JP2010193073A - 裏面照射型撮像素子、その製造方法および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の画素を二次元状に並べて配置した裏面照射型撮像素子111において、複数の画素には、撮像用の画素210とともに焦点検出用の画素211が含まれる。
【選択図】図4
Description
請求項15の発明の裏面照射型撮像素子の製造方法は、基板の表面にP型エピタキシャル層を形成するP型エピタキシャル層形成工程と、P型エピタキシャル層の表面に光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、光電変換部上に配線層を形成する配線層形成工程と、P型エピタキシャル層から基板を除去する基板除去工程と、P型エピタキシャル層の基板を除去した面上に遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、遮光膜上に透明膜および色フィルタを形成する透明膜−色フィルタ形成工程と、透明膜上および色フィルタ上にマイクロレンズを形成するマイクロレンズ形成工程とを備えることを特徴とする。
(1)撮像素子111を裏面照射型とし、二次元状に並べて配置された複数の画素に、撮像画素210とともに焦点検出画素211が含まれるようにした。これにより、焦点検出画素211の遮光膜14Bの実質的な開口面積を大きくとることができるので、画素が小型化されても焦点検出画素の搭載が可能になる。
(1)電極や配線の機能を遮光膜14A,14Bに持たせるようにしてもよい。これにより、撮像素子としての機能向上させることができる。たとえば、画素の高速読み出しを可能としたり、画素独立制御を可能としたりすることができる。遮光膜14A,14Bに持たせる機能としては、たとえば、信号線(信号出力線VOUT)、電源線Vdd、制御線(リセット制御線φR、転送ゲート制御線φTG、行選択制御線φRS)、バイアス線Vbのいずれかの機能を遮光膜14A,14Bに持たせるようにしてもよい。これにより、複数の画素を同時に読み取ったり、複数の画素を同時に制御したりするために配線を増やすとき、配線層17の層数の増加を抑制することができる。
11 マイクロレンズ固定層
12 色フィルタ
13 平坦化層
14A,14B 遮光膜
15a,33 光電変換部
15b チャンネルストップ部
16 半導体層
17 配線層
18 透明膜
31 リセットトランジスタ
32 転送ゲートトランジスタ
34 電荷電圧変換部
35 ソースホロアトランジスタ
36 行選択トランジスタ
60 半導体基板
61 P型エピタキシャル層
62 支持基板
101 電子カメラ
102 交換レンズ
111 撮像素子
210 撮像用画素
211,211a,211b 焦点検出用画素
300 基本画素
Claims (15)
- 複数の画素を二次元状に並べて配置した裏面照射型撮像素子において、
前記複数の画素には、撮像用の画素とともに焦点検出用の画素が含まれることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項1に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記焦点検出用の画素は、一方の面に光電変換部を形成するとともに他方の面を受光面とする半導体層と、該他方の面に入射する光の一部を遮蔽する遮光膜と、前記光電変換部からの信号を読み出す配線とを備え、
前記配線は前記半導体層の前記一方の面側に形成され、
前記遮光膜は前記半導体層の前記他方の面側に形成されることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項2に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記焦点検出用の画素は、前記光電変換部からの信号を読み出さず、他の画素における光電変換部からの信号を読み出す配線を前記半導体層の前記一方の面側にさらに備えることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項2または3に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記配線は、前記裏面照射型撮像素子の受光面側から前記光電変換部の受光領域を投影したときの投影と重なることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記遮光膜は、電圧が印加されることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項2乃至5のいずれか1項に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記遮光膜は、アルミニウムの反射率より低い所定の反射率以下の反射率を有する金属からなることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項2乃至5のいずれか1項に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記遮光膜は、アルミニウムの反射率より低い所定の反射率以下の反射率を有し光を透過しない酸化物または窒化物からなることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項2乃至5のいずれか1項に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記遮光膜は、所定の反射率以下の反射率を有し光を透過しない樹脂からなることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項2乃至5のいずれか1項に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記遮光膜の表面に、アルミニウムの反射率より低い所定の反射率以下の反射率を有する金属の膜が形成されることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項2乃至5のいずれか1項に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記遮光膜の表面に、アルミニウムの反射率より低い所定の反射率以下の反射率を有し光を透過しない酸化物または窒化物の膜が形成されることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項2乃至5のいずれか1項に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記遮光膜の表面に、アルミニウムの反射率より低い所定の反射率以下の反射率を有し光を透過しない樹脂の膜が形成されることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項6乃至11のいずれか1項に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記所定の反射率は、スズの反射率であることを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項1に記載の裏面照射型撮像素子において、
前記焦点検出用の画素は、一方の面に光電変換部とトランジスタとを形成するとともに他方の面を受光面とする半導体層と、該他方の面に入射する光の一部を遮蔽する遮光膜と、前記光電変換部からの信号を読み出す信号線、前記光電変換部からの信号を増幅するための電力を供給する電源線および前記トランジスタを制御する制御線のうちの少なくとも1つの配線とを備え、
前記配線は前記半導体層の前記一方の面側に形成され、
前記遮光膜は、前記半導体層の前記他方の面側に形成されるとともに、前記光電変換部からの信号を読み出す機能、前記光電変換部からの信号を増幅するための電力を供給する機能および前記トランジスタを制御する機能のうちの少なくとも1つの機能を有することを特徴とする裏面照射型撮像素子。 - 請求項1乃至13のいずれか1項に記載の裏面照射型撮像素子を備えることを特徴とする撮像装置。
- 基板の表面にP型エピタキシャル層を形成するP型エピタキシャル層形成工程と、
前記P型エピタキシャル層の表面に光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、
前記光電変換部上に配線層を形成する配線層形成工程と、
前記P型エピタキシャル層から前記基板を除去する基板除去工程と、
前記P型エピタキシャル層の前記基板を除去した面上に遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、
前記遮光膜上に透明膜および色フィルタを形成する透明膜−色フィルタ形成工程と、
前記透明膜上および前記色フィルタ上にマイクロレンズを形成するマイクロレンズ形成工程とを備えることを特徴とする裏面照射型撮像素子の製造方法。
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