JP2010267896A - Igbt - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、横型のIGBTに関する。 The present invention relates to a lateral IGBT.
近年、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の大電流を制御できる耐圧特性の高い半導体装置が開発されている。特に横型のIGBTは高集積化に有利であり、注目されている。例えば特許文献1には、従来の横型のIGBTが開示されている。 In recent years, semiconductor devices having high withstand voltage characteristics such as IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that can control a large current have been developed. In particular, a lateral IGBT is advantageous for high integration and has attracted attention. For example, Patent Document 1 discloses a conventional lateral IGBT.
IGBTでは、ターンオフ時に耐圧を維持するためにドリフト領域を高抵抗にする必要がある。このため、ターンオン時にはコレクタ領域から正孔を注入してドリフト領域の抵抗値を低減している。ターンオン時にドリフト領域内に蓄積される正孔の量はコレクタ領域から離れるほど減少する。このため、ドリフト領域内のエミッタ領域に近い部位では抵抗値が下がりにくい。その結果、飽和電圧が増大するという問題がある。なお本明細書において、飽和電圧とは、ベース電流を増加させていった場合に、コレクタ電極とエミッタ電極の間の電圧降下が減少しなくなったときのコレクタ電極とエミッタ電極の間の電圧降下をいう。また、以下では、ドリフト領域内のエミッタ領域に近い部位を、ドリフト領域内のエミッタ領域側の部位といい、ドリフト領域内のコレクタ領域に近い部位を、ドリフト領域内のコレクタ領域側の部位という。 In the IGBT, it is necessary to make the drift region have a high resistance in order to maintain the breakdown voltage at the time of turn-off. For this reason, at the time of turn-on, holes are injected from the collector region to reduce the resistance value of the drift region. The amount of holes accumulated in the drift region at turn-on decreases as the distance from the collector region increases. For this reason, the resistance value is unlikely to decrease at a portion close to the emitter region in the drift region. As a result, there is a problem that the saturation voltage increases. In this specification, the saturation voltage is the voltage drop between the collector electrode and the emitter electrode when the voltage drop between the collector electrode and the emitter electrode no longer decreases when the base current is increased. Say. In the following description, a part close to the emitter region in the drift region is referred to as a part on the emitter region side in the drift region, and a part close to the collector region in the drift region is referred to as a part on the collector region side in the drift region.
ターンオン時にドリフト領域内に蓄積される正孔の量を多くすることで、ドリフト領域内のエミッタ領域側の部位においても抵抗値を低減することができ、飽和電圧を低減することができる。しかしながら、ドリフト領域内に蓄積される正孔の量が増加するとターンオフ時にドリフト領域から排出される正孔の量が増加するため、ターンオフ損失が増加する。このため、飽和電圧とターンオフ損失はトレードオフの関係にある。なお本明細書において、ターンオフ損失とは、IGBTのオン状態からオフ状態への遷移期間中に発生する損失、即ち、ターンオフ時のスイッチング損失をいう。 By increasing the amount of holes accumulated in the drift region at the time of turn-on, the resistance value can be reduced even at the emitter region side in the drift region, and the saturation voltage can be reduced. However, when the amount of holes accumulated in the drift region increases, the amount of holes discharged from the drift region at the time of turn-off increases, so that turn-off loss increases. For this reason, the saturation voltage and the turn-off loss are in a trade-off relationship. In this specification, the turn-off loss refers to a loss that occurs during the transition period from the on state to the off state of the IGBT, that is, a switching loss at the turn-off time.
本発明は上記の課題に鑑みて創作されたものである。本発明は、横型のIGBTにおいて、飽和電圧とターンオフ損失のトレードオフ関係を改善することができる技術を提供することを目的とする。 The present invention has been created in view of the above problems. An object of the present invention is to provide a technique capable of improving a trade-off relationship between a saturation voltage and a turn-off loss in a lateral IGBT.
本発明の第1の態様は、半導体基板の表面に臨む範囲に半導体領域が形成されている横型のIGBTに関する。その半導体領域は、ドリフト領域とボディ領域とエミッタ領域とコレクタ領域と拡散領域を備えている。ドリフト領域は、第1導電型である。ボディ領域は、第2導電型であり、ドリフト領域と隣接している。エミッタ領域は、第1導電型であり、半導体基板の表面に臨む範囲に形成されているとともにボディ領域に接しており、ボディ領域によってドリフト領域から分離されている。コレクタ領域は、第2導電型であり、半導体基板の表面に臨む範囲に形成されており、ドリフト領域によってボディ領域から分離されている。コレクタ領域はドリフト領域と接していてもよい。または、コレクタ領域とドリフト領域の間にドリフト領域よりも不純物濃度が高い第1導電型の領域が形成されていてもよい。拡散領域は、エミッタ領域とドリフト領域の間のボディ領域内において半導体領域の表面から半導体領域の裏面に達する深さまで伸びており、ボディ領域をエミッタ領域に接する第1領域とドリフト領域に接する第2領域に分離している。拡散領域は、第1導電型であり、ドリフト領域よりも不純物濃度が高い。 A first aspect of the present invention relates to a lateral IGBT in which a semiconductor region is formed in a range facing a surface of a semiconductor substrate. The semiconductor region includes a drift region, a body region, an emitter region, a collector region, and a diffusion region. The drift region is the first conductivity type. The body region is of the second conductivity type and is adjacent to the drift region. The emitter region is of a first conductivity type, is formed in a range facing the surface of the semiconductor substrate, is in contact with the body region, and is separated from the drift region by the body region. The collector region is of the second conductivity type, is formed in a range facing the surface of the semiconductor substrate, and is separated from the body region by the drift region. The collector region may be in contact with the drift region. Alternatively, a first conductivity type region having a higher impurity concentration than the drift region may be formed between the collector region and the drift region. The diffusion region extends from the surface of the semiconductor region to a depth reaching the back surface of the semiconductor region in the body region between the emitter region and the drift region, and the first region in contact with the emitter region and the second region in contact with the drift region. Separated into areas. The diffusion region is of the first conductivity type and has a higher impurity concentration than the drift region.
上記のIGBTでは、ドリフト領域内のエミッタ領域側の部位と隣接するボディ領域内にドリフト領域よりも第1導電型の不純物濃度が高い拡散領域が形成されている。このため、ターンオン時にドリフト領域内に蓄積される第2導電型のキャリアが拡散領域によって引き付けられ、ドリフト領域内のエミッタ領域側の部位にもキャリアが多く蓄積される。これによって、ドリフト領域内のエミッタ領域側の部位の抵抗値が大きく低減され、飽和電圧が低減される。一方で、ターンオフ損失の増加に影響するのはドリフト領域内のコレクタ領域側に蓄積されているキャリアであり、ドリフト領域内のエミッタ領域側に蓄積されているキャリアはターンオフ損失に影響しない。このため、ターンオン時にドリフト領域内のエミッタ領域側にキャリアが多く蓄積されても、ターンオフ損失は増加しない。その結果、飽和電圧とターンオフ損失のトレードオフ関係が改善される。 In the above-described IGBT, a diffusion region having a higher impurity concentration of the first conductivity type than the drift region is formed in the body region adjacent to the emitter region side portion in the drift region. For this reason, carriers of the second conductivity type that are accumulated in the drift region at the time of turn-on are attracted by the diffusion region, and a large amount of carriers are also accumulated in the site on the emitter region side in the drift region. As a result, the resistance value at the emitter region side in the drift region is greatly reduced, and the saturation voltage is reduced. On the other hand, it is the carriers accumulated on the collector region side in the drift region that affect the increase in turn-off loss, and the carriers accumulated on the emitter region side in the drift region do not affect the turn-off loss. For this reason, even if many carriers are accumulated on the emitter region side in the drift region at the time of turn-on, the turn-off loss does not increase. As a result, the trade-off relationship between saturation voltage and turn-off loss is improved.
本発明の第2の態様のIGBTは、上記した第1の態様のIGBTにおいて、拡散領域が形成されている位置のみ異なっている。本発明の第2の態様のIGBTでは、拡散領域が、ボディ領域とドリフト領域の間において半導体領域の表面から素子領域の裏面に達する深さまで伸びており、ボディ領域とドリフト領域に隣接している。 The IGBT according to the second aspect of the present invention is different from the IGBT according to the first aspect only in the position where the diffusion region is formed. In the IGBT according to the second aspect of the present invention, the diffusion region extends between the body region and the drift region to a depth reaching the back surface of the element region from the surface of the semiconductor region, and is adjacent to the body region and the drift region. .
上記のIGBTでは、ドリフト領域内のエミッタ領域側の部位に隣接してドリフト領域よりも第1導電型の不純物濃度が高い拡散領域が形成されている。このため、ターンオン時にドリフト領域内のエミッタ領域側の部位にもキャリアが多く蓄積される。その結果、上述したように、飽和電圧とターンオフ損失のトレードオフ関係が改善される。 In the above-described IGBT, a diffusion region having a higher impurity concentration of the first conductivity type than the drift region is formed adjacent to the site on the emitter region side in the drift region. For this reason, at the time of turn-on, a large amount of carriers are accumulated also in a portion on the emitter region side in the drift region. As a result, as described above, the trade-off relationship between the saturation voltage and the turn-off loss is improved.
本発明によると、横型のIGBTにおいて、飽和電圧とターンオフ損失のトレードオフ関係を改善することができる。 According to the present invention, in the lateral IGBT, the trade-off relationship between the saturation voltage and the turn-off loss can be improved.
以下、本発明の実施形態の特徴をいくつか説明する。
(形態1)エミッタ領域側の埋め込み酸化膜の表面に、n型の埋め込み領域が形成されている。埋め込み領域は、コレクタ領域側からエミッタ領域側に向かうにつれてn型の不純物濃度が8段階に低下している。
(形態2)ドリフト領域およびボディ領域の表面にゲート絶縁膜としてフィールド酸化膜が形成されている。フィールド酸化膜は、ドリフト領域内のコレクタ領域側の部位近傍とエミッタ領域側の部位近傍にバーズビークを有している。
Hereinafter, some features of the embodiment of the present invention will be described.
(Mode 1) An n-type buried region is formed on the surface of the buried oxide film on the emitter region side. In the buried region, the n-type impurity concentration decreases in eight steps from the collector region side toward the emitter region side.
(Mode 2) A field oxide film is formed as a gate insulating film on the surfaces of the drift region and the body region. The field oxide film has bird's beaks in the vicinity of the collector region side portion and the emitter region side portion in the drift region.
(第1実施例)
図1(a)に、第1実施例に係る横型のIGBT100の断面図を示す。図1(a)に示すように、IGBT100の半導体基板9の裏面に臨む範囲には、支持基板2が形成されている。半導体基板9の一部であって支持基板2の表面には、埋め込み酸化膜4が形成されている。半導体基板9の表面に臨む範囲であって埋め込み酸化膜4の表面には、横型のIGBTの半導体領域31が形成されている。IGBTの半導体領域31は、ドリフト領域22と、ボディ領域6、16と、エミッタ領域12と、ボディコンタクト領域8と、コレクタ領域26と、バッファ領域28と、拡散領域14と、埋め込み領域30で構成されている。ドリフト領域22は、n−型であり、半導体領域31の一部に形成されている。ボディ領域6、16は、p型であり、半導体領域31の他の一部に形成されており、ドリフト領域22と隣接している。エミッタ領域12は、n+型であり、半導体基板9の表面に臨む範囲に形成されているとともにボディ領域6、16に接しており、ボディ領域6、16によってドリフト領域22から分離されている。ボディコンタクト領域8は、p+型であり、半導体基板9の表面、ボディ領域6、16およびエミッタ領域12に接しており、ドリフト領域22から分離されている。コレクタ領域26は、n+型であり、半導体基板9の表面に臨む範囲に形成されており、ドリフト領域22によってボディ領域6、16から分離されている。バッファ領域28は、n型であり、ドリフト領域22とコレクタ領域26の間に形成されており、ドリフト領域22とコレクタ領域26に隣接している。拡散領域14は、エミッタ領域12とドリフト領域22の間のボディ領域6a、16a内において半導体領域31の表面から半導体領域31の裏面に達する深さまで伸びている。拡散領域14は、ボディ領域6、16をエミッタ領域12に接する第1領域6とドリフト領域22に接する第2領域16に分離している。また拡散領域14は、n型であり、ドリフト領域22よりも不純物濃度が高い。埋め込み領域30は、半導体領域31の裏面に臨む範囲に形成されており、埋め込み酸化膜4とドリフト領域22とバッファ領域28に接している。また埋め込み領域30は、n型であり、コレクタ領域26側からエミッタ領域12側に向かうにつれて不純物濃度が8段階に低下している。
(First embodiment)
FIG. 1A shows a cross-sectional view of a
半導体基板9の表面には、エミッタ電極10と、コレクタ電極24と、フィールド酸化膜20と、ゲート電極18が形成されている。エミッタ電極10は、エミッタ領域12と接している。コレクタ電極24は、コレクタ領域24と接している。フィールド酸化膜20は、ドリフト領域22とボディ領域6、16と拡散領域14の表面を被覆しており、ドリフト領域22内のコレクタ領域側の部位近傍とエミッタ領域側の部位近傍22aにバーズビークを有している。フィールド酸化膜20は、ゲート絶縁膜として形成されており、LOCOS(Local oxidation of silicon)法によって形成されている。ゲート絶縁膜20の表面の一部には、ゲート電極18が形成されている。ゲート電極18は、フィールド酸化膜20を介して、ドリフト領域22内のエミッタ領域側の部位22a、エミッタ領域12とドリフト領域22の間のボディ領域6a、16aおよび拡散領域14に対向している。エミッタ電極10とコレクタ電極24とゲート電極18は、フィールド酸化膜20によって互いに絶縁されている。
An
図1(b)は、従来のIGBTと本実施例のIGBT100において、ドリフト領域22内のコレクタ領域側の部位からエミッタ領域側の部位22aに向かう平面方向に沿ってターンオン時の正孔電流の密度をプロファイルした結果を示している。横軸は、エミッタ領域12からの距離を示している。縦軸は、正孔電流密度(A/m2)を示している。実線は、本実施例のIGBT100のプロファイル結果を示している。破線は、従来のIGBTのプロファイル結果を示している。図1(b)に示すように、ドリフト領域22内のエミッタ領域12側の部位22aでは、従来のIGBTの正孔電流密度に比して本実施例のIGBT100の正孔電流密度が大きい。即ち、ターンオン時にドリフト領域22内のエミッタ領域側の部位22aにも正孔が多く蓄積される。このため、本実施例のIGBT100では、従来のIGBTに比してターンオン時におけるドリフト領域22内のエミッタ領域12側の部位22aの抵抗値が大きく低減される。
FIG. 1B shows the density of the hole current at the time of turn-on in the conventional IGBT and the
IGBT100の拡散領域14を除いた部位は、公知の横型のIGBTの製造方法によって製造することができる。以下では、IGBT100の半導体領域31に拡散領域14を形成する方法を説明する。拡散領域14は、半導体領域31にボディ領域6、16を形成した後に、エミッタ領域6とドリフト領域16の間のボディ領域6a、16aにn型不純物を多段イオン注入することによって形成することができる。注入条件としては、例えば、高電圧と中電流を併用した4〜5回のイオン注入とすることができる。これによって、半導体領域31の表面から半導体領域31の裏面に達する深さまで伸びる拡散領域14を形成することができる。
The site | part except the spreading | diffusion area |
IGBT100では、ターンオン時にドリフト領域22内に正孔が蓄積される。この際に、ドリフト領域22内のエミッタ領域側の部位22aにも正孔が多く蓄積される。これによって、ドリフト領域22内のエミッタ領域側の部位22aの抵抗値が大きく低減され、飽和電圧が低減される。一方で、ターンオフ損失は増加しないために、飽和電圧とターンオフ損失のトレードオフ関係が改善される。
In the
図2に、従来のIGBTと本実施例のIGBTの飽和電圧とターンオフ損失のトレードオフ曲線を示す。横軸は、飽和電圧(V)を示している。縦軸は、ターンオフ損失(J)を示している。実線は、本実施例のIGBT100のトレードオフ曲線を示している。破線は、従来のIGBTのトレードオフ曲線を示している。図2に示すように、本実施例のIGBT100では、従来のIGBTに比して飽和電圧とターンオフ損失がともに低減される方向へトレードオフ曲線が改善されている。
FIG. 2 shows a trade-off curve between the saturation voltage and the turn-off loss of the conventional IGBT and the IGBT of this embodiment. The horizontal axis represents the saturation voltage (V). The vertical axis represents the turn-off loss (J). A solid line indicates a trade-off curve of the
さらにIGBT100では、拡散領域14がボディ領域6、16の間に形成されているため、IGBT100のターンオフ時に拡散領域14が両側面から空乏化される。このため、ターンオフ時に拡散領域14が一方の側面からのみ空乏化される場合に比して、拡散領域14の不純物濃度を高くしてもターンオフ時に拡散領域14が空乏化させることができ、IGBT100の耐圧特性を維持することができる。拡散領域14の不純物濃度を高くすることによって、IGBT100のターンオン時にドリフト領域22内のエミッタ領域側の部位22aに正孔を効果的に引き付けることができ、飽和電圧とターンオフ損失のトレードオフ関係を効果的に改善することができる。
Further, in the
(第2実施例)
図3に、第2実施例に係る横型のIGBT200の断面図を示す。IGBT200の構造は第1実施例に係るIGBT100の構造と同一であり、拡散領域44が形成されている位置のみ異なっている。このため、図3において、図1の参照符号に数字30を加えた部材は、図1で説明した部材と同一である。IGBT200では、拡散領域44が、ボディ領域36とドリフト領域52の間において半導体領域61の表面からドリフト領域52を貫通する深さまで伸びており、ボディ領域36とドリフト領域52に隣接している。なお、IGBT200では、ドリフト領域22内のエミッタ領域側の部位52aがフィールド酸化膜50を介してゲート電極48に対向しているが、ドリフト領域22内のエミッタ領域側の部位52aはフィールド酸化膜50を介してゲート電極48に対向していてもよいし、対向していなくてもよい。
(Second embodiment)
FIG. 3 is a cross-sectional view of a
IGBT200では、ターンオン時にドリフト領域52内に正孔が蓄積される。この際に、ドリフト領域52内のエミッタ領域側の部位52aにも正孔が多く蓄積される。その結果、飽和電圧とターンオフ損失のトレードオフ関係が改善される。
In the
第1、第2実施例のIGBTでは、エミッタ領域側の埋め込み酸化膜の表面に、n型の埋め込み領域が形成されている。埋め込み領域は、コレクタ領域側からエミッタ領域側に向かうに連れて不純物の濃度が8段階で低下している。このような埋め込み領域を形成することによって、埋め込み酸化膜と埋め込み領域の界面において、IGBTの深さ方向の電界強度を大きく低減することができる。これによって、局所的な電界集中によるアバランシェ降伏の発生を抑制することができ、高い耐圧特性を維持することができる。 In the IGBTs of the first and second embodiments, an n-type buried region is formed on the surface of the buried oxide film on the emitter region side. In the buried region, the impurity concentration decreases in eight steps from the collector region side toward the emitter region side. By forming such a buried region, the electric field strength in the depth direction of the IGBT can be greatly reduced at the interface between the buried oxide film and the buried region. As a result, the occurrence of avalanche breakdown due to local electric field concentration can be suppressed, and high breakdown voltage characteristics can be maintained.
第1、第2実施例のIGBTでは、ゲート絶縁膜としてフィールド酸化膜が形成されている。フィールド酸化膜は、ドリフト領域内のコレクタ領域側の部位近傍とエミッタ領域側の部位近傍にバーズビークを有している。このようなフィールド酸化膜を形成することによって、ドリフト領域の厚みを薄くすることができ、ドリフト領域内を縦方向に伸びる電界によって正孔が移動する距離を短くすることができる。これによって、局所的な電界集中によるアバランシェ降伏の発生を抑制することができ、高い耐圧特性を維持することができる。 In the IGBTs of the first and second embodiments, a field oxide film is formed as a gate insulating film. The field oxide film has bird's beaks in the vicinity of the collector region side portion and the emitter region side portion in the drift region. By forming such a field oxide film, the thickness of the drift region can be reduced, and the distance that holes move by the electric field extending in the vertical direction in the drift region can be shortened. As a result, the occurrence of avalanche breakdown due to local electric field concentration can be suppressed, and high breakdown voltage characteristics can be maintained.
2、32:支持基板
4、34:埋め込み酸化膜
6、16、36:ボディ領域
8、38:ボディコンタクト領域
9、39:半導体基板
10、40:エミッタ電極
12、42:エミッタ領域
14、44:拡散領域
18、48:ゲート電極
20、50:ゲート酸化膜
22、52:ドリフト領域
24、54:コレクタ電極
26、46:コレクタ領域
28、58:バッファ領域
30、60:埋め込み領域
31、51:半導体領域
100、200:IGBT
2, 32: support substrate 4, 34: buried
Claims (2)
前記半導体領域は、
第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域と隣接している第2導電型のボディ領域と、
前記半導体基板の表面に臨む範囲に形成されているとともに前記ボディ領域に接しており、前記ボディ領域によって前記ドリフト領域から分離されている第1導電型のエミッタ領域と、
前記半導体基板の表面に臨む範囲に形成されており、前記ドリフト領域によって前記ボディ領域から分離されている第2導電型のコレクタ領域と、
前記エミッタ領域と前記ドリフト領域の間の前記ボディ領域内において前記半導体領域の表面から前記半導体領域の裏面に達する深さまで伸びており、前記ボディ領域を前記エミッタ領域に接する第1領域と前記ドリフト領域に接する第2領域に分離し、前記ドリフト領域よりも不純物濃度が高い第1導電型の拡散領域、
を備えていることを特徴とするIGBT。 A lateral IGBT in which a semiconductor region is formed in a range facing the surface of a semiconductor substrate,
The semiconductor region is
A drift region of a first conductivity type;
A body region of a second conductivity type adjacent to the drift region;
An emitter region of a first conductivity type formed in a range facing the surface of the semiconductor substrate and in contact with the body region, separated from the drift region by the body region;
A collector region of a second conductivity type formed in a range facing the surface of the semiconductor substrate and separated from the body region by the drift region;
A first region in contact with the emitter region and the drift region extending from the surface of the semiconductor region to a depth reaching the back surface of the semiconductor region in the body region between the emitter region and the drift region A first conductivity type diffusion region having an impurity concentration higher than that of the drift region.
IGBT characterized by comprising.
前記半導体領域は、
第1導電型のドリフト領域と、
第2導電型のボディ領域と、
前記半導体基板の表面に臨む範囲に形成されているとともに前記ボディ領域に接しており、前記ボディ領域によって前記ドリフト領域から分離されている第1導電型のエミッタ領域と、
前記半導体基板の表面に臨む範囲に形成されており、前記ドリフト領域によって前記ボディ領域から分離されている第2導電型のコレクタ領域と、
前記ボディ領域と前記ドリフト領域の間において前記半導体領域の表面から前記半導体領域の裏面に達する深さまで伸びており、前記ボディ領域と前記ドリフト領域に隣接し、前記ドリフト領域よりも不純物濃度が高い第1導電型の拡散領域、
を備えていることを特徴とするIGBT。 A lateral IGBT in which a semiconductor region is formed in a range facing the surface of a semiconductor substrate,
The semiconductor region is
A drift region of a first conductivity type;
A second conductivity type body region;
An emitter region of a first conductivity type formed in a range facing the surface of the semiconductor substrate and in contact with the body region, separated from the drift region by the body region;
A collector region of a second conductivity type formed in a range facing the surface of the semiconductor substrate and separated from the body region by the drift region;
Extending from the surface of the semiconductor region to a depth reaching the back surface of the semiconductor region between the body region and the drift region, adjacent to the body region and the drift region, and having a higher impurity concentration than the drift region. A diffusion region of one conductivity type,
IGBT characterized by comprising.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112011103975T5 (en) | 2010-11-30 | 2013-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor component and method for producing a semiconductor component |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05235332A (en) * | 1991-06-10 | 1993-09-10 | Toshiba Corp | Thyristor with insulated gate |
JPH07135309A (en) * | 1993-09-17 | 1995-05-23 | Toshiba Corp | Insulated gate semiconductor element |
JPH10223883A (en) * | 1997-02-03 | 1998-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Insulated gate type bipolar transistor and its manufacture |
JP2007317775A (en) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Toyota Motor Corp | Insulated-gate semiconductor device, and its manufacturing method |
-
2009
- 2009-05-18 JP JP2009119570A patent/JP2010267896A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05235332A (en) * | 1991-06-10 | 1993-09-10 | Toshiba Corp | Thyristor with insulated gate |
JPH07135309A (en) * | 1993-09-17 | 1995-05-23 | Toshiba Corp | Insulated gate semiconductor element |
JPH10223883A (en) * | 1997-02-03 | 1998-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Insulated gate type bipolar transistor and its manufacture |
JP2007317775A (en) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Toyota Motor Corp | Insulated-gate semiconductor device, and its manufacturing method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112011103975T5 (en) | 2010-11-30 | 2013-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor component and method for producing a semiconductor component |
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