JP2010245149A - フィルム基板及びそれを用いたフィルム型太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フィルム基板11を送り出す巻き出し室2と、フィルム基板11を巻き取る巻き取り室3と、巻き出し室2と巻き取り室3との間に位置し、フィルム基板11の表面に製膜する製膜室4とを備えたロールツーロール方式のフィルム基板の製造装置において、巻き出し室2に配置されたレーザ照射部15によりフィルム基板11の一方の面にレーザ光を照射する。このレーザ光15aにより、フィルム基板11の表面に突起16を形成し、フィルム基板11の張り付きを防止し、フィルム基板11の搬送性を改善する。
【選択図】図1
Description
図1(a)は、本発明の実施の形態に係る搬送装置を側面から見た時の模式図であり、図1(b)は、図1(a)を下面からみた際の透過視図である。
搬送装置1において、フィルムの製膜面と反対側にレーザ光15aを照射して突起16を形成した。このとき、レーザ光15aは、出力4kw、加工スポット径10μm、レーザ光出力部移動速度1m/secとした。さらに、突起16の平均面内個数密度が2600個/mm2になるようにレーザ光照射間隔を調整した。なお、このときの突起16の形態は、図2の(a)のような山状であった。
使用したフィルムは、幅50cm厚さ50μmのポリイミドフィルムとした。従来通りフィルム中にリン酸水素ナトリウム製フィラーを混入した。このとき、フィラーの平均面内個数密度が2600個/mm2となるようにフィラー混入量を調整した。
実施例で作製したフィルムと比較例で作製したフィルムのそれぞれを用いて2段タンデム型薄膜アモルファス太陽電池を積層した。まず、スパッタ方式にて金属電極Ag(膜厚300nm)、ZnO(膜厚60nm)を積層し、次いで、CVD(化学気相蒸着)方式にてボトムn層(a−Si及びa−SiO、膜厚60nm)、ボトムi層(a−SiGe、膜厚130nm)、ボトムp層(a−SiO及び微結晶Si、膜厚40nm)、トップn層(a−Si、膜厚30nm)、トップi層(a−Si、膜厚200nm)、トップp層(a−SiO、膜厚20nm)からなる発電層を積層した。最後にスパッタ方式で透明電極(ITO)を積層した(膜厚70nm)。なお、この時の総膜厚は、合計で約900nmであった。
2 巻き出し室
3 巻き取り室
4 製膜室
11 フィルム基板
12 巻き出し側フィルムロール
13、17 搬送用ロール
14 静電気除去装置
15 レーザ照射部
15a レーザ光
16 突起
16a、16b 突起の一例
18 巻き取り側フィルムロール
31 レーザ発振器
32 エキスパンダ
33 焦点調整レンズ
34 マスク
35 ガルバノスキャナ
36、37 ガルバノミラー
38、39 駆動機構
40 スリット
41a、41b、42a、42b スリット板
43a、43b、44a、44b サーボモータ
Claims (4)
- フレキシブル性を有し、一対の表面を有するフィルム基板本体と、
前記フィルム基板の一方の表面に形成される薄膜デバイスと、
前記フィルム基板の他方の表面に形成される突起と、を有するフィルム基板であって、
前記突起は、前記薄膜デバイスを形成する前に、レーザ光を用いた局所加熱により形成されることを特徴とするフィルム基板。 - 前記突起は、前記フィルム基板の他方の表面からの最大高さが前記薄膜デバイスの最大厚さより小さいことを特徴とする請求項1記載のフィルム基板。
- フレキシブル性を有し、一対の表面を有するフィルム基板と、
前記フィルム基板の一方の表面に形成される薄膜太陽電池と、
前記フィルム基板の他方の表面に形成される突起と、を有するフィルム型太陽電池であって、
前記突起は、前記薄膜太陽電池を形成する前に、レーザ光を用いた局所加熱により形成されることを特徴とするフィルム型太陽電池。 - 前記突起は、前記フィルム基板の他方の表面からの最大高さが前記薄膜太陽電池より小さいことを特徴とする請求項3記載のフィルム型太陽電池。
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JP2009089895A JP2010245149A (ja) | 2009-04-02 | 2009-04-02 | フィルム基板及びそれを用いたフィルム型太陽電池 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH1022518A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Sharp Corp | 化学蒸着装置 |
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-
2009
- 2009-04-02 JP JP2009089895A patent/JP2010245149A/ja active Pending
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