a comparison unit 304, a dispatch unit 305 (allocation unit), a control 306, the update part 307, the receiving part 308, and the transmission part 309 are comprised. Note that the CPU 201 loads the operation code of the ROM 202 and the program stored in the HDD 204 to the RAM 203 and executes them, thereby realizing the functions shown in FIG.

図５は、第１のＤＢ３０１に記憶されているデータを示す図である。第１のＤＢ３０１には、処理チャンバ１０４でウェハを処理した場合に使用される消耗部材の消費量が、レシピ毎に記憶されている。処理チャンバ１０４で使用される消耗部材には、各々固有のＩＤが割り当てられる。ＰＶＤ装置であれば、例えば、ターゲットやＡｒ（アルゴン）などが消耗部材に該当する。また、コーターであれば、例えば、レジストが消耗部材に該当する。   FIG. 5 is a diagram illustrating data stored in the first DB 301. In the first DB 301, the consumption amount of the consumable member used when the wafer is processed in the processing chamber 104 is stored for each recipe. Each consumable member used in the processing chamber 104 is assigned a unique ID. In the case of a PVD apparatus, for example, a target, Ar (argon), or the like corresponds to the consumable member. In the case of a coater, for example, a resist corresponds to the consumable member.

図６は、第２のＤＢ３０２に記憶されているデータを示す図である。第２のＤＢ３０２には、消耗部材の使用限度（規格値）と現在の消費量（現在値）が、処理チャンバ１０４毎に記憶されている。なお、消耗部材には、洗浄等により再生可能なものがある（消耗部材Ａ）。再生可能な消耗部材に関しては、洗浄毎の使用限度（規格値）と消費量（現在値）に加えて、消耗部材自身の寿命である累積使用限度（累積規格値）と現在までの累積消費量（累積現在値）が記憶される。   FIG. 6 is a diagram illustrating data stored in the second DB 302. In the second DB 302, the use limit (standard value) of the consumable member and the current consumption (current value) are stored for each processing chamber 104. Some consumable members can be regenerated by cleaning or the like (consumable member A). For recyclable consumables, in addition to the usage limit (standard value) and consumption (current value) for each cleaning, the cumulative use limit (cumulative standard value), which is the life of the consumable material itself, and the cumulative consumption to date (Cumulative current value) is stored.

算出部３０３は、ＭＥＳ２から送信されるレシピ（処理条件）に基づいて、ウェハを処理した場合に必要な消耗部材の量を算出する。算出部３０３は、処理チャンバ１０４毎に必要な消耗部材の量を算出する。具体的には、算出部３０３は、ＭＥＳ２から送信されるレシピで消費される各消耗部材の量を第１のＤＢ３０１を参照して取得する。算出部３０５は、（１）式に基づいて消耗部材毎に処理可能なウェハの枚数Ｍを算出する。   The calculation unit 303 calculates the amount of consumable members required when a wafer is processed based on a recipe (processing condition) transmitted from the MES 2. The calculation unit 303 calculates the amount of consumable member required for each processing chamber 104. Specifically, the calculation unit 303 acquires the amount of each consumable member consumed by the recipe transmitted from the MES 2 with reference to the first DB 301. The calculation unit 305 calculates the number M of wafers that can be processed for each consumable member based on the equation (1).

Ｍ＝（Ｒ−Ｐ）／Ｓ・・・（１）
Ｍ：処理可能なウェハの枚数。
Ｒ：使用限度（規格値）。
Ｐ：現在値。
Ｓ：消費量。 M = (RP) / S (1)
M: Number of wafers that can be processed.
R: Use limit (standard value).
P: Current value.
S: Consumption.

次に、算出部３０３は、消耗部材毎に算出した枚数Ｍのうち最も小さな値のＭｍｉｎを処理チャンバ１０４毎に抽出する。算出部３０３は、処理チャンバ１０４毎に抽出したＭｍｉｎの値を加算して、製造装置１で処理可能なウェハ枚数Ｍ１を算出する。 Next, the calculation unit 303 extracts the smallest value M min out of the number M calculated for each consumable member for each processing chamber 104. The calculation unit 303 adds the value of M min extracted for each processing chamber 104 to calculate the number of wafers M 1 that can be processed by the manufacturing apparatus 1.

比較部３０４は、ＭＥＳ２から送信されるロットのウェハ枚数Ｍ２と算出部３０３が算出した製造装置１で処理可能なウェハ枚数を比較する。 The comparison unit 304 compares the number of wafers M2 of the lot transmitted from the MES 2 with the number of wafers that can be processed by the manufacturing apparatus 1 calculated by the calculation unit 303.

ディスパッチ部３０５は、比較部３０４での比較結果に基づいて、ロットを処理するかどうかを決定する。具体的には、Ｍ２の値がＭ１の値よりも大きい（多い）場合、ディスパッチ部３０５は、ロットの処理をキャンセルする。この場合、送信部３０９からは、ＭＥＳ２へロットのキャンセル情報が送信される。ＭＥＳ２は、製造装置１からロットのキャンセル情報を受信すると、キャンセルされたロットの処理を他の製造装置１へ割り当てる。 The dispatch unit 305 determines whether to process the lot based on the comparison result in the comparison unit 304. Specifically, the value of M 2 is greater than the value of M 1 (often), the dispatch unit 305 cancels the processing of the lot. In this case, from the transmission unit 309, lot cancellation information is transmitted to the MES2. When the MES 2 receives the lot cancellation information from the manufacturing apparatus 1, the MES 2 assigns the canceled lot processing to another manufacturing apparatus 1.

Ｍ２の値がＭ１の値以下の場合、ディスパッチ部３０５は、各処理チャンバ１０４へロットを構成するウェハを割り当てる（ディスパッチする）。この際、ディスパッチ部３０５は、処理チャンバ１０４毎に抽出したＭｍｉｎの値を超えないように各処理チャンバ１０４へロットを構成するウェハを割り当てる。制御部３０６は、処理装置１０を制御して、ロットを構成するウェハをディスパッチ部３０５で割り当てられた処理チャンバ１０４で処理する。 When the value of M 2 is equal to or smaller than the value of M 1 , the dispatch unit 305 assigns (dispatches) a wafer constituting a lot to each processing chamber 104. At this time, the dispatch unit 305 assigns wafers constituting a lot to each processing chamber 104 so as not to exceed the value of M min extracted for each processing chamber 104. The control unit 306 controls the processing apparatus 10 to process the wafers constituting the lot in the processing chamber 104 assigned by the dispatch unit 305.

更新部３０７は、ロット処理後、該ロットの処理で消費した各消耗部材の量を処理チャンバ１０４毎に算出する。また、ロット処理以外の装置性能の維持に必要なＱＣ、メンテナンス、トラブル対応の各作業で消費した消耗部材の量を処理チャンバ１０４毎に算出する。更新部３０７は、算出した各処理チャンバ１０４の各消耗部材の量に基づいて第２のＤＢ３０２を更新する。具体的には、更新部３０７は、算出した各消耗部材の使用量を、ＤＢ３０２に記憶されている消耗部材の現在値に加算する。   After the lot processing, the update unit 307 calculates the amount of each consumable member consumed in the processing of the lot for each processing chamber 104. In addition, the amount of consumable members consumed in QC, maintenance, and trouble handling operations necessary for maintaining apparatus performance other than lot processing is calculated for each processing chamber 104. The update unit 307 updates the second DB 302 based on the calculated amount of each consumable member of each processing chamber 104. Specifically, the update unit 307 adds the calculated usage amount of each consumable member to the current value of the consumable member stored in the DB 302.

受信部３０８は、管理装置３を介してＭＥＳ２から送信されるロットの処理条件等のデータを受信する。送信部３０９は、ロット処理の不可、製造装置１でのロットの処理状況等を、管理装置３を介してＭＥＳ２へ送信する。   The receiving unit 308 receives data such as lot processing conditions transmitted from the MES 2 via the management apparatus 3. The transmission unit 309 transmits the lot processing impossibility, the lot processing status in the manufacturing apparatus 1, and the like to the MES 2 via the management apparatus 3.

図７は、第１の実施形態に係る製造装置１の動作を示したフローチャートである。以下、図７を参照して第１の実施形態に係る製造装置１の動作について説明する。   FIG. 7 is a flowchart showing the operation of the manufacturing apparatus 1 according to the first embodiment. Hereinafter, the operation of the manufacturing apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG.

受信部３０８は、ＭＥＳから送信されるロットの着工指示を受信する（ステップＳ１０１）。   The receiving unit 308 receives the lot start instruction transmitted from the MES (step S101).

算出部３０３は、ＭＥＳ２から送信されるレシピ（処理条件）に基づいて、ウェハを処理した場合に必要な消耗部材の量を算出し、製造装置１で処理可能なウェハ枚数Ｍ１を算出する（ステップＳ１０２）。 Based on the recipe (processing conditions) transmitted from the MES 2, the calculation unit 303 calculates the amount of consumable members required when processing the wafer, and calculates the number of wafers M 1 that can be processed by the manufacturing apparatus 1 ( Step S102).

比較部３０４は、ＭＥＳ２から送信されるロットのウェハ枚数Ｍ２と算出部３０３が算出した製造装置１で処理可能なウェハ枚数Ｍ１を比較する（ステップＳ１０３）。 Comparing unit 304 compares the number of wafers M 2 a calculating unit 303 the number of wafers M 1 can be processed by the calculated production apparatus 1 of the lot to be transmitted from the MES2 (step S103).

Ｍ２の値がＭ１の値以下の場合（ステップＳ１０３のＹｅｓ）、ディスパッチ部３０５は、ロットを構成するウェハを各処理チャンバ１０４へ割り当てる（ステップＳ１０４）。この際、ディスパッチ部３０５は、処理チャンバ１０４毎に抽出したＭｍｉｎの値を超えないように各処理チャンバ１０４へロットを構成するウェハを割り当てる。 If the value of M 2 is less than or equal to the value of M 1 (Yes in step S103), the dispatch unit 305 allocates the wafer constituting a lot to the process chamber 104 (step S104). At this time, the dispatch unit 305 assigns wafers constituting a lot to each processing chamber 104 so as not to exceed the value of M min extracted for each processing chamber 104.

制御部３０６は、処理装置１０を制御して、ロットを構成するウェハをディスパッチ部３０５で割り当てられた処理チャンバ１０４で処理する（ステップＳ１０５）。   The control unit 306 controls the processing apparatus 10 to process the wafers constituting the lot in the processing chamber 104 assigned by the dispatch unit 305 (step S105).

更新部３０７は、ロット処理後、該ロットの処理で消費した各消耗部材の量を処理チャンバ１０４毎に算出する。更新部３０７は、算出した各処理チャンバ１０４の各消耗部材の量に基づいて第２のＤＢ３０２を更新する（ステップＳ１０６）。   After the lot processing, the update unit 307 calculates the amount of each consumable member consumed in the processing of the lot for each processing chamber 104. The update unit 307 updates the second DB 302 based on the calculated amount of each consumable member of each processing chamber 104 (step S106).

Ｍ２の値がＭ１の値よりも大きい（多い）場合（ステップＳ１０３のＮｏ）、ディスパッチ部３０５は、ロットの処理をキャンセルする（ステップＳ１０７）。 The value of M 2 is greater than the value of M 1 (large) if (No in step S103), the dispatch unit 305 cancels the processing of the lot (step S107).

以上のように、第１の実施形態に係る製造装置１は、ロットの着工前に、該ロットの処理に必要な消耗部材の量を算出し、製造装置で処理可能かどうかを判定する。処理不可である場合は、該ロットの処理をキャンセルする。また、処理可能である場合は、各処理チャンバ１０４の処理可能枚数を超えない範囲でウェハを各処理チャンバ１０４へ割り当てる。このため、消耗部材の交換頻度を低減できる。その結果、半導体デバイスの製造コストを抑制できる。また、処理不可である場合は、処理可能枚数だけを処理せずに、ロット全体をキャンセルする。つまり、一つのロットのある工程を複数の製造装置１で処理することがない。このため、製造した半導体デバイスに不具合があった場合に、不具合解析が複雑となるのを抑制できる。   As described above, the manufacturing apparatus 1 according to the first embodiment calculates the amount of consumable members necessary for processing a lot before starting the lot and determines whether the manufacturing apparatus can process the lot. If the processing is impossible, the processing of the lot is canceled. If processing is possible, a wafer is allocated to each processing chamber 104 within a range that does not exceed the number of processing chambers 104 that can be processed. For this reason, the replacement frequency of a consumable member can be reduced. As a result, the manufacturing cost of the semiconductor device can be suppressed. If processing is not possible, the entire lot is canceled without processing only the processable number of sheets. That is, a process with one lot is not processed by a plurality of manufacturing apparatuses 1. For this reason, when there is a defect in the manufactured semiconductor device, it is possible to prevent the defect analysis from becoming complicated.

（その他の実施形態）
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば、第１の実施形態では、製造装置１がロットの処理が可能かどうかを判定したが、この判定をＭＥＳ２が行うようにしてもよい。この場合、各製造装置に対応して第１のＤＢ３０１、第２のＤＢ３０２、算出部３０３、判定部３０４、ディスパッチ部３０５をＭＥＳ２に具備し、ロットの処理が可能かどうかを判定する。 (Other embodiments)
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. For example, in the first embodiment, the manufacturing apparatus 1 determines whether the lot can be processed. However, the MES 2 may perform this determination. In this case, the MES 2 includes the first DB 301, the second DB 302, the calculation unit 303, the determination unit 304, and the dispatch unit 305 corresponding to each manufacturing apparatus, and determines whether or not lot processing is possible.

また、第１の実施形態では、消耗部材の交換回数を低減する実施形態について説明したが、例えば、メンテナンス回数を低減することもできる。この場合、消耗部材の使用限度（規格値）と現在の消費量（現在値）に代えて、次回メンテナンスまでに処理可能なウェハ枚数と、現在の処理枚数を処理チャンバ毎に第２のＤＢ３０２に記憶しておけばよい。   Moreover, although 1st Embodiment demonstrated embodiment which reduces the frequency | count of replacement of a consumable member, the frequency | count of maintenance can also be reduced, for example. In this case, instead of the consumable member usage limit (standard value) and the current consumption (current value), the number of wafers that can be processed until the next maintenance and the current number of processing are stored in the second DB 302 for each processing chamber. Just remember.

１…製造装置、２…ＭＥＳ、３…管理装置、１０…処理装置、２０…制御装置、２１…本体部、２２…モニタ、２３…入力部、１０１…ＦＩ（Factory Interface）、１０２…ＬＬ（Load Lock）、１０３…搬送チャンバ、１０４…処理チャンバ（プロセスチャンバ）、２０１…ＣＰＵ、２０２…ＲＯＭ、２０３…ＲＡＭ、２０４…ＨＤＤ、２０５…ユーザＩ／Ｆ、２０６…Ｉ／Ｆ、３０１…第１のＤＢ（第１の記憶部）、３０２…第２のＤＢ（第２の記憶部）、３０３…算出部、３０４…判定部、３０５…ディスパッチ部（割当部）、３０６…制御部、３０７…更新部、３０８…受信部、３０９…送信部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Manufacturing apparatus, 2 ... MES, 3 ... Management apparatus, 10 ... Processing apparatus, 20 ... Control apparatus, 21 ... Main-body part, 22 ... Monitor, 23 ... Input part, 101 ... FI (Factory Interface), 102 ... LL ( Load Lock), 103 ... Transfer chamber, 104 ... Processing chamber (process chamber), 201 ... CPU, 202 ... ROM, 203 ... RAM, 204 ... HDD, 205 ... User I / F, 206 ... I / F, 301 ... No. 1 DB (first storage unit), 302 ... second DB (second storage unit), 303 ... calculation unit, 304 ... determination unit, 305 ... dispatch unit (allocation unit), 306 ... control unit, 307 ... updater, 308 ... receiver, 309 ... transmitter.

Claims (4)

プロセスチャンバを複数備えた半導体デバイスの製造装置であって、
基板の処理条件毎に消耗部材の消費量が記憶されている第１の記憶部と、
前記消耗部材の使用限度と現在の消費量が前記プロセスチャンバ毎に記憶されている第２の記憶部と、
前記第１，第２の記憶部を参照して、前記プロセスチャンバ毎に基板の処理可能枚数を算出する算出部と、
前記算出した前記プロセスチャンバ毎の処理可能枚数に基づいて、前記基板の処理を前記プロセスチャンバへ割り当てる割当部と、
を具備することを特徴とする半導体デバイスの製造装置。 A semiconductor device manufacturing apparatus including a plurality of process chambers,
A first storage unit storing consumption of consumable members for each substrate processing condition;
A second storage unit in which a use limit of the consumable member and a current consumption amount are stored for each process chamber;
A calculation unit that refers to the first and second storage units and calculates the number of substrates that can be processed for each process chamber;
An allocating unit for allocating the processing of the substrate to the process chamber based on the calculated number of processable sheets for each of the process chambers;
An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: 前記割当部は、前記算出した前記プロセスチャンバ毎の処理可能枚数を超えないように、前記基板の処理を前記プロセスチャンバへ割り当てることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造装置。   The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the assigning unit assigns the processing of the substrate to the process chamber so as not to exceed the calculated number of processable sheets for each of the process chambers. 前記基板処理後、消費した各消耗部材の消費量を前記プロセスチャンバ毎に算出し、該算出した各消耗部材の消費量に基づいて前記第２の記憶部を更新する更新部をさらに具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体デバイスの製造装置。   After the substrate processing, it further includes an updating unit that calculates a consumption amount of each consumable member consumed for each process chamber and updates the second storage unit based on the calculated consumption amount of each consumable member. The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein: プロセスチャンバを複数備えた製造装置を用いた半導体デバイスの製造方法であって、
基板の処理条件毎に消耗部材の消費量が記憶されている第１の記憶部と、前記消耗部材の使用限度と現在の消費量が前記プロセスチャンバ毎に記憶されている第２の記憶部とを参照して、前記プロセスチャンバ毎に基板の処理可能枚数を算出するステップと、
前記算出した前記プロセスチャンバ毎の処理可能枚数に基づいて、前記基板の処理を指示するステップと、
を具備することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device using a manufacturing apparatus having a plurality of process chambers,
A first storage unit that stores a consumption amount of the consumable member for each substrate processing condition; a second storage unit that stores a use limit of the consumable member and a current consumption amount for each process chamber; With reference to the step of calculating the number of substrates that can be processed for each process chamber;
Instructing the processing of the substrate based on the calculated number of processable sheets for each process chamber;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
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