JP2010182997A - Wafer exposure device, and wafer exposure method - Google Patents

Wafer exposure device, and wafer exposure method Download PDF

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To simultaneously transfer patterns to both surfaces of a wafer by one-time exposure after accurately positioning masks with respect to the wafer. <P>SOLUTION: This wafer exposure device 1 includes: a first mask mounting portion 3 and a second mask mounting portion 2 arranged oppositely to each other with masks M1, M2 each having a pattern P previously drawn thereon mounted; and exposure means 14 for transferring patterns to both surfaces of a wafer arranged to be interposed between both the masks by irradiating the wafer S with light through both the masks; wherein both the mask mounting portions are structured to arrange the respectively mounted masks parallel to each other, and at least one side of both the mask mounting portions is provided with a suction means 34 capable of sucking the wafer arranged at a predetermined location on one-side mask mounted on the one-side mask mounting portion through through-holes M1a formed on the one-side mask. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、マスクのパターンをウエハに露光するウエハ露光装置及びウエハ露光方法に関するものである。   The present invention relates to a wafer exposure apparatus and a wafer exposure method for exposing a wafer with a mask pattern.

近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られており、例えば音叉型の圧電振動片を有するものや、厚み滑り振動する圧電振動片を有するもの等が知られている。
ところで、この圧電振動片は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の各種の圧電材料からなるウエハ（半導体ウエハ）から形成されている。具体的には、ウエハを所定の厚みまで研磨加工した後、フォトリソグラフィ技術によりエッチング加工して圧電振動片の外形を形成すると共に、所定の金属膜をパターニングして電極を形成する。これにより、１枚のウエハから一度に複数の圧電振動片を作製することができる。 2. Description of the Related Art In recent years, a piezoelectric vibrator using a crystal or the like is used as a time source, a timing source such as a control signal, a reference signal source, and the like in mobile phones and portable information terminal devices. Various piezoelectric vibrators of this type are known. For example, one having a tuning fork type piezoelectric vibrating piece, one having a piezoelectric vibrating piece that vibrates in thickness and the like, and the like are known.
By the way, this piezoelectric vibrating piece is formed from a wafer (semiconductor wafer) made of various piezoelectric materials such as crystal, lithium tantalate, and lithium niobate. Specifically, after the wafer is polished to a predetermined thickness, the outer shape of the piezoelectric vibrating piece is formed by etching using a photolithography technique, and an electrode is formed by patterning a predetermined metal film. As a result, a plurality of piezoelectric vibrating pieces can be produced from one wafer at a time.

ところで、フォトリソグラフィ技術によりウエハに圧電振動片の外形を形成する場合には、始めに露光装置を利用して外形形状をパターニングする必要がある。つまり、露光装置によりマスクのパターンをウエハに露光した後、現像を行って外形形状をパターニングする必要がある。これにより、外形形状に沿ってエッチング加工することができ、圧電振動片の外形を形作ることができる。
この種の露光装置は、様々なものが提供されているが、投影レンズ等から構成される投影光学系を利用したプロジェクション露光（投影露光）方式が一般的である（特許文献１参照）。また、投影光学系を用いない露光方式として、ウエハとマスクとを非接触状態で露光するプロキシミティ露光方式や、ウエハとマスクとを接触させた状態で露光するコンタクト露光方式等も知られている。 By the way, when the outer shape of the piezoelectric vibrating piece is formed on the wafer by the photolithography technique, it is necessary to first pattern the outer shape using an exposure apparatus. That is, it is necessary to pattern the outer shape by developing after exposing the mask pattern onto the wafer by the exposure apparatus. Thereby, etching can be performed along the outer shape, and the outer shape of the piezoelectric vibrating piece can be formed.
Various exposure apparatuses of this type are provided, but a projection exposure (projection exposure) method using a projection optical system including a projection lens is generally used (see Patent Document 1). As an exposure method that does not use a projection optical system, a proximity exposure method that exposes the wafer and the mask in a non-contact state, a contact exposure method that exposes the wafer and the mask in contact with each other, and the like are also known. .

ここで、ウエハとして好適に使用されている水晶は、結晶構造が異方性である。そのため、水晶をウエハとして利用する場合には、ウエハの両面からエッチングを行う必要がある。従って、ウエハの両面にそれぞれパターンを露光する必要があった。
このようにウエハの両面にパターンを露光する場合において、プロジェクション露光方式で行う場合には、図２０に示すように、ウエハＳの上下に投影レンズ等を有する投影光学系１００、パターンが描画されたマスク１０１及びランプ等の照明光学系１０２をそれぞれ配置することが可能である。そのため、一度の露光工程でウエハＳの両面にパターンを同時に露光することができる。 Here, the crystal structure suitably used as a wafer has an anisotropic crystal structure. Therefore, when using quartz as a wafer, it is necessary to perform etching from both sides of the wafer. Therefore, it is necessary to expose the pattern on both sides of the wafer.
In the case where the pattern is exposed on both surfaces of the wafer as described above, when the projection exposure method is used, as shown in FIG. 20, the projection optical system 100 having projection lenses and the like above and below the wafer S, the pattern is drawn. A mask 101 and an illumination optical system 102 such as a lamp can be arranged. Therefore, the pattern can be simultaneously exposed on both surfaces of the wafer S in a single exposure process.

一方、プロキシミティ露光方式やコンタクト露光方式の場合には、片面ずつ露光する方法が一般的である。つまり、ウエハの一方の面にパターンを露光した後、この面を基準にして反対の面にパターンを形成する方法であるので、両面同時に露光することが難しかった。そのため、露光工程を２度行う必要があり、プロジェクション露光方式に比べて時間を要する不都合がある。よって、ウエハの両面にパターンを露光する場合には、プロジェクション露光方式を採用する場合が多かった。   On the other hand, in the case of a proximity exposure method or a contact exposure method, a method of exposing one side at a time is common. In other words, since the pattern is exposed on one surface of the wafer and then a pattern is formed on the opposite surface with this surface as a reference, it is difficult to expose both surfaces simultaneously. Therefore, it is necessary to perform the exposure process twice, which is disadvantageous in that it requires more time than the projection exposure method. Therefore, when exposing a pattern on both sides of a wafer, the projection exposure method is often employed.

特開平５−１９０４１６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-190416

しかしながら、まだ以下の課題が残されている。
始めに、現状からのさらなるコストダウンを図るため、ウエハ１枚あたりから得られる圧電振動片の取り個数をできるだけ多くしたいニーズがある。そのため、今後、できるだけサイズが大きいウエハが用いられることが予想される。しかも、近年の技術進歩によってウエハの大型化が年々進んでいるので、この傾向がますます早まっている。
しかしながら、ウエハのサイズが大型化するほど、両面に露光するパターンの位置合わせ精度が難しくなると共に、ウエハに対するマスクの位置合せが難しくなる。特に、パターンの精度は、圧電振動片の外形形状の精度を決定付けるものであるので、非常に重要である。加えて、近年の電子機器の小型化に伴って、これら電子機器に搭載される圧電振動子のさらなる小型化が求められており、圧電振動片自体の小型化が要求されている。よって、必然的にパターンもより微細で複雑な形状となり易い。従って、両面に露光するパターンの位置合わせ精度は、高い精度を求められるものであった。 However, the following issues still remain.
First, there is a need to increase the number of piezoelectric vibrating reeds obtained from one wafer as much as possible in order to further reduce the cost from the current state. Therefore, it is expected that a wafer having a size as large as possible will be used in the future. Moreover, this trend is further accelerated as the size of wafers is increasing year by year due to recent technological advances.
However, as the wafer size increases, the alignment accuracy of the pattern exposed on both sides becomes more difficult, and the alignment of the mask with respect to the wafer becomes more difficult. In particular, the accuracy of the pattern is very important because it determines the accuracy of the outer shape of the piezoelectric vibrating piece. In addition, with the recent miniaturization of electronic devices, further miniaturization of piezoelectric vibrators mounted on these electronic devices is required, and miniaturization of the piezoelectric vibrating reed itself is required. Therefore, the pattern inevitably becomes a finer and more complicated shape. Therefore, high accuracy is required for the alignment accuracy of the pattern exposed on both sides.

この点、プロジェクション露光方式は、露光工程が１回で済むという利点を有している反面、投影レンズ等を有する投影光学系を利用するものであるので、パターンの位置合わせを高精度に行うことが難しいものであった。つまり、投影光学系を通してパターンを露光するので、レンズの歪み等によって±３μｍ程度以上の収差がどうしても生じてしまう。そのため、ウエハの両面に露光したパターンにずれが生じてしまい、高精度な位置合わせを行うことができなかった。   In this respect, the projection exposure method has an advantage that only one exposure step is required, but uses a projection optical system having a projection lens or the like, and therefore performs pattern alignment with high accuracy. Was difficult. That is, since the pattern is exposed through the projection optical system, an aberration of about ± 3 μm or more is inevitably caused by lens distortion or the like. For this reason, the pattern exposed on both surfaces of the wafer is displaced, and high-precision alignment cannot be performed.

一方、プロキシミティ露光方式やコンタクト露光方式の場合には、ウエハの一方の面にパターンを露光した後、ウエハを裏返し、他方の面にパターンを再度露光する方法である。そのため、両面に一括露光する場合とは違い、ウエハの両面に露光したパターンにずれが生じ易い。よって、この場合も同様に、ウエハの両面に露光するパターンの位置合わせを高精度に行うことが難しいものであった。しかも、前述したようにウエハのサイズの大型化の影響によってウエハに対するマスクの位置合わせが難しくなることで、ウエハに露光するパターンの位置合わせを高精度に行うことがより困難なものとなっている。
加えて、上述したように、露光工程を２回行う必要があるので、時間がかかるものであった。 On the other hand, in the proximity exposure method or the contact exposure method, the pattern is exposed on one surface of the wafer, the wafer is turned over, and the pattern is exposed again on the other surface. Therefore, unlike the case of performing batch exposure on both sides, the pattern exposed on both sides of the wafer is likely to be displaced. Therefore, in this case as well, it is difficult to accurately align the patterns to be exposed on both surfaces of the wafer. In addition, as described above, since the alignment of the mask with respect to the wafer becomes difficult due to the increase in the size of the wafer, it is more difficult to accurately align the pattern exposed on the wafer. .
In addition, as described above, the exposure process needs to be performed twice, which is time consuming.

上述したように、いずれの露光方式を選択したとしても、ウエハの両面に高精度に位置合わせした状態でパターンを露光することが困難であった。そのため、ウエハサイズの大型化や圧電振動片の小型化に対応することが難しいものであった。   As described above, regardless of which exposure method is selected, it is difficult to expose the pattern in a state in which the wafer is accurately aligned on both surfaces of the wafer. For this reason, it has been difficult to cope with the increase in wafer size and the size of the piezoelectric vibrating piece.

本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、ウエハに対してマスクを高精度に位置合せした上で、一度の露光でウエハの両面にパターンを同時露光することができるウエハ露光装置及びウエハ露光方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and its purpose is to simultaneously expose a pattern on both surfaces of a wafer in one exposure after aligning a mask with high accuracy with respect to the wafer. It is an object to provide a wafer exposure apparatus and a wafer exposure method capable of performing the above.

本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
本発明に係るウエハ露光装置は、互いに対向して配置されると共に、パターンが予め描画されたマスクがそれぞれ装着される第１マスク装着部及び第２マスク装着部と、前記第１マスク装着部に装着されたマスクと、前記第２マスク装着部に装着されたマスクと、の間に挟まれるように配置されたウエハに対して両マスクを通して光を照射して、前記ウエハの両面に前記パターンを露光させる露光手段と、を備え、前記第１マスク装着部及び前記第２マスク装着部は、それぞれに装着されたマスクが互いに平行に配置される構成とされたウエハ露光装置であって、前記第１マスク装着部及び前記第２マスク装着部のうち少なくとも一方のマスク装着部には、前記一方のマスク装着部に装着された一方のマスク上の所定位置に配置された前記ウエハを、前記一方のマスクに形成された貫通孔を通して吸着しうる吸着手段が備えられていることを特徴とするものである。 The present invention provides the following means in order to solve the above problems.
The wafer exposure apparatus according to the present invention is disposed opposite to each other, and a first mask mounting portion and a second mask mounting portion on which a mask on which a pattern is drawn in advance is mounted, and the first mask mounting portion. The wafer is arranged so as to be sandwiched between the mounted mask and the mask mounted on the second mask mounting portion, and light is irradiated through both masks to form the pattern on both surfaces of the wafer. Exposure means for exposing, wherein the first mask mounting portion and the second mask mounting portion are wafer exposure apparatuses configured such that masks mounted on the first mask mounting portion and the second mask mounting portion are arranged in parallel to each other, At least one mask mounting portion of the one mask mounting portion and the second mask mounting portion has the window disposed at a predetermined position on one mask mounted on the one mask mounting portion. Ha, is characterized in that is provided with suction means capable of adsorbing through a through hole formed in said one of the mask.

本発明に係るウエハ露光装置によれば、前記一方のマスク上の所定位置にウエハを配置した後、このウエハに露光手段によって両マスクを通して光を照射することで、ウエハの両面にパターンを露光することができる。
特に、前記一方のマスク上の所定位置に配置されたウエハを、前記吸着手段により吸着することで、前記一方のマスク上でウエハが位置ずれしてしまうのを抑制することが可能となるので、ウエハに対してマスクを高精度に位置合せすることができる。
また、投影レンズ等を利用するプロジェクション露光方式ではないので、投影レンズ等の歪みに起因する収差が生じる恐れがないので、ウエハの両面に高精度に位置合わせした状態でパターンを形成することができる。
加えて、従来のプロキシミティ露光方式やコンタクト露光方式とは異なり、一度の露光でウエハの両面にパターンを一括露光できるので、露光に要する時間を短縮することができ、作業効率の向上化を図ることができる。 According to the wafer exposure apparatus of the present invention, after the wafer is placed at a predetermined position on the one mask, the pattern is exposed on both surfaces of the wafer by irradiating the wafer with light through both masks by the exposure means. be able to.
In particular, it is possible to suppress the wafer from being displaced on the one mask by adsorbing the wafer arranged at a predetermined position on the one mask by the adsorption means. The mask can be aligned with respect to the wafer with high accuracy.
In addition, since it is not a projection exposure system that uses a projection lens or the like, there is no possibility of causing aberration due to distortion of the projection lens or the like, so that a pattern can be formed in a state of being accurately aligned on both surfaces of the wafer. .
In addition, unlike conventional proximity exposure methods and contact exposure methods, patterns can be exposed on both sides of the wafer in a single exposure, reducing the time required for exposure and improving work efficiency. be able to.

また、本発明に係るウエハ露光装置では、前記ウエハを前記一方のマスク上の前記所定位置に配置するように搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は、前記ウエハを吸着しうる吸着部を有していても良い。   The wafer exposure apparatus according to the present invention further includes a transfer unit that transfers the wafer so as to be disposed at the predetermined position on the one mask, and the transfer unit has an adsorption unit that can adsorb the wafer. You may do it.

この場合、吸着部を有する搬送手段によりウエハを吸着しながら搬送することで、ウエハを前記一方のマスクまで搬送する過程においてウエハの姿勢を安定させることができる。従って、前記一方のマスク上の所定位置にウエハを安定した姿勢で配置させることが可能となり、前記一方のマスク上でのウエハの位置ずれを確実に抑制することができる。これにより、ウエハに対するマスクの位置合わせをより高精度に行うことができる。   In this case, the wafer posture can be stabilized in the process of transporting the wafer to the one mask by transporting the wafer while sucking it by the transport means having the suction section. Therefore, it becomes possible to place the wafer in a stable posture at a predetermined position on the one mask, and the positional deviation of the wafer on the one mask can be reliably suppressed. Thereby, the alignment of the mask with respect to the wafer can be performed with higher accuracy.

また、本発明に係るウエハ露光装置では、前記一方のマスクの表面に対して平行なＸＹ方向に前記一方のマスクが移動するように、前記一方のマスク装着部を移動させる移動手段を備えていても良い。   The wafer exposure apparatus according to the present invention further includes a moving means for moving the one mask mounting portion so that the one mask moves in the XY directions parallel to the surface of the one mask. Also good.

この場合、移動手段が、吸着手段が備えられている前記一方のマスク装着部を移動させる。従って、前記一方のマスク上の所定位置にウエハを配置させる際、前記一方のマスクを移動させることによってウエハに対する前記一方のマスクの位置を調整した後に配置させることが可能となる。よって、前記一方のマスク上の所定位置にウエハをより正確に配置させることが可能となり、前記一方のマスク上でのウエハの位置ずれを確実に抑制することができる。これにより、ウエハに対するマスクの位置合わせをより高精度に行うことができる。   In this case, the moving means moves the one mask mounting portion provided with the suction means. Therefore, when placing the wafer at a predetermined position on the one mask, it is possible to place the wafer after adjusting the position of the one mask relative to the wafer by moving the one mask. Therefore, the wafer can be more accurately arranged at a predetermined position on the one mask, and the positional deviation of the wafer on the one mask can be reliably suppressed. Thereby, the alignment of the mask with respect to the wafer can be performed with higher accuracy.

また、本発明に係るウエハ露光装置では、前記吸着手段は、前記第１マスク装着部に備えられた第１吸着手段と、前記第２マスク装着部に備えられた第２吸着手段と、からなる構成とされていても良い。   Moreover, in the wafer exposure apparatus according to the present invention, the suction unit includes a first suction unit provided in the first mask mounting unit and a second suction unit provided in the second mask mounting unit. It may be configured.

この場合、まず、前記一方のマスク上の所定位置にウエハを配置した後、このウエハに露光手段によって両マスクを通して光を照射する。そして、前記一方のマスク装着部に備えられた一方の吸着手段によって前記一方のマスク上に吸着されているウエハを、他方のマスク装着部に装着された他方のマスク上に他方の吸着手段によって吸着させ、更に前記一方の吸着手段による吸着を解除する。これにより、ウエハを前記一方のマスクから前記他方のマスクに移し替えることができる。よってその後、前記他方のマスク上の露光後のウエハの回収と、前記一方のマスク上への露光前のウエハの配置と、を同時に実施することが可能となり、複数のウエハを連続して露光するときに両者を別々に行う場合に比べて、ウエハ露光装置の稼働率を向上させることができる。従って、ウエハに対するマスクの位置合わせを高精度に行いつつ、ウエハ露光作業の生産性を向上させることができる。   In this case, first, a wafer is placed at a predetermined position on the one mask, and then the wafer is irradiated with light through both masks by exposure means. Then, the wafer sucked on the one mask by one suction means provided on the one mask mounting portion is sucked by the other suction means on the other mask mounted on the other mask mounting portion. In addition, the suction by the one suction means is released. As a result, the wafer can be transferred from the one mask to the other mask. Therefore, after that, it becomes possible to simultaneously perform the collection of the wafer after exposure on the other mask and the arrangement of the wafer before exposure on the one mask, and sequentially expose a plurality of wafers. Occasionally, the operating rate of the wafer exposure apparatus can be improved as compared with the case where both are performed separately. Therefore, the productivity of wafer exposure work can be improved while aligning the mask with respect to the wafer with high accuracy.

また、本発明に係るウエハ露光方法は、互いに対向して配置されると共に、パターンが予め描画されたマスクがそれぞれ装着される第１マスク装着部及び第２マスク装着部と、
前記第１マスク装着部に装着されたマスクと、前記第２マスク装着部に装着されたマスクと、の間に挟まれるように配置されたウエハに対して両マスクを通して光を照射して、前記ウエハの両面に前記パターンを露光させる露光手段と、を備え、前記第１マスク装着部及び前記第２マスク装着部は、それぞれに装着されたマスクが互いに平行に配置される構成とされたウエハ露光装置を用いて、前記ウエハの両面に前記パターンを同時に露光するウエハ露光方法であって、前記ウエハ露光装置は、前記第１マスク装着部及び前記第２マスク装着部のうち少なくとも一方のマスク装着部に、前記一方のマスク装着部に装着された一方のマスク上の所定位置に配置された前記ウエハを、前記一方のマスクに形成された貫通孔を通して吸着しうる吸着手段が備えられ、前記ウエハを前記一方のマスク上の前記所定位置に配置するように搬送する搬送手段、を備え、前記搬送手段が、前記ウエハを吸着しうる吸着部を有する構成とされ、前記一方のマスク上の前記所定位置に前記ウエハを配置する際に、前記搬送手段に吸着されている前記ウエハを前記一方のマスク上の前記所定位置に接触させる工程と、前記所定位置に接触されたウエハを前記一方のマスク装着部に備えられた前記吸着手段によって吸着する工程と、前記吸着手段による吸着の後に、前記搬送手段による前記ウエハの吸着を解除する工程と、を備えていることを特徴とするものである。 Further, the wafer exposure method according to the present invention includes a first mask mounting portion and a second mask mounting portion, which are arranged to face each other and to which a mask on which a pattern is drawn in advance is mounted,
Irradiating light through both masks to a wafer arranged to be sandwiched between the mask mounted on the first mask mounting part and the mask mounted on the second mask mounting part, Exposure means for exposing the pattern on both surfaces of the wafer, wherein the first mask mounting portion and the second mask mounting portion are configured such that the masks mounted thereon are arranged in parallel to each other. A wafer exposure method for simultaneously exposing the pattern on both surfaces of the wafer using an apparatus, wherein the wafer exposure apparatus includes at least one mask mounting portion of the first mask mounting portion and the second mask mounting portion. In addition, the wafer disposed at a predetermined position on the one mask mounted on the one mask mounting portion can be sucked through a through-hole formed in the one mask. And a transfer means for transferring the wafer so as to be arranged at the predetermined position on the one mask, wherein the transfer means has a suction part capable of sucking the wafer, When placing the wafer at the predetermined position on one mask, the step of bringing the wafer adsorbed by the transfer means into contact with the predetermined position on the one mask, and being brought into contact with the predetermined position A step of adsorbing the wafer by the adsorbing means provided in the one mask mounting portion; and a step of releasing the adsorbing of the wafer by the transfer means after the adsorption by the adsorbing means. It is what.

本発明に係るウエハ露光方法おいては、前記一方のマスク上の所定位置にウエハを配置する際に、前記一方のマスクに備えられた吸着手段によってウエハを吸着した後に、搬送手段によるウエハの吸着を解除する。従って、搬送手段と前記一方のマスクとの間でウエハを受け渡しする際、前記一方のマスクに対してウエハが位置ずれすることを抑制し、前記一方のマスク上の所定位置に確実にウエハを配置することが可能となり、ウエハに対するマスクの位置合わせを高精度に行うことができる。   In the wafer exposure method according to the present invention, when the wafer is placed at a predetermined position on the one mask, the wafer is sucked by the suction means provided on the one mask, and then the wafer is sucked by the transfer means. Is released. Therefore, when transferring the wafer between the transfer means and the one mask, the wafer is prevented from being displaced with respect to the one mask, and the wafer is surely arranged at a predetermined position on the one mask. This makes it possible to align the mask with respect to the wafer with high accuracy.

また、本発明に係るウエハ露光方法では、前記搬送手段に吸着されている前記ウエハを前記一方のマスク上の前記所定位置に接触させる工程の前に、前記一方のマスクを前記ウエハに対して、前記一方のマスクの表面に対して平行なＸＹ方向に位置合わせする工程を備えていても良い。   Further, in the wafer exposure method according to the present invention, before the step of bringing the wafer adsorbed by the transfer means into contact with the predetermined position on the one mask, the one mask with respect to the wafer, A step of aligning in the XY direction parallel to the surface of the one mask may be provided.

この場合、搬送手段に吸着されているウエハを前記一方のマスク上の所定位置に接触させる工程の前に、前記一方のマスクをウエハに対してＸＹ方向に位置合わせする工程を備えているので、前記一方のマスク上の所定位置にウエハをより正確に接触させることができる。これにより、前記一方のマスク上でのウエハの位置ずれを確実に抑制することが可能となり、ウエハに対するマスクの位置合わせをより高精度に行うことができる。   In this case, since the step of aligning the one mask with respect to the wafer in the XY direction is provided before the step of bringing the wafer attracted by the transfer means into contact with the predetermined position on the one mask. The wafer can be brought into contact with a predetermined position on the one mask more accurately. Thereby, it is possible to reliably suppress the positional deviation of the wafer on the one mask, and the mask can be aligned with the wafer with higher accuracy.

また、本発明に係るウエハ露光方法では、前記ウエハ露光装置は、前記吸着手段が、前記第１マスク装着部に備えられた第１吸着手段と、前記第２マスク装着部に備えられた第２吸着手段と、からなる構成とされ、前記一方のマスク上の前記所定位置に前記ウエハを配置するセット工程と、前記一方のマスク装着部に備えられた一方の吸着手段によって前記一方のマスク上の前記ウエハを吸着しながら、両マスクを通して光を照射して、前記ウエハの両面に前記パターンを露光する露光工程と、他方のマスク装着部に備えられた他方の吸着手段によって前記ウエハを吸着すると共に前記一方の吸着手段による前記ウエハの吸着を解除し、前記ウエハを前記一方のマスクから、前記他方のマスク装着部に装着された他方のマスクに移し替える移し替え工程と、前記他方のマスク上の露光後の前記ウエハを回収する回収工程と、を備え、前記回収工程において、前記一方のマスク上の前記所定位置に露光前のウエハを配置する前記セット工程を同時に行っても良い。   In the wafer exposure method according to the present invention, in the wafer exposure apparatus, the suction unit includes a first suction unit provided in the first mask mounting unit and a second mask provided in the second mask mounting unit. A set step of placing the wafer at the predetermined position on the one mask, and one suction means provided on the one mask mounting portion on the one mask. While adsorbing the wafer, the wafer is adsorbed by an exposure process in which light is irradiated through both masks to expose the pattern on both surfaces of the wafer, and the other adsorbing means provided in the other mask mounting portion. The transfer of releasing the suction of the wafer by the one suction means and transferring the wafer from the one mask to the other mask mounted on the other mask mounting portion. And a recovery step of recovering the wafer after exposure on the other mask, and in the recovery step, placing the wafer before exposure at the predetermined position on the one mask May be performed simultaneously.

この場合、露光工程後の移し替え工程において、前記一方の吸着手段によって前記一方のマスク上に吸着されていたウエハが、前記他方の吸着手段によって前記他方のマスク上に吸着され、ウエハを前記一方のマスクから前記他方のマスクに移し替えることができる。よって、回収工程において、前記他方のマスク上の露光後のウエハの回収と同時に、前記一方のマスク上の所定位置への露光前のウエハの配置、つまりセット工程を実施することが可能となり、複数のウエハを連続して露光するときに各工程を別々に行う場合に比べて、ウエハ露光装置の稼働率を向上させることができる。従って、ウエハに対するマスクの位置合わせを高精度に行いつつ、ウエハ露光作業の生産性を向上させることができる。   In this case, in the transfer step after the exposure step, the wafer adsorbed on the one mask by the one adsorbing means is adsorbed on the other mask by the other adsorbing means, and the wafer is removed from the one mask. The mask can be transferred to the other mask. Therefore, in the collection process, it is possible to perform the wafer placement before exposure to a predetermined position on the one mask, that is, the set process simultaneously with the collection of the wafer after the exposure on the other mask. The operation rate of the wafer exposure apparatus can be improved as compared with the case where each process is performed separately when continuously exposing the wafer. Therefore, the productivity of wafer exposure work can be improved while aligning the mask with respect to the wafer with high accuracy.

本発明に係るウエハ露光装置及びウエハ露光方法によれば、ウエハに対してマスクを高精度に位置合せした上で、一度の露光でウエハの両面にパターンを同時露光することができる。従って、このウエハ露光装置及びウエハ露光方法を利用して微細で複雑な形状の半導体片を高精度に作製することができる。
特に、１つのウエハから複数の圧電振動片を製造する場合に有効であり、ウエハサイズが大型であっても、微小サイズの圧電振動片を高精度に作製することが可能である。よって、従来よりも取り個数を遥かに増大することができ、圧電振動片のコストダウンを図ることも可能である。 According to the wafer exposure apparatus and the wafer exposure method of the present invention, it is possible to simultaneously expose a pattern on both surfaces of a wafer with a single exposure after aligning the mask with respect to the wafer with high accuracy. Therefore, a fine and complicated semiconductor piece can be produced with high accuracy by using this wafer exposure apparatus and wafer exposure method.
In particular, it is effective when a plurality of piezoelectric vibrating pieces are manufactured from one wafer, and even when the wafer size is large, it is possible to manufacture a small size piezoelectric vibrating piece with high accuracy. Therefore, the number of picked up parts can be increased more than before, and the cost of the piezoelectric vibrating piece can be reduced.

本発明に係るウエハ露光装置の第１実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows 1st Embodiment of the wafer exposure apparatus which concerns on this invention. 下部マスク及び上部マスクを重ね合わせた状態で上方から見たときに、両マスクにそれぞれ印されたアライメント用マークの理想的な位置関係を示した図である。It is the figure which showed the ideal positional relationship of the mark for alignment each marked on both masks, when it sees from upper direction in the state which accumulated the lower mask and the upper mask. 下部マスクの模式的な上面図である。It is a typical top view of a lower mask. セット前調整工程でウエハの変わりに使用する基準ウエハの断面図である。It is sectional drawing of the reference | standard wafer used instead of a wafer at the adjustment process before a set. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、基準用ウエハを下部ホルダの上方に位置させた状態で、下部顕微鏡で観察しながら下部マスクの水平位置を調整している状態を示す図である。FIG. 2 is a process diagram when exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 1, in which the reference wafer is positioned above the lower holder and the horizontal position of the lower mask is adjusted while observing with the lower microscope. FIG. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図５に示す状態の後、ウエハを下部マスク上に搬送した状態を示す図である。FIG. 6 is a process diagram when exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 1, and shows a state in which the wafer is transferred onto the lower mask after the state shown in FIG. 5. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図６に示す状態の後、ウエハを下部マスク上の所定位置に接触させた状態を示す図である。FIG. 7 is a process diagram when exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 1, and shows a state in which the wafer is brought into contact with a predetermined position on the lower mask after the state shown in FIG. 6. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図７に示す状態の後、第１吸着手段によりウエハを吸着した状態を示す図である。FIG. 8 is a process diagram in the case where exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 1, and shows a state in which the wafer is sucked by the first suction means after the state shown in FIG. 7. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図８に示す状態の後、搬送手段の吸着部によるウエハの吸着を解除した状態を示す図である。FIG. 9 is a process diagram in the case where exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 1, and shows a state in which the suction of the wafer by the suction unit of the transport unit is released after the state shown in FIG. 8. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図９に示す状態の後、搬送手段を退避させている状態を示す図である。FIG. 10 is a process diagram in the case where exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 1, and shows a state in which the transfer means is retracted after the state shown in FIG. 9. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図１０に示す状態の後、下部マスクを上部マスクに接近させてアライメント位置にセットした状態で、上部顕微鏡により両マスクのアライメント用マークを観察している状態を示す図である。FIG. 11 is a process diagram when exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 1, and after the state shown in FIG. 10, both masks are set by an upper microscope with the lower mask approaching the upper mask and set at the alignment position. It is a figure which shows the state which is observing the alignment mark. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図１１に示す状態で観察したときのアライメント用マークの位置関係を示した図である。FIG. 12 is a process diagram when exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 1, and is a diagram showing a positional relationship of alignment marks when observed in the state shown in FIG. 11. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図１１に示す状態の後、アライメント位置で下部マスクを水平調整している状態を示す図である。FIG. 12 is a process diagram in the case where exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 1, and shows a state where the lower mask is horizontally adjusted at the alignment position after the state shown in FIG. 11. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図１３に示す状態の後、下部マスクを上部マスクにさらに接近させて露光位置にセットした状態を示す図である。FIG. 14 is a process diagram when exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 1, and shows a state where the lower mask is further brought closer to the upper mask and set at the exposure position after the state shown in FIG. 13. 図１に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図１４に示す状態の後、上部ランプ装置及び下部ランプ装置より紫外光を照射して、ウエハの両面にパターンを同時に露光している状態を示す図である。FIG. 15 is a process diagram when exposure is performed by the wafer exposure apparatus illustrated in FIG. 1, and after the state illustrated in FIG. 14, ultraviolet light is irradiated from the upper lamp apparatus and the lower lamp apparatus to simultaneously form patterns on both surfaces of the wafer. It is a figure which shows the state which has exposed. 本発明に係るウエハ露光装置の第２実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows 2nd Embodiment of the wafer exposure apparatus which concerns on this invention. 図１６に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、ウエハ露光後、下部マスクから上部マスクへウエハを受け渡している状態を示す図である。FIG. 17 is a process diagram when exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 16, and shows a state in which the wafer is delivered from the lower mask to the upper mask after the wafer exposure. 図１６に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図１７に示す状態の後、下部マスクと上部マスクとを離間させた状態を示す図である。FIG. 18 is a process diagram when exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 16, and shows a state where the lower mask and the upper mask are separated from each other after the state shown in FIG. 17. 図１６に示すウエハ露光装置により露光を行う場合の一工程図であって、図１８に示す状態の後、露光後のウエハの回収と露光前のウエハの配置を同時に行う状態を示す図である。FIG. 19 is a process diagram when exposure is performed by the wafer exposure apparatus shown in FIG. 16, and shows a state in which, after the state shown in FIG. 18, the collection of the wafer after exposure and the placement of the wafer before exposure are performed simultaneously. . 従来のプロジェクション露光方式により、ウエハの両面にパターンを同時に露光する場合の構成図である。It is a block diagram in the case of exposing a pattern to both surfaces of a wafer simultaneously by a conventional projection exposure method.

（第１実施形態）
以下、本発明に係るウエハ露光装置及びウエハ露光方法の第１実施形態を、図１から図１５を参照して説明する。
本実施形態のウエハ露光装置１は、ウエハＳの両面にパターンＰを同時に露光する装置である。また、図１に示すように、ウエハ露光装置１は、互いに対向して配置されると共に、上記パターンＰが予め描画された下部マスク（マスク）Ｍ１及び上部マスク（マスク）Ｍ２がそれぞれ装着される下部マスクホルダ（第１マスク装着部）３及び上部マスクホルダ（第２マスク装着部）２を備えている。これら下部マスクホルダ３及び上部マスクホルダ２は、それぞれに装着された下部マスクＭ１及び上部マスクＭ２が、互いに対向するように平行に配置される構成とされている。
なお、ウエハＳは、予め両面に図示しない感光性材料からなるレジスト膜（ネガ型或いはポジ型）が塗布されているものとして説明する。 (First embodiment)
A first embodiment of a wafer exposure apparatus and wafer exposure method according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
The wafer exposure apparatus 1 of this embodiment is an apparatus that simultaneously exposes a pattern P on both surfaces of a wafer S. As shown in FIG. 1, the wafer exposure apparatus 1 is disposed so as to face each other, and a lower mask (mask) M1 and an upper mask (mask) M2 on which the pattern P is drawn in advance are respectively mounted. A lower mask holder (first mask mounting portion) 3 and an upper mask holder (second mask mounting portion) 2 are provided. The lower mask holder 3 and the upper mask holder 2 are configured so that the lower mask M1 and the upper mask M2 mounted on the lower mask holder 3 and the upper mask holder 2 are arranged in parallel so as to face each other.
The wafer S will be described on the assumption that a resist film (negative type or positive type) made of a photosensitive material (not shown) is applied to both surfaces in advance.

下部マスクＭ１及び上部マスクＭ２は、図示しない描画装置によってパターンＰが例えばＣｒ等で描画された後、図示しない欠陥検査装置によって検査を受けたものであり、共にウエハＳよりも大きいサイズに形成されている。
また、下部マスクＭ１の上面には、パターンＰから外側にずれた位置に２つのアライメント用マークｍ１が印されていると共に、上部マスクＭ２の下面には、パターンＰから外側にずれた位置に２つのアライメント用マークｍ２が印されている。つまり、下部マスクＭ１と上部マスクＭ２とは、それぞれのアライメント用マークｍ１、ｍ２が印されている表面が互いに向き合った状態で、各マスクホルダ２、３に装着されている。この際、両マスクＭ１、Ｍ２を重ね合わせたときに、図２に示すように、下部マスクＭ１側のアライメント用マークｍ１と、上部マスクＭ２側のアライメント用マークｍ２とが、互いに重ならず予めオフセットするように印されている。なお、この状態のアライメント用マークｍ１、ｍ２の位置関係を、予め決められた位置関係と称する。
なお、本実施形態では、下部マスクＭ１側のアライメント用マークｍ１を四角形の形状とし、上部マスクＭ２側のアライメント用マークｍ２を上記マークｍ１よりもサイズの大きい四角形の形状として説明する。但し、これらの形状に限定されるものではない。 The lower mask M1 and the upper mask M2 are formed in a size larger than the wafer S after the pattern P is drawn with, for example, Cr by a drawing device (not shown) and then inspected by a defect inspection device (not shown). ing.
Further, two alignment marks m1 are marked on the upper surface of the lower mask M1 at a position shifted outward from the pattern P, and 2 on the lower surface of the upper mask M2 at a position shifted outward from the pattern P. Two alignment marks m2 are marked. That is, the lower mask M1 and the upper mask M2 are mounted on the mask holders 2 and 3 with the surfaces with the alignment marks m1 and m2 facing each other. At this time, when the masks M1 and M2 are overlaid, as shown in FIG. 2, the alignment mark m1 on the lower mask M1 side and the alignment mark m2 on the upper mask M2 side do not overlap each other in advance. It is marked to be offset. The positional relationship between the alignment marks m1 and m2 in this state is referred to as a predetermined positional relationship.
In this embodiment, the alignment mark m1 on the lower mask M1 side is described as a square shape, and the alignment mark m2 on the upper mask M2 side is described as a rectangular shape having a size larger than the mark m1. However, it is not limited to these shapes.

上部マスクＭ２は、図１に示すように、中心に開口２ａが形成された上記上部マスクホルダ２の下面に、開口２ａ内にアライメント用マークｍ２が位置するように装着されている。本実施形態では、上部マスクＭ２は、上部マスクホルダ２の下面に設けられた吸着孔２Ａに真空吸着されることで装着されている。吸着孔２Ａは、上部マスクホルダ２に設けられた真空ポンプ２Ｂに接続されている。これにより、吸着孔２Ａと真空ポンプ２Ｂとを備える上部マスク固定手段２Ｃは、上部マスクホルダ２に上部マスクＭ２を着脱自在に装着させることができる。なお、上部マスクホルダ２は、図示しない架台に支持されており、静止している。   As shown in FIG. 1, the upper mask M2 is mounted on the lower surface of the upper mask holder 2 having the opening 2a formed at the center so that the alignment mark m2 is positioned in the opening 2a. In the present embodiment, the upper mask M2 is mounted by being vacuum-sucked in the suction hole 2A provided on the lower surface of the upper mask holder 2. The suction hole 2 </ b> A is connected to a vacuum pump 2 </ b> B provided in the upper mask holder 2. Thereby, the upper mask fixing means 2C including the suction hole 2A and the vacuum pump 2B can detachably mount the upper mask M2 on the upper mask holder 2. The upper mask holder 2 is supported by a gantry (not shown) and is stationary.

一方、下部マスクＭ１も同様に、中心に開口３ａが形成された上記下部マスクホルダ３の上面に、開口３ａ内にアライメント用マークｍ１が位置するように装着されている。本実施形態では、下部マスクＭ１は、下部マスクホルダ３の上面に設けられた吸着孔３Ａに真空吸着されることで装着されている。吸着孔３Ａは、下部マスクホルダ３に設けられた真空ポンプ３Ｂに接続されている。これにより、吸着孔３Ａと真空ポンプ３Ｂとを備える下部マスク固定手段３Ｃは、下部マスクホルダ３に下部マスクＭ１を着脱自在に装着させることができる。   On the other hand, the lower mask M1 is similarly mounted on the upper surface of the lower mask holder 3 having the opening 3a formed at the center so that the alignment mark m1 is positioned in the opening 3a. In the present embodiment, the lower mask M <b> 1 is mounted by being vacuum-sucked in the suction hole 3 </ b> A provided on the upper surface of the lower mask holder 3. The suction hole 3 </ b> A is connected to a vacuum pump 3 </ b> B provided in the lower mask holder 3. Accordingly, the lower mask fixing means 3C including the suction hole 3A and the vacuum pump 3B can detachably mount the lower mask M1 on the lower mask holder 3.

また、図１及び図３に示すように、下部マスクＭ１には、その厚み方向に下部マスクＭ１を貫通する貫通孔Ｍ１ａが形成されている。図３に示すように、図示の例では、貫通孔Ｍ１ａは、平面視において下部マスクＭ１のパターンＰの外縁Ｐ１（図示２点鎖線）よりも外側で、且つ下部マスクＭ１の所定位置上にウエハＳが配置されたときにそのウエハＳの外縁よりも内側に位置するように複数（図示の例では４つ）形成されている。なお、貫通孔Ｍ１ａの位置は、この位置に限られるものではないが、下部マスクＭ１の所定位置上に配置されたウエハＳにおいて製品としての加工対象とならない部分と、平面視で重なる位置であることが好ましい。   As shown in FIGS. 1 and 3, the lower mask M1 is formed with a through hole M1a penetrating the lower mask M1 in the thickness direction. As shown in FIG. 3, in the illustrated example, the through hole M1a is located outside the outer edge P1 (two-dot chain line in the figure) of the pattern P of the lower mask M1 in a plan view and on a predetermined position of the lower mask M1. A plurality (four in the illustrated example) are formed so as to be located inside the outer edge of the wafer S when S is arranged. The position of the through hole M1a is not limited to this position, but is a position that overlaps with a portion that is not a processing target as a product in the wafer S arranged on a predetermined position of the lower mask M1 in a plan view. It is preferable.

また、図１に示すように、下部マスクホルダ３には、下部マスクＭ１との間にウエハ吸引用空間３１Ａが形成されるように空間形成部材３１が装着されている。図示の例では、空間形成部材３１は、下部マスクホルダ３において上方に位置する開口３ａを挟んで下部マスクＭ１と対向し、下部マスクＭ１と、下部マスクホルダ３と共に上記ウエハ吸引空間３１Ａを形成するように、下部マスクホルダ３に装着されている。また、空間形成部材３１は、光（例えば紫外光Ｌ）を透過する材料、より具体的には例えば石英ガラス等で形成されており、空間形成部材３１の下方から照射された光が上方に透過可能な構成とされている。   As shown in FIG. 1, a space forming member 31 is attached to the lower mask holder 3 so that a wafer suction space 31A is formed between the lower mask M1 and the lower mask M1. In the illustrated example, the space forming member 31 faces the lower mask M1 across the opening 3a positioned above the lower mask holder 3, and forms the wafer suction space 31A together with the lower mask M1 and the lower mask holder 3. Thus, it is attached to the lower mask holder 3. The space forming member 31 is formed of a material that transmits light (for example, ultraviolet light L), more specifically, for example, quartz glass. The light irradiated from below the space forming member 31 is transmitted upward. Possible configuration.

そして、前述したように空間形成部材３１と、下部マスクＭ１と、下部マスクホルダ３とによって形成されたウエハ吸引空間３１Ａは、下部マスクＭ１の貫通孔Ｍ１ａを通して下部マスクＭ１の上部の空間に連通した状態となっている。このウエハ吸引空間３１Ａには、ウエハ吸引空間３１Ａの内圧を制御可能な真空ポンプ３２が接続されている。図示の例では、この真空ポンプ３２は、平面視において下部マスクＭ１のアライメント用マークｍ１及び上部マスクＭ２のアライメント用マークｍ２をそれぞれ回避する位置に配設されている。つまり、真空ポンプ３２は、後述する露光手段１４の紫外光Ｌの光路や、後述する上部顕微鏡２０及び下部顕微鏡２５による観察を遮らない位置に配置されている。また、真空ポンプ３２は、ポンプ制御部３３からの信号を受けて作動するようになっている。   As described above, the wafer suction space 31A formed by the space forming member 31, the lower mask M1, and the lower mask holder 3 communicates with the space above the lower mask M1 through the through hole M1a of the lower mask M1. It is in a state. A vacuum pump 32 that can control the internal pressure of the wafer suction space 31A is connected to the wafer suction space 31A. In the illustrated example, the vacuum pump 32 is disposed at a position that avoids the alignment mark m1 of the lower mask M1 and the alignment mark m2 of the upper mask M2 in plan view. That is, the vacuum pump 32 is disposed at a position where it does not block the optical path of the ultraviolet light L of the exposure means 14 described later and the observation by the upper microscope 20 and the lower microscope 25 described later. Further, the vacuum pump 32 operates in response to a signal from the pump control unit 33.

以上のように構成された空間形成部材３１、真空ポンプ３２及びポンプ制御部３３によれば、下部マスクＭ１上の所定位置に配置されたウエハＳを、下部マスクＭ１に形成された貫通孔Ｍ１ａを通して真空吸着することが可能である。即ち、これら空間形成部材３１、真空ポンプ３２及びポンプ制御部３３は、第１吸着手段（吸着手段）３４として機能する。なお、ポンプ制御部３３は、後述する本体制御装置（制御部）７によって作動が制御されている。   According to the space forming member 31, the vacuum pump 32, and the pump control unit 33 configured as described above, the wafer S disposed at a predetermined position on the lower mask M1 is passed through the through hole M1a formed in the lower mask M1. Vacuum adsorption is possible. That is, the space forming member 31, the vacuum pump 32, and the pump control unit 33 function as a first suction unit (suction unit) 34. The operation of the pump control unit 33 is controlled by a main body control device (control unit) 7 described later.

また、本実施形態では、下部マスクホルダ３は、下部マスクＭ１に対して平行なＸＹ方向及び垂直なＺ方向の３方向に移動するＸＹＺステージ４上に固定されている。
このＸＹＺステージ４は、ステージ駆動制御部５からの信号を受けて作動するようになっている。即ち、これらＸＹＺステージ４及びステージ駆動制御部５は、下部マスクＭ１が３方向に適宜移動するように下部マスクホルダ３を移動させる移動手段６として機能する。なお、ステージ駆動制御部５は、後述する本体制御装置７によって作動が制御されている。 In this embodiment, the lower mask holder 3 is fixed on an XYZ stage 4 that moves in three directions, ie, an XY direction parallel to the lower mask M1 and a vertical Z direction.
The XYZ stage 4 operates in response to a signal from the stage drive control unit 5. That is, the XYZ stage 4 and the stage drive control unit 5 function as a moving unit 6 that moves the lower mask holder 3 so that the lower mask M1 is appropriately moved in three directions. The operation of the stage drive control unit 5 is controlled by a main body control device 7 described later.

上部マスクホルダ２及び下部マスクホルダ３の外側には、搬送アーム１０ａを有する搬送ロボット１０が配置されている。搬送アーム１０ａは、ＸＹ方向に沿って伸縮自在とされ、先端部でウエハＳを吸着できるように構成されている。つまり、搬送アーム１０ａの先端部には、ウエハＳを吸着しうる吸着部１０ｂが形成されている。
本実施形態では、吸着部１０ｂは、搬送アーム１０ａの先端部の下面に設けられた吸着パッドであり、この吸着部１０ｂの吸着面である下面に接触したウエハＳを吸着しうるようになっている。また、図示の例では、吸着部１０ｂは、搬送ロボット１０に設けられた真空ポンプ１０ｃに接続されており、この真空ポンプ１０ｃの作動によりウエハＳを真空吸着可能とされている。また、吸着部１０ｂは、吸着されたウエハＳが下部マスクＭ１に対して平行な姿勢になるように構成されている。
この搬送ロボット１０は、搬送ロボット駆動制御部１１からの信号を受けてＸＹ方向及びＺ方向の３方向に移動可能とされると共に、吸着部１０ｂによる吸着及び吸着解除が可能とされている。 A transfer robot 10 having a transfer arm 10 a is arranged outside the upper mask holder 2 and the lower mask holder 3. The transfer arm 10a can be extended and contracted along the XY directions, and is configured so that the wafer S can be adsorbed at the tip. That is, the suction portion 10b that can suck the wafer S is formed at the tip of the transfer arm 10a.
In the present embodiment, the suction unit 10b is a suction pad provided on the lower surface of the front end portion of the transfer arm 10a, and can suck the wafer S that is in contact with the lower surface, which is the suction surface of the suction unit 10b. Yes. In the illustrated example, the suction unit 10b is connected to a vacuum pump 10c provided in the transfer robot 10, and the operation of the vacuum pump 10c enables vacuum suction of the wafer S. Further, the suction unit 10b is configured such that the sucked wafer S is in a posture parallel to the lower mask M1.
The transfer robot 10 can move in three directions of the XY direction and the Z direction in response to a signal from the transfer robot drive control unit 11, and can be sucked and released by the suction unit 10b.

以上に示した搬送ロボット１０及び搬送ロボット駆動制御部１１によれば、ウエハＳを吸着しながら下部マスクＭ１上の所定位置に配置するように搬送することが可能となる。即ち、これら搬送ロボット１０及び搬送ロボット駆動制御部１１は、下部マスクＭ１上の所定位置にウエハＳを配置するように搬送、或いは、該ウエハＳを下部マスクＭ１上から退避させる第１搬送手段（搬送手段）１２として機能する。なお、搬送ロボット駆動制御部１１は、後述する本体制御装置７によって作動が制御されている。   According to the transfer robot 10 and the transfer robot drive control unit 11 described above, the wafer S can be transferred so as to be arranged at a predetermined position on the lower mask M1 while being sucked. That is, the transfer robot 10 and the transfer robot drive control unit 11 transfer the wafer S at a predetermined position on the lower mask M1, or transfer the wafer S from the lower mask M1 (first transfer means). It functions as a transport means 12. The operation of the transfer robot drive control unit 11 is controlled by a main body control device 7 described later.

下部マスクホルダ３の下方及び上部マスクホルダ２の上方には、両マスクＭ１、Ｍ２を通して紫外光（光）Ｌを照射してウエハＳの両面にパターンＰを露光させる上部ランプ装置（上部露光部）１５及び下部ランプ装置（下部露光部）１６が、上部マスクＭ２及び下部マスクＭ１を間に挟むように配置されている。
即ち、これら上部ランプ装置１５、下部ランプ装置１６は、下部マスクＭ１と上部マスクＭ２との間に挟まれるように配置されたウエハＳに対して両マスクＭ１、Ｍ２を通して紫外光Ｌを照射して、ウエハＳの両面にパターンＰを露光させる露光手段１４として機能する。 Below the lower mask holder 3 and above the upper mask holder 2, an upper lamp device (upper exposure unit) that irradiates ultraviolet light (light) L through both masks M1 and M2 and exposes the pattern P on both surfaces of the wafer S. 15 and a lower lamp device (lower exposure unit) 16 are arranged so as to sandwich the upper mask M2 and the lower mask M1 therebetween.
That is, the upper lamp device 15 and the lower lamp device 16 irradiate the wafer S disposed so as to be sandwiched between the lower mask M1 and the upper mask M2 by irradiating the ultraviolet light L through both the masks M1 and M2. It functions as an exposure means 14 that exposes the pattern P on both surfaces of the wafer S.

また、両ランプ装置１５、１６は、図示しないシャッターが開閉されることで紫外光Ｌを必要量だけ照射できるようになっている。このシャッターの開閉度は、露光量制御装置（露光量調整機構）１７、１８によって制御されている。この露光量制御装置１７、１８は、後述する本体制御装置７からの信号を受けると、シャッターを開け、その後、照射する紫外光Ｌの量が予め決められた規定量に達するとシャッターを閉じるようになっている。これにより、照射する紫外光Ｌの量を規定量に規制することができるようになっている。   Further, both the lamp devices 15 and 16 can irradiate the ultraviolet light L by a necessary amount by opening and closing a shutter (not shown). The degree of opening and closing of the shutter is controlled by exposure amount control devices (exposure amount adjustment mechanisms) 17 and 18. The exposure amount control devices 17 and 18 open the shutter when receiving a signal from the main body control device 7 to be described later, and then close the shutter when the amount of ultraviolet light L to be irradiated reaches a predetermined amount. It has become. Thereby, the quantity of the ultraviolet light L to be irradiated can be regulated to a specified quantity.

上部マスクホルダ２と上部ランプ装置１５との間には、２つの上部顕微鏡（上部観察部）２０が配置されている。この２つの上部顕微鏡２０は、両マスクＭ１、Ｍ２に印されたアライメント用マークｍ１、ｍ２の略上方に位置するように互いに間隔を空けて配置されており、両アライメント用マークｍ１、ｍ２を光学的に観察している。この際、観察した観察画像は、画像処理装置（画像処理機構）２１に送られるようになっている。
また、２つの上部顕微鏡２０は、ＸＹＺ駆動制御部２２の信号を受けて作動するＸＹＺ駆動部２３によってＸＹ方向及びＺ方向の３方向に移動可能とされている。特に、上部顕微鏡２０は、Ｚ方向に移動させられることで、上部マスクＭ２の下面及び下部マスクＭ１の上面にピント（焦点）が合うように調整されるので、上述した観察を確実に行えるようになっている。また、ＸＹ方向に移動させられることで、上部ランプ装置１５から照射された紫外光Ｌの光路上から退避できるようになっている。なお、ＸＹＺ駆動制御部２２は、後述する本体制御装置７によって作動が制御されている。 Two upper microscopes (upper observation units) 20 are arranged between the upper mask holder 2 and the upper lamp device 15. The two upper microscopes 20 are spaced apart from each other so as to be positioned substantially above the alignment marks m1 and m2 marked on both masks M1 and M2, and the two alignment marks m1 and m2 are optically arranged. Is observing. At this time, the observed observation image is sent to an image processing device (image processing mechanism) 21.
Further, the two upper microscopes 20 can be moved in three directions of the XY direction and the Z direction by an XYZ driving unit 23 that operates in response to a signal from the XYZ driving control unit 22. In particular, the upper microscope 20 is adjusted so that the lower surface of the upper mask M2 and the upper surface of the lower mask M1 are brought into focus by being moved in the Z direction, so that the above-described observation can be reliably performed. It has become. Further, by being moved in the XY directions, it can be retracted from the optical path of the ultraviolet light L emitted from the upper lamp device 15. The operation of the XYZ drive control unit 22 is controlled by a main body control device 7 described later.

画像処理装置２１は、上部顕微鏡２０によって観察された２つの観察画像（上部マスクＭ２に印されたアライメント用マークｍ２の観察画像と、下部マスクＭ１に印されたアライメント用マークｍ１の観察画像）を取得して図示しないメモリに記憶している。そして、記憶したこれら２つの観察画像の位置関係に基づいて、両マスクＭ１、Ｍ２が予め決められた位置関係からどの程度変位しているか変位量（ずれ量）を算出するようになっている。そして、画像処理装置２１は、算出結果を本体制御装置７に送っている。   The image processing device 21 displays two observation images (an observation image of the alignment mark m2 marked on the upper mask M2 and an observation image of the alignment mark m1 marked on the lower mask M1) observed by the upper microscope 20. Obtained and stored in a memory (not shown). Based on the stored positional relationship between these two observation images, the displacement amount (deviation amount) is calculated to what extent both masks M1, M2 are displaced from the predetermined positional relationship. Then, the image processing device 21 sends the calculation result to the main body control device 7.

また、下部マスクホルダ３と下部ランプ装置１６との間にも同様に、２つの下部顕微鏡（下部観察部）２５が配置されている。この２つの下部顕微鏡２５は、ウエハＳの両端の略下方に位置するように互いに間隔を空けて配置されており、下部マスクＭ１とウエハＳとの相対的な位置関係を光学的に観察している。この際、観察した観察画像は、画像処理装置２１を介して本体制御装置７に送られるようになっている。
また、２つの下部顕微鏡２５は、上部顕微鏡２０と同様にＸＹＺ駆動制御部２６の信号を受けて作動するＸＹＺ駆動部２７によってＸＹ方向及びＺ方向の３方向に移動可能とされている。特に、下部顕微鏡２５は、Ｚ方向に移動させられることで、下部マスクＭ１の下面及びウエハＳの下面にピント（焦点）が合うように調整されるので、上述した観察を確実に行えるようになっている。また、ＸＹ方向に移動させられることで、下部ランプ装置１６から照射された紫外光Ｌの光路上から退避できるようになっている。なお、ＸＹＺ駆動制御部２６は、本体制御装置７によって作動が制御されている。 Similarly, two lower microscopes (lower observation units) 25 are arranged between the lower mask holder 3 and the lower lamp device 16. The two lower microscopes 25 are arranged at a distance from each other so as to be positioned substantially below both ends of the wafer S, and optically observe the relative positional relationship between the lower mask M1 and the wafer S. Yes. At this time, the observed observation image is sent to the main body control device 7 via the image processing device 21.
Similarly to the upper microscope 20, the two lower microscopes 25 can be moved in three directions of the XY direction and the Z direction by an XYZ drive unit 27 that operates in response to a signal from the XYZ drive control unit 26. In particular, since the lower microscope 25 is moved in the Z direction, it is adjusted so that the lower surface of the lower mask M1 and the lower surface of the wafer S are in focus (focus), so that the above-described observation can be performed reliably. ing. Further, by being moved in the XY directions, it can be retracted from the optical path of the ultraviolet light L emitted from the lower lamp device 16. The operation of the XYZ drive control unit 26 is controlled by the main body control device 7.

本体制御装置７は、上述した各構成品を総合的に制御しており、下部マスクＭ１の移動制御、露光タイミングの制御、第１搬送手段１２によるウエハＳの搬送制御、及び第１吸着手段３４による吸着の制御等を行っている。
具体的に本実施形態の本体制御装置７は、移動手段６を制御して、下部マスクＭ１を上部マスクＭ２から一定距離離間したアライメント位置に移動させ、該アライメント位置で画像処理装置２１によって算出された変位量を補正するように下部マスクＭ１の位置を水平調整するようになっている。
そして、本体制御装置７は、この水平調整後に移動手段６を再度制御して、下部マスクＭ１を上部マスクＭ２に近接させた露光位置に移動させると共に、該露光位置で上部ランプ装置１５及び下部ランプ装置１６を作動させるようになっている。 The main body control device 7 comprehensively controls each of the above-described components. The movement control of the lower mask M1, the exposure timing control, the transfer control of the wafer S by the first transfer means 12, and the first suction means 34. Adsorption control is performed.
Specifically, the main body control device 7 of the present embodiment controls the moving means 6 to move the lower mask M1 to an alignment position spaced apart from the upper mask M2, and is calculated by the image processing device 21 at the alignment position. The position of the lower mask M1 is horizontally adjusted so as to correct the amount of displacement.
Then, the main body control device 7 controls the moving means 6 again after the horizontal adjustment to move the lower mask M1 to the exposure position close to the upper mask M2, and at the exposure position, the upper lamp device 15 and the lower lamp. The device 16 is activated.

また、画像処理装置２１は、上述した機能に加え、下部マスクＭ１が露光位置に達したときに、露光前の段階で上部顕微鏡２０によって観察された２つの観察画像を再度取得して図示しないメモリに記憶するようになっている。そして、記憶したこれら２つの観察画像の位置関係に基づいて、一度補正した両マスクＭ１、Ｍ２の位置関係が予め決められた位置関係の許容値以下であるか否かを判断するようになっている。そして、画像処理装置２１は、この判断結果を本体制御装置７に送っている。
そして、本体制御装置７は、画像処理装置２１が否と判断した場合には、移動手段６を制御して下部マスクＭ１を再度アライメント位置に移動させた後、水平調整を再度行わせるようになっている。 In addition to the above-described functions, the image processing apparatus 21 obtains again two observation images observed by the upper microscope 20 at the stage before exposure when the lower mask M1 reaches the exposure position, and stores a memory (not shown). To come to remember. Then, based on the stored positional relationship between these two observation images, it is determined whether or not the positional relationship between the masks M1 and M2, which have been corrected once, is less than or equal to a predetermined allowable positional relationship value. Yes. Then, the image processing device 21 sends the determination result to the main body control device 7.
When the image processing device 21 determines NO, the main body control device 7 controls the moving means 6 to move the lower mask M1 to the alignment position again, and then performs horizontal adjustment again. ing.

加えて、本体制御装置７は、搬送ロボット１０がウエハＳを下部マスクＭ１上に配置する前に、下部顕微鏡２５で観察された観察画像に基づいて移動手段６を制御して、下部マスクＭ１とウエハＳとの相対的な位置関係が予め決められた位置関係となるように下部マスクＭ１の位置を水平調整するようになっている。これにより、ウエハＳは、下部マスクＭ１上の所定位置に毎回必ず配置されるようになっている。
また、本体制御装置７は、第１吸着手段３４を制御して、下部マスクＭ１上に配置されたウエハＳを吸着するようになっている。 In addition, the main body control device 7 controls the moving means 6 based on the observation image observed with the lower microscope 25 before the transfer robot 10 places the wafer S on the lower mask M1, so that the lower mask M1 and The position of the lower mask M1 is horizontally adjusted so that the relative positional relationship with the wafer S becomes a predetermined positional relationship. Thus, the wafer S is always arranged at a predetermined position on the lower mask M1 every time.
The main body control device 7 controls the first suction means 34 to suck the wafer S arranged on the lower mask M1.

次に、このように構成されたウエハ露光装置１により、ウエハＳの両面にパターンＰを同時に露光するウエハ露光方法について説明する。なお、下部マスクＭ１上には、まだウエハＳが配置されておらず、下部マスクＭ１と上部マスクＭ２とが十分に離間しているものとして説明する。   Next, a wafer exposure method in which the pattern P is simultaneously exposed on both surfaces of the wafer S by the wafer exposure apparatus 1 configured as described above will be described. In the following description, it is assumed that the wafer S is not yet disposed on the lower mask M1, and the lower mask M1 and the upper mask M2 are sufficiently separated from each other.

始めに、本実施形態では、ウエハＳを下部マスクＭ１上に配置する前に、下部マスクＭ１とウエハＳとの相対的な位置関係が予め決められた位置関係となるように下部マスクＭ１の位置を水平調整するセット前調整工程を行う。即ち、セット前調整工程において、下部マスクＭ１をウエハＳに対してＸＹ方向に位置合わせする。
この際、本実施形態では、ウエハＳに代えて、図４に示すようにウエハＳと同じサイズに形成され、下面に位置決め用の指標Ｗ１が予め印された基準ウエハＷを用いて調整を行う。 First, in the present embodiment, before the wafer S is placed on the lower mask M1, the position of the lower mask M1 is set so that the relative positional relationship between the lower mask M1 and the wafer S becomes a predetermined positional relationship. Perform the pre-set adjustment process to level the. That is, in the pre-set adjustment process, the lower mask M1 is aligned with the wafer S in the XY directions.
At this time, in this embodiment, instead of the wafer S, adjustment is performed using a reference wafer W which is formed in the same size as the wafer S as shown in FIG. .

まず、搬送アーム１０ａの吸着部１０ｂに基準ウエハＷを吸着した後、搬送アーム１０ａを伸長すると共に、搬送ロボット１０を適宜移動させて、図５に示すように、基準ウエハＷを下部マスクＭ１の上方に位置させる。この際、基準ウエハＷを装置全体の絶対座標の予め決められたポイントに位置させる。続いて、本体制御装置７は、ＸＹＺ駆動制御部２６を介してＸＹＺ駆動部２７を作動させて、下部顕微鏡２５を下部マスクＭ１の下方の所定位置に移動させる。   First, after adsorbing the reference wafer W to the adsorbing portion 10b of the transfer arm 10a, the transfer arm 10a is extended and the transfer robot 10 is appropriately moved to move the reference wafer W to the lower mask M1 as shown in FIG. Position it above. At this time, the reference wafer W is positioned at a predetermined point of absolute coordinates of the entire apparatus. Subsequently, the main body control device 7 operates the XYZ drive unit 27 via the XYZ drive control unit 26 to move the lower microscope 25 to a predetermined position below the lower mask M1.

すると、下部顕微鏡２５は、基準ウエハＷと下部マスクＭ１との相対的な位置関係を観察すると共に、画像処理装置２１を介して観察画像を本体制御装置７に送る。本体制御装置７は、この観察画像に基づいて、下部マスクＭ１が基準ウエハＷからどの程度ずれているかを把握する。そして、基準ウエハＷと下部マスクＭ１とが予め決められた位置関係となるように、移動手段６を制御して下部マスクＭ１をＸＹ方向に移動、即ち、水平調整させる。これにより、基準ウエハＷと下部マスクＭ１との位置関係を、予め決められた位置関係とすることができる。
特に、基準ウエハＷの下面には位置決め用の指標Ｗ１が印されているので、観察画像に基づいて水平調整を確実且つ容易に行うことができる。 Then, the lower microscope 25 observes the relative positional relationship between the reference wafer W and the lower mask M1, and sends the observation image to the main body control device 7 via the image processing device 21. The main body control device 7 grasps how much the lower mask M1 is deviated from the reference wafer W based on this observation image. Then, the moving means 6 is controlled so that the lower mask M1 is moved in the XY directions, that is, horizontally adjusted, so that the reference wafer W and the lower mask M1 have a predetermined positional relationship. Thereby, the positional relationship between the reference wafer W and the lower mask M1 can be set to a predetermined positional relationship.
In particular, since the positioning index W1 is marked on the lower surface of the reference wafer W, the horizontal adjustment can be reliably and easily performed based on the observation image.

次いで、搬送ロボット１０により基準ウエハＷを両マスクＭ１、Ｍ２の間から退避させ、該基準ウエハＷを取り外すと共に、ウエハＳを第１搬送手段１２の吸着部１０ｂに吸着させる。
以上で、セット前調整工程が終了する。なお、セット前調整工程後、下部マスクホルダ３の位置を絶対座標の値で記憶しておくことが好ましい。こうすることで、ウエハ露光装置１を再度使用する際に、セット前調整工程をより短時間で行うことができる。また、ウエハＳと下部マスクＭ１との位置関係の精度をより高めることができる。 Next, the reference wafer W is retracted from between the masks M <b> 1 and M <b> 2 by the transfer robot 10, the reference wafer W is removed, and the wafer S is adsorbed to the adsorbing portion 10 b of the first transfer means 12.
Thus, the pre-set adjustment process is completed. In addition, it is preferable to memorize | store the position of the lower mask holder 3 by the value of an absolute coordinate after the pre-setting adjustment process. By doing so, when the wafer exposure apparatus 1 is used again, the pre-set adjustment process can be performed in a shorter time. Further, the accuracy of the positional relationship between the wafer S and the lower mask M1 can be further increased.

次に、第１搬送手段１２を利用して下部マスクＭ１と上部マスクＭ２との間にウエハＳを搬送すると共に、該ウエハＳを下部マスクＭ１上の所定位置に配置するセット工程を行う。
詳しく説明すると、図６に示すように、まず、搬送ロボット１０によりウエハＳを、前述した予め決められたポイントに位置させる。これにより、水平調整時の基準ウエハＷの位置にウエハＳを正確に位置させることができる。そして、搬送ロボット１０に吸着されているウエハＳを下部マスクＭ１上に配置する。 Next, a setting process is performed in which the wafer S is transferred between the lower mask M1 and the upper mask M2 using the first transfer means 12, and the wafer S is arranged at a predetermined position on the lower mask M1.
More specifically, as shown in FIG. 6, first, the wafer S is positioned at the aforementioned predetermined point by the transfer robot 10. Thereby, the wafer S can be accurately positioned at the position of the reference wafer W at the time of horizontal adjustment. Then, the wafer S attracted by the transfer robot 10 is placed on the lower mask M1.

この配置の過程について詳細に説明すると、まず、図７に示すように、本体制御装置７は、搬送ロボット駆動制御部１１を介して搬送ロボット１０を制御して、搬送アーム１０ａをＺ方向に沿って下降させて、吸着部１０ｂに吸着されているウエハＳを下部マスクＭ１上の所定位置に接触させる。
次いで、図８に示すように、本体制御装置７は、ポンプ制御部３３を介して真空ポンプ３２を制御してウエハ吸着空間３１Ａを減圧することで、下部マスクＭ１上の所定位置に接触されたウエハＳを吸着する。この際、ウエハＳを例えば−３〜−５０ｋＰａで吸着することが好ましい。 The arrangement process will be described in detail. First, as shown in FIG. 7, the main body control device 7 controls the transfer robot 10 via the transfer robot drive control unit 11 to move the transfer arm 10a along the Z direction. The wafer S sucked by the sucking portion 10b is brought into contact with a predetermined position on the lower mask M1.
Next, as shown in FIG. 8, the main body control device 7 is in contact with a predetermined position on the lower mask M <b> 1 by controlling the vacuum pump 32 via the pump control unit 33 to decompress the wafer suction space 31 </ b> A. Wafer S is adsorbed. At this time, it is preferable to adsorb the wafer S at, for example, −3 to −50 kPa.

次いで、図９に示すように、本体制御装置７は、搬送ロボット駆動制御部１１を介して搬送ロボット１０の真空ポンプ１０ｃを制御して、吸着部１０ｂによるウエハＳの吸着を解除する。
以上により、下部マスクＭ１上の所定位置にウエハＳを配置することができる。また、下部マスクＭ１に予め描画されているパターンＰとウエハＳの下面とが、接した状態となる。この時点でセット工程がする。 Next, as illustrated in FIG. 9, the main body control device 7 controls the vacuum pump 10 c of the transfer robot 10 via the transfer robot drive control unit 11 to release the adsorption of the wafer S by the suction unit 10 b.
Thus, the wafer S can be placed at a predetermined position on the lower mask M1. In addition, the pattern P drawn in advance on the lower mask M1 and the lower surface of the wafer S are in contact with each other. At this point, the setting process is performed.

特に、吸着部１０ｂを有する第１搬送手段１２によりウエハＳを吸着しながら搬送することで、ウエハＳを下部マスクＭ１まで搬送する過程においてウエハＳの姿勢を安定させることができる。従って、下部マスクＭ１上の所定位置にウエハＳを安定した姿勢で配置させることが可能となり、下部マスクＭ１上でのウエハＳの位置ずれを確実に抑制することができる。これにより、ウエハＳに対する下部マスクＭ１の位置合わせを高精度に行うことができる。   In particular, the wafer S is conveyed while being attracted by the first conveying means 12 having the adsorption unit 10b, so that the posture of the wafer S can be stabilized in the process of conveying the wafer S to the lower mask M1. Therefore, the wafer S can be arranged in a stable posture at a predetermined position on the lower mask M1, and the positional deviation of the wafer S on the lower mask M1 can be reliably suppressed. Thereby, alignment of the lower mask M1 with respect to the wafer S can be performed with high accuracy.

また、下部マスクＭ１上の所定位置にウエハＳを配置する際に、下部マスクＭ１に備えられた第１吸着手段３４によってウエハＳを吸着した後に、第１搬送手段１２（吸着部１０ｂ）によるウエハＳの吸着を解除する。従って、第１搬送手段１２と下部マスクＭ１との間でウエハＳを受け渡しする際、下部マスクＭ１に対してウエハＳが位置ずれすることを抑制し、下部マスクＭ１上の所定位置に確実にウエハＳを配置することが可能となり、ウエハＳに対する下部マスクＭ１の位置合わせをより高精度に行うことができる。   Further, when the wafer S is disposed at a predetermined position on the lower mask M1, the wafer S is sucked by the first suction means 34 provided in the lower mask M1, and then the wafer by the first transfer means 12 (suction portion 10b). Release the adsorption of S. Therefore, when the wafer S is delivered between the first transfer means 12 and the lower mask M1, the wafer S is prevented from being displaced with respect to the lower mask M1, and the wafer is securely placed at a predetermined position on the lower mask M1. S can be arranged, and the alignment of the lower mask M1 with respect to the wafer S can be performed with higher accuracy.

しかも、セット前調整工程において、下部マスクＭ１をウエハＳに対してＸＹ方向に位置合わせしているので、下部マスクＭ１上の所定位置にウエハＳをより正確に接触させることができる。これにより、下部マスクＭ１上でのウエハＳの位置ずれを確実に抑制することが可能となり、ウエハＳに対する下部マスクＭ１の位置合わせをより一層高精度に行うことができる。   In addition, since the lower mask M1 is aligned with the wafer S in the XY directions in the pre-set adjustment step, the wafer S can be brought into contact with a predetermined position on the lower mask M1 more accurately. Thereby, it is possible to reliably suppress the positional deviation of the wafer S on the lower mask M1, and the alignment of the lower mask M1 with respect to the wafer S can be performed with higher accuracy.

なお、各図面においては、図面の見易さのためパターンＰを実際のものより相対的に厚く図示しており、ウエハＳの周縁部が下部マスクＭ１から離間した状態となっているが、実際のパターンＰの厚みは例えば１μｍ程度であり、ウエハＳの周縁部が下部マスクＭ１から離間することにより第１吸着手段３４の吸着が受ける影響は無視できるほど小さい。
また、以下に示す工程は、第１吸着手段３４による吸着を維持した状態で実施する。 In each drawing, the pattern P is shown relatively thicker than the actual one for ease of viewing, and the peripheral edge of the wafer S is separated from the lower mask M1. The thickness of the pattern P is, for example, about 1 μm, and the influence of the suction of the first suction means 34 when the peripheral edge of the wafer S is separated from the lower mask M1 is negligibly small.
Moreover, the process shown below is implemented in the state which maintained adsorption | suction by the 1st adsorption | suction means 34. FIG.

続いて、図１０に示すように、搬送ロボット１０を移動させて搬送アーム１０ａを両マスクＭ１、Ｍ２間から退避させた後、画像取得工程を行う。
具体的には、まず本体制御装置７が、ＸＹＺ駆動制御部２６を介してＸＹＺ駆動部２７を作動させて、図１１に示すように、２つの下部顕微鏡２５を下部マスクホルダ３の外側に退避させる。次いで、本体制御装置７は、移動手段６を制御してウエハＳが配置された下部マスクＭ１をＺ方向に移動させて上部マスクＭ２に接近させる。そして、下部マスクＭ１を上部マスクＭ２から一定距離離間したアライメント位置に位置させる。
この位置に達した後、本体制御装置７は、ＸＹＺ駆動制御部２２を介してＸＹＺ駆動部２３を作動させて、２つの上部顕微鏡２０を上下に適宜移動させながら上部マスクＭ２及び下部マスクＭ１に予め印されているアライメント用マークｍ１、ｍ２を観察させる。 Subsequently, as shown in FIG. 10, the transfer robot 10 is moved to retract the transfer arm 10a from between the masks M1 and M2, and then an image acquisition process is performed.
Specifically, first, the main body control device 7 operates the XYZ drive unit 27 via the XYZ drive control unit 26 to retract the two lower microscopes 25 to the outside of the lower mask holder 3 as shown in FIG. Let Next, the main body control device 7 controls the moving means 6 to move the lower mask M1 on which the wafer S is arranged in the Z direction so as to approach the upper mask M2. Then, the lower mask M1 is positioned at an alignment position spaced apart from the upper mask M2.
After reaching this position, the main body control device 7 operates the XYZ drive unit 23 via the XYZ drive control unit 22 to move the two upper microscopes 20 up and down appropriately while moving the upper mask M2 and the lower mask M1. The pre-marked alignment marks m1 and m2 are observed.

より詳細に説明すると、まず上部マスクＭ２の下面にピントが合うように上部顕微鏡２０を移動させた後、上部マスクＭ２側のアライメント用マークｍ２を観察させる。そして、画像処理装置２１は、このときの観察画像をメモリに記憶する。次いで、下部マスクＭ１の上面にピントが合うように上部顕微鏡２０を移動させた後、下部マスクＭ１側のアライメント用マークｍ１を観察させる。そして、画像処理装置２１は、このときの観察画像をメモリに記憶する。
これにより、画像処理装置２１は、図１２に示すように、２つの観察画像を取得することができ、これら２つの観察画像を比較することで、アライメント位置における両マスクＭ１、Ｍ２の位置関係を把握することができる。なお、図１２において、点線で示すアライメント用マークｍ１は、アライメント用マークｍ２に対して予め決められた理想的な位置関係を示す目標ポイントである。 More specifically, first, the upper microscope 20 is moved so that the lower surface of the upper mask M2 is in focus, and then the alignment mark m2 on the upper mask M2 side is observed. Then, the image processing device 21 stores the observation image at this time in a memory. Next, after moving the upper microscope 20 so that the upper surface of the lower mask M1 is in focus, the alignment mark m1 on the lower mask M1 side is observed. Then, the image processing device 21 stores the observation image at this time in a memory.
Thereby, as shown in FIG. 12, the image processing apparatus 21 can acquire two observation images, and by comparing these two observation images, the positional relationship between the two masks M1 and M2 at the alignment position can be obtained. I can grasp it. In FIG. 12, an alignment mark m1 indicated by a dotted line is a target point indicating an ideal positional relationship predetermined with respect to the alignment mark m2.

続いて、画像処理装置２１は、取得した２つの観察画像の位置関係に基づいて、実際の位置関係が予め決められた位置関係からどの程度変位しているか（ずれているか）変位量を算出する算出工程を行う。そして、算出した変位量と、該変位量を補正するための座標変動信号とを、本体制御装置７に出力する。   Subsequently, the image processing device 21 calculates the amount of displacement (how far the actual positional relationship is displaced from the predetermined positional relationship) based on the acquired positional relationship between the two observation images. Perform the calculation process. Then, the calculated displacement amount and a coordinate fluctuation signal for correcting the displacement amount are output to the main body control device 7.

すると、本体制御装置７は、座標変動信号に基づいて移動手段６を作動させて、図１３に示すように、送られてきた変位量を補正するようにアライメント位置で下部マスクＭ１をＸＹ方向に移動させる水平調整工程を行う。この水平調整によって、アライメント位置において、上部マスクＭ２と下部マスクＭ１とが予め決められた位置関係に近づき、両マスクＭ１、Ｍ２のパターンＰが高い精度で位置合わせされた状態となる。   Then, the main body control device 7 operates the moving means 6 on the basis of the coordinate variation signal and, as shown in FIG. 13, moves the lower mask M1 in the XY direction at the alignment position so as to correct the displacement amount sent. The horizontal adjustment process to move is performed. By this horizontal adjustment, the upper mask M2 and the lower mask M1 approach the predetermined positional relationship at the alignment position, and the patterns P of both the masks M1 and M2 are aligned with high accuracy.

続いて、露光工程を行う。
まず、本体制御装置７は、図１４に示すように、移動手段６を制御して下部マスクＭ１を上部マスクＭ２に向けてさらに接近させる。これにより、下部マスクＭ１は、アライメント位置から上部マスクＭ２に近接した露光位置に移動する。よって、下部マスクＭ１に配置されているウエハＳは、上部マスクＭ２に対して接触或いは僅かな隙間を空けて近接する。つまり、上部マスクＭ２に予め描画されているパターンＰが、ウエハＳの上面に接触或いは近接した状態となる。
特に、アライメント位置から下部マスクＭ１を露光位置に移動させるときに、Ｚ方向に移動させるだけであるので、露光位置においても両マスクＭ１、Ｍ２が引き続き高い精度で位置合わせされた状態となっている。 Subsequently, an exposure process is performed.
First, as shown in FIG. 14, the main body control device 7 controls the moving means 6 to bring the lower mask M1 closer to the upper mask M2. Thereby, the lower mask M1 moves from the alignment position to an exposure position close to the upper mask M2. Therefore, the wafer S arranged on the lower mask M1 comes close to the upper mask M2 with contact or a slight gap. That is, the pattern P drawn in advance on the upper mask M2 is in contact with or close to the upper surface of the wafer S.
In particular, when the lower mask M1 is moved from the alignment position to the exposure position, it is only moved in the Z direction. Therefore, both the masks M1 and M2 are continuously aligned with high accuracy even at the exposure position. .

但し、本実施形態では、露光を行う前に、再度上部顕微鏡２０により両マスクＭ１、Ｍ２のアライメント用マークｍ１、ｍ２をそれぞれ観察する。
つまり、上部マスクＭ２の下面にピントが合うように上部顕微鏡２０を移動させた後、上部マスクＭ２側のアライメント用マークｍ２を観察させる。そして、画像処理装置２１は、このときの観察画像をメモリに記憶する。次いで、下部マスクＭ１の上面にピントが合うように上部顕微鏡２０を移動させた後、下部マスクＭ１側のアライメント用マークｍ１を観察させる。そして、画像処理装置２１は、このときの観察画像をメモリに記憶する。これにより、画像処理装置２１は、２つの観察画像を取得することができ、これら２つの観察画像を比較することで、露光位置における両マスクＭ１、Ｍ２の位置関係を把握することができる。 However, in this embodiment, before the exposure, the alignment marks m1 and m2 of both masks M1 and M2 are again observed by the upper microscope 20 respectively.
That is, after the upper microscope 20 is moved so that the lower surface of the upper mask M2 is in focus, the alignment mark m2 on the upper mask M2 side is observed. Then, the image processing device 21 stores the observation image at this time in a memory. Next, after moving the upper microscope 20 so that the upper surface of the lower mask M1 is in focus, the alignment mark m1 on the lower mask M1 side is observed. Then, the image processing device 21 stores the observation image at this time in a memory. Thereby, the image processing apparatus 21 can acquire two observation images, and by comparing these two observation images, the positional relationship between the two masks M1 and M2 at the exposure position can be grasped.

続いて、画像処理装置２１は、再取得した２つの観察画像の位置関係に基づいて、補正後の下部マスクＭ１と上部マスクＭ２との位置関係が、予め決められた位置関係の許容値以下であるか否かを判断する判断工程を行う。
判断した結果、許容値以下であった場合には、本体制御装置７は露光工程に移行する。一方、許容値以下でないと判断した場合には、本体制御装置７は、移動手段６を作動させて、下部マスクＭ１を露光位置から一旦アライメント位置までＺ方向に離間させると共に、下部マスクＭ１をＸＹ方向に移動させて再度水平調整を行わせる。
このように、上部マスクＭ２と下部マスクＭ１とのずれを露光位置で再度確認した後、必要に応じて再調整するので、両マスクＭ１、Ｍ２のパターンＰを水平方向レベルにてより高い精度で位置合わせすることができる。 Subsequently, the image processing apparatus 21 determines that the positional relationship between the corrected lower mask M1 and the upper mask M2 is equal to or smaller than a predetermined allowable positional relationship value based on the positional relationship between the two reacquired observation images. A determination step is performed to determine whether or not there is.
As a result of the determination, if it is less than the allowable value, the main body control device 7 proceeds to the exposure process. On the other hand, if it is determined that the value is not less than the allowable value, the main body control device 7 operates the moving means 6 to temporarily separate the lower mask M1 from the exposure position to the alignment position in the Z direction and move the lower mask M1 to XY. Move it in the direction and make the horizontal adjustment again.
As described above, the shift between the upper mask M2 and the lower mask M1 is confirmed again at the exposure position, and then readjusted as necessary. Therefore, the patterns P of both the masks M1 and M2 can be more accurately at the horizontal level. Can be aligned.

なお、再調整した後、露光位置で再度両マスクＭ１、Ｍ２の位置関係を確認し、許容値以下になるまで上述した動作を繰り返し行う。そして、許容値以下になった時点で露光工程を行う。
まず、本体制御装置７は、ＸＹＺ駆動制御部２２を介してＸＹＺ駆動部２３を制御して、図１５に示すように、上部顕微鏡２０が紫外光Ｌの光路上から十分離間するように退避させる。続いて、本体制御装置７は、露光量制御装置１７、１８を作動させる。すると、露光量制御装置１７、１８は、上部ランプ装置１５及び下部ランプ装置１６のシャッターを同じタイミングで開ける。すると、両ランプ装置１５、１６から上部マスクＭ２及び下部マスクＭ１に向けて紫外光Ｌが照射される。
上部ランプ装置１５から照射された紫外光Ｌは、上部マスクホルダ２の開口２ａを通過した後、上部マスクＭ２を通じてウエハＳの上面に照射される。一方、下部ランプ装置１６から照射された紫外光Ｌは、下部マスクホルダ３に装着された空間形成部材３１を透過した後、下部マスクＭ１を通じてウエハＳの下面に照射される。 After the readjustment, the positional relationship between the two masks M1 and M2 is confirmed again at the exposure position, and the above-described operation is repeated until the exposure value falls below the allowable value. Then, the exposure process is performed when the value becomes less than the allowable value.
First, the main body control device 7 controls the XYZ drive unit 23 via the XYZ drive control unit 22 to retract the upper microscope 20 so as to be sufficiently separated from the optical path of the ultraviolet light L as shown in FIG. . Subsequently, the main body control device 7 operates the exposure amount control devices 17 and 18. Then, the exposure control devices 17 and 18 open the shutters of the upper lamp device 15 and the lower lamp device 16 at the same timing. Then, the ultraviolet light L is irradiated from both the lamp devices 15 and 16 toward the upper mask M2 and the lower mask M1.
The ultraviolet light L emitted from the upper lamp device 15 passes through the opening 2a of the upper mask holder 2 and then is irradiated onto the upper surface of the wafer S through the upper mask M2. On the other hand, the ultraviolet light L emitted from the lower lamp device 16 passes through the space forming member 31 mounted on the lower mask holder 3 and then is irradiated onto the lower surface of the wafer S through the lower mask M1.

これにより、ウエハＳの両面にパターンＰを同時に露光することができる。なお、露光量制御装置１７、１８は、照射した紫外光Ｌの量が規定量に達した時点でシャッターを閉める。そのため、照射する紫外光Ｌの量を規定量に規制することができ、一度の露光でウエハＳの両面にパターンＰをより確実に露光することができる。   Thereby, the pattern P can be simultaneously exposed on both surfaces of the wafer S. The exposure control devices 17 and 18 close the shutter when the amount of the irradiated ultraviolet light L reaches a specified amount. Therefore, the amount of the ultraviolet light L to be irradiated can be regulated to a specified amount, and the pattern P can be more reliably exposed on both surfaces of the wafer S by one exposure.

以上に示した本実施形態のウエハ露光装置１及びウエハ露光方法によれば、下部マスクＭ１上の所定位置に配置されたウエハＳを、第１吸着手段３４により吸着することで、下部マスクＭ１上でウエハＳが位置ずれしてしまうのを抑制することが可能となるので、ウエハＳに対して下部マスクＭ１を高精度に位置合せすることができる。
また、露光を行う際に、ウエハＳの上下に配置された両マスクＭ１、Ｍ２が水平方向レベルで高い精度で位置合わせされている。そのため、ウエハＳの両面に、高精度に位置合わせした状態でパターンＰを露光することができる。しかも、投影レンズ等を利用するプロジェクション露光方式ではないので、投影レンズ等の歪みに起因する収差が生じる恐れがない。この点においても、ウエハＳの両面に、高精度に位置合わせした状態でパターンＰを形成することができる。
加えて、従来のプロキシミティ露光方式やコンタクト露光方式とは異なり、一度の露光でウエハＳの両面にパターンＰを一括露光できるので、露光に要する時間を短縮することができ、作業効率の向上化を図ることができる。 According to the wafer exposure apparatus 1 and the wafer exposure method of the present embodiment described above, the wafer S arranged at a predetermined position on the lower mask M1 is adsorbed by the first adsorbing means 34, so that the upper surface of the lower mask M1. Therefore, it is possible to suppress the positional deviation of the wafer S. Therefore, the lower mask M1 can be aligned with respect to the wafer S with high accuracy.
Further, when performing exposure, the masks M1 and M2 arranged above and below the wafer S are aligned with high accuracy at the horizontal level. Therefore, the pattern P can be exposed on both surfaces of the wafer S in a state of being aligned with high accuracy. In addition, since it is not a projection exposure system that uses a projection lens or the like, there is no possibility that aberration due to distortion of the projection lens or the like will occur. Also in this respect, the pattern P can be formed on both surfaces of the wafer S in a state of being aligned with high accuracy.
In addition, unlike the conventional proximity exposure method and contact exposure method, the pattern P can be exposed on both surfaces of the wafer S in one exposure, so the time required for exposure can be shortened and work efficiency can be improved. Can be achieved.

特に、本実施形態のウエハ露光装置１を利用したウエハ露光方法は、１つのウエハＳから複数の圧電振動片を製造する場合に有効であり、ウエハサイズが大型であっても、微小サイズの圧電振動片を高精度に作製することが可能である。その結果、従来よりも取り個数を遥かに増大することができ、圧電振動片のコストダウンを図ることも可能である。   In particular, the wafer exposure method using the wafer exposure apparatus 1 of the present embodiment is effective when a plurality of piezoelectric vibrating pieces are manufactured from one wafer S. Even if the wafer size is large, a small size piezoelectric device is used. It is possible to manufacture the resonator element with high accuracy. As a result, the number of picked up parts can be increased far more than before, and the cost of the piezoelectric vibrating piece can be reduced.

なお、露光した後のウエハＳを取り出す場合には、移動手段６により下部マスクホルダ３を移動させて下部マスクＭ１と上部マスクＭ２とを十分に離間させた後、搬送ロボット１０の吸着部１０ｂにてウエハＳを吸着した後、第１吸着手段３４によるウエハＳの吸着を解除して下部マスクＭ１上から回収する。
そして、搬送ロボット１０により次の新しい露光前のウエハＳを下部マスクＭ１上に配置して、各工程を繰り返し行う。その結果、両面に、高精度に位置合わせされたパターンＰが露光されたウエハＳを連続的に得ることができる。 When the wafer S after exposure is taken out, the lower mask holder 3 is moved by the moving means 6 so that the lower mask M1 and the upper mask M2 are sufficiently separated from each other, and then the suction portion 10b of the transfer robot 10 is moved to the suction unit 10b. After the wafer S is sucked, the suction of the wafer S by the first suction means 34 is released and recovered from the lower mask M1.
Then, the next new wafer S before exposure is placed on the lower mask M1 by the transfer robot 10, and each process is repeated. As a result, it is possible to continuously obtain the wafers S on which the pattern P aligned with high accuracy is exposed on both sides.

（第２実施形態）
次に、本発明に係るウエハ露光装置及びウエハ露光方法の第２実施形態を、図１６から図１９を参照して説明する。
なお、この第２実施形態においては、第１実施形態における構成要素と同一の部分については同一の符号を付しその説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the wafer exposure apparatus and wafer exposure method according to the present invention will be described with reference to FIGS.
In the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and only different points will be described.

図１６に示すように、本実施形態のウエハ露光装置４０では、上部マスクＭ２に、その厚み方向に上部マスクＭ２を貫通する貫通孔Ｍ２ａが形成されている。この貫通孔Ｍ２ａは、下部マスクＭ１における貫通孔Ｍ１ａに対応するものであり、図示の例では、平面視において上部マスクＭ２のパターンＰの外縁よりも外側で、且つ上部マスクＭ２の所定位置上にウエハＳが配置されたときにそのウエハＳの外縁より内側に位置するように複数形成されている。   As shown in FIG. 16, in the wafer exposure apparatus 40 of the present embodiment, a through hole M2a penetrating the upper mask M2 is formed in the upper mask M2 in the thickness direction. The through-hole M2a corresponds to the through-hole M1a in the lower mask M1, and in the illustrated example, outside the outer edge of the pattern P of the upper mask M2 and in a predetermined position on the upper mask M2 in the plan view. A plurality of wafers S are formed so as to be positioned inside the outer edge of the wafer S when the wafer S is arranged.

そして、本実施形態では、上部マスクホルダ２には、上部マスクＭ２の所定位置に配置されたウエハＳを、上部マスクＭ２に形成された貫通孔Ｍ２ａを通して真空吸着しうる第２吸着手段（吸着手段）４１が備えられている。第２吸着手段４１は、空間形成部材４２と、真空ポンプ４３と、ポンプ制御部４４と、を備えており、これら各構成要素は、第１吸着手段３４における空間形成部材３１、真空ポンプ３２、ポンプ制御部３３にそれぞれ対応するものである。   In the present embodiment, the upper mask holder 2 is provided with second suction means (suction means) that can vacuum-suck the wafer S disposed at a predetermined position of the upper mask M2 through the through-hole M2a formed in the upper mask M2. 41). The second adsorbing means 41 includes a space forming member 42, a vacuum pump 43, and a pump control unit 44. These components are the space forming member 31, the vacuum pump 32, and the like in the first adsorbing means 34. Each corresponds to the pump control unit 33.

つまり、上部マスクホルダ２には、上部マスクＭ２との間にウエハ吸引用空間４２Ａが形成されるように空間形成部材４２が装着されている。図示の例では、空間形成部材４２は、上部マスクホルダ２の開口２ａを挟んで上部マスクＭ２と対向し、上部マスクＭ２と、上部マスクホルダ２と共に上記ウエハ吸引空間４２Ａを形成するように、上部マスクホルダ２に装着されている。また、空間形成部材４２は、光（例えば紫外光Ｌ）を透過する材料、より具体的には例えば石英ガラス等で形成されており、空間形成部材４２の上方から照射された光が下方に透過可能な構成とされている。   That is, the space forming member 42 is attached to the upper mask holder 2 so that a wafer suction space 42A is formed between the upper mask holder 2 and the upper mask M2. In the illustrated example, the space forming member 42 is opposed to the upper mask M2 across the opening 2a of the upper mask holder 2, and the upper mask M2 and the upper mask holder 2 together with the upper mask M2 form the wafer suction space 42A. It is attached to the mask holder 2. The space forming member 42 is made of a material that transmits light (for example, ultraviolet light L), more specifically, for example, quartz glass. The light irradiated from above the space forming member 42 is transmitted downward. Possible configuration.

そして、前述したように空間形成部材４２と、上部マスクＭ２と、上部マスクホルダ２とによって形成されたウエハ吸引空間４２Ａは、上部マスクＭ２の貫通孔Ｍ２ａを通して上部マスクＭ２の下部の空間に連通した状態となっている。このウエハ吸引空間４２Ａには、ウエハ吸引空間４２Ａの内圧を制御可能な上記真空ポンプ４３が接続されている。図示の例では、この真空ポンプ４３は、平面視において下部マスクＭ１のアライメント用マークｍ１及び上部マスクＭ２のアライメント用マークｍ２をそれぞれ回避する位置に配設されている。つまり、真空ポンプ４３は、露光手段１４の紫外光Ｌの光路や、上部顕微鏡２０及び下部顕微鏡２５による観察を遮らない位置に配置されている。また、真空ポンプ４３は、上記ポンプ制御部４４からの信号を受けて作動するようになっている。なお、ポンプ制御部４４は、本体制御装置７によって作動が制御されている。   As described above, the wafer suction space 42A formed by the space forming member 42, the upper mask M2, and the upper mask holder 2 communicates with the space below the upper mask M2 through the through hole M2a of the upper mask M2. It is in a state. The vacuum pump 43 that can control the internal pressure of the wafer suction space 42A is connected to the wafer suction space 42A. In the illustrated example, the vacuum pump 43 is disposed at a position that avoids the alignment mark m1 of the lower mask M1 and the alignment mark m2 of the upper mask M2 in plan view. That is, the vacuum pump 43 is disposed at a position that does not block the optical path of the ultraviolet light L of the exposure unit 14 and the observation by the upper microscope 20 and the lower microscope 25. Further, the vacuum pump 43 is operated in response to a signal from the pump control unit 44. The operation of the pump control unit 44 is controlled by the main body control device 7.

更に、本実施形態では、ウエハ露光装置４０には、上部マスクＭ２上の所定位置にウエハＳを配置するように搬送、或いは、該ウエハＳを上部マスクＭ２上から退避させる第２搬送手段４５が備えられている。第２搬送手段４５は、搬送ロボット４６と、搬送ロボット駆動制御部４７と、を備えており、これら各構成要素は、第１搬送手段１２における搬送ロボット１０、搬送ロボット駆動制御部１１に対応するものである。   Further, in the present embodiment, the wafer exposure apparatus 40 includes a second transfer unit 45 that transfers the wafer S to a predetermined position on the upper mask M2 or retreats the wafer S from the upper mask M2. Is provided. The second transfer unit 45 includes a transfer robot 46 and a transfer robot drive control unit 47, and these components correspond to the transfer robot 10 and the transfer robot drive control unit 11 in the first transfer unit 12. Is.

つまり、上部マスクホルダ２及び下部マスクホルダ３の外側には、搬送アーム４６ａを有する上記搬送ロボット４６が配置されている。搬送アーム４６ａは、ＸＹ方向に沿って伸縮自在とされ、先端部でウエハＳを吸着できるように構成されている。つまり、搬送アーム４６ａの先端部には、ウエハＳを吸着しうる吸着部４６ｂが形成されている。
本実施形態では、吸着部４６ｂは、搬送アーム４６ａの先端部の上面に設けられた吸着パッドであり、この吸着部４６ｂの吸着面である上面に接触したウエハＳを吸着しうるようになっている。また、図示の例では、吸着部４６ｂは、搬送ロボット４６に設けられた真空ポンプ４６ｃに接続されており、この真空ポンプ４６ｃの作動によりウエハＳを真空吸着可能とされている。また、吸着部４６ｂは、吸着されたウエハＳが上部マスクＭ２に対して平行な姿勢になるように構成されている。
この搬送ロボット４６は、上記搬送ロボット駆動制御部４７からの信号を受けてＸＹ方向及びＺ方向の３方向に移動可能とされると共に、吸着部４６ｂによる吸着及び吸着解除が可能とされている。なお、搬送ロボット駆動制御部４７は、本体制御装置７によって作動が制御されている。 That is, the transfer robot 46 having the transfer arm 46 a is disposed outside the upper mask holder 2 and the lower mask holder 3. The transfer arm 46a can be extended and contracted along the X and Y directions, and is configured so that the wafer S can be adsorbed at the tip. That is, a suction part 46b that can suck the wafer S is formed at the tip of the transfer arm 46a.
In the present embodiment, the suction unit 46b is a suction pad provided on the upper surface of the tip end portion of the transfer arm 46a, and is capable of sucking the wafer S that is in contact with the upper surface, which is the suction surface of the suction unit 46b. Yes. In the illustrated example, the suction unit 46b is connected to a vacuum pump 46c provided in the transfer robot 46, and the operation of the vacuum pump 46c enables vacuum suction of the wafer S. Further, the suction unit 46b is configured so that the sucked wafer S is in a posture parallel to the upper mask M2.
The transfer robot 46 can move in three directions of the XY direction and the Z direction in response to a signal from the transfer robot drive control unit 47, and can be sucked and released by the suction unit 46b. The operation of the transfer robot drive control unit 47 is controlled by the main body control device 7.

次に、このように構成されたウエハ露光装置４０により、ウエハＳの両面にパターンＰを同時に露光するウエハ露光方法について説明する。なお、本実施形態では、前述した第１実施形態における露光工程までは、第１実施形態と同様に行うものとして、露光工程以降の工程について説明する。また、露光工程までは、搬送ロボット４６の搬送アーム４６ａは、上部マスクＭ２及び下部マスクＭ１間から退避させた状態で実施したものとして説明する。更に、セット前調整工程において、ウエハ露光装置４０は、下部マスクホルダ３の位置を絶対座標の値で記憶しているものとして説明する。   Next, a wafer exposure method in which the pattern P is simultaneously exposed on both surfaces of the wafer S by the wafer exposure apparatus 40 configured as described above will be described. In the present embodiment, the processes after the exposure process will be described on the assumption that the processes up to the exposure process in the first embodiment described above are performed in the same manner as in the first embodiment. Further, the description will be made assuming that the transport arm 46a of the transport robot 46 is retracted from between the upper mask M2 and the lower mask M1 until the exposure process. Further, in the pre-set adjustment process, the wafer exposure apparatus 40 will be described assuming that the position of the lower mask holder 3 is stored as an absolute coordinate value.

図１７に示すように、露光工程終了後、下部マスクＭ１は、露光位置に位置しており、下部マスクＭ１に配置されている露光後のウエハＳは、上部マスクＭ２に対して接触或いは僅かな隙間を空けて近接している。
そこで次に、第２吸着手段４１によってウエハＳを吸着すると共に第１吸着手段３４によるウエハＳの吸着を解除し、ウエハＳを下部マスクＭ１から上部マスクＭ２に移し替える移し替え工程を行う。 As shown in FIG. 17, after the exposure process is completed, the lower mask M1 is located at the exposure position, and the exposed wafer S disposed on the lower mask M1 is in contact with the upper mask M2 or slightly. Close to each other with a gap.
Accordingly, a transfer step is performed in which the wafer S is sucked by the second suction means 41 and the suction of the wafer S by the first suction means 34 is released, and the wafer S is transferred from the lower mask M1 to the upper mask M2.

詳しく説明すると、まず、本体制御装置７は、第２吸着手段４１のポンプ制御部４４を介して真空ポンプ４３を制御して、第２吸着手段４１によってウエハＳを吸着する。次いで、本体制御装置７は、第１吸着手段３４のポンプ制御部３３を介して真空ポンプ３２を制御して、第１吸着手段３４によるウエハＳの吸着を解除する。これにより、ウエハＳを確実に移し替えることができる。
次に、本実施形態では、図１８に示すように、移動手段６により下部マスクホルダ３を移動させて下部マスクＭ１と上部マスクＭ２とを離間させる離間工程を行う。この際、下部マスクホルダ３を、セット前調整工程において記憶した前記絶対位置まで移動させる。 More specifically, first, the main body control device 7 controls the vacuum pump 43 via the pump control unit 44 of the second suction unit 41 and sucks the wafer S by the second suction unit 41. Next, the main body control device 7 controls the vacuum pump 32 via the pump control unit 33 of the first suction unit 34 and releases the suction of the wafer S by the first suction unit 34. Thereby, the wafer S can be transferred reliably.
Next, in the present embodiment, as shown in FIG. 18, a separation step is performed in which the lower mask holder 3 is moved by the moving means 6 to separate the lower mask M1 and the upper mask M2. At this time, the lower mask holder 3 is moved to the absolute position stored in the pre-set adjustment process.

次に、図１９に示すように、上部マスクＭ２上の露光後のウエハＳを回収する回収工程を行う。
詳しく説明すると、まず、本体制御装置７は、第２搬送手段４５の搬送ロボット駆動制御部４７を介して搬送アーム４６ａを伸長させると共に、搬送ロボット４６を適宜移動させて、第２搬送手段４５の吸着部４６ｂの吸着面を上部マスクＭ２上のウエハＳに接触させる。次いで、本体制御装置７は、上記搬送ロボット駆動制御部４７を介して搬送ロボット４６の真空ポンプ４６ｃを制御して、吸着部４６ｂによりウエハＳを吸着させる。次いで、本体制御装置７は、第２吸着手段４１によるウエハＳの吸着を解除させ、その後、第２搬送手段４５により露光後のウエハを回収する。 Next, as shown in FIG. 19, a recovery step for recovering the exposed wafer S on the upper mask M2 is performed.
More specifically, first, the main body control device 7 extends the transfer arm 46 a via the transfer robot drive control unit 47 of the second transfer unit 45 and moves the transfer robot 46 as appropriate, so that the second transfer unit 45 The suction surface of the suction part 46b is brought into contact with the wafer S on the upper mask M2. Next, the main body control device 7 controls the vacuum pump 46 c of the transfer robot 46 via the transfer robot drive control unit 47 and sucks the wafer S by the suction unit 46 b. Next, the main body control device 7 releases the suction of the wafer S by the second suction means 41, and then collects the exposed wafer by the second transport means 45.

そして、本実施形態では、図１９に示すように、回収工程において、下部マスクＭ１上の所定位置に露光前のウエハＳを配置するセット工程を同時に行う。つまり、本体制御装置７は、前述したように第２搬送手段４５によって上部マスクＭ２上の露光後のウエハＳを回収するのと同時に、第１実施形態のセット工程に示したように第１搬送手段１２によって下部マスクＭ１上に露光前のウエハＳを配置するように、各構成要素を制御する。そして、本体制御装置７は、回収工程及びセット工程の双方が終了した後に、画像取得工程以下各工程を繰り返し実施する。   In the present embodiment, as shown in FIG. 19, in the recovery process, a setting process for placing the unexposed wafer S at a predetermined position on the lower mask M1 is simultaneously performed. That is, the main body control device 7 collects the exposed wafer S on the upper mask M2 by the second transfer means 45 as described above, and at the same time, the first transfer as shown in the setting step of the first embodiment. Each component is controlled by means 12 so that the unexposed wafer S is placed on the lower mask M1. Then, the main body control device 7 repeatedly performs each process after the image acquisition process after both the recovery process and the setting process are completed.

以上に示した本実施形態のウエハ露光装置４０及びウエハ露光方法によれば、第１実施形態で示したウエハ露光装置１及びウエハ露光方法と同様の作用効果を奏することができる。
また、露光工程後の移し替え工程において、第１吸着手段３４によって下部マスクＭ１上に吸着されていたウエハＳが、第２吸着手段４１によって上部マスクＭ２上に吸着され、ウエハＳを下部マスクＭ１から上部マスクＭ２に移し替えることができる。よって、回収工程において、露光後の上部マスクＭ２上のウエハＳの回収と同時に、下部マスクＭ１上の所定位置への露光前のウエハＳの配置、つまりセット工程を実施することが可能となり、複数のウエハＳを連続して露光するときに各工程を別々に行う場合に比べて、ウエハ露光装置４０の稼働率を向上させることができる。従って、ウエハＳに対する下部マスクＭ１の位置合わせを高精度に行いつつ、ウエハ露光作業の生産性を向上させることができる。 According to the wafer exposure apparatus 40 and the wafer exposure method of the present embodiment described above, the same operational effects as the wafer exposure apparatus 1 and the wafer exposure method shown in the first embodiment can be obtained.
In the transfer process after the exposure process, the wafer S that has been sucked onto the lower mask M1 by the first sucking means 34 is sucked onto the upper mask M2 by the second sucking means 41, and the wafer S is attracted to the lower mask M1. To the upper mask M2. Therefore, in the recovery process, the wafer S on the upper mask M2 after exposure can be recovered simultaneously with the placement of the wafer S before exposure at a predetermined position on the lower mask M1, that is, a set process. The operation rate of the wafer exposure apparatus 40 can be improved as compared with the case where each process is performed separately when continuously exposing the wafer S. Accordingly, it is possible to improve the productivity of the wafer exposure operation while accurately aligning the lower mask M1 with the wafer S.

なお、本実施形態では、露光前のウエハＳを下部マスクＭ１にセットし、露光後のウエハＳを下部マスクＭ１から上部マスクＭ２に移し替えるものとしたが、これに限られず、露光前のウエハＳを上部マスクＭ２にセットし、露光後のウエハＳを上部マスクＭ２から下部マスクＭ１に移し替えても良い。
また、本実施形態では、第２搬送手段４５を備えるものとしたが、これに限られない。更に、第２搬送手段４５を備える場合であっても、ウエハＳの保持方法は真空吸着に限られない。 In this embodiment, the wafer S before exposure is set on the lower mask M1, and the wafer S after exposure is transferred from the lower mask M1 to the upper mask M2. However, the present invention is not limited to this, and the wafer before exposure is transferred. S may be set on the upper mask M2, and the exposed wafer S may be transferred from the upper mask M2 to the lower mask M1.
Moreover, in this embodiment, although the 2nd conveyance means 45 shall be provided, it is not restricted to this. Further, even when the second transfer means 45 is provided, the method for holding the wafer S is not limited to vacuum suction.

なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態では、第１搬送手段１２を備えるものとしたが、第１搬送手段１２はなくても構わず、例えば装置の操作者が下部マスクＭ１上にウエハＳを配置する等しても構わない。
また、上記各実施形態では、吸着部１０ｂ、４６ｂは、いずれも吸着パッドで形成されるものとしたが、これに限られるものではなく、ウエハＳを吸着しうるものであれば良い。 The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in each of the above embodiments, the first transfer unit 12 is provided. However, the first transfer unit 12 may not be provided. For example, an operator of the apparatus places the wafer S on the lower mask M1. It doesn't matter.
In each of the above embodiments, the suction portions 10b and 46b are both formed by suction pads. However, the present invention is not limited to this, and any member that can suck the wafer S may be used.

また、上記各実施形態では、ウエハ露光装置１、４０は、移動手段６を備えるものとしたが、これに限られない。例えば、装着された下部マスクＭ１と上部マスクＭ２との位置関係が予め決められた位置関係に固定されるように上部マスクホルダ２及び下部マスクホルダ３を構成することで、移動手段を不要とした構成としても良い。
また、吸着手段は、上部マスクホルダ２及び下部マスクホルダ３のうち少なくとも一方に備えられていれば良く、例えば、上部マスクホルダ２のみに備えられていても良い。 Further, in each of the above embodiments, the wafer exposure apparatuses 1 and 40 are provided with the moving means 6, but the present invention is not limited to this. For example, the upper mask holder 2 and the lower mask holder 3 are configured so that the positional relationship between the mounted lower mask M1 and the upper mask M2 is fixed to a predetermined positional relationship, thereby eliminating the need for moving means. It is good also as a structure.
Moreover, the adsorption | suction means should just be provided in at least one among the upper mask holder 2 and the lower mask holder 3, for example, may be provided only in the upper mask holder 2. FIG.

また、上記各実施形態では、下部マスクＭ１及び上部マスクＭ２にそれぞれアライメント用マークｍ１、ｍ２を２つずつ印した場合を説明したが、アライメント用マークｍ１、ｍ２は１つでも構わないし、３つ以上でも構わない。
また、セット前調整工程において、ウエハＳの代わりに基準ウエハＷを用いたが、ウエハＳを用いても構わない。但し、専用の基準ウエハＷを用いることが好ましい。 In each of the above-described embodiments, the case where two alignment marks m1 and m2 are marked on the lower mask M1 and the upper mask M2 has been described, but the alignment marks m1 and m2 may be one or three. That's fine.
In the pre-set adjustment process, the reference wafer W is used instead of the wafer S. However, the wafer S may be used. However, it is preferable to use a dedicated reference wafer W.

また、吸着手段３４、４１は、上記各実施形態に示したものに限られず、マスクホルダ２、３に装着されたマスクＭ１、Ｍ２上の所定位置に配置されたウエハＳを、貫通孔Ｍ１ａ、Ｍ２ａを通して吸着しうるものであれば良い。例えば、下部マスクと真空チャンバとが一体的に形成されており、下部マスクを下部マスクホルダに装着したときに、下部マスクホルダに設けられた真空ポンプと、下部マスクの真空チャンバとが接続可能であるように構成されていても良い。   Further, the suction means 34 and 41 are not limited to those shown in each of the above embodiments, and the wafer S placed at a predetermined position on the masks M1 and M2 mounted on the mask holders 2 and 3 is passed through the through holes M1a and M1. Any material that can be adsorbed through M2a may be used. For example, the lower mask and the vacuum chamber are integrally formed, and when the lower mask is mounted on the lower mask holder, the vacuum pump provided in the lower mask holder and the vacuum chamber of the lower mask can be connected. It may be configured to be.

また、上部マスク固定手段２Ｃ及び下部マスク固定手段３Ｃは、各マスクホルダ２、３に対応するマスクＭ１、Ｍ２が装着されれば、それぞれ上記各実施形態に示したものに限られるものではない。   Further, the upper mask fixing means 2C and the lower mask fixing means 3C are not limited to those shown in the above embodiments as long as the masks M1 and M2 corresponding to the mask holders 2 and 3 are mounted.

また、上記各実施形態では、ウエハ露光方法として、セット前調整工程、画像取得工程、算出工程、調整工程及び判断工程を実施するものとしたが、これらは実施しなくても構わない。更にこの場合、上部顕微鏡２０、画像処理装置２１、下部顕微鏡２５及び上部マスクＭ２及び下部マスクＭ１にそれぞれ印されたアライメント用マークｍ１、ｍ２は無くても良い。   In each of the above embodiments, the pre-set adjustment process, the image acquisition process, the calculation process, the adjustment process, and the determination process are performed as the wafer exposure method. However, these may not be performed. Further, in this case, the alignment marks m1 and m2 marked on the upper microscope 20, the image processing apparatus 21, the lower microscope 25, the upper mask M2, and the lower mask M1 may be omitted.

１、４０ ウエハ露光装置
２ 上部マスクホルダ（第２マスク保持部）
３ 下部マスクホルダ（第１マスク保持部）
６ 移動手段
１０ｂ 第１搬送手段の吸着部（搬送手段の吸着部）
１２ 第１搬送手段（搬送手段）
１４ 露光手段
３４ 第１吸着手段（吸着手段）
４１ 第２吸着手段（吸着手段）
４５ 第２搬送手段（搬送手段）
４６ｂ 第２搬送手段の吸着部（搬送手段の吸着部）
Ｌ 紫外光（光）
Ｍ１ 下部マスク（マスク）
Ｍ１ａ 下部マスクの貫通孔（マスクに形成された貫通孔）
Ｍ２ 上部マスク（マスク）
Ｍ２ａ 上部マスクの貫通孔（マスクに形成された貫通孔）
Ｐ パターン
Ｓ ウエハ 1, 40 Wafer exposure apparatus 2 Upper mask holder (second mask holder)
3 Lower mask holder (first mask holder)
6 Moving means 10b Adsorbing part of first conveying means (adsorbing part of conveying means)
12 1st conveyance means (conveyance means)
14 Exposure means 34 First adsorption means (adsorption means)
41 Second adsorption means (adsorption means)
45 Second conveying means (conveying means)
46b Adsorption part of 2nd conveyance means (adsorption part of conveyance means)
L Ultraviolet light (light)
M1 Lower mask (mask)
M1a Lower mask through hole (through hole formed in the mask)
M2 Upper mask (mask)
M2a Through-hole of upper mask (through-hole formed in mask)
P pattern S wafer

Claims (7)

互いに対向して配置されると共に、パターンが予め描画されたマスクがそれぞれ装着される第１マスク装着部及び第２マスク装着部と、
前記第１マスク装着部に装着されたマスクと、前記第２マスク装着部に装着されたマスクと、の間に挟まれるように配置されたウエハに対して両マスクを通して光を照射して、前記ウエハの両面に前記パターンを露光させる露光手段と、を備え、
前記第１マスク装着部及び前記第２マスク装着部は、それぞれに装着されたマスクが互いに平行に配置される構成とされたウエハ露光装置であって、
前記第１マスク装着部及び前記第２マスク装着部のうち少なくとも一方のマスク装着部には、前記一方のマスク装着部に装着された一方のマスク上の所定位置に配置された前記ウエハを、前記一方のマスクに形成された貫通孔を通して吸着しうる吸着手段が備えられていることを特徴とするウエハ露光装置。 A first mask mounting portion and a second mask mounting portion, which are arranged to face each other and to which a mask on which a pattern is drawn in advance is mounted;
Irradiating light through both masks to a wafer arranged to be sandwiched between the mask mounted on the first mask mounting part and the mask mounted on the second mask mounting part, Exposure means for exposing the pattern on both sides of the wafer,
The first mask mounting unit and the second mask mounting unit are wafer exposure apparatuses configured such that masks mounted on each of the first mask mounting unit and the second mask mounting unit are arranged in parallel to each other,
At least one of the first mask mounting part and the second mask mounting part has the wafer disposed at a predetermined position on one mask mounted on the one mask mounting part, A wafer exposure apparatus, comprising: suction means capable of sucking through a through hole formed in one mask. 請求項１に記載のウエハ露光装置であって、
前記ウエハを前記一方のマスク上の前記所定位置に配置するように搬送する搬送手段を備え、
前記搬送手段は、前記ウエハを吸着しうる吸着部を有することを特徴とするウエハ露光装置。 The wafer exposure apparatus according to claim 1,
Transport means for transporting the wafer so as to be disposed at the predetermined position on the one mask;
2. The wafer exposure apparatus according to claim 1, wherein the transfer means has a suction portion that can suck the wafer. 請求項１又は２に記載のウエハ露光装置であって、
前記一方のマスクの表面に対して平行なＸＹ方向に前記一方のマスクが移動するように、前記一方のマスク装着部を移動させる移動手段を備えていることを特徴とするウエハ露光装置。 The wafer exposure apparatus according to claim 1 or 2,
A wafer exposure apparatus, comprising: a moving means for moving the one mask mounting portion so that the one mask moves in an XY direction parallel to the surface of the one mask. 請求項１から３のいずれか１項に記載のウエハ露光装置であって、
前記吸着手段は、前記第１マスク装着部に備えられた第１吸着手段と、前記第２マスク装着部に備えられた第２吸着手段と、からなる構成とされていることを特徴とするウエハ露光装置。 The wafer exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The wafer is characterized in that the suction means comprises a first suction means provided in the first mask mounting portion and a second suction means provided in the second mask mounting portion. Exposure device. 互いに対向して配置されると共に、パターンが予め描画されたマスクがそれぞれ装着される第１マスク装着部及び第２マスク装着部と、
前記第１マスク装着部に装着されたマスクと、前記第２マスク装着部に装着されたマスクと、の間に挟まれるように配置されたウエハに対して両マスクを通して光を照射して、前記ウエハの両面に前記パターンを露光させる露光手段と、を備え、
前記第１マスク装着部及び前記第２マスク装着部は、それぞれに装着されたマスクが互いに平行に配置される構成とされたウエハ露光装置を用いて、前記ウエハの両面に前記パターンを同時に露光するウエハ露光方法であって、
前記ウエハ露光装置は、
前記第１マスク装着部及び前記第２マスク装着部のうち少なくとも一方のマスク装着部に、前記一方のマスク装着部に装着された一方のマスク上の所定位置に配置された前記ウエハを、前記一方のマスクに形成された貫通孔を通して吸着しうる吸着手段が備えられ、
前記ウエハを前記一方のマスク上の前記所定位置に配置するように搬送する搬送手段、を備え、
前記搬送手段が、前記ウエハを吸着しうる吸着部を有する構成とされ、
前記一方のマスク上の前記所定位置に前記ウエハを配置する際に、
前記搬送手段に吸着されている前記ウエハを前記一方のマスク上の前記所定位置に接触させる工程と、
前記所定位置に接触されたウエハを前記一方のマスク装着部に備えられた前記吸着手段によって吸着する工程と、
前記吸着手段による吸着の後に、前記搬送手段による前記ウエハの吸着を解除する工程と、
を備えていることを特徴とするウエハ露光方法。 A first mask mounting portion and a second mask mounting portion, which are arranged to face each other and to which a mask on which a pattern is drawn in advance is mounted;
Irradiating light through both masks to a wafer arranged to be sandwiched between the mask mounted on the first mask mounting part and the mask mounted on the second mask mounting part, Exposure means for exposing the pattern on both sides of the wafer,
The first mask mounting unit and the second mask mounting unit simultaneously expose the pattern on both surfaces of the wafer using a wafer exposure apparatus in which the masks mounted on the first mask mounting unit and the second mask mounting unit are arranged in parallel to each other. A wafer exposure method comprising:
The wafer exposure apparatus
The wafer disposed at a predetermined position on one of the masks mounted on the one mask mounting part is placed on at least one of the first mask mounting part and the second mask mounting part on the one mask mounting part. An adsorbing means capable of adsorbing through a through-hole formed in the mask of
Transporting means for transporting the wafer so as to be arranged at the predetermined position on the one mask,
The transfer means has a suction part that can suck the wafer,
When placing the wafer at the predetermined position on the one mask,
Contacting the wafer adsorbed by the transfer means to the predetermined position on the one mask;
Adsorbing the wafer brought into contact with the predetermined position by the adsorbing means provided in the one mask mounting unit;
Releasing the suction of the wafer by the transfer means after the suction by the suction means;
A wafer exposure method comprising: 請求項５に記載のウエハ露光方法であって、
前記搬送手段に吸着されている前記ウエハを前記一方のマスク上の前記所定位置に接触させる工程の前に、
前記一方のマスクを前記ウエハに対して、前記一方のマスクの表面に対して平行なＸＹ方向に位置合わせする工程を備えていることを特徴とするウエハ露光方法。 The wafer exposure method according to claim 5,
Before the step of bringing the wafer attracted by the transfer means into contact with the predetermined position on the one mask,
A wafer exposure method comprising the step of aligning the one mask with respect to the wafer in an XY direction parallel to a surface of the one mask. 請求項５又は６に記載のウエハ露光方法であって、
前記ウエハ露光装置は、
前記吸着手段が、前記第１マスク装着部に備えられた第１吸着手段と、前記第２マスク装着部に備えられた第２吸着手段と、からなる構成とされ、
前記一方のマスク上の前記所定位置に前記ウエハを配置するセット工程と、
前記一方のマスク装着部に備えられた一方の吸着手段によって前記一方のマスク上の前記ウエハを吸着しながら、両マスクを通して光を照射して、前記ウエハの両面に前記パターンを露光する露光工程と、
他方のマスク装着部に備えられた他方の吸着手段によって前記ウエハを吸着すると共に前記一方の吸着手段による前記ウエハの吸着を解除し、前記ウエハを前記一方のマスクから、前記他方のマスク装着部に装着された他方のマスクに移し替える移し替え工程と、
前記他方のマスク上の露光後の前記ウエハを回収する回収工程と、を備え、
前記回収工程において、前記一方のマスク上の前記所定位置に露光前のウエハを配置する前記セット工程を同時に行うことを特徴とするウエハ露光方法。 The wafer exposure method according to claim 5 or 6,
The wafer exposure apparatus
The suction means includes a first suction means provided in the first mask mounting portion, and a second suction means provided in the second mask mounting portion,
A setting step of placing the wafer at the predetermined position on the one mask;
An exposure step of exposing the pattern to both surfaces of the wafer by irradiating light through both masks while adsorbing the wafer on the one mask by one adsorbing means provided in the one mask mounting portion; ,
The wafer is sucked by the other suction means provided in the other mask mounting portion, and the wafer suction by the one suction means is released, and the wafer is moved from the one mask to the other mask mounting portion. A transfer process for transferring to the other mask mounted;
A recovery step of recovering the wafer after exposure on the other mask,
The wafer exposure method characterized in that, in the collecting step, the setting step of placing a pre-exposure wafer at the predetermined position on the one mask is performed simultaneously.
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