JP2011060876A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 第1の電圧を供給する第1の電源と、前記第1の電圧よりも低い第2の電圧を供給する第2の電源と、前記第1の電圧と前記第2の電圧との間の第3の電圧を供給する第3の電源とに基づき動作する半導体装置であって、
前記第2の電圧から前記第1の電圧に至る振幅を有する信号がゲートに入力されるトランジスタを少なくとも1つ含み、前記第2の電圧から前記第1の電圧に至る振幅を有する第1の出力信号を出力する出力回路と、
入力信号に基づき前記出力回路に含まれるトランジスタのゲートの電圧を制御する第1の制御信号と、前記トランジスタのバックゲート領域の電圧を制御する第2の制御信号と、前記バックゲート領域と半導体基板領域とを絶縁するディープウェル領域の電圧を制御する第3の制御信号と、を生成する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記第1の制御信号と前記第2の制御信号との電圧差を前記第1の電圧と前記第3の電圧との電圧差及び前記第2の電圧と前記第3の電圧との電圧差のうち大きな電圧差以下とする半導体装置。
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