JP2010232684A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
び膜質が不均一になるのをより有効に抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置1は、基板10を保持することが可能な上部電極3と、上部電極3と対向するように設置され、上部電極3と対向する部分に複数の凸部4aおよび複数の凹部4bが形成される下部電極4とを備えている。また、下部電極4の凹部4bに絶縁部材14が配置されている。
【選択図】図10
Description
する電界が分散するのを抑制することができるので、絶縁部材を設けたとしても、プラズマの密度が低下するのを抑制することができる。
図1は、本発明の第1実施形態によるプラズマ処理装置を示した概略図である。図2は、図1に示した第1実施形態によるプラズマ処理装置の上部電極および下部電極の周辺の正面図である。図3〜図6は、図1に示した第1実施形態によるプラズマ処理装置の下部電極の構造を詳細に説明するための図である。まず、図1〜図6を参照して、第1実施形態によるプラズマ処理装置1の構成について説明する。
この実施例1では、図1に示した第1実施形態によるプラズマ処理装置1を用いて、基板10としてのガラス基板上に、微結晶系Si膜を形成した。なお、下部電極4の凸部4aの先端から基板10までの距離を15mmに設定した。また、実施例1では、上部電極3および基板10を揺動させずに微結晶系Si膜を形成した。実施例1による微結晶系Si膜の形成条件を以下の表1に示す。
この比較例1では、図18〜図20に示した従来のプラズマ処理装置101を用いて、基板110としてのガラス基板上に、微結晶系Si膜を形成した。なお、下部電極104から基板110までの距離を15mmに設定した。なお、比較例1による微結晶系Si膜の形成条件は、上記実施例1による微結晶系Si膜の形成条件と同じである。
この実施例2では、図1に示した第1実施形態によるプラズマ処理装置1を用いて、基板10としてのガラス基板上に、微結晶系Si膜を形成した。なお、下部電極4の凸部4aの先端部から基板10までの距離を15mmに設定した。また、実施例2では、上部電極3および基板10をX方向に揺動させながら微結晶系Si膜を形成した。なお、揺動速度および揺動幅を、それぞれ、5mm/secおよび100mmに設定した。なお、実施例2による微結晶系Si膜の形成条件は、上記実施例1による微結晶系Si膜の形成条件と同じである。
この実施例3では、図1に示した第1実施形態によるプラズマ処理装置1を用いて、基板10としてのガラス基板上に、微結晶系Si膜を形成した。なお、下部電極4の凸部4aの先端から基板10までの距離を15mmに設定した。また、実施例3では、上部電極3および基板10を揺動させずに微結晶系Si膜を形成した。なお、実施例3による微結晶系Si膜の形成条件は、上記実施例1による微結晶系Si膜の形成条件と同じである。
図9〜図11は、本発明の第2実施形態によるプラズマ処理装置の下部電極の構造を詳細に説明するための図である。図4および図9〜図11を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態と異なり、下部電極4の凹部4bに絶縁部材14を配置したプラズマ処理装置について説明する。
4、24、34、44、54 下部電極
4a、24a、34a、44a、54a 凸部
4b、24b、34b、44b、54b 凹部
4c、24c、34c、44c、54c ガス供給口
4e、24e、34e、44e、54e ガス吸引口
10 基板
20 プラズマ発生領域
Claims (9)
- 基板を保持することが可能な第1電極と、
前記第1電極と対向するように設置され、前記第1電極と対向する部分に、複数の凸部および複数の凹部が形成される第2電極とを備え、
前記凹部に絶縁部材が配置されている、プラズマ処理装置。 - 前記凸部には、原料ガスを供給するためのガス供給口が設けられ、
前記凸部を中心とするプラズマ発生領域と、隣接する前記凸部を中心とするプラズマ発生領域とがオーバラップするように、前記複数の凸部が配置されている、請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記絶縁部材の上面は、前記第2電極の前記凸部の上面よりも低い位置に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記凹部は、平面的に見て、前記凸部の近傍に複数配置されているとともに、前記複数の凹部は、前記凸部の中心に対して対称に配置されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記凸部および前記凹部は、前記基板の主表面に沿った所定の方向に延びるように形成されるとともに、前記所定の方向と交差する方向に所定の間隔を隔てて配置される、請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス供給口は、前記基板の主表面に沿った前記所定の方向に延びるようにスリット状に形成されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2電極の凸部の前記第1電極側の先端部の幅は、前記第2電極の凸部の根元部の幅よりも小さい、請求項1〜6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記絶縁部材にガスを排出するためのガス流路が形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極に保持される前記基板は、揺動可能に構成されている、請求項1〜8のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
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