JP2011003246A - Suspension substrate - Google Patents

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Teruhisa Momose
輝寿 百瀬
Takeshi Yamazaki
剛 山嵜
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a suspension substrate having an external connection terminal unit, capable of suppressing a short (short-circuit) between a conductor pattern etc. and a metal substrate in a case of soldering connection, for example.SOLUTION: The suspension substrate includes: the metal substrate; an insulating layer formed on the metal substrate; the conductor pattern formed on the insulating layer; a cover layer formed on the conductor pattern; a cover layer opening formed on the cover layer to expose the conductor pattern; a metal substrate opening formed on the metal substrate; and an insulating layer opening formed on the insulating layer to expose the conductor pattern. Both sides of the conductor pattern are exposed by the cover layer opening and the insulating layer opening. The suspension substrate further includes an external connection terminal unit having plated layers on both sides of the exposed conductor pattern. When a minimum distance between the conductor pattern exposed from the insulating layer opening and the metal substrate is D, and a pattern width of the exposed conductor pattern is W, then D≥W is satisfied.

Description

本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等に用いられるサスペンション用基板に関し、例えば半田接続を行う場合に、導体パターン等と金属基板との短絡（ショート）を抑制できる外部接続端子部を有するサスペンション用基板に関する。   The present invention relates to a suspension board used for a hard disk drive (HDD) or the like, and, for example, a suspension board having an external connection terminal portion that can suppress a short circuit (short) between a conductor pattern and a metal substrate when soldering is performed. About.

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そして、このＨＤＤに用いられる磁気ヘッドを支持している磁気ヘッドサスペンションと呼ばれる部品も、従来の金ワイヤ等の信号線を接続するタイプから、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている、いわゆるワイヤレスサスペンションと呼ばれる配線一体型のもの（フレキシャー）に移行している。   In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed, and along with this, the capacity of hard disk drives (HDD) incorporated in personal computers has increased. Increasing information transmission speed is required. In addition, a component called a magnetic head suspension that supports the magnetic head used in the HDD also has a signal line such as a copper wiring directly formed on a stainless steel spring from a conventional type in which a signal line such as a gold wire is connected. The so-called wireless suspension is now integrated into a wiring integrated type (flexure).

このようなサスペンションに用いられるサスペンション用基板は、通常、外部回路との接続端子部（外部接続端子部）を有している。このような外部接続端子部としては、具体的には、図９（ａ）に示すように、金属基板１と、金属基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成されたストライプ状の導体パターン３ａと、導体パターン３ａ上に形成されたカバー層４と、カバー層４に形成され導体パターン３ａを露出する表面側開口部（カバー層開口部）２１と、金属基板１および絶縁層２に形成され導体パターン３ａを露出する裏面側開口部（金属基板開口部および絶縁層開口部）２２とを有し、表面側開口部２１および裏面側開口部２２により導体パターン３ａの両面が露出し、露出した導体パターン３ａの両面にめっき層８（８ａおよび８ｂ）が形成されているもの等を挙げることができる。なお図９（ｂ）は、図９（ａ）を裏面側開口部２２側から見た概略平面図であり、図９（ｃ）は、図９（ａ）を表面側開口部２１から見た概略平面図である。   A suspension substrate used for such a suspension usually has a connection terminal portion (external connection terminal portion) with an external circuit. Specifically, such external connection terminal portions are formed on the metal substrate 1, the insulating layer 2 formed on the metal substrate 1, and the insulating layer 2, as shown in FIG. Striped conductor pattern 3a, cover layer 4 formed on conductor pattern 3a, surface-side opening (cover layer opening) 21 formed in cover layer 4 exposing conductor pattern 3a, and metal substrate 1 And a back surface side opening (metal substrate opening and insulating layer opening) 22 formed in the insulating layer 2 and exposing the conductor pattern 3a. The front surface side opening 21 and the back surface side opening 22 allow the conductor pattern 3a to be Examples thereof include those in which both surfaces are exposed and plating layers 8 (8a and 8b) are formed on both surfaces of the exposed conductor pattern 3a. 9B is a schematic plan view of FIG. 9A viewed from the back side opening 22 side, and FIG. 9C is a view of FIG. 9A viewed from the front side opening 21. It is a schematic plan view.

このような外部接続端子部において、例えば裏面側開口部のめっき層８ｂの厚み等によっては、めっき層８ｂと金属基板１とが接触し、短絡を起こす場合等があった。このような問題に対して、例えば特許文献１においては、金属端子層（めっき層）の端縁と金属支持層の端縁との間に所定の間隔が設けられた配線回路基板が開示されている（特許文献１の請求項１）。しかしながら、このような間隔を設けるだけでは、短絡を充分に防止することが困難であった。なお、特許文献１に記載された配線回路基板、および特許文献２に記載された回路付サスペンション基板は、外部接続端子部と外部回路とを超音波接続するタイプのものであり、例えば半田接続を行う場合は、めっき層と金属基板との間で短絡を起こす可能性があった。   In such an external connection terminal portion, for example, depending on the thickness of the plating layer 8b in the opening on the back surface side, the plating layer 8b and the metal substrate 1 may come into contact with each other to cause a short circuit. To deal with such a problem, for example, Patent Document 1 discloses a printed circuit board in which a predetermined interval is provided between an edge of a metal terminal layer (plating layer) and an edge of a metal support layer. (Claim 1 of Patent Document 1). However, it is difficult to sufficiently prevent a short circuit only by providing such an interval. The wired circuit board described in Patent Document 1 and the suspension board with circuit described in Patent Document 2 are of a type in which an external connection terminal portion and an external circuit are ultrasonically connected. When performing, there was a possibility of causing a short circuit between the plating layer and the metal substrate.

特開２００１−３５２１３７号公報JP 2001-352137 A 特開２００１−２０９９１８号公報JP 2001-209918 A

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、例えば半田接続を行う場合に、導体パターン等と金属基板との短絡を抑制できる外部接続端子部を有するサスペンション用基板を提供することを主目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above circumstances. For example, when performing solder connection, the present invention mainly provides a suspension substrate having an external connection terminal portion that can suppress a short circuit between a conductor pattern or the like and a metal substrate. It is the purpose.

上記課題を解決するために、本発明においては、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたストライプ状の導体パターンと、上記導体パターン上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体パターンを露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体パターンを露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体パターンの両面が露出し、上記露出した導体パターンの両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体パターンと上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記導体パターンのパターン幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In order to solve the above problems, in the present invention, a metal substrate, an insulating layer formed on the metal substrate, a striped conductor pattern formed on the insulating layer, and formed on the conductor pattern A cover layer formed in the cover layer and exposing the conductor pattern; a metal substrate opening formed in the metal substrate; and an insulation formed in the insulating layer and exposing the conductor pattern. And an external connection terminal portion in which both surfaces of the conductor pattern are exposed by the cover layer opening portion and the insulating layer opening portion, and plating layers are formed on both surfaces of the exposed conductor pattern. A suspension substrate, where D is the shortest distance between the conductive pattern on which the plating layer exposed from the insulating layer opening is formed and the metal substrate. The pattern width of the conductor pattern when is W, provides a suspension substrate which is a D ≧ W.

本発明によれば、Ｄの値がＷの値以上であることから、例えば半田接続を行う場合に、溶融半田が絶縁層上に流れ出た場合であっても、導体パターンと金属基板との接触を防止でき、短絡を防止できる。   According to the present invention, since the value of D is equal to or greater than the value of W, contact between the conductor pattern and the metal substrate even when the molten solder flows onto the insulating layer, for example, when soldering is performed. Can be prevented and a short circuit can be prevented.

また、本発明においては、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、上記導体層上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体層を露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体層が露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体層の両面が露出し、上記露出した導体層の両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体層と上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体層の幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   In the present invention, a metal substrate, an insulating layer formed on the metal substrate, a conductor layer formed on the insulating layer, a cover layer formed on the conductor layer, and the cover layer A cover layer opening that exposes the conductor layer, a metal substrate opening formed in the metal substrate, and an insulating layer opening that is formed in the insulating layer and exposes the conductor layer, A suspension substrate including an external connection terminal portion in which both surfaces of the conductor layer are exposed by the cover layer opening and the insulating layer opening, and plating layers are formed on both surfaces of the exposed conductor layer, the insulating substrate When the shortest distance between the conductor layer on which the plating layer exposed from the layer opening is formed and the metal substrate is D, and the width of the conductor layer on which the plating layer is exposed is W D ≧ W To provide a substrate for the suspension to be.

本発明によれば、Ｄの値がＷの値以上であることから、例えば半田接続を行う場合に、溶融半田が絶縁層上に流れ出た場合であっても、導体層と金属基板との接触を防止でき、短絡を防止できる。   According to the present invention, since the value of D is equal to or greater than the value of W, the contact between the conductor layer and the metal substrate even when the molten solder flows onto the insulating layer, for example, when soldering is performed. Can be prevented and a short circuit can be prevented.

本発明においては、例えば半田接続を行う場合に、導体パターン等と金属基板との短絡を抑制できるという効果を奏する。   In the present invention, for example, when performing solder connection, there is an effect that a short circuit between the conductor pattern and the metal substrate can be suppressed.

本発明のサスペンション用基板の第一実施態様の外部接続端子部の一例を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an example of the external connection terminal part of the 1st embodiment of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンション用基板の外部接続端子部に半田接続を行う場合の説明図である。It is explanatory drawing at the time of performing a solder connection to the external connection terminal part of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明のサスペンション用基板の全体像を例示する概略平面図である。It is a schematic plan view which illustrates the whole image of the suspension substrate of the present invention. 本発明に用いられる導体パターンの形状を例示する概略平面図である。It is a schematic plan view which illustrates the shape of the conductor pattern used for this invention. 本発明におけるサスペンション用基板の第一実施態様の外部接続端子部の他の形状例を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the other example of a shape of the external connection terminal part of the 1st embodiment of the board | substrate for suspensions in this invention. 本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the manufacturing method of the board | substrate for suspensions of this invention. 本発明におけるサスペンション用基板の第二実施態様の外部接続端子部の形状を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the shape of the external connection terminal part of the 2nd embodiment of the board | substrate for suspensions in this invention. 本発明におけるサスペンション用基板の第二実施態様の外部接続端子部の他の形状を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the other shape of the external connection terminal part of the 2nd embodiment of the board | substrate for suspensions in this invention. 従来のサスペンション用基板の外部接続端子部を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the external connection terminal part of the conventional board | substrate for suspensions.

以下、本発明のサスペンション用基板について詳細に説明する。   Hereinafter, the suspension substrate of the present invention will be described in detail.

本発明のサスペンション用基板は、外部接続端子部にストライプ状の導体パターンが形成されている実施態様（第一実施態様）と、外部接続端子部に露出している導体層が絶縁層との間に間隙なく形成されている実施態様（第二実施態様）と、に大別することができる。以下、本発明のサスペンション用基板について、実施態様ごとに説明する。   The suspension substrate of the present invention includes an embodiment in which a stripe-shaped conductor pattern is formed in the external connection terminal portion (first embodiment) and a conductor layer exposed in the external connection terminal portion between the insulating layer and the embodiment. And the embodiment (second embodiment) formed without gaps. Hereinafter, the suspension substrate of the present invention will be described for each embodiment.

１．第一実施態様
まず、本発明のサスペンション用基板の第一実施態様について説明する。本実施態様のサスペンション用基板は、外部接続端子部にストライプ状の導体パターンが形成されている態様であり、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたストライプ状の導体パターンと、上記導体パターン上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体パターンを露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体パターンを露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体パターンの両面が露出し、上記露出した導体パターンの両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体パターンと上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体パターンのパターン幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とするものである。 1. First Embodiment First, a first embodiment of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of this embodiment is a mode in which a stripe-shaped conductor pattern is formed on the external connection terminal portion, and is formed on the metal substrate, the insulating layer formed on the metal substrate, and the insulating layer. Striped conductor pattern, a cover layer formed on the conductor pattern, a cover layer opening formed in the cover layer to expose the conductor pattern, and a metal substrate opening formed in the metal substrate And an insulating layer opening that is formed in the insulating layer and exposes the conductor pattern, and further, both surfaces of the conductor pattern are exposed by the cover layer opening and the insulating layer opening, and the exposed conductor pattern A suspension substrate having external connection terminal portions on which plating layers are formed on both sides, wherein the plating layer exposed from the insulating layer opening is formed. D ≧ W, where D is the shortest distance between the conductive pattern and the metal substrate, and W is the pattern width of the conductive pattern on which the exposed plating layer is formed. is there.

本実施態様によれば、Ｄの値がＷの値以上であることから、例えば半田接続を行う場合に、溶融半田が絶縁層上に流れ出た場合であっても、導体パターンと金属基板との接触を防止でき、短絡を防止できる。本実施態様においては、Ｗの値に対して、Ｄの値を充分に大きくすることにより、溶融半田による短絡をより効果的に防止することができるのである。また、本実施態様においては、導体パターンの表面にめっき層を有していることから、例えば導体パターンの膜厚を薄くした場合であっても、充分な機械的強度を維持することができる。   According to this embodiment, since the value of D is equal to or greater than the value of W, for example, when performing solder connection, even if the molten solder flows out onto the insulating layer, the conductor pattern and the metal substrate Contact can be prevented and short circuit can be prevented. In this embodiment, by making the value of D sufficiently larger than the value of W, a short circuit due to molten solder can be more effectively prevented. Moreover, in this embodiment, since it has a plating layer on the surface of a conductor pattern, sufficient mechanical strength can be maintained even when the film thickness of a conductor pattern is made thin, for example.

なお、本実施態様のサスペンション用基板は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いることができる。特に、本実施態様のサスペンション用基板は、外部接続端子と外部回路とを半田接続する半田接続型のサスペンション用基板であることが好ましい。   The suspension substrate of this embodiment can be used for a magnetic head suspension of a hard disk drive (HDD), for example. In particular, the suspension substrate of the present embodiment is preferably a solder connection type suspension substrate in which an external connection terminal and an external circuit are solder-connected.

次に、本実施態様のサスペンション用基板について図面を用いて説明する。図１（ａ）は、本実施態様のサスペンション用基板の外部接続端子部を例示する概略断面図である。図１（ａ）に示される外部接続端子部は、金属基板１と、金属基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成されたストライプ状の導体パターン３ａと、導体パターン３ａ上に形成されたカバー層４と、カバー層４に形成され導体パターン３ａを露出するカバー層開口部５と、金属基板１に形成された金属基板開口部６と、絶縁層２に形成され導体パターン３ａを露出する絶縁層開口部７とを有し、さらに、カバー層開口部５および絶縁層開口部７により導体パターン３ａの両面が露出し、露出した導体パターン３ａの両面に、導体パターン３ａの両側面を含めて、めっき層８（８ａおよび８ｂ）が形成されてなるものである。図１（ｂ）は、図１（ａ）を金属基板開口部６側から見た概略平面図である。   Next, the suspension substrate of this embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a schematic cross-sectional view illustrating the external connection terminal portion of the suspension substrate of this embodiment. 1A includes a metal substrate 1, an insulating layer 2 formed on the metal substrate 1, a striped conductor pattern 3a formed on the insulating layer 2, and a conductor pattern. Cover layer 4 formed on 3a, cover layer opening 5 formed in cover layer 4 exposing conductor pattern 3a, metal substrate opening 6 formed in metal substrate 1, and insulating layer 2 are formed. An insulating layer opening 7 that exposes the conductor pattern 3a. Further, both surfaces of the conductor pattern 3a are exposed by the cover layer opening 5 and the insulating layer opening 7, and the conductor pattern 3a is exposed on both surfaces of the exposed conductor pattern 3a. The plating layer 8 (8a and 8b) is formed including both side surfaces of 3a. FIG. 1B is a schematic plan view of FIG. 1A viewed from the metal substrate opening 6 side.

図１において、導体パターン３ａのストライプに沿う方向での金属基板開口部６の長さをＸとし、導体パターン３ａのストライプに沿う方向での絶縁層開口部７の長さをＹとし、絶縁層開口部７から露出しているめっき層８ｂが形成された導体パターン３ａと金属基板との距離をＬ１およびＬ２とし、露出しているめっき層（８ａおよび８ｂ）が形成された導体パターン３ａのパターン幅をＷとして示す。図１に示すように、Ｘ−Ｙ＝Ｌ１＋Ｌ２である。ここで、絶縁層開口部７から露出している上記めっき層（８ａおよび８ｂ）が形成された導体パターン３ａと上記金属基板２との最短距離をＤとすると、ＤはＬ１またはＬ２のいずれかであり、本実施態様のサスペンション用基板の外部接続端子部においては、Ｄ≧Ｗであるように設計されている。図１においては、導体パターン３ａと金属基板２との最短距離Ｄが、一例として、Ｌ１である場合を示してあるが、もしもＬ２が最短距離であれば、その値を用いればよく、Ｌ１とＬ２が等しければ、いずれの値を用いてもよい。 In FIG. 1, the length of the metal substrate opening 6 in the direction along the stripe of the conductor pattern 3a is X, and the length of the insulating layer opening 7 in the direction along the stripe of the conductor pattern 3a is Y. L 1 and L 2 are distances between the metal pattern and the conductor pattern 3a in which the plating layer 8b exposed from the opening 7 is formed, and the conductor pattern 3a in which the plating layers (8a and 8b) that are exposed are formed. Is shown as W. As shown in FIG. 1, XY = L 1 + L 2 . Here, the shortest distance between the plating layer (8a and 8b) conductors are formed patterns 3a and the metal substrate 2 exposed from the insulating layer openings 7 When D, D is the L 1 or L 2 In any case, the external connection terminal portion of the suspension board of the present embodiment is designed so that D ≧ W. In FIG. 1, the case where the shortest distance D between the conductor pattern 3a and the metal substrate 2 is L 1 is shown as an example, but if L 2 is the shortest distance, that value may be used, Any value may be used as long as L 1 and L 2 are equal.

本発明においては、めっき層が形成された導体パターンの露出しているパターンの末端から、半田が絶縁層上に流れ出た場合に、半田と絶縁層との濡れ性の関係から、半田は導体パターンの絶縁層と接触する面から半円状に絶縁層上に流出すると想定している。したがって、金属基板と半田（導体パターン）との短絡を防止するには、導体パターンと金属基板との最短距離Ｄが、めっき層が形成された導体パターン幅Ｗと同一またはそれ以上、すなわちＤ≧Ｗとするものである。本発明において、Ｄの上限はサスペンション用基板の設計上から所定の値に決められるが、サスペンション用基板を微細化し機械的強度を上げるためには、より小さい値が好ましい。   In the present invention, when the solder flows out on the insulating layer from the exposed end of the conductive pattern on which the plating layer is formed, the solder is the conductive pattern because of the wettability between the solder and the insulating layer. It is assumed that it flows out onto the insulating layer in a semicircular shape from the surface in contact with the insulating layer. Therefore, in order to prevent a short circuit between the metal substrate and the solder (conductor pattern), the shortest distance D between the conductor pattern and the metal substrate is equal to or greater than the conductor pattern width W on which the plating layer is formed, that is, D ≧ W. In the present invention, the upper limit of D is determined to be a predetermined value from the design of the suspension substrate, but a smaller value is preferable in order to make the suspension substrate finer and increase the mechanical strength.

図２は、本発明のサスペンション用基板の外部接続端子部に半田接続を行う場合を説明する説明図であり、図２（ａ）は概略断面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）を金属基板開口部側から見た概略平面図である。なお、図２に付されている符号については、半田９を除いては図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。本実施態様においては、金属基板開口部の長さＸを絶縁層開口部の長さＹよりも充分に大きくし、Ｌ１およびＬ２の値がＷの値と同一またはそれ以上となるようにＤ≧Ｗと設計してあるため、図２に示すように、半田接続を行う場合であっても、めっき層８ｂ上に設けた半田９が金属基板１に接触することはなく、短絡を防止することができる。ここで、ＤはＬ１およびＬ２のいずれかである（図２では、Ｄ＝Ｌ１としている）。 2A and 2B are explanatory views for explaining a case where solder connection is performed to the external connection terminal portion of the suspension board of the present invention, FIG. 2A is a schematic cross-sectional view, and FIG. ) Is a schematic plan view as seen from the opening side of the metal substrate. 2 are the same as those in FIG. 1 except for the solder 9, and the description thereof is omitted here. In this embodiment, the length X of the metal substrate opening is made sufficiently larger than the length Y of the insulating layer opening so that the values of L 1 and L 2 are equal to or greater than the value of W. Since D ≧ W is designed, as shown in FIG. 2, even when soldering is performed, the solder 9 provided on the plating layer 8b does not contact the metal substrate 1 to prevent a short circuit. can do. Here, D is either L 1 or L 2 (D = L 1 in FIG. 2).

図３は、本実施態様のサスペンション用基板の全体像を例示する概略平面図であり、便宜上、カバー層を省略してある。図３に示されるサスペンション用基板は、金属基板（図示せず）と絶縁層２とが積層された構造を有しており、サスペンション用基板の一方の先端には磁気ヘッドを実装するためのジンバル部１１が形成され、他方の先端には外部回路との接続を行うための外部接続端子領域１２が形成され、ジンバル部１１および外部接続端子領域１２を接続するための配線１３（１３ａ〜１３ｄ）が形成されている。外部接続端子領域１２においては、各々の配線１３に応じて、上述した外部接続端子部が形成されている。   FIG. 3 is a schematic plan view illustrating the entire image of the suspension substrate of the present embodiment, and the cover layer is omitted for convenience. The suspension substrate shown in FIG. 3 has a structure in which a metal substrate (not shown) and an insulating layer 2 are laminated, and a gimbal for mounting a magnetic head on one end of the suspension substrate. Part 11 is formed, an external connection terminal region 12 for connecting to an external circuit is formed at the other end, and wiring 13 (13a to 13d) for connecting gimbal part 11 and external connection terminal region 12 Is formed. In the external connection terminal region 12, the external connection terminal portion described above is formed in accordance with each wiring 13.

以下、本実施態様のサスペンション用基板について詳細に説明する。なお、本実施態様のサスペンション用基板は外部接続端子部を特徴とするものであることから、ここでは外部接続端子部を中心に説明を行う。外部接続端子部以外の構成については、特に限定されるものではなく、一般的なサスペンション用基板と同様の構成を採用することができる。   Hereinafter, the suspension substrate of this embodiment will be described in detail. In addition, since the suspension substrate according to the present embodiment is characterized by the external connection terminal portion, the description will be made focusing on the external connection terminal portion. The configuration other than the external connection terminal portion is not particularly limited, and the same configuration as a general suspension board can be employed.

（１）外部接続端子部の部材
まず、本実施態様における外部接続端子部の部材について説明する。本実施態様における外部接続端子部は、通常、金属基板、絶縁層、ストライプ状の導体パターン、カバー層、およびめっき層を有するものである。 (1) Member of external connection terminal part First, the member of the external connection terminal part in this embodiment is demonstrated. The external connection terminal part in this embodiment usually has a metal substrate, an insulating layer, a striped conductor pattern, a cover layer, and a plating layer.

本実施態様に用いられる金属基板は、サスペンション用基板の支持基板であり、通常、適度なばね性を有している。上記金属基板の材料としては、例えばステンレス（ＳＵＳ）等を挙げることができる。上記金属基板の厚みとしては、金属基板の材料等により異なり、特に限定されるものではないが、通常１０μｍ〜３０μｍの範囲内であり、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。   The metal substrate used in this embodiment is a support substrate for the suspension substrate, and usually has an appropriate spring property. Examples of the material for the metal substrate include stainless steel (SUS). The thickness of the metal substrate varies depending on the material of the metal substrate and is not particularly limited, but is usually in the range of 10 μm to 30 μm, and preferably in the range of 15 μm to 25 μm.

本実施態様に用いられる絶縁層は、金属基板および導体パターンを絶縁するものである。上記絶縁層の材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド樹脂、熱可塑ポリイミド樹脂等を挙げることができる。特に、本実施態様においては、上記絶縁層が、ポリイミド樹脂のみからなる単層絶縁層又はポリイミド樹脂および熱可塑性ポリイミド樹脂からなる複合絶縁層のどちらであっても構わない。上記絶縁層の厚みとしては、所望の絶縁性を発揮することができれば、特に限定されるものではないが、通常２μｍ〜３０μｍの範囲内であり、中でも５μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。   The insulating layer used in this embodiment insulates the metal substrate and the conductor pattern. The material for the insulating layer is not particularly limited as long as it has a desired insulating property, and examples thereof include a polyimide resin and a thermoplastic polyimide resin. In particular, in this embodiment, the insulating layer may be either a single-layer insulating layer made of only a polyimide resin or a composite insulating layer made of a polyimide resin and a thermoplastic polyimide resin. The thickness of the insulating layer is not particularly limited as long as desired insulating properties can be exhibited, but it is usually in the range of 2 μm to 30 μm, and preferably in the range of 5 μm to 20 μm. .

本実施態様に用いられる導体パターンは、ストライプ状のパターンを有するものであり、外部回路との接続に用いられるものである。上記導体パターンの材料としては、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、銅等を挙げることができる。上記導体パターンの厚みは、特に限定されるものではないが、通常６μｍ〜１８μｍの範囲内であり、中でも８μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。   The conductor pattern used in this embodiment has a striped pattern and is used for connection to an external circuit. The material for the conductor pattern is not particularly limited as long as it has desired conductivity, and examples thereof include copper. Although the thickness of the said conductor pattern is not specifically limited, Usually, it exists in the range of 6 micrometers-18 micrometers, and it is preferable to exist in the range of 8 micrometers-12 micrometers especially.

本実施態様に用いられる導体パターンの形状としては、特に限定されるものではなく、図４（ａ）に示すように、一本からなるものであっても良く、図４（ｂ）に示すように、複数本からなるものであっても良い。上記導体パターンが複数本からなる場合、その本数としては、例えば２本〜１０本の範囲内であることが好ましい。上記導体パターンのストライプ幅は、通常２０μｍ〜６００μｍの範囲内であり、中でも５０μｍ〜４００μｍの範囲内であることが好ましい。   The shape of the conductor pattern used in the present embodiment is not particularly limited, and may be one as shown in FIG. 4 (a), as shown in FIG. 4 (b). Alternatively, it may be composed of a plurality of pieces. When the said conductor pattern consists of multiple pieces, it is preferable that it is in the range of 2-10, for example as the number. The stripe width of the conductor pattern is usually in the range of 20 μm to 600 μm, and preferably in the range of 50 μm to 400 μm.

上記導体パターンの形成方法としては、例えば、電解めっき法および無電解めっき法等のめっき法、ならびにスパッタリング法等を挙げることができる。特に、本実施態様においては、上記導体パターンが、電解めっき法により形成されたものであることが好ましい。なお、本実施態様においては、上記導体パターンとして従来の圧延銅箔を用いても良い。   Examples of the method for forming the conductor pattern include plating methods such as an electrolytic plating method and an electroless plating method, and a sputtering method. In particular, in this embodiment, it is preferable that the conductor pattern is formed by an electrolytic plating method. In this embodiment, a conventional rolled copper foil may be used as the conductor pattern.

本実施態様に用いられるカバー層は、導体パターン上に形成されるものである。上記カバー層の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば感光性樹脂等を挙げることができる。上記感光性樹脂としては、具体的には、感光性ポリイミド系樹脂、感光性アクリル系樹脂、感光性エポキシ系樹脂などの感光性の合成樹脂を好ましく用いることができる。上記カバー層の厚みとしては、特に限定されるものではないが、通常３μｍ〜３０μｍの範囲内であり、中でも３μｍ〜１５μｍの範囲内であることが好ましい。   The cover layer used in this embodiment is formed on the conductor pattern. The material for the cover layer is not particularly limited, and examples thereof include a photosensitive resin. As the photosensitive resin, specifically, a photosensitive synthetic resin such as a photosensitive polyimide resin, a photosensitive acrylic resin, or a photosensitive epoxy resin can be preferably used. Although it does not specifically limit as thickness of the said cover layer, Usually, it exists in the range of 3 micrometers-30 micrometers, and it is preferable to exist in the range of 3 micrometers-15 micrometers especially.

本実施態様に用いられるめっき層は、カバー層開口部および絶縁層開口部により露出する導体パターンの両面に形成されるものである。めっき層を設けることにより、導体パターンの機械的強度を向上させることができる。そのため、例えば導体パターンの厚みを薄くした場合であっても、導体パターンの破断等が生じにくくなる。また、めっき層を設けることにより、導体パターンの耐食性を向上させることができる。   The plating layer used in this embodiment is formed on both surfaces of the conductor pattern exposed through the cover layer opening and the insulating layer opening. By providing the plating layer, the mechanical strength of the conductor pattern can be improved. Therefore, for example, even when the thickness of the conductor pattern is reduced, the conductor pattern is not easily broken. Moreover, the corrosion resistance of a conductor pattern can be improved by providing a plating layer.

上記めっき層の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等を挙げることができる。また、上記めっき層は、複数の金属めっきにより形成されたものであっても良い。このような複数の金属めっきとしては、例えば、ＣｕめっきとＮｉめっきとＡｕめっきとを組合せたもの、およびＮｉめっきとＡｕめっきとを組合せたもの等を挙げることができる。上記Ｃｕめっきとしては、例えば硫酸銅めっき、およびピロリン酸銅めっき等を挙げることができる。上記Ｎｉめっきとしては、例えばスルファミン酸ニッケルめっき等を挙げることができる。上記Ａｕめっきとしては、例えば中性シアン浴、および酸性金めっき等を挙げることができる。なお、上記めっき層を形成するための前処理として、導体パターンに対して脱脂処理や酸洗処理を行うことが好ましい。   Examples of the material for the plating layer include copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au). The plating layer may be formed by a plurality of metal platings. Examples of the plurality of metal platings include a combination of Cu plating, Ni plating, and Au plating, and a combination of Ni plating and Au plating. Examples of the Cu plating include copper sulfate plating and copper pyrophosphate plating. Examples of the Ni plating include nickel sulfamate plating. Examples of the Au plating include neutral cyan bath and acidic gold plating. In addition, it is preferable to perform a degreasing process and a pickling process with respect to a conductor pattern as pre-processing for forming the said plating layer.

上記めっき層の厚みとしては、特に限定されるものではないが、導体パターンの微細化の点からは薄くすることが好ましく、導体パターンの耐食性や機械的強度を向上させる点からは厚くすることが好ましい。通常０．１μｍ〜５μｍの範囲内であり、中でも０．５μｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。   The thickness of the plating layer is not particularly limited, but is preferably thin from the viewpoint of miniaturization of the conductor pattern, and thick from the viewpoint of improving the corrosion resistance and mechanical strength of the conductor pattern. preferable. Usually, it exists in the range of 0.1 micrometer-5 micrometers, and it is preferable to exist in the range of 0.5 micrometer-3 micrometers especially.

（２）外部接続端子部の構成
次に、本実施態様における外部接続端子部の構成について説明する。本実施態様における外部接続端子部は、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成されたストライプ状の導体パターンと、上記導体パターン上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体パターンを露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体パターンを露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体パターンの両面が露出し、上記露出した導体パターンの両面にめっき層が形成されたものである。外部接続端子部の形状は、矩形状、多角形状、円形状など特に制限されないが、通常は、外部側接続端子に対応する形状で形成される。 (2) Configuration of External Connection Terminal Part Next, the configuration of the external connection terminal part in this embodiment will be described. The external connection terminal portion in this embodiment includes a metal substrate, an insulating layer formed on the metal substrate, a striped conductor pattern formed on the insulating layer, and a cover formed on the conductor pattern. A cover layer opening formed in the cover layer and exposing the conductor pattern, a metal substrate opening formed in the metal substrate, and an insulating layer opening formed in the insulating layer and exposing the conductor pattern Further, both surfaces of the conductor pattern are exposed by the cover layer opening and the insulating layer opening, and a plating layer is formed on both surfaces of the exposed conductor pattern. The shape of the external connection terminal portion is not particularly limited, such as a rectangular shape, a polygonal shape, or a circular shape, but is usually formed in a shape corresponding to the external connection terminal.

さらに、本実施態様においては、上記絶縁層開口部および上記金属基板開口部において、露出している上記めっき層が形成された導体パターンの幅をＷとし、露出している上記めっき層が形成された導体パターンと上記金属基板の端面との最短距離をＤとした場合に、Ｄの値がＷの値以上であることを特徴とする。   Furthermore, in this embodiment, the width of the conductive pattern on which the exposed plating layer is formed is W and the exposed plating layer is formed in the insulating layer opening and the metal substrate opening. When the shortest distance between the conductor pattern and the end face of the metal substrate is D, the value of D is equal to or greater than the value of W.

ここで図５を用いて、本実施態様における外部接続端子部の他の形状例について説明する。図５（ａ）は、本実施態様のサスペンション用基板の外部接続端子部を示す概略断面図であり、露出した導体パターンの周囲に金属基板がある場合である。なお、図５（ａ）に付されている符号については、図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。本実施態様においては、図５（ａ）に示すように、導体パターン３ａのストライプに沿う方向での金属基板開口部６の長さをＸとし、導体パターン３ａのストライプに沿う方向での絶縁層開口部７の長さをＹとする。さらに、ＸおよびＹの差をＺとすると、図５（ａ）においてはＺ＝Ｌ１＋Ｌ２が成立する。Ｌ１およびＬ２は同じ値であっても良く、異なる値であっても良い。 Here, another example of the shape of the external connection terminal portion in this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5A is a schematic cross-sectional view showing the external connection terminal portion of the suspension substrate of the present embodiment, in which a metal substrate is present around the exposed conductor pattern. Note that the reference numerals in FIG. 5A are the same as those in FIG. In this embodiment, as shown in FIG. 5A, the length of the metal substrate opening 6 in the direction along the stripe of the conductor pattern 3a is X, and the insulating layer in the direction along the stripe of the conductor pattern 3a. Let Y be the length of the opening 7. Furthermore, if the difference between X and Y is Z, in FIG. 5A, Z = L 1 + L 2 holds. L 1 and L 2 may be the same value or different values.

一方、図５（ｂ）は、図５を金属基板開口部６側から見た概略平面図である。なお、図５（ｂ）に付されている符号については、図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。図５に示す実施態様では、Ｌ１あるいはＬ２の少なくともいずれかが導体パターン８ｂと金属基板１の端面との最短距離Ｄとなり、金属基板と導体パターンとの半田めっき時の短絡を防止するには、Ｄ≧Ｗとすればよい。 On the other hand, FIG. 5B is a schematic plan view of FIG. 5 viewed from the metal substrate opening 6 side. Note that the reference numerals in FIG. 5B are the same as those in FIG. In the embodiment shown in FIG. 5, the shortest distance D becomes the L 1 or the end surface of at least either the conductor pattern 8b and the metal substrate 1 L 2, to prevent a short circuit when the solder plating of a metal substrate and the conductive pattern May be D ≧ W.

図５（ｂ）においては、導体パターン３ａのストライプに沿う方向と直交する方向での金属基板開口部６の長さをＸ´とし、導体パターン３ａのストライプに沿う方向と直交する方向での絶縁層開口部の長さをＹ´としている。さらに、Ｘ´およびＹ´の差をＺ´とすると、図５（ｂ）においてはＺ´＝Ｌ１´＋Ｌ２´が成立する。本実施態様において、Ｌ１´およびＬ２´は同じ値であっても良く、異なる値であっても良く、Ｘ´、Ｙ´、Ｚ´、Ｌ１´およびＬ２´の値は、上記Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｌ１およびＬ２の値とそれぞれ同じ値であっても良く、異なる値であっても良いが、それぞれの値の好ましい範囲については同様であるので、ここでの説明は省略する。 In FIG. 5B, the length of the metal substrate opening 6 in the direction orthogonal to the direction along the stripe of the conductor pattern 3a is X ′, and the insulation in the direction orthogonal to the direction along the stripe of the conductor pattern 3a is performed. The length of the layer opening is Y ′. Furthermore, if the difference between X ′ and Y ′ is Z ′, Z ′ = L 1 ′ + L 2 ′ is established in FIG. In the present embodiment, L 1 ′ and L 2 ′ may be the same value or different values, and the values of X ′, Y ′, Z ′, L 1 ′ and L 2 ′ are as described above. The values of X, Y, Z, L 1 and L 2 may be the same or different from each other, but the preferred ranges of the respective values are the same. Omitted.

図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施態様ではストライプに直交する方向において、各々の導体パターン３ａの間、および導体パターン３ａと絶縁層２の間には間隙があるので、導体パターン３ａのストライプと直交する方向については、金属基板１と半田が接触して短絡するケースは想定しなくてよく（ストライプに沿う方向での短絡が優先するため）、短絡の規定を設けなくてよい。   As shown in FIGS. 5A and 5B, in this embodiment, there are gaps between the conductor patterns 3a and between the conductor patterns 3a and the insulating layer 2 in the direction orthogonal to the stripes. With respect to the direction orthogonal to the stripe of the conductor pattern 3a, there is no need to assume a case where the metal substrate 1 and the solder come into contact with each other to cause a short circuit (since priority is given to a short circuit in the direction along the stripe), and no short circuit is defined It's okay.

本実施態様において、Ｘは通常１００μｍ〜２０００μｍの範囲内であり、中でも４００μｍ〜１５００μｍの範囲内であることが好ましい。Ｙは通常５０μｍ〜１３００μｍの範囲内であり、中でも２００μｍ〜１０００μｍの範囲内であることが好ましい。Ｌ１またはＬ２は通常２０μｍ以上であり、中でも５０μｍ〜４００μｍの範囲内であることが好ましい。 In this embodiment, X is usually in the range of 100 μm to 2000 μm, and preferably in the range of 400 μm to 1500 μm. Y is usually in the range of 50 μm to 1300 μm, and preferably in the range of 200 μm to 1000 μm. L 1 or L 2 is usually 20 μm or more, and preferably in the range of 50 μm to 400 μm.

（３）サスペンション用基板の製造方法
次に、本実施態様のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本実施態様のサスペンション用基板の製造方法としては、上述したサスペンション用基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。 (3) Method for Manufacturing Suspension Substrate Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to this embodiment will be described. The method for producing the suspension substrate of the present embodiment is not particularly limited as long as it is a method capable of obtaining the suspension substrate described above.

中でも、本実施態様においては、金属基板、絶縁層および導体層がこの順に積層された積層体を準備する積層体準備処理と、上記積層体の導体層をエッチングし、ストライプ状の導体パターンを形成する導体パターン形成処理と、上記積層体の金属基板をエッチングし、金属基板開口部を形成する金属基板開口部形成処理と、上記積層体の絶縁層をエッチングし、絶縁層開口部を形成する絶縁層開口部形成処理と、上記導体パターンをカバー層形成用材料で覆い、露光現像を行うことにより、カバー層開口部を有するカバー層を形成するカバー層形成処理と、上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部に露出する導体パターンの両面に、めっき層を形成するめっき層形成処理と、を有する外部接続端子部形成工程を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体パターンと上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体パターンのパターン幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗとなるサスペンション用基板を形成することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法が好ましい。   Among these, in this embodiment, a laminate preparation process for preparing a laminate in which a metal substrate, an insulating layer, and a conductor layer are laminated in this order, and a conductor layer of the laminate are etched to form a striped conductor pattern. A conductive pattern forming process, a metal substrate opening forming process for etching the metal substrate of the laminate, and forming an insulating layer opening by etching the insulating layer of the laminate. A layer opening forming process, a cover layer forming process for forming a cover layer having a cover layer opening by covering the conductor pattern with a cover layer forming material and performing exposure development, the cover layer opening and the cover layer For a suspension having an external connection terminal portion forming step having a plated layer forming process for forming a plated layer on both surfaces of the conductor pattern exposed at the insulating layer opening A method for manufacturing a plate, in which the shortest distance between the conductor pattern on which the plating layer exposed from the opening of the insulating layer is formed and the metal substrate is D, and the exposed plating layer is formed A suspension substrate manufacturing method is preferred, in which the suspension substrate is formed such that D ≧ W, where W is the pattern width of the conductor pattern.

図６は、本実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す説明図である。図６に示されるサスペンション用基板の製造方法においては、まず、金属基板１、絶縁層２および導体層３ｂがこの順に積層された積層体を準備する（図６（ａ））。次に、この積層体に対して、脱脂および酸洗を行い、積層体の両面に感光性レジストを塗布し乾燥させる。次に、導体層３ｂに対しては目的とする導体パターンが得られるように露光を行い、金属基板１に対しては目的とする金属基板開口部が得られるように露光を行い、その後現像することで、感光性レジストパターン２３を形成する（図６（ｂ））。   FIG. 6 is an explanatory view showing an example of a manufacturing method of the suspension substrate of the present embodiment. In the method for manufacturing the suspension substrate shown in FIG. 6, first, a laminate in which the metal substrate 1, the insulating layer 2, and the conductor layer 3b are laminated in this order is prepared (FIG. 6A). Next, this laminated body is degreased and pickled, and a photosensitive resist is applied to both sides of the laminated body and dried. Next, the conductor layer 3b is exposed to obtain a desired conductor pattern, and the metal substrate 1 is exposed to obtain a target metal substrate opening, and then developed. Thus, a photosensitive resist pattern 23 is formed (FIG. 6B).

次に、導体層３ｂをエッチング液によりエッチングし、ストライプ状の導体パターン３ａを形成する。また、金属基板１をエッチング液によりエッチングし、金属基板開口部６を形成する（図６（ｃ））。次に、絶縁層２をエッチングするために、感光性ドライフィルムを真空ラミネータでラミネートし、目的とする絶縁層開口部が得られるように露光し、感光性レジストパターン２４を形成する（図６（ｄ））。その後、絶縁層をエッチング液によりエッチングし、絶縁層開口部７を形成する（図６（ｅ））。   Next, the conductor layer 3b is etched with an etching solution to form a striped conductor pattern 3a. Further, the metal substrate 1 is etched with an etching solution to form the metal substrate opening 6 (FIG. 6C). Next, in order to etch the insulating layer 2, a photosensitive dry film is laminated with a vacuum laminator and exposed so as to obtain a target insulating layer opening, thereby forming a photosensitive resist pattern 24 (FIG. 6 ( d)). Thereafter, the insulating layer is etched with an etching solution to form the insulating layer opening 7 (FIG. 6E).

次に、導体パターン３ａの表面を粗化させ、金属基板開口部６とは逆の表面を感光性ドライフィルムで覆い、露光現像を行うことにより、カバー層開口部５を有するカバー層４を形成する（図６（ｆ））。最後に、カバー層開口部５および絶縁層開口部７で露出する導体パターン３ａの両面に、めっき層８（８ａおよび８ｂ）を形成することにより、外部接続端子部を形成する。これにより、絶縁層２開口部から露出しているめっき層が形成された導体パターン３ａと上記金属基板１との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体パターン３ａのパターン幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗとなるサスペンション用基板を形成する。   Next, the surface of the conductor pattern 3a is roughened, the surface opposite to the metal substrate opening 6 is covered with a photosensitive dry film, and exposure development is performed to form the cover layer 4 having the cover layer opening 5 (FIG. 6 (f)). Finally, the plating layer 8 (8a and 8b) is formed on both surfaces of the conductor pattern 3a exposed at the cover layer opening 5 and the insulating layer opening 7, thereby forming external connection terminal portions. Accordingly, the shortest distance between the conductive pattern 3a on which the plating layer exposed from the opening of the insulating layer 2 is formed and the metal substrate 1 is D, and the exposed conductive pattern 3a on which the plating layer is formed When the pattern width is W, a suspension substrate that satisfies D ≧ W is formed.

このサスペンション用基板の製造方法において、外部接続端子部形成工程以外の工程については、特に限定されるものではなく、一般的なサスペンション用基板の製造方法における工程と同様である。   In this suspension substrate manufacturing method, the steps other than the external connection terminal portion forming step are not particularly limited, and are the same as the steps in a general suspension substrate manufacturing method.

上記積層体準備処理に用いられる上記の各部材については、上記「（１）サスペンション用基板の部材」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。   Since each member used in the laminate preparation process is the same as that described in the above “(1) Suspension board member”, description thereof is omitted here.

上記金属基板開口部形成処理および上記導体パターン形成処理の順番は特に限定されるものではなく、どちらかの処理を先に行っても良く、同時に行っても良い。上記金属基板開口部形成処理において、積層体の金属基板をエッチングする方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、金属基板上に感光性レジストパターンを形成した後に、エッチング液によりエッチングする方法等を挙げることができる。感光性レジストパターンを形成する方法としては、具体的には、金属基板上に、感光性レジストを塗布し乾燥させるか、ロールラミネータでラミネートすることにより、ベタの感光性レジスト層を形成し、目的とする金属基板開口部の形状に合わせて露光現像する方法等を挙げることができる。例えば、上記金属基板がステンレスである場合は、塩化鉄系エッチング液によりエッチングすることができる。   The order of the metal substrate opening forming process and the conductor pattern forming process is not particularly limited, and either process may be performed first or simultaneously. In the metal substrate opening forming process, the method for etching the metal substrate of the laminate is not particularly limited. For example, after forming a photosensitive resist pattern on the metal substrate, etching is performed with an etching solution. The method etc. can be mentioned. As a method for forming a photosensitive resist pattern, specifically, a solid photosensitive resist layer is formed by applying a photosensitive resist on a metal substrate and drying or laminating with a roll laminator. And a method of exposing and developing in accordance with the shape of the opening of the metal substrate. For example, when the metal substrate is stainless steel, it can be etched with an iron chloride etching solution.

上記絶縁層開口部形成処理は、通常、上記金属基板開口部形成処理の後に行われる。積層体の絶縁層をエッチングする方法についても、上記の金属基板と同様に、感光性レジストパターンを形成した後に、エッチング液によりエッチングする方法を挙げることができる。例えば、上記絶縁層の材料が、ポリイミド樹脂である場合は、ポリイミド専用のエッチング液を用いてエッチングすることができる。   The insulating layer opening forming process is usually performed after the metal substrate opening forming process. As for the method of etching the insulating layer of the laminate, a method of etching with an etchant after forming a photosensitive resist pattern can be mentioned as in the case of the metal substrate. For example, when the material of the insulating layer is a polyimide resin, the insulating layer can be etched using a polyimide-dedicated etchant.

上記導体パターン形成処理において、積層体の導体層をエッチングする方法については、特に限定されるものではないが、例えば、導体層上に感光性レジストパターンを形成した後に、エッチング液によりエッチングする方法を挙げることができる。例えば、上記導体層の材料が銅である場合は、塩化鉄系エッチング液によりエッチングすることができる。   In the conductor pattern formation process, the method for etching the conductor layer of the laminate is not particularly limited. For example, after forming a photosensitive resist pattern on the conductor layer, a method for etching with an etching solution is used. Can be mentioned. For example, when the material of the conductor layer is copper, it can be etched with an iron chloride based etchant.

上記カバー層形成処理において用いられる上記カバー層形成用材料としては、所望のカバー層を得ることができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば感光性レジスト等を挙げることができる。本実施態様においては、感光性ドライフィルムレジストにより、導体パターンおよび絶縁層を覆っても良く、液体状感光性レジストを塗布乾燥させることにより、導体パターンおよび絶縁層を覆っても良い。   The cover layer forming material used in the cover layer forming process is not particularly limited as long as a desired cover layer can be obtained, and examples thereof include a photosensitive resist. In this embodiment, the conductive pattern and the insulating layer may be covered with a photosensitive dry film resist, or the conductive pattern and the insulating layer may be covered by applying and drying a liquid photosensitive resist.

本実施態様においては、カバー層形成用材料に対して、露光現像を行うことにより、カバー層を形成する。さらに必要に応じて、現像後にカバー層のキュア処理を行っても良い。キュア処理の際、導体パターンの酸化を防止するために、窒素等の不活性ガスの雰囲気下で加熱を行うことが好ましい。   In this embodiment, the cover layer is formed by exposing and developing the cover layer forming material. Further, if necessary, the cover layer may be cured after development. In the curing process, heating is preferably performed in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen in order to prevent oxidation of the conductor pattern.

上記めっき層形成処理に用いられるめっき層の種類やめっき層を形成する方法等については、上記「（１）サスペンション用基板の部材」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。   The type of plating layer used in the plating layer forming process, the method of forming the plating layer, and the like are the same as those described in the above “(1) Suspension board member”, so the description thereof is omitted here. To do.

２．第二実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の第二実施態様について説明する。本実施態様のサスペンション用基板は、外部接続端子部に露出している導体層が絶縁層との間に間隙なく形成されている態様であり、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、上記導体層上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体層を露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体層が露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体層の両面が露出し、上記露出した導体層の両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体層と上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体層の幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とするものである。 2. Second Embodiment Next, a second embodiment of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of this embodiment is a mode in which the conductor layer exposed to the external connection terminal portion is formed without a gap between the insulation layer and the metal substrate, and the insulation formed on the metal substrate. A conductive layer formed on the insulating layer, a cover layer formed on the conductive layer, a cover layer opening formed on the cover layer and exposing the conductive layer, and formed on the metal substrate And an insulating layer opening formed in the insulating layer and exposing the conductor layer, and both surfaces of the conductor layer are exposed by the cover layer opening and the insulating layer opening. A suspension substrate having external connection terminal portions on which plating layers are formed on both surfaces of the exposed conductor layer, the conductor layer having the plating layer exposed from the insulating layer opening and the metal The shortest distance to the board Is D, the width of the plating layer is formed a conductor layer exposed when is W, is characterized in that a D ≧ W.

本実施態様によれば、Ｄの値がＷの値以上であることから、例えば半田接続を行う場合に、溶融半田が流れた場合であっても、導体層と金属基板との接触を防止でき、短絡を防止できる。本実施態様においては、Ｗの値に対して、Ｄの値を充分に大きくすることにより、溶融半田による短絡をより効果的に防止することができる。また、本実施態様においては、導体層の表面にめっき層を有していることから、例えば導体層の膜厚を薄くした場合であっても、充分な機械的強度を維持することができる。   According to this embodiment, since the value of D is equal to or greater than the value of W, contact between the conductor layer and the metal substrate can be prevented even when molten solder flows, for example, when performing solder connection. Can prevent short circuit. In this embodiment, by making the value of D sufficiently larger than the value of W, a short circuit due to molten solder can be prevented more effectively. Moreover, in this embodiment, since the plating layer is provided on the surface of the conductor layer, sufficient mechanical strength can be maintained even when the thickness of the conductor layer is reduced, for example.

なお、本実施態様のサスペンション用基板は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いることができる。特に、本実施態様のサスペンション用基板は、外部接続端子と外部回路とを半田接続する半田接続型のサスペンション用基板であることが好ましい。   The suspension substrate of this embodiment can be used for a magnetic head suspension of a hard disk drive (HDD), for example. In particular, the suspension substrate of the present embodiment is preferably a solder connection type suspension substrate in which an external connection terminal and an external circuit are solder-connected.

（１）外部接続端子部の部材
本実施態様における外部接続端子部の部材については、導体パターンが、パターン状ではない導体層に変わったこと以外は、上記「１．第一実施態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。 (1) Member of external connection terminal part About the member of the external connection terminal part in this embodiment, it describes in said "1. 1st embodiment" except having changed the conductor pattern into the conductor layer which is not pattern shape. Since it is the same as that described above, a description thereof is omitted here.

（２）外部接続端子部の構成
次に、本実施態様における外部接続端子部の構成について説明する。本実施態様における外部接続端子部は、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、上記導体層上に形成されたカバー層と、上記カバー層に形成され上記導体層を露出するカバー層開口部と、上記金属基板に形成された金属基板開口部と、上記絶縁層に形成され上記導体層が露出する絶縁層開口部とを有し、さらに上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部により上記導体層の両面が露出し、上記露出した導体層の両面にめっき層が形成されたものである。 (2) Configuration of External Connection Terminal Part Next, the configuration of the external connection terminal part in this embodiment will be described. The external connection terminal portion in this embodiment includes a metal substrate, an insulating layer formed on the metal substrate, a conductor layer formed on the insulating layer, a cover layer formed on the conductor layer, A cover layer opening formed in the cover layer and exposing the conductor layer; a metal substrate opening formed in the metal substrate; and an insulating layer opening formed in the insulating layer and exposing the conductor layer. Furthermore, both surfaces of the conductor layer are exposed through the cover layer opening and the insulating layer opening, and plating layers are formed on both surfaces of the exposed conductor layer.

さらに、本実施態様においては、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体層と上記金属基板１とのＸ方向における最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体層の幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗであることを特徴とする。   Furthermore, in this embodiment, the shortest distance in the X direction between the conductor layer on which the plating layer exposed from the opening of the insulating layer is formed and the metal substrate 1 is D, and the exposed plating layer When the width of the conductor layer on which is formed is W, D ≧ W.

ここで図７を用いて、本実施態様における外部接続端子部の形状について説明する。図７（ａ）は、本実施態様のサスペンション用基板の外部接続端子部を示す概略断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）を金属基板開口部６側から見た概略平面図であり、平面パッド形状をなすものである。なお、図７に付されている符号については、導体パターン３ａの代わりに導体層３ｂを用いたこと以外は、図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。本実施態様においては、図７（ｂ）に示すように、絶縁層開口部７から露出しているめっき層８ｂが形成された導体層３ｂと上記金属基板１との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層（８ａおよび８ｂ）が形成された導体層３ｂの幅をＷとする。   Here, the shape of the external connection terminal portion in this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7A is a schematic cross-sectional view showing the external connection terminal portion of the suspension substrate of the present embodiment, and FIG. 7B is a schematic view of FIG. 7A viewed from the metal substrate opening 6 side. It is a top view and makes a plane pad shape. Note that the reference numerals in FIG. 7 are the same as those in FIG. 1 except that the conductor layer 3b is used instead of the conductor pattern 3a, and thus the description thereof is omitted here. In this embodiment, as shown in FIG. 7B, the shortest distance between the metal layer 1 and the conductor layer 3b on which the plating layer 8b exposed from the insulating layer opening 7 is formed is D, and exposed. The width of the conductor layer 3b on which the plated layers (8a and 8b) are formed is defined as W.

図７に示す実施態様では、ＹまたはＹ´が導体幅Ｗとなり、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１´およびＬ２´のいずれかが導体層と金属基板１の端面との最短距離Ｄとなる。図７では、一例として、Ｙ´が導体幅Ｗ、Ｌ１が最短距離Ｄとしている。金属基板と導体パターンとの半田めっき時の短絡を防止するには、Ｄ≧Ｗとすればよい。 In the embodiment shown in FIG. 7, Y or Y ′ is the conductor width W, and any of L 1 , L 2 , L 1 ′ and L 2 ′ is the shortest distance D between the conductor layer and the end face of the metal substrate 1. . In FIG. 7, as an example, Y ′ is the conductor width W and L 1 is the shortest distance D. In order to prevent a short circuit during solder plating between the metal substrate and the conductor pattern, D ≧ W may be satisfied.

本実施態様において、図７（ｂ）に示しためっき層８ｂ（めっきされた導体層３ｂ）は、外部接続端子部の形状例として、正方形の場合を示しているが、もとより本実施態様の外部接続端子部は、他の形状、長方形、多角形、円形、楕円形等であってもよい。例えば、外部接続端子部が矩形の場合には、Ｘ、Ｙは通常２０μｍ〜１８００μｍの範囲内であり、中でも１００μｍ〜１５００μｍの範囲内であることが好ましい。Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１´およびＬ２´は、通常２０μｍ以上であり、中でも５０μｍ〜５００μｍの範囲内であることが好ましい。 In this embodiment, the plated layer 8b (plated conductor layer 3b) shown in FIG. 7B shows a square shape as an example of the shape of the external connection terminal portion. The connection terminal portion may have another shape, a rectangle, a polygon, a circle, an ellipse, or the like. For example, when the external connection terminal portion is rectangular, X and Y are usually in the range of 20 μm to 1800 μm, and preferably in the range of 100 μm to 1500 μm. L 1 , L 2 , L 1 ′ and L 2 ′ are usually 20 μm or more, and preferably in the range of 50 μm to 500 μm.

（３）サスペンション用基板の製造方法
次に、本実施態様のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本実施態様のサスペンション用基板の製造方法としては、上述したサスペンション用基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。 (3) Method for Manufacturing Suspension Substrate Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to this embodiment will be described. The method for producing the suspension substrate of the present embodiment is not particularly limited as long as it is a method capable of obtaining the suspension substrate described above.

中でも、本実施態様においては、金属基板、絶縁層および導体層がこの順に積層された積層体を準備する積層体準備処理と、上記積層体の金属基板をエッチングし、金属基板開口部を形成する金属基板開口部形成処理と、上記積層体の絶縁層をエッチングし、絶縁層開口部を形成する絶縁層開口部形成処理と、上記導体層をカバー層形成用材料で覆い、露光現像を行うことにより、カバー層開口部を有するカバー層を形成するカバー層形成処理と、上記カバー層開口部および上記絶縁層開口部に露出する導体層の両面に、めっき層を形成するめっき層形成処理と、を有する外部接続端子部形成工程を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記絶縁層開口部から露出している上記めっき層が形成された導体層と上記金属基板との最短距離をＤとし、露出している上記めっき層が形成された導体層の幅をＷとした場合に、Ｄ≧Ｗとなるサスペンション用基板を形成することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法が好ましい。   Among these, in the present embodiment, a laminate preparation process for preparing a laminate in which a metal substrate, an insulating layer, and a conductor layer are laminated in this order, and etching the metal substrate of the laminate to form a metal substrate opening. Metal substrate opening forming treatment, insulating layer opening forming treatment for etching the insulating layer of the laminate, and forming the insulating layer opening, covering the conductor layer with a cover layer forming material, and performing exposure development A cover layer forming process for forming a cover layer having a cover layer opening, and a plating layer forming process for forming a plating layer on both surfaces of the conductor layer exposed to the cover layer opening and the insulating layer opening; A method for manufacturing a suspension substrate having an external connection terminal portion forming step including: a conductor layer on which the plating layer exposed from the insulating layer opening is formed; A method of manufacturing a suspension substrate, comprising: forming a suspension substrate where D ≧ W, where D is the distance and W is the width of the exposed conductor layer on which the plating layer is formed. preferable.

このサスペンション用基板の製造方法における各処理の詳細については、上記「１．第一実施態様（３）サスペンション用基板の製造方法」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。   The details of each process in the manufacturing method of the suspension substrate are the same as the contents described in “1. First Embodiment (3) Manufacturing Method of Suspension Substrate”, and thus the description thereof is omitted here. .

（４）第二の実施態様の別な形態
図８は、本発明の第二の実施態様における別な実施形態を示すものであり、図８（ａ）は、本実施形態のサスペンション用基板の外部接続端子部を示す概略断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）を金属基板開口部６側から見た概略平面図である。図８（ａ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ´線における断面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、絶縁層開口部７に露出しているめっき層８ｂの周囲の金属基板は、一方向の金属基板１を残して除かれており、絶縁層２が広く露出する形状をしている。絶縁層開口部７は略楕円形をしており、露出しているめっき層８ｂが形成された導体層３ｂの中央部には、めっき層（８ａおよび８ｂ）とともに略楕円形の空気抜き用の穴１０が設けられている。また、導体層３ｂの形状に対応して、金属基板１には円弧状の切込みを設けてある。なお、図８に付されている符号については、導体パターン３ａの代わりに導体層３ｂを用いたこと、および空気抜き用の穴１０を用いたこと以外は、図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。 (4) Another Form of Second Embodiment FIG. 8 shows another embodiment of the second embodiment of the present invention, and FIG. 8 (a) shows the suspension substrate of the present embodiment. It is a schematic sectional drawing which shows an external connection terminal part, FIG.8 (b) is the schematic plan view which looked at Fig.8 (a) from the metal substrate opening part 6 side. FIG. 8A is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. As shown in FIGS. 8A and 8B, the metal substrate around the plating layer 8b exposed in the insulating layer opening 7 is removed except for the metal substrate 1 in one direction. The insulating layer 2 has a shape that is widely exposed. The insulating layer opening 7 has a substantially elliptical shape, and the central portion of the conductor layer 3b on which the exposed plating layer 8b is formed has a substantially elliptical air vent hole together with the plating layers (8a and 8b). 10 is provided. Further, the metal substrate 1 is provided with arc-shaped cuts corresponding to the shape of the conductor layer 3b. The reference numerals in FIG. 8 are the same as those in FIG. 1 except that the conductor layer 3b is used instead of the conductor pattern 3a and the air vent hole 10 is used. Description of is omitted.

絶縁層開口部７から露出しているめっき層８ｂが形成された導体層３ｂと上記金属基板１との距離をＬ１とし、露出している上記めっき層が形成された導体層３ｂの幅をＷとすると、Ｗ＝Ｙ´となり、導体層３ｂと上記金属基板１との最短距離Ｄは、Ｄ＝Ｌ１となる。金属基板と導体層との半田めっき時の短絡を防止するには、Ｄ≧Ｗとすればよい。ここで、図８に示す例では、めっき層８ｂ上に半田接続を行う場合、溶融半田の流出による金属基板１への短絡は、楕円形状の短径方向の幅Ｙ´に影響されるので、Ｙ´を用いている。 The distance between the insulating layer openings 7 plated layer 8b conductor layer 3b formed thereon and the metal substrate 1 exposed from the L 1, the width of the plating layer is formed a conductor layer 3b exposed When W, W = Y'next shortest distance D between the conductive layer 3b and the metal substrate 1 becomes D = L 1. In order to prevent a short circuit during solder plating between the metal substrate and the conductor layer, D ≧ W may be satisfied. Here, in the example shown in FIG. 8, when the solder connection is performed on the plating layer 8b, the short circuit to the metal substrate 1 due to the outflow of the molten solder is affected by the width Y 'of the elliptical minor axis direction. Y ′ is used.

本実施形態では、導体層の中央部に５００μｍ以下の微細な空気抜き用の穴があるものの、外部接続端子部に露出している導体層が絶縁層との間に間隙なく形成されている態様であり、本発明の第二の実施態様に含まれるものである。もとより、本発明においては、導体層の形状は矩形、多角形、円形、楕円形等、特に限定されるものではない。   In the present embodiment, although there is a fine air vent hole of 500 μm or less in the central portion of the conductor layer, the conductor layer exposed to the external connection terminal portion is formed without a gap between the insulating layer. And included in the second embodiment of the present invention. Of course, in the present invention, the shape of the conductor layer is not particularly limited to a rectangle, a polygon, a circle, an ellipse or the like.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

［実施例１］
（サスペンション用基板の作製）
厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４（金属基板）、厚さ１０μｍのポリイミド層（絶縁層）、厚さ９μｍの電解銅箔からなるＣｕ配線層（導体層）が、この順に積層された３層の積層体を用意し、この積層体に以下に述べる化学エッチング等を行うことにより、図１に示すように、外部接続端子部にストライプ状の導体パターンが形成されたサスペンション用基板を得た。 [Example 1]
(Production of suspension substrate)
A three-layer laminate in which a SUS304 (metal substrate) having a thickness of 20 μm, a polyimide layer (insulating layer) having a thickness of 10 μm, and a Cu wiring layer (conductor layer) made of an electrolytic copper foil having a thickness of 9 μm are laminated in this order. The laminate was prepared and subjected to the following chemical etching or the like to obtain a suspension substrate having a stripe-shaped conductor pattern formed on the external connection terminal portion as shown in FIG.

まず上記の３層の積層体を脱脂、酸洗し、積層体の表裏両面に感光性レジストを塗布し、乾燥した後、表裏の感光性レジストに所望のパターンを形成してあるガラスマスクを用いて、紫外線により画像を焼き付けた後、感光性レジストに適した現像液により不要部分を除去した。次に、Ｃｕ面、およびＳＵＳ面を塩化鉄系エッチング液により、Ｃｕ面、ＳＵＳ面の各々に適した条件にてエッチングし、その後、感光性レジストを剥離液にて除去して、３本のストライプ状の導体パターンおよび金属基板開口部を形成した。   First, the above three-layer laminate is degreased, pickled, coated with a photosensitive resist on both sides of the laminate, dried, and then used with a glass mask having a desired pattern formed on the front and back photosensitive resist. After the image was printed with ultraviolet rays, unnecessary portions were removed with a developer suitable for the photosensitive resist. Next, the Cu surface and the SUS surface are etched with an iron chloride-based etching solution under conditions suitable for each of the Cu surface and the SUS surface, and then the photosensitive resist is removed with a stripping solution. Striped conductor patterns and metal substrate openings were formed.

次に、ポリイミド層をエッチング加工するために、感光性ドライフィルムを真空ラミネーターでラミネートし、所望のパターンを形成してあるガラスマスクを用いて、紫外線により画像を焼き付けた。その後、現像液により不要部分を除去した後、ポリイミド専用のエッチング液によりポリイミド層をエッチングし、ドライフィルムを剥離して、絶縁層開口部を形成した。絶縁層開口部に露出する導体パターンの幅は１００μｍ、長さは７５０μｍ、絶縁層開口部の導体パターンの端から金属基板との距離は１５０μｍとなるように設計した。   Next, in order to etch the polyimide layer, a photosensitive dry film was laminated with a vacuum laminator, and an image was printed with ultraviolet rays using a glass mask on which a desired pattern was formed. Then, after removing an unnecessary part with a developing solution, the polyimide layer was etched with the etching solution only for a polyimide, the dry film was peeled, and the insulating layer opening part was formed. The conductor pattern exposed in the insulating layer opening was designed to have a width of 100 μm, a length of 750 μm, and a distance from the end of the conductor pattern of the insulating layer opening to the metal substrate of 150 μm.

次に、Ｃｕの導体パターンの表面を粗化して、カバー層との密着性を向上させる処理をしてから、配線保護のための感光性カバー層用レジストを塗布し、露光、現像し、キュアして、所定の形状のカバー層開口部を有するカバー層を形成した。   Next, the surface of the Cu conductor pattern is roughened to improve adhesion to the cover layer, and then a photosensitive cover layer resist for wiring protection is applied, exposed, developed, and cured. Thus, a cover layer having a cover layer opening of a predetermined shape was formed.

次に、めっきの前処理として、脱脂、酸洗を行った後、カバー層開口部および絶縁層開口部に露出している導体パターンの両面に、スルファミン酸ニッケルめっき浴でＮｉを電解で０．２μｍめっきし、中性シアン浴でＡｕを電解で２μｍめっきし、めっき層を形成した。Ｎｉめっき、Ａｕめっき後のめっき層が形成された導体パターンの幅（Ｗ）は１０４μｍであり、外部接続端子部を有するサスペンション用基板が得られた。一方、絶縁層開口部から露出しているめっき層が形成された導体パターンと金属基板との最短距離（Ｄ）は、１５０μｍである。上記のように、このサスペンション用基板は、最短距離Ｄが導体パターンのパターン幅Ｗよりも大きくしてある。   Next, as a pretreatment for plating, after degreasing and pickling, Ni is electrolyzed in a nickel sulfamate plating bath on both surfaces of the conductor pattern exposed at the cover layer opening and the insulating layer opening. 2 μm was plated, and Au was plated by 2 μm by electrolysis in a neutral cyan bath to form a plating layer. The width (W) of the conductor pattern on which the plated layer after Ni plating and Au plating was formed was 104 μm, and a suspension substrate having an external connection terminal portion was obtained. On the other hand, the shortest distance (D) between the conductor pattern on which the plating layer exposed from the insulating layer opening is formed and the metal substrate is 150 μm. As described above, the suspension substrate has the shortest distance D larger than the pattern width W of the conductor pattern.

（半田接続テスト）
上記のサスペンション用基板の外部接続端子部に溶融半田による接続を行った。絶縁層上にも半田が少し流れ出たが、溶融半田による導体パターンと金属基板との短絡は生じず、良好な接続が得られた。 (Solder connection test)
The external connection terminal portion of the suspension board was connected by molten solder. Although solder slightly flowed out on the insulating layer, a short circuit between the conductor pattern and the metal substrate due to the molten solder did not occur, and a good connection was obtained.

［実施例２］
実施例１と同じ３層の積層体を用い、図７に示すように、外部接続端子部に平面パッド構造の導体層が形成されたサスペンション用基板を得た。製造工程は、実施例１と同じなので省略する。本実施例の外部接続端子部の導体層は、９μｍのＣｕに、Ｎｉを０．２μｍ厚、Ａｕを２μｍ厚にめっきし、絶縁層開口部側から見ためっきされた導体層の平面形状は一辺１００μｍの正方形であり、導体層と金属基板との最短距離（Ｄ）は、１００μｍとした。上記のように、このサスペンション用基板は、最短距離Ｄが導体パターンのパターン幅Ｗよりも大きくしてある。
次に、上記のサスペンション用基板の外部接続端子部に溶融半田による接続を行った。絶縁層上にも半田が少し流れ出たが、溶融半田による導体層と金属基板との短絡は生じず、良好な接続が得られた。 [Example 2]
Using the same three-layer laminate as in Example 1, as shown in FIG. 7, a suspension substrate was obtained in which a conductor layer having a planar pad structure was formed on the external connection terminal portion. Since the manufacturing process is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted. The conductor layer of the external connection terminal part of this example is obtained by plating 9 μm Cu, Ni 0.2 μm thick and Au 2 μm thick, and the planar shape of the plated conductor layer as viewed from the insulating layer opening side is The square was 100 μm on a side, and the shortest distance (D) between the conductor layer and the metal substrate was 100 μm. As described above, the suspension substrate has the shortest distance D larger than the pattern width W of the conductor pattern.
Next, the external connection terminal portion of the suspension board was connected by molten solder. Although a small amount of solder also flowed onto the insulating layer, a short circuit between the conductor layer and the metal substrate due to the molten solder did not occur, and a good connection was obtained.

［比較例１］
実施例１と同じ３層の積層体を用い、金属基板開口部の寸法のみが実施例１と異なる外部接続端子部にストライプ状の導体パターン（導体パターンの幅（Ｗ）は１００μｍ）が形成されたサスペンション用基板を得た。この外部接続端子部は、絶縁層開口部から露出しているめっき層が形成された導体パターンと金属基板との最短距離（Ｄ）は、３０μｍであり、設計値通りであった。上記のように、このサスペンション用基板は、最短距離Ｄが導体パターンのパターン幅Ｗよりも小さいものである。
上記のサスペンション用基板の外部接続端子部に溶融半田による接続を行ったところ、絶縁層上に流れ出た溶融半田が金属基板と接触してしまい、導体パターンと金属基板とが短絡を生じてしまった。 [Comparative Example 1]
The same three-layer laminate as in Example 1 is used, and a striped conductor pattern (the width (W) of the conductor pattern is 100 μm) is formed on the external connection terminal part which is different from Example 1 only in the dimensions of the metal substrate opening. A suspension substrate was obtained. In this external connection terminal portion, the shortest distance (D) between the conductor pattern on which the plating layer exposed from the opening portion of the insulating layer was formed and the metal substrate was 30 μm, which was as designed. As described above, the suspension substrate has the shortest distance D smaller than the pattern width W of the conductor pattern.
When the connection to the external connection terminal portion of the suspension board was made with molten solder, the molten solder flowing out on the insulating layer was in contact with the metal board, causing a short circuit between the conductor pattern and the metal board. .

１ … 金属基板
２ … 絶縁層
３ａ … 導体パターン
３ｂ … 導体層
４ … カバー層
５ … カバー層開口部
６ … 金属基板開口部
７ … 絶縁層開口部
８ … めっき層
９ … 半田
１０ … 空気抜き穴
１１ … ジンバル部
１２ … 外部接続端子領域
１３ … 配線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal substrate 2 ... Insulating layer 3a ... Conductor pattern 3b ... Conductor layer 4 ... Cover layer 5 ... Cover layer opening 6 ... Metal substrate opening 7 ... Insulating layer opening 8 ... Plating layer 9 ... Solder 10 ... Air vent hole 11 ... Gimbal part 12 ... External connection terminal area 13 ... Wiring

Claims (2)

金属基板と、前記金属基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたストライプ状の導体パターンと、前記導体パターン上に形成されたカバー層と、前記カバー層に形成され前記導体パターンを露出するカバー層開口部と、前記金属基板に形成された金属基板開口部と、前記絶縁層に形成され前記導体パターンを露出する絶縁層開口部とを有し、さらに前記カバー層開口部および前記絶縁層開口部により前記導体パターンの両面が露出し、前記露出した導体パターンの両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、
前記絶縁層開口部から露出している前記めっき層が形成された導体パターンと前記金属基板との最短距離をＤとし、露出している前記めっき層が形成された導体パターンのパターン幅をＷとした場合に、
Ｄ≧Ｗ
であることを特徴とするサスペンション用基板。 A metal substrate; an insulating layer formed on the metal substrate; a striped conductor pattern formed on the insulating layer; a cover layer formed on the conductor pattern; and the cover layer formed on the cover layer A cover layer opening that exposes a conductor pattern; a metal substrate opening formed in the metal substrate; and an insulating layer opening formed in the insulating layer that exposes the conductor pattern; and the cover layer opening A suspension substrate comprising external connection terminal portions in which both surfaces of the conductor pattern are exposed by the portion and the insulating layer opening, and plating layers are formed on both surfaces of the exposed conductor pattern,
The shortest distance between the conductor pattern on which the plating layer exposed from the insulating layer opening is formed and the metal substrate is D, and the pattern width of the conductor pattern on which the plating layer is exposed is W. If
D ≧ W
Suspension substrate characterized by the above. 金属基板と、前記金属基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体層と、前記導体層上に形成されたカバー層と、前記カバー層に形成され前記導体層を露出するカバー層開口部と、前記金属基板に形成された金属基板開口部と、前記絶縁層に形成され前記導体層が露出する絶縁層開口部とを有し、さらに前記カバー層開口部および前記絶縁層開口部により前記導体層の両面が露出し、前記露出した導体層の両面にめっき層が形成された外部接続端子部を備えるサスペンション用基板であって、
前記絶縁層開口部から露出している前記めっき層が形成された導体層と前記金属基板との最短距離をＤとし、露出している前記めっき層が形成された導体層の幅をＷとした場合に、
Ｄ≧Ｗ
であることを特徴とするサスペンション用基板。 A metal substrate, an insulating layer formed on the metal substrate, a conductor layer formed on the insulating layer, a cover layer formed on the conductor layer, and the conductor layer formed on the cover layer. An exposed cover layer opening; a metal substrate opening formed in the metal substrate; and an insulating layer opening formed in the insulating layer from which the conductor layer is exposed; and the cover layer opening and A suspension substrate including external connection terminal portions in which both surfaces of the conductor layer are exposed by an insulating layer opening, and plating layers are formed on both surfaces of the exposed conductor layer,
The shortest distance between the conductor layer on which the plating layer exposed from the insulating layer opening is formed and the metal substrate is D, and the width of the conductor layer on which the plating layer is exposed is W. In case,
D ≧ W
Suspension substrate characterized by the above.
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