JP2011058063A - Mask cleaning apparatus for organic el, apparatus for manufacturing organic el display, organic el display, and mask cleaning method for organic el - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To clean vapor deposition substances sticking on a tapered surface formed in an opening part of a mask for organic EL with a high degree of cleaning. <P>SOLUTION: A mask cleaning apparatus for organic EL is used for performing cleaning of a mask 1 for organic EL, which has a plurality of opening parts 3 each having tapered surfaces 5A to 5D. The mask cleaning apparatus includes: a first laser optical system 17 for making a first laser L1 incident on adjacent two tapered surfaces of four tapered surfaces 5A to 5D formed in each opening part 3 from an opposite side across the diagonal line D1 of the opening part 3 and scanning the first laser light L1 in an oblique direction of the opening part 3; and a first laser moving part 24A for relatively moving the mask 1 for organic EL and the first optical laser system 17A so that the first laser L1 is made incident from an opposite side of the two tapered surfaces across the diagonal line D1. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、レーザを走査して有機ＥＬ用マスクのクリーニングを行う有機ＥＬ用マスククリーニング装置、有機ＥＬディスプレイの製造装置、有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ用マスククリーニング方法に関するものである。   The present invention relates to an organic EL mask cleaning apparatus, an organic EL display manufacturing apparatus, an organic EL display, and an organic EL mask cleaning method that perform cleaning of an organic EL mask by scanning a laser.

有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイは、バックライトを必要としない低消費電力・軽量薄型の画像表示装置として多く利用されている。その構造としては、透明性のガラス基板上に有機ＥＬ薄膜層を積層しており、有機ＥＬ薄膜層は発光層を陽極層と陰極層とにより挟み込む構造を採用している。発光層はガラス基板上に有機材料を蒸着させて薄膜として形成するものが多く用いられており、ディスプレイを構成する各画素の領域を３分割してＲＧＢの３色の有機材料を蒸着させている。従って、各画素の３つの領域に異なる色の有機材料（有機色素材料）を蒸着させるために多数の開口部を形成した有機ＥＬ用マスク（シャドーマスク）を用いて蒸着を行う。この有機ＥＬ用マスクを画素ピッチ分ずつずらしながら、各色の蒸着物質を蒸着させていくことにより、発光層の蒸着プロセスが完了する。   2. Description of the Related Art Organic EL (Electro Luminescence) displays are widely used as low power consumption, lightweight, and thin image display devices that do not require a backlight. As the structure, an organic EL thin film layer is laminated on a transparent glass substrate, and the organic EL thin film layer adopts a structure in which a light emitting layer is sandwiched between an anode layer and a cathode layer. The light emitting layer is often formed as a thin film by vapor-depositing an organic material on a glass substrate, and each pixel region constituting the display is divided into three to deposit organic materials of three colors of RGB. . Therefore, vapor deposition is performed using an organic EL mask (shadow mask) in which a large number of openings are formed in order to deposit different color organic materials (organic dye materials) in the three regions of each pixel. The deposition process of the light emitting layer is completed by depositing each color deposition material while shifting the organic EL mask by the pixel pitch.

蒸着プロセスを行うときには、ガラス基板だけではなく有機ＥＬ用マスクにも有機材料が付着する。有機ＥＬ用マスクは１つの蒸着プロセスだけに使用されるのではなく繰り返し使用されることから、次の蒸着プロセスを行うときに有機ＥＬ用マスクに蒸着物質が付着していると、新たなガラス基板に蒸着物質が転写して汚損させる。また、有機ＥＬ用マスクに多数形成した開口部のエッジ部分にも有機材料が蒸着して、開口部の面積を部分的にまたは全面的に閉塞させる。開口部の全部を塞いだ場合はもちろん、部分的に塞ぐことにより開口面積に変化が生じただけでも、当該有機ＥＬ用マスクを用いた場合の蒸着精度は著しく低下し、また使用に耐え得るものではなくなる。従って、有機ＥＬ用マスクを定期的に（好ましくは、１つの蒸着プロセスを完了した後に）クリーニングして、蒸着物質の除去を行っている。   When performing the vapor deposition process, the organic material adheres not only to the glass substrate but also to the organic EL mask. Since the mask for organic EL is not used only for one vapor deposition process but is used repeatedly, if a vapor deposition material adheres to the mask for organic EL when performing the next vapor deposition process, a new glass substrate will be used. Vapor deposition material is transferred and contaminated. In addition, an organic material is deposited on edge portions of the openings formed in the organic EL mask so that the area of the openings is partially or entirely blocked. Of course, if the entire area of the opening is blocked, or even if the area of the opening changes due to partial blocking, the deposition accuracy when using the organic EL mask is significantly reduced and it can be used. Is not. Therefore, the organic EL mask is periodically cleaned (preferably after completion of one vapor deposition process) to remove the vapor deposition material.

有機ＥＬ用マスクのクリーニングとしては、界面活性剤等を用いたウェットクリーニングが主に行われている。ウェットクリーニングは有機ＥＬ用マスクに対して液体を供給して行うクリーニングである。しかし、クリーニングされる有機ＥＬ用マスクはミクロンオーダー（数十ミクロン程度）の極薄の金属板であり、ウェットクリーニング時に液圧が作用することにより歪みや変形等の大きなダメージが有機ＥＬ用マスクに与えられる。また、界面活性剤等の薬液を用いてウェットクリーニングを行うと、薬液供給機構および使用済みの薬液（排液）を処理する排液処理機構を要するため機構が複雑化し、また排液による環境汚染の問題もある。   As cleaning of the organic EL mask, wet cleaning using a surfactant or the like is mainly performed. Wet cleaning is cleaning performed by supplying a liquid to the organic EL mask. However, the organic EL mask to be cleaned is an ultrathin metal plate on the order of microns (several tens of microns), and a large amount of damage such as distortion or deformation is caused to the organic EL mask by the action of liquid pressure during wet cleaning. Given. In addition, when wet cleaning is performed using chemicals such as surfactants, a chemical solution supply mechanism and a drainage treatment mechanism for processing used chemicals (drainage) are required, which complicates the mechanism and causes environmental pollution due to drainage. There is also a problem.

一方、ウェットクリーニングの薬液を用いないクリーニングとして、有機ＥＬ用マスクに対してレーザを照射して行うクリーニング（レーザクリーニング）に関する技術が特許文献１に開示されている。金属素材の有機ＥＬ用マスクにレーザを照射することにより、有機ＥＬ用マスクと有機材料との間に剥離力を作用させている。特許文献１の技術は、この剥離力により有機ＥＬ用マスクから有機材料を除去してクリーニングを行うものである。そして、有機ＥＬ用マスクには粘着性のフィルムを貼り付けており、剥離した有機材料を粘着フィルムに転写させることで、クリーニングプロセスを行っている。   On the other hand, Patent Document 1 discloses a technique relating to cleaning (laser cleaning) performed by irradiating a laser to an organic EL mask as cleaning without using a chemical solution for wet cleaning. By irradiating a metal organic EL mask with a laser, a peeling force is applied between the organic EL mask and the organic material. The technique of Patent Document 1 is to perform cleaning by removing the organic material from the organic EL mask by this peeling force. And the adhesive film is affixed on the mask for organic EL, and the cleaning process is performed by transferring the peeled organic material to an adhesive film.

特開２００６−１６９５７３号公報JP 2006-169573 A

有機ＥＬ用マスクに形成される開口部は、有機ＥＬ用マスクを厚み方向に貫通して形成されるが、開口部の側面にはテーパ面が形成されることがある。例えば、エッチングにより有機ＥＬ用マスクの開口部を形成する場合には、金属を徐々に除去することにより開口部を形成するため、開口部の側面はストレートに貫通されずにテーパ面が形成される。そして、有機ＥＬ用マスクの開口部の形状は矩形になっていることから、開口部には４つのテーパ面が額縁状になって形成される。各テーパ面は有機ＥＬ用マスクの表面に対して傾斜していることはもとより、各テーパ面の傾斜角もそれぞれ異なるものになる（つまり、各テーパ面の法線方向がそれぞれ異なっている）。   The opening formed in the organic EL mask is formed so as to penetrate the organic EL mask in the thickness direction, but a tapered surface may be formed on the side surface of the opening. For example, when the opening of the organic EL mask is formed by etching, the opening is formed by gradually removing the metal. Therefore, the side surface of the opening is not penetrated straight and a tapered surface is formed. . Since the shape of the opening of the organic EL mask is rectangular, four tapered surfaces are formed in a frame shape in the opening. Each taper surface is not only inclined with respect to the surface of the organic EL mask, but also the inclination angle of each taper surface is different (that is, the normal direction of each taper surface is different).

前述した特許文献１の技術のように、レーザを有機ＥＬ用マスクの表面に照射してクリーニングを行う場合には、レーザを照射する面に対して深い角度で入射させることが望ましい。深い角度、特に９０°の角度で入射させることにより、照射される面に集光されるレーザのスポットは円形になり、有機ＥＬ用マスクの面に対して作用するパワー密度が均一になる。これにより、照射された部位によって作用するエネルギーにばらつきを生じることなく、高い洗浄度のクリーニングを行うことができる。一方、照射する面に対して浅い角度でレーザが入射すると、レーザのスポットは短径と長径との差が大きな楕円形になり、有機ＥＬ用マスクに対して作用するパワー密度が不均一になる。その結果、部位によってエネルギーにばらつきを生じるため、洗浄度が低いものとなる。   In the case where cleaning is performed by irradiating the surface of the organic EL mask with a laser as in the technique of Patent Document 1 described above, it is desirable that the laser is incident at a deep angle with respect to the laser irradiation surface. By making the light incident at a deep angle, particularly 90 °, the laser spot focused on the irradiated surface becomes circular, and the power density acting on the surface of the organic EL mask becomes uniform. Accordingly, cleaning with a high degree of cleaning can be performed without causing variations in energy acting on the irradiated portion. On the other hand, when the laser is incident at a shallow angle with respect to the irradiation surface, the laser spot becomes an ellipse having a large difference between the minor axis and the major axis, and the power density acting on the organic EL mask becomes non-uniform. . As a result, energy varies from site to site, resulting in a low degree of cleaning.

従って、面に対して深い角度でレーザを照射させることが望ましく、面の法線方向からレーザを照射することが最も望ましい。ただし、開口部にテーパ面が形成されている場合には、各テーパ面で法線方向が異なっており、有機ＥＬ用マスクに対して単にレーザを１方向から入射させただけでは、テーパ面によって洗浄度に大きな差を生じる。テーパ面も有機ＥＬ用マスクの一部を構成しており、当該テーパ面に蒸着物質が残存したままの場合には、新たなガラス基板に対する蒸着時に、残存している蒸着物質が転写して汚損させるために、有機ＥＬ用マスクは極めて高い洗浄度でクリーニングされなければならない。   Therefore, it is desirable to irradiate the laser at a deep angle with respect to the surface, and most desirable to irradiate the laser from the normal direction of the surface. However, when the taper surface is formed in the opening, the normal direction is different for each taper surface. If the laser is simply incident on the organic EL mask from one direction, the taper surface depends on the taper surface. A big difference is produced in the degree of cleaning. The taper surface also constitutes a part of the organic EL mask, and when the vapor deposition material remains on the taper surface, the remaining vapor deposition material is transferred and fouled during vapor deposition on a new glass substrate. Therefore, the organic EL mask must be cleaned with a very high degree of cleaning.

そこで、本発明は、有機ＥＬ用マスクの開口部に形成されているテーパ面に付着している蒸着物質を高い洗浄度でクリーニングすることを目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to clean the deposition material adhering to the tapered surface formed in the opening of the organic EL mask with a high degree of cleaning.

以上の課題を解決するため、本発明の請求項１の有機ＥＬ用マスククリーニング装置は、テーパ面を有する開口部を複数形成した有機ＥＬ用マスクのクリーニングを行う有機ＥＬ用マスククリーニング装置であって、前記テーパ面をクリーニングするときには、各開口部に形成される４つのテーパ面のうち相互に隣接する２つのテーパ面に向けて、前記開口部の対角線を挟んで反対側からレーザを入射させて前記開口部の斜め方向に走査させるレーザ走査手段と、前記対角線を挟んで前記２つのテーパ面の反対側から前記レーザが入射するように、前記有機ＥＬ用マスクと前記レーザ走査手段とを相対的に移動させる相対移動手段と、を備えたことを特徴とする。   In order to solve the above problems, an organic EL mask cleaning apparatus according to claim 1 of the present invention is an organic EL mask cleaning apparatus for cleaning an organic EL mask having a plurality of openings having a tapered surface. When cleaning the tapered surface, a laser is incident from the opposite side across the diagonal line of the opening toward two adjacent tapered surfaces among the four tapered surfaces formed in each opening. The organic EL mask and the laser scanning unit are relatively moved such that the laser scanning unit scans in an oblique direction of the opening and the laser is incident from the opposite side of the two tapered surfaces across the diagonal line. And a relative moving means for moving to the position.

この有機ＥＬ用マスククリーニング装置によれば、開口部の４つのテーパ面のうち２つのテーパ面に対して深い角度でレーザを入射させて走査を行うことが出来るようになり、且つ開口部の斜め方向に走査していることから２つのテーパ面を同時にクリーニングすることができる。これにより、テーパ面に付着した蒸着物質を高い洗浄度でクリーニングでき、且つクリーニング時間を大幅に短縮できる。そして、深い角度でレーザを入射させるように有機ＥＬ用マスクとレーザ走査手段とを相対移動させているため、全ての開口部のテーパ面に対して常に高い洗浄度でクリーニングを行うことができるようになる。   According to this organic EL mask cleaning apparatus, it becomes possible to perform scanning by making a laser incident at a deep angle with respect to two tapered surfaces of the four tapered surfaces of the opening, and to tilt the opening. Since the scanning is performed in the direction, the two tapered surfaces can be simultaneously cleaned. Thereby, the vapor deposition substance adhering to the taper surface can be cleaned with a high degree of cleaning, and the cleaning time can be greatly shortened. Since the organic EL mask and the laser scanning means are relatively moved so that the laser is incident at a deep angle, the tapered surfaces of all the openings can always be cleaned with a high degree of cleaning. become.

本発明の請求項２の有機ＥＬ用マスククリーニング装置は、請求項１記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置であって、前記４つのテーパ面のうち前記２つのテーパ面以外の残り２つのテーパ面に向けて、前記対角線を挟んで反対側から他のレーザを入射させて前記開口部の斜め方向に走査させる他のレーザ走査手段を備え、前記相対移動手段は、前記対角線を挟んで前記残り２つのテーパ面の反対側から前記他のレーザが入射するように、前記有機ＥＬ用マスクと前記他のレーザ走査手段とを相対移動させることを特徴とする。   The organic EL mask cleaning device according to claim 2 of the present invention is the organic EL mask cleaning device according to claim 1, wherein the remaining two tapered surfaces other than the two tapered surfaces of the four tapered surfaces are provided. Toward the opposite side of the diagonal line, and another laser scanning unit that scans in an oblique direction of the opening, and the relative movement unit includes the remaining two lines across the diagonal line. The organic EL mask and the other laser scanning means are relatively moved so that the other laser is incident from the opposite side of the tapered surface.

この有機ＥＬ用マスククリーニング装置によれば、もう１つのレーザ走査手段（他のレーザ走査手段）を備えており、しかも２つのレーザ走査手段から照射されるレーザの入射方向はそれぞれ反対方向になる。これにより、開口部の４つのテーパ面のうち２つのテーパ面は１つのレーザ走査手段により、残りの２つのテーパ面はもう１つのレーザ走査手段により分担してクリーニングを行うことができる。従って、クリーニング時間を実質的に半分に短縮化できる。   According to this organic EL mask cleaning apparatus, another laser scanning unit (another laser scanning unit) is provided, and the incident directions of the laser beams emitted from the two laser scanning units are opposite to each other. Thus, two of the four tapered surfaces of the opening can be cleaned by one laser scanning unit, and the remaining two tapered surfaces can be shared by the other laser scanning unit. Therefore, the cleaning time can be substantially reduced to half.

本発明の請求項３の有機ＥＬ用マスククリーニング装置は、請求項１記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置であって、前記有機ＥＬ用マスクを複数の開口部を有する矩形エリアに分割して、この矩形エリアの対角線を挟んで２つの領域に分割したときに、前記レーザ走査手段は、前記矩形エリアの対角線を挟んで反対側からまたは前記領域の頂点を挟んで反対側から前記領域に対して前記矩形エリアの斜め方向に前記レーザを走査し、前記相対移動手段は、１つの領域の各開口部に対する走査を完了した後に、前記有機ＥＬ用マスクに対して前記レーザ走査手段を相対移動させることを特徴とする。   An organic EL mask cleaning apparatus according to claim 3 of the present invention is the organic EL mask cleaning apparatus according to claim 1, wherein the organic EL mask is divided into rectangular areas having a plurality of openings. When the laser scanning means is divided into two regions across the diagonal of the rectangular area, the laser scanning unit is configured to the region from the opposite side across the diagonal of the rectangular area or from the opposite side across the vertex of the region. The laser is scanned in an oblique direction of a rectangular area, and the relative moving means moves the laser scanning means relative to the organic EL mask after completing scanning of each opening of one region. Features.

この有機ＥＬ用マスククリーニング装置によれば、位置を固定した状態で複数の開口部を有する領域に対してレーザの走査を行うことができる。相対移動は１つの領域のクリーニングが完了した後に行うため、移動回数を大幅に削減できるようになる。そして、対角線を挟んで反対側から、または頂点を挟んで反対側から斜め方向にレーザの走査を行うため、常に２つのテーパ面に対して深い角度でレーザを入射させることができる。   According to this organic EL mask cleaning apparatus, it is possible to scan a region having a plurality of openings with a fixed position. Since the relative movement is performed after the cleaning of one area is completed, the number of movements can be greatly reduced. Since laser scanning is performed obliquely from the opposite side across the diagonal or from the opposite side across the apex, the laser can always be incident at a deep angle with respect to the two tapered surfaces.

本発明の請求項４の有機ＥＬ用マスククリーニング装置は、請求項２記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置であって、前記有機ＥＬ用マスクを複数の開口部を有する矩形エリアに分割して、この矩形エリアの対角線を挟んで２つの領域に分割したときに、前記レーザ走査手段は前記矩形エリアの対角線を挟んで反対側からまたは前記領域の頂点を挟んで反対側から前記領域に対して前記矩形エリアの斜め方向に前記レーザを走査し、前記他のレーザ走査手段は前記領域の頂点を挟んで反対側からまたは前記矩形エリアの対角線を挟んで反対側から前記領域に対して前記矩形エリアの斜め方向に前記レーザを走査し、前記相対移動手段は、１つの領域の各開口部に対する走査を完了した後に、前記有機ＥＬ用マスクに対して前記レーザ走査手段と前記他のレーザ走査手段とを相対移動させることを特徴とする。   An organic EL mask cleaning device according to claim 4 of the present invention is the organic EL mask cleaning device according to claim 2, wherein the organic EL mask is divided into rectangular areas having a plurality of openings. When the laser scanning means is divided into two regions across the diagonal of the rectangular area, the laser scanning unit is configured to be rectangular with respect to the region from the opposite side across the diagonal of the rectangular area or from the opposite side across the vertex of the region. The laser is scanned in an oblique direction of the area, and the other laser scanning means is oblique to the rectangular area with respect to the area from the opposite side across the vertex of the area or from the opposite side across the diagonal line of the rectangular area. The laser is scanned in the direction, and the relative movement unit scans the organic EL mask with respect to the organic EL mask after completing scanning of each opening of one region. And wherein the relatively moving the said the stage other laser scanning unit.

この有機ＥＬ用マスククリーニング装置によれば、２つのレーザ走査手段がそれぞれ領域に含まれる開口部の走査を行っているため、分担してクリーニングを行うことができる。これにより、移動回数の削減を図れると共に、クリーニング時間の短縮化を図ることができる。   According to the organic EL mask cleaning apparatus, since the two laser scanning units scan the openings included in the regions, cleaning can be performed in a shared manner. Thereby, the number of movements can be reduced and the cleaning time can be shortened.

本発明の請求項５の有機ＥＬ用マスククリーニング装置は、請求項２記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置であって、前記レーザ走査手段と前記他のレーザ走査手段とを一体的なユニットとして構成したことを特徴とする。   An organic EL mask cleaning apparatus according to claim 5 of the present invention is the organic EL mask cleaning apparatus according to claim 2, wherein the laser scanning means and the other laser scanning means are configured as an integral unit. It is characterized by that.

この有機ＥＬ用マスククリーニング装置によれば、２つのレーザ走査手段を一体的なユニットとして構成しているため、別個独立に位置調整を行う必要がなくなる。これにより、位置調整の手間を省略できるようになる。   According to this organic EL mask cleaning device, since the two laser scanning means are configured as an integral unit, it is not necessary to adjust the position independently. Thereby, the trouble of position adjustment can be omitted.

本発明の請求項６の有機ＥＬ用マスククリーニング装置は、請求項１記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置であって、前記レーザ走査手段により走査される前記テーパ面と前記レーザの光軸とのなす角度をαとしたときに、前記相対移動手段は、「７０°＜α＜１１０°」となるように前記有機ＥＬ用マスクに対して前記レーザ走査手段を相対的に移動させることを特徴とする。   An organic EL mask cleaning apparatus according to a sixth aspect of the present invention is the organic EL mask cleaning apparatus according to the first aspect, wherein the tapered surface scanned by the laser scanning means and the optical axis of the laser are formed. When the angle is α, the relative movement unit moves the laser scanning unit relative to the organic EL mask so that “70 ° <α <110 °”. .

この有機ＥＬ用マスククリーニング装置によれば、テーパ面とレーザの光軸とのなす角度αを７０°から１１０°の間とするように相対移動させていることで、常に高い洗浄度のクリーニングを行うことができるようになる。   According to this organic EL mask cleaning apparatus, the relative movement is performed so that the angle α formed between the taper surface and the optical axis of the laser is between 70 ° and 110 °, so that cleaning with a high cleaning degree is always performed. Will be able to do.

本発明の請求項７の有機ＥＬディスプレイの製造装置は、請求項１乃至６の何れか１項に記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置を備えた事を特徴とする。また、本発明の請求項８の有機ＥＬディスプレイは、請求項７記載の有機ＥＬディスプレイの製造装置により製造されたことを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an organic EL display manufacturing apparatus comprising the organic EL mask cleaning device according to any one of the first to sixth aspects. An organic EL display according to an eighth aspect of the present invention is manufactured by the apparatus for manufacturing an organic EL display according to the seventh aspect.

本発明の請求項９の有機ＥＬ用マスククリーニング方法は、テーパ面を有する開口部を複数形成した有機ＥＬ用マスクのクリーニングを行う有機ＥＬ用マスククリーニング方法であって、各開口部に形成される４つのテーパ面のうち相互に隣接する２つのテーパ面に向けて、前記開口部の対角線を挟んで反対側からレーザを入射させて前記開口部の斜め方向に前記レーザを走査させ、前記レーザが前記対角線を挟んで前記２つのテーパ面の反対側から入射するように、前記有機ＥＬ用マスクと前記レーザ走査手段とを相対的に移動させることを特徴とする。   The organic EL mask cleaning method according to claim 9 of the present invention is an organic EL mask cleaning method for cleaning an organic EL mask in which a plurality of openings having tapered surfaces are formed, and is formed in each opening. A laser is incident on two taper surfaces adjacent to each other among the four taper surfaces from the opposite side across the diagonal line of the opening to scan the laser in an oblique direction of the opening, and the laser The organic EL mask and the laser scanning unit are relatively moved so as to be incident from opposite sides of the two tapered surfaces across the diagonal line.

本発明は、有機ＥＬ用マスクの開口部に形成される４つのテーパ面に対して常に深い角度でレーザを入射させて走査を行うことができる。これにより、テーパ面に入射するレーザのスポットを円形または円形に近い楕円形にすることができ、ばらつきのない高い洗浄度のクリーニングを行うことができる。相対移動手段は、常に深い角度でレーザをテーパ面に入射させるように相対移動させていることで、全ての開口部について高い洗浄度でクリーニングを行うことができるようになる。   According to the present invention, scanning can be performed by always making a laser incident at a deep angle with respect to the four tapered surfaces formed in the openings of the organic EL mask. As a result, the laser spot incident on the tapered surface can be made into a circular shape or an elliptical shape close to a circular shape, and cleaning with a high degree of cleaning without variation can be performed. Since the relative movement means always moves the laser so that the laser is incident on the tapered surface at a deep angle, cleaning can be performed with a high degree of cleaning for all the openings.

有機ＥＬ用マスクの平面図である。It is a top view of the mask for organic EL. 有機ＥＬ用マスクの部分断面図および開口部の上面図である。It is the fragmentary sectional view of the mask for organic EL, and the top view of an opening part. 有機ＥＬ用マスククリーニング装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the organic EL mask cleaning apparatus. １回目のクリーニングを行うときのレーザ光学系の位置関係を説明した図である。It is a figure explaining the positional relationship of the laser optical system when performing the 1st cleaning. １回目のクリーニングを行うときのレーザの走査方向および入射方向について説明した図である。It is a figure explaining the scanning direction and incident direction of the laser at the time of performing the first cleaning. ２回目のクリーニングを行うときのレーザ光学系の位置関係を説明した図である。It is a figure explaining the positional relationship of the laser optical system when performing the 2nd cleaning. ２回目のクリーニングを行うときのレーザの走査方向および入射方向について説明した図である。It is a figure explaining the scanning direction and incident direction of the laser when performing the cleaning of the 2nd time. １つの開口部に対して同時にレーザの走査を行う場合を説明した図である。It is a figure explaining the case where a laser scan is simultaneously performed with respect to one opening part. 開口部とガルバノミラーとの位置関係を説明した図である。It is the figure explaining the positional relationship of an opening part and a galvanometer mirror.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の有機ＥＬ用マスククリーニング装置によりレーザ洗浄（レーザを走査して行う洗浄：レーザクリーニング）を行う対象物となる有機ＥＬ用マスク１を示している。有機ＥＬ用マスク１は、有機ＥＬディスプレイを構成するガラス基板に発光層としての有機材料（蒸着物質）を限定的な領域に蒸着してパターン形成を行うために用いられる金属板である。有機ＥＬ用マスク１は大型且つミクロンオーダーの極薄のマスク本体２を有しており、このマスク本体２に多数の開口部３がマトリクス状に規則的に配列されている。そして、マスク本体２は大型且つ極薄であることから、その保形性を維持するために補強枠としてのマスクフレーム４がマスク本体２の周囲に取り付けられている。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an organic EL mask 1 which is an object to be subjected to laser cleaning (cleaning performed by scanning a laser: laser cleaning) by the organic EL mask cleaning apparatus of the present invention. The organic EL mask 1 is a metal plate used for forming a pattern by vapor-depositing an organic material (evaporation substance) as a light emitting layer on a glass substrate constituting an organic EL display in a limited area. The organic EL mask 1 has a large and micron-order ultra-thin mask body 2, and a large number of openings 3 are regularly arranged in a matrix in the mask body 2. Since the mask main body 2 is large and extremely thin, a mask frame 4 as a reinforcing frame is attached around the mask main body 2 in order to maintain its shape retention.

マスク本体２としては、種々の金属素材を用いることができるが、ここではコバルトとニッケルとの合金が適用されているものとする。有機ＥＬ用マスク１は発光層の有機材料を蒸着する図示しない真空蒸着槽においてガラス基板に密着させた状態で、蒸着源から有機材料を蒸着させるようにしている。発光層の蒸着物質としては種々のものを適用できるが、例えばアルミニウム錯体（トリスアルミニウム：Ａｌｑ）等の有機金属錯体を適用できる。なお、有機金属錯体以外の有機化合物（金属が含まれているものであっても、含まれていないものであってもよい）を蒸着物質として適用するものであってもよい。蒸着源から蒸発した蒸着物質は、有機ＥＬ用マスク１の開口部３からガラス基板に蒸着する。これにより、ガラス基板の画素に対応する領域に発光層としての蒸着物質が蒸着してパターンが形成される。   Various metal materials can be used as the mask body 2, but an alloy of cobalt and nickel is applied here. The organic EL mask 1 is made to deposit an organic material from a deposition source in a state of being in close contact with a glass substrate in a vacuum deposition tank (not shown) for depositing an organic material of a light emitting layer. Various materials can be used as the evaporation material for the light emitting layer, and for example, an organometallic complex such as an aluminum complex (tris aluminum: Alq) can be used. Note that an organic compound other than the organometallic complex (which may or may not contain a metal) may be applied as a vapor deposition substance. The vapor deposition material evaporated from the vapor deposition source is deposited on the glass substrate through the opening 3 of the organic EL mask 1. Thereby, a deposition material as a light emitting layer is deposited on a region corresponding to the pixel of the glass substrate to form a pattern.

有機ＥＬ用マスク１を用いて１回の蒸着プロセスを行うと、ガラス基板だけではなく有機ＥＬ用マスク１にも蒸着物質が付着する。蒸着プロセスは繰り返し行われることから、有機ＥＬ用マスク１に付着した蒸着物質のクリーニングが所定のタイミング（好ましくは、１回の蒸着プロセスごと）で行われる。レーザ洗浄装置が配置されている洗浄槽とガラス基板に蒸着を行う真空蒸着槽とは別個独立に設けられているため、レーザ洗浄装置を行うときには有機ＥＬ用マスク１が真空蒸着槽から洗浄槽内に移行される。   When the vapor deposition process is performed once using the organic EL mask 1, the vapor deposition material adheres not only to the glass substrate but also to the organic EL mask 1. Since the vapor deposition process is repeated, cleaning of the vapor deposition material adhering to the organic EL mask 1 is performed at a predetermined timing (preferably for each vapor deposition process). Since the cleaning tank in which the laser cleaning device is disposed and the vacuum deposition tank for vapor deposition on the glass substrate are provided independently, when performing the laser cleaning device, the organic EL mask 1 is moved from the vacuum deposition tank into the cleaning tank. It is transferred to.

図２（ａ）に有機ＥＬ用マスク１の部分断面図を示す。この図に示すように、開口部３はマスク本体２の厚み方向に貫通した領域になっているが、側面にテーパ面（傾斜しているフラットな面）５が形成されている。有機ＥＬ用マスク１の開口部３をエッチングにより形成した場合には、徐々に開口部３が形成されていくことから、側面がフラットにならずにテーパ面５が形成される。有機ＥＬ用マスク１の開口部３は矩形をしているため、図２（ｂ）に示すように、開口部３には４つのテーパ面５Ａ乃至５Ｄが形成され、上面から見て各テーパ面が額縁状に形成される。テーパ面５Ａと５Ｂとは相互に隣接しており、テーパ面５Ｃと５Ｄとは相互に隣接している。なお、図２（ｂ）では正方形の開口部３を示しているが、開口部３は長方形であってもよい。   FIG. 2A shows a partial cross-sectional view of the organic EL mask 1. As shown in this figure, the opening 3 is a region penetrating in the thickness direction of the mask body 2, but a tapered surface (inclined flat surface) 5 is formed on the side surface. When the opening 3 of the organic EL mask 1 is formed by etching, the opening 3 is gradually formed, so that the tapered surface 5 is formed without making the side surface flat. Since the opening 3 of the organic EL mask 1 has a rectangular shape, four tapered surfaces 5A to 5D are formed in the opening 3 as shown in FIG. Is formed in a frame shape. The tapered surfaces 5A and 5B are adjacent to each other, and the tapered surfaces 5C and 5D are adjacent to each other. In addition, in FIG.2 (b), although the square opening part 3 is shown, the opening part 3 may be a rectangle.

従って、４つのテーパ面５Ａ乃至５Ｄは有機ＥＬ用マスク１の表面に対して傾斜しており、且つ各テーパ面５Ａ乃至５Ｄはそれぞれ異なる傾斜角度で傾斜している。つまり、各テーパ面５Ａ乃至５Ｄの法線方向がそれぞれ異なる角度になっており、これら法線方向は有機ＥＬ用マスク１の表面の法線方向に対しても異なる角度になっている。   Accordingly, the four tapered surfaces 5A to 5D are inclined with respect to the surface of the organic EL mask 1, and the tapered surfaces 5A to 5D are inclined at different inclination angles. That is, the normal directions of the tapered surfaces 5A to 5D are different from each other, and these normal directions are also different from the normal direction of the surface of the organic EL mask 1.

次に、図３を用いて、有機ＥＬ用マスク１のクリーニングを行うレーザ洗浄装置（有機ＥＬ用マスククリーニング装置）について説明する。レーザ洗浄装置１０はベース１１に設置されており、有機ＥＬ用マスク１は搭載ステージ１２により搭載されている。搭載ステージ１２にはチャック部１３が取り付けられており、このチャック部１３が有機ＥＬ用マスク１のマスクフレーム４を保持する。図３にも示すように、搭載ステージ１２と有機ＥＬ用マスク１との間には微小間隔を設けるようにして、チャック部１３が有機ＥＬ用マスク１を保持する。なお、チャック部１３はマスクフレーム４の２辺、３辺または４辺を保持するものであればよい。   Next, a laser cleaning apparatus (organic EL mask cleaning apparatus) for cleaning the organic EL mask 1 will be described with reference to FIG. The laser cleaning device 10 is installed on a base 11, and the organic EL mask 1 is mounted by a mounting stage 12. A chuck portion 13 is attached to the mounting stage 12, and the chuck portion 13 holds the mask frame 4 of the organic EL mask 1. As shown in FIG. 3, the chuck portion 13 holds the organic EL mask 1 such that a minute gap is provided between the mounting stage 12 and the organic EL mask 1. Note that the chuck portion 13 only needs to hold two sides, three sides, or four sides of the mask frame 4.

搭載ステージ１２の下部には相対移動手段としてのステージ移動部１４を備えている。ステージ移動部１４は搭載ステージ１２を図３に示すＸ方向に移動可能な移動手段となっており、例えばボールネジ手段やリニアモータ手段等の任意の移動手段を用いることができる。図３では、ステージ移動部１４はＸ方向の１方向に移動可能になっているが、Ｘ方向とＹ方向（Ｘ方向に直交する方向）との２方向に移動可能なように構成してもよい。なお、Ｘ方向およびＹ方向は水平面上の直交２軸の方向であり、この水平面と直交する方向がＺ方向（垂直方向：高さ方向）になる。   A stage moving unit 14 as a relative moving means is provided below the mounting stage 12. The stage moving unit 14 is a moving means capable of moving the mounting stage 12 in the X direction shown in FIG. 3, and any moving means such as a ball screw means or a linear motor means can be used. In FIG. 3, the stage moving unit 14 is movable in one direction in the X direction, but may be configured to be movable in two directions, the X direction and the Y direction (direction orthogonal to the X direction). Good. Note that the X direction and the Y direction are directions of two orthogonal axes on the horizontal plane, and the direction orthogonal to the horizontal plane is the Z direction (vertical direction: height direction).

搭載ステージ１２に保持される有機ＥＬ用マスク１の上部には搬送空気流ＣＦが形成される。この搬送空気流ＣＦを形成するために送風手段としての送風部１５と吸引手段としての吸引部１６とが設けられている。送風部１５は送風スリット１５Ａを備えており、また吸引部１６は吸引スリット１６Ａを備えており、送風スリット１５Ａと吸引スリット１６Ａとは同じ高さ位置で対向するように配置されている。これにより、送風スリット１５Ａと吸引スリット１６Ａとの間に搬送空気流ＣＦが形成される。この搬送空気流ＣＦは有機ＥＬ用マスク１の表面に沿うような流れを有しており、極めて微弱な空気流となっている。   A carrier air flow CF is formed above the organic EL mask 1 held on the mounting stage 12. In order to form the carrier air flow CF, a blowing unit 15 as a blowing unit and a suction unit 16 as a suction unit are provided. The blowing unit 15 includes a blowing slit 15A, and the suction unit 16 includes a suction slit 16A, and the blowing slit 15A and the suction slit 16A are arranged to face each other at the same height position. Thereby, the conveyance air flow CF is formed between the air blowing slit 15A and the suction slit 16A. The carrier air flow CF has a flow along the surface of the organic EL mask 1 and is a very weak air flow.

搬送空気流ＣＦの上部には、第１のレーザ光学系１７Ａと第２のレーザ光学系１７Ｂとの２つのレーザ光学系が設けられている。第１のレーザ光学系１７Ａは第１のレーザ光源２１Ａと第１のガルバノミラー２２Ａと第１のガルバノ駆動部２３Ａとを備えて概略構成しており、第２のレーザ光学系１７Ｂは第２のレーザ光源２１Ｂと第２のガルバノミラー２２Ｂと第２のガルバノ駆動部２３Ｂとを備えて概略構成している。第１のレーザ光学系１７Ａは有機ＥＬ用マスク１に第１のレーザＬ１を走査させるレーザ走査手段であり、第２のレーザ光学系１７Ｂは有機ＥＬ用マスク１に第２のレーザＬ２を走査させる他のレーザ走査手段である。   Two laser optical systems of a first laser optical system 17A and a second laser optical system 17B are provided above the carrier air flow CF. The first laser optical system 17A includes a first laser light source 21A, a first galvano mirror 22A, and a first galvano drive unit 23A, and is schematically configured. The second laser optical system 17B includes a second laser optical system 17B. A laser light source 21B, a second galvano mirror 22B, and a second galvano drive unit 23B are provided and schematically configured. The first laser optical system 17A is a laser scanning unit that causes the organic EL mask 1 to scan the first laser L1, and the second laser optical system 17B causes the organic EL mask 1 to scan the second laser L2. Other laser scanning means.

第１のレーザ光源２１Ａと第２のレーザ光源２１Ｂとは同じ波長のレーザを発振するレーザ光源であり、このため第１のレーザＬ１と第２のレーザＬ２とは同じ波長をもつレーザ（レーザ光）になる。そして、その波長は有機ＥＬ用マスク１の金属素材が反応するような波長になっている。有機ＥＬ用マスク１がコバルトとニッケルとの合金である場合には、第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２は当該合金が反応する５３２ｎｍ近傍の波長を持つレーザになる。勿論、有機ＥＬ用マスク１に他の金属素材を用いる場合には、当該金属が反応するレーザを発振するようにする。   The first laser light source 21A and the second laser light source 21B are laser light sources that oscillate lasers having the same wavelength. For this reason, the first laser L1 and the second laser L2 are lasers having the same wavelength (laser light). )become. The wavelength is such that the metal material of the organic EL mask 1 reacts. When the organic EL mask 1 is an alloy of cobalt and nickel, the first laser L1 and the second laser L2 are lasers having a wavelength near 532 nm with which the alloy reacts. Of course, when another metal material is used for the organic EL mask 1, a laser that reacts with the metal is oscillated.

第１のレーザ光源２１Ａから発振する第１のレーザＬ１は第１のガルバノミラー２２Ａに入射し、第２のレーザ光源２１Ｂから発振する第２のレーザＬ２は第２のガルバノミラー２２Ｂに入射する。第１のガルバノミラー２２Ａおよび第２のガルバノミラー２２Ｂは入射したレーザを反射させる反射ミラーであり、ミラー自体を微小振動させることにより、レーザの反射角度を高速に変化させる。これにより、有機ＥＬ用マスク１におけるレーザの照射位置が変化して、レーザの走査が行われることになる。第１のガルバノ駆動部２３Ａは第１のガルバノミラー２２Ａに取り付けられており、第２のガルバノ駆動部２３Ｂは第２のガルバノミラー２２Ｂに取り付けられている。そして、各ガルバノ駆動部がガルバノミラーの振動制御を行うことにより、有機ＥＬ用マスク１にレーザの走査が行われる。   The first laser L1 oscillated from the first laser light source 21A is incident on the first galvanometer mirror 22A, and the second laser L2 oscillated from the second laser light source 21B is incident on the second galvanometer mirror 22B. The first galvanometer mirror 22A and the second galvanometer mirror 22B are reflection mirrors that reflect the incident laser, and change the reflection angle of the laser at high speed by minutely vibrating the mirror itself. As a result, the laser irradiation position in the organic EL mask 1 changes, and laser scanning is performed. The first galvano drive unit 23A is attached to the first galvano mirror 22A, and the second galvano drive unit 23B is attached to the second galvano mirror 22B. Each galvano drive unit performs vibration control of the galvano mirror, thereby scanning the organic EL mask 1 with a laser.

第１のレーザ光学系１７Ａには第１のレーザ移動部２４Ａが取り付けられており、第２のレーザ光学系１７Ｂには第２のレーザ移動部２４Ｂが取り付けられている。第１のレーザ移動部２４Ａは第１のレーザ光学系１７ＡをＸ方向およびＹ方向に移動させる移動手段であり、第２のレーザ移動部２４Ｂは第２のレーザ光学系１７ＢをＸ方向およびＹ方向に移動させる移動手段であり、例えばロボット等の手段を適用できる。そして、第１のレーザ移動部２４Ａと第２のレーザ移動部２４Ｂとは独立して移動可能になっている。   A first laser moving unit 24A is attached to the first laser optical system 17A, and a second laser moving unit 24B is attached to the second laser optical system 17B. The first laser moving unit 24A is a moving unit that moves the first laser optical system 17A in the X direction and the Y direction, and the second laser moving unit 24B moves the second laser optical system 17B in the X direction and the Y direction. For example, a robot or the like can be applied. The first laser moving unit 24A and the second laser moving unit 24B can move independently.

第１のレーザ移動部２４Ａは有機ＥＬ用マスク１と第１のレーザ光学系１７Ａとを相対的に移動させる相対移動手段であり、第２のレーザ移動部２４Ｂは有機ＥＬ用マスク１と第２のレーザ光学系１７Ｂとを相対的に移動させる相対移動手段である。ここでは、第１のレーザ光学系１７Ａおよび第２のレーザ光学系１７Ｂを有機ＥＬ用マスク１に対して移動させているが、各レーザ光学系を固定して有機ＥＬ用マスク１を移動させてもよいし（つまり、ステージ移動部１４をＸ方向およびＹ方向に移動させてもよいし）、両者を移動させてもよい。   The first laser moving unit 24A is a relative moving unit that relatively moves the organic EL mask 1 and the first laser optical system 17A, and the second laser moving unit 24B is a second moving unit 24B. This is a relative moving means for relatively moving the laser optical system 17B. Here, the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B are moved with respect to the organic EL mask 1, but the respective organic optical masks are fixed and the organic EL mask 1 is moved. Alternatively (that is, the stage moving unit 14 may be moved in the X direction and the Y direction), or both may be moved.

なお、各レーザ光学系は前述した光学部品により構成しているが、他の光学部品（例えば、複数のレンズ群等）を備えるものであってもよい。また、各ガルバノミラーによりレーザの走査を行うようにしているが、各レーザ光源自身が微小に変位することにより走査させるものであってもよい。   Each laser optical system is composed of the above-described optical components, but may include other optical components (for example, a plurality of lens groups). Further, although the laser scanning is performed by each galvanometer mirror, scanning may be performed by slightly displacing each laser light source itself.

次に、動作について説明する。有機ＥＬ用マスク１を用いて、前述した真空蒸着槽から取り出された有機ＥＬ用マスク１が搭載ステージ１２のチャック部１３により固定保持されてステージ移動部１４によりＸ方向に移動される。そして、有機ＥＬ用マスク１が第１のレーザ光学系１７Ａと第２のレーザ光学系１７Ｂとの下部に位置する場所でステージ移動部１４を停止させる。   Next, the operation will be described. Using the organic EL mask 1, the organic EL mask 1 taken out from the vacuum deposition tank is fixed and held by the chuck portion 13 of the mounting stage 12 and moved in the X direction by the stage moving portion 14. Then, the stage moving unit 14 is stopped at a place where the organic EL mask 1 is positioned below the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B.

そして、第１のレーザ移動部２４Ａと第２のレーザ移動部２４Ｂとを移動させて位置調整を行う。この位置調整について図４を用いて説明する。この図に示すように、有機ＥＬ用マスク１を縦横に６つの矩形エリアＡ１乃至Ａ６に分割する。有機ＥＬ用マスク１には多数の開口部３がマトリクス状に配列されており、この有機ＥＬ用マスク１を６つのエリアに分割した各矩形エリアにも多数の開口部３がマトリクス状に配列されている。そして、全ての矩形エリアＡ１乃至Ａ６について対角線Ｄ１を引き、この対角線Ｄ１を挟んで２つの三角形の領域（領域ＴＡ１、ＴＡ２）に分割する。なお、図４では、矩形エリアＡ１およびＡ６に対角線Ｄ１が引かれているが、残りの矩形エリアＡ２乃至Ａ５にも対角線Ｄ１を引いて、領域ＴＡ１、ＴＡ２に分割する。   Then, the position adjustment is performed by moving the first laser moving unit 24A and the second laser moving unit 24B. This position adjustment will be described with reference to FIG. As shown in this figure, the organic EL mask 1 is divided into six rectangular areas A1 to A6 vertically and horizontally. A large number of openings 3 are arranged in a matrix in the organic EL mask 1, and a large number of openings 3 are also arranged in a matrix in each rectangular area obtained by dividing the organic EL mask 1 into six areas. ing. Then, a diagonal line D1 is drawn for all the rectangular areas A1 to A6, and the area is divided into two triangular areas (areas TA1 and TA2) across the diagonal line D1. In FIG. 4, the diagonal line D1 is drawn in the rectangular areas A1 and A6, but the diagonal line D1 is also drawn in the remaining rectangular areas A2 to A5 to divide the area into TA1 and TA2.

第１のレーザ光学系１７Ａおよび第２のレーザ光学系１７Ｂは１つの領域に含まれる各開口部３のクリーニングを行うときには固定された位置からクリーニングを行い、クリーニング完了後に次の領域の各開口部３のクリーニングを行うべく有機ＥＬ用マスク１に対して第１のレーザ光学系１７Ａと第２のレーザ光学系１７Ｂとを相対的に移動させる。図４では、最初に第１のレーザ光学系１７Ａが矩形エリアＡ１の領域ＴＡ１のクリーニングを行い、第２のレーザ光学系１７Ｂが矩形エリアＡ６の領域ＴＡ２のクリーニングを行う場合を示している。   The first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B perform cleaning from a fixed position when cleaning each opening 3 included in one region, and each opening in the next region after cleaning is completed. The first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B are moved relatively with respect to the organic EL mask 1 so as to perform the cleaning of 3. FIG. 4 shows a case where the first laser optical system 17A first cleans the area TA1 in the rectangular area A1, and the second laser optical system 17B cleans the area TA2 in the rectangular area A6.

このとき、第１のガルバノミラー２２Ａは対角線Ｄ１を挟んで領域ＴＡ１とは反対側に配置しており、第２のガルバノミラー２２Ｂは対角線Ｄ１を挟んで領域ＴＡ２とは反対側に配置している。第１のレーザ移動部２４Ａおよび第２のレーザ移動部２４Ｂは、このような配置となるように第１のレーザ光学系１７Ａおよび第２のレーザ光学系１７Ｂを移動させる。   At this time, the first galvanometer mirror 22A is disposed on the opposite side to the region TA1 across the diagonal D1, and the second galvanometer mirror 22B is disposed on the side opposite to the region TA2 across the diagonal D1. . The first laser moving unit 24A and the second laser moving unit 24B move the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B so as to have such an arrangement.

そして、第１のレーザ光源２１Ａから第１のレーザＬ１を発振させ、第２のレーザ光源２１Ｂから第２のレーザＬ２を発振させる。以下、第１のレーザＬ１について説明するが、第２のレーザＬ２についても同様である。第１のレーザ光源２１Ａから発振された第１のレーザＬ１は第１のガルバノミラー２２Ａで反射する。ガルバノ駆動部２３Ａは第１のレーザＬ１を領域ＴＡ１に向けて反射させるが、対角線Ｄ１に沿って平行に第１のレーザＬ１を走査させるようにガルバノミラー２２Ａの反射方向を微小振動させる。これにより、対角線Ｄ１の１ライン分の走査が行われる。そして、対角線Ｄ１から開始して走査するライン（走査ライン）を領域ＴＡ１の頂点Ｖ１１に向けて微小シフトさせていく。第１のレーザＬ１による走査ラインは常に対角線Ｄ１に平行となるように第１のガルバノミラー２２Ａを微小振動させる制御を行う。   Then, the first laser L1 is oscillated from the first laser light source 21A, and the second laser L2 is oscillated from the second laser light source 21B. Hereinafter, the first laser L1 will be described, but the same applies to the second laser L2. The first laser L1 oscillated from the first laser light source 21A is reflected by the first galvanometer mirror 22A. The galvano driving unit 23A reflects the first laser L1 toward the region TA1, but slightly vibrates the reflection direction of the galvano mirror 22A so as to scan the first laser L1 in parallel along the diagonal line D1. Thereby, scanning for one line of the diagonal line D1 is performed. Then, the scanning line starting from the diagonal line D1 is slightly shifted toward the vertex V11 of the area TA1. Control is performed so that the first galvanometer mirror 22A is minutely vibrated so that the scanning line by the first laser L1 is always parallel to the diagonal line D1.

そして、最終的に頂点Ｖ１１の位置まで走査ラインをシフトさせることにより、領域ＴＡ１のクリーニングが完了する。なお、走査ラインの幅は対角線Ｄ１と同じ幅を維持したままシフトさせていってもよく、シフトさせる毎に走査ラインの幅を狭くするようにしてもよい。   Finally, the scanning of the area TA1 is completed by shifting the scanning line to the position of the vertex V11. Note that the width of the scanning line may be shifted while maintaining the same width as that of the diagonal line D1, and the width of the scanning line may be reduced each time the shift is performed.

従って、第１のレーザＬ１は領域ＴＡ１に存在する多数の開口部３に対して走査を行っていく。前述したように、矩形エリアＡ１には多数の開口部３がマトリクス状に配置されており、各開口部３の各辺は有機ＥＬ用マスク１の各辺と平行になるように配置されている。そして、矩形エリアＡ１の対角線Ｄ１に平行な方向に第１のレーザＬ１が走査を行っていくため、矩形の各開口部３に対して第１のレーザＬ１が斜め方向に走査を行っていくことになる。   Therefore, the first laser L1 scans a large number of openings 3 existing in the area TA1. As described above, in the rectangular area A1, a large number of openings 3 are arranged in a matrix, and each side of each opening 3 is arranged to be parallel to each side of the organic EL mask 1. . Since the first laser L1 scans in a direction parallel to the diagonal line D1 of the rectangular area A1, the first laser L1 scans in an oblique direction with respect to each rectangular opening 3. become.

図５（ａ）は領域ＴＡ１の一部の開口部３を示しており、この図に示すように、走査ラインの方向は各開口部３に対して斜め方向になっている（図中で走査方向を破線で示している）。そして、第１のガルバノミラー２２Ａは対角線Ｄ１を挟んで領域ＴＡ１（クリーニングを行う領域）とは反対側から第１のレーザＬ１を入射させている。図中では、第１のレーザＬ１の入射方向を実線で示している。   FIG. 5A shows a part of the openings 3 in the area TA1, and as shown in this figure, the direction of the scanning line is oblique to each opening 3 (scanning in the figure). The direction is indicated by a broken line). The first galvanometer mirror 22A allows the first laser L1 to enter from the opposite side of the area TA1 (area to be cleaned) across the diagonal line D1. In the drawing, the incident direction of the first laser L1 is indicated by a solid line.

このため、各開口部３の相互に隣接する２つのテーパ面５Ａ、５Ｂは第１のレーザＬ１の光軸に対して（傾斜角度はあるものの）対向するような関係になる。これにより、テーパ面５Ａ、５Ｂには第１のレーザＬ１が深い角度で入射する。一方で、テーパ面５Ｃ、５Ｄは第１のレーザＬ１の光軸に対して対向するような関係になっていない。これにより、第１のレーザＬ１はテーパ面５Ｃ、５Ｄに対して浅い角度で入射する。図５（ｂ）は開口部３の断面を示しており、テーパ面５Ａには深い角度で第１のレーザＬ１が入射しているものの、テーパ面５Ｃには浅い角度で第２のレーザＬ２が入射している。この点は、テーパ面５Ｂ、５Ｄについても同様である。   For this reason, the two tapered surfaces 5A and 5B adjacent to each other of the openings 3 are in a relationship facing each other (although there is an inclination angle) with respect to the optical axis of the first laser L1. Thereby, the first laser L1 is incident on the tapered surfaces 5A and 5B at a deep angle. On the other hand, the tapered surfaces 5C and 5D are not in a relationship that faces the optical axis of the first laser L1. As a result, the first laser L1 is incident on the tapered surfaces 5C and 5D at a shallow angle. FIG. 5B shows a cross section of the opening 3. The first laser L1 is incident on the tapered surface 5A at a deep angle, but the second laser L2 is incident on the tapered surface 5C at a shallow angle. Incident. This also applies to the tapered surfaces 5B and 5D.

第１のレーザＬ１（第２のレーザＬ２も同様）の光路断面は円形になっており、テーパ面に対して深い角度でレーザを入射させることができればスポットは円形になるが、浅い角度で入射させればスポットは長径と短径との差が大きい楕円形になる。前述したように、スポットが円形に近づくほど有機ＥＬ用マスク１に対して作用するレーザのパワー密度は均一になる。   The optical path cross section of the first laser L1 (the same applies to the second laser L2) is circular, and if the laser can be incident at a deep angle with respect to the tapered surface, the spot will be circular, but incident at a shallow angle. If it does, a spot will become an ellipse with a big difference of a major axis and a minor axis. As described above, the power density of the laser acting on the organic EL mask 1 becomes more uniform as the spot becomes closer to a circle.

ここで、第１のレーザＬ１が有機ＥＬ用マスク１に入射すると、第１のレーザＬ１は有機ＥＬ用マスク１の金属素材が反応する波長を有しているため、有機ＥＬ用マスク１に対して熱衝撃が与えられる。つまり、テーパ面５Ａ乃至５Ｄに対しても熱衝撃が与えられる。各テーパ面には蒸着物質が膜状となって付着しており、この蒸着物質に対して熱衝撃により破砕力が作用する。そして、蒸着物質は破砕力により分解されて遊離生成物となって、上方に向けて飛散する。この遊離生成物は微小な粒径を有する紛体になっているが、同時にガスも発生する。このため、遊離生成物には紛体だけではなくガスも含まれる。   Here, when the first laser L1 is incident on the organic EL mask 1, the first laser L1 has a wavelength at which the metal material of the organic EL mask 1 reacts. Heat shock. That is, thermal shock is given to the tapered surfaces 5A to 5D. A vapor deposition material is attached to each tapered surface as a film, and a crushing force acts on the vapor deposition material by thermal shock. And a vapor deposition substance is decomposed | disassembled by crushing force, becomes a free product, and disperses upwards. This free product is in the form of a powder having a minute particle size, but at the same time gas is generated. For this reason, the free product contains not only powder but also gas.

遊離生成物は極めて比重の小さな紛体やガスであるため、レーザによる熱衝撃により勢い良く上方に向けて飛散する。そして、図３に示したように、有機ＥＬ用マスク１の上部位置には搬送空気流ＣＦが形成されており、上方に飛散した遊離生成物は搬送空気流ＣＦに捕捉されて、吸引部１６に吸引される。これにより、飛散した遊離生成物は有機ＥＬ用マスク１に舞い戻ることがなく、有機ＥＬ用マスク１から除去することができる。   Since the free product is a powder or gas having a very small specific gravity, it is scattered upwards vigorously by the thermal shock of the laser. As shown in FIG. 3, a carrier air flow CF is formed at an upper position of the organic EL mask 1, and free products scattered upward are captured by the carrier air flow CF and are sucked by the suction unit 16. Sucked into. Thereby, the scattered free product does not return to the organic EL mask 1 and can be removed from the organic EL mask 1.

なお、ここでは、搬送空気流ＣＦにより飛散した遊離生成物を除去しているが、搬送空気流ＣＦ以外の方法により遊離生成物を除去するようにしてもよい。例えば、有機ＥＬ用マスク１に向けて吸引スリット１６Ａを向けて飛散した遊離生成物を吸引させるようにしてもよい。このように、有機ＥＬ用マスク１に付着した蒸着物質にレーザを照射することにより遊離生成物を上方に飛散させて、搬送空気流ＣＦにより捕捉させて搬送させることにより、完全に非接触でクリーニングを行うことができる。例えば、有機ＥＬ用マスク１に粘着フィルムを貼り付けて熱衝撃を与えた蒸着物質を付着させるような場合には、最終的には粘着フィルムを剥離しなければならず、有機ＥＬ用マスク１に対して著しいダメージが与えられるが、本発明は完全に非接触でクリーニングを行うことができるため、有機ＥＬ用マスク１にはダメージは与えられない。   Here, the free products scattered by the carrier air flow CF are removed, but the free products may be removed by a method other than the carrier air flow CF. For example, free products scattered toward the organic EL mask 1 toward the suction slit 16A may be sucked. In this way, by irradiating the vapor deposition material adhering to the organic EL mask 1 with a laser, the free product is scattered upward, captured by the transport air flow CF, and transported, thereby completely cleaning without contact. It can be performed. For example, in the case where an adhesive film is attached to the organic EL mask 1 and a vapor deposition material subjected to thermal shock is attached, the adhesive film must be finally peeled off. Although significant damage is given to the organic EL mask 1 according to the present invention, the organic EL mask 1 is not damaged because cleaning can be performed completely in a non-contact manner.

従って、第１のレーザＬ１の熱衝撃により、蒸着物質は遊離生成物となって上方に飛散し、搬送空気流ＣＦにより捕捉されて除去される。このとき、第１のレーザＬ１のスポットが円形または円形に近い楕円形の場合には、パワー密度にばらつきがなく、テーパ面の洗浄度は高くなる。この点、テーパ面５Ａ、５Ｂについては第１のレーザＬ１を深い角度で入射させているため、円形または円形に近い楕円形のスポットが得られ、パワー密度の均一化を図れる。   Therefore, due to the thermal shock of the first laser L1, the vapor deposition material becomes a free product and scatters upward, and is captured and removed by the carrier air flow CF. At this time, when the spot of the first laser L1 is a circle or an ellipse that is close to a circle, there is no variation in power density, and the cleaning degree of the tapered surface is increased. In this respect, since the first laser L1 is incident on the tapered surfaces 5A and 5B at a deep angle, a circular or nearly elliptical spot can be obtained, and the power density can be made uniform.

一方、テーパ面５Ｃ、５Ｄについては、第１のレーザＬ１が浅い角度で入射するため、短径と長径とに大きな差がある楕円形のスポットになる。特に、テーパ面５Ｃ、５Ｄと第１のレーザＬ１とが平行である場合には、第１のレーザＬ１を入射させることができなくなる。従って、パワー密度に大きなばらつきがあるクリーニングが行われるか、或いは全くクリーニングが行われないようになる。これにより、洗浄度が大幅に低下する。従って、この時点では、テーパ面５Ｃ、５Ｄのクリーニングは完了していない。   On the other hand, since the first laser L1 is incident at a shallow angle, the tapered surfaces 5C and 5D become elliptical spots having a large difference between the minor axis and the major axis. In particular, when the tapered surfaces 5C and 5D and the first laser L1 are parallel, the first laser L1 cannot be incident. Therefore, cleaning with a large variation in power density is performed or no cleaning is performed at all. As a result, the degree of cleaning is greatly reduced. Accordingly, at this time, the cleaning of the tapered surfaces 5C and 5D is not completed.

なお、テーパ面に浅い角度で入射するレーザのパワーを強力にすることにより、パワー密度が薄い箇所についてもある程度のエネルギーを作用させることができるが、この場合には、パワー密度が濃い箇所に過剰なエネルギーが作用することにより、有機ＥＬ用マスク１にダメージを与えるおそれがある。このため、レーザのパワーを極端に大きくすることは望ましくない。   In addition, by increasing the power of the laser that is incident on the tapered surface at a shallow angle, a certain amount of energy can be applied even to a portion where the power density is low, but in this case, excessive energy is applied to the portion where the power density is high. When the energetic energy acts, the organic EL mask 1 may be damaged. For this reason, it is not desirable to extremely increase the power of the laser.

以上により、領域ＴＡ１の各開口部３のうちテーパ面５Ａ、５Ｂについて高い洗浄度でクリーニングを行うことができる。図４に戻って、第１のレーザ光学系１７Ａの動作と並行して、第２のレーザ光学系１７Ｂにより矩形エリアＡ６の領域ＴＡ２の各開口部３のクリーニングを行う。このクリーニングは前述したものとほぼ同じであり、対角線Ｄ１を挟んで領域ＴＡ２の反対側から対角線Ｄ１と平行に第２のレーザＬ２を走査させる。そして、領域ＴＡ２の頂点Ｖ６２に向けて走査ラインを徐々にシフトさせることにより、領域ＴＡ２のクリーニングを完了する。このときには、各開口部３のテーパ面５Ｃ、５Ｄには深い角度で第２のレーザＬ２を入射させることができ、ばらつきのない均一なクリーニングを行うことができ、高い洗浄度が得られる。ただし、テーパ面５Ａ、５Ｂについては浅い角度で第２のレーザＬ２が入射するため、高い洗浄度が得られない。従って、この時点では、矩形エリアＡ６の領域ＴＡ２の各開口部３のうちテーパ面５Ａ、５Ｂについては、クリーニングが完了していない。   As described above, it is possible to clean the tapered surfaces 5A and 5B in each opening 3 of the region TA1 with a high degree of cleaning. Returning to FIG. 4, in parallel with the operation of the first laser optical system 17A, the second laser optical system 17B cleans each opening 3 in the area TA2 of the rectangular area A6. This cleaning is substantially the same as described above, and the second laser L2 is scanned in parallel with the diagonal line D1 from the opposite side of the area TA2 across the diagonal line D1. Then, the scanning of the area TA2 is completed by gradually shifting the scanning line toward the vertex V62 of the area TA2. At this time, the second laser L2 can be incident on the tapered surfaces 5C and 5D of each opening 3 at a deep angle, uniform cleaning without variations can be performed, and a high degree of cleaning can be obtained. However, since the second laser L2 is incident on the tapered surfaces 5A and 5B at a shallow angle, a high degree of cleaning cannot be obtained. Therefore, at this time, the cleaning is not completed for the tapered surfaces 5A and 5B in the openings 3 of the area TA2 of the rectangular area A6.

第１のレーザ光学系１７Ａと第２のレーザ光学系１７Ｂとのクリーニングは並行して行われ、１つの領域のクリーニングが完了した後に、次のクリーニングを行う。１つの領域をクリーニングしている間は、有機ＥＬ用マスク１に対して第１のレーザ光学系１７Ａおよび第２のレーザ光学系１７Ｂは固定した状態になっている。そして、１つの領域のクリーニングが完了した後に、次の領域のクリーニングを行うべく、第１のレーザ移動部２４Ａおよび第２のレーザ移動部２４Ｂにより第１のレーザ光学系１７Ａおよび第２のレーザ光学系１７ＢはＸ方向および／またはＹ方向に移動する。この移動は同時に行うこともできるが、異なるタイミングで行うこともできる。   The cleaning of the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B is performed in parallel, and after the cleaning of one area is completed, the next cleaning is performed. While one area is being cleaned, the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B are fixed to the organic EL mask 1. Then, after the cleaning of one region is completed, the first laser optical system 17A and the second laser optical device are cleaned by the first laser moving unit 24A and the second laser moving unit 24B in order to perform the cleaning of the next region. The system 17B moves in the X direction and / or the Y direction. This movement can be done at the same time, but can also be done at different times.

ここで、１つの領域のクリーニングを行う毎に各レーザ光学系を移動させているのは、当該領域に含まれる全ての開口部３の２つのテーパ面（５Ａおよび５Ｂ、または５Ｃおよび５Ｄ）に対してレーザを深い角度で入射させるためである。有機ＥＬ用マスク１の全ての領域に対してクリーニングを行うときに、有機ＥＬ用マスク１に対して各レーザ光学系の位置が固定されていると、場所によって各レーザの入射角が大きく変化し、洗浄度にばらつきを生じる。そこで、有機ＥＬ用マスク１を複数の矩形エリアに分割し、されにこの矩形エリアを２つに分割した領域のクリーニングが完了する毎に相対移動することで、テーパ面に対してのレーザが常に深い角度で入射させるようにしている。   Here, each time the cleaning of one area is performed, each laser optical system is moved to two tapered surfaces (5A and 5B or 5C and 5D) of all the openings 3 included in the area. This is because the laser is incident at a deep angle. When cleaning the entire area of the organic EL mask 1, if the position of each laser optical system is fixed with respect to the organic EL mask 1, the incident angle of each laser varies greatly depending on the location. , The cleaning degree varies. Therefore, the organic EL mask 1 is divided into a plurality of rectangular areas, and each time the cleaning of the area obtained by dividing the rectangular area into two is completed, the laser on the taper surface is always driven. Incident light is incident at a deep angle.

ここでは、第１のレーザ光学系１７Ａは各矩形エリアについてＡ１からＡ６まで順番に領域ＴＡ１のクリーニングを行っていき、第２のレーザ光学系１７Ｂは各矩形エリアについてＡ６からＡ１まで順番に領域ＴＡ２のクリーニングを行っていく。これにより、全ての矩形エリアＡ１乃至Ａ６の領域ＴＡ１、ＴＡ２に対して１回目のクリーニングが完了する。ただし、この時点では、各領域ＴＡ１、ＴＡ２について、４つのテーパ面のうち２つのテーパ面は高い洗浄度でクリーニングされているが、残りの２つのテーパ面についてはレーザによる走査がされているものの洗浄度が低いままになる。このため、２回目のクリーニングとして、残り２つのテーパ面にレーザを走査させる。   Here, the first laser optical system 17A performs the cleaning of the area TA1 in order from A1 to A6 for each rectangular area, and the second laser optical system 17B performs the area TA2 in order from A6 to A1 for each rectangular area. Let's clean up. Thereby, the first cleaning is completed for the areas TA1 and TA2 of all the rectangular areas A1 to A6. However, at this time, in each of the areas TA1 and TA2, two of the four taper surfaces are cleaned with a high degree of cleaning, but the remaining two taper surfaces are scanned with a laser. The degree of cleaning remains low. For this reason, as the second cleaning, the remaining two tapered surfaces are scanned with laser.

図６は矩形エリアＡ１の領域ＴＡ１を第２のレーザ光学系１７Ｂがクリーニングし、矩形エリアＡ６の領域ＴＡ２を第１のレーザ光学系１７Ａがクリーニングを行う場合を示している。この図に示すように、矩形エリアＡ６の領域ＴＡ２の頂点Ｖ６２を挟んで領域ＴＡ２とは反対側の領域（仮想的な領域）ＴＡ３から第１のレーザＬ１を入射させるようにする。ここでは、領域ＴＡ３に第１のガルバノミラー２２Ａを位置させるように、第１のレーザ移動部２４が移動させる。また、矩形エリアＡ１の領域ＴＡ１の頂点Ｖ１１を挟んで領域ＴＡ１とは反対側の領域（仮想的な領域）ＴＡ４から第２のレーザＬ２を入射させるようにする。ここでは、領域ＴＡ４に第２のガルバノミラー２２Ｂを位置させるように、第２のレーザ移動部２４が移動させる。   FIG. 6 shows a case where the second laser optical system 17B cleans the area TA1 of the rectangular area A1 and the first laser optical system 17A cleans the area TA2 of the rectangular area A6. As shown in this figure, the first laser L1 is incident from a region (virtual region) TA3 opposite to the region TA2 across the vertex V62 of the region TA2 of the rectangular area A6. Here, the first laser moving unit 24 is moved so that the first galvanometer mirror 22A is positioned in the region TA3. In addition, the second laser L2 is incident from a region (virtual region) TA4 opposite to the region TA1 across the vertex V11 of the region TA1 of the rectangular area A1. Here, the second laser moving unit 24 is moved so as to position the second galvanometer mirror 22B in the region TA4.

図７（ａ）は、第２のレーザＬ２が矩形エリアＡ１の領域ＴＡ１のクリーニングを行う状態を示している。この図に示すように、第２のレーザＬ２は対角線Ｄ１と平行な方向に走査させるようになっている。そして、各開口部３に対して第２のガルバノミラー２２Ｂは頂点Ｖ１１を挟んで領域ＴＡ１の反対側の領域ＴＡ３に位置しているため、図７（ｂ）に示すように、第２のレーザＬ２の光軸とテーパ面５Ｃ、５Ｄとは対向するような位置関係となっている。   FIG. 7A shows a state in which the second laser L2 cleans the area TA1 of the rectangular area A1. As shown in this figure, the second laser L2 scans in a direction parallel to the diagonal line D1. Since the second galvanometer mirror 22B is located in the region TA3 opposite to the region TA1 across the vertex V11 with respect to each opening 3, as shown in FIG. 7B, the second laser The optical axis of L2 and the taper surfaces 5C and 5D are in a positional relationship so as to face each other.

このとき、領域ＴＡ１の各開口部３のテーパ面５Ａ、５Ｂは既に第１のレーザＬ１により高い洗浄度でクリーニングがなされている。そして、第２のレーザＬ２がテーパ面５Ｃ、５Ｄに対して深い角度で入射させることにより、当該テーパ面５Ｃ、５Ｄの洗浄度も高いものとすることができる。これにより、領域ＴＡ１の各開口部３について全てのテーパ面５Ａ乃至５Ｄを高い洗浄度でクリーニングできる。   At this time, the tapered surfaces 5A and 5B of the openings 3 in the region TA1 have already been cleaned with a high degree of cleaning by the first laser L1. Then, when the second laser L2 is incident on the tapered surfaces 5C and 5D at a deep angle, the degree of cleaning of the tapered surfaces 5C and 5D can be increased. Thereby, it is possible to clean all the tapered surfaces 5A to 5D with a high degree of cleanliness for each opening 3 in the region TA1.

これと並行して、第１のレーザ光学系１７Ａが矩形エリアＡ６の領域ＴＡ２のクリーニングを行う。これにより、領域ＴＡ２のテーパ面５Ａ、５Ｂに対して第１のレーザＬ１を深い角度で入射させることができ、当該テーパ面５Ａ、５Ｂの洗浄度を高いものとすることができる。従って、領域ＴＡ２の各開口部３について全てのテーパ面５Ａ乃至５Ｄを高い洗浄度でクリーニングできる。   In parallel with this, the first laser optical system 17A cleans the area TA2 of the rectangular area A6. Accordingly, the first laser L1 can be incident at a deep angle on the tapered surfaces 5A and 5B in the region TA2, and the degree of cleaning of the tapered surfaces 5A and 5B can be increased. Therefore, all the tapered surfaces 5A to 5D can be cleaned with a high degree of cleaning for each opening 3 in the region TA2.

そして、クリーニングを行う対象となる領域の頂点を挟んで反対側の領域から第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２を入射させるように、第１のレーザ光学系１７Ａおよび第２のレーザ光学系１７ＢをＸ方向および／またはＹ方向に移動させる制御を行う。これにより、各矩形エリアＡ１乃至Ａ６の各領域ＴＡ１、ＴＡ２の全てのテーパ面５Ａ乃至５Ｄを高い洗浄度でクリーニングすることができる。   Then, the first laser optical system 17A and the second laser optical system are made so that the first laser L1 and the second laser L2 are incident from the opposite regions across the apex of the region to be cleaned. Control is performed to move 17B in the X direction and / or the Y direction. Thereby, it is possible to clean all the tapered surfaces 5A to 5D of the respective areas TA1 and TA2 of the respective rectangular areas A1 to A6 with a high degree of cleaning.

ここで、１つの開口部３に着目したクリーニングについて説明する。第１のレーザＬ１は２つのテーパ面５Ａおよび５Ｂを同時に深い角度で入射して走査させるために、（１）矩形の開口部３の斜め方向にレーザの走査を行い、（２）開口部３の対角線を挟んでテーパ面５Ａおよび５Ｂとは反対側からレーザを入射させる、という２つの条件を満たすようにしている。   Here, cleaning focusing on one opening 3 will be described. The first laser L1 scans the laser in the oblique direction of the rectangular opening 3 in order to cause the two tapered surfaces 5A and 5B to simultaneously enter and scan at a deep angle, and (2) the opening 3 These two conditions are satisfied: the laser is incident from the opposite side of the tapered surfaces 5A and 5B across the diagonal line.

（１）の条件については、第１のレーザＬ１を斜め方向、前述した例では対角線Ｄ１と平行な方向に走査させるべく、第１のガルバノ駆動部２３Ａが第１のガルバノミラー２２Ａの反射角度の制御を行う。第１のガルバノミラー２２Ａは、第１のガルバノ駆動部２３Ａに角度制御の設定を行えば、反射角度を自由に変化せることができる。これにより、開口部３の斜め方向に第１のレーザＬ１を斜め方向に走査を行うことができる。従って、２つのテーパ面を同時に走査することができる。つまり、４つのテーパ面をそれぞれ走査する必要がなく、２つのテーパ面を１回で走査することができる。この点は、第２のレーザＬ２についても同様である。   With respect to the condition (1), the first galvano drive unit 23A has a reflection angle of the first galvano mirror 22A so that the first laser L1 is scanned in an oblique direction, in the above-described example, in a direction parallel to the diagonal line D1. Take control. The first galvanometer mirror 22A can change the reflection angle freely by setting the angle control to the first galvanometer drive section 23A. As a result, the first laser L1 can be scanned obliquely in the oblique direction of the opening 3. Therefore, two tapered surfaces can be scanned simultaneously. That is, it is not necessary to scan each of the four tapered surfaces, and the two tapered surfaces can be scanned at a time. This also applies to the second laser L2.

（２）の条件については、領域ＴＡ１、ＴＡ２について対角線Ｄ１を挟んで反対側から、頂点を挟んで反対側から第１のレーザＬ１、第２のレーザＬ２を入射させている。本実施形態では、第１のガルバノミラー２２Ａ、第２のガルバノミラー２２Ｂを反対側の領域に配置している。これにより、クリーニングを行う領域の全ての開口部３について、開口部３の対角線を挟んでテーパとは反対側からレーザを入射させることができるようになる。   Regarding the condition (2), the first laser L1 and the second laser L2 are incident on the regions TA1 and TA2 from the opposite side across the diagonal line D1 and from the opposite side across the apex. In the present embodiment, the first galvanometer mirror 22A and the second galvanometer mirror 22B are arranged in the opposite region. As a result, the laser can be incident on all the openings 3 in the region to be cleaned from the opposite side of the taper across the diagonal line of the openings 3.

従って、最低限（１）および（２）の２つの条件を満たすことにより、開口部３の４つのテーパ面のうち相互に隣接する２つのテーパ面に対して深い角度でレーザを入射させることができ、且つ１度に２つのテーパ面を走査することができる。そして、次に（２）の条件とは反対側から再度レーザを斜め方向に走査することで、４つのテーパ面を高い洗浄度でクリーニングすることができる。   Therefore, by satisfying at least the two conditions (1) and (2), the laser can be incident at a deep angle with respect to the two tapered surfaces adjacent to each other among the four tapered surfaces of the opening 3. And can scan two tapered surfaces at a time. Then, by scanning the laser in the oblique direction again from the side opposite to the condition (2), the four tapered surfaces can be cleaned with a high degree of cleaning.

本実施形態では、複数の開口部３を有する領域毎に各レーザ光学系を移動させていたが、１つの開口部３のクリーニングを行う毎に各レーザ光学系を移動させることもできる。この場合には、各テーパ面５Ａ乃至５Ｄに対する第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２の入射角を最も厳格に制御することができる。一方、有機ＥＬ用マスク１を分割した矩形エリアおよびこれを２つに分けた領域は広範な領域であるため、有機ＥＬ用マスク１と各レーザ光学系との位置関係を固定したままでレーザ走査を行うと、入射角の角度制御は低下する。   In the present embodiment, each laser optical system is moved for each region having a plurality of openings 3. However, each laser optical system can be moved each time one opening 3 is cleaned. In this case, the incident angles of the first laser L1 and the second laser L2 with respect to the tapered surfaces 5A to 5D can be controlled most strictly. On the other hand, since the rectangular area obtained by dividing the organic EL mask 1 and the area divided into two are wide areas, laser scanning is performed with the positional relationship between the organic EL mask 1 and each laser optical system fixed. As a result, the angle control of the incident angle decreases.

ただし、有機ＥＬ用マスク１に形成される開口部３は極めて多数のため、１つの開口部３毎に各レーザ光学系を移動させると、移動回数が飛躍的に増加し、移動処理が著しく煩雑になる。これにより、処理時間が大幅に長くなる。このため、ある程度の矩形エリアに分割して、領域毎に各開口部３のテーパ面５Ａ乃至５Ｄのクリーニングを行うことで、移動回数を非常に少ないものとすることができる。   However, since the number of openings 3 formed in the organic EL mask 1 is extremely large, if each laser optical system is moved for each one of the openings 3, the number of movements increases dramatically, and the movement process is extremely complicated. become. This significantly increases the processing time. For this reason, it is possible to make the number of movements very small by dividing into rectangular areas to some extent and cleaning the tapered surfaces 5A to 5D of each opening 3 for each region.

以上説明した実施形態において、第１のレーザ光学系１７Ａと第２のレーザ光学系１７Ｂとの２つのレーザ光学系を用いているが、レーザ光学系は１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。レーザ光学系が１つの場合、例えば第１のレーザ光学系１７Ａのみが設けられている場合には、各矩形エリアＡ１乃至Ａ６の全て（２つの領域ＴＡ１およびＴＡ２を含む）のクリーニングを完了した後に、有機ＥＬ用マスク１と第１のレーザ光学系１７Ａとを相対的に１８０度回転させることにより、第１のレーザ光学系１７Ａを第２のレーザ光学系１７Ｂとして機能させることができる。この状態で、各矩形エリアＡ１乃至Ａ６の全て（２つの領域ＴＡ１およびＴＡ２を含む）のクリーニングを行うことにより、クリーニング処理が完了する。   In the embodiment described above, two laser optical systems of the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B are used. However, there may be one laser optical system or three laser optical systems. It may be the above. When there is only one laser optical system, for example, when only the first laser optical system 17A is provided, after cleaning of all the rectangular areas A1 to A6 (including the two areas TA1 and TA2) is completed. By rotating the organic EL mask 1 and the first laser optical system 17A relatively 180 degrees, the first laser optical system 17A can function as the second laser optical system 17B. In this state, the cleaning process is completed by cleaning all the rectangular areas A1 to A6 (including the two areas TA1 and TA2).

ただし、レーザ光学系が１つの場合には、有機ＥＬ用マスク１の全ての洗浄を１つのレーザ光学系により行うため、処理時間が長くなる。また、回転動作等も必要になる。このため、２つ以上のレーザ光学系を用いて並列的にクリーニングを行うことが望ましい。例えば、４台のレーザ光学系を用いて並列的にクリーニングを行えば、その分だけ時間短縮効果を図ることができる。ただし、レーザ光学系を増やした分だけ機構の大型化・複雑化を招来するため、処理時間と装置構成との観点から適宜にレーザ光学系の数を設定する。   However, when there is one laser optical system, all the cleaning of the organic EL mask 1 is performed by one laser optical system, so that the processing time becomes long. Further, a rotating operation or the like is required. For this reason, it is desirable to perform cleaning in parallel using two or more laser optical systems. For example, if cleaning is performed in parallel using four laser optical systems, the effect of shortening the time can be achieved. However, as the number of laser optical systems is increased, the mechanism becomes larger and more complicated, so the number of laser optical systems is appropriately set from the viewpoint of processing time and apparatus configuration.

また、前述してきた例では、レーザの走査方向を開口部３に対して斜めにすべく、第１のガルバノミラー２２Ａおよび第２のガルバノミラー２２Ｂの反射方向を制御していたが、例えばレーザ光源２１Ａ、２１Ｂ自身が開口部３に対して斜め方向に移動するようにしてもよい。この場合には、第１のガルバノミラー２２Ａおよび第２のガルバノミラー２２Ｂは不要になる。また、ステージ移動部１４が有機ＥＬ用マスク１を斜め方向に移動させれば、第１のガルバノミラー２２Ａおよび第２のガルバノミラー２２ＢはＸ方向またはＹ方向の何れか一方の方向に走査させることもできる。   In the example described above, the reflection direction of the first galvanometer mirror 22A and the second galvanometer mirror 22B is controlled so that the scanning direction of the laser is inclined with respect to the opening 3. 21A and 21B themselves may move in an oblique direction with respect to the opening 3. In this case, the first galvanometer mirror 22A and the second galvanometer mirror 22B become unnecessary. If the stage moving unit 14 moves the organic EL mask 1 in an oblique direction, the first galvanometer mirror 22A and the second galvanometer mirror 22B are scanned in either the X direction or the Y direction. You can also.

また、前述してきた例では、第１のレーザ光学系１７Ａは矩形エリアＡ１から順番にＡ６まで、第２のレーザ光学系１７Ｂは矩形エリアＡ６から順番にＡ１までクリーニングを行っているが、クリーニングを行う矩形エリアの順番は任意に設定してもよい。そして、第１のレーザＬ１と第２のレーザＬ２とが同じ矩形エリアの同じ領域の中にある同じ開口部３を同時にクリーニングするようにしてもよい。   In the example described above, the first laser optical system 17A performs cleaning from the rectangular area A1 to A6 in order, and the second laser optical system 17B performs cleaning from the rectangular area A6 to A1 in order. The order of the rectangular areas to be performed may be arbitrarily set. The first laser L1 and the second laser L2 may simultaneously clean the same opening 3 in the same region of the same rectangular area.

また、前述してきた例では、第１のレーザ光学系１７Ａおよび第２のレーザ光学系１７Ｂはテーパ面５の洗浄を行っているが、図４等にも示したように、テーパ面５のみの洗浄を行っているものではなく、有機ＥＬ用マスク１を全面的にクリーニングしている。この場合には、第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２は有機ＥＬ用マスク１の表面に対しては斜め方向から入射することになり、表面におけるスポットは楕円形になる。このため、十分な洗浄度は得られないが、ある程度の洗浄度を得ることはできる。従って、当該洗浄度が十分でない場合には、表面に直交する方向からレーザが照射されるように、改めて有機ＥＬ用マスク１に対して全面的なクリーニングを行う。   In the example described above, the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B perform the cleaning of the tapered surface 5, but as shown in FIG. The organic EL mask 1 is not cleaned but the entire surface of the organic EL mask 1 is cleaned. In this case, the first laser L1 and the second laser L2 are incident on the surface of the organic EL mask 1 from an oblique direction, and the spots on the surface are elliptical. For this reason, a sufficient degree of cleaning cannot be obtained, but a certain degree of cleaning can be obtained. Therefore, when the degree of cleaning is not sufficient, the organic EL mask 1 is completely cleaned again so that the laser is irradiated from the direction orthogonal to the surface.

図８（ａ）は、矩形エリアＡ１の領域ＴＡ１に対して第１のレーザ光学系１７Ａと第２のレーザ光学系１７Ｂとが同時にクリーニングを行っている例を示している。第１のレーザＬ１と第２のレーザＬ２とが相互に干渉しないように、僅かな時間差を持たせているが、時間的にはほぼ同じタイミングで同じ個所に対して入射させている。つまり、第１のガルバノミラー２２Ａで反射させた第１のレーザＬ１は最初に対角線Ｄ１に沿って平行に走査させ、第２のガルバノミラー２２Ｂで反射させた第２のレーザＬ２は第１のレーザＬ１とほぼ同じタイミングで追従して走査させている。従って、第１のレーザＬ１と第２のレーザＬ２とは同じ開口部３に対して同時に入射させていることになる。   FIG. 8A shows an example in which the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B are simultaneously cleaning the area TA1 of the rectangular area A1. The first laser L1 and the second laser L2 have a slight time difference so that they do not interfere with each other, but are incident on the same part at substantially the same timing. That is, the first laser L1 reflected by the first galvanometer mirror 22A is first scanned in parallel along the diagonal line D1, and the second laser L2 reflected by the second galvanometer mirror 22B is the first laser. The scanning is performed following substantially the same timing as L1. Therefore, the first laser L1 and the second laser L2 are simultaneously incident on the same opening 3.

これにより、図８（ｂ）に示すように、テーパ面５Ａ（および５Ｂ）には第１のレーザＬ１が入射し、テーパ面５Ｃ（および５Ｄ）には第２のレーザＬ２が入射する。第１のレーザＬ１は深い角度で入射しているため、テーパ面５Ａ（および５Ｂ）を高い洗浄度でクリーニングし、第２のレーザＬ２も深い角度で入射しているため、テーパ面５Ｃ（および５Ｄ）を高い洗浄度でクリーニングする。つまり、１つの開口部３の４つのテーパ面の全てが同時に高い洗浄度でクリーニングされるようになる。   Accordingly, as shown in FIG. 8B, the first laser L1 is incident on the tapered surface 5A (and 5B), and the second laser L2 is incident on the tapered surface 5C (and 5D). Since the first laser L1 is incident at a deep angle, the tapered surface 5A (and 5B) is cleaned with a high degree of cleaning, and the second laser L2 is also incident at a deep angle, so the tapered surface 5C (and 5D) is cleaned with a high degree of cleaning. That is, all four tapered surfaces of one opening 3 are simultaneously cleaned with a high degree of cleaning.

この場合には、第１のレーザ光学系１７Ａと第２のレーザ光学系１７Ｂとを独立して移動させる必要がなく、一体的に移動させることが可能になる。つまり、第１のレーザ光学系１７Ａと第２のレーザ光学系１７Ｂとを一体的なユニットとして構成して、当該ユニットを移動させることにより、各矩形エリアのクリーニングが可能になる。前述したように、レーザ光学系の位置を正確に調整した後にレーザを走査させており、２つのレーザ光学系を独立して動作させる場合には、２つのレーザ光学系をそれぞれ位置調整しなければならない。   In this case, the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B do not need to be moved independently, and can be moved integrally. That is, each rectangular area can be cleaned by configuring the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B as an integral unit and moving the unit. As described above, when the laser is scanned after the position of the laser optical system is accurately adjusted and the two laser optical systems are operated independently, the positions of the two laser optical systems must be adjusted respectively. Don't be.

これに対して、一体的なユニットとして構成した場合には、当該ユニットのみを位置調整すればよいため、位置調整の処理が単純になる。なお、一体的なユニットとして構成する場合には、第１のレーザ光学系１７Ａと第２のレーザ光学系１７Ｂとの位置関係を予め正確に設定しておくようにする。   On the other hand, when the unit is configured as an integral unit, the position adjustment process is simplified because only the unit needs to be adjusted. When configured as an integral unit, the positional relationship between the first laser optical system 17A and the second laser optical system 17B is set accurately in advance.

また、前述した実施形態では、有機ＥＬ用マスク１を６つの矩形エリアＡ１乃至Ａ６に分割しているが、分割する数は任意に設定してもよい。ただし、有機ＥＬ用マスク１の分割の仕方としては、（１）開口部３の対角線と矩形エリアの対角線Ｄ１とが平行になるように、（２）開口部３のテーパ面に対して入射するレーザの入射角をαとしたときに、「７０°＜α＜１１０°」、の条件を満たすような分割の仕方が望ましい。（１）および（２）の２つの条件を満たすことが最も望ましいが、何れか１つの条件を満たすものであってもよい。   In the above-described embodiment, the organic EL mask 1 is divided into six rectangular areas A1 to A6. However, the number of divisions may be arbitrarily set. However, as a method of dividing the organic EL mask 1, (1) the light is incident on the tapered surface of the opening 3 so that the diagonal of the opening 3 and the diagonal D1 of the rectangular area are parallel to each other. A division method that satisfies the condition of “70 ° <α <110 °” when the incident angle of the laser is α is desirable. Although it is most desirable to satisfy the two conditions (1) and (2), any one of the conditions may be satisfied.

まず、最初の（１）の条件については、前述したように、第１のレーザＬ１および第２のレーザＬ２は矩形エリアの対角線Ｄ１に平行となるように走査を行う。このため、矩形エリアの対角線Ｄ１と開口部３の対角線とが平行になるように矩形エリアの分割を行えば、領域ＴＡ１、ＴＡ２に含まれる全ての開口部３について対角線と平行に走査を行うことができるようになる。例えば、開口部３が正方形であれば、矩形エリアが正方形となるように分割することが望ましい。これにより、常に開口部３に対して４５度の角度となるように走査を行うことができる。   First, as for the first condition (1), as described above, the first laser L1 and the second laser L2 scan so as to be parallel to the diagonal line D1 of the rectangular area. For this reason, if the rectangular area is divided so that the diagonal line D1 of the rectangular area and the diagonal line of the opening 3 are parallel to each other, the scanning is performed in parallel with the diagonal line for all the openings 3 included in the regions TA1 and TA2. Will be able to. For example, if the opening 3 is a square, it is desirable to divide the rectangular area into a square. Thereby, it is possible to perform scanning so that the angle is always 45 degrees with respect to the opening 3.

レーザの走査は開口部３の対角線に対して平行な方向であることが望ましいが、対角線と平行な方向でなくても、開口部３に対して斜め方向であればよい。開口部３に対して斜め方向にレーザの走査を行うことにより、１度に２つのテーパ面の走査を行うことは可能になる。ただし、この場合には、２つのテーパ面の間に走査の偏りが生じるため、できる限り開口部３の対角線に対して平行に走査することが望ましい。このために、開口部３に対して平行な方向にレーザを走査するようになし、矩形エリアの対角線方向に走査するようにすることが望ましい。   The laser scanning is preferably in a direction parallel to the diagonal line of the opening 3, but may be in a direction oblique to the opening 3, even if the direction is not parallel to the diagonal line. By scanning the opening 3 obliquely with a laser, it is possible to scan two tapered surfaces at a time. However, in this case, since a scanning deviation occurs between the two tapered surfaces, it is desirable to scan as parallel as possible to the diagonal line of the opening 3. For this purpose, it is desirable to scan the laser in a direction parallel to the opening 3 and scan in the diagonal direction of the rectangular area.

次に、（２）の条件については、レーザの入射角αが前記のような条件を満たすことが望ましい。つまり、α＝９０°となれば、テーパ面の法線方向からレーザを入射させることができ、この場合にはテーパ面でのスポットは円形になるため、パワー密度が完全に均一になる。従って、この場合が最も洗浄度が高くなる。一方で、αが９０°からずれるに従ってスポットは楕円形になり、洗浄度が低くなる。この場合、±２０°の範囲内であれば、テーパ面から蒸着物質を剥離する効果が高くなり、高い洗浄度が得られるようになる。逆に、αがこの範囲を外れると洗浄度が低くなるばかりでなく、剥離される蒸着物質の領域が大きく変化（例えば、１０％以上の領域変化を生じる）し、レーザ走査によるクリーニングにばらつきが生じる。よって、αは９０°から±２０°の範囲内に収めるようにする。   Next, with respect to the condition (2), it is desirable that the incident angle α of the laser satisfies the above condition. That is, if α = 90 °, the laser can be incident from the normal direction of the tapered surface, and in this case, the spot on the tapered surface is circular, and the power density is completely uniform. Therefore, in this case, the cleaning degree is the highest. On the other hand, as α deviates from 90 °, the spot becomes elliptical and the degree of cleaning decreases. In this case, if it is within the range of ± 20 °, the effect of peeling the vapor deposition material from the tapered surface is enhanced, and a high degree of cleaning can be obtained. Conversely, if α is outside this range, not only will the degree of cleaning be lowered, but the area of the vapor deposition material to be peeled will change significantly (for example, an area change of 10% or more will occur), and there will be variations in cleaning by laser scanning. Arise. Therefore, α is set within a range of 90 ° to ± 20 °.

そこで、αは「７０°＜α＜１１０°」としている。ここで、図９に示すように、第１のレーザＬ１の入射角をα、テーパ面の傾斜角（有機ＥＬ用マスク１の表面に対して傾斜している角度）をβ、開口部３と第１のガルバノミラー２２Ａとの水平面上の距離をＬ、有機ＥＬ用マスク１に対する第１のガルバノミラー２２Ａの高さをＨとしたときに、有機ＥＬ用マスク１に対する第１のレーザＬ１の入射角は「α―β」になる。従って、ＬおよびＨの正接との関係から、ｔａｎ（α―β）＝（Ｈ／Ｌ）になり、αについてみれば、α＝ｔａｎ―１（Ｈ／Ｌ）＋βになる。   Therefore, α is set to “70 ° <α <110 °”. Here, as shown in FIG. 9, the incident angle of the first laser L 1 is α, the inclination angle of the taper surface (the angle inclined with respect to the surface of the organic EL mask 1) is β, and the opening 3 Incidence of the first laser L1 to the organic EL mask 1 when the horizontal distance from the first galvano mirror 22A is L and the height of the first galvano mirror 22A with respect to the organic EL mask 1 is H. The angle becomes “α-β”. Therefore, tan (α−β) = (H / L) from the relationship with the tangent of L and H, and α = tan−1 (H / L) + β for α.

そして、「７０°＜α＜１１０°」であることから、「Ｈ―１×ｔａｎ（７０°―β）＜Ｌ＜Ｈ―１×ｔａｎ（１１０°―β）」となるように開口部３と第１のガルバノミラー２２Ａ（第２のガルバノミラー２２Ｂも同様）との距離を設定することが望ましい。つまり、この条件を満たすような距離を維持するように、有機ＥＬ用マスク１と各レーザ光学系とを相対移動させるようにする。当該移動を行うように、第１のレーザ移動部２４Ａおよび第２のレーザ移動部２４Ｂの移動制御を行うようにすることで、常に高い洗浄度を得ることができるようになる。   Since “70 ° <α <110 °”, the opening 3 is set so that “H−1 × tan (70 ° −β) <L <H−1 × tan (110 ° −β)”. It is desirable to set a distance between the first galvanometer mirror 22A and the second galvanometer mirror 22B. That is, the organic EL mask 1 and each laser optical system are relatively moved so as to maintain a distance that satisfies this condition. By performing the movement control of the first laser moving unit 24A and the second laser moving unit 24B so as to perform the movement, it is possible to always obtain a high degree of cleaning.

１ 有機ＥＬ用マスク ３ 開口部
５Ａ〜５Ｄ テーパ面 １０ レーザ洗浄装置
１２ 搭載ステージ １４ ステージ移動部
１５ 送風部 １６ 吸引部
１７Ａ 第１のレーザ光学系 １７Ｂ 第２のレーザ光学系
２２Ａ 第１のガルバノミラー ２２Ｂ 第２のガルバノミラー
Ａ１〜Ａ６ 矩形エリア ＣＦ 搬送空気流
Ｄ１ 対角線 Ｌ１ 第１のレーザ
Ｌ２ 第２のレーザ ＴＡ１ 領域
ＴＡ２ 領域 Ｖ１１ 頂点
Ｖ６２ 頂点 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mask for organic EL 3 Opening part 5A-5D Tapered surface 10 Laser cleaning apparatus 12 Mounting stage 14 Stage moving part 15 Air blower 16 Suction part 17A 1st laser optical system 17B 2nd laser optical system 22A 1st galvanometer mirror 22B Second galvanometer mirrors A1 to A6 Rectangular area CF Carrier air flow D1 Diagonal L1 First laser L2 Second laser TA1 area TA2 area V11 vertex V62 vertex

Claims (9)

テーパ面を有する開口部を複数形成した有機ＥＬ用マスクのクリーニングを行う有機ＥＬ用マスククリーニング装置であって、
前記テーパ面をクリーニングするときには、各開口部に形成される４つのテーパ面のうち相互に隣接する２つのテーパ面に向けて、前記開口部の対角線を挟んで反対側からレーザを入射させて前記開口部の斜め方向に走査させるレーザ走査手段と、
前記対角線を挟んで前記２つのテーパ面の反対側から前記レーザが入射するように、前記有機ＥＬ用マスクと前記レーザ走査手段とを相対的に移動させる相対移動手段と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ用マスククリーニング装置。 An organic EL mask cleaning device for cleaning an organic EL mask having a plurality of openings having a tapered surface,
When cleaning the tapered surface, a laser is incident from the opposite side across the diagonal of the opening toward two adjacent tapered surfaces among the four tapered surfaces formed in each opening. Laser scanning means for scanning in an oblique direction of the opening;
Relative movement means for relatively moving the organic EL mask and the laser scanning means so that the laser is incident from the opposite side of the two tapered surfaces across the diagonal line;
An organic EL mask cleaning device comprising: 前記４つのテーパ面のうち前記２つのテーパ面以外の残り２つのテーパ面に向けて、前記対角線を挟んで反対側から他のレーザを入射させて前記開口部の斜め方向に走査させる他のレーザ走査手段を備え、
前記相対移動手段は、前記対角線を挟んで前記残り２つのテーパ面の反対側から前記他のレーザが入射するように、前記有機ＥＬ用マスクと前記他のレーザ走査手段とを相対移動させること
を特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置。 Another laser that scans in the oblique direction of the opening by injecting another laser from the opposite side across the diagonal line toward the remaining two tapered surfaces other than the two tapered surfaces among the four tapered surfaces Scanning means,
The relative moving means relatively moves the organic EL mask and the other laser scanning means so that the other laser is incident from the opposite side of the remaining two tapered surfaces across the diagonal line. The organic EL mask cleaning apparatus according to claim 1, wherein: 前記有機ＥＬ用マスクを複数の開口部を有する矩形エリアに分割して、この矩形エリアの対角線を挟んで２つの領域に分割したときに、
前記レーザ走査手段は、前記矩形エリアの対角線を挟んで反対側からまたは前記領域の頂点を挟んで反対側から前記領域に対して前記矩形エリアの斜め方向に前記レーザを走査し、
前記相対移動手段は、１つの領域の各開口部に対する走査を完了した後に、前記有機ＥＬ用マスクに対して前記レーザ走査手段を相対移動させること
を特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置。 When the organic EL mask is divided into rectangular areas having a plurality of openings and divided into two regions across the diagonal of the rectangular area,
The laser scanning means scans the laser in an oblique direction of the rectangular area with respect to the region from the opposite side across the diagonal of the rectangular area or from the opposite side across the apex of the region,
2. The organic EL mask according to claim 1, wherein the relative movement unit moves the laser scanning unit relative to the organic EL mask after completing scanning of each opening of one region. 3. Cleaning device. 前記有機ＥＬ用マスクを複数の開口部を有する矩形エリアに分割して、この矩形エリアの対角線を挟んで２つの領域に分割したときに、
前記レーザ走査手段は前記矩形エリアの対角線を挟んで反対側からまたは前記領域の頂点を挟んで反対側から前記領域に対して前記矩形エリアの斜め方向に前記レーザを走査し、
前記他のレーザ走査手段は前記領域の頂点を挟んで反対側からまたは前記矩形エリアの対角線を挟んで反対側から前記領域に対して前記矩形エリアの斜め方向に前記レーザを走査し、
前記相対移動手段は、１つの領域の各開口部に対する走査を完了した後に、前記有機ＥＬ用マスクに対して前記レーザ走査手段と前記他のレーザ走査手段とを相対移動させること
を特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置。 When the organic EL mask is divided into rectangular areas having a plurality of openings and divided into two regions across the diagonal of the rectangular area,
The laser scanning means scans the laser in an oblique direction of the rectangular area with respect to the region from the opposite side across the diagonal of the rectangular area or from the opposite side across the apex of the region,
The other laser scanning means scans the laser in the oblique direction of the rectangular area with respect to the region from the opposite side across the vertex of the region or across the diagonal line of the rectangular area,
The relative movement unit relatively moves the laser scanning unit and the other laser scanning unit with respect to the organic EL mask after completing scanning of each opening of one region. Item 3. The organic EL mask cleaning device according to Item 2. 前記レーザ走査手段と前記他のレーザ走査手段とを一体的なユニットとして構成したこと
を特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置。 3. The organic EL mask cleaning apparatus according to claim 2, wherein the laser scanning unit and the other laser scanning unit are configured as an integrated unit. 前記レーザ走査手段により走査される前記テーパ面と前記レーザの光軸とのなす角度をαとしたときに、
前記相対移動手段は、「７０度＜α＜１１０度」となるように前記有機ＥＬ用マスクに対して前記レーザ走査手段を相対的に移動させること
を特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置。 When the angle between the tapered surface scanned by the laser scanning means and the optical axis of the laser is α,
2. The organic EL device according to claim 1, wherein the relative movement unit moves the laser scanning unit relative to the organic EL mask so that “70 degrees <α <110 degrees”. Mask cleaning device. 請求項１乃至６いずれか１項に記載の有機ＥＬ用マスククリーニング装置を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造装置。   An organic EL display manufacturing apparatus comprising the organic EL mask cleaning apparatus according to claim 1. 請求項７記載の有機ＥＬディスプレイの製造装置により製造されたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。   An organic EL display manufactured by the organic EL display manufacturing apparatus according to claim 7. テーパ面を有する開口部を複数形成した有機ＥＬ用マスクのクリーニングを行う有機ＥＬ用マスククリーニング方法であって、
各開口部に形成される４つのテーパ面のうち相互に隣接する２つのテーパ面に向けて、前記開口部の対角線を挟んで反対側からレーザを入射させて前記開口部の斜め方向に前記レーザを走査させ、
前記レーザが前記対角線を挟んで前記２つのテーパ面の反対側から入射するように、前記有機ＥＬ用マスクと前記レーザ走査手段とを相対的に移動させること
を特徴とする有機ＥＬ用マスククリーニング方法。 An organic EL mask cleaning method for cleaning an organic EL mask having a plurality of openings each having a tapered surface,
A laser is incident on two tapered surfaces adjacent to each other out of four tapered surfaces formed in each opening so that the laser is incident on the opposite side across the diagonal line of the opening, and the laser is obliquely formed in the opening. Scan
An organic EL mask cleaning method, wherein the organic EL mask and the laser scanning unit are relatively moved so that the laser is incident from the opposite side of the two tapered surfaces across the diagonal line .

Images