JP2010262286A - 薄膜トランジスタ型液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタ基板と、カラーフィルタ基板との間に液晶を充填したパネルユニット110、光源と、光学プレートとを含み、前記パネルユニットに光を照射するバックライトユニット120を有し、前記バックライトユニットを収納するボトムシャーシ130が、炭素(C):0.001〜0.1重量%、シリコン(Si):0.002〜0.05重量%、マンガン(Mn):0.28〜2.0重量%及び残部の鉄を含む内部層と、外側表面に形成された電気亜鉛めっき層と、電気亜鉛めっき層の表面に形成された高分子クロムフリー汚染防止層とを備え、0.5〜0.9mmの厚さを有しており、前記パネルユニットの前面縁部及び側面を取り囲む形態で、バックライトユニットの前面にトップシャーシ140で固定する。
【選択図】図1
Description
表1に記載された組成を有する実施例1、実施例2及び比較例の内部層を製造し、硫酸浴で付着量20g/m2で電気亜鉛めっきを実施し、電気亜鉛めっき層上に1コーティング1ベーキングタイプで高分子クロムフリー汚染防止層を1.0g/m2の付着量でコーティングし、180℃で焼付け乾燥及び冷却を実施し、ボトムシャーシに成形及び加工される前の鋼板を製造した。
表2は、前記製造された実施例1〜2及び比較例の鋼板に対する機械的特性を示したものである。
成形性評価のために、実施例1〜2及び比較例によって製造された鋼板に対してLDR(Limit Dome Ratio)実験を行い、その結果を表3に示した。
加工性評価のために、90゜Vベンドテスト方法及び180゜Uベンドテスト方法で曲げ加工実験を行い、クラックの発生有無を確認した。
図3a及び図3bは、実施例1〜2及び比較例すべての90゜Vベンドテスト方法及び180゜Uベンドテスト方法による曲げ加工実験を行った結果を示したものである。
図3a及び図3bを参照すれば、実施例1〜2及び比較例のいずれにおいても、90゜Vベンドテスト方法及び180゜Uベンドテスト方法による曲げ加工実験でクラックが発生していないことが分かる。
実施例1〜2及び比較例によって製造された鋼板の耐食性、高温高湿性、伝導性、耐溶剤性、耐アルカリ性、潤滑性、耐寒性及び強アルカリ耐食性を評価した。
耐食性を評価するために、1)白錆が5%以内であるかどうかを測定し、2)テープ剥離で被膜が剥がれるかどうかを測定し、3)変色有無(許容値:ΔE≦3であるときに良好)を測定した。
高温高湿性を評価するために、1)表面に錆、膨れ及び析出物があるかどうかを測定し、2)裸板及び積層の各場合における変色有無(許容値:ΔE≦3であるときに良好)を測定し、3)テープ剥離で被膜が剥がれるかどうかを測定した。
伝導性を評価するために、1)全幅で10ケ所を測定し、7ケ所以上が1mΩ以下であるかどうかを測定した。
耐溶剤性(MEK)を評価するために、1)樹脂剥離及び膨れの発生有無を測定し、2)変色有無(許容値:ΔE≦1.0)を測定した。
耐アルカリ性を評価するために、1)テープ剥離で被膜が剥がれるかどうかを測定し、及び変色有無(許容値:ΔE≦0.8)を測定した。
潤滑性を評価するために、摩擦係数値(良好:0.07〜0.09)及び摩擦面における黒化又は白化の発生有無(許容値:ΔE≦0.8)を測定した。
耐寒性を評価するために、白錆の発生有無を観察し、樹脂の溶解によって亜鉛層が現れるかどうかを観察した。
強アルカリ耐食性を評価するために、1)樹脂剥離及び膨れの発生有無及赤錆の発生有無を観察した。
前記各物性に対する評価結果を表4に示した。
Claims (13)
- 液晶を調節し、画素を制御するための薄膜トランジスタが形成されている背面ガラス基板と、前記背面ガラス基板との対向面に映像を具現するためのカラーフィルタが形成されている前面ガラス基板と、前記2枚のガラス基板の間に充填される液晶とを含んで平面映像を表示するパネルユニットと、
光を発光する光源と、前記光源から発光される光を伝達又は拡散するための光学プレートとを含み、前記パネルユニットに光を照射するバックライトユニットと、
前記バックライトユニットを収納し、炭素(C):0.001〜0.1重量%、シリコン(Si):0.002〜0.05重量%、マンガン(Mn):0.28〜2.0重量%及び残部の鉄及びその他不回避な不純物を含む内部層と、前記内部層の外側表面に形成された電気亜鉛めっき層と、前記電気亜鉛めっき層の表面に形成された高分子クロムフリー汚染防止層とを備えており、0.5〜0.9mmの厚さを有するボトムシャーシと、
前記パネルユニットの前面縁部及び側面を取り囲む形態で、前記パネルユニットを前記バックライトユニットの前面に固定するためのトップシャーシとを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ型液晶表示素子。 - 前記電気亜鉛めっき層は、10〜30g/m2の付着量でメッキされていることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記電気亜鉛めっき層は、硫酸浴でメッキされたことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記高分子クロムフリー汚染防止層は、アミン系樹脂10〜30重量%、シリカ混合物10〜50重量%、無機ゾル1〜10重量%及び残量のバインダー樹脂としてのエポキシ樹脂を含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記シリカ混合物には、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカより選ばれるシリカと、グリシドオキシプロピルエトキシシラン、アミノプロピルエトキシシラン、メトキシオキシプロピルトリメトキシシランより選ばれるシランとが混合されていることを特徴とする、請求項4に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記シリカとシランは、1:0.2〜0.8の重量比で混合されていることを特徴とする、請求項5に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記無機ゾルは、ジルコニアゾル、アルミナゾル及びチタンゾルのうち少なくとも一つであることを特徴とする、請求項4に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記高分子クロムフリー汚染防止層は、0.8〜1.3g/m2の付着量でコーティングされていることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記高分子クロムフリー汚染防止層は、前記電気亜鉛めっき層上に1コーティング1ベーキングタイプでコーティングされていることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記高分子クロムフリー汚染防止層は、140〜220℃での焼付け乾燥によって形成されたことを特徴とする、請求項9に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記内部層は、リン(P):0.1重量%以下、硫黄(S):0.008重量%以下、クロム(Cr):0.01〜0.03重量%、ニッケル(Ni):0.007〜0.015重量%、モリブデン(Mo):0.001〜0.004重量%、アルミニウム(Al):0.043〜0.045重量%、銅(Cu):0.02〜0.04重量%、スズ(Sn):0.0017〜0.0018重量%、酸素(O):0.004重量%以下、窒素(N):0.003重量%以下をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記内部層は、ニオビウム(Nb):0.0075〜0.0083重量%及びチタニウム(Ti):0.0306〜0.0310重量%をさらに含むことを特徴とする、請求項11に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
- 前記ボトムシャーシは、前記バックライトユニットの光源と電気的に連結されることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ型液晶表示素子。
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