JP2010206068A5 - - Google Patents
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本発明の一態様によれば、被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器内を減圧する減圧手段と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段と、前記除去液蒸気の凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第1の温度制御手段と、前記除去液蒸気の凝縮する温度以上となるように前記処理容器の壁面温度を制御する第2の温度制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、除去液蒸気の凝縮する温度以下となるように被処理物の温度を制御する工程と、前記除去液蒸気を生成する工程と、前記除去液蒸気を前記被処理物の表面に供給し、凝縮させる工程と、前記被処理物の表面を乾燥させて不要物を気化させる工程と、プラズマ生成物を生成する工程と、前記プラズマ生成物を前記被処理物の表面に供給し、プラズマ処理を行う工程と、前記除去液蒸気の凝縮する温度以上となるように処理雰囲気中に露出する部材の温度を制御する工程を備えたこと、を備えたことを特徴とするプラズマ処理方法が提供される。
また、被処理物Wの温度を制御するための温度制御手段51と、処理容器6の温度を制御するための温度制御手段52とが設けられている。また、温度制御手段51、温度制御手段52は制御手段8により制御される。
処理容器6の壁面や整流板17などにおいて除去液蒸気が凝縮すれば、壁面などが侵食されるおそれがある。そのため、主に被処理物Wの表面において除去液蒸気を凝縮させるようにすることが好ましい。
そこで、温度制御手段51により除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように被処理物Wの温度を制御するようにしている。また、温度制御手段52により除去液蒸気が凝縮する温度以上となるように処理容器6の壁面温度を制御するようにしている。この場合、除去液蒸気が凝縮する温度は、予め実験などで求められた蒸気圧曲線に基づいて適宜決定するようにすればよい。なお、除去液蒸気の凝縮は、大気圧下のみならず減圧下、加圧下で行うこともできる。
処理容器6の壁面や整流板17などにおいて除去液蒸気が凝縮すれば、壁面などが侵食されるおそれがある。そのため、主に被処理物Wの表面において除去液蒸気を凝縮させるようにすることが好ましい。
そこで、温度制御手段51により除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように被処理物Wの温度を制御するようにしている。また、温度制御手段52により除去液蒸気が凝縮する温度以上となるように処理容器6の壁面温度を制御するようにしている。この場合、除去液蒸気が凝縮する温度は、予め実験などで求められた蒸気圧曲線に基づいて適宜決定するようにすればよい。なお、除去液蒸気の凝縮は、大気圧下のみならず減圧下、加圧下で行うこともできる。
次に、本実施の形態に係るプラズマ処理方法について例示をする。
図3は、本実施の形態に係るプラズマ処理方法について例示をするためのフローチャートである。
まず、被処理物Wの表面の不要物(例えば、自然酸化膜、酸窒化膜、変質層など)を除去する。
すなわち、まず、主に被処理物Wの表面において除去液蒸気が凝縮するように、被処理物Wの温度が設定される(ステップS1a)。
例えば、除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように被処理物Wの温度を制御する。この場合、被処理物Wの温度は、予め求められた除去液の蒸気圧曲線などに基づいて制御される。
また、除去液蒸気が凝縮しないように、処理雰囲気中に露出する部材の温度が被処理物Wの温度より高く設定される(ステップS1b)。
例えば、除去液蒸気が凝縮する温度以上となるように処理雰囲気中に露出する部材の温度を制御する。
図3は、本実施の形態に係るプラズマ処理方法について例示をするためのフローチャートである。
まず、被処理物Wの表面の不要物(例えば、自然酸化膜、酸窒化膜、変質層など)を除去する。
すなわち、まず、主に被処理物Wの表面において除去液蒸気が凝縮するように、被処理物Wの温度が設定される(ステップS1a)。
例えば、除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように被処理物Wの温度を制御する。この場合、被処理物Wの温度は、予め求められた除去液の蒸気圧曲線などに基づいて制御される。
また、除去液蒸気が凝縮しないように、処理雰囲気中に露出する部材の温度が被処理物Wの温度より高く設定される(ステップS1b)。
例えば、除去液蒸気が凝縮する温度以上となるように処理雰囲気中に露出する部材の温度を制御する。
以上例示をしたように、本実施の形態に係るプラズマ処理方法は、除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように被処理物Wの温度を制御する工程(例えば、ステップS1a)と、除去液蒸気を生成する工程(例えば、ステップS2)と、除去液蒸気を被処理物Wの表面に供給し、凝縮させる工程(例えば、ステップS3)と、被処理物Wの表面を乾燥させて不要物を気化させる工程(例えば、ステップS4)と、プラズマ生成物を生成する工程(例えば、ステップS6)と、プラズマ生成物を被処理物Wの表面に供給し、プラズマ処理を行う工程(例えば、ステップS7)と、を備えている。
また、除去液蒸気が凝縮する温度以上となるように処理雰囲気中に露出する部材の温度を制御する工程(例えば、ステップS1b)を備えるようにすることもできる。
また、除去液蒸気が凝縮する温度以上となるように処理雰囲気中に露出する部材の温度を制御する工程(例えば、ステップS1b)を備えるようにすることもできる。
Claims (8)
- 被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器内を減圧する減圧手段と、
前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、
前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段と、
除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段と、
前記除去液蒸気の凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第1の温度制御手段と、
前記除去液蒸気の凝縮する温度以上となるように前記処理容器の壁面温度を制御する第2の温度制御手段と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記被処理物を収容する空間と前記プラズマを発生させる空間との連通を制御する隔離手段をさらに備えたこと、を特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記隔離手段は、前記除去液蒸気が前記被処理物を収容する空間に供給される場合には、前記連通を遮断すること、を特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。
- 前記被処理物を加熱して不要物の昇華を行う昇華手段をさらに備えたこと、を特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 除去液蒸気の凝縮する温度以下となるように被処理物の温度を制御する工程と、
前記除去液蒸気を生成する工程と、
前記除去液蒸気を前記被処理物の表面に供給し、凝縮させる工程と、
前記被処理物の表面を乾燥させて不要物を気化させる工程と、
プラズマ生成物を生成する工程と、
前記プラズマ生成物を前記被処理物の表面に供給し、プラズマ処理を行う工程と、
前記除去液蒸気の凝縮する温度以上となるように処理雰囲気中に露出する部材の温度を制御する工程を備えたこと、
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記除去液蒸気が供給される場合には、前記被処理物を収容する空間と前記プラズマ生成物を生成する空間との連通が遮断されること、を特徴とする請求項5記載のプラズマ処理方法。
- 前記表面が乾燥した被処理物を加熱して不要物を昇華させる工程をさらに備えたこと、を特徴とする請求項5または6記載のプラズマ処理方法。
- 水蒸気と除去液ガスとを混合することで前記除去液蒸気を生成することを特徴とする請求項5〜7のいずれか1つに記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009051856A JP5253237B2 (ja) | 2009-03-05 | 2009-03-05 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009051856A JP5253237B2 (ja) | 2009-03-05 | 2009-03-05 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010206068A JP2010206068A (ja) | 2010-09-16 |
JP2010206068A5 true JP2010206068A5 (ja) | 2012-04-19 |
JP5253237B2 JP5253237B2 (ja) | 2013-07-31 |
Family
ID=42967243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009051856A Active JP5253237B2 (ja) | 2009-03-05 | 2009-03-05 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5253237B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR102107256B1 (ko) * | 2012-05-23 | 2020-05-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR20220097202A (ko) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0496226A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5282925A (en) * | 1992-11-09 | 1994-02-01 | International Business Machines Corporation | Device and method for accurate etching and removal of thin film |
JP3335705B2 (ja) * | 1993-04-15 | 2002-10-21 | 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 | 気相分解方法および分解装置 |
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2009
- 2009-03-05 JP JP2009051856A patent/JP5253237B2/ja active Active
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