JP2011006762A - Surface film structure of terminal connection part and method for forming the same - Google Patents
Surface film structure of terminal connection part and method for forming the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011006762A JP2011006762A JP2009153888A JP2009153888A JP2011006762A JP 2011006762 A JP2011006762 A JP 2011006762A JP 2009153888 A JP2009153888 A JP 2009153888A JP 2009153888 A JP2009153888 A JP 2009153888A JP 2011006762 A JP2011006762 A JP 2011006762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- terminal connection
- plating
- connection portion
- plating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明は、端子接続部の表面被膜構造及びその形成方法に関し、より詳細には、プリント配線板等において半導体素子（チップ）等の電子部品の電極端子等が接続される部分に表面処理として被覆される膜（表面被膜）の構造及びその形成方法に関する。 The present invention relates to a surface coating structure of a terminal connection portion and a method for forming the same, and more specifically, as a surface treatment on a printed wiring board or the like where a terminal of an electronic component such as a semiconductor element (chip) is connected. The present invention relates to a structure of a film (surface coating) to be formed and a method for forming the same.
例えば、半導体素子（チップ）等の電子部品を搭載するパッケージとして供される配線基板（以下、「半導体パッケージ」ともいう。）には、その最外層の配線層（材料としては典型的に銅（Ｃｕ）が用いられている）の所要の箇所にパッドが画定されており、このパッドの部分に、当該電子部品の電極端子が接合され、あるいは、半導体パッケージをマザーボード等に実装する際に使用される外部接続端子（はんだボールやピン等）が接合されるようになっている。そして、このパッドの部分を除いて当該配線層が絶縁層で被覆された構造となっているが、この絶縁層の開口部から露出しているパッド（Ｃｕ）には、その表面処理としてめっきが施されているものが多い。 For example, a wiring board (hereinafter also referred to as “semiconductor package”) provided as a package on which electronic components such as semiconductor elements (chips) are mounted has an outermost wiring layer (typically copper (as a material). Cu) is used, and a pad is defined at a required location. The electrode terminal of the electronic component is joined to the pad portion, or used when a semiconductor package is mounted on a motherboard or the like. External connection terminals (solder balls, pins, etc.) are joined. The wiring layer is covered with an insulating layer except for the pad portion. The pad (Cu) exposed from the opening of the insulating layer is plated as a surface treatment. Many are given.
その典型的なめっき膜の構成として、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）等の２種類の金属層構造、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ等の３種類の金属層構造がある。つまり、パッド（端子接続部）上に形成された多層構造のめっき膜上に電子部品の電極端子等が接合されるようになっており、その接合は、ワイヤボンディングやはんだ等の導電性材料を用いて行われている。 As a typical plating film structure, there are two kinds of metal layer structures such as nickel (Ni) / gold (Au), Ni / palladium (Pd), and three kinds of metal layer structures such as Ni / Pd / Au. . In other words, electrode terminals of electronic components are bonded onto the plating film having a multilayer structure formed on the pad (terminal connection portion), and the bonding is performed using a conductive material such as wire bonding or solder. Has been done using.
パッド（端子接続部）に表面処理（めっき）を施す理由は、はんだ等を用いて端子を接合したときのコンタクト性を良くするためと、接合時あるいは接合後にＣｕがはんだ内に拡散するのを防止するためである。 The reason why surface treatment (plating) is applied to the pads (terminal connection parts) is to improve the contact property when the terminals are joined using solder or the like, and Cu diffuses into the solder during or after joining. This is to prevent it.
このように端子接続部に被覆されるめっき膜（表面被膜）は、その金属種が限定されているため（Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｕ等）、端子接続部における耐熱性は、必然的にこれら各金属めっき層の厚さに依存することになる。 Since the plating film (surface coating) coated on the terminal connection portion in this way is limited in its metal type (Ni, Pd, Au, etc.), the heat resistance at the terminal connection portion inevitably depends on each of these metals. It depends on the thickness of the plating layer.
かかる従来技術に関連する技術の一例は、下記の特許文献１に記載されている。この特許文献１に開示された複合めっき方法では、非水溶性の無機または有機の微粉末を芳香族アゾ化合物残基を有するアゾ界面活性剤とともに水媒体中に分散させて金属めっき浴に添加し、電解を行うことにより金属イオンを還元すると共にアゾ界面活性剤を還元して微粉末表面より脱着させ、微粉末と金属との複合めっき金属膜を形成している。
An example of a technique related to the conventional technique is described in
また、複合めっきに関連する他の技術として、下記の特許文献２に記載されているように、めっき液を（水＋硫酸ニッケル＋塩化ニッケル＋ほう酸＋光沢剤＋界面活性剤＋カーボンナノファイバ＋ＳｉＣ微粒子）とすることで、熱処理法や加熱法を用いないで、めっき膜を強化するようにしたものがある。
As another technique related to composite plating, as described in
上述したように従来の技術では、端子接続部（パッド）に電子部品の電極端子等を接合するためには、その前処理として、当該パッドにＮｉ／Ａｕめっき、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき等を施す工程を必要とし、さらに、この被覆されためっき膜上に電極端子等を接合するためのはんだ付けやワイヤボンディング等の接合工程を必要とする。つまり、端子接続部には、そのめっき工程からはんだ接合等の工程に至るまでに相当の熱負荷がかかる。 As described above, in the prior art, in order to join the electrode terminal of the electronic component to the terminal connection portion (pad), Ni / Au plating, Ni / Pd / Au plating, etc. are applied to the pad as a pretreatment. In addition, a bonding process such as soldering or wire bonding for bonding electrode terminals or the like on the coated plating film is required. That is, a considerable thermal load is applied to the terminal connection portion from the plating process to the solder bonding process.
このため、熱負荷を受けても十分なはんだ付け（はんだ接合）性あるいはワイヤボンディング性を有していることが求められ、この要求を満足するのに十分なめっき膜厚が必要となる。その一方で、めっき膜を構成する金属材料として用いられるＡｕやＰｄは高価な貴金属であるため、コスト面からは、出来るだけ薄い膜厚であることが求められる。 For this reason, even if it receives heat load, it is calculated | required that it has sufficient soldering (solder joining) property or wire bonding property, and sufficient plating film thickness is required to satisfy this request | requirement. On the other hand, since Au and Pd used as the metal material constituting the plating film are expensive noble metals, the film thickness is required to be as thin as possible from the viewpoint of cost.
つまり、上記の工程における熱負荷の程度や必要とされる接合特性（耐熱性）と、表面処理（めっき）を施すのに必要とされるコストとのバランスにより、めっき膜厚が決定されることになる。 In other words, the plating film thickness is determined by the balance between the degree of thermal load in the above process and the required bonding characteristics (heat resistance) and the cost required to perform the surface treatment (plating). become.
しかしながら、従来の技術では、上述したようにめっき膜の金属種が限定されていたため、上記の２つの要件（耐熱性（＝十分なはんだ付け性等）と、コスト面）を共に満たすことは容易ではなく、そのため、必要とされる適正なめっき膜厚を決定するのが困難であるといった課題があった。 However, in the conventional technology, as described above, the metal type of the plating film is limited, so it is easy to satisfy both of the above two requirements (heat resistance (= sufficient solderability, etc.) and cost). However, for this reason, there is a problem that it is difficult to determine an appropriate plating film thickness required.
このような課題は、半導体パッケージやプリント配線板等のように最外層の配線層にパッド（端子接続部）が画定されている部材に限らず、例えば、リードフレーム等のようにはんだ接合やワイヤボンディング等により端子（リード部分）を接続する必要のある導体部（端子接続部）を有した部材であれば、同様に起こり得る。 Such a problem is not limited to a member in which a pad (terminal connection portion) is defined in the outermost wiring layer, such as a semiconductor package or a printed wiring board. For example, solder bonding or wire such as a lead frame Any member having a conductor portion (terminal connection portion) that needs to be connected to a terminal (lead portion) by bonding or the like can occur in the same manner.
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、耐熱性を向上させ、十分なはんだ付け性等を確保できるとともに、コストの低減化に寄与することができる端子接続部の表面被膜構造及びその形成方法を提供することを目的とする。 The present invention was created in view of the problems in the prior art, and can improve the heat resistance, ensure sufficient solderability, etc., and contribute to the cost reduction of the terminal connection portion. It is an object to provide a structure and a method for forming the structure.
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、電子部品の電極端子等が接続される端子接続部の表面に、少なくとも前記端子接続部に含まれる金属が最表層へ拡散するのを防止する金属層を含む多層構造のめっき膜が形成され、さらに該めっき膜の表面に珪素を含む層が形成されていることを特徴とする端子接続部の表面被膜構造が提供される。 In order to solve the above-described problems of the prior art, according to one aspect of the present invention, at least a metal contained in the terminal connection portion is on the outermost layer on the surface of the terminal connection portion to which an electrode terminal of an electronic component is connected. There is provided a surface coating structure for a terminal connection portion, wherein a plating film having a multilayer structure including a metal layer for preventing diffusion is formed, and further, a layer containing silicon is formed on the surface of the plating film. The
また、本発明の他の形態によれば、上記の形態に係る端子接続部の表面被膜構造を形成する方法が提供される。この形成方法は、電子部品の電極端子等が接続される端子接続部の表面に、少なくとも前記端子接続部に含まれる金属が最表層へ拡散するのを防止する金属層を含む多層構造のめっき膜を形成する工程を含み、さらに、前記多層構造のめっき膜を構成する各金属層の各めっき工程間、又はめっき工程前もしくはめっき工程後に、珪素を含む溶液に当該端子接続部を浸漬する工程を含むことを特徴とする。 Moreover, according to the other form of this invention, the method of forming the surface film structure of the terminal connection part which concerns on said form is provided. In this forming method, a plating film having a multilayer structure including a metal layer that prevents at least the metal contained in the terminal connection portion from diffusing to the outermost layer on the surface of the terminal connection portion to which an electrode terminal or the like of an electronic component is connected And a step of immersing the terminal connection part in a solution containing silicon during each plating step of each metal layer constituting the plating film of the multilayer structure, or before or after the plating step. It is characterized by including.
本発明に係る端子接続部の表面被膜構造によれば、端子接続部上にその表面処理として形成された多層構造のめっき膜の表面に珪素（Ｓｉ）を含む層（Ｓｉ含有層）が形成されているので、接続端子部における耐熱性を向上させることができる。 According to the surface coating structure of the terminal connection portion according to the present invention, a layer (Si-containing layer) containing silicon (Si) is formed on the surface of the multilayered plating film formed as the surface treatment on the terminal connection portion. Therefore, the heat resistance in the connection terminal portion can be improved.
具体的な作用効果については、後述する発明の実施の形態（実施例）において説明するが、このＳｉ含有層の存在により、端子接続部に含まれる金属（例えば、Ｃｕ）やめっき膜を構成するめっき層に含まれる金属（例えば、Ｎｉ）等が最表層へ拡散するのを防ぐことができる。これにより、端子接続部と電子部品の電極端子等との接合工程に至るまでの熱負荷を受けても、十分なはんだ付け性、ワイヤボンディング性を保つことができる。 Specific operational effects will be described in the embodiments (examples) of the invention to be described later. The presence of the Si-containing layer constitutes a metal (for example, Cu) or a plating film included in the terminal connection portion. It is possible to prevent the metal (for example, Ni) contained in the plating layer from diffusing to the outermost layer. Thereby, even if it receives the thermal load until it leads to the joining process of a terminal connection part, the electrode terminal of an electronic component, etc., sufficient solderability and wire bonding property can be maintained.
また、めっき膜の表面をＳｉ含有層で覆っているので、現状技術のものと比べてめっき膜厚を薄くしても、同等の耐熱性を確保することができる。また、めっき膜厚を薄くできることで、めっき膜の一部を構成する高価な金属材料（例えば、Ａｕ）の使用量が少なくてすみ、コストの低減化を図ることができる。 Moreover, since the surface of the plating film is covered with the Si-containing layer, the same heat resistance can be ensured even if the plating film thickness is made thinner than that of the state of the art. Further, since the plating film thickness can be reduced, the amount of expensive metal material (for example, Au) that constitutes a part of the plating film can be reduced, and the cost can be reduced.
なお、現状技術のものと同じめっき膜厚であれば、めっき膜の表面をＳｉ含有層で覆っている分、より高い耐熱性が得られることはもちろんである。 Of course, if the plating film thickness is the same as that of the state of the art, higher heat resistance can be obtained because the surface of the plating film is covered with the Si-containing layer.
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図１は、本発明の一実施形態に係る端子接続部の表面被膜構造（図中（ａ））を、比較例（従来技術）の表面被膜構造（図中（ｂ））と対比させて示したものである。 FIG. 1 shows a surface coating structure ((a) in the figure) of a terminal connection portion according to an embodiment of the present invention in comparison with a surface coating structure ((b) in the figure) of a comparative example (prior art). It is a thing.
本実施形態の表面被膜構造２０を形成するベースとなる部材（端子接続部１０）は、特に限定されない。例えば、半導体パッケージやプリント配線板等のように最外層の配線層の所要の箇所に画定されるパッドを端子接続部１０として選択してもよいし、リードフレーム等のようにワイヤボンディング等により端子（リード部分）を接続する必要のある導体部を端子接続部１０として選択してもよい。
The member (terminal connection part 10) used as the base which forms the
この端子接続部１０の材料については、本実施形態では、銅（Ｃｕ）をベースにした金属材料（Ｃｕ合金）を用いている。つまり、端子接続部１０は、この上に形成される表面被膜構造２０の下地金属層（電解めっきを行う際のシード層）として機能する。
In this embodiment, a metal material (Cu alloy) based on copper (Cu) is used for the material of the
この下地金属（Ｃｕ合金）層１０上に、電解ニッケル（Ｎｉ）めっきによりＮｉ層２１が形成され、さらにＮｉ層２１上に、電解パラジウム（Ｐｄ）めっきによりＰｄ層２２が形成され、さらにＰｄ層２２上に、電解金（Ａｕ）めっきによりＡｕ層２３が形成されている。つまり、端子接続部１０の表面に３層構造（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）のめっき膜が形成されている。比較例（図１（ｂ））では、この３層構造のめっき膜（Ｎｉ層２１、Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）により表面被膜構造２０ａが構成されている。
A
本実施形態（図１（ａ））では、さらにこの３層構造のめっき膜（Ｎｉ層２１、Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）の表面に、本発明を特徴付ける珪素（Ｓｉ）を含む層（Ｓｉ含有層）２４が形成されている。つまり、３層構造のめっき膜（Ｎｉ層２１、Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）とＳｉ含有層２４とにより表面被膜構造２０が構成されている。
In the present embodiment (FIG. 1A), a layer (Si) that characterizes the present invention (Si) is further formed on the surface of the plating film (
本実施形態の表面被膜構造２０（図１（ａ））は、基本的には、比較例（図１（ｂ））の表面被膜構造２０ａのプロセスと同じプロセスを利用している。ただし、本実施形態に係るプロセスでは、３層構造のめっき膜を構成する各金属層（Ｎｉ層２１、Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）の各めっき工程間、めっき工程前、めっき工程後のいずれかの段階で、Ｓｉ含有溶液に浸漬する工程を含んでいる。
The surface coating structure 20 (FIG. 1A) of the present embodiment basically uses the same process as that of the
Ｓｉ含有溶液としては、珪酸溶液、珪酸塩溶液あるいはＳｉＯ２分散溶液が好適に用いられる。珪酸塩としては、珪酸カリウム、珪酸ナトリウム、珪酸マグネシウム等が用いられる。また、溶媒は特に限定されず、水、無機酸、有機酸、アルカリ等を使用することができる。 As the Si-containing solution, a silicic acid solution, a silicate solution, or a SiO 2 dispersion solution is preferably used. As the silicate, potassium silicate, sodium silicate, magnesium silicate or the like is used. Moreover, a solvent is not specifically limited, Water, an inorganic acid, an organic acid, an alkali, etc. can be used.
図１に示したように、Ｃｕ合金の板材（下地金属層１０）に電解Ｎｉめっき、電解Ｐｄめっき、電解Ａｕめっきを順次施してめっき膜（Ｎｉ層２１、Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）を形成したものを比較例（従来技術）とし、各めっき工程の間、めっき工程前、めっき工程後のいずれかの段階で、Ｓｉ含有溶液に浸漬する工程を投入したものを実施例（発明技術）として、評価サンプルを作製した。Ｓｉ含有溶液としては、２０体積％珪酸カリウム溶液及びＳｉＯ２分散溶液を用意し、浸漬条件は室温で１分間とした。
As shown in FIG. 1, electrolytic Ni plating, electrolytic Pd plating, and electrolytic Au plating are sequentially applied to a Cu alloy plate material (underlying metal layer 10) to form plated films (
評価サンプルの内容は、図２に示した通りである。各めっき層の膜厚は、Ｎｉ層２１を１μｍ、Ｐｄ層２２を０．０１μｍ、Ａｕ層２３を０．００５μｍとした。
The contents of the evaluation sample are as shown in FIG. The thickness of each plating layer was set to 1 μm for the
図２において、「積層順序」は、各めっき層（Ｎｉ層２１、Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）を積層する順序を示し、さらに、サンプル２〜５（実施例）についてはどの段階でＳｉ含有溶液に浸漬したかを示している。すなわち、サンプル２（実施例）の場合、Ｎｉめっき層２１を形成後、Ｐｄめっき層２２を形成する前に、Ｎｉめっき層２１で被覆された端子接続部１０をＳｉＯ２分散溶液（Ｓｉ含有溶液）に浸漬している。サンプル３（実施例）の場合、サンプル２と同じ段階で、Ｎｉめっき層２１で被覆された端子接続部１０を珪酸カリウム溶液（Ｓｉ含有溶液）に浸漬している。
In FIG. 2, “stacking order” indicates the order in which the plating layers (
また、サンプル４（実施例）の場合、各めっき層２１，２２，２３を形成後（めっき工程後）に、各めっき層（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）で被覆された端子接続部１０を珪酸カリウム溶液（Ｓｉ含有溶液）に浸漬している。サンプル５（実施例）の場合、各めっき層２１，２２，２３を形成する前（めっき工程前）に、端子接続部１０を珪酸カリウム溶液（Ｓｉ含有溶液）に浸漬している。
In the case of sample 4 (Example), after forming each
どの段階でＳｉ含有溶液に浸漬した場合でも、最終的な構造は、図１（ａ）に示したように３層構造のめっき膜の最表層（Ａｕ層２３）上にＳｉ含有層２４が積層された状態となった。
Regardless of the stage, the Si-containing
図３は、各サンプル１〜５についてメニスコグラフ試験により評価した結果（はんだ濡れ性評価結果）を示したものであり、熱処理の態様（熱処理無し／４００℃で３０秒間／４００℃で６０秒間）とゼロクロスタイムとの関係を示している。この試験（はんだ濡れ性評価）は、はんだバスの種類：Ｓｎ−３７％Ｐｂ共晶はんだ、フラックスの種類：非活性ロジン系フラックス、試験温度：２２０℃、浸漬速度：２ｍｍ／秒、浸漬深さ：０．２ｍｍ、浸漬時間：１０秒、浸漬リード本数：５本、という条件の下で行った。
FIG. 3 shows the results (solder wettability evaluation results) of each
図３の評価結果において、Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃは、それぞれ「熱処理無し」、「４００℃で３０秒間」、「４００℃で６０秒間」に対応する各サンプル１〜５毎のゼロクロスタイムの平均値を表している。つまり、各サンプル１〜５についてそれぞれ得られた５つの測定値の平均値を表している。なお、各サンプル１〜５毎に横軸方向に延びる線分は、各測定値がばらついていることを示している。
In the evaluation results of FIG. 3, Ta, Tb, and Tc are average values of zero cross times for each of
ゼロクロスタイムは、この時間が短いほど、はんだ濡れ性が良好であることを示している。また、ゼロクロスタイム１０秒という結果（４００℃で６０秒間のサンプル１，２の場合）は、計測不能、すなわち、浸漬時間：１０秒の間にはんだが濡れなかったことを意味する。
The zero cross time indicates that the shorter this time, the better the solder wettability. Moreover, the result of the zero crossing time of 10 seconds (in the case of
図３の評価結果に示すように、同じ熱処理を加えるにしてもその時間が短いほど、ゼロクロスタイム（平均値）も短くなり（４００℃で３０秒間の場合）、はんだ濡れ性が良いことが分かる。また、同じ時間で熱処理を加えた場合（４００℃で３０秒間の場合）、サンプル１（比較例）と比べてサンプル２〜５（実施例）の方がゼロクロスタイムの平均値Ｔｂは短く、はんだ濡れ性が良好であることを示している。
As shown in the evaluation results of FIG. 3, it can be seen that the shorter the time, the shorter the zero cross time (average value) becomes (when it is 400 ° C. for 30 seconds) and the solder wettability is better. . In addition, when heat treatment is performed for the same time (in the case of 400 ° C. for 30 seconds), the average value Tb of zero crossing time is shorter in
図４は、サンプル１（比較例）についてＧＤ−ＯＥＳ（グロー放電発光表面分析装置）により測定した深さ方向組成分布を示したものであり、図５は、サンプル３（実施例）についてＧＤ−ＯＥＳにより測定した深さ方向組成分布を示したものである。図４及び図５において、それぞれ（ａ）は熱処理無しの場合、（ｂ）は４００℃で３０秒間の熱処理後の深さ方向組成分布を示している。 FIG. 4 shows the composition in the depth direction measured by GD-OES (Glow Discharge Luminescent Surface Analyzer) for Sample 1 (Comparative Example), and FIG. 5 shows GD- for Sample 3 (Example). The depth direction composition distribution measured by OES is shown. 4 and 5, (a) shows the composition in the depth direction after heat treatment at 400 ° C. for 30 seconds when no heat treatment is performed, and (b) shows the composition in the depth direction.
熱処理を施さない場合（図４（ａ）、図５（ａ）参照）、サンプル１（比較例：Ｓｉ含有層を有していない表面被膜）及びサンプル３（実施例：Ｓｉ含有層を有した表面被膜）は、後者の測定結果にＳｉが検出されている点を除いて、ほぼ同じ深さ方向組成分布を示している。一方、熱処理を施した場合（図４（ｂ）、図５（ｂ）参照）、サンプル１ではＣｕの検出強度が著しいのに対し、サンプル３ではＣｕの検出強度が低くなっている。これは、Ｓｉ含有層の存在により、下地金属層１０に含まれるＣｕの最表層側への拡散が抑制されているからである。
When heat treatment is not performed (see FIGS. 4A and 5A), sample 1 (comparative example: surface coating not having Si-containing layer) and sample 3 (example: having Si-containing layer) The surface coating) shows almost the same composition in the depth direction except that Si is detected in the latter measurement result. On the other hand, when heat treatment is performed (see FIGS. 4B and 5B), the detected intensity of Cu is low in
以上説明したように、本実施形態（実施例）に係る端子接続部の表面被膜構造２０及びその形成方法によれば、下地金属層（端子接続部）１０上に形成された３層構造のめっき膜（Ｎｉ層２１、Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）の表面にＳｉ含有層２４が形成されているので、接続端子部１０における耐熱性を向上させることができる。すなわち、このＳｉ含有層２４の存在により、下地金属層１０に含まれるＣｕやめっき膜の一部（Ｎｉ層２１）に含まれるＮｉが最表層へ拡散するのを防ぐことができる。
As described above, according to the
これにより、この端子接続部１０と電子部品の電極端子等とのはんだ接合等の工程に至るまでの熱負荷を受けても、十分なはんだ付け性、ワイヤボンディング性を確保することができる。
As a result, sufficient solderability and wire bonding properties can be ensured even when subjected to a thermal load up to a process such as solder joining between the
また、めっき膜２１，２２，２３の表面をＳｉ含有層２４で覆っているので、現状技術のものと比べてめっき膜厚を薄くしても、同等の耐熱性を確保することができる。また、めっき膜厚を薄くできることで、めっき膜の一部（Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）を構成する高価な金属材料（Ｐｄ，Ａｕ）の使用量が少なくてすみ、コストの低減化を図ることができる。
In addition, since the surfaces of the plating
また、現状技術のものと同じめっき膜厚であれば、めっき膜２１，２２，２３の表面をＳｉ含有層２４で覆っている分、より高い耐熱性が得ることができる。
Further, if the plating film thickness is the same as that of the current technology, higher heat resistance can be obtained because the surfaces of the plating
上述した実施形態（実施例）では、端子接続部（下地金属層１０）上に形成される多層構造のめっき膜として３層構造（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）の場合を例にとって説明したが、本発明の要旨（端子接続部上のめっき膜の表面にＳｉを含む層を設けること）からも明らかなように、めっき膜の構成がこれに限定されないことはもちろんである。例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ等の２層構造のめっき膜とした場合についても、上述した実施形態（実施例）の場合と同様の作用により、同等の効果が得られることが期待される。 In the above-described embodiment (example), the case of a three-layer structure (Ni / Pd / Au) is described as an example of the multilayer structure plating film formed on the terminal connection portion (underlying metal layer 10). As apparent from the gist of the invention (providing a layer containing Si on the surface of the plating film on the terminal connection portion), the configuration of the plating film is not limited to this. For example, even when a plated film having a two-layer structure such as Ni / Au or Ni / Pd is used, it is expected that the same effect can be obtained by the same action as in the above-described embodiment (example). .
１０…下地金属層（端子接続部）、
２０…表面被膜構造、
２１…Ｎｉ（めっき）層、
２２…Ｐｄ（めっき）層、
２３…Ａｕ（めっき）層、
２４…Ｓｉ含有層、
Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃ…ゼロクロスタイム（各サンプル毎の平均値）。
10: Underlying metal layer (terminal connection part),
20 ... surface coating structure,
21 ... Ni (plating) layer,
22 ... Pd (plating) layer,
23 ... Au (plating) layer,
24 ... Si-containing layer,
Ta, Tb, Tc: Zero cross time (average value for each sample).
Claims (6)
さらに、前記多層構造のめっき膜を構成する各金属層の各めっき工程間、又はめっき工程前もしくはめっき工程後に、珪素を含む溶液に当該端子接続部を浸漬する工程を含むことを特徴とする端子接続部の表面被膜構造の形成方法。 Forming a multilayered plating film including a metal layer that prevents at least the metal contained in the terminal connection portion from diffusing to the outermost layer on the surface of the terminal connection portion to which the electrode terminal or the like of the electronic component is connected; Including
The terminal further includes a step of immersing the terminal connection part in a solution containing silicon during each plating step of each metal layer constituting the plating film of the multilayer structure or before or after the plating step. A method of forming a surface coating structure of a connection portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009153888A JP2011006762A (en) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | Surface film structure of terminal connection part and method for forming the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009153888A JP2011006762A (en) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | Surface film structure of terminal connection part and method for forming the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011006762A true JP2011006762A (en) | 2011-01-13 |
Family
ID=43563733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009153888A Pending JP2011006762A (en) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | Surface film structure of terminal connection part and method for forming the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2011006762A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104080950A (en) * | 2012-02-03 | 2014-10-01 | Jx日矿日石金属株式会社 | Press-fit terminal and electronic component utilizing same |
| CN104204296A (en) * | 2012-04-13 | 2014-12-10 | Jx日矿日石金属株式会社 | Metal material for electronic component |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007107080A (en) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Hitachi Chem Co Ltd | Copper surface treatment method, and copper surface |
-
2009
- 2009-06-29 JP JP2009153888A patent/JP2011006762A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007107080A (en) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Hitachi Chem Co Ltd | Copper surface treatment method, and copper surface |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104080950A (en) * | 2012-02-03 | 2014-10-01 | Jx日矿日石金属株式会社 | Press-fit terminal and electronic component utilizing same |
| CN104204296A (en) * | 2012-04-13 | 2014-12-10 | Jx日矿日石金属株式会社 | Metal material for electronic component |
| CN104204296B (en) * | 2012-04-13 | 2016-09-14 | Jx日矿日石金属株式会社 | Electronic component-use metal material |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007123883A (en) | Method of forming plating layer of print circuit board and print circuit board manufactured by the method | |
| JP4674120B2 (en) | Wiring board and manufacturing method thereof | |
| JP5293185B2 (en) | Manufacturing method of electronic parts | |
| TW200926373A (en) | Soldering method and related device for improved resistance to brittle fracture | |
| JP5042894B2 (en) | Electronic component and manufacturing method thereof | |
| JP2004114069A (en) | SOLDER ALLOY FOR SOLDERING TO ELECTROLESS Ni PLATED PART | |
| JP2012140705A (en) | Substrate structure, and method of manufacturing the same | |
| JP2006196648A (en) | Electronic component having external junction electrode and manufacturing method thereof | |
| JP5708692B2 (en) | Junction structure for electronic device and electronic device | |
| JP2011006762A (en) | Surface film structure of terminal connection part and method for forming the same | |
| JP2013012739A (en) | Electric joining terminal structure and method for preparing the same | |
| WO2002005609A1 (en) | Structure for interconnecting conductors and connecting method | |
| US9520347B2 (en) | Lead frame construct for lead-free solder connections | |
| Park et al. | Au-Less, Ni-Less & Roughness-Less PCB Cu Surface Treatment Using All-in-One Al2O3 Passivation | |
| JP2005314749A (en) | Electronic component and surface treatment method therefor | |
| TW200843596A (en) | Crack-resistant solder joint, electronic component such as circuit substrate having the solder joint, semiconductor device, and manufacturing method of electronic component | |
| JP2007063042A (en) | Ceramic substrate and electronic component using it | |
| JP2007031740A (en) | Electronic component, and its manufacturing method | |
| JP2008028069A (en) | Substrate with externally bonded electrode, and method for manufacturing the same | |
| JP4409356B2 (en) | Manufacturing method of surface-treated Al plate for heat sink | |
| JP4499752B2 (en) | Electronic components | |
| JP6025259B2 (en) | Plating | |
| JPH11251503A (en) | Electronic part and manufacture therefor | |
| JP2006083410A (en) | Method for manufacturing electronic part | |
| JP5004414B2 (en) | Surface-treated Al plate excellent in solderability, heat sink using the same, and method for producing surface-treated Al plate excellent in solderability |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120516 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140624 |