JP2010522953A - 電磁放射を発生させるための放射源及び電磁放射の発生方法 - Google Patents
電磁放射を発生させるための放射源及び電磁放射の発生方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010522953A JP2010522953A JP2010500123A JP2010500123A JP2010522953A JP 2010522953 A JP2010522953 A JP 2010522953A JP 2010500123 A JP2010500123 A JP 2010500123A JP 2010500123 A JP2010500123 A JP 2010500123A JP 2010522953 A JP2010522953 A JP 2010522953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- anode
- radiation
- radiation source
- electromagnetic radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2045—Exposure; Apparatus therefor using originals with apertures, e.g. stencil exposure masks
- G03F7/2047—Exposure with radiation other than visible light or UV light, e.g. shadow printing, proximity printing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
電磁放射を発生させるための放射源(50)は、アノード(1)、カソード(2)、及び放電空間(4)を含む。アノード(1)とカソード(2)は、プラズマ(16)を形成して電磁放射を発生させるべく放電空間(4)内の物質(P)中に放電(16)を生成するように構成される。放射源(50)は、物質(P)の少なくとも1つの成分を放電空間(4)に近接する位置に供給するように構成された燃料供給源(14)も含む。この燃料供給源(14)は、アノード(1)及びカソード(2)から離れて配置される。放射源(50)は、アノード(1)及び/又はカソード(2)上又は近辺に冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持するように構成された更なる供給源(10)も含む。
Description
[0001] 本発明は、一般に、極端紫外線放射のような電磁放射を発生させるための放射源に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に用いることができる。その場合、ICの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板(例えば、シリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば、ダイの一部、又は1つ以上のダイを含む)に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向(「スキャン」方向)にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] リソグラフィ装置において、ウェーハ上に結像可能であるフィーチャのサイズは、投影放射の波長によっていくらか制限されうる。デバイス密度の高い、すなわち高速に動作する集積回路を製造するためには、より微細なフィーチャを結像可能であることが望ましい。現行のリソグラフィ装置の多くが、水銀ランプ又はエキシマレーザによって発生された紫外線光を用いている一方で、約13nm周辺の短波長放射を使用することが提案されている。このような放射は、極紫外線と呼ばれ、XUV又はEUV放射とも称される。略字「XUV」は、通常、数十分の一ナノメートルから数十ナノメートルまでの波長範囲を指し、軟X線と真空UV範囲を組み合わせたものである。一方、用語「EUV」は、通常、約5乃至20nmの放射帯域、すなわち、XUV範囲の一部を指し、リソグラフィ(EUVL)と合わせて用いられる。
[0004] XUV放射の放射源は、放電プラズマ放射源であってよく、この放射源内では、プラズマがアノードとカソードとの間の物質(例えば、ガス又は蒸気)内の放電によって発生され、また、高温の放電プラズマが該プラズマを流れる(パルス)電流によるオーミック加熱によって生成されうる。プラズマを流れる電流によって発生される磁場によるプラズマ圧縮を用いて、高温かつ高密度なプラズマを放電軸上に生成することができる(ピンチ効果)。蓄積された電気エネルギーは、プラズマの温度、そして短波長放射へと直接的に変換される。ピンチは、相当に高温かつ高密度なプラズマを放電軸上にもたらし、それにより、蓄積された電気エネルギーから熱プラズマエネルギーへの、したがって、XUV放射への極めて高い変換効率が提供される。プラズマフォーカス、Zピンチ、中空カソード、及びキャピラリー放電源といったプラズマ放電デバイスの構成及び動作は様々であってよいが、これらのタイプのほとんど全てにおいて、放電の電流によって発生された磁場がプラズマの圧縮を推進する。
[0005] 蓄積された電気エネルギーがプラズマ温度に変換される速度が高いと、アノード及びカソードへの熱負荷が非常に高くなる。これは、アノード及び/又はカソードを変形、又は、更には融解させてしまう場合があり、これは放射源の最大出力を不都合に制限してしまいうる。
[0006] 該物質は、アノード及びカソードを用いて液状で供給することができる。アノード及び/又はカソードは、放射源のフレーム上に回転可能に取り付けられ、また、Snといった液体金属を含むリザーバ内に部分的に浸漬されてよい。レーザを用いて、アノード又はカソードの表面から液体を蒸発させる。槽内に浸漬されるアノード及び/又はカソードの一部は適切にリザーバによって冷却され、それにより、プラズマの温度によって引き起こされる熱負荷に対するアノード及び/又はカソードの脆弱性を低減することができる。
[0007] このような放射源の不利点は、放電の繰り返し周波数がホイールの回転速度によって制限されうることであり、これは、レーザによって蒸発されたSnがリザーバから、又は別の形態のSn供給源からのSnによって置き換えられる必要があるからである。
[0008] 本発明の一態様では、電磁放射、好適には、極端紫外線放射を発生させる放射源が提供される。この放射源は、アノード、カソード、及び放電空間を含む。アノードとカソードは、プラズマを形成して電磁放射を発生させるべく放電空間内の物質中に放電を生成するように構成される。放射源は更に、物質の少なくとも1つの成分を放電空間に近接する位置に供給するように構成された燃料供給源を含む。この燃料供給源は、アノード及びカソードから離れて配置される。放射源は更に、アノード及び/又はカソード上又は近辺に、Sn層といった冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持するように構成された更なる供給源を含む。通常、放電空間は、アノードとカソードとの間に配置される。冷却及び/又は保護層は、Snを含む合金といった液体によって形成されてよい。このような合金は、GaInSn合金といったGaとSnを含んでよい。冷却及び/又は保護層は液体金属から形成されてよい。
[0009] アノード及び/又はカソードは、放射源内に回転可能に取り付けられてよい。アノード及び/又はカソードは、アノード及び/又はカソードの回転時に更なる供給源が層を形成及び/又は維持するように回転可能に取り付けられてよい。
[0010] 燃料供給源は、燃料源と、燃料源の付近に配置されるラジカルジェネレータとを含み、ラジカルジェネレータは、燃料源によって供給された燃料からラジカルを発生させるように構成される。これらのラジカルは、アノード及び/又はカソード上のコーティングと反応して物質を形成するのに好適であってよい。
[0011] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置用のモジュールが提供される。このモジュールは、電磁放射を発生させるよう構成された放射源を含む。この放射源は、アノード、カソード、及び放電空間を含む。アノードとカソードは、プラズマを形成して電磁放射を発生させるべく放電空間内の物質中に放電を生成するように構成される。放射源は更に、物質の少なくとも1つの成分を放電空間に近接する位置に供給するように構成された燃料供給源を含む。この燃料供給源は、アノード及びカソードから離れて配置される。放射源は更に、アノード及び/又はカソード上又は近辺に冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持するように構成された更なる供給源を含む。このモジュールは更に、電磁放射を焦点にフォーカスするように構成されたコレクタを含む。コレクタは、電磁放射を焦点にフォーカスするためのシェル状ミラーを含んでよい。コレクタは更に、光軸に周りに同軸状に配置された複数のそのようなシェル状ミラーを含んでもよい。
[0012] 本発明の一態様では、電磁放射を発生させるように構成された放射源を含むリソグラフィ装置が提供される。この放射源は、アノード、カソード、及び放電空間を含む。アノードとカソードは、プラズマを形成して電磁放射を発生させるべく放電空間内の物質中に放電を生成するように構成される。放射源は更に、物質の少なくとも1つの成分を放電空間に近接する位置に供給するように構成された燃料供給源を含む。この燃料供給源は、アノード及びカソードから離れて配置される。放射源は更に、アノード及び/又はカソード上又は近辺に冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持するように構成された更なる供給源を含む。リソグラフィ装置は更に、電磁放射を調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートを含む。パターニングデバイスは、パターン付き放射ビームを形成すべく調整された電磁放射の断面にパターンを付けるように構成される。リソグラフィ装置は更に、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムを含む。リソグラフィ装置は、電磁放射を焦点にフォーカスするように構成されたコレクタを含んでもよい。このようなコレクタは、電磁放射を焦点にフォーカスするためのシェル状ミラーを含んでよい。
[0013] 本発明の一態様では、電磁放射を発生させる方法が提供される。この方法は、物質の少なくとも1つの成分を、アノードとカソードとの間の放電空間に近接する位置、且つ、アノード及びカソードから離れて供給することと、プラズマを形成すべく、物質においてアノードとカソードとの間で放電を生成することと、物質を供給すること、及び/又は、放電を生成することの間にアノード及び/又はカソード上又は近辺に冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持することを含む冷却及び/保護層は、液体、例えば、液体金属から形成されてよい。このような液体金属は、Ga及びSnを含む合金といったSnを含む合金であってよい。より具体的には、この合金はGaInSn合金であってよい。冷却及び/又は保護層は、Snによって形成されてよい。
[0014] この方法は更に、燃料からラジカルを発生させることを含む。燃料はH
2
含有ガスを含んでよく、ラジカルは水素ラジカルであってよい。ラジカルは、アノード及び/又はカソードから出る蒸気と反応することができる。この蒸気にSnが含まれてよい。
[0015] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示している。
[0016] 図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の概略図である。
[0017] 図2は、図1の放射源の一実施形態の概略図である。
[0018] 図3は、放射源のアノード及び/又はカソード上に冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持するための供給源の概略図である。
[0019] 図4は、アノード及び/又はカソード上に冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持するための別の供給源の概略図である。
[0020] 図5は、図1の放射源の一実施形態の概略図である。
[0021] 図1は、リソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームB(例えば、UV放射又はEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、反射投影システム)PSとを含む。
[0022] 照明システムとしては、放射を誘導、整形、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0023] サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0024] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
[0025] パターニングデバイスは、反射型であってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型位相シフト、及びハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[0026] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に適切な反射型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。
[0027] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの(例えば、反射型マスクを採用しているもの)である。
[0028] リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)以上の基板テーブル(及び/又は2つ以上のマスクテーブル)を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、又は予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[0029] 図1を参照すると、イルミネータILは、電磁放射を発生させるために放射源SOから放射ビームBを受ける。放射源SOとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラー及び/又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。更に、放射源は、放射源によって発生された電磁放射を焦点にフォーカスするように構成されたコレクタCOを更に含むモジュール内に含まれてもよい。このようなモジュールは、一般に、放射源−コレクタモジュールと呼ばれる。放射源SO及びイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムとともに放射システムと呼んでもよい。
[0030] イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び/又は内側半径範囲(通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータ及びコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
[0031] 放射ビームBは、サポート構造(例えば、マスクテーブルMT)上に保持されているパターニングデバイス(例えば、マスクMA)上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを通り抜けた後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPW及び位置センサIF2(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ)を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置付けるように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPM及び別の位置センサIF1を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後又はスキャン中に、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルMTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)及びショートストロークモジュール(微動位置決め)を使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は(スキャナとは対照的に)、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。マスクMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1及びM2と、基板アライメントマークP1及びP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる(これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である)。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0032] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。
[0033] 1.ステップモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、X及び/又はY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
[0034] 2.スキャンモードでは、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
[0035] 3.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0036] 上述の使用モードの組合せ及び/又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0037] 図2は、本発明による放射源SOの一実施形態の概略図である。放射源SOは、アノード1、カソード2、及び、アノード1とカソード2との間に配置される放電空間4を含む。アノード1及びカソード2は、円筒形状を有し、それぞれ、各シャフト6、8に回転可能に取り付けられてよく、これらのシャフトによって、アノード1及びカソード2は、放射源SOの動作時、Q及びQ’で各々示すように駆動される。放射源SOにはフレームが設けられてもよく、その上にシャフト6、8が取り付けられる。ただし、このフレームは、明瞭とするために図では省略している。
[0038] 図3に示すように、放射源SOは、アノード1及び/又はカソード2を冷却及び/又は保護するために、アノード1及び/又はカソード2上に又はその付近に冷却及び/又は保護層12を供給、形成、及び/又は維持するための供給源10を含んでよい。層12は表面層であってよい。供給源10は、液体Snを含むリザーバ10(図3参照)であってよく、その中にアノード1及びカソード2が回転可能に取り付けられる。
[0039] 図4に示すように、供給源10は、アノード1及び/又はカソード2のそれぞれの付近においてアウトレット10’、10’’を含んでもよい。これらのアウトレット10’、10’’は、アノード1及び/又はカソード2の回転時にアノード1及び/又はカソード2のそれぞれに液体を直接供給するように構成されてよい。アウトレット10’、10’’は、ユーザが、アノード1及び/又はカソード2に供給される液体の流速を設定し、それにより、液体がアノード1及び/又はカソード2を冷却及び/又は保護するための冷却及び/又は保護層12を形成するように構成されてよい。層12は表面層であってよい。
[0040] 液体Snは、GaとSnを含有する合金であるGaInSn合金等に含有されれ得り、当該液体Snがリザーバ10、アウトレット10’、10’’、又は任意の他の供給源によって供給されうる。これらの合金のうちの幾つかは、室温で液体状態を有するので、合金が液体状態に到達するために追加的に加熱する必要が無い。
[0041] 図2に戻るに、放射源SOは更に、放電空間4の少なくとも近接する位置にSnH4といった物質Pを供給する燃料供給源14を含む。燃料供給源14もシャフト6、8を支持するフレーム上に取り付けられてよい。燃料供給源14によって供給されうる物質の好適な代替例は、次に限定されるものではないが、Li、Xe、Sn、及びSnI2及びSnCl2といったSnハロゲン化物が挙げられる。
[0042] 動作中、燃料供給源14は、物質Pを放電空間4に近接する位置に供給する。放電空間4内では、パルス電流が放電空間4内を流れ、各パルスが、放電空間4内に放電プラズマ16を生成する。プラズマ16を流れる電流は、プラズマを圧縮する磁場を発生させる。プラズマの圧縮は、放電空間4内に高温で高密度のプラズマをもたらしうる。電気エネルギーがプラズマ温度及び短波放射へと変換され、この短波放射の一部は、約13nmの波長を有する。放射が発生される間、アノード1及びカソード2は回転する。回転中、供給源10は、液体をアノード1及び/又はカソード2のさまざまな部分に供給し、それにより、アノード1及び/又はカソード2を冷却して、層12を維持する。したがって、アノード1及びカソード2は、放電空間4を流れるパルス電流によって引き起こされる動作上の損傷に対して常に保護されうる。アノード及び/又はカソードが必ずしも燃料を供給するわけではないことから、放電周波数はアノード1及び/又はカソード2の回転速度によって制限されなくなる。
[0043] 図5は、放射源SOの一実施形態の概略図である。図5の実施形態は、図2に示す実施形態に類似する。しかし、図5の実施形態では、燃料供給源14が、燃料源13と、燃料源によって供給された燃料からラジカルRを発生させるように構成されたラジカルジェネレータ18とを備えている。例えば、燃料は、H2含有ガス又は水素であってよく、ジェネレータ18は、原子水素ジェネレータであってよい。ジェネレータ18は、燃料供給源13の付近に配置されるホットフィラメントであってよく、それにより、少なくとも一部のH2がフィラメントによって引き離されて水素原子(H)が発生する:
H2 → 2H
水素原子の一部は、アノード1及び/又はカソード2に向けられ、液体Sn又はアノード及び/又はカソードから出る蒸気Snと反応して、SnH4が形成される:
Sn + 4H → SnH4
本実施形態では、燃料供給源は、物質の成分を放電空間に供給するように構成される。これは、動作中、発生されたSnH4が放電空間4の少なくとも一部を充填し、放電がアノード1とカソード2との間で生成されうることによる。
H2 → 2H
水素原子の一部は、アノード1及び/又はカソード2に向けられ、液体Sn又はアノード及び/又はカソードから出る蒸気Snと反応して、SnH4が形成される:
Sn + 4H → SnH4
本実施形態では、燃料供給源は、物質の成分を放電空間に供給するように構成される。これは、動作中、発生されたSnH4が放電空間4の少なくとも一部を充填し、放電がアノード1とカソード2との間で生成されうることによる。
[0044] この方法と、固体Snの更なるプレート(図示せず)と組み合わせて使用することで、SnH4を発生させることも可能である。発生されたSnH4は、次に、アノード1及びカソード2に向けられうる。その場合、水素原子ジェネレータ及びSnの更なるプレートが燃料供給源14を形成することになる。
[0045] 図2の実施形態と図5の実施形態の組み合わせてもよい。例えば、水素原子は、固体Snの更なるプレートにその全体又は一部が向けられ、その更なるプレートにおいてSnH4が発生される。SnH4及び残留水素原子は、次に、アノード1及びカソード2に向けられ、そこで、水素原子が追加のSnH4を発生させうる。
[0046] 図3のリザーバ10を用いて、図5の実施形態のアノード1及び/又はカソード2上に層12を供給、形成、及び維持してもよい。図4のアウトレット10’、10’’のうちの1つ以上を図5の実施形態と共に用いてもよい。
[0047] 本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック(通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール)、メトロロジーツール、及び/又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0048] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
[0049] 本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線(UV)(例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm、又は126nmの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する)、及び極端紫外線(EUV)(例えば、5〜20nmの範囲の波長を有する)、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
[0050] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、又はこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク)の形態であってもよい。
[0051] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
Claims (38)
- 電磁放射を発生させるための放射源であって、
アノードと、
カソードと、
前記アノード及び前記カソードがプラズマを形成して前記電磁放射を発生させるべく放電空間内の物質中に放電を生成するように構成される、放電空間と、
前記物質の少なくとも1つの成分を前記放電空間に近接する位置に供給するように構成された燃料供給源であって、前記アノード及び前記カソードから離れて配置される、燃料供給源と、
前記アノード及び/又は前記カソード上又は近辺に冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持するように構成された更なる供給源と、
を含む放射源。 - 前記物質は、Xe、Sn、Snハロゲン化物、及び/又はSnH4を含む、請求項1に記載の放射源。
- 前記Snハロゲン化物は、SnI2又はSnCl2を含む、請求項2に記載の放射源。
- 前記物質の前記成分は、水素ラジカルである、請求項1に記載の放射源。
- 前記冷却及び/又は保護層は、液体から形成される、請求項1に記載の放射源。
- 前記冷却及び/又は保護層は、液体金属から形成される、請求項1に記載の放射源。
- 前記液体金属はSnを含む合金である、請求項1に記載の放射源。
- 前記合金はGa及びSnを含む、請求項7に記載の放射源。
- 前記合金はGaInSn合金である、請求項8に記載の放射源。
- 前記層はSnによって形成される、請求項1に記載の放射源。
- 前記アノード及び/又はカソードは、前記放射源内に回転可能に取り付けられる、請求項1に記載の放射源。
- 前記アノード及び/又はカソードは、前記アノード及び/又はカソードの回転中に前記更なる供給源が前記層を形成及び/又は維持するように回転可能に取り付けられる、請求項11に記載の放射源。
- 前記燃料供給源は、燃料源と、前記燃料源の近辺に配置されるラジカルジェネレータとを含み、前記ラジカルジェネレータは、前記燃料源によって供給された燃料からラジカルを発生させるように構成される、請求項1に記載の放射源。
- 前記燃料はH2含有ガスを含み、前記ラジカルは水素ラジカルである、請求項13に記載の放射源。
- 前記ラジカルジェネレータは、ホットフィラメントを含む、請求項13に記載の放射源。
- 前記ラジカルは、前記物質を形成すべく前記アノード及び/又はカソード上のコーティングと反応するのに適している、請求項13に記載の放射源。
- 前記電磁放射は、極端紫外線放射である、請求項1に記載の放射源。
- 前記放電空間は、前記アノードと前記カソードとの間に配置される、請求項1に記載の放射源。
- リソグラフィ装置用のモジュールであって、
電磁放射を発生させるように構成された放射源であって、
アノードと、
カソードと、
前記アノード及び前記カソードがプラズマを形成して前記電磁放射を発生させるべく、放電空間内の物質中に放電を生成するように構成される、放電空間と、
前記物質の少なくとも1つの成分を前記放電空間に近接する位置に供給するように構成された燃料供給源であって、前記アノード及び前記カソードから離れて配置される、燃料供給源と、
前記アノード及び/又は前記カソード上又は近辺に冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持するように構成された更なる供給源と、を含む放射源と、
前記電磁放射を焦点にフォーカスするように構成されたコレクタと、
を含むモジュール。 - 前記コレクタは、前記電磁放射を前記焦点にフォーカスするためのシェル状ミラーを含む、請求項19に記載のモジュール。
- 前記コレクタは、光軸に周りに同軸状に配置された複数の前記シェル状ミラーを含む、請求項20に記載のモジュール。
- 電磁放射を発生させるように構成された放射源であって、
アノードと、
カソードと、
前記アノード及び前記カソードは、プラズマを形成して前記電磁放射を発生させるべく放電空間内の物質中に放電を生成するように構成される、放電空間と、
前記物質の少なくとも1つの成分を前記放電空間に近接する位置に供給するように構成された燃料供給源であって、前記アノード及び前記カソードから離れて配置される、燃料供給源と、
前記アノード及び/又は前記カソード上又は近辺に冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持するように構成された更なる供給源と、を含む放射源と、
前記電磁放射を調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスは、パターン付き放射ビームを形成すべく前記調整された電磁放射の断面にパターンを付けるように構成される、サポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
を含むリソグラフィ装置。 - 前記電磁放射を焦点にフォーカスするように構成されたコレクタを更に含む、請求項22に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コレクタは、前記電磁放射を前記焦点にフォーカスするためのシェル状ミラーを含む、請求項23に記載のリソグラフィ装置。
- 電磁放射を発生させる方法であって、
物質の少なくとも1つの成分を、アノードとカソードとの間の放電空間に近接する位置、且つ、前記アノード及び前記カソードから離れて供給することと、
プラズマを形成すべく、前記物質において前記アノードと前記カソードとの間で放電を生成することと、
前記物質を供給すること、及び/又は、前記放電を生成することの間に前記アノード及び/又は前記カソードの上又は付近に冷却及び/又は保護層を形成及び/又は維持することと、
を含む方法。 - 前記物質は、Xe、Sn、Snハロゲン化物、及び/又はSnH4を含む、請求項25に記載の方法。
- 前記Snハロゲン化物は、SnI2又はSnCl2を含む、請求項26に記載の方法。
- 前記物質の前記成分は、水素ラジカルである、請求項25に記載の方法。
- 前記冷却及び/又は保護層は、液体から形成される、請求項25に記載の方法。
- 前記冷却及び/又は保護層は、液体金属から形成される、請求項25に記載の方法。
- 前記液体金属はSnを含む合金である、請求項30に記載の方法。
- 前記合金はGa及びSnを含む、請求項31に記載の方法。
- 前記合金はGaInSn合金である、請求項32に記載の方法。
- 前記冷却及び/又は保護層はSnによって形成される、請求項25に記載の方法。
- 燃料からラジカルを発生させることを更に含む、請求項25に記載の方法。
- 前記燃料はH2含有ガスを含み、前記ラジカルは水素ラジカルである、請求項35に記載の方法。
- 前記ラジカルは、前記アノード及び/又はカソードから出る蒸気と反応する、請求項35に記載の方法。
- 前記蒸気はSnを含む、請求項37に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/730,187 US20080239262A1 (en) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | Radiation source for generating electromagnetic radiation and method for generating electromagnetic radiation |
PCT/EP2008/002264 WO2008119478A1 (en) | 2007-03-29 | 2008-03-20 | Radiation source and method for generating electromagnetic radiation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010522953A true JP2010522953A (ja) | 2010-07-08 |
Family
ID=39427603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010500123A Pending JP2010522953A (ja) | 2007-03-29 | 2008-03-20 | 電磁放射を発生させるための放射源及び電磁放射の発生方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080239262A1 (ja) |
JP (1) | JP2010522953A (ja) |
KR (1) | KR20090117824A (ja) |
CN (1) | CN101657760A (ja) |
WO (1) | WO2008119478A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103999293B (zh) * | 2011-12-14 | 2017-03-22 | 理想工业公司 | 供印刷电路板使用的电连接器 |
CN102637542B (zh) * | 2012-01-06 | 2013-09-11 | 西安交通大学 | 基于液态金属或其合金循环散热的大容量直流断路器用散热器 |
KR102651759B1 (ko) * | 2016-10-11 | 2024-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001108799A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | X線発生装置、x線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2004165155A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | 放射源、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
JP2004279246A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Ushio Inc | 極端紫外光放射源及び半導体露光装置 |
JP2006013033A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Nikon Corp | Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
WO2006123270A2 (en) * | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Gas discharge source, in particular for euv radiation |
JP2006324173A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Ushio Inc | 極端紫外光発生装置の電極部 |
WO2006134513A2 (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Method of protecting a radiation source producing euv-radiation and/or soft x-rays against short circuits |
JP2007012603A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-18 | Xtreme Technologies Gmbh | 極紫外線を発生するための装置および方法 |
JP2007035660A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-08 | Ushio Inc | 極端紫外光発生装置 |
JP2007053099A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Xtreme Technologies Gmbh | ガス放電による放射線発生装置 |
JP2007505460A (ja) * | 2003-09-11 | 2007-03-08 | コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ.ブイ. | 極紫外放射又は軟x線放射を生成する方法及び装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3008887A (en) * | 1958-10-08 | 1961-11-14 | Du Pont | Purification process |
US3694685A (en) * | 1971-06-28 | 1972-09-26 | Gen Electric | System for conducting heat from an electrode rotating in a vacuum |
US4165472A (en) * | 1978-05-12 | 1979-08-21 | Rockwell International Corporation | Rotating anode x-ray source and cooling technique therefor |
US4521903A (en) * | 1983-03-09 | 1985-06-04 | Micronix Partners | High power x-ray source with improved anode cooling |
US4952294A (en) * | 1988-03-15 | 1990-08-28 | Collins George J | Apparatus and method for in-situ generation of dangerous polyatomic gases, including polyatomic radicals |
US5052034A (en) * | 1989-10-30 | 1991-09-24 | Siemens Aktiengesellschaft | X-ray generator |
TW323379B (ja) * | 1994-01-18 | 1997-12-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | |
US5969470A (en) * | 1996-11-08 | 1999-10-19 | Veeco Instruments, Inc. | Charged particle source |
US6586757B2 (en) * | 1997-05-12 | 2003-07-01 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with active and buffer gas control |
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
DE10151080C1 (de) * | 2001-10-10 | 2002-12-05 | Xtreme Tech Gmbh | Einrichtung und Verfahren zum Erzeugen von extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis einer Gasentladung |
FR2841684B1 (fr) * | 2002-06-28 | 2004-09-24 | Centre Nat Rech Scient | Source de rayonnement, notamment ultraviolet a decharges |
SG129259A1 (en) * | 2002-10-03 | 2007-02-26 | Asml Netherlands Bv | Radiation source lithographic apparatus, and device manufacturing method |
US7002168B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-02-21 | Cymer, Inc. | Dense plasma focus radiation source |
DE10310623B8 (de) * | 2003-03-10 | 2005-12-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas durch elektrische Entladung in einem Entladungsraum |
US7154109B2 (en) * | 2004-09-30 | 2006-12-26 | Intel Corporation | Method and apparatus for producing electromagnetic radiation |
FR2879810B1 (fr) * | 2004-12-21 | 2007-02-16 | Gen Electric | Tube a rayons x bien refroidi |
JP2006202671A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法 |
DE102005025624B4 (de) * | 2005-06-01 | 2010-03-18 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von intensiver kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Gasentladungsplasmas |
DE102005041567B4 (de) * | 2005-08-30 | 2009-03-05 | Xtreme Technologies Gmbh | EUV-Strahlungsquelle mit hoher Strahlungsleistung auf Basis einer Gasentladung |
JP4904809B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-03-28 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
US8040030B2 (en) * | 2006-05-16 | 2011-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of increasing the conversion efficiency of an EUV and/or soft X-ray lamp and a corresponding apparatus |
DE102007004440B4 (de) * | 2007-01-25 | 2011-05-12 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung mittels einer elektrisch betriebenen Gasentladung |
-
2007
- 2007-03-29 US US11/730,187 patent/US20080239262A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-03-20 CN CN200880009369A patent/CN101657760A/zh active Pending
- 2008-03-20 KR KR1020097020259A patent/KR20090117824A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-03-20 WO PCT/EP2008/002264 patent/WO2008119478A1/en active Application Filing
- 2008-03-20 JP JP2010500123A patent/JP2010522953A/ja active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001108799A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | X線発生装置、x線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2004165155A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | 放射源、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
JP2004279246A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Ushio Inc | 極端紫外光放射源及び半導体露光装置 |
JP2007505460A (ja) * | 2003-09-11 | 2007-03-08 | コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ.ブイ. | 極紫外放射又は軟x線放射を生成する方法及び装置 |
JP2006013033A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Nikon Corp | Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
WO2006123270A2 (en) * | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Gas discharge source, in particular for euv radiation |
JP2006324173A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Ushio Inc | 極端紫外光発生装置の電極部 |
WO2006134513A2 (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Method of protecting a radiation source producing euv-radiation and/or soft x-rays against short circuits |
JP2007012603A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-18 | Xtreme Technologies Gmbh | 極紫外線を発生するための装置および方法 |
JP2007035660A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-08 | Ushio Inc | 極端紫外光発生装置 |
JP2007053099A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Xtreme Technologies Gmbh | ガス放電による放射線発生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008119478A1 (en) | 2008-10-09 |
US20080239262A1 (en) | 2008-10-02 |
KR20090117824A (ko) | 2009-11-12 |
CN101657760A (zh) | 2010-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5717761B2 (ja) | Euv放射源およびリソグラフィ装置 | |
TWI534553B (zh) | 收集器鏡總成及產生極紫外光輻射之方法 | |
KR101495208B1 (ko) | 극자외 방사선을 생성하는 방법 및 모듈 | |
US8593617B2 (en) | Lithographic apparatus, plasma source, and reflecting method | |
JP6487519B2 (ja) | リソグラフィ装置用の汚染トラップ | |
US7193229B2 (en) | Lithographic apparatus, illumination system and method for mitigating debris particles | |
US20150077729A1 (en) | Module and method for producing extreme ultraviolet radiation | |
US7518134B2 (en) | Plasma radiation source for a lithographic apparatus | |
CN108617070B (zh) | 源收集器设备、光刻设备和方法 | |
JP2010062560A (ja) | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
TWI586222B (zh) | 輻射源、雷射系統、微影裝置及產生雷射光束之方法 | |
JP5005748B2 (ja) | 非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 | |
US8319200B2 (en) | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5657519B2 (ja) | ターゲット材料、放射源、およびこれらを用いたデバイス製造方法 | |
JP2010522953A (ja) | 電磁放射を発生させるための放射源及び電磁放射の発生方法 | |
KR20100102682A (ko) | 극자외 방사선 소스 및 극자외 방사선을 생성하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121122 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130717 |