JP2010520708A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. フォトダイオードと、
   上記フォトダイオードに接続され、ソフトリセットモードでバイアスされたリセットトランジスタとを備え、
   上記リセットトランジスタは、リセットラインに接続されたゲート及びドレインを有し、該リセットラインは、第１の所定の電圧に設定されていることを特徴とするダミー画素。
2. 上記リセットラインは、リセットバスに接続されていないことを特徴とする請求項１記載のダミー画素。
3. 上記フォトダイオード及び上記リセットトランジスタのソースに接続されたゲートと、上記リセットラインに接続されたドレインとを有する増幅トランジスタを更に備える請求項２記載のダミー画素。
4. 上記増幅トランジスタのソースに接続されたドレインと、第２の所定の電圧に接続されたゲートとを有する読出トランジスタを更に備える請求項３記載のダミー画素。
5. 上記第１の所定の電圧は、回路電源電圧であることを特徴とする請求項４記載のダミー画素。
6. 上記第２の所定の電圧は、ゼロボルトであることを特徴とする請求項５記載のダミー画素。
7. 上記フォトダイオードは、迷走電子のための電流シンクを構成することを特徴とする請求項１記載のダミー画素。
8. 上記ダミー画素は、クリア画素として形成されていることを特徴とする請求項１記載のダミー画素。
9. 上記ダミー画素は、オプティカルブラック画素として形成されていることを特徴とする請求項１記載のダミー画素。
10. 画像センサにおける暗電流を低減する暗電流低減方法において、
    画像センサ内にダミー画素の少なくとも１つの行又は列を形成する工程を有し、
    上記各ダミー画素は、ソフトリセットモードで永続的にバイアスされたリセットトランジスタを有する画素であり、
    上記各ダミー画素のフォトダイオードは、迷走電子のための電流シンクとして機能することを特徴とする暗電流低減方法。
11. 上記画素は、クリア画素として形成されることを特徴とする請求項１０記載の暗電流低減方法。
12. 上記画素は、オプティカルブラック画素として形成されていることを特徴とする請求項１０記載の暗電流低減方法。
13. 上記ダミー画素の少なくとも１つの行又は列は、画像センサの周辺領域に形成され、エッジ効果を減少させることを特徴とする請求項１０記載の暗電流低減方法。
14. 上記ダミー画素の少なくとも１つの行又は列は、画像センサのサブアレーの間に形成され、サブアレーを互いに分離することを特徴とする請求項１０記載の暗電流低減方法。
15. クリア画素のアレーと、
    オプティカルブラック画素の複数のサブアレーと、
    上記クリア画素のアレー及び上記オプティカルブラック画素のサブアレーの間に配置されたダミー画素の複数のサブアレーとを備え、
    上記各ダミー画素は、
    フォトダイオードと、
    上記フォトダイオードに接続され、ソフトリセットモードでバイアスされたリセットトランジスタとを備え、
    上記リセットトランジスタは、リセットラインに接続されたゲート及びドレインを有し、該リセットラインは、第１の所定の電圧に設定されており、リセットバスに接続されていないことを特徴とする画像センサ。
16. 上記画像センサの周辺に配置され、エッジ効果を低減するダミー画素のサブアレーを更に備える請求項１５記載の画像センサ。
17. 上記ダミー画素は、クリア画素として形成されていることを特徴とする請求項１５記載の画像センサ。
18. 上記ダミー画素は、オプティカルブラック画素として形成されていることを特徴とする請求項１５記載の画像センサ。