JP2011040736A - インプリントリソグラフィ装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】装置は、所定量のインプリント可能媒体24が供給された基板22にパターンをインプリントするのに使用されるインプリントテンプレートアレンジメントと、前記基板22を保持するように構成された基板ホルダ20と、ガスを前記チャンバ40内に流入させるインレット42とガスを前記チャンバ40から外へ流出させるアウトレット44とを有するチャンバ40と、を含み、前記チャンバ40は、使用中、ガス雰囲気を含むように構成される。前記チャンバ40の前記インレット42および前記アウトレット44は、ガス循環システムのさらなる構成要素へと接続され、前記ガス循環システム内にガスを動かすように構成されたガス循環ドライバ48、および/または、前記ガスが前記ガス循環システム内を循環する際に前記ガスを浄化するように構成されたガス浄化ユニット50を含む。
【選択図】図3
Description
Claims (14)
- 所定量のインプリント可能媒体が供給された基板にパターンをインプリントするのに使用されるインプリントテンプレートアレンジメントと、
前記基板を保持するように構成された基板ホルダと、
チャンバであって、ガスを前記チャンバ内に流入させるインレットとガスをチャンバから外へ流出させるアウトレットとを有するチャンバと、を含み、
前記インプリントテンプレートアレンジメントおよび前記基板ホルダは、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバは、使用中、ガス雰囲気を含むように構成される、
インプリントリソグラフフィ装置 - 前記チャンバは、ガス循環システムの一部を形成し、
前記チャンバの前記インレットおよび前記アウトレットは、前記ガス循環システムのさらなる構成要素へと接続され、
前記ガス循環システムの前記さらなる構成要素は、前記ガス循環システム内のガスを動かすガス循環ドライバ、および/または、前記ガスが前記ガス循環システム内を循環する際に前記ガスを浄化するガス浄化ユニットを含む、
請求項1に記載の装置。 - 前記チャンバは、上部および底部を有し、前記チャンバ内のコンタミは、使用中、前記チャンバの前記底部へと優先的に落下し、
前記アウトレットは、前記チャンバの前記底部に接続されるか、または前記チャンバの前記底部の一部を形成する、
請求項1または2に記載の装置。 - 前記チャンバは、前記チャンバ内にガスの流れを誘導するガイドを含む、先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記チャンバは、ガスの流れから前記インプリント可能媒体を少なくとも部分的に遮蔽するシールドを含む、先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記ガイドおよび/または前記シールドは、移動可能である、請求項4または5に記載の装置。
- 前記ガス循環システムは、前記ガスが前記ガス循環システム内を循環する際に、前記ガスを浄化するように構成されたガス浄化ユニットを含み、かつ、前記ガスが前記ガス浄化ユニットにより浄化される前および/または後に前記ガスの特性を検出するセンサを含むか、または当該センサと接続される、先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記チャンバと選択的に接続される副チャンバをさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記チャンバと接続される真空システムをさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記チャンバ内のガス圧は、過剰圧または負圧になる、先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記チャンバまたは前記ガス循環システムは、ガス源をさらに含むか、または当該ガス源と接続される、先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記アウトレットは、前記チャンバからのガスの流れを制限する絞りであるか、当該絞りを含むか、または当該絞りに接続される、先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記ガスは、ヘリウム、窒素、ネオン、アルゴン、酸素、水素、または二酸化炭素である、先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- インプリントリソグラフィ装置とともに使用されるインプリントリソグラフィ方法であって、前記インプリントリソグラフィ装置は、インプリント可能媒体が供給された基板にパターンをインプリントするのに使用されるインプリントテンプレートアレンジメントと、前記基板を保持するように構成された基板ホルダと、チャンバであって、ガスを前記チャンバ内に流入させるインレットとガスをチャンバから外へ流出させるアウトレットとを有するチャンバと、を含み、前記インプリントテンプレートアレンジメントおよび前記基板ホルダは、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバは、使用中、ガス雰囲気を含むように構成され、前記インプリントリソグラフィ方法は、
前記インプリントテンプレートアレンジメントと、前記基板と、前記インプリント可能媒体とが前記チャンバに含まれる前記ガス雰囲気内に配置されるとき、前記インプリントテンプレートアレンジメントを使用して、パターンを前記インプリント可能媒体にインプリントすること、を含む、
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22880209P | 2009-07-27 | 2009-07-27 | |
US61/228,802 | 2009-07-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011040736A true JP2011040736A (ja) | 2011-02-24 |
JP5075232B2 JP5075232B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=43496565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010162398A Active JP5075232B2 (ja) | 2009-07-27 | 2010-07-20 | インプリントリソグラフィ装置および方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
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US (1) | US9547234B2 (ja) |
JP (1) | JP5075232B2 (ja) |
NL (1) | NL2004685A (ja) |
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US20110018167A1 (en) | 2011-01-27 |
JP5075232B2 (ja) | 2012-11-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120224 |
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