JP2010278438A - ヒートシンク並びにその製作方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性の向上、コストの低減、サイズの低下及び製造の容易性の増大のための熱抵抗が小さいパワーモジュールヒートシンクを提供する。
【解決手段】加熱されたデバイス(50)を冷却するためのヒートシンクアセンブリ(10)は、複数の冷却用流体チャンネル(26)をその内部に組み込んだセラミックサブストレート(64)を含む。セラミックサブストレート(64)は最上面(56)及び最底面(68)を含む。導電材料の層(62)は、セラミックサブストレート(64)の最上面と最底面(66)、(68)のうちの一方に対してのみ結合またはろう付けされている。導電材料(62)及びセラミックサブストレート(64)は実質的に同一の熱膨張率を有する。
【選択図】図6
【解決手段】加熱されたデバイス(50)を冷却するためのヒートシンクアセンブリ(10)は、複数の冷却用流体チャンネル(26)をその内部に組み込んだセラミックサブストレート(64)を含む。セラミックサブストレート(64)は最上面(56)及び最底面(68)を含む。導電材料の層(62)は、セラミックサブストレート(64)の最上面と最底面(66)、(68)のうちの一方に対してのみ結合またはろう付けされている。導電材料(62)及びセラミックサブストレート(64)は実質的に同一の熱膨張率を有する。
【選択図】図6
Description
本発明は、全般的には半導体パワーモジュールに関し、さらに詳細には、半導体パワーモジュール内における電気絶縁に一般に使用されるヒートシンク並びに該ヒートシンクをセラミックサブストレート内に製作する方法に関する。
高密度パワーエレクトロニクスの開発によってパワー半導体デバイスの冷却がより一層困難になっている。最大500W/cm2までの放散が可能な最近のシリコンベースのパワーデバイスでは、改良された熱管理手法が必要である。デバイス温度が50K上昇に制限される場合、自然及び強制空冷スキームだけで取り扱える熱流は約1W/cm2までである。従来の液体冷却プレートは概ね20W/cm2の熱流を達成することが可能である。ヒートパイプ、衝突スプレー(impingement spray)及び液体気化によって熱流を大きくすることが可能であるが、これらの技法は製造の困難さ及び高コストに繋がる可能性がある。
高熱流パワーデバイスの従来式冷却において遭遇する別の問題は加熱された表面全体の温度分布の不均一である。このことは、冷却チャンネル構造が不均一であること、並びに冷却用流体が加熱された表面と平行な長いチャンネルを通過して流れる際にその温度上昇が不均一であることに起因する。
高性能な熱管理のために有望なテクノロジーの1つはマイクロチャンネル冷却である。これは1980代においてシリコン集積回路を冷却する有効な手段として実証されたものであり、最大1000W/cm2までの熱流及び100℃未満の表面温度上昇を示す設計に依ったものである。周知のマイクロチャンネル設計では、冷却用流体をマイクロチャンネルまで分配するために(底部銅層内に製作したマイクロチャンネルを有する)サブストレートをマニホールドを組み込んだ金属複合材ヒートシンクにはんだ付けすることが必要である。これら周知のマイクロチャンネル設計は、非常に複雑な背面マイクロチャンネル構造、並びに構築が極めて複雑な(したがって製造するのに非常に高コストな)ヒートシンクを利用している。
幾つかのパワーエレクトロニクスパッケージング技法はさらに、サブストレート及びヒートシンク内にミリチャンネルテクノロジーを組み入れている。これらのミリチャンネル技法は一般に、直接銅結合(DBC)や活性金属ろう付け(AMB)のサブストレートを使用して、パワーモジュールの熱動作性能を改善させている。
上述したサブストレートは一般に、その上部と底部の両方に対して銅を直接結合またはろう付けさせたセラミック(Si3N4、AlN、Al2O3、BeO、その他)層を備える。銅とセラミックの熱膨張の差のために、アセンブリが処理中及び使用条件にあるときに温度の変動を受けても上部と底部の銅はアセンブリ全体を平面状に維持することを要求される。
信頼性の向上、コストの低減、サイズの低下及び製造の容易性の増大(ただしこれらに限らない)の理由のため、半導体接合と最終的なヒートシンク(流体)との間の熱抵抗が周知のパワーモジュールヒートシンク構造を用いて達成可能な熱抵抗より小さいパワーモジュールヒートシンクを提供することが望ましい。
簡単に述べると一実施形態による加熱されたデバイスを冷却するためのヒートシンクアセンブリは、
冷却用流体チャンネルをその内部に組み込んで含む最上面及び最底面を含んだ電気絶縁材料層と、
2層サブストレートを形成するようにセラミック層の最上面と最底面のうちの一方に対してのみ結合またはろう付けされた導電材料層と、
を備える。
冷却用流体チャンネルをその内部に組み込んで含む最上面及び最底面を含んだ電気絶縁材料層と、
2層サブストレートを形成するようにセラミック層の最上面と最底面のうちの一方に対してのみ結合またはろう付けされた導電材料層と、
を備える。
別の実施形態による加熱されたデバイスを冷却するためのヒートシンクアセンブリは、
複数の冷却用流体チャンネルをその内部に組み込んで含んだ最上面及び最底面を有するセラミックサブストレートと、
セラミックサブストレートの最上面と最底面のうちの一方に対してのみ結合またはろう付けされた導電材料層と、
を備える。
複数の冷却用流体チャンネルをその内部に組み込んで含んだ最上面及び最底面を有するセラミックサブストレートと、
セラミックサブストレートの最上面と最底面のうちの一方に対してのみ結合またはろう付けされた導電材料層と、
を備える。
本発明に関するこれらの特徴、態様及び利点、並びにその他の特徴、態様及び利点については、同じ参照符号が図面全体を通じて同じ部分を表している添付の図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことによってより理解が深まるであろう。
上で規定した図面は代替的な実施形態を列挙しているが、検討において記載しているように本発明の別の実施形態も企図される。すべてのケースについて本開示における本発明の実施形態の提示は、説明のためであって限定ではない。当業者であれば本発明の原理の趣旨及び精神の域内にあるような別の多くの修正形態や実施形態を考案することが可能である。
本明細書では、少なくとも1つの加熱された表面50を冷却するための装置10について図1〜7を参照しながら記載する。図1の一実施形態に従って図示した装置10は、図2にさらにその詳細を示したような底部プレート12を含む。図2に示した一実施形態では、底部プレート12は多数の入口マニホールド16及び多数の出口マニホールド18を画定している。入口マニホールド16は冷却剤20を受け取るように構成されており、また出口マニホールド18は冷却剤を排出するように構成されている。図2に示したように、例えば入口マニホールド16と出口マニホールド18は交互配置されている。図1に示したように装置10はさらに、内側表面24及び外側表面52を有する少なくとも1つのサブストレート22を含んでおり、該内側表面24は底部プレート12に結合させている。
図4に示すような一実施形態ではその内側表面24は、入口マニホールド16から冷却剤20を受け取り出口マニホールド18に該冷却剤を伝達するように構成された多数の冷却用流体チャンネル26を特徴とする。一態様では、冷却用流体チャンネル26は入口及び出口マニホールド16、18と実質的に直交する向きにある。サブストレート22の外側表面52は、図1に示したように加熱された表面50と熱的に接触させている。装置10はさらに、入口マニホールド16に冷却剤20を供給するように構成された入口プレナム28と、冷却剤を出口マニホールド18から排出するように構成された出口プレナム40と、を含む。図2及び3に示したように、入口プレナム28及び出口プレナム40は底部プレート12の面を成すように方向付けされている。
装置10では多くの冷却剤20を利用することが可能であり、また本発明は特定の冷却剤に限定するものではない。例示的な冷却剤には、水、エチレングリコール、プロピレングリコール、オイル、航空機燃料、及びこれらの組み合わせが含まれる。具体的なある実施形態ではその冷却剤は単相液体(single phase liquid)である。別の実施形態ではその冷却剤は多相液体(multi−phase liquid)である。動作時において、冷却剤が入力プレナム28を介して底部プレート12内のマニホールド16に入りかつ冷却用流体チャンネル26を通って流れた後に、排出マニホールド18及び出力プレナム40を通って帰還する。さらに詳細には冷却剤は、具体的なある実施形態ではその流体直径が装置10内のその他のチャンネルの直径を超えるような入口プレナム28に入っており、これによりプレナム内に大きな圧力低下が生じない。
具体的なある実施形態では、底部プレート12は熱伝導性材料である。例示的な材料には、銅、コバール(Kovar)、モリブデン、チタン、セラミック、金属マトリックス複合材料、及びこれらの組み合わせ(ただし、これらに限らない)が含まれる。別の実施形態では、底部プレート12は成型可能、鋳造可能または機械加工可能な材料から成る。
冷却用流体チャンネル26はマイクロチャンネル寸法からミリチャンネル寸法までを包含する。本発明の幾つかの態様ではチャンネル26は例えば、約0.05mmから約5.0mmまでのフィーチャサイズ(feature size)を有することがある。一実施形態では、チャンネル26は幅が約0.1mmであると共に、約0.2mmの多数のギャップによって分離されている。さらに別の実施形態では、チャンネル26は幅が約0.3mmであると共に、約0.5mmの多数のギャップによって分離されている。また別の実施形態では、チャンネル26は幅が約0.6mmであると共に、約0.8mmの多数のギャップによって分離されている。幅狭の冷却用流体チャンネル26を密充填することによって、その熱伝達表面積が増大し、これにより加熱された表面50からの熱伝達が改善されるので有益である。
冷却用流体チャンネル26は多種多様な幾何学構造で形成することが可能である。冷却用流体チャンネル26の例示的な幾何学構造としては、直線型や湾曲型の幾何学構造が含まれる。冷却用流体チャンネルの壁は例えば、平滑とさせることも、凸凹とすることもある。壁を凸凹とすると表面積が増大し乱流が高まり、これにより冷却用流体チャンネル26内における熱伝達が増大する。例えば冷却用流体チャンネル26は、熱伝達をさらに高めるためにディンプル(dimple)を含むことがある。さらに冷却用流体チャンネル26は、例えば図4の例で示したように連続的とすることがあり、また冷却用流体チャンネル26は図5に例示的に示したように1つの離散的アレイ58を形成することがある。特定の実施形態では冷却用流体チャンネル26は離散的アレイ58を形成すると共に、長さが約1mmであり約0.5mm未満のギャップにより分離されている。
幾何学構造の事項以外に、寸法要因も熱動作性能に影響を及ぼす。一態様では、マニホールド及び冷却チャンネルの幾何学構造及び寸法が温度勾配及び圧力低下の低減に関連して選択される。
図6に示した一実施形態ではサブストレート22は、少なくとも1つの導電材料62と、適当なセラミック材料などの少なくとも1つの電気絶縁材料64と、を含む。例示的なセラミックベースには、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化ベリリウム(BeO)及び窒化ケイ素(Si3N4)が含まれる。導電材料62は、電気絶縁材料64の最上面66に対してだけ結合またはろう付けされている。一態様では導電材料62は、モリブデン、コバール、金属マトリックス複合材、あるいは電気絶縁材料64と同等の熱膨張率を有する適当な別の導電材料を含む。
導電材料62と電気絶縁材料64の両者が実質的に同一の熱膨張率を有するため、モリブデンその他の導電材料の別の電気絶縁材料64からなるセラミックに対する製作に関する温度、あるいは得られた生成物が後続の処理中や使用条件において受けることになる別の温度変動を処理する間の面外(out of plane)歪みが防止される。
電気絶縁材料64の背面68(導電材料62以外)は、その内部に冷却用流体チャンネル26を製作して有する。冷却用流体チャンネル26に関連する領域は(複数のこともある)は、加熱された表面(複数のこともある)50の直ぐ下に位置しており、引き続いてこの表面は電気絶縁材料64の最上面52の上の導電材料62に取り付けられる。
完成したサブストレート22はろう付け、結合、拡散結合(diffusion bonding)、はんだ付け、クランプなどの圧着端子を含む多数の技法のうちのいずれか1つを用いて底部プレート12に取り付け可能であるので有益である。これによって組み上げ処理が単純となり、このためヒートシンク10の全体コストが軽減される。さらに、サブストレート22を底部プレート12に取り付けることによって、加熱された表面50の下側に流体の通路が形成され、これにより冷却用流体チャンネルの冷却テクノロジーを実用的かつ費用対効果よく実現することが可能となる。
本明細書に記載した実施形態は加熱された表面(複数のこともある)50と最終的なヒートシンク(流体)20との間の熱抵抗を低下させるので有利であることに留意されたい。この温度低下によって、デバイス動作時のパワーサイクル中の最大動作温度が低下しかつ最小対最大の温度偏差が低下することにより図7に表したマルチプル半導体パワーデバイス80モジュールなどの対応するパワーエレクトロニクスモジュールに対するよりロバストな設計が提供され、これによりデバイスの信頼性が向上する。さらに本明細書に記載した実施形態は、冷却用流体チャンネル26を電気絶縁材料64内に配置することによって冷却媒質20を加熱された表面(複数のこともある)50のより近い位置にさせており、これによりサブストレートの最上面と最底面の両面上に金属層を利用する周知の構造を用いて達成可能なものと比べて熱抵抗(流体に対するジャンクション)をより低レベルまで下げることが可能となるので有利である。
本発明のある種の特徴についてのみ本明細書において図示し説明してきたが、当業者によって多くの修正や変更がなされるであろう。したがって添付の特許請求の範囲が、本発明の真の精神の範囲に属するこうした修正や変更のすべてを包含させるように意図したものであることを理解されたい。
10 冷却装置
12 底部プレート
16 入口マニホールド
18 出口マニホールド
20 冷却剤
22 サブストレート
24 サブストレート内表面
26 冷却用流体チャンネル
28 入口プレナム
40 出口プレナム
50 加熱された表面
52 サブストレート外表面
58 冷却用流体チャンネルの離散アレイ
62 導電材料
64 電気絶縁材料
66 電気絶縁材料の最上面
68 電気絶縁材料の背面
80 半導体パワーデバイス(複数のこともある)
12 底部プレート
16 入口マニホールド
18 出口マニホールド
20 冷却剤
22 サブストレート
24 サブストレート内表面
26 冷却用流体チャンネル
28 入口プレナム
40 出口プレナム
50 加熱された表面
52 サブストレート外表面
58 冷却用流体チャンネルの離散アレイ
62 導電材料
64 電気絶縁材料
66 電気絶縁材料の最上面
68 電気絶縁材料の背面
80 半導体パワーデバイス(複数のこともある)
Claims (10)
- 加熱されたデバイス(52)を冷却するためのヒートシンクアセンブリ(10)であって、
冷却用流体チャンネル(26)をその内部に組み込んで含む最上面(66)及び最底面(68)を含んだ電気絶縁材料層(64)と、
2層サブストレート(22)を形成するようにセラミック層(64)の最上面と最底面(66)、(68)のうちの一方に対してのみ結合またはろう付けされた導電材料層(62)と、
を備えるヒートシンクアセンブリ(10)。 - さらに、電気絶縁層(64)のうちの導電層(62)に結合またはろう付けさせた電気絶縁層の前記唯一表面の反対側表面にろう付けまたは結合された底部プレート(12)を備えており、該底部プレート(12)は電気絶縁層(64)の冷却用流体チャンネル(26)に冷却用流体を伝達すること及び電気絶縁層(64)の冷却用流体チャンネル(26)から排出された冷却用流体を受け取ることを行うように構成されたマニホールドアレイを備えている、請求項1に記載のヒートシンクアセンブリ(10)。
- 前記冷却用流体は単相または多相液体である、請求項2に記載のヒートシンクアセンブリ(10)。
- 前記サブストレート(22)と底部プレート(12)は一体となって、サブストレート(22)に装着させた半導体デバイス(80)の接合と冷却用流体との間の熱抵抗を、サブストレートの上面と底面の両面にろう付けまたは結合された金属層と対応する底部プレートとの両方を備えたサブストレートで達成可能なものと比べてより小さくさせている、請求項2に記載のヒートシンクアセンブリ(10)。
- 前記電気絶縁層(64)はセラミックを含む、請求項1に記載のヒートシンクアセンブリ(10)。
- 前記電気絶縁層(64)は、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化ベリリウム(BeO)及び窒化ケイ素(Si3N4)を含む、請求項5に記載のヒートシンクアセンブリ(10)。
- 前記導電層(62)は、電気絶縁層(64)の熱膨張率と実質的に同一の熱膨張率を備える、請求項1に記載のヒートシンクアセンブリ(10)。
- 前記導電層(62)は、モリブデン、コバールまたは金属マトリックス複合材料を含む、請求項7に記載のヒートシンクアセンブリ(10)。
- 前記電気絶縁層(64)及び導電層(62)は一体となって、処理中または使用条件下における面外歪みを防止するような熱膨張率を有する、請求項1に記載のヒートシンクアセンブリ(10)。
- 前記冷却チャンネル(26)はマイクロチャンネル寸法からミリチャンネル寸法までを成している、請求項1に記載のヒートシンクアセンブリ(10)。
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