JP2010165612A - Organic el device, manufacturing method of organic el device, and electronic equipment - Google Patents

Organic el device, manufacturing method of organic el device, and electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2010165612A
JP2010165612A JP2009008511A JP2009008511A JP2010165612A JP 2010165612 A JP2010165612 A JP 2010165612A JP 2009008511 A JP2009008511 A JP 2009008511A JP 2009008511 A JP2009008511 A JP 2009008511A JP 2010165612 A JP2010165612 A JP 2010165612A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
layer
insulating material
material layer
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2009008511A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Takeuchi
康博 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009008511A priority Critical patent/JP2010165612A/en
Publication of JP2010165612A publication Critical patent/JP2010165612A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an organic EL device of high reliability with reduced generation of cracks in a sealing layer. <P>SOLUTION: In the manufacturing method of the organic EL device made up by regularly arraying on a substrate 10 organic EL elements 29 consisting of island-shaped first electrodes 25 surrounded by barrier ribs, light-emitting function layers 26 covering the first electrodes 25, and second electrodes 27 covering the light-emitting function layers 26, and by further arranging a sealing layer 85 covering the organic EL elements 29, a first process of forming a first insulating material layer 72 on the substrate 10, a second process of forming pixel electrodes 25 on the first insulating material layer 72, a third process of forming a second insulating material layer 76 covering the pixel electrodes 25, a fourth process of patterning the second insulating material layer 76 so as to generate concave parts 16 at a center part between each two adjacent pixel electrodes 25 with at least part of the pixel electrodes 25 exposed, and a fifth process of heating and melting the second insulating material layer 76 after the patterning into barrier ribs 77 are carried out in turn. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関する。   The present invention relates to an organic EL device, a method for manufacturing an organic EL device, and an electronic apparatus.

ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）現象を利用した装置の１つとして、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置がある。かかるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置は、一般に、画素電極と有機ＥＬ層を含む発光機能層と共通電極とが積層されてなる有機ＥＬ素子が、基板上に規則的に配置されてなる。有機ＥＬ素子の上層には水分等の滲入を抑制するための封止層が形成されており、隣り合う画素電極間には該画素電極を互いに電気的に独立させるための隔壁が形成されている（特許文献１）。   As one of devices utilizing the EL (electroluminescence) phenomenon, there is an active matrix organic EL device. In such an active matrix organic EL device, generally, an organic EL element in which a light emitting functional layer including a pixel electrode and an organic EL layer and a common electrode are laminated is regularly arranged on a substrate. A sealing layer for suppressing infiltration of moisture and the like is formed on the upper layer of the organic EL element, and a partition for electrically isolating the pixel electrodes from each other is formed between adjacent pixel electrodes. (Patent Document 1).

特開２００８−２８８０１２号公報JP 2008-288012 A

かかる構成を有する（従来の）有機ＥＬ装置においては、隔壁と画素電極との接合部が封止層に与える影響が問題となり得る。図５に、従来の有機ＥＬ装置の模式断面図を示す。図５は、後述する本発明の実施形態における図２に対応する図であり、各構成要素の名称及び符号等は、該図２の説明で記載されている。そこで、かかる説明は省略して上述の接合部についてのみ述べる。   In the (conventional) organic EL device having such a configuration, the influence of the junction between the partition wall and the pixel electrode on the sealing layer can be a problem. FIG. 5 shows a schematic cross-sectional view of a conventional organic EL device. FIG. 5 is a diagram corresponding to FIG. 2 in an embodiment of the present invention to be described later, and the names and symbols of the respective components are described in the description of FIG. Therefore, this description is omitted and only the above-described joint portion is described.

隣り合う第１の電極としての画素電極２５間を区画する隔壁７７は、絶縁材料層をフォトリソグラフィー法によるパターニングで形成されており、画素電極２５の表面に対して５０度ないし８０度の傾きを有する側面と、上記表面に略平行な上面とを備えている。したがって、隔壁７７と画素電極２５との接合部において、隔壁７７は画素電極２５の表面から５０度ないし８０度の角度で立ち上がっている。かかる隔壁と画素電極との接合部を、以下、立ち上がり部１２と称する。   The partition wall 77 that partitions the pixel electrodes 25 as the adjacent first electrodes is formed by patterning an insulating material layer by photolithography, and has an inclination of 50 to 80 degrees with respect to the surface of the pixel electrode 25. And a top surface substantially parallel to the surface. Accordingly, at the junction between the partition wall 77 and the pixel electrode 25, the partition wall 77 rises at an angle of 50 to 80 degrees from the surface of the pixel electrode 25. Hereinafter, the junction between the partition wall and the pixel electrode is referred to as a rising portion 12.

立ち上がり部１２において封止層８５は強く屈曲しているため、形成時において層厚が不均一に成りがちであり、また使用時における温度変化等によるストレスも集中しがちである。そのため、かかる立ち上がり部１２では、封止層８５にクラック等が生じる可能性があり、有機ＥＬ装置の信頼性を低下させかねないという課題がある。   Since the sealing layer 85 is strongly bent at the rising portion 12, the layer thickness tends to be nonuniform during formation, and stress due to temperature changes during use tends to concentrate. Therefore, in the rising portion 12, there is a possibility that cracks or the like may occur in the sealing layer 85, and there is a problem that the reliability of the organic EL device may be lowered.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］周囲を隔壁で囲まれた島状の第１の電極と、上記第１の電極を覆う少なくとも有機ＥＬ層を含む発光機能層と、上記発光機能層を覆う第２の電極と、からなる有機ＥＬ素子が基板上に規則的に配置されてなり、かつ、上記有機ＥＬ素子を覆う封止層がさらに配置されてなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、上記基板上の全面に第１の絶縁材料層を形成する第１の工程と、上記第１の絶縁材料層上に上記第１の電極を形成する第２の工程と、上記第１の電極を覆う第２の絶縁材料層を形成する第３の工程と、上記第２の絶縁材料層を、上記第１の電極の少なくとも一部が露出し、かつ隣り合う上記第１の電極間の中央部に該中央部の両隣りの領域に対して凹んだ凹部が形成されるようにパターニングする第４の工程と、パターニング後の上記第２の絶縁材料層をメルトベークして隔壁とする第５の工程と、を順に行なうことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。   Application Example 1 An island-shaped first electrode surrounded by a partition, a light emitting functional layer including at least an organic EL layer covering the first electrode, and a second electrode covering the light emitting functional layer And an organic EL device comprising a sealing layer covering the organic EL element, wherein the organic EL element is regularly arranged on the substrate, A first step of forming a first insulating material layer, a second step of forming the first electrode on the first insulating material layer, and a second insulation covering the first electrode. A third step of forming a material layer; and the second insulating material layer is formed such that at least a part of the first electrode is exposed and the central portion is adjacent to the central portion between the adjacent first electrodes. A fourth step of patterning so as to form recessed portions that are recessed with respect to both adjacent regions; Method of manufacturing an organic EL device and performing a fifth step of the partition wall by Merutobeku the second insulating material layer after grayed, in this order.

このような製造方法であれば、上記第１の電極の表面からなだらかに立ち上がる側面を有する隔壁を形成できる。したがって、上述のクラック等の発生を抑制でき、信頼性の向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。   With such a manufacturing method, a partition wall having a side surface gently rising from the surface of the first electrode can be formed. Therefore, generation of the above-described cracks can be suppressed, and an organic EL device with improved reliability can be obtained.

［適用例２］上述の有機ＥＬ装置の製造方法であって、上記第１の工程と上記第２の工程との間、または上記第２の工程と上記第３の工程との間に、隣り合う上記第１の電極間において上記第１の絶縁材料層を所定の深さまでエッチングして溝部を形成する第６の工程をさらに行なうことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。   Application Example 2 A method for manufacturing the organic EL device described above, which is adjacent between the first step and the second step, or between the second step and the third step. A method of manufacturing an organic EL device, further comprising performing a sixth step of etching the first insulating material layer to a predetermined depth between the matching first electrodes to form a groove.

このような製造方法であれば、上述のなだらかに立ち上がる側面を容易に形成できる。したがって製造コストの上昇を抑制しつつ、信頼性の向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。   With such a manufacturing method, the above-described gently rising side surface can be easily formed. Therefore, an organic EL device with improved reliability can be obtained while suppressing an increase in manufacturing cost.

［適用例３］上述の有機ＥＬ装置の製造方法であって、上記第３の工程は感光性の絶縁材料からなる上記第２の絶縁材料層を形成する工程であり、上記第４の工程は、上記中央部をハーフ露光することにより上記凹部を形成する工程であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。   Application Example 3 In the method for manufacturing the organic EL device described above, the third step is a step of forming the second insulating material layer made of a photosensitive insulating material, and the fourth step is A method of manufacturing an organic EL device, wherein the concave portion is formed by half exposing the central portion.

このような製造方法であれば、上述のなだらかに立ち上がる側面を容易に形成できる。したがって製造コストの上昇を抑制しつつ、信頼性の向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。   With such a manufacturing method, the above-described gently rising side surface can be easily formed. Therefore, an organic EL device with improved reliability can be obtained while suppressing an increase in manufacturing cost.

［適用例４］上述の製造方法により製造された有機ＥＬ装置。   Application Example 4 An organic EL device manufactured by the above manufacturing method.

このような構成の有機ＥＬ装置であれば、製造コストを殆んど増加させることなく高い信頼性を実現できる。   With the organic EL device having such a configuration, high reliability can be realized without substantially increasing the manufacturing cost.

［適用例５］上述の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。   Application Example 5 Electronic equipment including the above-described organic EL device.

このような構成によれば、製造コストを殆んど上昇させることなく、信頼性が向上した電子機器を得ることができる。   According to such a configuration, an electronic apparatus with improved reliability can be obtained without substantially increasing the manufacturing cost.

以下、図面を参照し、第１の実施形態としてアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置について説明し、続けて第２及び第３の実施形態としてかかる有機ＥＬ装置の製造方法の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。   Hereinafter, an active matrix type organic EL device will be described as a first embodiment with reference to the drawings, and then an embodiment of a method for manufacturing the organic EL device will be described as a second and third embodiment. In the drawings shown below, the dimensions and ratios of the components are appropriately different from the actual ones in order to make the components large enough to be recognized on the drawings.

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１の全体構成を示す回路構成図である。有機ＥＬ装置１は、表示領域１００と該表示領域の周辺部に形成された周辺領域（符号無し）とを備えている。表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０３と、Ｙ方向に延在する複数の信号線１０４と、同じくＹ方向に延在する複数の電源線１０６と、が形成されている。Ｘ方向が信号線１０４と電源線１０６とで規定され、Ｙ方向が走査線１０３の中心線で規定される方形の区画毎に３種類の有機ＥＬ画素３０（赤色有機ＥＬ画素３０Ｒ、緑色有機ＥＬ画素３０Ｇ、青色有機ＥＬ画素３０Ｂ、）が規則的に形成されている。 (First embodiment)
FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing the overall configuration of the organic EL device 1 according to the first embodiment. The organic EL device 1 includes a display area 100 and a peripheral area (no symbol) formed in the periphery of the display area. In the display area 100, a plurality of scanning lines 103 extending in the X direction, a plurality of signal lines 104 extending in the Y direction, and a plurality of power supply lines 106 extending in the Y direction are formed. Yes. Three types of organic EL pixels 30 (a red organic EL pixel 30R and a green organic EL) are defined for each rectangular section in which the X direction is defined by the signal line 104 and the power supply line 106 and the Y direction is defined by the center line of the scanning line 103. Pixels 30G and blue organic EL pixels 30B) are regularly formed.

なお、有機ＥＬ画素３０に付記されているアルファベットは該有機ＥＬ画素に対応するカラーフィルター６１（図２参照）の色に対応しており、各有機ＥＬ画素３０に対応する発光領域（符号無し）から射出される光の色を表わしている。以下の記載において、対応する色を区別しない場合には、単に有機ＥＬ画素３０と称する。   In addition, the alphabet added to the organic EL pixel 30 corresponds to the color of the color filter 61 (see FIG. 2) corresponding to the organic EL pixel, and the light emitting area (no symbol) corresponding to each organic EL pixel 30. It represents the color of light emitted from. In the following description, when the corresponding colors are not distinguished, they are simply referred to as organic EL pixels 30.

有機ＥＬ装置１はアクティブマトリクス型の表示装置であり、各々の有機ＥＬ画素３０は、走査線１０３を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画像信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子２９等からなる。なお、有機ＥＬ画素３０とは、上述の各要素等で構成される機能的な概念である。それに対して、上述した発光領域は、平面視において後述するブラックマトリクス６２（図２参照）で囲まれた平面的な概念であり、色相、強度等が面内で均一となる最小の領域である。   The organic EL device 1 is an active matrix display device, and each organic EL pixel 30 includes a switching TFT (thin film transistor) 108 to which a scanning signal is supplied to a gate electrode via a scanning line 103, and a switching TFT 108. A storage capacitor 110 that holds an image signal supplied from the signal line 104 via the drive line 112, a drive TFT 112 that supplies the image signal held by the storage capacitor 110 to the gate electrode, and a power supply line 106 via the drive TFT 112. It consists of an organic EL element 29 and the like into which a drive current flows. The organic EL pixel 30 is a functional concept composed of the above-described elements. On the other hand, the above-described light emitting region is a planar concept surrounded by a black matrix 62 (see FIG. 2) to be described later in plan view, and is the minimum region in which the hue, intensity, and the like are uniform in the plane. .

周辺領域には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線駆動回路１２０は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて走査線１０３に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路１３０は信号線１０４に画像信号を供給する。電源線１０６には図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。   In the peripheral region, a scanning line driving circuit 120 and a signal line driving circuit 130 are formed. The scanning line driving circuit 120 sequentially supplies scanning signals to the scanning lines 103 in accordance with various signals supplied from an external circuit (not shown). The signal line driver circuit 130 supplies an image signal to the signal line 104. A pixel driving current is supplied to the power supply line 106 from an external circuit (not shown). The operation of the scanning line driving circuit 120 and the operation of the signal line driving circuit 130 are synchronized with each other by a synchronization signal supplied from an external circuit via the synchronization signal line 140.

走査線１０３が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源線１０６から第１の電極としての画素電極２５（図２参照）に駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子２９は駆動電流の大きさに応じて発光する。そして、カラーフィルター６１（図２参照）により３原色光のいずれかの光となって、各々の有機ＥＬ画素３０に対応する発光領域から射出される。個々の有機ＥＬ画素３０毎の発光が上述の各種信号により制御されることで、表示領域１００にカラー画像が形成される。   When the scanning line 103 is driven and the switching TFT 108 is turned on, the potential of the signal line 104 at that time is held in the holding capacitor 110, and the level of the driving TFT 112 is determined according to the state of the holding capacitor 110. Then, a driving current flows from the power supply line 106 to the pixel electrode 25 (see FIG. 2) as the first electrode via the driving TFT 112, and the organic EL element 29 emits light according to the magnitude of the driving current. Then, the color filter 61 (see FIG. 2) converts the light into one of the three primary colors and is emitted from the light emitting region corresponding to each organic EL pixel 30. A color image is formed in the display area 100 by controlling the light emission of each organic EL pixel 30 by the various signals described above.

図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図である。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、隣り合う第１の電極としての画素電極２５間を区画する隔壁７７の断面形状に特徴がある。そこで、図２では、該画素電極を含む有機ＥＬ素子２９と該有機ＥＬ素子を駆動する駆動用ＴＦＴ（以下、単に「ＴＦＴ」と称する。）１１２の断面を表示し、スイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０は図示を省略している。以下、素子基板１０側から順に説明する。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the organic EL device of the present embodiment. The organic EL device 1 of the present embodiment is characterized by the cross-sectional shape of the partition wall 77 that partitions between the pixel electrodes 25 as the adjacent first electrodes. 2 shows a cross section of an organic EL element 29 including the pixel electrode and a driving TFT (hereinafter simply referred to as “TFT”) 112 for driving the organic EL element, and the switching TFT 108 and the storage capacitor. The illustration of 110 is omitted. Hereinafter, description will be made in order from the element substrate 10 side.

ＴＦＴ１１２は素子基板１０上に形成されている。なお、素子基板１０との界面に別途保護層を形成してもよい。ＴＦＴ１１２は、半導体層３１と、走査線１０３と同一の層をパターニングして形成されたゲート電極３３、及び、半導体層３１とゲート電極３３との間に形成されたゲート絶縁層７０等からなる。半導体層３１のうちゲート電極３３と重なる領域がチャネル領域３８であり、該チャネル領域の両側にソース領域３５とドレイン領域３６とが形成されている。   The TFT 112 is formed on the element substrate 10. A separate protective layer may be formed at the interface with the element substrate 10. The TFT 112 includes a semiconductor layer 31, a gate electrode 33 formed by patterning the same layer as the scanning line 103, a gate insulating layer 70 formed between the semiconductor layer 31 and the gate electrode 33, and the like. A region of the semiconductor layer 31 that overlaps with the gate electrode 33 is a channel region 38, and a source region 35 and a drain region 36 are formed on both sides of the channel region.

ＴＦＴ１１２の対向基板１１側には、窒化シリコン、又は酸化シリコンからなる層間絶縁層７１が形成されている。なお、以下の記載において、「対向基板１１側」を「上面」又は「上層」と表記する。ソース領域３５は、層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してソース電極５３と電気的に接続されており、同様にドレイン領域３６は層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール（符号無し）を介してドレイン電極５４と電気的に接続されている。   An interlayer insulating layer 71 made of silicon nitride or silicon oxide is formed on the counter substrate 11 side of the TFT 112. In the following description, “the counter substrate 11 side” is expressed as “upper surface” or “upper layer”. The source region 35 is electrically connected to the source electrode 53 through a contact hole (without reference numeral) formed by locally etching the interlayer insulating layer 71. Similarly, the drain region 36 is connected to the interlayer insulating layer 71. Is electrically connected to the drain electrode 54 through a contact hole (not shown) formed by locally etching the electrode.

ソース電極５３とドレイン電極５４との上層には、窒化シリコンからなる第１の保護層７３と第１の絶縁材料層としての平坦化層７２とが順に積層されている。平坦化層７２の層厚は略２．０μｍであり、形成材料にはアクリル樹脂等の有機系材料を用いることが好ましい。平坦化層７２の上層における所定の領域には反射層２８が形成されている。上記「所定の領域」とは、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を含む領域である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は矢印の方向に光を射出するトップエミッション型であり、反射層２８は、有機ＥＬ素子２９の発光を上層方向に反射する機能を果たしている。そのため、反射層２８は将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域を少なくとも含むように形成される。反射層２８の形成材料は、反射率が高く加工性（パターニング性）に優れた材料が好ましい。したがって、反射層２８は、Ａｌ（アルミニウム）等で形成することが好ましい。反射層２８の上面は、窒化シリコンからなる第２の保護層７４で覆われている。該第２の保護層は、画素電極２５の形成時に反射層２８を保護する機能を果たしている。   On the source electrode 53 and the drain electrode 54, a first protective layer 73 made of silicon nitride and a planarizing layer 72 as a first insulating material layer are sequentially stacked. The layer thickness of the planarizing layer 72 is approximately 2.0 μm, and it is preferable to use an organic material such as an acrylic resin as a forming material. A reflective layer 28 is formed in a predetermined region in the upper layer of the planarizing layer 72. The “predetermined region” is a region including a region where the organic EL element 29 will be formed in the future. The organic EL device 1 according to this embodiment is a top emission type that emits light in the direction of an arrow, and the reflective layer 28 functions to reflect light emitted from the organic EL element 29 in the upper layer direction. Therefore, the reflective layer 28 is formed so as to include at least a region where the organic EL element 29 will be formed in the future. The material for forming the reflective layer 28 is preferably a material having high reflectivity and excellent workability (patterning property). Therefore, the reflective layer 28 is preferably formed of Al (aluminum) or the like. The upper surface of the reflective layer 28 is covered with a second protective layer 74 made of silicon nitride. The second protective layer functions to protect the reflective layer 28 when the pixel electrode 25 is formed.

反射層２８の形成領域を含む平坦化層７２の上面には、該反射層を覆うように画素電極２５が、ＴＦＴ１１２毎に形成されている。かかる画素電極２５は、コンタクトホール５１を介してドレイン電極５４と導通している。画素電極２５は、後述する第２の電極としての陰極２７よりも仕事関数が高く、かつ導電性を有する材料で形成されていることが必要である。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１では、画素電極２５を透明導電材料であるＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）で形成している。なお、画素電極２５を反射性の金属材料で形成した場合、反射層２８は必須の構成要素には含まれない。   On the upper surface of the planarization layer 72 including the formation region of the reflective layer 28, the pixel electrode 25 is formed for each TFT 112 so as to cover the reflective layer. The pixel electrode 25 is electrically connected to the drain electrode 54 through the contact hole 51. The pixel electrode 25 is required to be formed of a material having a work function higher than that of a cathode 27 as a second electrode described later. In the organic EL device 1 according to the present embodiment, the pixel electrode 25 is formed of ITO (indium oxide / tin alloy) which is a transparent conductive material. Note that when the pixel electrode 25 is formed of a reflective metal material, the reflective layer 28 is not included as an essential component.

隣り合う画素電極２５間には、隔壁７７が形成されている。隔壁７７は、後述するように層厚略２．０μｍの第２の絶縁材料層としての感光性アクリル層７６（図３参照）をパターニング及びベークして形成されている。上記層厚はベーク後の層厚である。かかるパターニングは、該隔壁の側面の傾斜ができる限り低角度となるように行なわれている。したがって、上述した従来の有機ＥＬ装置の隔壁７７とは異なり、本実施形態の有機ＥＬ装置１の隔壁７７は最大高さ（素子基板１０の法線方向の寸法）は変わらないが、明確に上面となる領域が少なく、上面と側面とがなだらかに連続している。したがって、立ち上がり部１２の（画素電極２５の表面に対する）角度が低角度化されている。後述するように、かかる立ち上がり部１２の形状により、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は信頼性が向上している。
なお該パターニングにより生じる開口領域（符号無し）すなわち画素電極２５が露出する領域が、有機ＥＬ層内で生じた光が射出される領域であり、将来的に有機ＥＬ素子２９が形成される領域である。 A partition wall 77 is formed between adjacent pixel electrodes 25. As will be described later, the partition wall 77 is formed by patterning and baking a photosensitive acrylic layer 76 (see FIG. 3) as a second insulating material layer having a layer thickness of approximately 2.0 μm. The above layer thickness is the layer thickness after baking. Such patterning is performed so that the side wall of the partition wall is inclined as low as possible. Therefore, unlike the above-described conventional organic EL device partition wall 77, the partition wall 77 of the organic EL device 1 of the present embodiment has the same maximum height (dimension in the normal direction of the element substrate 10), but clearly has a top surface. The upper surface and the side surface are smoothly continuous. Therefore, the angle of the rising portion 12 (relative to the surface of the pixel electrode 25) is lowered. As will be described later, the reliability of the organic EL device 1 according to the present embodiment is improved by the shape of the rising portion 12.
Note that an opening region (no symbol) generated by the patterning, that is, a region where the pixel electrode 25 is exposed is a region where light generated in the organic EL layer is emitted, and a region where the organic EL element 29 is formed in the future. is there.

隔壁７７の上層、及び該隔壁のパターニングにより露出した画素電極２５の上層には、発光機能層２６が形成されている。発光機能層２６は、素子基板１０側から順に正孔注入層と正孔輸送層と有機ＥＬ層と電子輸送層と電子注入層との計５層が積層されて形成されている。本実施形態の有機ＥＬ装置１の有機ＥＬ層は白色光を発光する層であり、上述の３種類の有機ＥＬ画素３０（図１参照）間で共通である。   A light emitting functional layer 26 is formed in the upper layer of the partition wall 77 and the upper layer of the pixel electrode 25 exposed by patterning of the partition wall. The light emitting functional layer 26 is formed by laminating a total of five layers of a hole injection layer, a hole transport layer, an organic EL layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the element substrate 10 side. The organic EL layer of the organic EL device 1 of the present embodiment is a layer that emits white light, and is common among the above-described three types of organic EL pixels 30 (see FIG. 1).

発光機能層２６の上面には、第２の電極としての陰極２７が形成されている。陰極２７は共通電極であり、素子基板１０の表示領域１００の全域に形成されている。したがって、隔壁７７で囲まれた領域内において画素電極２５と発光機能層２６と陰極２７の積層体が形成される。かかる積層体が有機ＥＬ素子２９である。   On the upper surface of the light emitting functional layer 26, a cathode 27 is formed as a second electrode. The cathode 27 is a common electrode and is formed over the entire display region 100 of the element substrate 10. Therefore, a stacked body of the pixel electrode 25, the light emitting functional layer 26 and the cathode 27 is formed in the region surrounded by the partition wall 77. Such a laminate is the organic EL element 29.

本実施形態の有機ＥＬ装置１はトップエミッション型の有機ＥＬ装置であるため、陰極２７は導電性と共に、透明性又は半透過反射性を有することが必要である。一方で、陰極２７は画素電極２５の形成材料よりも仕事係数が低い材料で形成される必要がある。したがって、層厚数ｎｍ〜十数ｎｍのＡｌ（アルミニウム）あるいはＭｇＡｇ（マグネシウム・銀）合金等で形成することが好ましい。なお、隔壁７７上に補助陰極配線を形成して陰極２７を低抵抗化すると、表示領域１００に占める発光が射出される面積を低下させずに表示品質を向上できる。   Since the organic EL device 1 of this embodiment is a top emission type organic EL device, the cathode 27 needs to have conductivity or transparency or transflective properties. On the other hand, the cathode 27 needs to be formed of a material having a work coefficient lower than that of the material for forming the pixel electrode 25. Therefore, it is preferable that the layer is formed of Al (aluminum) or MgAg (magnesium / silver) alloy having a layer thickness of several nm to several tens nm. Note that when the auxiliary cathode wiring is formed on the partition wall 77 to reduce the resistance of the cathode 27, the display quality can be improved without reducing the area where the light emission in the display region 100 is emitted.

陰極２７の上層には、水分や酸素に弱い陰極２７や発光機能層２６を大気から遮断して保護するために、封止層８５が形成されている。封止層８５は、順に積層された酸化シリコン層とエポキシ樹脂層と酸化シリコン層との計３層の層からなり、全体で略０．５μｍの層厚を有している。そして、該封止層まで形成された素子基板１０は、接着層７８を介して対向基板１１と貼り合わされている。対向基板１１の素子基板１０と対向する側の面にカラーフィルター層６０が配置されており、上記の面の反対側の面には、外光反射を抑制するための円偏光板８８が配置されている。   A sealing layer 85 is formed on the upper layer of the cathode 27 in order to protect the cathode 27 and the light emitting functional layer 26, which are sensitive to moisture and oxygen, from being shielded from the atmosphere. The sealing layer 85 includes a total of three layers of a silicon oxide layer, an epoxy resin layer, and a silicon oxide layer that are sequentially stacked, and has a total thickness of approximately 0.5 μm. The element substrate 10 formed up to the sealing layer is bonded to the counter substrate 11 via the adhesive layer 78. A color filter layer 60 is disposed on the surface of the counter substrate 11 facing the element substrate 10, and a circularly polarizing plate 88 for suppressing external light reflection is disposed on the surface opposite to the above surface. ing.

カラーフィルター層６０は、カラーフィルター６１とカラーフィルター６１間に形成されたブラックマトリクス６２とからなる。カラーフィルター６１は３原色である赤、緑、青、のいずれかの色に着色された透明性を有する樹脂層である。各々の有機ＥＬ素子２９で形成された光、は該カラーフィルターにより３原色のいずれかの色の光とされて矢印に示すように対向基板１１側に射出される。ブラックマトリクス６２は隣り合う有機ＥＬ素子２９間の混色を抑制するために形成された遮光性を有する層であり、平面視で隔壁７７と略重なる領域に形成されている。   The color filter layer 60 includes a color filter 61 and a black matrix 62 formed between the color filters 61. The color filter 61 is a transparent resin layer colored in one of the three primary colors red, green, and blue. The light formed by each organic EL element 29 is converted to light of any of the three primary colors by the color filter and is emitted toward the counter substrate 11 as indicated by the arrows. The black matrix 62 is a light-shielding layer formed to suppress color mixing between adjacent organic EL elements 29, and is formed in a region that substantially overlaps the partition wall 77 in plan view.

（本実施形態の効果）
本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、立ち上がり部１２の角度が低角度化された隔壁７７を有している。そして、該隔壁の上層を（発光機能層２６と陰極２７とを介して）封止層８５が覆っている。上述したように封止層８５は３層構造を有している。かかる３層のうち、エポキシ樹脂層は流体を塗布後硬化させる手法により形成されるため、下層の形状の影響を受けることは少ない。また該エポキシ樹脂層の上層の酸化シリコン層も、下層が該エポキシ樹脂層により平坦化されているため、隔壁７７の形状によらず欠陥等の発生は抑制される。 (Effect of this embodiment)
The organic EL device 1 according to the present embodiment includes a partition wall 77 in which the angle of the rising portion 12 is lowered. The sealing layer 85 covers the upper layer of the partition (via the light emitting functional layer 26 and the cathode 27). As described above, the sealing layer 85 has a three-layer structure. Of these three layers, the epoxy resin layer is formed by a method of curing after applying a fluid, and thus is less affected by the shape of the lower layer. In addition, since the lower silicon oxide layer of the upper layer of the epoxy resin layer is planarized by the epoxy resin layer, the occurrence of defects and the like is suppressed regardless of the shape of the partition wall 77.

しかし、最下層の酸化シリコン層は下層の形状の影響を直接受ける。したがって、立ち上がり部１２の角度が大きい場合、欠陥の発生の可能性が高まる。本実施形態の有機ＥＬ装置１は該立ち上がり部が低角度化されているため、最上層の酸化シリコン層と同様に、欠陥等の発生は抑制されている。すなわち、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１は、隣り合う有機ＥＬ素子間の間隔、及び隔壁７７の高さ等が従来の有機ＥＬ装置と略同一であるにもかかわらず、欠陥の発生の可能性が抑制された封止層８５を有している。その結果、水分の滲入等に対する信頼性が向上している。   However, the lowermost silicon oxide layer is directly affected by the shape of the lower layer. Therefore, when the angle of the rising portion 12 is large, the possibility of occurrence of defects increases. In the organic EL device 1 of the present embodiment, since the rising portion is lowered, the occurrence of defects and the like is suppressed as in the uppermost silicon oxide layer. That is, the organic EL device 1 according to the present embodiment is capable of generating defects even though the distance between adjacent organic EL elements, the height of the partition wall 77, and the like are substantially the same as those of the conventional organic EL device. It has the sealing layer 85 by which the property was suppressed. As a result, the reliability with respect to moisture infiltration and the like is improved.

（第２の実施形態）
次に第２の実施形態として、上述の低角度化された立ち上がり部１２を有する隔壁７７の製造方法について述べる。図３（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態にかかる隔壁７７の形成方法を示す工程断面図である。以下、順に説明する。 (Second Embodiment)
Next, as a second embodiment, a method for manufacturing the partition wall 77 having the above-described rising portion 12 with a reduced angle will be described. 3A to 3D are process cross-sectional views illustrating a method for forming the partition wall 77 according to the second embodiment. Hereinafter, it demonstrates in order.

まず、第１の工程として、上述のＴＦＴ１１２等（不図示）の上層に第１の絶縁材料層としての平坦化層７２を形成する。そして、図３（ａ）に示すように、第２の工程として平坦化層７２上に第２の保護層７４で覆われた反射層２８と、該反射層を覆う島状の画素電極２５と、を形成する。そして、第６の工程として、平坦化層７２の画素電極２５間の領域の少なくとも一部を所定の深さまでエッチングして、溝部１５を形成する。なお、ＴＦＴ１１２（図２参照）と画素電極２５とを接続するコンタクトホール５１（図２参照）は図示を省略している。隣り合う画素電極２５の間隔は略４．０μｍである。   First, as a first step, a planarizing layer 72 as a first insulating material layer is formed on the above-described TFT 112 or the like (not shown). Then, as shown in FIG. 3A, as a second step, the reflective layer 28 covered with the second protective layer 74 on the planarizing layer 72, and the island-like pixel electrode 25 covering the reflective layer, , Form. Then, as a sixth step, at least a part of the region between the pixel electrodes 25 of the planarization layer 72 is etched to a predetermined depth to form the groove 15. A contact hole 51 (see FIG. 2) for connecting the TFT 112 (see FIG. 2) and the pixel electrode 25 is not shown. The interval between adjacent pixel electrodes 25 is approximately 4.0 μm.

かかる各要素を形成する順序、すなわち、溝部１５を他の要素に対してどのような順序で形成するかは、１つには限定されず、ある程度任意に設定できる。反射層２８を形成後、コンタクトホール５１と溝部１５とを同時に形成し、その後窒化シリコン層の成膜とパターニングにより第２の保護層７４を形成し最後に画素電極２５を形成することが好ましい。   The order in which each element is formed, that is, the order in which the groove 15 is formed with respect to other elements is not limited to one, and can be arbitrarily set to some extent. After forming the reflective layer 28, it is preferable to form the contact hole 51 and the groove 15 at the same time, and then form the second protective layer 74 by film formation and patterning of the silicon nitride layer, and finally form the pixel electrode 25.

平坦化層７２が感光性アクリル樹脂等で形成されている場合、ハーフ露光により溝部１５をコンタクトホール５１に比べて浅く形成することができる。したがって、かかる順序であれば、従来の隔壁７７の形成工程と比べて工数を増加させることなく溝部１５を形成できる。   When the planarizing layer 72 is formed of a photosensitive acrylic resin or the like, the groove 15 can be formed shallower than the contact hole 51 by half exposure. Therefore, in this order, the groove 15 can be formed without increasing the number of steps compared to the conventional process of forming the partition wall 77.

第２の保護層７４を形成後にコンタクトホール５１と溝部１５とを同時に形成してもよい。また、第２の保護層７４の前段階である窒化シリコン層を形成後にコンタクトホール５１と溝部１５とを同時に形成し、次に上記窒化シリコン層をパターニングして第２の保護層７４を形成してもよい。双方の順序とも、工数を増加させることなく溝部１５を形成できる。   After forming the second protective layer 74, the contact hole 51 and the groove 15 may be formed simultaneously. Further, after forming the silicon nitride layer which is the previous stage of the second protective layer 74, the contact hole 51 and the groove 15 are formed at the same time, and then the silicon nitride layer is patterned to form the second protective layer 74. May be. In both orders, the groove 15 can be formed without increasing the number of steps.

また、コンタクトホール５１を形成後に窒化シリコン層を成膜し、該窒化シリコン層のパターニング後に溝部１５を形成してもよい。工数は増加するものの、コンタクトホール５１と溝部１５とを夫々別工程で形成するため、双方の工程を最適な条件で実施できる。   Alternatively, a silicon nitride layer may be formed after the contact hole 51 is formed, and the groove 15 may be formed after patterning the silicon nitride layer. Although the number of man-hours increases, the contact hole 51 and the groove 15 are formed in separate processes, so that both processes can be performed under optimum conditions.

次に、図３（ｂ）に示すように、第３の工程として画素電極２５等が形成された平坦化層７２上の全面に、第２の絶縁材料層としての感光性アクリル層７６を形成する。該形成時に平面視で溝部１５と重なる領域には、該溝部に合せて感光性アクリル材料が凹んで凹部１６が形成される。感光性アクリル層７６の形成方法は、該感光性アクリルの前駆体をスピンコート法で塗布した後、硬化させる方法が好ましい。かかる形成方法では、塗布された流動性を有する該前駆体が溝部１５を満たして平坦化する傾向を有する。したがって、凹部１６の断面形状は溝部１５の該形状よりも小さくなり勝ちであり、溝部１５を大きめに形成する必要がある。すなわち、必要とされる大きさの凹部１６が得られるように、上述の第６の工程において溝部１５の大きさを設定する。   Next, as shown in FIG. 3B, a photosensitive acrylic layer 76 as a second insulating material layer is formed on the entire surface of the planarizing layer 72 on which the pixel electrodes 25 and the like are formed as a third step. To do. In the region overlapping with the groove 15 in plan view at the time of formation, the photosensitive acrylic material is recessed in accordance with the groove to form a recess 16. The method for forming the photosensitive acrylic layer 76 is preferably a method in which the photosensitive acrylic precursor is applied by spin coating and then cured. In such a forming method, the applied precursor having fluidity tends to fill the groove 15 and flatten. Accordingly, the cross-sectional shape of the concave portion 16 tends to be smaller than the shape of the groove portion 15, and the groove portion 15 needs to be formed larger. That is, the size of the groove 15 is set in the above-described sixth step so that the concave portion 16 having a required size can be obtained.

感光性アクリル層７６の層厚は、２．０〜３．０μｍが好ましい。後述するように、本実施形態の隔壁７７の形成方法は加熱により該感光性アクリル層を縮小変形させる。したがって、従来の隔壁７７の形成方法に比べて、感光性アクリル層７６は厚めに形成する必要がある。   The layer thickness of the photosensitive acrylic layer 76 is preferably 2.0 to 3.0 μm. As will be described later, in the method for forming the partition wall 77 according to this embodiment, the photosensitive acrylic layer is contracted and deformed by heating. Therefore, it is necessary to form the photosensitive acrylic layer 76 thicker than the conventional method for forming the partition wall 77.

次に、図３（ｃ）に示すように、第４の工程として、感光性アクリル層７６を、将来的に隔壁７７が形成される領域にのみに残るようにパターニングする。該パターンにより、画素電極２５の上面が露出される。そして、表示領域１００（図１参照）内の、画素電極２５の形成領域を除く領域には、凹部１６をそのまま残した、略台形状の断面を有する感光性アクリル層７６のパターンが形成される。ここで、画素電極２５と感光性アクリル層７６は略５．５μｍの重なり部を有する。すなわち、隣り合う画素電極２５の間隔は略４．０μｍであるから、感光性アクリル層７６は略１５．０μｍの幅を有する。   Next, as shown in FIG. 3C, as a fourth step, the photosensitive acrylic layer 76 is patterned so as to remain only in a region where a partition wall 77 will be formed in the future. With this pattern, the upper surface of the pixel electrode 25 is exposed. Then, a pattern of the photosensitive acrylic layer 76 having a substantially trapezoidal cross-section is formed in the display area 100 (see FIG. 1) except for the area where the pixel electrode 25 is formed, leaving the recess 16 as it is. . Here, the pixel electrode 25 and the photosensitive acrylic layer 76 have an overlapping portion of approximately 5.5 μm. That is, since the interval between adjacent pixel electrodes 25 is approximately 4.0 μm, the photosensitive acrylic layer 76 has a width of approximately 15.0 μm.

次に、図３（ｄ）に示すように、第５の工程として、上述の感光性アクリル層７６のパターンをメルトベーク（加熱溶融）して隔壁７７を形成する。ここでメルトベークとは、加熱により流動性を生じさせつつ溶媒成分を除去して固形化する手法を意味している。加熱により生じた流動性により、上述の感光性アクリル層７６のパターンは、中央部の凹部１６を両側から埋めるように変形しつつ収縮する。その結果、図示するように、中央部が若干盛り上がり画素電極２５の表面から該中央部にかけてなだらかに立ち上がる側面を有する隔壁７７、すなわち立ち上がり部１２の角度が低角度化された隔壁７７が形成される。   Next, as shown in FIG. 3D, as a fifth step, the pattern of the photosensitive acrylic layer 76 is melt-baked (heated and melted) to form the partition walls 77. Here, the melt baking means a method of solidifying by removing the solvent component while causing fluidity by heating. Due to the fluidity generated by heating, the pattern of the photosensitive acrylic layer 76 described above shrinks while being deformed so as to fill the concave portion 16 in the central portion from both sides. As a result, as shown in the drawing, a partition wall 77 having a side surface that rises slightly from the surface of the pixel electrode 25 to the center portion, that is, a partition wall 77 in which the angle of the rising portion 12 is lowered is formed. .

上述したように、かかる態様の隔壁７７は封止層８５（図２参照）における欠陥の発生を抑制できる。したがって、本実施形態の製造方法によれば水分の滲入等に対する信頼性が向上した隔壁７７を形成でき、最終的には信頼性が向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。   As described above, the partition wall 77 in this mode can suppress the occurrence of defects in the sealing layer 85 (see FIG. 2). Therefore, according to the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to form the partition wall 77 with improved reliability against moisture intrusion and the like, and finally, an organic EL device with improved reliability can be obtained.

立ち上がり部１２の角度は、２０度〜４０度が好ましい。かかる範囲の角度であれば、封止層８５における欠陥の発生を略完全に抑制できる。ここで、隣り合う画素電極２５を覆う感光性アクリル層７６の幅は略１５．０μｍであり、隔壁７７の高さは上述のメルトベーク後で略２．０μｍである。特に、隔壁７７の高さは上述の補助陰極配線（段落００３２参照）を形成する際の蒸着マスクの保持のために１．５μｍを確保することが好ましい。したがって、隔壁７７を、略三角形の断面を有するように、すなわち上面の平坦部がなくなるように形成すると、上述の角度はＴａｎ−１（１．５μｍ／７．５μｍ）により略１１度まで下げることができる。   The angle of the rising portion 12 is preferably 20 degrees to 40 degrees. If the angle is within this range, the occurrence of defects in the sealing layer 85 can be substantially completely suppressed. Here, the width of the photosensitive acrylic layer 76 covering the adjacent pixel electrodes 25 is approximately 15.0 μm, and the height of the partition wall 77 is approximately 2.0 μm after the above-described melt baking. In particular, the height of the partition wall 77 is preferably 1.5 μm for holding the evaporation mask when forming the above-described auxiliary cathode wiring (see paragraph 0032). Therefore, when the partition wall 77 is formed to have a substantially triangular cross section, that is, to have no flat portion on the upper surface, the above-mentioned angle is lowered to approximately 11 degrees by Tan-1 (1.5 μm / 7.5 μm). Can do.

しかし、隔壁７７は、上述の補助陰極配線（段落００３２参照）を形成する際の蒸着マスクの保持、及び、陰極２７と他の配線（走査線１０３、信号線１０４、及び電源線１０６）との間の容量の低減等機能を果たす必要があり、本来は、隔壁７７の頂上部に所定の幅の平坦部を形成することが好ましい。しかしながら、本第２の実施形態における製造方法では、実際には断面形状で曲面（円弧）となる隔壁７７が形成される。この場合であっても上記機能は果たし、隣り合う画素電極２５を覆う感光性アクリル層７６の幅が略１５．０μｍであって、隔壁７７の高さが１．５μｍの場合、立ち上がり部１２の角度は略２０度以上となる。また、経験的に立ち上がり部１２の角度が４０度を大きく超えると、封止層８５に欠陥が発生する可能性が生じ始めることも判明している。したがって、上述したように立ち上がり部１２の角度は２０度〜４０度の範囲内であることが好ましい。   However, the partition wall 77 holds the vapor deposition mask when the above-described auxiliary cathode wiring (see paragraph 0032) is formed, and the cathode 27 and other wiring (scanning line 103, signal line 104, and power supply line 106). It is necessary to perform a function such as a reduction in the capacity between them. Originally, it is preferable to form a flat portion having a predetermined width on the top of the partition wall 77. However, in the manufacturing method according to the second embodiment, the partition wall 77 that is actually a curved surface (arc) in cross-sectional shape is formed. Even in this case, the above function is achieved, and when the width of the photosensitive acrylic layer 76 covering the adjacent pixel electrode 25 is approximately 15.0 μm and the height of the partition wall 77 is 1.5 μm, The angle is approximately 20 degrees or more. Further, it has been empirically found that when the angle of the rising portion 12 greatly exceeds 40 degrees, a defect may occur in the sealing layer 85. Therefore, as described above, the angle of the rising portion 12 is preferably in the range of 20 degrees to 40 degrees.

しかし、隔壁７７は、上述の補助陰極配線（段落００３２参照）を形成する際の蒸着マスクの保持、及び、陰極２７と他の配線（走査線１０３、信号線１０４、及び電源線１０６）との間の容量の低減等機能を果たす必要があり、少なくとも２．０μｍ以上の（幅の）平坦部が必要である。したがって、画素電極２５の間隔が略８．０μｍの場合立ち上がり部１２の角度は略２０度以上となる。また、経験的に立ち上がり部１２の角度が４０度を大きく超えると、封止層８５に欠陥が発生する可能性が生じ始めることも判明している。したがって、上述したように立ち上がり部１２の角度は２０度〜４０度の範囲内であることが好ましい。   However, the partition wall 77 holds the vapor deposition mask when the above-described auxiliary cathode wiring (see paragraph 0032) is formed, and the cathode 27 and other wiring (scanning line 103, signal line 104, and power supply line 106). It is necessary to perform a function such as a reduction in capacitance between them, and a flat portion (width) of at least 2.0 μm or more is required. Therefore, when the interval between the pixel electrodes 25 is approximately 8.0 μm, the angle of the rising portion 12 is approximately 20 degrees or more. Further, it has been empirically found that when the angle of the rising portion 12 greatly exceeds 40 degrees, a defect may occur in the sealing layer 85. Therefore, as described above, the angle of the rising portion 12 is preferably in the range of 20 degrees to 40 degrees.

上述の角度はメルトベーク条件と凹部１６の形状で定まり、凹部１６の形状は溝部１５で定まる。したがって、最終的に上述の範囲内の角度の立ち上がり部１２が得られるように、溝部１５の形状を設定する必要がある。   The angle described above is determined by the melt baking conditions and the shape of the recess 16, and the shape of the recess 16 is determined by the groove 15. Therefore, it is necessary to set the shape of the groove portion 15 so that the rising portion 12 having an angle within the above-described range is finally obtained.

（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形にかかる隔壁７７の製造方法について述べる。図４（ａ）〜（ｄ）は、第３の実施形態にかかる隔壁７７の形成方法を示す工程断面図である。以下、順に説明する。 (Third embodiment)
Next, a method for manufacturing the partition wall 77 according to the third embodiment will be described. 4A to 4D are process cross-sectional views illustrating a method for forming the partition wall 77 according to the third embodiment. Hereinafter, it demonstrates in order.

まず、第１の工程として、図４（ａ）に示すように、上述のＴＦＴ１１２等（不図示）の上層に第１の絶縁材料層としての平坦化層７２を形成する。そして第２の工程として平坦化層７２上に第２の保護層７４で覆われた反射層２８と、該反射層を覆う島状の画素電極２５と、を形成する。そしてさらに、第３の工程として、画素電極２５等が形成された平坦化層７２上の全面に、第２の絶縁材料層としてのポジ型の感光性アクリル層７６を形成する。   First, as a first step, as shown in FIG. 4A, a planarizing layer 72 as a first insulating material layer is formed on the above-described TFT 112 or the like (not shown). Then, as a second step, the reflective layer 28 covered with the second protective layer 74 and the island-shaped pixel electrode 25 covering the reflective layer are formed on the planarizing layer 72. Further, as a third step, a positive photosensitive acrylic layer 76 as a second insulating material layer is formed on the entire surface of the planarizing layer 72 where the pixel electrode 25 and the like are formed.

次に、第４の工程として、図４（ｂ）に示すように、光強度差マスク２０を用いて、感光性アクリル層７６に領域毎に異なる強度の紫外線２４を照射して露光させる。そして露光後の感光性アクリル層７６を現像して、凹部１６を有するパターニングされた感光性アクリル層７６を得る。   Next, as a fourth step, as shown in FIG. 4B, the photosensitive acrylic layer 76 is exposed by irradiating the photosensitive acrylic layer 76 with ultraviolet rays 24 having different intensities as shown in FIG. Then, the exposed photosensitive acrylic layer 76 is developed to obtain a patterned photosensitive acrylic layer 76 having a recess 16.

光強度差マスク２０は、画素電極２５の平面視での形状に合わせて、透光性基体２１上に遮光層２２と半透過層２３とを夫々局所的に配置して形成されている。具体的には、隣り合う画素電極２５間に平面視で対応する領域には、半透過層２３を両側から挟むように遮光層２２が配置されている。画素電極２５に平面視で対応する領域には上述のいずれの層も配置されておらず、透光性基体２１のみが対向している。したがって、隣り合う画素電極２５間の領域は、両側が全く露光されず中央部がハーフ露光された状態となる。   The light intensity difference mask 20 is formed by locally arranging the light shielding layer 22 and the semi-transmissive layer 23 on the translucent substrate 21 in accordance with the shape of the pixel electrode 25 in plan view. Specifically, the light shielding layer 22 is disposed in a region corresponding to the planar view between the adjacent pixel electrodes 25 so as to sandwich the semi-transmissive layer 23 from both sides. None of the above-described layers is arranged in a region corresponding to the pixel electrode 25 in plan view, and only the translucent substrate 21 is opposed to the pixel electrode 25. Therefore, in the region between the adjacent pixel electrodes 25, both sides are not exposed at all and the central portion is half-exposed.

次に、上述の露光後の感光性アクリル層７６を現像して、図４（ｃ）に示すように将来的に隔壁７７が形成される領域のみに残るようにパターニングされた感光性アクリル層７６を得る。上述のハーフ露光されていた領域は層厚方向の一部が現像される。したがって、両側の領域に比べて凹んだ凹部１６が形成される。   Next, the photosensitive acrylic layer 76 after the exposure is developed, and the photosensitive acrylic layer 76 patterned so as to remain only in a region where the partition wall 77 is formed in the future as shown in FIG. 4C. Get. In the above-described half-exposed region, a part in the layer thickness direction is developed. Therefore, the recessed part 16 dented compared with the area | region of both sides is formed.

次に、図４（ｄ）に示すように、第５の工程として、上述の感光性アクリル層７６のパターンをメルトベークして隔壁７７を形成する。上述の第２の実施形態における隔壁７７の形成時と同様に、加熱により生じた流動性により、立ち上がり部１２の角度が低角度化された隔壁７７が形成される。   Next, as shown in FIG. 4D, as a fifth step, the pattern of the photosensitive acrylic layer 76 described above is melt-baked to form partition walls 77. Similarly to the formation of the partition wall 77 in the second embodiment described above, the partition wall 77 in which the angle of the rising portion 12 is lowered is formed by the fluidity generated by heating.

上述したように、かかる態様の隔壁７７は封止層８５（図２参照）における欠陥の発生を抑制できる。したがって、本実施形態の製造方法によれば、上述の第２の実施形態の製造方法と同様に、水分の滲入等に対する信頼性が向上した隔壁７７を形成でき、最終的には信頼性が向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。   As described above, the partition wall 77 in this mode can suppress the occurrence of defects in the sealing layer 85 (see FIG. 2). Therefore, according to the manufacturing method of the present embodiment, as in the manufacturing method of the second embodiment described above, it is possible to form the partition wall 77 with improved reliability against moisture intrusion and the like, and finally the reliability is improved. The obtained organic EL device can be obtained.

また、本実施形態の製造方法によれば、上述の信頼性が向上した有機ＥＬ装置を、製造コストを増加させることなく得ることができる。感光性アクリル層７６をパターニングする工程、及びパターニング後にベークする工程は、従来の有機ＥＬ装置の製造工程においても必要な工程である。そして、溝部１５を形成することなく凹部１６を形成しているため、平坦化層７２をパターニングする工程を要していない。したがって、従来の有機ＥＬ装置の製造工程における感光性アクリル層７６のパターニング時に、局所的なハーフ露光が可能なフォトマスクを用いることで立ち上がり部１２の角度が低角度化された隔壁７７を形成でき、製造コストを増加させることなく信頼性が向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。   Moreover, according to the manufacturing method of this embodiment, the above-described organic EL device with improved reliability can be obtained without increasing the manufacturing cost. The process of patterning the photosensitive acrylic layer 76 and the process of baking after patterning are also necessary in the manufacturing process of the conventional organic EL device. And since the recessed part 16 is formed without forming the groove part 15, the process of patterning the planarization layer 72 is not required. Therefore, when patterning the photosensitive acrylic layer 76 in the manufacturing process of the conventional organic EL device, the partition wall 77 in which the angle of the rising portion 12 is lowered can be formed by using a photomask capable of local half exposure. Thus, an organic EL device with improved reliability can be obtained without increasing the manufacturing cost.

（電子機器）
次に、上述の各実施形態のいずれかにかかる有機ＥＬ装置を電子機器に適用した例について説明する。図６は、電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの斜視図である。パーソナルコンピューター９０は、各種の画像を表示する表示部９２と、キーボード９４等が設置された本体部９１とを具備する。そして、キーボード９４を用いて入力された内容等の様々な情報等を、表示部９２に表示する。 (Electronics)
Next, an example in which the organic EL device according to any of the above-described embodiments is applied to an electronic device will be described. FIG. 6 is a perspective view of a mobile personal computer as an electronic apparatus. The personal computer 90 includes a display unit 92 that displays various images, and a main unit 91 on which a keyboard 94 and the like are installed. Various information such as contents input using the keyboard 94 is displayed on the display unit 92.

ここで、表示部９２は、内部に、上述の有機ＥＬ装置を備えており、該有機ＥＬ装置により表示を行なっている。上述したように、かかる有機ＥＬ装置は、封止層にクラック等が発生する可能性が低減されているため、信頼性が向上している。したがって、パーソナルコンピューター９０は、従来のパーソナルコンピューターに比べて周囲の環境に留意することなく使用することが可能となっている。   Here, the display unit 92 includes the above-described organic EL device, and performs display using the organic EL device. As described above, the organic EL device has improved reliability because the possibility of cracks and the like occurring in the sealing layer is reduced. Therefore, the personal computer 90 can be used without paying attention to the surrounding environment as compared with the conventional personal computer.

（変形例１）
上述の各実施形態においては、トップエミッション型の有機ＥＬ装置について述べてきた。しかし、本発明はボトムエミッション型の有機ＥＬ装置における隔壁７７の形成にも適用可能である。ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置は上述の補助陰極配線を必要としていないが、隣り合う画素電極２５間の絶縁、及び陰極２７と配線との間の容量の低減のために、隔壁７７を必要としている。したがって、封止層８５の欠陥の発生の可能性を有しており、上述の各実施形態でのべた手法を用いることで信頼性を向上できる。 (Modification 1)
In the above-described embodiments, the top emission type organic EL device has been described. However, the present invention can also be applied to the formation of the partition wall 77 in the bottom emission type organic EL device. The bottom emission type organic EL device does not require the above-described auxiliary cathode wiring, but requires a partition wall 77 for insulation between adjacent pixel electrodes 25 and reduction of capacitance between the cathode 27 and the wiring. . Therefore, there is a possibility of occurrence of defects in the sealing layer 85, and reliability can be improved by using the solid technique in each of the above-described embodiments.

第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の全体構成を示す回路構成図。1 is a circuit configuration diagram showing an overall configuration of an organic EL device according to a first embodiment. 第１の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図。1 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device according to a first embodiment. 第２の実施形にかかる隔壁の形成方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the formation method of the partition concerning 2nd Embodiment. 第３の実施形にかかる隔壁の形成方法を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the formation method of the partition concerning 3rd Embodiment. 従来の有機ＥＬ装置の模式断面図。The schematic cross section of the conventional organic electroluminescent apparatus. 電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの斜視図。The perspective view of the mobile personal computer as an electronic device.

１…第１の実施形態の有機ＥＬ装置、１０…素子基板、１１…対向基板、１２…立ち上がり部、１５…溝部、１６…凹部、２０…光強度差マスク、２１…透光性基体、２２…遮光層、２３…半透過層、２４…紫外線、２５…第１の電極としての画素電極、２６…発光機能層、２７…第２の電極としての陰極、２８…反射層、２９…有機ＥＬ素子、３０…有機ＥＬ画素、３０Ｒ…赤色有機ＥＬ画素、３０Ｇ…緑色有機ＥＬ画素、３０Ｂ…青色有機ＥＬ画素、３１…半導体層、３３…ゲート電極、３５…ソース領域、３６…ドレイン領域、３８チャネル領域、５１…コンタクトホール、５３…ソース電極、５４…ドレイン電極、６０…カラーフィルター層、６１…カラーフィルター、６２…ブラックマトリクス、７０…ゲート絶縁層、７１…層間絶縁層、７２…第１の絶縁材料層としての平坦化層、７３…第１の保護層、７４…第２の保護層、７６…第２の絶縁材料層としての感光性アクリル層、７７…隔壁、７８…接着層、８５…封止層、８８…円偏光板、９０…電子機器としてのパーソナルコンピューター、９１…本体部、９２…表示部、９４…キーボード、１００…表示領域、１０３…走査線、１０４…信号線、１０６…電源線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL apparatus of 1st Embodiment, 10 ... Element board | substrate, 11 ... Opposite substrate, 12 ... Stand-up part, 15 ... Groove part, 16 ... Recessed part, 20 ... Light intensity difference mask, 21 ... Translucent base | substrate, 22 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Light-shielding layer, 23 ... Semi-transmissive layer, 24 ... Ultraviolet light, 25 ... Pixel electrode as 1st electrode, 26 ... Light emission functional layer, 27 ... Cathode as 2nd electrode, 28 ... Reflection layer, 29 ... Organic EL Element 30 ... Organic EL pixel 30R Red organic EL pixel 30G Green organic EL pixel 30B Blue organic EL pixel 31 Semiconductor layer 33 Gate electrode 35 Source region 36 Drain region 38 Channel region 51 ... Contact hole 53 ... Source electrode 54 ... Drain electrode 60 ... Color filter layer 61 ... Color filter 62 ... Black matrix 70 ... Gate insulating layer 71 ... Interlayer Edge layer 72 ... Planarization layer as first insulating material layer 73 ... First protective layer 74 ... Second protective layer 76 ... Photosensitive acrylic layer as second insulating material layer 77 ... Partition wall 78... Adhesive layer 85. Sealing layer 88. Circularly polarizing plate 90. Personal computer as electronic equipment 91... Main body section 92. Display section 94. Lines 104, signal lines 106, power supply lines 108, switching TFTs 110, holding capacitors 112, driving TFTs 120, scanning line driving circuits 130, signal line driving circuits 140, synchronization signal lines

Claims (5)

周囲を隔壁で囲まれた島状の第１の電極と、前記第１の電極を覆う少なくとも有機ＥＬ層を含む発光機能層と、前記発光機能層を覆う第２の電極と、からなる有機ＥＬ素子が基板上に規則的に配置されてなり、かつ、前記有機ＥＬ素子を覆う封止層がさらに配置されてなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基板上の全面に第１の絶縁材料層を形成する第１の工程と、
前記第１の絶縁材料層上に前記第１の電極を形成する第２の工程と、
前記第１の電極を覆う第２の絶縁材料層を形成する第３の工程と、
前記第２の絶縁材料層を、前記第１の電極の少なくとも一部が露出し、かつ隣り合う前記第１の電極間の中央部に該中央部の両隣りの領域に対して凹んだ凹部が形成されるようにパターニングする第４の工程と、
パターニング後の前記第２の絶縁材料層をメルトベークして隔壁とする第５の工程と、
を順に行なうことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 An organic EL comprising an island-shaped first electrode surrounded by a partition wall, a light emitting functional layer including at least an organic EL layer covering the first electrode, and a second electrode covering the light emitting functional layer A method for producing an organic EL device, in which elements are regularly arranged on a substrate, and a sealing layer covering the organic EL elements is further arranged,
A first step of forming a first insulating material layer on the entire surface of the substrate;
A second step of forming the first electrode on the first insulating material layer;
A third step of forming a second insulating material layer covering the first electrode;
In the second insulating material layer, at least a part of the first electrode is exposed, and a concave portion is formed in a central portion between the adjacent first electrodes with respect to the adjacent regions of the central portion. A fourth step of patterning to form;
A fifth step of melt baking the second insulating material layer after patterning into partition walls;
A method for manufacturing an organic EL device, wherein the steps are sequentially performed. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１の工程と前記第２の工程との間、または前記第２の工程と前記第３の工程との間に、隣り合う前記第１の電極間において前記第１の絶縁材料層を所定の深さまでエッチングして溝部を形成する第６の工程をさらに行なうことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 1,
The first insulating material layer is predetermined between the first electrodes adjacent to each other between the first step and the second step or between the second step and the third step. A method of manufacturing an organic EL device, further comprising performing a sixth step of forming a groove portion by etching to a depth of 10 mm. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第３の工程は感光性の絶縁材料からなる前記第２の絶縁材料層を形成する工程であり、
前記第４の工程は、前記中央部をハーフ露光することにより前記凹部を形成する工程であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the organic EL device according to claim 1,
The third step is a step of forming the second insulating material layer made of a photosensitive insulating material,
The method of manufacturing an organic EL device, wherein the fourth step is a step of forming the concave portion by half exposing the central portion. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法により製造された有機ＥＬ装置。   The organic electroluminescent apparatus manufactured by the manufacturing method as described in any one of Claims 1-3. 請求項４に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the organic EL device according to claim 4.
JP2009008511A 2009-01-19 2009-01-19 Organic el device, manufacturing method of organic el device, and electronic equipment Withdrawn JP2010165612A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009008511A JP2010165612A (en) 2009-01-19 2009-01-19 Organic el device, manufacturing method of organic el device, and electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009008511A JP2010165612A (en) 2009-01-19 2009-01-19 Organic el device, manufacturing method of organic el device, and electronic equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010165612A true JP2010165612A (en) 2010-07-29

Family

ID=42581622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009008511A Withdrawn JP2010165612A (en) 2009-01-19 2009-01-19 Organic el device, manufacturing method of organic el device, and electronic equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010165612A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013211169A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent display panel
US8816339B2 (en) 2010-08-06 2014-08-26 Panasonic Corporation Organic EL display panel, and method for producing same
JP2015011917A (en) * 2013-07-01 2015-01-19 セイコーエプソン株式会社 Light emitting device and electronic apparatus
KR20170056078A (en) * 2015-11-12 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof
KR101748842B1 (en) * 2010-08-24 2017-06-20 삼성디스플레이 주식회사 An organic light emitting display device and the manufacturing method thereof
JP2017152188A (en) * 2016-02-24 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and method of manufacturing the same
KR20170137978A (en) * 2016-06-03 2017-12-14 삼성디스플레이 주식회사 Organic luminescence emitting display device and the method of manufacturing the same
US10693104B2 (en) 2017-12-26 2020-06-23 Sakai Display Products Corporation Organic electroluminescent device and method for producing same
JP2020532043A (en) * 2017-08-31 2020-11-05 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． Display board and its manufacturing method, display device
US11211582B2 (en) 2016-01-15 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus with protection layer surrounding the pixel electrode

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8816339B2 (en) 2010-08-06 2014-08-26 Panasonic Corporation Organic EL display panel, and method for producing same
JP5677435B2 (en) * 2010-08-06 2015-02-25 パナソニック株式会社 Organic EL display panel and manufacturing method thereof
KR101748842B1 (en) * 2010-08-24 2017-06-20 삼성디스플레이 주식회사 An organic light emitting display device and the manufacturing method thereof
JP2013211169A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent display panel
JP2015011917A (en) * 2013-07-01 2015-01-19 セイコーエプソン株式会社 Light emitting device and electronic apparatus
KR20170056078A (en) * 2015-11-12 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof
KR102528294B1 (en) 2015-11-12 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof
US11211582B2 (en) 2016-01-15 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus with protection layer surrounding the pixel electrode
JP2017152188A (en) * 2016-02-24 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and method of manufacturing the same
KR101890215B1 (en) 2016-06-03 2018-08-23 삼성디스플레이 주식회사 Organic luminescence emitting display device and the method of manufacturing the same
KR20170137978A (en) * 2016-06-03 2017-12-14 삼성디스플레이 주식회사 Organic luminescence emitting display device and the method of manufacturing the same
JP2020532043A (en) * 2017-08-31 2020-11-05 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． Display board and its manufacturing method, display device
JP7203763B2 (en) 2017-08-31 2023-01-13 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 DISPLAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY DEVICE
US10693104B2 (en) 2017-12-26 2020-06-23 Sakai Display Products Corporation Organic electroluminescent device and method for producing same
US11075361B2 (en) 2017-12-26 2021-07-27 Sakai Display Products Corporation Organic electroluminescent device and method for producing same
US11812634B2 (en) 2017-12-26 2023-11-07 Sakai Display Products Corporation Organic electroluminescent device and method for producing same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010165612A (en) Organic el device, manufacturing method of organic el device, and electronic equipment
JP6807178B2 (en) Display device, manufacturing method of display device
JP5459142B2 (en) ORGANIC EL DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC EL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
JP6104099B2 (en) Organic EL display device
JP4139346B2 (en) Flat panel display device and manufacturing method thereof
US11374074B2 (en) Display panel, display apparatus, and method of fabricating the display panel
WO2016047440A1 (en) Display device, method for manufacturing same and electronic device
JP2010153070A (en) El device, manufacturing method of el device and electronic equipment
KR102495122B1 (en) Display device
JP6609495B2 (en) Display device and manufacturing method of display device
JP2014026831A (en) Display device and method for manufacturing the same
WO2019242600A1 (en) Organic electroluminescent display panel, fabrication method therefor, and display apparatus
US11043545B2 (en) Display substrate, fabricating method thereof, and display device
US11133488B2 (en) Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate having enclosure ring in buffer area
JP2018066819A (en) Display and method for manufacturing display
JP2019095507A (en) Display device
JP2016206393A (en) Display and manufacturing method of the same
JP2012209215A (en) Manufacturing method of organic el device and electronic apparatus
JP2017147044A (en) Display device and method of manufacturing display device
US20210408472A1 (en) Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate
JP6223070B2 (en) Organic EL display device and method of manufacturing organic EL display device
JP2011090925A (en) Method for manufacturing electro-optical device
US11482688B2 (en) Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate
JP2019091673A (en) Display device and manufacturing method thereof
WO2021056261A1 (en) Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20120403