JP2010219086A - Wafer processing film and method for manufacturing semiconductor device using wafer processing film - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing film which sufficiently suppresses the formation of transfer marks in the adhesive layer when winding up the processing film having a dicing die bonding film consisting of an adhesive layer and a sticky film in a roll. <P>SOLUTION: The wafer processing film 10 has: a sticky film 14 consisting of a long base material film 11 and an adhesive layer 12 formed like a long film on the base material film 11; and an adhesive layer 13 formed like a long film on the adhesive layer 12. The adhesive layer 12 contains a radioactive polymerizable compound and a photoinitiator. The sticky film 14 is not pre-cut in a shape corresponding to a ring frame 20, and the adhesive layer 13 is not pre-cut in a shape corresponding to a semiconductor wafer W. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウエハ加工用フィルムに関し、特に、ダイシングテープとダイボンディングフィルムの２つの機能を有するダイシング・ダイボンディングフィルムを含むウエハ加工用フィルムに関する。また、前記ウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing film, and more particularly to a wafer processing film including a dicing die bonding film having two functions of a dicing tape and a die bonding film. The present invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film.

近時、半導体ウエハを個々のチップに切断分離（ダイシング）する際に半導体ウエハを固定するためのダイシングテープと、切断された半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するため、又は、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するためのダイボンディングフィルム（ダイアタッチフィルムともいう）との２つの機能を併せ持つダイシング・ダイボンディングフィルムが開発されている。   Recently, a dicing tape for fixing a semiconductor wafer when the semiconductor wafer is cut and separated into individual chips (dicing) and a semiconductor chip that has been cut are bonded to a lead frame, a package substrate, or the like, or stacked. As a package, a dicing die bonding film having both functions of a die bonding film (also referred to as a die attach film) for laminating and adhering semiconductor chips has been developed.

このようなダイシング・ダイボンディングフィルムとしては、ウエハへの貼り付けや、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け等の作業性を考慮して、プリカット加工が施されている。   Such a dicing / die bonding film is pre-cut in consideration of workability such as attachment to a wafer and attachment to a ring frame during dicing.

プリカット加工されたダイシング・ダイボンディングフィルムの例を、図５及び図６に示す。図５、図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、それぞれダイシング・ダイボンディングフィルム３５を備えたウエハ加工用フィルム３０の概要図、平面図、断面図である。ウエハ加工用フィルム３０は、離型フィルム３１と、接着剤層３２と、粘着フィルム３３とからなる。接着剤層３２は、ウエハの形状に対応する円形に加工されたものであり、円形ラベル形状を有する。粘着フィルム３３は、ダイシング用のリングフレームの形状に対応する円形部分の周辺領域が除去されたものであり、図示するように、円形ラベル部３３ａと、その外側を囲むような周辺部３３ｂとを有する。接着剤層３２と粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａとは、その中心を揃えて積層され、また、粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａは、接着剤層３２を覆い、且つ、その周囲で離型フィルム３１に接触している。そして、接着剤層３２と粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａとからなる積層構造により、ダイシング・ダイボンディングフィルム３５が構成される。   An example of a pre-cut processed dicing die bonding film is shown in FIGS. FIGS. 5, 6 </ b> A, and 6 </ b> B are a schematic view, a plan view, and a cross-sectional view of a wafer processing film 30 that includes a dicing die bonding film 35, respectively. The wafer processing film 30 includes a release film 31, an adhesive layer 32, and an adhesive film 33. The adhesive layer 32 is processed into a circle corresponding to the shape of the wafer, and has a circular label shape. The adhesive film 33 is obtained by removing the peripheral area of the circular portion corresponding to the shape of the ring frame for dicing. As shown in the drawing, the adhesive film 33 includes a circular label portion 33a and a peripheral portion 33b surrounding the outside. Have. The adhesive layer 32 and the circular label portion 33a of the pressure-sensitive adhesive film 33 are laminated with their centers aligned, and the circular label portion 33a of the pressure-sensitive adhesive film 33 covers the adhesive layer 32 and is released from the periphery thereof. It is in contact with the film 31. The dicing / die bonding film 35 is configured by a laminated structure including the adhesive layer 32 and the circular label portion 33 a of the adhesive film 33.

ウエハをダイシングする際には、積層状態の接着剤層３２及び粘着フィルム３３から離型フィルム３１を剥離し、図７に示すように、接着剤層３２上に半導体ウエハＷの裏面を貼り付け、粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａの外周部にダイシング用リングフレームＲを粘着固定する。この状態で半導体ウエハＷをダイシングし、その後、粘着フィルム３３に紫外線照射等の硬化処理を施して半導体チップをピックアップする。このとき、粘着フィルム３３は、硬化処理によって粘着力が低下しているので、接着剤層３２から容易に剥離し、半導体チップは裏面に接着剤層３２が付着した状態でピックアップされる。半導体チップの裏面に付着した接着剤層３２は、その後、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際に、ダイボンディングフィルムとして機能する。   When dicing the wafer, the release film 31 is peeled from the laminated adhesive layer 32 and the adhesive film 33, and the back surface of the semiconductor wafer W is pasted on the adhesive layer 32, as shown in FIG. The dicing ring frame R is adhesively fixed to the outer peripheral portion of the circular label portion 33 a of the adhesive film 33. In this state, the semiconductor wafer W is diced, and then the adhesive film 33 is subjected to a curing process such as ultraviolet irradiation to pick up a semiconductor chip. At this time, the adhesive film 33 is easily peeled off from the adhesive layer 32 because the adhesive force is reduced by the curing process, and the semiconductor chip is picked up with the adhesive layer 32 attached to the back surface. The adhesive layer 32 attached to the back surface of the semiconductor chip then functions as a die bonding film when the semiconductor chip is bonded to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip.

ところで、上記のようなウエハ加工用フィルム３０は、図５及び図６に示すように、接着剤層３２と粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａとが積層された部分が、他の部分よりも厚い。このため、円筒状の巻き芯を用いて、長尺のウエハ加工用フィルム３０を製品としてロール状に巻いた際、接着剤層３２と粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａとの積層部分に、粘着フィルム３３が除去されることにより形成された粘着フィルム３３と離型フィルムとの段差が重なりあい、柔軟な接着剤層３２表面に段差が転写される現象、すなわち図８に示すような転写痕（ラベル痕、シワ、又は、巻き跡ともいう）が発生する。このような転写痕の発生は、特に、接着剤層３２が柔らかい樹脂で形成される場合や厚みがある場合、及びテープ３０の巻き数が多い場合などに顕著である。そして、転写痕が発生すると、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気を巻き込み、密着せず、その結果、接着不良を引き起こし、ウエハの加工時に不具合が生じるおそれがある。   By the way, as shown in FIGS. 5 and 6, the wafer processing film 30 as described above has a thicker portion where the adhesive layer 32 and the circular label portion 33 a of the adhesive film 33 are laminated than the other portions. . For this reason, when a long wafer processing film 30 is rolled as a product using a cylindrical winding core, the adhesive layer 32 and the circular label portion 33a of the adhesive film 33 are adhered to the laminated portion. A phenomenon in which the level difference between the pressure-sensitive adhesive film 33 and the release film formed by removing the film 33 overlaps and the level difference is transferred to the surface of the flexible adhesive layer 32, that is, a transfer mark (as shown in FIG. Label marks, wrinkles, or winding marks). Such transfer marks are particularly noticeable when the adhesive layer 32 is formed of a soft resin or has a thickness, or when the number of windings of the tape 30 is large. When the transfer mark is generated, air is caught between the adhesive layer and the semiconductor wafer and does not come into close contact with each other. As a result, adhesion failure occurs, and there is a possibility that a defect may occur during processing of the wafer.

上記転写痕の発生を抑制するためには、フィルムの巻き取り圧を弱くすることが考えられるが、この方法では、製品の巻きズレが生じ、例えばテープマウンターへのセットが困難となる等、フィルムの実使用時に支障を来すおそれがある。   In order to suppress the occurrence of the transfer marks, it is conceivable to reduce the film winding pressure. However, in this method, the winding of the product occurs, for example, the film is difficult to set on the tape mounter. There is a risk of hindrance during actual use.

また、特許文献１には、上記のようなラベル痕の発生を抑制するために、剥離基材上の接着剤層及び粘着フィルムの外方に、接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層を設けた接着シートが開示されている。特許文献１の接着シートは、支持層を備えることで、接着シートにかかっていた巻き取りの圧力を分散するか或いは支持層に集め、転写痕の発生を抑制している。   Moreover, in patent document 1, in order to suppress generation | occurrence | production of the label traces as described above, the total film thickness of the adhesive layer and the adhesive film on the outside of the adhesive layer and the adhesive film on the release substrate An adhesive sheet provided with a support layer having an equivalent or greater film thickness is disclosed. The adhesive sheet of Patent Document 1 is provided with a support layer, so that the winding pressure applied to the adhesive sheet is dispersed or collected in the support layer to suppress the generation of transfer marks.

特開２００７−２１７３号公報JP 2007-2173 A

しかしながら、上記特許文献１の接着シートでは、剥離基材上の、半導体装置を製造する場合等に必要とされる接着剤層及び粘着フィルム以外の部分に、支持層が形成されることから、支持層の幅に制限があり、接着剤層及び粘着フィルムの外径に対して支持層の幅が狭く、ラベル痕の抑制効果が十分ではないという問題が生じていた。また、支持層は一般的に粘着性を有さず、剥離基材（ＰＥＴフィルム）と十分に貼り付いていないことから、支持層の最も狭い部分において剥離基材から浮き、ウエハにダイシング・ダイボンディングフィルムを貼り合わせる際に、上述した浮いた部分が装置に引っかかり、ウエハが損傷してしまうという問題が生じていた。   However, in the adhesive sheet of Patent Document 1, a support layer is formed on a part other than the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, which are required when manufacturing a semiconductor device, etc. on the release substrate. The width of the layer is limited, and the width of the support layer is narrow with respect to the outer diameter of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, resulting in a problem that the effect of suppressing label marks is not sufficient. Also, since the support layer is generally not sticky and does not adhere well to the release substrate (PET film), it floats from the release substrate at the narrowest part of the support layer, and is diced to the wafer. When the bonding film is bonded, the above-described floating portion is caught by the apparatus, causing a problem that the wafer is damaged.

なお、支持層の幅を広くすることも考えられるが、ウエハ加工用フィルム全体の幅も広くなるため、既存設備の使用が困難となる。また、支持層は、最終的に廃棄される部分であることから、支持層の幅を広げることは材料コストの上昇に繋がる。   Although it is conceivable to increase the width of the support layer, the width of the entire wafer processing film is also increased, making it difficult to use existing equipment. In addition, since the support layer is a part that is finally discarded, increasing the width of the support layer leads to an increase in material cost.

そこで、本発明の目的は、接着剤層及び粘着フィルムを有するウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層への転写痕の発生を十分に抑制することができるウエハ加工用フィルムを提供することにある。また、このようなウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を提供することにある。   Therefore, an object of the present invention is for wafer processing that can sufficiently suppress the generation of transfer marks on the adhesive layer when the wafer processing film having an adhesive layer and an adhesive film is wound up in a roll shape. To provide a film. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device using such a wafer processing film.

以上のような目的を達成するため、本発明のウエハ加工用フィルムは、長尺の基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に長尺のフィルム状に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に長尺のフィルム状に設けられた接着剤層とを有し、前記粘着剤層は、放射線重合性化合物と、光開始剤とを含むことを特徴とする。   In order to achieve the above object, a film for wafer processing of the present invention is a pressure-sensitive adhesive film comprising a long base film and a pressure-sensitive adhesive layer provided in the form of a long film on the base film. And an adhesive layer provided in the form of a long film on the pressure-sensitive adhesive layer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator.

上述した発明のウエハ加工用フィルムによれば、粘着剤層は放射線重合性化合物と光開始剤とを含むことから、光開始剤が反応する波長の光を粘着剤層の所望の位置に照射することにより、所望の位置、大きさ及び形状で硬化した粘着剤層の部分と硬化していない粘着剤層の部分とを形成できる。従って、リングフレームに対応する位置の粘着剤層を露光することにより、粘着剤層のリングフレームに対応する部分を硬化させ、粘着性を低下させて、その部分に対応する位置の接着剤層を剥離することができる。   According to the wafer processing film of the invention described above, since the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator, light having a wavelength with which the photoinitiator reacts is irradiated to a desired position of the pressure-sensitive adhesive layer. Thus, a part of the pressure-sensitive adhesive layer cured at a desired position, size and shape and a part of the pressure-sensitive adhesive layer which is not cured can be formed. Therefore, by exposing the pressure-sensitive adhesive layer at a position corresponding to the ring frame, the portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer is cured, the adhesiveness is lowered, and the adhesive layer at the position corresponding to the portion is formed. Can be peeled off.

従来、接着剤層が被着体と剥離し難かったため、所望の形状（例えば、円形平面形状）にプリカットされた接着剤層を使用することにより、使用後のウエハ加工用フィルムを剥離する際にリングフレームへの接着剤の残存を防止していたが、上述のようにリングフレームに対応する位置の粘着性を失わせて接着剤層を剥離すればよいため、接着剤層及び粘着フィルムを所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。   Conventionally, since the adhesive layer has been difficult to peel off from the adherend, when the wafer processing film after use is peeled off by using the adhesive layer pre-cut into a desired shape (for example, a circular planar shape) Although the adhesive remained on the ring frame was prevented, the adhesive layer and the adhesive film should be predetermined because the adhesive layer may be peeled off by removing the adhesiveness at the position corresponding to the ring frame as described above. There is no need to pre-cut the shape. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.

また、本発明に係るウエハ加工用フィルムとして、長尺の基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に長尺のフィルム状に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に長尺のフィルム状に設けられた接着剤層とを有し、前記粘着剤層は、熱重合性化合物を含むことも好ましい。   Moreover, as a film for wafer processing which concerns on this invention, the adhesive film which consists of an elongate base film and the adhesive layer provided in the elongate film shape on the said base film, and on the said adhesive layer It is also preferable that the pressure-sensitive adhesive layer contains a thermopolymerizable compound.

上述した発明によれば、粘着剤層の所望の位置に熱を照射することにより、所望の位置、大きさ及び形状で硬化した粘着剤層の部分と硬化していない粘着剤層の部分とを形成できる。従って、リングフレームに対応する位置の粘着剤層に熱を照射することにより、粘着剤層のリングフレームに対応する部分を硬化させ、粘着性を低下させて、その部分に対応する位置の接着剤層を剥離することができる。このため、接着剤層及び粘着フィルムを所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。   According to the above-described invention, by irradiating heat at a desired position of the pressure-sensitive adhesive layer, a portion of the pressure-sensitive adhesive layer cured at a desired position, size, and shape and a portion of the pressure-sensitive adhesive layer that has not been cured. Can be formed. Therefore, by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer at the position corresponding to the ring frame with heat, the portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer is cured, the adhesiveness is lowered, and the adhesive at the position corresponding to that portion. The layer can be peeled off. For this reason, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film into a predetermined shape. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.

また、本発明に係るウエハ加工用フィルムとして、前記粘着フィルムは、リングフレームに対応する形状にプリカットされておらず、前記接着剤層は、半導体ウエハに対応する形状にプリカットされていないことが好ましい。   Moreover, as the film for wafer processing according to the present invention, it is preferable that the adhesive film is not pre-cut into a shape corresponding to a ring frame, and the adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to a semiconductor wafer. .

上述した発明によれば、接着フィルム及び粘着剤層はプリカットされていないことから、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。   According to the above-described invention, since the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer are not pre-cut, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, the step generated in the laminated portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film Therefore, it is possible to prevent generation of transfer marks on the adhesive layer.

また、本発明に係るウエハ加工用フィルムとして、前記接着剤層は、半導体ウエハの外周より外側であって前記リングフレームの外周より内側に対応する位置に切り込みが設けられていることが好ましい。   Moreover, as the film for wafer processing according to the present invention, it is preferable that the adhesive layer is provided with a cut at a position outside the outer periphery of the semiconductor wafer and corresponding to the inner side from the outer periphery of the ring frame.

上述した発明のウエハ加工用フィルムによれば、リングフレームに対応する位置の粘着剤層部分を硬化させることにより、粘着力を低下させて、当該部分から切り込みを基点として接着剤層を剥離させることができる。   According to the film for wafer processing of the invention described above, the adhesive layer at a position corresponding to the ring frame is cured to reduce the adhesive force, and the adhesive layer is peeled from the cut as a starting point. Can do.

また、接着剤層の表面には、保護フィルムが剥離可能に貼合され、前記保護フィルムは、放射線遮蔽性を有するとともに、半導体ウエハの外周より外側であって前記リングフレームの外周より内側に対応する位置に切り込みが形成されていてもよい。 In addition, a protective film is detachably bonded to the surface of the adhesive layer, and the protective film has radiation shielding properties and corresponds to an outer side of the outer periphery of the semiconductor wafer and an inner side of the outer periphery of the ring frame. An incision may be formed at the position to be.

上述した発明のウエハ加工用フィルムによれば、保護フィルムの切り込みより外側の部分を剥離して、残った部分をマスクとしてリングフレームに対応する位置の粘着剤層を露光することにより、粘着剤層のリングフレームに対応する部分を硬化させ、粘着性を低下させて、その部分に対応する位置の接着剤層を剥離することができる。   According to the film for wafer processing of the invention described above, the adhesive layer is peeled off by exposing the adhesive layer at the position corresponding to the ring frame using the remaining part as a mask by peeling the portion outside the cut of the protective film. The part corresponding to the ring frame can be cured to reduce the adhesiveness, and the adhesive layer at the position corresponding to the part can be peeled off.

また、上述したウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法として、前記粘着剤層のウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分を硬化させ、硬化させた粘着剤層の部分から前記接着剤層を剥離する工程と、前記接着剤層に前記ウエハを貼合する工程と、前記粘着剤層に前記リングフレームを固定する工程と、前記ウエハをダイシングし、個片化されたチップ及び接着剤層を形成する工程と、前記粘着剤層のウエハに対応する部分を硬化させ、前記個片化されたチップ及び接着剤層をピックアップする工程とを含むことが好ましい。   Further, as a method of manufacturing a semiconductor device using the above-described wafer processing film, at least a portion corresponding to the ring frame other than the portion corresponding to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer is cured, and the cured pressure-sensitive adhesive A step of peeling the adhesive layer from the layer portion, a step of bonding the wafer to the adhesive layer, a step of fixing the ring frame to the pressure-sensitive adhesive layer, dicing the wafer, and Preferably, the method includes a step of forming the separated chip and adhesive layer, and a step of curing the portion of the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the wafer and picking up the separated chip and adhesive layer.

上述した発明の半導体装置を製造する方法によれば、粘着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分と、粘着剤層のウエハに対応する部分とを段階的に硬化させて、粘着剤層の粘着力を低下させ、接着剤層と粘着剤層との間で剥離可能な位置を変えることができる。従って、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができる。   According to the method of manufacturing the semiconductor device of the invention described above, at least a portion corresponding to the ring frame and a portion corresponding to the wafer of the adhesive layer other than the portion corresponding to the semiconductor wafer of the adhesive layer The adhesive layer can be cured to reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, and the peelable position can be changed between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, the design of the desired semiconductor device can be changed without a large-scale change of the existing equipment.

なお、上述した発明の半導体装置を製造する方法では、半導体装置を製造する前のウエハ加工用フィルムに関して、接着剤層と粘着剤層とはプリカットする必要がないことから、製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。   In the method of manufacturing the semiconductor device of the invention described above, the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer do not need to be pre-cut with respect to the wafer processing film before manufacturing the semiconductor device. In this case, since there is no level difference generated in the laminated portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer.

本発明のウエハ加工用フィルムによれば、接着剤層及びその接着剤層を覆う粘着フィルムを所定の形状にプリカットされていない。従って、ウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができ、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気を巻き込み、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際、接着不良や、ウエハの加工時の不具合を防止できる。さらに、本発明のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法によれば、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができる。   According to the wafer processing film of the present invention, the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film covering the adhesive layer are not pre-cut into a predetermined shape. Therefore, when the wafer processing film is wound up in a roll shape, the generation of transfer marks in the adhesive layer can be sufficiently suppressed, and air is entrained between the adhesive layer and the semiconductor wafer, and the semiconductor chip. When adhering to a lead frame, package substrate, or other semiconductor chip, it is possible to prevent adhesion failure and defects during wafer processing. Furthermore, according to the method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film of the present invention, it is possible to change the design of a desired semiconductor device without a large-scale change of existing equipment.

本実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図である。It is sectional drawing of the film for wafer processing which concerns on this embodiment. 本実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムの断面図である。It is sectional drawing of the film for wafer processing which concerns on the modification of this embodiment. 本実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図である。It is a figure explaining the method to manufacture a semiconductor device using the film for wafer processing concerning this embodiment. 本実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図である。It is a figure explaining the method to manufacture a semiconductor device using the film for wafer processing concerning this embodiment. 従来のウエハ加工用フィルムの概要図である。It is a schematic diagram of the conventional film for wafer processing. （Ａ）は従来のウエハ加工用フィルムの平面図であり、（Ｂ）は断面図である。(A) is a top view of the conventional film for wafer processing, (B) is sectional drawing. ダイシング・ダイボンディングフィルムとダイシング用リングフレームとが貼り合わされた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state by which the dicing die-bonding film and the ring frame for dicing were bonded together. 従来のウエハ加工用フィルムの不具合を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the malfunction of the film for conventional wafer processing.

以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図である。図２は本実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムの断面図である。図３及び図４は本実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a wafer processing film according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of a wafer processing film according to a modification of the present embodiment. 3 and 4 are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the present embodiment.

＜第１実施形態＞
以下、第１実施形態に係る加工用フィルムの各構成要素について詳細に説明する。第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムは、図１に示すように、基材フィルム１１及び基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４と、粘着剤層１４上に設けられた接着剤層１３とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム１５である。接着剤層１３は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、粘着フィルム１４は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていない。本実施形態においては、粘着フィルム１４及び接着剤層１３は、長尺の基材フィルム１１上に、長尺のフィルム状に積層されており、ウエハ加工用フィルム１０は、厚さが異なる部分を有していない。 <First Embodiment>
Hereinafter, each component of the processing film according to the first embodiment will be described in detail. As shown in FIG. 1, the wafer processing film according to the first embodiment is formed on a pressure-sensitive adhesive film 14 including a base film 11 and a pressure-sensitive adhesive layer 12 provided on the base film 11, and a pressure-sensitive adhesive layer 14. A dicing die-bonding film 15 having an adhesive layer 13 provided. The adhesive layer 13 is not pre-cut into a shape corresponding to the semiconductor wafer, and the adhesive film 14 is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame. In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive film 14 and the adhesive layer 13 are laminated in a long film shape on the long base film 11, and the wafer processing film 10 has portions with different thicknesses. I don't have it.

ダイシング・ダイボンディングフィルム１５は、製品として流通する場合、図示しない保護フィルムである離型フィルムが接着剤層１３側ダイシング・ダイボンディングフィルム全面に貼り付けられ、ウエハ加工用フィルムとして市場に流通する。以下、ウエハ加工用フィルムの構成要素である離型フィルムと、接着剤層と、基材フィルム及び粘着剤層からなる粘着フィルムとについて説明する。   When the dicing / die bonding film 15 is distributed as a product, a release film, which is a protective film (not shown), is attached to the entire surface of the dicing / die bonding film on the adhesive layer 13 side and distributed as a wafer processing film in the market. Hereinafter, a release film, an adhesive layer, and a pressure-sensitive adhesive film composed of a base film and a pressure-sensitive adhesive layer, which are constituent elements of the wafer processing film, will be described.

（離型フィルム）
ウエハ加工用フィルムに用いられる離型フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。離型フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、２５〜５０μｍが好ましい。 (Release film)
As the release film used for the wafer processing film, a known film such as a polyethylene terephthalate (PET) type, a polyethylene type, or a film subjected to a release treatment can be used. The thickness of the release film is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 25 to 50 μm.

（接着剤層）
接着剤層は、半導体ウエハ等が貼り合わされてダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着フィルムから剥離してチップに付着し、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層は、チップをピックアップする際に、個片化された半導体に付着したままの状態で、粘着フィルムから剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディングする際において、チップを基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。 (Adhesive layer)
Adhesive layer is used as an adhesive when fixing a chip to a substrate or a lead frame when the chip is picked up after the semiconductor wafer is bonded and then picked up and then peeled off from the adhesive film It is what is done. Therefore, the adhesive layer has a releasability that can be peeled off from the adhesive film while still attached to the separated semiconductor when picking up the chip, and when die bonding, In order to bond and fix the chip to the substrate or the lead frame, it has sufficient bonding reliability.

接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。   The adhesive layer is obtained by forming a film of an adhesive in advance. For example, a known polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyester resin, polyesterimide resin used for the adhesive , Phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyether ketone resin, chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyurethane resin, epoxy resin, polyacrylamide resin, melamine resin, etc. and their mixtures may be used it can. Moreover, in order to reinforce the adhesive force with respect to a chip | tip or a lead frame, it is desirable to add a silane coupling agent or a titanium coupling agent to the said material and its mixture as an additive.

接着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常５〜１００μｍ程度が好ましい。また、本実施形態に係るウエハ加工用フィルムの接着剤層１３は、粘着フィルム１４の粘着剤層１２全面に積層されており、半導体ウエハの形状等に対応させたプリカットが行われておらず、少なくとも半導体ウエハに対応する位置よりも外側であってリングフレームに対応する位置よりも内側に切り込み１３ａが設けられている。切り込み１３ａは、リングフレームが貼着された際にリングフレームの内周および外周が位置する部分に設けてもよいが、本実施の形態においては、接着剤層の半導体ウエハの外周に対応する位置に切り込み１３ａが設けられている。   Although the thickness of an adhesive bond layer is not specifically limited, Usually, about 5-100 micrometers is preferable. Further, the adhesive layer 13 of the wafer processing film according to the present embodiment is laminated on the entire surface of the adhesive layer 12 of the adhesive film 14, and is not pre-cut corresponding to the shape of the semiconductor wafer, A cut 13a is provided at least outside the position corresponding to the semiconductor wafer and inside the position corresponding to the ring frame. The notch 13a may be provided in a portion where the inner periphery and the outer periphery of the ring frame are located when the ring frame is attached, but in the present embodiment, the position corresponding to the outer periphery of the semiconductor wafer of the adhesive layer A notch 13a is provided.

従って、接着剤層の切り込み１３ａより外側の部分の接着剤層部分の下に形成されている粘着剤層部分を硬化させることにより、粘着力を低下させて、粘着剤層にリングフレームを固定する前に、切り込み１３ａを基点として粘着剤層の硬化させた部分から接着剤層を剥離させることができる。なお、切り込みをリングフレームの内周および外周に対応する位置に設け、リングフレームに対応する位置の粘着剤層部分を硬化させ、接着剤層のリングフレームに対応する部分を粘着剤層から剥離させてもよい。   Accordingly, the pressure-sensitive adhesive force is reduced by curing the pressure-sensitive adhesive layer portion formed under the adhesive layer portion outside the cut 13a of the adhesive layer, and the ring frame is fixed to the pressure-sensitive adhesive layer. Before, the adhesive layer can be peeled off from the cured portion of the pressure-sensitive adhesive layer with the notch 13a as a starting point. Cuts are provided at positions corresponding to the inner and outer circumferences of the ring frame, the pressure-sensitive adhesive layer portion corresponding to the ring frame is cured, and the portion corresponding to the ring frame of the adhesive layer is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer. May be.

この結果、ウエハが貼り合わされる部分には接着剤層があり、ダイシング用のリングフレームが貼り合わされる部分には接着剤層がなく、粘着フィルムのみが存在するウエハ加工用フィルムを形成することができる。   As a result, there is an adhesive layer in the portion where the wafer is bonded, and there is no adhesive layer in the portion where the ring frame for dicing is bonded, forming a wafer processing film in which only the adhesive film exists. it can.

（粘着フィルム）
本実施形態に係る粘着フィルムは、基材フィルムに粘着剤層を設けたものである。そして、粘着フィルムは、ウエハをダイシングする際にはウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。そのため、粘着フィルムの粘着剤層には、放射線重合性化合物と光開始剤が含まれている。 (Adhesive film)
The pressure-sensitive adhesive film according to this embodiment is a base film provided with a pressure-sensitive adhesive layer. The adhesive film has a sufficient adhesive strength so that the wafer does not peel when dicing the wafer, and has a low adhesive strength so that it can be easily peeled off from the adhesive layer when picking up the chip after dicing. Is. Therefore, the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator.

粘着フィルムの基材フィルムとしては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、本実施形態に係る粘着フィルムの粘着剤層は放射線硬化性の放射線重合性化合物を含むため、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。   As the base film of the pressure-sensitive adhesive film, any conventionally known film can be used without any particular limitation, but the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film according to the present embodiment contains a radiation-curable radiation-polymerizable compound. Therefore, it is preferable to use a material having radiation transparency.

例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルムはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。   For example, as the material, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic Α-olefin homopolymer or copolymer such as acid methyl copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, polyamide-polyol Listed are thermoplastic elastomers such as copolymers, and mixtures thereof. Further, the base film may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer. The thickness of the base film is not particularly limited and may be set as appropriate, but is preferably 50 to 200 μm.

粘着フィルムの粘着剤層に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。   The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film is not particularly limited, and a known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin or the like used for the pressure-sensitive adhesive is used. be able to.

粘着剤層の樹脂には、アクリル系粘着剤、放射線重合性化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましく、本実施形態に係る粘着剤層の樹脂には放射線重合性化合物を含む。従って、放射線重合性化合物を粘着剤層に配合して放射線硬化により接着剤層から剥離しやすくすることができる。粘着剤層の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５〜３０μｍが好ましい。   The pressure-sensitive adhesive layer resin is preferably prepared by appropriately mixing an acrylic pressure-sensitive adhesive, a radiation polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a curing agent, etc., and the pressure-sensitive adhesive layer resin according to this embodiment. Includes a radiation-polymerizable compound. Therefore, a radiation polymerizable compound can be mix | blended with an adhesive layer and it can make it easy to peel from an adhesive bond layer by radiation curing. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 5 to 30 μm.

放射線重合性化合物として、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が適用可能である。   Examples of radiation polymerizable compounds include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6. Hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are applicable.

また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。なお、粘着剤層には、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。   In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl) Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by the reaction. The pressure-sensitive adhesive layer may be a mixture of two or more selected from the above resins.

また、本実施形態に係る粘着剤層の樹脂には光開始剤を含む。光開始剤として、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体１００質量部に対して０．０１〜５質量部が好ましい。   Further, the resin of the pressure-sensitive adhesive layer according to this embodiment contains a photoinitiator. As photoinitiators, for example, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropiophenone, Α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -Acetphenone compounds such as phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2-naphthalene Sulfonyl black Aromatic sulfonyl chloride compounds such as Lido; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

粘着剤層は放射線重合性化合物と光重合開始剤とを含むことから、光を照射する範囲を選択することにより、所望の位置、大きさ及び形状で硬化した粘着剤層の部分と硬化していない粘着剤層の部分とを形成できる。従って、粘着剤層の硬化した部分を段階的にわけて形成することができることから、リングフレームを粘着剤層に貼る際には、粘着剤層のリングフレームより外側の部分に光を照射して、当該部分の粘着力を低下させ、接着剤層を剥離することができる。この結果、接着剤層及びその接着剤層を覆う粘着フィルムを所定の形状にプリカットする必要がなくなることから、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。   Since the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation-polymerizable compound and a photopolymerization initiator, it is cured with a portion of the pressure-sensitive adhesive layer cured at a desired position, size, and shape by selecting a range in which light is irradiated. And no part of the pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, since the cured part of the pressure-sensitive adhesive layer can be formed stepwise, when applying the ring frame to the pressure-sensitive adhesive layer, light is applied to the part outside the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer. The adhesive strength of the part can be reduced and the adhesive layer can be peeled off. As a result, there is no need to pre-cut the adhesive layer and the adhesive film covering the adhesive layer into a predetermined shape. Therefore, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, the adhesive layer and the adhesive film Since there is no step generated in the laminated portion, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer.

＜第１実施形態の変形例＞
第１実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルム５０は、図２に示すように、第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０（図１）の接着剤層１３側全面に、剥離可能な保護フィルム１７が設けられているものである。具体的には、基材フィルム１１及び基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４と、粘着剤層１４上に設けられた接着剤層１３’とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム１５’に対して、更に、接着剤層１３’上に保護フィルム１７が設けられたものである。保護フィルム１７は放射線遮蔽性を有する。さらに、保護フィルム１７は、リングフレームに対応した切り込み１７ａが形成されている。切り込みは、リングフレームが貼着された際にリングフレームの内周および外周が位置する部分にそれぞれ形成するとよいが、内周が位置する部分にのみ形成してもよい。また、接着剤層１３’にも、保護フィルム１７の切り込み１７ａに対応する位置に切り込み１３ｂが形成されている。 <Modification of First Embodiment>
As shown in FIG. 2, the wafer processing film 50 according to the modification of the first embodiment can be peeled over the entire surface of the wafer processing film 10 (FIG. 1) according to the first embodiment on the adhesive layer 13 side. A protective film 17 is provided. Specifically, a dicing die having a base film 11 and an adhesive film 14 comprising an adhesive layer 12 provided on the base film 11 and an adhesive layer 13 ′ provided on the adhesive layer 14. A protective film 17 is further provided on the adhesive layer 13 ′ with respect to the bonding film 15 ′. The protective film 17 has radiation shielding properties. Further, the protective film 17 has a notch 17a corresponding to the ring frame. The cuts may be formed in portions where the inner periphery and outer periphery of the ring frame are located when the ring frame is attached, but may be formed only in the portion where the inner periphery is positioned. Further, the adhesive layer 13 ′ is also provided with a cut 13 b at a position corresponding to the cut 17 a of the protective film 17.

放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込み１７ａが形成された保護フィルム１７が、接着剤層１３の表面に、剥離可能に貼合されていることから、リングフレームに対応した保護フィルム部分を剥離した後、ウエハ加工用フィルムを露光すると、リングフレームに対応する粘着剤層部分のみを感光させ、硬化させることが可能となり、粘着力を弱めることができる。従って、粘着力が弱められた部分の上に位置する接着剤層部分を切り込み１３ｂを基点として剥離することができる。従って、粘着フィルム及び接着剤層を所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。また、全面保護フィルムを剥離した後に、別途用意したフォトマスクを貼着する必要がなく、工数およびコストを削減することができる。   Since the protective film 17 having radiation shielding properties and having a cut 17a corresponding to the ring frame is detachably bonded to the surface of the adhesive layer 13, the protective film portion corresponding to the ring frame When the wafer processing film is exposed after peeling off, only the pressure-sensitive adhesive layer portion corresponding to the ring frame can be exposed and cured, and the adhesive strength can be weakened. Therefore, the adhesive layer portion positioned on the portion where the adhesive strength is weakened can be peeled off using the cut 13b as a base point. Therefore, it is not necessary to pre-cut the pressure-sensitive adhesive film and the adhesive layer into a predetermined shape. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer. In addition, it is not necessary to attach a separately prepared photomask after the entire protective film is peeled off, and man-hours and costs can be reduced.

（保護フィルム）
ウエハ加工用フィルムに用いられる保護フィルムとしては、放射線遮蔽性を有するものであれば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、２５〜５０μｍが好ましい。 (Protective film)
As the protective film used for the wafer processing film, a known film such as a polyethylene terephthalate (PET) type, a polyethylene type, or a film subjected to a release treatment may be used as long as it has radiation shielding properties. it can. The thickness of the protective film is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 25 to 50 μm.

放射線遮蔽性を有するフィルムのうち、紫外線遮蔽性を有するフィルムとしては、例えば、主成分としてアクリル系樹脂、フッ素系樹脂、塩化ビニル系樹脂等の熱可塑性樹脂を用い、これらの熱可塑性樹脂中に紫外線吸収剤を添加し練り込んだ熱可塑性樹脂組成物が成形されたフィルムが挙げられる。上記主成分として用いられる熱可塑性樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良いが、優れた耐候性を長期間にわたって確保するためには、アクリル系樹脂やフッ素系樹脂を用いることが好ましい。上記アクリル系樹脂及びフッ素系樹脂は、それぞれ単独で用いられても良いし、両者が併用されても良い。   Among the films having radiation shielding properties, as the film having ultraviolet shielding properties, for example, a thermoplastic resin such as an acrylic resin, a fluorine resin, or a vinyl chloride resin is used as a main component, and in these thermoplastic resins, Examples include a film formed of a thermoplastic resin composition in which an ultraviolet absorber is added and kneaded. The thermoplastic resin used as the main component may be used alone or in combination of two or more. In order to ensure excellent weather resistance over a long period of time, acrylic resin or fluorine It is preferable to use a resin. The acrylic resin and the fluorine resin may be used alone or in combination.

また、上記紫外線吸収剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤等が挙げられ、好適に用いられる。これらの紫外線吸収剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。   The ultraviolet absorber is not particularly limited, and examples thereof include benzophenone ultraviolet absorbers, benzotriazole ultraviolet absorbers, and cyanoacrylate ultraviolet absorbers, which are preferably used. These ultraviolet absorbers may be used alone or in combination of two or more.

＜第２実施形態＞
第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムは、第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムと同様、基材フィルム及び基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するものであり、粘着フィルム及び接着剤層は、リングフレームや半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、接着剤層に、リングフレームの内周に対応する位置に切り込みが設けられている（図１参照）。第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムの粘着フィルムの粘着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤に代えて、熱重合性化合物とを含むものである。粘着剤層は熱重合性化合物を含むことから、熱を照射する範囲を選択することにより、所望の位置、大きさ及び形状で硬化した粘着剤層の部分と硬化していない粘着剤層の部分とを形成できる。 <Second Embodiment>
The wafer processing film according to the second embodiment is similar to the wafer processing film according to the first embodiment. The adhesive film includes a base film and an adhesive layer provided on the base film, and an adhesive layer. The adhesive film and the adhesive layer are not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame or semiconductor wafer, and the adhesive layer corresponds to the inner periphery of the ring frame. An incision is provided at a position to perform (see FIG. 1). The pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film of the wafer processing film according to the first embodiment includes a heat-polymerizable compound instead of the radiation-polymerizable compound and the photoinitiator. Since the pressure-sensitive adhesive layer contains a thermopolymerizable compound, a portion of the pressure-sensitive adhesive layer cured at a desired position, size, and shape and a portion of the pressure-sensitive adhesive layer that has not been cured are selected by selecting a range to be irradiated with heat. And can be formed.

従って、粘着剤層の硬化した部分を段階的にわけて形成することができることから、リングフレームを粘着剤層に貼る際には、粘着剤層のリングフレームより外側の部分に熱を照射して、当該部分の粘着力を低下させ、接着剤層を剥離することができる。この結果、接着剤層及びその接着剤層を覆う粘着フィルムを所定の形状にプリカットする必要がなくなることから、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。   Therefore, since the cured part of the pressure-sensitive adhesive layer can be formed stepwise, when applying the ring frame to the pressure-sensitive adhesive layer, heat is applied to the part outside the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer. The adhesive strength of the part can be reduced and the adhesive layer can be peeled off. As a result, there is no need to pre-cut the adhesive layer and the adhesive film covering the adhesive layer into a predetermined shape. Therefore, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, the adhesive layer and the adhesive film Since there is no step generated in the laminated portion, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer.

熱重合性化合物としては、熱により重合するもの、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。なお、ウエハ加工用フィルムの耐熱性を考慮した上で、熱によって硬化して、粘着剤層の硬化した部分の粘着力を低下させ、接着剤層と粘着剤層との間で剥離可能なものを使用する。   Examples of the thermopolymerizable compound include compounds that polymerize by heat, for example, compounds having a functional group such as a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an isocyanurate group, an amino group, and an amide group. Can be used alone or in combination of two or more. In consideration of the heat resistance of the wafer processing film, it can be cured by heat to reduce the adhesive strength of the cured part of the adhesive layer, and peelable between the adhesive layer and the adhesive layer Is used.

なお、本実施形態においても、第１実施形態の変形例と同様の変形例を適用することができる。   In the present embodiment, the same modification as the modification of the first embodiment can be applied.

＜半導体装置を製造する方法＞
第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を、図３及び図４を用いて説明する。図３及び図４は第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図であって、図３（Ａ）は離型フィルム１６が接着剤層１３上に貼り付けられている状態を、図３（Ｂ）はウエハＷがウエハ加工用フィルムに貼り付けられた状態を、図３（Ｃ）は粘着剤層１２の一部を硬化させ、硬化させた粘着剤層部分１２ａ上の接着剤層を剥離させた状態を、図３（Ｄ）はウエハをダイシングした状態を、図３（Ｅ）はウエハに対応する位置の粘着剤層部分１２ｂを硬化させた状態を、さらに、図４（Ａ）はダイシングされたウエハが貼り合わされたウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置に搭載した状態を、図４（Ｂ）はエキスパンド後のウエハ及びウエハ加工用フィルムを示す断面図である。 <Method for Manufacturing Semiconductor Device>
A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4 are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the first embodiment. FIG. 3A shows the release film 16 on the adhesive layer 13. FIG. 3B shows a state where the wafer W is attached, FIG. 3C shows a state where the adhesive layer 12 is cured by curing a part of the adhesive layer 12. 3D shows a state where the adhesive layer on the adhesive layer portion 12a is peeled off, FIG. 3D shows a state where the wafer is diced, and FIG. 3E shows a state where the adhesive layer portion 12b at the position corresponding to the wafer is cured. FIG. 4A shows a state in which a wafer processing film on which a diced wafer is bonded is mounted on an expanding apparatus, and FIG. 4B shows a cross section of the expanded wafer and the wafer processing film. FIG.

（準備工程）
図３（Ａ）に示すように、まず、基材フィルム１１及び基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４と、半導体ウエハの外周に対応した形状に形成された切り込み１３ａが設けられている接着剤層１３とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム１５に対して、接着剤層１３側から離型フィルム１６が貼り付けられているウエハ加工用フィルムを準備する。ウエハ加工用フィルムは、接着剤層等がプリカットされていないことから、離型フィルムが貼り合わされた製品としてロール状に巻いた際、接着剤層１３と粘着フィルム１４との積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層１３に転写痕が発生することを防止することができる。 (Preparation process)
As shown in FIG. 3 (A), first, a base film 11 and an adhesive film 14 comprising an adhesive layer 12 provided on the base film 11 and a cut formed in a shape corresponding to the outer periphery of the semiconductor wafer. A wafer processing film in which a release film 16 is attached to the dicing die bonding film 15 having the adhesive layer 13 provided with 13a from the adhesive layer 13 side is prepared. Since the film for wafer processing is not pre-cut with the adhesive layer or the like, it was generated in the laminated portion of the adhesive layer 13 and the pressure-sensitive adhesive film 14 when wound in a roll shape as a product to which the release film was bonded. Since there is no step, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer 13.

（貼合工程）
次に、図３（Ｂ）に示すように、ウエハ加工用フィルムから離型フィルム１６を剥がし、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５の接着剤層１３側から、接着剤層１３に対して半導体ウエハＷの裏面を貼り合わせる。なお、以後の工程において、リングフレーム５０及び半導体ウエハＷを長尺状のダイシング・ダイボンディングフィルム１５に貼り合わせた状態で各工程を搬送させるのではなく、リングフレーム２０及び半導体ウエハＷを１組ずつ個別に搬送させる場合には、リングフレーム２０を貼り合わせる前あるいは張り合わせた後に、リングフレーム２０の外周に沿って、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５を切断するとよい。 (Bonding process)
Next, as shown in FIG. 3B, the release film 16 is peeled off from the wafer processing film, and the semiconductor wafer W of the dicing die bonding film 15 is bonded to the adhesive layer 13 from the adhesive layer 13 side. Affix the back side. In the subsequent processes, the ring frame 50 and the semiconductor wafer W are not transported in a state where the ring frame 50 and the semiconductor wafer W are bonded to the long dicing die bonding film 15, but one set of the ring frame 20 and the semiconductor wafer W is formed. In the case where the ring frames 20 are individually conveyed, the dicing die bonding film 15 may be cut along the outer periphery of the ring frame 20 before or after the ring frames 20 are bonded.

（第１段階紫外線照射工程）
次に、粘着剤層１２に含まれる光開始剤が反応する波長の紫外線を、粘着剤層１２のうち、半導体ウエハＷに対応する以外の粘着剤層部分１２ａに照射して硬化させる。このとき、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５の上方、すなわち半導体ウエハＷを貼り合わせた側から紫外線を照射すれば、半導体ウエハＷがマスクとなって、半導体ウエハＷに対応する以外の粘着剤層部分１２ａに紫外線が照射される。半導体ウエハＷに対応する以外の粘着剤層部分１２ａの粘着力を低下させた結果、図３（Ｃ）に示すように、接着剤層１３に切り込み１３ａを基点として、硬化した粘着剤層部分１２ａ上の接着剤層のみを剥離することができる。 (First stage UV irradiation process)
Next, the adhesive layer portion 12 a other than the one corresponding to the semiconductor wafer W in the adhesive layer 12 is irradiated with ultraviolet light having a wavelength with which the photoinitiator included in the adhesive layer 12 reacts to be cured. At this time, if the ultraviolet light is irradiated from above the dicing die bonding film 15, that is, the side where the semiconductor wafer W is bonded, the semiconductor wafer W becomes a mask, and the adhesive layer portion 12a other than the one corresponding to the semiconductor wafer W is used. Are irradiated with ultraviolet rays. As a result of reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer portion 12a other than the one corresponding to the semiconductor wafer W, as shown in FIG. 3C, the cured pressure-sensitive adhesive layer portion 12a based on the notch 13a as a starting point. Only the upper adhesive layer can be peeled off.

（ダイシング工程）
ウエハ加工フィルムの外周部、すなわち、粘着力が低下した粘着剤層部分１２ａにリングフレーム２０を、残った粘着力を利用して圧力をかけて貼り合わせ、図示しないダイシングブレードを用いて、半導体ウエハＷを機械的に切断し、複数の半導体チップＣに分割するとともに、接着剤層１３も分割する（図３（Ｄ））。 (Dicing process)
The ring frame 20 is bonded to the outer peripheral portion of the wafer processed film, that is, the adhesive layer portion 12a having reduced adhesive force by applying pressure using the remaining adhesive force, and a semiconductor wafer is used using a dicing blade (not shown). W is mechanically cut and divided into a plurality of semiconductor chips C, and the adhesive layer 13 is also divided (FIG. 3D).

（第２段階紫外線照射工程）
そして、図３（Ｅ）に示すように、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５の下方から紫外線を、複数の半導体チップＣに分割されたウエハの位置に対応する粘着剤層部分１２ｂに照射して硬化させる。当該部分１２ｂの粘着力を低下させた結果、当該部分１２ｂ上の接着剤層１３を剥離させることが可能となる。 (Second stage UV irradiation process)
Then, as shown in FIG. 3E, the adhesive layer portion 12b corresponding to the position of the wafer divided into the plurality of semiconductor chips C is irradiated and cured from below the dicing die bonding film 15 and cured. . As a result of reducing the adhesive strength of the portion 12b, the adhesive layer 13 on the portion 12b can be peeled off.

（載置工程）
半導体チップＣに分割されたウエハの位置に対応する粘着剤層部分１２ｂに照射して硬化させた後、図４（Ａ）に示すように、分割された複数の半導体チップＣを保持するウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置のステージ２１上に載置する。図中、符号２２は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。 (Installation process)
After the adhesive layer portion 12b corresponding to the position of the wafer divided into semiconductor chips C is irradiated and cured, as shown in FIG. 4A, wafer processing for holding a plurality of divided semiconductor chips C is performed. The film is placed on the stage 21 of the expanding device. In the figure, reference numeral 22 denotes a hollow cylindrical push-up member of the expanding device.

（エキスパンド工程）
そして、図４（Ｂ）に示すように、ダイシングされたチップＣ及び接着剤層１３を保持した基材フィルム１１及び粘着剤層１２からなる粘着フィルムをリングフレームの周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数のチップＣ及び接着フィルム１３を保持した状態の粘着フィルムに対して、中空円柱形状の突き上げ部材２２を、粘着フィルムの下面側から上昇させ、上記粘着フィルムをリングフレームの周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、チップ同士の間隔を広げ、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップ同士の再接着を防止することができる。 (Expanding process)
Then, as shown in FIG. 4B, an expanding step is performed in which the adhesive film composed of the base film 11 and the adhesive layer 12 holding the diced chip C and the adhesive layer 13 is stretched in the circumferential direction of the ring frame. To do. Specifically, a hollow cylindrical push-up member 22 is raised from the lower surface side of the pressure-sensitive adhesive film to the pressure-sensitive adhesive film in a state where a plurality of diced chips C and the adhesive film 13 are held, and the pressure-sensitive adhesive film is Stretch in the circumferential direction of the frame. By the expanding step, it is possible to widen the distance between the chips and improve the chip recognizability by a CCD camera or the like, and to prevent re-adhesion of the chips caused by contact between adjacent chips during pickup.

（ピックアップ工程）
エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルムをエキスパンドした状態のままで、チップＣをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルムの下側からチップをピンによって突き上げるとともに、粘着フィルムの上面側から吸着冶具でチップを吸着することで、個片化されたチップＣを接着フィルム１３とともにピックアップする。 (Pickup process)
After carrying out the expanding step, a picking up step for picking up the chip C is carried out with the adhesive film expanded. Specifically, the chip is pushed up by a pin from the lower side of the adhesive film, and the chip C is picked up together with the adhesive film 13 by adsorbing the chip with an adsorption jig from the upper surface side of the adhesive film.

（ダイボンディング工程）
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程でチップＣとともにピックアップされた接着剤層により、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。 (Die bonding process)
Then, after performing the pickup process, the die bonding process is performed. Specifically, a semiconductor device is manufactured by bonding a semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, or the like by an adhesive layer picked up together with the chip C in a pickup process.

なお、第１実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、当該ウエハ加工用フィルム（図２）は、放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込み１７ａが形成された保護フィルム１７が、接着剤層１３の表面に、剥離可能に貼合されていることから、保護フィルムのリングフレームに対応した部分を剥離することにより、接着剤層１３上に剥離されずに存在する保護フィルムをマスクとして用いることができる。従って、保護フィルムをマスクとして、粘着剤層のリングフレームに対応した部分に紫外線を照射して粘着力を低下させ、その上に位置する接着剤層を剥離して除去した後は、従来のプリカット加工がされたダイシング・ダイボンディングフィルムと同様の工程で半導体装置を製造することができる。   When a semiconductor device is manufactured using the wafer processing film according to the modification of the first embodiment, the wafer processing film (FIG. 2) has radiation shielding properties and has a notch 17a corresponding to the ring frame. Since the protective film 17 formed with is peelably bonded to the surface of the adhesive layer 13, the part corresponding to the ring frame of the protective film is peeled off to peel off the adhesive layer 13. A protective film present without being used can be used as a mask. Therefore, using the protective film as a mask, the part corresponding to the ring frame of the adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesive force, and after removing the adhesive layer located on it, the conventional pre-cut A semiconductor device can be manufactured in the same process as the processed dicing die bonding film.

なお、第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法では、粘着剤層１２に反応する光開始剤を含むウエハ加工用フィルムを用いていることから、紫外線を２段階にわけて照射し、硬化させる粘着剤層の位置、大きさ、形状を変化させている。しかしながら、第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いた場合、粘着剤層１２に熱重合性化合物を含むことから、粘着剤層１２ａと１２ｂの硬化を、熱硬化を２段階にわけて行い、硬化させる粘着剤層１２の位置、大きさ、形状を変化させる。   In the method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the first embodiment, since the wafer processing film containing a photoinitiator that reacts with the pressure-sensitive adhesive layer 12 is used, two stages of ultraviolet rays are used. In particular, the position, size and shape of the pressure-sensitive adhesive layer to be irradiated and cured are changed. However, when the wafer processing film according to the second embodiment is used, since the pressure-sensitive adhesive layer 12 contains a thermopolymerizable compound, the pressure-sensitive adhesive layers 12a and 12b are cured in two stages. The position, size, and shape of the pressure-sensitive adhesive layer 12 to be cured are changed.

以上より、本実施形態に係るウエハ加工用フィルムによれば、ウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができ、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気を巻き込み、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際、接着不良や、ウエハの加工時の不具合を防止できた。さらに、本発明のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法によれば、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができた。   As mentioned above, according to the film for wafer processing concerning this embodiment, when the film for wafer processing is wound up in roll shape, generation | occurrence | production of the transfer trace in an adhesive bond layer can fully be suppressed, and adhesive agent When air was engulfed between the layer and the semiconductor wafer to adhere the semiconductor chip to the lead frame, the package substrate, or another semiconductor chip, it was possible to prevent adhesion failure and problems during processing of the wafer. Furthermore, according to the method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film of the present invention, the desired semiconductor device can be changed in design without a large-scale change of existing facilities.

１０，３０，５０：ウエハ加工用フィルム
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１３：接着剤層
１３ａ，１３ｂ：切り込み
１４：粘着フィルム
１５：ダイシング・ダイボンディングフィルム
１６：離型フィルム
１７：保護フィルム
２０：リングフレーム 10, 30, 50: Wafer processing film 11: Base film 12: Adhesive layer 13: Adhesive layers 13a, 13b: Cut 14: Adhesive film 15: Dicing die bonding film 16: Release film 17: Protective film 20: Ring frame

Claims (6)

長尺の基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に長尺のフィルム状に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に長尺のフィルム状に設けられた接着剤層とを有し、
前記粘着剤層は、放射線重合性化合物と、光開始剤とを含む
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 A long base film, and a pressure-sensitive adhesive film comprising a pressure-sensitive adhesive layer provided in the form of a long film on the base film;
An adhesive layer provided in the form of a long film on the pressure-sensitive adhesive layer,
The film for wafer processing, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator. 長尺の基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に長尺のフィルム状に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に長尺のフィルム状に設けられた接着剤層とを有し、
前記粘着剤層は、熱重合性化合物を含む
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 A long base film, and a pressure-sensitive adhesive film comprising a pressure-sensitive adhesive layer provided in the form of a long film on the base film;
An adhesive layer provided in the form of a long film on the pressure-sensitive adhesive layer,
The film for wafer processing, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a thermally polymerizable compound. 前記粘着フィルムは、リングフレームに対応する形状にプリカットされておらず、
前記接着剤層は、半導体ウエハに対応する形状にプリカットされていない
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエハ加工用フィルム。 The adhesive film is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame,
The film for wafer processing according to claim 1, wherein the adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to a semiconductor wafer. 前記接着剤層は、半導体ウエハの外周より外側であって前記リングフレームの外周より内側に対応する位置に切り込みが設けられていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のウエハ加工用フィルム。   4. The adhesive layer according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesive layer is provided with a cut at a position outside the outer periphery of the semiconductor wafer and corresponding to the inner side from the outer periphery of the ring frame. The film for wafer processing as described in 2. 前記接着剤層の表面には、保護フィルムが剥離可能に貼合され、
前記保護フィルムは、放射線遮蔽性を有するとともに、半導体ウエハの外周より外側であって前記リングフレームの外周より内側に対応する位置に切り込みが形成されていることを特徴とする請求項１、請求項３または請求項４のいずれか１項に記載のウエハ加工用フィルム。 A protective film is peelably bonded to the surface of the adhesive layer,
2. The protective film according to claim 1, wherein the protective film has radiation shielding properties, and a cut is formed at a position outside the outer periphery of the semiconductor wafer and corresponding to the inner side from the outer periphery of the ring frame. The film for wafer processing according to any one of claims 3 and 4. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記粘着剤層のウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分を硬化させ、硬化させた粘着剤層の部分から前記接着剤層を剥離する工程と、
前記接着剤層に前記ウエハを貼合する工程と、
前記粘着剤層に前記リングフレームを固定する工程と、
前記ウエハをダイシングし、個片化されたチップ及び接着剤層を形成する工程と、
前記粘着剤層のウエハに対応する部分を硬化させ、前記個片化されたチップ及び接着剤層をピックアップする工程とを含む
ことを特徴とする方法。 A method for manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to any one of claims 1 to 5,
Steps other than the portion corresponding to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer, at least the portion corresponding to the ring frame is cured, and the adhesive layer is peeled from the portion of the cured pressure-sensitive adhesive layer;
Bonding the wafer to the adhesive layer;
Fixing the ring frame to the adhesive layer;
Dicing the wafer to form singulated chips and an adhesive layer;
Curing the portion of the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the wafer and picking up the singulated chips and the adhesive layer.
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