JP2011018769A - Size adjustment jig for substrate - Google Patents

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Kiyofumi Tanaka
清文 田中
Noriyoshi Hosono
則義 細野
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a size adjustment jig for substrate which can safely hold and convey a substrate, moreover even for a substrate which is thin and set not only with a substrate of standard work size of own specified device but also those of standard working sizes or smaller, to a predetermined device and work them.SOLUTION: The size adjustment jig is freely attachable or removable of a semiconductor wafer W of size equal to or smaller than the semiconductor wafer of standard work size for owned specified device, and includes a support substrate 1 that can be bent at the same size as a semiconductor wafer of standard work size, and a double-sided adhesion layer 2, which is to be adhered to the surface of the support substrate 1, and a self adhesion layer 3 that is adhered to the double-sided adhesion layer 2 to adhere to the semiconductor wafer W. The entire surface of the semiconductor wafer W is adhered and supported on the self adhesion layer 3, so that it is unnecessary to hold the periphery of the semiconductor wafer by a tweezers-like device; and even when the semiconductor wafer is made thin, possibility of cracking or breakage of the semiconductor wafer W is eliminated.

Description

本発明は、半導体ウェーハ等からなる基板を保持して搬送等する際に使用される基板用のサイズ調整治具に関するものである。   The present invention relates to a size adjusting jig for a substrate used when holding and transporting a substrate made of a semiconductor wafer or the like.

従来、半導体プロセス装置において、加工対象の半導体ウェーハを搬送する場合には、図示しないが、（１）半導体ウェーハの周縁部をピンセット形の器具で保持する方法、（２）半導体ウェーハの表面あるいは裏面を吸着パッド等の吸着機構で吸着保持する方法が採用されている（特許文献１、２、３参照）。また、（３）ベルヌーイの法則を利用して半導体ウェーハを非接触で保持するベルヌーイチャックを使用する方法も提案されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, when a semiconductor wafer to be processed is transported in a semiconductor process apparatus, although not shown, (1) a method of holding a peripheral portion of a semiconductor wafer with a tweezers type tool, and (2) a front or back surface of the semiconductor wafer A method of adsorbing and holding the substrate by a suction mechanism such as a suction pad is employed (see Patent Documents 1, 2, and 3). In addition, (3) a method using a Bernoulli chuck that holds a semiconductor wafer in a non-contact manner using Bernoulli's law has been proposed.

ところで、半導体ウェーハには、各種のサイズ（２インチ、３インチ、４インチ、５インチ、６インチ、８インチ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ等）がある他、供される工程等により、厚い場合や薄い場合がある。例えば、半導体ウェーハは、バックグラインド工程に供されると、概ね１００μｍ以下に薄化される。このように半導体ウェーハが薄化された場合には、脆く割れやすくなるので、半導体ウェーハを吸着パッド等で吸着保持する際、半導体ウェーハの損傷を防止する観点から、半導体ウェーハの表面あるいは裏面の全面を真空吸着して保持する必要がある。   By the way, there are various sizes of semiconductor wafers (2 inch, 3 inch, 4 inch, 5 inch, 6 inch, 8 inch, 300 mm, 450 mm, etc.), and when the wafer is thick or thin depending on the process to be provided. There is. For example, when a semiconductor wafer is subjected to a back grinding process, it is thinned to approximately 100 μm or less. When the semiconductor wafer is thinned in this way, it becomes brittle and easily broken. Therefore, when the semiconductor wafer is sucked and held by a suction pad or the like, from the viewpoint of preventing the semiconductor wafer from being damaged, the entire surface of the semiconductor wafer or the back surface is provided. Must be vacuum-adsorbed and held.

この点について説明すると、例えば大きな薄い半導体ウェーハを小さな吸着パッドで真空吸着して保持しようとすると、吸着パッドに吸着保持されていない半導体ウェーハの非吸着部が撓んで損傷する事態が予想される。逆に、小さな薄い半導体ウェーハを大きな吸着パッドで吸着保持しようとすると、半導体ウェーハの周縁部からエアが漏れるので、半導体ウェーハの吸着保持に支障を来たすおそれがある。したがって、薄い半導体ウェーハの全面を吸着保持する場合には、半導体ウェーハの全てのサイズに対応する半導体ウェーハ用の吸着パッドが要求される。   To explain this point, for example, when a large thin semiconductor wafer is vacuum-sucked and held by a small suction pad, it is expected that a non-suction portion of the semiconductor wafer that is not suction-held by the suction pad will be bent and damaged. Conversely, if an attempt is made to suck and hold a small thin semiconductor wafer with a large suction pad, air leaks from the peripheral edge of the semiconductor wafer, which may hinder the suction and holding of the semiconductor wafer. Therefore, when sucking and holding the entire surface of a thin semiconductor wafer, suction pads for semiconductor wafers corresponding to all sizes of the semiconductor wafer are required.

特開２００８‐２７０４２５号公報JP 2008-270425 A 特開２００３‐１４５４７３号公報JP 2003-145473 A 特開２００５‐１３５９５８号公報JP 2005-135958 A

従来、半導体ウェーハを搬送する場合には、以上のような方法が採用されているが、いずれの方法にも問題がある。先ず、（１）の半導体ウェーハの周縁部をピンセット形の器具で保持する場合には、半導体ウェーハが薄いとき、半導体ウェーハが割れたり、欠けたりするおそれが少なくない。   Conventionally, when transporting a semiconductor wafer, the above method is adopted, but there is a problem in any method. First, when the peripheral edge of the semiconductor wafer (1) is held by a tweezers-type instrument, there is a high possibility that the semiconductor wafer will be cracked or chipped when the semiconductor wafer is thin.

また、（２）の半導体ウェーハの表面あるいは裏面を吸着機構で吸着保持する場合には、所有する所定の半導体加工装置の標準加工サイズ以外のサイズの半導体ウェーハを実質的にハンドリングすることができないという問題がある。例えば、標準加工サイズから外れた大きな薄い半導体ウェーハを小さな吸着機構で真空吸着して保持しようとすると、吸着機構に吸着保持されていない半導体ウェーハの非吸着部、すなわち周縁部が垂れ下がり、変形して損傷するおそれがある。   In addition, when the front or back surface of the semiconductor wafer (2) is sucked and held by the suction mechanism, it is said that a semiconductor wafer having a size other than the standard processing size of the predetermined semiconductor processing apparatus cannot be handled substantially. There's a problem. For example, when trying to hold a large thin semiconductor wafer that deviates from the standard processing size by vacuum suction with a small suction mechanism, the non-adsorption portion of the semiconductor wafer that is not sucked and held by the suction mechanism, that is, the peripheral edge hangs down and deforms. There is a risk of damage.

逆に、標準加工サイズから外れた小さな薄い半導体ウェーハ（例えば５インチ）を大きな吸着機構（例えば６インチ用）で吸着保持しようとすると、寸法上の制約がないので、所定の装置を使用することができるものの、半導体ウェーハの周縁部の周囲に位置する吸着機構の吸着面からエアが漏洩し、真空度を向上させることができないので、半導体ウェーハを確実に吸着保持することができないおそれがある。   Conversely, if a small thin semiconductor wafer (for example, 5 inches) deviating from the standard processing size is to be sucked and held by a large suction mechanism (for example, for 6 inches), there is no dimensional limitation. However, since air leaks from the suction surface of the suction mechanism located around the periphery of the semiconductor wafer and the degree of vacuum cannot be improved, the semiconductor wafer may not be securely sucked and held.

さらに、（３）のベルヌーイチャックを使用する場合、半導体ウェーハの直径に対応するサイズのハンドが必要不可欠となる。これは、半導体ウェーハの直径を超えるサイズのハンドを使用するときには、ガイドに引っかかり、逆に半導体ウェーハの直径未満のサイズのハンドを使用するときには、水平方向に動いてしまい、安定した保持が期待できないからである。   Further, when the Bernoulli chuck (3) is used, a hand having a size corresponding to the diameter of the semiconductor wafer is indispensable. This is because when using a hand of a size exceeding the diameter of the semiconductor wafer, it will get caught in the guide, and conversely, when using a hand of a size less than the diameter of the semiconductor wafer, it will move in the horizontal direction and stable holding cannot be expected. Because.

本発明は上記に鑑みなされたもので、例え基板が薄い場合にも安全に保持して搬送することができ、しかも、所有する所定の装置の標準加工サイズの基板だけではなく、標準加工サイズ以下の大きさの基板をも所定の装置にセットして加工することができる基板用のサイズ調整治具を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above, and can be safely held and transported even when the substrate is thin, and not only a standard processing size substrate of a predetermined apparatus owned but also a standard processing size or less. It is an object of the present invention to provide a substrate size adjusting jig capable of processing a substrate having a size of 2 mm on a predetermined apparatus.

本発明においては上記課題を解決するため、所定の基板の大きさ以下の大きさの基板を着脱自在に保持するものであって、
所定の大きさの基板と略同一の大きさで屈曲可能な支持基板と、この支持基板に粘着される両面粘着層と、この両面粘着層に粘着されて基板に粘着する自己粘着層とを含んでなることを特徴としている。
なお、支持基板、両面粘着層、及び自己粘着層に耐熱性をそれぞれ付与することができる。 In the present invention, in order to solve the above-described problem, a substrate having a size equal to or smaller than a predetermined substrate size is detachably held,
A support substrate that can be bent in substantially the same size as a substrate of a predetermined size, a double-sided adhesive layer that adheres to the support substrate, and a self-adhesive layer that adheres to the double-sided adhesive layer and adheres to the substrate It is characterized by
In addition, heat resistance can each be provided to a support substrate, a double-sided adhesive layer, and a self-adhesive layer.

ここで、特許請求の範囲における基板には、少なくとも各種サイズの半導体ウェーハやガラス基板等が含まれる。支持基板は、材料が樹脂の場合には、熱可塑性樹脂でも良いし、熱硬化性樹脂でも良い。   Here, the substrates in the claims include at least various sizes of semiconductor wafers, glass substrates, and the like. When the material is a resin, the support substrate may be a thermoplastic resin or a thermosetting resin.

本発明によれば、例え基板が薄い場合にも安全に保持して搬送することができ、しかも、所有する所定の装置の標準加工サイズの基板だけではなく、標準加工サイズ以下の大きさの基板をも所定の装置にセットして加工することができるという効果がある。   According to the present invention, even if the substrate is thin, it can be safely held and transported, and not only a standard processing size substrate of a predetermined apparatus owned but also a substrate having a size smaller than the standard processing size. There is also an effect that can be set and processed in a predetermined apparatus.

また、支持基板、両面粘着層、及び自己粘着層に耐熱性をそれぞれ付与すれば、基板の加熱作業においても、サイズ調整治具をそのまま使用することができる。   Further, if heat resistance is imparted to the support substrate, the double-sided adhesive layer, and the self-adhesive layer, the size adjusting jig can be used as it is even in the heating operation of the substrate.

本発明に係る基板用のサイズ調整治具の実施形態を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically an embodiment of a size adjustment jig for substrates concerning the present invention. 本発明に係る基板用のサイズ調整治具の実施形態を模式的に示す平面説明図である。It is a plane explanatory view showing typically an embodiment of a size adjustment jig for substrates concerning the present invention. 本発明に係る基板用のサイズ調整治具の実施形態における半導体ウェーハの剥離状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the peeling state of the semiconductor wafer in embodiment of the size adjustment jig for the substrates which concerns on this invention.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明すると、本実施形態における基板用のサイズ調整治具は、図１ないし図３に示すように、所定の装置の標準加工サイズの半導体ウェーハ以下のサイズの半導体ウェーハＷを着脱自在に保持する治具で、標準加工サイズの半導体ウェーハと同一の大きさの支持基板１と、この支持基板１の表面に粘着される可撓性の両面粘着層２と、この両面粘着層２の表面に粘着されて半導体ウェーハＷに粘着する可撓性の自己粘着層３とを備えている。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. A size adjusting jig for a substrate in the present embodiment is less than a semiconductor wafer having a standard processing size of a predetermined apparatus as shown in FIGS. A support substrate 1 having the same size as a standard processing size semiconductor wafer and a flexible double-sided adhesive layer that adheres to the surface of the support substrate 1. 2 and a flexible self-adhesive layer 3 that adheres to the surface of the double-sided adhesive layer 2 and adheres to the semiconductor wafer W.

半導体ウェーハＷは、例えば薄くスライスされたオリフラ付きのシリコンウェーハからなり、ユーザが所有する所定の半導体加工装置や搬送装置からなる装置の標準加工サイズ以下のサイズとされる。例えば、所定の装置が取り扱う半導体ウェーハの標準加工サイズが８インチの場合には、８インチ、７インチ等、６インチ等、５インチ等のサイズとされる。   The semiconductor wafer W is made of, for example, a thinly sliced silicon wafer with an orientation flat, and has a size equal to or smaller than a standard processing size of an apparatus including a predetermined semiconductor processing apparatus and a transfer apparatus owned by a user. For example, when the standard processing size of a semiconductor wafer handled by a predetermined apparatus is 8 inches, the size is 8 inches, 7 inches, 6 inches, 5 inches, or the like.

支持基板１は、図１や図２に示すように、所定の材料を使用して標準加工サイズの半導体ウェーハと同一の大きさに形成され、選択的に耐熱性が付与される。この支持基板１の材料は、特に限定されるものではないが、例えば硬質塩化ビニル樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等、汎用あるいはエンジニアリングプラスチックと呼ばれる高機能樹脂群の中から耐熱性や機械物性に応じ選択して採用される。この材料には、ガラス繊維やウィスカー等の繊維が選択的に混合されることにより、可撓性を損なわない範囲で支持基板１の剛性の向上が図られる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the support substrate 1 is formed in the same size as a standard processing size semiconductor wafer using a predetermined material, and is selectively given heat resistance. The material of the support substrate 1 is not particularly limited. For example, a hard vinyl chloride resin, an acrylic resin, a polypropylene resin, a polycarbonate resin, an epoxy resin, a polyimide resin, etc. It is selected and used according to heat resistance and mechanical properties. By selectively mixing fibers such as glass fibers and whiskers with this material, the rigidity of the support substrate 1 can be improved as long as flexibility is not impaired.

支持基板１は、煩雑な装置の調整や改造を省略する観点から、標準加工サイズの半導体ウェーハと略同等の厚さとされる。この支持基板１には、自己粘着層３から半導体ウェーハＷを簡単に剥離するため、可撓性と屈曲性とがそれぞれ付与される。また、支持基板１には、半導体ウェーハＷの保管や搬送に使用する結晶ケースや基板収納容器（ＦＯＳＢやＦＯＵＰと呼ばれる）に半導体ウェーハＷを収納・保持するのと略同様にサイズ調整治具を保持するため、所定の剛性が要求される。したがって、支持基板１は、半導体ウェーハＷの剥離に必要な可撓性と剛性とを兼ね備えていることが要求される。   The support substrate 1 has a thickness approximately equal to that of a standard processing size semiconductor wafer from the viewpoint of omitting complicated adjustment and modification of the apparatus. In order to easily peel the semiconductor wafer W from the self-adhesive layer 3, the support substrate 1 is given flexibility and flexibility. In addition, the support substrate 1 is provided with a size adjusting jig in substantially the same manner as in which the semiconductor wafer W is stored and held in a crystal case or a substrate storage container (referred to as FOSB or FOUP) used for storing or transporting the semiconductor wafer W. In order to hold, a predetermined rigidity is required. Therefore, the support substrate 1 is required to have both flexibility and rigidity necessary for peeling the semiconductor wafer W.

支持基板１は、プロセスによっては、ハンダリフロー等で２５０℃前後の温度環境に供される場合がある。このような場合には、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、液晶ポリマー（芳香族系ポリエステルの１種）からなるプレート体やガラエポ基板（ガラス織布を含んだエポキシ樹脂で積層硬化した基板）等、ハンダ耐熱性を有する材料により形成されて耐熱性が付与される。   Depending on the process, the support substrate 1 may be subjected to a temperature environment around 250 ° C. by solder reflow or the like. In such a case, a plate or glass substrate made of polyimide (PI), polyetheretherketone (PEEK), or liquid crystal polymer (a kind of aromatic polyester) or laminated epoxy resin (epoxy resin containing glass woven fabric). The substrate is made of a material having solder heat resistance, such as a substrate, and is given heat resistance.

両面粘着層２は、特に限定されるものではないが、例えばアクリル系、エポキシ系、ゴム系、シリコーン系、フッ素系の接着剤や粘着剤を使用して製造された両面粘着テープからなり、支持基板１と同一の形状・大きさに形成され、支持基板１の表面と自己粘着層３とを粘着するよう機能する。この両面粘着層２は、粘着剤の間に不織布や二軸延伸ポリエステルフィルム等がキャリアとして用いられる。両面粘着層２は、サイズ調整治具が２５０℃前後の温度環境に供される場合には、耐熱性を確保するため、シリコーン粘着剤やガラスクロス等を組み合わせた耐熱性の両面テープが使用される。   The double-sided pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited. For example, the double-sided pressure-sensitive adhesive layer 2 is made of a double-sided pressure-sensitive adhesive tape manufactured using an acrylic, epoxy, rubber, silicone, or fluorine adhesive or pressure sensitive adhesive. It is formed in the same shape and size as the substrate 1 and functions to adhere the surface of the support substrate 1 and the self-adhesive layer 3. In the double-sided pressure-sensitive adhesive layer 2, a nonwoven fabric or a biaxially stretched polyester film is used as a carrier between the pressure-sensitive adhesives. The double-sided pressure-sensitive adhesive layer 2 uses a heat-resistant double-sided tape combined with a silicone pressure-sensitive adhesive or glass cloth in order to ensure heat resistance when the size adjustment jig is subjected to a temperature environment around 250 ° C. The

自己粘着層３は、例えば軟質塩化ビニル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系等のポリオレフィン系、アクリル系、シリコーン系、フッ素系等のエラストマーフィルムを使用して支持基板１や両面粘着層２と同一の形状・大きさに形成され、半導体ウェーハＷを着脱自在に粘着保持する。   The self-adhesive layer 3 has the same shape as the support substrate 1 and the double-sided adhesive layer 2 using, for example, an elastomer film such as a polyolefin, such as soft vinyl chloride, polyethylene, or polypropylene, acrylic, silicone, or fluorine. -It is formed in a size and holds the semiconductor wafer W in a detachable manner.

自己粘着層３の柔軟性や厚さは、半導体ウェーハＷの面状態、大きさ、重量等に応じ、密着度合いや剥がし易さが調整される。また、自己粘着層３の表面は、半導体ウェーハＷに応じて鏡面、マット面、梨地面に加工され、粘着力が調整される。自己粘着層３は、サイズ調整治具が２５０℃前後の温度環境に供される場合、耐熱性を確保するため、シリコーン系やフッ素系のエラストマーが選択される。   The degree of adhesion and ease of peeling of the self-adhesive layer 3 are adjusted according to the surface state, size, weight, etc. of the semiconductor wafer W. Further, the surface of the self-adhesive layer 3 is processed into a mirror surface, a matte surface, and a satin surface according to the semiconductor wafer W, and the adhesive force is adjusted. For the self-adhesive layer 3, when the size adjusting jig is subjected to a temperature environment of around 250 ° C., a silicone-based or fluorine-based elastomer is selected to ensure heat resistance.

支持基板１、両面粘着層２、及び自己粘着層３のうち、少なくとも支持基板１の周縁部には図２に示すように、位置検出用のノッチ４が平面半円形に切り欠かれ、作業の便宜が図られる。   Of the support substrate 1, the double-sided adhesive layer 2, and the self-adhesive layer 3, at least the peripheral edge of the support substrate 1 is cut out into a semicircular plane for position detection as shown in FIG. Convenient.

上記構成において基板用のサイズ調整治具を製造する場合には、先ず、標準加工サイズの半導体ウェーハと同一の大きさの支持基板１を用意し、この支持基板１の平坦な全表面に両面粘着層２用の大きなテープを粘着してその不要部を支持基板１の周縁部に沿って除去することにより両面粘着層２を形成し、この両面粘着層２の平坦な全表面に自己粘着層３用の大きなエラストマーシートを粘着してその不要部を支持基板１の周縁部に沿って除去することで自己粘着層３を形成すれば、基板用のサイズ調整治具を製造することができる。   When manufacturing a size adjusting jig for a substrate in the above configuration, first, a support substrate 1 having the same size as a standard processing size semiconductor wafer is prepared, and double-sided adhesive is applied to the entire flat surface of the support substrate 1. The double-sided adhesive layer 2 is formed by sticking a large tape for the layer 2 and removing unnecessary portions along the peripheral edge of the support substrate 1, and the self-adhesive layer 3 is formed on the entire flat surface of the double-sided adhesive layer 2. If the self-adhesive layer 3 is formed by adhering a large elastomer sheet and removing unnecessary portions along the peripheral edge of the support substrate 1, a size adjusting jig for the substrate can be manufactured.

この際、両面粘着層２と自己粘着層３とを予め支持基板１の大きさに対応するようそれぞれカットし、支持基板１の表面や両面粘着層２の表面に粘着しても良い。   At this time, the double-sided pressure-sensitive adhesive layer 2 and the self-adhesive layer 3 may be cut in advance so as to correspond to the size of the support substrate 1 and adhered to the surface of the support substrate 1 or the surface of the double-sided pressure-sensitive adhesive layer 2.

次に、基板用のサイズ調整治具に半導体ウェーハＷを粘着保持させる場合には、自己粘着層３上に所定のサイズの半導体ウェーハＷを配置してローラ等で適宜押圧すれば、エアを巻き込むことなく、基板用のサイズ調整治具に半導体ウェーハＷの全面を安定した状態で粘着保持させることができる（図１参照）。   Next, when the semiconductor wafer W is adhered and held by the substrate size adjusting jig, air is entrained if the semiconductor wafer W having a predetermined size is disposed on the self-adhesive layer 3 and appropriately pressed with a roller or the like. Without any problem, the entire surface of the semiconductor wafer W can be held in a stable state by the substrate size adjusting jig (see FIG. 1).

これに対し、基板用のサイズ調整治具から粘着した半導体ウェーハＷを取り外す場合には、治具剥離用の吸着テーブル１０の平坦な表面に半導体ウェーハＷを配置して保持させ、サイズ調整治具を周縁部から弓なりに曲げて半導体ウェーハＷから剥がせば、治具剥離用の吸着テーブル１０に半導体ウェーハＷを吸着保持させることができる（図３参照）。この際、治具剥離用の吸着テーブル１０は、原則として半導体ウェーハＷのサイズに適したタイプが使用されることが好ましい。   On the other hand, when removing the adhered semiconductor wafer W from the substrate size adjustment jig, the semiconductor wafer W is disposed and held on the flat surface of the jig peeling suction table 10 and the size adjustment jig is held. Is bent from the peripheral edge like a bow and peeled off from the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W can be sucked and held on the chucking table 10 for jig peeling (see FIG. 3). At this time, it is preferable to use a type suitable for the size of the semiconductor wafer W in principle as the jig peeling suction table 10.

上記構成によれば、自己粘着層３上に半導体ウェーハＷの全面を粘着保持するので、半導体ウェーハＷの周縁部をピンセット形の器具で保持する必要が全くない。したがって、例え半導体ウェーハＷが薄化されている場合でも、半導体ウェーハＷが割れたり、欠けたりするおそれを有効に払拭することができる。また、標準加工サイズの半導体ウェーハ以下のサイズの半導体ウェーハＷを取り扱うならば、所有する既存の装置を全て使用することができる。   According to the above configuration, since the entire surface of the semiconductor wafer W is adhesively held on the self-adhesive layer 3, there is no need to hold the peripheral edge of the semiconductor wafer W with a tweezers-type instrument. Therefore, even when the semiconductor wafer W is thinned, the possibility that the semiconductor wafer W is cracked or chipped can be effectively wiped out. Moreover, if the semiconductor wafer W of the size below the semiconductor wafer of standard processing size is handled, all the existing apparatuses which it owns can be used.

また、所定の装置だけではなく、従来の半導体ウェーハ用の保管・搬送ケースをそのまま使用して半導体ウェーハＷを保持したサイズ調整治具を収納することもできる。また、プロセスに関しても、フラックスやハンダペーストの印刷プロセス、ハンダボールマウントプロセス、ハンダリフロープロセス等、従来サイズの半導体ウェーハＷを投入するのと何ら条件を変更することなく、サイズ調整治具を同様に投入することが可能になる。この際、例え半導体ウェーハＷがバックグラインド等で薄化されていても、半導体ウェーハＷに欠けや割れの生じるおそれがない。   Further, not only a predetermined apparatus but also a conventional semiconductor wafer storage / transfer case can be used as it is to accommodate a size adjusting jig holding the semiconductor wafer W. Also, regarding the process, the same size adjustment jig is used without changing the conditions as in the case of introducing a semiconductor wafer W of a conventional size, such as a flux or solder paste printing process, solder ball mounting process, solder reflow process, etc. It becomes possible to input. At this time, even if the semiconductor wafer W is thinned by back grinding or the like, there is no possibility that the semiconductor wafer W will be chipped or cracked.

また、従来のベルヌーイチャックを使用する必要が全くないので、半導体ウェーハＷの直径に対応するサイズのハンドを何ら要せず、しかも、半導体ウェーハＷの周縁部の接触に伴うチッピングのおそれもない。さらに、半導体ウェーハＷのサイズに合わせて装置を改造したり、調整する必要がないので、半導体加工装置の稼働時間を高めることができ、生産性の向上が大いに期待できる。   Further, since there is no need to use a conventional Bernoulli chuck, no hand having a size corresponding to the diameter of the semiconductor wafer W is required, and there is no fear of chipping due to contact of the peripheral edge of the semiconductor wafer W. Furthermore, since it is not necessary to modify or adjust the apparatus according to the size of the semiconductor wafer W, it is possible to increase the operating time of the semiconductor processing apparatus and greatly improve productivity.

なお、上記実施形態の支持基板１、両面粘着層２、及び自己粘着層３は、平面円形、矩形、多角形、これらの組み合わせ等としても良い。また、支持基板１は、透明、不透明、半透明を特に問うものではない。また、両面粘着層２も、透明、不透明、半透明を問うものではない。   In addition, the support substrate 1, the double-sided pressure-sensitive adhesive layer 2, and the self-adhesive layer 3 of the above-described embodiment may be a planar circle, a rectangle, a polygon, a combination thereof, or the like. Further, the support substrate 1 is not particularly required to be transparent, opaque, or translucent. Further, the double-sided pressure-sensitive adhesive layer 2 does not ask whether it is transparent, opaque or translucent.

次に、本発明の実施例を説明すると、先ず、直径２００ｍｍ（８インチの半導体ウェーハと同じ大きさ）の標準加工サイズの半導体ウェーハと同一の大きさの支持基板を用意し、この支持基板の平坦な全表面に同じ大きさにカットした両面粘着層を粘着した。支持基板としては、ガラスクロスを間に備えたエポキシ樹脂製で厚さ０．５ｍｍの丸い基板を使用した。また、両面粘着層は、ガラスクロス入りのシリコーン粘着剤からなる両面テープを使用した。   Next, an embodiment of the present invention will be described. First, a support substrate having a diameter equal to that of a standard processing size semiconductor wafer having a diameter of 200 mm (the same size as an 8-inch semiconductor wafer) is prepared. A double-sided adhesive layer cut to the same size was adhered to the entire flat surface. As the support substrate, a round substrate made of epoxy resin with a glass cloth in between and having a thickness of 0.5 mm was used. Moreover, the double-sided adhesive layer used the double-sided tape which consists of a silicone adhesive containing glass cloth.

次いで、自己粘着層用のエラストマーシートとして、ショアＡ硬度５０のシリコーンゴムを厚さ２００μｍのシートに形成し、このシリコーンゴムシートを十分に加熱して硬化させた後、両面粘着層の平坦な全表面に粘着してその不要部を支持基板の周縁部に沿って除去することでハンダ耐熱性を有する基板用のサイズ調整治具を製造した。この際、シリコーンゴムシートは、加熱による膨張分を予め考慮し、延伸した状態で粘着することができる。   Next, as an elastomer sheet for the self-adhesive layer, a silicone rubber having a Shore A hardness of 50 is formed into a sheet having a thickness of 200 μm, and the silicone rubber sheet is sufficiently heated and cured, and then the flat double-sided adhesive layer is completely flat. A substrate size adjusting jig having solder heat resistance was manufactured by adhering to the surface and removing unnecessary portions along the peripheral edge of the support substrate. At this time, the silicone rubber sheet can be adhered in a stretched state in consideration of the amount of expansion due to heating in advance.

本実施例の基板用のサイズ調整治具を用いたところ、標準加工サイズ８インチ用の装置において、６〜２インチの半導体ウェーハであっても、８インチの半導体ウェーハと同様に取り扱ったり、加工することができた。また、本実施例のサイズ調整治具の材料は、概ね２５０℃の耐熱性を有しているので、ハンダペースト印刷後のリフロープロセスにサイズ調整治具を安全に投入することもできた。   When the size adjusting jig for a substrate of this embodiment is used, even a 6 to 2 inch semiconductor wafer can be handled or processed in the same manner as an 8 inch semiconductor wafer in an apparatus for a standard processing size of 8 inches. We were able to. Further, since the material of the size adjusting jig of this example has a heat resistance of about 250 ° C., the size adjusting jig can be safely put into the reflow process after the solder paste printing.

１ 支持基板
２ 両面粘着層
３ 自己粘着層
４ ノッチ
１０ 吸着テーブル
Ｗ 半導体ウェーハ（基板） 1 Supporting substrate 2 Double-sided adhesive layer 3 Self-adhesive layer 4 Notch 10 Suction table W Semiconductor wafer (substrate)

Claims (2)

所定の基板の大きさ以下の大きさの基板を着脱自在に保持する基板用のサイズ調整治具であって、
所定の大きさの基板と略同一の大きさで屈曲可能な支持基板と、この支持基板に粘着される両面粘着層と、この両面粘着層に粘着されて基板に粘着する自己粘着層とを含んでなることを特徴とする基板用のサイズ調整治具。 A size adjustment jig for a substrate that detachably holds a substrate having a size equal to or smaller than a predetermined substrate size,
A support substrate that can be bent in substantially the same size as a substrate of a predetermined size, a double-sided adhesive layer that adheres to the support substrate, and a self-adhesive layer that adheres to the double-sided adhesive layer and adheres to the substrate A size adjusting jig for a substrate, characterized by comprising: 支持基板、両面粘着層、及び自己粘着層に耐熱性をそれぞれ付与した請求項１記載の基板用のサイズ調整治具。   The size adjusting jig for substrates according to claim 1, wherein heat resistance is imparted to the support substrate, the double-sided adhesive layer, and the self-adhesive layer, respectively.
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