JP2010245404A - Surface treatment apparatus - Google Patents

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Toshihiro Otsuka
智弘 大塚
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformly treat a workpiece placed substantially vertically without causing excess or deficiency even if a component heavier than an atmosphere gas is contained in a treatment gas. <P>SOLUTION: A surface 9a to be treated of the workpiece 9 is placed substantially vertically. A nozzle 20 having jetting ports 21a distributed substantially vertically is made to oppose the workpiece 9. A treatment gas containing a reactive component heavier than that of the atmosphere gas is introduced into the nozzle 20. A nitrogen gas for flow rate control is mixed into the treatment gas in the vicinity of the jetting ports 21a. The treatment gas after mixing is jetted from the jetting ports 21a. The mixing flow rate of the gas for flow rate control is adjusted so that the flow rate of the treatment gas may be 0.1 to 0.5 m/s in jetting. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

この発明は、被処理物に対しエッチング、ＣＶＤ、洗浄等の表面処理を行なう方法及び装置に関し、特に、被処理物の被処理面が略垂直に立てられ、かつ処理ガスが雰囲気ガスより重い成分を含む場合に適した表面処理方法及び装置に関する。   The present invention relates to a method and apparatus for performing surface treatment such as etching, CVD, and cleaning on an object to be processed, and in particular, a component in which a surface to be processed is substantially vertical and a processing gas is heavier than atmospheric gas The present invention relates to a surface treatment method and apparatus suitable for the case including

例えば、特許文献１には、被処理物を垂直にした状態で処理する装置が開示されている。
特許文献２には、水を添加したフッ素系原料ガスを大気圧近傍のプラズマ空間に導入して、ＣＯＦ４、ＨＦ等を含むフッ素系反応性ガスを生成し、このフッ素系反応性ガスを被処理物のシリコンに接触させ、シリコンをエッチングすることが開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses an apparatus for processing an object to be processed in a vertical state.
In Patent Document 2, a fluorine-based source gas to which water is added is introduced into a plasma space near atmospheric pressure to generate a fluorine-based reactive gas containing COF 4 , HF, and the like. It is disclosed that silicon is etched in contact with the workpiece silicon.

特開２００５−１５８９５号公報JP 2005-15895 A 特開２００７−２９４６４２号公報JP 2007-294642 A

ほぼ垂直に立てた被処理物に処理ガスを横方向から吹き付ける場合、処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていると、該成分が垂れる傾向がある。特に、処理ガスの吹出し流速が小さい場合に、上記重い成分が垂れ易い。そのため、縦方向の均一性を確保するのが容易でない。処理ガスの流量を増やせば、吹出し流速を大きくできるが、そうすると、処理が過剰になるおそれがある。また、処理ガスのロスが多くなる。
本発明は、上記事情に鑑み、ほぼ垂直になった被処理面に処理ガスを横方向から吹き付ける際、処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、処理を過不足無く、しかも均一に行なえるようにすることを目的とする。 When a processing gas is blown from a lateral direction onto a workpiece that is set up substantially vertically, if the processing gas contains a component heavier than the atmospheric gas, the component tends to sag. In particular, the heavy component tends to sag when the flow rate of the processing gas is small. Therefore, it is not easy to ensure vertical uniformity. Increasing the flow rate of the processing gas can increase the blowout flow rate, but if so, the processing may become excessive. Moreover, the loss of process gas increases.
In view of the above circumstances, the present invention, when a processing gas is blown from a lateral direction onto a substantially vertical processing surface, even if a component heavier than the atmospheric gas is included in the processing gas, the processing is not excessive or deficient. The purpose is to be able to perform uniformly.

上記目的を達成するため、本発明方法は、被処理面を略垂直に向けた被処理物に、雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスを吹き付け、前記被処理面を処理する方法であって、
略垂直に分布する吹出し口を有するノズルを、前記被処理面と対向させ、
前記吹出し口の近傍で流速調節用ガスを前記処理ガスに混入し、
前記混入後の処理ガスを前記吹出し口から吹き出し、該吹き出し時の処理ガスの流速が０．１〜０．５ｍ／ｓになるよう、前記流速調節用ガスの混入流量を調節することを特徴とする。
本発明装置は、被処理面を略垂直に向けた被処理物に、雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスを吹き付け、前記被処理面を処理する装置であって、
前記処理ガスを通す処理ガス吹出し路と、流速調節用ガスを通す流速調節用ガス混入路と、被処理面と対向する先端面を有するノズルを備え、
前記処理ガス吹出し路の先端部が、前記先端面に達し、かつ前記先端面内において略垂直方向に分布する吹出し口を構成し、
前記流速調節用ガス混入路が、前記吹出し口の近傍で前記処理ガス吹出し路に合流しており、
前記吹出し口からの処理ガスの吹出し流速が、０．１〜０．５ｍ／ｓになるよう、前記流速調節用ガスの流量を調節する流量調節手段を、さらに備えたことを特徴とする。
これによって、処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、処理を過不足無く均一に行なうことができる。
流速調節用ガスとしては、不活性ガスを用いるとよく、好ましくは窒素ガス（Ｎ２）を用いるとよい。 In order to achieve the above object, the method of the present invention is a method of treating a surface to be treated by spraying a treatment gas containing a reaction component heavier than an atmospheric gas onto an object to be treated with the surface to be treated substantially vertical. ,
A nozzle having outlets distributed substantially vertically is opposed to the surface to be treated;
Mix the flow rate adjusting gas in the processing gas in the vicinity of the outlet,
The mixed processing gas is blown out from the outlet, and the flow rate of the flow rate adjusting gas is adjusted so that the flow rate of the processing gas at the time of blowing is 0.1 to 0.5 m / s. To do.
The apparatus of the present invention is an apparatus for processing the surface to be processed by spraying a processing gas containing a reaction component heavier than the atmospheric gas on an object to be processed whose surface to be processed is substantially vertical.
A processing gas blowing path for passing the processing gas, a flow rate adjusting gas mixing path for passing a flow rate adjusting gas, and a nozzle having a tip surface facing the surface to be processed;
The distal end portion of the processing gas blowing path reaches the distal end surface, and constitutes an outlet port distributed in a substantially vertical direction in the distal end surface,
The flow rate adjusting gas mixing path is joined to the processing gas blowing path in the vicinity of the blowing port;
The method further comprises flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of the flow rate adjusting gas so that the flow rate of the processing gas blown from the outlet is 0.1 to 0.5 m / s.
Thereby, even if the processing gas contains a heavier component than the atmospheric gas, the processing can be performed uniformly without excess or deficiency.
An inert gas may be used as the flow rate adjusting gas, and nitrogen gas (N 2 ) is preferably used.

前記ノズルの吹出し口の周辺部を温度調節することが好ましい。
前記ノズルの吹出し口の周辺部に、該吹出し口周辺部を温度調節する温度調節手段を熱的に接続するのが好ましい。
これによって、前記処理ガスが例えば水等の水素含有添加物を含んでいる場合、ノズルの先端面に水等の凝縮体が生成されるのを防止できる。したがって、処理ガス中の反応成分が凝縮体に吸収されるのを防止でき、処理を一層良好かつ均一に行なうことができる。また、凝縮体が表面処理装置や被処理物に付着するのを防止でき、表面処理装置や被処理物が腐蝕等のダメージを受けるのを防止できる。
水素含有添加成分として、水に代えて、過酸化水素水を用いてもよく、アルコール等のＯＨ基含有化合物を用いてもよい。 前記処理ガスが例えば水等の水素含有添加物を含んでいない場合でも、前記ノズルの吹出し口の周辺部を温度調節してもよい。 It is preferable to adjust the temperature of the peripheral portion of the nozzle outlet.
It is preferable to thermally connect temperature adjusting means for adjusting the temperature of the peripheral portion of the outlet to the peripheral portion of the outlet of the nozzle.
Thereby, when the process gas contains a hydrogen-containing additive such as water, it is possible to prevent the formation of a condensate such as water on the tip surface of the nozzle. Therefore, the reaction components in the process gas can be prevented from being absorbed by the condensate, and the process can be performed more satisfactorily and uniformly. Further, it is possible to prevent the condensate from adhering to the surface treatment apparatus and the object to be treated, and to prevent the surface treatment apparatus and the object to be treated from being damaged such as corrosion.
As a hydrogen-containing additive component, hydrogen peroxide water may be used instead of water, or an OH group-containing compound such as alcohol may be used. Even when the processing gas does not contain a hydrogen-containing additive such as water, the temperature of the peripheral portion of the nozzle outlet may be adjusted.

前記ノズルの吹出し口の周辺部の温度を３０℃〜３５℃に調節することが好ましい。
温調範囲を３０℃以上にすることによって、ノズルの先端面に凝縮体が形成されるのを確実に防止できる。温調範囲を３５℃以下にすることによって、温度調節手段に過度の負担がかかるのを防止できる。 It is preferable to adjust the temperature of the periphery of the nozzle outlet to 30 ° C to 35 ° C.
By setting the temperature adjustment range to 30 ° C. or more, it is possible to reliably prevent the formation of a condensate on the tip surface of the nozzle. By setting the temperature adjustment range to 35 ° C. or less, it is possible to prevent an excessive burden on the temperature adjusting means.

略垂直とは、完全な鉛直の他、鉛直に対しやや傾斜した角度を含む。好ましくは、略垂直とは、鉛直に対し±２０°以内の角度範囲を言う。
前記ノズルの前記吹出し口が開口する先端面及び前記被処理面を、互いに平行になるように、鉛直にし又は鉛直に対し±２０°以内の範囲で傾斜させることが好ましい。
前記表面処理装置が、前記被処理面の鉛直に対する角度が±２０°以内になるように、前記被処理物を支持する被処理物支持手段と、前記先端面が前記被処理面と平行になるように、前記ノズルを支持するノズル支持手段と、を備えていることが好ましい。
被処理面が下向きに傾斜し、ノズル先端面が上向きに傾斜していてもよく、被処理面が上向きに傾斜し、ノズル先端面が下向きに傾斜していてもよい。
さらに、前記表面処理装置が、前記被処理物とノズルの一方を他方に対し前記被処理面又は前記先端面に沿って相対移動させる移動手段を備えていることが好ましい。 The term “substantially vertical” includes not only complete vertical but also an angle slightly inclined with respect to vertical. Preferably, “substantially perpendicular” refers to an angle range within ± 20 ° with respect to the vertical.
It is preferable that the front end surface of the nozzle opening of the outlet and the surface to be processed be vertical or inclined within a range of ± 20 ° with respect to the vertical so as to be parallel to each other.
The surface treatment apparatus has an object support means for supporting the object to be processed so that an angle with respect to the vertical of the surface to be processed is within ± 20 °, and the tip surface is parallel to the surface to be processed. Thus, it is preferable to include nozzle support means for supporting the nozzle.
The surface to be processed may be inclined downward, the nozzle tip surface may be inclined upward, the surface to be processed may be inclined upward, and the nozzle tip surface may be inclined downward.
Furthermore, it is preferable that the surface treatment apparatus includes a moving unit that moves one of the object to be processed and the nozzle relative to the other along the surface to be processed or the tip surface.

前記反応成分は、たとえばフッ素系の反応成分である。これにより、シリコン酸化物、シリコン窒化物等をエッチングすることができる。フッ素系反応成分として、ＨＦ、ＣＯＦ２、Ｆ２等が挙げられる。フッ素系反応成分は、フッ素系原料を含む原料ガスをプラズマ化（分解、励起、活性化、ラジカル化、イオン化を含む）することによって生成できる。フッ素系原料としては、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８等のパーフルオロカーボン（ＰＦＣ）、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｈ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ等のハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）、ＳＦ６、ＮＦ３、ＸｅＦ２等が挙げられる。プラズマは、大気圧近傍（略常圧）下で生成することが好ましい。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０４〜５０．６６３×１０４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａが好ましく、９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａがより好ましい。 The reaction component is, for example, a fluorine-based reaction component. Thereby, silicon oxide, silicon nitride, etc. can be etched. Examples of the fluorine-based reaction component include HF, COF 2 , and F 2 . The fluorine-based reaction component can be generated by plasma-forming (including decomposition, excitation, activation, radicalization, and ionization) of a raw material gas containing a fluorine-based raw material. Examples of fluorine-based raw materials include perfluorocarbons (PFC) such as CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 6 , and C 3 F 8 , and hydrofluorocarbons (HFC) such as CHF 3 , C 2 H 2 F 2 , and CH 3 F. ), SF 6 , NF 3 , XeF 2 and the like. The plasma is preferably generated near atmospheric pressure (approximately normal pressure). Here, the vicinity of the atmospheric pressure refers to a range of 1.013 × 10 4 to 50.663 × 10 4 Pa, and considering the ease of pressure adjustment and the simplification of the apparatus configuration, 1.333 × 10 4 to 10.664 × 10 4 Pa is preferable, and 9.331 × 10 4 to 10.9797 × 10 4 Pa is more preferable.

本発明によれば、被処理物のほぼ垂直な被処理面に処理ガスを横方向から吹き付ける際、処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、処理の均一性を確保することができる。   According to the present invention, when a processing gas is sprayed from a lateral direction on a substantially vertical processing surface of an object to be processed, processing uniformity can be ensured even if the processing gas contains a component heavier than the atmospheric gas. Can do.

本発明の第１実施形態に係る表面処理装置を解説的に示す側面図である。1 is a side view illustratively showing a surface treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention. 上記表面処理装置の原料ガス供給部及びプラズマソースを含む処理ガス生成部を、原料ガス供給部を回路構成にて示し、プラズマソースを断面にて示す解説図である。It is explanatory drawing which shows the process gas production | generation part containing the source gas supply part and plasma source of the said surface treatment apparatus, a source gas supply part is shown by a circuit structure, and shows a plasma source in a cross section. 上記表面処理装置のノズル等の構造を、ノズルを図１のIII-III線に沿う断面にして示す解説図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the nozzle of the said surface treatment apparatus by making a nozzle the cross section along the III-III line of FIG. 上記表面処理装置のノズル及び温調構造を、ノズルを図１のIV-IV線に沿って矢視した解説図である。It is explanatory drawing which looked at the nozzle and temperature control structure of the said surface treatment apparatus along the IV-IV line of FIG. 本発明の温調構造の変形例に係る第２実施形態を示し、ノズルの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a nozzle according to a second embodiment of the modification of the temperature control structure of the present invention. 本発明の第３実施形態に係るプラズマソース及びノズル一体型の表面処理装置を、一体型ノズルを図７のVI-VI線に沿う断面にして示す解説図である。It is explanatory drawing which shows the plasma source and nozzle integrated surface treatment apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention, and makes an integrated nozzle the cross section along the VI-VI line of FIG. 上記第３実施形態に係る表面処理装置を、一体型ノズルを側面視にて示す解説図である。It is explanatory drawing which shows the integrated nozzle by a side view, in the surface treatment apparatus concerning the said 3rd Embodiment. ノズル及び被処理物の傾斜態様の変形例を示す解説図である。It is explanatory drawing which shows the modification of the inclination aspect of a nozzle and a to-be-processed object. 実施例１、及び実施例１に対しＮ２混入流量を変えた参考実施例における、処理ガスの吹出し位置に対する吹出し流速の分布の測定結果を示すグラフである。In reference example to Example 1, and Example 1 was changed to N 2 mixed flow is a graph showing the results of measurement of the distribution of the flow velocity blow against blowing position of the processing gas. 実施例２及び３、並びにこれら実施例に対しＮ２混入流量を変えた参考実施例における、処理ガスの吹出し位置に対する吹出し流速の分布の測定結果を示すグラフである。Examples 2 and 3, as well as in the reference example of changing the N 2 mixed flow to these examples is a graph showing the results of measurement of the distribution of the blowing flow rate for blowing position of the processing gas. ノズル温調を無しにした参考実施例における、処理ガスの吹出し位置に対する吹出し流速の分布の測定結果を示すグラフである。It is a graph which shows the measurement result of the distribution of the blowing flow velocity with respect to the blowing position of the process gas in the reference example without nozzle temperature control. 比較例２〜５に用いた表面処理装置の概略構成を示す図１対応の解説図である。It is explanatory drawing corresponding to FIG. 1 which shows schematic structure of the surface treatment apparatus used for Comparative Examples 2-5. 比較例１〜４における、処理ガスの吹出し位置に対する吹出し流速の分布の測定結果を示すグラフである。It is a graph which shows the measurement result of the distribution of the blowing flow speed with respect to the blowing position of the process gas in Comparative Examples 1-4. 比較例５、及び比較例５に対しＮ２混入流量を変えた比較例における、処理ガスの吹出し位置に対する吹出し流速の分布の測定結果を示すグラフである。In Comparative Examples Comparative Example 5, and with respect to Comparative Example 5 was changed N 2 mixed flow is a graph showing the results of measurement of the distribution of the flow velocity blow against blowing position of the processing gas.

以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１〜図４は、本発明の第１実施形態を示したものである。この実施形態の被処理物９は、例えば太陽電池の表面パネルとして用いられるガラス基板である。ガラス基板９は長方形の平板になっている。このガラス基板９の被処理面９ａを表面処理装置１によってエッチングし粗化する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 to 4 show a first embodiment of the present invention. The to-be-processed object 9 of this embodiment is a glass substrate used, for example as a surface panel of a solar cell. The glass substrate 9 is a rectangular flat plate. The surface 9a to be processed of the glass substrate 9 is etched and roughened by the surface processing apparatus 1.

図１に示すように、表面処理装置１は、被処理物支持手段２と、常圧プラズマソース１０と、ノズル２０を備えている。図１において簡略化して図示するが、支持手段２は、例えば被処理物９の周縁を嵌め込んだり、把持したり、引っ掛けたりする縁係合機構を有し、被処理物９をほぼ垂直に立てて支持している。これにより、被処理面９ａが、略垂直に向けられている。この支持状態において、被処理物９の長手方向は図１の紙面と直交する水平方向に向けられている。被処理物９の短手方向がほぼ垂直に向けられている（図４参照）。
支持手段２が、被処理物９の背面（被処理面９ａとは反対側の面）を吸着したり、押さえたりして支持していてもよい。 As shown in FIG. 1, the surface treatment apparatus 1 includes a workpiece support means 2, an atmospheric pressure plasma source 10, and a nozzle 20. Although simplified in FIG. 1, the support means 2 has an edge engaging mechanism that fits, holds, or hooks the peripheral edge of the workpiece 9, for example, so that the workpiece 9 is substantially vertical. Standing up and supporting. Thereby, the to-be-processed surface 9a is orientated substantially perpendicularly. In this supporting state, the longitudinal direction of the workpiece 9 is oriented in the horizontal direction perpendicular to the paper surface of FIG. The short side direction of the workpiece 9 is oriented substantially vertically (see FIG. 4).
The support means 2 may support the workpiece 9 by sucking or pressing the back surface (the surface opposite to the workpiece surface 9a).

ここで、ほぼ垂直とは、垂直（鉛直）に対し例えば±２０°以内の角度範囲を云い、完全な垂直を含む。本実施形態の被処理物９は、表面処理装置１にて処理されるべき被処理面９ａが下向きになるように、垂直に対し１０°傾斜して支持されている。被処理物９を傾斜させることによって、大型の被処理物９であっても、取り回しスペースをコンパクトにできる。被処理物９を斜めにして搬送しながら各種の処理又は操作を行なう工場では、被処理物９の搬送ラインに表面処理装置１を容易に組み込むことができる。   Here, “substantially vertical” means an angle range within ± 20 ° with respect to the vertical (vertical), and includes complete vertical. The object 9 of the present embodiment is supported with an inclination of 10 ° with respect to the vertical so that the surface 9a to be processed by the surface treatment apparatus 1 faces downward. By tilting the workpiece 9, the handling space can be made compact even for a large workpiece 9. In a factory where various treatments or operations are performed while the workpiece 9 is conveyed obliquely, the surface treatment apparatus 1 can be easily incorporated into the conveyance line of the workpiece 9.

さらに、支持手段２は、被処理物９を該被処理物９の長手方向（図１の紙面と直交する方向）に沿う水平方向にスライド可能に支持している。このような支持手段２として、ガイド溝を有するレールや、複数のコロからなるコロ機構を用いることができる。   Further, the supporting means 2 supports the object 9 to be slidable in the horizontal direction along the longitudinal direction of the object 9 (direction orthogonal to the paper surface of FIG. 1). As such support means 2, a rail having a guide groove or a roller mechanism composed of a plurality of rollers can be used.

図３に示すように、被処理物９に移動手段８が接続されている。被処理物９は、略垂直の角度を維持しながら移動手段８によって被処理面９ａに沿う水平方向（図１の紙面直交方向、図３の上下方向）に移動される。移動手段８として、直動モータ等を含む直動機構、エアシリンダ、油圧シリンダ等を用いてもよい。移動手段８が支持手段２に接続され、直接的には支持手段２を移動させることで、被処理物９が移動されるようになっていてもよい。支持手段２がコロ機構にて構成されている場合、コロが駆動機構によって回転駆動され、これにより、被処理物９が移動されるようになっていてもよい。この場合、コロ機構は、支持手段２と移動手段８を兼ねる。   As shown in FIG. 3, the moving means 8 is connected to the workpiece 9. The workpiece 9 is moved by the moving means 8 in the horizontal direction (the direction orthogonal to the plane of FIG. 1 and the vertical direction in FIG. 3) along the processing surface 9a while maintaining a substantially vertical angle. As the moving means 8, a linear motion mechanism including a linear motion motor or the like, an air cylinder, a hydraulic cylinder, or the like may be used. The moving means 8 may be connected to the support means 2 and the workpiece 9 may be moved by moving the support means 2 directly. When the support means 2 is configured by a roller mechanism, the roller may be rotationally driven by the drive mechanism, and thereby the workpiece 9 may be moved. In this case, the roller mechanism serves as both the supporting means 2 and the moving means 8.

図２に示すように、表面処理装置１は、原料ガス供給部４及び常圧プラズマソース１０を含むプラズマ生成部を備えている。
原料ガス供給部４は、フッ素系原料供給部４ａと、希釈ガス供給部４ｂを含み、処理ガス生成用の原料ガスをプラズマソース１０へ供給する。原料ガスは、フッ素系原料供給部４ａから供給されるフッ素系原料と、希釈ガス供給部４ｂから供給される希釈ガスを含む。この実施形態では、フッ素系原料として、ＣＦ４が用いられている。希釈ガスとしてＡｒが用いられている。フッ素系原料供給部４ａによるフッ素系原料（ＣＦ４）の供給流量は、フッ素系原料流量調手段４ａｖにて調節される。希釈ガス供給部４ｂによる希釈ガス（Ａｒ）の供給流量は、希釈ガス流量調節手段４ｂｖにて調節される。流量調節手段４ａｖ，４ｂｖは、マスフローコントローラにて構成されているが、流量制御弁にて構成されていてもよい。
原料ガス流量（ＣＦ４とＡｒの合計流量）は、なるべく小量に設定するのが好ましく、例えば後記吹出し口２１ａの上下方向の長さが４００ｍｍのとき、２ｓｌｍ〜６ｓｌｍ程度が好ましい。
ＣＦ４とＡｒの流量比は、例えばＣＦ４：Ａｒ＝１：１００〜１：１９程度である。 As shown in FIG. 2, the surface treatment apparatus 1 includes a plasma generation unit including a source gas supply unit 4 and an atmospheric pressure plasma source 10.
The source gas supply unit 4 includes a fluorine-based source supply unit 4a and a dilution gas supply unit 4b, and supplies a source gas for processing gas generation to the plasma source 10. The source gas includes a fluorine-based material supplied from the fluorine-based material supply unit 4a and a dilution gas supplied from the dilution gas supply unit 4b. In this embodiment, CF 4 is used as the fluorine-based material. Ar is used as a dilution gas. The supply flow rate of the fluorine-based material (CF 4 ) by the fluorine-based material supply unit 4a is adjusted by the fluorine-based material flow rate adjusting means 4av. The dilution gas (Ar) supply flow rate by the dilution gas supply unit 4b is adjusted by the dilution gas flow rate adjusting means 4bv. The flow rate adjusting means 4av and 4bv are configured by a mass flow controller, but may be configured by a flow rate control valve.
The raw material gas flow rate (the total flow rate of CF 4 and Ar) is preferably set as small as possible. For example, when the length of the outlet port 21a in the vertical direction is 400 mm, it is preferably about 2 slm to 6 slm.
The flow rate ratio between CF 4 and Ar is, for example, about CF 4 : Ar = 1: 100 to 1:19.

さらに、原料ガス供給部４には加湿器４ｃが設けられている。加湿器４ｃは、ＣＦ４とＡｒの混合ガスからなる原料ガスに水素含有添加成分として水（Ｈ２Ｏ）を添加する。例えば、供給部４ａ，４ｂからの原料ガス（ＣＦ４＋Ａｒ）の一部又は全部が、加湿器４ｃの水面より上側の空間に導入される。これにより、上記加湿器４ｃの上側空間の飽和水蒸気が原料ガスに混合される。原料ガスを加湿器４ｃ内の液相の水中にバブリングすることにしてもよい。加湿器４ｃを加熱して水の蒸発を促進してもよい。供給部４ａ，４ｂからの原料ガスのうち、加湿器４ｃに通すガスと加湿器４ｃを通さないガスとの比率を調節することで、水の添加量を調節できる。
水の添加量は、原料ガスの露点が例えば１２℃〜２４℃程度になるように設定する。 Furthermore, the source gas supply unit 4 is provided with a humidifier 4c. The humidifier 4c adds water (H 2 O) as a hydrogen-containing additive component to a source gas composed of a mixed gas of CF 4 and Ar. For example, part or all of the source gas (CF 4 + Ar) from the supply units 4a and 4b is introduced into the space above the water surface of the humidifier 4c. Thereby, the saturated water vapor in the upper space of the humidifier 4c is mixed with the raw material gas. The source gas may be bubbled into liquid phase water in the humidifier 4c. The humidifier 4c may be heated to promote water evaporation. By adjusting the ratio of the gas that passes through the humidifier 4c and the gas that does not pass through the humidifier 4c among the source gases from the supply units 4a and 4b, the amount of water added can be adjusted.
The amount of water added is set so that the dew point of the source gas is, for example, about 12 ° C to 24 ° C.

フッ素系原料として、ＣＦ４に代えてＣ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８等の他のＰＦＣを用いてもよく、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｈ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ等のＨＦＣを用いてもよく、その他、ＳＦ６、ＮＦ３、ＸｅＦ２等を用いてもよい。
希釈ガス（Ａｒ）は、フッ素系原料を希釈し、かつキャリアする役目に加え、後記放電空間１３において安定的なプラズマを生成する役目をも有している。希釈ガスとして、Ａｒに代えて、Ｈｅ、Ｎ２等の他の不活性ガスを用いてもよい。
水素含有添加成分として、水に代えて、過酸化水素水を用いてもよく、アルコール等のＯＨ基含有化合物を用いてもよい。 Other PFCs such as C 2 F 6 , C 3 F 6 , and C 3 F 8 may be used as the fluorine-based raw material instead of CF 4 , such as CHF 3 , C 2 H 2 F 2 , and CH 3 F. HFC may be used, and SF 6 , NF 3 , XeF 2 or the like may be used.
The dilution gas (Ar) has a role of generating stable plasma in the discharge space 13 to be described later, in addition to the role of diluting and carrier of the fluorine-based raw material. As the dilution gas, other inert gas such as He or N 2 may be used instead of Ar.
As a hydrogen-containing additive component, hydrogen peroxide water may be used instead of water, or an OH group-containing compound such as alcohol may be used.

図２に示すように、常圧プラズマソース１０は、複数の電極１１と、これら電極１１を収容して保持するボディ１５を有している。電極１１は、アルミニウムやステンレス等の金属にて構成されている。電極１１は、例えば長手方向を図２の紙面と直交する方向に向けた長方形の平板状になっている。複数の電極１１が間隔を置いて平行に並べられている。１つ置きの電極１１が、電源３に接続されている。他の１つ置きの電極１１が電気的に接地されている。電源３は、例えばパルス波状の電圧を隣接電極１１，１１間に印加する。印加電圧は、パルス波に限られず、連続波でもよい。各電極１１における隣の電極１１との対向面（放電面）に固体誘電体１２が設けられている。固体誘電体１２は、アルミナ等のセラミックの板でもよく、アルミナ等の溶射膜でもよい。隣り合う電極１１，１１の互いに対向する固体誘電体１２，１２どうし間が略大気圧の放電空間１３になる。   As shown in FIG. 2, the atmospheric pressure plasma source 10 includes a plurality of electrodes 11 and a body 15 that accommodates and holds these electrodes 11. The electrode 11 is made of a metal such as aluminum or stainless steel. The electrode 11 is, for example, a rectangular flat plate whose longitudinal direction is in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. A plurality of electrodes 11 are arranged in parallel at intervals. Every other electrode 11 is connected to the power source 3. Every other electrode 11 is electrically grounded. The power source 3 applies, for example, a pulse wave voltage between the adjacent electrodes 11 and 11. The applied voltage is not limited to a pulse wave, and may be a continuous wave. A solid dielectric 12 is provided on the surface (discharge surface) of each electrode 11 facing the adjacent electrode 11. The solid dielectric 12 may be a ceramic plate such as alumina or a sprayed film such as alumina. A space between the adjacent solid dielectrics 12 and 12 of the adjacent electrodes 11 and 11 becomes a discharge space 13 having a substantially atmospheric pressure.

ボディ１５は、導入側ボディ部１６と、導出側ボディ部１７を含む。これらボディ部１６，１７が、電極１１の並び方向と直交する方向の両側から電極１１を挟み付けている。導入側ボディ部１６には、複数の導入路１６ａが形成されている。各導入路１６ａは、導入側ボディ部１６の外面から延び、放電空間１３の上流端に連なっている。原料ガス供給部４からの原料ガス供給路４ｄが複数に分岐し、各導入路１６ａに連なっている。   The body 15 includes an introduction side body portion 16 and a lead-out side body portion 17. These body parts 16 and 17 sandwich the electrode 11 from both sides in a direction orthogonal to the arrangement direction of the electrodes 11. A plurality of introduction paths 16 a are formed in the introduction side body portion 16. Each introduction path 16 a extends from the outer surface of the introduction-side body portion 16 and continues to the upstream end of the discharge space 13. A raw material gas supply path 4d from the raw material gas supply unit 4 is branched into a plurality of lines, and is connected to each introduction path 16a.

原料ガス供給部４からの原料ガス（ＣＦ４＋Ａｒ＋Ｈ２Ｏ）は、供給路４ｄにてプラズマソース１０の各導入路１６ａに分配され、各放電空間１３に導入される。これによって、原料ガスが、放電空間１３内でプラズマ化され、ＨＦ等のフッ素系反応成分を含む処理ガスが生成される。処理ガスには、放電空間１３内で分解されなかった原料ガス成分（ＣＦ４、Ａｒ、Ｈ２Ｏ）も含まれている。処理ガス中のＨＦ、ＣＦ４、Ａｒ等の主要成分は、空気（雰囲気ガス）より重い。 The source gas (CF 4 + Ar + H 2 O) from the source gas supply unit 4 is distributed to each introduction path 16 a of the plasma source 10 through the supply path 4 d and introduced into each discharge space 13. As a result, the source gas is turned into plasma in the discharge space 13, and a processing gas containing a fluorine-based reaction component such as HF is generated. The processing gas also includes source gas components (CF 4 , Ar, H 2 O) that have not been decomposed in the discharge space 13. Main components such as HF, CF 4 , and Ar in the processing gas are heavier than air (atmosphere gas).

導出側ボディ部１７には導出路１７ｂが設けられている。導出路１７ｂは、各放電空間１３の下流端から延び、１つに合流している。合流後の導出路１７ｂが、導出側ボディ部１７の外面に達している。導出路１７ｂの下流端から接続管５がノズル２０へ延びている。
各放電空間１３で生成された処理ガスが、導出路１７ｂを通って互いに合流した後、接続管５によってノズル２０へ送られる。 The lead-out side body portion 17 is provided with a lead-out path 17b. The lead-out path 17b extends from the downstream end of each discharge space 13 and merges into one. The derivation path 17 b after joining reaches the outer surface of the derivation side body part 17. The connecting pipe 5 extends to the nozzle 20 from the downstream end of the outlet path 17b.
The processing gas generated in each discharge space 13 merges with each other through the lead-out path 17b, and then is sent to the nozzle 20 through the connecting pipe 5.

図１及び図４に示すように、ノズル２０は、例えば直方体形状になっている。このノズル２０が、ノズル支持手段２９によって長手方向を略上下に向けて支持されている。図１において簡略して図示された支持手段２９は、台座やフレーム等を含む。ノズル２０の先端面２０ａは、長手方向を略上下に向けた長方形（図４参照）になっている。ノズル先端面２０ａは、被処理物９の傾斜に合わせて、鉛直に対しやや仰向けになるように例えば１０°傾けられている。これにより、ノズル先端面２０ａが被処理物９の被処理面９ａと平行に対向する。図３に示すように、ノズル先端面２０ａと被処理物９の間の距離ｄは、例えばｄ＝３ｍｍ〜９ｍｍ程度が好ましい。
ノズル２０及び被処理物９は、大気中に配置されている。ノズル２０及び被処理物９の周辺の雰囲気ガスは空気である。 As shown in FIGS. 1 and 4, the nozzle 20 has, for example, a rectangular parallelepiped shape. The nozzle 20 is supported by the nozzle support means 29 with the longitudinal direction thereof substantially up and down. The support means 29 schematically shown in FIG. 1 includes a pedestal, a frame, and the like. The front end surface 20a of the nozzle 20 has a rectangular shape (see FIG. 4) whose longitudinal direction is substantially up and down. The nozzle tip surface 20a is tilted, for example, 10 ° so as to be slightly on the back with respect to the vertical in accordance with the tilt of the workpiece 9. As a result, the nozzle tip surface 20a faces the processing surface 9a of the processing object 9 in parallel. As shown in FIG. 3, the distance d between the nozzle tip surface 20a and the workpiece 9 is preferably about d = 3 mm to 9 mm, for example.
The nozzle 20 and the workpiece 9 are disposed in the atmosphere. The atmosphere gas around the nozzle 20 and the workpiece 9 is air.

図３に示すように、ノズル２０の内部には、処理ガス吹出し路２１と、流速調節用ガス混入路２２と、一対の吸引路２４，２４が形成されている。これら路２１，２２，２４の一端部がノズル２０の背面２０ｂ（先端面２０ａとは反対側の面）に開口している。接続管５が、処理ガス吹出し路２１のノズル背面２０ｂ側の端部に連なっている。プラズマソース１０からの処理ガスが、接続管５を経て吹出し路２１に導入される。詳細な図示は省略するが、ノズル２０内の処理ガス吹出し路２１には、ガスの流れをノズル２０の長手方向（上下方向）に均質化する整流部が設けられている。整流部は、チャンバー、スリット、複数の小孔の列等のガスコンダクタンスを増減させる要素を含む。   As shown in FIG. 3, a processing gas blowing path 21, a flow rate adjusting gas mixing path 22, and a pair of suction paths 24 and 24 are formed inside the nozzle 20. One end portions of these passages 21, 22, and 24 are open to the back surface 20 b of the nozzle 20 (the surface on the side opposite to the tip surface 20 a). The connecting pipe 5 is connected to the end of the processing gas blowing path 21 on the nozzle back surface 20b side. A processing gas from the plasma source 10 is introduced into the blow-out path 21 through the connection pipe 5. Although not shown in detail, the processing gas blowing path 21 in the nozzle 20 is provided with a rectifying unit that homogenizes the gas flow in the longitudinal direction (vertical direction) of the nozzle 20. The rectifying unit includes elements that increase and decrease gas conductance such as a chamber, a slit, and a row of a plurality of small holes.

図１に示すように、ノズル２０には流速調節用ガス供給部６が接続されている。流速調節用ガス供給部６には、流量調節用ガスとして窒素ガス（Ｎ２）が蓄えられている。供給部６から流速調節用ガス供給路６ａが延びている。供給路６ａに流速調節用ガス流量調節手段６ｖが設けられている。供給部６からの窒素ガスの供給流量が、調節手段６ｖにて調節される。流量調節手段６ｖは、マスフローコントローラにて構成されているが、流量制御弁にて構成されていてもよい。流速調節用ガス供給路６ａの先端部が、流速調節用ガス混入路２２のノズル背面２０ｂ側の端部に連なっている。供給部６からの窒素ガスが、供給路６ａを経て混入路２２に導入される。ノズル２０内の流速調節用ガス混入路２２には、上記処理ガス吹出し路２１と同様に、ガスの流れをノズル２０の長手方向に均一化する整流部（図示省略）が設けられている。
流速調節用ガスとして、窒素ガスに代えて、空気等を用いてもよい。 As shown in FIG. 1, a flow rate adjusting gas supply unit 6 is connected to the nozzle 20. The flow rate adjusting gas supply unit 6 stores nitrogen gas (N 2 ) as a flow rate adjusting gas. A flow rate adjusting gas supply path 6 a extends from the supply unit 6. A flow rate adjusting gas flow rate adjusting means 6v is provided in the supply path 6a. The supply flow rate of nitrogen gas from the supply unit 6 is adjusted by the adjusting means 6v. The flow rate adjusting means 6v is constituted by a mass flow controller, but may be constituted by a flow rate control valve. The tip of the flow rate adjusting gas supply path 6a is connected to the end of the flow rate adjusting gas mixing path 22 on the nozzle back surface 20b side. Nitrogen gas from the supply unit 6 is introduced into the mixing path 22 through the supply path 6a. The flow velocity adjusting gas mixing passage 22 in the nozzle 20 is provided with a rectification unit (not shown) that equalizes the gas flow in the longitudinal direction of the nozzle 20 in the same manner as the processing gas blowing passage 21.
Instead of nitrogen gas, air or the like may be used as the flow rate adjusting gas.

図３に示すように、処理ガス吹出し路２１及び流速調節用ガス混入路２２は、それぞれノズル２０の背面２０ｂから先端面２０ａへ向けて延びている。先端面２０ａの近傍のノズル２０内において、２つの路２１，２２が互いに接近し、合流している。これにより、流速調節用ガス混入路２２の窒素ガスが、処理ガス吹出し路２１の処理ガスに混入される。
合流前の処理ガス流量ひいては原料ガス（ＣＦ４＋Ａｒ＋Ｈ２Ｏ）の流量と、流速調節用ガス混入路２２の窒素ガスの流量との比は、好ましくは（ＣＦ４＋Ａｒ＋Ｈ２Ｏ）：Ｎ２＝２：５〜２：１５程度である。 As shown in FIG. 3, the processing gas blowing path 21 and the flow rate adjusting gas mixing path 22 each extend from the back surface 20 b of the nozzle 20 toward the tip surface 20 a. In the nozzle 20 in the vicinity of the front end face 20a, the two paths 21 and 22 approach each other and merge. Thereby, the nitrogen gas in the flow rate adjusting gas mixing passage 22 is mixed into the processing gas in the processing gas blowing passage 21.
The ratio of the flow rate of the processing gas before joining, that is, the flow rate of the raw material gas (CF 4 + Ar + H 2 O) and the flow rate of the nitrogen gas in the flow rate adjusting gas mixing path 22 is preferably (CF 4 + Ar + H 2 O): N 2 = It is about 2: 5 to 2:15.

ノズル２０内の２つの路２１，２２の合流部２３から処理ガス吹出し路２１が更にノズル先端面２０ａへ延びている。処理ガス吹出し路２１の先端部が、先端面２０ａに達して開口し、処理ガス吹出し口２１ａを構成している。窒素ガスと合流後の処理ガスが、吹出し口２１ａから吹き出される。上記整流部によって処理ガスの吹出し流が吹出し口２１ａの長手方向に均一になる。
合流部２３から処理ガス吹出し口２１ａまでの距離Ｌは、好ましくはＬ＝１ｍｍ〜１５ｍｍ程度である。 A processing gas blowing path 21 further extends from the junction 23 of the two paths 21 and 22 in the nozzle 20 to the nozzle tip surface 20a. The front end portion of the processing gas blow-out path 21 reaches the front end surface 20a and opens to form a processing gas blow-out port 21a. The processing gas after joining the nitrogen gas is blown out from the blowout port 21a. The flow of the processing gas is made uniform in the longitudinal direction of the outlet 21a by the rectifying unit.
The distance L from the merging portion 23 to the processing gas outlet 21a is preferably about L = 1 mm to 15 mm.

図４に示すように、処理ガス吹出し口２１ａは、ノズル２０の幅方向の中央部に配置され、かつノズル２０の長手方向に沿って延びるスリット状になっている。すなわち、処理ガス吹出し口２１ａは、ノズル先端面２０ａ内において略垂直方向に分布している。処理ガス吹出し口２１ａの長さ（図４の上下方向の寸法）は、図４において二点鎖線で示す被処理物９の幅方向の寸法（図４の上下方向の寸法）と略同じか、若干長い。処理ガス吹出し口２１ａの幅ｗは、ｗ＝１ｍｍ〜６ｍｍ程度が好ましい。   As shown in FIG. 4, the processing gas outlet 21 a is formed in a slit shape that is disposed at the center in the width direction of the nozzle 20 and extends along the longitudinal direction of the nozzle 20. That is, the processing gas outlets 21a are distributed in a substantially vertical direction in the nozzle tip surface 20a. The length (the vertical dimension in FIG. 4) of the processing gas outlet 21a is substantially the same as the width dimension (the vertical dimension in FIG. 4) of the workpiece 9 indicated by the two-dot chain line in FIG. Slightly long. The width w of the processing gas outlet 21a is preferably about w = 1 mm to 6 mm.

図３に示すように、各吸引路２４のノズル先端面２０ａ側の端部は、先端面２０ａに達して開口し、吸引口２４ｅを構成している。図４に示すように、吸引口２４ｅは、ノズル２０の長手方向に延びるスリット状になっている。吸引口２４ｅの長さ（図４の上下方向の寸法）は、処理ガス吹出し口２１ａと略同じ大きさになっている。一対の吸引口２４ｅ，２４ｅが、処理ガス吹出し口２１ａを挟んで両側に配置されている。図３に示すように、吸引路２４のノズル背面２０ｂ側の端部から排気路７ｅが延びている。排気路７ｅが排気手段７に連なっている。排気手段７は、排気ポンプや除害設備を含む。   As shown in FIG. 3, the end of each suction path 24 on the nozzle tip surface 20a side reaches the tip surface 20a and opens to form a suction port 24e. As shown in FIG. 4, the suction port 24 e has a slit shape extending in the longitudinal direction of the nozzle 20. The length of the suction port 24e (the vertical dimension in FIG. 4) is substantially the same as that of the processing gas blowing port 21a. A pair of suction ports 24e, 24e are disposed on both sides of the processing gas outlet 21a. As shown in FIG. 3, the exhaust path 7 e extends from the end of the suction path 24 on the nozzle back surface 20 b side. The exhaust path 7 e is connected to the exhaust means 7. The exhaust means 7 includes an exhaust pump and an abatement facility.

図１に示すように、ノズル２０に温度調節手段３０が熱的に接続されている。図４に示すように、温度調節手段３０は、温調媒体供給部３１と、ノズル２０の内部に形成された温調路３３を含む。温調媒体供給部３１は、所定の温度に調節した温調媒体を、温調媒体供給路３２を介して温調路３３へ導入する。温調媒体として、例えば水が用いられている。   As shown in FIG. 1, the temperature adjusting means 30 is thermally connected to the nozzle 20. As shown in FIG. 4, the temperature adjustment means 30 includes a temperature adjustment medium supply unit 31 and a temperature adjustment path 33 formed inside the nozzle 20. The temperature adjustment medium supply unit 31 introduces the temperature adjustment medium adjusted to a predetermined temperature into the temperature adjustment path 33 via the temperature adjustment medium supply path 32. For example, water is used as the temperature control medium.

図３に示すように、温調路３３は、ノズル２０の内部における先端面２０ａの近傍部分、かつ処理ガス吹出し口２１ａの周辺部分に配置されている。図４に示すように、温調路３３は、往路３３ａと、折り返し路３３ｂと、復路３３ｃを有し、処理ガス吹出し口２１ａを囲んでいる。往復路３３ａ，３３ｃは、互いの間に処理ガス吹出し口２１ａを挟み、それぞれ処理ガス吹出し口２１ａと平行に延びている。往路３３ａの上流端が、ノズル２０の下端面に達し、温調媒体供給路３２に連なっている。折り返し路３３ｂは、処理ガス吹出し口２１ａの上端部より上に配置され、往復路３３ａ，３３ｃどうしを連ねている。復路３３ｃの下流端から温調媒体排出路３４が延びている。温調媒体排出路３４は、温調媒体供給部３１に接続されている。これにより、温調媒体が、温調媒体供給部３１、温調媒体供給路３２、温調路３３、温調媒体排出路３４の順に循環される。
温調媒体の設定温度は、３０℃〜３５℃程度が好ましい。
ノズル２０の先端側の部分は、熱伝導性が良好な金属等の部材にて形成されていることが好ましい。この良熱伝導部材に処理ガス吹出し口２１ａ及び温調路３３が形成されていることが好ましい。 As shown in FIG. 3, the temperature adjustment path 33 is disposed in the vicinity of the tip surface 20 a inside the nozzle 20 and in the peripheral portion of the processing gas outlet 21 a. As shown in FIG. 4, the temperature adjustment path 33 has an outward path 33a, a return path 33b, and a return path 33c, and surrounds the processing gas outlet 21a. The reciprocating paths 33a and 33c sandwich the processing gas outlet 21a between them and extend in parallel with the processing gas outlet 21a. The upstream end of the forward path 33 a reaches the lower end surface of the nozzle 20 and continues to the temperature control medium supply path 32. The return path 33b is disposed above the upper end of the processing gas outlet 21a, and connects the reciprocating paths 33a and 33c. A temperature control medium discharge path 34 extends from the downstream end of the return path 33c. The temperature control medium discharge path 34 is connected to the temperature control medium supply unit 31. Thus, the temperature control medium is circulated in the order of the temperature control medium supply unit 31, the temperature control medium supply path 32, the temperature control path 33, and the temperature control medium discharge path.
The set temperature of the temperature control medium is preferably about 30 ° C to 35 ° C.
The tip side portion of the nozzle 20 is preferably formed of a member such as a metal having good thermal conductivity. It is preferable that the process gas blow-out port 21a and the temperature control path 33 are formed in this good heat conducting member.

上記のように構成された表面処理装置１によって被処理物９の表面を粗化処理する方法を説明する。
被処理物９を、支持手段２にて略垂直（傾斜角度１０°）に支持しながら、移動手段８にて、ノズル２０の先端面２０ａの前方を横切るように、被処理面９ａに沿う水平方向（図１の紙面と直交する方向）に移動させる。 A method for roughening the surface of the workpiece 9 by the surface treatment apparatus 1 configured as described above will be described.
While the workpiece 9 is supported substantially vertically (inclination angle 10 °) by the support means 2, the moving means 8 moves horizontally along the surface 9 a so as to cross the front end surface 20 a of the nozzle 20. It is moved in the direction (direction orthogonal to the paper surface of FIG. 1).

原料ガス供給部４において、ＣＦ４とＡｒの混合ガスに水を添加し、原料ガス（ＣＦ４＋Ａｒ＋Ｈ２Ｏ）を生成する。流量調節手段４ａｖ，４ｂｖにより原料ガスの流量及び各原料成分の流量比を調節する。さらに、加湿器４ｃにおいて水の添加量を調節する。この原料ガスを、供給路４ｄからプラズマソース１０の各導入路１６ａに分配し、各空間１３に導入する。併行して、電源３からの電圧供給によって、隣接する電極１１，１１間に電界を印加し、各空間１３内に大気圧プラズマ放電を生成する。これによって、原料ガスを放電空間１３でプラズマ化し、ＨＦ等のフッ素系反応成分を含む処理ガスを生成できる。 In the source gas supply unit 4, water is added to the mixed gas of CF 4 and Ar to generate source gas (CF 4 + Ar + H 2 O). The flow rate adjusting means 4av and 4bv adjust the flow rate of the raw material gas and the flow rate ratio of each raw material component. Further, the amount of water added is adjusted in the humidifier 4c. This source gas is distributed from the supply path 4 d to each introduction path 16 a of the plasma source 10 and introduced into each space 13. In parallel, an electric field is applied between the adjacent electrodes 11 and 11 by voltage supply from the power source 3, and atmospheric pressure plasma discharge is generated in each space 13. As a result, the raw material gas is turned into plasma in the discharge space 13, and a processing gas containing a fluorine-based reaction component such as HF can be generated.

各放電空間１３で生成した処理ガスを、導出路１７ｂにおいて互いに合流させる。この処理ガスを、接続管５を経てノズル２０の処理ガス吹出し路２１に導入する。
更に、流速調節用ガス供給部６の窒素ガス（流速調節用ガス）を、流速調節用ガス供給路６ａを経てノズル２０の流速調節用ガス混入路２２に導入する。この窒素ガスが、処理ガス吹出し口２１ａの近傍の合流部２３において処理ガス吹出し路２１からの処理ガスに混入する。流量調節手段６ｖにより窒素ガスの混入流量を調節する。窒素混入後の処理ガスを、処理ガス吹出し口２１ａから吹き出す。吹出し時の処理ガスは、処理ガス吹出し口２１ａの長手方向に均一になっている。この処理ガスが被処理物９に接触し、処理ガス中のＨＦ等の反応成分と被処理物９とが反応を起こし、被処理物９の表面が粗化される。 The processing gases generated in the respective discharge spaces 13 are joined together in the outlet path 17b. This processing gas is introduced into the processing gas blowing path 21 of the nozzle 20 through the connecting pipe 5.
Further, the nitrogen gas (flow rate adjusting gas) of the flow rate adjusting gas supply unit 6 is introduced into the flow rate adjusting gas mixing channel 22 of the nozzle 20 through the flow rate adjusting gas supply channel 6a. This nitrogen gas is mixed into the processing gas from the processing gas outlet path 21 at the junction 23 near the processing gas outlet 21a. The flow rate of nitrogen gas is adjusted by the flow rate adjusting means 6v. The processing gas after nitrogen mixing is blown out from the processing gas outlet 21a. The processing gas at the time of blowing is uniform in the longitudinal direction of the processing gas blowing port 21a. The processing gas comes into contact with the object 9 to be processed, and a reaction component such as HF in the processing gas reacts with the object 9 to be roughened, so that the surface of the object 9 is roughened.

流量調節手段４ａｖ，４ｂｖにて原料ガス流量ひいては処理ガス流量を十分に小さくすることで、処理が過度になるのを防止できる。
処理ガスに窒素ガス（流速調節用ガス）を混入することで、処理ガスの吹出し流速を増大させることができ、処理ガスを被処理物９に確実に到達させることができる。流量調節手段６ｖにて窒素ガスの混入流量を調節することで、処理ガスの吹出し流速を調節できる。処理ガスの吹出し流速は、０．１〜０．５ｍ／ｓの範囲内になるようにする。吹出し流速を必要最小限に抑えることで、処理ガス成分の無駄を防止できる。
処理済みのガスは、吸引口２４ｅに吸い込まれ、吸引路２４、排気路７ｅを経て、排気手段７から排気される。 By making the raw material gas flow rate and thus the processing gas flow rate sufficiently small by the flow rate adjusting means 4av and 4bv, the processing can be prevented from becoming excessive.
By mixing nitrogen gas (flow rate adjusting gas) into the processing gas, the flow rate of the processing gas can be increased, and the processing gas can reliably reach the workpiece 9. The flow rate of the processing gas can be adjusted by adjusting the flow rate of nitrogen gas by the flow rate adjusting means 6v. The blowing speed of the processing gas is set in the range of 0.1 to 0.5 m / s. By minimizing the blowout flow rate, waste of the processing gas component can be prevented.
The treated gas is sucked into the suction port 24e and exhausted from the exhaust means 7 through the suction path 24 and the exhaust path 7e.

さらに、温調媒体供給部３１の温調媒体を、供給路３２を経て、温調路３３に導入する。温調媒体は、往路３３ａ、折り返し路３３ｂ、復路３３ｃの順に流れる。この温調媒体によって、ノズル２０の処理ガス吹出し口２１ａの周辺部を温調でき、ひいては処理ガスが吹出し口２１ａから吹出される時の温度（以下「吹出し温度」と称す）を例えば３０℃〜３５℃に温調できる。   Further, the temperature control medium of the temperature control medium supply unit 31 is introduced into the temperature control path 33 through the supply path 32. The temperature control medium flows in the order of the forward path 33a, the return path 33b, and the return path 33c. With this temperature control medium, the temperature of the peripheral portion of the processing gas outlet 21a of the nozzle 20 can be controlled, and as a result, the temperature at which the processing gas is blown from the outlet 21a (hereinafter referred to as “blowing temperature”) is, for example, 30 ° C. The temperature can be adjusted to 35 ° C.

これによって、処理ガスの吹出し流が緩やかで、かつ処理ガス中に空気より重い成分（ＨＦ、ＣＦ４、Ａｒ等）が含まれていても、処理ガスを被処理物９の上下方向に略均一に吹き付けることができる。したがって、被処理物９を上下方向にほぼ均一に表面処理できる。さらに、吹出し後の処理ガス中の水分が凝縮するのを防止できる。したがって、処理ガス吹出し口２１ａの内壁や先端面２０ａに結露が付着するのを防止でき、処理を安定的に連続して行なうことができる。また、凝縮した水に反応成分のＨＦが吸収されるのを防止できる。よって、処理の均一性を一層確実に確保できる。さらに、装置１や被処理物９が凝縮体によって腐蝕等のダメージを受けるのを防止できる。 As a result, even if the processing gas blows out slowly and the processing gas contains components heavier than air (HF, CF 4 , Ar, etc.), the processing gas is substantially uniform in the vertical direction of the workpiece 9. Can be sprayed on. Therefore, the surface of the workpiece 9 can be almost uniformly treated in the vertical direction. Furthermore, it is possible to prevent moisture in the processing gas after blowing out from condensing. Therefore, it is possible to prevent condensation from adhering to the inner wall of the processing gas outlet 21a and the front end surface 20a, and the processing can be performed stably and continuously. Moreover, it can prevent that HF of a reaction component is absorbed by the condensed water. Therefore, the process uniformity can be ensured more reliably. Further, it is possible to prevent the apparatus 1 and the workpiece 9 from being damaged by the condensate.

次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において、既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図５は、本発明の第２実施形態を示したものである。第２実施形態は、温度調節手段３０の変形例に係る。ノズル２０の内部には、該ノズル２０の先端面２０ａの近傍の温調路３３に加えて、ノズル２０の中央部ないしは背面２０ｂ寄りの部分にも温調路３３Ｘが設けられている。温調路３３Ｘは、温調路３３と同様に、往路３３ａ、折り返し路３３ｂ（図示省略）、復路３３ｃを有し、先端面２０ａ側の温調路３３と平行になっている。温調路３３Ｘの往復路３３ａ，３３ｃは、ガス路２１，２２の近くに配置されている。２つの温調路３３，３３Ｘに温調媒体をそれぞれ通すことによって、ノズル２０のほぼ全体を温調できる。特に温調路３３Ｘに温調媒体を通すことによって、処理ガス吹出し路２１及び流速調節用ガス混入路２２の中間部分を温調できる。したがって、互いに混合される前の処理ガス及び流速調節用ガスをそれぞれ温調することができる。流速調節用ガスを温調したうえで、処理ガスに合流させることができる。これにより、処理ガスの吹出し温度を確実に所望の温度になるよう調節することができる。処理ガス吹出し路２１の内部での結露を確実に防止できる。 Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following embodiments, the same reference numerals are given to the drawings for the same configurations as those already described, and the description thereof is omitted.
FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention. The second embodiment relates to a modification of the temperature adjustment means 30. Inside the nozzle 20, in addition to the temperature adjustment path 33 in the vicinity of the front end surface 20a of the nozzle 20, a temperature adjustment path 33X is also provided in the central part of the nozzle 20 or a portion near the back surface 20b. Similar to the temperature adjustment path 33, the temperature adjustment path 33X includes an outward path 33a, a return path 33b (not shown), and a return path 33c, and is parallel to the temperature adjustment path 33 on the distal end surface 20a side. The reciprocating paths 33a and 33c of the temperature adjusting path 33X are arranged near the gas paths 21 and 22. By passing the temperature control medium through the two temperature control paths 33 and 33X, the temperature of the entire nozzle 20 can be controlled. In particular, by passing the temperature adjusting medium through the temperature adjusting path 33X, the temperature of the intermediate portion of the processing gas blowing path 21 and the flow rate adjusting gas mixing path 22 can be adjusted. Therefore, the temperature of the processing gas and the flow rate adjusting gas before being mixed with each other can be adjusted. After adjusting the temperature of the flow rate adjusting gas, it can be merged with the processing gas. Thereby, the blowing temperature of process gas can be adjusted reliably so that it may become desired temperature. Condensation inside the processing gas blowing path 21 can be reliably prevented.

図６及び図７は、本発明の第３実施形態を示したものである。第３実施形態では、プラズマソースとノズルが一体になっている。すなわち、図６に示すように、プラズマソース一体型ノズル２０Ｘの内部に一対の電極１１，１１が収容されている。一方の電極１１が電源３に接続され、他方の電極１１が電気的に接地されている。各電極１１の他方の電極１１との対向面に固体誘電体１２が設けられている。一対の電極１１の固体誘電体１２どうし間に放電空間１３が形成されている。放電空間１３が、処理ガス吹出し路２１の途中に介在されている。図７に示すように、原料ガス供給部４が、供給路４ｄを介してノズル２０Ｘに接続されている。図６に示すように、供給路４ｄは、処理ガス吹出し路２１の基端部に連なっている。   6 and 7 show a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, the plasma source and the nozzle are integrated. That is, as shown in FIG. 6, a pair of electrodes 11 and 11 are accommodated inside the plasma source integrated nozzle 20X. One electrode 11 is connected to the power source 3 and the other electrode 11 is electrically grounded. A solid dielectric 12 is provided on the surface of each electrode 11 facing the other electrode 11. A discharge space 13 is formed between the solid dielectrics 12 of the pair of electrodes 11. The discharge space 13 is interposed in the middle of the processing gas blowing path 21. As shown in FIG. 7, the source gas supply unit 4 is connected to the nozzle 20X via the supply path 4d. As shown in FIG. 6, the supply path 4 d is continuous with the base end portion of the processing gas blowing path 21.

第３実施形態においては、原料ガス（ＣＦ４＋Ａｒ＋Ｈ２Ｏ）が、供給路４ｄを経て、処理ガス吹出し路２１に導入される。この原料ガスが、処理ガス吹出し路２１の途中の放電空間１３に導入され、プラズマ化される。これにより、ＨＦ等のフッ素系反応成分を含む処理ガスが生成される。この処理ガスが、放電空間１３より下流の処理ガス吹出し路２１を通り、かつ流速調節用ガス混入路２２からのＮ２と混合されたうえで、処理ガス吹出し口２１ａから吹き出される。 In the third embodiment, the source gas (CF 4 + Ar + H 2 O) is introduced into the processing gas blowing path 21 via the supply path 4d. This raw material gas is introduced into the discharge space 13 in the middle of the processing gas blow-out path 21 and is turned into plasma. Thereby, the process gas containing fluorine-type reaction components, such as HF, is produced | generated. This processing gas passes through the processing gas blowing path 21 downstream from the discharge space 13 and is mixed with N 2 from the flow rate adjusting gas mixing path 22 and then blown out from the processing gas blowing port 21a.

本発明は、上記実施形態に限定されず、その要旨の範囲内において種々の態様を採用できる。
例えば、被処理物９は略垂直であればよい。被処理物９の傾斜角度は、鉛直に対し１０°に限られず、鉛直に対し例えば±２０°の範囲であればよい。被処理物９の傾斜方向は、被処理面９ａが下向きになる側に限られない。図８に示すように、被処理面９ａが上向きになる側に傾斜されていてもよい。この場合、ノズル２０の先端面２０ａが、被処理物９の被処理面９ａと平行に対向するように、下向きに傾斜して配置される。
被処理物９が、まっすぐ鉛直になっていてもよい。この場合、ノズル２０の先端面２０ａが被処理物９の被処理面９ａと平行に対向するようにまっすぐ垂直に配置される。 The present invention is not limited to the above embodiment, and various modes can be adopted within the scope of the gist.
For example, the workpiece 9 may be substantially vertical. The inclination angle of the workpiece 9 is not limited to 10 ° with respect to the vertical, and may be within a range of ± 20 ° with respect to the vertical, for example. The inclination direction of the workpiece 9 is not limited to the side where the processing surface 9a faces downward. As shown in FIG. 8, the to-be-processed surface 9a may be inclined to the upward side. In this case, the front end surface 20a of the nozzle 20 is disposed so as to be inclined downward so as to face the processing target surface 9a of the processing target 9 in parallel.
The workpiece 9 may be straight and vertical. In this case, the front end surface 20a of the nozzle 20 is disposed straight and vertically so as to face the processing target surface 9a of the processing target 9 in parallel.

被処理物９の位置が固定され、移動手段８がノズル２０に接続され、ノズル２０が先端面２０ａに沿う水平方向に移動されるようになっていてもよい。
被処理物９とノズル２０を相対移動させず、両者の相対位置を固定した状態で処理を行なってもよい。 The position of the workpiece 9 may be fixed, the moving unit 8 may be connected to the nozzle 20, and the nozzle 20 may be moved in the horizontal direction along the tip surface 20a.
The processing may be performed in a state where the relative position between the workpiece 9 and the nozzle 20 is not moved, but the relative position between them is fixed.

処理ガス吹出し口２１ａは、ノズル２０の先端面２０ａの上下方向（略垂直方向）に分布していればよく、スリット状に限られず、ノズル２０の長手方向に間隔を置いて並べられた複数の小孔の列によって構成されていてもよい。   The process gas outlets 21a are only required to be distributed in the vertical direction (substantially vertical direction) of the tip surface 20a of the nozzle 20, and are not limited to the slit shape, but are arranged in a plurality of intervals in the longitudinal direction of the nozzle 20. You may be comprised by the row | line | column of a small hole.

ノズル２０の内部や先端部に温度調節手段３０として電熱ヒータ等の加熱手段を設けてもよい。
ノズル２０と被処理物９の間の空間を含むノズル２０の周辺の雰囲気ガスが、空気に代えて窒素等の不活性ガスに置換されていてもよい。本発明は、雰囲気ガスより重い成分を含む処理ガスを用いた表面処理に好適である。 A heating means such as an electric heater may be provided as the temperature adjusting means 30 in the nozzle 20 or at the tip.
The atmosphere gas around the nozzle 20 including the space between the nozzle 20 and the workpiece 9 may be replaced with an inert gas such as nitrogen instead of air. The present invention is suitable for surface treatment using a processing gas containing a component heavier than the atmospheric gas.

被処理物９の形状は、平板状に限られず、連続シート状でもよく、立体形状でもよい。
被処理物９は、太陽電池用のガラスに限定されず、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板でもよく、更にはガラスに限られず、半導体ウェハ、樹脂フィルム等の種々の被処理物に適用できる。
本発明は、ガラス基板の粗化エッチングだけでなく、半導体膜や絶縁膜等のエッチングにも適用でき、エッチングに限られず、ＣＶＤ、洗浄、表面改質（疎水化、親水化等）、アッシング等の他の表面処理にも適用できる。処理内容に応じて処理ガスの反応成分等を適宜選択する。
例えば、アモルファスシリコンや結晶シリコンをエッチングする場合、処理ガスが、フッ素系反応成分の他、オゾン等の酸化性反応成分を含むことが好ましい。
プラズマ表面処理に限られず、フッ酸ベーパー、熱ＣＶＤ等のプラズマを用いない表面処理にも適用できる。 The shape of the workpiece 9 is not limited to a flat plate shape, and may be a continuous sheet shape or a three-dimensional shape.
The object to be processed 9 is not limited to glass for solar cells, but may be a glass substrate for flat panel display, and is not limited to glass, and can be applied to various objects to be processed such as semiconductor wafers and resin films.
The present invention can be applied not only to rough etching of glass substrates but also to etching of semiconductor films, insulating films, etc., and is not limited to etching, CVD, cleaning, surface modification (hydrophobization, hydrophilization, etc.), ashing, etc. It can be applied to other surface treatments. A reaction component of the processing gas is appropriately selected according to the processing content.
For example, when etching amorphous silicon or crystalline silicon, the processing gas preferably contains an oxidizing reaction component such as ozone in addition to the fluorine-based reaction component.
The present invention is not limited to plasma surface treatment, and can also be applied to surface treatment that does not use plasma, such as hydrofluoric acid vapor and thermal CVD.

実施例を説明する。本発明が当該実施例に限定されるものでないことは言うまでもない。
第１実施形態（図１〜図４）に示す表面処理装置１と実質的に同じ構造の装置を用いた。
原料ガス供給部４において、ＣＦ４ ０．１ｓｌｍ、Ａｒ ３．９ｓｌｍの混合ガスに露点が１８℃になる量の水を添加した。この原料ガス ４．０ｓｌｍを、常圧プラズマソース１０に導入してプラズマ化し、ＨＦを含む処理ガスを生成した。
常圧プラズマソース１０の各電極１１の長さは４００ｍｍであった。電極１１の表面の固体誘電体１２はアルミナ９９．５ｗｔ％であった。固体誘電体１２の厚さは、１ｍｍであった。隣接する２つの電極１１，１１どうしの間隔は、１ｍｍとした。電源３にて印加されるパルス電圧の立ち上がり速度は１０μｓとし、ピーク間電圧はＶｐｐ＝１６０Ｖとし、 周波数は３０ｋＨｚとした。 Examples will be described. Needless to say, the present invention is not limited to these examples.
An apparatus having substantially the same structure as the surface treatment apparatus 1 shown in the first embodiment (FIGS. 1 to 4) was used.
In the raw material gas supply unit 4, water was added in an amount such that the dew point was 18 ° C. to a mixed gas of CF 4 0.1 slm and Ar 3.9 slm. This raw material gas 4.0 slm was introduced into the atmospheric pressure plasma source 10 to be converted into plasma, and a processing gas containing HF was generated.
The length of each electrode 11 of the atmospheric pressure plasma source 10 was 400 mm. The solid dielectric 12 on the surface of the electrode 11 was 99.5 wt% alumina. The thickness of the solid dielectric 12 was 1 mm. The distance between two adjacent electrodes 11 was set to 1 mm. The rising speed of the pulse voltage applied by the power source 3 was 10 μs, the peak-to-peak voltage was Vpp = 160 V, and the frequency was 30 kHz.

常圧プラズマソース１０にて生成した処理ガス ４．０ｓｌｍを、接続管５を経てノズル２０へ供給した。併行して、流速調節用ガス供給部６からＮ２ １５ｓｌｍをノズル２０へ供給した。ノズル２０内の合流部２３において上記処理ガスに上記流速調節用のＮ２を混入した。混入後の処理ガス １９ｓｌｍを吹出し口２１ａから吹出し、被処理物９に接触させた。処理ガスの吹出し流速は図９を参照のこと。
合流部２３から吹出し口２１ａまでの距離Ｌは、Ｌ＝１０ｍｍであった。吹出し口２１ａの長さは４００ｍｍ、幅ｗは、ｗ＝２ｍｍであった。吸引口２４ｅの幅は、０．７ｍｍであった。左右一対の吸引口２４ｅ，２４ｅどうしの間隔は、４０ｍｍであった。
温度調節手段３０によって、ノズル２０を３５℃に温調した。 A process gas of 4.0 slm generated in the atmospheric pressure plasma source 10 was supplied to the nozzle 20 through the connection pipe 5. In parallel, N 2 15 slm was supplied to the nozzle 20 from the flow rate adjusting gas supply unit 6. In the junction 23 in the nozzle 20, the N 2 for adjusting the flow rate was mixed into the processing gas. After the mixing, 19 slm was blown out from the blowout port 21 a and brought into contact with the workpiece 9. See FIG. 9 for the flow rate of the process gas.
The distance L from the junction 23 to the outlet 21a was L = 10 mm. The length of the outlet 21a was 400 mm, and the width w was w = 2 mm. The width of the suction port 24e was 0.7 mm. The distance between the pair of left and right suction ports 24e, 24e was 40 mm.
The temperature of the nozzle 20 was adjusted to 35 ° C. by the temperature adjusting means 30.

被処理物９は、ガラスであり、処理前の表面粗さＲａは、Ｒａ＝０．１〜０．２ｎｍであった。表面粗さは、ＡＦＭ(原子間力顕微鏡)にて計測した（処理後の計測手段も同様）。被処理物９は、被処理面９ａが下向きになる側へ鉛直に対し１０°傾斜させた。被処理物９の上下方向の寸法は、４００ｍｍであった。ノズル２０は、先端面２０ａが被処理面９ａと平行に対向するように、鉛直に対し１０°傾斜させた。ノズル先端面２０ａと被処理物９との間の距離ｄは、ｄ＝７ｍｍとした。被処理物９とノズル２０の相対移動速度は、７７００ ｍｍ／ｍｉｎとした。ノズル２０及び被処理物９の周辺の雰囲気ガスは空気であり、雰囲気温度は２５℃であった。   The to-be-processed object 9 was glass, and surface roughness Ra before a process was Ra = 0.1-0.2 nm. The surface roughness was measured with an AFM (atomic force microscope) (the same applies to the measurement means after the treatment). The workpiece 9 was tilted by 10 ° with respect to the vertical toward the side where the surface 9a to be processed is directed downward. The vertical dimension of the workpiece 9 was 400 mm. The nozzle 20 was inclined by 10 ° with respect to the vertical so that the front end surface 20a faces the surface to be processed 9a in parallel. The distance d between the nozzle tip surface 20a and the workpiece 9 was d = 7 mm. The relative movement speed of the workpiece 9 and the nozzle 20 was 7700 mm / min. The ambient gas around the nozzle 20 and the workpiece 9 was air, and the ambient temperature was 25 ° C.

処理後の被処理物９の表面粗さＲａは、被処理物９の下端（高さ０ｍｍ）から上端（高さ４００ｍｍ）までの全域において所望範囲の０．５ｎｍ＜Ｒａ＜０．８ｎｍになった。処理後のノズル先端面２０ａに結露等の生成物は確認されなかった。処理ガスに空気より重い成分が含まれていても、均一で良好な処理を行なうことができることが確認された。   The surface roughness Ra of the processed object 9 after the treatment becomes a desired range of 0.5 nm <Ra <0.8 nm in the entire region from the lower end (height 0 mm) to the upper end (height 400 mm) of the processed object 9. It was. Products such as condensation were not confirmed on the nozzle tip surface 20a after the treatment. It was confirmed that even if the processing gas contains a component heavier than air, uniform and satisfactory processing can be performed.

図９は、吹出し口２１ａの長手方向の各位置から吹き出される処理ガスの流速の測定結果を示したものである。同図のグラフの横軸の吹出し位置（ｍｍ）は、吹出し口２１ａの下端（０ｍｍ）から吹出し口２１ａ上の測定点までの距離に対応する（図１０〜図１４において同じ）。実施例１では、流速調節用のＮ２ガスの混入流量を１５ｓｌｍにすることより、吹出し口２１ａの長手方向の全域で処理ガスの吹出し流速を０．３ｍ／ｓ〜０．４ｍ／ｓの範囲内に収めることができた。しかも、処理ガスが、吹出し口２１ａの長手方向の全域から略均一な流速で吹き出されることが確認できた。 FIG. 9 shows the measurement result of the flow velocity of the processing gas blown from each position in the longitudinal direction of the blow-out port 21a. The blowing position (mm) on the horizontal axis of the graph in the figure corresponds to the distance from the lower end (0 mm) of the blowing port 21a to the measurement point on the blowing port 21a (the same applies to FIGS. 10 to 14). In Example 1, the flow rate of N 2 gas for flow rate adjustment is set to 15 slm, so that the flow rate of the treatment gas blown in the entire longitudinal direction of the blowout port 21a ranges from 0.3 m / s to 0.4 m / s. I was able to fit inside. In addition, it was confirmed that the processing gas was blown out from the entire area in the longitudinal direction of the blowout port 21a at a substantially uniform flow rate.

更に、参考として、流速調節用のＮ２ガスの混入流量をそれぞれ１０ｓｌｍ、５ｓｌｍ、０ｓｌｍとし、他の条件はすべて実施例１と同じにした場合の吹出し流速をも測定した。図９に示すように、流速調節用のＮ２ガスを混入しない場合（Ｎ２＝０ｓｌｍ）、吹出し流速が０．１ｍ／ｓ未満になった。この流速では、処理ガスを被処理物９に到達させ接触させるのは困難である。流速調節用のＮ２ガスの混入流量を５ｓｌｍ以上にすることで、処理ガスの吹出し流速を０．１ｍ／ｓ以上にできた。流速調節用のＮ２ガスの混入流量が大きいほど、処理ガスの吹出し流速が大きくなった。流速調節用のＮ２ガスの混入流量を５ｓｌｍ〜１５ｓｌｍにすれば、処理ガスの吹出し流速を０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓの範囲内に十分収めることができることが確認できた。 Furthermore, as a reference, the flow rate of N 2 gas for adjusting the flow rate was set to 10 slm, 5 slm, and 0 slm, respectively, and the blowing flow rate was measured when all other conditions were the same as in Example 1. As shown in FIG. 9, when the N 2 gas for adjusting the flow rate was not mixed (N 2 = 0 slm), the blowing flow rate was less than 0.1 m / s. At this flow rate, it is difficult for the processing gas to reach and contact the workpiece 9. By making the mixing flow rate of the N 2 gas for adjusting the flow rate 5 slm or more, the blow-out flow rate of the processing gas was made 0.1 m / s or more. The larger the mixing flow rate of the N 2 gas for adjusting the flow rate, the greater the blowing speed of the processing gas. It was confirmed that if the mixing flow rate of the N 2 gas for adjusting the flow rate is set to 5 slm to 15 slm, the blowing speed of the processing gas can be sufficiently within the range of 0.1 m / s to 0.5 m / s.

ノズル２０の温度を３０℃にした点を除き、実施例１と同一の条件で処理を行なった。
処理後の被処理物９の表面粗さＲａは、被処理物９の下端（高さ０ｍｍ）から上端（高さ４００ｍｍ）までの全域において所望範囲の０．５ｎｍ＜Ｒａ＜０．８ｎｍになった。処理後のノズル先端面２０ａに結露等の生成物は確認されなかった。処理ガスに空気より重い成分が含まれていても、均一で良好な処理を行なうことができることが確認された。 The treatment was performed under the same conditions as in Example 1 except that the temperature of the nozzle 20 was changed to 30 ° C.
The surface roughness Ra of the processed object 9 after the treatment becomes a desired range of 0.5 nm <Ra <0.8 nm in the entire region from the lower end (height 0 mm) to the upper end (height 400 mm) of the processed object 9. It was. Products such as condensation were not confirmed on the nozzle tip surface 20a after the treatment. It was confirmed that even if the processing gas contains a component heavier than air, uniform and satisfactory processing can be performed.

吹出し口２１ａ近傍の合流部２３におけるＮ２の混入流量を１０ｓｌｍとした。したがって、処理ガスの吹出し流量は、１４ｓｌｍであった。さらにノズル２０の温度を３０℃にした。以上の点を除き、実施例１と同一の条件で処理を行なった。
処理後の被処理物９の表面粗さＲａは、被処理物９の下端（高さ０ｍｍ）から高さ３００ｍｍまでの区間では、所望範囲の０．５ｎｍ＜Ｒａ＜０．８ｎｍになった。高さ３００ｍｍから高さ３３０ｍｍまでの区間は、Ｒａ＜０．５ｎｍになった。高さ３３０ｍｍから上端（高さ４００ｍｍ）までの区間では、所望範囲の０．５ｎｍ＜Ｒａ＜０．８ｎｍになった。処理後のノズル先端面２０ａに結露等の生成物は確認されなかった。中間に処理量が所望範囲を下回る区間があったが全体的には良好な処理を行なうことができた。処理ガスに空気より重い成分が含まれていても、吹出し口２１ａの上端付近に対応する部分（高さ３３０ｍｍ〜４００ｍｍ）の処理を所望範囲にできることが確認された。 The mixing flow rate of N 2 at the junction 23 in the vicinity of the outlet 21a was 10 slm. Therefore, the blow-out flow rate of the processing gas was 14 slm. Furthermore, the temperature of the nozzle 20 was set to 30 ° C. Except for the above points, processing was performed under the same conditions as in Example 1.
The surface roughness Ra of the processed object 9 after the treatment was a desired range of 0.5 nm <Ra <0.8 nm in the section from the lower end (height 0 mm) to the height 300 mm of the processed object 9. The section from the height of 300 mm to the height of 330 mm was Ra <0.5 nm. In a section from the height of 330 mm to the upper end (height of 400 mm), the desired range was 0.5 nm <Ra <0.8 nm. Products such as condensation were not confirmed on the nozzle tip surface 20a after the treatment. Although there was a section in the middle where the amount of processing was below the desired range, overall good processing could be performed. It has been confirmed that even if the processing gas contains a component heavier than air, the processing of the portion (height 330 mm to 400 mm) corresponding to the vicinity of the upper end of the outlet 21 a can be made within a desired range.

図１０は、実施例２及び実施例３において、吹出し口２１ａの長手方向の各位置から吹き出される処理ガスの流速の測定結果を示したものである。実施例２、３によれば、流速調節用のＮ２ガスの混入流量をそれぞれ１５ｓｌｍ、１０ｓｌｍにすることより、吹出し口２１ａの長手方向の全域で処理ガスの吹出し流速を０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓの範囲内に収めることができた。 FIG. 10 shows the measurement results of the flow velocity of the processing gas blown from the respective positions in the longitudinal direction of the blowout port 21a in the second and third embodiments. According to Examples 2 and 3, the flow rate of N 2 gas for flow rate adjustment is set to 15 slm and 10 slm, respectively. It was able to be contained in the range of 0.5 m / s.

更に、参考として、流速調節用のＮ２ガスの混入流量をそれぞれ５ｓｌｍ、０ｓｌｍとし、他の条件はすべて実施例２、３と同じにした場合の吹出し流速をも測定した。図１０に示すように、Ｎ２ガスの混入流量が５ｓｌｍ以下では、処理ガスの吹出し流速を所望範囲（０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓ）にすることができなかった。
図９及び図１０から明らかなように、ノズル２０の調節温度によって、処理ガスの流速分布が変化することが確認された。ノズル２０の温度を３５℃にした場合（図９）のほうが、３０℃にした場合（図１０）より、吹出し流速が大きくなり、しかも吹出しの均一性が良好であった。 Further, as a reference, the flow rate of N 2 gas for adjusting the flow rate was set to 5 slm and 0 slm, respectively, and the blowing flow rate was measured when all other conditions were the same as in Examples 2 and 3. As shown in FIG. 10, when the mixing flow rate of N 2 gas is 5 slm or less, the flow rate of the processing gas cannot be set within a desired range (0.1 m / s to 0.5 m / s).
As apparent from FIGS. 9 and 10, it was confirmed that the flow velocity distribution of the processing gas changes depending on the adjustment temperature of the nozzle 20. When the temperature of the nozzle 20 was 35 ° C. (FIG. 9), the blowing flow rate was larger and the uniformity of blowing was better than when the temperature was 30 ° C. (FIG. 10).

更に、図１１は、ノズル２０の温調を行なわず、かつＮ２の混入流量をそれぞれ１５ｓｌｍ、１０ｓｌｍ、５ｓｌｍ、０ｓｌｍとし、他の条件はすべて実施例１と同じにした場合の吹出し流速の測定結果である。Ｎ２の混入流量を１０ｓｌｍ〜１５ｓｌｍにすれば、処理ガスの吹出し流速を吹出し位置の全域で所望範囲内（０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓ）にできることが確認された。 Further, FIG. 11 shows the measurement of the blow-off flow velocity when the temperature of the nozzle 20 is not adjusted and the mixed flow rate of N 2 is 15 slm, 10 slm, 5 slm, and 0 slm, respectively, and all other conditions are the same as in the first embodiment. It is a result. It was confirmed that if the mixing flow rate of N 2 is set to 10 slm to 15 slm, the blowing speed of the processing gas can be within a desired range (0.1 m / s to 0.5 m / s) over the entire blowing position.

［比較例１］
比較例１では、処理ガスへのＮ２混入を行なわなかった。したがって、処理ガスの吹出し流量は、４ｓｌｍであった。かつノズル２０の温調は行なわなかった。それ以外の条件は実施例１と同一にして処理を行なった。
図１３に示すように、処理ガスの吹出し流速は、吹出し位置が高くなるにしたがって低下した。吹出し位置の略全域で、吹出し流速が所望範囲の下限（０．１ｍ／ｓ）を下回った。
処理後の被処理物９の表面粗さＲａは、被処理物９の下端（高さ０ｍｍ）から高さ１５０ｍｍまでの区間では、Ｒａ＞０．５ｎｍになった。高さ１５０ｍｍから上端（高さ４００ｍｍ）までの区間では、Ｒａ＜０．５ｎｍになった。処理後のノズル先端面２０ａに微小な水滴状態の生成物が多量に付着していた。 [Comparative Example 1]
In Comparative Example 1, N 2 was not mixed into the processing gas. Therefore, the blow-out flow rate of the processing gas was 4 slm. The temperature of the nozzle 20 was not adjusted. The other conditions were the same as in Example 1 for processing.
As shown in FIG. 13, the blowing speed of the processing gas decreased as the blowing position increased. The blowing flow velocity was below the lower limit (0.1 m / s) of the desired range in substantially the entire blowing position.
The surface roughness Ra of the processed object 9 after the treatment was Ra> 0.5 nm in the section from the lower end (height 0 mm) to the height 150 mm of the processed object 9. In the section from the height 150 mm to the upper end (height 400 mm), Ra <0.5 nm. A large amount of fine water droplet product was adhered to the treated nozzle tip surface 20a.

［比較例２］
比較例２では、図１２に示すように、流速調節用ガス供給路６ａをノズル２０ではなく接続管５の基端部に接続した装置を用いた。これにより、プラズマソース１０で生成された直後の処理ガスにＮ２を混入した。Ｎ２の混入流量は５ｓｌｍとした。したがって、処理ガスの吹出し流量は、９ｓｌｍであった。ノズル２０の温調は行なわなかった。それ以外の条件は実施例１と同一にして処理を行なった。
図１３に示すように、処理ガスの吹出し流速は、吹出し位置が高くなるにしたがって顕著に低下した。吹出し口２１ａの下端部（吹出し位置０ｍｍ）付近では、吹出し流速が０．２ｍ／ｓ程度になったが、１００ｍｍ以上の吹出し位置では、吹出し流速が所望範囲の下限（０．１ｍ／ｓ）を下回った。処理ガス中の空気より重い成分が垂れるためと考えられる。
処理後の被処理物９の表面粗さＲａは、被処理物９の下端（高さ０ｍｍ）から高さ２１０ｍｍまでの区間では、０．５ｎｍ＜Ｒａ＜０．８ｎｍになった。高さ２１０ｍｍから上端（高さ４００ｍｍ）までの区間では、Ｒａ＜０．５ｎｍになった。処理後のノズル先端面２０ａに微小な水滴状態の生成物が多量に付着していた。 [Comparative Example 2]
In Comparative Example 2, as shown in FIG. 12, an apparatus in which the flow rate adjusting gas supply path 6 a was connected to the base end portion of the connection pipe 5 instead of the nozzle 20 was used. Thereby, N 2 was mixed into the processing gas immediately after being generated by the plasma source 10. The mixing flow rate of N 2 was 5 slm. Therefore, the blowing flow rate of the processing gas was 9 slm. The temperature of the nozzle 20 was not adjusted. The other conditions were the same as in Example 1 for processing.
As shown in FIG. 13, the blowing speed of the processing gas was significantly reduced as the blowing position was increased. In the vicinity of the lower end portion (blowout position 0 mm) of the blowout port 21a, the blowout flow rate was about 0.2 m / s. Below. It is thought that a component heavier than air in the processing gas drips.
The surface roughness Ra of the processed object 9 after the processing was 0.5 nm <Ra <0.8 nm in the section from the lower end (height 0 mm) to the height 210 mm of the processed object 9. In the section from the height 210 mm to the upper end (height 400 mm), Ra <0.5 nm. A large amount of fine water droplet product was adhered to the treated nozzle tip surface 20a.

［比較例３］
図１２に示す比較例２と同じ装置を用い、生成直後の処理ガスにＮ２を混入した。Ｎ２の混入流量は１０ｓｌｍとした。したがって、処理ガスの吹出し流量は、１４ｓｌｍであった。ノズル２０の温調は行なわなかった。それ以外の条件は実施例１と同一にして処理を行なった。
図１３に示すように、処理ガスの吹出し流速は、比較例２と同様に、吹出し位置が高くなるにしたがって顕著に低下した。
処理後の被処理物９の表面粗さＲａは、被処理物９の下端（高さ０ｍｍ）から高さ３００ｍｍまでの区間では、０．５ｎｍ＜Ｒａ＜０．８ｎｍになった。高さ３００ｍｍから上端（高さ４００ｍｍ）までの区間では、Ｒａ＜０．５ｎｍになった。処理後のノズル先端面２０ａに微小な水滴状態の生成物が多量に付着していた。 [Comparative Example 3]
Using the same apparatus as Comparative Example 2 shown in FIG. 12, N 2 was mixed in the process gas immediately after generation. The mixing flow rate of N 2 was 10 slm. Therefore, the blow-out flow rate of the processing gas was 14 slm. The temperature of the nozzle 20 was not adjusted. The other conditions were the same as in Example 1 for processing.
As shown in FIG. 13, the blowing speed of the processing gas decreased remarkably as the blowing position increased, as in Comparative Example 2.
The surface roughness Ra of the processed object 9 after the processing was 0.5 nm <Ra <0.8 nm in the section from the lower end (height 0 mm) to the height 300 mm of the processed object 9. In the section from the height of 300 mm to the upper end (height of 400 mm), Ra <0.5 nm. A large amount of fine water droplet product was adhered to the treated nozzle tip surface 20a.

［比較例４］
図１２に示す比較例２と同じ装置を用い、生成直後の処理ガスにＮ２を混入した。ノズル２０の温調は行なわなかった。それ以外の条件は実施例１と同一にして処理を行なった。Ｎ２の混入流量は、実施例１と同じく１５ｓｌｍとした。したがって、処理ガスの吹出し流量は、１９ｓｌｍであった。処理ガスの吹出し流速は、図１３を参照のこと。
処理後の被処理物９の表面粗さＲａは、被処理物９の下端（高さ０ｍｍ）から高さ３６０ｍｍまでの区間では、０．５ｎｍ＜Ｒａ＜０．８ｎｍになった。高さ３６０ｍｍから上端（高さ４００ｍｍ）までの区間では、Ｒａ＜０．５ｎｍになった。処理後のノズル先端面２０ａに微小な水滴状態の生成物が多量に付着していた。 [Comparative Example 4]
Using the same apparatus as Comparative Example 2 shown in FIG. 12, N 2 was mixed in the process gas immediately after generation. The temperature of the nozzle 20 was not adjusted. The other conditions were the same as in Example 1 for processing. The mixing flow rate of N 2 was set to 15 slm as in Example 1. Therefore, the blow-out flow rate of the processing gas was 19 slm. Refer to FIG. 13 for the blow-out flow rate of the processing gas.
The surface roughness Ra of the processed object 9 after the processing was 0.5 nm <Ra <0.8 nm in the section from the lower end (height 0 mm) to the height 360 mm of the processed object 9. In the section from the height of 360 mm to the upper end (height of 400 mm), Ra <0.5 nm. A large amount of fine water droplet product was adhered to the treated nozzle tip surface 20a.

［比較例５］
図１２に示す比較例２と同じ装置を用い、生成直後の処理ガスに流速調節用のＮ２ １５ｓｌｍを混入した。ノズル２０の温度を３０℃にした。それ以外の条件は実施例１と同一にして処理を行なった。処理ガスの吹出し流速は、図１４を参照のこと。図１４には、流速調節用のＮ２の混入流量を１０ｓｌｍ、５ｓｌｍ、０ｓｌｍとした場合の処理ガスの吹出し流速をも示す。
処理後の被処理物９の表面粗さＲａは、被処理物９の下端（高さ０ｍｍ）から高さ３４０ｍｍまでの区間では、０．５ｎｍ＜Ｒａ＜０．８ｎｍになった。高さ３４０ｍｍから上端（高さ４００ｍｍ）までの区間では、Ｒａ＜０．５ｎｍになった。処理後のノズル先端面２０ａに結露等の生成物は確認されなかった。 [Comparative Example 5]
Using the same apparatus as in Comparative Example 2 shown in FIG. 12, N 2 15 slm for adjusting the flow rate was mixed into the process gas immediately after generation. The temperature of the nozzle 20 was set to 30 ° C. The other conditions were the same as in Example 1 for processing. Refer to FIG. 14 for the blow-out flow rate of the processing gas. FIG. 14 also shows the blowing speed of the processing gas when the mixing flow rate of N 2 for adjusting the flow rate is 10 slm, 5 slm, and 0 slm.
The surface roughness Ra of the processed object 9 after the treatment was 0.5 nm <Ra <0.8 nm in the section from the lower end (height 0 mm) to the height 340 mm of the processed object 9. In the section from the height of 340 mm to the upper end (height of 400 mm), Ra <0.5 nm. Products such as condensation were not confirmed on the nozzle tip surface 20a after the treatment.

本発明は、例えば太陽電池用の表面ガラスを粗化するのに適用可能である。   The present invention is applicable to roughening surface glass for solar cells, for example.

１ 表面処理装置
２ 被処理物支持手段
３ 電源
４ 原料ガス供給部
４ａ フッ素系原料供給部
４ａｖ フッ素系原料流量調手段
４ｂ 希釈ガス供給部
４ｂｖ 希釈ガス流量調節手段
４ｃ 加湿器
４ｄ 供給路
５ 接続管
６ 流速調節用ガス供給部
６ａ 流速調節用ガス供給路
６ｖ 流速調節用ガス流量調節手段
７ 排気手段
７ｅ 排気路
８ 移動手段
９ 被処理物
９ａ 被処理面
１０ プラズマソース
１１ 電極
１２ 固体誘電体
１３ 放電空間
１５ ボディ
１６ 導入側ボディ部
１６ａ 導入路
１７ 導出側ボディ部
１７ｂ 導出路
２０ ノズル
２０Ｘ プラズマソース一体型ノズル
２０ａ 先端面（吹出し面）
２０ｂ 背面
２１ 処理ガス吹出し路
２１ａ 処理ガス吹出し口
２２ 流速調節用ガス混入路
２３ 合流部
２４ 吸引路
２４ｅ 吸引口
２９ ノズル支持手段
３０ 温度調節手段
３１ 温調媒体供給部
３２ 温調媒体供給路
３３ 温調路
３３ａ 往路
３３ｂ 折り返し路
３３ｃ 復路
３３Ｘ 温調路
３４ 温調媒体排出路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Surface treatment apparatus 2 To-be-processed object support means 3 Power supply 4 Raw material gas supply part 4a Fluorine-type raw material supply part 4av Fluorine-type raw material flow control means 4b Dilution gas supply part 4bv Dilution gas flow rate adjustment means 4c Humidifier 4d Supply path 5 Connection pipe 6 Flow rate adjusting gas supply section 6a Flow rate adjusting gas supply path 6v Flow rate adjusting gas flow rate adjusting means 7 Exhaust means 7e Exhaust path 8 Moving means 9 Processed object 9a Processed surface 10 Plasma source 11 Electrode 12 Solid dielectric 13 Discharge Space 15 Body 16 Introducing body part 16a Introducing path 17 Deriving side body part 17b Deriving path 20 Nozzle 20X Plasma source integrated nozzle 20a Tip surface (outlet surface)
20b Back surface 21 Processing gas outlet 21a Processing gas outlet 22 Gas flow adjusting passage 23 Mixing section 24 Suction path 24e Suction port 29 Nozzle support means 30 Temperature adjusting means 31 Temperature adjusting medium supply section 32 Temperature adjusting medium supply path 33 Temperature Adjustment path 33a Outward path 33b Return path 33c Return path 33X Temperature adjustment path 34 Temperature adjustment medium discharge path

Claims (9)

被処理面を略垂直に向けた被処理物に、雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスを吹き付け、前記被処理面を処理する方法であって、
略垂直に分布する吹出し口を有するノズルを、前記被処理面と対向させ、
前記吹出し口の近傍で流速調節用ガスを前記処理ガスに混入し、
前記混入後の処理ガスを前記吹出し口から吹き出し、該吹き出し時の処理ガスの流速が０．１〜０．５ｍ／ｓになるよう、前記流速調節用ガスの混入流量を調節することを特徴とする表面処理方法。 A method of treating a surface to be treated by spraying a treatment gas containing a reaction component heavier than an atmospheric gas on an object to be treated whose surface to be treated is substantially vertical,
A nozzle having outlets distributed substantially vertically is opposed to the surface to be treated;
Mix the flow rate adjusting gas in the processing gas in the vicinity of the outlet,
The mixed processing gas is blown out from the outlet, and the flow rate of the flow rate adjusting gas is adjusted so that the flow rate of the processing gas at the time of blowing is 0.1 to 0.5 m / s. Surface treatment method. 前記処理ガスが、水素を含有する添加成分を含み、
前記ノズルの吹出し口の周辺部を温度調節することを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。 The processing gas includes an additive component containing hydrogen,
The surface treatment method according to claim 1, wherein the temperature of a peripheral portion of the nozzle outlet is controlled. 前記ノズルの吹出し口の周辺部の温度を３０℃〜３５℃に調節することを特徴とする請求項２に記載の表面処理方法。   The surface treatment method according to claim 2, wherein the temperature of the peripheral portion of the nozzle outlet is adjusted to 30 ° C. to 35 ° C. 前記ノズルの前記吹出し口が開口する先端面及び前記被処理面を、互いに平行になるように、鉛直にし又は鉛直に対し±２０°以内の範囲で傾斜させることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の表面処理方法。   The tip end surface of the nozzle and the surface to be processed of the nozzle are made vertical so as to be parallel to each other or inclined within a range of ± 20 ° with respect to the vertical. The surface treatment method according to any one of the above. 前記反応成分が、フッ素系の反応成分であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の表面処理方法。   The surface treatment method according to claim 1, wherein the reaction component is a fluorine-based reaction component. 被処理面を略垂直に向けた被処理物に、雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスを吹き付け、前記被処理面を処理する装置であって、
前記処理ガスを通す処理ガス吹出し路と、流速調節用ガスを通す流速調節用ガス混入路と、被処理面と対向する先端面を有するノズルを備え、
前記処理ガス吹出し路の先端部が、前記先端面に達し、かつ前記先端面内において略垂直方向に分布する吹出し口を構成し、
前記流速調節用ガス混入路が、前記吹出し口の近傍で前記処理ガス吹出し路に合流しており、
前記吹出し口からの処理ガスの吹出し流速が、０．１〜０．５ｍ／ｓになるよう、前記流速調節用ガスの流量を調節する流量調節手段を、さらに備えたことを特徴とする表面処理装置。 An apparatus for processing the surface to be processed by spraying a processing gas containing a reaction component heavier than the atmospheric gas on an object to be processed whose surface to be processed is substantially vertical.
A processing gas blowing path for passing the processing gas, a flow rate adjusting gas mixing path for passing a flow rate adjusting gas, and a nozzle having a tip surface facing the surface to be processed;
The distal end portion of the processing gas blowing path reaches the distal end surface, and constitutes an outlet port distributed in a substantially vertical direction in the distal end surface,
The flow rate adjusting gas mixing path is joined to the processing gas blowing path in the vicinity of the blowing port;
A surface treatment characterized by further comprising a flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of the flow rate adjusting gas so that the flow rate of the treatment gas blown from the outlet is 0.1 to 0.5 m / s. apparatus. 前記ノズルの吹出し口の周辺部に、該吹出し口周辺部を温度調節する温度調節手段を熱的に接続したことを特徴とする請求項６に記載の表面処理装置。   The surface treatment apparatus according to claim 6, wherein a temperature adjusting means for adjusting the temperature of the peripheral portion of the outlet is thermally connected to the peripheral portion of the outlet of the nozzle. 前記温度調節手段が、前記吹出し口周辺部の温度を３０℃〜３５℃に調節することを特徴とする請求項７に記載の表面処理装置。   The surface treatment apparatus according to claim 7, wherein the temperature adjusting unit adjusts the temperature around the outlet to 30 ° C. to 35 ° C. 前記被処理面の鉛直に対する角度が±２０°以内になるように、前記被処理物を支持する被処理物支持手段と、
前記先端面が前記被処理面と平行になるように、前記ノズルを支持するノズル支持手段と、
前記被処理物とノズルの一方を他方に対し前記被処理面又は前記先端面に沿って相対移動させる移動手段と、
を備えたことを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載の表面処理装置。 An object support means for supporting the object to be processed such that an angle with respect to the vertical of the surface to be processed is within ± 20 °;
Nozzle support means for supporting the nozzle so that the tip surface is parallel to the surface to be processed;
Moving means for relatively moving one of the object to be processed and the nozzle along the surface to be processed or the tip surface with respect to the other;
The surface treatment apparatus according to claim 6, further comprising:
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