JP2010223850A - Mems device and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to a MEMS device and a manufacturing method thereof.
電子産業、自動車産業や機械産業などでは、小型で信頼性の高い、加速度センサや角速度センサなどの慣性センサの実現が望まれている。このような需要に応えるため、各種のＭＥＭＳ構造を使用した慣性センサが実用化されている。 In the electronics industry, the automobile industry, the machine industry, and the like, it is desired to realize a small and highly reliable inertial sensor such as an acceleration sensor or an angular velocity sensor. In order to meet such demands, inertial sensors using various MEMS structures have been put into practical use.
ＭＥＭＳ加速度センサにおいては、一端を基板に固定されたバネ状の支持梁と、支持梁の他端に形成された重錘を持ち、重錘に加わる加速度により生じる重錘の変位を、ピエゾ抵抗の変化、圧電作用による起電力、ないしは静電容量の変化などを利用して検出する。 A MEMS acceleration sensor has a spring-like support beam fixed at one end to a substrate and a weight formed at the other end of the support beam. The displacement of the weight caused by the acceleration applied to the weight is measured by a piezoresistive element. Detection is performed using a change, an electromotive force due to a piezoelectric action, or a change in capacitance.
同様に、ＭＥＭＳ角速度センサにおいては、一端を基板に固定されたバネ状の支持梁と、支持梁の他端に形成された重錘を持ち、逆圧電効果や静電力により重錘を一方向に励振し、励振軸と垂直の軸回りに加わる角速度で励起されるコリオリ力を、圧電作用による起電力ないしは静電容量の変化などを利用して検出する。 Similarly, a MEMS angular velocity sensor has a spring-like support beam having one end fixed to a substrate and a weight formed on the other end of the support beam. The weight is unidirectionally caused by the reverse piezoelectric effect or electrostatic force. The Coriolis force excited by the angular velocity applied around the axis perpendicular to the excitation axis is detected by utilizing an electromotive force or a change in capacitance due to the piezoelectric action.
これら加速度センサや角速度センサの支持梁や重錘等の可動部は、可動部保護と安定動作確保のために中空のパッケージ内に封止する必要がある。これらＭＥＭＳ慣性センサのウェハレベル中空封止方法として、大別して２種類の方法が知られている。 The movable parts such as support beams and weights of these acceleration sensors and angular velocity sensors need to be sealed in a hollow package in order to protect the movable parts and ensure stable operation. As a wafer level hollow sealing method for these MEMS inertial sensors, two types of methods are generally known.
第１の構造は、基板貼り合わせ型である。ＭＥＭＳを作製したＳｉ基板と、蓋としてＳｉやガラスなどの他の基板とを貼り合わせて封止する。基板接合にはＳｉ／Ｓｉの直接接合や、Ｓｉ／ガラスの陽極接合などがＭＥＭＳでは多用されている。 The first structure is a substrate bonding type. The Si substrate on which the MEMS is manufactured is bonded to another substrate such as Si or glass as a lid and sealed. For substrate bonding, Si / Si direct bonding, Si / glass anodic bonding, and the like are frequently used in MEMS.
第２の構造は、厚膜封止型である。可動部の周辺にドーム上の犠牲層を形成し、その上に薄膜プロセスないし厚膜プロセスで比較的厚い膜を形成し、犠牲層を抜いた後に密封封止し、最後に樹脂で封止する。特殊な装置は使用せず、ほぼインラインプロセスで封止までできる（例えば、特許文献１）。 The second structure is a thick film sealing type. A sacrificial layer on the dome is formed around the movable part, a relatively thick film is formed on the dome by a thin film process or a thick film process, the sacrificial layer is removed, hermetically sealed, and finally sealed with resin. . A special apparatus is not used, and sealing can be performed by an almost in-line process (for example, Patent Document 1).
しかしながら、第１の基板貼り合わせ型を採用した場合は、接合用の高価な特殊設備が必要である。また接合面は原子レベルでの平坦性が必要であるため、電極層を、接合面を介して出すのが難しい。このため、どちらかの基板をＤ−ＲＩＥにより加工してビアを形成する必要があり、この工程にも専用のエッチング装置が必要である。 However, when the first substrate bonding type is adopted, expensive special equipment for bonding is required. Further, since the bonding surface needs to be flat at the atomic level, it is difficult to put out the electrode layer through the bonding surface. For this reason, it is necessary to form either of the substrates by D-RIE to form a via, and a dedicated etching apparatus is also required for this process.
また、第２の厚膜封止型を採用した場合は、ドーム状の厚い犠牲層を形成する技術が難しい。また、樹脂封止時に加わる１０ＭＰａ程度の圧力に耐えるには少なくても１０μｍ以上の厚膜を形成する必要がある。このため、プロセス時間は相当長くなる。また、強度的な信頼性にも問題がある。さらに、小型化も困難である。 Further, when the second thick film sealing type is adopted, a technique for forming a dome-shaped thick sacrificial layer is difficult. Further, in order to withstand the pressure of about 10 MPa applied during resin sealing, it is necessary to form a thick film of at least 10 μm or more. For this reason, the process time becomes considerably long. There is also a problem in strength reliability. Further, it is difficult to reduce the size.
このように従来から知られている中空封止構造を使用した場合は、特殊な装置を使用したり、難度が高かったり、あるいは製造プロセスが長時間化するなどの大きな問題点がある。 As described above, when a conventionally known hollow sealing structure is used, there are major problems such as using a special device, a high degree of difficulty, and a long manufacturing process.
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、製造プロセスが容易で小型化可能、かつ、高い信頼性を有する中空封止構造を備えたＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and the object of the present invention is to provide a MEMS device having a hollow sealing structure that is easy to manufacture, can be miniaturized, and has high reliability, and the same. It is to provide a manufacturing method.
本発明の第１の態様のＭＥＭＳデバイスは、基板と、前記基板上に前記基板と空隙を介して形成され、穴が設けられた可動部と、前記基板上に形成され、前記穴の内側を前記可動部に非接触に貫通する支柱と、前記支柱によって支持され、前記可動部上に前記可動部と空隙を介して形成されたキャップ部を有することを特徴とする。 A MEMS device according to a first aspect of the present invention includes a substrate, a movable part formed on the substrate via the substrate and a gap, and provided with a hole, and formed on the substrate, the inside of the hole The support unit includes a support column penetrating the movable unit in a non-contact manner, and a cap unit supported by the support column and formed on the movable unit via the movable unit and a gap.
第１の態様のＭＥＭＳデバイスにおいて、前記キャップ部が第１のキャップ層と第２のキャップ層で形成され、前記第１のキャップ層の前記穴近傍に開口部が設けられ、前記第２のキャップ層が前記開口部をふさいでいることが望ましい。 In the MEMS device of the first aspect, the cap portion is formed of a first cap layer and a second cap layer, an opening is provided in the vicinity of the hole of the first cap layer, and the second cap It is desirable for the layer to block the opening.
第１の態様のＭＥＭＳデバイスにおいて、前記第１のキャップ層の少なくとも一部が前記支柱に直接支持されていることが望ましい。 In the MEMS device according to the first aspect, it is desirable that at least a part of the first cap layer is directly supported by the support column.
第１の態様のＭＥＭＳデバイスにおいて、前記可動部が慣性センサの重錘であることが望ましい。 In the MEMS device according to the first aspect, it is desirable that the movable part is a weight of an inertial sensor.
第１の態様のＭＥＭＳデバイスにおいて、前記可動部が慣性センサの重錘であり、前記穴が設けられた可動部の面積に対して、前記穴の面積の和が３０％以下であることが望ましい。 In the MEMS device according to the first aspect, it is preferable that the movable part is a weight of an inertial sensor, and a sum of the areas of the holes is 30% or less with respect to an area of the movable part provided with the holes. .
第１の態様のＭＥＭＳデバイスにおいて、前記支柱間の間隔が、１００μｍ以下であることが望ましい。 In the MEMS device according to the first aspect, it is desirable that a distance between the support columns is 100 μm or less.
本発明の第２の態様のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基板上に第１の犠牲層を成膜する工程と、前記第１の犠牲層をパターニングして一部を除去する工程と、前記第１の犠牲層上に前記第１の犠牲層と材質が異なる可動部形成層を成膜する工程と、前記可動部形成層をパターニングし、穴が設けられた可動部と、前記穴の内側の前記第１の犠牲層が除去された領域に支柱を形成する工程と、前記可動部および前記支柱上に第２の犠牲層を成膜する工程と、前記第２の犠牲層上に第１のキャップ層を成膜する工程と、
前記第１のキャップ層をパターニングし、前記穴近傍に開口部を設ける工程と、前記第１の犠牲層と前記第２の犠牲層とをエッチングし前記可動部をリリースする工程と、前記第１のキャップ層上に第２のキャップ層を成膜し前記開口部をふさぐ工程とを有することを特徴とする。
The MEMS device manufacturing method according to the second aspect of the present invention includes a step of forming a first sacrificial layer on a substrate, a step of patterning the first sacrificial layer to remove a part thereof, Forming a movable part forming layer made of a material different from that of the first sacrificial layer on the first sacrificial layer; patterning the movable part forming layer; and a movable part provided with a hole; Forming a column in the region from which the first sacrificial layer has been removed; forming a second sacrificial layer on the movable portion and the column; and a first on the second sacrificial layer. Forming a cap layer; and
Patterning the first cap layer and providing an opening in the vicinity of the hole; etching the first sacrificial layer and the second sacrificial layer to release the movable part; and the first Forming a second cap layer on the cap layer and closing the opening.
第２の態様のＭＥＭＳデバイスの製造方法において、第１のキャップ層を成膜する工程の前に、前記支柱上の一部の前記第２の犠牲層を除去する工程を有し、前記第１のキャップ層を成膜する工程の際に、前記第１のキャップ層の少なくとも一部が前記基板に支持される状態にすることが望ましい。 The method of manufacturing a MEMS device according to a second aspect includes a step of removing a part of the second sacrificial layer on the support column before the step of forming the first cap layer. In the step of forming the cap layer, it is preferable that at least a part of the first cap layer is supported by the substrate.
本発明によれば、製造プロセスが容易で小型化可能、かつ、高い信頼性を有する中空封止構造を備えたＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法を提供することが可能となる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the MEMS device provided with the hollow sealing structure which has an easy manufacturing process, can be reduced in size, and has high reliability, and its manufacturing method.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。なお、本明細書中で「支柱」とは、可動部の穴を貫通して設けられ、基板に対してキャップ部を支持する機能を有する部分を総称する概念である。したがって、単一の層で構成される場合、異なるプロセスステップで形成された複数の層で構成される場合など多様な構成を許容する概念である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification, the “post” is a concept that collectively refers to a portion that is provided through the hole of the movable portion and has a function of supporting the cap portion with respect to the substrate. Therefore, it is a concept that allows various configurations such as a single layer or a plurality of layers formed in different process steps.
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態のＭＥＭＳデバイスは、基板と、この基板上に基板と空隙を介して形成され、穴が設けられた可動部と、基板上に形成され、可動部の穴の内側を可動部に非接触に貫通する支柱と、この支柱によって支持され、可動部上に可動部と空隙を介して形成されたキャップ部を有するＭＥＭＳデバイスである。
(First embodiment)
The MEMS device according to the first embodiment of the present invention includes a substrate, a movable portion formed on the substrate via a gap with the substrate and provided with a hole, a hole formed on the substrate, and a hole in the movable portion. This is a MEMS device having a support column penetrating the inside of the movable unit in a non-contact manner and a cap unit supported by the support column and formed on the movable unit via a movable unit and a gap.
本実施の形態においては、ＭＥＭＳデバイスが圧電検出型の加速度センサである。 In the present embodiment, the MEMS device is a piezoelectric detection type acceleration sensor.
図１は、中空封止前の本実施の形態の加速度センサの平面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面図である。まず、図１および図２を用いて、キャップにより可動部を中空封止する前の加速度センサ１０について説明する。 FIG. 1 is a plan view of the acceleration sensor of the present embodiment before hollow sealing. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. First, the acceleration sensor 10 before the movable part is hollow-sealed with a cap will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
加速度センサ１０は、基板１と基板１上に、下部電極３、圧電膜４および上部電極５により構成されたセンサ梁１１、可動部である重錘１２、支柱１３、および側壁１４を備えている。センサ梁１１、重錘１２、支柱１３、および側壁１４はすべて同一材料で形成されている。センサ梁１１の一端は第１の犠牲層２を介して基板１で支持されている。第１の犠牲層２のない部分では、重錘１２は基板１と空隙を介して形成されている。 The acceleration sensor 10 includes a substrate 1 and a sensor beam 11 including a lower electrode 3, a piezoelectric film 4, and an upper electrode 5, a weight 12 that is a movable portion, a support column 13, and a side wall 14 on the substrate 1. . The sensor beam 11, the weight 12, the support column 13, and the side wall 14 are all made of the same material. One end of the sensor beam 11 is supported by the substrate 1 via the first sacrificial layer 2. In the portion where the first sacrificial layer 2 is not provided, the weight 12 is formed with a gap from the substrate 1.
センサ梁１１の上部電極５は、幅方向（Ｙ方向）に５ａおよび５ｂに分割され、上部電極５ａは電極１５ａに、上部電極５ｂは電極１５ｂに接続されている。圧電膜４は基板と垂直方向に分極している。重錘１２には、犠牲層を抜くための穴１６が形成されている。重錘１２と支柱１３とは接触しないように構成されている。このように、支柱１３は、穴１６の内側を、可動部である重錘１２に非接触に貫通している。 The upper electrode 5 of the sensor beam 11 is divided into 5a and 5b in the width direction (Y direction), the upper electrode 5a is connected to the electrode 15a, and the upper electrode 5b is connected to the electrode 15b. The piezoelectric film 4 is polarized in the direction perpendicular to the substrate. The weight 12 is formed with a hole 16 for removing the sacrificial layer. The weight 12 and the column 13 are configured not to contact each other. Thus, the support column 13 penetrates the inside of the hole 16 in a non-contact manner with the weight 12 which is a movable part.
Ｙ方向の加速度が重錘１２に加わると、重錘１２はＹ方向への力を受け、センサ梁１１はＹ方向に屈曲する。このとき、上部電極５ａの下部の圧電膜４にはＸ方向の圧縮力が加わり、Ｚ方向へは正の歪を発生し、上部電極５ａと下部電極３の間に正の起電力が発生する。 When acceleration in the Y direction is applied to the weight 12, the weight 12 receives a force in the Y direction, and the sensor beam 11 bends in the Y direction. At this time, a compressive force in the X direction is applied to the piezoelectric film 4 below the upper electrode 5a, generating a positive strain in the Z direction, and generating a positive electromotive force between the upper electrode 5a and the lower electrode 3. .
一方、上部電極５ｂの下部の圧電膜４にはＸ方向の引張り力が加わり、Ｚ方向へは負の歪を発生し、上部電極５ａと下部電極３の間に負の起電力が発生する。従って、上部電極５ａおよび５ｂの間、ないしは電極１５ａおよび１５ｂの間の電位差を測定することで、重錘１２に加わった加速度の大きさを求めることができる。 On the other hand, a tensile force in the X direction is applied to the piezoelectric film 4 below the upper electrode 5b, negative strain is generated in the Z direction, and negative electromotive force is generated between the upper electrode 5a and the lower electrode 3. Therefore, the magnitude of the acceleration applied to the weight 12 can be obtained by measuring the potential difference between the upper electrodes 5a and 5b or between the electrodes 15a and 15b.
図３は中空封止後の本実施の形態の加速度センサの平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ部分断面図である。また、図５は、図３のＢ−Ｂ部分断面図である。以下、図３ないし図５を用いて、キャップにより中空封止した後の加速度センサ１０について、詳細に説明する。 FIG. 3 is a plan view of the acceleration sensor of the present embodiment after hollow sealing. 4 is a partial cross-sectional view taken along line AA of FIG. FIG. 5 is a partial cross-sectional view taken along line BB in FIG. Hereinafter, the acceleration sensor 10 after being hollow-sealed with a cap will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 5.
加速度センサ１０の可動部である重錘１２は、第１のキャップ層７および第２のキャップ層８からなるキャプ部により中空封止されている。重錘１２（センサ梁１１は図示しないが同様）は空隙９により、基板１および第１および第２のキャップ層７、８と隔てられている。キャップ層７および８は、周囲の側壁１４と接触して支持されているとともに、重錘１２を貫通して形成された支柱１３と接触して支持されている。 A weight 12 that is a movable part of the acceleration sensor 10 is hollow-sealed by a cap part including a first cap layer 7 and a second cap layer 8. The weight 12 (the sensor beam 11 is not shown) is separated from the substrate 1 and the first and second cap layers 7 and 8 by a gap 9. The cap layers 7 and 8 are supported in contact with the surrounding side wall 14 and are supported in contact with the support column 13 formed through the weight 12.
なお、図４に示すＡ−Ａ部分断面図（Ｘ断面）では、第１のキャップ層７の穴１６近傍には、加速度センサ１０の製造途中に犠牲層をエッチングするための抜き穴として、開口部１７が設けられている。そして、開口部１７は、加速度センサ製造後には、図のように第２のキャップ層８でふさがれている。 In the AA partial sectional view (X section) shown in FIG. 4, an opening is formed in the vicinity of the hole 16 of the first cap layer 7 as a hole for etching the sacrificial layer during the manufacture of the acceleration sensor 10. A portion 17 is provided. The opening 17 is closed by the second cap layer 8 as shown in the figure after the acceleration sensor is manufactured.
一方、図５のＢ−Ｂ部分断面図（Ｙ断面）では、第１のキャップ層７と支柱１３が直接接触しており、製造中、第１のキャップ層７が形成された時点でも、第１のキャップ層が支柱１３に直接支持されていることで反りによる変形等を防止することができる。 On the other hand, in the BB partial cross-sectional view (Y cross section) of FIG. 5, the first cap layer 7 and the support column 13 are in direct contact, and even when the first cap layer 7 is formed during manufacturing, Since the cap layer of 1 is directly supported by the support column 13, deformation due to warpage can be prevented.
このように第１および第２のキャップ層７、８は、重錘１２中に形成された多数の支柱１３によって支持されている。このため、重錘１２全体を側壁１４でのみ支持された場合に比べて、薄いキャップ部の厚さで、はるかに強固に中空封止することが可能になる。キャップ部が一定の圧力を受けている場合に、キャップ部の撓み量は支柱間隔のほぼ４乗に比例するので、重錘１２中に支柱１３を設けることによるメリットは絶大である。このように、中空封止構造の強度が強いため、本実施の形態の加速度センサは信頼性の上でも優れている。また、キャップ部を薄くできるため、小型化も容易である。 As described above, the first and second cap layers 7 and 8 are supported by a large number of columns 13 formed in the weight 12. For this reason, compared with the case where the whole weight 12 is supported only by the side wall 14, it becomes possible to carry out hollow sealing much more strongly with the thin cap part thickness. When the cap portion receives a certain pressure, the amount of bending of the cap portion is proportional to the fourth power of the interval between the columns. Therefore, the merit of providing the columns 13 in the weight 12 is tremendous. As described above, since the strength of the hollow sealing structure is strong, the acceleration sensor of the present embodiment is also excellent in reliability. Further, since the cap portion can be made thin, it is easy to reduce the size.
一般に、加速度センサ１０の可動部である重錘１２には、その特性上ある程度の面積が必要とされる。そして、可動部をリリースするための犠牲層エッチングを容易に行うためには、本実施の形態のように犠牲層エッチングのための抜き穴を設けることが望ましい。本実施の形態では、もともと犠牲層の抜き穴として可動部に形成されている穴をそのまま利用するため、従来の製造プロセスやデバイス設計と整合性もよく、かつ、加速度センサ１０の特性を損なうこともない。 In general, the weight 12 that is a movable part of the acceleration sensor 10 requires a certain area due to its characteristics. In order to easily perform the sacrifice layer etching for releasing the movable portion, it is desirable to provide a hole for the sacrifice layer etching as in the present embodiment. In the present embodiment, since the hole formed in the movable part is used as it is as the punched hole of the sacrificial layer, the compatibility with the conventional manufacturing process and device design is good, and the characteristics of the acceleration sensor 10 are impaired. Nor.
ここで、仮に穴１６のない重錘を想定した場合に、重錘１２の重心位置が、穴のない重錘に対して変化しないよう穴１６が設けられていることが望ましい。このように、穴１６を設けることで、穴の有無で重錘のバランスが変化しないため、デバイス設計が容易になるからである。 Here, if a weight without the hole 16 is assumed, it is desirable that the hole 16 is provided so that the position of the center of gravity of the weight 12 does not change with respect to the weight without the hole. This is because the provision of the holes 16 facilitates device design because the balance of the weights does not change depending on the presence or absence of the holes.
なお、第１および第２のキャップ層７、８からなるキャップ部は、すべての支柱１３によって支持されていることが、強度の観点からは望ましい。もっとも、必ずしもすべての支柱１３によって支持されることは必須ではない。各膜に用いる材料、製造プロセス、各ＭＥＭＳデバイスの要求等から適宜最適な支持箇所を決定すればよい。 In addition, it is desirable from the viewpoint of strength that the cap portion including the first and second cap layers 7 and 8 is supported by all the support columns 13. However, it is not always necessary to be supported by all the columns 13. What is necessary is just to determine an optimal support location suitably from the material used for each film | membrane, a manufacturing process, the request | requirement of each MEMS device, etc.
次に本実施の形態のＭＥＭＳデバイスの製造方法について説明する。本実施の形態のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基板上に第１の犠牲層を成膜する工程と、第１の犠牲層をパターニングして一部を除去する工程と、第１の犠牲層上に第１の犠牲層と材質が異なる可動部形成層を成膜する工程と、可動部形成層をパターニングし、穴が設けられた可動部と、穴の内側の第１の犠牲層が除去された領域に支柱を形成する工程と、可動部および支柱上に第２の犠牲層を成膜する工程と、第２の犠牲層上に第１のキャップ層を成膜する工程と、第１のキャップ層をパターニングし、可動部の穴近傍の第１のキャップ層に開口部を設ける工程と、第１の犠牲層と第２の犠牲層とをエッチングし可動部をリリースする工程と、第１のキャップ層上に第２のキャップ層を成膜し開口部をふさぐ工程とを有する。 Next, a method for manufacturing the MEMS device of the present embodiment will be described. The MEMS device manufacturing method of the present embodiment includes a step of forming a first sacrificial layer on a substrate, a step of patterning the first sacrificial layer to remove a part thereof, and a step of forming on the first sacrificial layer. Forming a movable part forming layer made of a material different from that of the first sacrificial layer, patterning the movable part forming layer, and removing the movable part provided with the hole and the first sacrificial layer inside the hole. A step of forming a column in the region, a step of forming a second sacrificial layer on the movable portion and the column, a step of forming a first cap layer on the second sacrificial layer, Patterning the cap layer and providing an opening in the first cap layer in the vicinity of the hole of the movable portion; etching the first sacrificial layer and the second sacrificial layer to release the movable portion; Forming a second cap layer on the cap layer and closing the opening.
図６Ａ〜図６Ｆは、本実施の形態の加速度センサの製造方法を示す工程順模式断面図である。図３における加速度センサ１０のＡ−Ａ部分断面に相当する断面を示している。 6A to 6F are schematic cross-sectional views in order of steps showing the method of manufacturing the acceleration sensor according to the present embodiment. The cross section equivalent to the AA partial cross section of the acceleration sensor 10 in FIG. 3 is shown.
まず、図６Ａに示すように、例えば、Ｓｉやガラスなどを使用した基板１を用意し、基板１上に非晶質Ｓｉなどからなる第１の犠牲層２を成膜する。その後、リソグラフィおよび反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりパターニングを行い、後に支柱を形成する領域の第１の犠牲層２をあらかじめ除去し、基板１表面を露出させておく。 First, as shown in FIG. 6A, a substrate 1 using, for example, Si or glass is prepared, and a first sacrificial layer 2 made of amorphous Si or the like is formed on the substrate 1. Thereafter, patterning is performed by lithography and reactive ion etching (RIE), and the first sacrificial layer 2 in a region where a post is to be formed later is removed in advance to expose the surface of the substrate 1.
次に、図６Ｂに示すように、可動部形成層として、第１の犠牲層２と材質が異なる、例えば、厚さ３μｍのＡｌＮと、このＡｌＮを挟む２層の厚さ０．１μｍのＡｌを、常温でスパッタリング法により成膜する。この可動部形成層をパターニングし、上下電極３、５を備える圧電膜４からなり、穴１６が設けられた重錘１２、支柱１３および側壁１４を形成する。このとき、重錘１２は第１の犠牲層２上に形成される。一方、支柱１３、側壁１４は第１の犠牲層２を除去した基板１表面上に直接形成される。この場合、上下電極３、５はＡｌで、圧電膜４はＡｌＮを材料として形成されることになる。 Next, as shown in FIG. 6B, the movable part forming layer is made of a material different from that of the first sacrificial layer 2, for example, 3 μm thick AlN and two layers of 0.1 μm thick Al sandwiching the AlN. Is formed by sputtering at room temperature. The movable part forming layer is patterned to form the weight 12, the support column 13 and the side wall 14 which are made of the piezoelectric film 4 including the upper and lower electrodes 3 and 5 and provided with the holes 16. At this time, the weight 12 is formed on the first sacrificial layer 2. On the other hand, the column 13 and the side wall 14 are directly formed on the surface of the substrate 1 from which the first sacrificial layer 2 is removed. In this case, the upper and lower electrodes 3 and 5 are made of Al, and the piezoelectric film 4 is made of AlN.
次に、図６Ｃに示すように、重錘１２および支柱１３の上に、例えば、第１の犠牲層２と同じ材質である非晶質Ｓｉからなる第２の犠牲層６を成膜する。ここで、第２の犠牲層６の材質は、必ずしも、第１の犠牲層２と同一の材質であることが必須ではない。後の、第１および第２の犠牲層２、６を同時に選択エッチングする際に、同時に除去することが可能な材質であれば構わない。しかしながら、エッチングの際のエッチングレートが等しい、または、近いものが望ましい。この観点から同一の材質であることがより望ましい。 Next, as shown in FIG. 6C, the second sacrificial layer 6 made of amorphous Si, which is the same material as the first sacrificial layer 2, for example, is formed on the weight 12 and the column 13. Here, the material of the second sacrificial layer 6 is not necessarily the same material as that of the first sacrificial layer 2. Any material that can be removed simultaneously when the first and second sacrificial layers 2 and 6 are selectively etched at the same time may be used. However, it is desirable that the etching rate during etching is equal or close. From this viewpoint, the same material is more desirable.
その後、リソグラフィおよび反応性イオンエッチングによりパターニングを行う。なお図中には示さないが、重錘１２に設けられた穴近傍、すなわち、支柱１３上の一部分の第２の犠牲層６を、除去しておく。これは、後に第１のキャップ層を、支柱１３を介して基板１で支持する状態にするためである。 Thereafter, patterning is performed by lithography and reactive ion etching. Although not shown in the drawing, the second sacrificial layer 6 in the vicinity of the hole provided in the weight 12, that is, a part of the second sacrificial layer 6 on the support column 13 is removed. This is because the first cap layer is later supported by the substrate 1 via the support column 13.
次に、図６Ｄに示すように、第１のキャップ層７を成膜する。第１のキャップ層７として、例えば、厚さ１μｍのＡｌＮを使用し、スパッタリング法により形成する。その後、第１のキャップ層７をリソグラフィおよび反応性イオンエッチングによりパターニングして、重錘１２に設けられた穴１６近傍に開口部１７を設ける。 Next, as shown in FIG. 6D, a first cap layer 7 is formed. As the first cap layer 7, for example, AlN having a thickness of 1 μm is used and formed by a sputtering method. Thereafter, the first cap layer 7 is patterned by lithography and reactive ion etching to provide an opening 17 in the vicinity of the hole 16 provided in the weight 12.
次に、図６Ｅに示すように、第１および第２の犠牲層２、６のみを選択的に溶解除去できるエッチャントを使用して、抜き穴となる穴１６および開口部１７から第１および第２の犠牲層２、６を同時に選択エッチングすることで除去する。これによって、重錘１２の周囲に空隙９を形成し、可動部である重錘１２をリリースする。エッチャントとして、例えば、ＸｅＦ２などを使用することができる。 Next, as shown in FIG. 6E, an etchant that can selectively dissolve and remove only the first and second sacrificial layers 2 and 6 is used to remove the first and first holes 16 and the openings 17 from the holes 16 and the openings 17. The two sacrificial layers 2 and 6 are simultaneously removed by selective etching. As a result, a gap 9 is formed around the weight 12, and the weight 12, which is a movable part, is released. For example, XeF 2 can be used as the etchant.
次に、図６Ｆに示すように、第１のキャップ層７の上に、例えばスパッタ法などを使用して、例えばＡｌなどからなる第２のキャップ層８を成膜し、開口部１７をふさぐことにより重錘１２を中空封止する。第２のキャップ層８の厚さは、開口部１７の幅あるいは、支柱１３と第１のキャップ層７との隙間より充分大きければ、開口部１７をふさぐことができる。スパッタ法により最終的な気密封止を行うので、スパッタ法に使用される雰囲気、すなわち１０−５Ｔｏｒｒ程度の高真空で気密封止することが可能である。 Next, as shown in FIG. 6F, a second cap layer 8 made of, for example, Al is formed on the first cap layer 7 by using, for example, a sputtering method to close the opening 17. Thus, the weight 12 is sealed hollow. If the thickness of the second cap layer 8 is sufficiently larger than the width of the opening 17 or the gap between the support column 13 and the first cap layer 7, the opening 17 can be blocked. Since the final hermetic sealing is performed by the sputtering method, the hermetic sealing can be performed in an atmosphere used for the sputtering method, that is, in a high vacuum of about 10 −5 Torr.
本実施の形態の製造方法によれば、重錘１２やセンサ梁１１等の可動部の周囲に空隙を形成して真空に中空封止した加速度センサ１０を、通常用いる程度の膜厚で、通常の薄膜プロセスのみを使用して容易に実現することが可能となる。したがって、中空封止を行うために、特殊な製造装置を準備する必要もない。 According to the manufacturing method of the present embodiment, the acceleration sensor 10 in which a gap is formed around the movable portion such as the weight 12 and the sensor beam 11 and is vacuum-sealed in a vacuum is usually used with a film thickness that is normally used. It can be easily realized using only the thin film process. Therefore, it is not necessary to prepare a special manufacturing apparatus in order to perform hollow sealing.
なお、重錘１２に形成する穴１６の面積は、重錘１２の面積に対して大きすぎると重錘としての効果が減少するため、重錘１２を含む可動部の面積に占める穴１６の総面積は多くても３０％以下、好ましくは２０％以下であることが望ましい。 If the area of the hole 16 formed in the weight 12 is too large with respect to the area of the weight 12, the effect as the weight is reduced. Therefore, the total of the holes 16 occupying the area of the movable part including the weight 12 is reduced. The area is at most 30% or less, preferably 20% or less.
次に、実際の支柱の効果をさらに明らかにするために、図１、２の構造において、有限要素法（ＦＥＭ）によるシミュレーションを行った。図７はシュミュレーション結果を示す図である。 Next, in order to further clarify the effect of actual struts, a finite element method (FEM) simulation was performed on the structure of FIGS. FIG. 7 is a diagram showing a simulation result.
５μｍ□の寸法の支柱１３を３０μｍのピッチで形成し、第１のキャップ層７として厚さ１μｍのＡｌＮを、第２のキャップ層８として厚さ３μｍのＡｌを使用した。加速度センサ１０全体を樹脂封止することを想定し、１０ＭＰａの圧力を均等に加えてキャップ層の変形を計算したところ、最大でも０．０７μｍに留まることが分った。 Struts 13 having dimensions of 5 μm □ were formed at a pitch of 30 μm, AlN having a thickness of 1 μm was used as the first cap layer 7, and Al having a thickness of 3 μm was used as the second cap layer 8. Assuming that the entire acceleration sensor 10 is resin-sealed, the deformation of the cap layer was calculated by uniformly applying a pressure of 10 MPa, and it was found that the maximum was 0.07 μm at the maximum.
前述したように、最大変形量は支柱の間隔のほぼ４乗に比例する。このため、最大変形量は、支柱が６０μｍピッチの場合は約１．１μｍ、支柱が１２０μｍピッチの場合は約１８μｍにも達する。このことからも、支柱無しでは１００μｍ以上の大きさの重錘を中空封止することは困難であることが分る。 As described above, the maximum deformation amount is proportional to the fourth power of the interval between the columns. For this reason, the maximum deformation amount reaches about 1.1 μm when the pillars are 60 μm pitch, and reaches about 18 μm when the pillars are 120 μm pitch. From this, it can be seen that it is difficult to hollow-seal a weight having a size of 100 μm or more without a support.
このように、重錘１２中に形成する支柱１３の間隔は、長くても１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下であることが望ましい。 Thus, it is desirable that the interval between the support pillars 13 formed in the weight 12 is 100 μm or less, preferably 50 μm or less at the longest.
（第１の実施の形態の第１の変形例）
本発明の第１の実施の形態の第１の変形例は、第１の実施の形態と同様に圧電検出型の加速度センサである。第１の実施の形態との相違点は、第１のキャップ層７と第２のキャップ層８の間に、封入層１８を設ける点にある。
(First modification of the first embodiment)
A first modification of the first embodiment of the present invention is a piezoelectric detection type acceleration sensor as in the first embodiment. The difference from the first embodiment is that an encapsulation layer 18 is provided between the first cap layer 7 and the second cap layer 8.
図８は、可動部の中空封止後の本変形例の加速度センサの、第１の実施の形態における図３のＡ−Ａに相当する部分の、部分断面図である。 FIG. 8 is a partial cross-sectional view of a portion corresponding to AA of FIG. 3 in the first embodiment of the acceleration sensor of the present modified example after hollow sealing of the movable portion.
加速度センサ２０では、第１のキャップ層７の上に、封入層１８を設ける。封入層１８により第１のキャップ層７の抜き穴である開口部１７がふさがれる。封入層１８は、例えばスピンオン法で形成する感光性エポキシ樹脂等を使用することができる。常圧で形成することで、空隙９は常圧に保たれる。 In the acceleration sensor 20, the encapsulating layer 18 is provided on the first cap layer 7. The encapsulating layer 18 closes the opening 17 that is a hole in the first cap layer 7. For the encapsulating layer 18, for example, a photosensitive epoxy resin formed by a spin-on method can be used. By forming at normal pressure, the gap 9 is maintained at normal pressure.
封入層１８の上にさらに第２のキャップ層８を形成することで、気密封止することができる。第２のキャップ層８の形成法は、既に開口部１７がふさがれているため、スパッタ法に限定されることはない。したがって、ＣＶＤ法などで形成される多種類の無機膜や金属膜を第２のキャップ層８として使用することが可能になる。 By forming the second cap layer 8 on the encapsulating layer 18, airtight sealing can be achieved. The formation method of the second cap layer 8 is not limited to the sputtering method because the opening 17 is already blocked. Therefore, it is possible to use various kinds of inorganic films and metal films formed by the CVD method or the like as the second cap layer 8.
なお、第１のキャップ層７のみで、キャップ部に要求される強度の特性等が満足される場合は、必ずしも第２のキャップ層８を形成する必要はない。 In addition, when the characteristic of the intensity | strength requested | required of a cap part is satisfied only with the 1st cap layer 7, the 2nd cap layer 8 does not necessarily need to be formed.
本変形例においては、常圧で可動部を中空封止することができるので、可動部である重錘１２に衝撃力が加わった時に、内部の空気がダンピング効果を持つ。このため、重錘１２が基板１やキャップ部に接触したときの衝撃力を緩和する効果がある。 In this modification, the movable part can be hollow-sealed at normal pressure, so that when the impact force is applied to the weight 12 that is the movable part, the internal air has a damping effect. For this reason, there exists an effect which relieve | moderates the impact force when the weight 12 contacts the board | substrate 1 and a cap part.
（第１の実施の形態の第２の変形例）
本発明の第１の実施の形態の第２の変形例は、支柱がキャップ部と同一材料で一体に形成される加速度センサである。図２において、可動部形成層で形成される支柱１３が省略される形である。例えば、図４、５において、キャップ部の一部である第２のキャップ層８が直接基板１上にありキャップ部を支持する。すなわち、キャップ部自体が支柱として機能する。
(Second modification of the first embodiment)
The 2nd modification of the 1st Embodiment of this invention is an acceleration sensor by which a support | pillar is integrally formed with the same material as a cap part. In FIG. 2, the column 13 formed of the movable part forming layer is omitted. For example, in FIGS. 4 and 5, the second cap layer 8 which is a part of the cap portion is directly on the substrate 1 and supports the cap portion. That is, the cap part itself functions as a support.
本変形例によれば、可動部形成層で支柱を形成しないことから、可動部形成層のパターンが簡略になるという効果がある。 According to this modification, since the support is not formed by the movable part forming layer, there is an effect that the pattern of the movable part forming layer is simplified.
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態のＭＥＭＳデバイスは、第１の実施の形態が加速度センサであるのに対し、静電型の角速度センサである。
(Second Embodiment)
The MEMS device according to the second embodiment of the present invention is an electrostatic angular velocity sensor, whereas the first embodiment is an acceleration sensor.
図９は、中空封止前の本実施の形態の角速度センサの平面図である。図１０は、図９のＡ−Ａ断面図である。まず、図９および図１０を用いて、キャップにより可動部を中空封止する前の角速度センサ３０について説明する。 FIG. 9 is a plan view of the angular velocity sensor of the present embodiment before hollow sealing. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. First, the angular velocity sensor 30 before the movable part is hollow-sealed with the cap will be described with reference to FIGS. 9 and 10.
角速度センサ３０は、基板３１と、基板３１上に、可動部であるバネ４１と重錘４２、支柱４３、および側壁４４を備えている。バネ４１の一端は電極４９により基板３１に接続されている。重錘４２には、犠牲層を抜くための穴５２が形成され、重錘４２と支柱４３とは互いに接触しないように構成されている。このように、支柱４３は、穴５２の内側を可動部である重錘４３に非接触に貫通している。 The angular velocity sensor 30 includes a substrate 31, and a spring 41, a weight 42, a column 43, and a side wall 44 that are movable parts on the substrate 31. One end of the spring 41 is connected to the substrate 31 by an electrode 49. The weight 42 is formed with a hole 52 for removing the sacrificial layer, and the weight 42 and the column 43 are configured not to contact each other. Thus, the support | pillar 43 has penetrated the weight 43 which is a movable part inside the hole 52 non-contactingly.
重錘４２には、櫛型可動電極４５ａ、４５ｂ、４６ａおよび４６ｂが形成されている。一方、櫛型可動電極４５ａないし４６ｂに対向して、基板３１に固定された、櫛型固定電極４７ａ、４７ｂ、４８ａおよび４８ｂが形成され、それぞれ電極５０ａ、５０ｂ、５１ａおよび５１ｂに接続されている。 Comb-shaped movable electrodes 45a, 45b, 46a and 46b are formed on the weight 42. On the other hand, comb-shaped fixed electrodes 47a, 47b, 48a, and 48b fixed to the substrate 31 are formed to face the comb-shaped movable electrodes 45a to 46b, and are connected to the electrodes 50a, 50b, 51a, and 51b, respectively. .
角速度センサ３０においては、１対の櫛型可動電極４５ａと櫛型固定電極４７ａの間、および櫛型可動電極４５ｂと櫛型固定電極４７ｂの間に交番電界が印加され、重錘４２はＹ軸方向に共振を生じさせる。このとき、Ｚ軸周りに角速度が加わると、Ｘ軸方向にコリオリ力が生じ、Ｘ軸方向に角速度に応じて共振が生じる。この共振の振幅を、１対の櫛型可動電極４６ａと櫛型固定電極４８ａの間、および櫛型可動電極４６ｂと櫛型固定電極４８ｂの間に生じる静電容量の変化として検出する。 In the angular velocity sensor 30, an alternating electric field is applied between the pair of comb-shaped movable electrodes 45a and the comb-shaped fixed electrode 47a, and between the comb-shaped movable electrode 45b and the comb-shaped fixed electrode 47b. Resonate in the direction. At this time, when an angular velocity is applied around the Z axis, a Coriolis force is generated in the X axis direction, and resonance occurs in the X axis direction according to the angular velocity. The amplitude of this resonance is detected as a change in electrostatic capacitance generated between the pair of comb movable electrodes 46a and the comb fixed electrodes 48a and between the comb movable electrodes 46b and the comb fixed electrodes 48b.
図１１は、中空封止後の本実施の形態の角速度センサの平面図である。図１２は、図１１のＡ−Ａ部分断面図である。以下、図１１および図１２を用いて、キャップにより中空封止した後の角速度センサ３０について、詳細に説明する。 FIG. 11 is a plan view of the angular velocity sensor of the present embodiment after hollow sealing. 12 is a partial cross-sectional view taken along line AA of FIG. Hereinafter, the angular velocity sensor 30 after being hollow-sealed with a cap will be described in detail with reference to FIGS. 11 and 12.
角速度センサ３０の可動部である重錘４２は、第１のキャップ層３４および第２のキャップ層３５により中空封止されている。重錘４２は空隙３７により、基板３１および第１および第２のキャップ層３４、３５と隔てられている。キャップ部を構成するキャップ層３４および３５は、周囲の側壁４４と接触して支持されているとともに、重錘４２を貫通して形成された支柱４３と接触して支持されている。 A weight 42 that is a movable part of the angular velocity sensor 30 is hollow-sealed by a first cap layer 34 and a second cap layer 35. The weight 42 is separated from the substrate 31 and the first and second cap layers 34 and 35 by a gap 37. The cap layers 34 and 35 constituting the cap portion are supported by being in contact with the surrounding side wall 44 and are supported by being in contact with a support 43 formed through the weight 42.
このようにキャップ層３４および３５からなるキャップ部は、重錘４２中に形成された多数の支柱４３によって支持されている。このため、重錘４２全体を側壁４４でのみ支持した場合に比べて、薄いキャップ部で、はるかに強固に中空封止することが可能になる。キャップ部が一定の圧力を受けている場合に、キャップ部の撓み量は支柱間隔のほぼ４乗に比例するので、重錘４２中に支柱４３を設けることによるメリットは絶大である。本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の作用・効果を得ることできる。 As described above, the cap portion formed of the cap layers 34 and 35 is supported by a large number of pillars 43 formed in the weight 42. For this reason, as compared with the case where the entire weight 42 is supported only by the side wall 44, it becomes possible to perform the hollow sealing with the thin cap portion much more strongly. When the cap portion receives a constant pressure, the amount of bending of the cap portion is proportional to the fourth power of the column interval, so that the merit of providing the column 43 in the weight 42 is tremendous. Also in this embodiment, the same operations and effects as those in the first embodiment can be obtained.
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。上記、実施の形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、実施の形態の説明においては、ＭＥＭＳデバイス、その製造方法等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされるＭＥＭＳデバイス、その製造方法等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. The above embodiment is merely given as an example and does not limit the present invention. In the description of the embodiment, the description of the MEMS device, its manufacturing method, etc., which is not directly necessary for the description of the present invention is omitted, but the required MEMS device, its manufacturing method, etc. The elements involved can be appropriately selected and used.
例えば、実施の形態においては、ＭＥＭＳデバイスとして、加速度センサと角速度センサを例に説明した。しかし、例えば、同様に大面積の可動部が要求される可変キャパシタ等のＭＥＭＳデバイスに本発明を適用することは有効である。 For example, in the embodiment, the acceleration sensor and the angular velocity sensor have been described as examples of the MEMS device. However, for example, it is effective to apply the present invention to a MEMS device such as a variable capacitor that similarly requires a movable area having a large area.
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのＭＥＭＳデバイス、その製造方法が、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。 In addition, the scope of the present invention includes all MEMS devices that include the elements of the present invention and whose design can be appropriately changed by those skilled in the art and methods for manufacturing the same. The scope of the present invention is defined by the appended claims and equivalents thereof.
１ 基板
２ 第１の犠牲層
３ 下部電極
４ 圧電膜
５ 上部電極
６ 第２の犠牲層
７ 第１のキャップ層
８ 第２のキャップ層
９ 空隙
１０ 加速度センサ
１１ センサ梁
１２ 重錘
１３ 支柱
１４ 側壁
１５ａ、ｂ 電極
１６ 穴
１７ 開口部
１８ 封入層
２０ 加速度センサ
３０ 角速度センサ
３１ 基板
３４ 第１のキャップ層
３５ 第２のキャップ層
３７ 空隙
４１ バネ
４２ 重錘
４３ 支柱
４４ 側壁
４５ａ、ｂ 櫛型可動電極
４６ａ、ｂ 櫛型可動電極
４７ａ、ｂ 櫛型固定電極
４８ａ、ｂ 櫛型固定電極
４９ 電極
５２ 穴
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 1st sacrificial layer 3 Lower electrode 4 Piezoelectric film 5 Upper electrode 6 2nd sacrificial layer 7 1st cap layer 8 2nd cap layer 9 Space | gap 10 Acceleration sensor 11 Sensor beam 12 Weight 13 Support | pillar 14 Side wall 15a, b Electrode 16 Hole 17 Opening 18 Encapsulation layer 20 Acceleration sensor 30 Angular velocity sensor 31 Substrate 34 First cap layer 35 Second cap layer 37 Air gap 41 Spring 42 Weight 43 Post 44 Side wall 45a, b Comb movable electrode 46a, b Comb movable electrode 47a, b Comb fixed electrode 48a, b Comb fixed electrode 49 Electrode 52 Hole
Claims (8)
前記基板上に前記基板と空隙を介して形成され、穴が設けられた可動部と、
前記基板上に形成され、前記穴の内側を前記可動部に非接触に貫通する支柱と、
前記支柱によって支持され、前記可動部上に前記可動部と空隙を介して形成されたキャップ部を有することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 A substrate,
A movable part formed on the substrate via the substrate and a gap and provided with a hole;
A column formed on the substrate and penetrating the movable part in a non-contact manner inside the hole;
A MEMS device comprising a cap portion supported by the support column and formed on the movable portion via the movable portion and a gap.
前記第１のキャップ層の前記穴近傍に開口部が設けられ、
前記第２のキャップ層が前記開口部をふさいでいることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳデバイス。 The cap portion is formed of a first cap layer and a second cap layer;
An opening is provided near the hole of the first cap layer;
The MEMS device according to claim 1, wherein the second cap layer covers the opening.
前記第１の犠牲層をパターニングして一部を除去する工程と、
前記第１の犠牲層上に前記第１の犠牲層と材質が異なる可動部形成層を成膜する工程と、
前記可動部形成層をパターニングし、穴が設けられた可動部と、前記穴の内側の前記第１の犠牲層が除去された領域に支柱を形成する工程と、
前記可動部および前記支柱上に第２の犠牲層を成膜する工程と、
前記第２の犠牲層上に第１のキャップ層を成膜する工程と、
前記第１のキャップ層をパターニングし、前記穴近傍に開口部を設ける工程と、
前記第１の犠牲層と前記第２の犠牲層とをエッチングし前記可動部をリリースする工程と、
前記第１のキャップ層上に第２のキャップ層を成膜し前記開口部をふさぐ工程とを有することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。 Forming a first sacrificial layer on the substrate;
Patterning the first sacrificial layer to remove a portion thereof;
Forming a movable part forming layer made of a material different from that of the first sacrificial layer on the first sacrificial layer;
Patterning the movable part forming layer, forming a movable part provided with a hole, and a column in the region where the first sacrificial layer inside the hole is removed;
Forming a second sacrificial layer on the movable part and the support;
Depositing a first cap layer on the second sacrificial layer;
Patterning the first cap layer and providing an opening in the vicinity of the hole;
Etching the first sacrificial layer and the second sacrificial layer to release the movable part;
A method of manufacturing a MEMS device, comprising: forming a second cap layer on the first cap layer and closing the opening.
前記第１のキャップ層を成膜する工程の際に、前記第１のキャップ層の少なくとも一部が前記基板に支持される状態にすることを特徴とする請求項７記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法。 A step of removing a part of the second sacrificial layer on the support column before the step of forming the first cap layer;
8. The method of manufacturing a MEMS device according to claim 7, wherein at the time of forming the first cap layer, at least a part of the first cap layer is supported by the substrate. .
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