JP2011054691A - 半導体ウェーハの表面または表層評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】過剰キャリアの濃度分布の測定前に、半導体ウェーハの表面から自然酸化膜を含む酸化膜を除去するので、濃度分布の測定視野内における無欠陥領域上と欠陥領域上での発光強度の差が増大する。その結果、電気的に活性な欠陥および局所的な汚染を、自然酸化膜を含む酸化膜を除去しない従来法に比べて高感度に検出し、評価することができる。
【選択図】図1
Description
従来、シリコンウェーハの表面において、微小な領域でのフォトルミネセンスの発光強度分布を得ることで、電気的に活性な欠陥や局所的な汚染を検出し、それを評価する方法は知られていた(例えば、特許文献1)。
すなわち、自然酸化膜にはシリコンの表面準位が局在しており、この表面準位が過剰キャリアの濃度分布の測定精度に悪影響をおよぼす。そのため、従来法では、濃度分布の測定視野内での無欠陥領域の発光強度と、欠陥領域の発光強度との差は小さく、濃度分布のコントラストが明瞭でなかった。その結果、濃度分布から得られた電気的に活性な欠陥の検出結果および局所的な汚染の検出結果も信頼性が低かった。
この発明は、半導体ウェーハの表面または表層の欠陥および汚染を高感度に測定し、評価結果の信頼性を高めることができる半導体ウェーハの表面または表層評価方法を提供することを目的としている。
一般に、結晶中に欠陥または汚染が存在すれば、それらに対応した電子準位がバンドギャップ中に形成される。これらの電子準位がバンドギャップ中に存在すれば、励起された過剰キャリアがこの電子準位を介して再結合する。そのため、相対的に、バンド間での直接再結合によるバンド端発光の割合が低下する。これにより、欠陥または汚染が存在した場合には、これらが存在しない場合に比べて、バンド端発光強度が下がることになる。
その後、半導体ウェーハの表面に新たに自然酸化膜が形成されるまでの間に、光励起により半導体ウェーハの表面近傍に過剰キャリアを発生させ、半導体ウェーハの表面または表層の微小な領域内での過剰キャリアの濃度分布を測定する。その結果、半導体ウェーハの表面または表層での電気的に活性な欠陥、局所的な汚染を評価することができる。
半導体ウェーハの口径としては、例えば200mm、300mm、450mmが挙げられる。
欠陥、汚染を評価可能な領域は、半導体ウェーハの表面または半導体ウェーハの表層である。
ここでいう「半導体ウェーハの表層」とは、半導体ウェーハの表面から1μm程度の深さ領域をいう。
光励起を伴って、半導体ウェーハの表面または表層の欠陥、汚染を評価する方法としては、光励起分光法を採用することができる。具体的には、フォトルミネセンス法などを採用することができる。
自然酸化膜の場合の厚さは、0.2〜1nmである。
自然酸化膜を含む酸化膜の除去方法としては、例えば、フッ酸などによるHF処理を採用することができる。フッ酸には、フッ酸水蒸気が含まれる。
ここでいう「電気的に活性な欠陥」としては、例えば、結晶欠陥を採用することができる。
ここでいう「局所的な汚染」としては、例えば、金属汚染を採用することができる。
評価されるのは、電気的に活性な欠陥と、局所的な汚染とのうち、少なくとも1つである。
フォトルミネセンス法による過剰キャリアの濃度分布の測定条件は任意である。
また、フォトルミネセンス測定装置の装置構成も任意である。一般的には、励起光源、半導体ウェーハがセッティングされるクライオスタット、収束レンズ、分光器、光検出器を備えている。励起光源としては、各種のレーザ(アルゴンレーザ、ヘリウム・ネオンレーザ、クリプトンレーザなど)を採用することができる。その他の励起光源として、キセノンアークランプ、タングステンランプなどでもよい。
シリコンウェーハとしては、単結晶シリコンウェーハ、多結晶シリコンウェーハを採用することができる。
フッ酸中のフッ化水素の濃度は任意である。例えばHF:H2O=1〜20:100のものを採用することができる。
フッ酸洗浄(フッ酸によるエッチング)の時間は、自然酸化膜を含む酸化膜の厚さに応じて変更される。
純水によるリンス時間は、例えば浸漬法の場合で5分程度である。純水リンス後は、半導体ウェーハを例えばスピン乾燥、窒素ブローなどで乾燥させる。
シリコンウェーハは、CZ法により引き上げられたシリコン単結晶を加工して得られた直径が300mm、ボロンドープによる比抵抗が1.0Ω・cmのもので、その露出面全域に厚さ1nm前後のシリコン酸化膜が形成されている。
次に、シリコンウェーハを洗浄槽に貯液されたフッ酸(25℃)に1分間だけ浸漬し、自然酸化膜を除去(フッ酸洗浄)する。フッ酸中のHF濃度は1%である。
その後、純水リンス後のシリコンウェーハをスピン乾燥機の回転テーブルに固定し、所定の回転速度で所定時間だけスピン乾燥し、シリコンウェーハの表面に水滴が残らないようにする。スピン乾燥に代えて、窒素ブロー乾燥でもよい。
まず、図2を参照して、フォトルミネセンス測定装置を具体的に説明する。このフォトルミネセンス測定装置は、強励起顕微フォトルミネッセンス法に基づく欠陥検出装置である。具体的にはnanometrics社製の商品名SiPHERを採用している。フォトルミネセンス測定装置10は、シリコンウェーハ11の表面にレーザ光を照射するレーザ光源12,13と、ハーフミラー14,15と、出力計16と、表面散乱光用検出器17と、オートフォーカス用検出器18と、可動ミラー19と、白色光源20と、CCDカメラ21と、顕微鏡対物レンズ22と、長波パスフィルタ23と、フォトルミネセンス光用検出器24と、オートフォーカス用のミラー25とを備えている。
図3に示すように、自然酸化膜を除去する前は微小であった欠陥が、自然酸化膜の除去後は明瞭なコントラストで高感度に検出できた。これを、図5のグラフを用いて検出信号の強度差で表示すれば、自然酸化膜を除去する前の欠陥は、幅が10nm程度、ウェーハ表面の平坦領域の検出信号を基準強度1.00とした場合、欠陥の信号強度が0.99程度であった。これに対して、自然酸化膜除去後の欠陥は、幅が10nm程度、欠陥の信号強度が0.93程度と、欠陥の存在が明瞭となった。
図6の顕微鏡写真から明らかなように、評価試料となる自然酸化膜が形成されたシリコンウェーハの表面(HF処理前)には、幅1μm、長さ2μm程度の欠陥が存在した。
11 シリコンウェーハ(半導体ウェーハ)。
Claims (3)
- 半導体ウェーハの表層に光励起により過剰キャリアを発生させ、前記半導体ウェーハの表面の微小な領域内における前記過剰キャリアの濃度分布を測定し、前記半導体ウェーハの表面または表層の電気的に活性な欠陥、局所的な汚染を評価する半導体ウェーハの表面または表層評価法であって、
前記半導体ウェーハの表面に形成された自然酸化膜を含む酸化膜を除去し、その後、前記半導体ウェーハの表面に新たに自然酸化膜が形成されるまでの間に、前記電気的に活性な欠陥、局所的な汚染の評価を行う半導体ウェーハの表面または表層評価法。 - 半導体ウェーハがシリコンウェーハで、
前記過剰キャリアの濃度分布の測定法がフォトルミネセンス法である請求項1に記載の半導体ウェーハの表面または表層評価方法。 - 前記半導体ウェーハがシリコンウェーハで、
前記自然酸化膜を含む酸化膜の除去が、フッ酸洗浄およびその後の純水リンスにより行われる請求項1または請求項2に記載の半導体ウェーハの表面または表層評価方法。
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