JP2010147417A - Manufacturing method of semiconductor device, and substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造方法および基板処理装置に関する。
例えば、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)における高誘電率ゲート絶縁膜を形成するのに利用して有効なものに関する。
The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method and a substrate processing apparatus.
For example, the present invention relates to an effective method for forming a high dielectric constant gate insulating film in a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
MOSFETの高集積化および高性能化に伴い、ゲート絶縁膜への高誘電率絶縁膜の適用が検討されている。そして、信頼性等の観点から、高誘電率絶縁膜へ窒素(N2 )を導入することが検討されている。 With the high integration and high performance of MOSFETs, application of a high dielectric constant insulating film to a gate insulating film has been studied. From the viewpoint of reliability and the like, introduction of nitrogen (N2) into the high dielectric constant insulating film has been studied.
このように高誘電率絶縁膜へ窒素を導入した場合には、キャリア移動度の減少、BTI(Bias Temperature Instablity)の劣化等、MOSFET特性への影響が懸念されるため、導入する窒素はチャネルから離れた位置、すなわち、高誘電率絶縁膜表面近傍に添加することが望まれる。
このような目的を達成するためには、プラズマ窒化処理が使用されているが、所望の窒素量を高誘電率絶縁膜に導入しようとすると、必然的に、チャネル近傍まで窒素が導入されてしまう。
When nitrogen is introduced into the high dielectric constant insulating film in this way, there is a concern about influence on MOSFET characteristics such as reduction in carrier mobility and deterioration of BTI (Bias Temperature Instablity). It is desirable to add it at a remote location, that is, near the surface of the high dielectric constant insulating film.
In order to achieve such an object, plasma nitriding is used. However, if a desired amount of nitrogen is introduced into the high dielectric constant insulating film, nitrogen is necessarily introduced to the vicinity of the channel. .
本発明の目的は、高誘電率絶縁膜を形成する際の下地となる界面層および高誘電率絶縁膜下層部への窒素原子の導入を抑制し、所望の窒素プロファイルを得ることができ、窒素導入による移動度の劣化を抑制することができ、良好なMOSFET特性を得ることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to suppress introduction of nitrogen atoms into an interface layer and a lower dielectric constant insulating film lower layer as a base when forming a high dielectric constant insulating film, and to obtain a desired nitrogen profile. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus capable of suppressing deterioration of mobility due to introduction and obtaining good MOSFET characteristics.
本発明の一態様によれば、基板上に第一高誘電率絶縁膜を形成するステップと、
前記第一高誘電率絶縁膜に対し熱処理を施すことで前記第一高誘電率絶縁膜を緻密化または結晶化するステップと、
前記緻密化または結晶化した前記第一高誘電率絶縁膜上に第二高誘電率絶縁膜を形成するステップと、
前記第一高誘電率絶縁膜および前記第二高誘電率絶縁膜に対し同時に窒化処理を施すステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法、
が提供される。
本発明の他の態様によれば、基板上に高誘電率絶縁膜を形成する第一処理室と、
前記基板に対し熱処理を施す第二処理室と、
前記基板に対し窒化処理を施す第三処理室と、
前記第一処理室、前記第二処理室および前記第三処理室との間に設けられ、前記第一処理室、前記第二処理室および前記第三処理室との間で前記基板を搬送する搬送室と、
前記搬送室内に設けられ前記基板を搬送する搬送ロボットと、
前記基板を前記搬送ロボットにより前記第一処理室内に搬送し、前記第一処理室内で前記基板上に第一高誘電率絶縁膜を形成し、前記第一高誘電率絶縁膜が形成された前記基板を前記搬送ロボットにより前記第一処理室内から前記第二処理室内に搬送し、前記第二処理室内で前記第一高誘電率絶縁膜に対し熱処理を施すことで前記第一高誘電率絶縁膜を緻密化または結晶化し、前記第一高誘電率絶縁膜を緻密化または結晶化した前記基板を前記搬送ロボットにより前記第二処理室内から前記第一処理室内に搬送し、前記第一処理室内で前記緻密化または結晶化された前記第一高誘電率絶縁膜上に第二高誘電率絶縁膜を形成し、前記第二高誘電率絶縁膜が形成された前記基板を前記搬送ロボットにより前記第一処理室内から前記第三処理室内に搬送し、前記第三処理室内で前記第一高誘電率絶縁膜および前記第二高誘電率絶縁膜に対し同時に窒化処理を施すように制御するコントローラと、 を有することを特徴とする基板処理装置、
が提供される。
According to one aspect of the present invention, forming a first high dielectric constant insulating film on a substrate;
Densifying or crystallizing the first high dielectric constant insulating film by applying heat treatment to the first high dielectric constant insulating film;
Forming a second high dielectric constant insulating film on the densified or crystallized first high dielectric constant insulating film;
Simultaneously nitriding the first high dielectric constant insulating film and the second high dielectric constant insulating film;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
Is provided.
According to another aspect of the present invention, a first processing chamber for forming a high dielectric constant insulating film on a substrate;
A second processing chamber for heat-treating the substrate;
A third processing chamber for nitriding the substrate;
Provided between the first processing chamber, the second processing chamber, and the third processing chamber, and transports the substrate between the first processing chamber, the second processing chamber, and the third processing chamber. A transfer chamber;
A transfer robot provided in the transfer chamber for transferring the substrate;
The substrate is transferred into the first processing chamber by the transfer robot, a first high dielectric constant insulating film is formed on the substrate in the first processing chamber, and the first high dielectric constant insulating film is formed. The substrate is transferred from the first processing chamber to the second processing chamber by the transfer robot, and the first high dielectric constant insulating film is subjected to heat treatment in the second processing chamber. The first high dielectric constant insulating film is densified or crystallized, and the substrate is transported from the second processing chamber to the first processing chamber by the transfer robot. A second high dielectric constant insulating film is formed on the densified or crystallized first high dielectric constant insulating film, and the substrate on which the second high dielectric constant insulating film is formed is transferred by the transfer robot to the first high dielectric constant insulating film. From one processing chamber to the third processing chamber And a controller for controlling the first high dielectric constant insulating film and the second high dielectric constant insulating film to simultaneously perform nitriding in the third processing chamber. ,
Is provided.
この態様によれば、界面層および高誘電率絶縁膜下層部への窒素原子の導入を抑制し、所望の窒素プロファイルを得ることができ、窒素導入による移動度の劣化を抑制することができ、良好なMOSFET特性を得ることができる。 According to this aspect, the introduction of nitrogen atoms into the interface layer and the lower dielectric constant insulating film lower layer can be suppressed, a desired nitrogen profile can be obtained, and deterioration of mobility due to nitrogen introduction can be suppressed, Good MOSFET characteristics can be obtained.
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は本発明の一実施の形態であるICの製造方法におけるMOSFETのゲートスタック形成工程を示すフローチャートである。
図2以降は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示している。
まず、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
FIG. 1 is a flowchart showing a MOSFET gate stack forming step in an IC manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 and subsequent figures show a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
First, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、構造的には図2に示されているようにクラスタ装置として構成されており、機能的には、MOSFETのゲートスタック形成工程に使用されるように構成されている。
なお、本実施の形態に係るクラスタ装置においては、ウエハ2を搬送するためのウエハ搬送用キャリア(基板収納容器)としては、FOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという)1が使用されている。
In the present embodiment, the substrate processing apparatus according to the present invention is structurally configured as a cluster apparatus as shown in FIG. 2, and is functionally used for the MOSFET gate stack forming process. It is comprised so that.
In the cluster apparatus according to the present embodiment, a FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as a pod) 1 is used as a wafer transfer carrier (substrate storage container) for transferring the
図2に示されているように、クラスタ装置10は大気圧未満の圧力(負圧)に耐える構造に構成された搬送室としての第一ウエハ移載室(以下、負圧移載室という)11を備えており、負圧移載室11の筐体(以下、負圧移載室筐体という)12は、平面視が七角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
負圧移載室11の中央部には負圧下においてウエハ2を移載する搬送ロボットとしてのウエハ移載装置(以下、負圧移載装置という)13が設置されている。負圧移載装置13はスカラ形ロボット(selective compliance assembly robot arm SCARA)によって構成されている。
As shown in FIG. 2, the
A wafer transfer device (hereinafter referred to as a negative pressure transfer device) 13 as a transfer robot for transferring the
負圧移載室筐体12の7枚の側壁のうち長い側壁には、搬入用予備室(以下、搬入室という)14と搬出用予備室(以下、搬出室という)15とがそれぞれ隣接して連結されている。
搬入室14の筐体と搬出室15の筐体とはそれぞれ平面視が略菱形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されているとともに、負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。
Of the seven side walls of the negative pressure
Each of the housing of the carry-in
搬入室14および搬出室15の負圧移載室11と反対側には、大気圧以上の圧力(以下、正圧という)を維持可能な構造に構成された第二ウエハ移載室(以下、正圧移載室という)16が隣接して連結されており、正圧移載室16の筐体は平面視が横長の長方形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
搬入室14と正圧移載室16との境にはゲートバルブ17Aが設置されており、搬入室14と負圧移載室11との間にはゲートバルブ17Bが設置されている。
搬出室15と正圧移載室16との境にはゲートバルブ18Aが設置されており、搬出室15と負圧移載室11との間にはゲートバルブ18Bが設置されている。
正圧移載室16には正圧下でウエハ2を移載する第二ウエハ移載装置(以下、正圧移載装置という)19が設置されており、正圧移載装置19はスカラ形ロボットによって構成されている。
正圧移載装置19は正圧移載室16に設置されたエレベータによって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータによって左右方向に往復移動されるように構成されている。
正圧移載室16の左側端部にはノッチ合わせ装置20が設置されている。
On the opposite side of the
A
A gate valve 18 </ b> A is installed at the boundary between the carry-out
The positive
The positive
A
正圧移載室16の正面壁には三つのウエハ搬入搬出口21、22、23が、隣合わせに並べられて開設されており、これらのウエハ搬入搬出口21、22、23はウエハ2を正圧移載室16に対して搬入搬出し得るように設定されている。
これらのウエハ搬入搬出口21、22、23にはポッドオープナ24がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ24はポッド1を載置する載置台25と、載置台25に載置されたポッド1のキャップを着脱するキャップ着脱機構26とを備えており、載置台25に載置されたポッド1のキャップをキャップ着脱機構26によって着脱することにより、ポッド1のウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。
ポッドオープナ24の載置台25に対してはポッド1が、図示しない工程内搬送装置(RGV)によって供給および排出されるようになっている。
Three wafer loading / unloading
The
The pod 1 is supplied to and discharged from the mounting table 25 of the
図2に示されているように、負圧移載室筐体12の7枚の側壁のうち正圧移載室16と反対側に位置する3枚の側壁には、第一処理ユニット31と第二処理ユニット32と第三処理ユニット33とがそれぞれ隣接して連結されている。
第一処理ユニット31と負圧移載室11との間にはゲートバルブ44(図3参照)が設置されている。
第二処理ユニット32と負圧移載室11との間にはゲートバルブ82(図4参照)が設置されている。
第三処理ユニット33と負圧移載室11との間にはゲートバルブ118(図5参照)が設置されている。
また、負圧移載室筐体12における7枚の側壁のうちの他の2枚の側壁には、第一クーリングユニット35と、第二クーリングユニット36とがそれぞれ連結されており、第一クーリングユニット35および第二クーリングユニット36はいずれも処理済みのウエハ2を冷却するように構成されている。
As shown in FIG. 2, among the seven side walls of the negative pressure
A gate valve 44 (see FIG. 3) is installed between the
A gate valve 82 (see FIG. 4) is installed between the
A gate valve 118 (see FIG. 5) is installed between the
Further, the other two side walls of the seven side walls in the negative pressure
クラスタ装置10は後述するシーケンスフローを統括的に制御するためのコントローラ37を備えている。
The
次に、前記構成に係るクラスタ装置10を使用して、図1に示されたゲートスタック形成工程を実施する場合について説明する。
Next, a case where the gate stack forming process shown in FIG. 1 is performed using the
図1に示されたウエハ投入ステップにおいては、クラスタ装置10の載置台25に供給されたポッド1のキャップが、キャップ着脱機構26によって取り外され、ポッド1のウエハ出し入れ口が開放される。
ポッド1が開放されると、正圧移載室16に設置された正圧移載装置19はウエハ搬入搬出口を通してポッド1からウエハ2を1枚ずつピックアップし、搬入室14に投入し、ウエハ2を搬入室用仮置き台に移載して行く。
この移載作業中には、搬入室14の正圧移載室16側はゲートバルブ17Aによって開かれており、また、搬入室14の負圧移載室11側はゲートバルブ17Bによって閉じられており、負圧移載室11内の圧力は、例えば、100Paに維持されている。
In the wafer loading step shown in FIG. 1, the cap of the pod 1 supplied to the mounting table 25 of the
When the pod 1 is opened, the positive
During this transfer operation, the positive
図1に示されたウエハローディングステップにおいては、搬入室14の正圧移載室16側がゲートバルブ17Aによって閉じられ、搬入室14が排気装置(図示せず)によって負圧に排気される。
搬入室14内が予め設定された圧力値に減圧されると、搬入室14の負圧移載室11側がゲートバルブ17Bによって開かれる。
次に、負圧移載室11の負圧移載装置13は搬入室用仮置き台からウエハ2を1枚ずつピックアップして負圧移載室11に搬入する。
その後、搬入室14の負圧移載室11側がゲートバルブ17Bによって閉じられる。
続いて、第一処理ユニット31のゲートバルブ44が開かれ、負圧移載装置13はウエハ2を、図1に示された界面層形成ステップおよび第一高誘電率絶縁膜形成ステップを実施する第一処理ユニット31に搬送して、第一処理ユニット31の処理室へ搬入(ウエハローディング)する。
なお、ウエハの第一処理ユニット31への搬入に際しては、搬入室14および負圧移載室11が真空排気されることによって内部の酸素や水分が予め除去されているため、外部の酸素や水分がウエハの第一処理ユニット31への搬入に伴って第一処理ユニット31の処理室に侵入することは確実に防止される。
In the wafer loading step shown in FIG. 1, the positive
When the inside of the carry-in
Next, the negative
Thereafter, the negative pressure transfer chamber 11 side of the carry-in
Subsequently, the
Note that when the wafer is loaded into the
本実施の形態においては、第一処理ユニット31は、構造的には図3に示されているように、枚葉式ウォームウオール形基板処理装置として構成されており、機能的にはALD(Atomic Layer Deposition )装置またはサイクリックCVD装置(以下、成膜装置という)40として構成されている。
図3に示されているように、成膜装置40は処理室41を形成する筐体42を備えている。筐体42の負圧移載室11との境にはウエハ搬入搬出口43が開設されており、ウエハ搬入搬出口43はゲートバルブ44によって開閉されるように構成されている。
筐体42により形成される処理室41内には、ウエハ2を支持する支持台45が設けられている。支持台45の上部にはウエハ2を支持するサセプタ46が設けられている。
支持台45の内部にはヒータ47が設けられている。ヒータ47はサセプタ46上に載置されるウエハ2を加熱する。ヒータ47はウエハ2の温度が所定の温度となるように温度制御部(温度制御手段)としての温度コントローラ48により制御される。
処理室41の外部には回転機構(回転手段)49が設けられている。回転機構49は処理室41内の支持台45を回転させてサセプタ46上のウエハ2を回転させる。
処理室41の外部には昇降機構(昇降手段)50が設けられている。昇降機構50は支持台45を処理室41内において昇降させる。
In the present embodiment, the
As shown in FIG. 3, the
A
A
A rotation mechanism (rotation means) 49 is provided outside the
An elevating mechanism (elevating means) 50 is provided outside the
処理室41の上部にはガスをシャワー状に噴出するシャワーヘッド51が設けられており、シャワーヘッド51はサセプタ46と対向するように設けられている。
シャワーヘッド51は分散板51aとシャワー板51bとを有する。分散板51aは多数個のガス噴出口51fを有し、内部に供給されたガスを分散させる。シャワー板51bは多数個のガス噴出口51eを有し、分散板51a により分散されたガスを処理室41内へシャワー状に噴出させる。シャワーヘッド51の天井部と分散板51a との間には、第一バッファ空間51cが設けられており、分散板51a とシャワー板51bとの間には第二バッファ空間51dが設けられている。
A
The
処理室41の外部には、液体原料である第一原料を供給する第一原料供給源52Aと、液体原料である第二原料を供給する第二原料供給源52Dとが設けられている。
第一原料供給源52Aには第一液体原料供給管53Aが接続されており、第二原料供給源52Dには第二液体原料供給管53Dが接続されている。
第一液体原料供給管53Aおよび第二液体原料供給管53Dはそれぞれ、原料の液体供給流量を制御する流量制御装置(流量制御手段)としての液体流量コントローラ(液体マスフローコントローラ)54A、54Dを介して、原料を気化する気化器55A、55Dに接続されている。
気化器55A、55Dには第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56Dがそれぞれ接続されており、第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56Dはバルブ57A、57Dを介してシャワーヘッド51にそれぞれ接続されている。
Outside the
A first liquid
The first liquid
A first source
また、処理室41の外部には不活性ガス供給源52Cが設けられており、不活性ガス供給源52Cは非反応性ガスとしての不活性ガスを供給する。
不活性ガス供給源52Cには不活性ガス供給管53Cが接続されており、不活性ガス供給管53Cの途中には不活性ガスの供給流量を制御する流量制御装置(流量制御手段)としてのガス流量コントローラ(マスフローコントローラ)54Cが設けられている。
不活性ガス供給管53Cはガス流量コントローラ54Cよりも下流側で二つの供給管に分岐している。分岐した一方の供給管はバルブ57Cを介して第一原料ガス供給管56Aに接続され、分岐した他方の供給管はバルブ57Eを介して第二原料ガス供給管56Dに接続されている。不活性ガスとしては、例えば、Ar、He、N2 を用いる。
In addition, an inert
An inert
The inert
第一原料ガス供給管56Aでは、気化器55Aにて第一原料を気化して得た第一原料ガスと、不活性ガス供給管53Cからの不活性ガスとが混合される。
第二原料ガス供給管56Dでは、気化器55Dにて第二原料を気化して得た第二原料ガスと、不活性ガス供給管53Cからの不活性ガスとが混合される。
混合されたガスは第一原料ガス供給管56Aおよび第二原料ガス供給管56Dからシャワーヘッド51の第一バッファ空間51cにそれぞれ供給される。
第一原料ガス供給管56A、第二原料ガス供給管56D、不活性ガス供給管53Cにそれぞれ設けられたバルブ57A、57D、57C、57Eは開閉することにより、それぞれのガスの供給を制御する。
In the first raw material
In the second raw material
The mixed gas is supplied from the first source
処理室41の外部にはオゾナイザ58が設けられており、オゾナイザ58は酸素ガス(O2 )からオゾンガス(O3 )を生成する。
オゾナイザ58の上流側には酸素ガス供給管53Bが設けられており、酸素ガス供給管53Bには酸素ガス供給源52Bが接続されている。酸素ガス供給源52Bは酸素ガスをオゾナイザ58に酸素ガス供給管53Bを介して供給する。
酸素ガス供給管53Bには酸素ガスの供給流量を制御するガス流量コントローラ54Bとバルブ57Bとが設けられている。バルブ57Bは開閉することにより、酸素ガスの供給を制御する。
オゾナイザ58の下流側にはオゾンガス供給管59Bが設けられており、オゾンガス供給管59Bはバルブ60Bを介してシャワーヘッド51に接続されている。
オゾンガス供給管59Bはオゾナイザ58によって生成されたオゾンガスをシャワーヘッド51の第一バッファ空間51cに供給する。バルブ60Bは開閉することにより、オゾンガスの供給を制御する。
An
An oxygen
The oxygen
An ozone
The ozone gas supply pipe 59 </ b> B supplies the ozone gas generated by the
筐体42の下部側壁には排気口61が設けられており、排気口61には排気管62の一端が接続されている。排気管62の他端は排気装置(排気手段)としての真空ポンプ63および除害装置(図示せず)に接続されている。排気口61および排気管62で排気系が構成されている。
排気管62には圧力制御部(圧力制御手段)としての圧力コントローラ64と、原料回収トラップ65とが設けられている。圧力コントローラ64は処理室41内の圧力を制御する。原料回収トラップ65は原料を回収する。
An
The
第一原料ガス供給管56Aと第二原料ガス供給管56Dとオゾンガス供給管59Bとには、原料回収トラップ65に接続された第一原料ガスバイパス管(ベント管)66Aと、第二原料ガスバイパス管(ベント管)66Cと、オゾンガスバイパス管(ベント管)66Bとがそれぞれ設けられている。バイパス管66A、66C、66Bには、バルブ67A、67C、67Bがそれぞれ設けられている。
The first source
処理室41内の支持台45上には整流板としてのプレート68が設けられており、プレート68はシャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを介して供給されたガスの流れを調整する。プレート68は円環(リング)形状であり、ウエハ2の周囲に位置する。
シャワーヘッド51を介してウエハ2に供給されたガスはウエハ2の径方向外方に向かって流れ、プレート68上を通り、プレート68と筐体42の側壁(内壁)との間を通り、排気口61より排気される。
A
The gas supplied to the
バルブ57A〜67C、流量コントローラ54A〜54D、温度コントローラ48、圧力コントローラ64、気化器55A、55D、オゾナイザ58、回転機構49、昇降機構50の制御は、主制御部(主制御手段)としてのメインコントローラ69が行う。
なお、メインコントローラ69の制御は、コントローラ37により行う。
Control of the valves 57A to 67C,
The
次に、図1に示された界面層形成ステップおよび第一高誘電率絶縁膜形成ステップを、成膜装置40を使用して高誘電率膜であるハフニウムシリケート(HfSiO)膜をALD法、または、サイクリックCVD法によってウエハ2上に成膜する場合について説明する。
なお、以下の説明において、成膜装置40を構成する各部の動作はメインコントローラ69により制御される。
Next, the interface layer forming step and the first high dielectric constant insulating film forming step shown in FIG. 1 are performed using a
In the following description, the operation of each part constituting the
ここで、高誘電率膜が形成される前のウエハ2の構造は、図6(a)に示されているようになっている。
すなわち、シリコンウエハ2には素子分離領域3が形成されており、この素子分離領域3で分離された活性領域にはPウエル領域4とNウエル領域5とが形成されている。
Here, the structure of the
That is, the
本実施形態では、ハフニウム系プリカーサとしては、Hf‐MMP(Hf[OC(CH3 )2 CH2 OCH3 ]4 :テトラキス(1‐メトキシ‐2‐メチル‐2‐プロポキシ)ハフニウム)を使用し、シリコン系プリカーサとしては、Si‐MMP(Si[OC(CH3 )2 CH2 OCH3 ]4 :テトラキス(1‐メトキシ‐2‐メチル‐2‐プロポキシ)シリコン)を使用して、これらの原料を気化器で気化して得た原料ガスを用いる例について説明する。 In this embodiment, Hf-MMP (Hf [OC (CH3) 2CH2OCH3] 4: tetrakis (1-methoxy-2-methyl-2-propoxy) hafnium) is used as the hafnium precursor and a silicon precursor is used. As Si-MMP (Si [OC (CH3) 2CH2OCH3] 4: tetrakis (1-methoxy-2-methyl-2-propoxy) silicon), these raw materials are vaporized in a vaporizer. An example using the obtained source gas will be described.
図3において、支持台45がウエハ搬送位置まで下降した状態で、ゲートバルブ44が開かれ、ウエハ搬入搬出口43が開放されると、ウエハ2が処理室41内に負圧移載装置13により搬入される(ウエハ搬入ステップ)。
ウエハ2が処理室41内に搬入され、図示しない突き上げピン上に載置された後、ゲートバルブ44が閉じられる。支持台45がウエハ搬送位置からそれよりも上方のウエハ処理位置まで上昇する。その間に、ウエハ2は突き上げピン上からサセプタ46上に載置される(ウエハ載置ステップ)。
In FIG. 3, when the
After the
支持台45がウエハ処理位置に到達すると、ウエハ2は回転機構49により回転される。また、ヒータ47に電力が供給されることにより、ウエハ2は所定の処理温度となるように均一に加熱される(ウエハ昇温ステップ)。
同時に、処理室41内は真空ポンプ63により排気され、所定の処理圧力となるように制御される(圧力調整ステップ)。
なお、ウエハ搬送時やウエハ昇温時や圧力調整時においては、不活性ガス供給管53Cに設けられたバルブ57C、57Eは常時開いた状態とされ、不活性ガス供給源52Cより処理室41内に不活性ガスが常に流される。これにより、パーティクルや金属汚染物のウエハ2への付着を防ぐことができる。
When the support table 45 reaches the wafer processing position, the
At the same time, the inside of the
Note that the
まず、界面層形成ステップについて説明する。
処理室41内の圧力が所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内にオゾンガスが供給される(図8(a)参照)。
すなわち、バルブ57Bが開かれると、酸素ガス供給源52Bから供給された酸素ガスが酸素ガス供給管53Bを通り、ガス流量コントローラ54Bで流量制御されてオゾナイザ58へ供給される。オゾナイザ58はオゾンガスを生成する。
オゾンガスが生成された後に、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを介してウエハ2上へシャワー状に供給される。ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
オゾンガスがウエハ2表面に接触することにより、図6(b)に示されているように、ウエハ2表面に極薄い界面層としてのシリコン酸化膜6が形成される(界面層形成ステップ)。
First, the interface layer forming step will be described.
When the pressure in the
That is, when the valve 57B is opened, the oxygen gas supplied from the oxygen
After the ozone gas is generated, when the valve 67B is closed and the
By contacting the ozone gas with the surface of the
オゾンガスの供給が所定時間行われ、界面層としてのシリコン酸化膜6が形成された後に、バルブ60Bが閉じられ、オゾンガスのウエハ2への供給が停止される。
このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After ozone gas is supplied for a predetermined time and the
At this time, since the
The inert gas supplied to the
処理室41内のパージが所定時間行われ、ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定した後に、第一高誘電率絶縁膜形成ステップが行われる。
After the purge in the
次に、第一高誘電率絶縁膜形成ステップについて説明する。
まず、図8に示された第一シーケンスについて説明する。
ウエハ2表面に界面層としてのシリコン酸化膜6が形成された後に、ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の成膜温度や所定の成膜圧力に到達して安定すると、処理室41内に第一原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源52Aから供給された第一原料としての有機金属液体原料、例えば、Hf−MMPが第一液体原料供給管53Aを通り、液体流量コントローラ54Aで流量制御され、気化器55Aへ供給される。気化器55Aは第一原料を気化させる。
バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは第一原料ガス供給管56Aを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管56A内で混合されてシャワーヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワー状に供給される(第一原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第一原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第一原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
Next, the first high dielectric constant insulating film forming step will be described.
First, the first sequence shown in FIG. 8 will be described.
After the
That is, an organometallic liquid raw material, for example, Hf-MMP, supplied as a first raw material from the first raw
When the
The first source gas and the inert gas are mixed in the first source
The first source gas supplied to the
The first source gas is easily stirred by being diluted with an inert gas.
第一原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ57Aが閉じられ、第一原料ガスのウエハ2への供給が停止される。このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After supplying the first source gas for a predetermined time, the valve 57A is closed, and the supply of the first source gas to the
The inert gas supplied to the
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室41内に第二原料ガスが供給される。
すなわち、第二原料供給源52Dから供給された第二原料としての有機金属液体原料、例えば、Si−MMPが第二液体原料供給管53Dを通り、液体流量コントローラ54Dで流量制御され、気化器55Dへ供給される。気化器55Dは第二原料を気化させる。バルブ67Cが閉じられると共に、バルブ57Dが開かれると、気化した第二原料ガスは第二原料ガス供給管56Dを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51dおよびシャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。このときも、バルブ57E、57Cは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管56D内で混合されてシャワーヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワー状に供給される(第二原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第二原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第二原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
After the residual gas purge in the
That is, the organometallic liquid raw material as the second raw material, for example, Si-MMP supplied from the second raw material supply source 52D passes through the second liquid raw material supply pipe 53D, the flow rate is controlled by the liquid
The second source gas and the inert gas are mixed in the second source
The second source gas supplied to the
The second source gas is easily stirred by being diluted with an inert gas.
第二原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ57Dが閉じられ、第二原料ガスのウエハ2への供給が停止される。このときも、バルブ57E、57Cは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After supplying the second source gas for a predetermined time, the valve 57D is closed, and the supply of the second source gas to the
The inert gas supplied to the
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室41内に酸化剤としてのオゾンガスが供給される。
すなわち、前述のように、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止することなく処理室41をバイパスするように流しておいた状態で、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へシャワー状に供給される(酸化剤供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
なお、このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に供給される。
After purging the residual gas in the
That is, as described above, when the valve 67B is closed and the
The ozone gas supplied to the
At this time, the
オゾンガスの供給が所定時間行われた後、バルブ60Bが閉じられ、オゾンガスのウエハ2への供給が停止される。このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After the ozone gas is supplied for a predetermined time, the
The inert gas supplied to the
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、再び、バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、気化した第一原料ガスが不活性ガスと共にシャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。すわなち、第一原料ガス供給ステップが実施される。
After the residual gas purge in the
以上の第一原料ガス供給ステップ、パージステップ、第二原料ガス供給ステップ、パージステップ、酸化剤供給ステップおよびパージステップを1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を行うことにより、図6(c)に示されているように、ウエハ2表面に形成された界面層としてのシリコン酸化膜6上に第一高誘電率絶縁膜としての非晶質(アモルファス)の第一ハフニウムシリケート膜7が形成される(第一高誘電率絶縁膜形成ステップ)。
The above-described first source gas supply step, purge step, second source gas supply step, purge step, oxidant supply step and purge step are taken as one cycle, and a cycle process for repeating this cycle a plurality of times is performed as shown in FIG. As shown in c), an amorphous first
次に、図9に示された第二シーケンスについて説明する。
ウエハ2表面に界面層としてのシリコン酸化膜6が形成された後、ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内に第一原料ガスおよび第二原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源52Aから供給された第一原料としてのHf−MMPが、第一液体原料供給管53Aを通り、液体流量コントローラ54Aで流量制御され、気化器55Aへ供給される。気化器55Aは第一原料を気化させる。バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは、第一原料ガス供給管56Aを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
同時に、第二原料供給源52Dから供給された第二原料としてのSi−MMPが第二液体原料供給管53Dを通り、液体流量コントローラ54Dで流量制御され、気化器55Dへ供給される。気化器55Dは第二原料を気化させる。バルブ67Cが閉じられると共に、バルブ57Dが開かれると、第二原料が気化した第二原料ガスは、第二原料ガス供給管56Dを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管56A内で混合され、第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管56D内で混合されてシャワーヘッド51に導かれる。これらのガスは第一バッファ空間51cにおいて混合された後に、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワー状に供給される(原料ガス供給ステップ)。
Next, the second sequence shown in FIG. 9 will be described.
After the
That is, Hf-MMP as the first raw material supplied from the first raw
At the same time, Si-MMP as the second raw material supplied from the second raw material supply source 52D passes through the second liquid raw material supply pipe 53D, is controlled in flow rate by the liquid
The first source gas and the inert gas are mixed in the first source
第一原料ガスおよび第二原料ガスが所定時間供給された後に、バルブ57A、57Dが閉じられて、各原料ガスのウエハ2への供給が停止される。このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After the first source gas and the second source gas are supplied for a predetermined time, the valves 57A and 57D are closed, and the supply of each source gas to the
The inert gas supplied to the
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室41内に酸化剤としてのオゾンガスが供給される。
すなわち、前述のように、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止することなく処理室41をバイパスするように流しておいた状態で、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へシャワー状に供給される(酸化剤供給ステップ)。
After purging the residual gas in the
That is, as described above, when the valve 67B is closed and the
オゾンガスの供給が所定時間行われた後、バルブ60Bが閉じられ、オゾンガスのウエハ2への供給が停止される。このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After the ozone gas is supplied for a predetermined time, the
The inert gas supplied to the
処理室41内の残留ガスパージが所定時間だけ実施された後に、再び、バルブ67Aが閉じられると共にバルブ57Aが開かれ、同時に、バルブ67Cが閉じられると共に、バルブ57Dが開かれると、気化した第一原料ガスおよび第二原料ガスが不活性ガスと共にシャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。すなわち、原料ガス供給ステップが実施される。
After purging the residual gas in the
以上の原料ガス供給ステップ、パージステップ、酸化剤供給ステップおよびパージステップを1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を実施することにより、ウエハ2表面に形成された界面層としてのシリコン酸化膜6上に第一高誘電率絶縁膜としての非晶質の第一ハフニウムシリケート膜7(図6(c)参照)が形成される(第一高誘電率絶縁膜形成ステップ)。
The above-described source gas supply step, purge step, oxidant supply step, and purge step are set as one cycle, and a silicon oxide film as an interface layer formed on the surface of the
なお、高誘電率膜形成ステップをサイクリックCVD法により行う場合には、成膜温度を原料ガスが自己分解する程度の温度帯となるように制御する。この場合、原料ガス供給ステップにおいては、原料ガスが熱分解し、ウエハ2上に数〜数十原子層程度の高誘電率膜が形成される。酸化剤供給ステップにおいては、オゾンガスによりウエハ2上に形成された数〜数十原子層程度の高誘電率膜よりC、H等の不純物が除去される。
In the case where the high dielectric constant film forming step is performed by the cyclic CVD method, the film forming temperature is controlled to be a temperature range in which the source gas is self-decomposed. In this case, in the source gas supply step, the source gas is thermally decomposed to form a high dielectric constant film of about several to several tens of atomic layers on the
また、高誘電率膜形成ステップをALD法により行う場合には、成膜温度を原料ガスが自己分解しない程度の温度帯となるように制御する。この場合、原料ガス供給ステップにおいては、原料ガスはウエハ2上に吸着する。酸化剤供給ステップでは、ウエハ2上に吸着した原料とオゾンガスとが反応することによりウエハ2上に1原子層未満〜数原子層程度の高誘電率膜が形成される。なお、このとき、オゾンガスにより高誘電率膜中に混入するC、H等の不純物を脱離させることができる。
In addition, when the high dielectric constant film forming step is performed by the ALD method, the film forming temperature is controlled to be a temperature range in which the source gas is not self-decomposed. In this case, the source gas is adsorbed onto the
サイクリックCVD法によりハフニウムシリケート膜を成膜する処理条件としては、処理温度:390〜450℃、処理圧力:50〜400Pa、第一原料(Hf−MMP)供給流量:0.01〜0.2g/分、第二原料(Si−MMP)供給流量:0.01〜0.2g/分、酸化剤(オゾンガス)供給流量:100〜3000sccmが例示される。
また、ALD法によりハフニウムシリケート膜を成膜する処理条件としては、処理温度:200〜350℃、処理圧力:50〜400Pa、第一原料(Hf−MMP)供給流量:0.01〜0.2g/分、第二原料(Si−MMP)供給流量:0.01〜0.2g/分、酸化剤(オゾンガス)供給流量:100〜3000sccmが例示される。
The processing conditions for forming a hafnium silicate film by cyclic CVD are as follows: processing temperature: 390 to 450 ° C., processing pressure: 50 to 400 Pa, first raw material (Hf-MMP) supply flow rate: 0.01 to 0.2 g / Min, second raw material (Si-MMP) supply flow rate: 0.01 to 0.2 g / min, oxidizing agent (ozone gas) supply flow rate: 100 to 3000 sccm.
The processing conditions for forming a hafnium silicate film by the ALD method are as follows: processing temperature: 200 to 350 ° C., processing pressure: 50 to 400 Pa, first raw material (Hf-MMP) supply flow rate: 0.01 to 0.2 g / Min, second raw material (Si-MMP) supply flow rate: 0.01 to 0.2 g / min, oxidizing agent (ozone gas) supply flow rate: 100 to 3000 sccm.
以上のようにして、図6(c)に示されているように、ウエハ2上に形成された界面層としてのシリコン酸化膜6上に第一高誘電率絶縁膜としての第一ハフニウムシリケート膜7が形成される。
この第一ハフニウムシリケート膜7の厚さは、例えば1nm程度とする。
第一ハフニウムシリケート膜の形成が終了すると、ゲートバルブ44が開かれ、成膜済みのウエハ2は負圧移載装置13によって第一処理ユニット31から負圧に維持された負圧移載室11に搬出(ウエハアンローディング)される。
続いて、ゲートバルブ44が閉じられた後に、ゲートバルブ118が開かれ、負圧移載装置13はウエハ2を、図1に示された緻密化ステップを実施する第三処理ユニット33に搬送して、第三処理ユニット33の処理室へ搬入(ウエハローディング)する。
As described above, the first hafnium silicate film as the first high dielectric constant insulating film is formed on the
The thickness of the first
When the formation of the first hafnium silicate film is completed, the
Subsequently, after the
本実施の形態においては、緻密化ステップを実施する第三処理ユニット33には、図5に示されたRTP(Rapid Thermal Processing)装置110が使用されている。
図5に示されているように、RTP装置110はウエハ2を処理する処理室111を形成した筐体112を備えており、筐体112は上下面が開口した円筒形状に形成されたカップ113と、カップ113の上面開口部を閉塞する円盤形状のトッププレート114と、カップ113の下面開口部を閉塞する円盤形状のボトムプレート115とが組み合わされて円筒中空体形状に構築されている。
カップ113の側壁の一部には排気口116が処理室111の内外を連通するように開設されており、排気口116には処理室111を大気圧未満(以下、負圧という)に排気し得る排気装置(図示せず)が接続されている。
カップ113の側壁の排気口116と反対側の位置には、ウエハ2を処理室111に搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口117が開設されており、ウエハ搬入搬出口117はゲートバルブ118によって開閉されるようになっている。
In the present embodiment, the RTP (Rapid Thermal Processing) apparatus 110 shown in FIG. 5 is used for the
As shown in FIG. 5, the RTP apparatus 110 includes a
An
A wafer loading / unloading port 117 for loading / unloading the
ボトムプレート115の下面の中心線上には昇降駆動装置119が設置されており、昇降駆動装置119はボトムプレート115に挿通されてボトムプレート115に対して上下方向に摺動自在に構成された昇降軸120を昇降させるように構成されている。
昇降軸120の上端には昇降板121が水平に固定されており、昇降板121の上面には複数本(通常は3本または4本)のリフタピン122が垂直に立脚されて固定されており、各リフタピン122は昇降板121の昇降に伴って昇降することにより、ウエハ2を下から水平に支持して昇降させるようになっている。
An elevating
A lifting
ボトムプレート115の上面における昇降軸120の外側には支持筒123が突設されており、支持筒123の上端面の上には冷却プレート124が水平に架設されている。
冷却プレート124の上方には、複数本の加熱ランプから構成された第一加熱ランプ群125および第二加熱ランプ群126が下から順に配置されて、それぞれ水平に架設されており、第一加熱ランプ群125および第二加熱ランプ群126は第一支柱127および第二支柱128によってそれぞれ水平に支持されている。
第一加熱ランプ群125および第二加熱ランプ群126の電力供給電線129はボトムプレート115を挿通して外部に引き出されている。
A support cylinder 123 protrudes outside the lifting
Above the
The
処理室111にはタレット131が処理室111と同心円に配置されている。タレット131は内歯平歯車133の上面に同心円に固定されており、内歯平歯車133はボトムプレート115に介設されたベアリング132によって水平に支承されている。内歯平歯車133には原動側平歯車134が噛合されており、原動側平歯車134はボトムプレート115に介設されたベアリング135によって水平に支承され、ボトムプレート115の下に設置されたサセプタ回転装置136によって回転駆動されるようになっている。
タレット131の上端面の上には平板の円形リング形状に形成されたアウタプラットホーム137が水平に架設されており、アウタプラットホーム137の内側にはインナプラットホーム138が水平に架設されている。
インナプラットホーム138の内周の下端部にはサセプタ140が、内周面の下端部に径方向内向きに突設された係合部139に係合されて保持されている。サセプタ140の各リフタピン122に対向する位置には挿通孔141がそれぞれ開設されている。
A
An
A
トッププレート114にはアニールガス供給管142および不活性ガス供給管143が処理室111に連通するようにそれぞれ接続されている。
また、トッププレート114には放射温度計のプローブ144が複数本、互いに半径方向にウエハ2の中心から周辺にかけてずらされてそれぞれ配置されてウエハ2の上面と対向するように挿入されており、放射温度計は複数本のプローブ144がそれぞれ検出した放射光に基づく計測温度をコントローラに逐次送信するように構成されている。
トッププレート114の他の場所にはウエハ2の放射率を非接触にて測定する放射率測定装置145が設置されている。放射率測定装置145はレファレンスプローブ146を備えており、レファレンスプローブ146はレファレンスプローブ用モータ147によって垂直面内で回転されるようになっている。
レファレンスプローブ146の上側には参照光を照射するレファレンスランプ148がレファレンスプローブ146の先端に対向するように設置されている。レファレンスプローブ146は放射温度計に光学的に接続されており、放射温度計はウエハ2からの光子密度とレファレンスランプ148からの参照光の光子密度とを比較することにより、計測温度を校正するようになっている。
An annealing
Further, a plurality of radiation thermometer probes 144 are respectively inserted in the
An
On the upper side of the
次に、図1に示された緻密化ステップを、以上の構成に係るRTP装置を使用して、ウエハ2上に形成された第一ハフニウムシリケート膜7にアニールを施す場合について説明する。すなわち、第一高誘電率絶縁膜を緻密化もしくは結晶化するステップについて説明する。
Next, the densification step shown in FIG. 1 will be described in the case where the first
ゲートバルブ118が開かれると、アニールを施すべきウエハ2は、第三処理ユニット33であるRTP装置110の処理室111に負圧移載装置13によってウエハ搬入搬出口117から搬入され、複数本のリフタピン122の上端間に移載される。
ウエハ2をリフタピン122に移載した負圧移載装置13が処理室111の外へ退避すると、ウエハ搬入搬出口117がゲートバルブ118により閉じられる。
また、昇降軸120が昇降駆動装置119によって下降されることにより、リフタピン122の上のウエハ2がサセプタ140の上に受け渡される。
処理室111が気密に閉じられた状態で、処理室111内は10〜10000Paの範囲内の所定の圧力となるように排気口116を通じて排気される。
When the
When the negative
Further, the
With the processing chamber 111 closed in an airtight manner, the processing chamber 111 is exhausted through the
ウエハ2がサセプタ140に受け渡されると、ウエハ2をサセプタ140によって保持したタレット131が内歯平歯車133および原動側平歯車134を介してサセプタ回転装置136によって回転される。
サセプタ140に保持されたウエハ2はサセプタ回転装置136によって回転されながら、600〜1050℃の範囲内の所定の温度となるように第一加熱ランプ群125および第二加熱ランプ群126によって加熱される。
この回転および加熱中に、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスが処理室111に、アニールガス供給管142から供給される。
サセプタ140がサセプタ回転装置136によって回転されながら、サセプタ140の上に保持されたウエハ2は第一加熱ランプ群125および第二加熱ランプ群126によって均一に加熱されるため、ウエハ2上のハフニウムシリケート膜7は全面にわたって均一にアニールされる。
このアニールの処理時間は、5〜120秒間である。
以上の回復アニールステップにより、図7(a)に示されているように、ウエハ2には緻密化もしくは結晶化されたハフニウムシリケート膜8(以下、緻密化膜という)が形成される。
When the
The
During the rotation and heating, an inert gas such as nitrogen gas or argon gas is supplied to the processing chamber 111 from the annealing
Since the
The annealing treatment time is 5 to 120 seconds.
By the above recovery annealing step, as shown in FIG. 7A, a densified or crystallized hafnium silicate film 8 (hereinafter referred to as a densified film) is formed on the
RTP装置110において予め設定された所定の処理時間が経過すると、処理室111が排気口116によって所定の負圧となるように排気された後に、ゲートバルブ118が開かれ、アニールが施されたウエハ2は、負圧移載装置13によって搬入時と逆の手順で処理室111から負圧移載室11に搬出(ウエハアンローディング)される。
続いて、ゲートバルブ118が閉じられた後に、ゲートバルブ44が開かれ、負圧移載装置13はウエハ2を、高誘電率膜を形成する第一処理ユニット31である成膜装置40の処理室41内に再び搬入する。
When a predetermined processing time set in advance in the RTP apparatus 110 elapses, the processing chamber 111 is evacuated to a predetermined negative pressure by the
Subsequently, after the
次に、図1に示された第二高誘電率絶縁膜形成ステップを図3に示された成膜装置40を使用して高誘電率膜であるハフニウムシリケート(HfSiO)膜をALD法、または、サイクリックCVD法によって緻密化膜8上に成膜する場合について説明する。なお、第二高誘電率絶縁膜形成ステップにおける処理フローや使用する原料は、基本的には第一高誘電率絶縁膜形成ステップと同様である。
なお、以下の説明において、成膜装置40を構成する各部の動作はメインコントローラ69により制御される。
Next, the second high dielectric constant insulating film forming step shown in FIG. 1 is performed by using the
In the following description, the operation of each part constituting the
ここで、第二高誘電率絶縁膜が形成される前のウエハ2の構造は、図7(a)に示されているようになっている。
また、本実施形態では、ハフニウム系プリカーサとしては、Hf‐MMP(Hf[OC(CH3 )2 CH2 OCH3 ]4 :テトラキス(1‐メトキシ‐2‐メチル‐2‐プロポキシ)ハフニウム)を使用し、シリコン系プリカーサとしては、Si‐MMP(Si[OC(CH3 )2 CH2 OCH3 ]4 :テトラキス(1‐メトキシ‐2‐メチル‐2‐プロポキシ)シリコン)を使用して、これらの原料を気化器で気化して得た原料ガスを用いる例について説明する。
Here, the structure of the
In the present embodiment, Hf-MMP (Hf [OC (CH3) 2CH2OCH3] 4: tetrakis (1-methoxy-2-methyl-2-propoxy) hafnium) is used as the hafnium-based precursor, and silicon is used. Si-MMP (Si [OC (CH3) 2CH2OCH3] 4: tetrakis (1-methoxy-2-methyl-2-propoxy) silicon) is used as a system precursor, and these raw materials are vaporized by a vaporizer. An example of using the raw material gas obtained by the conversion is described.
図3において、支持台45がウエハ搬送位置まで下降した状態で、ゲートバルブ44が開かれ、ウエハ搬入搬出口43が開放されると、ウエハ2が処理室41内に負圧移載装置13により搬入される(ウエハ搬入ステップ)。
ウエハ2が処理室41内に搬入され、図示しない突き上げピン上に載置された後、ゲートバルブ44が閉じられる。支持台45がウエハ搬送位置からそれよりも上方のウエハ処理位置まで上昇する。その間に、ウエハ2は突き上げピン上からサセプタ46上に載置される(ウエハ載置ステップ)。
In FIG. 3, when the
After the
支持台45がウエハ処理位置に到達すると、ウエハ2は回転機構49により回転される。また、ヒータ47に電力が供給されることにより、ウエハ2は所定の処理温度となるように均一に加熱される(ウエハ昇温ステップ)。
同時に、処理室41内は真空ポンプ63により排気され、所定の処理圧力となるように制御される(圧力調整ステップ)。
なお、ウエハ搬送時やウエハ昇温時や圧力調整時においては、不活性ガス供給管53Cに設けられたバルブ57C、57Eは常時開いた状態とされ、不活性ガス供給源52Cより処理室41内に不活性ガスが常に流される。これにより、パーティクルや金属汚染物のウエハ2への付着を防ぐことができる。
When the support table 45 reaches the wafer processing position, the
At the same time, the inside of the
Note that the
まず、図8に示された第一シーケンスについて説明する。
ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の成膜温度や所定の成膜圧力に到達して安定すると、処理室41内に第一原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源52Aから供給された第一原料としての有機金属液体原料、例えば、Hf−MMPが第一液体原料供給管53Aを通り、液体流量コントローラ54Aで流量制御され、気化器55Aへ供給される。気化器55Aは第一原料を気化させる。
バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは第一原料ガス供給管56Aを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管56A内で混合されてシャワーヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワー状に供給される(第一原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第一原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第一原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
First, the first sequence shown in FIG. 8 will be described.
When the temperature of the
That is, an organometallic liquid raw material, for example, Hf-MMP, supplied as a first raw material from the first raw
When the
The first source gas and the inert gas are mixed in the first source
The first source gas supplied to the
The first source gas is easily stirred by being diluted with an inert gas.
第一原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ57Aが閉じられ、第一原料ガスのウエハ2への供給が停止される。このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After supplying the first source gas for a predetermined time, the valve 57A is closed, and the supply of the first source gas to the
The inert gas supplied to the
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室41内に第二原料ガスが供給される。
すなわち、第二原料供給源52Dから供給された第二原料としての有機金属液体原料、例えば、Si−MMPが第二液体原料供給管53Dを通り、液体流量コントローラ54Dで流量制御され、気化器55Dへ供給される。気化器55Dは第二原料を気化させる。バルブ67Cが閉じられると共に、バルブ57Dが開かれると、気化した第二原料ガスは第二原料ガス供給管56Dを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51dおよびシャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。このときも、バルブ57E、57Cは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に流される。
第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管56D内で混合されてシャワーヘッド51に導かれ、第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワー状に供給される(第二原料ガス供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給された第二原料ガスは、排気管62より排気される。
なお、第二原料ガスは不活性ガスで希釈されることにより撹拌され易くなる。
After the residual gas purge in the
That is, the organometallic liquid raw material as the second raw material, for example, Si-MMP supplied from the second raw material supply source 52D passes through the second liquid raw material supply pipe 53D, the flow rate is controlled by the liquid
The second source gas and the inert gas are mixed in the second source
The second source gas supplied to the
The second source gas is easily stirred by being diluted with an inert gas.
第二原料ガスの供給が所定時間行われた後、バルブ57Dが閉じられ、第二原料ガスのウエハ2への供給が停止される。このときも、バルブ57E、57Cは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After supplying the second source gas for a predetermined time, the valve 57D is closed, and the supply of the second source gas to the
The inert gas supplied to the
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室41内に酸化剤としてのオゾンガスが供給される。
すなわち、前述のように、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止することなく処理室41をバイパスするように流しておいた状態で、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へシャワー状に供給される(酸化剤供給ステップ)。
ウエハ2に対して供給されたオゾンガスは排気管62より排気される。
なお、このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態とされ、処理室41内には不活性ガスが常に供給される。
After purging the residual gas in the
That is, as described above, when the valve 67B is closed and the
The ozone gas supplied to the
At this time, the
オゾンガスの供給が所定時間行われた後、バルブ60Bが閉じられ、オゾンガスのウエハ2への供給が停止される。このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After the ozone gas is supplied for a predetermined time, the
The inert gas supplied to the
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、再び、バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、気化した第一原料ガスが不活性ガスと共にシャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。すわなち、第一原料ガス供給ステップが実施される。
After the residual gas purge in the
以上の第一原料ガス供給ステップ、パージステップ、第二原料ガス供給ステップ、パージステップ、酸化剤供給ステップおよびパージステップを1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を行うことにより、図7(b)に示されているように、緻密化膜8上に第二高誘電率絶縁膜としての非晶質の第二ハフニウムシリケート膜9が形成される(第二高誘電率絶縁膜形成ステップ)。
The above first source gas supply step, purge step, second source gas supply step, purge step, oxidant supply step and purge step are taken as one cycle, and the cycle process is repeated a plurality of times to perform FIG. As shown in b), an amorphous second
次に、図9に示された第二シーケンスについて説明する。
ウエハ2の温度や処理室41内の圧力がそれぞれ、所定の処理温度や所定の処理圧力に到達して安定すると、処理室41内に第一原料ガスおよび第二原料ガスが供給される。
すなわち、第一原料供給源52Aから供給された第一原料としてのHf−MMPが、第一液体原料供給管53Aを通り、液体流量コントローラ54Aで流量制御され、気化器55Aへ供給される。気化器55Aは第一原料を気化させる。バルブ67Aが閉じられると共に、バルブ57Aが開かれると、第一原料が気化した第一原料ガスは、第一原料ガス供給管56Aを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
同時に、第二原料供給源52Dから供給された第二原料としてのSi−MMPが第二液体原料供給管53Dを通り、液体流量コントローラ54Dで流量制御され、気化器55Dへ供給される。気化器55Dは第二原料を気化させる。バルブ67Cが閉じられると共に、バルブ57Dが開かれると、第二原料が気化した第二原料ガスは、第二原料ガス供給管56Dを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。
第一原料ガスと不活性ガスとは第一原料ガス供給管56A内で混合され、第二原料ガスと不活性ガスとは第二原料ガス供給管56D内で混合されてシャワーヘッド51に導かれる。これらのガスは第一バッファ空間51cにおいて混合された後に、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してサセプタ46上のウエハ2上へシャワー状に供給される(原料ガス供給ステップ)。
Next, the second sequence shown in FIG. 9 will be described.
When the temperature of the
That is, Hf-MMP as the first raw material supplied from the first raw
At the same time, Si-MMP as the second raw material supplied from the second raw material supply source 52D passes through the second liquid raw material supply pipe 53D, is controlled in flow rate by the liquid
The first source gas and the inert gas are mixed in the first source
第一原料ガスおよび第二原料ガスが所定時間供給された後に、バルブ57A、57Dが閉じられて、各原料ガスのウエハ2への供給が停止される。このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After the first source gas and the second source gas are supplied for a predetermined time, the valves 57A and 57D are closed, and the supply of each source gas to the
The inert gas supplied to the
処理室41内の残留ガスパージが所定時間行われた後に、処理室41内に酸化剤としてのオゾンガスが供給される。
すなわち、前述のように、オゾナイザ58からのオゾンガスの供給を停止することなく処理室41をバイパスするように流しておいた状態で、バルブ67Bが閉じられると共に、バルブ60Bが開かれると、生成されたオゾンガスがオゾナイザ58からオゾンガス供給管59Bを通り、シャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へシャワー状に供給される(酸化剤供給ステップ)。
After purging the residual gas in the
That is, as described above, when the valve 67B is closed and the
オゾンガスの供給が所定時間行われた後、バルブ60Bが閉じられ、オゾンガスのウエハ2への供給が停止される。このときも、バルブ57C、57Eは開いたままの状態なので、処理室41内への不活性ガスの供給は維持される。
なお、処理室41へ供給された不活性ガスは排気管62より排気される。これにより、処理室41内が不活性ガスによりパージされ、処理室41内の残留ガスが除去される(パージステップ)。
After the ozone gas is supplied for a predetermined time, the
The inert gas supplied to the
処理室41内の残留ガスパージが所定時間だけ実施された後に、再び、バルブ67Aが閉じられると共にバルブ57Aが開かれ、同時に、バルブ67Cが閉じられると共に、バルブ57Dが開かれると、気化した第一原料ガスおよび第二原料ガスが不活性ガスと共にシャワーヘッド51の第一バッファ空間51c、分散板51a、第二バッファ空間51d、シャワー板51bを経由してウエハ2上へ供給される。すなわち、原料ガス供給ステップが実施される。
After purging the residual gas in the
以上の原料ガス供給ステップ、パージステップ、酸化剤供給ステップおよびパージステップを1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を実施することにより、緻密化膜8上に第二高誘電率絶縁膜としての非晶質の第二ハフニウムシリケート膜9(図7(b)参照)が形成される(第二高誘電率絶縁膜形成ステップ)。
なお、第二ハフニウムシリケート膜を成膜する処理条件は、第一ハフニウムシリケート膜を成膜する処理条件と同様である。
The above-described source gas supply step, purge step, oxidant supply step, and purge step are set as one cycle, and a cycle process that repeats this cycle a plurality of times is performed to form a second high dielectric constant insulating film on the densified
The processing conditions for forming the second hafnium silicate film are the same as the processing conditions for forming the first hafnium silicate film.
以上のようにして、図7(b)に示されているように、第二高誘電率絶縁膜としての第二ハフニウムシリケート膜9が形成される。
第二ハフニウムシリケート膜9の形成が終了すると、ゲートバルブ44が開かれ、成膜済みのウエハ2は負圧移載装置13によって第一処理ユニット31から負圧に維持された負圧移載室11に搬出(ウエハアンローディング)される。
続いて、ゲートバルブ44が閉じられた後に、ゲートバルブ82が開かれ、負圧移載装置13はウエハ2を、図1に示されたプラズマ窒化ステップを実施する第二処理ユニット32に搬送して、第二処理ユニット32の処理室へ搬入(ウエハローディング)する。
As described above, as shown in FIG. 7B, the second
When the formation of the second
Subsequently, after the
本実施の形態においては、第二処理ユニット32には図4に示されたMMT(Modified Magnetron Typed)装置70が使用されている。
図4に示されているように、MMT装置70は処理室71を備えており、処理室71は下側容器72と、下側容器72の上に被せられた上側容器73とから構成されている。
上側容器73はドーム型の酸化アルミニウムまたは石英によって形成されており、下側容器72はアルミニウムによって形成されている。
上側容器73の上部にはガス分散空間であるバッファ室75を形成するシャワーヘッド74が設けられており、下壁にはガスを噴出する噴出口であるガス噴出孔77を有するシャワープレート76が形成されている。シャワーヘッド74の上壁にはガス供給装置78に接続されたガス供給ライン79が接続されている。
下側容器72の側壁の一部には、排気装置80に接続された排気ライン81が接続されている。
下側容器72の側壁の他の位置には、仕切弁となるゲートバルブ82が設けられている。ゲートバルブ82が開いている時にはウエハ2が処理室71に負圧移載装置13によって搬入および搬出されるようになっており、ゲートバルブ82が閉じている時には処理室71は気密に維持されるようになっている。
In the present embodiment, an MMT (Modified Magnetron Typed)
As shown in FIG. 4, the
The
A
An
A
上側容器73の外側には反応ガスを励起させる放電手段として筒状(好適には円筒状)の筒状電極84が同心円に敷設されており、筒状電極84は処理室71のプラズマ生成領域83を囲んでいる。筒状電極84には高周波電力を印加する高周波電源86がインピーダンスの整合を行う整合器85を介して接続されている。
筒状電極84の外側には筒状(好適には円筒状)の磁界形成手段である筒状磁石87が同心円に敷設されており、筒状磁石87は筒状電極84の外側の表面の上下端近傍にそれぞれ配置されている。
上下の筒状磁石87、87は処理室71の半径方向に沿った両端(内周端と外周端)に磁極を持ち、上下の筒状磁石87、87の磁極の向きが逆向きに設定されている。したがって、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極84の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。
筒状電極84および筒状磁石87の周囲には電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板88が設置されており、遮蔽板88は筒状電極84および筒状磁石87で形成される電界や磁界を外部環境等に悪影響を及ぼさないように遮蔽している。
A cylindrical (preferably cylindrical)
A
The upper and lower
A shielding
下側容器72の中心部にはエレベータによって昇降駆動されるサセプタ昇降軸89が垂直方向に昇降するように支承されており、サセプタ昇降軸89の処理室71側の上端にはウエハ2を保持するための保持手段としてのサセプタ90が水平に設置されている。
サセプタ昇降軸89は下側容器72と絶縁されており、下側容器72の底面上におけるサセプタ昇降軸89の外方には三本の突き上げピン91が垂直に立設されている。
三本の突き上げピン91はサセプタ昇降軸89の下降時にサセプタ90に開設された三個の挿通孔92を下から挿通して、サセプタ90の上に保持されたウエハ2を突き上げるように構成されている。
サセプタ90は誘電体である石英によってウエハ2よりも大径の円盤形状に形成されており、ヒータ(図示せず)が内蔵されている。
サセプタ90にはインピーダンスを調整するインピーダンス調整器93が電気的に接続されている。インピーダンス調整器93はコイルや可変コンデンサから構成されており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、サセプタ90を介してウエハ2の電位を制御し得るようになっている。
A
The
The three push-up
The
An
次に、図1に示されたプラズマ窒化ステップを、以上の構成に係るMMT装置70を使用してハフニウムシリケート膜に窒素(N)を添加する場合について説明する。
Next, the case where nitrogen (N) is added to the hafnium silicate film by using the
ゲートバルブ82が開かれると、第一処理ユニット31においてハフニウムシリケート膜が形成されたウエハ2は、第二処理ユニット32であるMMT装置70の処理室71に負圧移載装置13によって搬入され、三本の突き上げピン91の上端間に移載される。
ウエハ2を突き上げピン91に移載した負圧移載装置13が処理室71の外へ退避すると、ゲートバルブ82が閉まり、サセプタ90がサセプタ昇降軸89により上昇されて、図4に示されているように、ウエハ2が突き上げピン91の上からサセプタ90に受け渡される。
When the
When the negative
処理室71が気密に閉じられた状態で、処理室71内の圧力は0.5〜200Paの範囲内の所定の圧力となるように排気装置80によって排気される。
サセプタ90のヒータは予め加熱されており、サセプタ90に保持されたウエハ2を室温〜950℃の範囲内で所定の処理温度に加熱する。
ウエハ2が処理温度に加熱されると、0.1〜2SLMの流量の窒素(N2 )ガスやアンモニア(NH3 )ガス等の窒素原子を含むガスが処理室71に、ガス供給装置78からガス供給ライン79およびシャワープレート76のガス噴出孔77を介してシャワー状に導入される。
次に、150〜200Wの高周波電力が筒状電極84に高周波電源86から整合器85を介して印加される。この際、高周波は反射波が最小になるように整合器85によって制御される。
筒状磁石87、87の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウエハ2の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域83に高密度プラズマが生成される。
生成された高密度プラズマにより、サセプタ90上のウエハ2の表面にプラズマ処理が施される。この処理時間は、通常、3〜5分である。
In a state where the
The heater of the
When the
Next, high-frequency power of 150 to 200 W is applied to the
Magnetron discharge is generated under the influence of the magnetic field of the
Plasma processing is performed on the surface of the
以上の処理条件に対応する量の窒素がウエハ2上に形成されたハフニウムシリケート膜に添加され、図7(c)に示されているように、ハフニウムシリケート膜は窒化ハフニウムシリケート(HfSiON)膜9Aとなる。
すなわち、ウエハ2上に形成された第一ハフニウムシリケート膜7および第二ハフニウムシリケート膜9中に窒素が導入される。このとき、下部の第一ハフニウムシリケート膜7は緻密化膜8になっており(緻密化もしくは結晶化されており)、第一ハフニウムシリケート膜7を構成する原子間の距離が縮められていることから、第一ハフニウムシリケート膜7には窒素は導入され難くなっている。よって、上部の第二ハフニウムシリケート膜9に窒素が多量に導入され、下部の第一ハフニウムシリケート膜7である緻密化膜8には低濃度の窒素が導入されることになる。
An amount of nitrogen corresponding to the above processing conditions is added to the hafnium silicate film formed on the
That is, nitrogen is introduced into the first
プラズマ窒化ステップが終了すると、ゲートバルブ82が開かれ、負圧移載装置13は窒化済みのウエハ2を第二処理ユニット32から負圧に維持された負圧移載室11に搬出(ウエハアンローディング)する。
続いて、ゲートバルブ82が閉じられた後に、負圧移載装置13はウエハ2を、プラズマダメージを回復するための図1に示された回復アニールステップを実施する第三処理ユニット33に搬送して、第三処理ユニット33の処理室へ搬入(ウエハローディング)する。
When the plasma nitriding step is completed, the
Subsequently, after the
次に、図1に示された回復アニールステップを、図3に示されたRTP装置110を使用して、実施する場合について説明する。 Next, a case where the recovery annealing step shown in FIG. 1 is performed using the RTP apparatus 110 shown in FIG. 3 will be described.
ゲートバルブ118が開かれると、アニールを施すべきウエハ2は、第三処理ユニット33であるRTP装置110の処理室111に負圧移載装置13によってウエハ搬入搬出口117から搬入され、複数本のリフタピン122の上端間に移載される。
ウエハ2をリフタピン122に移載した負圧移載装置13が処理室111の外へ退避すると、ウエハ搬入搬出口117がゲートバルブ118により閉じられる。
また、昇降軸120が昇降駆動装置119によって下降されることにより、リフタピン122の上のウエハ2がサセプタ140の上に受け渡される。
処理室111が気密に閉じられた状態で、処理室111内は10〜10000Paの範囲内の所定の圧力となるように排気口116を通じて排気される。
When the
When the negative
Further, the
With the processing chamber 111 closed in an airtight manner, the processing chamber 111 is exhausted through the
ウエハ2がサセプタ140に受け渡されると、ウエハ2をサセプタ140によって保持したタレット131が内歯平歯車133および原動側平歯車134を介してサセプタ回転装置136によって回転される。
サセプタ140に保持されたウエハ2はサセプタ回転装置136によって回転されながら、600〜1000℃の範囲内の所定の温度となるように第一加熱ランプ群125および第二加熱ランプ群126によって加熱される。
この回転および加熱中に、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスが処理室111に、アニールガス供給管142から供給される。
サセプタ140がサセプタ回転装置136によって回転されながら、サセプタ140の上に保持されたウエハ2は第一加熱ランプ群125および第二加熱ランプ群126によって均一に加熱されるため、ウエハ2上の窒化ハフニウムシリケート膜9Aは全面にわたって均一にアニールされる。このアニールの処理時間は、5〜120秒間である。
以上の回復アニールステップにより、窒化ハフニウムシリケート膜9Aはプラズマダメージを除去される。
When the
The
During the rotation and heating, an inert gas such as nitrogen gas or argon gas is supplied to the processing chamber 111 from the annealing
Since the
By the above recovery annealing step, the plasma damage is removed from the hafnium
RTP装置110において予め設定された所定の処理時間が経過すると、処理室111が排気口116によって所定の負圧となるように排気された後に、ゲートバルブ118が開かれ、アニールが施されたウエハ2は、負圧移載装置13によって搬入時と逆の手順で処理室111から負圧移載室11に搬出(ウエハアンローディング)される。
When a predetermined processing time set in advance in the RTP apparatus 110 elapses, the processing chamber 111 is evacuated to a predetermined negative pressure by the
なお、界面層形成ステップ、第一高誘電率絶縁膜形成ステップ、緻密化ステップ、第二高誘電率絶縁膜形成ステップ、プラズマ窒化ステップ、回復アニールステップ実施後のウエハは、第一クーリングユニット35または第二クーリングユニット36が使用されて、必要に応じて冷却される場合もある。
The wafer after the interface layer forming step, the first high dielectric constant insulating film forming step, the densification step, the second high dielectric constant insulating film forming step, the plasma nitriding step, and the recovery annealing step is performed by the
クラスタ装置10での回復アニールステップ後の図1に示されたウエハアンローディングステップにおいては、搬出室15の負圧移載室11側がゲートバルブ18Bによって開かれ、負圧移載装置13はウエハ2を負圧移載室11から搬出室15へ搬送し、搬出室15の搬出室用仮置き台の上に移載する。
この際には、事前に、搬出室15の正圧移載室16側がゲートバルブ18Aによって閉じられ、搬出室15が排気装置(図示せず)により負圧に排気される。搬出室15が予め設定された圧力値に減圧されると、搬出室15の負圧移載室11側がゲートバルブ18Bによって開かれ、ウエハアンローディングステップが行われることとなる。
ウエハアンローディングステップ後に、ゲートバルブ18Bは閉じられる。
In the wafer unloading step shown in FIG. 1 after the recovery annealing step in the
At this time, the positive
After the wafer unloading step, the
以上の作動が繰り返されることにより、搬入室14に一括して搬入された25枚のウエハ2について、図1に示された各ステップが順次に実施されて行く。
25枚のウエハ2について一連の所定の処理が完了すると、処理済のウエハ2は搬出室15の仮置き台に溜められた状態になる。
By repeating the above operation, the steps shown in FIG. 1 are sequentially performed on the 25
When a series of predetermined processes are completed for the 25
図1に示されたウエハ排出ステップにおいては、負圧に維持された搬出室15内に窒素ガスが供給され、搬出室15内が大気圧となった後に、搬出室15の正圧移載室16側が、ゲートバルブ18Aによって開かれる。
次いで、載置台25に載置された空のポッド1のキャップが、ポッドオープナ24のキャップ着脱機構26によって開かれる。
続いて、正圧移載室16の正圧移載装置19は搬出室15からウエハ2をピックアップして正圧移載室16に搬出し、正圧移載室16のウエハ搬入搬出口23を通してポッド1に収納(チャージング)して行く。
処理済みの25枚のウエハ2のポッド1への収納が完了すると、ポッド1のキャップがポッドオープナ24のキャップ着脱機構26によってウエハ出し入れ口に装着され、ポッド1が閉じられる。
In the wafer discharging step shown in FIG. 1, nitrogen gas is supplied into the unloading
Next, the cap of the empty pod 1 mounted on the mounting table 25 is opened by the cap attaching / detaching mechanism 26 of the
Subsequently, the positive
When the storage of the 25 processed
本実施の形態においては、クラスタ装置10における一連のステップが終了したウエハ2はポッド1に気密に収納された状態で、ゲート電極形成ステップを実施する成膜装置に、図1に示されたポッドの工程内搬送ステップにより搬送されて行く。
ゲート電極形成ステップを実施する成膜装置としては、例えば、バッチ式縦形ホットウオール形CVD装置、枚葉式ALD装置、枚葉式CVD装置等がある。
In the present embodiment, the
Examples of the film forming apparatus that performs the gate electrode forming step include a batch type vertical hot wall type CVD apparatus, a single wafer type ALD apparatus, and a single wafer type CVD apparatus.
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.
(1)ウエハ上に第一ハフニウムシリケート膜を形成し、第一ハフニウムシリケート膜に対しアニールを施して緻密化または結晶化し、緻密化または結晶化した第一ハフニウムシリケート膜上に第二ハフニウムシリケート膜を形成し、第一ハフニウムシリケート膜および第二ハフニウムシリケート膜をプラズマ窒化することにより、上部の第二ハフニウムシリケート膜に窒素を多量に導入することができるとともに、下部の第一ハフニウムシリケート膜に窒素が多量に導入されるのを防止することができる。 (1) A first hafnium silicate film is formed on a wafer, the first hafnium silicate film is annealed to be densified or crystallized, and the second hafnium silicate film is formed on the densified or crystallized first hafnium silicate film By forming the first hafnium silicate film and the second hafnium silicate film by plasma nitriding, a large amount of nitrogen can be introduced into the upper second hafnium silicate film, and nitrogen can be introduced into the lower first hafnium silicate film. Can be prevented from being introduced in large quantities.
(2)下部の第一ハフニウムシリケート膜に窒素が多量に導入されるのを防止することにより、チャネル近傍まで窒素が導入されのを防止することができるので、移動度の劣化を抑制することができ、良好なMOSFET特性を得ることができる。 (2) Nitrogen can be prevented from being introduced to the vicinity of the channel by preventing a large amount of nitrogen from being introduced into the lower first hafnium silicate film, thereby suppressing mobility degradation. And good MOSFET characteristics can be obtained.
(3)第一ハフニウムシリケート膜の厚さを、1nm程度と薄くすることにより、ステップ増加に伴うスループットの低下を抑制することができる。 (3) By reducing the thickness of the first hafnium silicate film to about 1 nm, it is possible to suppress a decrease in throughput due to an increase in steps.
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更が可能であることはいうまでもない。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It cannot be overemphasized that it can change variously in the range which does not deviate from the summary.
前記実施形態では、界面層形成ステップ後に第一高誘電率絶縁膜である第一ハフニウムシリケート膜を形成するステップを行う例について説明したが、第一ハフニウムシリケート膜を極薄く(例えば、1nm程度)形成することにより、オゾンガス供給時に下地のウエハの表面を酸化できるので、第一ハフニウムシリケート膜形成ステップの前に別途界面層形成ステップを設けなくとも、第一ハフニウムシリケート膜形成ステップの初期にハフニウムシリケート膜の形成と同時に界面層としてのシリコン酸化膜を形成することができる。 In the embodiment, the example of performing the step of forming the first hafnium silicate film which is the first high dielectric constant insulating film after the interface layer forming step has been described, but the first hafnium silicate film is extremely thin (for example, about 1 nm). Since the surface of the underlying wafer can be oxidized when ozone gas is supplied, the hafnium silicate can be formed at the beginning of the first hafnium silicate film forming step without providing a separate interface layer forming step before the first hafnium silicate film forming step. A silicon oxide film as an interface layer can be formed simultaneously with the formation of the film.
第一ハフニウムシリケート膜および第二ハフニウムシリケート膜を同時に窒化する手段としては、プラズマ窒化を使用するに限らない。 Means for simultaneously nitriding the first hafnium silicate film and the second hafnium silicate film is not limited to using plasma nitridation.
プラズマ窒化のプラズマダメージを除去するための回復アニールステップは、省略することができる。 The recovery annealing step for removing plasma damage of plasma nitriding can be omitted.
ゲート絶縁膜を形成するための高誘電率膜の形成材料としては、窒化ハフニウムシリケート(HfSiON)以外に、Ta2 O5 、Al2 O3 、ZrO2 、HfAlOx、HfAlON、La2 O3 、Y2 O3 がある。 In addition to hafnium nitride silicate (HfSiON), there are Ta2 O5, Al2 O3, ZrO2, HfAlOx, HfAlON, La2 O3, and Y2 O3 as materials for forming the high dielectric constant film for forming the gate insulating film.
被処理基板はウエハに限らず、LCD装置の製造工程におけるガラス基板や液晶パネル等の基板であってもよい。 The substrate to be processed is not limited to a wafer, and may be a substrate such as a glass substrate or a liquid crystal panel in the manufacturing process of the LCD device.
2…ウエハ(被処理基板)
3…素子分離領域
4…Pウエル領域
5…Nウエル領域
6…シリコン酸化膜(界面層)
7…第一ハフニウムシリケート膜(第一高誘電率絶縁膜)
8…緻密化膜
9…第二ハフニウムシリケート膜(第二高誘電率絶縁膜)
9A…窒化ハフニウムシリケート膜(窒化高誘電率絶縁膜)
2. Wafer (substrate to be processed)
3 ...
7. First hafnium silicate film (first high dielectric constant insulating film)
8 ...
9A ... Hafnium nitride silicate film (nitride high dielectric constant insulating film)
Claims (2)
前記第一高誘電率絶縁膜に対し熱処理を施すことで前記第一高誘電率絶縁膜を緻密化または結晶化するステップと、
前記緻密化または結晶化した前記第一高誘電率絶縁膜上に第二高誘電率絶縁膜を形成するステップと、
前記第一高誘電率絶縁膜および前記第二高誘電率絶縁膜に対し同時に窒化処理を施すステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a first high dielectric constant insulating film on the substrate;
Densifying or crystallizing the first high dielectric constant insulating film by applying heat treatment to the first high dielectric constant insulating film;
Forming a second high dielectric constant insulating film on the densified or crystallized first high dielectric constant insulating film;
Simultaneously nitriding the first high dielectric constant insulating film and the second high dielectric constant insulating film;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記基板に対し熱処理を施す第二処理室と、
前記基板に対し窒化処理を施す第三処理室と、
前記第一処理室、前記第二処理室および前記第三処理室との間に設けられ、前記第一処理室、前記第二処理室および前記第三処理室との間で前記基板を搬送する搬送室と、
前記搬送室内に設けられ前記基板を搬送する搬送ロボットと、
前記基板を前記搬送ロボットにより前記第一処理室内に搬送し、前記第一処理室内で前記基板上に第一高誘電率絶縁膜を形成し、前記第一高誘電率絶縁膜が形成された前記基板を前記搬送ロボットにより前記第一処理室内から前記第二処理室内に搬送し、前記第二処理室内で前記第一高誘電率絶縁膜に対し熱処理を施すことで前記第一高誘電率絶縁膜を緻密化または結晶化し、前記第一高誘電率絶縁膜を緻密化または結晶化した前記基板を前記搬送ロボットにより前記第二処理室内から前記第一処理室内に搬送し、前記第一処理室内で前記緻密化または結晶化された前記第一高誘電率絶縁膜上に第二高誘電率絶縁膜を形成し、前記第二高誘電率絶縁膜が形成された前記基板を前記搬送ロボットにより前記第一処理室内から前記第三処理室内に搬送し、前記第三処理室内で前記第一高誘電率絶縁膜および前記第二高誘電率絶縁膜に対し同時に窒化処理を施すように制御するコントローラと、 を有することを特徴とする基板処理装置。 A first processing chamber for forming a high dielectric constant insulating film on the substrate;
A second processing chamber for heat-treating the substrate;
A third processing chamber for nitriding the substrate;
Provided between the first processing chamber, the second processing chamber, and the third processing chamber, and transports the substrate between the first processing chamber, the second processing chamber, and the third processing chamber. A transfer chamber;
A transfer robot provided in the transfer chamber for transferring the substrate;
The substrate is transferred into the first processing chamber by the transfer robot, a first high dielectric constant insulating film is formed on the substrate in the first processing chamber, and the first high dielectric constant insulating film is formed. The substrate is transferred from the first processing chamber to the second processing chamber by the transfer robot, and the first high dielectric constant insulating film is subjected to heat treatment in the second processing chamber. The first high dielectric constant insulating film is densified or crystallized, and the substrate is transported from the second processing chamber to the first processing chamber by the transfer robot. A second high dielectric constant insulating film is formed on the densified or crystallized first high dielectric constant insulating film, and the substrate on which the second high dielectric constant insulating film is formed is transferred by the transfer robot to the first high dielectric constant insulating film. From one processing chamber to the third processing chamber And a controller for controlling the first high dielectric constant insulating film and the second high dielectric constant insulating film to simultaneously perform nitriding in the third processing chamber. .
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JP2013062376A (en) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Toyota Motor Corp | Rotary deposition apparatus |
-
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- 2008-12-22 JP JP2008326055A patent/JP2010147417A/en active Pending
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