JP2010501889A - シール化セル構造 - Google Patents

Abstract

シール化セル構造を形成する方法について開示した。シール化セル構造は、複数の隔壁（14）により離間された第1（10）および第2の基板（12）を有する。隔壁は、第1および第2の基板の間に、複数のセル（18、19）を定形する。基板および隔壁の少なくとも一つは、上部に、光エンボス化材料の層（16、22、30）を有する。光エンボス化材料には、潜在画像が書き込まれ（112）、その後、画像が現像され、これにより、潜在画像のパターンに対応する領域（114）において、光エンボス化材料の膨脹が生じる。光エンボス化材料の露光により、セルが相互に分離された状態でシールされる。

Description

本発明は、シール化セル構造を形成する改良された方法に関する。本発明は、複数のシール化セルを有する装置、特に電気泳動式ディスプレイに適用することができる。

本発明により考察されるシール化セル構造は、複数の隔壁によって離間された2つの基板を有し、前記隔壁は、2つの基板の間の空間をセルに分離する。

そのようなシール化セル構造は、電気泳動式ディスプレイに広く使用されている。この構造体のセルは、該セルに、可動性の帯電粒子を含む電気泳動流体を充填することにより、表示画素の形成に使用され得る。次に、各セル内の可動性の帯電粒子は、電場の使用により移動し、各種異なる表示効果が得られる。電気泳動式表示装置の一例としては、出願人の国際特許出願公開第WO2004／008238号が参照される。

シール化セル構造を形成することに関する主な問題の一つは、この構造体のセル間に、適正なシールを確保することが難しいことである。例えば、複数の隔壁により離間された第1および第2の基板を有する、シール化構造体を形成する従来の製造方法は、第1の基板から始まり、第1の基板上に複数の隔壁を形成するステップと、次に、隔壁を覆うように、第2の基板を配置するステップとを有する。しかしながら、実際には、第2の基板といくつかの隔壁の上部の間には、しばしば、意図しないギャップが残り、これにより、セル間のシール化が不十分となる。電気泳動式ディスプレイでは、一つのセルから別のセルへの帯電粒子の泳動が、これらのギャップを介して生じるようになり、このため、セルにより表示される画像に、極めて重大な誤動作が生じるようになる。

セルを相互に離れた状態でシール化する従来の方法は、第1の基板上に隔壁を形成するステップを有し、その後、隔壁により定形されたセルに、電気泳動流体およびシール化流体を含む混合流体が充填され、前記シール化流体は、電気泳動流体よりも低い密度を有する。次に、隔壁の上部に、第2の基板層が設置され、次に、シール化流体が硬化され、その低密度性により、第2の基板層と電気泳動流体の間に層が形成され、これにより、セルが相互に分離された状態でシール化される。

この方法の一つの問題は、電気泳動流体がシール流体で汚染されるおそれがあり、これにより、粒子の凝集または電荷の喪失のような好ましくない影響が生じ、あるいは好ましくない表面への粒子の吸着が生じる可能性があることである。

この方法に関する別の問題は、いくつかの電気泳動粒子がシール化層内にトラップされる可能性があり、これによりシール化層の透明性が低下し、さらにはディスプレイの輝度が低下することである。

米国特許第6950226号には、この方法の変形例が示されており、この場合、シール化層の一部は、電気泳動流体と接する前に硬化される。従って、シール化層にトラップされる電気泳動粒子の数が減少する。しかしながら、これには、追加の処理プロセスが必要となり、隔壁に沿って層の未硬化部分を開放するための、位置合わせステップが必要となる。

国際公開第WO2004／008238号パンフレット 米国特許第6950226号明細書

本発明の課題は、従来の問題を改善するシール化セル構造を提供することである。

本発明の第1の態様では、シール化セル構造を形成する方法であって、
前記シール化セル構造は、第1および第2の基板と、複数の隔壁とを有し、
当該方法は、
−前記第1の基板、
−前記第2の基板、および
−前記複数の隔壁、
の少なくとも一つの上に、光エンボス化材料を形成するステップと、
前記複数の隔壁により、前記第1および第2の基板を離間するステップであって、これにより、前記第1および第2の基板の間に、複数のセルが定形されるステップと、
前記光エンボス化材料に、潜在画像を書き込むステップと、
前記潜在画像を現像するステップであって、これにより前記光エンボス化材料が移動し、前記セルが相互に離れた状態でシールされるステップと、
を有する方法が提供される。

従って、セル間に効果的なシール状態が得られる、シール化セル構造が提供される。すなわち、シール化セル構造を用いて、セルをシールする前に、セル内に電気泳動流体を充填することにより、電気泳動式ディスプレイの画素を形成することができ、シールにより、電気泳動流体の帯電粒子の、セル間の顕著な泳動が抑制される。

また、シール化セル構造により、シール化処理の間に、多数の帯電粒子がトラップされることが抑制され、これによりディスプレイの輝度の低下が最小限に抑制される。

シール化の方法は、光エンボス化材料を、シールを構成する必要がある領域に移動させるステップを有することが有意である。セルの体積（さらにはセル内の流体圧力）は、シール化処理プロセス後も、シール処理プロセス前と実質的に等しい。これにより、シール処理プロセスの間、またはその後、セルが破裂する危険性が抑制される。

また、シール流体を電気泳動流体と混合する必要性はなく、この点で、電気泳動流体のコンタミネーションが回避される。

潜在画像の書き込みステップは、光エンボス化材料の領域を、照射光で露光するステップを有することが有意である。これにより、光エンボス化材料の領域が定形され、潜在画像の現像の間、この領域に、光エンボス化材料の一部が移動する。

また、潜在画像の現像ステップは、光エンボス化材料を加熱するステップを有しても良く、これにより、光エンボス化材料の粒子の易動度が上昇し、潜在画像のパターンに従って、粒子が拡散（移動）するようになる。従って、粒子が拡散した光エンボス化材料の領域は、膨脹し、セルが相互に分離された状態でシールされる。

光エンボス化材料は、高分子、モノマー、および光開始剤を有することが有意である。潜在画像は、材料の領域を、照射光で露光することにより書き込まれ、この照射光による光開始剤の光分解により、局部的に反応性粒子が形成される。その後、潜在画像は、光エンボス化材料を加熱することにより現像され、モノマーが光エンボス化材料の露光領域の方に拡散（移動）し、これにより、露光領域が膨脹し、セルが相互に離れた状態でシールされる。

また、光エンボス化材料は、熱開始剤を有しても良い。熱開始剤により、光エンボス化材料がある温度を超えるまで加熱された際に、光エンボス化材料の重合化が始まる。この重合化は、光エンボス化材料の現像の一部として実施されても良く、この場合、光エンボス化材料が十分な距離を移動して、セルが相互に離れた状態でシールされた後の、光エンボス化材料のさらなる移動が抑制される。この結果、完全な硬化が得られ、さらには機械的および化学的に安定な複合材料が得られる。

また、光エンボス化材料は、インヒビターを有しても良く、このインヒビターは、反応性粒子の臨界濃度以下での重合化を抑制する。従って、意図せずに低強度迷走照射線に露光された光エンボス化材料の領域では、反応性粒子が比較的低濃度となり、重合化が抑制される。これは、潜在画像の書き込みの間、露光された光エンボス化材料の領域と、露光されなかった光エンボス化材料の領域との間の接触を助長する。潜在画像は、隔壁により第1および第2の基板が離間された後に、光エンボス化材料上に書き込まれることが有意である。従って、基板および隔壁は、過去に書き込まれた潜在画像に対して整列した状態で配置される必要はなく、これにより、隔壁により基板を離間するステップを単純化することができる。

また、セルは、照射光を吸収する粒子を有する流体で充填されても良い。これらの光吸収粒子は、マスクとして機能し、マスクの少なくとも一部は、光エンボス化材料上に書き込まれた潜在画像のパターンを定形する。従って、潜在画像は、効果的に、セル構造体に対して自己整列され、自己パターン化処理される。

あるいは、潜在画像は、隔壁により第1および第2の基板が離間される前に、光エンボス化材料上に書き込まれても良い。この場合、光エンボス化材料に、より容易にアクセスされるようになり、潜在画像を書き込む処理プロセスが簡略化される。

複数の隔壁により第1および第2の基板を離間するステップは、第1の基板上に隔壁を形成するステップと、前記隔壁上に第2の基板を配置するステップとを有することが有意である。この場合、第1の基板から隔壁を形成することが可能となり、基板の間に隔壁を形成および／または配置することが容易化される。

光エンボス化材料は、第1および第2の基板の少なくとも一つに、（実質的に均一な）層として形成されることが有意である。これは、基板上の光エンボス化材料の配置を、隔壁に対して整列させる必要がなくなるという利点を有する。

あるいは、光エンボス化材料は、第1および第2の基板の少なくとも一つの上、隔壁と前記第1および第2の基板の少なくとも一つの間の界面の領域内に形成されても良い。これにより、隔壁との界面の領域の外側にある基板の領域は、実質的に光エンボス化材料のない状態となり、セルの透明性が向上し、および／または基板と光エンボス化材料層の間の界面により生じ得る、好ましくない反射が抑制される。また、これにより、光エンボス化材料に粒子が固着する危険性が抑制される。

光エンボス化材料は、隔壁上、該隔壁と第1および第2の基板の少なくとも一つの間の界面の領域内に形成されることが有意である。この場合も、隔壁との界面の外側領域にある基板領域において、実質的に光エンボス化材料がなくなり、前述の場合と同じ利点が得られる。

また、光エンボス化材料は、隔壁と、第1および第2の基板の少なくとも一つの両方に配置されても良い。この場合、基板と隔壁の界面では、基板および隔壁上の光エンボス化材料は、いずれも相互に向かって膨脹し、相互に接触するようになり、これにより、界面がシール化される。この場合、光エンボス化材料は、光エンボス化材料とは異なる材料の基板または隔壁と接触する代わりに、他の光エンボス化材料と接触することにより、シールを形成するため、これにより強固なシールが形成される。また、互いに向かって膨脹する、光エンボス化材料の2つの領域を有するため、隔壁と基板との間の、より大きなギャップを充填することが可能となる。

第1の基板上に複数の隔壁が形成される場合、光エンボス化材料は、隔壁上に第2の基板を設置する前に、第2の基板上に形成されることが有意である。その後、潜在画像の書き込みおよび現像によって、第2の基板上の光エンボス化材料は、複数の隔壁に向かって膨脹し、これらと接触するように移動し、これにより、セルが相互に離れた状態でシールされる。

また、第1の基板上に複数の隔壁が形成される場合、光エンボス化材料は、第1の基板上に隔壁が形成される前に、第1の基板上に形成される。その後、潜在画像の書き込みおよび現像により、第1の基板上の光エンボス化材料は、複数の隔壁を押し付けるように移動し、これにより複数の隔壁が移動し、第2の基板と接触し、これにより、セルが相互に離れた状態でシールされる。これは、第2の基板が、必ずしも光エンボス化材料で処理される必要がないという利点を有する。

複数の隔壁が第1の基板上に形成される場合、光エンボス化材料は、隔壁上、隔壁と第2の基板の間に界面を形成する領域内、に形成されることが有意である。次に、潜在画像の書き込みおよび現像により、隔壁上の光エンボス化材料が、第2の基板に向かって膨脹し、第2の基板に接触するように移動し、これによりセルが相互に分離された状態でシールされる。これにより、隔壁との界面の領域の外側にある第2の基板の領域を、実質的に光エンボス化材料のない状態にすることができ、セルの透過性が改善され、および／または基板と光エンボス化材料層の間の界面により生じ得る、好ましくない反射が抑制される。またこれにより、粒子が光エンボス化材料に固着する危険性が抑制される。

潜在画像を書き込むステップおよび現像するステップは、重複した期間の間に行われても良い。これにより、処理プロセスが簡略化され、潜在画像の書き込み処理および現像処理を、単一の製造ステップにおいて、効率的に実施することが可能となる。

光エンボス化材料は、潜在画像が書き込まれ、現像される内部光エンボス化材料と、内部材料の表面の外側保護層とを有することが有意である。外側保護層は、潜在画像の現像の間、内部材料に対応して変形し得る特性を有する。外側保護層は、内部材料とセルの内容物の間の接触を抑制し、これは、内部材料およびセル内容物が相互に反応し始める可能性がある場合、有益である。この外側保護層の厚さは、小さく、例えば、0.1から10μmの間であることが好ましい。層のヤング率は、現像温度では小さいことが好ましく、例えば200MPa未満である。

本発明の第2の態様では、複数の隔壁により離間された、第1および第2の基板を有するシール化セル構造であって、
前記複数の隔壁は、前記第1および第2の基板の間に、複数のセルを定形し、
−前記第1の基板、
−前記第2の基板、および
−前記複数の隔壁
の少なくとも一つの上に、光エンボス化材料が存在し、
該光エンボス化材料は、潜在画像を書き込み、現像することにより移動し、これにより、前記セルが相互に離れた状態でシールされることを特徴とするシール化セル構造が提供される。

本発明の第1の実施例によるシール化セル構造を形成する方法の概略的な図である。 本発明の第2の実施例によるシール化セル構造を形成する方法の概略的な図である。 本発明の第3の実施例によるシール化セル構造を形成する方法の概略的な図である。 本発明の第4の実施例によるシール化セル構造を形成する方法の概略的な図である。 本発明の第5の実施例によるシール化セル構造を形成する方法の概略的な図である。 本発明の方法によりシール化された画素セルを有する、電気泳動式ディスプレイの一部の平面概略図である。

以下、一例として、添付図面を参照して、本発明の実施例について説明する。図において、同一のまたは同様の参照符号は、同一のまたは同様の特徴物を表す。

図1を参照して、本発明の第1の実施例について説明する。図1には、シール化セル構造を形成する際の3つの断面図を示す。各図には、形成処理プロセスのあるステップが示されている。

ステップAでは、複数の隔壁14を有する第1の基板10が形成される。隔壁間のセル領域には、複数の帯電色素粒子110を有する電気泳動流体17が充填され、この粒子は、電場の影響下で移動することができ、これにより、各種表示効果が生じる。

また、光エンボス化材料の層16を有する第2の基板112が形成される。

第1および第2の基板は、ガラスで構成されるが、当業者には明らかなように、プラスチックのような別の材料を用いて、少なくとも一つの基板を形成しても良い。電気泳動式ディスプレイ用途の場合、少なくとも一つの基板は、透明／半透明にして、表示効果が得られるようにする必要がある。透過性ディスプレイを形成する場合、両方の基板は、透明／半透明である必要があり、この場合、光は、セルを介して進行し、帯電色素電気泳動粒子により変調される。半透明ディスプレイを形成する場合、第1の基板は、反射性コーティングを有し、第2の基板は、透明／半透明であっても良く、これにより、光は、第2の基板を介してセルに入射し、第1の基板で逆向きに反射される。しかしながら、化学的パッケージ処理のような他の用途の場合、両方の基板が不透明であっても良い。化学的パッケージ処理用途の一例は、薬剤供給システム、香り供給システム、化学試薬供給システム、バイオチップ、または他の微小流体装置である。

隔壁は、SU8のようなフォトレジスト材料で形成され、これは、多機能エポキシドであり、カチオン重合機構後のマスクフォト硬化処理により、構造化されても良い。未露光領域は、溶媒により除去される。また隔壁を形成する他の多くの方法は、当業者には明らかである。例えば、壁は、第1の基板とは別個に製作され、その後、（例えばのり付けにより）第1の基板に取り付けられても良い。また、壁は、基板に壁をエンボス処理することにより形成されても良い。例えば、第1の基板が変形可能な材料で形成される場合、スタンプを用いて基板材料が置換され、隔壁が形成される。

光エンボス化材料は、高分子（ポリベンジルメタクリレート）、モノマー（ペンタエリトリトールテトラアクリレート）、光開始剤（ベンジルジメチルケタール）、および熱開始剤（ベンゾイル過酸化物）の混合物から形成される。光エンボス化材料の組成物として、別の多くの代替材料が存在する。基本含有物は、高分子材料、モノマーまたはモノマー混合物、および光開始剤である。良く研究されている高分子は、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリスチレン、ポリエチルメタクリレート、ポリベンジルメタクリレート、およびポリイソボルニルメタクリレートであるが、多くの他の高分子を使用することも可能である。

また材料は、比較的低分子量、すなわち1500未満の化合物である単量化合物を含み、これは、反応性粒子、すなわちフリーラジカルまたはカチオン粒子と接した際に重合化される。好適実施例では、モノマーまたはモノマー混合物の一つのモノマーは、2以上の重合基を有し、重合の際に、高分子ネットワークが形成される。また、好適実施例では、モノマーは、以下のクラスの反応基を有する分子である：ビニル基、アクリレート基、メタクリレート基、エポキシド基、ビニルエーテル基、またはチオール−ene。また材料は、感光性化合物を有し、この化合物は、光線放射線による露光の際、反応性粒子、すなわちフリーラジカルまたはカチオン粒子を形成する。

重合成分としての使用に適し、単位分子当たり少なくとも2つの架橋可能な反応基を有するモノマーの一例には、アクリロイル基（メタクリロイル基）を含むモノマーが含まれ、例えば、トリメチロールプロパン−トリアクリレート（トリメタクリレート）、ペンタエリスリトール−トリアクリレート（トリメタクリレート）、ジペンタエリトリトール−ヘキサアクリレート（ヘキサメタクリレート）−エチレングリコール−ジアクリレート（ジメタクリレート）、テトラエチレングリコール−ジアクリレート（ジメタクリレート）、ポリエチレングリコール−ジアクリレート（メタクリレート）、1，4−ブタンジオール−ジアクリレート（ジメタクリレート）、1，6−ヘキサンジオール−ジアクリレート（ジメタクリレート）、ネオペンチルグリコール−ジアクリレート（ジメタクリレート）、ポリブタンジオール−ジアクリレート（ジメタクリレート）、トリプロピレングリコール−ジアクリレート（ジメタクリレート）、グリセロール−トリアクリレート（トリメタクリレート）、リン酸モノ−およびジアクリレート（ジメタクリレート）、C_７−C₂₀アルキル−ジアクリレート（ジメタクリレート）、トリメチロールプロパントリオキシエチル−アクリレート（メタクリレート）、tris（2−ヒドロキシエチル）イソシアヌール酸−トリアクリレート（メタクリレート）、tris（2−ヒドロキシエチル）イソシアヌール酸−ジトリアクリレート（ジメタクリレート）、ペンタエリスリトール−トリアクリレート（トリメタクリレート）、ペンタエリスリトール−テトラアクリレート（テトラメタクリレート）、ジペンタエリスリトール−モノヒドロキシ−ペンタアクリレート、ジペンタエリスリトール−ヘキサアクリレート、トリシクロデカン−ジイル−ジメチル−ジアクリレート（ジメタクリレート）、および前述の各モノマーのアルコキシ化形態、好ましくはエトキシ化および／またはプロポキシ化形態があり、さらには、ビスフェノールAに付加体形成された、エチレン酸化物もしくはプロピレン酸化物である、ジオールのジアクリレート（ジメタクリレート）、水素化ビスフェノールAに付加体形成された、エチレン酸化物もしくはプロピレン酸化物である、ジオールのジアクリレート（ジメタクリレート）、ジグリシジルエーテルのビスフェノールAに付加体形成された、アクリレート（メタクリレート）である、エポキシアクリレート（メタクリレート）、ポリオキシアルキル化ビスフェノールAのジアクリレート、およびヒドロキシエチルアクリレートに付加体形成された、トリエチレングリコールジビニルエーテル、ヒドロキシエチルアクリレートに付加体形成された、イソフォロン−ジイソシアン酸およびヒドロキシエチルアクリレート（HTH）、トルエン−ジイソシアン酸およびヒドロキシエチルアクリレート（HTH）、ならびにアミドエステルアクリレートがある。

単位分子当たり1つのみの架橋可能な反応基を有する適当なモノマーの一例には、例えばN−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタム、ビニルイミダゾール、ビニルピリジンのような、ビニル基を有するモノマー；イソボルニル−アクリレート（メタクリレート）、ボルニル−アクリレート（メタクリレート）、トリシクロデカニル−アクリレート（メタクリレート）、ジシクロペンタニル−アクリレート（メタクリレート）、ジシクロペンテニル−アクリレート（メタクリレート）、シクロヘキシル−アクリレート（メタクリレート）、ベンジル−アクリレート（メタクリレート）、4−ブチルシクロヘキシル−アクリレート（メタクリレート）、アクリロイル−モルホリン、アクリレート（メタクリレート）酸、2−ヒドロキシエチル−アクリレート（メタクリレート）、2−ヒドロキシプロピル−アクリレート（メタクリレート）、2−ヒドロキシブチル−アクリレート（メタクリレート）、メチル−アクリレート（メタクリレート）、エチル−アクリレート（メタクリレート）、プロピル−アクリレート（メタクリレート）、イソプロピル−アクリレート（メタクリレート）、ブチル−アクリレート（メタクリレート）、アミル−アクリレート（メタクリレート）、イソブチル−アクリレート（メタクリレート）、t−ブチル−アクリレート（メタクリレート）、ペンチル−アクリレート（メタクリレート）、カプロラクトーンアクリレート、イソアミル−アクリレート（メタクリレート）、ヘキシル−アクリレート（メタクリレート）、ヘプチル−アクリレート（メタクリレート）、オクチル−アクリレート（メタクリレート）、イソオクチル−アクリレート（メタクリレート）、2−エチルヘキシル−アクリレート（メタクリレート）、ノニル−アクリレート（メタクリレート）、デシル−アクリレート（メタクリレート）、イソデシル−アクリレート（メタクリレート）、トリデシル−アクリレート（メタクリレート）、アンデシル−アクリレート（メタクリレート）、ラウリル−アクリレート（メタクリレート）、ステアリル−アクリレート（メタクリレート）、イソステアリル−アクリレート（メタクリレート）、テトラヒドロフルフリル−アクリレート（メタクリレート）、ブトキシエチル−アクリレート（メタクリレート）、エトキシジエチレン−グリコール−アクリレート（メタクリレート）、ベンジル−アクリレート（メタクリレート）、フェノキシエチル−アクリレート（メタクリレート）、ポリエチレン−グリコール−モノ−アクリレート（メタクリレート）、ポリプロピレン−グリコール−モノ−アクリレート（メタクリレート）、メトキシエチレングリコール−アクリレート（メタクリレート）、エトキシエチル−アクリレート（メタクリレート）、メトキシポリエチレングリコール−アクリレート（メタクリレート）、メトキシポリプロピレングリコール−アクリレート（メタクリレート）、ジアセトン−アクリレート（メタクリレート）、β−カルボキシエチル−アクリレート（メタクリレート）、フタル酸−アクリレート（メタクリレート）、イソブトキシメチル−アクリルアミド（メタクリルアミド）、N，N−ジメチル−アクリルアミド（メタクリルアミド）、t−オクチル−アクリルアミド（メタクリルアミド）、ジメチルアミノエチル−アクリレート（メタクリレート）、ジエチルアミノエチル−アクリレート（メタクリレート）、ブチルカルバミルエチル−アクリレート（メタクリレート）、n−イソプロピル−アクリルアミド（メタクリルアミド）−フッ素化−アクリレート（メタクリレート）、7−アミノ−3，7−ジメチルオクチル−アクリレート（メタクリレート）、N，N−ジエチル−アクリルアミド（メタクリルアミド）、N，N−ジエチルアミノプロピル−アクリルアミド（メタクリルアミド）、ヒドロキシブチル−ビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、セチルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、および以下の一般式（I）で表される化合物が含まれる。

ここで、R⁶は、水素原子またはメチル基であり、R⁷は、2〜8の炭素原子、好ましくは2〜5の炭素原子を含むアルキレン基であり、mは、0〜12の整数であり、1〜8であることが好ましく、R⁸は、水素原子、もしくは1〜12の炭素原子、好ましくは1〜9の炭素原子を含むアルキル基であり、あるいはR⁸は、4〜20の炭素原子を有するアルキル基を含むテトラヒドロフラン基であり、これは、任意で、1〜2の炭素原子を有するアルキル基で置換されても良い。あるいはR⁸は、4〜20の炭素原子を持つアルキル基を有するジオキサン基であり、これは、任意で、メチル基と置換されても良い。あるいはR⁸は、任意でC₁−C₁₂のアルキル基、好ましくはC₈−C₉のアルキル基で置換された芳香族基、およびエトキシル化イソデシル−アクリレート（メタクリレート）、エトキシル化ラウリル−アクリレート（メタクリレート）等のような、アルコキシル化脂肪族単官能基モノマーである。

材料中には、架橋化反応を開始するための開始剤が存在しても良い。開始剤の量は、幅広い範囲で変化し得る。適当な開始剤の量は、架橋反応に関係する化合物の全重量に対して、例えば、0から5wt％の範囲である。

UV架橋化処理を用いて、架橋化反応を開始させる場合、材料は、UV光開始剤を有することが好ましい。光開始剤は、光を吸収した際に、架橋化反応を開始することができ、従って、UV光開始剤は、紫外線領域のスペクトルの光を吸収する。良好な結果が得られる、いくつかの良く知られたUV光開始剤は、2，2−ジメトキシ−1，2−ジフェニルエタン−1−one（IRGACURE（登録商標）651−Ciba Specialty Chemicals）、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−（4−モルホリノフェニル）−ブタノーン−1−（IRGACURE（登録商標）369−Ciba Specialty Chemicals）、ビス（2，4，6−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド（Irgacure（登録商標）819−Ciba Specialty Chemicals）である。

重合化開始剤は、光開始剤と熱開始剤の混合物を有することが好ましい。熱開始剤の一例は、ベンゾイル過酸化物、ジクミル過酸化物、2，5−ジメチル−2，5−ジ（tert−ブチル過酸化物）−ヘキサン過酸化物、ジラウロイル過酸化物、および2，2’−アゾビスイソブチロニトリルである。

材料は、未露光領域に、重合化を遅らせるインヒビターを有することが好ましい。これまでに研究されているインヒビターの一例は、ヒドロキノン、およびヒドロキノンモノメチルエーテルである。好適実施例では、インヒビターの量は、0.001から0.5ｗｔ％の間である。

材料は、有機溶媒の溶液から形成されても良い。高分子とモノマーまたはモノマー混合物の間の比は、溶媒の蒸発後に、形成される膜が固体となり、好ましくはタック（tack）のない状態となるように選定される。P／（P+M）で規定される高分子（P）とモノマー（M）の比は、0.3よりも大きいことが好ましく、0.5以上であることがより好ましい。

使用溶媒は、少なくとも一つの基板または隔壁への溶液のコーティングの適用後に、蒸発することが好ましい。溶媒の蒸発を助長させるため、必要な場合、コーティングは、加熱され、真空中で処理されても良い。

適当な溶媒の一例は、1，4−ジオキサン、アセトン、アセトニトリル、クロロホルム、クロロフェノール、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジクロロメタン、酢酸ジエチル、ジエチルケトン、ジメチルカーボネート、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、エタノール、酢酸エチル、m−クレゾール、モノ−およびジ−アルキル置換グリコール、N，N−ジメチルアセトアミド、p−クロロフェノール、1，2−プロパンジオール、1−ペンタノール、1−プロパノール、2−ヘキサノン、2−メトキシエタノール、2−メチル−2−プロパノール、2−オクタノン、2−プロパノール、3−ペンタノン、4−メチル−2−ペンタノン、ヘキサフルオロイソプロパノール、メタノール、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸メチルアセト、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、n−メチルピロリドン−2、n−酢酸ペンチル、フェノール、テトラフルオロ−n−プロパノール、テトラフルオロイソプロパノール、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレンならびに水である。またアルコール、ケトンおよびエステル系の溶媒を使用しても良いが、高分子量アルコールの場合、アクリレートの溶解度が問題となる。ハロゲン化溶媒（ジクロロメタンおよびクロロホルム等）および炭化水素（ヘキサンおよびシクロヘキサン等）も適している。

光エンボス化材料は、キャスティング法により、溶液から第2の基板に設置され、第2の基板上に、厚さが約10μmの実質的に均一な層16が形成される。あるいは、光エンボス化材料の層16の厚さは、材料特性により、および潜在画像を書き込み、現像する際に必要な膨脹量により、変化させても良い。また、ドクターブレード法またはプリント印刷法のような他の技術を使用して、光エンボス化材料を第2の基板に設置しても良い。

ステップBでは、隔壁14の上に第2の基板を置くことにより、隔壁で第1および第2の基板が離間され、これによりセル18、19の形成が容易となる。第2の基板12が隔壁14上に適正に置載されなかった場合、通常、第2の基板といくつかの隔壁の上部の間には、意図しないギャップ13が生じる。これらのギャップは、例えば、隔壁の高さが変化することにより、あるいは隔壁の上部と第2の基板の間に薄膜層を形成する際に、セル内に過剰な流体もしくは材料が存在することにより生じる。図に示されているギャップ13の寸法には、スケールは示されておらず、実際には、ギャップ13は、示されたものよりも十分に小さい。基板10および12は、シール材料120を用いて、基板の端部を相互にシール化することにより、相互に位置合わせした状態で固定される。あるいは、基板は、例えば、隔壁に対して、両者を押し付けることにより（すなわち摩擦により）、または基板を適正な位置に保持する冶具を使用することにより、整列、固定されても良い。

ステップCでは、光エンボス化材料に潜在画像が書き込まれ、現像され、セルが相互に分離された状態でシールされる。潜在画像の現像により、光エンボス化材料は、矢印118の方向に動かされ、これにより、光エンボス化材料の領域114が膨脹し、光エンボス化領域116が収縮する。領域114は、隔壁14と第2の基板12の間の界面にあるため、領域114での光エンボス化材料16の膨脹により、光エンボス化材料は、隔壁14の上部と接するようになり、ギャップ13が閉止され、これにより、セルが相互に分離された状態でシールされる。

潜在画像の書き込みステップは、光エンボス化材料の領域114を、紫外光線112に露光するステップを有し、これにより、光エンボス化材料が膨脹して、セルが相互に分離された状態でシールされる。この露光により、光開始剤の光分解によって、反応性粒子（例えばフリーラジカル）が形成される。紫外光線は、マスクを介して、光エンボス化材料を露光し、膨脹させる必要のない、光エンボス化材料の領域116は、露光されない。あるいは、光エンボス化材料は、光エンボス化材料の種類の特性を変化させる、他の種類の（照射）光により、露光される。例えば、351nmの波長の光を放射するアルゴンレーザ光を用いて、潜在画像の書き込みを行っても良い。この場合、レーザの方向は、正確に制御され得るため、マスクは不要となる可能性がある。

別の代替例では、電気泳動流体は、潜在画像の書き込みに使用される光を吸収する粒子を有しても良い。次に、第2の基板12の方向ではなく、第1の基板10の方向から、光エンボス化材料の方に照射光が誘導されると、その後、電気泳動粒子自身が、照射光のパターン化処理の際のマスクとして機能する。例えば、照射光は、第1の基板および隔壁を通過し、隔壁14の直上の光エンボス化材料の領域に到達し得るが、電気泳動流体中の吸収粒子による吸収のため、光エンボス化材料の他の領域への到達は、妨害される。従って、潜在画像は、隔壁に対して、効果的に自己整列し得るようになる。

潜在画像の書き込みステップは、ステップBにおいて、第1および第2の基板が、複数の隔壁により分離された後の、ステップCの間に生じる。従って、第1の基板または第2の基板、および隔壁は、UV光に対して、十分に半透明である必要があり、これにより、これらを介して、光エンボス化材料に、潜在画像を書き込むことが可能となる。

あるいは、潜在画像は、隔壁により第1および第2の基板が離間される前に、書き込まれても良く、例えば、ステップAにおいて、第2の基板上に光エンボス化材料を形成した直後に、書き込まれても良い。

基板が隔壁で離間される前に、潜在画像を書き込むことの利点は、第1または第2の基板を介して、潜在画像を露光する必要がなくなることである。これにより、必要な光強度が抑制され、および／または書き込み領域の精度が向上する。第1および第2の基板が隔壁により離間されてから、潜在画像を書き込むことの利点は、第1および第2の基板が、過去に書き込まれた潜在画像のパターンとは無関係に、離間され得ることである。

潜在画像の現像処理は、光エンボス化材料を赤外光線に暴露させることにより、光エンボス化材料を加熱するステップを有する。この加熱ステップにより、光エンボス化材料内のモノマーの拡散易動度が高まり、潜在画像の露光領域に、モノマーの重合および拡散が生じる。これにより、露光領域114が膨脹し、セルが相互に分離された状態でシールされ、非露光領域116からのモノマーの拡散のため、非露光領域116が収縮する。潜在画像の現像処理は、他の方法を用いて、例えばセル構造体をオーブン内に配置することにより、光エンボス化材料を加熱するステップを有しても良い。

光エンボス化材料の温度は、熱開始剤の分解温度を超えるまで、上昇し続け、その後、光エンボス化材料の露光領域と非露光領域の双方に残留するモノマーが、重合化される。これにより、現像段階が完了した後に、光エンボス化材料の形状が変化することが抑制される。あるいは、光エンボス化材料の製造を容易にするため、熱開始剤は、添加しなくても良い。

潜在画像の書き込みおよび現像ステップは、UV光（画像書き込み用）とIR光（材料加熱、画像現像用）の両方に対して、同時に、光エンボス化材料を露光処理することにより行われても良い。従って、画像の現像は、画像の書き込みと同時に開始される。これにより、画像の書き込みおよび現像の実施に必要な時間が短縮化される。

光エンボス化処理は、当業者には良く知られた技術であり、本願に示したもの以上の十分な記載として、C．WITZ，C．SANCHEZ，C BASTIAANSEN，D．J．BROER，HANDBOOK OF POLYMER REACTION ENGINEERING，VOL．2（EDS．T．MEYER，J．KEURENTJES），WILEY−VCH，WEINHEIM，GERMANY 2005，CH19が参照される。

以下、図2を参照して、本発明の第2の実施例について説明する。第1の実施例に関する記載の多くは、第2の実施例にも等しく適用することができるため、これについては、再度繰り返さない。図2には、シール化セル構造を形成する際の、3つの断面図が示されており、各図には、形成処理プロセスにおけるあるステップが示されている。

ステップAでは、複数の隔壁14を有する第1の基板10が形成される。隔壁の間のセル領域には、電気泳動流体17が充填され、この流体は、複数の帯電色素粒子110を有する。また、光エンボス化材料の領域22を有する第2の基板12が形成される。光エンボス化材料の領域22は、第2の基板12と隔壁14の間の意図した界面の領域内に形成される。光エンボス化材料の領域22は、光エンボス化材料の実質的に均一な層を、基板上に形成した後、領域22のみが残存するまで、領域20をエッチング除去処理することにより形成される。ただし、当業者には、プリント法のような他の代替法は明らかである。

ステップBでは、隔壁の上部に、第2の基板が整列配置され、光エンボス化材料の領域22は、隔壁に対する界面領域に配置される。いくつかの隔壁と第2の基板の間には、意図しないギャップ13が存在する。

ステップCでは、潜在画像が書き込み、現像され、矢印118の方向に、光エンボス化材料の拡散が生じ、これにより領域114が膨脹し、隔壁14と接触するようになるとともに、領域116が収縮し、セルが相互に離間された状態でシール化される。

以下、図3を参照して、第3の実施例について説明する。第1の実施例に関する記載の多くは、第3の実施例にも同様に適用することができるため、これについては、再度繰り返さない。図3には、シール化セル構造を形成する際の3つの断面図を示す。各図には、形成処理プロセスにおけるあるステップが示されている。

ステップAでは、複数の隔壁14を有する第1の基板10が形成される。隔壁間のセル領域には、電気泳動流体17が充填され、この流体は、複数の帯電色素粒子110を有する。また、第2の基板12が形成される。隔壁の上部、および隔壁と第2の基板の間に界面が形成されるように意図された隔壁の領域内に、光エンボス化材料の領域30が形成される。この実施例では、転写プリント技術またはフレキソ印刷法に対応する処理プロセスにより、領域30が形成される。槽は、高分子、モノマー、開始剤、インヒビター、および溶媒を含む光エンボス化溶液と、槽から溶液を収集し、隔壁の上部に溶液の層を成膜する、1または2以上のローラと、を保持する。70℃での乾燥ステップにより、溶媒が除去される。

ステップBでは、隔壁の上部に、第2の基板が設置され、セル18および19の形成が容易となる。いくつかの隔壁と第2の基板の間には、意図しないギャップ13が存在する。

ステップCでは、潜在画像が書き込み、現像され、領域116から領域114への光エンボス化材料の拡散が生じ、これにより領域114が膨脹し、第2の基板12と接するようになるとともに、領域116が収縮し、セルが相互に離間された状態でシール化される。光エンボス化材料30の一部は、照射光に露光されず、光エンボス化材料の非露光領域が存在し、この部分の光エンボス化材料が、光エンボス化材料の露光領域に拡散することが重要であることは、明らかである。

以下、図4を参照して、本発明の第4の実施例について説明する。第1の実施例に関する記載の多くは、第4の実施例にも同様に適用することができるため、これについては、再度は繰り返さない。図4には、シール化セル構造を形成する際の3つの断面図が示されており、各図には、形成処理プロセスのあるステップが示されている。

ステップAでは、複数の隔壁14を有する第1の基板10が形成される。隔壁の間のセル領域には、電気泳動流体117が充填され、この流体は、複数の帯電色素粒子110を有する。また、光エンボス化材料16の層を有する第2の基板12が形成される。隔壁の上部、および隔壁と第2の基板の間に界面が形成されるように意図された隔壁の領域内に、光エンボス化材料の領域30が形成される。

ステップBでは、第2の基板は、隔壁の上部に設置され、セル18および19の形成が容易となる。いくつかの隔壁と第2の基板の間には、意図しないギャップ13が存在する。

ステップCでは、第2の基板上の光エンボス化材料および第2の基板上に、潜在画像が書き込み、現像され、領域116から領域114への光エンボス化材料の拡散が生じ、これにより領域114が膨脹するとともに、領域116が収縮し、セルが相互に離間された状態でシール化される。第2の基板上の光エンボス化材料、および隔壁上の光エンボス化材料の双方は、互いに向かって膨脹し、隔壁と第2の基板の間の、大きなギャップも充填され得る。また、光エンボス化材料は、該光エンボス化材料とは異なる材料である基板または隔壁と接触するのではなく、他の光エンボス化材料と接触することにより、シールが形成されるため、強固なシールが形成される。

以下、図5を参照して、本発明の第5の実施例について説明する。第1の実施例に関する多くの記載は、第5の実施例にも同様に適用され得るため、これについては、再度は繰り返さない。図5には、シール化セル構造を形成する際の3つの断面図が示されており、各図には、形成処理プロセスにおけるあるステップが示されている。

ステップAでは、光エンボス化材料50および隔壁14を有する第1の基板10が形成される。隔壁間のセル領域には、電気泳動流体17が充填され、この流体は、複数の帯電色素粒子110を有する。また、第2の基板が形成される。

ステップBでは、隔壁の上部に第2の基板が設置され、セル18および19の形成が容易となる。いくつかの隔壁と第2の基板の間には、意図しないギャップ13が存在する。

ステップCでは、第1の基板上の光エンボス化材料に、潜在画像が書き込み、現像され、矢印118の方向に、光エンボス化材料の拡散が生じ、これにより領域114が膨脹するとともに、領域116が収縮する。膨脹領域114により、隔壁が第2の基板の方に移動し、第2の基板と接触し、これにより相互に離間されたセルが、界面52でシール化される。この構成は、光エンボス化材料と隔壁の両方の形成が、第1の基板上で実施されるため、第2の基板を処理する必要がなくなるという利点を有する。

図6には、面内電気泳動式ディスプレイの一部の平面概略図を示す。このディスプレイは、4つの面内表示画素を有し、これらの画素は、4つの各セル21、22、23および24から構成されている。セルは、2つの基板（明確化のため図示されていない）により形成され、これらの基板は、隔壁14により離間されており、未露光領域から露光領域への光エンボス化材料の移動により、セルは、相互に離間された状態でシール化される。表示装置は、複数の行RE電極と、列CE電極とを有し、これにより、各画素セル内の帯電粒子110の移動が制御される。

本発明によるシール化セル構造を、電気泳動式ディスプレイに関して説明したが、幅広い様々なシステムにおいて、本発明の適用を見出すことも可能である。例えば：
−分子診断用に使用されるバイオセンサ；血液や唾液のような、複雑な生物学的混合物中のプロテインおよび核酸の迅速感度検出；
−細胞溶解またはプロテイン操作のための局部的なpH変化を形成する電解質；
−化学、薬学または分子生物学用の高処理量スクリーニング措置；
−（病院内）オンサイト評価用、集中ラボもしくは科学的研究における診断用の、例えば犯罪学における、例えばDNAまたはプロテインの評価装置；
−心臓病、感染症、および癌研究のDNAまたはプロテイン診断用のツール、ならびに食物および環境診断用のツール；
； コンビナトリアル（組み合わせ）化学用のツール；または
−解析装置。

当業者には明らかであるように、シール化セルにおける材料は、幅広く様々な物質を有しても良く、例えば、実質的にいかなる有機体の体内流体（例えば、血液、尿、***等）；環境サンプル（例えば空気、農業、水および土壌のサンプル）；生物剤サンプル；研究サンプル（例えば核酸）を有しても良い。本発明の適用例には、流体サンプル中の1または2以上の対象分子を検出する装置が含まれ、特に、水溶液中の生物分子を検出する装置の分野に適用される。対象分子は、例えば、対象および信号増幅の両方を含む、増幅反応の結果物；精製ゲノムのDNA、RNA、プロテイン等のような精製サンプル；生のサンプル（バクテリア、ウィルス、ゲノムDNA等）；これに限られるものではないが、核酸および関連化合物（例えばDNA、RNA、オリゴヌクレオチド、またはこれらの類似体、PCR製品、ゲノムDNA、バクテリア人工染色体、プラスミド）のような生物学的分子化合物；プロテインおよび関連化合物（例えば、ポリペプチド、ペプチド、単クローンもしくはポリクローンの抗体、溶解性もしくは境界受容体、転写調節因子）、抗原、配位子、ハプテン、炭水化物および関連化合物（例えば、多糖類、オリゴ糖）、膜小片のような細胞小片（fragment）、細胞小器官、無傷細胞、バクテリア、原虫である。

要約すると、シール化セル構造を形成する方法が提供される。シール化セル構造は、第1および第2の基板を有し、これらの基板は、複数の隔壁により離間される。隔壁は、第1および第2の基板の間に、複数のセルを定形する。少なくとも一つの基板および隔壁は、上部に、光エンボス化材料の層を有する。光エンボス化材料には、潜在画像が書き込まれ、その後この画像が現像されると、これにより潜在画像のパターンに対応する領域において、光エンボス化材料の膨脹が生じる。光エンボス化材料の膨脹により、セルが相互に分離された状態でシール化される。

また、特許請求の範囲に属する多くの他の実施例は、当業者には明らかである。光エンボス化材料が配置される、基板および／または隔壁の領域に関して、多くの可能な変更が存在するが、これは、当業者には明らかである。例えば、光エンボス化材料は、第1および第2の基板の、両方の上部に形成されても良い。請求項に記載の方法の各ステップの順番は、異なる実施例では異なっていても良い。請求項内の参照符号は、該請求項の範囲を限定するものと解してはならない。

Claims (21)

1. シール化セル構造を形成する方法であって、
   前記シール化セル構造は、第1および第2の基板と、複数の隔壁とを有し、
   当該方法は、
   −前記第1の基板、
   −前記第2の基板、および
   −前記複数の隔壁、
   の少なくとも一つの上に、光エンボス化材料を形成するステップと、
   前記複数の隔壁により、前記第1および第2の基板を離間するステップであって、これにより、前記第1および第2の基板の間に、複数のセルが定形されるステップと、
   前記光エンボス化材料に、潜在画像を書き込むステップと、
   前記潜在画像を現像するステップであって、これにより前記光エンボス化材料が移動し、前記セルが相互に離れた状態でシールされるステップと、
   を有する方法。
2. さらに、前記セルが相互に離れた状態でシールされるステップの前に、前記セルに流体を充填するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
3. 前記流体は、電気泳動流体であり、
   前記セルは、電気泳動式ディスプレイを形成することを特徴とする請求項2に記載の方法。
4. 前記潜在画像を書き込むステップは、前記光エンボス化材料の領域を、照射光に露光するステップを有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の方法。
5. 前記潜在画像を現像するステップは、前記光エンボス化材料を加熱するステップを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の方法。
6. 前記光エンボス化材料は、高分子、モノマー、および光開始剤を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の方法。
7. 前記潜在画像を書き込むステップは、前記光エンボス化材料の領域を、照射光に露光するステップを有し、
   前記潜在画像を現像するステップは、前記光エンボス化材料を加熱するステップを有し、
   前記露光された領域に前記モノマーが移動し、これにより前記露光された領域が膨脹し、前記セルが相互に離れた状態でシールされることを特徴とする請求項6に記載の方法。
8. 前記光エンボス化材料は、さらに、熱開始剤を有し、
   前記光エンボス化材料を現像するステップは、前記熱開始剤の分解温度を超える温度に、前記光エンボス化材料を加熱するステップを有し、これにより、前記モノマーが重合化されることを特徴とする請求項6または7に記載の方法。
9. 前記潜在画像を書き込むステップは、前記隔壁により、前記第1および第2の基板を相互に離間するステップの後に実施されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一つに記載の方法。
10. 前記潜在画像は、前記光エンボス化材料の領域に、照射光を露光することにより書き込まれ、
    前記セルには、前記照射光を吸収する粒子を有する流体が充填され、
    前記吸収粒子は、前記光エンボス化材料に書き込まれる前記潜在画像のパターンの少なくとも一部を定形する、マスクとして機能することを特徴とする請求項9に記載の方法。
11. 前記複数の隔壁により、前記第1および第2の基板を離間するステップは、
    前記第1の基板上に、前記隔壁を形成するステップと、
    前記隔壁上に、前記第2の基板を設置するステップと、
    を有することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一つに記載の方法。
12. 前記光エンボス化材料は、前記第1および第2の基板の少なくとも一つの上に、層として形成され、
    前記潜在画像を書き込むステップおよび前記現像するステップによって、前記光エンボス化材料が、前記隔壁と接触するように移動し、これにより、前記セルが相互に離れた状態でシールされることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一つに記載の方法。
13. 前記光エンボス化材料は、
    −前記第1および第2の基板の少なくとも一つの上、ならびに
    −前記隔壁と前記第1および第2の基板の少なくとも一つの間の界面の領域内、
    に形成され、
    前記潜在画像を書き込むステップおよび前記現像するステップによって、前記光エンボス化材料が、前記隔壁と接触するように移動し、これにより、前記セルが相互に離れた状態でシールされることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一つに記載の方法。
14. 前記光エンボス化材料は、
    −前記隔壁の上、ならびに
    −前記隔壁と前記第1および第2の基板の少なくとも一つの間の界面の領域内、
    に形成され、
    前記潜在画像を書き込むステップおよび前記現像するステップによって、前記光エンボス化材料が、前記第1および第2の基板の少なくとも一つと接触するように移動し、これにより、前記セルが相互に離れた状態でシールされることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一つに記載の方法。
15. 前記複数の隔壁により、前記第1および第2の基板を離間するステップは、
    前記第1の基板上に、前記隔壁を形成するステップと、
    前記隔壁上に、前記第2の基板を設置するステップと、
    を有し、
    前記隔壁上に、前記第2の基板を設置するステップの前に、前記光エンボス化材料が、
    −前記第2の基板上、および
    −前記隔壁と前記第2の基板の間の前記界面を形成する前記隔壁の領域内の、前記隔壁上、
    に形成され、
    前記潜在画像を書き込むステップおよび前記現像するステップによって、
    −前記第2の基板上の前記光エンボス化材料が、前記隔壁の方に移動し、
    −前記隔壁上の前記光エンボス化材料が、前記第2の基板の方に移動し、
    前記第2の基板上の前記光エンボス化材料が、前記隔壁上の前記光エンボス化材料と接触し、これにより、前記セルが相互に離れた状態でシールされることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一つに記載の方法。
16. 前記複数の隔壁により、前記第1および第2の基板を離間するステップは、
    前記第1の基板上に、前記隔壁を形成するステップと、
    前記隔壁上に、前記第2の基板を設置するステップと、
    を有し、
    前記前記光エンボス化材料は、前記隔壁上に、前記第2の基板を設置するステップの前に、前記第2の基板上に形成され、
    前記潜在画像を書き込むステップおよび前記現像するステップによって、前記第2の基板上の前記光エンボス化材料が、前記複数の隔壁の方に膨脹し、前記複数の隔壁と接触するように移動し、これにより、前記セルが相互に離れた状態でシールされることを特徴とする請求項12または13に記載の方法。
17. 前記複数の隔壁により、前記第1および第2の基板を離間するステップは、
    前記第1の基板上に、前記隔壁を形成するステップと、
    前記隔壁上に、前記第2の基板を設置するステップと、
    を有し、
    前記前記光エンボス化材料は、前記第1の基板上に、前記隔壁を形成するステップの前に、前記第1の基板上に形成され、
    前記潜在画像を書き込むステップおよび前記現像するステップによって、前記第1の基板上の前記光エンボス化材料が、前記複数の隔壁に対して押し付けられるように移動し、これにより、前記複数の隔壁は、前記第2の基板と接するように移動し、これにより、前記セルが相互に離れた状態でシールされることを特徴とする請求項12または13に記載の方法。
18. 前記複数の隔壁により、前記第1および第2の基板を離間するステップは、
    前記第1の基板上に、前記隔壁を形成するステップと、
    前記隔壁上に、前記第2の基板を設置するステップと、
    を有し、
    前記光エンボス化材料は、
    −前記隔壁上に、前記第2の基板を設置するステップの前に、前記複数の隔壁の上、および
    −前記隔壁と前記第2の基板の間の界面を形成する前記隔壁の領域内、
    に形成され、
    前記潜在画像を書き込むステップおよび前記現像するステップによって、前記隔壁上の前記光エンボス化材料が、前記第2の基板の方に膨脹して、前記第2の基板と接触するように移動し、これにより前記セルが相互に離れた状態でシールされることを特徴とする請求項14に記載の方法。
19. 前記シール化セル構造のセルは、電気泳動式ディスプレイの画素を形成することを特徴とする請求項1乃至18のいずれか一つに記載の方法。
20. 前記光エンボス化材料は、
    前記潜在画像が書き込まれ、現像される内部材料と、
    前記内側材料の表面の外側保護層であって、前記潜在画像の現像の間、前記内側材料に対応して変形することが可能な外側保護層と、
    を有することを特徴とする請求項1乃至19のいずれか一つに記載の方法。
21. 複数の隔壁により離間された、第1および第2の基板を有するシール化セル構造であって、
    前記複数の隔壁は、前記第1および第2の基板の間に、複数のセルを定形し、
    −前記第1の基板、
    −前記第2の基板、および
    −前記複数の隔壁
    の少なくとも一つの上に、光エンボス化材料が存在し、
    該光エンボス化材料は、潜在画像を書き込み、現像することにより移動し、これにより、前記セルが相互に離れた状態でシールされることを特徴とするシール化セル構造。
    

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