JP2010232204A

JP2010232204A - Electron beam lithography apparatus

Info

Publication number: JP2010232204A
Application number: JP2009074926A
Authority: JP
Inventors: Munehiro Ogasawara; 宗博小笠原; Chikasuke Nishimura; 慎祐西村; Shuichi Tamamushi; 秀一玉虫
Original assignee: Toshiba Corp; Nuflare Technology Inc
Current assignee: Toshiba Corp; Nuflare Technology Inc
Priority date: 2009-03-25
Filing date: 2009-03-25
Publication date: 2010-10-14
Anticipated expiration: 2029-03-25
Also published as: JP5555437B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the accuracy of lithography by suppressing the movement of a beam position on a sample surface due to blanking deflection. <P>SOLUTION: In the electron beam lithography apparatus, condenser lenses 21, 22 and a blanking deflector 31 are provided on an electron source 11 side of an aperture mask 41 closest to the electron source 11 and a projection lens 23 is provided on an downstream side nearer to a beam progressing axis direction than the aperture mask 41, and the blanking deflector 31 controls ON-OFF of electron beams. The blanking deflector 31 consists of at least two stages of electrostatic deflection electrodes 311, 312 arranged between the condenser lenses 21, 22 and the aperture mask 41, and the deflection electrodes 311, 312 are driven by allowing the deflection directions to be opposite so that the movement due to blanking of a cross-over image formed by the condenser lenses 21, 22 and the projection lens 23 can be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子ビームを用いて試料面上にＬＳＩパターンを描画する電子ビーム描画装置に関する。 The present invention relates to an electron beam drawing apparatus for drawing an LSI pattern on a sample surface using an electron beam.

近年、試料面上にＬＳＩパターンを描画するために、可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置が用いられている。この装置では、電子銃から放出された電子ビームをコンデンサレンズにより集束して第１成形アパーチャマスクに照射し、そのアパーチャ像を投影レンズにより第２成形アパーチャマスク上に結像すると共に、成形偏向器により第２成形アパーチャマスク上の結像位置を可変することにより、ビームの寸法及び形状を変更する。そして、ビーム成形された電子ビームを対物レンズにより試料面上に結像すると共に、対物偏向器により走査することにより、試料面上に所望パターンが描画される。 In recent years, a variable shaped beam type electron beam drawing apparatus is used to draw an LSI pattern on a sample surface. In this apparatus, an electron beam emitted from an electron gun is focused by a condenser lens and irradiated onto a first shaping aperture mask, and the aperture image is formed on a second shaping aperture mask by a projection lens, and a shaping deflector. By changing the image forming position on the second shaping aperture mask, the size and shape of the beam are changed. Then, the beam-shaped electron beam is imaged on the sample surface by the objective lens, and a desired pattern is drawn on the sample surface by scanning with the objective deflector.

ここで、電子ビームをオン・オフするためのブランキング偏向器は、コンデンサレンズと第１成形アパーチャマスクとの間に設けられている。また、コンデンサレンズの励磁条件はクロスオーバ像が成形偏向器の偏向中心に一致するように決められている。 Here, the blanking deflector for turning on and off the electron beam is provided between the condenser lens and the first shaping aperture mask. The excitation condition of the condenser lens is determined so that the crossover image coincides with the deflection center of the shaping deflector.

しかし、この種の装置においては次のような問題があった。即ち、ブランキング偏向器により電子ビームを大きく偏向すると、クロスオーバ像も同時に移動し、クロスオーバ像の移動は試料面への電子ビームの入射角度の移動をもたらす。このとき、対物レンズの球面収差等の収差の影響により、試料面上のビーム照射位置が移動する。また、試料面の高さが対物レンズの合焦点位置からずれていると、その影響でもビーム入射位置がずれる。そして、これらは描画精度の低下を招く大きな要因となる。 However, this type of apparatus has the following problems. That is, when the electron beam is largely deflected by the blanking deflector, the crossover image is also moved at the same time, and the movement of the crossover image causes the movement of the incident angle of the electron beam on the sample surface. At this time, the beam irradiation position on the sample surface moves due to the influence of aberration such as spherical aberration of the objective lens. Further, if the height of the sample surface is deviated from the focal position of the objective lens, the beam incident position is shifted due to the influence. These become major factors that cause a reduction in drawing accuracy.

これに対して、２段に設けられたコンデンサレンズ間にブランキング偏向器を配置し、この偏向器の偏向中心にクロスオーバ像が形成されるようにし、ブランキング偏向の際のクロスオーバ像の移動を抑制する例が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、コンデンサレンズと第１成形アパーチャマスクとの間にブランキング偏向器を配置する構成では、コンデンサレンズと第１成形アパーチャマスクとの間の空間にはクロスオーバ像は形成されないので、上記特許文献１で開示されているブランキング偏向器の構成を用いることはできない。 On the other hand, a blanking deflector is disposed between the condenser lenses provided in two stages so that a crossover image is formed at the deflection center of the deflector. The example which suppresses a movement is proposed (for example, refer patent document 1). However, in the configuration in which the blanking deflector is disposed between the condenser lens and the first shaping aperture mask, a crossover image is not formed in the space between the condenser lens and the first shaping aperture mask. The configuration of the blanking deflector disclosed in 1 cannot be used.

また、ブランキング偏向器を２段に設け、ブランキング時の偏向支点がクロスオーバ像位置の付近になるように、ブランキング電源のノイズの影響を低減した荷電粒子線装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。しかしながら、この構成は、ブランキング偏向器の上流側のレンズにより、レンズとブランキング偏向器との間にクロスオーバ像が形成される条件では簡易に実現できるが、レンズとブランキング偏向器との間にクロスオーバ像が形成されない条件については示されていない。 In addition, a charged particle beam apparatus has been proposed in which blanking deflectors are provided in two stages and the influence of noise of the blanking power supply is reduced so that the deflection fulcrum during blanking is in the vicinity of the crossover image position ( For example, see Patent Document 2). However, this configuration can be easily realized under the condition that a crossover image is formed between the lens and the blanking deflector by the upstream lens of the blanking deflector. The conditions under which no crossover image is formed are not shown.

米国特許第4,445,041号明細書U.S. Pat.No. 4,445,041 特開２０００−１３３１８３号公報JP 2000-133183 A

本発明の目的は、ブランキング偏向に伴う試料面上でのビーム位置の移動を抑制することができ、描画精度の向上をはかり得る電子ビーム描画装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an electron beam drawing apparatus capable of suppressing the movement of the beam position on the sample surface due to blanking deflection and improving the drawing accuracy.

本発明の一態様は、電子源に最も近いアパーチャマスクの電子源側に、コンデンサレンズとブランキング偏向器が設けられ、前記アパーチャマスクよりもビーム進行軸方向の下流側に投影レンズが設けられ、前記ブランキング偏向器により前記電子ビームのオン・オフを制御する電子ビーム描画装置であって、前記ブランキング偏向器は、前記コンデンサレンズと前記アパーチャマスクとの間に配置された少なくとも２段の静電偏向電極で構成され、各々の偏向電極は、前記コンデンサレンズと前記投影レンズにより形成されるクロスオーバ像のブランキングに伴う移動を小さくするように、偏向方向を逆方向にして駆動されることを特徴とする。 In one aspect of the present invention, a condenser lens and a blanking deflector are provided on the electron source side of the aperture mask closest to the electron source, and a projection lens is provided downstream of the aperture mask in the beam traveling axis direction. An electron beam drawing apparatus for controlling on / off of the electron beam by the blanking deflector, wherein the blanking deflector includes at least two stages of static electricity disposed between the condenser lens and the aperture mask. Each deflection electrode is driven with its deflection direction reversed so as to reduce the movement accompanying blanking of the crossover image formed by the condenser lens and the projection lens. It is characterized by.

また、本発明の別の一態様に係わる電子ビーム描画装置は、電子ビームを発生する電子源と、前記電子ビームを集束するコンデンサレンズと、前記コンデンサレンズで集束された電子ビームが照射される第１の成形アパーチャマスクと、前記第１の成形アパーチャマスクに対し前記電子ビームの進行軸方向の下流側に設けられた第２の成形アパーチャマスクと、前記第１及び第２の成形アパーチャマスク間に離間して設けられ、前記第１の成形アパーチャマスクのアパーチャ像を前記第２の成形アパーチャマスク上に結像する２段の投影レンズと、前記各投影レンズ間に設けられ、前記コンデンサレンズと前記第１成形アパーチャマスク側の投影レンズにより生成されるクロスオーバ像位置を中心に前記電子ビームを偏向し、前記第２成形アパーチャマスク上で前記アパーチャ像の位置を可変する成形偏向器と、前記第２成形アパーチャマスク上に形成されるビーム像を試料面に結像する対物レンズと、前記試料面上でのビーム位置を可変する対物偏向器と、前記コンデンサレンズと第１成形アパーチャマスクとの間に設けられた２段の静電偏向電極を有し、前記電子ビームを偏向して電子ビームをオン・オフ制御するブランキング偏向器と、前記ブランキング偏向器の各々の偏向電極を偏向方向が逆方向となるように駆動し、且つブランキングに伴う前記クロスオーバ像の移動を小さくするように前記偏向電極組を駆動するブランキング制御回路と、を具備したことを特徴とする。 An electron beam drawing apparatus according to another aspect of the present invention includes an electron source that generates an electron beam, a condenser lens that focuses the electron beam, and an electron beam that is focused by the condenser lens. A first shaping aperture mask, a second shaping aperture mask provided downstream of the first shaping aperture mask in the traveling axis direction of the electron beam, and the first and second shaping aperture masks. Two stages of projection lenses that are provided apart from each other to form an aperture image of the first shaping aperture mask on the second shaping aperture mask; and provided between the projection lenses, the condenser lens and the The electron beam is deflected around the position of the crossover image generated by the projection lens on the first shaping aperture mask side, and the second shaping aperture is A shaping deflector that changes the position of the aperture image on the aperture mask, an objective lens that forms a beam image formed on the second shaping aperture mask on the sample surface, and a beam position on the sample surface that is variable An objective deflector, and a two-stage electrostatic deflection electrode provided between the condenser lens and the first shaping aperture mask, and deflecting the electron beam to control on / off of the electron beam. The deflector and each deflection electrode of the blanking deflector are driven so that the deflection direction is reversed, and the deflection electrode set is driven so as to reduce the movement of the crossover image due to blanking. And a blanking control circuit.

また、本発明の更に別の一態様は、電子源に最も近いアパーチャマスクの電子源側に、コンデンサレンズと２段のブランキング偏向器が設けられ、前記アパーチャマスクよりもビームの進行軸方向の下流側に投影レンズが設けられた電子ビーム描画装置を用い、前記ブランキング偏向器により前記電子ビームのオン・オフを制御する電子ビーム描画方法であって、前記偏向器を各々の偏向方向が逆方向となるように駆動し、前記コンデンサレンズと前記投影レンズにより形成されるクロスオーバ像の移動を小さくすることを特徴とする。 Furthermore, according to another aspect of the present invention, a condenser lens and a two-stage blanking deflector are provided on the electron source side of the aperture mask closest to the electron source, and a beam traveling axis direction is more than that of the aperture mask. An electron beam drawing method using an electron beam drawing apparatus provided with a projection lens on the downstream side and controlling on / off of the electron beam by the blanking deflector, wherein the deflection direction of each deflector is reversed. The driving is performed in the direction, and the movement of the crossover image formed by the condenser lens and the projection lens is reduced.

本発明によれば、ブランキング時のクロスオーバ像の移動を抑えることが可能となり、球面収差や焦点ずれによって引き起こされる試料面上のビーム照射位置のずれを抑制することができる。これにより、描画精度の向上をはかることができる。 According to the present invention, it is possible to suppress the movement of the crossover image at the time of blanking, and it is possible to suppress the deviation of the beam irradiation position on the sample surface caused by spherical aberration or defocusing. Thereby, the drawing accuracy can be improved.

第１の実施形態に係わる可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置を示す概略構成図。1 is a schematic configuration diagram showing a variable shaped beam type electron beam drawing apparatus according to a first embodiment. ブランキング偏向時における電子ビームの中心軌道の変化を示す図。The figure which shows the change of the center orbit of an electron beam at the time of blanking deflection | deviation. ブランキング偏向時におけるクロスオーバ像の移動の様子を示す模式図。The schematic diagram which shows the mode of the movement of the crossover image at the time of blanking deflection | deviation. 第１の実施形態に用いた偏向電極組の一例を示す図。The figure which shows an example of the deflection | deviation electrode group used for 1st Embodiment. 第２の実施形態に係わる可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the electron beam drawing apparatus of the variable shaping beam system concerning 2nd Embodiment.

以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。 The details of the present invention will be described below with reference to the illustrated embodiments.

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置を示す概略構成図である。図中細い実線でクロスオーバ結像の様子を、細い破線でアパーチャ像の結像の様子を示している。 (First embodiment)
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an electron beam drawing apparatus of a variable shaped beam system according to the first embodiment of the present invention. In the figure, a thin solid line indicates the state of crossover imaging, and a thin broken line indicates the state of aperture image formation.

図中の１１は電子ビームを発生する電子銃、１２は半導体ウェハやマスク基板等の試料、１３は試料ステージ、２１は第１のコンデンサレンズ、２２は第２のコンデンサレンズ、２３は第１の投影レンズ、２４は第２の投影レンズ、２５は縮小レンズ、２６は対物レンズ、３１はブランキング偏向器、３２は成形偏向器、３３は対物偏向器、４１は第１成形アパーチャマスク、４２は第２成形アパーチャマスク、４３はリミッティングアパーチャマスクである。 In the figure, 11 is an electron gun that generates an electron beam, 12 is a sample such as a semiconductor wafer or mask substrate, 13 is a sample stage, 21 is a first condenser lens, 22 is a second condenser lens, and 23 is a first condenser lens. The projection lens, 24 is the second projection lens, 25 is the reduction lens, 26 is the objective lens, 31 is the blanking deflector, 32 is the shaping deflector, 33 is the objective deflector, 41 is the first shaping aperture mask, and 42 is A second shaping aperture mask 43 is a limiting aperture mask.

電子銃１１から放出された電子ビームは、ビーム進行軸方向に沿って離間配置された２段のコンデンサレンズに２１，２２より集束されて第１成形アパーチャマスク４１に照射される。第１成形アパーチャマスク４１には矩形のアパーチャ（開口）が設けてあり、透過した第１の成形電子ビームは矩形断面形状を有する。 The electron beam emitted from the electron gun 11 is focused from 21 and 22 onto a two-stage condenser lens spaced apart along the beam traveling axis direction, and is irradiated onto the first shaping aperture mask 41. The first shaping aperture mask 41 is provided with a rectangular aperture (opening), and the transmitted first shaping electron beam has a rectangular cross-sectional shape.

第１成形アパーチャマスク４１のアパーチャ像は２段の投影レンズ２３，２４により第２成形アパーチャマスク４２上に結像される。投影レンズ２３，２４間には、第１成形アパーチャマスク４１のアパーチャ像の位置を第２成形アパーチャマスク４２上で可変する成形偏向器３２が設けられている。第２成形アパーチャマスク４２上には、様々な形状の開口が設けてあり、第１成形アパーチャマスク４１のアパーチャ像を第２成形アパーチャマスク４２の所望の位置を通過させることにより、所望の断面形状を有する電子ビームを得ることができる。 The aperture image of the first shaping aperture mask 41 is formed on the second shaping aperture mask 42 by the two-stage projection lenses 23 and 24. Between the projection lenses 23 and 24, there is provided a shaping deflector 32 for changing the position of the aperture image of the first shaping aperture mask 41 on the second shaping aperture mask. Various shapes of openings are provided on the second shaping aperture mask 42, and a desired cross-sectional shape is obtained by passing the aperture image of the first shaping aperture mask 41 through a desired position of the second shaping aperture mask 42. Can be obtained.

コンデンサレンズ２１，２２によるクロスオーバ像が成形偏向器３２の偏向中心に一致するように決められる。この条件化で、コンデンサレンズ２１，２２の励磁条件を変えることにより、電流密度を調節できるようになっている。 The crossover image by the condenser lenses 21 and 22 is determined so as to coincide with the deflection center of the shaping deflector 32. Under this condition, the current density can be adjusted by changing the excitation conditions of the condenser lenses 21 and 22.

第２のコンデンサレンズ２２と第１成形アパーチャマスク４１との間には、ビームをブランキングするためのブランキング偏向器３１が設けられている。このブランキング偏向器３１は、ビーム進行軸方向に沿って離間配置された２組の偏向電極組３１１，３１２からなり、これらの偏向電極組３１１，３１２はブランキングパルスジェネレータ（ブランキングパルス発生回路）５１により駆動される。そして、偏向電極組３１１，３１２は、成形偏向器３２の偏向中心に形成されるクロスオーバ像の位置が移動しないように、ビームを互いに逆方向に偏向するものとなっている。 A blanking deflector 31 for blanking the beam is provided between the second condenser lens 22 and the first shaping aperture mask 41. The blanking deflector 31 includes two deflection electrode sets 311 and 312 that are spaced apart along the beam traveling axis direction. The deflection electrode sets 311 and 312 are blanking pulse generators (blanking pulse generating circuits). ) 51. The deflection electrode sets 311 and 312 deflect the beams in opposite directions so that the position of the crossover image formed at the deflection center of the shaping deflector 32 does not move.

第２成形アパーチャマスク４２で得られたビーム像は、縮小レンズ２５及び対物レンズ２６により試料１２上に結像される。縮小レンズ２５と試料１２との間には対物偏向器３３が設けられており、この偏向器３３によりビームを偏向することにより、試料面上でのビーム位置が可変される。ここで、対物偏向器３３には複数の偏向電極から構成された静電偏向器を使用する。これは、電極に偏向アンプで発生させた電位を与えて、電極間に生ずる電場により電子ビームを偏向するものである。 The beam image obtained by the second shaping aperture mask 42 is formed on the sample 12 by the reduction lens 25 and the objective lens 26. An objective deflector 33 is provided between the reduction lens 25 and the sample 12, and the beam position on the sample surface is varied by deflecting the beam by the deflector 33. Here, an electrostatic deflector composed of a plurality of deflection electrodes is used as the objective deflector 33. In this method, an electric potential generated by a deflection amplifier is applied to electrodes, and an electron beam is deflected by an electric field generated between the electrodes.

次に、本実施形態において電子ビームをブランキングするための機構及び動作について、更に詳しく説明する。 Next, the mechanism and operation for blanking the electron beam in this embodiment will be described in more detail.

図２は電子ビームをブランキングした時の様子を示すもので、（ａ）はブランキング時にビームが未だ完全には遮断されていない状態、（ｂ）はブランキング時にビームが完全に遮断された状態である。ブランキング偏向したときの電子ビーム中心の軌道を太い破線で示している。但し、説明のために実際の軌道よりも誇張したジグザグ線で表現したものである。 FIG. 2 shows a state when the electron beam is blanked. (A) is a state where the beam is not completely cut off at the time of blanking, and (b) is a case where the beam is completely cut off at the time of blanking. State. The trajectory of the center of the electron beam when blanking is deflected is indicated by a thick broken line. However, for the sake of explanation, it is expressed by a zigzag line exaggerated from the actual trajectory.

ブランキング偏向器３１は、第１成形アパーチャマスク４１に対して入射角が変化するように電子ビームを偏向することで成形アパーチャマスク４１でビームを遮断することにより電子ビームを試料面に到達しないようにする。ブランキング偏向器３１を構成する偏向電極組３１１，３１２はそれぞれ、例えば２つの電極を対向配置させた静電偏向電極で形成されている。 The blanking deflector 31 deflects the electron beam so that the incident angle changes with respect to the first shaping aperture mask 41 so that the shaping aperture mask 41 blocks the beam so that the electron beam does not reach the sample surface. To. Each of the deflection electrode sets 311 and 312 constituting the blanking deflector 31 is formed of, for example, an electrostatic deflection electrode in which two electrodes are arranged to face each other.

ブランキング偏向器３１を構成する偏向電極組３１１，３１２には、異なる電圧が印加される。ブランキング電圧を加えるためのブランキングパルスジェネレータ５１からの偏向電圧は、電圧を調整するための減衰器５２を介して偏向電極組３１１，３１２に与えられる。このとき、偏向電極組３１１，３１２に印加される電圧は互いに逆方向となっている。即ち、偏向電極組３１１，３１２を各々の偏向方向を互いに逆方向となるように駆動する。なお、図１では、ブランキングパルスジェネレータ５１及び減衰器５２を共に１つにしたが、偏向電極組３１１，３１２毎に独立に設けるようにしても良い。 Different voltages are applied to the deflection electrode sets 311 and 312 constituting the blanking deflector 31. The deflection voltage from the blanking pulse generator 51 for applying the blanking voltage is given to the deflection electrode sets 311 and 312 via the attenuator 52 for adjusting the voltage. At this time, the voltages applied to the deflection electrode sets 311 and 312 are in opposite directions. That is, the deflection electrode sets 311 and 312 are driven so that the deflection directions are opposite to each other. In FIG. 1, only one blanking pulse generator 51 and one attenuator 52 are provided, but each of the deflection electrode groups 311 and 312 may be provided independently.

ここで、偏向電極組３１１により偏向した際の投影レンズ２３による、成形偏向器３２の偏向中心でのクロスオーバ像位置の中心軌道から垂直方向のずれを、偏向電極組３１２による偏向が打ち消すように、偏向電極組３１１，３１２を構成する。偏向電極組３１１，３１２の偏向の向きや偏向量は、投影レンズ２３及びコンデンサレンズ２２の磁場が偏向電極組３１１，３１２の偏向領域に存在する場合は投影レンズ２３及びコンデンサレンズ２２の磁場の電子ビームへの影響を考慮して、偏向電極組３１１，３１２で偏向した際の成形偏向器位置での軌道の中心軌道から垂直方向の移動方向が一直線状になるように決められる。偏向電極組３１１，３１２の領域に磁場が無い場合には、偏向電極組３１１，３１２の偏向方向は互いに逆向きとなる。 Here, the deflection by the deflection electrode set 312 cancels the vertical deviation from the center trajectory of the crossover image position at the deflection center of the shaping deflector 32 by the projection lens 23 when deflected by the deflection electrode set 311. The deflection electrode sets 311 and 312 are configured. The deflection direction and amount of deflection of the deflection electrode sets 311 and 312 are determined based on the electrons of the magnetic fields of the projection lens 23 and the condenser lens 22 when the magnetic field of the projection lens 23 and the condenser lens 22 exists in the deflection area of the deflection electrode sets 311 and 312. In consideration of the influence on the beam, the moving direction in the vertical direction from the center trajectory of the trajectory at the position of the shaping deflector when deflected by the deflection electrode sets 311 and 312 is determined to be a straight line. When there is no magnetic field in the region of the deflection electrode sets 311 and 312, the deflection directions of the deflection electrode sets 311 and 312 are opposite to each other.

偏向電極組３１１，３１２での偏向電圧をそれぞれＶＢ１ボルト，ＶＢ２ボルトとして、成形偏向器位置での偏向電極組３１１，３１２に対する偏向感度をそれぞれＣＢ１（ミクロン／ボルト）、ＣＢ２（ミクロン／ボルト）とすると、ＣＢ１・ＶＢ１＋ＣＢ２・ＶＢ２＝０となるようにＶＢ１とＶＢ２との比を決める。或いはブランキング偏向電極３１１，３１２の電極間隔や長さや位置を変えて、ＣＢ１＋ＣＢ２＝０となるようにすることもできる。この場合はＶＢ１＝ＶＢ２で良い。 The deflection voltages at the deflection electrode groups 311 and 312 are VB1 volts and VB2 volts, respectively, and the deflection sensitivities for the deflection electrode groups 311 and 312 at the forming deflector position are CB1 (microns / volt) and CB2 (microns / volt), respectively. Then, the ratio of VB1 and VB2 is determined so that CB1 · VB1 + CB2 · VB2 = 0. Alternatively, the electrode spacing, length, and position of the blanking deflection electrodes 311 and 312 can be changed so that CB1 + CB2 = 0. In this case, VB1 = VB2 is sufficient.

ＣＢ１，ＣＢ２の測定は、例えば次のようにして行うことができる。まず、下流側の偏向電極組３１２の電圧を０とした状態で、上流側偏向電極組３１１に電圧を加え、その時のリミッティングアパーチャ４３でのビームの移動量を測定する。これには図示していないアライメントコイルで電子ビームを走査させて、リミッティングアパーチャ４３上の図示していない検出器で反射電子を検出して、リミッティングアパーチャ像の移動を求める。この移動量から上流側偏向電極組３１１による偏向感度ＣＢ１をまとめる。次に、上流側の偏向電極組３１１の電圧を０とした状態で、上流側偏向電極組３１２に電圧を加え、同様の測定を行い、ＣＢ２が得られる。 The measurement of CB1 and CB2 can be performed as follows, for example. First, a voltage is applied to the upstream deflection electrode set 311 in a state where the voltage of the downstream deflection electrode set 312 is set to 0, and the amount of beam movement at the limiting aperture 43 at that time is measured. For this purpose, an electron beam is scanned by an alignment coil (not shown), a reflected electron is detected by a detector (not shown) on the limiting aperture 43, and the movement of the limiting aperture image is obtained. The deflection sensitivity CB1 by the upstream deflection electrode set 311 is collected from this movement amount. Next, in a state where the voltage of the upstream deflection electrode set 311 is 0, a voltage is applied to the upstream deflection electrode set 312 and the same measurement is performed to obtain CB2.

この条件で、ビームをブランキングする場合は、図２（ｂ）のように第１成形アパーチャマスク４１でビームを遮断する。ブランキング前のビーム軌道は図２（ａ）に示すようになり、この場合、クロスオーバ位置の移動はない。但し、第１成形アパーチャ４１上の電流分布は変化する。 When the beam is blanked under this condition, the beam is blocked by the first shaping aperture mask 41 as shown in FIG. The beam trajectory before blanking is as shown in FIG. 2A, and in this case, there is no movement of the crossover position. However, the current distribution on the first shaping aperture 41 changes.

図３は、リミッティングアパーチャマスク４３上でのクロスオーバ像の移動を模式的に示す図である。従来方法では、ブランキング偏向無しの場合のクロスオーバ像位置はアパーチャ中心のＡ点であったが、ブランキング偏向が始まると紙面の左側のＢ点に移動し、さらに最終的にＣ点に移動する。そして、Ａ→Ｂ間のビーム移動が描画精度の低下をもたらすことになる。 FIG. 3 is a diagram schematically showing the movement of the crossover image on the limiting aperture mask 43. In the conventional method, the crossover image position without blanking deflection was point A at the center of the aperture, but when blanking deflection started, it moved to point B on the left side of the paper, and finally moved to point C. To do. Then, the beam movement between A and B causes a reduction in drawing accuracy.

これに対し本実施形態では、ブランキング偏向器３１により第１成形アパーチャマスク４１上ではビームを移動させるが、成形偏向器３２の位置ではクロスオーバ像を移動させない。この場合、リミッティングアパーチャマスク４３上でもクロスオーバ像は移動しない。従って、ブランキング時にもクロスオーバ像は常にＡ点に位置することになり、ビーム移動に伴う描画精度の低下は生じない。 On the other hand, in this embodiment, the blanking deflector 31 moves the beam on the first shaping aperture mask 41, but the crossover image is not moved at the position of the shaping deflector 32. In this case, the crossover image does not move even on the limiting aperture mask 43. Therefore, the crossover image is always located at the point A even during blanking, and the drawing accuracy is not lowered due to the beam movement.

また、電流分布の変化の時間を可能な限り短くするために、図４に示すような伝送線路方式の高速ブランキングシステム（例えば、特開平１１−１５００５５号公報参照）を用いることが望ましい。この高速ブランキングシステムは、内部導体６１を外部導体６２で覆うように構成した同軸線路６０を用い、外部導体６２の側壁にビームの入射口６３及び出射口６４を形成したものである。ブランキング電極の一方の電極は内部導体６１であり、他方の電極は外部導体６２である。なお、図４中の６５はブランキング電圧を供給するためのブランキングパルスジェネレータ等のブランキングパルス発生回路、６６は終端抵抗を示している。 Further, in order to shorten the time for changing the current distribution as much as possible, it is desirable to use a transmission line type high-speed blanking system (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-150055) as shown in FIG. In this high-speed blanking system, a coaxial line 60 configured to cover an inner conductor 61 with an outer conductor 62 is used, and a beam entrance 63 and an exit 64 are formed on the side wall of the outer conductor 62. One electrode of the blanking electrode is an inner conductor 61, and the other electrode is an outer conductor 62. In FIG. 4, 65 indicates a blanking pulse generation circuit such as a blanking pulse generator for supplying a blanking voltage, and 66 indicates a termination resistor.

このような同軸伝送線路の偏向電極組をビーム進行軸方向に沿って２段に配置することにより、前記図１のブランキング偏向器３１として用いることができる。 By arranging such deflection electrode sets of the coaxial transmission line in two stages along the beam traveling axis direction, it can be used as the blanking deflector 31 of FIG.

この場合、ブランキングパルス発生回路６５には極めて高速な動作が可能な回路が用いられるが、このような高速回路においては電圧を高くすることが困難である。この問題を解決するために、ブランキング偏向器３１による偏向に加えて、第１投影レンズ２３のレンズ効果による偏向を加えることにより、ブランキング偏向器単体による偏向量が小さい場合でも、クロスオーバ像位置を移動させないと云う条件を確保しつつブランキング動作を行うことが可能となる。 In this case, a circuit capable of extremely high speed operation is used as the blanking pulse generation circuit 65, but it is difficult to increase the voltage in such a high speed circuit. In order to solve this problem, in addition to the deflection by the blanking deflector 31, by adding the deflection by the lens effect of the first projection lens 23, the crossover image can be obtained even when the deflection amount by the blanking deflector alone is small. It is possible to perform the blanking operation while securing the condition that the position is not moved.

ところで、レンズの励磁は結像条件から決められるがこの条件は、設計と必ずしも一致するとは限らない。そこで、偏向電極組３１１，３１２に加わる電圧の比ＶＢ１／ＶＢ２を調整して、クロスオーバ像の移動を最小になるように調整することもできる。これには、偏向電極組３１２に電圧を加えるための同軸伝送線路に適当な減衰率の減衰器を設けることで可能である。 By the way, the excitation of the lens is determined from the imaging condition, but this condition does not always coincide with the design. Therefore, it is possible to adjust the ratio VB1 / VB2 of the voltages applied to the deflection electrode sets 311 and 312 so as to minimize the movement of the crossover image. This can be achieved by providing an attenuator having an appropriate attenuation factor in the coaxial transmission line for applying a voltage to the deflection electrode set 312.

このように本実施形態によれば、ブランキング偏向器３１を２段の偏向電極組３１１，３１２で構成し、ブランキング時に成形偏向器３２の偏向中心におけるクロスオーバ像位置が移動しないように、偏向電極組３１１，３１２を偏向方向が逆方向となるように駆動することにより、ブランキング時のクロスオーバ像の移動を抑えることが可能となる。このため、レンズの球面収差や焦点ずれによって引き起こされる試料面上のビーム照射位置のずれを抑制することができ、描画精度の向上をはかることができる。 As described above, according to the present embodiment, the blanking deflector 31 includes the two-stage deflection electrode sets 311 and 312 so that the crossover image position at the deflection center of the shaping deflector 32 does not move during blanking. By driving the deflection electrode sets 311 and 312 so that the deflection directions are opposite to each other, the movement of the crossover image at the time of blanking can be suppressed. For this reason, the deviation of the beam irradiation position on the sample surface caused by the spherical aberration or defocusing of the lens can be suppressed, and the drawing accuracy can be improved.

また、従来装置とは異なり投影レンズを２段に構成し、コンデンサレンズ２１，２２のみではなく投影レンズ２３も用いて、成形偏向器３２の偏向中心にクロスオーバが形成されるようにしているため、偏向電極組３１１，３１２による偏向量が小さい場合であっても、クロスオーバ像の移動を効果的に抑制することができる。 Further, unlike the conventional apparatus, the projection lens is configured in two stages, and not only the condenser lenses 21 and 22 but also the projection lens 23 is used so that a crossover is formed at the deflection center of the shaping deflector 32. Even when the deflection amount by the deflection electrode sets 311 and 312 is small, the movement of the crossover image can be effectively suppressed.

ここで、ブランキング偏向器３１で必要な偏向角度を見積もる。図１の構成で投影レンズを１段（第２投影レンズ２４のみ）にした例で、第１成形アパーチャマスク４１とその下流のクロスオーバ位置を８０ｍｍ、第１成形アパーチャマスク４１の上流４０ｍｍと７０ｍｍの位置にブランキング偏向器３１の中心があるとする。第２コンデンサレンズ２２は第１成形アパーチャマスク４１の上流１００ｍｍの位置にあり、薄レンズで考えて良いとし、その磁場の影響はブランキング偏向器３１に及ばないと仮定する。また、ブランキングの際に第１成形アパーチャマスク４１の位置で０．１ｍｍビーム位置を偏向することが必要であると仮定する。見積のため、ブランキング偏向器３１中の軌道の曲がりを考えず、中心で角度を変えると近似して考える。 Here, the deflection angle required by the blanking deflector 31 is estimated. In the example in which the projection lens has one stage (only the second projection lens 24) in the configuration of FIG. 1, the first shaping aperture mask 41 and the downstream crossover position are 80 mm, and the upstream 40 mm and 70 mm upstream of the first shaping aperture mask 41. It is assumed that the center of the blanking deflector 31 is at the position. It is assumed that the second condenser lens 22 is located 100 mm upstream of the first shaping aperture mask 41 and can be considered as a thin lens, and the influence of the magnetic field does not reach the blanking deflector 31. Further, it is assumed that it is necessary to deflect the 0.1 mm beam position at the position of the first shaping aperture mask 41 during blanking. For the sake of estimation, it is assumed that the angle of the trajectory in the blanking deflector 31 is not bent but the angle is changed at the center.

下流側の偏向器３１２の中心とクロスオーバとの距離は１２０ｍｍであるので、ブランキング時に下流側の偏向器位置でビーム軌道は０．１×１２０／８０＝０．１５ｍｍずれていなければならない。このようにするには、上流側の偏向器３１１での偏向角度は０．１５／４０ｒａｄ必要である。また、下流側の偏向器３１２での偏向角度は（０．１５／４０＋０．１５／１２０）＝０．１５／３０ｒａｄ必要である。 Since the distance between the center of the downstream deflector 312 and the crossover is 120 mm, the beam trajectory must be shifted by 0.1 × 120/80 = 0.15 mm at the downstream deflector position during blanking. To do this, the deflection angle at the upstream deflector 311 needs to be 0.15 / 40 rad. The deflection angle at the downstream deflector 312 needs to be (0.15 / 40 + 0.15 / 120) = 0.15 / 30 rad.

一方で、図１の構成で、第２コンデンサレンズ２２，ブランキング偏向器３１、第１成形アパーチャマスク４１の位置関係を同じとして、第２コンデンサレンズ２２と第１投影レンズ２３との間でクロスオーバ結像の軌道が軸に平行と仮定すると、ブランキング時に下側の偏向器位置でビーム軌道は０．１ｍｍずれていれば良い。このようにするには、上側の偏向器３１１での偏向角度は０．１／４０ｒａｄ、また、下側の偏向器３１２での偏向角度も０．１／４０で良い。図１から分るように、クロスオーバ結像の軌道を下流に向けて発散するような構成とすることでこの角度は更に緩和できる。 On the other hand, in the configuration of FIG. 1, the positional relationship among the second condenser lens 22, the blanking deflector 31, and the first shaping aperture mask 41 is the same, and the cross between the second condenser lens 22 and the first projection lens 23. Assuming that the over-imaging trajectory is parallel to the axis, the beam trajectory should be shifted by 0.1 mm at the lower deflector position during blanking. To do this, the deflection angle at the upper deflector 311 may be 0.1 / 40 rad, and the deflection angle at the lower deflector 312 may be 0.1 / 40. As can be seen from FIG. 1, this angle can be further relaxed by adopting a configuration in which the trajectory of the crossover imaging diverges downstream.

長さ２０ｍｍの偏向領域で、５０ｋｅＶの電子に対して０．１５／３０ｒａｄの偏向角度を得るには、電場は約２．５×１０4 Ｖ／ｍが必要である。電極間隔を４ｍｍとすると、電圧は約５０Ｖ必要である。一方で、０．１／４０ｒａｄ得るには約２５Ｖで良く、必要な電圧を半分にすることができる。具体的な数値は構造によって異なるが、第１投影レンズ２３での偏向効果を利用することで、ブランキング偏向器３１の設計条件を大幅に緩和することができる。 In order to obtain a deflection angle of 0.15 / 30 rad for 50 keV electrons in a deflection region of 20 mm in length, the electric field needs to be about 2.5 × 10 4 V / m. When the electrode interval is 4 mm, the voltage needs to be about 50V. On the other hand, about 25V is sufficient to obtain 0.1 / 40 rad, and the required voltage can be halved. Although specific numerical values vary depending on the structure, the design condition of the blanking deflector 31 can be greatly relaxed by utilizing the deflection effect of the first projection lens 23.

さらに、図１に示す構成においては、ブランキング偏向器３１による偏向に設計と誤差が生じる場合に、第２コンデンサレンズ２２と第１投影レンズ２３の励磁を調整することでも、ブランキング偏向時のクロスオーバの移動を小さくすることが可能である。但し、アパーチャ像は第２成形アパーチャマスク４２上に結像する必要があるので、第２投影レンズ２４の励磁は第１投影レンズ２３に対して一意的に決まり、以下、縮小レンズ２５，対物レンズ２６の励磁も自動的に定まる。従って、リミッティングアパーチャマスク４３付近でのクロスオーバ位置は軸方向に若干移動する。また、第１成形アパーチャマスク４１から第２成形アパーチャマスク４２、第２成形アパーチャマスク４２から試料面への結像時の倍率も若干変化する。しかし、これに伴うビーム径の変化分は、ミッティングアパーチャマスク４３をビーム径変化を吸収できる程度に大きくしてあれば実用上の問題は小さい。また、倍率変化については可変成形ビーム装置のビーム寸法の校正を行えば描画時の誤差を抑えることができる。 Further, in the configuration shown in FIG. 1, when there is a design error in the deflection by the blanking deflector 31, the excitation of the second condenser lens 22 and the first projection lens 23 can also be adjusted by blanking deflection. It is possible to reduce the movement of the crossover. However, since the aperture image needs to be formed on the second shaping aperture mask 42, the excitation of the second projection lens 24 is uniquely determined with respect to the first projection lens 23. Hereinafter, the reduction lens 25 and the objective lens will be described. 26 excitation is also automatically determined. Accordingly, the crossover position near the limiting aperture mask 43 slightly moves in the axial direction. Further, the magnification at the time of image formation from the first shaping aperture mask 41 to the second shaping aperture mask 42 and from the second shaping aperture mask 42 to the sample surface also slightly changes. However, if the beam aperture change due to this is made large enough to absorb the beam aperture change, the practical problem is small. Further, with respect to the change in magnification, if the beam size of the variable shaped beam apparatus is calibrated, errors during drawing can be suppressed.

（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態に係わる可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置を示す概略構成図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。 (Second Embodiment)
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a variable shaped beam type electron beam drawing apparatus according to the second embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to FIG. 1 and an identical part, and the detailed description is abbreviate | omitted.

本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、コンデンサレンズを１段にしたことにある。この場合、コンデンサレンズ２１により第１成形アパーチャ４１の上流側にクロスオーバ像が形成されることはなく、コンデンサレンズ２１及び第１の投影レンズ２３により、成形偏向器３２の偏向中心にクロスオーバ像が形成される。従って、コンデンサレンズが１段であっても、コンデンサレンズ２１と投影レンズ２６により成形偏向器３２の偏向中心にクロスオーバを形成することができ、ビーム電流密度を調節することができる。 The difference between this embodiment and the first embodiment described above is that the condenser lens is arranged in one stage. In this case, a crossover image is not formed on the upstream side of the first shaping aperture 41 by the condenser lens 21, and the crossover image is formed at the deflection center of the shaping deflector 32 by the condenser lens 21 and the first projection lens 23. Is formed. Therefore, even if the condenser lens has one stage, a crossover can be formed at the deflection center of the shaping deflector 32 by the condenser lens 21 and the projection lens 26, and the beam current density can be adjusted.

ブランキング偏向器３１により成形偏向器３２の偏向中心におけるクロスオーバ像の移動を抑制しながらブランキングできることは第１の実施形態と同様である。従って、本実施形態においても、先の第１の実施形態と同様の効果が得られる。 The blanking deflector 31 can perform blanking while suppressing the movement of the crossover image at the deflection center of the shaping deflector 32, as in the first embodiment. Therefore, also in this embodiment, the same effect as the first embodiment can be obtained.

（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態ではブランキング偏向器を構成する偏向電極組を２組としたが、必ずしも２組に限らず３組以上で構成としても良い。また、電子ビーム描画装置の光学系の基本構成は前記図１や図５に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。より具体的には、コンデンサレンズと第１成形アパーチャマスクとの間に少なくとも２段の偏向電極組からなるブランキング偏向器が配置され、ブランキング偏向器とブランキング偏向器の下流側で最も近いクロスオーバ像位置との間に投影レンズが設けられた構成であれば本発明を適用することが可能である。 (Modification)
The present invention is not limited to the above-described embodiments. In the embodiment, the number of deflection electrode groups constituting the blanking deflector is two. However, the number is not limited to two, and may be three or more. In addition, the basic configuration of the optical system of the electron beam drawing apparatus is not limited to that shown in FIGS. 1 and 5 and can be appropriately changed according to the specifications. More specifically, a blanking deflector composed of at least two stages of deflection electrode sets is disposed between the condenser lens and the first shaping aperture mask, and is closest to the downstream side of the blanking deflector and the blanking deflector. The present invention can be applied to any configuration in which a projection lens is provided between the crossover image position.

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。 In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１１…電子銃
１２…試料
１３…試料ステージ
２１…第１のコンデンサレンズ
２２…第２のコンデンサレンズ
２３…第１の投影レンズ
２４…第２の投影レンズ
２５…縮小レンズ
２６…対物レンズ
３１…ブランキング偏向器
３１１，３１２…偏向電極組
３２…成形偏向器
３３…対物偏向器
４１…第１成形アパーチャマスク
４２…第２成形アパーチャマスク
４３…リミッティングアパーチャマスク
５１…ブランキングジェネレータ
５２…減衰器
６０…同軸線路
６１…内部導体
６２…外部導体
６３…ビーム入射口
６４…ビーム出射口
６５…ブランキングパルス発生回路
６６…終端抵抗 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Electron gun 12 ... Sample 13 ... Sample stage 21 ... 1st condenser lens 22 ... 2nd condenser lens 23 ... 1st projection lens 24 ... 2nd projection lens 25 ... Reduction lens 26 ... Objective lens 31 ... B Ranking deflectors 311, 312 ... Deflection electrode set 32 ... Molding deflector 33 ... Objective deflector 41 ... First shaping aperture mask 42 ... Second shaping aperture mask 43 ... Limiting aperture mask 51 ... Blanking generator 52 ... Attenuator 60 ... Coaxial line 61 ... Internal conductor 62 ... External conductor 63 ... Beam entrance 64 ... Beam exit 65 ... Blanking pulse generation circuit 66 ... Terminal resistance

Claims

電子源に最も近いアパーチャマスクの電子源側に、コンデンサレンズとブランキング偏向器が設けられ、前記アパーチャマスクよりもビーム進行軸方向の下流側に投影レンズが設けられ、前記ブランキング偏向器により前記電子ビームのオン・オフを制御する電子ビーム描画装置であって、
前記ブランキング偏向器は、前記コンデンサレンズと前記アパーチャマスクとの間に配置された少なくとも２段の静電偏向電極で構成され、各々の偏向電極は、前記コンデンサレンズと前記投影レンズにより形成されるクロスオーバ像のブランキングに伴う移動を小さくするように、偏向方向を逆方向にして駆動されることを特徴とする電子ビーム描画装置。 A condenser lens and a blanking deflector are provided on the electron source side of the aperture mask closest to the electron source, and a projection lens is provided on the downstream side in the beam traveling axis direction with respect to the aperture mask. An electron beam drawing apparatus for controlling on / off of an electron beam,
The blanking deflector includes at least two stages of electrostatic deflection electrodes disposed between the condenser lens and the aperture mask, and each deflection electrode is formed by the condenser lens and the projection lens. An electron beam writing apparatus, wherein the deflection direction is driven in a reverse direction so as to reduce the movement accompanying blanking of the crossover image.

前記コンデンサレンズは、前記電子ビームの進行軸方向に離間して２段に設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装置。 2. The electron beam drawing apparatus according to claim 1, wherein the condenser lens is provided in two stages apart from each other in the traveling axis direction of the electron beam.

前記各偏向電極は、内部導体を外部導体で覆うように構成した同軸線路を用い、外部導体の側壁にビームの入射口及び出射口を形成した伝送線路方式の偏向電極であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子ビーム描画装置。 Each of the deflection electrodes is a transmission line type deflection electrode in which a coaxial line configured to cover an inner conductor with an outer conductor is used, and a beam entrance and an exit are formed on a side wall of the outer conductor. The electron beam drawing apparatus according to claim 1.

電子ビームを発生する電子源と、
前記電子ビームを集束するコンデンサレンズと、
前記コンデンサレンズで集束された電子ビームが照射される第１の成形アパーチャマスクと、
前記第１の成形アパーチャマスクに対し前記電子ビームの進行軸方向の下流側に設けられた第２の成形アパーチャマスクと、
前記第１及び第２の成形アパーチャマスク間に離間して設けられ、前記第１の成形アパーチャマスクのアパーチャ像を前記第２の成形アパーチャマスク上に結像する２段の投影レンズと、
前記各投影レンズ間に設けられ、前記コンデンサレンズと前記第１成形アパーチャマスク側の投影レンズにより生成されるクロスオーバ像位置を中心に前記電子ビームを偏向し、前記第２成形アパーチャマスク上で前記アパーチャ像の位置を可変する成形偏向器と、
前記第２成形アパーチャマスク上に形成されるビーム像を試料面に結像する対物レンズと、
前記試料面上でのビーム位置を可変する対物偏向器と、
前記コンデンサレンズと第１成形アパーチャマスクとの間に設けられた２段の静電偏向電極を有し、前記電子ビームを偏向して電子ビームをオン・オフ制御するブランキング偏向器と、
前記ブランキング偏向器の各々の偏向電極を偏向方向が逆方向となるように駆動し、且つブランキングに伴う前記クロスオーバ像の移動を小さくするように前記偏向電極組を駆動するブランキング制御回路と、
を具備したことを特徴とする可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置。 An electron source for generating an electron beam;
A condenser lens for focusing the electron beam;
A first shaping aperture mask irradiated with an electron beam focused by the condenser lens;
A second shaping aperture mask provided on the downstream side in the traveling axis direction of the electron beam with respect to the first shaping aperture mask;
A two-stage projection lens that is provided between the first and second shaping aperture masks and that forms an aperture image of the first shaping aperture mask on the second shaping aperture mask;
The electron beam is deflected around a position of a crossover image provided between the projection lenses and generated by the condenser lens and a projection lens on the first shaping aperture mask side, and the electron beam is deflected on the second shaping aperture mask. A shaping deflector that changes the position of the aperture image;
An objective lens that forms an image of a beam image formed on the second shaping aperture mask on a sample surface;
An objective deflector that varies a beam position on the sample surface;
A blanking deflector having a two-stage electrostatic deflection electrode provided between the condenser lens and the first shaping aperture mask, and deflecting the electron beam to control on / off of the electron beam;
A blanking control circuit that drives each deflection electrode of the blanking deflector so that the deflection direction is reversed, and drives the deflection electrode set so as to reduce the movement of the crossover image due to blanking. When,
A variable shaped beam type electron beam lithography apparatus comprising:

電子源に最も近いアパーチャマスクの電子源側に、コンデンサレンズと２段のブランキング偏向器が設けられ、前記アパーチャマスクよりもビームの進行軸方向の下流側に投影レンズが設けられた電子ビーム描画装置を用い、前記ブランキング偏向器により前記電子ビームのオン・オフを制御する電子ビーム描画方法であって、
前記偏向器を各々の偏向方向が逆方向となるように駆動し、前記コンデンサレンズと前記投影レンズにより形成されるクロスオーバ像の移動を小さくすることを特徴とする電子ビーム描画方法。 Electron beam drawing in which a condenser lens and a two-stage blanking deflector are provided on the electron source side of the aperture mask closest to the electron source, and a projection lens is provided downstream of the aperture mask in the beam traveling axis direction. An electron beam writing method using an apparatus to control on / off of the electron beam by the blanking deflector,
An electron beam drawing method, wherein the deflector is driven so that the respective deflection directions are opposite to each other, and movement of a crossover image formed by the condenser lens and the projection lens is reduced.