JP2010182420A - Semiconductor storage device and control method for semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor memory device and a method for controlling the semiconductor memory device.
NAND Flash ROMなどを用いた半導体記憶装置では、データの書き込み中に不意に電源の供給が遮断されるなどして書き込みに失敗した場合においても、過去に記憶したデータは破壊されることがないように確実に保護する必要がある。複数の電圧の大きさで複数のビットを記憶するMLC(多値)型NAND Flash ROMでは、メモリセルに対して1ビットずつ複数回に分けて情報を記憶する書き込みモードが存在する。この書き込みモードでは、情報を記憶したメモリセルへさらに情報を追加する際に電源の供給が遮断されると、以前にメモリセルへ記憶した情報までも失ってしまうという問題がある。 In a semiconductor memory device using a NAND flash ROM or the like, data stored in the past will not be destroyed even when writing fails due to unexpected power interruption during data writing. It is necessary to ensure protection. In an MLC (multi-level) NAND flash ROM that stores a plurality of bits at a plurality of voltage levels, there is a write mode in which information is stored in a plurality of times for each bit of a memory cell. In this writing mode, when the supply of power is interrupted when further information is added to the memory cell storing the information, there is a problem that the information stored in the memory cell is lost.
この問題に対して、例えば特許文献1では、メモリセルを共有するブロック内のページの関係を管理し、ブロック内のメモリセルに対して一回ずつ書き込みを行うように制御することで外部から供給されたデータを一時的に保存し、特定のタイミングで一時保存したデータを他のブロックへコピーすることでデータ破壊の対策を図っている。
To deal with this problem, for example, in
具体的には、MLC型NAND Flash ROMを一時的にSLC(二値)型NAND Flash ROMのように使用することで、一度書き込みが完了したデータの消失を防ぎ、その後、一時保存したデータを他のブロックへ通常の記憶方法でコピーすることで、MLC型NAND Flash ROMへの安全なデータの書き込みを実現している。この方法では、一時保存したデータを他のブロックへコピーする時に電源の瞬断が発生しても、コピー元のデータが破壊されることがないので容易にデータの復元が可能である。 Specifically, the MLC NAND Flash ROM is temporarily used like an SLC (binary) NAND Flash ROM to prevent loss of data once written, and then temporarily stored data By copying to this block by a normal storage method, safe data writing to the MLC NAND Flash ROM is realized. In this method, even if a power interruption occurs when copying temporarily stored data to another block, the data at the copy source is not destroyed, so that the data can be easily restored.
しかしながら、特許文献1の場合、ブロックに対して1回の消去で書き込めるデータ量は、「1/メモリセルに書き込めるビット数」へ減少するため、同じデータ量を書き込むとすると、MLC型NAND Flash ROMへ書き込むデータ量の「メモリセルへ書き込めるビット数」倍の消去を必要とする。さらに、特許文献1の場合、一時的に保存したデータは別のブロックへコピーする必要があるので、最終的には(「メモリセルへ書き込めるビット数」+1)倍の消去が必要となる。
However, in the case of
例えば、メモリセルあたり2ビットの情報を記憶できるMLC型NAND Flash ROMにおいて、この方式で利用する場合、最終的には、書き込みたいデータ量の2+1=3倍の消去が必要になるため非常に無駄が大きいという問題がある。また、書き換え回数の制限を考慮すると、データの消去回数はできるだけ少ない方がよい。 For example, in an MLC-type NAND flash ROM capable of storing 2 bits of information per memory cell, when this method is used, it is necessary to erase 2 + 1 = 3 times the amount of data to be written. There is a problem that is large. In consideration of the limit on the number of rewrites, the number of data erasures should be as small as possible.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、データの書き込み時に、データの消去回数を抑えながら、データを書き込む同一ブロック内にある以前に記憶した有効データが破壊されて読み出せなくなることを防止することのできる半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and at the time of data writing, the previously stored effective data in the same block in which data is written is destroyed and cannot be read out while suppressing the number of times of erasing data. An object of the present invention is to provide a semiconductor memory device and a method for controlling the semiconductor memory device that can prevent the above-described problem.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、外部から供給されるデータを記憶するブロックを複数個備える第1の記憶手段と、前記第1の記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示手段と、前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換手段と、前記アドレス変換手段で変換されたブロックにおける記憶位置を利用して、前記第1の記憶手段が備える複数の前記ブロックに、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されているかを判定する判定手段と、を備え、前記書き込み指示手段は、前記判定手段が、前記第1の記憶手段が備える複数の前記ブロックのいずれかに、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていないと判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていない前記ブロックのうち、前記データの書き込み量が多い前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、を特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention provides a first storage unit including a plurality of blocks for storing data supplied from the outside, and the block included in the first storage unit. The external address of the data is stored in the block using a conversion table that associates the write instruction means for instructing the writing of the data, the external address of the data, and the storage position in the block in which the data is stored. The data associated with the external address in the plurality of blocks provided in the first storage means by using the address conversion means for converting into a position and the storage position in the block converted by the address conversion means Determination means for determining whether or not is stored, wherein the write instruction means includes the first determination means If it is determined that the data associated with the external address is not stored in any of the plurality of blocks included in the storage unit, the block associated with the external address is not stored. Among them, the block that has a large amount of data to be written is instructed to write new data supplied from the outside.
また、本発明は、外部から供給されるデータを記憶するブロックを複数個備える第1の記憶手段と、前記第1の記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示手段と、前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換手段と、前記アドレス変換手段で変換されたブロックにおける記憶位置を利用して、前記第1の記憶手段が備える複数の前記ブロックに記憶されている前記外部アドレスと対応付けられた前記データの合計数を判定する判定手段と、を備え、前記書き込み指示手段は、前記判定手段が、前記第1の記憶手段が備える複数の前記ブロックに記憶されている前記外部アドレスと対応付けられた前記データの合計数が、特定数になっていないと判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていない前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、を特徴とする。 Further, the present invention provides a first storage means comprising a plurality of blocks for storing data supplied from the outside, a write instruction means for instructing writing of the data to the blocks provided in the first storage means, Address conversion means for converting an external address of the data into a storage position in the block using a conversion table in which the external address of the data is associated with a storage position in the block in which the data is stored, and the address conversion Determining means for determining a total number of the data associated with the external addresses stored in the plurality of blocks included in the first storage means by using a storage position in the block converted by the means; The write instruction means includes a plurality of the blocks provided in the first storage means. When it is determined that the total number of the data associated with the stored external address is not a specific number, for the block in which the data associated with the external address is not stored Instructing writing of data newly supplied from the outside.
また、本発明は、外部から供給されるデータを記憶するブロックを複数個備える第1の記憶手段と、前記第1の記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示手段と、前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換手段と、前記ブロックにおける前記データの記憶状態を管理する管理手段と、前記アドレス変換手段で変換されたブロックにおける記憶位置、および、前記管理手段で管理された前記データの記憶状態を利用して、前記第1の記憶手段に、新たな前記データの書き込みにより前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失するブロックがあるかを判定する判定手段と、を備え、前記書き込み指示手段は、前記判定手段が、前記第1の記憶手段に、新たな前記データの書き込みにより前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失する可能性のない前記ブロックがあると判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失しない前記ブロックのうち、前記データの書き込み量が多い前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、を特徴とする。 Further, the present invention provides a first storage means comprising a plurality of blocks for storing data supplied from the outside, a write instruction means for instructing writing of the data to the blocks provided in the first storage means, An address conversion means for converting an external address of the data into a storage position in the block using a conversion table in which the external address of the data is associated with a storage position in the block in which the data is stored; Management means for managing the storage state of the data, the storage position in the block converted by the address conversion means, and the storage state of the data managed by the management means, the first storage means In addition, the data associated with the external address is lost when new data is written. Determination means for determining whether or not there is a block, and the write instruction means includes the determination means associated with the external address by writing new data to the first storage means. If it is determined that there is a block that has no possibility of data loss, among the blocks in which the data associated with the external address is not lost, the block with a large amount of data writing is newly Instructing the writing of data supplied from the outside.
また、本発明は、外部から供給されるデータを記憶するブロックを複数個備える記憶手段を備える半導体記憶装置の制御方法であって、書き込み指示手段が、前記記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示ステップと、アドレス変換手段が、前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換ステップと、判定手段が、前記アドレス変換ステップで変換されたブロックにおける記憶位置を利用して、前記記憶手段が備える複数の前記ブロックに、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されているかを判定する判定ステップと、を含み、前記書き込み指示ステップは、前記判定ステップで、前記記憶手段が備える複数の前記ブロックのいずれかに、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていないと判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていない前記ブロックのうち、前記データの書き込み量が多い前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、を特徴とする。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for controlling a semiconductor storage device including a storage unit including a plurality of blocks for storing data supplied from outside, wherein a write instruction unit transfers the data to the block included in the storage unit. The write instruction step for instructing writing, and the address conversion means block the external address of the data using a conversion table in which the external address of the data is associated with the storage position in the block in which the data is stored. An address conversion step for converting into a storage location in the memory, and a determination means that uses the storage location in the block converted in the address conversion step to associate the external address with the plurality of blocks included in the storage means. And a determination step for determining whether the data is stored. The write instruction step corresponds to the external address when it is determined in the determination step that the data associated with the external address is not stored in any of the plurality of blocks included in the storage unit. Of the blocks in which the attached data is not stored, the block having a large amount of data to be written is instructed to newly write data supplied from the outside.
また、本発明は、外部から供給されるデータを記憶するブロックを複数個備える記憶手段を備える半導体記憶装置の制御方法であって、書き込み指示手段が、前記記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示ステップと、アドレス変換手段が、前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換ステップと、判定手段が、前記アドレス変換ステップで変換されたブロックにおける記憶位置を利用して、前記記憶手段が備える複数の前記ブロックに記憶されている前記外部アドレスと対応付けられた前記データの合計数を判定する判定ステップと、を含み、前記書き込み指示ステップは、前記判定ステップで、前記記憶手段が備える複数の前記ブロックに記憶されている前記外部アドレスと対応付けられた前記データの合計数が、特定数になっていないと判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていない前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、を特徴とする。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for controlling a semiconductor storage device including a storage unit including a plurality of blocks for storing data supplied from outside, wherein a write instruction unit transfers the data to the block included in the storage unit. The write instruction step for instructing writing, and the address conversion means block the external address of the data using a conversion table in which the external address of the data is associated with the storage position in the block in which the data is stored. An address conversion step for converting to a storage position in the memory, and the determination means, using the storage position in the block converted in the address conversion step, the external address stored in the plurality of blocks provided in the storage means A determination step for determining a total number of the associated data. In the write instruction step, the determination step determines that the total number of the data associated with the external address stored in the plurality of blocks included in the storage means is not a specific number. In this case, the writing of data newly supplied from the outside is instructed to the block in which the data associated with the external address is not stored.
また、本発明は、外部から供給されるデータを記憶するブロックを複数個備える記憶手段を備える半導体記憶装置の制御方法であって、書き込み指示手段が、前記記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示ステップと、アドレス変換手段が、前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換ステップと、管理手段が、前記ブロックにおける前記データの記憶状態を管理する管理ステップと、判定手段が、前記アドレス変換ステップで変換されたブロックにおける記憶位置、および、前記管理ステップで管理された前記データの記憶状態を利用して、前記記憶手段に、新たな前記データの書き込みにより前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失するブロックがあるかを判定する判定ステップと、を含み、前記書き込み指示ステップは、前記判定ステップで、前記記憶手段に、新たな前記データの書き込みにより前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失する可能性のない前記ブロックがあると判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失しない前記ブロックのうち、前記データの書き込み量が多い前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、を特徴とする。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for controlling a semiconductor storage device including a storage unit including a plurality of blocks for storing data supplied from outside, wherein a write instruction unit transfers the data to the block included in the storage unit. The write instruction step for instructing writing, and the address conversion means block the external address of the data using a conversion table in which the external address of the data is associated with the storage position in the block in which the data is stored. An address conversion step for converting to a storage position in the management unit, a management unit for managing a storage state of the data in the block, a storage unit in the block converted in the address conversion step, and a determination unit Using the storage state of the data managed in the management step Determining whether the storage means has a block in which the data associated with the external address is lost by writing the new data, and the writing instruction step is the determining step, If it is determined that there is a block in the storage means that is not likely to lose the data associated with the external address by writing new data, the data associated with the external address is lost. Of the blocks that are not, the block that has a large amount of data to be written is instructed to write new data supplied from the outside.
本発明によれば、判定手段が、第1の記憶手段が備える複数のブロックのいずれかに、外部アドレスと対応付けられたデータが記憶されていないと判定した場合、外部アドレスと対応付けられたデータが記憶されていないブロックに対して、新たに外部から供給されるデータを書き込むことができるので、データの消去回数を抑えながら、データを書き込む同一ブロック内にある以前に記憶した有効データが破壊されて読み出せなくなることを防止することができ、データの書き込み速度が向上するという効果を奏する。
また、本発明によれば、判定手段が、第1の記憶手段が備える複数のブロックのいずれかに、外部アドレスと対応付けられたデータが記憶されていないと判定した場合、外部アドレスと対応付けられたデータが記憶されていないブロックのうち、データの書き込み量が多いブロックに対して、新たに外部から供給されるデータを書き込むことができるので、データの消去回数を更に抑えながら、データを書き込む同一ブロック内にある以前に記憶した有効データが破壊されて読み出せなくなることを防止することができ、データの書き込み速度が向上するという効果を奏する。
According to the present invention, when the determination unit determines that the data associated with the external address is not stored in any of the plurality of blocks included in the first storage unit, the data is associated with the external address. Newly supplied data can be written to a block in which no data is stored, so the previously stored valid data in the same block to which data is written is destroyed while suppressing the number of data erases. Thus, it is possible to prevent the data from being read out, and the data writing speed is improved.
According to the invention, when the determination unit determines that data associated with the external address is not stored in any of the plurality of blocks included in the first storage unit, the determination unit associates with the external address. Of the blocks in which stored data is not stored, new externally supplied data can be written to blocks with a large amount of data written, so data can be written while further reducing the number of data erasures. It is possible to prevent valid data stored in the same block from being destroyed and cannot be read out, and the data writing speed is improved.
また、本発明によれば、判定手段が、第1の記憶手段が備える複数のブロックに記憶されている外部アドレスと対応付けられたデータの合計数が、特定数になっていないと判定した場合、外部アドレスと対応付けられたデータが記憶されていないブロックに対して、新たに外部から供給されるデータを書き込むことができるので、データの消去回数を抑えながら、データを書き込む同一ブロック内にある以前に記憶した有効データが破壊されて読み出せなくなることを防止することができ、データの書き込み速度が向上するという効果を奏する。 Further, according to the present invention, when the determination unit determines that the total number of data associated with the external addresses stored in the plurality of blocks included in the first storage unit is not a specific number Since new externally supplied data can be written to a block in which data associated with an external address is not stored, the data is written in the same block where the number of data erasures is suppressed. It is possible to prevent the previously stored valid data from being destroyed and cannot be read out, and the data writing speed is improved.
また、本発明によれば、判定手段が、第1の記憶手段が備える複数のブロックのいずれかに、新たなデータの書き込みにより外部アドレスと対応付けられたデータが消失するブロックがないと判定した場合、外部アドレスと対応付けられたデータが消失しないブロックに対して、新たに外部から供給されるデータを書き込むことができるので、データの消去回数を抑えながら、データを書き込む同一ブロック内にある以前に記憶した有効データが破壊されて読み出せなくなることを防止することができ、データの書き込み速度が向上するという効果を奏する。
また、本発明によれば、判定手段が、第1の記憶手段が備える複数のブロックのいずれかに、新たなデータの書き込みにより外部アドレスと対応付けられたデータが消失するブロックがないと判定した場合、外部アドレスと対応付けられたデータが消失しないブロックのうち、データの書き込み量が多いブロックに対して、新たに外部から供給されるデータを書き込むことができるので、データの消去回数を更に抑えながら、データを書き込む同一ブロック内にある以前に記憶した有効データが破壊されて読み出せなくなることを防止することができ、データの書き込み速度が向上するという効果を奏する。
According to the invention, the determination unit determines that there is no block in which data associated with the external address is lost by writing new data in any of the plurality of blocks included in the first storage unit. In this case, since data externally supplied can be written to a block in which the data associated with the external address does not disappear, before the data is in the same block in which the data is written while suppressing the number of data erasures. It is possible to prevent the effective data stored in the memory from being destroyed and cannot be read out, and the data writing speed is improved.
According to the invention, the determination unit determines that there is no block in which data associated with the external address is lost by writing new data in any of the plurality of blocks included in the first storage unit. In this case, since data externally supplied can be written into a block in which the amount of data written is large among blocks in which data associated with the external address is not lost, the number of times of erasing data is further suppressed. However, the previously stored valid data in the same block in which data is written can be prevented from being destroyed and cannot be read out, and the data writing speed is improved.
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法の最良な実施の形態を詳細に説明する。 Exemplary embodiments of a semiconductor memory device and a method for controlling the semiconductor memory device according to the present invention will be explained below in detail with reference to the accompanying drawings.
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態にかかる半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。半導体記憶装置1は、データを記憶し、ホストIF2、DRAM3、NAND Flash ROM4、および、コントローラ5を備えて構成されている。ホストIF2は、パーソナルコンピュータなどのホスト機器6とのデータ通信を行い、データを送受信する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the semiconductor memory device according to the first embodiment. The
DRAM3は、稼働時には、ホスト機器6から供給された書き込みデータ、および、NAND Flash ROM4から読み出された読み出しデータである書き込み/読み出しデータ7を一時的に保存するメモリである。また、DRAM3は、稼働時には、NAND Flash ROM4から読み出されたアドレス変換テーブル8を一時的に保存する。アドレス変換テーブル8についての詳しい説明は、NAND Flash ROM4の説明の際に行う。
The
NAND Flash ROM4は、MLC型NAND Flash ROMであり、DRAM3に一時的に保存されているホスト機器6から供給されたデータを記憶する。NAND Flash ROM4は、アドレス変換テーブル8、第1の記憶部9、第2の記憶部10、および、ブロック管理リスト11を備えて構成されている。
The
ここで、一般的なMLC型NAND Flash ROMの構造とその問題点について説明する。図2は、一般的なMLC型NAND Flash ROMの構造を説明する図である。なお、本図のNAND Flash ROMは、メモリセル当り2ビットの情報を記憶する。 Here, the structure of a general MLC type NAND flash ROM and its problems will be described. FIG. 2 is a diagram for explaining the structure of a general MLC-type NAND flash ROM. Note that the NAND flash ROM of this figure stores 2 bits of information per memory cell.
NAND Flash ROMは、ブロックと呼ばれる消去動作の単位毎に区分されている。さらにブロックは、ページと呼ばれる書き込み/読み出しの単位毎に区分されていおり、ページ毎にメモリセルの何番目のビットに対応するかが決まっている。図の例では、1ブロックのページ番号は0〜7あり、ページ数は全部で8ページある。そして、データのページへの書き込みは、0、1、2、・・・7の順番に規定されている。さらに、図のページ番号4までデータが既に記憶されている。
The NAND flash ROM is divided into units of erase operations called blocks. Further, the block is divided into units of writing / reading called pages, and the number of bits of the memory cell corresponding to each page is determined. In the example of the figure, the page number of one block is 0 to 7, and the total number of pages is 8 pages. The writing of data to the page is defined in the order of 0, 1, 2,... Further, data is already stored up to
通常、同一のメモリセルにおいて、最初に書き込むビットに対応するページをLower Pageと呼び、2番目に書き込むビットに対応するページをUpper Pageと呼ぶ。従って、NAND Flash ROMでは、同一のメモリセルを共有するLower PageとUpper Pageの間では、Lower Pageへのデータの書き込みが終了した後でなければ、Upper Pageへのデータの書き込みをすることができない。ここでは、ページ番号0と1、2と3、4と5、および、6と7がそれぞれ同一のメモリセルを共有している。
Normally, in the same memory cell, a page corresponding to the first bit to be written is called a Lower Page, and a page corresponding to the second bit to be written is called an Upper Page. Therefore, in the NAND flash ROM, data cannot be written to the upper page between the lower page and the upper page sharing the same memory cell until after the data has been written to the lower page. . Here,
このような構造のNAND Flash ROMでは、Upper Pageへのデータの書き込み中に電源の供給が遮断されると、同一メモリセルのLower Pageに既に書き込んだデータも消失してしまうという問題がある。一方、Lower Pageへデータを書き込んでいる最中に電源の供給が遮断された場合には、別のメモリセル(Lower PageおよびUpper Page)に既に書き込んだデータが消失する事態は発生しない。 In the NAND flash ROM having such a structure, there is a problem in that data already written in the lower page of the same memory cell is lost when power supply is interrupted while data is being written into the upper page. On the other hand, when the supply of power is interrupted while data is being written to the Lower Page, data already written in other memory cells (Lower Page and Upper Page) will not be lost.
つまり、Upper Pageへデータを書き込みする場合にのみ、対応する同一メモリセルのLower Pageに書き込み済みのデータが破壊され消失してしまうという問題が発生する。図の例では、ページ番号5(Upper Page)へのデータの書き込み中に電源の供給が遮断されると、同一のメモリセルを共有するページ番号4(Lower Page)に記憶されていたデータも破壊されてしまう。 That is, only when data is written to the upper page, there is a problem that data already written to the lower page of the corresponding memory cell is destroyed and lost. In the example shown in the figure, if power supply is interrupted while data is being written to page number 5 (Upper Page), the data stored in page number 4 (Lower Page) sharing the same memory cell is also destroyed. Will be.
なお、同一メモリセルのLower PageおよびUpper Pageが、複数のページを構成している場合には、同一メモリセルで構成される複数のページに対して、本問題が同様に発生する。 Note that, when the lower page and the upper page of the same memory cell form a plurality of pages, this problem similarly occurs for a plurality of pages formed of the same memory cell.
本問題は、本実施の形態にかかるNAND Flash ROM4でも同じであり、前述した、アドレス変換テーブル8、第1の記憶部9、第2の記憶部10、および、ブロック管理リスト11も基本的には同じ構造である。そして、本実施の形態では、本問題が発生することを未然に防ぐことを目的としている。
This problem is the same in the
アドレス変換テーブル8は、NAND Flash ROM4において、ホスト機器6から供給されたデータが記憶されているブロックのページ位置(アドレス)を示すテーブルである。従って、アドレス変換テーブル8は、ホスト機器6から供給されたデータがNAND Flash ROM4に記憶されている位置(アドレス)を1ページ単位でテーブル内に記憶している。ここで、アドレス変換テーブル8にアドレスが記憶されているページのデータ(アドレス変換テーブル8が指すデータ)を有効データと呼ぶ。一方、アドレス変換テーブル8にアドレスが記憶されていないページのデータ(何らかのデータは記憶されているが、アドレス変換テーブル8が指さないデータ)を無効データと呼ぶ。
The address conversion table 8 is a table showing page positions (addresses) of blocks in the
なお、アドレス変換テーブル8は、半導体記憶装置1が稼働を停止している時は、NAND Flash ROM4にのみ存在するが、ホスト機器6から半導体記憶装置1にデータの書き込み/読み出し指示があると、NAND Flash ROM4からアドレス変換テーブル8が読み出され、DRAM3に一時的に保存される。そして、後述するコントローラ5のアドレス変換部14は、DRAM3に一時的に保存されたアドレス変換テーブル8に対してアドレス更新を行う。なお、NAND Flash ROM4におけるアドレス変換テーブル8のアドレス更新は、例えば半導体記憶装置1が稼働を停止する時など、任意のタイミングで行われる。
Note that the address conversion table 8 exists only in the
第1の記憶部9および第2の記憶部10は、それぞれ前述したブロックを複数個備えており、各ブロックには、ホスト機器6から供給後DRAM3に一時保存されているデータが記憶される。なお、実際にデータが記憶されるブロックは、後述するコントローラ5の書き込み/読み出し指示部13が、第1の記憶部9および第2の記憶部10に属するブロックの中から選択する。図1では、第1の記憶部9には、ブロックA〜Dの4つのブロックが属しており、第2の記憶部10には、ブロックE、Fの2つのブロックが属していることを示している。
Each of the
ここで、第1の記憶部9に属するブロックには、ホスト機器6から供給後DRAM3に一時保存されている全てのデータが最初に書き込まれる。一方、第2の記憶部10に属するブロックには、第1の記憶部9に書き込み可能なブロックが存在しない場合に、第1の記憶部9に属するブロックから後述するコントローラ5の移動部16により指示されたデータのみが書き込まれる。
Here, all data temporarily stored in the
なお、第1の記憶部9に属するブロックと第2の記憶部10に属するブロックとは、固定されているものではなく、後述するコントローラ5のブロック管理部17により、動的に変更される。
The blocks belonging to the
ブロック管理リスト11は、第1の記憶部9に属するブロックと、第2の記憶部10に属するブロックとを管理するリストである。図3は、ブロック管理リスト11を示す図である。本図では、第1の記憶部9に属するブロックは、ブロックA〜Dの4つのブロックであり、第2の記憶部10に属するブロックは、ブロックE、Fの2つのブロックであることを示している。
The
なお、ブロック管理リスト11は、NAND Flash ROM4にのみ存在しているが、ホスト機器6から半導体記憶装置1にデータの書き込み/読み出し指示があると、NAND Flash ROM4からブロック管理リスト11が読み出され、DRAM3に一時的に保存されるようにしてもよい。その場合、後述するコントローラ5のブロック管理部17は、DRAM3に一時的に保存されたブロック管理リスト11に対して更新を行い、NAND Flash ROM4におけるブロック管理リスト11の更新は、例えば半導体記憶装置1が稼働を停止する時など、任意のタイミングで行われる。
Note that the
コントローラ5は、半導体記憶装置1の動作を制御する。コントローラ5は、CPU12を備えて構成されており、CPU12が実行する命令により半導体記憶装置1を制御する。CPU12は、書き込み/読み出し指示部13、アドレス変換部14、判定部15、移動部16、および、ブロック管理部17を備えて構成されている。なお、実際には、CPU12が実行するプログラムが、書き込み/読み出し指示部13、アドレス変換部14、判定部15、移動部16、および、ブロック管理部17を含むモジュール構成となっており、CPU12がROMなど(図示せず)から当該プログラムを読み出して実行することにより、書き込み/読み出し指示部13、アドレス変換部14、判定部15、移動部16、および、ブロック管理部17がCPU12に生成される。
The
書き込み/読み出し指示部13は、ホスト機器6からの要求に従い、DRAM3からNAND Flash ROM4(判定部15が特定した第1の記憶部9に属するブロック)へのデータの書き込み、および、NAND Flash ROM4(第1の記憶部9または第2の記憶部10に属するブロック)からDRAM3へのデータの読み出しを指示する。
The write /
アドレス変換部14は、ホスト機器6から供給されるデータの外部アドレスから、実際にNAND Flash ROM4中のデータが記憶されているブロックのページ位置を変換する。アドレス変換部14は、具体的には、ホスト機器6から供給されたデータがNAND Flash ROM4に記憶された時に、データの外部アドレスと記憶されたブロックのページ位置とを対応付けてアドレス変換テーブル8に記憶し、後ほど、ホスト機器6から読み出し要求があると、その外部アドレスを対応するブロックのページ位置に変換する。従って、アドレス変換は、1ページ単位で行われる。
The
図4は、アドレス変換部14によるアドレス変換方法を説明する図である。アドレス変換部14は、アドレス変換テーブル8を用いて、ホスト機器6から供給される外部アドレスから、NAND Flash ROM4内のブロックのページ位置を変換する。なお、アドレス変換部14による変換は、具体的には、ホスト機器6から供給される外部アドレスの上位部分の数ビットをNAND Flash ROM4のブロックのページ位置に変換し、残りの下位部分の数ビットをページ内のデータ位置に変換することにより行われる。
FIG. 4 is a diagram for explaining an address conversion method by the
本図では、外部アドレスから供給されるアドレスは48ビットであり、外部アドレスのうち、ブロックのページ位置への変換には上位37ビットが使用され、ページ内のデータ位置への変換には下位11ビットが使用されているが、これは1ページあたりの記憶容量により異なる。ここで、アドレス変換テーブル8が記憶するNAND Flash ROM4のブロックのページ位置のデータは、各外部アドレスに対応して記憶された有効データであり、このデータを消失することは許されない。
In this figure, the address supplied from the external address is 48 bits. Of the external address, the upper 37 bits are used for conversion to the page position of the block, and the lower 11 bits are used for conversion to the data position within the page. Bits are used, but this depends on the storage capacity per page. Here, the data of the page position of the block of the
なお、NAND Flash ROMを用いた半導体記憶装置では、NAND Flash ROMへの書き込みの前には消去動作が必要であることや、NAND Flash ROMの特定個所に集中して書き換えを行うと寿命を縮めてしまうといった理由から、ホスト機器から供給される外部アドレスのデータを任意のブロックのページに記憶できるように、アドレス変換部を導入することが一般的である。 Note that in a semiconductor memory device using a NAND flash ROM, an erasing operation is necessary before writing to the NAND flash ROM, and shortening the lifetime if rewriting is concentrated on a specific part of the NAND flash ROM. For this reason, it is common to introduce an address conversion unit so that external address data supplied from the host device can be stored in a page of an arbitrary block.
判定部15は、ホスト機器6からデータの書き込み要求がきた場合に、第1の記憶部9に有効データが記憶されていないブロックがあるかを判定し、そのブロックを特定する。具体的には、判定部15は、第1の記憶部9に属するブロックのうち、アドレス変換テーブル8が指すデータ(有効データ)が記憶されていないブロックを特定する。そして、特定されたブロックに、書き込み/読み出し指示部13がホスト機器6からのデータの書き込みを行う。
When a data write request is received from the
図5は、判定部15による判定方法を説明する図である。本図では、第1の記憶部9に属するブロックは、ブロックA〜Dである。そして、ブロックA〜Dのなかで、有効データが記憶されていないブロック(アドレス変換テーブル8が指すデータが記憶されていないブロック)は、ブロックAだけであり、判定部15は、ブロックAを特定する。
FIG. 5 is a diagram illustrating a determination method by the
移動部16は、ホスト機器6からデータの書き込み要求があり、第1の記憶部9に有効データが記憶されていないブロックがない場合、第1の記憶部9の各ブロックに記憶されている有効データを、第2の記憶部10に属するブロックに移動する。移動部16は、具体的には、第1の記憶部9の各ブロックに記憶されている有効データを、一旦DRAM3に読み出し、第2の記憶部10のブロックへまとめて書き込む。
When there is a data write request from the
図6および図7は、移動部16によるデータの移動方法を説明する図である。なお、図6は、移動部16によるデータの移動前を表し、図7は、移動部16によるデータの移動後を表している。図6では、第1の記憶部9に属するブロックA〜Dには、全て有効データが記憶されている。このため、移動部16は、図7のように、ブロックA〜Dに記憶されている有効データを、第2の記憶部10に属するブロックEに移動する。なお、移動部16がデータを移動した後、アドレス変換テーブル8のデータ位置は、アドレス変換部14により移動先のデータ位置を指すように更新される。これにより、これまでブロックA〜Dに記憶されていた有効データはすべて無効データとなる。
6 and 7 are diagrams for explaining a data moving method by the moving
ブロック管理部17は、ブロック管理リスト11、すなわち、第1の記憶部9に属するブロックと第2の記憶部10に属するブロックをそれぞれ管理する。前述したように、ホスト機器6から供給されるデータの書き込みには、第1の記憶部のブロック9が使用され、移動部16によるデータの移動時にのみ第2の記憶部10のブロックが使用される。
The
そして、ブロック管理部17は、移動部16により第1の記憶部9のブロックに記憶されたデータが第2の記憶部10のブロックに移動された後、データが移動されたブロックを第1の記憶部9に移動し、代わりに第1の記憶部9に属していたブロックのうち1つを第2の記憶部10に移動するようにブロック管理リスト11を変更する。前提条件として、第2の記憶部10に移動されるブロックは、有効データが記憶されていないブロックである。
Then, after the data stored in the block of the
ここで、図6および図7をみると、図6の移動前にはブロック管理リスト11の第2の記憶部10に属していたブロックEが、図7の移動後には第1の記憶部10に移動し、代わりに、移動前には第1の記憶部9に属していたブロックAが、第2の記憶部10に移動していることがわかる。この例では、ブロックA〜Dのうち未使用のページが最も少ないブロックAを第2の記憶部10に移動している。これは、第2の記憶部10に属するブロックの未使用ページは使用されていなくても、ブロックで一括の消去処理がされてしまうため、未使用ページが最も少ないブロックを第2の記憶部10に移動することで無駄を少なくするためである。
6 and 7, the block E that belonged to the
そして、移動部16およびブロック管理部17により、第1の記憶部9に属していたブロックA〜Dの有効データは全てブロックEに移動され、第2の記憶部10に移動したブロックA以外のブロックB〜Dに対して、データの書き込みを行うことができる状態となる。
Then, the valid data of the blocks A to D belonging to the
(データの書き込み方法)
次に、本実施の形態にかかる半導体記憶装置1において、NAND Flash ROM4に新しいデータを書き込みする方法について説明する。図8は、半導体記憶装置1がNAND Flash ROM4に新しいデータを書き込みする方法を説明するフローチャートである。ホスト機器6から半導体記憶装置1に対して、データの書き込み指示があると、ホスト機器6から供給された書き込みデータは、DRAM3に一時的に保存される。
(Data writing method)
Next, a method for writing new data to the
そして、判定部15は、第1の記憶部9に有効なデータが記憶されていないブロックがあるか否かを判定する(ステップS11)。具体的には、判定部15は、第1の記憶部9に属するブロックのうち、アドレス変換テーブル8が指すデータ(有効データ)が記憶されていないブロックがあるか否かを判定する。
Then, the
判定部15は、第1の記憶部9に有効なデータが記憶されていないブロックがあると判定すると(ステップS11:Yes)、そのブロックを特定し、書き込み/読み出し指示部13は、第1の記憶部9の有効データが記憶されていないブロックに対してデータの書き込みを指示し(ステップS12)、ブロックへのデータの書き込みが行われる。
When the
一方、判定部15は、第1の記憶部9に有効なデータが記憶されていないブロックがないと判定すると(ステップS11:No)、移動部16は、第1の記憶部9のブロックのうちいくつかのブロックの有効データを第2の記憶部10のブロックに移動する(ステップS13)。この場合、該当するブロックに存在する有効データを全て移動するようにし、移動後は、該当するブロックに有効データが一切残らないようにすることが望ましい。また、第2の記憶部10のブロックが複数存在する場合には、有効データをまとめて複数のブロックに一度に移動してもよいが、移動する有効データの合計が、ブロック単位にまとまることが望ましい。
On the other hand, when the
なお、前述したように、移動部16は、NAND Flash ROM4のブロックに記憶されている有効データを、一旦DRAM3に読み出し、NAND Flash ROM4の他のブロックへ書き込んでいる。しかし、今回のホスト機器6からの書き込み指示以前に行われたホスト機器6からの読み出し指示により、該当する有効データがNAND Flash ROM4から読み出され、DRAM3に一時的に保存されている場合には、そのデータを用いて書き込みを直接行ってもよい。この場合、NAND Flash ROM4のブロックに記憶されている有効データを、DRAM3に読み出す時間を省略することができる。
As described above, the moving
次に、アドレス変換部14は、第2の記憶部10のブロックに移動した有効データについてのアドレス変換テーブル8における内容を、有効データの移動先(第2の記憶部10のブロック/ページ位置)を指すように更新する(ステップS14)。
Next, the
次に、ブロック管理部17は、有効データの移動先の第2の記憶部10のブロックを第1の記憶部9のリストに移動し、有効データの移動元であり現在は有効データが記憶されていない第1の記憶部9のブロックを第2の記憶部10のリストに移動する(ステップS15)。この場合、移動するブロックは、いくつでも構わない。
Next, the
その後、ステップS12で、書き込み/読み出し指示部13は、第1の記憶部9の有効データが記憶されていないブロック(有効データが移動したブロック)に対してデータの書き込みを指示し、ブロックへのデータの書き込みが行われる。
Thereafter, in step S12, the write /
最後に、アドレス変換部14は、ブロックへの書き込みが行われたデータについてのアドレス変換テーブル8における内容を、データの移動先(第1の記憶部9のブロック/ページ位置)を指すように更新する(ステップS16)。以上のステップを経て、NAND Flash ROM4に対する新しいデータの書き込みが終了する。
Finally, the
なお、ステップS12で、第1の記憶部9の有効データが無いブロックが複数存在する場合は、書き込み/読み出し指示部13は、いずれかのブロックを選択する必要がある。この場合、データの書き込みがされていない未使用のページが最も少ないブロックを選択すれば、未使用のページが多いブロックが残ることになる。そうすれば、この後、数ページにもわたる大きいサイズのデータの書き込み要求が来た時にも、消去操作なしでデータを書き込むことができるため、消去回数を削減し、半導体記憶装置1(NAND Flash ROM4)の寿命を延ばすことが期待できる。ただし、選択方法はこれに限定されるものではなく、任意で選択することも可能である。
If there are a plurality of blocks without valid data in the
(変形例)
本実施の形態にかかる半導体記憶装置1では、判定部15は、ホスト機器6からデータの書き込み要求がきた場合に、第1の記憶部9に有効データが記憶されていないブロックがあるかを判定し、そのブロックを特定する。しかしながら、この場合、第1の記憶部9に有効データが記憶されていないブロックがなくなるまで、移動部16による有効データの移動は行わない。このため、判定部15が有効データが記憶されていないブロックがないと判定すると、その際のデータの書き込み要求の開始から終了までの時間が非常に長くなってしまう。
(Modification)
In the
これに対して、変形例として、判定部15は、ホスト機器6からデータの書き込み要求がきた場合に、第1の記憶部9の各ブロックに記憶されている有効なデータの合計が1ブロック以上あるかどうかを判定し、それらのブロックを特定する。そして、移動部16は、有効なデータの合計が1ブロック以上溜まるごとに、第1の記憶部9の各ブロックに記憶されている有効データを、第2の記憶部10に属するブロックに移動することにより、データの書き込み要求の開始から終了までの時間を平均化(最も長くなる場合の時間を改善)することができる。
On the other hand, as a modification, the
図9は、半導体記憶装置1がNAND Flash ROM4に新しいデータを書き込みする方法の変形例を説明するフローチャートである。ホスト機器6から半導体記憶装置1に対して、データの書き込み指示があると、判定部15は、第1の記憶部9の各ブロックに記憶されている有効なデータの合計が1ブロック以上あるか否かを判定する(ステップS21)。具体的には、判定部15は、第1の記憶部9に属するブロックにおいて、アドレス変換テーブル8が指すデータ(有効データ)の合計が1ブロック以上あるか否かを判定する。
FIG. 9 is a flowchart for explaining a modification of the method in which the
そして、判定部15は、第1の記憶部9の各ブロックに記憶されている有効なデータの合計が1ブロック以上ないと判定すると(ステップS21:No)、第1の記憶部9に有効なデータが記憶されていないブロックを特定し、書き込み/読み出し指示部13は、第1の記憶部9の有効データが記憶されていないブロックに対してデータの書き込みを指示し(ステップS22)、ブロックへのデータの書き込みが行われる。なお、この場合は、第1の記憶部9の各ブロックに記憶されている有効なデータの合計が1ブロック以上ない場合には、第1の記憶部9に有効なデータが記憶されていないブロックがあることを前提としている。
And if the
一方、判定部15は、第1の記憶部9の各ブロックに記憶されている有効なデータの合計が1ブロック以上あると判定すると(ステップS21:Yes)、移動部16は、第1の記憶部9のブロックのうちいくつかのブロックの有効データ1ブロック分を第2の記憶部10のブロックに移動する(ステップS23)。その後のステップS24〜S26は、図8のステップS14〜S16と同じであるので説明を省略する。
On the other hand, when the
なお、変形例では、第1の記憶部9の各ブロックに記憶されている有効なデータの合計が1ブロック以上あるかどうかを、移動部16によるデータ移動の判定基準としているが、n(nは自然数)ブロック以上あるかどうかを判定基準としてもよい。
In the modification, whether or not the total of valid data stored in each block of the
このように、第1の実施の形態にかかる半導体記憶装置によれば、判定部が、第1の記憶部が備える複数のブロックのいずれかに、外部アドレスと対応付けられたデータが記憶されていないと判定した場合、外部アドレスと対応付けられたデータが記憶されていないブロックに対して、新たに外部から供給されるデータを書き込むことができるので、データの消去回数を抑えながら、データを書き込む同一ブロック内にある以前に記憶した有効データが破壊されて読み出せなくなることを防止することができ、データの書き込み速度を向上させることが可能となる。 Thus, according to the semiconductor memory device according to the first embodiment, the determination unit stores data associated with the external address in any of the plurality of blocks provided in the first storage unit. If it is determined that the data is not stored, data externally supplied can be written to a block in which data associated with the external address is not stored, so that data can be written while suppressing the number of data erasures. It is possible to prevent the previously stored valid data in the same block from being destroyed and cannot be read out, and the data writing speed can be improved.
さらに、第1の実施の形態にかかる半導体記憶装置によれば、判定部が、第1の記憶部が備える複数のブロックの全てに、外部アドレスと対応付けられたデータが記憶されていると判定した場合、移動部が、第1の記憶部が備える複数のブロックが記憶する外部アドレスと対応付けられたデータを、第2の記憶部が備えるブロックに移動し、外部アドレスと対応付けられたデータが移動した後のブロックに対して、新たに外部から供給されるデータを書き込むことができるので、データの消去回数を抑えながら、データを書き込む同一ブロック内にある以前に記憶した有効データが破壊されて読み出せなくなることを防止することができ、データの書き込み速度を向上させることが可能となる。 Furthermore, according to the semiconductor memory device according to the first embodiment, the determination unit determines that data associated with the external address is stored in all of the plurality of blocks included in the first storage unit. In this case, the moving unit moves the data associated with the external address stored in the plurality of blocks included in the first storage unit to the block included in the second storage unit, and the data associated with the external address. Since newly supplied data can be written to the block after the data has moved, previously stored valid data in the same block to which the data is written is destroyed while suppressing the number of data erasures. Thus, it becomes possible to prevent the data from being read out, and the data writing speed can be improved.
さらに、第1の実施の形態にかかる半導体記憶装置によれば、判定部が、第1の記憶部が備える複数のブロックに記憶されている外部アドレスと対応付けられたデータの合計数が、特定数になっていないと判定した場合、外部アドレスと対応付けられたデータが記憶されていないブロックに対して、新たに外部から供給されるデータを書き込むことができるので、データの消去回数を抑えながら、データを書き込む同一ブロック内にある以前に記憶した有効データが破壊されて読み出せなくなることを防止することができ、データの書き込み速度を向上させるとともに、データの書き込み要求の開始から終了までの時間を平均化させることが可能となる。 Furthermore, according to the semiconductor memory device according to the first embodiment, the determination unit specifies the total number of data associated with the external addresses stored in the plurality of blocks included in the first storage unit. When it is determined that the number is not a number, since data supplied from the outside can be newly written to a block in which data associated with an external address is not stored, the number of data erasures can be reduced. This prevents the previously stored valid data in the same block where data is written from being destroyed and cannot be read out, improving the data writing speed, and the time from the start to the end of the data write request. Can be averaged.
(第2の実施の形態)
第1の実施の形態では、第1の記憶部に有効なデータが記憶されていないブロックがない場合に、第1の記憶部のブロックの有効データを第2の記憶部のブロックに移動するが、第2の実施の形態では、第1の記憶部にデータが消失する可能性のある有効なデータが記憶されていないブロックがない場合に、第1の記憶部のブロックの有効データを第2の記憶部のブロックに移動する。第2の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。本実施の形態にかかる半導体記憶装置の構成について、第1の実施の形態と異なる部分を説明する。他の部分については第1の実施の形態と同様であるので、同一の符号が付された箇所については、上述した説明を参照し、ここでの説明を省略する。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, when there is no block in which no valid data is stored in the first storage unit, the valid data in the block in the first storage unit is moved to the block in the second storage unit. In the second embodiment, when there is no block in which no valid data that may cause data loss is stored in the first storage unit, the valid data of the block in the first storage unit is stored in the second storage unit. Move to the storage block. A second embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. Regarding the configuration of the semiconductor memory device according to the present embodiment, a different part from the first embodiment will be described. The other parts are the same as those in the first embodiment, and therefore, the parts having the same reference numerals are referred to the above description, and the description thereof is omitted here.
第1の実施の形態の図2で説明したように、Upper Pageへデータを書き込みする場合には、対応する同一メモリセルのLower Pageに書き込み済みのデータが破壊され消失してしまうという問題が発生する。図2の例では、ページ番号5(Upper Page)へのデータの書き込み中に電源の供給が遮断されると、同一のメモリセルを共有するページ番号4(Lower Page)に記憶されているデータが破壊される。 As described with reference to FIG. 2 of the first embodiment, when data is written to the upper page, there is a problem that data already written to the lower page of the corresponding same memory cell is destroyed and lost. To do. In the example of FIG. 2, if power supply is interrupted while data is being written to page number 5 (Upper Page), the data stored in page number 4 (Lower Page) sharing the same memory cell is stored. Destroyed.
ここで、Lower Page(ページ番号4)に記憶されているデータが無効データであれば、万が一、書き込みに失敗したとしても、有効データが消失することがないため書き込みを行っても問題はない。同様に、Lower Pageから書き込みを開始する場合にも、書き込みの失敗により、有効データが消失することはない。本実施の形態にかかる半導体記憶装置では、この点に着目している。 Here, if the data stored in the lower page (page number 4) is invalid data, there is no problem even if the writing is performed because the valid data is not lost even if the writing fails. Similarly, when writing is started from the lower page, valid data is not lost due to the writing failure. The semiconductor memory device according to the present embodiment pays attention to this point.
図10は、第2の実施の形態にかかる半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。半導体記憶装置21は、ホストIF2、DRAM3、NAND Flash ROM22、および、コントローラ23を備えて構成されている。また、NAND Flash ROM22は、アドレス変換テーブル8、第1の記憶部9、第2の記憶部10、ブロック管理リスト11、および、ブロック記憶管理リスト24を備えて構成されている。
FIG. 10 is a block diagram of the configuration of the semiconductor memory device according to the second embodiment. The
ブロック記憶管理リスト24は、各ブロックの何ページまでデータが記憶されているかを示すリストである。図11は、ブロック記憶管理リスト24を示す図である。本図では、あるブロックについてブロック内の4ページまでデータが記憶されており、5ページ以降は未使用であることを示している。ブロック記憶管理リスト24は、第1の記憶ブロック9および第2の記憶部10に属する全てのブロックの記憶状態について記憶している。
The block
なお、ブロック記憶管理リスト24は、NAND Flash ROM22にのみ存在しているが、ホスト機器6から半導体記憶装置21にデータの書き込み/読み出し指示があると、NAND Flash ROM22からブロック記憶管理リスト24が読み出され、DRAM3に一時的に保存されるようにしてもよい。その場合、後述するコントローラ23のブロック記憶管理部27は、DRAM3に一時的に保存されたブロック記憶管理リスト24に対して更新を行い、NAND Flash ROM22におけるブロック記憶管理リスト24の更新は、半導体記憶装置21が稼働を停止する時など、例えば任意のタイミングで行われる。
The block
コントローラ23は、CPU25を備えて構成されており、CPU25が実行する命令により半導体記憶装置21を制御する。CPU25は、書き込み/読み出し指示部13、アドレス変換部14、判定部26、移動部16、ブロック管理部17、および、ブロック記憶管理部27を備えて構成されている。
The
判定部26は、ホスト機器6からデータの書き込み要求がきた場合に、第1の記憶部9に属するブロックの中で、新たなデータの書き込みにより有効データが消失する可能性のないブロックがあるかを判定し、そのブロックを特定する。判定部26は、具体的には、アドレス変換テーブル8、および、ブロック記憶管理リスト24を用いて、新たなデータの書き込みの開始がUpper Pageからであり、かつ、そのページのLower Pageに記憶されているデータが無効データであるブロック、または、新たなデータの書き込みの開始がLower Pageからであるブロックがあるかを判定し、そのブロックを特定する。
When the data write request is received from the
図12は、判定部26による判定方法を説明する図である。ここで、図の各ブロックに記述されているLは、Lower Pageであることを意味し、図の各ブロックに記述されているUは、Upper Pageであることを意味する。本図では、第1の記憶部9に属するブロックは、ブロックA〜Dである。そして、ブロックA〜Dのなかで、ブロックAは、新たなデータの書き込みの開始がLower Pageからであり、新たなデータの書き込み先として使用することが可能となる。同様に、ブロックDは、新たなデータの書き込みの開始がUpper Pageからであり、かつ、そのページのLower Pageに記憶されているデータが無効データであるので、新たなデータの書き込み先として使用することが可能となる。図では、判定部26は、ブロックDを特定しているが、ブロックAを特定してもよい。
FIG. 12 is a diagram for explaining a determination method by the
そして、移動部16は、ホスト機器6からデータの書き込み要求があり、第1の記憶部9に属するブロックの中で、新たなデータの書き込みにより有効データが消失する可能性のないブロックがない場合、第1の記憶部9の各ブロックに記憶されている有効データを、第2の記憶部10に属するブロックに移動する。
The moving
ブロック記憶管理部27は、ブロック記憶管理リスト24、すなわち、第1の記憶部9および第2の記憶部10に属するブロックの各ページの記憶状態をそれぞれ管理する。
The block
(データの書き込み方法)
次に、本実施の形態にかかる半導体記憶装置21において、NAND Flash ROM22に新しいデータを書き込みする方法について説明する。図13は、半導体記憶装置21がNAND Flash ROM22に新しいデータを書き込みする方法を説明するフローチャートである。ホスト機器6から半導体記憶装置21に対して、データの書き込み指示があると、ホスト機器6から供給された書き込みデータは、DRAM3に一時的に保存される。
(Data writing method)
Next, a method for writing new data to the
そして、判定部26は、第1の記憶部9に属するブロックの中で、新たなデータの書き込みにより有効データが消失する可能性のないブロックがあるか否かを判定する(ステップS31)。具体的には、判定部26は、新たなデータの書き込みの開始がUpper Pageからであり、かつ、そのページのLower Pageに記憶されているデータが無効データであるブロック、または、新たなデータの書き込みの開始がLower Pageからであるブロックがあるか否かを判定する。
Then, the
判定部26は、第1の記憶部9に属するブロックの中で、新たなデータの書き込みにより有効データが消失する可能性のないブロックがあると判定すると(ステップS31:Yes)、そのブロックを特定し、書き込み/読み出し指示部13は、第1の記憶部9の有効データが記憶されていないブロックに対してデータの書き込みを指示し(ステップS32)、ブロックへのデータの書き込みが行われる。
If the
一方、判定部26は、第1の記憶部9に属するブロックの中で、新たなデータの書き込みにより有効データが消失する可能性のないブロックがないと判定すると(ステップS31:No)、移動部16は、第1の記憶部9のブロックのうちいくつかのブロックの有効データを第2の記憶部10のブロックに移動する(ステップS33)。この場合、該当するブロックに存在する有効データを全て移動するようにし、移動後は、該当するブロックに有効データが一切残らないようにすることが望ましい。また、第2の記憶部10のブロックが複数存在する場合には、有効データをまとめて複数のブロックに一度に移動してもよいが、移動する有効データの合計が、ブロック単位にまとまることが望ましい。
On the other hand, when the
次に、アドレス変換部14は、第2の記憶部10のブロックに移動した有効データについてのアドレス変換テーブル8における内容を、有効データの移動先(第2の記憶部10のブロック/ページ位置)を指すように更新する(ステップS34)。
Next, the
次に、ブロック管理部17は、有効データの移動先の第2の記憶部10のブロックを第1の記憶部9のリストに移動し、有効データの移動元であり現在は有効データが記憶されていない第1の記憶部9のブロックを第2の記憶部10のリストに移動する(ステップS35)。この場合、移動するブロックは、いくつでも構わない。
Next, the
その後、ステップS32で、書き込み/読み出し指示部13は、第1の記憶部9の有効データが記憶されていないブロック(有効データが移動したブロック)に対してデータの書き込みを指示し、ブロックへのデータの書き込みが行われる。
Thereafter, in step S32, the write /
次に、ブロック記憶管理部27は、ブロック記憶管理リスト24の内容、すなわち、第1の記憶部9および第2の記憶部10に属するブロックの各ページの記憶状態をそれぞれ更新する(ステップS36)。
Next, the block
最後に、アドレス変換部14は、ブロックへの書き込みが行われたデータについてのアドレス変換テーブル8における内容を、データの移動先(第1の記憶部9のブロック/ページ位置)を指すように更新する(ステップS37)。以上のステップを経て、NAND Flash ROM22に対する新しいデータの書き込みが終了する。
Finally, the
このように、第2の実施の形態にかかる半導体記憶装置によれば、判定部が、第1の記憶部に、新たなデータの書き込みにより外部アドレスと対応付けられたデータが消失するブロックがないと判定した場合、外部アドレスと対応付けられたデータが消失しないブロックに対して、新たに外部から供給されるデータを書き込むことができるので、データの消去回数を抑えながら、データを書き込む同一ブロック内にある以前に記憶した有効データが破壊されて読み出せなくなることを防止することができ、データの書き込み速度を向上させることが可能となる。 As described above, according to the semiconductor memory device according to the second embodiment, the determination unit has no block in the first storage unit in which data associated with the external address is lost by writing new data. If it is determined that the data associated with the external address is not lost, new externally supplied data can be written, so the number of data erasures can be reduced while the data is written in the same block. Therefore, it is possible to prevent the previously stored valid data from being destroyed and cannot be read out, and the data writing speed can be improved.
さらに、第2の実施の形態にかかる半導体記憶装置によれば、判定部が、書き込みに失敗したとしても有効データが消失することがないブロックを、新たに外部から供給されるデータを書き込むブロックとして特定することができるので、書き込み先のブロックとして選択できるブロックが増え、移動部によるデータの移動を実行する機会を少なくすることができ、書き換え寿命を延ばすことが可能となる。 Furthermore, according to the semiconductor memory device according to the second embodiment, a block in which valid data is not lost even if writing is failed by the determination unit is a block to which new externally supplied data is written. Since it can be specified, the number of blocks that can be selected as the write destination block is increased, the opportunity for executing data movement by the moving unit can be reduced, and the rewrite life can be extended.
本発明は、データを記憶する全ての半導体記憶装置に有用である。 The present invention is useful for all semiconductor memory devices that store data.
1、21 半導体記憶装置
2 ホストIF
3 DRAM
4、22 NAND Flash ROM
5、23 コントローラ
6 ホスト機器
7 書き込み/読み出しデータ
8 アドレス変換テーブル
9 第1の記憶部
10 第2の記憶部
11 ブロック管理リスト
12、25 CPU
13 書き込み/読み出し指示部
14 アドレス変換部
15、26 判定部
16 移動部
17 ブロック管理部
24 ブロック記憶管理リスト
27 ブロック記憶管理部
1,21
3 DRAM
4, 22 NAND Flash ROM
5, 23
13 writing /
Claims (6)
前記第1の記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示手段と、
前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換手段と、
前記アドレス変換手段で変換されたブロックにおける記憶位置を利用して、前記第1の記憶手段が備える複数の前記ブロックに、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されているかを判定する判定手段と、を備え、
前記書き込み指示手段は、前記判定手段が、前記第1の記憶手段が備える複数の前記ブロックのいずれかに、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていないと判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていない前記ブロックのうち、前記データの書き込み量が多い前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、
を特徴とする半導体記憶装置。 First storage means comprising a plurality of blocks for storing data supplied from outside;
Write instruction means for instructing writing of the data to the block provided in the first storage means;
Address conversion means for converting the external address of the data into a storage position in the block using a conversion table in which the external address of the data is associated with the storage position in the block in which the data is stored;
Determining whether the data associated with the external address is stored in the plurality of blocks included in the first storage unit by using the storage position in the block converted by the address conversion unit Means, and
The write instruction means determines that the data associated with the external address is not stored in any of the plurality of blocks provided in the first storage means when the determination means determines that the external Instructing writing of data newly supplied from the outside to the block with a large amount of writing of the data among the blocks in which the data associated with the address is not stored,
A semiconductor memory device.
前記第1の記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示手段と、
前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換手段と、
前記アドレス変換手段で変換されたブロックにおける記憶位置を利用して、前記第1の記憶手段が備える複数の前記ブロックに記憶されている前記外部アドレスと対応付けられた前記データの合計数を判定する判定手段と、を備え、
前記書き込み指示手段は、前記判定手段が、前記第1の記憶手段が備える複数の前記ブロックに記憶されている前記外部アドレスと対応付けられた前記データの合計数が、特定数になっていないと判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていない前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、
を特徴とする半導体記憶装置。 First storage means comprising a plurality of the blocks for storing data supplied from outside;
Write instruction means for instructing writing of the data to the block provided in the first storage means;
Address conversion means for converting the external address of the data into a storage position in the block using a conversion table in which the external address of the data is associated with the storage position in the block in which the data is stored;
The total number of the data associated with the external address stored in the plurality of blocks included in the first storage unit is determined using the storage position in the block converted by the address conversion unit. Determination means,
In the writing instruction unit, the determination unit is configured such that a total number of the data associated with the external address stored in the plurality of blocks included in the first storage unit is not a specific number. If it is determined, instructing writing of data newly supplied from the outside to the block in which the data associated with the external address is not stored;
A semiconductor memory device.
前記第1の記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示手段と、
前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換手段と、
前記ブロックにおける前記データの記憶状態を管理する管理手段と、
前記アドレス変換手段で変換されたブロックにおける記憶位置、および、前記管理手段で管理された前記データの記憶状態を利用して、前記第1の記憶手段に、新たな前記データの書き込みにより前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失するブロックがあるかを判定する判定手段と、を備え、
前記書き込み指示手段は、前記判定手段が、前記第1の記憶手段に、新たな前記データの書き込みにより前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失する可能性のない前記ブロックがあると判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失しない前記ブロックのうち、前記データの書き込み量が多い前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、
を特徴とする半導体記憶装置。 First storage means comprising a plurality of blocks for storing data supplied from outside;
Write instruction means for instructing writing of the data to the block provided in the first storage means;
Address conversion means for converting the external address of the data into a storage position in the block using a conversion table in which the external address of the data is associated with the storage position in the block in which the data is stored;
Management means for managing the storage state of the data in the block;
Using the storage position in the block converted by the address conversion unit and the storage state of the data managed by the management unit, the external address is written to the first storage unit by writing the new data. And determining means for determining whether there is a block in which the data associated with is lost,
The write instructing unit determines that the determination unit has the block in which the data associated with the external address is not likely to be lost by writing the new data in the first storage unit. The data associated with the external address is instructed to newly write data supplied from the outside to the block where the data write amount is large among the blocks in which the data is not lost,
A semiconductor memory device.
書き込み指示手段が、前記記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示ステップと、
アドレス変換手段が、前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換ステップと、
判定手段が、前記アドレス変換ステップで変換されたブロックにおける記憶位置を利用して、前記記憶手段が備える複数の前記ブロックに、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されているかを判定する判定ステップと、を含み、
前記書き込み指示ステップは、前記判定ステップで、前記記憶手段が備える複数の前記ブロックのいずれかに、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていないと判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていない前記ブロックのうち、前記データの書き込み量が多い前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、
を特徴とする半導体記憶装置の制御方法。 A method for controlling a semiconductor memory device including a storage unit including a plurality of blocks for storing data supplied from outside,
A write instruction step for instructing writing of the data to the block included in the storage unit;
An address conversion step in which the address conversion unit converts the external address of the data into a storage position in the block using a conversion table in which the external address of the data is associated with the storage position in the block in which the data is stored. When,
A determination unit determines whether the data associated with the external address is stored in the plurality of blocks included in the storage unit, using the storage position in the block converted in the address conversion step. A determination step,
The write instruction step corresponds to the external address when it is determined in the determination step that the data associated with the external address is not stored in any of the plurality of blocks included in the storage unit. Instructing writing of data newly supplied from the outside to the block with a large amount of writing of data among the blocks in which the attached data is not stored,
A method for controlling a semiconductor memory device.
書き込み指示手段が、前記記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示ステップと、
アドレス変換手段が、前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換ステップと、
判定手段が、前記アドレス変換ステップで変換されたブロックにおける記憶位置を利用して、前記記憶手段が備える複数の前記ブロックに記憶されている前記外部アドレスと対応付けられた前記データの合計数を判定する判定ステップと、を含み、
前記書き込み指示ステップは、前記判定ステップで、前記記憶手段が備える複数の前記ブロックに記憶されている前記外部アドレスと対応付けられた前記データの合計数が、特定数になっていないと判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが記憶されていない前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、
を特徴とする半導体記憶装置の制御方法。 A method for controlling a semiconductor memory device including a storage unit including a plurality of blocks for storing data supplied from outside,
A write instruction step for instructing writing of the data to the block included in the storage unit;
An address conversion step in which the address conversion unit converts the external address of the data into a storage position in the block using a conversion table in which the external address of the data is associated with the storage position in the block in which the data is stored. When,
A determination unit determines a total number of the data associated with the external address stored in the plurality of blocks included in the storage unit, using a storage position in the block converted in the address conversion step. And a determination step to
When the write instruction step determines in the determination step that the total number of the data associated with the external address stored in the plurality of blocks included in the storage means is not a specific number Instructing writing of data newly supplied from the outside to the block in which the data associated with the external address is not stored;
A method for controlling a semiconductor memory device.
書き込み指示手段が、前記記憶手段が備える前記ブロックへ前記データの書き込みを指示する書き込み指示ステップと、
アドレス変換手段が、前記データの外部アドレスと、前記データが記憶された前記ブロックにおける記憶位置とを対応付けた変換テーブルを用いて、前記データの外部アドレスをブロックにおける記憶位置に変換するアドレス変換ステップと、
管理手段が、前記ブロックにおける前記データの記憶状態を管理する管理ステップと、
判定手段が、前記アドレス変換ステップで変換されたブロックにおける記憶位置、および、前記管理ステップで管理された前記データの記憶状態を利用して、前記記憶手段に、新たな前記データの書き込みにより前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失するブロックがあるかを判定する判定ステップと、を含み、
前記書き込み指示ステップは、前記判定ステップで、前記記憶手段に、新たな前記データの書き込みにより前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失する可能性のない前記ブロックがあると判定した場合、前記外部アドレスと対応付けられた前記データが消失しない前記ブロックのうち、前記データの書き込み量が多い前記ブロックに対して、新たに外部から供給されるデータの書き込みを指示すること、
を特徴とする半導体記憶装置の制御方法。 A method for controlling a semiconductor memory device including a storage unit including a plurality of blocks for storing data supplied from outside,
A write instruction step for instructing writing of the data to the block included in the storage unit;
An address conversion step in which the address conversion unit converts the external address of the data into a storage position in the block using a conversion table in which the external address of the data is associated with the storage position in the block in which the data is stored. When,
A management step for managing a storage state of the data in the block;
The determination unit uses the storage position in the block converted in the address conversion step and the storage state of the data managed in the management step to write the external data to the storage unit by writing the new data. Determining whether there is a block in which the data associated with the address is lost,
In the writing instruction step, in the determination step, when it is determined that the storage unit has the block that is not likely to lose the data associated with the external address by writing the new data, Instructing the writing of data newly supplied from the outside to the block with a large amount of writing of the data among the blocks in which the data associated with the external address is not lost,
A method for controlling a semiconductor memory device.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204281A (en) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーSeagate Technology LLC | Storage system, apparatus and method for storage system |
US10824353B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-03 | Toshiba Memory Corporation | Memory system |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07105691A (en) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Fujitsu Ltd | Method of writing/erasing and controlling storage |
JP2003203016A (en) * | 1991-11-28 | 2003-07-18 | Hitachi Ltd | Storage device |
JP2006172458A (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | Method and apparatus for storing multimedia data in nonvolatile storage device in unit of block |
JP2007004234A (en) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Hitachi Ltd | Storage device |
JP2007265265A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hitachi Ltd | Storage device using flash memory, and deletion frequency leveling method and deletion frequency leveling program for the same |
JP2008003684A (en) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Nonvolatile storage device and system |
-
2010
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003203016A (en) * | 1991-11-28 | 2003-07-18 | Hitachi Ltd | Storage device |
JPH07105691A (en) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Fujitsu Ltd | Method of writing/erasing and controlling storage |
JP2006172458A (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | Method and apparatus for storing multimedia data in nonvolatile storage device in unit of block |
JP2007004234A (en) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Hitachi Ltd | Storage device |
JP2007265265A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hitachi Ltd | Storage device using flash memory, and deletion frequency leveling method and deletion frequency leveling program for the same |
JP2008003684A (en) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Nonvolatile storage device and system |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204281A (en) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーSeagate Technology LLC | Storage system, apparatus and method for storage system |
JP7046501B2 (en) | 2016-05-13 | 2022-04-04 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | Storage system, equipment and storage system method |
US10824353B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-03 | Toshiba Memory Corporation | Memory system |
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