JP2010265528A - 防食剤及びその用途 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 N,N,N’,N’’,N’’−ペンタメチルジエチレントリアミンは、モリブデン、モリブデン合金の腐食を抑制する。特に、銅とモリブデンが接触している場合の腐食を抑制できる。エチレンアミン類と併用することで、さらに防食効果は高まる。エチレンアミン類の量がN,N,N’,N’’,N’’−ペンタメチルジエチレントリアミンに対し、重量比で20倍以下であるであることが好ましい。
【選択図】 なし
Description
Cu:銅金属
MEA:モノエタノールアミン
DETA:ジエチレントリアミン
TETA:トリエチレンテトラミン
TEPA:テトラエチレンペンタミン
PEHA:ペンタエチレンヘキサミン
AEP:N−アミノエチルピペラジン
PIP:ピペラジン
γ−BL:γ−ブチロラクトン
BEE:ブトキシエトキシエタノール
DMF:N,N’−ジメチルホルムアミド
DMSO:ジメチルスルホキシド
DMI:1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン
実施例1
PMDETA10重量%、MEA5重量%、BEE85重量%の液にMoをガラス上に0.1μmの膜厚でスパッタ成膜した基板を40℃で10分浸漬した。その後、水で洗浄、乾燥し、Moの膜の減少をシート抵抗から算出した。その結果、Moの膜の減少はなかった。
PMDETA5重量%、TETA5重量%、MEA5重量%、BEE85重量%の液にMoをガラス上に0.1μmの膜厚でスパッタ成膜した基板を40℃で10分浸漬した。その後、水で洗浄、乾燥し、Moの膜の減少をシート抵抗から算出した。その結果、Moの膜の減少はなかった。
MEA5重量%、TETA5重量%、BEE90重量%の液にMoをガラス上にスパッタ成膜した基板を40℃で10分浸漬した。その後、水で洗浄、乾燥し、Moの膜の減少をシート抵抗から算出した。その結果、Moの膜は、8nm減少していた。
CuとMoが接触したときの腐食を測定するために、Cuをガラス上に0.2μmの膜厚でスパッタ成膜し、その上にMoを0.1μmの膜厚でスパッタ成膜した基板を40℃で、表1記載の組成の液に浸漬し、その腐食速度を測定した。結果を表1に記す。
Claims (11)
- N,N,N’,N’’,N’’−ペンタメチルジエチレントリアミンを含むモリブデン又はモリブデン合金用の防食剤。
- エチレンアミン類を含んでなる請求項1に記載の防食剤。
- エチレンアミン類が、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ピペラジン、N−アミノエチルピペラジンから成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項1又は請求項2に記載の防食剤。
- エチレンアミン類の量がN,N,N’,N’’,N’’−ペンタメチルジエチレントリアミンに対し、重量比で20倍以下である請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の防食剤。
- モリブデン合金がモリブデン−チタン合金又はモリブデン−タングステン合金である請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の防食剤。
- モリブデン又はモリブデン合金が、銅、銅−チタン合金、アルミニウム及びアルミニウム合金のいずれかと接触していることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の防食剤。
- モリブデン又はモリブデン合金が、フラットパネルディスプレイ用アレイ基板に使用されるものであり、電極のバリアであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の防食剤。
- レジスト剥離液又は洗浄液に添加して用いる請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の防食剤の使用方法。
- 請求項8に記載のレジスト剥離液又は洗浄液がさらに有機溶媒を含んでなる請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の防食剤の使用方法。
- 有機溶媒が、アルコール系溶媒として、メチルアルコール、エチルアルコール、1−プロピルアルコール、2−プロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、1,6−ヘキサンジオール、エーテル系溶媒として、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、アミド系溶媒として、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、含硫黄系溶媒として、ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、イミダゾリジノン系溶媒として、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、及びラクトン系溶媒として、γ−ブチロラクトン、からなる群より選ばれる一種又は二種以上であることを特徴とする請求項9に記載の防食剤の使用方法。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の防食剤がレジスト剥離液又は洗浄液に0.1〜80重量%含有することを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれかに記載の防食剤の使用方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105990104A (zh) * | 2015-03-16 | 2016-10-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造一半导体装置的方法 |
JP2017527838A (ja) * | 2014-08-20 | 2017-09-21 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法 |
KR101790494B1 (ko) | 2014-07-15 | 2017-10-26 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 산화막 에칭액 |
CN114959712A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-08-30 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种气相缓蚀剂及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11337976A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-12-10 | Toshiba Corp | 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置 |
JP2005236280A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-09-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体基板用洗浄液組成物、半導体基板の洗浄方法、及び導電性構造物の製造方法 |
JP2006169553A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tosoh Corp | 防食用組成物 |
JP2008098611A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Kobe Steel Ltd | 表示装置 |
JP2008304830A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスの製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11337976A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-12-10 | Toshiba Corp | 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置 |
JP2005236280A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-09-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体基板用洗浄液組成物、半導体基板の洗浄方法、及び導電性構造物の製造方法 |
JP2006169553A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tosoh Corp | 防食用組成物 |
JP2008098611A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Kobe Steel Ltd | 表示装置 |
JP2008304830A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスの製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101790494B1 (ko) | 2014-07-15 | 2017-10-26 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 산화막 에칭액 |
JP2017527838A (ja) * | 2014-08-20 | 2017-09-21 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法 |
CN105990104A (zh) * | 2015-03-16 | 2016-10-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造一半导体装置的方法 |
US9810990B2 (en) * | 2015-03-16 | 2017-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemical treatment for lithography improvement in a negative tone development process |
KR101861898B1 (ko) | 2015-03-16 | 2018-05-28 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 네거티브 톤 현상 프로세스에서의 리소그래피 개선을 위한 새로운 화학적 처리 |
CN114959712A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-08-30 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种气相缓蚀剂及其制备方法 |
CN114959712B (zh) * | 2021-02-25 | 2024-02-23 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种气相缓蚀剂及其制备方法 |
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