JP2011028814A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SDRAM34は、外部電源電圧VCCから内部電源電圧Vint1を発生するDC−DCコンバータIC60と、外部電源電圧VCCから内部電源電圧Vint1よりも低い内部電源電圧Vint2を発生するレギュレータIC80と、通常動作モードでは内部電源電圧Vint1を内部回路100へ供給し、セルフリフレッシュモードでは内部電源電圧Vint2を内部回路100へ供給するように構成された切替手段とを備える。切替手段は、動作モード切替時において、所定の重複時間だけDC−DCコンバータIC60とレギュレータIC80とを同時に動作させる。DC−DCコンバータIC60は、当該重複期間において内部電源電圧Vint1を内部回路100の動作電圧範囲内で一時的に増加させる。
【選択図】図2
Description
図2を参照して、SDRAM34は、外部電源電圧VDCが供給される外部電源電圧入力端子50と、DC−DCコンバータIC60と、レギュレータIC80と、インダクタL1と、コンデンサC1と、内部回路100とを備える。
Claims (3)
- 通常動作モードとセルフリフレッシュモードとを有する半導体集積回路であって、
供給された外部電源電圧から第1の内部電源電圧を発生するための第1の内部降圧回路と、
供給された外部電源電圧から、前記第1の内部電源電圧よりも低い第2の内部電源電圧を発生するための第2の内部降圧回路と、
前記通常動作モードでは、前記第1の内部降圧回路から出力された前記第1の内部電源電圧を内部回路へ供給するとともに、前記セルフリフレッシュモードでは、前記第2の内部降圧回路から出力された前記第2の内部電源電圧を前記内部回路へ供給するように構成された切替手段とを備え、
前記切替手段は、
前記通常動作モードから前記セルフリフレッシュモードへの動作モード切替時においては、動作モードの切替えタイミングよりも早いタイミングで前記第2の内部降圧回路を始動させるとともに、前記切替えタイミングで前記第1の内部降圧回路を停止させるための手段と、
前記セルフリフレッシュモードから前記通常動作モードへの動作モード切替時においては、動作モードの切替えタイミングで前記第1の内部降圧回路を始動させるとともに、前記切替えタイミングよりも遅いタイミングで前記第2の内部降圧回路を停止させるための手段とを含む、半導体集積回路。 - 前記内部回路は、所定の動作電圧範囲を有し、
前記第1の内部降圧回路は、
前記通常動作モードから前記セルフリフレッシュモードへの動作モード切替時においては、前記第2の内部降圧回路の起動タイミングよりも早いタイミングから動作モードの切替えタイミングまでの期間、前記第1の内部電源電圧を前記所定の動作電圧範囲内で一時的に増加させるための手段と、
前記セルフリフレッシュモードから前記通常動作モードへの動作モード切替時においては、動作モードの切替えタイミングから前記第2の内部降圧回路の停止タイミングよりも遅いタイミングまでの期間、前記第1の内部電源電圧を前記所定の電圧範囲内で一時的に増加させるための手段とを含む、半導体集積回路。 - 通常動作モードとセルフリフレッシュモードとを有する半導体集積回路であって、
供給された外部電源電圧から第1の内部電源電圧を発生するための第1の内部降圧回路と、
供給された外部電源電圧から、前記第1の内部電源電圧よりも低い第2の内部電源電圧を発生するための第2の内部降圧回路と、
前記通常動作モードでは、前記第1の内部降圧回路から出力された前記第1の内部電源電圧を内部回路へ供給するとともに、前記セルフリフレッシュモードでは、前記第2の内部降圧回路から出力された前記第2の内部電源電圧を前記内部回路へ供給するように構成された切替手段とを備え、
前記第1の内部降圧回路は、第1トランジスタおよび第2トランジスタをスイッチング制御することにより、外部電源電圧を電圧変換して前記第1の内部電源電圧を生成するDC−DCコンバータであり、
前記第2の内部降圧回路は、第3のトランジスタのベース電流を制御することにより、外部電源電圧を電圧変換して前記第2の内部電源電圧を生成するシリーズレギュレータである、半導体集積回路。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5990979B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-09-14 | ブラザー工業株式会社 | 画像形成装置 |
KR20190054812A (ko) | 2017-11-14 | 2019-05-22 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 구동 방법 및 이를 수행하는 메모리 장치 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06208791A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路のための内部降圧回路 |
JPH0785658A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | ダイナミックram |
JPH1186544A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH11149779A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2000339961A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Nec Corp | 半導体記憶装置およびそれを用いたシステム |
JP2001117650A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-04-27 | Ricoh Co Ltd | 定電圧電源 |
JP2002093166A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-29 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置の内部電源供給回路及び半導体記憶装置の内部電源供給方法 |
JP2003216247A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Ricoh Co Ltd | 直流安定化電源装置 |
JP2005190381A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Ricoh Co Ltd | 定電圧電源 |
JP2005198484A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-07-21 | Rohm Co Ltd | 電源装置、及びそれを用いた携帯機器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60176121A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Toshiba Corp | 電圧降下回路 |
US6005436A (en) * | 1992-10-07 | 1999-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Internal reduced-voltage generator for semiconductor integrated circuit |
US5554953A (en) | 1992-10-07 | 1996-09-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Internal reduced-voltage generator for semiconductor integrated circuit |
US5594699A (en) * | 1993-09-20 | 1997-01-14 | Fujitsu Limited | DRAM with reduced electric power consumption |
JPH07260874A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその試験方法 |
JP2885187B2 (ja) * | 1996-05-17 | 1999-04-19 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6038186A (en) * | 1997-09-12 | 2000-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device that can have power consumption reduced during self refresh mode |
JPH11203861A (ja) | 1998-01-13 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
KR100721197B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 내부전압 발생회로 |
-
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-
2010
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06208791A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路のための内部降圧回路 |
JPH0785658A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | ダイナミックram |
JPH1186544A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH11149779A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2000339961A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Nec Corp | 半導体記憶装置およびそれを用いたシステム |
JP2001117650A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-04-27 | Ricoh Co Ltd | 定電圧電源 |
JP2002093166A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-29 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置の内部電源供給回路及び半導体記憶装置の内部電源供給方法 |
JP2003216247A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Ricoh Co Ltd | 直流安定化電源装置 |
JP2005198484A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-07-21 | Rohm Co Ltd | 電源装置、及びそれを用いた携帯機器 |
JP2005190381A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Ricoh Co Ltd | 定電圧電源 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112783246A (zh) * | 2019-11-05 | 2021-05-11 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体设备和功率管理ic |
CN112783246B (zh) * | 2019-11-05 | 2024-05-28 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体设备和功率管理ic |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20110018620A1 (en) | 2011-01-27 |
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