JP2010261793A - Method and apparatus for measuring dissolved substance content in liquid, and etching-solution reproducing system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液体中の溶存物質含有量の測定方法及び測定装置に関する。また、かかる装置を備えたエッチング液再生システムに関する。 The present invention relates to a method and an apparatus for measuring dissolved substance content in a liquid. The present invention also relates to an etching solution regeneration system equipped with such an apparatus.
近年、半導体装置製造分野では、シリコンウエハ等の半導体材料上に形成されるSi3N4膜およびSiO2膜のうち、SiO2膜を残してSi3N4膜を選択的にエッチング除去し、且つその選択比率を均一に維持するといった精密なエッチング処理が要求されている。 In recent years, in the field of semiconductor device manufacturing, among Si 3 N 4 film and SiO 2 film formed on a semiconductor material such as a silicon wafer, the Si 3 N 4 film is selectively etched away leaving the SiO 2 film, In addition, a precise etching process is required to maintain the selection ratio uniformly.
Si3N4膜およびSiO2膜のエッチング選択比は、エッチング液として用いられる燐酸(H3PO4)と純水(H2O)の混合溶液(以下、「燐酸水溶液」ともいう)中に生成されるケイ酸化合物の濃度に依存して変化するため、安定したエッチングを続けるためには、エッチング液中のSi成分の濃度を最適な一定濃度に維持管理する必要がある。 The etching selectivity of the Si 3 N 4 film and the SiO 2 film is set in a mixed solution of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and pure water (H 2 O) used as an etchant (hereinafter also referred to as “phosphoric acid aqueous solution”). Since the concentration varies depending on the concentration of the produced silicate compound, in order to continue stable etching, it is necessary to maintain and manage the concentration of the Si component in the etching solution at an optimal constant concentration.
かかる問題について、例えば、特許文献1には、Si3N4膜のエッチング処理においてエッチング液中に副生成物として生成されてくる、溶存するSi成分の一部をエッチング液中で析出させて固形物とすることによって回収し、エッチング液中のSi成分の濃度を一定に維持できる装置が提案されている。この装置は、エッチング液の一部を処理槽から抜き出して、エッチングプロセスで生成したSi成分の一部又は全部を析出除去した後、再び処理槽に戻すことによってエッチング液を再生し、エッチング液のライフを長く、しかも、Si3N4膜およびSiO2膜のエッチング選択比を一定に維持管理しながら高精度に効率的なエッチング処理を可能としている。
For such a problem, for example,
ところで、上記のようなウエットエッチングシステムでは、エッチング液中のSi成分の濃度をプロセスのインラインでリアルタイムに把握して、析出除去・再生を可能な限り短時間のサイクルでフィードバック制御することが望まれる。しかしながら、エッチング液中のSi成分の量(濃度)は、原子吸光分析法、イオンクロマトグラフィー、誘導結合プラズマ質量分析法(ICP分析法)などによって測定することは可能であるが(特許文献2〜5等)、これらの方法は、測定のためにエッチング液を希釈したり燃焼したりする必要があるために、インラインでの測定には不向きであった。そこで、本出願人はプロセスのインラインでの測定が可能な、紫外線の吸光分析を用いた濃度測定方法及び測定装置を提案した(特許文献6)。しかし、この方法は、エッチング液と溶存成分の組み合わせ(例えば、燐酸水溶液とケイ素)によっては、紫外線吸光度と溶存成分濃度との間に十分な相関係数が得られず、十分に高い測定精度が得られないことがわかった。このため、本出願人は、さらに、燐酸とケイ素の組み合わせにおいてもインラインで測定が行えるように、エッチング液に溶解するSi成分の濃度を定量する新たな技術を提案した(特許文献7)。この方法は、エッチング液に溶解するSi成分が飽和溶解度を超えて析出したときの析出物による光散乱によってエッチング液の透過率が変化することから、エッチング液の温度を低下させながら透過率が最初に変化する温度を見つけることで、Si成分の濃度を定量するものである。しかし、当該方法でも、測定のためにはリン酸溶液をサンプリングして冷却するという付属設備と操作が必要となり、より簡便な測定方法が望まれる。
By the way, in the wet etching system as described above, it is desired that the concentration of the Si component in the etching solution is grasped in real time in the process, and the precipitation removal / regeneration is feedback controlled in the shortest possible cycle. . However, the amount (concentration) of the Si component in the etching solution can be measured by atomic absorption analysis, ion chromatography, inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP analysis), or the like (
一方、特許文献8には、エッチング液の劣化度合いに応じて処理時間を調整して、劣化したエッチング液でも適切なエッチング処理を行えるようにしたエッチング装置が提案されている。すなわち、この装置は、エッチング液の使用履歴からエッチング液の劣化度を推定し、あらかじめ求めておいた劣化度と処理レートの関係からエッチング液の劣化度に見合った処理時間を延長して補正処理を行うものであり、エッチング液を再生処理して使用するものではないが、エッチング液の劣化度を左右するケイ酸化合物(Si成分)の濃度を測定出来ないため、経験則から補正処理時間が決定されている。従って、実際の処理環境の変動に対応できないため、高精度の処理を行えているとはいい難いものである。また、特許文献9には、エッチング液中の所定物質の濃度を検出し、所定物質の濃度が所定濃度に達した際に、処理槽内のエッチング液の所定量を排出し、新規エッチング液を処理槽内に補充して、エッチング液中の所定物質の濃度を調整するエッチング方法及び装置が記載されている。しかし、エッチング液中の所定物質の濃度を検出する濃度検出手段(濃度検出センサ)については具体的に説明されておらず、また、エッチング液の濃度コントロールは、新規なエッチング液(の溶質成分)の補充によって行っており、エッチング液を再生することは行っていない。
On the other hand,
本発明は、上記のような事情に鑑み成されたものであり、その解決しようとする課題は、例えば、半導体装置製造プロセスにおけるエッチング液(燐酸水溶液等)に溶存する金属元素(ケイ素(Si)等)の含有量等の液体中の溶存物質の含有量を短時間で高精度に測定でき、しかも、その液体を使用するプロセスのインラインでの測定を簡単に行える方法及び測定装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and the problem to be solved is, for example, a metal element (silicon (Si)) dissolved in an etching solution (phosphoric acid aqueous solution or the like) in a semiconductor device manufacturing process. Etc.) to provide a method and a measuring apparatus capable of measuring the content of dissolved substances in a liquid in a short time with high accuracy and easily performing in-line measurement of a process using the liquid. It is.
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、液体とそれに接触するプリズムの屈折率が近接している場合、液体との界面をなすプリズムの境界面での光の反射率が、液体中の溶存物質の含有量の変化に伴う液体の屈折率の変化に対して高感度に変化することを知見した。すなわち、スネルの法則により、屈折率が異なる2つの媒質の一方の媒質(屈折率:n1)から他方の媒質(屈折率:n2)に光が入射する場合、n1>n2で入射角が全反射角より小さい場合や、n1<n2の場合には光は全反射せず、光が透過して反射率は極端に低下するが、光の入射角度を一定に保持して反射率の測定を行った場合、n1とn2が近接した範囲にある場合は、n1とn2の屈折率差が大きくなると反射率が増加し、屈折率差が小さくなると反射率が小さくなるという変化が観測される。例えば、半導体装置の製造プロセスで循環使用されるエッチング液である燐酸水溶液に石英プリズムを接触させると、燐酸水溶液の屈折率は石英の屈折率よりも僅かに上回り、反射率はゼロにはならない。そしてこの反射率は燐酸水溶液にエッチング処理に伴うSi成分が溶解して燐酸水溶液の屈折率が僅かに増加するだけでも、顕著な変化として観測される。つまり全反射条件を満たさない状態では、光の反射率(透過率)は両媒質の屈折率の変化に対して敏感に変化し、燐酸水溶液中のケイ素(Si)の含有量変化が燐酸水溶液とプリズムの境界面での光の反射率の変化として表われ、両者の相関性が非常に高いことが分かった。本発明は、このような知見から、測定対象の液体にその屈折率に近接する屈折率を有するプリズムを接触させ、該液体との界面をなすプリズムの境界面に所定の入射角度で光を入射させて得られる反射光の強度を知ることで、液体中の溶存物質の含有量(濃度)を短時間で高精度に測定し得ることを見出し、完成したものである。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that when the refractive index of the prism that contacts the liquid is close, the reflectance of light at the boundary surface of the prism that forms the interface with the liquid However, it has been found that it changes with high sensitivity to the change in the refractive index of the liquid accompanying the change in the content of dissolved substances in the liquid. That is, by Snell's law, one of the medium (refractive index: n 1) of the two media having different refractive indexes from the other medium (refractive index: n 2) in the case where light is incident, incident at n 1> n 2 When the angle is smaller than the total reflection angle or when n 1 <n 2 , the light is not totally reflected and the light is transmitted and the reflectance is extremely reduced, but the incident angle of the light is kept constant. When the reflectance is measured and n 1 and n 2 are in a close range, the reflectance increases as the refractive index difference between n 1 and n 2 increases, and the reflectance increases as the refractive index difference decreases. A change that becomes smaller is observed. For example, when a quartz prism is brought into contact with a phosphoric acid aqueous solution that is an etching solution that is circulated and used in a semiconductor device manufacturing process, the refractive index of the phosphoric acid aqueous solution is slightly higher than the refractive index of quartz, and the reflectance does not become zero. This reflectance is observed as a significant change even if the Si component accompanying the etching treatment is dissolved in the phosphoric acid aqueous solution and the refractive index of the phosphoric acid aqueous solution is slightly increased. In other words, when the total reflection condition is not satisfied, the light reflectance (transmittance) changes sensitively to changes in the refractive index of both media, and the change in the content of silicon (Si) in the phosphoric acid aqueous solution is different from that of the phosphoric acid aqueous solution. It was shown as a change in the reflectance of light at the prism interface, and the correlation between the two was found to be very high. Based on such knowledge, the present invention brings a prism having a refractive index close to the refractive index into contact with the liquid to be measured, and makes light incident on the boundary surface of the prism that forms an interface with the liquid at a predetermined incident angle. It has been found out that the content (concentration) of the dissolved substance in the liquid can be measured with high accuracy in a short time by knowing the intensity of the reflected light obtained in this way.
なお、溶液の屈折率測定方法として、入射光の入射角度を全反射角度の前後で変化させることにより、対象溶液の全反射角度を測定することによって屈折率を計算する手法はアッベの屈折率計として広く知られているが、本発明は全反射条件にない入射角度における反射光の反射率変化を利用する点で根本的に発想が異なる。 As a method for measuring the refractive index of the solution, Abbe's refractometer is a method for calculating the refractive index by measuring the total reflection angle of the target solution by changing the incident angle of incident light before and after the total reflection angle. Although the present invention is widely known, the idea is fundamentally different in that it uses a change in reflectance of reflected light at an incident angle that is not in the total reflection condition.
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
(1)プリズムに、その屈折率(N1)と液体の屈折率(N2)の差の絶対値(|N1−N2|)が0.30以下となるプリズムを使用し、
液体との界面をなすプリズムの境界面に光源からの光を入射させて得られる、該プリズム境界面からの反射光の反射度に基づいて前記液体の溶存物質含有量を算出することを特徴とする、液体中の溶存物質含有量の測定方法。
(2)プリズムの屈折率(N1)と液体の屈折率(N2)がN1>N2の関係にある場合は、プリズムの境界面への光の入射角(θ)が全反射角より小さいことを特徴とする、上記(1)記載の方法。
(3)溶存物質が金属である、上記(1)又は(2)記載の方法。
(4)液体が酸溶液であり、溶存物質が金属である、上記(1)又は(2)記載の方法。
(5)液体が半導体装置製造プロセス用のエッチング液であり、溶存物質が金属である、上記(1)又は(2)記載の方法。
(6)プリズムの材質が石英であり、光源からの光が波長170〜190nmの範囲内の少なくとも1つと、当該波長域外の少なくとも1つを含む2波長以上からなる、上記(1)〜(5)のいずれかに記載の方法。
(7)プリズムに、その屈折率(N1)と液体の屈折率(N2)の差の絶対値(|N1−N2|)が0.30以下となるプリズムが使用され、液体との界面をなすプリズムの境界面に光源からの光を入射させて、該プリズム境界面からの反射光の反射度を検出する光学部と、
該光学部の検出信号に基づいて、上記液体中の溶存物質含有量を算出するデータ処理部とを備えてなることを特徴とする、液体中の溶存物質含有量測定装置。
(8)プリズムの屈折率(N1)と液体の屈折率(N2)がN1>N2の関係にある場合は、プリズムの境界面への光の入射角(θ)が全反射角より小さいことを特徴とする、上記(7)記載の装置。
(9)溶存物質が金属である、上記(7)又は(8)記載の装置。
(10)液体が酸溶液であり、溶存物質が金属である、上記(7)又は(8)記載の装置。
(11)液体が半導体装置製造プロセス用のエッチング液であり、溶存物質が金属である、上記(7)又は(8)記載の装置。
(12)プリズムの材質が石英であり、光源からの光が波長170〜190nmの範囲内の少なくとも1つと、当該波長域外の少なくとも1つを含む2波長以上からなる、上記(7)〜(11)のいずれかに記載の装置。
That is, the present invention includes the following contents.
(1) A prism having an absolute value (| N 1 −N 2 |) of a difference between its refractive index (N 1 ) and liquid refractive index (N 2 ) of 0.30 or less is used as the prism,
Calculating the dissolved substance content of the liquid based on the reflectivity of the reflected light from the prism boundary surface obtained by making light from the light source incident on the boundary surface of the prism that forms an interface with the liquid, A method for measuring the content of dissolved substances in a liquid.
(2) when the refractive index of the prism (N 1) and the refractive index of the liquid (N 2) is in the relation of N 1> N 2 is the angle of incidence of the light on the boundary surface of the prism (theta) is the total reflection angle The method according to (1) above, which is smaller.
(3) The method according to (1) or (2) above, wherein the dissolved substance is a metal.
(4) The method according to (1) or (2) above, wherein the liquid is an acid solution and the dissolved substance is a metal.
(5) The method according to (1) or (2) above, wherein the liquid is an etching solution for a semiconductor device manufacturing process and the dissolved substance is a metal.
(6) The material of the prism is quartz, and the light from the light source is composed of at least one within a wavelength range of 170 to 190 nm and two or more wavelengths including at least one outside the wavelength range, (1) to (5 ) Any one of the methods.
(7) A prism in which the absolute value (| N 1 −N 2 |) of the difference between the refractive index (N 1 ) and the refractive index (N 2 ) of the liquid is 0.30 or less is used as the prism. An optical unit that causes light from a light source to enter the boundary surface of the prism that forms the interface of the prism, and detects the reflectivity of reflected light from the prism boundary surface;
A dissolved substance content measuring device in a liquid, comprising: a data processing unit for calculating the dissolved substance content in the liquid based on a detection signal of the optical unit.
(8) when the refractive index of the prism (N 1) and the refractive index of the liquid (N 2) is in the relation of N 1> N 2 is the angle of incidence of the light on the boundary surface of the prism (theta) is the total reflection angle The apparatus according to (7) above, which is smaller.
(9) The apparatus according to (7) or (8) above, wherein the dissolved substance is a metal.
(10) The apparatus according to (7) or (8) above, wherein the liquid is an acid solution and the dissolved substance is a metal.
(11) The apparatus according to (7) or (8), wherein the liquid is an etching solution for a semiconductor device manufacturing process and the dissolved substance is a metal.
(12) The material of the prism is quartz, and the light from the light source includes at least one within a wavelength range of 170 to 190 nm and two or more wavelengths including at least one outside the wavelength range, (7) to (11 ).
本発明における「液体」としては、例えば、半導体装置製造プロセスでのウエットエッチング処理で循環使用されるエッチング液(例えば、燐酸、フッ酸、塩酸、酢酸、硝酸、硫酸等の水溶液等の酸溶液;アンモニア水溶液;過酸化水素水溶液およびこれらの混合液)、食品や衣料品等の洗浄(殺菌)を行う洗浄機等に使用されるオゾン水、撮影済みのフィルムや印画紙などを大量に現像する写真現像機に使用される現像液(薬液)等の各種の装置やシステムにおいて繰り返し使用される所定機能を備えた液体が挙げられる。 As the “liquid” in the present invention, for example, an etching solution (for example, an acid solution such as an aqueous solution of phosphoric acid, hydrofluoric acid, hydrochloric acid, acetic acid, nitric acid, sulfuric acid, etc.) used in a wet etching process in a semiconductor device manufacturing process; Aqueous ammonia solution; aqueous hydrogen peroxide solution and their mixtures), ozone water used in washing machines that clean (sterilize) food and clothing, etc., photographs that develop a large amount of film and photographic paper Examples thereof include a liquid having a predetermined function that is repeatedly used in various apparatuses and systems such as a developer (chemical solution) used in a developing machine.
また、測定対象の「溶存物質」は、液体の種類、用途(液体が適用されるプロセス等)等に応じて決まるものであり、無機物質、有機物質のいずれであってもよく、特に限定はされないが、典型的には金属(イオン)であり、例えば、「液体」が半導体装置製造プロセスのウエットエッチング処理で循環使用されるエッチング液の場合、溶存物質としては、エッチング処理に伴って液中に生成してくるアルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、ケイ素(Si)、リン(P)、タングステン(W)等である。なお、本明細書でいう「金属」とは、金属元素だけでなく、ケイ素(Si)、リン(P)等の金属性を示す類金属元素も含む概念である。また、「液体」が、例えば、洗浄液として使用されるオゾン水の場合、洗浄処理や経時によって溶存量が増減するオゾンが測定対象の「溶存物質」である。 The “dissolved substance” to be measured is determined according to the type of liquid, the use (process to which the liquid is applied, etc.), etc., and may be either an inorganic substance or an organic substance. However, typically, it is a metal (ion). For example, in the case where the “liquid” is an etching solution that is circulated and used in the wet etching process of the semiconductor device manufacturing process, the dissolved substance is included in the liquid along with the etching process. These are aluminum (Al), magnesium (Mg), manganese (Mn), nickel (Ni), copper (Cu), silicon (Si), phosphorus (P), tungsten (W), and the like. The term “metal” used in the present specification is a concept that includes not only a metal element but also a metal-like element that exhibits metallic properties such as silicon (Si) and phosphorus (P). Further, when the “liquid” is, for example, ozone water used as a cleaning liquid, ozone whose dissolved amount increases or decreases depending on the cleaning process or time is the “dissolved substance” to be measured.
なお、本発明における「液体」は、測定対象の「溶存物質」のみが溶解した液体であっても、測定対象の「溶存物質」以外の物質が溶解した溶液であってもよい。 The “liquid” in the present invention may be a liquid in which only the “dissolved substance” to be measured is dissolved or a solution in which a substance other than the “dissolved substance” to be measured is dissolved.
本発明の液体の溶存物質濃度測定方法および装置では、液体の溶存物質の含有量(濃度)の変化を高感度に検出できることから、当該含有量を高精度に測定することができる。また、その測定に必要な手段は実質的に光源とプリズムと受光素子でよいことから、液体が使用されるプロセス(システム)中に簡単に組み込むことができ(すなわち、プロセスのインラインでの測定が可能であり)、種々のプロセスにおいてリアルタイムに液中の溶存物質含有量(濃度)を測定することができる。 In the liquid dissolved substance concentration measuring method and apparatus of the present invention, the change in the content (concentration) of the liquid dissolved substance can be detected with high sensitivity, and therefore the content can be measured with high accuracy. In addition, since the means necessary for the measurement may be substantially a light source, a prism, and a light receiving element, it can be easily incorporated into a process (system) in which a liquid is used (that is, in-line measurement of a process is possible). It is possible to measure the dissolved substance content (concentration) in the liquid in various processes in real time.
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳しく説明する。
図1は、本発明の第1実施形態による溶存物質含有量測定装置のシステム構成図である。当該測定装置3は、実質的に、光学部1と、データ処理部2とで構成される。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments thereof.
FIG. 1 is a system configuration diagram of a dissolved substance content measuring apparatus according to a first embodiment of the present invention. The
まず、光学部1の具体的な構成を説明する。光学部1は、光源31、プリズム32、受光素子33、フローセル34を備える。光源31としては、例えば、所定波長の単一波長光を発光するLEDや連続波長光を発光する重水素ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ等が使用される。なお、重水素ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ等の連続波長光を発光する光源を使用する場合、通常、所定波長の光を取り出すための紫外線分光器(グレーティング)あるいは干渉フィルタ等が使用される。
First, a specific configuration of the
フローセル34は下面が遮光壁34aとプリズム32の一部による窓部34bとで構成され、内部に試料液35が導入されている。プリズム32の一方側の面32aに配置された光源31からプリズム32内に入射した光線R1は試料液35との界面をなすプリズム32の境界面32bを透過する透過光R2と境界面32bで反射する反射光R3とに分かれ、該反射光R3をプリズム32の他方側の面32cに配置された受光素子33が受光し、受光素子33は反射光R3の強度に対応する光電流に変換して、電気信号を出力する。なお、測定の波長が200nm以下の紫外線である場合は、空気中の酸素によって測定光が減衰するため、測定環境の空気を窒素などの不活性ガスで置換するのが好ましい。
The
プリズム32はその屈折率(N1)が試料液35の屈折率(N2)との間でN1<N2の関係にあるもの、或いは、N1>N2の関係にあるもののいずれも使用可能である(なお、ここでのN1とN2は、実施する測定系の温度及び光源波長(入射光R1の波長)における屈折率である。)。
The
N1<N2の関係にある場合、入射光R1の入射角(θ)に関係なく、反射光R3が得られるが、この場合、入射角(θ)が小さくなると反射率自体が低下して測定し難くなるので、反射率が1%以上となる入射角を選定するのが一般的である。一方、N1>N2の関係にある場合、入射光R1の入射角(θ)を全反射角より小さい角度にすることが必要である。この場合は、入射光R1の入射角(θ)が全反射角に達すると、反射率の変化が観測できなくなるため、全反射条件に至らない反射率が10%以下となる入射角であることが望ましい。 When N 1 <N 2 , the reflected light R3 is obtained regardless of the incident angle (θ) of the incident light R1, but in this case, when the incident angle (θ) decreases, the reflectance itself decreases. Since it becomes difficult to measure, it is general to select an incident angle at which the reflectance is 1% or more. On the other hand, when N 1 > N 2 , the incident angle (θ) of the incident light R1 needs to be smaller than the total reflection angle. In this case, when the incident angle (θ) of the incident light R1 reaches the total reflection angle, the change in reflectance cannot be observed. Therefore, the reflectance that does not reach the total reflection condition is an incident angle that is 10% or less. Is desirable.
本発明では、プリズム32には、その屈折率(N1)と試料液35の屈折率(N2)の差の絶対値(|N1−N2|)が0.30以下(好ましくは0.15以下、より好ましくは0.05以下)の関係となるものを使用することが重要である。かかる屈折率差の絶対値(|N1−N2|)が0.30を超える場合、試料液35の屈折率の僅かな変化が反射光R3の強度変化として顕著に現れにくくなるためである。
In the present invention, the absolute value (| N 1 −N 2 |) of the difference between the refractive index (N 1 ) of the
試料液35とプリズム32の組み合わせの具体例としては、例えば、半導体装置製造プロセスでのエッチング液である燐酸水溶液と石英プリズムの組み合わせを挙げることができる。
As a specific example of the combination of the
入射光R1の波長が250nmの場合、燐酸水溶液(燐酸濃度:86±0.5重量%)の屈折率(25℃)は1.469、石英プリズムの屈折率(25℃)は1.508であり、光の全反射角は77度である。この場合、入射光R1の入射角(θ)を75度にすると、反射率は10%となり、燐酸の屈折率が0.001変化した場合の反射率の変化から計算される吸光度の変化量は0.046となる。 When the wavelength of the incident light R1 is 250 nm, the refractive index (25 ° C.) of the phosphoric acid aqueous solution (phosphoric acid concentration: 86 ± 0.5 wt%) is 1.469, and the refractive index (25 ° C.) of the quartz prism is 1.508. The total reflection angle of light is 77 degrees. In this case, when the incident angle (θ) of the incident light R1 is 75 degrees, the reflectance is 10%, and the amount of change in absorbance calculated from the change in reflectance when the refractive index of phosphoric acid changes by 0.001 is 0.046.
プリズムの材質が石英である場合には、入射光R1の波長を190nm以下にすると、石英と燐酸水溶液との屈折率差が小さくなり、反射率の変化をより高感度に観測できる。例えば、入射光R1の波長が187nmの場合、燐酸水溶液(燐酸濃度:86±0.5重量%)の屈折率(25℃)は1.548であり、石英プリズムの屈折率(25℃)は1.571で、全反射角は80度である。この場合、入射光R1の入射角を75度にすると、反射率は1.6%となり、燐酸の屈折率が0.001変化した場合の反射率の変化から計算される吸光度の変化量は0.057となる。 When the material of the prism is quartz, when the wavelength of the incident light R1 is 190 nm or less, the difference in refractive index between quartz and the phosphoric acid aqueous solution becomes small, and the change in reflectance can be observed with higher sensitivity. For example, when the wavelength of the incident light R1 is 187 nm, the refractive index (25 ° C.) of the phosphoric acid aqueous solution (phosphoric acid concentration: 86 ± 0.5 wt%) is 1.548, and the refractive index (25 ° C.) of the quartz prism is At 1.571, the total reflection angle is 80 degrees. In this case, when the incident angle of the incident light R1 is 75 degrees, the reflectivity is 1.6%, and the change in absorbance calculated from the change in reflectivity when the refractive index of phosphoric acid is changed by 0.001 is 0. .057.
また、入射光R1の波長が190nm以下になると、燐酸水溶液中に含まれる水の屈折率が大きくなり、水分率の変化や水温の変化が測定結果に合わせて反映されるようになる。従って、入射光Rを波長190nmを境にして複数選択し(好ましくは、波長が170〜190nmの範囲内の少なくとも1つと、当該波長域外(190nm超)の少なくとも1つを含む2波長以上を選択し)、これらの光において観測されるスペクトル変化を利用して、水分率の変化やサンプルの温度変化による測定誤差を補正することができる。 Further, when the wavelength of the incident light R1 is 190 nm or less, the refractive index of water contained in the phosphoric acid aqueous solution increases, and the change in the moisture content and the change in the water temperature are reflected according to the measurement result. Therefore, select a plurality of incident light R with a wavelength of 190 nm as a boundary (preferably, select at least two wavelengths including at least one within a wavelength range of 170 to 190 nm and at least one outside the wavelength range (over 190 nm). However, measurement errors due to changes in moisture content or changes in the temperature of the sample can be corrected using the spectral changes observed in these lights.
なお、プリズムの材質をサファイアとした場合には、入射光R1の波長を250nmとした場合の全反射角は53度となり、この場合に入射光R1の入射角(θ)を45度にすると、上記石英プリズムを使用した実施形態と同様に反射率は10%以下となるが、サファイアの屈折率とサンプルの屈折率の差が0.377と大きいので、燐酸の屈折率が0.001変化した場合の反射率変化から計算される吸光度の変化量は0.004と小さくなり、試料の僅かな屈折率変化が吸光度の顕著な変化として現れにくい傾向となる。 When the material of the prism is sapphire, the total reflection angle when the wavelength of the incident light R1 is 250 nm is 53 degrees. In this case, when the incident angle (θ) of the incident light R1 is 45 degrees, Similar to the embodiment using the quartz prism, the reflectance is 10% or less. However, since the difference between the refractive index of sapphire and the refractive index of the sample is as large as 0.377, the refractive index of phosphoric acid changed by 0.001. The amount of change in absorbance calculated from the change in reflectance in this case is as small as 0.004, and a slight change in refractive index of the sample tends not to appear as a significant change in absorbance.
次に、データ処理部2の具体的な構成を詳しく説明する。
データ処理部2は、受光素子33から出力された、反射光R3の強度に対応する光強度信号を増幅する増幅器14を備えている。さらに、データ処理部2は、増幅器14から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器15と、このA/D変換器15からデジタル信号を受け入れるデータ処理装置16とを備えている。
Next, a specific configuration of the
The
データ処理装置16は、実質的に、マイクロプロセッサ17と、RAM18と、ROM19と、入力装置20と、出力装置21とで構成されている。ここで、マイクロプロセッサ17は、試料液の溶存物質の含有量を導出するための演算を行う。RAM18は、検量線式や各種データを記憶している。ROM19は、マイクロプロセッサ17を動作させるためのプログラム等を格納している。入力装置20は、データや各種の命令を入力するキーボード等を備えている。出力装置21は、データ処理の結果を出力するプリンタやディスプレイ等を備えている。
The data processing device 16 is substantially composed of a
以下、データ処理装置16におけるデータ処理の具体的な内容を説明する。
光源31が所定波長の紫外線を発光すると、受光素子33は、フローセル34内の試料液35との界面をなすプリズム32の境界面32bで反射する反射光R3の強度に比例する信号を生成する。この信号は増幅器14で増幅された後、A/D変換器15でデジタル信号に変換され、データ処理装置16のマイクロプロセッサ17に入力される。
Hereinafter, specific contents of data processing in the data processing device 16 will be described.
When the light source 31 emits ultraviolet light having a predetermined wavelength, the
マイクロプロセッサ17は、A/D変換器15から入力されたデジタル信号に対して、次の式1による演算処理を実行し、吸光度S(反射光R3の強度)を演算する。
The
[数1]
S=−log10A/B………………………式1
[Equation 1]
S = -log 10 A / B .....................
式1において、Aは試料液から得られた反射強度値(実測値)、Bはフローセル34内に導入された溶存物質を含まない基準液から得られた反射強度値である。なお、Bは予め測定されたデータであり、データ処理装置16のRAM18に格納されている。例えば、試料液が半導体装置製造プロセスでのウエットエッチング処理で循環使用された燐酸水溶液(珪素(Si)が溶存)である場合、基準液はウエットエッチング処理に供されていない未使用の燐酸水溶液である。
In
次に、式1により得られた吸光度(反射強度)Sに基づいて、次の式2の演算を行い、測定対象の溶存物質の含有量(濃度)Cを演算する。
Next, based on the absorbance (reflection intensity) S obtained by
[数2]
C=F(S)……………………式2
[Equation 2]
C = F (S) ……………………
式2において、F(S)は溶存物質の検量線式であり、Sについての1次項及び高次項を含み、例えば次の式3で表される。
In
[数3]
C=ΣαS+ΣβS2+ΣγS3+……+Z0……………………式3
[Equation 3]
C = ΣαS + ΣβS 2 + ΣγS 3 + …… + Z 0 ……………………
式3において、Sは、式1により得られたデータである。α、β及びγは、検量線式の係数である。Z0は定数項である。式3に含まれる各データは、溶存物質含有量(溶存物質濃度)が既知の試料液の標準サンプルを用いて該測定装置3により予め求められたものであり、データ処理装置16のRAM18に格納されている。
In
データ処理装置16のマイクロプロセッサ17は、式3の演算により得られた溶存物質の含有量Cを、CRTやプリンタ等の出力装置21に出力し、CRT画面に表示したり、印字用紙にハードコピーとして出力し、あるいは外部へ送信する。また、データ処理装置16のマイクロプロセッサ17は、溶存物質の含有量(濃度)Cのデータに基づいて、該溶存物質濃度測定装置が組み込まれる所定のプロセス(例えば、半導体装置製造プロセス)の管理に必要なパラメータ値(例えば、半導体装置製造プロセスにおける、原液追加量、原液追加の時間、廃液量、廃液時間等)を演算し、その結果を出力装置21に出力する。
The
つまり、かかる液体の溶存物質含有量の測定装置ないし測定方法においては、測定対象の液体(試料液)に接触させたプリズムの試料液との界面をなす境界面で反射する光の反射光量(反射強度)に基づいて溶存物質含有量が算出されるので、短時間で精度よく溶存物質含有量を測定することができ、インライン測定を行うことができる。 In other words, in the measuring device or measuring method for the dissolved substance content of such a liquid, the amount of reflected light (reflected light) reflected at the boundary surface that forms the interface with the sample liquid of the prism in contact with the liquid (sample liquid) to be measured. Since the dissolved substance content is calculated based on (strength), the dissolved substance content can be accurately measured in a short time, and in-line measurement can be performed.
図2は本発明の第2実施形態の溶存物質含有量測定装置の要部を示した図であり、該測定装置は第1実施形態の装置3(図1)における光学部1を図2に示す光学部1’に変更したものである。図2中の図1と同一符号は同一または相当する部分を示す。
FIG. 2 is a view showing a main part of the dissolved substance content measuring apparatus according to the second embodiment of the present invention. The measuring apparatus shows the
かかる第2実施形態の溶存物質含有量測定装置では、光学部1’において、プリズム32に入射させる光を、プリズム32の試料液35との界面をなす境界面32bと該境界面32bに対向する対向面32dとの間で多重反射させる構成にしている。このような構成とすることで、試料液35の屈折率の変化に対する反射光R3’の強度変化を大きくすることができ、測定精度を高めることができる。
In the dissolved substance content measuring apparatus of the second embodiment, in the
本発明の液体の溶存物質含有量測定装置(図1、図2)は、実質的にフローセル34、光源31、プリズム32及び受光素子33という少数且つ省スペースの部材で構成されることから、上述の半導体装置の製造プロセスだけでなく、液体を使用した種々のプロセス、システムに簡単に組み込むことができる。
The liquid dissolved substance content measuring device of the present invention (FIGS. 1 and 2) is substantially composed of a small number of space-saving members, ie, a
本発明の液体の溶存物質含有量測定装置を、例えば、半導体装置製造プロセスのウエットエッチング装置に組み込むことで、エッチング液再生システムを構成することもできる。 By incorporating the liquid dissolved substance content measuring apparatus of the present invention into, for example, a wet etching apparatus of a semiconductor device manufacturing process, an etching solution regeneration system can be configured.
一例として、半導体装置製造プロセスにおいてエッチング液として燐酸水溶液(H3PO4+H2O)を用いた半導体材料のエッチング処理を行うウエットエッチング装置におけるエッチング液再生システムを説明する。 As an example, illustrating the etching solution regeneration system of the wet etching apparatus for etching process of a semiconductor material using aqueous phosphoric acid (H 3 PO 4 + H 2 O) as an etchant in semiconductor device fabrication processes.
図3はウエットエッチング装置の一具体例であり、エッチング槽41は、エッチング液Mを収容し、半導体材料等の被エッチング材料(図示せず)がエッチング液M中に没入浸漬されて、エッチング処理が成される処理槽41−1と、該処理槽41−1からオーバーフローするエッチング液Mを受けるオーバーフロー槽41−2を有する。具体的には、例えば、処理槽41−1内が150〜175℃に加熱コントロールされているエッチング液(燐酸水溶液(H3PO4+H2O))Mで満たされ、そこにSi3N4膜及びSiO2膜が形成された半導体材料(図示せず)を没入浸漬させることで、半導体材料上からSi3N4膜を選択的にエッチング除去し、SiO2膜を残すエッチング処理が行われる。該エッチング処理によって副生成物としてSiO2(エッチング残渣)が生成されて、徐々に蓄積増大するためにエッチング液(燐酸水溶液)M中のSiイオン濃度が高くなる。
FIG. 3 shows a specific example of a wet etching apparatus. An
処理槽41−1からエッチング液Mがオーバーフロー槽41−2にオーバーフローし、オーバーフローしたエッチング液Mをポンプ43にて循環して、オーバーフロー槽41−2に戻すようになっており、その間に異物を取り除く濾過フィルター44と、150〜175℃に加熱して循環経路42を一定の温度に保つラインヒーター45を取り付けている。また循環経路42から、分岐配管による分岐経路46を形成し、その経路途中に、エッチング液Mの一部を取り出して強制的にSiO2(エッチング残渣)を析出させて回収する再生装置47を取り付けている。
The etching solution M overflows from the treatment tank 41-1 to the overflow tank 41-2, and the overflowed etching solution M is circulated by the
オーバーフロー槽41−2には、本発明の溶存物質含有量測定装置3が装着されており、該溶存物質含有量測定装置3にてオーバーフロー槽41−2中のエッチング液M(燐酸水溶液)に溶存するSiイオンの含有量が測定される。図4は溶存物質含有量測定装置3の装置部の拡大図である。前述の図1ではフローセルを具備させた構成であるが、ここでは、図4に示されるように、オーバーフロー槽41−2の底壁48の一部を切除し、そこにプリズム32を埋め込んで、オーバーフロー槽41−2中のエッチング液M(燐酸水溶液)にプリズム32を接触させる構成にしている。
The overflow tank 41-2 is equipped with the dissolved substance
かかる溶存物質含有量測定装置3では、前記で説明した動作により、常時、測定対象の試料液であるエッチング液(燐酸水溶液)M中のSiイオンの含有量(Siイオン濃度)を算出しており、当該測定装置3で測定されたSiイオンの含有量がフィードバックされ、該Siイオンの含有量(濃度)に基づいて、再生装置47にて溶存するSiO2(エッチング残渣)を一部又は全部が強制的に析出、回収されたエッチング液(再生エッチング液)のエッチング槽41へ戻される液量が決定される。すなわち、分岐経路46に設けた再生装置47の出口用接続口管には電子制御バルブ70が取り付けられており、溶存物質含有量測定装置3で測定されたSiイオンの含有量(濃度)はCPU61に送られ、CPU61は、当該Siイオンの含有量(濃度)と予め記憶された情報から、処理槽41−1内のエッチング液MのSiイオンの含有量(濃度)を一定に維持するために、再生装置47からエッチング槽41へ戻す再生エッチング液の量を決定して、電子制御バルブ70へ制御信号を送り、バルブの開閉命令を行う。これにより、該決定された液量の再生エッチング液が再生装置47からオーバーフロー槽41−2へ戻される。かかる動作が短時間で繰り返されることで、処理槽41−1内のエッチング液MのSiイオン濃度が精密かつ一定にコントロールされて、エッチングレートが一定に維持管理され、エッチング液のライフタイムも長くなる。具体的には、Si3N4膜及びSiO2膜に対するSi3N4膜のエッチング選択比を一定に管理維持しながら高精度で効率的なエッチング処理を行うことができる。
In the dissolved substance
処理槽41−1は、石英等の所望な材料により製作されるもので、複数枚の半導体材料を垂直並列状に収容し得る大きさの平面視略矩形状を呈する有底箱型に形成された槽である。処理槽41−1内の底部側には整流板(図示せず)が内設されており、底部中央から圧送循環されてくるエッチング液が、垂直並列状に支持収容する全ての半導体材料に対し、Si3N4膜を効果的にエッチングするのに最適な流速(m/s)にて接触しながら流れる(上昇する)ようにしている。 The processing tank 41-1 is made of a desired material such as quartz, and is formed in a bottomed box shape having a substantially rectangular shape in a plan view with a size capable of accommodating a plurality of semiconductor materials in a vertically parallel shape. Tank. A rectifying plate (not shown) is provided on the bottom side in the processing tank 41-1, and the etching solution fed and circulated from the bottom center is supported by all semiconductor materials supported and accommodated in a vertical parallel configuration. The Si 3 N 4 film flows (increases) while contacting at an optimum flow rate (m / s) for effectively etching the Si 3 N 4 film.
分岐経路(分岐配管)46は、通常、循環経路42の管径よりも細い管径からなり、オーバーフローしたエッチング液と共に循環経路42に入り込んでくる空気を外部に排気することにより、循環経路42におけるエッチング液の流れを円滑に尚且つその流量及び流速を一定に維持する役目を成すもので、濾過フィルター44と処理槽41−1との間を接続する循環経路42の経路の一部に一端を接続し、他端側を処理槽41−1の上部開口に臨ませた解放状態で循環経路42から分岐配管せしめる。
The branch path (branch pipe) 46 normally has a pipe diameter smaller than the pipe diameter of the circulation path 42, and exhausts the air that enters the circulation path 42 together with the overflowed etchant to the outside, thereby It serves to maintain the flow rate and flow rate of the etching solution smoothly and at a constant flow rate. One end of a part of the circulation path 42 that connects between the
而して、オーバーフロー槽41−2に溢れて循環ポンプ43で循環経路42を通して槽外に取り出されて圧送循環されるエッチング液の一部(僅かな量)は分岐経路46に流入し、該径路46に流入したエッチング液Mは処理槽41−1の上部開口に臨む解放吐出口から処理槽41−1に戻される。この時、エッチング液Mが処理槽41−1に吐出戻される流れにより、エッチング液に混じり込んでいる空気がエッチング液から分離される。そして、この分岐経路46の経路途中には再生装置47を接続装備して、この再生装置47によりエッチング液M中の溶存するSiO2(エッチング残渣)が強制的に析出されて回収除去される。
Thus, a part (a small amount) of the etchant overflowing the overflow tank 41-2 and taken out of the tank by the
図中の符号50は、循環経路42に対する分岐経路46の接続側に配管接続した開閉バルブであり、再生装置47の保守点検やその交換等の作業を行う際に該経路46を一時的に閉じることができるようにしてある。
Reference numeral 50 in the drawing is an open / close valve connected by piping to the connection side of the branch path 46 with respect to the circulation path 42, and temporarily closes the path 46 when performing maintenance, inspection, replacement, etc. of the
再生装置47は、石英又はテフロン(登録商標)等の所望な材料から製作され、冷水又は空冷及び酸化により分岐経路46を通って導入されてくるエッチング液M中のSiO2を強制的に析出させて回収除去するものである。この再生装置47の具体的な構造形態としては特に限定されるものではない。要はエッチング液M中の溶存するSiO2(エッチング残渣)を強制的に析出させて効率的且つ確実に回収除去し得る構造で、しかも、回収したSiO2が装置47内部に蓄積せしめて析出能力(回収能力)が低下してきた時点で該経路46から簡単に取り外して例えばフッ酸(HF)等の薬液により洗浄して再利用若しくは新規なものと簡単に交換することができる構造であれば良い。その実施の構造形態を図5(a)〜(d)に夫々示す。
The
図5の(a)は、再生装置47の第1例を示し、適宜大きさの箱型に形成した析出容器51の外側に冷水等の冷却媒体を循環させる冷却パイプ52を螺旋状に巻回せしめると共に、分岐経路(分岐配管)46に着脱自在に接続する出入り用の接続口管53、54を前記容器51内に夫々挿入せしめた状態で備え、更に前記容器51内にはエッチング液中のSiO2を積極的に且つ効率的に析出させて回収するための析出核用メッシュ55を内在させてなる。尚、図示を省略しているが、分岐経路46に対する両接続口管53、54の着脱構造としては簡単に行うことができる例えばカップリング等のジョイント手段を用いることが好ましい。
FIG. 5A shows a first example of the
而して、斯かる再生装置47によれば、分岐経路46から入口用接続口管53を通って析出容器51内に導入されてくるエッチング液Mは冷却される。すると、エッチング液M中のSiO2は強制的に析出されて析出核用メッシュ55に付着する。これにより、エッチング液M中からSiO2が効率的且つ確実に回収除去される。SiO2が回収除去されたエッチング液Mは、出口用接続口管54から分岐経路46に戻され、該経路46を通って処理槽41−1に戻される。
Thus, according to such a
図5(b)は、再生装置47の第2例を示し、前述した第1例詳述の析出容器51に挿入接続した入口用接続口管53の容器51内吐出口に無数の小孔(図示せず)を有する略ラッパ形状の吐出口56を取り付ける一方、容器51の外に位置する入口用接続口管53の管部には小型吐出ポンプ57を配管接続することにより、吐出ポンプ57でエッチング液Mを容器51内に拡散吐出させるように構成している。即ち、吐出ポンプ57でエッチング液Mを吐出口56から容器51内に拡散吐出させることでエッチング液Mを膨張冷却せしめ、該エッチング液M中のSiO2を強制的に析出させながら析出核用メッシュ55に付着させることにより、エッチング液M中からSiO2を効率的且つ確実に回収除去し得る様に構成している。尚、前述実施例詳述と同じ構成部分においては同じ符号を用いることで重複説明は省略する。
FIG. 5B shows a second example of the
図5(c)は、再生装置47の第3例を示し、前述した第1例詳述の入口用接続口管53を挿入接続して該接続口管53から導入されて貯溜されるエッチング液Mに純水等の希釈液を加える希釈容器58に、導入管59を介して前述した第1実施例詳述の出口用接続口管54を挿入接続すると共に析出核用メッシュ55を内在する析出容器60を接続装備して、この析出容器60内にて前述したようにエッチング液Mを空冷(雰囲気温度)により冷却せしめることで、該液M中のSiO2を強制的に析出させて析出核用メッシュ55に付着させることにより回収除去するように構成してなる。図中、符号61は、希釈容器58に挿入接続した希釈補給管であり、62は、同補給管61に配管装備した補給バルブであり、この補給バルブ62により希釈容器58への純水等の希釈液の補給量を任意に変更・設定し得るようにしてある。
FIG. 5C shows a third example of the regenerating
又、図5(d)は、再生装置47の第4例を示し、前述した第1例詳述の出入口用の両接続口管53、54を備えると共に析出核用メッシュ55を内在する析出容器63に、前記入口用接続口管53の容器63内吐出口に向けてクリーンなエアーを吹き出すエアー供給管64とこの供給管64に連通接続させた状態でエアー冷却ノズル65を接続装備すると共に、析出容器63の内圧等を一定の雰囲気に維持するために前記エアー供給管64からのエアーの吹き出しに伴い該容器63内から余分のエアーを排気するエアー排気管66を接続せしめてなる。図中、符号67は、エアー供給管64に配管装備したエアーバルブであり、このバルブ67によりエアーの吹き出し量を任意に変更・設定し得るようにしてある。68は、エアー排気管66内に内在した気液分離フィルターであり、このフィルター68によりエッチング液Mは外部に排水させることなく、余分なエアーのみが外部に排気されるようにしてある。
FIG. 5 (d) shows a fourth example of the
而して、かかる構成の再生装置47によれば、分岐経路(分岐配管)46から入口用接続口管53を通って析出容器63内に吐出導入されてくるエッチング液Mにはクリーンなエアーが吹き付けられる。すると、エッチング液M中のSiO2は酸化により強制的に析出されて析出核用メッシュ55に付着し、エッチング液M中から回収除去される。SiO2が回収除去されたエッチング液Mは、回収容器63内の底部近くに向けて挿入接続する出口用接続口管54から分岐経路46に戻され、該経路46を通って処理槽41−1に戻される。
Thus, according to the reproducing
このように当該エッチング液再生システムでは、エッチング処理に使用されたエッチング液中の溶存物質を除去又は減量して再生したエッチング液を再度エッチング処理に使用するエッチング液の循環利用において、エッチング処理が行われる処理槽内のエッチング液の溶存無機物質を精密かつ一定にコントロールできるため、エッチングレートが一定に維持管理され、高精度で効率的なエッチング処理を行うことができる。 As described above, in the etching solution regeneration system, the etching process is performed in the circulating use of the etching solution in which the regenerated etching solution is used again for the etching process by removing or reducing the dissolved substances in the etching solution used for the etching process. Since the dissolved inorganic substance in the etching solution in the processing tank can be controlled precisely and constantly, the etching rate is maintained and controlled, and highly accurate and efficient etching can be performed.
なお、図3のウエットエッチング装置では、エッチング槽41のオーバーフロー槽41−2の底壁部に本発明の溶存物質含有量測定装置3を組み込んで処理槽41−1内のエッチング液中の溶存物質の含有量(濃度)を測定するようにしたが、循環経路42の一部に本発明の溶存物質含有量測定装置3を組み込んで、循環経路42を流れるエッチング液の溶存物質の含有量(濃度)を測定する構成にしてもよい。
In the wet etching apparatus of FIG. 3, the dissolved substance content in the etching solution in the processing tank 41-1 is incorporated by incorporating the dissolved substance
1 光学部
2 データ処理部
3 溶存物質含有量測定装置
14 増幅器
16 データ処理装置
17 マイクロプロセッサ
31 光源
32 プリズム
33 受光素子
34 フローセル
35 試料液
41−1 処理槽
41−2 オーバーフロー槽
42 循環経路
46 分岐経路
47 再生装置
48 底壁
61 CPU
70 電子制御バルブ
DESCRIPTION OF
70 Electronic control valve
Claims (12)
液体との界面をなすプリズムの境界面に光源からの光を入射させて得られる、該プリズム境界面からの反射光の反射度に基づいて前記液体の溶存物質含有量を算出することを特徴とする、液体中の溶存物質含有量の測定方法。 A prism having an absolute value (| N 1 −N 2 |) of a difference between the refractive index (N 1 ) and the liquid refractive index (N 2 ) of 0.30 or less is used as the prism.
Calculating the dissolved substance content of the liquid based on the reflectivity of the reflected light from the prism boundary surface obtained by making light from the light source incident on the boundary surface of the prism that forms an interface with the liquid, A method for measuring the content of dissolved substances in a liquid.
該光学部の検出信号に基づいて、上記液体中の溶存物質含有量を算出するデータ処理部とを備えてなることを特徴とする、液体中の溶存物質含有量測定装置。 A prism having an absolute value (| N 1 −N 2 |) of a difference between the refractive index (N 1 ) and the refractive index (N 2 ) of the liquid of 0.30 or less is used as the prism. An optical unit that makes light from a light source incident on a boundary surface of the prism to be formed, and detects the reflectivity of reflected light from the prism boundary surface;
A dissolved substance content measuring device in a liquid, comprising: a data processing unit for calculating the dissolved substance content in the liquid based on a detection signal of the optical unit.
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