JP2011008021A - Phase-shift mask inspecting method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、位相シフトマスクの検査方法に関する。 The present invention relates to a phase shift mask inspection method.
LSI等の半導体装置の微細化に伴い、半導体装置の露光工程では、露光装置の解像度を向上させるべく、位相シフトマスクを用いた超解像技術が採用されている。 Along with miniaturization of semiconductor devices such as LSIs, super-resolution technology using a phase shift mask is employed in the exposure process of semiconductor devices in order to improve the resolution of the exposure device.
位相シフトマスクには様々なタイプのものがあるが、シフター用の凹部が透明基板に形成されたレベンソンマスクでは、凹部を通った露光光とそれ以外の部分を通った露光光との位相差をπにすることで、これらの露光光同士が互いに打ち消しあい、高解像度が実現される。 There are various types of phase shift masks, but in the Levenson mask in which the recess for the shifter is formed on the transparent substrate, the phase difference between the exposure light that has passed through the recess and the exposure light that has passed through the other part is measured. By setting to π, these exposure lights cancel each other, and high resolution is realized.
そのようなレベンソンマスクの製造工程では、製造途中の適当なタイミングで上記の位相差を測定し、位相差が丁度πとなるように凹部の深さを管理するのが望まれる。 In such a Levenson mask manufacturing process, it is desirable to measure the phase difference at an appropriate timing during the manufacturing process and to manage the depth of the recess so that the phase difference is exactly π.
位相差計測装置としては、例えば、マスクにレーザを照射し、その反射光をシアリング干渉計等で測定して位相差を測定する計測装置がある。 Examples of the phase difference measuring device include a measuring device that measures a phase difference by irradiating a mask with a laser and measuring the reflected light with a shearing interferometer or the like.
その位相差計測装置は、クロムパターン等の遮光パターンやシフター用の凹部を形成する際のレジストパターンがマスクに残っている状態で位相差を測定することができるので、マスクの製造途中での位相差を測定するのに好適である。このようなレーザを用いた位相差計測装置においては、位相差の計測方法を工夫して、その測定値の再現性を高めるのが望ましい。 The phase difference measuring device can measure the phase difference in a state where a resist pattern for forming a light shielding pattern such as a chrome pattern or a recess for a shifter remains on the mask. It is suitable for measuring the phase difference. In such a phase difference measuring apparatus using a laser, it is desirable to improve the reproducibility of the measured value by devising a method for measuring the phase difference.
位相シフトマスクの検査方法において、露光光の位相差の測定精度を向上させることを目的とする。 An object of the inspection method for a phase shift mask is to improve the measurement accuracy of the phase difference of exposure light.
以下の開示の一観点によれば、透明基板の一方の主面側から入射した第1のレーザ光と第2のレーザ光のそれぞれの照射点の中点を通る基準線を、前記透明基板の他方の主面上の遮光膜に形成された平面形状が矩形の第1の開口の第1の辺に合わせるステップと、前記基準線が前記第1の辺に合わせられた状態で、前記遮光膜で反射した前記第1のレーザ光と、前記第1の開口に重なるように前記透明基板の前記他方の主面に形成された第1の凹部の底面で反射した前記第2のレーザ光との第1の位相差を求めるステップと、前記透明基板の前記他方の主面において前記第1の開口から斜めの位置に形成され、且つ前記第1の辺の延長線上に第2の辺を有する平面形状が矩形状の第2の開口の該第2の辺に、前記基準線を合わせるステップと、前記基準線が前記第2の辺に合わせられた状態で、前記遮光膜で反射した前記第2のレーザ光と、前記第2の開口に重なるように前記透明基板の前記他方の主面に形成された第2の凹部の底面で反射した前記第1のレーザ光との第2の位相差を求めるステップと、前記第1の位相差と前記第2の位相差に基づき、前記第1の凹部と前記第2の凹部のそれぞれにより生じる露光光の位相差を算出するステップとを有する位相シフトマスクの検査方法が提供される。 According to one aspect of the following disclosure, a reference line passing through the midpoint of each irradiation point of the first laser beam and the second laser beam incident from one main surface side of the transparent substrate is defined on the transparent substrate. The planar shape formed on the light shielding film on the other main surface is matched with the first side of the rectangular first opening, and the light shielding film is in a state where the reference line is matched with the first side. The first laser beam reflected by the first laser beam and the second laser beam reflected by the bottom surface of the first recess formed on the other main surface of the transparent substrate so as to overlap the first opening. A step of obtaining a first phase difference, and a plane formed at an oblique position from the first opening on the other main surface of the transparent substrate and having a second side on an extension line of the first side Aligning the reference line with the second side of the second opening having a rectangular shape; Formed on the other main surface of the transparent substrate so as to overlap the second laser beam reflected by the light shielding film and the second opening in a state where the reference line is aligned with the second side A step of obtaining a second phase difference with the first laser beam reflected by the bottom surface of the second concave portion, and the first concave portion based on the first phase difference and the second phase difference. And a step of calculating the phase difference of the exposure light generated by each of the second recesses.
開示の位相シフトマスクの検査方法によれば、第2の開口の第2の辺が第1の開口の第1の辺の延長線上にあるので、第1の辺に基準線を合わせれば、自動的にその基準線が第2の辺にも合わせられることになる。よって、目視により基準線を第2の辺に合わせる必要がなくなるため、目視が原因の誤差が位相差の計測結果に入り込む余地がなくなり、位相差の測定精度の再現性を高めることが可能となる。 According to the disclosed method for inspecting a phase shift mask, since the second side of the second opening is on the extension line of the first side of the first opening, if the reference line is aligned with the first side, automatic Therefore, the reference line is also aligned with the second side. Therefore, since it is not necessary to visually match the reference line with the second side, there is no room for errors caused by visual observation to enter the phase difference measurement result, and the reproducibility of the phase difference measurement accuracy can be improved. .
以下に、本実施形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
(予備的事項)
本実施形態の説明に先立ち、本実施形態の基礎となる予備的事項について説明する。
(Preliminary matter)
Prior to the description of the present embodiment, preliminary matters serving as the basis of the present embodiment will be described.
図1は、半導体装置の露光工程で使用される位相シフトマスク100の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a
その位相シフトマスク100はレベンソンマスクであり、石英基板等の透明基板101と、クロム膜等の遮光膜102とを有する。
The
透明基板101にはシフターとして機能する凹部101aが形成され、その凹部101aに重なるシフター開口102aが遮光膜102に形成される。更に、遮光膜102において、シフター開口102aから間隔をおいた部位には、非シフター開口102bが形成される。
A
この位相シフトマスク100では、シフター開口102aと非シフター開口102bのそれぞれを通る露光光の位相差が丁度πになるように、凹部101aの深さが設定される。
In this
そのような深さの凹部101aが得られるように、位相シフトマスク100の製造工程では、製造途中の適当なタイミングで露光光の位相差を計測し、位相差が足りない場合には追加エッチング等を行い凹部101aの深さを調節する。
In the manufacturing process of the
追加エッチングを行うときには遮光膜102の上にエッチングマスクとしてレジストパターンが形成されているので、レジストを剥離せずに上記の位相差を測定するのが効率的である。レジストの剥離が不要な位相差の測定装置として、以下に説明するようなレーザ計測装置がある。
When performing additional etching, a resist pattern is formed as an etching mask on the
図2は、位相シフトマスク100を通る露光光の位相差をレーザで計測する位相差計測装置の構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a phase difference measurement apparatus that measures the phase difference of exposure light passing through the
この位相差計測装置1は、例えばレーザテック社のQSM400であって、位相シフトマスク100を支持する支持部2と、その位相シフトマスク100の表面を観察する観察光学系3と、位相シフトマスク100にレーザを照射するレーザ光学系4とを備える。
The phase
位相シフトマスク100は、遮光膜102を鉛直下側にして支持部2により支持される。その支持部2は、不図示のステッピングモータ等によって水平面内を移動することができる。
The
また、観察光学系3は、CCD(Charge Coupled Device)カメラ等により位相シフトマスク100の遮光膜102側を観察するものであり、観察により得られた画像信号を後段の演算部6に出力する。
The observation optical system 3 is for observing the
一方、レーザ光学系4は、アルゴンレーザ光源で発生した波長が488nm第1のレーザ光21と第2のレーザ光22とを位相シフトマスク100に向けて照射すると共に、位相シフトマスク100で反射したこれらのレーザの反射光の強度を計測する機能を有する。そのようにして計測された反射光の強度信号は、既述の演算部6に向けて出力される。
On the other hand, the laser
演算部6には表示部7が接続されており、観察光学系3で得られた位相シフトマスク100の観察像がその表示部7に表示される。
A
図3は、表示部7の表示画面の一例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the display screen of the
表示部7は、マスク表示部11と、ステージコントロールパネル12と、反射光波形表示部13とを有する。
The
これらのうち、マスク表示部11に、観察光学系3で得られた位相シフトマスク100の観察像が表示される。その観察像には、マスク100に照射された第1のレーザ光21と第2のレーザ光22が点状に表示されると共に、各レーザ光21、22の照射点の中点Pを通る基準線Lが破線で表示される。その基準線Lは、各レーザ光21、22の照射点を結ぶ線分Tに直交し、これらの照射点の垂直二等分線としての意義を有する。
Among these, an observation image of the
そして、波形表示部13には、位相シフトマスク100で反射した各レーザ21、22の反射光の波形が後述のように表示される。
The
また、ステージコントロールパネル12は、支持部2(図2参照)を水平面内で駆動するのに用いられる。
The
支持部2の駆動速度は、ユーザがスピード変更ボタン13をクリックすることで、低速側から順に「LOW」、「MID」、「FAST」の三種類の速度から選択することができる。これらの速度は、一回のステップ移動で支持部2が移動する距離が異なり、例えば「LOW」では1ステップあたりの移動距離が0.1μmである。
The driving speed of the
なお、支持部2の駆動速度は、ステップ移動距離変更スライダ17とステップ移動距離変更ボタン18によっても手動で変更できる。その場合、ステップ移動距離変更スライダ17により、一回のステップ移動で支持部2が移動する距離を指定できる。また、ステップ移動距離変更ボタン18により、一回のステップで支持部2が移動するステップ数を変更することもできる。
The driving speed of the
また、スピード変更ボタン13の周囲のステップ移動ボタン14をクリックすると、クリックした部位に応じて支持部2がマスク座標系の+X方向、+Y方向、-X方向、及び-Y方向に移動し、現在のマスク座標が位置座標表示部15に表示される。なお、マスク座標系は、位相シフトマスク100に設定されたX-Y直交座標系として定義される。
When the
図4は、位相シフトマスク100が搭載された支持部2の斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of the
図4に示されるように、マスク100は、その側面が二本の支持ピン2aと押さえ2bにより支持され、支持部2と共に水平面内を移動する。
As shown in FIG. 4, the side surface of the
図5は、レーザ光学系4の構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of the laser
レーザ光学系4は、第1のレーザ光21と第2のレーザ光22を発生するアルゴンレーザ光源37と、第1及び第2のビームスプリッタ31、32と、第1及び第2のミラー33、34とを有する。
The laser
各レーザ光21、22は、透明基板101の一方の主面101xから位相シフトマスク100内に入射し、他方の主面101yで反射してレーザ光学系4に戻る。
Each of the
レーザ光学系4に戻った第1のレーザ光21は、第1のビームスプリッタ31を透過した後、第1のミラー33と第2のビームスプリッタ32で反射して受光部36に入射する。
The
一方、レーザ光学系4に戻った第2のレーザ光22は、第1のビームスプリッタ31と第2のミラー34とで反射した後、第2のビームスプリッタ32を透過して受光部36に入射する。
On the other hand, the
そのような第2のレーザ光32の光路において、第2のミラー34と第2のビームスプリッタ32との間には、光軸に対して垂直な方向に変位可能なウエッジプリズム35が設けられる。そのウエッジプリズム35の変位量xを調節することにより、ウエッジプリズム35内での第2のレーザ光32の光路長を変化させることができる。
In such an optical path of the
また、各レーザ光21、22を受光した受光部36は、これらのレーザ光の干渉光の強度信号Iを既述の演算部6に出力する。
In addition, the
次に、このような位相差計測装置1を用いた位相差の測定原理について説明する。
Next, the principle of measuring the phase difference using the phase
図6(a)〜(c)は、位相差の測定原理について説明するための模式図である。また、図7(a)〜(c)は、位相差の測定時における反射光波形表示部13の表示例を示す図である。
6A to 6C are schematic diagrams for explaining the principle of measuring the phase difference. 7A to 7C are diagrams showing display examples of the reflected light
位相差を測定するには、まず、図6(a)に示すように、凹部101aが形成されていない部分の透明基板101に第1のレーザ光21と第2のレーザ光22を照射する。そのような各レーザの照射部分を以下では第1の測定ポイントM1と呼ぶ。
In order to measure the phase difference, first, as shown in FIG. 6A, the
そして、ウエッジプリズム35を変位させながら、受光部36で各レーザ光21、22の干渉光の強度を計測する。このようにウエッジプリズム35を変位させることで、各レーザ光21、22の干渉光の強度I0は、ウエッジプリズム35の変位量xと共に変化する。
Then, while displacing the
演算部6(図2参照)は、そのような強度I0の変化を変位量xの関数として求め、その強度I0の波形を図7(a)のように反射光波形表示部13(図3参照)に表示する。このような強度I0の測定を以下ではベースライン測定とも呼ぶ。 The calculation unit 6 (see FIG. 2) obtains such a change in the intensity I 0 as a function of the displacement amount x, and the waveform of the intensity I 0 is reflected light waveform display unit 13 (see FIG. 7A). 3). Such measurement of intensity I 0 is also referred to as baseline measurement below.
次いで、図6(b)に示すように、支持部2(図2参照)を駆動することで位相シフトマスク100を移動し、第1のレーザ光21が遮光膜102に当たり、且つ第2のレーザ光22が凹部101aの底面に当たるようにする。そのような各レーザの照射部分を以下では第2の測定ポイントM2と呼ぶ。
Next, as shown in FIG. 6B, the
そして、ベースライン測定(図6(a))の場合と同様にウエッジプリズム35を変位させながら各レーザ光21、22の干渉光の強度I1を受光部36で計測する。その強度I1は、ウエッジプリズム35の変位量xの関数として、図7(b)のような波形として反射光波形表示部13(図3参照)に表示される。
Then, the intensity I 1 of the interference light of the
その後、図6(c)に示すように、支持部2を駆動することで位相シフトマスク100を移動させ、第1のレーザ光21が凹部101aの底面に当たり、且つ第2のレーザ光22が遮光膜102に当たるようにする。そのような各レーザの照射部分を以下では第3の測定ポイントM3と呼ぶ。
After that, as shown in FIG. 6C, the
そして、ウエッジプリズム35を変位させながら各レーザ光21、22の干渉光の強度I2を受光部36で計測し、その計測結果をウエッジプリズム35の変位量xの関数として反射光波形表示部13に図7(c)のような波形で表す。
Then, while the
図8は、上記の各強度I0〜I2を重ね合わせた図である。 FIG. 8 is a diagram in which the above intensities I 0 to I 2 are superimposed.
図8に示すように、各測定ポイントM1〜M3における干渉光の強度I0〜I2は、ウエッジプリズム35の変位量xの関数として次の式(1)〜(3)のように表される。
As shown in FIG. 8, the intensities I 0 to I 2 of the interference light at the measurement points M 1 to M 3 are expressed as the following equations (1) to (3) as a function of the displacement amount x of the
I0=cosφ0(x) ・・・(1)
I1=cosφ1(x) ・・・(2)
I2=cosφ2(x) ・・・(3)
ここで、三角関数には位相に2nπ(nは整数)の不定性があるため、強度I1、I2のみからそれらの位相φ1(x)、φ2(x)を一意に決定することはできない。そのため、本例では強度I0の位相φ0(x)を基準に用いて、|φ0(x)−φ1(x)|と|φ0(x)−φ2(x)|がいずれも2π未満となるように、位相φ1(x)、φ2(x)を決定する。
I 0 = cosφ 0 (x) (1)
I 1 = cosφ 1 (x) (2)
I 2 = cosφ 2 (x) (3)
Here, since the trigonometric function has an indefiniteness of 2nπ (n is an integer), the phases φ 1 (x) and φ 2 (x) should be uniquely determined from the intensities I 1 and I 2 only. I can't. Therefore, in this example, the phase φ 0 (x) of intensity I 0 is used as a reference, and either | φ 0 (x) −φ 1 (x) | or | φ 0 (x) −φ 2 (x) | Also, the phases φ 1 (x) and φ 2 (x) are determined so that the value is less than 2π.
また、各位相φ0(x)〜φ2(x)は、各測定ポイントM1〜M3における第1のレーザ光21と第2のレーザ光22の位相差としての意義を有し、その値はウエッジプリズム35の変位量xの関数となる。そして、これらの位相φ0(x)〜φ2(x)は、位相シフトマスク100の凹部101aで発生する位相差Δφが原因で、それぞれ異なった値となる。
Each phase φ 0 (x) to φ 2 (x) has a significance as a phase difference between the
本例では、そのような位相φ0(x)〜φ2(x)を利用して位相差Δφを次のように求める。 In this example, the phase difference Δφ is obtained as follows using such phases φ 0 (x) to φ 2 (x).
図9は、第2のビームスプリッタ32に入る直前における第1のレーザ光21と第2のレーザ光22のそれぞれの位相を模式的に表す図である。
FIG. 9 is a diagram schematically illustrating the phases of the
なお、図9では、横方向に各測定ポイントM1〜M3を示し、縦方向に各レーザ光21、22の位相差を示している。
In FIG. 9, the measurement points M 1 to M 3 are shown in the horizontal direction, and the phase differences of the
上記したように、各測定ポイントM1〜M3においては、各レーザ光21、22の位相差がφ0(x)〜φ2(x)となる。
As described above, at each of the measurement points M 1 to M 3 , the phase difference between the
そして、第1のレーザ光21については、第3の測定ポイントM3において凹部101aの底面で反射したので、第3の測定ポイントM3における位相が第1の測定ポイントM1と比較してΔφだけずれる。
And, for the
同様に第2のレーザ光22については、第2の測定ポイントM2において凹部101aの底面で反射したので、第2の測定ポイントM2における位相が第1の測定ポイントM1と比較してΔφだけずれる。
Similarly for the
これらのことから、Δφは、次の式(4)、(5)のように表されることになる。 From these things, (DELTA) phi is represented like following Formula (4) and (5).
Δφ=φ1(x)−φ0(x) ・・・(4)
Δφ=φ0(x)−φ2(x) ・・・(5)
そして、これらの式(4)、(5)の両辺を足して2で割ることにより、Δφを次の式(6)のように表すことができる。
Δφ = φ 1 (x) −φ 0 (x) (4)
Δφ = φ 0 (x) −φ 2 (x) (5)
Then, Δφ can be expressed as the following equation (6) by adding both sides of these equations (4) and (5) and dividing by two.
Δφ=(φ1(x)−φ2(x))/2 ・・・(6)
すなわち、位相差φΔを求めるには、強度I1、I2から位相φ1(x)、φ2(x)を算出し、これらの位相φ1(x)、φ2(x)を式(6)に代入すればよいことになる。
Δφ = (φ 1 (x) −φ 2 (x)) / 2 (6)
That is, in order to obtain the phase difference φΔ, the phases φ 1 (x) and φ 2 (x) are calculated from the intensities I 1 and I 2 , and these phases φ 1 (x) and φ 2 (x) are expressed by the formula ( Substituting into 6) is sufficient.
ところで、上記した位相差Δφの計測は、位相シフトマスク100の異なる製造工程のそれぞれにおいて複数回行われる。例えば、位相シフトマスク100の製造工程には、ドライエッチングによりシフター用の凹部101aを形成する工程や、その凹部101aをウエットエッチングしてアンダーカットを形成する工程等があり、これらの工程で位相差が計測される。
By the way, the above-described measurement of the phase difference Δφ is performed a plurality of times in each of the different manufacturing processes of the
ここで、第1のレーザ光21と第2のレーザ光22のマスク100上での照射位置が測定の度に異なったのでは、マスク100の同一部分における位相差Δφが各製造工程間でどのように変動するのかを評価することができない。
Here, if the irradiation positions of the
そのため、位相差Δφの計測に際しては、複数の製造工程のそれぞれにおいて各レーザ光21、22の照射位置が同一になるように、各レーザ光21、22と位相シフトマスク100との位置合わせを行うのが好ましい。
Therefore, when measuring the phase difference Δφ, the
図10(a)、(b)は、その位置合わせの仕方の一例について説明するための表示部7の表示画面である。
FIGS. 10A and 10B are display screens of the
このうち、図10(a)は、第2の測定点M2(図6(b)参照)における測定時の位置合わせを示し、図10(b)は、第3の測定点M3(図6(c)参照)における測定時の位置合わせを示す。 Of these, FIG. 10A shows the alignment at the time of measurement at the second measurement point M 2 (see FIG. 6B), and FIG. 10B shows the third measurement point M 3 (see FIG. 6 (c)) shows the alignment at the time of measurement.
図10(a)に示されるように、第2の測定点M2での位置合わせでは、ユーザが表示部7を見ながら位相シフトマスク100を水平面内で移動させることにより、シフター開口102aの左側の一辺102xと表示部7に表示された基準線Lとを目視で一致させる。
As shown in FIG. 10A, in the alignment at the second measurement point M 2 , the user moves the
このとき、位相シフトマスク100の移動は、ユーザがステージコントロールパネル12(図3参照)を操作することにより手動で行われる。このような位置合わせを以下では第1のエッジライン指定と呼ぶ。
At this time, the
そして、第1のエッジライン指定が終了した後は、図10(b)に示すように、マスク座標系のY座標を固定しながらX座標のみを変化させることにより、X方向に位相シフトマスク100を移動させ、シフター開口102の右側の一辺102yと基準線Lとを一致させる。一致したかどうかは、ユーザが表示部7を観察することにより目視で行う。このような位置合わせを以下では第2のエッジライン指定と呼ぶ。
After the first edge line designation is completed, as shown in FIG. 10B, only the X coordinate is changed while fixing the Y coordinate of the mask coordinate system, so that the
このように基準線Lを利用して位置合わせを行うことで、位相シフトマスク100の複数の製造工程のそれぞれにおいて位相差Δφを計測する場合でも、各計測時に各レーザ光21、22が位相シフトマスク100の同一箇所に照射されると期待できる。
By performing alignment using the reference line L in this way, even when the phase difference Δφ is measured in each of a plurality of manufacturing steps of the
しかしながら、この方法では、ユーザの目視に頼って基準線Lを各辺102x、102yに位置合わせしているので、その位置合わせに誤差が生じるおそれがある。特に、基準線Lと位置合わせすべき辺が二つ(102x、102y)あるので、誤差が入り込む余地が二回あり、測定の度に位相差Δφがばらつくおそれがある。
However, in this method, since the reference line L is aligned with the
本願発明者は、基準線Lと辺102xとの位置ずれ量Δxによって、位相差の測定値がどの程度ばらつくのかを以下のように実験した。
The inventor of the present application experimented as follows to determine how much the measured value of the phase difference varies depending on the positional deviation amount Δx between the reference line L and the
図11は、その実験における位置ずれ量Δxを定義するための断面図である。 FIG. 11 is a cross-sectional view for defining the positional deviation amount Δx in the experiment.
図11に示すように、この実験では、基準線Lが辺102xよりも左側にずれたときをマイナスのずれとし、基準線Lが辺102xよりも右側にずれたときをプラスのずれとした。
As shown in FIG. 11, in this experiment, when the reference line L is shifted to the left side of the
図12は、上記のようにして定義された位置ずれ量Δxと、各レーザ光21、22間の位相差との関係を示すグラフである。
FIG. 12 is a graph showing the relationship between the positional deviation amount Δx defined as described above and the phase difference between the
なお、図12の調査では、凹部101aの形成前における透明基板101の平坦面での位相差を測定している。図12における「位相差A」、「位相差B」、「位相差C」は、形成予定の凹部101aの深さが異なる三種類の透明基板101について調査したことを示す。これについては、後述の図13と図14でも同様である。
In the investigation of FIG. 12, the phase difference on the flat surface of the
また、位相差は、各レーザ光21、22として使用したアルゴンレーザの波長(488nm)における値である。
The phase difference is a value at the wavelength (488 nm) of the argon laser used as each of the
図12に示すように、位置ずれ量Δxが増大すると共に、位相差も増大する傾向にある。 As shown in FIG. 12, the positional deviation amount Δx increases and the phase difference tends to increase.
一方、図13は、その位置ずれ量Δxと、上記の方法により計測した凹部101aでの位相差との関係を示すグラフである。図12と同様に、図13でもアルゴンレーザの波長(488nm)での位相差を示している。
On the other hand, FIG. 13 is a graph showing the relationship between the positional deviation amount Δx and the phase difference in the
図13に示すように、この場合も位置ずれによって位相差が変動するのが理解される。 As shown in FIG. 13, it is understood that the phase difference also fluctuates due to the positional deviation in this case.
また、図14は、図13の結果を露光光の波長(193nm)での位相差に変換して得られたグラフである。図14に示されるように、露光光の波長に変換しても位置ずれによって位相差がばらついている。 FIG. 14 is a graph obtained by converting the result of FIG. 13 into a phase difference at the wavelength of exposure light (193 nm). As shown in FIG. 14, the phase difference varies due to the positional deviation even when the exposure light wavelength is converted.
図12〜図14の結果から分かるように、上記した位相差Δφの計測方法では、基準線Lと辺102xとの位置ずれによって計測結果が大きな影響を受けてしまう。
As can be seen from the results of FIGS. 12 to 14, in the measurement method of the phase difference Δφ described above, the measurement result is greatly affected by the positional deviation between the reference line L and the
本願発明者はこのような問題に鑑み、以下に説明するような実施形態に相当した。 In view of such a problem, the inventor of the present application corresponds to an embodiment described below.
(第1実施形態)
図15は、本実施形態に係る位相シフトマスク200の全体平面図である。
(First embodiment)
FIG. 15 is an overall plan view of the
この位相シフトマスク200はレベンソンマスクであって、露光対象のチップに対応した四つのデバイスパターン領域220を有する。
The
各デバイスパターン領域222はスクライブ領域221で隔てられ、また、各デバイスパターン領域222の周囲にはそれらを囲うレチクルカバー部222が設けられる。
Each
そして、そのレチクルカバー部222の外側の領域には、マスク座標系を設定する際に使用する十字型のアライメントマーク229が二つ設けられる。
Two cross-shaped alignment marks 229 used when setting the mask coordinate system are provided in an area outside the
これらのアライメントマーク229はマスク座標系を設定する基準として使用されるものであり、各アライメントマーク229を通る直線がマスク座標系のX軸として設定され、そのX軸に垂直な直線がY軸として設定される。
These alignment marks 229 are used as a reference for setting the mask coordinate system. A straight line passing through each
更に、この位相シフトマスク200には、製造途中で位相差を測定するためのモニターパターンが形成されたモニタ領域225を有する。この例では、各デバイスパターン領域220内の空き領域にモニタ領域225が形成されるが、モニタ領域225の形成部位はこれに限定されない。
Further, the
図16は、そのモニタ領域225をデバイスパターン領域220の外側に設けた場合における位相シフトマスク200の全体平面図である。デバイスパターン領域222に空き領域がない場合には、このようにデバイスパターン領域220の外側にモニタ領域225を設けるのが好ましい。
FIG. 16 is an overall plan view of the
更に、チップの取り数も上記に限定されない。図17は、一つのデバイスパターン領域220のみを形成した場合の位相シフトマスク200の全体平面図である。なお、この例ではデバイスパターン領域220の内側にモニタ領域225を設けたが、図16で説明したようにデバイスパターン220の外側にモニタ領域225を設けるようにしてもよい。
Further, the number of chips taken is not limited to the above. FIG. 17 is an overall plan view of the
図18は、モニタ領域225における位相シフトマスク200の拡大平面図である。
FIG. 18 is an enlarged plan view of the
図18に示されるように、位相シフトマスク200は、石英基板等の透明基板201と、その上に形成されたクロム膜等の遮光膜202とを有する。
As shown in FIG. 18, the
モニタ領域225における透明基板201には、シフターとして機能する第1の凹部201aと第2の凹部201bとが形成される。
The
そして、遮光膜202には、これらの凹部201a、201bのそれぞれに重なる第1のシフター開口202aと第2のシフター開口202bが形成される。これらの開口202a、202bはいずれも平面形状が矩形であって、第2の開口202bは平面視で第1の開口202aから斜めの位置に形成される。
A
また、各シフター開口202a、202bの辺の位置は特に限定されないが、第1のシフター開口202aの第1の辺202xの延長線上に、第2のシフター開口202bの第2の辺202yが位置するのが好ましい。
Further, the position of the side of each
更に、各シフター開口202a、202bの大きさも特に限定されないが、X方向に平行な短辺の長さについては、第1のレーザ光21と第2のレーザ光22の間隔の2倍以上の長さ、例えば5μmとするのが好ましい。
Further, the size of each
図19は、この位相シフトマスク200の断面図である。図19では、モニタ領域225における断面とデバイスパターン領域220における断面とを併記してある。更に、モニタ領域222については、図18のA−A線に沿う断面とB−B線に沿う断面とを併記してある。
FIG. 19 is a cross-sectional view of the
図19に示すように、デバイスパターン領域220においては、透明基板201にシフター用の第3の凹部201cが形成され、その第3の凹部201cに重なる第3のシフター開口202cが遮光膜202に形成される。また、デバイスパターン領域220において第3のシフター開口202cから間隔をおいた部分の遮光膜202には非シフター開口202dが形成される。
As shown in FIG. 19, in the
そのような位相シフトマスク200においては、デバイスパターン領域220における非シフター開口202dと第3のシフター開口202cのそれぞれを通った露光光の位相差Δφが丁度πのときに解像度が高められる。
In such a
その位相差Δφは第3の凹部201cの深さに依存するが、各凹部201a〜201cは同じ工程で形成されるので、第3の凹部201cの深さは第1の凹部201aや第2の凹部201bと同じであるとみなせる。よって、第3の凹部201cにより生じた位相差Δφは、第1の凹部201aや第2の凹部201bにより生じた位相差と同一であるとみなすことができる。
The phase difference Δφ depends on the depth of the
そこで、本実施形態では、第3の凹部201cで生じた位相差がπになっているか否かをマスク200の製造途中で検査するために、既述の位相差計測装置1(図2参照)を利用してモニタ領域225における各凹部201a、201bでの位相差を次のようにして測定する。
Therefore, in the present embodiment, the above-described phase difference measuring apparatus 1 (see FIG. 2) is used to inspect whether or not the phase difference generated in the
図20は、本実施形態に係る位相シフトマスクの検査方法のフローチャートである。 FIG. 20 is a flowchart of the phase shift mask inspection method according to this embodiment.
また、図21〜図23は、そのフローチャートの代表的なステップについて説明するための模式図である。なお、図21〜図23では、モニタ領域225の平面図と断面図とを併記してある。
21 to 23 are schematic diagrams for explaining typical steps of the flowchart. 21 to 23, a plan view and a sectional view of the
最初のステップS1では、図21に示すように、第1のレーザ光21と第2のレーザ光22の両方が遮光膜202に照射されるように支持部2の位置を移動させ、この状態で既述のベースライン測定を行う。
In the first step S1, as shown in FIG. 21, the position of the
既述のように、ベースライン測定では、各レーザ光21、22の反射光同士の干渉光の強度I0が測定され、図8に示したようなI0=cosφ0(x)の波形が取得される。
As described above, in the baseline measurement, the intensity I 0 of the interference light between the reflected lights of the
なお、各レーザ光21、22のマスク200上での間隔は特に限定されないが、本実施形態ではその間隔を約2μmとする。
In addition, although the space | interval on the
次のステップS2では、図22に示すように、ユーザが表示部7(図2参照)を観察しながら支持部2を水平面内で移動させることにより、表示部7に表示されている基準線Lを第1の開口202aの第1の辺202xに合わせる。既述のように、基準線Lは、各レーザ光21、22の中点Pを通るように表示される。よって、本ステップを行うことにより、中点Pが第1の辺202xに合わせられることになる。
In the next step S2, as shown in FIG. 22, the reference line L displayed on the
次のステップS3では、図22の状態を維持しながら、遮光膜202で反射した第1のレーザ光21と、第1の凹部201aの底面で反射した第2のレーザ光22との位相差φ1(x)を取得する。
In the next step S3, the phase difference φ between the
その位相差φ1(x)は、第1のエッジライン指定(図6(b)参照)と同様に、ウエッジプリズム35の変位量xを変化させ、これにより得られたI1=cosφ1(x)の波形(図8参照)から取得することができる。
The phase difference φ 1 (x) changes the displacement amount x of the
次のステップS4では、図23に示すように、マスク座標系のX座標を固定しながらY座標のみを所定量ΔYだけ変化させることにより、基準線Lに沿って位相シフトマスク200を移動させる。なお、基準線Lはマスク座標系のY軸に平行なので、位相シフトマスク200はY軸にそって移動することになる。
In the next step S4, as shown in FIG. 23, the
この操作は、マスク座標系のY座標の変化量ΔYをユーザが指定することにより行うものであり、目視により基準線Lを第2の辺202yに合わせることを要しない。
This operation is performed by the user specifying the change amount ΔY of the Y coordinate in the mask coordinate system, and does not require the reference line L to be visually aligned with the
既述のように、第2の辺202yは第1の辺202xの延長線上にあるため、このようにマスク座標系のX座標を固定することで、基準線Lと第2の辺202yとが位置合わせされた状態を維持することができる。
As described above, since the
なお、このようにY軸に沿って位相シフトマスク200を移動するとき、各辺202x、202yの長さが長すぎると、支持部2のローテーションの影響により基準線Lが第2の辺202yから外れるおそれがある。そのため、各辺202x、202yの長さについては、支持部2のローテーションの影響を無視し得る長さ、例えば20μm程度とするのが好ましい。
When the
更に、そのローテーションの影響を受け難くするために、図示のように各開口202a、202bをそれぞれの角において互いに接するように形成し、本ステップでのY座標の変化量ΔYをなるべく小さくするのが好ましい。
Further, in order to make it less susceptible to the rotation, the
次のステップS5では、図23の状態を維持しながら、遮光膜202で反射した第2のレーザ光22と、第2の凹部201bの底面で反射した第1のレーザ光21との位相差φ2(x)を取得する。
In the next step S5, while maintaining the state of FIG. 23, the phase difference φ between the
その位相差φ2(x)は、第1のエッジライン指定(図6(c)参照)と同様に、ウエッジプリズム35の変位量xを変化させ、これにより得られたI2=cosφ2(x)の波形(図8参照)から取得することができる。
The phase difference φ 2 (x) is obtained by changing the displacement amount x of the
その後に、ステップS6に移り、ステップS3、S5で取得した位相差φ1(x)、φ2(x)に基づいて、第1の凹部201aと第2の凹部201bのそれぞれにより生じる露光光の位相差を算出する。
Thereafter, the process proceeds to step S6, and the exposure light generated by each of the
その位相差は、既述の式(6)に従ってΔφ=(φ1(x)−φ2(x))/2により各レーザ光21、22の位相差Δφを算出した後、その位相差Δφと、各レーザ光21、22の波長λ0と、露光光の波長λ1と、透明基板201の屈折率nとに基づいて算出され得る。
The phase difference is calculated by calculating the phase difference Δφ between the
そして、このように算出した露光光の位相差が、デバイスパターン領域220に形成されたシフター用の第3の凹部202c(図19参照)により生じる露光光の位相差に等しいと推定する。
Then, the phase difference of the exposure light calculated in this way is estimated to be equal to the phase difference of the exposure light generated by the shifter
以上により、本実施形態に係る位相シフトマスクの検査方法の代表的なステップが終了したことになる。 Thus, the representative steps of the phase shift mask inspection method according to the present embodiment are completed.
上記した本実施形態によれば、図23のステップにおいて、ユーザの目視に頼ることなく、マスク座標系のY座標の変化量ΔYを指定することで基準線Lを第2の辺202yに合わせる。よって、基準線Lと第2の辺202yとの位置合わせに際し、目視が原因の誤差が入り込む余地がなくなる。
According to the present embodiment described above, in the step of FIG. 23, the reference line L is aligned with the
そのため、位相シフトマスク200の複数の製造工程のそれぞれにおいて位相差を計測する場合でも、それぞれの計測時において各レーザ光21、22がマスク200の同一箇所に照射され、位相差の計測値にばらつきが生じるのを防止できる。
Therefore, even when the phase difference is measured in each of a plurality of manufacturing steps of the
図24〜図26は、その位相差の計測値のばらつきがどの程度抑えられるかを調査して得られたグラフである。 24 to 26 are graphs obtained by investigating how much the variation in the measured value of the phase difference can be suppressed.
その調査では、マスク200の同一箇所における位相差を10セット測定した。各セットの測定回数は10回である。そして、その10回の平均値を図24〜図26にプロットした。調査で作製したシフター開口202a、202bの短辺の長さは5μmである。
In the investigation, ten sets of phase differences at the same location of the
また、これらの図には、比較例として、予備的事項で説明した方法での測定結果も併記してある。 In these figures, the measurement results obtained by the method described in the preliminary matter are also shown as comparative examples.
なお、図24の調査では、各凹部201a〜201cの形成前における透明基板201の平坦面での位相差を測定している。その位相差は、各レーザ光21、22として使用したアルゴンレーザの波長(488nm)における値である。
In the investigation of FIG. 24, the phase difference on the flat surface of the
図24に示されるように、本実施形態における位相差の測定値のばらつき(3σ)は0.19degであり、比較例のばらつき(0.61deg)よりも改善されている。 As shown in FIG. 24, the variation (3σ) in the measured value of the phase difference in this embodiment is 0.19 deg, which is improved from the variation (0.61 deg) in the comparative example.
また、図25は、本実施形態に従って第1の凹部201aと第2の凹部201bでの位相差を測定した結果を示す。なお、その位相差は、各レーザ光21、22の波長(488nm)での値である。
FIG. 25 shows the result of measuring the phase difference between the
図25に示されるように、この場合でも本実施形態の測定値のばらつき(3σ)は0.40degであり、比較例のばらつき(1.10deg)よりもばらつきが改善できている。 As shown in FIG. 25, even in this case, the variation (3σ) in the measurement value of this embodiment is 0.40 deg, which is improved compared to the variation in the comparative example (1.10 deg).
図26は、図25の結果を露光光の波長(193nm)での値に換算し直して得られたグラフである。図26に示すように、露光光の波長でも位相差の測定結果のばらつき(3σ)が比較例よりも抑制されている。 FIG. 26 is a graph obtained by converting the result of FIG. 25 into a value at the wavelength of exposure light (193 nm). As shown in FIG. 26, the variation (3σ) in the measurement result of the phase difference is suppressed more than in the comparative example even at the wavelength of the exposure light.
これら図24〜図25の結果から、本実施形態に従って位相差の測定を行うことで、測定値のばらつきが抑制され、測定値の再現性が向上することが明らかとなった。 From these results of FIGS. 24 to 25, it was found that by measuring the phase difference according to the present embodiment, variation in the measured value is suppressed and the reproducibility of the measured value is improved.
なお、そのような位相差の測定に使用可能な位相シフトマスク200の平面レイアウトは図18に示したものに限定されない。
Note that the planar layout of the
図27は、位相シフトマスク200の平面レイアウトの他の例について示す平面図である。
FIG. 27 is a plan view illustrating another example of the planar layout of the
この例では、第2の辺202yが第1の辺202xの延長線上にある状態を維持しながら、第1のシフター開口202aと第2のシフター開口202bのそれぞれを互いに間隔をおいて形成する。
In this example, the
このようにすることで、各シフター開口202a、202bの間の部分Kにおける遮光膜202がマスク200の製造途中で剥離するのを防止でき、位相シフトマスク200が不良となる危険性を低減できる。
By doing in this way, it can prevent that the
但し、各シフター開口202a同士を離しすぎると、第2のパターンエッジ指定のために支持部2をY方向に移動させるときに、支持部2の移動精度の影響で移動後の各レーザ光21、22の照射位置がばらつくおそれがある。
However, if the
そのため、各シフター開口202aのY方向の中心間間隔Eの上限については、支持部2の移動精度の影響を受けない10μm程度とするのが好ましい。
Therefore, the upper limit of the center-to-center distance E in the Y direction of each
(第2実施形態)
第1実施形態では、位相差計測装置を用いて位相シフトマスクにおける位相差を求めるために、図18に示したように各凹部201a、202bを互いに斜めに配置した。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, in order to obtain the phase difference in the phase shift mask using the phase difference measuring device, the
位相差計測装置としては、そのようなレーザを用いるタイプのほかに、位相シフトマスクの透過光を利用して位相差を求める透過型の位相差計測装置もあり、マスクの製造工程ではこれら二つの位相差計測装置とを併用することがある。 As a phase difference measuring apparatus, in addition to the type using such a laser, there is also a transmission type phase difference measuring apparatus that obtains a phase difference using transmitted light of a phase shift mask. A phase difference measurement device may be used in combination.
そこで、本実施形態では、図18のように各凹部201a、201bを斜めに配置した場合でも、透過型の位相差計測装置での位相差測定を可能とするような位相シフトマスクについて説明する。
Therefore, in the present embodiment, a phase shift mask that enables phase difference measurement with a transmission type phase difference measuring apparatus even when the
図28は、本実施形態で使用する透過型の位相差計測装置の構成図である。 FIG. 28 is a configuration diagram of a transmission type phase difference measuring apparatus used in the present embodiment.
その位相差計測装置300は、検査光Lを発生するための光源ランプ319と、検査光Lのうち特定の波長の光のみを取り出すバンドパスフィルタ323と、検査光Lが通る回折格子301とを有する。このうち、光源ランプ319としては、例えばHg-Xeランプを使用し得る。
The phase
回折格子301の後段には、コンデンサレンズ302と対物レンズ群306とが設けられると共に、第1及び第2のビームスプリッタ307、309と、第1及び第2のミラー308、310と、コリメータレンズ318と、ピンホールミラー320とが設けられる。
A
このような位相差計測装置300においては、回折格子310を通った検査光Lの回折光が位相シフトマスク400を透過し、透過光が第1のビームスプリッタ307において第1の透過光Q1と第2の透過光Q2に分けられる。これらの透過光Q1、Q2の各々は、図中の光路A、Bを通ってピンホールミラー320の直前で合成される。
In such a phase
ピンホールミラー320にはピンホール320aが設けられており、上記した各透過光の干渉光の一部がピンホール320から取り出され、当該一部の干渉光の強度が受光部322において計測される。
The
また、各光路A、Bの途中には第1のダブルウエッジプリズム315と第2のダブルウエッジプリズム316が設けられる。これらのうち、例えば第1のダブルウエッジプリズム315のウエッジプリズム315aを光路に対して横方向にずらすことにより、第1の透過光Q1の横ずらしを行うことができる。
A first
横ずらしが行われた第1の透過光Q1の像は、第2の透過光Q2の像と合成された後にピンホールミラー320により反射され、撮像部325で各像の合成像が観察される。本実施形態では、合成像における横ずらしの距離をシアリングと呼ぶ。
The image of the first transmitted light Q 1 that has been laterally shifted is combined with the image of the second transmitted light Q 2 and then reflected by the
更に、第2のダブルウエッジプリズム316のウエッジプリズム316aを光路に対して横方向にずらすことにより、各透過光Q1、Q2の光路差を変化させることができる。
Further, by shifting the
次に、この透過型の位相差計測装置300と第1実施形態のレーザを用いた位相差計測装置1の双方で使用可能な位相シフトマスクについて説明する。
Next, a phase shift mask that can be used in both the transmission type phase
図29は、そのような位相シフトマスク200のモニタ領域225における拡大平面図である。なお、図29において第1実施形態で説明したのと同じ要素には第1実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
FIG. 29 is an enlarged plan view of such a
図29に示されるように、この位相シフトマスク200では、第1実施形態で説明したシフター開口202a、202bに加え、これらの開口202a、202bから間隔をおいた部分の遮光膜202にモニタ用非シフター開口202eが形成される。
As shown in FIG. 29, in this
これら第1のシフター開口202aと非シフター開口202eの配列ピッチは特に限定されないが、本実施形態では開口の中心間距離が15μmとなるようにこれらの開口202a、202eを横方向(X軸方向)に配列する。
The arrangement pitch of the
また、縦方向(Y軸方向)における開口同士の間隔Wについては、例えば1μmとする。 The interval W between the openings in the vertical direction (Y-axis direction) is, for example, 1 μm.
図30は、図29のC−C線に沿う断面図である。 30 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
図30に示されるように、モニタ用非シフター開口202eは、凹部の形成されていない透明基板201の平坦面上に形成される。
As shown in FIG. 30, the
次に、上記の透過型の位相差計測装置300を用いた位相シフトマスク200の検査方法について説明する。
Next, an inspection method for the
本実施形態における位相シフトマスク200の検査は、第1実施形態に従ってマスク200の位相差を求めた後、その位相差を再確認するために行われるものである。
The inspection of the
図31は、本実施形態に係る位相シフトマスクの検査方法のフローチャートである。 FIG. 31 is a flowchart of a phase shift mask inspection method according to this embodiment.
また、図32〜図34は、そのフローチャートの代表的なステップについて説明するための模式図である。図32〜図34では、説明を分かり易くするために、光路Aについてのマスク200の断面と光路Bについてのマスク200の断面とを併記すると共に、光路Aのシアリング量をΔDで表している。
32 to 34 are schematic diagrams for explaining typical steps in the flowchart. In FIG. 32 to FIG. 34, for easy understanding, the cross section of the
最初のステップS11では、図32に示すように、位相シフトマスク200のモニタ領域225において、遮光膜202が形成されていない部分に検査光Lを照射する。
In the first step S11, as shown in FIG. 32, in the
このとき、光路Aを通る透過光には横ずらしが行われており、撮像部325では光路Aと光路Bのそれぞれを通った透過光Q1と透過光Q2の合成像が観察される。
At this time, the transmitted light passing through the optical path A is shifted laterally, and the combined image of the transmitted light Q 1 and the transmitted light Q 2 passing through the optical path A and the optical path B is observed in the
この状態で撮像部325により観察を行うと、図32の上側に示すような観察像が得られる。これに示されるように、観察像には各透過光Q1、Q2の干渉縞が現れる。更に、観察像の中心付近には、ピンホール320aに対応した矩形状の暗部350が現れる。
When observation is performed by the
このように光路Aの横ずらしを行った状態で、第1のダブルウエッジプリズム315(図28参照)のウエッジプリズム315aを図中のx方向に変位させることにより、各透過光Q1、Q2の光路差を変化させる。
In this state where the optical path A is shifted laterally, the transmitted light Q 1 , Q 2 can be obtained by displacing the
これにより、観察像における干渉縞が変動し、ピンホール320aを透過する光の強度I0が変化する。
As a result, the interference fringes in the observation image fluctuate, and the intensity I 0 of the light transmitted through the
その光の強度I0とウエッジプリズム315aの変位量xとの関係は、第1実施形態の図8における強度I0と同様になり、I0=cosφ0(x)と表される。
The relationship between the light intensity I 0 and the displacement amount x of the
本ステップは、そのような強度I0の位相φ0(x)を取得するものであり、第1実施形態で説明したベースライン測定に相当する。 This step acquires such a phase φ 0 (x) of the intensity I 0 and corresponds to the baseline measurement described in the first embodiment.
次のステップS12では、図33に示すように、光路Aにおけるモニタ用非シフター開口202eが、光路Bにおける第1のシフター開口202aに重なるように、光路Aの横ずらしを行う。
In the next step S12, the optical path A is shifted laterally so that the non-shifter opening for
これにより、モニタ用非シフター開口202eを通った第1の透過光Q1と、第1のシフター開口202aを通った第2の透過光Q2のそれぞれが重ね合わせられる。
As a result, the first transmitted light Q 1 passing through the
そして、この状態で、ウエッジプリズム315a(図28参照)をx方向に変位させることにより、各各透過光Q1、Q2の光路差を変化させながら、ピンホール320aを透過する各透過光Q1、Q2の干渉光の強度I1をxの関数として表す。
In this state, by shifting the
その強度I1は、第1の実施形態の図8における強度I1と同様に、I1=cosφ1(x)と表される。 The intensity I 1 is expressed as I 1 = cosφ 1 (x), similar to the intensity I 1 in FIG. 8 of the first embodiment.
本ステップは、そのような強度I1の位相φ1(x)を取得するものであり、第1実施形態で説明した第1のエッジライン指定に相当する。 This step acquires such a phase φ 1 (x) of the intensity I 1 , and corresponds to the first edge line designation described in the first embodiment.
次のステップS13では、図34に示すように、光路Aにおける第1のシフター開口202aが、光路Bにおけるモニタ用非シフター開口202eに重なるように、光路Aの横ずらしを行う。
In the next step S13, as shown in FIG. 34, the optical path A is shifted laterally so that the
これにより、第1のシフター開口202aを通った第1の透過光Q1と、モニタ用非シフター開口202eを通った第2の透過光Q2のそれぞれが重ね合わせられる。
Accordingly, the first transmitted light Q 1 passing through the
そして、この状態で、ウエッジプリズム315a(図28参照)をx方向に変位させることにより、各透過光Q1、Q2の光路差を変化させながら、ピンホール320aを透過する各透過光Q1、Q2の干渉光の強度I2をxの関数として表す。
Then, in this state, by displacing the
その強度I2は、第1の実施形態の図8における強度I2と同様に、I2=cosφ2(x)と表される。 The intensity I 2 is expressed as I 2 = cosφ 2 (x), similar to the intensity I 2 in FIG. 8 of the first embodiment.
本ステップは、そのような強度I2の位相φ2(x)を取得するものであり、第1実施形態で説明した第2のエッジライン指定に相当する。 This step acquires such a phase φ 2 (x) of the intensity I 2 and corresponds to the second edge line designation described in the first embodiment.
その後に、ステップS14に移り、ステップS11、S12で取得した位相差φ1(x)、φ2(x)に基づいて、ピンホール320aを透過した各透過光Q1、Q2同士の位相差を算出する。
Thereafter, the process proceeds to step S14, and the phase difference between the transmitted lights Q 1 and Q 2 transmitted through the
その位相差は、第1実施形態の式(6)に従ってΔφ=(φ1(x)−φ2(x))/2により検査光Lでの位相差Δφを算出した後、その位相差Δφ、検査光Lの波長λ2、露光光の波長λ1、及び透明基板201の屈折率nに基づいて算出され得る。
The phase difference is calculated by calculating the phase difference Δφ in the inspection light L by Δφ = (φ 1 (x) −φ 2 (x)) / 2 according to the equation (6) of the first embodiment, and then the phase difference Δφ. The wavelength λ 2 of the inspection light L, the wavelength λ 1 of the exposure light, and the refractive index n of the
以上により、本実施形態に係る位相シフトマスクの検査方法の代表的なステップが終了したことになる。 Thus, the representative steps of the phase shift mask inspection method according to the present embodiment are completed.
このような位相シフトマスクの検査方法によれば、ピンホール320aを通して透過光Q1、Q2の強度I0〜I2を測定する。よって、ピンホール320aの大きさが第1のシフター開口202aとモニタ用非シフター開口202eのそれぞれよりも大きいと、各開口202a、202bを通った透過光Q1、Q2がピンホール320aによってケラレてしまい、強度I0〜I2を正確に測定できない。
According to the inspection method of the phase shifting mask, to measure the intensity I 0 ~I 2 of the transmitted light Q 1, Q 2 through the
そこで、本実施形態では、ピンホール320aの大きさが第1のシフター開口202aとモニタ用非シフター開口202eのそれぞれよりも小さくなるように、これらの開口202a、202eの大きさを次のように決定する。
Therefore, in the present embodiment, the sizes of these
図35は、これらの開口202a、202eの好適な大きさの一例について説明するための平面図である。
FIG. 35 is a plan view for explaining an example of a suitable size of the
この例では、ピンホール320aの横方向(X軸方向)の長さをD1、縦方向(Y軸方向)の長さをD2としている。これらの長さの値は、例えばD1が4μm、D2が16μmである。 In this example, D 1 the lateral length of the pin holes 320a (X axis direction), the length in the vertical direction (Y axis direction) and is set to D 2. For example, D 1 is 4 μm and D 2 is 16 μm.
そのような大きさのピンホール320aに対し、各開口202a、202eの横方向と縦方向の長さD3、D4をそれぞれ15μm、20μmとすることで、ピンホール320aが各開口202a、202eに収まり、ピンホール320aでのケラレを防止できる。
To pinhole 320a of such size, each
(第3実施形態)
本実施形態では、第1実施形態や第2実施形態の露光マスク200の製造方法について説明する。
(Third embodiment)
In the present embodiment, a method for manufacturing the
図36〜図39は、本実施形態に係る露光マスク200の製造途中の断面図である。なお、これらの図において第1、第2実施形態で説明したのと同じ要素にはこれらの実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
36 to 39 are cross-sectional views in the middle of manufacturing the
露光マスク200を製造するには、まず、図36(a)に示すように、石英基板等の透明基板201の上に、スパッタ法により遮光膜202としてクロム膜を形成する。そして、この遮光膜202の上にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像して第1のレジストパターン260を形成する。
In order to manufacture the
次いで、図36(b)に示すように、上記の第1のレジストパターン260をマスクにして遮光膜202をドライエッチングする。
Next, as shown in FIG. 36B, the
これにより、モニタ領域225には第1のシフター開口202aとモニタ用非シフター開口202eが形成され、デバイスパターン領域220には第3のシフター開口202cと非シフター開口202dが形成される。
As a result, the
次いで、図37(a)に示すように、このドライエッチングが終了した時点での露光光の位相差を検査すべく、第1実施形態のフローチャート(図20参照)に従って位相差を計測する。 Next, as shown in FIG. 37A, the phase difference is measured according to the flowchart (see FIG. 20) of the first embodiment in order to inspect the phase difference of the exposure light at the time when the dry etching is completed.
第1実施形態で説明したように、この方法では、第1のレーザ光21と第2のレーザ光の反射光の位相差に基づき、位相差が検査される。
As described in the first embodiment, in this method, the phase difference is inspected based on the phase difference between the reflected lights of the
この方法によれば、第1のレジストパターン260が形成されていない透明基板201の主面201xから各レーザ光21、22を照射し、その反射光を利用するので、位相差の計測にあたって第1のレジストパターン260を剥離する必要がない。
According to this method, each of the
この後に、第1のレジストパターン260は除去される。
Thereafter, the first resist
次いで、図37(b)に示すように、透明基板201と遮光膜202のそれぞれの上にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像して第2のレジストパターン262を形成する。
Next, as shown in FIG. 37 (b), a photoresist is applied on each of the
そして、この第2のレジストパターン262をマスクに用いながら透明基板201をドライエッチングすることにより、モニタ領域225とデバイスパターン領域220のそれぞれに第1の凹部201aと第3の凹部201cを形成する。
Then, by using the second resist
ここで、各凹部201a、201cはシフターとして機能するものであるから、その深さに過不足があると、各凹部201a、201cにより生じる露光光の位相差が設計値から外れてしまう。
Here, since each of the
そこで、次の工程では、図38(a)に示すように、第1実施形態に従って第1のレーザ光21と第2のレーザ光22を透明基板201に照射し、第1の凹部201aで生じる露光光の位相差を計測する。
Therefore, in the next step, as shown in FIG. 38A, the
ここで、第3の凹部201cは、第1の凹部201aと同一の工程で形成されるものであるから、第3の凹部201cにより生じる露光光の位相差は第1の凹部201aで生じる位相差と同じであると推定できる。
Here, since the
そして、その位相差が許容値よりも多いと判断された場合は、各凹部201a、201bが設計よりも深いことになり、その場合には透明基板201を再使用することはできないので透明基板201を破棄する。
If it is determined that the phase difference is larger than the allowable value, the
一方、位相差が許容値に満たない場合には各凹部201a、201cの深さが不足しているので、透明基板201に対して追加のエッチングを行う。このとき、位相差の計測に際して第2のレジストパターン262を剥離する必要がないので、その第2のレジストパターン262を引き続き用いて追加のエッチングを行うことができ、レジストパターンを再形成するための工程を省くことができる。
On the other hand, when the phase difference is less than the allowable value, the depth of each of the
そして、追加のエッチングによって第1の凹部201aで生じる位相差が許容値内に収まったときは、第2のレジストパターン262を剥離して本工程を終了する。
Then, when the phase difference generated in the
次に、図38(b)に示すように、透明基板201と遮光膜202のそれぞれの上にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像して第3のレジストパターン265を形成する。
Next, as shown in FIG. 38B, a photoresist is applied on each of the
そして、この第3のレジストパターン265をマスクに用いながら透明基板201をフッ酸溶液等でウエットエッチングする。これにより、各凹部201a、201cの幅が基板横方向に広がり、遮光膜202の下の透明基板201にアンダーカットと呼ばれる掘り込みが形成される。
Then, using the third resist
なお、このウエットエッチングのマスクとして、剥離前の第2のレジストパターン262を用いることも考えられるが、第2のレジストパターン262には凹部201a、201cの形成時のドライエッチングによりピンホールが形成されているおそれがある。よって、本実施形態のようにウエットエッチング用に第3のレジストパターン265を改めて形成し、それをマスクにしてウエットエッチングを行うのが好ましい。
Although it is conceivable to use the second resist
ここで、各凹部201a、201bの形成時と同様に、本工程でもこれらの凹部201a、201bで生じる位相差が許容値よりも多いか少ないかを評価するのが好ましい。
Here, as in the formation of the
そこで、次の工程では、図39(a)に示すように、第1実施形態に従って第1のレーザ光21と第2のレーザ光22を石英基板201に照射し、第1の凹部201aでの位相差を計測する。
Therefore, in the next step, as shown in FIG. 39A, the
そして、図38(a)の場合と同様に、位相差が許容値よりも多いと判断された場合には石英基板201を破棄し、位相差が許容値に満たない場合には第3のレジストパターン265が形成された状態で追加のウエットエッチングを行う。
Similarly to the case of FIG. 38A, when it is determined that the phase difference is larger than the allowable value, the
このような追加のウエットエッチングにより第1の凹部201aで生じる露光光の位相差が許容値となった場合には、第3のレジストパターン265を剥離して本工程を終了する。
When the phase difference of the exposure light generated in the
以上により、レベンソン型の位相シフトマスク200の基本構造が完成したことになるが、その位相シフトマスク200を完成品として次工程に払い出す前に、露光光の位相差を再確認するのが好ましい。
Although the basic structure of the Levenson type
その再確認においては、位相シフトマスク200にはレジストパターンが無い状態なので、検査光Lを透明基板201に通すことで第2実施形態のフローチャート(図31参照)に従って第1の凹部201aにおける位相差を検査し得る。
In the reconfirmation, since there is no resist pattern in the
そして、この検査によって位相差が許容値となっていることが確認できたときに、位相シフトマスク200を次工程に払い出す。
When the phase difference is confirmed to be an allowable value by this inspection, the
以上により、本実施形態に係る位相シフトマスクの製造方法の主要工程が終了したことになる。 Thus, the main process of the method for manufacturing the phase shift mask according to the present embodiment is completed.
上記した本実施形態によれば、位相シフトマスク200の製造途中において、第1実施形態に従って露光光の位相差を計測することで、レジストパターンを剥離することなしに、位相差の過不足を把握することができる。そして、位相差が不足していることが判った場合には、第1の凹部201aに対して追加のエッチングを行うことで、第1の凹部201aにより生じる露光光の位相差を許容値にすることができるようになる。
According to the above-described embodiment, during the manufacture of the
更に、図39(b)に示したように、第3のレジストパターン265を剥離した後に、第2実施形態に従って位相差を再確認するので、位相差に過不足が生じている位相シフトマスク200を次工程に誤って払い出してしまうのを防止できる。
Further, as shown in FIG. 39B, after the third resist
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。 The following additional notes are disclosed for each embodiment described above.
(付記1) 透明基板の一方の主面側から入射した第1のレーザ光と第2のレーザ光のそれぞれの照射点の中点を通る基準線を、前記透明基板の他方の主面上の遮光膜に形成された平面形状が矩形の第1の開口の第1の辺に合わせるステップと、
前記基準線が前記第1の辺に合わせられた状態で、前記遮光膜で反射した前記第1のレーザ光と、前記第1の開口に重なるように前記透明基板の前記他方の主面に形成された第1の凹部の底面で反射した前記第2のレーザ光との第1の位相差を求めるステップと、
前記透明基板の前記他方の主面において前記第1の開口から斜めの位置に形成され、且つ前記第1の辺の延長線上に第2の辺を有する平面形状が矩形状の第2の開口の該第2の辺に、前記基準線を合わせるステップと、
前記基準線が前記第2の辺に合わせられた状態で、前記遮光膜で反射した前記第2のレーザ光と、前記第2の開口に重なるように前記透明基板の前記他方の主面に形成された第2の凹部の底面で反射した前記第1のレーザ光との第2の位相差を求めるステップと、
前記第1の位相差と前記第2の位相差に基づき、前記第1の凹部と前記第2の凹部のそれぞれにより生じる露光光の位相差を算出するステップと、
を有することを特徴とする位相シフトマスクの検査方法。
(Supplementary Note 1) A reference line passing through the midpoint between the irradiation points of the first laser beam and the second laser beam incident from one main surface side of the transparent substrate is set on the other main surface of the transparent substrate. Matching the first side of the rectangular first opening with the planar shape formed on the light shielding film;
Formed on the other main surface of the transparent substrate so as to overlap the first laser beam reflected by the light shielding film and the first opening in a state where the reference line is aligned with the first side. Obtaining a first phase difference from the second laser beam reflected by the bottom surface of the first recess,
The second main surface of the transparent substrate is formed at an oblique position from the first opening, and the planar shape having the second side on the extension line of the first side is a rectangular second opening. Aligning the reference line with the second side;
Formed on the other main surface of the transparent substrate so as to overlap the second laser beam reflected by the light shielding film and the second opening in a state where the reference line is aligned with the second side Determining a second phase difference with the first laser beam reflected by the bottom surface of the second recessed portion formed;
Calculating a phase difference of exposure light generated by each of the first recess and the second recess based on the first phase difference and the second phase difference;
A method of inspecting a phase shift mask, comprising:
(付記2) 前記第2の辺に前記基準線を合わせるステップは、前記基準線に沿って所定距離だけ前記位相シフトマスクを移動させることにより行われることを特徴とする付記1に記載の位相シフトマスクの検査方法。
(Supplementary note 2) The phase shift according to
(付記3) 前記位相シフトマスクの面内に直交座標系を設定するステップを更に有し、
前記第2の辺に前記基準線を合わせるステップは、前記直交座標系の座標軸に沿って前記所定距離だけ前記位相シフトマスクを移動させることにより行われることを特徴とする付記2に記載の位相シフトマスクの検査方法。
(Additional remark 3) It further has the step which sets an orthogonal coordinate system in the surface of the said phase shift mask,
The phase shift according to
(付記4) 前記第1のレーザ光と前記第2のレーザ光のそれぞれの照射点を結ぶ線分は、前記第1の辺と前記第2の辺のそれぞれに直交することを特徴とする付記1〜3のいずれかに記載の位相シフトマスクの検査方法。 (Additional remark 4) The line segment which connects each irradiation point of the said 1st laser beam and said 2nd laser beam is orthogonal to each of said 1st edge | side and said 2nd edge | side, It is characterized by the above-mentioned. The inspection method of the phase shift mask in any one of 1-3.
(付記5) 前記第1の凹部と前記第2の凹部は、前記位相シフトマスクのモニタ領域に設けられたと共に、
前記位相シフトマスクのデバイス領域に第3の凹部が設けられ、該第3の凹部により生じる前記露光光の位相差が、前記第1の凹部と前記第2の凹部のそれぞれにより生じる前記露光光の前記位相差に等しいと推定するステップを更に有することを特徴とする付記1〜4のいずれかに記載の位相シフトマスクの検査方法。
(Additional remark 5) While the said 1st recessed part and the said 2nd recessed part were provided in the monitor area | region of the said phase shift mask,
A third recess is provided in the device region of the phase shift mask, and the phase difference of the exposure light generated by the third recess is caused by the exposure light generated by each of the first recess and the second recess. The phase shift mask inspection method according to any one of
(付記6) 前記遮光膜が、前記第1の凹部に重なるシフター開口と、該シフター開口から間隔をおいて形成された非シフター開口とを備え、
前記位相シフトマスクに検査光を照射するステップと、
前記シフター開口を通った前記検査光の第1の透過光と、前記非シフター開口を通った前記検査光の第2の透過光のそれぞれを、前記シフター開口と前記非シフター開口のそれぞれよりも小さなホールに通すステップと、
前記ホールを通った前記第1の透過光と前記第2の透過光との位相差を求め、該位相差に基づいて、前記第1の凹部により生じる前記露光光の位相差を算出するステップと、
を更に有することを特徴とする付記1〜5のいずれかに記載の位相シフトマスクの検査方法。
(Supplementary Note 6) The light-shielding film includes a shifter opening that overlaps the first recess, and a non-shifter opening formed at a distance from the shifter opening.
Irradiating the phase shift mask with inspection light; and
The first transmitted light of the inspection light that has passed through the shifter opening and the second transmitted light of the inspection light that has passed through the non-shifter opening are smaller than each of the shifter opening and the non-shifter opening. Step through the hall,
Obtaining a phase difference between the first transmitted light and the second transmitted light passing through the hole, and calculating a phase difference of the exposure light generated by the first recess based on the phase difference; ,
The inspection method for a phase shift mask according to any one of
(付記7) 前記第1の開口と前記第2の開口は、それぞれの角が互いに接するように前記遮光膜に形成されたことを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の位相シフトマスクの検査方法。
(Supplementary note 7) The phase shift mask according to any one of
(付記8) 前記第1の開口と前記第2の開口は、前記遮光膜において間隔をおいて形成されたことを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の位相シフトマスクの検査方法。 (Additional remark 8) The said 1st opening and said 2nd opening are formed in the said light shielding film at intervals, The inspection method of the phase shift mask in any one of Additional remark 1-6 characterized by the above-mentioned.
1…位相差計測装置、2…支持部、2a…支持ピン、2b…押さえ、3…観察光学系、4…レーザ光学系、11…マスク表示部、13…反射光波形表示部、14…ステップ移動ボタン、17…ステップ移動距離変更スライダ、18…ステップ移動距離変更ボタン、21…第1のレーザ光、22…第2のレーザ光、31…第1のビームスプリッタ、32…第2のビームスプリッタ、33…第1のミラー、34…第2のミラー、35…ウエッジプリズム、36…受光部、37…アルゴンレーザ光源、100…位相シフトマスク、101…透明基板、101a…凹部、101x…一方の主面、101y…他方の主面、102…遮光膜、102a…シフター開口、102b…非シフター開口、102x、102y…辺、200…位相シフトマスク、201…透明基板、201a〜201c…第1〜第3の凹部、202…遮光膜、202a〜202c…第1〜第3のシフター開口、202d…非シフター開口、202e…モニタ用非シフター開口、202x…第1の辺、202y…第2の辺、220…デバイスパターン領域、221…スクライブ領域、222…レチクルカバー部、225…モニタ領域、229…アライメントマーク、260…第1のレジストパターン、262…第2のレジストパターン、265…第3のレジストパターン、300…透過型の位相差計測装置、301…回折格子、302…コンデンサレンズ、306…対物レンズ群、307…第1のビームスプリッタ、309…第2のビームスプリッタ、308…第1のミラー、310…第2のミラー、315…第1のダブルウエッジプリズム、315a…ウエッジプリズム、316…第2のダブルウエッジプリズム、316a…ウエッジプリズム、319…光源ランプ、320…ピンホールミラー、320a…ピンホール、322…受光部、325…撮像部。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記基準線が前記第1の辺に合わせられた状態で、前記遮光膜で反射した前記第1のレーザ光と、前記第1の開口に重なるように前記透明基板の前記他方の主面に形成された第1の凹部の底面で反射した前記第2のレーザ光との第1の位相差を求めるステップと、
前記透明基板の前記他方の主面において前記第1の開口から斜めの位置に形成され、且つ前記第1の辺の延長線上に第2の辺を有する平面形状が矩形状の第2の開口の該第2の辺に、前記基準線を合わせるステップと、
前記基準線が前記第2の辺に合わせられた状態で、前記遮光膜で反射した前記第2のレーザ光と、前記第2の開口に重なるように前記透明基板の前記他方の主面に形成された第2の凹部の底面で反射した前記第1のレーザ光との第2の位相差を求めるステップと、
前記第1の位相差と前記第2の位相差に基づき、前記第1の凹部と前記第2の凹部のそれぞれにより生じる露光光の位相差を算出するステップと、
を有することを特徴とする位相シフトマスクの検査方法。 A reference line passing through the midpoint of each irradiation point of the first laser beam and the second laser beam incident from one main surface side of the transparent substrate is formed on the light shielding film on the other main surface of the transparent substrate. Matching the first planar shape with the first side of the rectangular first opening;
Formed on the other main surface of the transparent substrate so as to overlap the first laser beam reflected by the light shielding film and the first opening in a state where the reference line is aligned with the first side. Obtaining a first phase difference from the second laser beam reflected by the bottom surface of the first recess,
The second main surface of the transparent substrate is formed at an oblique position from the first opening, and the planar shape having the second side on the extension line of the first side is a rectangular second opening. Aligning the reference line with the second side;
Formed on the other main surface of the transparent substrate so as to overlap the second laser beam reflected by the light shielding film and the second opening in a state where the reference line is aligned with the second side Determining a second phase difference with the first laser beam reflected by the bottom surface of the second recessed portion formed;
Calculating a phase difference of exposure light generated by each of the first recess and the second recess based on the first phase difference and the second phase difference;
A method of inspecting a phase shift mask, comprising:
前記第2の辺に前記基準線を合わせるステップは、前記直交座標系の座標軸に沿って前記所定距離だけ前記位相シフトマスクを移動させることにより行われることを特徴とする請求項2に記載の位相シフトマスクの検査方法。 Further comprising setting an orthogonal coordinate system in the plane of the phase shift mask;
3. The phase according to claim 2, wherein the step of aligning the reference line with the second side is performed by moving the phase shift mask by the predetermined distance along a coordinate axis of the orthogonal coordinate system. Shift mask inspection method.
前記位相シフトマスクのデバイス領域に第3の凹部が設けられ、該第3の凹部により生じる前記露光光の位相差が、前記第1の凹部と前記第2の凹部のそれぞれにより生じる前記露光光の前記位相差に等しいと推定するステップを更に有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の位相シフトマスクの検査方法。 The first recess and the second recess are provided in a monitor region of the phase shift mask,
A third recess is provided in the device region of the phase shift mask, and the phase difference of the exposure light generated by the third recess is caused by the exposure light generated by each of the first recess and the second recess. The phase shift mask inspection method according to claim 1, further comprising a step of estimating that the phase difference is equal to the phase difference.
前記位相シフトマスクに検査光を照射するステップと、
前記シフター開口を通った前記検査光の第1の透過光と、前記非シフター開口を通った前記検査光の第2の透過光のそれぞれを、前記シフター開口と前記非シフター開口のそれぞれよりも小さなホールに通すステップと、
前記ホールを通った前記第1の透過光と前記第2の透過光との位相差を求め、該位相差に基づいて、前記第1の凹部により生じる前記露光光の位相差を算出するステップと、
を更に有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の位相シフトマスクの検査方法。 The light-shielding film includes a shifter opening overlapping the first recess, and a non-shifter opening formed at a distance from the shifter opening;
Irradiating the phase shift mask with inspection light; and
The first transmitted light of the inspection light that has passed through the shifter opening and the second transmitted light of the inspection light that has passed through the non-shifter opening are smaller than each of the shifter opening and the non-shifter opening. Step through the hall,
Obtaining a phase difference between the first transmitted light and the second transmitted light passing through the hole, and calculating a phase difference of the exposure light generated by the first recess based on the phase difference; ,
The phase shift mask inspection method according to claim 1, further comprising:
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JP2015225257A (en) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 大日本印刷株式会社 | Photomask inspection method and photomask manufacturing method |
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- 2009-06-25 JP JP2009151314A patent/JP2011008021A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015225257A (en) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 大日本印刷株式会社 | Photomask inspection method and photomask manufacturing method |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120904 |