JP2011040509A - 2層式トランス - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 25
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUVLYNGULCJVDO-UHFFFAOYSA-N EPTC Chemical compound CCCN(CCC)C(=O)SCC GUVLYNGULCJVDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
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- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/645—Inductive arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
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Abstract
【解決手段】積層コイル構造を持つ対称型トランスは、それぞれ少なくとも2つの巻線を有する2つのコイルを備える。該構造は、4つの同じ基本エレメントを備え、各基本エレメントは、前記コイルの一部のための導電経路を提供するものである。トランスの端子は、該構造の反対側に配置されており、構造はチェーン式に容易に接続できる。本発明はまた、こうした構造を備えた半導体デバイスに関する。
【選択図】図1A
Description
・該構造は、4つの同じ基本エレメントを備え、各基本エレメントは、前記コイルの一部のための導電経路を提供するものであり、
・第1導電プレーンは、互いに電気絶縁された、前記基本エレメントの第1エレメントおよび前記基本エレメントの第2エレメントを備え、第1エレメントは、第1コイルの巻線の半分および第1端子を提供し、第2エレメントは、第2コイルの巻線の半分および第2端子を提供し、第1コイルの第1端子および第2コイルの第2端子は、該構造の反対側に配置されており、
・第2導電プレーンは、互いに電気絶縁された、前記基本エレメントの第3エレメントおよび前記基本エレメントの第4エレメントを備え、第3エレメントは、第2コイルの巻線の半分および第3端子を提供し、第4エレメントは、第1コイルの巻線の半分および第4端子を提供し、第1コイルの第4端子および第2コイルの第3端子は、該構造の反対側に配置されており、
・前記第1コイルの第1端子および第4端子は、該構造の同じ側に配置されており、
・前記第2コイルの第2端子および第3端子は、該構造の同じ側に配置されており、
・第1基本エレメントの端部は、絶縁層を通る第1接続部によって第4基本エレメントの端部と電気接続されており、
・第2基本エレメントの端部は、絶縁層を通る第2接続部によって第3基本エレメントの端部と電気接続されている。
・構造1は、図1Bに示すように、4つの同じ基本エレメントB1,B2,B3,B4を備え、各基本エレメントは、前記コイルS1,S2の一部のための導電経路を提供するものであり、
・第1導電プレーンは、図1Dに示すように、互いに電気絶縁された、前記基本エレメントの第1エレメントB1および前記基本エレメントの第2エレメントB2を備え、第1エレメントB1は、第1コイルS1の巻線の半分および第1端子T1を提供し、第2エレメントB2は、第2コイルS2の巻線の半分および第2端子T2を提供し、第1コイルの第1端子T1および第2コイルの第2端子T2は、構造1の反対側に配置されており、
・第2導電プレーンは、図1Eに示すように、互いに電気絶縁された、前記基本エレメントの第3エレメントB3および前記基本エレメントの第4エレメントB4を備え、第3エレメントB3は、第2コイルS2の巻線の半分および第3端子T3を提供し、第4エレメントB4は、第1コイルS1の巻線の半分および第4端子T4を提供し、第1コイルの第4端子T4および第2コイルの第3端子T3は、構造1の反対側に配置されており、
・前記第1コイルの第1端子T1および第4端子T4は、構造1の同じ側に配置されており、
・前記第2コイルの第2端子T2および第3端子T3は、構造1の同じ側に配置されており、
・第1基本エレメントB1の端部E1は、絶縁層を通る第1接続部M1によって第4基本エレメントB4の端部E4と電気接続されており、
・第2基本エレメントB2の端部E2は、絶縁層を通る第2接続部M2によって第3基本エレメントB3の端部E3と電気接続されている。
・外部正方形の寸法:25μm×25μm
・内部正方形の寸法:15μm×15μm
・導体幅:2μm
・導体間隔:1μm
・金属層の厚さT1(図5):0.9μm
・金属層の間隔:0.6μm
Claims (9)
- 積層コイル構造(1)を持つ対称型トランスであって、
それぞれ少なくとも2つの巻線を有する1次および2次コイル(S1,S2)を備え、
1次および2次コイル(S1,S2)は、中間絶縁層によって互いに電気絶縁された第1および第2導電プレーン内に配置され、
1次および2次コイル(S1,S2)は、互いに電気絶縁され、両者間で磁気結合が生ずるように配置されており、
・構造(1)は、4つの同じ基本エレメント(B1,B2,B3,B4)を備え、各基本エレメントは、前記コイル(S1,S2)の一部のための導電経路を提供するものであり、
・第1導電プレーンは、互いに電気絶縁された、前記基本エレメントの第1エレメント(B1)および前記基本エレメントの第2エレメント(B2)を備え、第1エレメント(B1)は、第1コイル(S1)の巻線の半分および第1端子(T1)を提供し、第2エレメント(B2)は、第2コイル(S2)の巻線の半分および第2端子(T2)を提供し、第1コイルの第1端子(T1)および第2コイルの第2端子(T2)は、構造(1)の反対側に配置されており、
・第2導電プレーンは、互いに電気絶縁された、前記基本エレメントの第3エレメント(B3)および前記基本エレメントの第4エレメント(B4)を備え、第3エレメント(B3)は、第2コイル(S2)の巻線の半分および第3端子(T3)を提供し、第4エレメント(B4)は、第1コイル(S1)の巻線の半分および第4端子(T4)を提供し、第1コイルの第4端子(T4)および第2コイルの第3端子(T3)は、構造(1)の反対側に配置されており、
・前記第1コイルの第1端子(T1)および第4端子(T4)は、構造(1)の同じ側に配置されており、
・前記第2コイルの第2端子(T2)および第3端子(T3)は、構造(1)の同じ側に配置されており、
・第1基本エレメント(B1)の端部(E1)は、絶縁層を通る第1接続部(M1)によって第4基本エレメント(B4)の端部(E4)と電気接続されており、
・第2基本エレメント(B2)の端部(E2)は、絶縁層を通る第2接続部(M2)によって第3基本エレメント(B3)の端部(E3)と電気接続されている、対称型トランス。 - 構造(1)は、構造の中心(C)を通過し、導電プレーンに対して垂直な仮想軸(Z)の周りに対称である請求項1記載の対称型トランス。
- 構造は、絶縁層内に位置して、構造(1)の中心(C)を通過し、第1および第2接続部(M1,M2)を通過する仮想軸(X)の周りに対称である請求項1記載の対称型トランス。
- 構造は、絶縁層内に位置して、構造(1)の中心(C)を通過し、第1および第2接続部(M1,M2)の間の中間を通過する仮想軸(Y)の周りに対称である請求項1記載の対称型トランス。
- 第1コイル(S1)は、第1接続部(M1)に配置された第1中間タップを含み、第1コイルの端子(T1,T4)が差動ポートとして使用できるようにした請求項1記載の対称型トランス。
- 第2コイル(S2)は、第2接続部(M2)に配置された第2中間タップを含み、第2コイルの端子(T2,T3)が差動ポートとして使用できるようにした請求項5記載の対称型トランス。
- 請求項1記載の集積対称型トランスを備え、
導電プレーンは、金属プレーンである半導体デバイス。 - デバイスはCMOS技術で実現されており、
金属プレーンは、CMOS基板の電源プレーン及び/又はグラウンドプレーンである請求項7記載の半導体デバイス。 - デバイスは薄膜技術で実現されており、
金属プレーンは、薄膜基板の電源プレーン及び/又はグラウンドプレーンである請求項7記載の半導体デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009185299A JP2011040509A (ja) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | 2層式トランス |
US12/647,798 US8054155B2 (en) | 2009-08-07 | 2009-12-28 | Two layer transformer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009185299A JP2011040509A (ja) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | 2層式トランス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011040509A true JP2011040509A (ja) | 2011-02-24 |
Family
ID=43534392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009185299A Pending JP2011040509A (ja) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | 2層式トランス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8054155B2 (ja) |
JP (1) | JP2011040509A (ja) |
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- 2009-08-07 JP JP2009185299A patent/JP2011040509A/ja active Pending
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US20110032065A1 (en) | 2011-02-10 |
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A602 | Written permission of extension of time |
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