JP2010244885A - Organic electroluminescent image display and its manufacturing method - Google Patents

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JP2010244885A JP2009093169A JP2009093169A JP2010244885A JP 2010244885 A JP2010244885 A JP 2010244885A JP 2009093169 A JP2009093169 A JP 2009093169A JP 2009093169 A JP2009093169 A JP 2009093169A JP 2010244885 A JP2010244885 A JP 2010244885A
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健二 奥本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL image display in which brightness variations on a light-emitting panel is reduced and which includes a low-costed upper layer part auxiliary wiring structure, and a method of manufacturing the organic EL image display in which a manufacturing process is simplified. <P>SOLUTION: Each of a plurality of light-emitting pixels equipped by an organic electroluminescent image display 1 includes a light-emitting region in which light is emitted when current flows in a light-emitting layer 105 pinched by an anode 102 separately formed at each light-emitting pixel and a cathode 107 formed at all over the face over a plurality of light-emitting pixels, and includes a non-light-emitting region in which the cathode 107 is formed. A light-emitting panel includes an auxiliary wiring 110 formed at all over the face in contact with the cathode 107 and conducted to the cathode 107. The ratio of an area where the auxiliary wiring 110 covers the light-emitting region against an area of the light-emitting region is equal to the ratio of the area where the auxiliary wiring 110 covers the non-light-emitting region against the area of the non-light-emitting region. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）画像表示装置及びその製造方法に関し、特に、発光パネルの輝度ばらつきを低減した有機ＥＬ画像表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) image display device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an organic EL image display device in which luminance variation of a light emitting panel is reduced and a manufacturing method thereof.

近年、自発光、広視野角、高速応答性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記す）を用いた、単純マトリックス方式やアクティブマトリックス方式などの表示装置が注目されている。特に、高精細や大画面化に有利なアクティブマトリックス方式の表示装置の開発が活発に行われている。   In recent years, display devices such as a simple matrix system and an active matrix system using organic electroluminescence elements (hereinafter referred to as organic EL elements) having self-luminous, wide viewing angle, and high-speed response have attracted attention. In particular, active matrix display devices that are advantageous for high definition and large screens are being actively developed.

有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置は、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を駆動する駆動回路を有する複数の発光画素から構成されている。有機ＥＬ素子は、ガラスなどの基板上に、Ａｌなどの第１電極とそれに対向するＩＴＯなどの第２電極と、それらの間に形成された有機発光層とを有する。また、駆動回路は、有機ＥＬ素子を個別に駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などで構成されている。これにより、有機ＥＬ画像表示装置は、上記駆動回路により有機ＥＬ素子に所望の電圧を印加し電流を流すことにより所望の画像を表示させる。   An image display device using an organic EL element includes an organic EL element and a plurality of light emitting pixels having a driving circuit for driving the organic EL element. The organic EL element has a first electrode made of Al or the like, a second electrode made of ITO or the like opposed thereto on a substrate such as glass, and an organic light emitting layer formed therebetween. The drive circuit is composed of thin film transistors (TFTs) that individually drive the organic EL elements. Accordingly, the organic EL image display device displays a desired image by applying a desired voltage to the organic EL element by the drive circuit and causing a current to flow.

また、有機ＥＬ画像表示装置として、有機ＥＬ素子の発光した光を、基板を介して外部に取り出す下面発光方式と、基板と対向する第２電極側から取り出す上面発光方式が検討されている。しかし、アクティブマトリックス方式の下面発光方式の有機ＥＬ画像表示装置では、駆動回路の薄膜トランジスタが基板に形成されるため、十分な開口率を確保することが困難となっている。   Further, as an organic EL image display device, a bottom emission method in which light emitted from an organic EL element is extracted to the outside through a substrate and a top emission method in which the light is emitted from the second electrode side facing the substrate are being studied. However, in an active matrix bottom emission type organic EL image display device, since a thin film transistor of a driving circuit is formed on a substrate, it is difficult to ensure a sufficient aperture ratio.

一方、上面発光方式は、薄膜トランジスタなどにより開口率が制限されないため、下面発光方式に比べて発光した光の利用効率を高めることができる。この場合、上面発光方式は、発光層の上面に形成した第２電極を介して光が外部に取り出されるため、第２電極に高い導電性とともに高い光透過性が要求される。この要求仕様を満足する第２電極としては、１０ｎｍ程度の極薄の金属電極あるいは１００ｎｍ程度の金属酸化物電極が用いられている。   On the other hand, since the aperture ratio is not limited by a thin film transistor or the like in the top emission method, the use efficiency of emitted light can be increased as compared with the bottom emission method. In this case, in the top emission method, since light is extracted to the outside through the second electrode formed on the top surface of the light emitting layer, the second electrode is required to have high conductivity and high light transmittance. As the second electrode that satisfies this required specification, an extremely thin metal electrode of about 10 nm or a metal oxide electrode of about 100 nm is used.

しかし、上記第２電極は、抵抗率が高い。そのため、発光パネルが大面積化されるほど、発光画素間で第２電極の配線長に差異が生じ、電源供給部の端とパネルの中央の間で大きな電圧降下が発生し、それに応じて輝度に差が出るため、中央が暗くなる。つまり、発光パネル面の有機ＥＬ素子の配置位置によって電圧がばらつき、表示品質の低下を生じるという問題がある。   However, the second electrode has a high resistivity. Therefore, as the area of the light emitting panel is increased, the wiring length of the second electrode is different between the light emitting pixels, and a large voltage drop is generated between the end of the power supply unit and the center of the panel, and the luminance is accordingly increased. Because there is a difference, the center becomes dark. That is, there is a problem in that the voltage varies depending on the arrangement position of the organic EL elements on the light emitting panel surface, and the display quality is degraded.

上記問題を解決するため、以下のような画像表示装置の構造が提案されている。   In order to solve the above problem, the following structure of an image display device has been proposed.

図９は、特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ画像表示装置の有する発光画素の構造断面図である。同図に記載されたように、有機ＥＬ画像表示装置８００は、基板８１０の表面上に、抵抗率の低い導電材料からなる第１電極８２０と補助配線８３０とが、例えば、フォトリソグラフィ法などを用いて分離して設けられている。そして、第１電極８２０上に発光層である光変調層８５０が設けられ、その上に透明導電性材料からなる第２電極８６０が設けられている。さらに、隔壁８４０に部分的に設けられた開口部８４５を介して、補助配線８３０と第２電極８６０とが接続されている。これにより、第２電極８６０による配線抵抗を小さくして、表示面内の輝度ばらつきを低減できるとしている。   FIG. 9 is a structural cross-sectional view of a light emitting pixel included in a conventional organic EL image display device described in Patent Document 1. As shown in the figure, in the organic EL image display device 800, the first electrode 820 and the auxiliary wiring 830 made of a conductive material having a low resistivity are formed on the surface of the substrate 810 by, for example, photolithography. Used separately. A light modulation layer 850 which is a light emitting layer is provided on the first electrode 820, and a second electrode 860 made of a transparent conductive material is provided thereon. Further, the auxiliary wiring 830 and the second electrode 860 are connected to each other through an opening 845 partially provided in the partition wall 840. As a result, the wiring resistance due to the second electrode 860 can be reduced, and luminance variations in the display surface can be reduced.

また、特許文献２では、有機ＥＬ装置等の電気光学装置において、表示の輝度ムラを低減し、高輝度化、高コントラスト化を図った高出力品位の電気光学装置を提供している。上記電気光学装置は、一対の第１基板及び第２基板を備える。第１基板側には、電気光学素子、電子素子、電源配線及びスペーサーとが形成されている。一方、第２基板側には、少なくとも一方の素子に電源を補助的に供給する補助配線が形成されている。この第１基板と第２基板とを貼りあわせることにより、非開口部でトップ電極と補助配線のコンタクトをとる。これにより、電源配線及び第２電極の更なる低抵抗化が可能となる。   Further, Patent Document 2 provides a high-output-quality electro-optical device that reduces unevenness in display luminance and achieves high luminance and high contrast in an electro-optical device such as an organic EL device. The electro-optical device includes a pair of a first substrate and a second substrate. On the first substrate side, an electro-optical element, an electronic element, a power supply wiring, and a spacer are formed. On the other hand, auxiliary wiring for supplying power to at least one element as an auxiliary is formed on the second substrate side. By bonding the first substrate and the second substrate, a contact between the top electrode and the auxiliary wiring is made at the non-opening. Thereby, the resistance of the power supply wiring and the second electrode can be further reduced.

また、特許文献３では、上部電極となる第２電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、第２電極と電気的に連結された補助電極が形成されている。これにより、第２電極と補助電極との良好なコンタクトが可能とされ、電圧降下の抑制と画質の維持ないし向上が図られた有機ＥＬ素子を提供することができるとしている。   Moreover, in patent document 3, the protective film is formed on the 2nd electrode used as an upper electrode, and the auxiliary electrode electrically connected with the 2nd electrode is formed on this protective film. Thereby, it is possible to provide an organic EL element in which a good contact between the second electrode and the auxiliary electrode is possible, and the voltage drop is suppressed and the image quality is maintained or improved.

特開２００２−３１８５５６号公報JP 2002-318556 A 特開２００６−２０１４２１号公報JP 2006-201421 A 特開２００６−２６１０５８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2006-261058

しかしながら、特許文献１に記載された下層部に補助配線を形成する構造では、有機発光層などの湿式製膜層の全てを塗り分けて開口部８４５に有機発光層や絶縁層を付着させない必要がある。このため、全面製膜プロセスが使えなくなる。また、有機発光層や絶縁層等の付着がある場合には、別途取り除くプロセスが必要となり、製造工程が複雑になるという課題を有する。   However, in the structure in which the auxiliary wiring is formed in the lower layer portion described in Patent Document 1, it is necessary that all of the wet film forming layer such as the organic light emitting layer is applied separately so that the organic light emitting layer and the insulating layer do not adhere to the opening 845. is there. For this reason, the entire film forming process cannot be used. Moreover, when there exists adhesion of an organic light emitting layer, an insulating layer, etc., the process removed separately is needed and it has the subject that a manufacturing process becomes complicated.

また、特許文献２に記載された構造では、非開口部でトップ電極と補助配線とのコンタクトをとる必要があるため、第１基板と第２基板との貼り合わせ時に、発光画素レベルでの高精度なアライメント工程を必要とする。また、本工程での高精度な位置合わせを実現するために、第２基板の材料として熱収縮などの小さい材料を限定使用しなければならないという課題を有する。   Further, in the structure described in Patent Document 2, since it is necessary to make contact between the top electrode and the auxiliary wiring at the non-opening portion, when the first substrate and the second substrate are bonded, a high level at the light emitting pixel level is required. An accurate alignment process is required. In addition, in order to realize highly accurate alignment in this step, there is a problem that a small material such as thermal shrinkage must be used as a material for the second substrate.

また、特許文献３に記載された上層部に補助配線を形成する構造では、有機発光層あるいは透明陰極層形成後に補助配線を形成する必要がある。この場合には、補助配線の製膜工程やパターニング工程により、有機発光層や透明陰極層がダメージを受けるため、発光性能が低下してしまうという課題を有する。   Further, in the structure in which the auxiliary wiring is formed in the upper layer portion described in Patent Document 3, it is necessary to form the auxiliary wiring after forming the organic light emitting layer or the transparent cathode layer. In this case, since the organic light emitting layer and the transparent cathode layer are damaged by the film forming process and the patterning process of the auxiliary wiring, there is a problem that the light emitting performance is deteriorated.

本発明は上記課題を解決するためになされたもので、発光パネル上の輝度ばらつきを低減し、かつ、低コストの上層部補助配線構造を有する有機ＥＬ画像表示装置、及び、製造工程が簡略化された有機ＥＬ画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and reduces the luminance variation on the light-emitting panel and simplifies the manufacturing process and the organic EL image display device having a low-cost upper layer auxiliary wiring structure. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an organic EL image display device.

上記目的を達成するために、本発明は、複数の発光画素が二次元状に配置された発光パネルを有する有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置であって、前記複数の発光画素のそれぞれは、前記発光画素ごとに分離形成された第１電極層と前記複数の発光画素にわたり全面形成された第２電極層とで挟まれた有機発光層に電流が流れることにより発光する発光領域と、隣接する前記発光領域どうしを面方向において離間させ、前記第２電極層が形成された非発光領域とを含み、前記発光パネルは、前記第２電極層に接して全面形成された、前記第２電極層と導通した補助配線を備え、近接する複数の発光画素に対応した複数の発光領域の面積和に対する、当該複数の発光領域のうち前記補助配線が覆わない領域の面積の比率である発光領域開口率は、前記近接する複数の発光画素に対応した複数の非発光領域の面積和に対する、当該複数の非発光領域のうち前記補助配線が覆わない領域の面積の比率である非発光領域開口率と等しいことを特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention provides an organic electroluminescence image display device having a light emitting panel in which a plurality of light emitting pixels are two-dimensionally arranged, and each of the plurality of light emitting pixels includes the light emitting pixels. A light emitting region that emits light when an electric current flows through an organic light emitting layer sandwiched between a first electrode layer that is separately formed and a second electrode layer that is formed across the plurality of light emitting pixels, and the adjacent light emitting region And the non-light-emitting region in which the second electrode layer is formed. The light-emitting panel is electrically connected to the second electrode layer formed on the entire surface in contact with the second electrode layer. A light emitting region that has an auxiliary wiring and is a ratio of the area of the plurality of light emitting regions not covered by the auxiliary wiring to the sum of the areas of the plurality of light emitting regions corresponding to the plurality of adjacent light emitting pixels The aperture ratio is the ratio of the area of the plurality of non-light-emitting regions not covered by the auxiliary wiring to the sum of the areas of the plurality of non-light-emitting regions corresponding to the plurality of adjacent light-emitting pixels. It is equal to.

この構成により、第２電極層と補助配線とが導通しているので配線抵抗による発光パネル上の輝度ばらつきを低減することが可能となる。しかも、近接する複数の発光画素についての発光領域開口率と非発光領域開口率とが等しいので、発光領域と非発光領域とで、補助配線パターンを区別して形成する必要がない。よって、第２電極層上に形成される補助配線のアライメントを発光画素レベルで高精度に実施する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。さらには、補助配線の形成において高精度なアライメントを必要としないので、補助配線用の基板として熱収縮などによる面方向の位置ずれを抑制した、熱膨張係数の小さいガラス基板を限定使用する必要がない。よって、例えば、樹脂基板などの低コスト材料を使用することが可能となる。また、例えば、補助配線用の基板として、低コストかつ湾曲性を有するフィルム基板を用いることができる。   With this configuration, since the second electrode layer and the auxiliary wiring are electrically connected, it is possible to reduce the luminance variation on the light-emitting panel due to the wiring resistance. Moreover, since the light emitting area aperture ratio and the non-light emitting area aperture ratio for a plurality of adjacent light emitting pixels are equal, it is not necessary to separately form the auxiliary wiring pattern in the light emitting area and the non-light emitting area. Therefore, it is not necessary to align the auxiliary wiring formed on the second electrode layer with high accuracy at the light emitting pixel level, and the manufacturing process can be simplified. Furthermore, since high-precision alignment is not required in the formation of the auxiliary wiring, it is necessary to limit the use of a glass substrate with a small thermal expansion coefficient that suppresses positional deviation in the surface direction due to thermal shrinkage as a substrate for the auxiliary wiring. Absent. Therefore, for example, a low-cost material such as a resin substrate can be used. For example, a low-cost and flexible film substrate can be used as the substrate for auxiliary wiring.

また、前記複数の発光画素のそれぞれにおいて、前記発光領域を前記補助配線が覆う面積は、前記発光領域の面積の５０％以下であることが好ましい。   In each of the plurality of light emitting pixels, the area where the auxiliary wiring covers the light emitting region is preferably 50% or less of the area of the light emitting region.

これにより、有機発光層で発光した光が第２電極層及び補助配線を通過して外部へ放射される場合に必要とされる発光量が確保されるので、発光性能の低下を回避できる。   Thereby, since the light emission amount required when the light emitted from the organic light emitting layer passes through the second electrode layer and the auxiliary wiring and is emitted to the outside is secured, it is possible to avoid the deterioration of the light emitting performance.

また、前記補助配線の線幅は、前記発光パネルの中心部の方が前記発光パネルの周辺部よりも広くてもよい。   The line width of the auxiliary wiring may be wider at the center of the light-emitting panel than at the periphery of the light-emitting panel.

補助配線が配置されていない場合、第２電極層の電圧降下は発光パネル上の位置により異なる。例えば、発光パネルの外周において第２電極層が電源接続されている場合には、発光パネルの周辺部よりも中央部の方が第２電極層の電圧降下が大きい。これに対し、本構造をとることにより、補助配線自体は、線幅の広い中央部の方が周辺部よりも配線抵抗が小さくなる。このような配線抵抗の傾斜を有する補助配線と、上述した電圧降下特性を有する第２電極層とが周辺部及び中央部のそれぞれにおいて接続されることにより、第２電極層の電圧降下を発光パネルの場所によらず均一化させることが可能となる。これにより、配線抵抗による発光パネル上の輝度ばらつきをさらに低減することが可能となる。   When the auxiliary wiring is not arranged, the voltage drop of the second electrode layer varies depending on the position on the light emitting panel. For example, when the second electrode layer is connected to the power supply on the outer periphery of the light emitting panel, the voltage drop of the second electrode layer is larger in the central portion than in the peripheral portion of the light emitting panel. On the other hand, by adopting this structure, the auxiliary wiring itself has a wiring resistance that is lower in the central portion where the line width is wider than in the peripheral portion. The auxiliary wiring having such an inclination of the wiring resistance and the second electrode layer having the above-described voltage drop characteristic are connected at each of the peripheral part and the central part, so that the voltage drop of the second electrode layer can be reduced. It is possible to make it uniform regardless of the location. Thereby, it is possible to further reduce the luminance variation on the light emitting panel due to the wiring resistance.

また、前記複数の発光画素のそれぞれにおいて、前記発光領域上における前記補助配線の配線パターンは、前記非発光領域上における前記補助配線の配線パターンと同じであってもよい。   In each of the plurality of light emitting pixels, the wiring pattern of the auxiliary wiring on the light emitting region may be the same as the wiring pattern of the auxiliary wiring on the non-light emitting region.

これにより、第２電極層上に形成される補助配線のアライメントを発光画素レベルで高精度に実施する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。また、非発光領域上においても透明性が確保され得るので、例えば、非発光領域を構成する画素規制層（隔壁）の透明度により、高コントラストまたはシースルーの発光パネルを実現することが可能となる。   Thereby, it is not necessary to align the auxiliary wiring formed on the second electrode layer with high accuracy at the light emitting pixel level, and the manufacturing process can be simplified. In addition, since transparency can be ensured even in the non-light emitting region, for example, a high-contrast or see-through light-emitting panel can be realized by the transparency of the pixel regulation layer (partition wall) constituting the non-light emitting region.

また、前記補助配線の配線パターンは、格子状の配線パターンであってもよい。   The wiring pattern of the auxiliary wiring may be a grid-like wiring pattern.

これにより、第２電極層と補助配線とが、発光パネル上において均一に接続されるので、配線抵抗による発光パネル上の輝度ばらつきを低減することが可能となる。また、発光領域の開口部を適切に確保することが可能となる。   Thereby, since the second electrode layer and the auxiliary wiring are uniformly connected on the light emitting panel, it is possible to reduce the luminance variation on the light emitting panel due to the wiring resistance. Moreover, it becomes possible to ensure the opening part of a light emission area | region appropriately.

また、前記格子状の配線パターンは、画素列の方向に対して面内において傾斜していることが好ましい。   The grid-like wiring pattern is preferably inclined in the plane with respect to the direction of the pixel column.

これにより、行列状に配置された複数の発光画素と補助配線の配線パターンとの干渉により発生するモアレ（干渉縞）を抑止することが可能となる。   As a result, it is possible to suppress moire (interference fringes) caused by interference between the plurality of light emitting pixels arranged in a matrix and the wiring pattern of the auxiliary wiring.

また、前記第１電極層、前記有機発光層及び前記第２電極層は、第１基板の第１主面上にこの順で形成されており、前記補助配線は、前記第１基板と異なる、樹脂からなる第２基板の第１主面上に形成されており、前記第１基板の第１主面と前記第２基板の第１主面とは、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるための樹脂膜層を挟んで対向していることが好ましい。   The first electrode layer, the organic light emitting layer, and the second electrode layer are formed in this order on the first main surface of the first substrate, and the auxiliary wiring is different from the first substrate. Formed on a first main surface of a second substrate made of resin, the first main surface of the first substrate and the first main surface of the second substrate are the first substrate and the second substrate; It is preferable to face each other with a resin film layer for adhering them together.

これにより、第１電極、有機発光層及び第２電極層と、補助配線とは、別基板上に形成されるので、補助配線の製膜工程やパターニング工程により、有機発光層や第２電極層がダメージを受けることがない。また、補助配線が形成された基板は樹脂で構成されているので、低コスト化を図ることが可能となる。   Thereby, since the first electrode, the organic light emitting layer and the second electrode layer, and the auxiliary wiring are formed on different substrates, the organic light emitting layer and the second electrode layer are formed by a film forming process and a patterning process of the auxiliary wiring. Will not be damaged. Further, since the substrate on which the auxiliary wiring is formed is made of resin, it is possible to reduce the cost.

また、前記樹脂膜層は、導電性であってもよい。   The resin film layer may be conductive.

これにより、補助配線と第２電極層とが直接接触していなくとも、それらの間に導電性の樹脂膜層が介在していることにより、補助配線と第２電極層とを導通させることが可能となる。   As a result, even if the auxiliary wiring and the second electrode layer are not in direct contact, the auxiliary wiring and the second electrode layer can be made conductive by interposing the conductive resin film layer therebetween. It becomes possible.

また、前記樹脂膜層は、導電性の微粒子が分散した樹脂膜からなってもよい。   The resin film layer may be made of a resin film in which conductive fine particles are dispersed.

導電性の微粒子が分散した樹脂膜は、加圧された部分が当該微粒子の高密度状態となることにより導電性を示すものである。第２電極層と補助配線とで上記樹脂膜を加圧することにより、当該加圧された部分が導電性を示すとともに、第２電極層が形成された第１基板と補助配線が形成された第２基板とが接合される。   The resin film in which conductive fine particles are dispersed exhibits conductivity when the pressurized portion is in a high density state of the fine particles. By pressurizing the resin film with the second electrode layer and the auxiliary wiring, the pressed portion exhibits conductivity, and the first substrate on which the second electrode layer is formed and the auxiliary wiring are formed. Two substrates are joined.

また、前記第２基板の第２主面は、窒化珪素あるいは酸化珪素を含む膜でコーティングされていることが好ましい。   The second main surface of the second substrate is preferably coated with a film containing silicon nitride or silicon oxide.

これにより、第１基板と第２基板との間に形成された有機発光層を含む領域の封止性が確保されるので、各発光画素の特性劣化を抑制することが可能となる。   Thereby, since the sealing property of the area | region containing the organic light emitting layer formed between the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate is ensured, it becomes possible to suppress the characteristic deterioration of each light emitting pixel.

また、本発明は、このような特徴的な手段を備える有機ＥＬ画像表示装置として実現することができるだけでなく、有機ＥＬ画像表示装置に含まれる特徴的な手段をステップとする有機ＥＬ画像表示装置の製造方法として実現することができる。   In addition, the present invention can be realized not only as an organic EL image display device including such characteristic means, but also as an organic EL image display device including the characteristic means included in the organic EL image display device as a step. It can be realized as a manufacturing method.

本発明によれば、発光画素レベルでの位置合わせを必要としない低コストの上層部補助配線構造を有するので、発光パネル上の輝度ばらつきが低減され、かつ、製造工程が簡略化された有機ＥＬ画像表示装置及び生産性に優れた有機ＥＬ画像表示装置の製造方法を提供できる。   According to the present invention, since it has a low-cost upper-layer auxiliary wiring structure that does not require alignment at the light-emitting pixel level, the luminance variation on the light-emitting panel is reduced, and the manufacturing process is simplified. An image display device and a method for producing an organic EL image display device excellent in productivity can be provided.

（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ画像表示装置の有する各構成要素の斜視図である。（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ画像表示装置の補助配線パターンを表す図である。（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ画像表示装置の構造断面図の一例である。(A) is a perspective view of each component which the organic EL image display apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention has. (B) is a figure showing the auxiliary | assistant wiring pattern of the organic electroluminescent image display apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. (C) is an example of a structural cross-sectional view of the organic EL image display device according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施の形態１に係る変形例を示す有機ＥＬ画像表示装置の補助配線パターンを表す図である。It is a figure showing the auxiliary | assistant wiring pattern of the organic electroluminescent image display apparatus which shows the modification based on Embodiment 1 of this invention. 有機ＥＬ画像表示装置の有する発光画素の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the light emission pixel which an organic electroluminescent image display apparatus has. 透明陰極の電位が発光パネルの位置により変化することを示す図である。It is a figure which shows that the electric potential of a transparent cathode changes with the position of a light emission panel. （ａ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ画像表示装置の発光パネル中央部における補助配線パターンを表す図である。（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ画像表示装置の発光パネル周辺部における補助配線パターンを表す図である。(A) is a figure showing the auxiliary | assistant wiring pattern in the center part of the light emission panel of the organic electroluminescent image display apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. (B) is a figure showing the auxiliary wiring pattern in the peripheral part of the light emission panel of the organic electroluminescent image display apparatus concerning Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ画像表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。It is process sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent image display apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ画像表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。It is process sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent image display apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の有機ＥＬ画像表示装置を内蔵した薄型フラットＴＶの外観図である。1 is an external view of a thin flat TV incorporating an organic EL image display device of the present invention. 特許文献１に記載された従来の画像表示装置の有する発光画素の構造断面図である。It is a structure sectional view of the luminescence pixel which the conventional image display device indicated in patent documents 1 has.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態および各図面において、同じ構成要素には同じ符号を付し説明する。また、以下では、上面発光方式の陽極（アノード）を第１電極、陰極（カソード）を第２電極とする有機ＥＬ素子からなる表示装置を例に説明するが、これに限られない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments and drawings, the same components will be described with the same reference numerals. In the following, a display device including an organic EL element in which a top emission type anode (anode) is a first electrode and a cathode (cathode) is a second electrode will be described as an example, but the present invention is not limited thereto.

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１における有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置（以下、有機ＥＬ画像表示装置と記す）は、二次元状に配置された複数の発光画素を備え、発光画素ごとに分離形成された第１電極層と上記複数の発光画素にわたり全面形成された第２電極層とで挟まれた有機発光層に電流が流れることにより発光する発光領域と、第２電極層が形成された非発光領域とを発光画素ごとに有し、第２電極層と導通した補助配線を備え、近接する複数の発光画素に対応した複数の発光領域の面積和に対する、当該複数の発光領域を補助配線が覆わない面積の比率である発光領域開口率は、当該近接する複数の発光画素に対応した複数の非発光領域の面積和に対する、当該複数の非発光領域を補助配線が覆わない面積の比率である非発光領域開口率と等しい。これにより、発光パネル上の輝度ばらつきを低減することが可能となる。しかも、発光領域と非発光領域とで、補助配線パターンを区別して形成する必要がない。よって、補助配線のアライメントを発光画素レベルで高精度に実施する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。 (Embodiment 1)
The organic electroluminescence image display device (hereinafter referred to as an organic EL image display device) in Embodiment 1 of the present invention includes a plurality of light emitting pixels arranged two-dimensionally, and is formed separately for each light emitting pixel. A light emitting region that emits light when an electric current flows through an organic light emitting layer sandwiched between one electrode layer and the second electrode layer formed over the entire surface of the plurality of light emitting pixels, and a non-light emitting region on which the second electrode layer is formed, For each light emitting pixel, the auxiliary wiring connected to the second electrode layer, and the area where the auxiliary wiring does not cover the plurality of light emitting areas with respect to the sum of the areas of the plurality of light emitting areas corresponding to the plurality of adjacent light emitting pixels. The ratio of the light emitting region aperture ratio is the ratio of the area where the auxiliary wiring does not cover the plurality of non-light emitting regions to the area sum of the plurality of non light emitting regions corresponding to the plurality of adjacent light emitting pixels. Equal frequency aperture ratio. Thereby, it is possible to reduce luminance variations on the light-emitting panel. In addition, it is not necessary to distinguish and form auxiliary wiring patterns in the light emitting region and the non-light emitting region. Therefore, it is not necessary to align the auxiliary wiring with high accuracy at the light emitting pixel level, and the manufacturing process can be simplified.

以下、本発明の実施の形態１における有機ＥＬ画像表示装置について、図面を用いて説明する。   Hereinafter, an organic EL image display device according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ画像表示装置の有する各構成要素の斜視図である。同図は、有機ＥＬ画像表示装置１の構成要素である、有機ＥＬ素子部１Ａ、補助配線部１Ｂ及び有機ＥＬ調光部１Ｃを分離した図である。   FIG. 1A is a perspective view of each component included in the organic EL image display device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a diagram in which the organic EL element unit 1A, the auxiliary wiring unit 1B, and the organic EL light control unit 1C, which are components of the organic EL image display device 1, are separated.

有機ＥＬ素子部１Ａは、複数の発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂが二次元状に配置されており、発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂのそれぞれは、赤色、緑色及び青色のサブ画素として機能し、基板１０１上に、陽極１０２と、隔壁１０３と、正孔輸送層１０４と、発光層１０５と、電子輸送層１０６と、陰極１０７とを備える。   In the organic EL element section 1A, a plurality of light emitting pixels 10R, 10G, and 10B are two-dimensionally arranged, and each of the light emitting pixels 10R, 10G, and 10B functions as a red, green, and blue sub-pixel. On 101, an anode 102, a partition wall 103, a hole transport layer 104, a light emitting layer 105, an electron transport layer 106 and a cathode 107 are provided.

補助配線部１Ｂは、補助配線シート１１１Ａと補助配線１１０とを備える。   The auxiliary wiring portion 1B includes an auxiliary wiring sheet 111A and an auxiliary wiring 110.

有機ＥＬ調光部１Ｃは、上基板１０８と、カラーフィルタ１０９Ｒ、１０９Ｇ及び１０９Ｂと、スペーサー１１２とを備える。   The organic EL light control unit 1 </ b> C includes an upper substrate 108, color filters 109 </ b> R, 109 </ b> G, and 109 </ b> B, and a spacer 112.

基板１０１は、第１基板である。基板１０１としては、特に限定されないが、例えば、ガラス基板、石英基板などが用いられる。また、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルホンなどのプラスチック基板を用いて、有機ＥＬ表示装置に曲げ性を付与することもできる。特に本実施の形態のように、上面発光方式の場合、不透明プラスチック基板やセラミック基板を用いることができる。   The substrate 101 is a first substrate. Although it does not specifically limit as the board | substrate 101, For example, a glass substrate, a quartz substrate, etc. are used. In addition, bendability can be imparted to the organic EL display device using a plastic substrate such as polyethylene terephthalate or polyethersulfone. In particular, as in this embodiment, in the case of the top emission method, an opaque plastic substrate or a ceramic substrate can be used.

陽極１０２は、基板１０１の上に発光画素ごとに分離形成された第１電極層であり、各発光画素に対応して離間して個別に設けられている。陽極１０２は、電気抵抗率が小さい材料を用いることが好ましく、例えば、例えば銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、鉄、白金、タングステン、鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタン、マンガン、インジウム、亜鉛、バナジウム、タンタル、ニオブ、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、パラジウム、銅、コバルトのうちのいずれかの金属、これらの金属の合金、またはそれらを積層したものを用いることできる。   The anode 102 is a first electrode layer that is separately formed on the substrate 101 for each light emitting pixel, and is separately provided corresponding to each light emitting pixel. The anode 102 is preferably made of a material having a low electrical resistivity. For example, silver, aluminum, nickel, chromium, molybdenum, copper, iron, platinum, tungsten, lead, tin, antimony, strontium, titanium, manganese, indium, for example. , Zinc, vanadium, tantalum, niobium, lanthanum, cerium, neodymium, samarium, europium, palladium, copper, cobalt, an alloy of these metals, or a laminate thereof can be used.

隔壁１０３は、基板１０１及び陽極１０２の上に形成され、正孔輸送層１０４、発光層１０５及び電子輸送層１０６の形成領域を規制し発光領域を発光画素ごとに分離する機能を有し、ポリイミド樹脂などの樹脂材料が用いられる。このとき、発光層１０５で発生する光が、隣接する発光層へ透過することを防止するために、例えばカーボン粒子などを樹脂中に含有させてもよい。   The partition wall 103 is formed on the substrate 101 and the anode 102, has a function of regulating the formation region of the hole transport layer 104, the light emitting layer 105, and the electron transport layer 106 and separating the light emitting region for each light emitting pixel. A resin material such as a resin is used. At this time, in order to prevent light generated in the light emitting layer 105 from being transmitted to the adjacent light emitting layer, for example, carbon particles may be included in the resin.

正孔輸送層１０４は、陽極１０２の上であって隔壁１０３の間に形成されており、陽極１０２から注入された正孔を発光層１０５内へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１０４としては、正孔輸送性の有機材料を用いることができる。正孔輸送性の有機材料とは、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を有する有機物質である。これは、ｐ型の有機半導体と呼ばれることもある。   The hole transport layer 104 is formed on the anode 102 and between the partition walls 103, and has a function of transporting holes injected from the anode 102 into the light emitting layer 105. As the hole transport layer 104, a hole transporting organic material can be used. The hole transporting organic material is an organic substance having a property of transferring generated holes by intermolecular charge transfer reaction. This is sometimes called a p-type organic semiconductor.

正孔輸送層１０４は、高分子材料でも低分子材料であってもよいが、湿式印刷法で製膜できることが好ましく、上層である発光層１０５を形成する際に、これに溶出しにくいよう、架橋剤を含むことが好ましい。正孔輸送性の材料の例としては、特に限定されるものではないが、芳香族アミンを用いることができ、好ましくはトリフェニルアミンの誘導体及びトリアリールアミン誘導体が用いられる。架橋剤の例としては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを用いることができる。   The hole transport layer 104 may be a high molecular material or a low molecular material, but it is preferable that the hole transport layer 104 can be formed by a wet printing method, and when the light emitting layer 105 as an upper layer is formed, the hole transport layer 104 is not easily eluted. It is preferable to include a crosslinking agent. An example of the hole transporting material is not particularly limited, but an aromatic amine can be used, and a triphenylamine derivative and a triarylamine derivative are preferably used. As an example of the crosslinking agent, dipentaerythritol hexaacrylate or the like can be used.

正孔輸送層１０４を形成する製膜法としては、特に限定されるものではないが、インクジェット法に代表されるノズルジェット法や、ディスペンサー法を用いることができる。この場合、インクジェット法は、インク化した有機成膜材料をノズルから噴射して、正孔輸送層１０４を形成する方法である。   A film forming method for forming the hole transport layer 104 is not particularly limited, and a nozzle jet method represented by an ink jet method and a dispenser method can be used. In this case, the ink jet method is a method in which the hole transport layer 104 is formed by ejecting an ink-formed organic film forming material from a nozzle.

発光層１０５は、正孔輸送層１０４、電子輸送層１０６及び隔壁１０３に囲まれ、発光層１０５に注入された電子と正孔の再結合により発生する光を陰極１０７面側から放出する。発光層１０５は、低分子系または高分子系の有機発光材料を用いることができる。高分子系の発光材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンなどのポリマー発光材料などを用いることができる。また、低分子系の発光材料としては、Ａｌｑ3やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ2）の他に、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，５−ビス（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾールなどのベンゾオキサゾール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤や、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕などの８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオンなどの金属キレート化オキシノイド化合物や、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼンなどのスチリルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジンなどのジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体などが用いられる。さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネンなども用いられる。あるいは、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光発光材料を用いることもできる。 The light emitting layer 105 is surrounded by the hole transport layer 104, the electron transport layer 106, and the partition wall 103, and emits light generated by recombination of electrons and holes injected into the light emitting layer 105 from the surface of the cathode 107. The light-emitting layer 105 can be formed using a low-molecular or high-molecular organic light-emitting material. As the polymer light-emitting material, for example, a polymer light-emitting material such as polyparaphenylene vinylene (PPV) or polyfluorene can be used. Moreover, as a low molecular weight light emitting material, in addition to Alq 3 and Be-benzoquinolinol (BeBq 2 ), 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl)- 1,3,4-thiadiazole, 4,4'-bis (5,7-benzyl-2-benzoxazolyl) stilbene, 4,4'-bis [5,7-di- (2-methyl-2- Butyl) -2-benzoxazolyl] stilbene, 2,5-bis (5,7-di-t-benzyl-2-benzoxazolyl) thiophine, 2,5-bis ([5-α, α- Dimethylbenzyl] -2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] -3,4-diphenylthiophene, 2,5-bis (5-methyl-2-benzoxazolyl) thio 4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl, 5-methyl-2- [2- [4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazo Benzoxazoles such as ril, 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl] naphtho [1,2-d] oxazole, benzothiazoles such as 2,2 ′-(p-phenylenedivinylene) -bisbenzothiazole , 2- [2- [4- (2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl] benzimidazole, 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl] benzimidazole, and other fluorescent whitening agents such as Tris, (8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) magnesium, bis (benzo [f] -8-quinolinol) zinc, bis 2-methyl-8-quinolinolate) aluminum oxide, tris (8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, 8-quinolinol lithium, tris (5-chloro-8-quinolinol) gallium, bis ( Metal-chelating oxinoid compounds such as 8-hydroxyquinoline-based metal complexes such as 5-chloro-8-quinolinol) calcium and poly [zinc-bis (8-hydroxy-5-quinolinonyl) methane] and dilithium ependridione 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4- (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2 -Ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) ben , Styrylbenzene compounds such as 1,4-bis (2-methylstyryl) 2-methylbenzene, 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine 2,5-bis [2- (1-naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine, 2, Distylpyrazine derivatives such as 5-bis [2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine, naphthalimide derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivatives, Coumarin derivatives and aromatic dimethylidin derivatives are used. Furthermore, anthracene, salicylate, pyrene, coronene and the like are also used. Alternatively, a phosphorescent material such as fac-tris (2-phenylpyridine) iridium can be used.

電子輸送層１０６は、発光層１０５の上であって隔壁１０３の間に形成され、電子輸送性の材料を主成分とする層である。電子輸送性の材料とは、電子アクセプター性を有し陰イオンになりやすい性質と、発生した電子を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、陰極１０７から発光層１０５までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。電子輸送層１０６としては、例えば、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）などのオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料など、あるいは、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−（パラ−フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、バソフプロイン（ＢＣＰ）などが用いられる。このとき、例えば、リチウム、ナトリウム、カルシウム、ルビジウム、セシウム、フランシムなどのアルカリ金属および、例えばマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウムアルカリ土類金属のうち少なくとも一方を主成分とする金属の層を積層した後、電子輸送層１０６を構成してもよい。また、金属の層として、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を２種類以上含有していてもよい。   The electron transport layer 106 is formed on the light emitting layer 105 and between the partition walls 103, and is a layer mainly composed of an electron transport material. The material having an electron transporting property has both the property of having an electron accepting property and easily becoming an anion, and the property of transmitting generated electrons by a charge transfer reaction between molecules, and is used for charge transport from the cathode 107 to the light emitting layer 105. It is a material that has appropriateness to it. Examples of the electron transport layer 106 include oxadiazole derivatives such as 1,3-bis (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) phenylene (OXD-7), anthraquinodimethane derivatives, and diphenyl. Polymer materials such as quinone derivatives and silole derivatives, bis (2-methyl-8-quinolinolate)-(para-phenylphenolate) aluminum (BAlq), bathopproin (BCP), and the like are used. At this time, for example, an alkali metal such as lithium, sodium, calcium, rubidium, cesium, and francci and a metal layer mainly composed of at least one of magnesium, calcium, strontium, barium, and radium alkaline earth metal are laminated. After that, the electron transport layer 106 may be formed. In addition, the metal layer may contain two or more kinds of alkali metals and alkaline earth metals.

陰極１０７は、電子輸送層１０６及び隔壁１０３を覆うように形成され、全ての発光画素にわたり全面形成された第２電極層であり、各発光画素に連続して設けられた透明電極である。陰極１０７は、特に限定されないが、上面発光方式の場合、インジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物を用いることが好ましい。   The cathode 107 is a second electrode layer that is formed so as to cover the electron transport layer 106 and the partition wall 103 and is formed over the entire surface of all the light emitting pixels, and is a transparent electrode that is continuously provided in each light emitting pixel. The cathode 107 is not particularly limited, but in the case of a top emission method, it is preferable to use indium tin oxide or indium zinc oxide.

補助配線シート１１１Ａは、熱可塑性樹脂からなる第２基板であり、例えば、融点が９８〜１１５℃であるポリエチレンである。また、補助配線シート１１１Ａの第１主面には補助配線１１０が形成されている。   The auxiliary wiring sheet 111A is a second substrate made of a thermoplastic resin, and is, for example, polyethylene having a melting point of 98 to 115 ° C. An auxiliary wiring 110 is formed on the first main surface of the auxiliary wiring sheet 111A.

図１（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ画像表示装置の補助配線パターンを表す図である。同図に記載された補助配線１１０の配線パターンは、格子状であり、材料は、例えば、銅を主成分とする金属である。   FIG. 1B is a diagram illustrating an auxiliary wiring pattern of the organic EL image display device according to Embodiment 1 of the present invention. The wiring pattern of the auxiliary wiring 110 shown in the figure is in a lattice shape, and the material is, for example, a metal whose main component is copper.

また、発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂは、それぞれ、発光領域及び非発光領域を有する。発光領域は各発光画素の中央に配置され、上述した陽極１０２と、隔壁１０３と、正孔輸送層１０４と、発光層１０５と、電子輸送層１０６と、陰極１０７とを含む領域である。一方、非発光領域は、各発光画素の周辺に配置され、上述した隔壁１０３と陰極１０７とを含む領域である。   The light emitting pixels 10R, 10G, and 10B each have a light emitting region and a non-light emitting region. The light emitting region is disposed in the center of each light emitting pixel, and includes the above-described anode 102, partition wall 103, hole transport layer 104, light emitting layer 105, electron transport layer 106, and cathode 107. On the other hand, the non-light emitting region is a region that is arranged around each light emitting pixel and includes the partition wall 103 and the cathode 107 described above.

補助配線１１０は、発光領域と非発光領域とで、配線パターンに差異がない。つまり、発光領域の面積に対する、補助配線１１０が覆う当該発光領域の面積の比率は、非発光領域の面積に対する、補助配線１１０が覆う当該発光領域の面積の比率と等しい。   The auxiliary wiring 110 has no difference in wiring pattern between the light emitting area and the non-light emitting area. That is, the ratio of the area of the light emitting region covered by the auxiliary wiring 110 to the area of the light emitting region is equal to the ratio of the area of the light emitting region covered by the auxiliary wiring 110 to the area of the non-light emitting region.

また、発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂのそれぞれにおいて、補助配線１１０が覆う発光領域の面積は、当該発光領域の面積の５０％以下であることが好ましい。さらに好ましくは、補助配線１１０が覆う発光領域の面積は、当該発光領域の面積の２０％以下である。   In each of the light emitting pixels 10R, 10G, and 10B, the area of the light emitting region covered by the auxiliary wiring 110 is preferably 50% or less of the area of the light emitting region. More preferably, the area of the light emitting region covered by the auxiliary wiring 110 is 20% or less of the area of the light emitting region.

これにより、発光層１０５で発光した光が陰極１０７及び補助配線１１０を通過して外部へ放射される場合に必要とされる発光量が確保される。   Thereby, the light emission amount required when the light emitted from the light emitting layer 105 passes through the cathode 107 and the auxiliary wiring 110 and is emitted to the outside is ensured.

補助配線１１０の配線パターンの形状は、発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂのサイズが、それぞれ、１００μｍ×３００μｍであるのに対し、例えば、線幅が１０μｍ、高さが５μｍ、及びピッチが２００μｍである。   Regarding the shape of the wiring pattern of the auxiliary wiring 110, the size of the light emitting pixels 10R, 10G, and 10B is 100 μm × 300 μm, respectively. For example, the line width is 10 μm, the height is 5 μm, and the pitch is 200 μm. .

図１（ａ）に記載されたように、陰極１０７と、補助配線シート１１１Ａの第１主面とを対面させて接合することにより、当該第１主面上に形成された補助配線１１０は、隔壁１０３上の陰極１０７と接触する。これにより、補助配線１１０と陰極１０７とは、複数の発光画素が二次元状に配置された発光パネルにわたり均一に導通する。   As described in FIG. 1A, the auxiliary wiring 110 formed on the first main surface by bonding the cathode 107 and the first main surface of the auxiliary wiring sheet 111 </ b> A to face each other, It contacts the cathode 107 on the partition wall 103. As a result, the auxiliary wiring 110 and the cathode 107 are uniformly conducted over a light emitting panel in which a plurality of light emitting pixels are two-dimensionally arranged.

上述した補助配線１１０の配線パターン形状および上記構成により、陰極１０７上に形成される補助配線１１０のアライメントを発光画素レベルで高精度に実施する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。さらには、補助配線１１０の形成において高精度なアライメントを必要としないので、補助配線１１０形成用の基板として熱収縮などによる面方向の位置ずれを抑制した、熱膨張係数の小さいガラス基板を限定使用する必要がない。よって、本実施の形態のように、樹脂からなる補助配線シート１１１Ａなどの低コスト材料を使用することが可能となる。補助配線シート１１１Ａは、湾曲性を有することも可能となる。   With the above-described wiring pattern shape of the auxiliary wiring 110 and the above configuration, the alignment of the auxiliary wiring 110 formed on the cathode 107 does not need to be performed with high accuracy at the light emitting pixel level, and the manufacturing process can be simplified. It becomes. Furthermore, since high-precision alignment is not required in forming the auxiliary wiring 110, a glass substrate with a small thermal expansion coefficient that suppresses positional deviation in the surface direction due to thermal shrinkage or the like is used as a substrate for forming the auxiliary wiring 110. There is no need to do. Therefore, as in the present embodiment, it is possible to use a low-cost material such as the auxiliary wiring sheet 111A made of resin. The auxiliary wiring sheet 111A can also be curved.

また、非発光領域上においても透明性が確保され得るので、例えば、非発光領域を構成する隔壁１０３の透明度により、高コントラストまたはシースルーの発光パネルを実現することが可能となる。   In addition, since transparency can be ensured even in the non-light emitting region, for example, a high-contrast or see-through light-emitting panel can be realized by the transparency of the partition wall 103 constituting the non-light emitting region.

また、陽極１０２、発光層１０５及び陰極１０７と、補助配線１１０とは、別基板上に形成されるので、補助配線１１０の製膜工程やパターニング工程により、発光層１０５や陰極１０７がダメージを受けることがない。   Further, since the anode 102, the light emitting layer 105 and the cathode 107, and the auxiliary wiring 110 are formed on different substrates, the light emitting layer 105 and the cathode 107 are damaged by the film forming process and the patterning process of the auxiliary wiring 110. There is nothing.

また、補助配線シート１１１Ａは、導電性であることが好ましい。これにより、補助配線１１０と陰極１０７とが直接接触していなくとも、それらの間に導電性の樹脂膜層が介在していることにより、補助配線１１０と陰極１０７とを導通させることが可能となる。   The auxiliary wiring sheet 111A is preferably conductive. As a result, even if the auxiliary wiring 110 and the cathode 107 are not in direct contact with each other, the auxiliary wiring 110 and the cathode 107 can be electrically connected because the conductive resin film layer is interposed therebetween. Become.

さらに、補助配線シート１１１Ａは、導電性の微粒子が分散した樹脂膜であることが好ましい。導電性の微粒子が分散した樹脂膜は、加圧された部分が当該微粒子の高密度状態となることにより導電性を示すものである。陰極１０７と補助配線１１０とで挟まれた上記樹脂膜を加圧することにより、当該加圧された部分が導電性を示すとともに、陰極１０７が形成された基板１０１と補助配線１１０が形成された補助配線シート１１１Ａとが接合される。   Furthermore, the auxiliary wiring sheet 111A is preferably a resin film in which conductive fine particles are dispersed. The resin film in which conductive fine particles are dispersed exhibits conductivity when the pressurized portion is in a high density state of the fine particles. By pressurizing the resin film sandwiched between the cathode 107 and the auxiliary wiring 110, the pressed portion exhibits conductivity, and the substrate 101 on which the cathode 107 is formed and the auxiliary wiring 110 is formed. The wiring sheet 111A is joined.

なお、上記格子状の補助配線パターンは、図１（ｂ）に記載された補助配線パターンのように、画素列の方向に対して面内に傾斜していることが好ましい。これにより、行列状に配置された複数の発光画素と補助配線の配線パターンとの干渉により発生するモアレ（干渉縞）を抑止することが可能となる。   The grid-like auxiliary wiring pattern is preferably inclined in the plane with respect to the direction of the pixel column, like the auxiliary wiring pattern described in FIG. As a result, it is possible to suppress moire (interference fringes) caused by interference between the plurality of light emitting pixels arranged in a matrix and the wiring pattern of the auxiliary wiring.

また、格子状の補助配線パターンは、画素列の方向に対して面内に傾斜していなくてもよい。   The grid-like auxiliary wiring pattern may not be inclined in the plane with respect to the direction of the pixel column.

図２は、本発明の実施の形態１に係る変形例を示す有機ＥＬ画像表示装置の補助配線パターンを表す図である。同図に記載された補助配線１２０の補助配線パターンは格子状であるが、画素列の方向に対して面内に傾斜していない。このような配線パターンであっても、例えば、配線ピッチを適切に設定することにより、上述したモアレを回避することが可能となる。   FIG. 2 is a diagram showing an auxiliary wiring pattern of the organic EL image display device showing a modification according to Embodiment 1 of the present invention. The auxiliary wiring pattern of the auxiliary wiring 120 shown in the figure has a lattice shape, but is not inclined in the plane with respect to the direction of the pixel column. Even with such a wiring pattern, for example, the moire described above can be avoided by appropriately setting the wiring pitch.

なお、補助配線１１０及び１２０と陰極１０７とは、発光画素ごとに接触する必要はなく、複数の発光画素ごとに接触する構成をとってもよい。また、発光パネルの大きさや画素数に応じて、補助配線１１０のピッチや形状を決定することが可能である。   The auxiliary wirings 110 and 120 and the cathode 107 do not need to be in contact with each light emitting pixel, and may be configured to be in contact with each of a plurality of light emitting pixels. Further, the pitch and shape of the auxiliary wiring 110 can be determined in accordance with the size of the light-emitting panel and the number of pixels.

上基板１０８は、発光パネルの発光面を保護する第３基板であり、例えば、厚みが０．５ｍｍである透明の無アルカリガラスである。   The upper substrate 108 is a third substrate that protects the light emitting surface of the light emitting panel, and is, for example, transparent alkali-free glass having a thickness of 0.5 mm.

カラーフィルタ１０９Ｒ、１０９Ｇ及び１０９Ｂは、それぞれ、発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂの発光領域を覆うように上基板１０８の第１主面上に形成されており、赤、緑及び青の色調整を行う機能を有する。   The color filters 109R, 109G, and 109B are formed on the first main surface of the upper substrate 108 so as to cover the light emitting regions of the light emitting pixels 10R, 10G, and 10B, respectively, and perform red, green, and blue color adjustment. It has a function.

スペーサー１１２は、隔壁１０３の上に配置されるように上基板１０８の第１主面上に形成されており、加圧によりその下部に配置された補助配線１１０と隔壁１０３とを接触させる機能を有する。スペーサー１１２は、例えば、透明プラスチックまたはアクリルなどからなり、高さは１０μｍである。   The spacer 112 is formed on the first main surface of the upper substrate 108 so as to be disposed on the partition wall 103, and has a function of bringing the auxiliary wiring 110 disposed below the partition wall 103 into contact with the partition wall 103 under pressure. Have. The spacer 112 is made of, for example, transparent plastic or acrylic and has a height of 10 μm.

図１（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ画像表示装置の構造断面図の一例である。同図に記載された有機ＥＬ画像表示装置１は、図１（ａ）に記載された有機ＥＬ画像表示装置１の各構成要素である有機ＥＬ素子部１Ａ、補助配線部１Ｂ及び有機ＥＬ調光部１Ｃを実際に一体化形成したものである。図１（ｃ）に記載された有機ＥＬ画像表示装置１では、図１（ａ）で示した補助配線シート１１１Ａと、補助配線シート１１１Ａの上に塗布された図示していない封止用樹脂１１１Ｂとが熱処理により一体化され、樹脂膜層１１１となっている。封止用樹脂１１１Ｂについては、有機ＥＬ画像表示装置の製造方法にて説明する。   FIG. 1C is an example of a structural cross-sectional view of the organic EL image display device according to Embodiment 1 of the present invention. The organic EL image display device 1 shown in FIG. 1 includes an organic EL element portion 1A, an auxiliary wiring portion 1B, and an organic EL dimming device that are components of the organic EL image display device 1 shown in FIG. The part 1C is actually integrally formed. In the organic EL image display device 1 shown in FIG. 1C, the auxiliary wiring sheet 111A shown in FIG. 1A and a sealing resin 111B (not shown) applied on the auxiliary wiring sheet 111A. Are integrated by heat treatment to form a resin film layer 111. The sealing resin 111B will be described in the method for manufacturing the organic EL image display device.

また、図１（ｃ）に記載されたように、本実施の形態では、スペーサー１１２の加圧により、補助配線１１０と陰極１０７とは、隔壁１０３の上で接合されている。   In addition, as described in FIG. 1C, in this embodiment, the auxiliary wiring 110 and the cathode 107 are bonded on the partition wall 103 by pressurization of the spacer 112.

この構成により、陰極１０７と補助配線１１０とが発光画素レベルで導通しているので配線抵抗による発光パネル上の輝度ばらつきを低減することが可能となる。しかも、図１（ｂ）に記載された補助配線１１０の配線パターンにより、発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂのそれぞれにおいて、発光領域上における補助配線１１０の配線パターンは、非発光領域上における補助配線１１０の配線パターンと同じである。   With this configuration, since the cathode 107 and the auxiliary wiring 110 are electrically connected at the light emitting pixel level, it is possible to reduce luminance variation on the light emitting panel due to wiring resistance. In addition, according to the wiring pattern of the auxiliary wiring 110 illustrated in FIG. 1B, the wiring pattern of the auxiliary wiring 110 on the light emitting region in each of the light emitting pixels 10R, 10G, and 10B is the auxiliary wiring 110 on the non-light emitting region. This is the same as the wiring pattern.

ここで、発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂの有する駆動回路と、有機ＥＬ素子部１Ａ、補助配線部１Ｂ及び有機ＥＬ調光部１Ｃとの関係について説明する。   Here, the relationship between the drive circuit of the light emitting pixels 10R, 10G, and 10B and the organic EL element unit 1A, the auxiliary wiring unit 1B, and the organic EL dimming unit 1C will be described.

図３は、有機ＥＬ画像表示装置の有する発光画素の回路構成図である。同図に記載された発光画素１０は、駆動回路部１０１Ａと発光回路部１００Ａとを備える。発光回路部１００Ａは、図１（ａ）に記載された有機ＥＬ素子部１Ａ、補助配線部１Ｂ及び有機ＥＬ調光部１Ｃの等価回路である。また、駆動回路部１０１Ａは、基板１０１の内部に形成された駆動回路である。   FIG. 3 is a circuit configuration diagram of a light emitting pixel included in the organic EL image display device. The light emitting pixel 10 shown in the figure includes a drive circuit unit 101A and a light emitting circuit unit 100A. The light emitting circuit unit 100A is an equivalent circuit of the organic EL element unit 1A, the auxiliary wiring unit 1B, and the organic EL dimming unit 1C illustrated in FIG. The drive circuit unit 101 </ b> A is a drive circuit formed inside the substrate 101.

駆動回路部１０１Ａは、駆動素子としてＮｃｈ−ＦＥＴからなるスイッチングトランジスタＴｒ１と、Ｐｃｈ−ＦＥＴからなる駆動トランジスタＴｒ２と、保持容量Ｃとを備える。そして、Ｔｒ１のドレイン電極はデータ線と、Ｔｒ１のゲート電極は走査線と、さらにＴｒ１のソース電極は、保持容量ＣとＴｒ２のゲート電極とに接続されている。また、Ｔｒ２のドレイン電極は電源Ｖｄｄと、Ｔｒ２のソース電極は発光回路部１００Ａの陽極１０２と接続されている。この構成において、走査線に選択信号が入力され、Ｔｒ１を開状態にすると、データ線を介して供給されたデータ信号が電圧値として保持容量Ｃに書き込まれる。そして、保持容量Ｃに書き込まれた保持電圧は、１フレーム期間を通じて保持され、この保持電圧により、Ｔｒ２のコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光階調に対応した順バイアス電流が陽極１０２に供給される。さらに、陽極１０２に供給された順バイアス電流は、正孔輸送層１０４、発光層１０５、電子輸送層１０６及び陰極１０７を介し、接地された補助配線１１０へ流れる。これにより、発光層１０５が電流に応じて発光し画像として表示される。   The drive circuit unit 101A includes a switching transistor Tr1 made of Nch-FET, a drive transistor Tr2 made of Pch-FET, and a storage capacitor C as drive elements. The drain electrode of Tr1 is connected to the data line, the gate electrode of Tr1 is connected to the scanning line, and the source electrode of Tr1 is connected to the storage capacitor C and the gate electrode of Tr2. The drain electrode of Tr2 is connected to the power source Vdd, and the source electrode of Tr2 is connected to the anode 102 of the light emitting circuit unit 100A. In this configuration, when a selection signal is input to the scanning line and Tr1 is opened, the data signal supplied via the data line is written to the holding capacitor C as a voltage value. Then, the holding voltage written in the holding capacitor C is held throughout one frame period, and by this holding voltage, the conductance of Tr2 changes in an analog manner, and a forward bias current corresponding to the light emission gradation is supplied to the anode 102. The Further, the forward bias current supplied to the anode 102 flows to the grounded auxiliary wiring 110 through the hole transport layer 104, the light emitting layer 105, the electron transport layer 106 and the cathode 107. Thereby, the light emitting layer 105 emits light according to the current and is displayed as an image.

図４は、透明陰極の電位が発光パネルの位置により変化することを示す図である。図４に記載された発光パネルには、二次元状の発光画素１０が配置され、その上方に陰極１０７が全面に形成されている。ここで、発光パネルに補助配線１１０が形成されていない場合、陰極１０７の接地電位は、破線Ｘで示されたような電圧降下特性を示す。つまり、発光パネルの外周部で接地電位に接続された陰極１０７は、発光パネルの中央部になるほど電圧降下が大きくなる。これに対し、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ画像表示装置では、陰極１０７の接地電位は、実線Ｙで示されたような電圧降下特性を示す。つまり、陰極１０７の表面全体に補助配線１１０が形成され、発光パネルの至る所で陰極１０７が接地電位に設定されるので、電圧降下が抑制される。これは、図３に記載された発光回路部１００Ａの抵抗Ｒが小さく、各発光画素の位置により抵抗Ｒが異ならないことによるものである。   FIG. 4 is a diagram showing that the potential of the transparent cathode changes depending on the position of the light emitting panel. In the light-emitting panel shown in FIG. 4, a two-dimensional light-emitting pixel 10 is arranged, and a cathode 107 is formed over the entire surface thereof. Here, when the auxiliary wiring 110 is not formed on the light emitting panel, the ground potential of the cathode 107 exhibits a voltage drop characteristic as indicated by a broken line X. That is, the voltage drop of the cathode 107 connected to the ground potential at the outer peripheral portion of the light-emitting panel increases toward the center of the light-emitting panel. On the other hand, in the organic EL image display device according to Embodiment 1 of the present invention, the ground potential of the cathode 107 exhibits a voltage drop characteristic as shown by the solid line Y. That is, the auxiliary wiring 110 is formed over the entire surface of the cathode 107, and the cathode 107 is set to the ground potential throughout the light emitting panel, so that a voltage drop is suppressed. This is because the resistance R of the light emitting circuit unit 100A illustrated in FIG. 3 is small, and the resistance R does not differ depending on the position of each light emitting pixel.

なお図３は、有機ＥＬ画像表示装置の主要な回路構成の一例であって、他の回路構成であっても適宜本発明に適応できることは言うまでもない。例えば、駆動素子のドレイン電極に陽極１０２が接続された回路構成であっても、同様の効果を奏する。   FIG. 3 is an example of the main circuit configuration of the organic EL image display device, and it goes without saying that other circuit configurations can be applied to the present invention as appropriate. For example, the same effect can be obtained even in a circuit configuration in which the anode 102 is connected to the drain electrode of the drive element.

（実施の形態２）
図５（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ画像表示装置の発光パネル中央部における補助配線パターンを表す図である。また、図５（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ画像表示装置の発光パネル周辺部における補助配線パターンを表す図である。本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ画像表示装置２は、実施の形態１に係る有機ＥＬ画像表示装置１と比較して、補助配線パターンのみが異なる。実施の形態１と同じ点は説明を省略し、以下、異なる点のみ説明する。 (Embodiment 2)
FIG. 5A is a diagram showing an auxiliary wiring pattern in the central portion of the light emitting panel of the organic EL image display device according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 5B is a diagram showing an auxiliary wiring pattern in the periphery of the light emitting panel of the organic EL image display device according to Embodiment 2 of the present invention. The organic EL image display device 2 according to the second embodiment of the present invention differs from the organic EL image display device 1 according to the first embodiment only in the auxiliary wiring pattern. The description of the same points as in the first embodiment will be omitted, and only different points will be described below.

図５（ａ）及び図５（ｂ）に記載された補助配線１１０Ｃ及び１１０Ｐの配線パターンは、ともに格子状であり、材料は、例えば、銅を主成分とする金属である。この配線パターンの形状は、発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂのサイズが、それぞれ、１００μｍ×３００μｍであるのに対し、例えば、補助配線１１０Ｃは、線幅が１５μｍ、高さが５μｍ、及びピッチが２００μｍであり、補助配線１１０Ｐは、線幅が５μｍ、高さが５μｍ、及びピッチが２００μｍである。   The wiring patterns of the auxiliary wirings 110C and 110P described in FIGS. 5A and 5B are both in a lattice shape, and the material is, for example, a metal whose main component is copper. As for the shape of the wiring pattern, the size of the light emitting pixels 10R, 10G, and 10B is 100 μm × 300 μm, respectively. For example, the auxiliary wiring 110C has a line width of 15 μm, a height of 5 μm, and a pitch of 200 μm. The auxiliary wiring 110P has a line width of 5 μm, a height of 5 μm, and a pitch of 200 μm.

つまり、補助配線１１０Ｃと補助配線１１０Ｐとは、線幅のみが異なり、補助配線の線幅は、発光パネルの中心部の方が発光パネルの周辺部よりも広い。また、発光パネルの中央部と周辺部との間の補助配線の線幅は、例えば、線幅が１５μｍから５μｍへと滑らかに変化している。   That is, the auxiliary wiring 110C and the auxiliary wiring 110P differ only in line width, and the line width of the auxiliary wiring is wider at the central portion of the light emitting panel than at the peripheral portion of the light emitting panel. In addition, the line width of the auxiliary wiring between the central portion and the peripheral portion of the light emitting panel smoothly changes from, for example, 15 μm to 5 μm.

図４に記載されたように、発光パネルに補助配線が配置されていない場合、陰極１０７の電圧降下は発光パネル上の位置により異なり、発光パネルの中央部の方が大きい。一方、本実施の形態のような配線パターンをとることにより、補助配線自体は、線幅の広い中央部の方が周辺部よりも配線抵抗が小さくなる。このような配線抵抗の傾斜を有する補助配線と、上述した電圧降下の特性を有する陰極１０７とが発光パネル全体において接続されることにより、陰極１０７の電圧降下を発光パネルの場所によらず均一化させることが可能となる。これにより、配線抵抗による発光パネル上の輝度ばらつきを、実施の形態１に係る有機ＥＬ画像表示装置１よりもさらに低減することが可能となる。   As shown in FIG. 4, when the auxiliary wiring is not arranged on the light emitting panel, the voltage drop of the cathode 107 differs depending on the position on the light emitting panel, and is larger at the center of the light emitting panel. On the other hand, by adopting the wiring pattern as in the present embodiment, the auxiliary wiring itself has a wiring resistance that is smaller in the central portion where the line width is wider than in the peripheral portion. By connecting the auxiliary wiring having such an inclination of the wiring resistance and the cathode 107 having the above-described voltage drop characteristic in the entire light emitting panel, the voltage drop of the cathode 107 is made uniform regardless of the location of the light emitting panel. It becomes possible to make it. Thereby, it is possible to further reduce the luminance variation on the light-emitting panel due to the wiring resistance as compared with the organic EL image display device 1 according to the first embodiment.

なお、上記格子状の補助配線パターンは、図５（ａ）及び図５（ｂ）に記載された補助配線パターンのように、画素列の方向に対して面内に傾斜していることが好ましい。これにより、行列状に配置された複数の発光画素と補助配線の配線パターンとの干渉により発生するモアレ（干渉縞）を抑止することが可能となる。   Note that the grid-like auxiliary wiring pattern is preferably inclined in the plane with respect to the direction of the pixel column, like the auxiliary wiring patterns described in FIGS. 5A and 5B. . As a result, it is possible to suppress moire (interference fringes) caused by interference between the plurality of light emitting pixels arranged in a matrix and the wiring pattern of the auxiliary wiring.

実施の形態１では、発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂのそれぞれにおいて、発光領域上における補助配線１１０の配線パターンは、非発光領域上における補助配線１１０の配線パターンと同じである。これに対し、本実施の形態では、発光パネル上の位置により、配線パターンの線幅が異なるので、発光画素１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂのそれぞれにおいて、発光領域上における補助配線の配線パターンは、非発光領域上における補助配線の配線パターンとは厳密には異なる場合がある。   In the first embodiment, in each of the light emitting pixels 10R, 10G, and 10B, the wiring pattern of the auxiliary wiring 110 on the light emitting region is the same as the wiring pattern of the auxiliary wiring 110 on the non-light emitting region. On the other hand, in the present embodiment, the line width of the wiring pattern varies depending on the position on the light-emitting panel. Therefore, in each of the light emitting pixels 10R, 10G, and 10B, the wiring pattern of the auxiliary wiring on the light emitting region is non-light emitting. The wiring pattern of the auxiliary wiring on the region may be strictly different.

つまり、本実施の形態においては、近接する複数の発光画素に対応した複数の発光領域の面積和に対する、当該複数の発光領域のうち補助配線が覆わない領域の面積の比率である発光領域開口率は、前記近接する複数の発光画素に対応した複数の非発光領域の面積和に対する、当該複数の非発光領域のうち補助配線が覆わない領域の面積の比率である非発光領域開口率と等しい。   That is, in the present embodiment, the light emitting region aperture ratio, which is the ratio of the area of the plurality of light emitting regions not covered by the auxiliary wiring to the area sum of the plurality of light emitting regions corresponding to the plurality of adjacent light emitting pixels. Is equal to the non-light-emitting area aperture ratio, which is the ratio of the area of the plurality of non-light-emitting areas not covered by the auxiliary wiring to the area sum of the plurality of non-light-emitting areas corresponding to the plurality of adjacent light-emitting pixels.

この構成により、陰極１０７と補助配線とが導通しているので配線抵抗による発光パネル上の輝度ばらつきを低減することが可能となる。しかも、発光領域開口率と非発光領域開口率とが等しいので、発光領域と非発光領域とで、補助配線パターンを区別して形成する必要がない。よって、陰極１０７上に形成される補助配線のアライメントを発光画素レベルで高精度に実施する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。さらには、補助配線の形成において高精度なアライメントを必要としないので、補助配線用の基板として熱収縮などによる面方向の位置ずれを抑制した、熱膨張係数の小さいガラス基板を限定使用する必要がない。よって、例えば、樹脂基板などの低コスト材料を使用することが可能となる。また、例えば、補助配線用の基板として、低コストかつ湾曲性を有するフィルム基板を用いることができる。   With this configuration, since the cathode 107 and the auxiliary wiring are electrically connected, it is possible to reduce luminance variation on the light-emitting panel due to wiring resistance. In addition, since the aperture ratio of the light emitting area and the aperture ratio of the non-light emitting area are equal, it is not necessary to separately form the auxiliary wiring pattern in the light emitting area and the non-light emitting area. Accordingly, it is not necessary to align the auxiliary wiring formed on the cathode 107 with high accuracy at the light emitting pixel level, and the manufacturing process can be simplified. Furthermore, since high-precision alignment is not required in the formation of the auxiliary wiring, it is necessary to limit the use of a glass substrate with a small thermal expansion coefficient that suppresses positional deviation in the surface direction due to thermal shrinkage as a substrate for the auxiliary wiring. Absent. Therefore, for example, a low-cost material such as a resin substrate can be used. For example, a low-cost and flexible film substrate can be used as the substrate for auxiliary wiring.

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１及び２に係る有機ＥＬ画像表示装置１及び２の製造方法について説明する。 (Embodiment 3)
In the present embodiment, a method for manufacturing organic EL image display devices 1 and 2 according to Embodiments 1 and 2 will be described.

図６及び図７は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ画像表示装置の製造方法を説明する工程断面図である。図６及び図７に記載された工程断面図は、代表として実施の形態１に係る有機ＥＬ画像表示装置１の製造方法を説明する工程断面図であるが、実施の形態２に係る有機ＥＬ画像表示装置２の製造方法についても同様である。   6 and 7 are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an organic EL image display device according to an embodiment of the present invention. 6 and 7 are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic EL image display device 1 according to the first embodiment as a representative, but the organic EL image according to the second embodiment. The same applies to the manufacturing method of the display device 2.

まず、図６（ａ）に示すように、第１基板である基板１０１上に、スパッタ法により、モリブデン９７％、クロム３％からなる膜厚１００ｎｍの金属薄膜を形成する。そして、感光性レジストを用いるフォトリソグラフィ法とエッチングによるパターニング工程、および感光性レジストの剥離工程を経て、当該金属薄膜を所定の陽極形状にパターニングし、第１電極層である陽極１０２を形成する。エッチング液としては、燐酸、硝酸、酢酸の混合溶液を用いる。ここで基板１０１は、特に限定されるものではないが、駆動回路部１０１Ａを含むものである。よって、ガラス基板及び石英基板などの上に、シリコン半導体系、金属酸化物半導体系及び有機半導体系の材料が積層されたものであってもよい。また、基板１０１の最表面としては、トランジスタアレイ層の凸凹を均一化する目的で平坦化層を設けることが好ましい。   First, as shown in FIG. 6A, a metal thin film having a thickness of 100 nm made of molybdenum 97% and chromium 3% is formed on a substrate 101 which is a first substrate by sputtering. Then, the metal thin film is patterned into a predetermined anode shape through a photolithography method using a photosensitive resist, a patterning process by etching, and a peeling process of the photosensitive resist, thereby forming the anode 102 as the first electrode layer. As an etchant, a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid is used. Here, the substrate 101 is not particularly limited, but includes the drive circuit unit 101A. Therefore, a material in which a silicon semiconductor, metal oxide semiconductor, or organic semiconductor material is stacked on a glass substrate, a quartz substrate, or the like may be used. Further, as the outermost surface of the substrate 101, it is preferable to provide a planarization layer for the purpose of uniforming the unevenness of the transistor array layer.

次に、図６（ｂ）に示すように、隔壁１０３として感光性ポリイミドをスピンコート法により形成し、フォトマスクを用いた感光工程及び現像工程を経て、所定の形状にパターニングする。これにより、各発光画素における非発光領域と発光領域が形成される。なお、発光領域の形状は、例えば、ＲＧＢ各画素共に１００μｍ×３００μｍである。   Next, as shown in FIG. 6B, photosensitive polyimide is formed as a partition wall 103 by spin coating, and patterned into a predetermined shape through a photosensitizing process and a developing process using a photomask. Thereby, a non-light emitting area and a light emitting area in each light emitting pixel are formed. Note that the shape of the light emitting region is, for example, 100 μm × 300 μm for each of the RGB pixels.

次に、中性洗剤と純水を用いて基板洗浄を行う。   Next, the substrate is cleaned using a neutral detergent and pure water.

次に、表面処理として、ＵＶ−オゾン処理（１７０ｎｍ紫外光、１２０秒）を行う。   Next, as the surface treatment, UV-ozone treatment (170 nm ultraviolet light, 120 seconds) is performed.

次に、図６（ｃ）に示すように、正孔輸送層１０４として、インク化した正孔輸送性の有機成膜材料をノズルから全面に噴射する。そして、５０℃で１０分間の真空乾燥を行い、引き続き、窒素雰囲気中において２１０℃で３０分間の加熱処理をすることで架橋反応を行う。正孔輸送性の有機成膜材料として、例えば、サメイション製ＨＴ１２とキシレン／メシチレン混合溶媒との混合物を用いる。発光領域の位置によって、若干膜厚の不均一性が生じるが、平均膜厚が２０ｎｍとなるように形成する。   Next, as shown in FIG. 6C, as the hole transport layer 104, an ink-formed hole transporting organic film forming material is sprayed from the nozzle to the entire surface. Then, vacuum drying is performed at 50 ° C. for 10 minutes, and subsequently, a crosslinking reaction is performed by heat treatment at 210 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere. As the hole transporting organic film forming material, for example, a mixture of HT12 manufactured by Summation and a xylene / mesitylene mixed solvent is used. Although the film thickness is slightly non-uniform depending on the position of the light emitting region, the film is formed so that the average film thickness is 20 nm.

次に、発光領域に、例えば、インクジェット法などを用いて、発光層１０５となるペースト材料をインクジェット法により塗布する。そして、５０℃で１０分間の真空乾燥を行い、引き続き、窒素雰囲気中において１３０℃で３０分間の加熱処理を行う。上記ペースト材料としては、例えば、サメイション製緑色発光材料Ｌｕｍａｔｉｏｎ Ｇｒｅｅｎとキシレン／メシチレン混合溶媒との混合物を用いる。発光領域の位置によって、若干膜厚の不均一性が生じるが、平均膜厚が７０ｎｍとなるように形成する。なお、このとき、有機発光層である発光層１０５が少なくとも３つのＲＧＢなどの異なるサブ画素から構成される場合、サブ画素ごとに、上記発光層１０５の形成工程を繰り返すことにより、サブ画素ごとに異なる発光層１０５が形成される。   Next, a paste material that becomes the light emitting layer 105 is applied to the light emitting region by an ink jet method using, for example, an ink jet method. Then, vacuum drying is performed at 50 ° C. for 10 minutes, and subsequently, heat treatment is performed at 130 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere. As the paste material, for example, a mixture of a green light emitting material Lumation Green manufactured by Summation and a mixed solvent of xylene / mesitylene is used. Although the film thickness slightly varies depending on the position of the light emitting region, it is formed so that the average film thickness becomes 70 nm. At this time, when the light-emitting layer 105 that is an organic light-emitting layer includes at least three different sub-pixels such as RGB, the formation process of the light-emitting layer 105 is repeated for each sub-pixel, so that Different light emitting layers 105 are formed.

次に、電子輸送層１０６として、例えば、真空蒸着法により、バリウム５ｎｍ（アルドリッチ製、純度９９％以上）を製膜し、引き続き、バリウム２０％を混合した化合物Ａｌｑ（新日鐵化学製、純度９９％以上）の膜２０ｎｍを共蒸着法により製膜する。   Next, as the electron transport layer 106, a compound Alq (manufactured by NS 99% or more of the film 20 nm is formed by co-evaporation.

次に、図６（ｄ）に示すように、電子輸送層１０６の上に、例えば、プラズマアシストの蒸着法によりインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）電極を１００ｎｍ形成し、陰極１０７とする。なお、形成された陰極１０７の表面抵抗は、例えば、８０Ωｍである。   Next, as shown in FIG. 6D, an indium tin oxide (ITO) electrode having a thickness of 100 nm is formed on the electron transport layer 106 by, for example, a plasma-assisted vapor deposition method to form a cathode 107. The surface resistance of the formed cathode 107 is, for example, 80 Ωm.

ここで、上述したこれまでの工程とは別に、基板１０１とは別の第２基板として、熱可塑性樹脂である補助配線シート１１１Ａの第１主面に膜厚が５μｍの銅薄膜をスパッタ法により形成しておく。その後、レジスト塗布、露光、現像と銅のエッチング、レジスト剥離という一般的なフォトリソグラフィ法を用い、上記銅薄膜を線幅１０μｍ及び配線ピッチ２００μｍの補助配線１１０に加工する。なお、形成された補助配線１１０の表面抵抗は、例えば、０．３Ωｍである。補助配線シート１１１Ａは、例えば、融点が９８〜１１５℃であるポリエチレンである。   Here, apart from the above-described steps, a copper thin film having a thickness of 5 μm is formed by sputtering on the first main surface of the auxiliary wiring sheet 111A, which is a thermoplastic resin, as a second substrate different from the substrate 101. Form it. Thereafter, the copper thin film is processed into an auxiliary wiring 110 having a line width of 10 μm and a wiring pitch of 200 μm by using a general photolithography method of resist coating, exposure, development, copper etching, and resist peeling. The surface resistance of the formed auxiliary wiring 110 is, for example, 0.3 Ωm. The auxiliary wiring sheet 111A is, for example, polyethylene having a melting point of 98 to 115 ° C.

また、補助配線シート１１１Ａは、導電性であってもよい。これにより、補助配線１１０と陰極１０７とが直接接触していなくとも、それらの間に導電性の樹脂膜層が介在していることにより、補助配線１１０と陰極１０７とを導通させることが可能となる。   Further, the auxiliary wiring sheet 111A may be conductive. As a result, even if the auxiliary wiring 110 and the cathode 107 are not in direct contact with each other, the auxiliary wiring 110 and the cathode 107 can be electrically connected because the conductive resin film layer is interposed therebetween. Become.

さらに、補助配線シート１１１Ａは、導電性の微粒子が分散した樹脂膜であってもよい。陰極１０７と補助配線１１０とで挟まれた上記樹脂膜を加圧することにより、当該加圧された部分が導電性を示すとともに、陰極１０７が形成された基板１０１と補助配線１１０が形成された補助配線シート１１１Ａとが接合される。   Further, the auxiliary wiring sheet 111A may be a resin film in which conductive fine particles are dispersed. By pressurizing the resin film sandwiched between the cathode 107 and the auxiliary wiring 110, the pressed portion exhibits conductivity, and the substrate 101 on which the cathode 107 is formed and the auxiliary wiring 110 is formed. The wiring sheet 111A is joined.

次に、図７（ａ）に示すように、補助配線１１０が形成された第１主面を下方にして、補助配線シート１１１Ａを陰極１０７の表面に配置する。このとき、補助配線１１０の配線パターンは、発光領域及び非発光領域によらないパターン形状である。よって、発光画素レベルで、補助配線シート１１１Ａのアライメントをする必要が無く、発光パネルのレベルで位置合わせをすればよい。よって、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。さらには、高精度なアライメントを必要としないことから、補助配線用の基板として熱収縮などによる面方向の位置ずれを抑制した熱膨張係数の小さいガラス基板を限定使用する必要がなく、補助配線シート１１１Ａのように樹脂製の低コスト材料を使用することが可能となる。これにより、補助配線１１０の特性として湾曲性を付与することも可能となる。   Next, as shown in FIG. 7A, the auxiliary wiring sheet 111 </ b> A is disposed on the surface of the cathode 107 with the first main surface on which the auxiliary wiring 110 is formed facing downward. At this time, the wiring pattern of the auxiliary wiring 110 has a pattern shape that does not depend on the light emitting region and the non-light emitting region. Therefore, it is not necessary to align the auxiliary wiring sheet 111A at the light emitting pixel level, and alignment may be performed at the light emitting panel level. Therefore, the manufacturing process can be simplified. Furthermore, since high-precision alignment is not required, it is not necessary to use a limited glass substrate with a small coefficient of thermal expansion that suppresses displacement in the surface direction due to thermal shrinkage as a substrate for auxiliary wiring. It becomes possible to use a low-cost resin material such as 111A. As a result, it is possible to impart bendability as a characteristic of the auxiliary wiring 110.

なお、補助配線シート１１１Ａを陰極１０７の表面に配置する前に、水および酸素濃度が５ｐｐｍ以下の窒素ドライボックス中において、陰極１０７上に１ｗｔ％の銅微粒子（平均直径１マイクロメートル）を伝導材として混ぜたＵＶ硬化樹脂を滴下し、その上から補助配線シート１１１Ａを配置してもよい。これにより、陰極１０７と補助配線１１０とで挟まれた上記樹脂膜を加圧することにより、当該加圧された部分が導電性を示すとともに、陰極１０７が形成された基板１０１と補助配線１１０が形成された補助配線シート１１１Ａとが接合される。   Before placing the auxiliary wiring sheet 111A on the surface of the cathode 107, 1 wt% of copper fine particles (average diameter of 1 micrometer) are placed on the cathode 107 in a nitrogen dry box having a water and oxygen concentration of 5 ppm or less as a conductive material. The UV curable resin mixed as above may be dropped, and the auxiliary wiring sheet 111A may be disposed thereon. Thus, by pressurizing the resin film sandwiched between the cathode 107 and the auxiliary wiring 110, the pressed portion exhibits conductivity, and the substrate 101 and the auxiliary wiring 110 on which the cathode 107 is formed are formed. The auxiliary wiring sheet 111A thus formed is joined.

次に、図７（ｂ）に示すように、補助配線シート１１１Ａの上方である第２主面に、封止用樹脂１１１Ｂを塗布する。   Next, as shown in FIG. 7B, a sealing resin 111B is applied to the second main surface above the auxiliary wiring sheet 111A.

なお、封止性能を向上させるため、封止用樹脂１１１Ｂを塗布する前に、補助配線シート１１１Ａの上方である第２主面に、例えば、酸化珪素からなる１マイクロメートルの膜を形成してもよい。これにより、基板１０１と補助配線シート１１１Ａとの間に形成された有機発光層を含む領域の封止性が確保されるので、各発光画素の特性劣化を抑制することが可能となる。   In order to improve the sealing performance, for example, a 1 micrometer film made of silicon oxide is formed on the second main surface above the auxiliary wiring sheet 111A before applying the sealing resin 111B. Also good. Thereby, the sealing property of the region including the organic light emitting layer formed between the substrate 101 and the auxiliary wiring sheet 111A is ensured, so that it is possible to suppress the characteristic deterioration of each light emitting pixel.

ここで、上述したこれまでの工程とは別に、基板１０１及び補助配線シート１１１Ａとは別の第３基板として、上基板１０８の第１主面にカラーフィルタ１０９Ｒ、１０９Ｇ及び１０９Ｂと、スペーサー１１２とを形成しておく。カラーフィルタ１０９Ｒ、１０９Ｇ及び１０９Ｂは、上基板１０８と基板１０１とを接合したときに発光領域の上に配置されるよう形成されている。また、スペーサー１１２は、上基板１０８と基板１０１とを接合したときに隔壁１０３の上に配置されるよう形成されている。スペーサー１１２は、例えば、透明プラスチックまたはアクリルなどからなり、高さは１０μｍである。   Here, apart from the above-described steps, the color filter 109R, 109G and 109B, the spacer 112, and the third main substrate as the third substrate different from the substrate 101 and the auxiliary wiring sheet 111A are formed on the first main surface of the upper substrate 108. Is formed. The color filters 109R, 109G, and 109B are formed so as to be disposed on the light emitting region when the upper substrate 108 and the substrate 101 are bonded. The spacer 112 is formed so as to be disposed on the partition wall 103 when the upper substrate 108 and the substrate 101 are joined. The spacer 112 is made of, for example, transparent plastic or acrylic and has a height of 10 μm.

次に、図７（ｃ）に示すように、カラーフィルタ１０９Ｒ、１０９Ｇ及び１０９Ｂ及びスペーサー１１２が形成された第１主面を下方にして、上基板１０８を塗布された封止用樹脂１１１Ｂ上に配置する。   Next, as shown in FIG. 7C, the first main surface on which the color filters 109R, 109G, and 109B and the spacer 112 are formed is directed downward, and the sealing resin 111B to which the upper substrate 108 is applied is applied. Deploy.

次に、図７（ｄ）に示すように、上基板１０８の第２主面側から下方に加圧しつつ、全体を１２０℃に加熱する。これにより、融点が１２０℃以下である補助配線シート１１１Ａが溶融しながら封止用樹脂１１１Ｂが硬化していく。このとき、スペーサー１１２の下部に配置された補助配線１１０と隔壁１０３とが接触し、導通状態となる。最終的には、図７（ｄ）に示すように、補助配線シート１１１Ａと封止用樹脂１１１Ｂとが一体となった樹脂膜層１１１が形成される。補助配線１１０は、樹脂膜層１１１内に形成されている。   Next, as shown in FIG. 7D, the whole is heated to 120 ° C. while applying pressure downward from the second main surface side of the upper substrate 108. As a result, the sealing resin 111B is cured while the auxiliary wiring sheet 111A having a melting point of 120 ° C. or less is melted. At this time, the auxiliary wiring 110 disposed under the spacer 112 and the partition wall 103 come into contact with each other and become conductive. Finally, as shown in FIG. 7D, a resin film layer 111 in which the auxiliary wiring sheet 111A and the sealing resin 111B are integrated is formed. The auxiliary wiring 110 is formed in the resin film layer 111.

最後に、全体を冷却する。   Finally, the whole is cooled.

上記製造方法により製造された有機ＥＬ画像表示装置１は、補助配線１１０による発光領域の開口率は９０％と高く、また、発光領域と非発光領域とで同じ開口率であるという特徴を有する。つまり、開口率の低減は１０％程度であり、ＥＬ発光の輝度の低下や寿命の低下にほとんど影響を与えない。   The organic EL image display device 1 manufactured by the above manufacturing method has a feature that the aperture ratio of the light emitting region by the auxiliary wiring 110 is as high as 90%, and that the light emitting region and the non-light emitting region have the same aperture ratio. In other words, the reduction in aperture ratio is about 10%, which hardly affects the decrease in EL light emission brightness and lifetime.

一方で、補助配線１１０の低抵抗性により、基板サイズを大きくしても電圧降下による発光パネル中央部の発光輝度の低下がないという本発明の効果が得られる。   On the other hand, due to the low resistance of the auxiliary wiring 110, even if the substrate size is increased, the effect of the present invention is obtained that the light emission luminance at the center of the light emitting panel does not decrease due to the voltage drop.

以上の製造方法によれば、陰極１０７上に形成される補助配線１１０のアライメントを発光画素レベルで高精度に実施する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。さらには、補助配線１１０の形成において高精度なアライメントを必要としないので、補助配線用の基板として熱収縮などによる面方向の位置ずれを抑制した、熱膨張係数の小さいガラス基板を限定使用する必要がなく、例えば、樹脂基板などの低コスト材料を使用することが可能となる。   According to the above manufacturing method, it is not necessary to align the auxiliary wiring 110 formed on the cathode 107 with high accuracy at the light emitting pixel level, and the manufacturing process can be simplified. Furthermore, since high-precision alignment is not required in the formation of the auxiliary wiring 110, it is necessary to limit the use of a glass substrate with a small coefficient of thermal expansion that suppresses positional deviation in the surface direction due to thermal shrinkage as a substrate for the auxiliary wiring. For example, a low-cost material such as a resin substrate can be used.

以上、本発明の有機ＥＬ画像表示装置及びその製造方法について、実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明に係る有機ＥＬ画像表示装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。実施の形態１〜３及びその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態１〜３及びその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る有機ＥＬ画像表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。   As described above, the organic EL image display device and the manufacturing method thereof according to the present invention have been described based on the embodiments. However, the organic EL image display device according to the present invention is not limited to the above embodiments. In the range which does not deviate from the main point of this invention with respect to another embodiment implement | achieved combining the arbitrary components in Embodiment 1-3 and its modification, Embodiment 1-3, and its modification. Modifications obtained by performing various modifications conceived by those skilled in the art and various devices incorporating the organic EL image display device according to the present invention are also included in the present invention.

また、実施の形態１〜３では、発光領域が陽極１０２、正孔輸送層１０４、発光層１０５、電子輸送層１０６及び陰極１０７からなる構造を紹介したが、本発明はこの構造に限定されない。例えば、陽極１０２と正孔輸送層１０４との間に正孔注入層が挿入されていてもよいし、電子輸送層１０６と陰極１０７との間に電子注入層が挿入されていてもよい。   In Embodiments 1 to 3, the structure in which the light-emitting region includes the anode 102, the hole transport layer 104, the light-emitting layer 105, the electron transport layer 106, and the cathode 107 has been introduced; however, the present invention is not limited to this structure. For example, a hole injection layer may be inserted between the anode 102 and the hole transport layer 104, or an electron injection layer may be inserted between the electron transport layer 106 and the cathode 107.

また、実施の形態１〜３では、補助配線と陰極との導通を発光画素ごとにとっている形態を紹介したが、想定される発光パネルの電圧降下により、当該導通を、複数の発光画素ごとにとるような補助配線パターンとしてもよい。   In the first to third embodiments, the mode in which the conduction between the auxiliary wiring and the cathode is set for each light emitting pixel is introduced. However, the conduction is set for each of the plurality of light emitting pixels due to the assumed voltage drop of the light emitting panel. Such an auxiliary wiring pattern may be used.

また、例えば、本発明に係る有機ＥＬ画像表示装置は、図８に記載されたような薄型フラットＴＶに内蔵される。輝度バラツキが抑制され、製造工程が簡略化された低コストの有機ＥＬ画像表示装置を備えた薄型フラットＴＶが実現される。   Further, for example, the organic EL image display device according to the present invention is built in a thin flat TV as shown in FIG. A thin flat TV having a low-cost organic EL image display device in which luminance variation is suppressed and the manufacturing process is simplified is realized.

本発明にかかる有機ＥＬ画像表示装置は、ＴＦＴと組み合わせた大画面アクティブマトリックス有機ＥＬディスプレイパネルへの応用に適性がある。   The organic EL image display device according to the present invention is suitable for application to a large-screen active matrix organic EL display panel combined with a TFT.

１、２、８００ 有機ＥＬ画像表示装置
１Ａ 有機ＥＬ素子部
１Ｂ 補助配線部
１Ｃ 有機ＥＬ調光部
１０、１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ 発光画素
１００Ａ 発光回路部
１０１、８１０ 基板
１０１Ａ 駆動回路部
１０２ 陽極
１０３ 隔壁
１０４ 正孔輸送層
１０５ 発光層
１０６ 電子輸送層
１０７ 陰極
１０８ 上基板
１０９Ｂ、１０９Ｇ、１０９Ｒ カラーフィルタ
１１０、１１０Ｃ、１１０Ｐ、１２０、８３０ 補助配線
１１１ 樹脂膜層
１１１Ａ 補助配線シート
１１１Ｂ 封止用樹脂
１１２ スペーサー
８２０ 第１電極
８４０ 隔壁
８４５ 開口部
８５０ 光変調層
８６０ 第２電極 1, 2, 800 Organic EL image display device 1A Organic EL element unit 1B Auxiliary wiring unit 1C Organic EL light control unit 10, 10B, 10G, 10R Light emitting pixel 100A Light emitting circuit unit 101, 810 Substrate 101A Drive circuit unit 102 Anode 103 Partition 104 Hole transport layer 105 Light emitting layer 106 Electron transport layer 107 Cathode 108 Upper substrate 109B, 109G, 109R Color filter 110, 110C, 110P, 120, 830 Auxiliary wiring 111 Resin film layer 111A Auxiliary wiring sheet 111B Sealing resin 112 Spacer 820 First electrode 840 Partition 845 Opening 850 Light modulation layer 860 Second electrode

Claims (13)

複数の発光画素が二次元状に配置された発光パネルを有する有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置であって、
前記複数の発光画素のそれぞれは、
前記発光画素ごとに分離形成された第１電極層と前記複数の発光画素にわたり全面形成された第２電極層とで挟まれた有機発光層に電流が流れることにより発光する発光領域と、
隣接する前記発光領域どうしを面方向において離間させ、前記第２電極層が形成された非発光領域とを含み、
前記発光パネルは、前記第２電極層に接して全面形成された、前記第２電極層と導通した補助配線を備え、
近接する複数の発光画素に対応した複数の発光領域の面積和に対する、当該複数の発光領域のうち前記補助配線が覆わない領域の面積の比率である発光領域開口率は、前記近接する複数の発光画素に対応した複数の非発光領域の面積和に対する、当該複数の非発光領域のうち前記補助配線が覆わない領域の面積の比率である非発光領域開口率と等しい
有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置。 An organic electroluminescence image display device having a light emitting panel in which a plurality of light emitting pixels are arranged two-dimensionally,
Each of the plurality of light emitting pixels is
A light emitting region that emits light when current flows through an organic light emitting layer sandwiched between a first electrode layer formed separately for each of the light emitting pixels and a second electrode layer formed across the plurality of light emitting pixels;
The adjacent light emitting regions are spaced apart in the plane direction, and the non-light emitting region in which the second electrode layer is formed,
The light emitting panel includes an auxiliary wiring formed in contact with the second electrode layer and electrically connected to the second electrode layer.
The light emitting area aperture ratio, which is the ratio of the area of the plurality of light emitting areas not covered by the auxiliary wiring to the sum of the areas of the plurality of light emitting areas corresponding to the plurality of adjacent light emitting pixels, is the plurality of adjacent light emitting areas. An organic electroluminescence image display device having a non-light-emitting region aperture ratio equal to a ratio of an area of the plurality of non-light-emitting regions not covered by the auxiliary wiring to a sum of areas of a plurality of non-light-emitting regions corresponding to pixels. 前記複数の発光画素のそれぞれにおいて、
前記発光領域を前記補助配線が覆う面積は、前記発光領域の面積の５０％以下である
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置。 In each of the plurality of light emitting pixels,
The organic electroluminescence image display device according to claim 1, wherein an area where the auxiliary wiring covers the light emitting region is 50% or less of an area of the light emitting region. 前記補助配線の線幅は、前記発光パネルの中心部の方が前記発光パネルの周辺部よりも広い
請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置。 The organic electroluminescence image display device according to claim 1, wherein a line width of the auxiliary wiring is wider at a center portion of the light emitting panel than at a peripheral portion of the light emitting panel. 前記複数の発光画素のそれぞれにおいて、
前記発光領域上における前記補助配線の配線パターンは、前記非発光領域上における前記補助配線の配線パターンと同じである
請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置。 In each of the plurality of light emitting pixels,
The organic electroluminescence image display device according to claim 1, wherein a wiring pattern of the auxiliary wiring on the light emitting region is the same as a wiring pattern of the auxiliary wiring on the non-light emitting region. 前記補助配線の配線パターンは、格子状の配線パターンである
請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置。 The organic electroluminescence image display device according to claim 1, wherein the wiring pattern of the auxiliary wiring is a grid-like wiring pattern. 前記格子状の配線パターンは、画素列の方向に対して面内において傾斜している
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置。 The organic electroluminescence image display device according to claim 5, wherein the grid-like wiring pattern is inclined in a plane with respect to a direction of a pixel column. 前記第１電極層、前記有機発光層及び前記第２電極層は、第１基板の第１主面上にこの順で形成されており、
前記補助配線は、前記第１基板と異なる、樹脂からなる第２基板の第１主面上に形成されており、
前記第１基板の第１主面と前記第２基板の第１主面とは、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるための樹脂膜層を挟んで対向している
請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置。 The first electrode layer, the organic light emitting layer, and the second electrode layer are formed in this order on the first main surface of the first substrate,
The auxiliary wiring is formed on a first main surface of a second substrate made of a resin different from the first substrate,
The first main surface of the first substrate and the first main surface of the second substrate are opposed to each other with a resin film layer for bonding the first substrate and the second substrate interposed therebetween. The organic electroluminescent image display apparatus of any one of -6. 前記樹脂膜層は、導電性である
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置。 The organic electroluminescence image display device according to claim 7, wherein the resin film layer is conductive. 前記樹脂膜層は、導電性の微粒子が分散した樹脂膜からなる
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置。 The organic electroluminescence image display device according to claim 8, wherein the resin film layer is made of a resin film in which conductive fine particles are dispersed. 前記第２基板の第２主面は、窒化珪素あるいは酸化珪素を含む膜でコーティングされて
いる
請求項７〜９のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置。 The organic electroluminescence image display device according to any one of claims 7 to 9, wherein the second main surface of the second substrate is coated with a film containing silicon nitride or silicon oxide. 発光領域と非発光領域とを有する発光画素が二次元状に複数配置された発光パネルを有する有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置の製造方法であって、
第１基板上に、前記発光画素ごとに第１電極層を分離形成し、当該第１電極層の上に前記発光画素ごとに有機発光層を分離形成し、当該有機発光層の上に前記発光パネル全体に第２電極層を全面形成する発光層形成ステップと、
第１主面に、近接する複数の発光画素レベルで発光領域上及び非発光領域上によらず一様な配線パターンを有する補助配線が形成された、前記第１基板と異なり樹脂からなる第２基板を、前記第１主面と前記第２電極層とを対面させて、前記発光画素レベルよりも大きな前記発光パネルのレベルでのみ面方向に位置合わせをして前記第２電極層の上に配置する第２基板配置ステップと、
前記第２基板配置ステップの後、前記第１基板及び前記第２基板とを加圧することにより前記第１基板と前記第２基板とを接合し、前記前記補助配線と前記第２電極層との導電性を前記発光パネル全体にわたり均一に確保する補助配線導通ステップとを含む
有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置の製造方法。 A method of manufacturing an organic electroluminescence image display device having a light emitting panel in which a plurality of light emitting pixels having a light emitting region and a non-light emitting region are arranged two-dimensionally,
A first electrode layer is separately formed for each of the light emitting pixels on the first substrate, an organic light emitting layer is separately formed for each of the light emitting pixels on the first electrode layer, and the light emitting is formed on the organic light emitting layer. A light emitting layer forming step of forming a second electrode layer over the entire panel;
Unlike the first substrate, the second substrate made of resin is provided with an auxiliary wiring having a uniform wiring pattern on the first main surface at a plurality of adjacent light emitting pixel levels regardless of the light emitting region and the non-light emitting region. On the second electrode layer, the substrate is aligned in the plane direction only at the level of the light emitting panel larger than the light emitting pixel level, with the first main surface and the second electrode layer facing each other. A second substrate placement step of placing;
After the second substrate placement step, the first substrate and the second substrate are bonded by pressurizing the first substrate and the second substrate, and the auxiliary wiring and the second electrode layer are bonded to each other. A method for manufacturing an organic electroluminescence image display device, comprising: an auxiliary wiring conduction step for ensuring conductivity uniformly throughout the light emitting panel. 前記第２基板配置ステップでは、
近接する複数の発光画素に対応した複数の発光領域の面積和に対する、当該複数の発光領域のうち前記補助配線が覆わない領域の面積の比率である発光領域開口率が、前記近接する複数の発光画素に対応した複数の非発光領域の面積和に対する、当該複数の非発光領域のうち前記補助配線が覆わない領域の面積の比率である非発光領域開口率と等しくなるよう、前記補助配線が前記第２基板の前記第１主面に形成されている
請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置の製造方法。 In the second substrate placement step,
The light emitting region aperture ratio, which is the ratio of the area of the plurality of light emitting regions not covered by the auxiliary wiring to the area sum of the plurality of light emitting regions corresponding to the plurality of adjacent light emitting pixels, is the plurality of adjacent light emitting devices. The auxiliary wiring is equal to a non-light emitting region aperture ratio that is a ratio of an area of a region of the plurality of non-light emitting regions not covered by the auxiliary wiring to a sum of areas of the plurality of non light emitting regions corresponding to the pixels. The method of manufacturing an organic electroluminescence image display device according to claim 11, wherein the organic electroluminescence image display device is formed on the first main surface of the second substrate. 前記第２基板配置ステップの後、かつ、前記補助配線導通ステップの前に、
前記第２基板の第２主面に、封止用樹脂を全面塗布する樹脂塗布ステップと、
前記樹脂塗布ステップの後、前記発光領域上に配置されるよう形成されたカラーフィルタと、前記非発光領域上に配置されるよう形成されたスペーサーとを第１主面上に有する第３基板を、当該第１主面と前記第２基板の第２主面が対面するよう、前記第２基板の上に配置する第３基板配置ステップとを含む
請求項１１または１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス画像表示装置の製造方法。 After the second substrate placement step and before the auxiliary wiring conduction step,
A resin coating step of coating the entire surface of the second main surface of the second substrate with a sealing resin;
After the resin coating step, a third substrate having a color filter formed to be disposed on the light emitting region and a spacer formed to be disposed on the non-light emitting region on the first main surface. The organic electroluminescence image according to claim 11, further comprising: a third substrate disposing step disposed on the second substrate such that the first main surface and the second main surface of the second substrate face each other. Manufacturing method of display device.
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