JP2010225917A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光取り出し口を有するパッケージと、このパッケージ内に配置され、紫外光から可視光までの範囲内のいずれかの波長の光を発する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが発する光を吸収して波長の異なる可視光を出力する蛍光体を含み、周囲が前記パッケージに密着し、かつ前記レーザダイオードの光路上に配置された可視発光体とを備えることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
I0:励起光の強度
κ:係数
c:発光体中の蛍光体の濃度(重量)
t:発光体の厚さ(μm)
ctを横軸に、Iを縦軸にプロットしたグラフを図9に示す。
上記式により表される珪酸塩系蛍光体材料の中では、x=0.19、y=0、z=0.05、w=1.0の組成が望ましい。なお、結晶構造を安定化したり、発光強度を高めるために、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、及びカルシウム(Ca)の一部をMg及びZnの少なくともいずれか一方に置き換えてもよい。
賦活剤として、Eu及びMnの少なくとも1つを含む。
上記組成において、x=2かつy=5、又はx=1かつy=7であることが望ましいが、x及びyは、任意の値とすることができる。
なお、Sを、Se及びTeの少なくともいずれかに置き換えてもよい。
なお、Tb、Pr、Mg、Ti、Nb、Ta、Ga、Sm、及びTmからなる群から選ばれる少なくとも1種を、賦活剤として含有してもよい。
なお、CrおよびTbの少なくとも一種を、賦活剤として含有してもよい。
なお、賦活剤として、Tbを含有してもよい。
(9)燐酸塩系蛍光体:(Sr(1−x)Bax)3(PO4)2:Eu、又は(Sr(1−x)Bax)2P2O7:Eu、Sn
なお、Ti及びCuのいずれか一方を、賦活剤として含有してもよい。
なお、Clの少なくとも一部を、フッ素(F)に置き換えてもよい。また、Sb及びMnの少なくとも1つを、賦活剤として含有してもよい。
以上説明した本発明の実施形態に係る半導体発光装置の実施例について、以下に説明する。
本実施例は、図1に示す半導体発光装置に係るものである。
本実施例は、図5に示す半導体発光装置に係るものである。
本実施例は、図7に示す半導体発光装置に係るものである。
Claims (10)
- 光取り出し口を有するパッケージと、このパッケージ内に配置され、紫外光から可視光までの範囲内のいずれかの波長の光を発する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが発する光を吸収して波長の異なる可視光を出力する蛍光体を含み、周囲が前記パッケージに密着し、かつ前記レーザダイオードの光路上に配置された可視発光体とを備えることを特徴とする半導体発光装置。
- 光取り出し口を有するパッケージと、このパッケージ内に配置され、紫外光から可視光までの範囲内のいずれかの波長の光を発する半導体レーザダイオードとを具備し、前記半導体レーザダイオードは、テーパ構造を有する2つのヒートシンクによって上下面において挟まれていることを特徴とする半導体発光装置。
- 前記2つのヒートシンクのうち少なくとも一方は、前記発光素子とハンダ若しくは導電性ペーストによって接合され、又は前記発光素子との接合面に金属厚膜を有し、密着することで熱的に接合され、他方のヒートシンクは、前記パッケージとの間にバネ状スペーサーを介在して固定されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。
- 前記2つのヒートシンクは、少なくとも表面に絶縁性を有する金属もしくはセラミックからなるパッケージにより上下から挟まれることにより固定されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。
- 前前記半導体レーザダイオードが発する光を吸収して波長の異なる可視光を出力する蛍光体を含み、周囲が前記パッケージに密着し、かつ前記レーザダイオードの光路上に配置された可視発光体を更に具備することを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記パッケージは、底部と蓋部とからなり、前記底部と蓋部の、前記半導体レーザダイオードが発する光の光路に面する面には、可視光および近紫外光を反射するミラーが設けられており、かつ前記ヒートシンクのテーパ面がミラーであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記可視発光体は、そのアスペクト比が、2:1以上の長方形もしくは多角形もしくは楕円形の形状を有し、前記レーザダイオードが発する光の出射形状の長軸と、前記可視発光体の長軸が同方向であることを特徴とする請求項1、5又は6に記載の半導体発光装置。
- 前記可視発光体が、透明樹脂、無機のガラス、又は結晶中中に少なくとも1種類以上の蛍光体粒子を分散してなることを特徴とする請求項1、5〜7のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記可視発光体は、蛍光体の焼結体であることを特徴とする請求項1、5〜7のいずれかに記載の半導体発光装置。
- ガラスもしくは金属または樹脂を母体とする透明な板状もしくはレンズ状の構造物が前記可視発光体より外側に配置され、かつ、前記可視発光体と密着していることを特徴とする請求項1、5〜9のいずれかに記載の半導体発光装置。
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016167492A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2017162965A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | フォトンリサーチ株式会社 | マルチ波長レーザ光源モジュール、合波器付きマルチ波長レーザ光源モジュール、及び半導体レーザ光源ユニットの冷却方法 |
KR20180044327A (ko) * | 2015-08-19 | 2018-05-02 | 소라 레이저 다이오드, 인코포레이티드 | 레이저 다이오드를 사용하는 특수목적 통합된 광 소스 |
JP2018088556A (ja) * | 2016-04-18 | 2018-06-07 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用部材、アレイ部材および発光装置 |
JP2019067842A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
US10879673B2 (en) | 2015-08-19 | 2020-12-29 | Soraa Laser Diode, Inc. | Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package |
US10904506B1 (en) | 2009-05-29 | 2021-01-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device for white light |
US10938182B2 (en) | 2015-08-19 | 2021-03-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Specialized integrated light source using a laser diode |
US11239637B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-02-01 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber delivered laser induced white light system |
US11421843B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-23 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber-delivered laser-induced dynamic light system |
US11437774B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | High-luminous flux laser-based white light source |
JP7323836B2 (ja) | 2017-09-29 | 2023-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
US11884202B2 (en) | 2019-01-18 | 2024-01-30 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5044329B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2012-10-10 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
US9246299B2 (en) | 2011-08-04 | 2016-01-26 | Martin A. Stuart | Slab laser and amplifier |
JP7024410B2 (ja) * | 2016-01-28 | 2022-02-24 | ソニーグループ株式会社 | 半導体発光装置 |
DE102018118762A1 (de) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement mit einem Laserchip |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007105647A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Nichia Corporation | 発光装置 |
JP2008153617A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
JP2008235744A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2009260053A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2009272576A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Nichia Corp | 半導体発光装置 |
JP2009289976A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2010199357A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4017269B2 (ja) | 1998-11-10 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | 平行光発生装置 |
JP2006073202A (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP4761848B2 (ja) | 2005-06-22 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP4956977B2 (ja) | 2005-12-05 | 2012-06-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP4219924B2 (ja) | 2005-12-08 | 2009-02-04 | 三菱電機株式会社 | 動き検出回路及び輝度信号色信号分離回路 |
US8106414B2 (en) * | 2006-11-21 | 2012-01-31 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
JP4264109B2 (ja) | 2007-01-16 | 2009-05-13 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
JP5044329B2 (ja) | 2007-08-31 | 2012-10-10 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
JP5193586B2 (ja) | 2007-12-25 | 2013-05-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5305758B2 (ja) | 2008-06-30 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5571889B2 (ja) | 2008-08-29 | 2014-08-13 | 株式会社東芝 | 発光装置及び照明装置 |
JP4823300B2 (ja) * | 2008-12-17 | 2011-11-24 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
-
2009
- 2009-03-24 JP JP2009072478A patent/JP4910010B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-23 US US12/729,636 patent/US8369375B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007105647A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Nichia Corporation | 発光装置 |
JP2008153617A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
JP2008235744A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Nichia Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2009260053A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2009272576A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Nichia Corp | 半導体発光装置 |
JP2009289976A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2010199357A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11817675B1 (en) | 2009-05-29 | 2023-11-14 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser device for white light |
US11101618B1 (en) | 2009-05-29 | 2021-08-24 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser device for dynamic white light |
US11088507B1 (en) | 2009-05-29 | 2021-08-10 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser source apparatus |
US10904506B1 (en) | 2009-05-29 | 2021-01-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device for white light |
JP2016167492A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2018525836A (ja) * | 2015-08-19 | 2018-09-06 | ソラア レイザー ダイオード インク | レーザダイオードを用いた特殊一体型光源 |
US11437775B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Integrated light source using a laser diode |
US10879673B2 (en) | 2015-08-19 | 2020-12-29 | Soraa Laser Diode, Inc. | Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package |
US11973308B2 (en) | 2015-08-19 | 2024-04-30 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package |
US10938182B2 (en) | 2015-08-19 | 2021-03-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Specialized integrated light source using a laser diode |
KR20180044327A (ko) * | 2015-08-19 | 2018-05-02 | 소라 레이저 다이오드, 인코포레이티드 | 레이저 다이오드를 사용하는 특수목적 통합된 광 소스 |
JP7305007B2 (ja) | 2015-08-19 | 2023-07-07 | キョウセラ エスエルディー レイザー,インコーポレイテッド | レーザダイオードを用いた特殊一体型光源 |
KR102521474B1 (ko) * | 2015-08-19 | 2023-04-12 | 쿄세라 에스엘디 레이저, 인코포레이티드 | 레이저 다이오드를 사용하는 특수목적 통합된 광 소스 |
JP7082043B2 (ja) | 2015-08-19 | 2022-06-07 | キョウセラ エスエルディー レイザー,インコーポレイテッド | レーザダイオードを用いた特殊一体型光源 |
US11437774B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | High-luminous flux laser-based white light source |
JP2022126662A (ja) * | 2015-08-19 | 2022-08-30 | キョウセラ エスエルディー レイザー,インコーポレイテッド | レーザダイオードを用いた特殊一体型光源 |
JP2017162965A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | フォトンリサーチ株式会社 | マルチ波長レーザ光源モジュール、合波器付きマルチ波長レーザ光源モジュール、及び半導体レーザ光源ユニットの冷却方法 |
US10862264B2 (en) | 2016-04-18 | 2020-12-08 | Kyocera Corporation | Light-emitting element housing member, array member, and light-emitting device |
JP2018088556A (ja) * | 2016-04-18 | 2018-06-07 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用部材、アレイ部材および発光装置 |
JP7071616B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP7323836B2 (ja) | 2017-09-29 | 2023-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP2019067842A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
US11421843B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-23 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber-delivered laser-induced dynamic light system |
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