JP2010152013A - パターン形成方法、インプリントモールド、および磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に、ジブロックコポリマーを含有する組成物膜を形成する工程と、前記ジブロックコポリマーを含有する組成物膜を第1の方向にシリンダー状またはラメラ状に相分離させて、第1の方向に延びる第1の相の成分を含む易エッチング領域を形成する工程と、前記相分離したジブロックコポリマーを含有する組成物膜の上に、レジスト膜を形成する工程と、電子線描画または光露光により、前記レジスト膜に、前記第1の方向に交差する第2の方向に延びるパターンを形成する工程と、電子線または光露光によりパターン形成したレジスト膜と前記第2の相の成分を含む耐エッチングパターンとをマスクとして前記基板をエッチングする工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。
【選択図】 なし
Description
K. Naito et al., IEEE Trans. Magn., vol. 38, p. 1949
まず、3インチの基板上、ハイドロジェンシルセスキオキサン(HSQ)を電子線描画することにより、ガイド20(幅300nm高さ10nm)を形成して、図5に示したような基板11を準備した。
実施例1と同様のガイド20を有する基板11を準備し、前述の塗布溶液Aをスピンコートして、図6に示したようなジブロックコポリマー膜12を形成した。これを、200℃で3時間アニールすることにより、図7に示すようにPSがシリンダー状の易エッチング領域14を形成して相分離したジブロックコポリマー膜13が得られた。相分離により生じたシリンダーのピッチは16nmであった。
塗布溶液Aを塗布溶液Bに変更した以外は実施例2と同様の手法により、基板11にパターンを形成した。その結果、基板の表面には、16nmピッチ×150nmピッチの溝21が確認された。このシリコン基板は、インプリントモールドとして用いることができる。
塗布溶液Aを塗布溶液Cに変更した以外は実施例2と同様の手法により、基板11にパターンを形成した。その結果、基板の表面には、38nmピッチ×150nmピッチの溝21が確認された。このシリコン基板は、インプリントモールドとして用いることができる。
塗布溶液Aを塗布溶液Dに変更した以外は実施例2と同様の手法により、基板11にパターンを形成した。その結果、基板の表面には、20nmピッチ×150nmピッチの溝21が確認された。このシリコン基板は、インプリントモールドとして用いることができる。
ここでは図4または図7に示す組成14が耐エッチング性である実施例について説明する。
実施例2で得られたインプリントモールドを用いて磁性膜を加工し、磁気記録媒体を作製した。
Claims (9)
- 基板上に、ジブロックコポリマーを含有する組成物からなり、第1の相と、この第1の相よりエッチング耐性の高い第2の相とに相分離する組成物膜を形成する工程と、
前記ジブロックコポリマーを含有する組成物膜を第1の方向にシリンダー状またはラメラ状に相分離させて、第1の方向に延びる第1の相の成分を含む易エッチング領域を形成する工程と、
前記相分離したジブロックコポリマーを含有する組成物膜の上に、レジスト膜を形成する工程と、
電子線描画または光露光により、前記レジスト膜に、前記第1の方向に交差する第2の方向に延びるパターンを形成する工程と、
電子線または光露光によりパターン形成したレジスト膜と前記第2の相の成分を含む耐エッチングパターンとをマスクとして前記基板をエッチングする工程と
を具備することを特徴とするパターン形成方法。 - 基板上に、ジブロックコポリマーを含有する組成物からなり、第1の相と、この第1の相よりエッチング耐性の高い第2の相とに相分離する組成物膜を形成する工程と、
前記ジブロックコポリマーを含有する組成物膜を第1の方向にシリンダー状またはラメラ状に相分離させて、第1の方向に延びる第1の相の成分を含む易エッチング領域を形成する工程と、
前記組成物膜から前記第1の相の成分を含む易エッチング領域を除去して、前記第1の方向に延びる前記第2の相の成分を含む耐エッチングパターンを形成する工程と、
前記耐エッチングパターン上に、レジスト膜を形成する工程と、
電子線描画または光露光により、前記レジスト膜に、前記第1の方向に交差する第2の方向に延びるパターンを形成する工程と、
電子線または光露光によりパターン形成したレジスト膜と前記第2の相の成分を含む耐エッチングパターンとをマスクとして前記基板をエッチングする工程と
を具備することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記基板上に前記ジブロックコポリマーを含有する組成物膜を形成する前に、前記基板上にガイドを形成する工程をさらに具備し、前記ジブロックコポリマーを含有する組成物膜を相分離させて、前記ガイドに沿った第1の方向に延びるシリンダー状またはラメラ状の第1の相の成分を含む易エッチング領域を形成することを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。
- 前記ジブロックコポリマーは、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ(エチレン−alt−プロピレン)、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリビニルメチルエーテル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、およびポリブチレンオキサイド、ポリジメチルシロキサンからなる群より選択される2つのブロックを有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記ジブロックコポリマーを含有する組成物膜が相分離した前記第2の相に、さらにケイ素化合物が含有されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記ケイ素化合物は、シリケート類、ハイドロジェンシロキサン、メチルシロキサン、メチルシロキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、およびメチルシルセスキオキサンからなる群より選択されることを特徴とする請求項5に記載のパターン形成方法。
- 前記耐エッチングパターンを前記基板から除去する工程をさらに具備することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 請求項1ないし7のいずれか1項に記載のパターン形成方法により加工された格子状パターンを有する基板を具備することを特徴とするインプリントモールド。
- 媒体基板上に磁性膜を成膜する工程と、
前記磁性膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して請求項8に記載の格子状パターンを有するインプリントモールドを用いてインプリントを行い、前記レジスト膜に格子状の凹部を形成することにより、凸部からなるレジストパターンを得る工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記磁性膜をエッチングし、格子状の溝で分離された磁性膜パターンを形成する工程と
を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
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