JP2011021918A - 試薬反応部材載置装置またはその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】銅基板13の下面13bの下には絶縁膜13mを介して、回路部16が形成されている。銅基板13は、その隅部を支持部14a,14bに支えられている。支持部14a,14bは、樹脂製である。これにより、レジスト13nの表面の大部分を、空気と接触状態として、銅基板13が、回路部16の発熱用トランジスタから伝達される熱を保持可能となる。また、保持部14a,14bを熱伝導率の小さな部材で構成することにより、発熱用トランジスタから伝達される熱よりも、銅基板13から支持部14a,14bへ伝達される熱の方が小さくすることができる。これにより、銅基板17がプリント配線板であるとともに試薬チップの載置台になる。
【選択図】図2
Description
D)前記載置部は、以下のd1)銅基板およびd2)支持部を有しており、d1)第1平面が第1の絶縁膜で、前記第1平面とは逆側の第2の平面が第2の絶縁膜で覆われており、前記試薬反応部材を載置させた状態で前記試薬反応室の下部近傍まで存在する形状の銅基板、d2)前記銅基板を支える支持部、E)前記銅基板は、前記第2の絶縁膜が前記試薬反応部材を載置する側との逆側に位置するように設置されており、前記第2の絶縁膜側には、以下のe1)計測部およびe2)温度調整用電子回路部を有する計測機構付き電子回路部が設けられており、e1)前記銅基板の温度を計測する計測部、e2)発熱半導体を有し、前記計測部からの情報に基づき、前記銅基板の温度を所定温度に保つ温度調整用電子回路部、F)前記第2の絶縁膜は、前記電子回路部の発熱が前記銅基板に伝達される程度の厚みであり、G)前記第1の絶縁膜は、前記銅基板の熱が前記試薬反応室近傍に伝達される程度の厚みであり、H)前記金属基板の前記試薬反応部材を載置するのとは逆側の面の大部分を、空気と接触状態とすることにより、前記金属基板が、前記発熱半導体から伝達される熱を保持可能に構成するとともに、前記発熱半導体から伝達される熱よりも、前記金属基板を支える支持部へ伝達される熱の方が小さくなるよう前記金属基板と前記支持部との接触部を熱伝導率の小さな部材で構成している。
試薬反応部材載置装置10は銅基板13および支持部14a,bを備えており、吸光度計測装置の一部分を構成する。
本実施形態においては、金属基板として銅基板を用いたが、これは、アルミ基板と比べると、強度が大きいからである。すなわち、熱伝導率としてはアルミや他の金属程度であっても十分適用可能である。
Claims (4)
- A)計測対象液状物を試薬と反応させる試薬反応室が設けられた試薬反応部材を載置する載置部、
B)以下のb1)発光部およびb2)受光部を有する計測部、
b1)前記試薬反応室に光を照射する発光部、
b2)前記試薬反応室を通過した光を受光する受光部、
C)前記受光部の計測値に基づいて吸光度を演算する演算手段、
を備えた吸光度計測装置において、
D)前記載置部は、以下のd1)金属基板およびd2)支持部を有しており、
d1)第1平面が第1の絶縁膜で、前記第1平面とは逆側の第2の平面が第2の絶縁膜で覆われており、前記試薬反応部材を載置させた状態で前記試薬反応室の下部近傍まで存在する形状の金属基板、
d2)前記金属基板を支える支持部、
E)前記金属基板は、前記第2の絶縁膜が前記試薬反応部材を載置する側との逆側に位置するように設置されており、前記第2の絶縁膜側には、以下のe1)計測部およびe2)温度調整用電子回路部を有する計測機構付き電子回路部が設けられており、
e1)前記金属基板の温度を計測する計測部、
e2)発熱半導体を有し、前記計測部からの情報に基づき、前記金属基板の温度を所定温度に保つ温度調整用電子回路部、
F)前記第2の絶縁膜は、前記電子回路部の発熱が前記金属基板に伝達される程度の厚みであり、
G)前記第1の絶縁膜は、前記金属基板の熱が前記試薬反応室近傍に伝達される程度の厚みであり、
H)前記金属基板の前記試薬反応部材を載置するのとは逆側の面の大部分を、空気と接触状態とすることにより、前記金属基板が、前記発熱半導体から伝達される熱を保持可能に構成するとともに、前記発熱半導体から伝達される熱よりも、前記金属基板を支える支持部へ伝達される熱の方が小さくなるよう前記金属基板と前記支持部との接触部を熱伝導率の小さな部材で構成したこと、
を特徴とする吸光度計測装置。 - 計測対象液状物を試薬と反応させる試薬反応室が設けられた試薬反応部材を載置して、前記試薬反応室近傍を保温する機構を有する試薬反応部材載置装置であって、
A)前記試薬反応部材を載置させた状態で前記試薬反応室の下部近傍まで存在する形状の金属基板、
B)前記金属基板には、絶縁膜を介して以下のb1)計測部およびb2)温度調整用電子回路部を有する計測機構付き電子回路部が設けられており、
b1)前記金属基板の温度を計測する計測部、
b2)発熱半導体を有し、前記計測部からの情報に基づき、前記金属基板の温度を所定温度に保つ温度調整用電子回路部、
C)前記絶縁膜は、前記電子回路部の発熱が前記金属基板に伝達される程度の厚みであり、
D)前記金属基板と前記支持部との接触部を熱伝導率の小さな部材で構成するとともに、前記試薬反応部材を載置するのとは逆側の面の大部分を、前記接触部よりも熱伝導率の小さい部材と接触状態とし、これにより、前記発熱半導体の単位時間あたりの発熱量よりも、前記基板を支える支持部へ伝達される熱量の方が小さくなるよう構成したこと、
を特徴とする試薬反応部材載置装置。 - 計測対象液状物を試薬と反応させる試薬反応室が設けられた試薬反応部材を載置して、前記試薬反応室近傍を保温する機構を有する試薬反応部材載置装置であって、
A)前記試薬反応部材を載置させた状態で前記試薬反応室の下部近傍まで存在する形状の基板、
B)前記基板には、以下のb1)計測部およびb2)温度調整用電子回路部を有する計測機構付き電子回路部が設けられており、
b1)前記金属基板の温度を計測する計測部、
b2)発熱半導体を有し、前記計測部からの情報に基づき、前記基板の温度を所定温度に保つ温度調整用電子回路部、
D)前記基板を、100w/mK以上の熱伝導率の材料で構成し、
E)前記基板と前記支持部との接触部を熱伝導率の小さな部材で構成するとともに、前記試薬反応部材を載置するのとは逆側の面の大部分を、前記接触部よりも熱伝導率の小さい部材と接触状態とし、これにより、前記発熱半導体の単位時間あたりの発熱量よりも、前記基板を支える支持部へ伝達される熱量の方が小さくなるよう構成したこと、
を特徴とする試薬反応部材載置装置。 - 計測対象液状物を試薬と反応させる試薬反応室が設けられた試薬反応部材を載置する試薬反応部材載置方法であって、
金属基板には、絶縁膜を介して以下のb1)計測部およびb2)温度調整用電子回路部を有する計測機構付き電子回路部を設け、
b1)前記金属基板の温度を計測する計測部、
b2)発熱半導体を有し、前記計測部からの情報に基づき、前記金属基板の温度を所定温度に保つ温度調整用電子回路部、
C)前記絶縁膜は、前記電子回路部の発熱が前記金属基板に伝達される程度の厚みであり、
D)前記金属基板と前記支持部との接触部を熱伝導率の小さな部材で構成するとともに、前記試薬反応部材を載置するのとは逆側の面の大部分を、前記接触部よりも熱伝導率の小さい部材と接触状態とし、これにより、前記発熱半導体の単位時間あたりの発熱量よりも、前記基板を支える支持部へ伝達される熱量の方が小さくなるよう構成し、これにより、前記金属基板に前記試薬反応室近傍を保温する機能を持たせること、
を特徴とする試薬反応部材載置方法。
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JP2009165226A JP2011021918A (ja) | 2009-07-14 | 2009-07-14 | 試薬反応部材載置装置またはその方法 |
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