JP2010264756A - Method for manufacturing stamper - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a stamper which can transfer a concavo-convex pattern of the stamper by presenting no defect and which has good durability. <P>SOLUTION: The method for manufacturing the stamper includes the step of forming a conductive layer 19 on the surface of the concavo-convex pattern of a matrix, the step of forming an electroforming layer 22 thereon. then the step of exfoliating the conductive layer, the step of transferring the concavo-convex of the matrix, and, thereby forming a first stamper. These steps are repeated, in case of forming a second stamper and a third stamper, a height regulating layer having a film thickness thicker in the upper surface of the convex part than the bottom of a concave part is formed between the second stamper and the second mold release layer. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、射出成形やインプリント技術などによりパターンを転写して大量の情報記録媒体を生産するために使用されるスタンパの製造方法に関する。   The present invention relates to a stamper manufacturing method used for producing a large amount of information recording media by transferring a pattern by injection molding or imprint technology.

最近、情報記録装置の記録容量の増大は、磁気記録媒体の記録密度の向上により実現しており、このような高記録密度を目指す磁気記録媒体として、例えば同心円状に形成され複数のデータ記録用トラックに、磁性部と非磁性部とからなるパターンが形成されたディスクリート型磁気記録媒体(Discrete Track Recording:DTR)が知られている。   Recently, the increase in the recording capacity of information recording apparatuses has been realized by improving the recording density of magnetic recording media. As a magnetic recording medium aiming at such a high recording density, for example, concentric circles are used for recording a plurality of data. 2. Description of the Related Art Discrete magnetic recording media (Discrete Track Recording: DTR) in which a pattern including a magnetic part and a non-magnetic part is formed on a track are known.

このような磁気記録媒体の製造方法には、例えば特許文献1に開示されるようなニッケル(Ni)製スタンパを金型として利用するナノインプリント法や射出成型等が採用されている。
ところで、ディスクリート型磁気記録媒体の製造において用いられるスタンパは、媒体の高記録密度化にともない、例えばトラックピッチが100nm以下の凹凸パターンを形成する微細加工技術が要求されるようになっている。
As a method for manufacturing such a magnetic recording medium, for example, a nanoimprint method using a nickel (Ni) stamper as disclosed in Patent Document 1 as a mold, injection molding, or the like is employed.
By the way, a stamper used in the manufacture of a discrete type magnetic recording medium is required to have a fine processing technique for forming a concavo-convex pattern with a track pitch of 100 nm or less, for example, as the recording density of the medium increases.

ところが、このように凹凸パターンのトラックピッチが狭くなり高密度化すると、電子線(EB)描画のためのレジスト層は薄い方が描画性能が向上することから、パターンピッチが狭くなり高密度化するにつれてEB描画律速によりレジスト層が薄くなっていき、この結果製造される原盤上の凹凸高さの差が小さくなることがある。しかし、このようにして作製される凹凸高さの差が小さいスタンパによると、インプリント時の転写不足により媒体上のレジストマスクの凹凸パターンに欠損が生じることがある。また、より狭いピッチに対しては媒体凸部への書き込み・読み込み性能を維持するために十分にひろい凸部が必要になることから、より細い凹パターンをEBにより描画しなければならない。しかしEB描画装置の限界により数nmの溝を描画することは困難であり、今後、高密度な原盤を得られなくなることが問題となる。
特開2008−12705号公報
However, when the track pitch of the concavo-convex pattern is narrowed and densified as described above, the pattern performance is narrowed and densified because the thinner the resist layer for electron beam (EB) drawing, the better the drawing performance. As a result, the resist layer becomes thinner due to the EB drawing rate limiting, and as a result, the difference in height of the unevenness on the master disc produced may be reduced. However, a stamper with a small difference in height of the unevenness produced in this way may cause a defect in the uneven pattern of the resist mask on the medium due to insufficient transfer during imprinting. Also, for narrower pitches, a sufficiently wide convex portion is required to maintain the writing / reading performance on the medium convex portion, so that a finer concave pattern must be drawn by EB. However, it is difficult to draw a groove of several nm due to the limitation of the EB drawing apparatus, and there is a problem that a high-density master cannot be obtained in the future.
JP 2008-12705 A

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、凹凸パターンを欠損なく転写し得、かつ耐久性の良いスタンパを製造することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to manufacture a stamper that can transfer a concavo-convex pattern without defects and has good durability.

本発明に係るスタンパの製造方法は、
凹凸を有する原盤の表面に第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層上に第1の電鋳層を形成し、
前記原盤から前記第1の電鋳層および前記第1の導電層を剥離して、前記原盤の凹凸が転写された第1のスタンパを形成し、
前記第1のスタンパ表面に第1の離型層を形成し、
前記第1の離型層上に第2の導電層を形成し、
前記第2の導電層上に第2の電鋳層を形成し、
前記第1のスタンパから前記第2の電鋳層および前記第2の導電層を剥離して、前記第1のスタンパの凹凸が転写された第2のスタンパを形成し、
前記第2のスタンパの表面に、凹部底面に比べて凸部上面の方が厚い膜厚を有する高さ調整層を形成し、
該高さ調整層上に第2の離型層を形成し、
前記第2の離型層上に第3の導電層を形成し、
前記第3の導電層上に第3の電鋳層を形成し、
前記第2のスタンパから前記第3の電鋳層および前記第3の導電層を剥離して、前記第2のスタンパの凹凸が転写された第3のスタンパを形成することを特徴とする。
A stamper manufacturing method according to the present invention includes:
Forming a first conductive layer on the surface of the master having irregularities;
Forming a first electroformed layer on the first conductive layer;
Peeling the first electroformed layer and the first conductive layer from the master to form a first stamper to which the irregularities of the master are transferred;
Forming a first release layer on the surface of the first stamper;
Forming a second conductive layer on the first release layer;
Forming a second electroformed layer on the second conductive layer;
Peeling the second electroformed layer and the second conductive layer from the first stamper to form a second stamper to which the irregularities of the first stamper are transferred;
On the surface of the second stamper, a height adjusting layer having a film thickness that is thicker on the upper surface of the convex portion than on the bottom surface of the concave portion,
Forming a second release layer on the height adjusting layer;
Forming a third conductive layer on the second release layer;
Forming a third electroformed layer on the third conductive layer;
The third electroformed layer and the third conductive layer are peeled off from the second stamper to form a third stamper to which the unevenness of the second stamper is transferred.

本発明によれば、凹凸パターンを欠損なく転写し得、かつ耐久性の良いスタンパを製造することができる。   According to the present invention, it is possible to manufacture a stamper that can transfer a concavo-convex pattern without a defect and has good durability.

本発明のスタンパの製造方法では、原盤の凹凸パターンを転写して、第1のスタンパ、第2のスタンパ、及び第3のスタンパを形成する。   In the stamper manufacturing method of the present invention, the first and second stampers, the third stamper, and the third stamper are formed by transferring the concavo-convex pattern of the master.

まず、凹凸パターンを有する原盤の表面に第1の導電層を形成し、第1の導電層上に第1の電鋳層を形成し、原盤から前記第1の電鋳層および前記第1の導電層を剥離して、原盤の凹凸が転写された第1のスタンパを形成する。   First, a first conductive layer is formed on the surface of a master having a concavo-convex pattern, a first electroformed layer is formed on the first conductive layer, and the first electroformed layer and the first electroformed layer are formed from the master. The conductive layer is peeled off to form a first stamper to which the unevenness of the master is transferred.

続いて、第1のスタンパ表面に第1の離型層を形成し、第1の離型層上に第2の導電層を形成し、第2の導電層上に第2の電鋳層を形成し、第1のスタンパから第2の電鋳層および第2の導電層を剥離して、第1のスタンパの凹凸が転写された第2のスタンパを形成する。   Subsequently, a first release layer is formed on the surface of the first stamper, a second conductive layer is formed on the first release layer, and a second electroformed layer is formed on the second conductive layer. Then, the second electroformed layer and the second conductive layer are peeled off from the first stamper to form a second stamper to which the unevenness of the first stamper is transferred.

さらに、第2のスタンパ上に第2の離型層を形成し、第2の離型層上に第3の導電層を形成し、第3の導電層上に第3の電鋳層を形成し、第2のスタンパから第3の電鋳層および第3の導電層を剥離して、第2のスタンパの凹凸が転写された第3のスタンパを形成する。   Further, a second release layer is formed on the second stamper, a third conductive layer is formed on the second release layer, and a third electroformed layer is formed on the third conductive layer Then, the third electroformed layer and the third conductive layer are peeled from the second stamper to form a third stamper to which the unevenness of the second stamper is transferred.

本発明に係るスタンパの製造方法においては、第1ないし第3のスタンパの形成において、第2のスタンパと第2の離型層との間に、凹部底面に比べて凸部上面の方が厚い膜厚を有する高さ調整層を形成し、第3のスタンパの表面をpH3未満の酸性溶液でエッチングすることを特徴としている。   In the stamper manufacturing method according to the present invention, in the formation of the first to third stampers, the upper surface of the convex portion is thicker than the bottom surface of the concave portion between the second stamper and the second release layer. A height adjusting layer having a film thickness is formed, and the surface of the third stamper is etched with an acidic solution having a pH of less than 3.

本発明を用いると、第2のスタンパと第2の離型層との間に、凹部底面に比べて凸部上面の方が厚い膜厚を有する高さ調整層を形成することにより、例え原盤の凹凸の高さの差が小さくても、最終的に形成されるスタンパの凹凸の高さの差を大きくすることが出来る。原盤の凹凸高さの差を小さく出来ると、レジスト層を薄くすることが可能なので、原盤を形成する際、レジスト層に高密度なパターンのEB描画を行っても、良好な描画性能が得られる。   According to the present invention, by forming a height adjustment layer between the second stamper and the second release layer having a film thickness that is thicker on the upper surface of the convex portion than on the bottom surface of the concave portion, Even if the difference in height of the unevenness of the stamper is small, the difference in height of the unevenness of the stamper to be finally formed can be increased. Since the resist layer can be thinned if the difference in height of the unevenness of the master disk can be reduced, good writing performance can be obtained even when high density pattern EB writing is performed on the resist layer when forming the master disk. .

また、本発明によれば、高さ調整層を形成して、凹凸の高さの差を大きくしたスタンパをエッチングすることにより、凹凸パターンの凸部を細くできるだけでなく、その矩形性を低くすることができる。ここで、矩形性が低くなるとは、角が取れて丸くなることをいう。凹凸パターンの凸部が細くなり角が取れると、このスタンパを用いて、記録媒体を製造する際に、インプリント工程における紫外線硬化性樹脂層とスタンパとの密着、及び剥離が容易となる。このため、スタンパ及び転写パターンの損傷が少なく、スタンパの耐久性が向上し得る。   In addition, according to the present invention, by forming a height adjustment layer and etching a stamper having a large difference in height between the concave and convex portions, not only can the convex portion of the concave and convex pattern be made thin, but also its rectangularity can be lowered. be able to. Here, low rectangularity means that the corners are rounded off. When the convex portion of the concave-convex pattern becomes thin and has a corner, when the recording medium is manufactured using this stamper, the ultraviolet curable resin layer and the stamper are easily adhered and peeled off in the imprint process. For this reason, there is little damage to the stamper and the transfer pattern, and the durability of the stamper can be improved.

以下、図面を参照し、本発明をより詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

第1の実施形態
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかるスタンパの製造方法を説明するための断面模式図である。
First Embodiment FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a stamper manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.

このスタンパの製造には、例えば塗布装置、描画装置、現像装置、成膜装置および電鋳装置などが用いられ、以下の様なプロセスで作製される。   For manufacturing the stamper, for example, a coating apparatus, a drawing apparatus, a developing apparatus, a film forming apparatus, an electroforming apparatus, and the like are used, and the stamper is manufactured by the following process.

まず、塗布装置例えばスピンコート装置等により、図1(a)に示すように、ガラスもしくはSi基材などの基板11上にレジストをスピンコートしてレジスト層12を形成する。   First, as shown in FIG. 1A, a resist is spin-coated on a substrate 11 such as glass or a Si base by a coating apparatus such as a spin coater to form a resist layer 12.

次に、図1(b)に示すように例えばEB描画装置100等の描画装置により、塗布装置によって形成されたレジスト層に電子線(EB)を照射することにより潜像を形成し、さらに、現像装置により、EB描画装置による潜像の形成が完了したレジスト層12を現像することによって凹凸パターンを形成する。これら一連の工程により、原盤10が得られる。   Next, as shown in FIG. 1B, a latent image is formed by irradiating the resist layer formed by the coating apparatus with an electron beam (EB) by a drawing apparatus such as the EB drawing apparatus 100, for example. The developing device develops the resist layer 12 on which the latent image has been formed by the EB drawing device, thereby forming a concavo-convex pattern. The master 10 is obtained through these series of steps.

次に、図1(c)に示すように成膜装置により、原盤10の凹凸パターン上に導電膜13を形成し、さらに、図1(d)に示すように電鋳装置により、電解めっき処理によって導電膜13の上にニッケル電鋳層14を形成する。そして、原盤10より導電膜13と電鋳層14からなる層を剥離し、図1(e)に示す第1のスタンパとしての、導電膜13と電鋳層14からなるファザースタンパ15を作製する。   Next, as shown in FIG. 1C, a conductive film 13 is formed on the concave / convex pattern of the master 10 by a film forming apparatus, and further, an electroplating process is performed by an electroforming apparatus as shown in FIG. 1D. Thus, the nickel electroformed layer 14 is formed on the conductive film 13. And the layer which consists of the electrically conductive film 13 and the electroformed layer 14 is peeled from the original disk 10, and the father stamper 15 which consists of the electrically conductive film 13 and the electroformed layer 14 as a 1st stamper shown in FIG.1 (e) is produced. .

次に、図1(f)に示すようにファザースタンパ15の凹凸パターン表面を、陽極酸化法や酸素プラズマアッシング法等により酸化せしめ、離型層として、凹凸パターン表面に酸化膜16を形成し、その後、図1(g)に示すように酸化膜16上に図示しない導電膜を形成した後、Niからなる電鋳層17を形成し、続いて第1のスタンパから図示しない導電膜及び電鋳層17を剥離して図1(h)に示す第2のスタンパとしてのマザースタンパ18を複製する。   Next, as shown in FIG. 1F, the uneven pattern surface of the father stamper 15 is oxidized by an anodic oxidation method, oxygen plasma ashing method or the like, and an oxide film 16 is formed on the uneven pattern surface as a release layer. Thereafter, as shown in FIG. 1G, a conductive film (not shown) is formed on the oxide film 16, and then an electroformed layer 17 made of Ni is formed. Subsequently, the conductive film and the electroformed film (not shown) are formed from the first stamper. The layer 17 is peeled off, and the mother stamper 18 as the second stamper shown in FIG.

このようにして作製されたマザースタンパ18に対し、本発明による凹凸パターンの凹凸高さの差、つまり、凹部底部と凸部上部の高低差が大きくなるような処理が施される。この場合、図2(a)に示すように、マザースタンパ18の凹凸パターン上に凹部底面に比べて凸部上面の方が厚い膜厚を有する高さ調整層として導電性薄膜19を形成する。具体的には、マザースタンパ18として、凹凸パターンの凹凸ピッチ、つまりトラックピッチ93.6nm、溝幅30nm、溝深さ50nmのものを用い、このようなマザースタンパ18の凹凸パターン表面にスパッタリング法等を用いてニッケル導電性薄膜19を形成する。この場合、例えばDCスパッタ装置を用いて、系内圧力1.0Pa、放電電力100W、成膜時間120秒にて成膜したところ、凹部底面に5nm、凸部上面に10nmが成膜され、凹部底面の膜厚に比べ凸部上面の膜厚を厚くでき凹凸パターンの凹凸高さの差を処理前に比べて5nm大きくすることができる。   The mother stamper 18 manufactured in this way is subjected to a treatment to increase the difference in uneven height of the uneven pattern according to the present invention, that is, the difference in height between the bottom of the concave portion and the upper portion of the convex portion. In this case, as shown in FIG. 2A, the conductive thin film 19 is formed on the concave / convex pattern of the mother stamper 18 as a height adjusting layer having a thicker film on the upper surface of the convex portion than on the bottom surface of the concave portion. Specifically, as the mother stamper 18, an uneven pattern having an uneven pitch, that is, a track pitch of 93.6 nm, a groove width of 30 nm, and a groove depth of 50 nm is used. The nickel conductive thin film 19 is formed using In this case, for example, using a DC sputtering apparatus, a film was formed with an internal pressure of 1.0 Pa, a discharge power of 100 W, and a film formation time of 120 seconds. The film thickness on the top surface of the convex portion can be made thicker than the film thickness on the bottom surface, and the difference in the concavo-convex height of the concavo-convex pattern can be increased by 5 nm compared to before the treatment.

このときの導電性薄膜19は、凹凸部の側壁に成膜されてもよい。また、このような処理工程は、マザースタンパ18をファザースタンパ15から剥離した直後に実行するのが望ましい。これは時間が経過すると、マザースタンパ18表面が酸化して導電性薄膜19を安定して形成できないことがあるためである。   The conductive thin film 19 at this time may be formed on the side wall of the concavo-convex portion. Further, it is desirable that such a processing step be performed immediately after the mother stamper 18 is peeled from the father stamper 15. This is because when the time elapses, the surface of the mother stamper 18 is oxidized and the conductive thin film 19 may not be stably formed.

次に、図2(b)に示すように、導電性薄膜19表面に酸素によるRIE(Reactive Ion Etching)法やUV(紫外線)照射装置等により剥離層20を形成する。続いて、図2(c)に示すように剥離層20の上にエッチング用のニッケル転写膜21を成膜する。具体的にはスパッタリング法等を用いてパターン溝幅30nmに対して10nm狭くなるように転写膜を形成する。この場合、例えばDCスパッタ装置を用いて、系内圧力0.5Pa、放電電力100W、成膜時間60秒にて成膜したところ、導電性薄膜19の形成時と比べて系内圧力が異なるために5nmのスパッタ膜が均一に成膜される。   Next, as shown in FIG. 2B, a release layer 20 is formed on the surface of the conductive thin film 19 by an oxygen RIE (Reactive Ion Etching) method, a UV (ultraviolet) irradiation device, or the like. Subsequently, an etching nickel transfer film 21 is formed on the peeling layer 20 as shown in FIG. Specifically, the transfer film is formed by using a sputtering method or the like so that the pattern groove width becomes 10 nm narrower than 30 nm. In this case, for example, when a film is formed using a DC sputtering apparatus at an internal pressure of 0.5 Pa, a discharge power of 100 W, and a film formation time of 60 seconds, the internal pressure differs from that at the time of forming the conductive thin film 19. In addition, a 5 nm sputtered film is uniformly formed.

次に、図2(d)に示すようにスルファミン酸ニッケル液に浸漬し電鋳法を用いて、電鋳層22を300μm程度形成する。その後、電鋳層22をマザースタンパ18から剥離することで図2(e)に示すような転写膜21と電鋳層22が一体化した第3のスタンパとしてのサンスタンパ23を複製する。   Next, as shown in FIG. 2 (d), the electroformed layer 22 is formed to about 300 μm by dipping in a nickel sulfamate solution and using an electroforming method. Thereafter, the electroformed layer 22 is peeled from the mother stamper 18 to duplicate the sun stamper 23 as a third stamper in which the transfer film 21 and the electroformed layer 22 are integrated as shown in FIG.

具体的には、図3に示すように凹凸パターンが形成された原盤、ファザースタンパ、またはマザースタンパ(以下、母体150という)に電鋳層を形成する場合は、この母体150の外周を治具152により把持する。この治具152は回転軸54に支持され、回転軸54はモータ56によって回転可能となっている。すなわち、治具152によって把持された母体150はモータ56によって回転させられる。治具152によって把持された母体150は、電鋳装置60の容器62内のメッキ液64に浸漬される。電鋳装置60の電鋳槽62内のメッキ液64に、Niのペレット66が堆積されたケース65が浸漬されている。このケース65は、容器62内で開口を有する隔壁板67によって、母体50がメッキ液64に浸漬される側とは分離されている。なお、隔壁板67の開口に対向するように、メッキされる母体150が配置される。そして、整流器70によってケース65に正の電位を、母体150に負の電位を与え、上記開口と母体150との間に図示しない調整槽よりフィルターを通ったメッキ液を吐出ノズル68より吐出することにより、母体150に電鋳層が形成される。吐出ノズル68より吐出されたメッキ液は、隔壁板67によって隔壁された母体150側の部屋を満たした後、オーバーフローしてケース65側の部屋を満たし、吐出量と釣合うようにドレン69より図示しない調整槽にメッキ液を戻すことにより、循環させている。   Specifically, when an electroformed layer is formed on a master, father stamper, or mother stamper (hereinafter referred to as a mother body 150) on which a concavo-convex pattern is formed, as shown in FIG. Hold by 152. The jig 152 is supported by the rotating shaft 54, and the rotating shaft 54 can be rotated by a motor 56. That is, the mother body 150 held by the jig 152 is rotated by the motor 56. The base 150 held by the jig 152 is immersed in the plating solution 64 in the container 62 of the electroforming apparatus 60. A case 65 in which Ni pellets 66 are deposited is immersed in the plating solution 64 in the electroforming tank 62 of the electroforming apparatus 60. The case 65 is separated from the side on which the base 50 is immersed in the plating solution 64 by a partition plate 67 having an opening in the container 62. In addition, the base 150 to be plated is disposed so as to face the opening of the partition plate 67. Then, a positive potential is applied to the case 65 by the rectifier 70 and a negative potential is applied to the mother body 150, and a plating solution that has passed through a filter from an adjustment tank (not shown) between the opening and the mother body 150 is discharged from the discharge nozzle 68. As a result, an electroformed layer is formed on the base 150. The plating solution discharged from the discharge nozzle 68 fills the room on the base 150 side partitioned by the partition plate 67, then overflows to fill the room on the case 65 side, and is shown by the drain 69 so as to balance the discharge amount. It is circulated by returning the plating solution to the adjustment tank.

そして、このようにして得られたサンスタンパ23にエッチング処理を施すことでエッチング後サンスタンパ24が得られる。具体的にはpH3未満の酸性溶液を用いてパターンを5nm細らせる。この場合、例えばpH2.0のスルファミン酸水溶液を用いて、剥離後のサンスタンパ23を該水溶液に浸漬し、15分静置したところ、図2(f)に示すように5nmの転写膜21が主にエッチングされ、パターン溝幅を処理前に比べて10nm細くすることができる。   Then, the post-etching sun stamper 24 is obtained by performing an etching process on the thus obtained sun stamper 23. Specifically, the pattern is thinned by 5 nm using an acidic solution having a pH of less than 3. In this case, for example, when the peeled sun stamper 23 is immersed in the aqueous solution using a pH 2.0 aqueous solution of sulfamic acid and allowed to stand for 15 minutes, a transfer film 21 of 5 nm is mainly formed as shown in FIG. As a result, the pattern groove width can be reduced by 10 nm compared to before the processing.

酸性溶液としては、好ましくは、スルファミン酸水溶液を使用することが出来る。他にも硝酸水溶液、硫酸水溶液、硫酸/過酸化水素溶液、塩酸水溶液、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、ペルオキソ二硫酸ナトリウム溶液、ペルオキソ二硫酸アンモニウム溶液等を用いることができる。   As the acidic solution, an aqueous sulfamic acid solution can be preferably used. In addition, nitric acid aqueous solution, sulfuric acid aqueous solution, sulfuric acid / hydrogen peroxide solution, hydrochloric acid aqueous solution, ferric chloride solution, cupric chloride solution, sodium peroxodisulfate solution, ammonium peroxodisulfate solution and the like can be used.

その後、凹凸パターン面に保護膜をスピンコートした後、乾燥させ、必要に応じて裏面研磨、打ち抜きなどの工程を経て最終形態の媒体大量転写のためのスタンパが完成する。   Thereafter, a protective film is spin-coated on the concavo-convex pattern surface, and then dried, and a stamper for mass transfer of the final form is completed through steps such as back surface polishing and punching as necessary.

ここで、上述した導電性薄膜19や転写膜21などには、物理的、機械的強度が強く、腐食や磨耗に対して強く、しかも、電鋳材のNiとの密着性を考慮して、Niを主成分とするものを使用することができる。また、電鋳層22としては、Ni、或いはNiと、Co、S、BもしくはPとを含む材料を用いることができる。   Here, the conductive thin film 19 and the transfer film 21 described above have high physical and mechanical strength, strong against corrosion and wear, and considering the adhesion of the electroformed material with Ni, Those containing Ni as a main component can be used. The electroformed layer 22 can be made of Ni or a material containing Ni and Co, S, B, or P.

第2の実施形態
第1の実施形態と同様の方法でマザースタンパ18を複製する。具体的には、マザースタンパ18として、凹凸パターンの凹凸ピッチ、つまりトラックピッチ83.2nm、溝幅30nm、溝深さ50nmのものを用い、このようなマザースタンパ18の凹凸パターン表面にスパッタリング法等を用いて導電性薄膜19を形成する。この場合、例えばDCスパッタ装置を用いて、系内圧力1.0Pa、放電電力100W、成膜時間45秒にて成膜したところ、凹部底面に5nm、凸部上面に7nmが成膜され、凹部底面の膜厚に比べ凸部上面の膜厚を厚くでき凹凸パターンの凹凸高さの差を処理前に比べて2nm大きくすることができた。
Second Embodiment The mother stamper 18 is duplicated by the same method as in the first embodiment. Specifically, as the mother stamper 18, a concavo-convex pattern having a concavo-convex pitch, that is, a track pitch of 83.2 nm, a groove width of 30 nm, and a groove depth of 50 nm is used. The conductive thin film 19 is formed using In this case, for example, using a DC sputtering apparatus, the film was formed with a system pressure of 1.0 Pa, a discharge power of 100 W, and a film formation time of 45 seconds. The film thickness of the upper surface of the convex portion can be made thicker than the film thickness of the bottom surface, and the difference in the uneven height of the uneven pattern can be increased by 2 nm compared to before the treatment.

このときの導電性薄膜19は、凹凸部の側壁に成膜されてもよい。また、このような処理工程は、マザースタンパ18をファザースタンパ15から剥離した直後に実行するのが望ましい。これは時間が経過すると、マザースタンパ18表面が酸化して導電性薄膜19を安定して形成できないことがあるためである。   The conductive thin film 19 at this time may be formed on the side wall of the concavo-convex portion. Further, it is desirable that such a processing step be performed immediately after the mother stamper 18 is peeled from the father stamper 15. This is because when the time elapses, the surface of the mother stamper 18 is oxidized and the conductive thin film 19 may not be stably formed.

次に、図2(b)に示すように、導電性薄膜19表面に酸素によるRIE(Reactive Ion Etching)法やUV(紫外線)照射装置等により剥離層20を形成する。続いて、図2(c)に示すように剥離層20の上にエッチング用の転写膜21を成膜する。具体的にはスパッタリング法等を用いて転写膜を形成する。この場合、例えばDCスパッタ装置を用いて、系内圧力0.5Pa、放電電力100W、成膜時間45秒にて成膜したところ、3nmのニッケルスパッタ膜が側壁に成膜される。   Next, as shown in FIG. 2B, a release layer 20 is formed on the surface of the conductive thin film 19 by an oxygen RIE (Reactive Ion Etching) method, a UV (ultraviolet) irradiation device, or the like. Subsequently, an etching transfer film 21 is formed on the release layer 20 as shown in FIG. Specifically, a transfer film is formed using a sputtering method or the like. In this case, for example, a DC sputtering apparatus is used to form a film with an internal pressure of 0.5 Pa, a discharge power of 100 W, and a film formation time of 45 seconds, and a 3 nm nickel sputter film is formed on the sidewall.

次に、図2(d)に示すようにスルファミン酸ニッケル液に浸漬し電鋳法を用いて、電鋳層22を300μm程度形成する。その後、電鋳層22をマザースタンパ18から剥離することで図2(e)に示すような転写膜21と電鋳層22が一体化した第3のスタンパとしてのサンスタンパ23を複製する。   Next, as shown in FIG. 2 (d), the electroformed layer 22 is formed to about 300 μm by dipping in a nickel sulfamate solution and using an electroforming method. Thereafter, the electroformed layer 22 is peeled from the mother stamper 18 to duplicate the sun stamper 23 as a third stamper in which the transfer film 21 and the electroformed layer 22 are integrated as shown in FIG.

そして、このようにして得られたサンスタンパ23をpH2.0のスルファミン酸水溶液に浸漬し、10分静置したところ、図2(f)に示すように3nmの転写膜が主にエッチングされ、パターン溝幅が処理前に比べて6nm細くすることができた。   The sun stamper 23 thus obtained was immersed in a pH 2.0 sulfamic acid aqueous solution and allowed to stand for 10 minutes. As a result, the 3 nm transfer film was mainly etched as shown in FIG. The groove width could be reduced by 6 nm compared to before the treatment.

したがって、このようにすれば、マザースタンパ18上の凹凸パターン表面に凹部底面の膜厚に比べ凸部上面の膜厚を厚くなるように導電性薄膜19を形成し、凹凸パターンの凹凸高さの差を大きくするようにした。これにより、このようなマザースタンパ18より複製されるサンスタンパ23についても凹凸パターンの凹凸高さの差を大きくでき、且つサンスタンパ表面の転写膜を等方的にエッチングすることにより凹凸パターンの細くなったエッチング後サンスタンパ24が得られる。   Therefore, in this case, the conductive thin film 19 is formed on the surface of the concavo-convex pattern on the mother stamper 18 so that the film thickness of the top surface of the concavo-convex portion is thicker than that of the bottom surface of the concavo-convex pattern. Increased the difference. As a result, the difference in the uneven height of the uneven pattern can be increased for the sun stamper 23 replicated from the mother stamper 18 as well, and the uneven pattern is thinned by isotropically etching the transfer film on the surface of the sun stamper. A sun stamper 24 is obtained after etching.

また、マザースタンパへの導電性薄膜形成、転写膜形成、およびエッチングの諸条件を整えることにより、パターン欠損のないスタンパを得ることが出来る。   Further, by preparing various conditions for forming a conductive thin film on the mother stamper, forming a transfer film, and etching, it is possible to obtain a stamper having no pattern defect.

比較例
比較として、マザースタンパの凹凸パターン表面にスパッタリング法等を用いて、以下のように転写膜としてNi導電性薄膜を形成し、する。この場合、例えばDCスパッタ装置を用いて、系内圧力1.0Pa、放電電力100W、成膜時間60秒にて成膜したところ、凹部底面及び凸部上面に各々8nmが成膜された。
Comparative Example For comparison, a Ni conductive thin film is formed as a transfer film as follows using a sputtering method or the like on the uneven pattern surface of the mother stamper. In this case, for example, using a DC sputtering apparatus, a film was formed at a system pressure of 1.0 Pa, a discharge power of 100 W, and a film formation time of 60 seconds.

次に、スルファミン酸ニッケル液に浸漬し電鋳法を用いて、電鋳層を300μm程度形成する。その後、電鋳層をマザースタンパから剥離することで比較のサンスタンパを複製した。   Next, it is immersed in a nickel sulfamate solution and an electroformed layer is formed to a thickness of about 300 μm by electroforming. Thereafter, the comparative sun stamper was duplicated by peeling the electroformed layer from the mother stamper.

マザースタンパへの導電性薄膜形成のみで所望の凹凸形状を得る場合、極端にアスペクト比が高くなり、サンスタンパの剥離時にパターン部に掛る力が大きくなりがパターン欠損を起こしやすい。また、サンスタンパの等方的エッチングのみでは凹凸高さに差は出ず、所望のパターン形状を得るにはエッチング時間が長くなり、転写膜の内部の電鋳層までエッチングされ、パターンのラフネスが悪化する。これは、スパッタ法により形成された転写膜は、その結晶粒径が細かいけれども、電鋳により形成された電鋳膜はその結晶粒径が粗いため、エッチングされた表面が粗くなることによる。さらに最悪の場合パターンそのものが欠損することがある。   When a desired concavo-convex shape is obtained only by forming a conductive thin film on the mother stamper, the aspect ratio becomes extremely high, and the force applied to the pattern portion at the time of peeling the sun stamper is increased, but pattern defects are likely to occur. In addition, there is no difference in uneven height only by isotropic etching of the sun stamper, and the etching time is long to obtain the desired pattern shape, and the electroformed layer inside the transfer film is etched, and the roughness of the pattern deteriorates. To do. This is because the transfer film formed by the sputtering method has a fine crystal grain size, but the electroformed film formed by electroforming has a coarse crystal grain size, so that the etched surface becomes rough. In the worst case, the pattern itself may be lost.

図4(a)〜(f)を参照してDTR媒体の製造方法の一例を概略的に説明する。   An example of a method of manufacturing a DTR medium will be schematically described with reference to FIGS.

第1の実施形態、第2の実施形態、及び比較例にかかるスタンパを用い、図4(a)〜(f)に示す方法によりDTR媒体を製造した。   Using the stampers according to the first embodiment, the second embodiment, and the comparative example, a DTR medium was manufactured by the method shown in FIGS.

基板 50上に磁性層51を成膜し、その上にレジスト52を塗布する(図4a)。基板としては、例えばガラス基板、Al系合金基板、セラミック、カーボンや、酸化表面を有するSi単結晶基板、及びこれらの基板にNiP等のめっきが施されたもの等を用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。基板としては、上記金属基板、非金属基板の表面にめっき法やスパッタ法を用いてNiP層が形成されたものを用いることもできる。また,基板上への薄膜の形成方法として以下ではスパッタリング法のみを取り上げたが,真空蒸着法や電解めっき法などでも同様の効果を得ることができる。磁性層、特に垂直磁気記録層としては、Coを主成分とするとともに少なくともPtを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなり、この酸化物としては、特に酸化シリコン,酸化チタンが好適である。垂直磁気記録層は、層中に磁性粒子(磁性を有した結晶粒子)が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。次に、凹凸パターンを有するスタンパ30を用意し、スタンパ30のパターン面をレジスト52に対向させ、インプリント法によりスタンパ30のパターンをレジスト52に転写する(図4b)。インプリント法としてはスタンパをレジストが塗布された基板に圧着などしながらレジストを硬化させることで、レジストにそのパターンを転写する。スタンパ及び基板は、スタンパの凹凸面と基板のレジスト膜側を対向させる。なお、レジストについては、UV硬化樹脂やノボラック等を主成分とした一般的なレジスト材などを用いることができる。UV硬化樹脂を使用する場合は、スタンパ材は石英や樹脂などの光を透過させるものがよい。レジストは紫外線を受光させることで硬化させることができる。紫外線の発光は例えば高圧水銀ランプを用いればよい。ノボラック等を主成分とした一般的なレジストを使用する場合は、スタンパ材はNi,石英、Si、SiCなどの材質を用いることができる。レジストは熱、圧力等を加えることで硬化させることができる。次に、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、レジスト52の凹部に残存しているレジスト残渣を除去する(図4c)。プラズマソースは、低圧で高密度プラズマが生成可能なICP(Inductively Coupled Plasma)が好適だが、ECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマ、一般的な並行平板型RIE装置でも構わない。次に、パターン化されたレジスト52aをマスクとして、イオンミリングにより磁性層51をエッチングして加工する(図4d)。酸素アッシングにより残存しているレジスト52aを剥離する(図4e)。必要に応じて、凹部に非磁性体を充填し、全面に保護膜53を形成してDTR媒体を製造することができる(図4f)。保護層としては、垂直磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的設けられる。その材料としては、例えばC、SiO、ZrOを含むものがあげられる。保護層の厚さは、1から10nmとすることが好ましい。 A magnetic layer 51 is formed on the substrate 50, and a resist 52 is applied thereon (FIG. 4a). As the substrate, for example, a glass substrate, an Al-based alloy substrate, ceramic, carbon, a Si single crystal substrate having an oxidized surface, and those obtained by plating such as NiP on the substrate can be used. As the glass substrate, there are amorphous glass and crystallized glass, and general-purpose soda lime glass and aluminosilicate glass can be used as the amorphous glass. Further, as the crystallized glass, lithium-based crystallized glass can be used. As the ceramic substrate, a sintered body mainly composed of general-purpose aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, or the like, or a fiber reinforced material thereof can be used. As the substrate, a substrate in which a NiP layer is formed on the surface of the metal substrate or non-metal substrate using a plating method or a sputtering method can also be used. In addition, only the sputtering method has been described below as a method for forming a thin film on the substrate, but the same effect can be obtained by a vacuum evaporation method or an electrolytic plating method. The magnetic layer, particularly the perpendicular magnetic recording layer, is made of a material containing Co as a main component and containing at least Pt and further containing an oxide, and silicon oxide and titanium oxide are particularly suitable as the oxide. In the perpendicular magnetic recording layer, magnetic particles (crystal grains having magnetism) are preferably dispersed in the layer. The magnetic particles preferably have a columnar structure penetrating the perpendicular magnetic recording layer vertically. Next, a stamper 30 having a concavo-convex pattern is prepared, the pattern surface of the stamper 30 is opposed to the resist 52, and the pattern of the stamper 30 is transferred to the resist 52 by an imprint method (FIG. 4b). As the imprint method, the resist is cured while pressing the stamper on the substrate coated with the resist, thereby transferring the pattern onto the resist. The stamper and the substrate face the uneven surface of the stamper and the resist film side of the substrate. In addition, about a resist, the general resist material etc. which have UV curable resin, a novolak, etc. as a main component can be used. When a UV curable resin is used, the stamper material is preferably a material that transmits light such as quartz or resin. The resist can be cured by receiving ultraviolet light. For example, a high-pressure mercury lamp may be used to emit ultraviolet light. When a general resist mainly composed of novolak or the like is used, the stamper material can be made of Ni, quartz, Si, SiC or the like. The resist can be cured by applying heat, pressure or the like. Next, the resist residue remaining in the concave portion of the resist 52 is removed by reactive ion etching using oxygen gas (FIG. 4c). The plasma source is preferably ICP (Inductively Coupled Plasma) capable of generating high-density plasma at a low pressure, but may be ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma or a general parallel plate RIE apparatus. Next, the magnetic layer 51 is etched and processed by ion milling using the patterned resist 52a as a mask (FIG. 4d). The remaining resist 52a is removed by oxygen ashing (FIG. 4e). If necessary, the DTR medium can be manufactured by filling the recess with a nonmagnetic material and forming the protective film 53 on the entire surface (FIG. 4f). The protective layer is provided for the purpose of preventing corrosion of the perpendicular magnetic recording layer and preventing damage to the medium surface when the magnetic head comes into contact with the medium. Examples of the material include those containing C, SiO 2 and ZrO 2 . The thickness of the protective layer is preferably 1 to 10 nm.

本発明で作製したサンスタンパの凹凸形状は従来の形状よりも矩形性が低く、剥離時の欠損が大幅に減少し、その結果、インプリント耐久性が従来の5倍に向上した。   The concavo-convex shape of the sun stamper produced by the present invention has a rectangular shape lower than that of the conventional shape, and the defects at the time of peeling are greatly reduced. As a result, the imprint durability is improved to 5 times that of the conventional shape.

図5に、実施例2で作製したスタンパの断面模式図を示す。   FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the stamper manufactured in Example 2.

また、図6に、比較例に示すようにスタンパの断面模式図を示す。   FIG. 6 is a schematic sectional view of a stamper as shown in the comparative example.

比較例のスタンパは、図5と比較して明らかに矩形性が高くなっている。   The stamper of the comparative example has a clearly higher rectangularity than FIG.

また、インプリント耐久性に関しては、インプリント後の媒体のRRO(Repeatable Run Out、同期歪み)で比較した。   Further, the imprint durability was compared by RRO (Repeatable Run Out, synchronous distortion) of the medium after imprinting.

第2の実施形態で作製したスタンパと比較例で作製したスタンパを同様の条件で媒体にインプリントおよび媒体加工を行い、10枚目の媒体を比較対象として、実施例2では150枚目、比較例1では30枚目とそれぞれ比較した。その結果、比較例1では30枚目の媒体RROが悪化しているのに対して、実施例2では150枚目の媒体RROでも10枚目と比較してそれほど悪化していなかった。   The stamper manufactured in the second embodiment and the stamper manufactured in the comparative example were imprinted and processed on the medium under the same conditions, and the tenth medium was compared and the 150th sheet in Example 2 was compared. In Example 1, each was compared with the 30th sheet. As a result, the 30th medium RRO deteriorated in Comparative Example 1, whereas the 150th medium RRO in Example 2 did not deteriorate as much as the 10th sheet.

また、得られたサンスタンパをマスタースタンパとして、これらの処理を繰り返し施すことでさらに高く細いパターンを有する複製スタンパを得ることができる。また、得られたサンスタンパから逆転パターンのスタンパを複製、もしくは高さ調整用薄膜及び剥離層まで成膜したマザースタンパを作製し、該スタンパから射出成型により大量のインプリント用樹脂スタンパを得ることができる。   Further, by using the obtained sun stamper as a master stamper and repeating these processes, a duplicate stamper having a higher and thinner pattern can be obtained. In addition, a mother stamper in which a stamper having a reverse pattern is copied from the obtained sun stamper or a thin film for height adjustment and a release layer are formed, and a large amount of imprint resin stamper can be obtained by injection molding from the stamper. it can.

図7に本発明を用いて作成し得る磁気記録再生装置の一例を表す概略図を示す。   FIG. 7 is a schematic diagram showing an example of a magnetic recording / reproducing apparatus that can be created using the present invention.

得られたDTR媒体を用いて、図7に示すような磁気記録装置(ハードディスクドライブ)を作製した。この磁気記録装置は、筐体70の内部に、上記の磁気記録媒体(DTR媒体)71と、磁気記録媒体71を回転させるスピンドルモータ72と、磁気ヘッドを組み込んだヘッドスライダ76と、ヘッドスライダ76を支持する、サスペンション75およびアクチュエータアーム74を含むヘッドサスペンションアッセンブリと、ヘッドサスペンションアッセンブリのアクチュエータとしてのボイスコイルモータ(VCM)77とを備えている。   A magnetic recording device (hard disk drive) as shown in FIG. 7 was produced using the obtained DTR medium. In this magnetic recording apparatus, a magnetic recording medium (DTR medium) 71, a spindle motor 72 that rotates the magnetic recording medium 71, a head slider 76 incorporating a magnetic head, and a head slider 76 are provided inside a housing 70. , A head suspension assembly including a suspension 75 and an actuator arm 74, and a voice coil motor (VCM) 77 as an actuator of the head suspension assembly.

磁気記録媒体71はスピンドルモータ72によって回転される。ヘッドスライダ76にはライトヘッドとリードヘッドを含む磁気ヘッドが組み込まれている。アクチュエータアーム74はピボット73に回動自在に取り付けられている。アクチュエータアーム74の一端にサスペンション75が取り付けられる。ヘッドスライダ76はサスペンション75に設けられたジンバルを介して弾性支持されている。アクチュエータアーム74の他端にはボイスコイルモータ(VCM)77が設けられている。ボイスコイルモータ(VCM)77はアクチュエータアーム74にピボット73周りの回転トルクを発生させ、磁気ヘッドを磁気記録媒体71の任意の半径位置上に浮上した状態で位置決めする。   The magnetic recording medium 71 is rotated by a spindle motor 72. The head slider 76 incorporates a magnetic head including a write head and a read head. The actuator arm 74 is rotatably attached to the pivot 73. A suspension 75 is attached to one end of the actuator arm 74. The head slider 76 is elastically supported via a gimbal provided on the suspension 75. A voice coil motor (VCM) 77 is provided at the other end of the actuator arm 74. A voice coil motor (VCM) 77 causes the actuator arm 74 to generate a rotational torque around the pivot 73 and positions the magnetic head in a state where it floats on an arbitrary radial position of the magnetic recording medium 71.

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものでなく、実施段階では、その要旨を変更しない範囲で種々変形することが可能である。また、上述した実施の形態の形状や数値などは実際のものと異なる個所があるが、これらは公知の技術を参酌して適宜、設計変更することができる。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, In the implementation stage, it can change variously in the range which does not change the summary. Moreover, although the shape, numerical value, etc. of embodiment mentioned above have a different location from an actual thing, these can be changed in design suitably in consideration of a well-known technique.

さらに、上記実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示されている複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出できる。例えば、実施の形態に示されている全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出できる。   Furthermore, the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, even if some constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, the problem described in the column of the problem to be solved by the invention can be solved, and is described in the column of the effect of the invention. If the above effect is obtained, a configuration from which this configuration requirement is deleted can be extracted as an invention.

本発明にかかるスタンパの製造方法の一例を説明するための断面模式図Sectional schematic diagram for demonstrating an example of the manufacturing method of the stamper concerning this invention 本発明にかかるスタンパの製造方法の一例を説明するための断面模式図Sectional schematic diagram for demonstrating an example of the manufacturing method of the stamper concerning this invention 本発明に使用可能な電鋳装置の模式図Schematic diagram of electroforming equipment that can be used in the present invention 本発明を用いた磁気記録媒体の製造工程の一例を表す断面模式図Cross-sectional schematic diagram showing an example of a manufacturing process of a magnetic recording medium using the present invention 本発明に係るスタンパの一例を表す断面模式図Schematic cross-sectional view showing an example of a stamper according to the present invention 比較例に係るスタンパの断面模式図Cross-sectional schematic diagram of a stamper according to a comparative example 本発明を用いた磁気記録媒体を搭載し得る磁気記録再生装置の一例を表す図The figure showing an example of the magnetic recording / reproducing apparatus which can mount the magnetic recording medium using this invention

10…原盤、11…原盤基板
12…レジスト層、13…導電膜
14…電鋳層、15…ファザースタンパ
16…酸化膜、17…電鋳層
18…マザースタンパ、19…導電性薄膜
20…剥離層、21…転写膜
22…電鋳層 23…サンスタンパ
24…エッチング後サンスタンパ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Master disk, 11 ... Master disk board | substrate 12 ... Resist layer, 13 ... Conductive film 14 ... Electroformed layer, 15 ... Father stamper 16 ... Oxide film, 17 ... Electroformed layer 18 ... Mother stamper, 19 ... Conductive thin film 20 ... Peeling Layer 21 ... Transfer film 22 ... Electroformed layer 23 ... Sun stamper 24 ... Sun stamper after etching

Claims (4)

凹凸を有する原盤の表面に第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層上に第1の電鋳層を形成し、
前記原盤から前記第1の電鋳層および前記第1の導電層を剥離して、前記原盤の凹凸が転写された第1のスタンパを形成し、
前記第1のスタンパ表面に第1の離型層を形成し、
前記第1の離型層上に第2の導電層を形成し、
前記第2の導電層上に第2の電鋳層を形成し、
前記第1のスタンパから前記第2の電鋳層および前記第2の導電層を剥離して、前記第1のスタンパの凹凸が転写された第2のスタンパを形成し、
前記第2のスタンパの表面に、凹部底面に比べて凸部上面の方が厚い膜厚を有する高さ調整層を形成し、
該高さ調整層上に第2の離型層を形成し、
前記第2の離型層上に第3の導電層を形成し、
前記第3の導電層上に第3の電鋳層を形成し、
前記第2のスタンパから前記第3の電鋳層および前記第3の導電層を剥離して、前記第2のスタンパの凹凸が転写された第3のスタンパを形成することを特徴とするスタンパの製造方法。
Forming a first conductive layer on the surface of the master having irregularities;
Forming a first electroformed layer on the first conductive layer;
Peeling the first electroformed layer and the first conductive layer from the master to form a first stamper to which the irregularities of the master are transferred;
Forming a first release layer on the surface of the first stamper;
Forming a second conductive layer on the first release layer;
Forming a second electroformed layer on the second conductive layer;
Peeling the second electroformed layer and the second conductive layer from the first stamper to form a second stamper to which the irregularities of the first stamper are transferred;
On the surface of the second stamper, a height adjusting layer having a film thickness that is thicker on the upper surface of the convex portion than on the bottom surface of the concave portion,
Forming a second release layer on the height adjusting layer;
Forming a third conductive layer on the second release layer;
Forming a third electroformed layer on the third conductive layer;
The third electroformed layer and the third conductive layer are peeled off from the second stamper to form a third stamper to which the irregularities of the second stamper are transferred. Production method.
凹凸を有する原盤の表面に第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層上に第1の電鋳層を形成し、
前記原盤から前記第1の電鋳層および前記第1の導電層を剥離して、前記原盤の凹凸が転写された第1のスタンパを形成し、
前記第1のスタンパ表面に第1の離型層を形成し、
前記第1の離型層上に第2の導電層を形成し、
前記第2の導電層上に第2の電鋳層を形成し、
前記第1のスタンパから前記第2の電鋳層および前記第2の導電層を剥離して、前記第1のスタンパの凹凸が転写された第2のスタンパを形成し、
前記第2のスタンパの表面に、凹部底面に比べて凸部上面の方が厚い膜厚を有する高さ調整層を形成し、
該高さ調整層上に第2の離型層を形成し、
前記第2の離型層上に第3の導電層を形成し、
前記第3の導電層上に第3の電鋳層を形成し、
前記第2のスタンパから前記第3の電鋳層および前記第3の導電層を剥離して、前記第2のスタンパの凹凸が転写された第3のスタンパを形成し、
前記第3の導電層の表面にpH3未満の酸性溶液を供し、エッチングを行うことを特徴とするスタンパの製造方法。
Forming a first conductive layer on the surface of the master having irregularities;
Forming a first electroformed layer on the first conductive layer;
Peeling the first electroformed layer and the first conductive layer from the master to form a first stamper to which the irregularities of the master are transferred;
Forming a first release layer on the surface of the first stamper;
Forming a second conductive layer on the first release layer;
Forming a second electroformed layer on the second conductive layer;
Peeling the second electroformed layer and the second conductive layer from the first stamper to form a second stamper to which the irregularities of the first stamper are transferred;
On the surface of the second stamper, a height adjusting layer having a film thickness that is thicker on the upper surface of the convex portion than on the bottom surface of the concave portion,
Forming a second release layer on the height adjusting layer;
Forming a third conductive layer on the second release layer;
Forming a third electroformed layer on the third conductive layer;
Peeling off the third electroformed layer and the third conductive layer from the second stamper to form a third stamper to which the irregularities of the second stamper are transferred;
A stamper manufacturing method, wherein an etching is performed by supplying an acidic solution having a pH of less than 3 to the surface of the third conductive layer.
前記高さ調整層は、スパッタ法で形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のスタンパの方法。   The stamper method according to claim 1, wherein the height adjustment layer is formed by a sputtering method. 前記高さ調整層は、スパッタ装置内の圧力を調整することによって、その凹部底面の厚さと凸部上面の厚さとの比を調整することを特徴とする請求項3に記載の方法。   The method according to claim 3, wherein the height adjusting layer adjusts a ratio between a thickness of the bottom surface of the concave portion and a thickness of the top surface of the convex portion by adjusting a pressure in the sputtering apparatus.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013039757A (en) * 2011-08-18 2013-02-28 Fujifilm Corp Mold release processing method for nanoimprinting mold, manufacturing method and the mold employing the mold release processing method, nanoimprinting method and method for manufacturing patterned substrate
US9164377B2 (en) 2012-12-14 2015-10-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for cleaning imprinting mask

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10121237A (en) * 1996-10-11 1998-05-12 Sony Corp Sputtering device
JP2006277868A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp Discrete track medium and its manufacturing method
JP2008254413A (en) * 2007-03-12 2008-10-23 Toshiba Corp Duplicating stamper and its manufacturing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10121237A (en) * 1996-10-11 1998-05-12 Sony Corp Sputtering device
JP2006277868A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp Discrete track medium and its manufacturing method
JP2008254413A (en) * 2007-03-12 2008-10-23 Toshiba Corp Duplicating stamper and its manufacturing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013039757A (en) * 2011-08-18 2013-02-28 Fujifilm Corp Mold release processing method for nanoimprinting mold, manufacturing method and the mold employing the mold release processing method, nanoimprinting method and method for manufacturing patterned substrate
US9164377B2 (en) 2012-12-14 2015-10-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for cleaning imprinting mask

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