JP2011049993A

JP2011049993A - Manufacturing method of package, manufacturing method of piezoelectric vibrator, the piezoelectric vibrator, oscillator, electronic apparatus, and radio-controlled timepiece

Info

Publication number: JP2011049993A
Application number: JP2009198717A
Authority: JP
Inventors: 健志 ▲高▼野; Kenji Takano
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 2009-08-28
Filing date: 2009-08-28
Publication date: 2011-03-10

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a package wherein cracking of a base substrate can be prevented and the yield can be improved. <P>SOLUTION: The manufacturing method of a package equipped with an object which is contained inside a cavity formed between the base substrate and a lid substrate, and a through-electrode arranged in a through-hole penetrating the base substrate and connecting the contained object electrically to the outside includes a recess formation process which forms a recess for the through-electrode in the base substrate 40. The recess formation process includes a step for making a mold member 70, in which a protrusion 71 having a shape identical at least to that of the through-hole is formed, abut against the first surface 40a of the heated base substrate and inserting the protrusion into the base substrate; a step for cooling the base substrate; and a step for separating the mold member from the base substrate. A curved surface 75 is formed in the protrusion of the mold member so that the end of the through-hole on the first surface side has the shape of a curved surface the diameter which increases, as going toward the end. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、接合された２枚の基板の間に形成されたキャビティ内に被収納物が封止されたパッケージの製造方法、被収納物として圧電振動片が封止された表面実装型（ＳＭＤ）の圧電振動子の製造方法、圧電振動子、圧電振動子を有する発振器、電子機器および電波時計に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a package in which an object to be stored is sealed in a cavity formed between two bonded substrates, and a surface mount type (SMD) in which a piezoelectric vibrating piece is sealed as the object to be stored. ) Of a piezoelectric vibrator, a piezoelectric vibrator, an oscillator having a piezoelectric vibrator, an electronic device, and a radio timepiece.

従来から一対の基板を接合し、その基板間に形成されたキャビティ内に被収納物を封止したパッケージが知られている。パッケージの一種として、携帯電話や携帯情報端末の時刻源や制御信号などのタイミング源、リファレンス信号源などに用いられる水晶などを利用した圧電振動子が知られている。
この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その一つとして、表面実装型の圧電振動子が知られている。 Conventionally, a package is known in which a pair of substrates are bonded and an object to be stored is sealed in a cavity formed between the substrates. As a kind of package, a piezoelectric vibrator using a crystal used for a time source of a mobile phone or a portable information terminal, a timing source such as a control signal, a reference signal source, or the like is known.
Various piezoelectric vibrators of this type are known, and one of them is a surface-mount type piezoelectric vibrator.

表面実装型の圧電振動子としては、ベース基板とリッド基板とが直接接合され、両基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が収納された２層構造タイプのものがある。この２層構造タイプの圧電振動子は、薄型化を図ることができるなどの点において優れており、好適に使用されている。このような２層構造タイプの圧電振動子では、ベース基板を貫通するように形成された導電部材（貫通電極）を利用して、圧電振動片とベース基板に形成された外部電極とを導通させた圧電振動子が知られている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。 As a surface mount type piezoelectric vibrator, there is a two-layer structure type in which a base substrate and a lid substrate are directly bonded, and a piezoelectric vibrating piece is accommodated in a cavity formed between the two substrates. This two-layer structure type piezoelectric vibrator is excellent in that it can be thinned and is preferably used. In such a two-layer structure type piezoelectric vibrator, the piezoelectric vibrating piece and the external electrode formed on the base substrate are made conductive by using a conductive member (penetrating electrode) formed so as to penetrate the base substrate. There are known piezoelectric vibrators (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

従来の圧電振動子２００は、図３０、図３１に示すように、接合膜２０７を介して互いに陽極接合されたベース基板２０１およびリッド基板２０２と、両基板２０１、２０２の間に形成されたキャビティＣ内に封止された圧電振動片２０３と、を備えている。圧電振動片２０３は、例えば音叉型の振動片であって、キャビティＣ内においてベース基板２０１の上面に導電性接着剤Ｅを介してマウントされている。
ベース基板２０１およびリッド基板２０２は、例えばセラミックやガラスなどからなる絶縁基板である。両基板２０１、２０２のうちベース基板２０１には、該基板２０１を貫通する貫通孔２０４が形成されている。そして、このスルーホール２０４内には、該スルーホール２０４を塞ぐように導電部材２０５が埋め込まれている。この導電部材２０５は、ベース基板２０１の下面に形成された外部電極２０６に電気的に接続されているとともに、キャビティＣ内にマウントされている圧電振動片２０３に電気的に接続されている。 As shown in FIGS. 30 and 31, the conventional piezoelectric vibrator 200 includes a base substrate 201 and a lid substrate 202 that are anodically bonded to each other via a bonding film 207, and a cavity formed between the substrates 201 and 202. And a piezoelectric vibrating piece 203 sealed in C. The piezoelectric vibrating piece 203 is, for example, a tuning fork type vibrating piece, and is mounted on the upper surface of the base substrate 201 in the cavity C via the conductive adhesive E.
The base substrate 201 and the lid substrate 202 are insulating substrates made of, for example, ceramic or glass. A through-hole 204 that penetrates the substrate 201 is formed in the base substrate 201 of the two substrates 201 and 202. A conductive member 205 is embedded in the through hole 204 so as to close the through hole 204. The conductive member 205 is electrically connected to the external electrode 206 formed on the lower surface of the base substrate 201 and is electrically connected to the piezoelectric vibrating piece 203 mounted in the cavity C.

特開２００２−１２４８４５号公報JP 2002-124845 A 特開２００６−２７９８７２号公報JP 2006-279872 A

ところで、上述した従来の２層構造タイプの圧電振動子には、貫通孔２０４の端部に角部が形成されている。このように貫通孔２０４の端部に角部が形成されることにより、ベース基板２０１の研磨工程時に応力集中により角部からクラックが入り易くなったり、圧電振動子２００の耐曲げ性が弱くなったり、部分的に割れや剥離が発生し易くなるという問題がある。
また、ベース基板２０１に貫通孔２０４を形成する方法は、ベース基板２０１を加熱した状態で、貫通孔２０４の形状に対応した突起部を有する型部材をベース基板２０１に当接し、ベース基板２０１が冷やされた後に型部材を離間してベース基板２０１に凹部を形成する。その後、凹部の部分が貫通孔２０４になるまでベース基板２０１を研磨している。ここで、型部材とベース基板２０１とを離間させる際に、型部材の板部と突起部との境界部には、局部的な応力集中が発生することから突起部が脱落・破損してしまうという問題がある。つまり、型部材の耐久性が低いという問題がある。 By the way, in the conventional two-layer structure type piezoelectric vibrator described above, a corner is formed at the end of the through hole 204. By forming the corners at the end portions of the through holes 204 in this way, cracks are easily generated from the corner portions due to stress concentration during the polishing process of the base substrate 201, and the bending resistance of the piezoelectric vibrator 200 is weakened. In addition, there is a problem that cracks and peeling are likely to occur partially.
In addition, the method of forming the through hole 204 in the base substrate 201 is to contact the base member 201 with a mold member having a protrusion corresponding to the shape of the through hole 204 while the base substrate 201 is heated. After cooling, the mold member is separated to form a recess in the base substrate 201. Thereafter, the base substrate 201 is polished until the concave portion becomes the through hole 204. Here, when the mold member and the base substrate 201 are separated from each other, local stress concentration occurs at the boundary portion between the plate portion and the projection portion of the mold member, so that the projection portion is dropped and damaged. There is a problem. That is, there is a problem that the durability of the mold member is low.

そこで、本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、ベース基板にクラックが入るのを抑制することができ、歩留まりを向上させることができるパッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and can be used to suppress cracks in the base substrate and improve the yield, and a method for manufacturing a package and a method for manufacturing a piezoelectric vibrator. An object of the present invention is to provide a piezoelectric vibrator, an oscillator, an electronic device, and a radio timepiece.

上記の課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明に係るパッケージの製造方法は、互いに接合されたベース基板およびリッド基板と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に封止された被収納物と、前記ベース基板を貫通する貫通孔内に配置され、前記被収納物と外部とを電気的に接続する貫通電極と、を備えたパッケージの製造方法において、前記ベース基板に、前記貫通電極用の凹部を形成する凹部形成工程を備え、該凹部形成工程は、加熱された前記ベース基板の第１面に、少なくとも前記貫通孔と同一の形状の突起部が形成された型部材を当接して、前記突起部を前記ベース基板内に挿入する工程と、前記ベース基板を冷却する工程と、前記型部材を前記ベース基板から離間させる工程と、を有し、前記型部材の突起部に、前記貫通孔における前記第１面側の端部が、該端部に向かうに従って拡径する曲面形状になるように曲面部が形成されていることを特徴としている。 In order to solve the above problems, the present invention provides the following means.
A package manufacturing method according to the present invention includes a base substrate and a lid substrate bonded to each other, an object to be sealed in a cavity formed between the base substrate and the lid substrate, and the base substrate. In a manufacturing method of a package comprising a through-electrode that is disposed in a through-hole that penetrates and electrically connects the object to be stored and the outside, a recess for the through-electrode is formed in the base substrate A recess forming step, wherein the recess forming step abuts a mold member having at least a protrusion having the same shape as the through hole on the heated first surface of the base substrate, and A step of inserting the mold member into the base substrate; a step of cooling the base substrate; and a step of separating the mold member from the base substrate. End of the first surface side, is characterized in that the curved portion is formed so as to form surface increases in diameter toward the end portion.

本発明に係るパッケージの製造方法によれば、型部材における突起部に曲面部を形成したため、型部材をベース基板から離間させる際に、突起部の根元に生じる応力集中を分散させることができ、型部材の耐久性を向上することができる。また、ベース基板の凹部には、型部材の突起部に形成された曲面部と略同一形状の曲面部が形成されることとなる。したがって、型部材をベース基板から離間させる際、およびその後ベース基板を研磨する際やベース基板に曲げ力が係る際に、ベース基板の貫通孔の端部にクラックが入るのを抑制することができる。つまり、パッケージを製造する際の歩留まりを向上することができる。 According to the manufacturing method of the package according to the present invention, since the curved surface portion is formed in the protruding portion in the mold member, the stress concentration generated at the base of the protruding portion can be dispersed when the mold member is separated from the base substrate. The durability of the mold member can be improved. In addition, a curved surface portion having substantially the same shape as the curved surface portion formed on the protruding portion of the mold member is formed in the concave portion of the base substrate. Accordingly, when the mold member is separated from the base substrate, and when the base substrate is polished thereafter or when the bending force is applied to the base substrate, it is possible to suppress cracks from entering the end portions of the through holes of the base substrate. . That is, the yield at the time of manufacturing a package can be improved.

また、本発明に係るパッケージの製造方法は、前記ベース基板に前記凹部が形成された後、前記ベース基板の前記第１面と反対側の第２面を研磨して前記貫通孔を形成する工程と、平板状の土台部と、該土台部の表面に直交する方向に沿って延在する芯材部と、を有する導電性の鋲体の前記芯材部を前記ベース基板の貫通孔内に挿入し、前記ベース基板の第２面に鋲体の土台部を当接させる工程と、前記ベース基板の第１面に、ペースト状のガラスフリットを塗布し、該ガラスフリットを前記貫通孔内に充填する工程と、前記ガラスフリットを焼成して硬化させる工程と、前記ベース基板の第１面および第２面を研磨して芯材部を露出させる工程と、を有していることを特徴としている。 Further, in the method for manufacturing a package according to the present invention, after the recess is formed in the base substrate, the second surface opposite to the first surface of the base substrate is polished to form the through hole. And the core part of the conductive casing having a flat base part and a core part extending in a direction orthogonal to the surface of the base part in the through hole of the base substrate Inserting and bringing the base portion of the casing into contact with the second surface of the base substrate; and applying paste-like glass frit to the first surface of the base substrate; and inserting the glass frit into the through hole A step of filling, a step of baking and hardening the glass frit, and a step of polishing the first surface and the second surface of the base substrate to expose the core portion. Yes.

本発明に係るパッケージの製造方法によれば、ベース基板の第１面を研磨して芯材部を露出させる際に、貫通孔の端部には曲面部が形成されているため、貫通孔の端部からクラックが入るのを抑制することができる。 According to the package manufacturing method of the present invention, when the first surface of the base substrate is polished to expose the core portion, the curved portion is formed at the end of the through hole. It can suppress that a crack enters from an edge part.

また、本発明に係るパッケージの製造方法は、前記型部材の突起部が、前記貫通孔に対応した第１突起部と、該第１突起部からさらに拡径するように形成された第２突起部と、を有し、該第２突起部の根元に、前記ベース基板の前記第１面側の端部が、該端部に向かうに従って拡径する曲面形状になるように曲面部が形成されていることを特徴としている。 Further, in the package manufacturing method according to the present invention, the protrusion of the mold member has a first protrusion corresponding to the through hole, and a second protrusion formed such that the diameter of the protrusion further increases from the first protrusion. And a curved surface portion is formed at the base of the second projecting portion so that the end portion on the first surface side of the base substrate has a curved shape that increases in diameter toward the end portion. It is characterized by having.

本発明に係るパッケージの製造方法によれば、突起部に第１突起部よりも拡径された第２突起部を形成したため、突起部の強度を向上することができる。また、第２突起部の根元に曲面部を形成したため、型部材をベース基板から離間させる際に、突起部の根元に生じる応力集中を分散させることができるため、突起部の強度をさらに向上することができる。したがって、型部材の耐久性を向上させることができる。 According to the method for manufacturing a package of the present invention, since the second protrusion having a diameter larger than that of the first protrusion is formed on the protrusion, the strength of the protrusion can be improved. In addition, since the curved surface portion is formed at the base of the second protrusion, the stress concentration generated at the base of the protrusion can be dispersed when the mold member is separated from the base substrate, thereby further improving the strength of the protrusion. be able to. Therefore, the durability of the mold member can be improved.

また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して圧電振動子を製造する圧電振動子の製造方法において、前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに圧電振動片が収納されるキャビティを形成するキャビティ形成工程と、前記ベース基板用ウエハに、貫通電極用の鋲体を用いて貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記ベース基板用ウエハの第２面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を形成する引き回し電極形成工程と、前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの第２面に接合するマウント工程と、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と、前記ベース基板用ウエハの第１面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を形成する外部電極形成工程と、接合された前記両ウエハを切断して、複数の圧電振動子に小片化する切断工程と、を備え、前記貫通電極形成工程が、前記ベース基板用ウエハに前記貫通電極用の凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部が貫通するまで前記ベース基板用ウエハの前記第２面を研磨する貫通孔形成工程と、前記貫通孔に、前記鋲体の芯材部を配置するとともに、前記貫通孔と前記鋲体の芯材部との間隙に、ペースト状のガラスフリットを充填する貫通電極配置工程と、前記ガラスフリットを所定の温度で焼成して、前記貫通孔と前記ガラスフリットと前記鋲体の芯材部とを一体的に固定させる焼成工程と、前記鋲体の土台部および該土台部が配置された前記ベース基板用ウエハの第２面を研削・研磨するとともに、前記ベース基板用ウエハの第１面を研磨して、前記芯材部が露出するようにする研削・研磨工程と、を有し、前記凹部形成工程は、加熱された前記ベース基板用ウエハの第１面に、少なくとも前記貫通孔と同一の形状の突起部が形成された型部材を当接して、前記突起部を前記ベース基板内に挿入する工程と、前記ベース基板を冷却する工程と、前記型部材を前記ベース基板用ウエハから離間させる工程と、を有し、前記型部材の突起部に、前記貫通孔における前記第１面側の端部が、該端部に向かうに従って拡径する曲面形状になるように曲面部が形成されていることを特徴としている。 The piezoelectric vibrator manufacturing method according to the present invention includes a piezoelectric vibrator manufacturing method in which a piezoelectric vibrator is manufactured using a base substrate wafer and a lid substrate wafer. A cavity forming step of forming a cavity in which the piezoelectric vibrating piece is accommodated when the wafers are superposed, a through electrode forming step of forming a through electrode on the base substrate wafer using a through electrode housing, and A routing electrode forming step of forming a routing electrode electrically connected to the through electrode on the second surface of the base substrate wafer, and the piezoelectric vibrating piece for the base substrate via the routing electrode A mounting step for bonding to the second surface of the wafer and the base substrate wafer and the lid substrate wafer are overlapped to accommodate the piezoelectric vibrating piece in the cavity. An overlaying step, a bonding step of bonding the base substrate wafer and the lid substrate wafer, and sealing the piezoelectric vibrating piece in the cavity; and passing through the first surface of the base substrate wafer. An external electrode forming step of forming an external electrode electrically connected to the electrode; and a cutting step of cutting the bonded wafers into pieces into a plurality of piezoelectric vibrators. A step of forming a recess for the through electrode in the base substrate wafer; a through hole forming step of polishing the second surface of the base substrate wafer until the recess penetrates; A through-hole electrode disposing step of disposing a core part of the casing in the hole and filling a gap between the through-hole and the core part of the casing with a paste-like glass frit; A firing step of integrally firing the through-hole, the glass frit, and the core member of the casing by firing at a temperature; and a base portion of the casing and the base substrate on which the base portion is disposed Grinding and polishing the second surface of the wafer, and polishing and polishing the first surface of the base substrate wafer so that the core portion is exposed. A step of abutting a mold member having at least a protrusion having the same shape as the through hole on the first surface of the heated base substrate wafer, and inserting the protrusion into the base substrate. And a step of cooling the base substrate and a step of separating the mold member from the base substrate wafer, and an end portion on the first surface side of the through hole is formed on the protrusion of the mold member. Is a curved surface whose diameter increases toward the end It is characterized in that a curved surface portion is formed so as to have a shape.

本発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、型部材における突起部に曲面部を形成したため、型部材をベース基板から離間させる際に、突起部の根元に生じる応力集中を分散させることができ、型部材の耐久性を向上することができる。また、ベース基板の凹部には、型部材の突起部に形成された曲面部と略同一形状の曲面部が形成されることとなる。したがって、型部材をベース基板から離間させる際、およびその後ベース基板を研磨する際やベース基板に曲げ力が係る際に、ベース基板の貫通孔の端部にクラックが入るのを抑制することができる。つまり、圧電振動子を製造する際の歩留まりを向上することができる。 According to the method of manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention, since the curved surface portion is formed in the protrusion portion of the mold member, the stress concentration generated at the base of the protrusion portion can be dispersed when the mold member is separated from the base substrate. The durability of the mold member can be improved. In addition, a curved surface portion having substantially the same shape as the curved surface portion formed on the protruding portion of the mold member is formed in the concave portion of the base substrate. Accordingly, when the mold member is separated from the base substrate, and when the base substrate is polished thereafter or when the bending force is applied to the base substrate, it is possible to suppress cracks from entering the end portions of the through holes of the base substrate. . That is, the yield when manufacturing the piezoelectric vibrator can be improved.

また、本発明に係る圧電振動子は、互いに接合されたベース基板およびリッド基板と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に封止された圧電振動片と、前記ベース基板を貫通する貫通孔内に配置され、前記圧電振動片と外部とを電気的に接続する貫通電極と、を備えた圧電振動子において、前記貫通孔における少なくとも一方の端部に、該端部に向かうに従って拡径する曲面部が形成されていることを特徴としている。 The piezoelectric vibrator according to the present invention includes a base substrate and a lid substrate bonded to each other, a piezoelectric vibrating piece sealed in a cavity formed between the base substrate and the lid substrate, and the base A piezoelectric vibrator comprising: a through-electrode disposed in a through-hole penetrating the substrate and electrically connecting the piezoelectric vibrating piece and the outside, at least at one end of the through-hole, the end It is characterized in that a curved surface portion whose diameter increases as it goes to is formed.

本発明に係る圧電振動子によれば、ベース基板の貫通孔の端部に曲面部が形成されているため、ベース基板の貫通孔の端部にクラックが入るのを抑制することができる。つまり、品質が安定した圧電振動子を提供することができる。 According to the piezoelectric vibrator of the present invention, since the curved surface portion is formed at the end portion of the through hole of the base substrate, it is possible to suppress the crack from entering the end portion of the through hole of the base substrate. That is, a piezoelectric vibrator with stable quality can be provided.

また、本発明に係る発振器は、上述した圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。
さらに、本発明に係る電子機器は、上述した圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。
そして、本発明に係る電波時計は、上述した圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。 The oscillator according to the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator.
Furthermore, an electronic device according to the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to a time measuring unit.
The radio timepiece according to the present invention is characterized in that the piezoelectric vibrator described above is electrically connected to the filter unit.

本発明に係る発振器、電子機器および電波時計においては、ベース基板の貫通孔の端部に曲面部が形成され、ベース基板の貫通孔の端部にクラックが入り難い圧電振動子を用いているため、歩留まりが向上するとともに、品質が安定した発振器、電子機器および電波時計を提供することができる。 In the oscillator, the electronic device, and the radio timepiece according to the invention, a curved surface portion is formed at the end portion of the through hole of the base substrate, and a piezoelectric vibrator that does not easily crack at the end portion of the through hole of the base substrate is used. In addition, an oscillator, an electronic device, and a radio timepiece with improved yield and stable quality can be provided.

本発明に係る圧電振動子の一実施形態を示す外観斜視図である。1 is an external perspective view showing an embodiment of a piezoelectric vibrator according to the present invention. 図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。FIG. 2 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1, and is a view of a piezoelectric vibrating piece viewed from above with a lid substrate removed. 図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the piezoelectric vibrator taken along line AA shown in FIG. 2. 図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1. 図１に示す圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図である。FIG. 2 is a top view of a piezoelectric vibrating piece constituting the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1. 図５に示す圧電振動片の下面図である。FIG. 6 is a bottom view of the piezoelectric vibrating piece shown in FIG. 5. 図５のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the BB line of FIG. 図３に示す貫通電極を構成する筒体の斜視図である。It is a perspective view of the cylinder which comprises the penetration electrode shown in FIG. 図１に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow at the time of manufacturing the piezoelectric vibrator shown in FIG. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、リッド基板の元となるリッド基板用ウエハに複数の凹部を形成した状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and is a diagram illustrating a state in which a plurality of concave portions are formed in a lid substrate wafer that is a base of the lid substrate. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板の元となるベース基板用ウエハに一対のスルーホールを形成した状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and is a diagram illustrating a state in which a pair of through holes are formed in a base substrate wafer that is a base substrate. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板用ウエハにスルーホール用の凹部を形成するための型部材とベース基板用ウエハを示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and is a diagram illustrating a mold member and a base substrate wafer for forming a through-hole recess in the base substrate wafer. It is. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板用ウエハと型部材とが当接した状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and illustrates a state in which a base substrate wafer and a mold member are in contact with each other. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板用ウエハと型部材とを離間させたときのベース基板用ウエハの状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a process of manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and is a diagram illustrating a state of the base substrate wafer when the base substrate wafer and the mold member are separated from each other. . 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板用ウエハに形成された凹部をスルーホールにするために研磨する状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and illustrates a state in which a recess formed in the base substrate wafer is polished to form a through hole. 図１１に示す状態をベース基板用ウエハの断面から見た図である。It is the figure which looked at the state shown in FIG. 11 from the cross section of the wafer for base substrates. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際に利用する鋲体の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of a housing used when manufacturing a piezoelectric vibrator along the flowchart shown in FIG. 9. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、スルーホール内に鋲体を配置するとともに、ガラスフリットを充填した状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and illustrates a state in which a casing is disposed in a through hole and glass frit is filled. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、余分なガラスフリットを除去する状態を示す図である。It is a figure which shows one process at the time of manufacturing a piezoelectric vibrator along the flowchart shown in FIG. 9, Comprising: It is a figure which shows the state which removes an excess glass frit. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、余分なガラスフリットを除去した状態を示す図である。It is a figure which shows one process at the time of manufacturing a piezoelectric vibrator along the flowchart shown in FIG. 9, Comprising: It is a figure which shows the state which removed the excess glass frit. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図２０に示す状態の後、ガラスフリットを焼成した状態を示す図である。FIG. 21 is a diagram illustrating a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and illustrates a state in which the glass frit is fired after the state illustrated in FIG. 20. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図２１に示す状態の後、鋲体の土台部およびベース基板用ウエハを研磨した状態を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and illustrates a state in which the base portion of the housing and the base substrate wafer are polished after the state illustrated in FIG. 21. It is. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図２２に示す状態の後、ベース基板用ウエハの上面に接合膜及び引き回し電極をパターニングした状態を示す図である。FIG. 23 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, in which a bonding film and a lead electrode are patterned on the upper surface of the base substrate wafer after the state illustrated in FIG. 22. FIG. 図２３に示す状態のベース基板用ウエハの全体図である。FIG. 24 is an overall view of the base substrate wafer in the state shown in FIG. 23. 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態でベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ体の分解斜視図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a process of manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, in which the base substrate wafer and the lid substrate wafer are anodically bonded in a state where the piezoelectric vibrating piece is accommodated in the cavity. FIG. 本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of the oscillator which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of the radio timepiece which concerns on this invention. 本発明の実施形態における型部材の別の態様を示す図である。It is a figure which shows another aspect of the type | mold member in embodiment of this invention. 従来の圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。It is an internal block diagram of the conventional piezoelectric vibrator, and is the figure which looked at the piezoelectric vibrating piece from the upper side with the lid substrate removed. 図３０に示す圧電振動子の断面図である。It is sectional drawing of the piezoelectric vibrator shown in FIG.

以下、本発明に係る実施形態を、図１〜図２９を参照して説明する。なお、本実施形態では、音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子の場合について説明する。
図１〜図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２とリッド基板３とで２層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティＣ内に圧電振動片４が収納された表面実装型の圧電振動子である。なお、図４においては、図面を見易くするために後述する励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７及び重り金属膜２１の図示を省略している。 Embodiments according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In the present embodiment, a case of a piezoelectric vibrator using a tuning fork type piezoelectric vibrating piece will be described.
As shown in FIGS. 1 to 4, the piezoelectric vibrator 1 according to the present embodiment is formed in a box shape in which a base substrate 2 and a lid substrate 3 are laminated in two layers, and the piezoelectric vibrator 1 is formed in an internal cavity C. This is a surface-mount type piezoelectric vibrator in which the resonator element 4 is housed. In FIG. 4, the excitation electrode 15, the extraction electrodes 19 and 20, the mount electrodes 16 and 17, and the weight metal film 21, which will be described later, are omitted for easy understanding of the drawing.

図５〜図７に示すように、圧電振動片４は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０、１１と、該一対の振動腕部１０、１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０、１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０、１１を振動させる第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５と、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４に電気的に接続されたマウント電極１６，１７とを有している。
また、本実施形態の圧電振動片４は、一対の振動腕部１０、１１の両主面上に、該振動腕部１０、１１の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部１８を備えている。この溝部１８は、振動腕部１０、１１の基端側から略中間付近まで形成されている。 As shown in FIG. 5 to FIG. 7, the piezoelectric vibrating piece 4 is a tuning fork type vibrating piece formed of a piezoelectric material such as quartz, lithium tantalate, or lithium niobate, and when a predetermined voltage is applied. It vibrates.
The piezoelectric vibrating reed 4 includes a pair of vibrating arm portions 10 and 11 arranged in parallel, a base portion 12 that integrally fixes the base end sides of the pair of vibrating arm portions 10 and 11, and a pair of vibrating arm portions. 10 and 11, an excitation electrode 15 including a first excitation electrode 13 and a second excitation electrode 14 that vibrate the pair of vibrating arm portions 10 and 11, a first excitation electrode 13, and Mount electrodes 16 and 17 are electrically connected to the second excitation electrode 14.
In addition, the piezoelectric vibrating reed 4 according to the present embodiment includes groove portions 18 formed along the longitudinal direction of the vibrating arm portions 10 and 11 on both main surfaces of the pair of vibrating arm portions 10 and 11. . The groove portion 18 is formed from the proximal end side of the vibrating arm portions 10 and 11 to the vicinity of the middle.

第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５は、一対の振動腕部１０、１１を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部１０、１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第１の励振電極１３が、一方の振動腕部１０の溝部１８上と他方の振動腕部１１の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１４が、一方の振動腕部１０の両側面上と他方の振動腕部１１の溝部１８上とに主に形成されている。 The excitation electrode 15 including the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 is an electrode that vibrates the pair of vibrating arm portions 10 and 11 at a predetermined resonance frequency in a direction approaching or separating from each other. Patterned on the outer surfaces of the vibrating arm portions 10 and 11 while being electrically separated from each other. Specifically, the first excitation electrode 13 is mainly formed on the groove portion 18 of one vibration arm portion 10 and on both side surfaces of the other vibration arm portion 11, and the second excitation electrode 14 is formed on one side. Are formed mainly on both side surfaces of the vibrating arm portion 10 and on the groove portion 18 of the other vibrating arm portion 11.

また、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介してマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。そして圧電振動片４は、このマウント電極１６，１７を介して電圧が印加されるようになっている。
なお、上述した励振電極１５、マウント電極１６，１７及び引き出し電極１９，２０は、例えば、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）等の導電性膜の被膜により形成されたものである。 In addition, the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 are electrically connected to the mount electrodes 16 and 17 via the extraction electrodes 19 and 20, respectively, on both main surfaces of the base portion 12. A voltage is applied to the piezoelectric vibrating reed 4 via the mount electrodes 16 and 17.
The excitation electrode 15, the mount electrodes 16 and 17, and the extraction electrodes 19 and 20 described above are made of a conductive film such as chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), or titanium (Ti). It is formed.

また、一対の振動腕部１０、１１の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。なお、この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０、１１の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。 A weight metal film 21 for adjusting (frequency adjustment) to vibrate its own vibration state within a predetermined frequency range is coated on the tips of the pair of vibrating arm portions 10 and 11. The weight metal film 21 is divided into a coarse adjustment film 21a used when the frequency is roughly adjusted and a fine adjustment film 21b used when the frequency is finely adjusted. By adjusting the frequency using the coarse adjustment film 21a and the fine adjustment film 21b, the frequency of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be kept within the range of the nominal frequency of the device.

このように構成された圧電振動片４は、図３、図４に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の上面にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板２の上面にパターニングされた引き回し電極３６，３７上に形成された２つのバンプＢ上に、一対のマウント電極１６，１７がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。これにより、圧電振動片４は、ベース基板２の上面から浮いた状態で支持されると共に、マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。 As shown in FIGS. 3 and 4, the piezoelectric vibrating reed 4 configured in this manner is bump-bonded to the upper surface of the base substrate 2 using bumps B such as gold. More specifically, a pair of mount electrodes 16 and 17 are bump-bonded to each other on two bumps B formed on the routing electrodes 36 and 37 patterned on the upper surface of the base substrate 2. . As a result, the piezoelectric vibrating reed 4 is supported in a state of floating from the upper surface of the base substrate 2, and the mount electrodes 16 and 17 and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected to each other.

上記リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、図１、図３及び図４に示すように、板状に形成されている。そして、ベース基板２が接合される接合面側には、圧電振動片４が収まる矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、両基板２、３が重ね合わされたときに、圧電振動片４を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部である。そして、リッド基板３は、この凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態で該ベース基板２に対して陽極接合されている。 The lid substrate 3 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, and is formed in a plate shape as shown in FIGS. A rectangular recess 3 a in which the piezoelectric vibrating reed 4 is accommodated is formed on the bonding surface side to which the base substrate 2 is bonded. The recess 3 a is a cavity recess that serves as a cavity C that accommodates the piezoelectric vibrating reed 4 when the substrates 2 and 3 are overlapped. The lid substrate 3 is anodically bonded to the base substrate 2 with the recess 3a facing the base substrate 2 side.

上記ベース基板２は、リッド基板３と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、図１〜図４に示すように、リッド基板３に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。
このベース基板２には、該ベース基板２を貫通する一対のスルーホール（貫通孔）３０，３１が形成されている。この際、一対のスルーホール３０，３１は、キャビティＣ内に収まるように形成されている。より詳しく説明すると、本実施形態のスルーホール３０，３１は、マウントされた圧電振動片４の基部１２側に対応した位置に一方のスルーホール３０が形成され、振動腕部１０、１１の先端側に対応した位置に他方のスルーホール３１が形成されている。また、本実施形態のスルーホール３０，３１は、ベース基板２の上面から下面に向かって漸次径が拡径したテーパ部４４が形成されるとともに、ベース基板２の下面側端部において曲面部４５が形成されている。 The base substrate 2 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, like the lid substrate 3, and has a size that can be superimposed on the lid substrate 3 as shown in FIGS. It is formed in a plate shape.
The base substrate 2 is formed with a pair of through holes (through holes) 30 and 31 penetrating the base substrate 2. At this time, the pair of through holes 30 and 31 are formed so as to be accommodated in the cavity C. More specifically, in the through holes 30 and 31 of the present embodiment, one through hole 30 is formed at a position corresponding to the base 12 side of the mounted piezoelectric vibrating reed 4, and the distal ends of the vibrating arm portions 10 and 11 are formed. The other through hole 31 is formed at a position corresponding to. In addition, the through holes 30 and 31 of the present embodiment are formed with a tapered portion 44 whose diameter gradually increases from the upper surface to the lower surface of the base substrate 2, and a curved surface portion 45 at the lower surface side end portion of the base substrate 2. Is formed.

そして、これら一対のスルーホール３０，３１には、該スルーホール３０，３１を埋めるように形成された一対の貫通電極３２，３３が形成されている。これら貫通電極３２，３３は、図３に示すように、焼成によってスルーホール３０，３１に対して一体的に固定された筒体６及び芯材部７によって形成されたものであり、スルーホール３０，３１を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、後述する外部電極３８，３９と引き回し電極３６，３７とを導通させる役割を担っている。 A pair of through electrodes 32 and 33 are formed in the pair of through holes 30 and 31 so as to fill the through holes 30 and 31. As shown in FIG. 3, the through electrodes 32 and 33 are formed by the cylindrical body 6 and the core member 7 that are integrally fixed to the through holes 30 and 31 by firing. 31 are completely closed to maintain the airtightness in the cavity C, and the external electrodes 38 and 39, which will be described later, and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected.

図８に示すように、上記筒体６は、ペースト状のガラスフリット６ａが焼成されたものである。筒体６は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体６の中心には、芯材部７が筒体６を貫通するように配されている。また、本実施形態ではスルーホール３０，３１の形状に合わせて、筒体６にはテーパ部６ｄと曲面部６ｅが形成されている。そして、この筒体６は、図３に示すように、スルーホール３０，３１内に埋め込まれた状態で焼成されており、該スルーホール３０，３１に対して強固に固着されている。 As shown in FIG. 8, the cylindrical body 6 is obtained by baking paste-like glass frit 6a. The cylindrical body 6 is formed in a cylindrical shape having both ends flat and substantially the same thickness as the base substrate 2. And the core part 7 is distribute | arranged to the center of the cylinder 6 so that the cylinder 6 may be penetrated. In the present embodiment, the cylindrical body 6 is formed with a tapered portion 6d and a curved surface portion 6e in accordance with the shape of the through holes 30 and 31. As shown in FIG. 3, the cylindrical body 6 is fired while being embedded in the through holes 30 and 31, and is firmly fixed to the through holes 30 and 31.

上記芯材部７は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体６と同様に両端が平坦で且つベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。なお、図３に示すように、貫通電極３２，３３が完成品として形成された場合には、上述したように芯材部７は、ベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されているが、製造過程では、芯材部７の長さは、製造過程の当初のベース基板２の厚さよりも若干短い長さのものを採用している（後に製造方法の説明で詳述する。）。そして、この芯材部７は、筒体６の中心孔６ｃに位置しており、筒体６の焼成によって該筒体６に対して強固に固着されている。なお、貫通電極３２，３３は、導電性の芯材部７を通して電気導通性が確保されている。 The core material portion 7 is a conductive core material formed in a cylindrical shape from a metal material, and is formed so that both ends are flat and substantially the same thickness as the thickness of the base substrate 2 in the same manner as the cylindrical body 6. ing. As shown in FIG. 3, when the through electrodes 32 and 33 are formed as finished products, the core material portion 7 is formed to have substantially the same thickness as the base substrate 2 as described above. However, in the manufacturing process, the length of the core portion 7 is slightly shorter than the thickness of the base substrate 2 at the beginning of the manufacturing process (detailed in the description of the manufacturing method later). .) The core portion 7 is located in the center hole 6 c of the cylindrical body 6 and is firmly fixed to the cylindrical body 6 by firing the cylindrical body 6. The through electrodes 32 and 33 are ensured to have electrical conductivity through the conductive core portion 7.

ベース基板２の上面側（リッド基板３が接合される接合面側）には、図１〜図４に示すように、導電性材料（例えば、アルミニウム）により、陽極接合用の接合膜３５と、一対の引き回し電極３６，３７とがパターニングされている。このうち接合膜３５は、リッド基板３に形成された凹部３ａの周囲を囲むようにベース基板２の周縁に沿って形成されている。 On the upper surface side of the base substrate 2 (the bonding surface side to which the lid substrate 3 is bonded), as shown in FIG. 1 to FIG. 4, a conductive film (for example, aluminum) and a bonding film 35 for anodic bonding, A pair of routing electrodes 36 and 37 are patterned. Among these, the bonding film 35 is formed along the periphery of the base substrate 2 so as to surround the periphery of the recess 3 a formed in the lid substrate 3.

また、一対の引き回し電極３６，３７は、一対の貫通電極３２，３３のうち、一方の貫通電極３２と圧電振動片４の一方のマウント電極１６とを電気的に接続するとともに、他方の貫通電極３３と圧電振動片４の他方のマウント電極１７とを電気的に接続するようにパターニングされている。
より詳しく説明すると、一方の引き回し電極３６は、圧電振動片４の基部１２の真下に位置するように一方の貫通電極３２の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極３７は、一方の引き回し電極３６の近傍の位置から、振動腕部１０、１１に沿って該振動腕部１０、１１の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極３３の真上に位置するように形成されている。
そして、これら一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれバンプＢが形成されており、該バンプＢを利用して圧電振動片４がマウントされている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１６が、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極３２に導通し、他方のマウント電極１７が、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極３３に導通するようになっている。 The pair of lead-out electrodes 36 and 37 electrically connect one of the through electrodes 32 and 33 to the one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 and the other through electrode. 33 and the other mount electrode 17 of the piezoelectric vibrating reed 4 are patterned so as to be electrically connected.
More specifically, the one lead-out electrode 36 is formed directly above the one through electrode 32 so as to be positioned directly below the base 12 of the piezoelectric vibrating piece 4. The other routing electrode 37 is routed from the position in the vicinity of the one routing electrode 36 along the vibrating arm portions 10 and 11 to the distal end side of the vibrating arm portions 10 and 11, and then the other through electrode 33. It is formed so that it may be located just above.
A bump B is formed on each of the pair of lead-out electrodes 36 and 37, and the piezoelectric vibrating piece 4 is mounted using the bump B. Thereby, one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to one through electrode 32 through one routing electrode 36, and the other mount electrode 17 is passed through the other routing electrode 37 to the other penetration electrode. The electrode 33 is electrically connected.

また、ベース基板２の下面には、図１、図３及び図４に示すように、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極３８，３９が形成されている。つまり、一方の外部電極３８は、一方の貫通電極３２及び一方の引き回し電極３６を介して圧電振動片４の第１の励振電極１３に電気的に接続されている。また、他方の外部電極３９は、他方の貫通電極３３及び他方の引き回し電極３７を介して、圧電振動片４の第２の励振電極１４に電気的に接続されている。 Further, as shown in FIGS. 1, 3, and 4, external electrodes 38 and 39 that are electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33 are formed on the lower surface of the base substrate 2. . That is, one external electrode 38 is electrically connected to the first excitation electrode 13 of the piezoelectric vibrating reed 4 via one through electrode 32 and one routing electrode 36. The other external electrode 39 is electrically connected to the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4 via the other through electrode 33 and the other routing electrode 37.

このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極３８，３９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電流を流すことができ、一対の振動腕部１０、１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０、１１の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源などとして利用することができる。 When the piezoelectric vibrator 1 configured in this way is operated, a predetermined drive voltage is applied to the external electrodes 38 and 39 formed on the base substrate 2. As a result, a current can flow through the excitation electrode 15 including the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4, and is predetermined in a direction in which the pair of vibrating arm portions 10 and 11 are approached and separated. Can be vibrated at a frequency of The vibration of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be used as a time source, a control signal timing source, a reference signal source, and the like.

次に、上述した圧電振動子１を、図９に示すフローチャートを参照しながら、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とを利用して一度に複数製造する製造方法について以下に説明する。 Next, a manufacturing method for manufacturing a plurality of the above-described piezoelectric vibrators 1 at a time using the base substrate wafer 40 and the lid substrate wafer 50 will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

初めに、圧電振動片作製工程を行って図５〜図７に示す圧電振動片４を作製する（Ｓ１０）。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュなどの鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄などの適切な処理を施した後、該ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片４の外形形状でパターニングするとともに、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７、重り金属膜２１を形成する。これにより、複数の圧電振動片４を作製することができる。 First, the piezoelectric vibrating reed manufacturing step is performed to manufacture the piezoelectric vibrating reed 4 shown in FIGS. 5 to 7 (S10). Specifically, a quartz Lambert rough is first sliced at a predetermined angle to obtain a wafer having a constant thickness. Subsequently, the wafer is lapped and roughly processed, and then the work-affected layer is removed by etching, and then mirror polishing such as polishing is performed to obtain a wafer having a predetermined thickness. Subsequently, after performing appropriate processing such as cleaning on the wafer, the wafer is patterned with the outer shape of the piezoelectric vibrating reed 4 by photolithography technique, and a metal film is formed and patterned to obtain the excitation electrode 15, Lead electrodes 19 and 20, mount electrodes 16 and 17, and weight metal film 21 are formed. Thereby, the some piezoelectric vibrating piece 4 is producible.

また、圧電振動片４を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。これについては、後に説明する。 Further, after the piezoelectric vibrating reed 4 is manufactured, the resonance frequency is coarsely adjusted. This is done by irradiating the coarse adjustment film 21a of the weight metal film 21 with laser light to evaporate a part thereof and changing the weight. Note that fine adjustment for adjusting the resonance frequency with higher accuracy is performed after mounting. This will be described later.

次に、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、図１０に示すように、リッド基板用ウエハ５０の接合面に、エッチングなどにより行列方向にキャビティＣ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。この時点で、第１のウエハ作製工程が終了する。 Next, a first wafer manufacturing process is performed in which the lid substrate wafer 50 to be the lid substrate 3 later is manufactured up to the state immediately before anodic bonding (S20). First, after polishing and cleaning soda-lime glass to a predetermined thickness, a disk-shaped lid substrate wafer 50 is formed by removing the outermost processing-affected layer by etching or the like (S21). Next, as shown in FIG. 10, a recess forming step is performed for forming a plurality of recesses 3a for the cavity C in the matrix direction by etching or the like on the bonding surface of the lid substrate wafer 50 (S22). At this point, the first wafer manufacturing process is completed.

次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第２のウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。次いで、ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極３２，３３を複数形成する貫通電極形成工程を行う（Ｓ３０Ａ）。ここで、この貫通電極形成工程について、詳細に説明する。 Next, at the same time as or before or after the above process, a second wafer manufacturing process is performed in which the base substrate wafer 40 to be the base substrate 2 is manufactured up to the state immediately before anodic bonding (S30). First, after polishing and washing soda-lime glass to a predetermined thickness, a disk-shaped base substrate wafer 40 is formed by removing the outermost work-affected layer by etching or the like (S31). Next, a through electrode forming step for forming a plurality of pairs of through electrodes 32 and 33 on the base substrate wafer 40 is performed (S30A). Here, the through electrode forming step will be described in detail.

まず、図１１に示すように、ベース基板用ウエハ４０に一対のスルーホール３０，３１に対応した凹部３０ａ，３１ａを形成する凹部形成工程（Ｓ３２）を行う。なお、図１１に示す点線Ｍは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。この凹部３０ａ，３１ａを形成するには、図１２、図１３に示すように、ベース基板用ウエハ４０を加熱した状態で、凹部３０ａ，３１ａと同一形状の突起部７１を有する型部材７０をベース基板用ウエハ４０の一方の面４０ａに当接させる。このとき、突起部７１はベース基板用ウエハ４０内に嵌入される。その後、ベース基板用ウエハ４０を冷却した後に、型部材７０をベース基板用ウエハ４０から離間することで、図１４に示すように、ベース基板用ウエハ４０の一方の面４０ａに突起部７１と略同一形状の凹部３０ａ，３１ａが形成される。 First, as shown in FIG. 11, a recess forming step (S32) for forming recesses 30a, 31a corresponding to the pair of through holes 30, 31 in the base substrate wafer 40 is performed. In addition, the dotted line M shown in FIG. 11 has shown the cutting line cut | disconnected by the cutting process performed later. In order to form the recesses 30a and 31a, as shown in FIGS. 12 and 13, the mold member 70 having the protrusions 71 having the same shape as the recesses 30a and 31a is heated while the base substrate wafer 40 is heated. It is brought into contact with one surface 40 a of the substrate wafer 40. At this time, the protrusion 71 is inserted into the base substrate wafer 40. Thereafter, after the base substrate wafer 40 is cooled, the mold member 70 is separated from the base substrate wafer 40, so that the projection 71 and the projection 71 are substantially formed on one surface 40 a of the base substrate wafer 40 as shown in FIG. 14. Concave portions 30a and 31a having the same shape are formed.

ここで、型部材７０はベース基板用ウエハ４０と外形が略同一形状の板部７３と、板部７３から突出するように形成された突起部７１と、を有している。また、図１２に示すように、突起部７１はスルーホール３０，３１と略同一形状に形成されており、突起部７１の先端から下端（板部７３が形成された側）に向かって漸次径が拡径するテーパ部７４と、突起部７１の下端側に形成され、該端部に向かうに従って拡径する曲面部７５と、を有している。 Here, the mold member 70 includes a plate portion 73 having substantially the same outer shape as the base substrate wafer 40, and a protruding portion 71 formed so as to protrude from the plate portion 73. As shown in FIG. 12, the protrusion 71 is formed in substantially the same shape as the through holes 30 and 31, and gradually increases in diameter from the tip of the protrusion 71 toward the lower end (the side where the plate portion 73 is formed). Has a taper portion 74 whose diameter is increased, and a curved surface portion 75 which is formed on the lower end side of the projection portion 71 and expands toward the end portion.

このように曲面部７５を形成することによりベース基板用ウエハ４０から型部材７０を離間させる際に、突起部７１に生じる応力集中を緩和することができ、突起部７１が脱落・破損するのを抑制することができる。また、ベース基板用ウエハ４０の凹部３０ａ，３１ａに曲面部４３が形成されるため、ベース基板用ウエハ４０にクラックが発生するのを抑制することができる。 When the mold member 70 is separated from the base substrate wafer 40 by forming the curved surface portion 75 in this manner, the stress concentration generated in the projection portion 71 can be alleviated, and the projection portion 71 can be prevented from being dropped or damaged. Can be suppressed. In addition, since the curved surface portion 43 is formed in the recesses 30 a and 31 a of the base substrate wafer 40, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the base substrate wafer 40.

続いて、ベース基板用ウエハ４０を貫通する一対のスルーホール３０，３１を複数形成する貫通孔形成工程（Ｓ３３）を行う。ベース基板用ウエハ４０にスルーホール３０，３１を形成するには、図１５に示すように、ベース基板用ウエハ４０を両面から研磨する。そして、図１６に示すように、ベース基板用ウエハ４０の上面から下面に向かって漸次径が拡径するテーパ部４４と、下面側端部に、該端部に向かうに従って拡径する曲面部４５と、を有するスルーホール３０，３１を複数形成する。なお、曲面部４５は凹部３０ａ，３１ａの曲面部４３が一部だけ研磨された状態の曲面部である。 Subsequently, a through hole forming step (S33) is performed in which a plurality of pairs of through holes 30 and 31 penetrating the base substrate wafer 40 are formed. In order to form the through holes 30 and 31 in the base substrate wafer 40, the base substrate wafer 40 is polished from both sides as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 16, the tapered portion 44 whose diameter gradually increases from the upper surface to the lower surface of the base substrate wafer 40, and the curved surface portion 45 whose diameter increases toward the end portion at the lower surface side end portion. A plurality of through-holes 30 and 31 are formed. The curved surface portion 45 is a curved surface portion in a state where only a part of the curved surface portion 43 of the recesses 30a and 31a is polished.

また、一方のスルーホール３０が圧電振動片４の基部１２側に位置し、他方のスルーホール３１が振動腕部１０、１１の先端側に位置するように形成する。なお、ベース基板用ウエハ４０の研磨をする際に、凹部３０ａ，３１ａには曲面部４３が形成されているため、スルーホール３０，３１の端部に生じる応力集中を緩和することできるため、ベース基板用ウエハ４０にクラックが生じるのを抑制することができる。 Further, one through hole 30 is formed on the base 12 side of the piezoelectric vibrating piece 4, and the other through hole 31 is formed on the tip side of the vibrating arm sections 10 and 11. When the base substrate wafer 40 is polished, the concave portions 30a and 31a are formed with the curved surface portion 43, so that stress concentration generated at the end portions of the through holes 30 and 31 can be reduced. The generation of cracks in the substrate wafer 40 can be suppressed.

続いて、これら複数のスルーホール３０，３１内に、鋲体９の芯材部７を配置するとともに、ガラス材料からなるペースト状のガラスフリット６ａをスルーホール３０，３１内に充填する貫通電極配置工程を行う（Ｓ３４）。この際、鋲体９として、図１７に示すように、平板状の土台部８と、該土台部８上から該土台部８の表面に略直交する方向に沿ってベース基板用ウエハ４０の厚さよりも若干短い（例えば、約０．０２ｍｍ程度短い）長さで形成されるとともに、先端が平坦に形成された芯材部７と、を有する導電性の鋲体９を用いる。そして、図１８に示すように、この鋲体９の土台部８がベース基板用ウエハ４０に接触するまで、芯材部７を挿入する。ここで、芯材部７の軸方向とスルーホール３０，３１の軸方向とを略一致するように鋲体９を配置する必要がある。本実施形態では、土台部８上に芯材部７が形成された鋲体９を利用するため、土台部８をベース基板用ウエハ４０に接触させるまで押し込むだけの簡単な作業で、芯材部７の軸方向とスルーホール３０，３１の軸方向とを略一致させることができる。したがって、貫通電極配置工程時における作業性を向上することができる。 Subsequently, the through-hole electrode arrangement in which the core portion 7 of the housing 9 is disposed in the plurality of through holes 30 and 31 and the paste-like glass frit 6 a made of a glass material is filled in the through holes 30 and 31. A process is performed (S34). At this time, as shown in FIG. 17, as the casing 9, the thickness of the base substrate wafer 40 along the direction substantially orthogonal to the surface of the base portion 8 from the top of the base portion 8. A conductive casing 9 having a core part 7 formed with a length slightly shorter than that (for example, about 0.02 mm shorter) and having a flat tip is used. Then, as shown in FIG. 18, the core material portion 7 is inserted until the base portion 8 of the housing 9 comes into contact with the base substrate wafer 40. Here, it is necessary to arrange the housing 9 so that the axial direction of the core part 7 and the axial direction of the through holes 30 and 31 substantially coincide. In the present embodiment, since the housing 9 having the core portion 7 formed on the base portion 8 is used, the core portion can be simply pushed until the base portion 8 is brought into contact with the base substrate wafer 40. 7 and the axial direction of the through holes 30 and 31 can be made to substantially coincide. Therefore, the workability in the through electrode arrangement process can be improved.

しかも、土台部８をベース基板用ウエハ４０の表面に接触させることで、ペースト状のガラスフリット６ａを確実にスルーホール３０，３１内に充填させることができる。
さらに、土台部８は、平板状に形成されているため、貫通電極配置工程後、後に行う焼成工程までの間に、ベース基板用ウエハ４０を机上などの平面上に載置したとしても、がたつきなどがなく、安定する。この点においても、作業性の向上を図ることができる。 In addition, by bringing the base portion 8 into contact with the surface of the base substrate wafer 40, the paste-like glass frit 6 a can be reliably filled into the through holes 30 and 31.
Furthermore, since the base portion 8 is formed in a flat plate shape, even if the base substrate wafer 40 is placed on a flat surface such as a desk between the through electrode placement step and the subsequent firing step, There is no rattling and it is stable. Also in this respect, workability can be improved.

また、ガラスフリット６ａをスルーホール３０，３１内に充填する際には、スルーホール３０，３１内に確実にガラスフリット６ａが充填されるように多めに塗布する。したがって、ベース基板用ウエハ４０の表面にもガラスフリット６ａが塗布されている。この状態でガラスフリット６ａを焼成すると、後の研磨工程に要する時間が多くなるため、焼成前に余分なガラスフリット６ａを除去するガラスフリット除去工程を行う（Ｓ３５）。図１９に示すように、このガラスフリット除去工程では、例えば樹脂製のスキージ４７を用い、スキージ４７の先端４７ａをベース基板用ウエハ４０の表面に当接して、該表面に沿って移動させることによりガラスフリット６ａを除去する。このようにすることで、図２０に示すように、簡易な作業で確実に余分なガラスフリット６ａを除去することができる。そして、本実施形態では鋲体９の芯材部７の長さをベース基板用ウエハ４０の厚さよりも若干短くしたため、スキージ４７がスルーホール３０，３１の上部を通過する際に、スキージ４７の先端４７ａと芯材部７の先端とが接触することがなくなり、芯材部７が傾いてしまうことを抑制することができる。 When the glass frit 6a is filled in the through holes 30 and 31, a large amount is applied so that the glass frit 6a is surely filled in the through holes 30 and 31. Therefore, the glass frit 6 a is also applied to the surface of the base substrate wafer 40. If the glass frit 6a is baked in this state, the time required for the subsequent polishing process increases. Therefore, a glass frit removing step is performed to remove excess glass frit 6a before baking (S35). As shown in FIG. 19, in this glass frit removing step, for example, a resin squeegee 47 is used, and the tip 47a of the squeegee 47 is brought into contact with the surface of the base substrate wafer 40 and moved along the surface. The glass frit 6a is removed. By doing in this way, as shown in FIG. 20, the excess glass frit 6a can be reliably removed by a simple operation. In this embodiment, since the length of the core portion 7 of the housing 9 is slightly shorter than the thickness of the base substrate wafer 40, the squeegee 47 passes through the upper portions of the through holes 30 and 31. The tip 47a and the tip of the core member 7 are not in contact with each other, and the core member 7 can be prevented from being inclined.

続いて、埋め込んだ充填材を所定の温度で焼成する焼成工程を行う（Ｓ３６）。これにより、スルーホール３０，３１と、該スルーホール３０，３１内に埋め込まれたガラスフリット６ａと、ガラスフリット６ａ内に配置された芯材部７と、が互いに固着し合う。この焼成を行う際に、土台部８ごと焼成するため、芯材部７の軸方向とスルーホール３０，３１の軸方向とを略一致させた状態にしたまま、両者を一体的に固定することができる。ガラスフリット６ａが焼成されると筒体６として固化する。 Subsequently, a firing step of firing the embedded filler at a predetermined temperature is performed (S36). As a result, the through holes 30 and 31, the glass frit 6 a embedded in the through holes 30 and 31, and the core portion 7 disposed in the glass frit 6 a are fixed to each other. When firing, the base portion 8 is fired together, so that the axial direction of the core material portion 7 and the axial directions of the through holes 30 and 31 are substantially matched, and both are fixed integrally. Can do. When the glass frit 6a is baked, it is solidified as the cylindrical body 6.

続いて、図２１に示すように、焼成後に鋲体９の土台部８を研磨して除去する研磨工程を行う（Ｓ３７）。これにより、筒体６及び芯材部７を位置決めさせる役割を果たしていた土台部８を除去することができ、芯材部７のみを筒体６の内部に取り残すことができる。 Subsequently, as shown in FIG. 21, a polishing step is performed to polish and remove the base portion 8 of the casing 9 after firing (S37). Thereby, the base part 8 which played the role which positioned the cylinder 6 and the core material part 7 can be removed, and only the core material part 7 can be left inside the cylinder 6.

また、同時にベース基板用ウエハ４０の裏面（鋲体９の土台部８が配されていない側の面）を研磨して平坦面になるようにする。そして、芯材部７の先端が露出するまで研磨する。その結果、図２２に示すように、筒体６と芯材部７とが一体的に固定された一対の貫通電極３２，３３を複数得ることができる。 At the same time, the back surface of the base substrate wafer 40 (the surface on which the base portion 8 of the housing 9 is not disposed) is polished so as to become a flat surface. And it grind | polishes until the front-end | tip of the core part 7 is exposed. As a result, as shown in FIG. 22, it is possible to obtain a plurality of pairs of through electrodes 32 and 33 in which the cylindrical body 6 and the core member 7 are integrally fixed.

ここで、本実施形態では、スルーホール３０，３１の裏面４０ａ側端部には曲面部４５が形成されており、この曲面部４５は研磨しても残る大きさで形成されている。このように曲面部４５を形成することにより、研磨工程時にもスルーホール３０，３１の裏面４０ａ側の周縁部には角部がないため、ベース基板用ウエハ４０にクラックが入るのを防止することができる。 Here, in the present embodiment, a curved surface portion 45 is formed at the end of the through holes 30, 31 on the back surface 40a side, and the curved surface portion 45 is formed in a size that remains even after polishing. By forming the curved surface portion 45 in this way, there is no corner portion at the peripheral portion on the back surface 40a side of the through-holes 30 and 31 even during the polishing process, thereby preventing the base substrate wafer 40 from cracking. Can do.

上述したように、ベース基板用ウエハ４０の表面と、筒体６および芯材部７の両端とは、略面一な状態となる。つまり、ベース基板用ウエハ４０の表面と貫通電極３２，３３の表面とを、略面一な状態とすることができる。なお、研磨工程を行った時点で、貫通電極形成工程（Ｓ３０Ａ）が終了する。 As described above, the surface of the base substrate wafer 40 and both ends of the cylindrical body 6 and the core member 7 are substantially flush with each other. That is, the surface of the base substrate wafer 40 and the surfaces of the through electrodes 32 and 33 can be substantially flush with each other. Note that when the polishing process is performed, the through electrode forming process (S30A) is completed.

次に、ベース基板用ウエハ４０の上面に導電性材料をパターニングして、図２３、図２４に示すように、接合膜３５を形成する接合膜形成工程を行う（Ｓ３８）とともに、各一対の貫通電極３２，３３にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極３６，３７を複数形成する引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３９）。なお、図２３、図２４に示す点線Ｍは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。 Next, a conductive material is patterned on the upper surface of the base substrate wafer 40, and as shown in FIGS. 23 and 24, a bonding film forming step for forming the bonding film 35 is performed (S38), and each pair of penetrations is performed. A routing electrode forming step of forming a plurality of routing electrodes 36 and 37 electrically connected to the electrodes 32 and 33, respectively, is performed (S39). Note that a dotted line M shown in FIG. 23 and FIG. 24 illustrates a cutting line that is cut in a subsequent cutting step.

特に、貫通電極３２，３３は、上述したようにベース基板用ウエハ４０の上面に対して略面一な状態となっている。そのため、ベース基板用ウエハ４０の上面にパターニングされた引き回し電極３６，３７は、間に隙間などを発生させることなく貫通電極３２，３３に対して密着した状態で接する。これにより、一方の引き回し電極３６と一方の貫通電極３２との導通性、並びに、他方の引き回し電極３７と他方の貫通電極３３との導通性を確実なものにすることができる。この時点で第２のウエハ作製工程が終了する。 In particular, the through electrodes 32 and 33 are substantially flush with the upper surface of the base substrate wafer 40 as described above. Therefore, the routing electrodes 36 and 37 patterned on the upper surface of the base substrate wafer 40 are in close contact with the through electrodes 32 and 33 without generating a gap therebetween. As a result, it is possible to ensure the electrical conductivity between the one routing electrode 36 and the one through electrode 32 and the electrical conductivity between the other routing electrode 37 and the other through electrode 33. At this point, the second wafer manufacturing process is completed.

ところで、図９では、接合膜形成工程（Ｓ３８）の後に、引き回し電極形成工程（Ｓ３９）を行う工程順序としているが、これとは逆に、引き回し電極形成工程（Ｓ３９）の後に、接合膜形成工程（Ｓ３８）を行っても構わないし、両工程を同時に行っても構わない。いずれの工程順序であっても、同一の作用効果を奏することができる。よって、必要に応じて適宜、工程順序を変更して構わない。 By the way, in FIG. 9, the order of steps for performing the lead electrode forming step (S39) is performed after the bonding film forming step (S38). On the contrary, after the lead electrode forming step (S39), the bonding film forming step is performed. Step (S38) may be performed, or both steps may be performed simultaneously. Regardless of the order of steps, the same effects can be obtained. Therefore, the process order may be changed as necessary.

次に、作製した複数の圧電振動片４を、それぞれ引き回し電極３６，３７を介してベース基板用ウエハ４０の上面に接合するマウント工程を行う（Ｓ４０）。まず、一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれ金などのバンプＢを形成する。そして、圧電振動片４の基部１２をバンプＢ上に載置した後、バンプＢを所定温度に加熱しながら圧電振動片４をバンプＢに押し付ける。これにより、圧電振動片４は、バンプＢに機械的に支持されるとともに、マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とが電気的に接続された状態となる。よって、この時点で圧電振動片４の一対の励振電極１５は、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ導通した状態となる。特に、圧電振動片４は、バンプ接合されるため、ベース基板用ウエハ４０の上面から浮いた状態で支持される。 Next, a mounting step is performed in which the produced plurality of piezoelectric vibrating reeds 4 are joined to the upper surface of the base substrate wafer 40 via the routing electrodes 36 and 37, respectively (S40). First, bumps B such as gold are formed on the pair of lead-out electrodes 36 and 37, respectively. Then, after the base 12 of the piezoelectric vibrating piece 4 is placed on the bump B, the piezoelectric vibrating piece 4 is pressed against the bump B while heating the bump B to a predetermined temperature. As a result, the piezoelectric vibrating reed 4 is mechanically supported by the bumps B, and the mount electrodes 16 and 17 and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected. Therefore, at this point, the pair of excitation electrodes 15 of the piezoelectric vibrating reed 4 are in a state of being electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively. In particular, since the piezoelectric vibrating reed 4 is bump-bonded, it is supported in a state where it floats from the upper surface of the base substrate wafer 40.

圧電振動片４のマウントが終了した後、ベース基板用ウエハ４０に対してリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。具体的には、図示しない基準マークなどを指標としながら、両ウエハ４０、５０を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片４が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａ内、つまり両ウエハ４０，５０とで囲まれるキャビティＣ内に収容された状態となる。 After the mounting of the piezoelectric vibrating reed 4 is completed, an overlaying step of overlaying the lid substrate wafer 50 on the base substrate wafer 40 is performed (S50). Specifically, both wafers 40 and 50 are aligned at the correct position while using a reference mark (not shown) as an index. As a result, the mounted piezoelectric vibrating reed 4 is accommodated in the recess 3 a formed in the lid substrate wafer 50, that is, in the cavity C surrounded by both the wafers 40 and 50.

重ね合わせ工程後、重ね合わせた２枚のウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。具体的には、接合膜３５とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜３５とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片４をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合した図２５に示すウエハ体６０を得ることができる。なお、図２５においては、図面を見易くするために、ウエハ体６０を分解した状態を図示している。なお、図２５に示す点線Ｍは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。 After the superposition process, the superposed two wafers 40 and 50 are put into an anodic bonding apparatus (not shown), and a bonding process is performed in which a predetermined voltage is applied in a predetermined temperature atmosphere to perform anodic bonding (S60). Specifically, a predetermined voltage is applied between the bonding film 35 and the lid substrate wafer 50. As a result, an electrochemical reaction occurs at the interface between the bonding film 35 and the lid substrate wafer 50, and the two are firmly bonded and anodically bonded. Accordingly, the piezoelectric vibrating reed 4 can be sealed in the cavity C, and the wafer body 60 shown in FIG. 25 in which the base substrate wafer 40 and the lid substrate wafer 50 are bonded can be obtained. In FIG. 25, a state in which the wafer body 60 is disassembled is shown for easy viewing of the drawing. In addition, the dotted line M shown in FIG. 25 has shown the cutting line cut | disconnected by the cutting process performed later.

ところで、陽極接合を行う際、ベース基板用ウエハ４０に形成されたスルーホール３０，３１は、貫通電極３２，３３によって完全に塞がれているため、キャビティＣ内の気密がスルーホール３０，３１を通じて損なわれることがない。特に、焼成によって筒体６と芯材部７とが一定的に固定されているとともに、これらがスルーホール３０，３１に対して強固に固着されているため、キャビティＣ内の気密を確実に維持することができる。 By the way, when performing anodic bonding, the through holes 30 and 31 formed in the base substrate wafer 40 are completely closed by the through electrodes 32 and 33, so that the airtightness in the cavity C is reduced. Will not be damaged through. In particular, the cylindrical body 6 and the core member 7 are fixed to each other by firing, and are firmly fixed to the through holes 30 and 31, so that the airtightness in the cavity C is reliably maintained. can do.

そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ４０の下面に導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極３２，３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８，３９を複数形成する外部電極形成工程を行う（Ｓ７０）。この工程により、外部電極３８，３９を利用してキャビティＣ内に封止された圧電振動片４を作動させることができる。 Then, after the above-described anodic bonding is completed, a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer 40 to form a pair of external electrodes 38 and 39 electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively. A plurality of external electrode forming steps are formed (S70). By this step, the piezoelectric vibrating reed 4 sealed in the cavity C can be operated using the external electrodes 38 and 39.

特に、この工程を行う場合も引き回し電極３６，３７の形成時と同様に、ベース基板用ウエハ４０の下面に対して貫通電極３２，３３が略面一な状態となっているため、パターニングされた外部電極３８，３９は、間に隙間などを発生させることなく貫通電極３２，３３に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極３８，３９と貫通電極３２，３３との導通性を確実なものにすることができる。 In particular, when this step is performed, the through electrodes 32 and 33 are substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer 40 as in the formation of the lead-out electrodes 36 and 37. The external electrodes 38 and 39 are in close contact with the through electrodes 32 and 33 without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the continuity between the external electrodes 38 and 39 and the through electrodes 32 and 33 can be ensured.

次に、ウエハ体６０の状態で、キャビティＣ内に封止された個々の圧電振動子１の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う（Ｓ８０）。具体的に説明すると、ベース基板用ウエハ４０の下面に形成された一対の外部電極３８，３９に電圧を印加して圧電振動片４を振動させる。そして、周波数を計測しながらリッド基板用ウエハ５０を通して外部からレーザ光を照射し、重り金属膜２１の微調膜２１ｂを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部１０、１１の先端側の重量が変化するため、圧電振動片４の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整することができる。 Next, in the state of the wafer body 60, a fine adjustment step of finely adjusting the frequency of each piezoelectric vibrator 1 sealed in the cavity C to be within a predetermined range is performed (S80). More specifically, a voltage is applied to the pair of external electrodes 38 and 39 formed on the lower surface of the base substrate wafer 40 to vibrate the piezoelectric vibrating reed 4. Then, laser light is irradiated from the outside through the lid substrate wafer 50 while measuring the frequency, and the fine adjustment film 21b of the weight metal film 21 is evaporated. Thereby, since the weight of the tip end side of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 changes, the frequency of the piezoelectric vibrating piece 4 can be finely adjusted so as to be within a predetermined range of the nominal frequency.

周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体６０を図２５に示す切断線Ｍに沿って切断して小片化する切断工程を行う（Ｓ９０）。その結果、互いに陽極接合されたベース基板２とリッド基板３との間に形成されたキャビティＣ内に圧電振動片４が封止された、図１に示す２層構造式表面実装型の圧電振動子１を一度に複数製造することができる。 After the fine adjustment of the frequency, a cutting process is performed in which the bonded wafer body 60 is cut along the cutting line M shown in FIG. As a result, the piezoelectric vibration piece 4 is sealed in the cavity C formed between the base substrate 2 and the lid substrate 3 that are anodically bonded to each other, and the two-layer structure surface mount type piezoelectric vibration shown in FIG. A plurality of children 1 can be manufactured at a time.

なお、切断工程（Ｓ９０）を行って個々の圧電振動子１に小片化した後に、微調工程（Ｓ８０）を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程（Ｓ８０）を先に行うことで、ウエハ体６０の状態で微調を行うことができるため、複数の圧電振動子１をより効率良く微調することができる。よって、スループットの向上化を図ることができるため好ましい。 In addition, after performing the cutting process (S90) and dividing into individual piezoelectric vibrators 1, the order of processes in which the fine adjustment process (S80) is performed may be used. However, as described above, by performing the fine adjustment step (S80) first, fine adjustment can be performed in the state of the wafer body 60, so that the plurality of piezoelectric vibrators 1 can be finely adjusted more efficiently. Therefore, it is preferable because throughput can be improved.

その後、内部の電気特性検査を行う（Ｓ１００）。即ち、圧電振動片４の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）などを測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性などを併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質などを最終的にチェックする。これをもって圧電振動子１の製造が終了する。 Thereafter, an internal electrical characteristic inspection is performed (S100). That is, the resonance frequency, resonance resistance value, drive level characteristic (excitation power dependence of resonance frequency and resonance resistance value), etc. of the piezoelectric vibrating reed 4 are measured and checked. Also check the insulation resistance characteristics. Finally, an external appearance inspection of the piezoelectric vibrator 1 is performed to finally check dimensions and quality. This completes the manufacture of the piezoelectric vibrator 1.

本実施形態によれば、ベース基板用ウエハ４０に凹部３０ａ，３１ａを形成するための型部材７０における突起部７１に曲面部７５を形成したため、型部材７０をベース基板用ウエハ４０から離間させる際に、突起部７１の根元に生じる応力集中を分散させることができ、型部材７０の耐久性を向上することができる。また、ベース基板用ウエハ４０の凹部３０ａ，３１ａには、型部材７０の突起部７１に形成された曲面部７５と略同一形状の曲面部４３が形成されることとなる。したがって、型部材７０をベース基板用ウエハ４０から離間させる際、およびその後ベース基板用ウエハ４０を研磨する際やベース基板用ウエハ４０に曲げ力が係る際に、ベース基板用ウエハ４０のスルーホール３０，３１の端部にクラックが入るのを抑制することができる。つまり、圧電振動子１を製造する際の歩留まりを向上することができる。 According to the present embodiment, since the curved surface portion 75 is formed in the protrusion 71 of the mold member 70 for forming the recesses 30 a and 31 a in the base substrate wafer 40, the mold member 70 is separated from the base substrate wafer 40. In addition, the stress concentration generated at the base of the protrusion 71 can be dispersed, and the durability of the mold member 70 can be improved. Further, in the concave portions 30 a and 31 a of the base substrate wafer 40, a curved surface portion 43 having substantially the same shape as the curved surface portion 75 formed on the protrusion 71 of the mold member 70 is formed. Therefore, when the mold member 70 is separated from the base substrate wafer 40, and thereafter when the base substrate wafer 40 is polished or when the bending force is applied to the base substrate wafer 40, the through hole 30 of the base substrate wafer 40 is used. , 31 can be prevented from cracking. That is, the yield when manufacturing the piezoelectric vibrator 1 can be improved.

また、本実施形態の製造方法で製造された圧電振動子１は、ベース基板２のスルーホール３０，３１の端部に曲面部４５が形成されているため、ベース基板２のスルーホール３０，３１の端部にクラックが入るのを抑制することができる。つまり、品質が安定した圧電振動子１を提供することができる。 Further, in the piezoelectric vibrator 1 manufactured by the manufacturing method of the present embodiment, the curved surface portion 45 is formed at the end portions of the through holes 30 and 31 of the base substrate 2, so that the through holes 30 and 31 of the base substrate 2 are formed. It can suppress that a crack enters into the edge part. That is, the piezoelectric vibrator 1 with stable quality can be provided.

なお、本実施形態の製造方法で製造された圧電振動子１は、貫通電極３２，３３を、引き回し電極３６，３７及び外部電極３８，３９に対して確実に密着させることができる。その結果、圧電振動片４と外部電極３８，３９との安定した導通性を確保することができ、作動性能の信頼性を向上して高性能化を図ることができる。しかも、導通性の芯材部７を利用して貫通電極３２，３３を構成しているため、非常に安定した導通性を得ることができる。 In addition, the piezoelectric vibrator 1 manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment can ensure that the through electrodes 32 and 33 are in close contact with the routing electrodes 36 and 37 and the external electrodes 38 and 39. As a result, stable continuity between the piezoelectric vibrating reed 4 and the external electrodes 38 and 39 can be ensured, and the reliability of the operation performance can be improved to achieve high performance. And since the penetration electrodes 32 and 33 are comprised using the electroconductive core part 7, the very stable electroconductivity can be obtained.

また、キャビティＣ内の気密に関しても確実に維持することができるため、この点においても高品質化を図ることができる。
また、本実施形態の製造方法によれば、上記圧電振動子１を一度に複数製造することができるため、低コスト化を図ることができる。 Moreover, since the airtightness in the cavity C can be reliably maintained, the quality can be improved also in this respect.
Further, according to the manufacturing method of the present embodiment, a plurality of the piezoelectric vibrators 1 can be manufactured at a time, so that the cost can be reduced.

（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図２６を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図２６に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサなどの電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上記集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。 (Oscillator)
Next, an embodiment of an oscillator according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 26, the oscillator 100 according to the present embodiment is configured by configuring the piezoelectric vibrator 1 as an oscillator electrically connected to the integrated circuit 101. The oscillator 100 includes a substrate 103 on which an electronic component 102 such as a capacitor is mounted. On the substrate 103, the integrated circuit 101 for the oscillator is mounted, and the piezoelectric vibrator 1 is mounted in the vicinity of the integrated circuit 101. The electronic component 102, the integrated circuit 101, and the piezoelectric vibrator 1 are electrically connected by a wiring pattern (not shown). Each component is molded with a resin (not shown).

このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、該圧電振動子１内の圧電振動片４が振動する。この振動は、圧電振動片４が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダーなどを提供したりする機能を付加することができる。 In the oscillator 100 configured as described above, when a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 1, the piezoelectric vibrating piece 4 in the piezoelectric vibrator 1 vibrates. This vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the piezoelectric vibrating piece 4 and input to the integrated circuit 101 as an electric signal. The input electrical signal is subjected to various processes by the integrated circuit 101 and is output as a frequency signal. Thereby, the piezoelectric vibrator 1 functions as an oscillator.
Further, by selectively setting the configuration of the integrated circuit 101, for example, an RTC (real-time clock) module or the like according to a request, the operation date and time of the device and the external device in addition to a single-function oscillator for a clock, etc. Functions such as controlling the time and providing the time and calendar can be added.

上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、ベース基板２のスルーホール３０，３１の端部に曲面部４５が形成され、ベース基板２のスルーホール３０，３１の端部にクラックが入り難い圧電振動子１を用いているため、歩留まりが向上するとともに、品質が安定した発振器１００を提供することができる。 As described above, according to the oscillator 100 of the present embodiment, the curved surface portion 45 is formed at the end portions of the through holes 30 and 31 of the base substrate 2, and cracks are formed at the end portions of the through holes 30 and 31 of the base substrate 2. Since the piezoelectric vibrator 1 that is difficult to enter is used, it is possible to provide the oscillator 100 with improved yield and stable quality.

（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図２７を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。 (Electronics)
Next, an embodiment of an electronic apparatus according to the invention will be described with reference to FIG. Note that the portable information device 110 having the above-described piezoelectric vibrator 1 will be described as an example of the electronic device.
First, the portable information device 110 according to the present embodiment is represented by, for example, a mobile phone, and is a development and improvement of a wrist watch in the related art. The appearance is similar to that of a wristwatch, and a liquid crystal display is arranged in a portion corresponding to a dial so that the current time and the like can be displayed on this screen. Further, when used as a communication device, it is possible to perform communication similar to that of a conventional mobile phone by using a speaker and a microphone that are removed from the wrist and incorporated in the inner portion of the band. However, it is much smaller and lighter than conventional mobile phones.

次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図２７に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻などのカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。 Next, the configuration of the portable information device 110 of this embodiment will be described. As shown in FIG. 27, the portable information device 110 includes the piezoelectric vibrator 1 and a power supply unit 111 for supplying power. The power supply unit 111 is made of, for example, a lithium secondary battery. The power supply unit 111 includes a control unit 112 that performs various controls, a clock unit 113 that counts time, a communication unit 114 that communicates with the outside, a display unit 115 that displays various types of information, A voltage detection unit 116 that detects the voltage of the functional unit is connected in parallel. The power unit 111 supplies power to each functional unit.

制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示など、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭなどを備えている。 The control unit 112 controls each function unit to perform operation control of the entire system such as transmission and reception of audio data, measurement and display of the current time, and the like. The control unit 112 includes a ROM in which a program is written in advance, a CPU that reads and executes the program written in the ROM, and a RAM that is used as a work area for the CPU.

計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路などを内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片４が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報などが表示される。 The timer unit 113 includes an integrated circuit including an oscillation circuit, a register circuit, a counter circuit, an interface circuit, and the like, and the piezoelectric vibrator 1. When a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 1, the piezoelectric vibrating reed 4 vibrates, and the vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the crystal, and is input to the oscillation circuit as an electric signal. The output of the oscillation circuit is binarized and counted by a register circuit and a counter circuit. Then, signals are transmitted to and received from the control unit 112 via the interface circuit, and the current time, current date, calendar information, and the like are displayed on the display unit 115.

通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データなどの各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォンなどからなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。 The communication unit 114 has functions similar to those of a conventional mobile phone, and includes a radio unit 117, a voice processing unit 118, a switching unit 119, an amplification unit 120, a voice input / output unit 121, a telephone number input unit 122, and a ring tone generation unit. 123 and a call control memory unit 124.
The wireless unit 117 exchanges various data such as voice data with the base station via the antenna 125. The audio processing unit 118 encodes and decodes the audio signal input from the radio unit 117 or the amplification unit 120. The amplifying unit 120 amplifies the signal input from the audio processing unit 118 or the audio input / output unit 121 to a predetermined level. The voice input / output unit 121 includes a speaker, a microphone, and the like, and amplifies a ringtone and a received voice or collects a voice.

また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キーなどを押下することにより、通話先の電話番号などが入力される。 In addition, the ring tone generator 123 generates a ring tone in response to a call from the base station. The switching unit 119 switches the amplifying unit 120 connected to the voice processing unit 118 to the ringing tone generating unit 123 only when an incoming call is received, so that the ringing tone generated in the ringing tone generating unit 123 is transmitted via the amplifying unit 120. To the audio input / output unit 121.
The call control memory unit 124 stores a program related to incoming / outgoing call control of communication. The telephone number input unit 122 includes, for example, number keys from 0 to 9 and other keys. By pressing these number keys, a telephone number of a call destination is input.

電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２などの各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。 When the voltage applied to each functional unit such as the control unit 112 by the power supply unit 111 falls below a predetermined value, the voltage detection unit 116 detects the voltage drop and notifies the control unit 112 of the voltage drop. . The predetermined voltage value at this time is a value set in advance as a minimum voltage necessary for stably operating the communication unit 114, and is, for example, about 3V. Upon receiving the voltage drop notification from the voltage detection unit 116, the control unit 112 prohibits the operations of the radio unit 117, the voice processing unit 118, the switching unit 119, and the ring tone generation unit 123. In particular, it is essential to stop the operation of the wireless unit 117 with high power consumption. Further, the display unit 115 displays that the communication unit 114 has become unusable due to insufficient battery power.

即ち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしてもよい。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。 That is, the operation of the communication unit 114 can be prohibited by the voltage detection unit 116 and the control unit 112, and that effect can be displayed on the display unit 115. This display may be a text message, but as a more intuitive display, a x (X) mark may be attached to the telephone icon displayed at the top of the display surface of the display unit 115.
In addition, the function of the communication part 114 can be stopped more reliably by providing the power supply cutoff part 126 that can selectively cut off the power of the part related to the function of the communication part 114.

上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、ベース基板２のスルーホール３０，３１の端部に曲面部４５が形成され、ベース基板２のスルーホール３０，３１の端部にクラックが入り難い圧電振動子１を用いているため、歩留まりが向上するとともに、品質が安定した携帯情報機器１１０を提供することができる。 As described above, according to the portable information device 110 of the present embodiment, the curved surface portion 45 is formed at the end portions of the through holes 30 and 31 of the base substrate 2, and the end portions of the through holes 30 and 31 of the base substrate 2 are formed. Since the piezoelectric vibrator 1 that does not easily crack is used, it is possible to provide the portable information device 110 with improved yield and stable quality.

（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図２８を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図２８に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。 (Radio watch)
Next, an embodiment of a radio timepiece according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 28, the radio timepiece 130 according to the present embodiment includes the piezoelectric vibrator 1 electrically connected to the filter unit 131. The radio timepiece 130 receives a standard radio wave including timepiece information and is accurate. It is a clock with a function of automatically correcting and displaying the correct time.
In Japan, there are transmitting stations (transmitting stations) that transmit standard radio waves in Fukushima Prefecture (40 kHz) and Saga Prefecture (60 kHz), each transmitting standard radio waves. Long waves such as 40 kHz or 60 kHz have the property of propagating the surface of the earth and the property of propagating while reflecting the ionosphere and the surface of the earth, so the propagation range is wide, and the above two transmitting stations cover all of Japan. is doing.

以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。 Hereinafter, the functional configuration of the radio timepiece 130 will be described in detail.
The antenna 132 receives a long standard wave of 40 kHz or 60 kHz. The long-wave standard radio wave is obtained by subjecting time information called a time code to AM modulation on a 40 kHz or 60 kHz carrier wave. The received long standard wave is amplified by the amplifier 133 and filtered and tuned by the filter unit 131 having the plurality of piezoelectric vibrators 1.
The piezoelectric vibrator 1 according to this embodiment includes crystal vibrator portions 138 and 139 having resonance frequencies of 40 kHz and 60 kHz that are the same as the carrier frequency.

さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。 Further, the filtered signal having a predetermined frequency is detected and demodulated by the detection and rectification circuit 134. Subsequently, the time code is taken out via the waveform shaping circuit 135 and counted by the CPU 136. The CPU 136 reads information such as the current year, accumulated date, day of the week, and time. The read information is reflected in the RTC 137, and accurate time information is displayed.
Since the carrier wave is 40 kHz or 60 kHz, the crystal vibrator units 138 and 139 are preferably vibrators having the tuning fork type structure described above.

なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。 In addition, although the above-mentioned description was shown in the example in Japan, the frequency of the long standard wave is different overseas. For example, in Germany, a standard radio wave of 77.5 KHz is used. Accordingly, when the radio timepiece 130 that can be used overseas is incorporated in a portable device, the piezoelectric vibrator 1 having a frequency different from that in Japan is required.

上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、ベース基板２のスルーホール３０，３１の端部に曲面部４５が形成され、ベース基板２のスルーホール３０，３１の端部にクラックが入り難い圧電振動子１を用いているため、歩留まりが向上するとともに、品質が安定した電波時計１３０を提供することができる。 As described above, according to the radio timepiece 130 of the present embodiment, the curved surface portion 45 is formed at the end portions of the through holes 30 and 31 of the base substrate 2, and cracks are formed at the end portions of the through holes 30 and 31 of the base substrate 2. Since the piezoelectric vibrator 1 that does not easily enter is used, it is possible to provide a radio timepiece 130 with improved yield and stable quality.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、スルーホール３０，３１の形状を断面テーパ状の円錐形状に形成したが、断面テーパ状ではなくストレート形状の略円柱形状に形成してもよい。なお、この場合でもスルーホールの一方の端部に曲面部を形成することにより上記実施形態と略同一の作用効果を得ることができる。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, in the above-described embodiment, the through holes 30 and 31 are formed in a conical shape having a tapered cross section, but may be formed in a substantially cylindrical shape having a straight shape instead of a tapered shape in cross section. Even in this case, substantially the same effect as the above embodiment can be obtained by forming a curved surface portion at one end of the through hole.

また、上記実施形態において、芯材部７として、熱膨張係数がベース基板２（ベース基板用ウエハ４０）及び筒体６と略同一のものを用いることが好ましい。
この場合には、焼成を行う際に、ベース基板用ウエハ４０、筒体６及び芯材部７の３つが、それぞれ同じように熱膨張する。従って、熱膨張係数の違いによって、ベース基板用ウエハ４０や筒体６に過度に圧力を作用させてクラックなどを発生させたり、筒体６とスルーホール３０，３１との間、或いは、筒体６と芯材部７との間に隙間が開いてしまったりすることがない。そのため、より高品質な貫通電極を形成することができ、その結果、圧電振動子１のさらなる高品質化を図ることができる。 Moreover, in the said embodiment, it is preferable to use the thing with a thermal expansion coefficient substantially the same as the base substrate 2 (base substrate wafer 40) and the cylinder 6 as the core part 7. FIG.
In this case, when firing, the base substrate wafer 40, the cylindrical body 6 and the core member 7 are thermally expanded in the same manner. Therefore, due to the difference in thermal expansion coefficient, excessive pressure is applied to the base substrate wafer 40 and the cylinder 6 to generate cracks, etc., or between the cylinder 6 and the through holes 30 and 31, or the cylinder. There is no gap between 6 and the core member 7. Therefore, a higher quality through electrode can be formed, and as a result, the piezoelectric vibrator 1 can be further improved in quality.

また、上記実施形態では、圧電振動片４の一例として振動腕部１０、１１の両面に溝部１８が形成された溝付きの圧電振動片４を例に挙げて説明したが、溝部１８がないタイプの圧電振動片でも構わない。但し、溝部１８を形成することで、一対の励振電極１５に所定の電圧を印加させたときに、一対の励振電極１５間における電界効率を上げることができるため、振動損失をより抑えて振動特性をさらに向上することができる。つまり、ＣＩ値（Crystal Impedance）をさらに低くすることができ、圧電振動片４のさらなる高性能化を図ることができる。この点において、溝部１８を形成する方が好ましい。
また、上記実施形態では、音叉型の圧電振動片４を例に挙げて説明したが、音叉型に限られるものではない。例えば、厚み滑り振動片としても構わない。 In the above-described embodiment, as an example of the piezoelectric vibrating piece 4, the grooved piezoelectric vibrating piece 4 in which the groove portions 18 are formed on both surfaces of the vibrating arm portions 10 and 11 has been described as an example. The piezoelectric vibrating piece may be used. However, by forming the groove portion 18, when a predetermined voltage is applied to the pair of excitation electrodes 15, the electric field efficiency between the pair of excitation electrodes 15 can be increased. Can be further improved. That is, the CI value (Crystal Impedance) can be further reduced, and the piezoelectric vibrating reed 4 can be further improved in performance. In this respect, it is preferable to form the groove 18.
In the above embodiment, the tuning fork type piezoelectric vibrating piece 4 has been described as an example. However, the tuning fork type is not limited to the tuning fork type. For example, it may be a thickness sliding vibration piece.

また、上記実施形態では、ベース基板２とリッド基板３とを接合膜３５を介して陽極接合したが、陽極接合に限定されるものではない。但し、陽極接合することで、両基板２、３を強固に接合できるため好ましい。 In the above embodiment, the base substrate 2 and the lid substrate 3 are anodically bonded via the bonding film 35. However, the present invention is not limited to anodic bonding. However, anodic bonding is preferable because both substrates 2 and 3 can be firmly bonded.

さらに、上記実施形態では、圧電振動片４をバンプ接合したが、バンプ接合に限定されるものではない。例えば、導電性接着剤により圧電振動片４を接合しても構わない。但し、バンプ接合することで、圧電振動片４をベース基板２の上面から浮かすことができ、振動に必要な最低限の振動ギャップを自然と確保することができる。よって、バンプ接合することが好ましい。 Furthermore, although the piezoelectric vibrating reed 4 is bump-bonded in the above embodiment, the present invention is not limited to bump bonding. For example, the piezoelectric vibrating reed 4 may be joined with a conductive adhesive. However, by bonding the bumps, the piezoelectric vibrating reed 4 can be lifted from the upper surface of the base substrate 2, and a minimum vibration gap necessary for vibration can be secured naturally. Therefore, it is preferable to perform bump bonding.

そして、上記実施形態では、型部材７０にテーパ部７４および曲面部７５を有する突起部７１が形成されたものを採用したが、図２９に示すように、スルーホール３０，３１と略同一形状の第１突起部１７３と、第１突起部１７３からさらに拡径するように形成された第２突起部１７４と、を有した突起部１７１が形成された型部材１７０を用いてもよい。 In the above embodiment, the mold member 70 is formed with the protrusion 71 having the tapered portion 74 and the curved surface portion 75. However, as shown in FIG. 29, the mold member 70 has substantially the same shape as the through holes 30 and 31. A mold member 170 on which a protrusion 171 having a first protrusion 173 and a second protrusion 174 formed so as to further expand the diameter from the first protrusion 173 may be used.

型部材１７０を用いる場合には、まず型部材１７０とベース基板用ウエハ４０とを当接させる（上記実施形態の図１３参照）。そして、型部材１７０をベース基板用ウエハ４０から離間させた後、ベース基板用ウエハ４０の両面を研磨してスルーホール３０，３１を形成すればよい。つまり、この研磨工程では、ベース基板用ウエハ４０に形成された凹部のうち、型部材１７０の第２突起部１７４に対応した部分は全て研磨するとともに、第１突起部１７３の曲面部１７５に対応して形成された局面部の一部を研磨する。 When the mold member 170 is used, first, the mold member 170 and the base substrate wafer 40 are brought into contact with each other (see FIG. 13 in the above embodiment). Then, after the mold member 170 is separated from the base substrate wafer 40, the through holes 30 and 31 may be formed by polishing both surfaces of the base substrate wafer 40. That is, in this polishing step, all the portions corresponding to the second protrusions 174 of the mold member 170 among the recesses formed in the base substrate wafer 40 are polished and correspond to the curved surface portions 175 of the first protrusions 173. A portion of the formed phase portion is polished.

このような突起部１７１を形成することにより、突起部１７１の強度を向上させることができ、型部材１７０の耐久性を向上することができる。また、第１突起部１７３における第２突起部１７４との境界部には第１曲面部１７５が形成されているとともに、第２突起部１７４における板部１７６との境界部にも第２曲面部１７７が形成されている。このように第２曲面部１７７を形成することでベース基板用ウエハ４０から型部材１７０を離間させる際に、突起部１７１に生じる応力集中を緩和することができ、突起部１７１が脱落・破損するのを抑制することができる。また、第１曲面部１７５を形成することにより、圧電振動子１として製造された後、ベース基板２のスルーホール３０，３１には曲面部４５が形成されるため、ベース基板２にクラックが発生するのを抑制することができる。 By forming such a protrusion 171, the strength of the protrusion 171 can be improved, and the durability of the mold member 170 can be improved. In addition, a first curved surface portion 175 is formed at a boundary portion between the first protruding portion 173 and the second protruding portion 174, and a second curved surface portion is also formed at the boundary portion between the second protruding portion 174 and the plate portion 176. 177 is formed. By forming the second curved surface portion 177 in this way, the stress concentration generated in the protruding portion 171 when the mold member 170 is separated from the base substrate wafer 40 can be alleviated, and the protruding portion 171 is dropped and damaged. Can be suppressed. In addition, since the first curved surface portion 175 is formed and thus the piezoelectric vibrator 1 is manufactured, the curved surface portion 45 is formed in the through holes 30 and 31 of the base substrate 2, so that the base substrate 2 is cracked. Can be suppressed.

１…圧電振動子（パッケージ）２…ベース基板３…リッド基板４…圧電振動片（被収納物）６ａ…ガラスフリット７…芯材部８…土台部９…鋲体３０…スルーホール（貫通孔）３０ａ…凹部３１…スルーホール（貫通孔）３１ａ…凹部３２…貫通電極３３…貫通電極３６…引き回し電極３７…引き回し電極３８…外部電極３９…外部電極４０…ベース基板用ウエハ４３…曲面部４５…曲面部５０…リッド基板用ウエハ７０…型部材７１…突起部７５…曲面部１００…発振器１０１…発振器の集積回路１１０…携帯情報機器（電子機器）１１３…電子機器の計時部１３０…電波時計１３１…電波時計のフィルタ部１７０…型部材１７３…第１突起部１７４…第２突起部１７５…第１曲面部（曲面部）１７７…第２曲面部（曲面部）Ｃ…キャビティ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Piezoelectric vibrator (package) 2 ... Base board 3 ... Lid board 4 ... Piezoelectric vibration piece (object to be stored) 6a ... Glass frit 7 ... Core material part 8 ... Base part 9 ... Housing 30 ... Through hole (through hole) 30a ... Recess 31 ... Through hole (through hole) 31a ... Recess 32 ... Through electrode 33 ... Through electrode 36 ... Leading electrode 37 ... Leading electrode 38 ... External electrode 39 ... External electrode 40 ... Base substrate wafer 43 ... Curved surface part 45 ... curved surface 50 ... lid substrate wafer 70 ... mold member 71 ... projection 75 ... curved surface 100 ... oscillator 101 ... oscillator integrated circuit 110 ... portable information device (electronic device) 113 ... timer 130 of electronic device 130 ... radio clock 131: Filter part of radio wave clock 170 ... Mold member 173 ... First projection 174 ... Second projection 175 ... First curved surface (curved) Part) 177 ... second curved portion (curved portion) C ... cavity

Claims

互いに接合されたベース基板およびリッド基板と、
前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に封止された被収納物と、
前記ベース基板を貫通する貫通孔内に配置され、前記被収納物と外部とを電気的に接続する貫通電極と、を備えたパッケージの製造方法において、
前記ベース基板に、前記貫通電極用の凹部を形成する凹部形成工程を備え、
該凹部形成工程は、加熱された前記ベース基板の第１面に、少なくとも前記貫通孔と同一の形状の突起部が形成された型部材を当接して、前記突起部を前記ベース基板内に挿入する工程と、
前記ベース基板を冷却する工程と、
前記型部材を前記ベース基板から離間させる工程と、を有し、
前記型部材の突起部に、前記貫通孔における前記第１面側の端部が、該端部に向かうに従って拡径する曲面形状になるように曲面部が形成されていることを特徴とするパッケージの製造方法。 A base substrate and a lid substrate bonded to each other;
To-be-contained object sealed in a cavity formed between the base substrate and the lid substrate;
In a manufacturing method of a package comprising: a through electrode disposed in a through hole penetrating the base substrate and electrically connecting the object to be stored and the outside;
A recess forming step for forming a recess for the through electrode on the base substrate;
In the recess forming step, a mold member having at least a protrusion having the same shape as the through hole is brought into contact with the heated first surface of the base substrate, and the protrusion is inserted into the base substrate. And a process of
Cooling the base substrate;
Separating the mold member from the base substrate,
A package characterized in that a curved surface portion is formed on the protruding portion of the mold member so that the end portion on the first surface side of the through-hole has a curved surface shape whose diameter increases toward the end portion. Manufacturing method.

前記ベース基板に前記凹部が形成された後、
前記ベース基板の前記第１面と反対側の第２面を研磨して前記貫通孔を形成する工程と、
平板状の土台部と、該土台部の表面に直交する方向に沿って延在する芯材部と、を有する導電性の鋲体の前記芯材部を前記ベース基板の貫通孔内に挿入し、前記ベース基板の第２面に鋲体の土台部を当接させる工程と、
前記ベース基板の第１面に、ペースト状のガラスフリットを塗布し、該ガラスフリットを前記貫通孔内に充填する工程と、
前記ガラスフリットを焼成して硬化させる工程と、
前記ベース基板の第１面および第２面を研磨して芯材部を露出させる工程と、を有していることを特徴とする請求項１に記載のパッケージの製造方法。 After the recess is formed in the base substrate,
Polishing the second surface opposite to the first surface of the base substrate to form the through hole;
Inserting the core part of the conductive casing having a flat base part and a core part extending in a direction perpendicular to the surface of the base part into the through hole of the base substrate A step of bringing a base portion of the casing into contact with the second surface of the base substrate;
Applying paste-like glass frit to the first surface of the base substrate, and filling the glass frit into the through holes;
Baking and curing the glass frit;
The method for manufacturing a package according to claim 1, further comprising: polishing the first surface and the second surface of the base substrate to expose the core portion.

前記型部材の突起部が、前記貫通孔に対応した第１突起部と、該第１突起部からさらに拡径するように形成された第２突起部と、を有し、
該第２突起部の根元に、前記ベース基板の前記第１面側の端部が、該端部に向かうに従って拡径する曲面形状になるように曲面部が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のパッケージの製造方法。 The protrusion of the mold member has a first protrusion corresponding to the through-hole, and a second protrusion formed so as to further expand in diameter from the first protrusion,
A curved surface portion is formed at the base of the second projecting portion so that the end portion on the first surface side of the base substrate has a curved surface shape whose diameter increases toward the end portion. The manufacturing method of the package of Claim 1 or 2.

ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して圧電振動子を製造する圧電振動子の製造方法において、
前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに圧電振動片が収納されるキャビティを形成するキャビティ形成工程と、
前記ベース基板用ウエハに、貫通電極用の鋲体を用いて貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
前記ベース基板用ウエハの第２面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を形成する引き回し電極形成工程と、
前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの第２面に接合するマウント工程と、
前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と、
前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と、
前記ベース基板用ウエハの第１面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を形成する外部電極形成工程と、
接合された前記両ウエハを切断して、複数の圧電振動子に小片化する切断工程と、を備え、
前記貫通電極形成工程が、
前記ベース基板用ウエハに前記貫通電極用の凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部が貫通するまで前記ベース基板用ウエハの前記第２面を研磨する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に、前記鋲体の芯材部を配置するとともに、前記貫通孔と前記鋲体の芯材部との間隙に、ペースト状のガラスフリットを充填する貫通電極配置工程と、
前記ガラスフリットを所定の温度で焼成して、前記貫通孔と前記ガラスフリットと前記鋲体の芯材部とを一体的に固定させる焼成工程と、
前記鋲体の土台部および該土台部が配置された前記ベース基板用ウエハの第２面を研削・研磨するとともに、前記ベース基板用ウエハの第１面を研磨して、前記芯材部が露出するようにする研削・研磨工程と、を有し、
前記凹部形成工程は、加熱された前記ベース基板用ウエハの第１面に、少なくとも前記貫通孔と同一の形状の突起部が形成された型部材を当接して、前記突起部を前記ベース基板内に挿入する工程と、
前記ベース基板を冷却する工程と、
前記型部材を前記ベース基板用ウエハから離間させる工程と、を有し、
前記型部材の突起部に、前記貫通孔における前記第１面側の端部が、該端部に向かうに従って拡径する曲面形状になるように曲面部が形成されていることを特徴とする圧電振動子の製造方法。 In a piezoelectric vibrator manufacturing method for manufacturing a piezoelectric vibrator using a base substrate wafer and a lid substrate wafer,
A cavity forming step of forming a cavity in which the piezoelectric vibrating piece is stored when the two wafers are superimposed on the lid substrate wafer;
A through electrode forming step of forming a through electrode on the base substrate wafer using a through electrode housing; and
A lead electrode forming step of forming a lead electrode electrically connected to the through electrode on the second surface of the base substrate wafer;
A mounting step of bonding the piezoelectric vibrating piece to the second surface of the base substrate wafer via the routing electrode;
Overlaying the base substrate wafer and the lid substrate wafer to house the piezoelectric vibrating piece in the cavity; and
Joining the base substrate wafer and the lid substrate wafer, and sealing the piezoelectric vibrating piece in the cavity;
Forming an external electrode electrically connected to the through electrode on the first surface of the base substrate wafer; and
Cutting the bonded wafers and cutting the wafer into a plurality of piezoelectric vibrators,
The through electrode forming step includes
Forming a recess for the through electrode on the base substrate wafer; and
A through hole forming step of polishing the second surface of the base substrate wafer until the recess penetrates;
A through electrode arrangement step of placing a core part of the casing in the through hole and filling a paste-like glass frit in a gap between the through hole and the core part of the casing;
A firing step of firing the glass frit at a predetermined temperature to integrally fix the through hole, the glass frit, and a core part of the casing;
The base portion of the casing and the second surface of the base substrate wafer on which the base portion is disposed are ground and polished, and the first surface of the base substrate wafer is polished to expose the core portion. And a grinding / polishing process to be performed,
In the recess forming step, a mold member having at least a protrusion having the same shape as the through hole is brought into contact with the first surface of the heated base substrate wafer, and the protrusion is placed in the base substrate. Inserting into,
Cooling the base substrate;
Separating the mold member from the base substrate wafer,
The piezoelectric member characterized in that a curved surface portion is formed on the projecting portion of the mold member so that an end portion on the first surface side of the through hole has a curved surface shape whose diameter increases toward the end portion. A method for manufacturing a vibrator.

互いに接合されたベース基板およびリッド基板と、
前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に封止された圧電振動片と、
前記ベース基板を貫通する貫通孔内に配置され、前記圧電振動片と外部とを電気的に接続する貫通電極と、を備えた圧電振動子において、
前記貫通孔における少なくとも一方の端部に、該端部に向かうに従って拡径する曲面部が形成されていることを特徴とする圧電振動子。 A base substrate and a lid substrate bonded to each other;
A piezoelectric vibrating piece sealed in a cavity formed between the base substrate and the lid substrate;
In a piezoelectric vibrator including a through electrode disposed in a through hole penetrating the base substrate and electrically connecting the piezoelectric vibrating piece and the outside,
A piezoelectric vibrator characterized in that a curved surface portion having a diameter increasing toward the end portion is formed at at least one end portion of the through hole.

請求項５に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。 An oscillator, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 5 is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator.

請求項５に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。 6. An electronic apparatus, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 5 is electrically connected to a timer unit.

請求項５に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。 6. A radio timepiece wherein the piezoelectric vibrator according to claim 5 is electrically connected to a filter portion.