JP2011053593A - 光検出器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン層103上の一部にp型シリコン層132およびゲルマニウム層107を形成した後で、よく知られたリソグラフィ技術とエッチング技術を利用した従来と同様な作製方法を用いてシリコン層103をパターニングし、シリコンコア131を形成する。なお、p型シリコン層132は、このまま残るようにする。ここで、シリコンコア131は、一部がゲルマニウム層107の下のp型シリコン層132に接触するように形成する。
【選択図】 図1H
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1A〜図1Jは、本発明の実施の形態1における光検出器の製造方法を説明するための工程図である。
次に、本発明における実施の形態2における光検出器の製造方法について説明する。まず、図6Aに示すように、シリコン基板101上に酸化シリコン層102とシリコン層103とが積層された基板を用意する。例えば、酸化シリコン層102は、層厚1−3μm程度とされ、シリコン層103は、層厚150−300nm程度とされている。
次に、本発明の実施の形態3について説明する。まず、前述した実施の形態1と同様にし、図1Eに示すように、開口部181の底部に露出したp型シリコン層132の上に、選択的にゲルマニウム層107を形成する。
Claims (8)
- 酸化シリコンからなる下部クラッド層の上にシリコン層を備える基板の前記シリコン層の一部に第1導電型の不純物が導入された第1導電型シリコン層を形成する工程と、
前記第1導電型シリコン層の上にゲルマニウムからなるゲルマニウム層を形成する工程と、
前記ゲルマニウム層の上に第2導電型の半導体層を形成し、前記第1導電型シリコン層,前記ゲルマニウム層,および前記第2導電型の半導体層より構成されたゲルマニウム光受光器を形成する工程と、
前記シリコン層をパターニングして一端が前記第1導電型シリコン層に接続するコアを形成する工程と、
前記コアを覆う上部クラッド層を形成する工程と
を少なくとも備え、
前記コアの形成は、前記ゲルマニウム層を形成した後に行うことを特徴とする光検出器の製造方法。 - 請求項1記載の光検出器の製造方法において、
前記シリコン層の上に前記第1導電型シリコン層の上部に開口部を有するマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンをマスクとして前記第1導電型シリコン層の上に選択的にゲルマニウムを堆積して前記ゲルマニウム層を形成する
ことを特徴とする光検出器の製造方法。 - 請求項1記載の光検出器の製造方法において、
前記シリコン層の上にゲルマニウムを堆積してゲルマニウム膜を形成し、
前記ゲルマニウム膜をパターニングして前記第1導電型シリコン層の上にゲルマニウムからなる前記ゲルマニウム層を形成する
ことを特徴とする光検出器の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の光検出器の製造方法において、
酸化シリコンもしくは酸窒化シリコンを前記コアにおける熱酸化が抑制される温度条件の範囲で堆積することで前記上部クラッド層を形成する
ことを特徴とする光検出器の製造方法。 - 請求項4記載の光検出器の製造方法において、
前記酸化シリコンもしくは酸窒化シリコンの堆積は、ECRプラズマCVD法で行う
ことを特徴とする光検出器の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の光検出器の製造方法において、
前記第2導電型の半導体層は、シリコンもしくは前記ゲルマニウム層の上層から構成することを特徴とする光検出器の製造方法。 - 請求項6記載の光検出器の製造方法において、
前記第2導電型の半導体層は、シリコン層から構成し、
前記ゲルマニウム層を形成した直後に前記ゲルマニウム層の上に、前記シリコン層を形成する工程を備える
ことを特徴とする光検出器の製造方法。 - 請求項6記載の光検出器の製造方法において、
前記第2導電型の半導体層は、前記ゲルマニウム層の上層から構成し、
前記ゲルマニウム層を形成した直後に前記ゲルマニウム層の上に、絶縁材料もしくはシリコンからなる保護層を形成する工程を備える
ことを特徴とする光検出器の製造方法。
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