JP2011009747A - 半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】a) シリコン棒をウェハに切断することにより半導体ウェハを準備する工程、b) 前記半導体ウェハのエッジを丸めることで、前記半導体ウェハは前面及び裏面が平坦な面とエッジ領域で丸められかつ傾斜する面とを有する工程、c) 前記半導体ウェハの前面及び裏面を研磨し、前記前面の研磨は、研磨パッド中に固定された砥粒を有していない研磨パッドを使用する化学機械的研磨を有し、前記半導体ウェハの裏面の研磨は、それぞれ研磨パッド中に結合された研磨材料を有する研磨パッドを使用してかつ前記半導体ウェハの裏面に研磨圧力を加える3つの工程で行い、第1の工程では、固体を有していない研磨剤を前記研磨パッドと前記半導体ウェハの裏面との間に導入し、第2及び第3の工程では研磨材料を有する研磨剤を導入し、第1の及び第2の工程の8〜15psiの研磨圧力を、第3の工程では0.5〜5psiに低下させる工程を有する半導体ウェハの製造方法
【選択図】なし
Description
ここでは加工されるべきウェハの裏面の特性がプロセス工程の成果自体に大きな影響を与える素子製造の場合に特に重要である。このことは、例えば全ての種類の炉プロセスに通用する。設けられる層、例えば酸化物層の付着は、表面特性に特に本質的に依存し、特に、被覆すべき表面の反射率の程度のために、前記表面の放熱及び吸収挙動、ひいては吸収された熱放射の程度及び例えば長いか又は短い被覆時間の形のプロセス実施自体が関与する。前記ウェハ裏面の特性はこれに関して過去においておろそかにされたため、発明者はここでは商業的な必要性があると見た。
a) シリコン棒をウェハに切断することにより半導体ウェハを準備する工程、
b) 前記半導体ウェハのエッジを丸めることで、前記半導体ウェハは前面及び裏面が平坦な面とかつエッジ領域で丸められた傾斜する面とを有する工程、
c) 前記半導体ウェハの前面及び裏面を研磨し、前記前面の研磨は、研磨パッド中に固定された砥粒を有していない研磨パッドを使用する化学機械的研磨を有し、前記半導体ウェハの裏面の研磨は、それぞれ研磨パッド中に結合された研磨材料を有する研磨パッドを使用してかつ前記半導体ウェハの裏面に研磨圧力を加える3つの工程で行い、第1の工程では、固体を有していない研磨剤を前記研磨パッドと前記半導体ウェハの裏面との間に導入し、第2及び第3の工程では研磨材料を有する研磨剤を導入し、第1の及び第2の工程の8〜15psiの研磨圧力を、第3の工程では0.5〜5psiに低下させる工程を有する半導体ウェハの製造方法によって解決される。
Claims (13)
- a) シリコン棒をウェハに切断することにより半導体ウェハを準備する工程、
b) 前記半導体ウェハのエッジを丸めることで、前記半導体ウェハは前面及び裏面が平坦な面とエッジ領域で丸められかつ傾斜する面とを有する工程、
c) 前記半導体ウェハの前面及び裏面を研磨し、前記前面の研磨は、研磨パッド中に固定された砥粒を有していない研磨パッドを使用する化学機械的研磨を有し、前記半導体ウェハの裏面の研磨は、それぞれ研磨パッド中に結合された研磨材料を有する研磨パッドを使用してかつ前記半導体ウェハの裏面に研磨圧力を加える3つの工程で行い、第1の工程では、固体を有していない研磨剤を前記研磨パッドと前記半導体ウェハのり面との間に導入し、第2及び第3の工程では研磨材料を有する研磨剤を導入し、第1の及び第2の工程の8〜15psiの研磨圧力を、第3の工程では0.5〜5psiに低下させる工程
を有する半導体ウェハの製造方法。 - さらに、d) 前記半導体の前面をエピタキシャル被覆する工程を有する、請求項1記載の方法。
- 前記研磨剤溶液は、前記半導体ウェハの裏面の研磨の最初の工程において脱イオン水(DIW)を含有する、請求項1又は2記載の方法。
- 前記研磨剤溶液は、化合物、例えば炭酸ナトリウム(Na2CO3)、炭酸カリウム(K2CO3)、水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化カリウム(KOH)、水酸化アンモニウム(NH4OH)、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)又はこれらの任意の混合物を含有する、請求項3記載の方法。
- 前記研磨剤溶液のpH値は10〜12であり、前記研磨剤溶液中の前記化合物の割合は0.01〜10質量%である、請求項4記載の方法。
- 第2の研磨工程における研磨剤懸濁液は、アルミニウム、セリウム又はケイ素の元素の酸化物の1種以上の粒子を有する、請求項1又は2記載の方法。
- 前記研磨剤懸濁液はコロイド分散性シリカである、請求項6記載の方法。
- 前記研磨パッドは、固定された研磨材料を、セリウム、アルミニウム、ケイ素、ジルコニウムの元素の酸化物の粒子の形で又は炭化ケイ素、窒化ホウ素及びダイヤモンドのような硬質材料から選択された粒子の形で含有する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 研磨パッド中に結合された前記研磨材料の粒度は0.1μm以上でかつ1.0μm以下である、請求項8記載の方法。
- 研磨された前面と、研磨された裏面と、丸められかつ研磨されたエッジとを有し、前面及び裏面では平坦な面を有しかつエッジ領域では傾斜する丸められた面を有し、双方とも250μm以下の空間波長に関して表して、前面の平坦な面では0.05〜0.2nmの平均表面粗さRaを有し並びに背面の平坦な面では0.3〜4.5nmの平均表面粗さRaを有する、請求項1記載の方法により製造された半導体ウェハ。
- 前面及び裏面の丸められた面は、0.5〜2nmの平均表面粗さRaを有する、請求項10記載の半導体ウェハ。
- 研磨されかつエピタキシャル被覆された前面と、研磨された裏面と、丸められかつ研磨されたエッジとを有し、前面及び裏面では平坦な面を有しかつエッジ領域では傾斜する丸められた面を有し、双方とも250μm以下の空間波長に関して表して、エピタキシャル被覆された前面の平坦な面では0.05〜0.2nmの平均表面粗さRaを有し並びに背面の平坦な面では0.3〜4.5nmの平均表面粗さRaを有する、請求項2記載の方法により製造された半導体ウェハ。
- 前面の傾斜する丸められた面では0.5〜6nmの平均表面粗さRaを有し、裏面の傾斜する丸められた面では0.5〜2nmの平均表面粗さRaを有する、請求項12記載の半導体ウェハ。
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